JP2971838B2 - 磁場処理による液晶配向膜の製造方法 - Google Patents
磁場処理による液晶配向膜の製造方法Info
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶を所定の方向
に配向させるために用いる液晶配向膜の製造方法に関す
るものであり、詳細には磁場を用いて簡単に液晶−高分
子の界面で高分子の表面に異方性を付与して液晶配向膜
を形成させる方法に関する。
に配向させるために用いる液晶配向膜の製造方法に関す
るものであり、詳細には磁場を用いて簡単に液晶−高分
子の界面で高分子の表面に異方性を付与して液晶配向膜
を形成させる方法に関する。
【0002】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】現在、
商業的に製造される捩じれネマチック液晶ディスプレイ
(TN−LCD;Twisted Nematic-Liquid Crystal Dis
play)、超捩じれネマチック液晶ディスプレイ(STN
−LCD; Super Twisted Nematic-Liquid Crystal Di
splay)、強誘電性液晶ディスプレイ(FLCD;Ferroe
lectric Liquid Crystal Display)においては、二枚の
透明電極(ITOガラス;Indium Tin Oxide glass)間
に液晶が充填されたサンドイッチセルの構造を有し、電
場の印加により液晶分子の配向方向が変わり、セルの両
端に付けられた偏光板により光透過度が変化することを
利用している。ここで、前記液晶配向膜は、電場が印加
されないときにも、液晶分子は所定方向に配向されてお
り、セルに電場が加えられると光透過度差異(コントラ
スト比)が極大化するようにするものであり、この場合
に主として用いられる高分子は、主にポリイミド(P
I)である。
商業的に製造される捩じれネマチック液晶ディスプレイ
(TN−LCD;Twisted Nematic-Liquid Crystal Dis
play)、超捩じれネマチック液晶ディスプレイ(STN
−LCD; Super Twisted Nematic-Liquid Crystal Di
splay)、強誘電性液晶ディスプレイ(FLCD;Ferroe
lectric Liquid Crystal Display)においては、二枚の
透明電極(ITOガラス;Indium Tin Oxide glass)間
に液晶が充填されたサンドイッチセルの構造を有し、電
場の印加により液晶分子の配向方向が変わり、セルの両
端に付けられた偏光板により光透過度が変化することを
利用している。ここで、前記液晶配向膜は、電場が印加
されないときにも、液晶分子は所定方向に配向されてお
り、セルに電場が加えられると光透過度差異(コントラ
スト比)が極大化するようにするものであり、この場合
に主として用いられる高分子は、主にポリイミド(P
I)である。
【0003】このような液晶配向膜の製造方法において
は、ポリイミド前駆体(precursor)溶液をITOガラ
ス上に塗布し、80℃で15分間硬化した後、170〜
250℃で60分間の後硬化(Nissan SE-シリーズ配向
膜の技術データを参照)させて製造しているが、これは
多くのエネルギーと時間を必要とする方法である。
は、ポリイミド前駆体(precursor)溶液をITOガラ
ス上に塗布し、80℃で15分間硬化した後、170〜
250℃で60分間の後硬化(Nissan SE-シリーズ配向
膜の技術データを参照)させて製造しているが、これは
多くのエネルギーと時間を必要とする方法である。
【0004】このようにして製造した液晶配向膜は、硬
化後にもナイロン及び綿の巻かれたドラムを用いて機械
的摩擦により液晶を配向させるため、微細にパターン化
されたITO電極又は能動駆動形ディスプレイの薄膜ト
ランジスタ層を破壊したり、液晶配向膜の表面に蓄積さ
れた静電気によりディスプレイパネルが不良になる欠点
がある。
化後にもナイロン及び綿の巻かれたドラムを用いて機械
的摩擦により液晶を配向させるため、微細にパターン化
されたITO電極又は能動駆動形ディスプレイの薄膜ト
ランジスタ層を破壊したり、液晶配向膜の表面に蓄積さ
れた静電気によりディスプレイパネルが不良になる欠点
がある。
【0005】このような問題点を解決するため、酸化ケ
イ素のような誘電体を斜向蒸着する方法(Appl. Phys.
