JP2636904B2

JP2636904B2 - 液晶表示素子

Info

Publication number: JP2636904B2
Application number: JP63253394A
Authority: JP
Inventors: 保夫藤村; 五十治酒井; 昇増谷; 恒隆松本; 久男横倉; 忠夫中田; 輝夫北村; 泰茂今西
Original assignee: Hitachi Ltd; Nitto Denko Corp
Current assignee: Hitachi Ltd; Nitto Denko Corp
Priority date: 1988-10-06
Filing date: 1988-10-06
Publication date: 1997-08-06
Anticipated expiration: 2012-08-06
Also published as: JPH0299927A

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は、分子配向性を有する高分子薄膜からなる液
晶表示素子に関するものである。

〔従来の技術〕

従来から、液晶表示素子が各種のデイスプレイに実用
化されている。このような液晶表示素子の良好な表示品
質を得るためには、液晶分子を均一に配向させる必要が
ある。その役割を担うのが、液晶の配向膜である。その
ために、配向膜に関する多くの開発研究がなされ、これ
までにSiO等の無機化合物を斜方蒸着した無機配向膜、
ポリイミド等の有機高分子膜を形成して布等でこすつた
有機配向膜（特開昭50−83051号公報，同51−65960号公
報）等が液晶表示素子に実用されている。また、最近で
は、ラングミユア・ブロジエツト法（LB法）によつてポ
リイミド等の単分子層または単分子層を多数累積した膜
を液晶表示素子の配向膜（特開昭62−209415号公報，同
62−211617号公報，同62−215928号公報）に用いること
が提案されている。

〔発明が解決しようとする問題点〕

しかしながら、上記配向膜には重大な欠点がある。例
えば、斜方蒸着により形成された無機配向膜は、その配
向膜形成に蒸着装置等の真空装置を必要とし、量産性の
点で充分なものとは言えない。一方、有機配向膜の場
合、量産性の点では極めて優れているが高分子膜を均一
な膜厚で塗布できないという問題がある。また、布等の
配向膜を擦るラビング処理により静電気が発生し回路を
破壊する、配向膜表面を汚染する等の問題も生じてい
る。例えば、ネマチツク液晶を用いたスーパーツイスト
液晶素子（STN）〔SIDインターナシヨナルシンポジウ
ム:120〜123ページ、（1985）〕では、配向膜の不均一
膜厚に起因するしきい値電圧（Vth）の不均一により表
示むらが生じたり、静電気によるITO電極の破壊で非点
灯部が発生し易い状況になる。さらに、配向膜表面の汚
染は、液晶表示素子のしきい値電圧の周波数依存性の不
均一化を招き、これは表示むらにつながることになる。
アクテイブマトリツクス液晶素子では、薄膜トランジス
タ（TFT）あるいはダイオード等のスイツチング素子の
損傷、あるいはスイツチング特性の変化による点灯不良
を引き起こす。また、ラビング処理時の荷重を基板全体
でコントロールする困難さもあり、特に大形の液晶素子
においてラビング処理に起因する傷を生じさせてしまう
等の問題も有している。

本発明は、このような事情に鑑みなされたもので、分
子配向にラビング処理が不要で、かつ量産性に優れた高
分子配向膜からなる液晶表示素子の提供をその目的とす
る。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明の液晶表示素子は、少なくとも一方が透光性の
一対の電極基板間に、少なくとも液晶層および液晶分子
配向膜を挟持してなる液晶表示素子において、上記液晶
分子配向膜が有機高分子の水面展開膜であつて、主鎖ま
たは側鎖にメソゲン基を有するライオトロピツク液晶ポ
リマーもしくはサーモトロピツク液晶ポリマーからなる
配向膜であるという構成をとる。

〔作用〕本発明者らは、分子配向にラビング等の処理が不要
で、液晶分子に対する配向機能を示す配向膜を得るため
の一連の研究を重ねた結果、水面展開製膜法によつて特
定の液晶ポリマーからなる有機高分子の分子鎖を配列さ
せた膜をガラス基板上に形成させることに成功し、その
膜によつて液晶分子を配向させうることを見出し本発明
に到達した。