Lett., 21, p173,1972)が提案されているが、この方法
は経済性にも問題があり、TN−LCDで通常適用され
る約3°以下の低い液晶傾斜角(pretilt angle)を得る
ことが難しい。
イ素のような誘電体を斜向蒸着する方法(Appl. Phys.
Lett., 21, p173,1972)が提案されているが、この方法
は経済性にも問題があり、TN−LCDで通常適用され
る約3°以下の低い液晶傾斜角(pretilt angle)を得る
ことが難しい。
【0006】ポリビニルケイ皮酸塩誘導体のような光反
応性のある高分子に偏光紫外線を照射する方法(大韓民
国公開特許第95−009327号及び日本国特公平5
−034699号公報)、液晶性単量体を電場又は磁場
下で光重合する方法(日本国特開平1−113728号
公報)、高分子前駆体層を形成させた後、表面を液晶と
接触させたまま電場又は磁場下で熱硬化若しくは光硬化
させる方法(日本国特開平4−350822号公報)、
ラングミュアブロゼット(Langmiur-Blodgett;LB)膜を
形成させた後、電場又は磁場中を通過させる方法(日本
国特開平5−080340号)及び側鎖形又は主鎖形の
液晶高分子を加熱したまま磁場により配向させる方法
(日本国特開平6−313866号及び同2−0435
17号公報)などがそれぞれ提案されている。
応性のある高分子に偏光紫外線を照射する方法(大韓民
国公開特許第95−009327号及び日本国特公平5
−034699号公報)、液晶性単量体を電場又は磁場
下で光重合する方法(日本国特開平1−113728号
公報)、高分子前駆体層を形成させた後、表面を液晶と
接触させたまま電場又は磁場下で熱硬化若しくは光硬化
させる方法(日本国特開平4−350822号公報)、
ラングミュアブロゼット(Langmiur-Blodgett;LB)膜を
形成させた後、電場又は磁場中を通過させる方法(日本
国特開平5−080340号)及び側鎖形又は主鎖形の
液晶高分子を加熱したまま磁場により配向させる方法
(日本国特開平6−313866号及び同2−0435
17号公報)などがそれぞれ提案されている。
【0007】このような従来法においては、製造された
液晶配向膜の配向性能及び配向安定性が低く、製造工程
が煩雑で高い磁場を必要とするため、実用的な方法とし
ては不適切である欠点があった。本発明の目的は、液晶
配向性能及び配向安定性が優れ、大量生産が可能な、磁
場処理による液晶配向膜の製造方法を提供するものであ
る。
液晶配向膜の配向性能及び配向安定性が低く、製造工程
が煩雑で高い磁場を必要とするため、実用的な方法とし
ては不適切である欠点があった。本発明の目的は、液晶
配向性能及び配向安定性が優れ、大量生産が可能な、磁
場処理による液晶配向膜の製造方法を提供するものであ
る。
【0008】
【課題を解決するための手段】したがって、本発明は、
液晶配向膜を製造する方法であって、 1.透明電極上に熱可塑性高分子膜を厚さ5Å以上にコ
ーティングする工程、 2.該高分子膜のコーティングされた2枚の該透明電極
の間に液晶を注入してガラス/透明電極/高分子膜/液
晶/高分子膜/透明電極/ガラスの構造を有する臨時セ
ルを調製するか、又は該透明電極の該高分子膜上に液晶
を接触させてガラス/透明電極/高分子膜/液晶の構造
を有する積層基板を調製する工程、 3.該臨時セル又は該積層基板に0.2テスラ以上の磁
場を加えながら液晶及び高分子膜の相混合温度以下に加
熱し放置する工程、 4.該臨時セル又は該積層基板を磁場中で100℃/分
以下の冷却速度で冷却する工程を、順次に行うことを特
徴とする方法を提供する。
液晶配向膜を製造する方法であって、 1.透明電極上に熱可塑性高分子膜を厚さ5Å以上にコ
ーティングする工程、 2.該高分子膜のコーティングされた2枚の該透明電極
の間に液晶を注入してガラス/透明電極/高分子膜/液
晶/高分子膜/透明電極/ガラスの構造を有する臨時セ
ルを調製するか、又は該透明電極の該高分子膜上に液晶
を接触させてガラス/透明電極/高分子膜/液晶の構造
を有する積層基板を調製する工程、 3.該臨時セル又は該積層基板に0.2テスラ以上の磁
場を加えながら液晶及び高分子膜の相混合温度以下に加
熱し放置する工程、 4.該臨時セル又は該積層基板を磁場中で100℃/分
以下の冷却速度で冷却する工程を、順次に行うことを特
徴とする方法を提供する。
【0009】
【発明の実施の形態】従来の摩擦を施さずに、磁場下に
液晶配向膜を製造する方法では、反応性液晶単量体又は
前駆体を磁場下で配向させた後、それらの配向を固定さ
せるために化学反応をさせるか、又は液晶高分子層自体
を磁場下に配向させて液晶配向膜としての機能を付与し
ている。これに対して、本発明は、磁場下で化学的反応
を起こさず、かつ配向が液晶高分子よりも容易な低分子
液晶を磁場下で配向させ、低分子層と接触している熱可
塑性高分子膜の表面に液晶配向機能を生成させる方法で
ある。
液晶配向膜を製造する方法では、反応性液晶単量体又は
前駆体を磁場下で配向させた後、それらの配向を固定さ
せるために化学反応をさせるか、又は液晶高分子層自体
を磁場下に配向させて液晶配向膜としての機能を付与し
ている。これに対して、本発明は、磁場下で化学的反応
を起こさず、かつ配向が液晶高分子よりも容易な低分子
液晶を磁場下で配向させ、低分子層と接触している熱可
塑性高分子膜の表面に液晶配向機能を生成させる方法で
ある。
【0010】本発明は、適切な溶剤に溶解された無定形
又は低結晶化度の透明な熱可塑性高分子の溶液をITO
ガラス上にスピンキャスティングして、液晶配向膜とし
て使用する高分子膜を調製し、該高分子膜上に単一成分
又は混合形態の液晶を接触させた後、高分子の熱的特性
に従い、磁場下で所定温度の範囲で加熱し、次いで冷却
して液晶配向膜を得る方法である。
又は低結晶化度の透明な熱可塑性高分子の溶液をITO
ガラス上にスピンキャスティングして、液晶配向膜とし
て使用する高分子膜を調製し、該高分子膜上に単一成分
又は混合形態の液晶を接触させた後、高分子の熱的特性
に従い、磁場下で所定温度の範囲で加熱し、次いで冷却
して液晶配向膜を得る方法である。
【0011】磁場により配向された液晶が、加熱された
高分子膜の界面を異方化させ、該高分子界面を常温まで
冷却し、磁場を除去した後においても、該高分子界面
は、液晶を所定の方向に配向させるメモリ効果を有す
る。本発明は、このような現象を利用することを特徴と
する。
高分子膜の界面を異方化させ、該高分子界面を常温まで
冷却し、磁場を除去した後においても、該高分子界面
は、液晶を所定の方向に配向させるメモリ効果を有す
る。本発明は、このような現象を利用することを特徴と
する。
【0012】本発明の方法は、臨時セル又は積層基板を
磁場下で処理する場合、用いる電磁場内の空間の大きさ
に従い、数十〜数百枚を同時に処理することができるた
め、液晶配向膜の大量生産が可能である。
磁場下で処理する場合、用いる電磁場内の空間の大きさ
に従い、数十〜数百枚を同時に処理することができるた
め、液晶配向膜の大量生産が可能である。
【0013】本発明の方法において、臨時セルを用いて
液晶配向膜を製造する場合、配向膜を有する該臨時セル
を解体して2枚の基板を得た後、フィルム、ガラスビー
ズ、又はガラス繊維スペーサを介して前記2枚の基板上
の液晶配向角度が90°又はそれを超える角度であるよ
うに付着し、封止してTN−LCD及びSTN−LCD
セルを製造することができる。このとき、セル内に生成
する気泡を抑制するため、液晶を適切な量だけ加えて付
着することが好ましい。更に、この2枚の積層基板を高
分子フィルム、ガラスビーズ、又はガラス繊維スペーサ
を介して付着することもでき、使用するスペーサの厚さ
が、積層基板最上端に存在する液晶層の厚さの2倍以上
であると、2枚の積層基板間の空間に液晶を追加注入し
た後、封止する。
液晶配向膜を製造する場合、配向膜を有する該臨時セル
を解体して2枚の基板を得た後、フィルム、ガラスビー
ズ、又はガラス繊維スペーサを介して前記2枚の基板上
の液晶配向角度が90°又はそれを超える角度であるよ
うに付着し、封止してTN−LCD及びSTN−LCD
セルを製造することができる。このとき、セル内に生成
する気泡を抑制するため、液晶を適切な量だけ加えて付
着することが好ましい。更に、この2枚の積層基板を高
分子フィルム、ガラスビーズ、又はガラス繊維スペーサ
を介して付着することもでき、使用するスペーサの厚さ
が、積層基板最上端に存在する液晶層の厚さの2倍以上