すなわち、本発明者らは、水面展開製膜法よる場合に
は、一回の処理で極めて短時間のうちに膜厚が30〜1000
Åの高分子膜をガラス基板上に形成でき、かつ水面上に
展開される薄膜を一定方向に引き取る操作によつて高分
子の分子配列が一定方向に揃つた薄膜を作製することが
できることを突き止めた。そして、このように形成した
膜は液晶分子に対して配向作用を示すことを見出した。
このような水面展開製膜法により形成された特定の液晶
ポリマーから配向膜は、ラビング処理が不要なため静電
気等が発生せず、電極やTFT等を破壊することが全くな
い。しかも、配向膜界面を汚染することなく、膜厚も均
一にすることができるため表示むら等を生じさせること
なく量産性にも優れている。

上記水面展開製膜法は、例えば第１図に示すようにし
て行われる。すなわち、定量ポンプ（図示せず）でノズ
ル１から有機高分子溶液を水槽２内の水面３上に放出さ
せる。これにより、上記有機高分子溶液が水面３上に自
発的に展開して薄膜４が形成される。このような有機高
分子溶液の水面での展開状態を模式的に第２図（Ａ）お
よび第２図（Ｂ）に示す。第２図（Ａ）は水面上での有
機高分子溶液の展開を示す平面膜式図であり、第２図
（Ｂ）はその要部の拡大側面図である。第２図におい
て、ａは有機高分子溶液部,bはゲル状部,cは固体の薄膜
部である。

このように水面３上に生成された薄膜４を第1,第2,第
３ロール5,6,7により、連続的に移行するフイルム状基
材８に接触させ付着移行させるか、液晶表示素子の基板
上の所定の部位に接触させ薄膜４を付着移行させ引き取
るということにより行われる。この際、展開する高分子
溶液の自発的な配向挙動を利用するか、もしくは有機高
分子溶液の水面上での自発的展開速度以上の引取速度で
引き取ることによつて、薄膜に分子配向性を付与するこ
とができる。上記のような基材上への配向膜の積層は、
水面上の薄膜を直接積層してもよいし、予めセパレータ
ーのようなフイルム上に積層したものを透明電極付ガラ
ス板に転写する方式を用いてもよい。上記基材上への薄
膜の付着（付設）は単層であつてもよいし、複層であつ
てもよい。複層の場合は、先に付設している水分を完全
に乾燥させてからつぎの薄膜を積層するのが好ましい。

このようにして得られる配向膜は、一定方向に配向す
る効果を有し、分子配向に起因する赤外二色比が1.05以
上の値を示す。

上記液晶分子配向膜の赤外二色比は、赤外分光装置FT
−IRを用い、つぎのようにして求められる。すなわち、
配向薄膜単独か、あるいは赤外的に透明な基材（例えば
シリコンウエハー）上に配向薄膜を積層した試料を用
い、この試料と赤外線ビームとの間に偏光子を設け透過
法により赤外線吸収スペクトルを測定する。第３図にモ
デル的なスペクトルを示した。図において、曲線Ａが吸
光度Absを示し、曲線Ｂが吸光度Abs⊥を示している。
このように、赤外の直線偏光軸が薄膜の製膜方向と平行
の場合の吸光度（Abs）および垂直な場合の吸光度（A
bs⊥）を各々測定し、特定波長において得られる上記吸
光度の比（Abs/Abs⊥）が赤外二色比となる。

液晶分子配向膜の赤外二色比は、第４図に示すよう
に、引取速度により影響を受ける。すなわち、第４図
は、引取速度を変えて作製した配向膜の赤外二色比を、
横軸に引取速度（m/分），縦軸に赤外二色比（Abs/Ab
s⊥）をとり関係を示している。曲線Ｃはポリエステル
系液晶ポリマー，曲線Ｄはフツ素含有ポリアミド酸であ
る。