であると、2枚の積層基板間の空間に液晶を追加注入し
た後、封止する。
【0014】本発明の方法で製造した液晶配向膜の性能
を評価するために、作動面積が約1×2cm2 で、厚さが
5.6μm であるTN−LCDセルを、ポリエチレンテ
レフターレートフィルムスペーサを用いて製作し、エポ
キシ樹脂で封止した。このTN−LCDを、ダークモー
ド(dark mode)で作動するように、偏光方向が相互に平
行である2枚の偏光板間に配置し、以下の電気光学的特
性を測定した。それぞれ異なる方法により製造された液
晶配向膜の特性と比較するために、電場のピーク・ツー
・ピーク電圧(peak-to-peak voltage, Vpp)を増加させ
ながら100Hzの直角交流波をセルの両端に印加して、
TN−LCDセルの相対光透過度の変化を測定した。ま
た、それぞれの電圧における電気光学的応答曲線を求め
て、電場を印加した時点から、相対光透過度が90%ま
で増加するに要する時間:ton、電場を除去した時点か
ら、相対光透過度が10%に減少するに要する時間:t
off 及び総応答時間ttot =ton+toff をそれぞれ測
定した。
を評価するために、作動面積が約1×2cm2 で、厚さが
5.6μm であるTN−LCDセルを、ポリエチレンテ
レフターレートフィルムスペーサを用いて製作し、エポ
キシ樹脂で封止した。このTN−LCDを、ダークモー
ド(dark mode)で作動するように、偏光方向が相互に平
行である2枚の偏光板間に配置し、以下の電気光学的特
性を測定した。それぞれ異なる方法により製造された液
晶配向膜の特性と比較するために、電場のピーク・ツー
・ピーク電圧(peak-to-peak voltage, Vpp)を増加させ
ながら100Hzの直角交流波をセルの両端に印加して、
TN−LCDセルの相対光透過度の変化を測定した。ま
た、それぞれの電圧における電気光学的応答曲線を求め
て、電場を印加した時点から、相対光透過度が90%ま
で増加するに要する時間:ton、電場を除去した時点か
ら、相対光透過度が10%に減少するに要する時間:t
off 及び総応答時間ttot =ton+toff をそれぞれ測
定した。
【0015】摩擦処理したPI配向膜を用いて、同様の
試験を行い、上記のTN−LCDに対する試験結果と比
較した。
試験を行い、上記のTN−LCDに対する試験結果と比
較した。
【0016】以上説明したように、本発明は、極めて簡
単な工程により液晶配向膜を大量に生産し得る新しい方
法を提供するものである。以下の実施例から明らかなよ
うに、このような優れた液晶配向性能を有する配向膜に
より製作された液晶表示素子は、電気光学的応答が優れ
ている。以下に実施例により、さらに詳細に説明する
が、これら実施例により本発明の請求範囲を限定するも
のではない。
単な工程により液晶配向膜を大量に生産し得る新しい方
法を提供するものである。以下の実施例から明らかなよ
うに、このような優れた液晶配向性能を有する配向膜に
より製作された液晶表示素子は、電気光学的応答が優れ
ている。以下に実施例により、さらに詳細に説明する
が、これら実施例により本発明の請求範囲を限定するも
のではない。
【0017】
実施例1.ポリビニルホルマールの1重量%クロロホル
ム溶液を、12×3cm2 のITOガラス上に500rpm
の回転速度でスピンキャスティングした後、100℃に
維持した対流オーブン(convection oven)内で30分乾
燥した。厚さ測定器(depth profiler)で測定したポリ
ビニルホルマール膜の厚さは、3,300±100Åで
あり、原子間力顕微鏡(Atomic Force Microscope)で測
定した膜表面の平滑度は、100Å以内であった。ポリ
ビニルホルマールによりコーティングされた2枚のIT
Oガラス及び5.6μm 厚さのポリエチレンテレフタラ
ートフィルムスペーサを用いて空のセルを構成し、ネマ
チック液晶混合物(E63、BDH社)を毛細管現象を
利用して注入した後、4隅部のみをエポキシ樹脂で固定
して磁場処理用臨時セルを製造した。2テスラの磁場内
に温度調節可能なアルミニウム材ヒーティングブロック
を設置し、温度を80℃に維持しながら、前記臨時セル
を載置した後5分間放置し、5℃/分の速度で30℃ま
で冷却し、磁場の外に取り出した。前記磁場で処理され
た臨時セルを常温まで冷却した後、偏光方向に垂直な2
枚の偏光板間に置き、セルを面上で回転させながら光透
過度を観察して、セル内の液晶分子が磁場の方向に配向
したことを確認した。また、偏光顕微鏡による観察にお
いても配向上の欠陥を見い出さなかった。
ム溶液を、12×3cm2 のITOガラス上に500rpm
の回転速度でスピンキャスティングした後、100℃に
維持した対流オーブン(convection oven)内で30分乾
燥した。厚さ測定器(depth profiler)で測定したポリ
ビニルホルマール膜の厚さは、3,300±100Åで
あり、原子間力顕微鏡(Atomic Force Microscope)で測
定した膜表面の平滑度は、100Å以内であった。ポリ
ビニルホルマールによりコーティングされた2枚のIT
Oガラス及び5.6μm 厚さのポリエチレンテレフタラ
ートフィルムスペーサを用いて空のセルを構成し、ネマ
チック液晶混合物(E63、BDH社)を毛細管現象を
利用して注入した後、4隅部のみをエポキシ樹脂で固定
して磁場処理用臨時セルを製造した。2テスラの磁場内
に温度調節可能なアルミニウム材ヒーティングブロック
を設置し、温度を80℃に維持しながら、前記臨時セル
を載置した後5分間放置し、5℃/分の速度で30℃ま
で冷却し、磁場の外に取り出した。前記磁場で処理され
た臨時セルを常温まで冷却した後、偏光方向に垂直な2
枚の偏光板間に置き、セルを面上で回転させながら光透
過度を観察して、セル内の液晶分子が磁場の方向に配向
したことを確認した。また、偏光顕微鏡による観察にお
いても配向上の欠陥を見い出さなかった。
【0018】次いで、磁場で処理した前記臨時セルを解
体して2枚の積層基板を得、5.6μm 厚さのポリエチ
レンテレフタラートフィルムスペーサを介して、配向方
向が相互に直交するように付着した後、エポキシ樹脂で
封止してTN−LCDセルを調製した。次いで、該TN
−LCDセルをダークモードで作動するように偏光方向
が相互に平行である2枚の偏光板間に配置し、100Hz
の直角波をセルの両端に印加して、ピーク・ツー・ピー
ク電圧の増加に従う相対光透過度の変化を測定した。結
果を図1に示した。また、飽和透過度を示す9.0Vpp
から得られる電気光学的応答曲線を、図2に示した。図
2から測定された電気光学的応答時間を表1に示した。
PI液晶配向膜を用いたTN−LCDセルと比べ速い総
応答時間ttot を表している。
体して2枚の積層基板を得、5.6μm 厚さのポリエチ
レンテレフタラートフィルムスペーサを介して、配向方
向が相互に直交するように付着した後、エポキシ樹脂で
封止してTN−LCDセルを調製した。次いで、該TN
−LCDセルをダークモードで作動するように偏光方向
が相互に平行である2枚の偏光板間に配置し、100Hz
の直角波をセルの両端に印加して、ピーク・ツー・ピー
ク電圧の増加に従う相対光透過度の変化を測定した。結
果を図1に示した。また、飽和透過度を示す9.0Vpp
から得られる電気光学的応答曲線を、図2に示した。図
2から測定された電気光学的応答時間を表1に示した。
PI液晶配向膜を用いたTN−LCDセルと比べ速い総
応答時間ttot を表している。
【0019】比較例1.TN−LCDセルの製造方法及
び電気光学的応答特性の測定方法は、前記実施例1と同
様であるが、磁場下で処理せずに、機械的摩擦処理され
たPI膜(SE3140、 Nissan Chemical Industry)を液晶
配向膜として用いた。実施例1と同様に電気光学的特性
を測定し、結果を表1に示した。
び電気光学的応答特性の測定方法は、前記実施例1と同
様であるが、磁場下で処理せずに、機械的摩擦処理され
たPI膜(SE3140、 Nissan Chemical Industry)を液晶
配向膜として用いた。実施例1と同様に電気光学的特性
を測定し、結果を表1に示した。
【0020】実施例2.すべての実験条件は、実施例1
と同様であるが、磁場内のヒーティングブロックの温度
を100℃に維持しながら、臨時セルを載置し、5分間
放置した後、5℃/分の速度で30℃まで冷却して配向
膜を形成させた。実施例1と同様に電気光学的特性を測
定し、結果を表1に示した。
と同様であるが、磁場内のヒーティングブロックの温度
を100℃に維持しながら、臨時セルを載置し、5分間
放置した後、5℃/分の速度で30℃まで冷却して配向
膜を形成させた。実施例1と同様に電気光学的特性を測
定し、結果を表1に示した。
【0021】実施例3.すべての実験条件は、実施例1
と同様であるが、磁場内のヒーティングブロックの温度
を120℃に維持しながら、臨時セルを載置し、5分間
放置した後、5℃/分の速度で30℃まで冷却して配向
膜を形成させた。実施例1と同様に電気光学的特性を測
定し、結果を表1に示した。
と同様であるが、磁場内のヒーティングブロックの温度
を120℃に維持しながら、臨時セルを載置し、5分間
放置した後、5℃/分の速度で30℃まで冷却して配向
膜を形成させた。実施例1と同様に電気光学的特性を測
定し、結果を表1に示した。
【0022】
【表1】
【0023】PI液晶配向膜を用いたTN−LCDセル
と比べて、本発明の方法によるTN−LCDセルは、速
い総応答時間ttot を示している。
と比べて、本発明の方法によるTN−LCDセルは、速
い総応答時間ttot を示している。
【0024】実施例4.実験条件は前記実施例1と同様
であるが、ネマチック液晶混合物としてZL1−229
3(Merck 社)を用い、磁場内のヒーティングブロック
の温度を120℃に維持しながら、臨時セルを載置し、
5分間放置した後、5℃/分の速度で30℃まで冷却し
て配向膜を形成させた。ピーク・ツー・ピーク電圧の増
加に従う相対透過度の変化を測定した。結果を図3に示
した。飽和透過度を示す5.0Vppから得られる電気光
学的応答曲線を、図4に示した。図4から測定された電
気光学的応答時間を表2に示したが、PI液晶配向膜を
用いたTN−LCDセルと比べ速い総応答時間ttot を
表している。
であるが、ネマチック液晶混合物としてZL1−229
3(Merck 社)を用い、磁場内のヒーティングブロック
の温度を120℃に維持しながら、臨時セルを載置し、
5分間放置した後、5℃/分の速度で30℃まで冷却し
て配向膜を形成させた。ピーク・ツー・ピーク電圧の増
加に従う相対透過度の変化を測定した。結果を図3に示
した。飽和透過度を示す5.0Vppから得られる電気光
学的応答曲線を、図4に示した。図4から測定された電
気光学的応答時間を表2に示したが、PI液晶配向膜を
用いたTN−LCDセルと比べ速い総応答時間ttot を
表している。
【0025】比較例2.TN−LCDセルの製造方法及
び電気光学的応答特性の測定方法は、実施例4と同様で
あるが、磁場下で処理せずに、機械的摩擦処理されたP
I膜(SE3140、Nissan Chemical Industry)を液晶配向
膜として用いた。飽和透過度を示す4.0Vppから得ら
れる電気光学的応答曲線を、図4に示した。
び電気光学的応答特性の測定方法は、実施例4と同様で
あるが、磁場下で処理せずに、機械的摩擦処理されたP
I膜(SE3140、Nissan Chemical Industry)を液晶配向
膜として用いた。飽和透過度を示す4.0Vppから得ら
れる電気光学的応答曲線を、図4に示した。
【0026】実施例5.すべての実験条件は、実施例4
と同様であるが、磁場内のヒーティングブロックの温度
を120℃に維持しながら、臨時セルを載置し、5分間
放置した後、5℃/分の速度で30℃まで冷却して配向
膜を形成させた。実験結果を表2に示した。
と同様であるが、磁場内のヒーティングブロックの温度
を120℃に維持しながら、臨時セルを載置し、5分間
放置した後、5℃/分の速度で30℃まで冷却して配向
膜を形成させた。実験結果を表2に示した。
【0027】
【表2】
【図1】E63TN−LCDセルの両端に、100Hzの
直角波交流を印加したときの相対光透過度の変化を示し
たグラフである。
直角波交流を印加したときの相対光透過度の変化を示し
たグラフである。
【図2】E63TN−LCDセルの両端に、9.0Vpp
−100Hzの直角波交流を、0.2秒間印加と0.2秒
間非−印加を反復した時の電気光学的応答を示したグラ
フである。
−100Hzの直角波交流を、0.2秒間印加と0.2秒
間非−印加を反復した時の電気光学的応答を示したグラ
フである。
【図3】ZL1−2293TN−LCDセルの両端に、
100Hzの直角波交流を印加したときの相対光透過度の
変化を示したグラフである。
100Hzの直角波交流を印加したときの相対光透過度の
変化を示したグラフである。
【図4】ZL1−2293TN−LCDセルの両端に、
9.0Vpp−100Hzの直角波交流を、0.2秒間印加
と0.2秒間非−印加を反復した時の電気光学的応答を
示したグラフである。
9.0Vpp−100Hzの直角波交流を、0.2秒間印加
と0.2秒間非−印加を反復した時の電気光学的応答を
示したグラフである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 趙 顯 南 大韓民国ソウル特別市道峰区雙門洞59 漢陽アパート8−1001 (72)発明者 李 ▲じゅん▼ 榮 大韓民国ソウル特別市城北区下月谷洞39 −1 キストアパート9952 (56)参考文献 特開 平2−43517(JP,A) 特開 平4−350822(JP,A) 特開 昭51−110352(JP,A) 特開 昭57−64724(JP,A) 特開 平9−244024(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) G02F 1/1337
Claims (2)
- 【請求項1】 液晶配向膜を製造する方法であって、 1.透明電極上に熱可塑性高分子膜を厚さ5Å以上にコ
ーティングする工程、 2.該高分子膜のコーティングされた2枚の該透明電極
の間に低分子液晶を注入してガラス/透明電極/高分子
膜/液晶/高分子膜/透明電極/ガラスの構造を有する
臨時セルを調製するか、又は該透明電極の該高分子膜上
に低分子液晶を接触させてガラス/透明電極/高分子膜
/液晶の構造を有する積層基板を調製する工程、 3.該臨時セル又は該積層基板に0.2テスラ以上の磁
場を加え、液晶及び高分子膜の相混合温度以下に加熱し
放置し、磁場により配向された低分子液晶が、高分子膜
の界面を異方化させる工程、 4.該臨時セル又は該積層基板を磁場中で100℃/分
以下の冷却速度で冷却する工程を、 順次に行うことを特徴とする方法。 - 【請求項2】 該熱可塑性高分子が、ポリビニルホルマ
ール、ポリビニルブチラール、アクリル系高分子、ポリ
スチレン、スチレン−アクリロニトリル共重合体(SA
N)、ポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネー
ト、非晶性ナイロン、及びシリコン系高分子から選択さ
れる1種である請求項1記載の方法。
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KR39463/1996 | 1996-09-12 |
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KR100652045B1 (ko) * | 2001-12-21 | 2006-11-30 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시소자 및 그 제조방법 |
KR100685949B1 (ko) | 2001-12-22 | 2007-02-23 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시소자 및 그 제조방법 |
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KR100510719B1 (ko) * | 2002-02-05 | 2005-08-30 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정 표시 장치의 제조 방법 |
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KR100469354B1 (ko) * | 2002-02-06 | 2005-02-02 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정 표시 장치의 제조 방법 |
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