本発明の効果を発現できる系は、水面展開製膜法で薄
膜を形成できる特定の液晶ポリマーである。上記液晶ポ
リマーとしては、主鎖または側鎖にメソゲン基を有する
ライオトロピツク液晶ポリマー、主鎖または側鎖にメソ
ゲン基を有するサーモトロピツク液晶ポリマーがあげら
れる。そして、上記主鎖または側鎖にメソゲン基を有す
る液晶ポリマーにおける、上記メソゲン基は液晶表示に
用いる低分子液晶と本質的に良好な相互作用を形成する
ため理想的な配列状態を実現できる。なお、液晶ポリマ
ーを基材として用いた液晶表示素子の配向膜（特開昭57
−40228号公報，同62−227122号公報）も提案されてい
るが、通常の塗布方法では膜厚が不均一なことから、表
示むらのない液晶表示素子を形成することは極めて困難
である。

本発明に用いられる液晶ポリマーは、主鎖または側鎖
にメソゲン基を有するポリマーでありかつ有機溶剤に溶
解することのできるものである。

上記主鎖にメソゲン基を有するポリマーとしては、ポ
リ（ｐ−フエニレンテレフタルアミド）（Kevlar）、ポ
リ（ｐ−ベンズアミド）等の芳香族ポリアミド、ヒドロ
キシプロピルセルロース等のセルロース誘導体、ポリ
（γ−ベンジル−Ｌ−グルタメート）等のポリペプチ
ド、スチレン−エチレンオキサイド等のブロツクポリマ
ー、ポリ（ｐ−フエニレンベンゾビスチアゾール）、ポ
リテレフタロイルヒドラジド等があげられ、ライオトロ
ピツク液晶性を示すポリマーとして用いられる。

一方、サーモトロピツク液晶性を示す主鎖型液晶ポリ
マーとしては、ポリエステル系があげられ、広範囲に利
用されている。例えば、ポリエチレンテレフタレートと
Ｐ−ヒドロキシ安息香酸の共重合体が広い組成範囲で液
晶性を示し、かつクロロホルムやフエノール／テトラク
ロロエタン混合溶液に溶解できるため、水面展開法に好
適に利用できる。その他のポリエステル類としては、〔ただし、Ｒは−CH₃,−Cl, である。〕や下記の式で表されるポリアゾ（キシ）フエノールアルカノエートも利用でき
る。また、ポリアミドにおいても、等はサーモトロピツク性を示す材料として利用可能であ
り、等のポリアゾメチンも同様に利用できる。

上記側鎖型液晶ポリマーで用いられるメソゲン基とし
ては、低分子液晶化合物として利用できるほとんどの化
合物があげられる。側鎖型液晶ポリマーの骨格鎖として
は、ポリスチレン，ポリアクリル酸，ポリメタクリル
酸，ポリシロキサン，ポリマロン酸があげられる。例え
ば、ポリアクリル酸が骨格鎖である場合、側鎖型液晶ポ
リマーは下記の一般式で表される。上記液晶ポリマーは単独もしくは共重合し
て用いてもよいし、ブレンドして用いてもよい。また、
非液晶ポリマーとの混合も可能である。

上記液晶ポリマーは、素材に応じて展開溶媒を選択
し、水面上に均一展開する系で薄膜形成される。ただ
し、一般に液晶ポリマー（特にサーモトロピツク液晶性
を示すもの）は溶解性に乏しいものが多いため、例えば
芳香族ポリアミドではブリツジド（Bridged）ビフエニ
レン型化合物（3,8−ジアミノフエナトリジノン等）を
共重合させて溶解性を向上させることも行われる。

上記展開溶剤の代表例としては、芳香族ポリアミドに
対してはN,N−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロ
リドンがあげられ、必要に応じてLiCl,CaCl₂の塩類の添
加も有用である。また、ポリエステル類は主にフエノー
ル系の溶媒（フエノール,p−クロロフエノール等）を中
心に展開溶剤を調整することができる。ただし、上記溶
剤で充分な水面展開製膜性が得られない場合には展開助
剤として第二の有機溶剤を添加することも有効である。
このような展開助剤としては、脂肪族、脂環族または芳
香族のケトン，エステル，アルコール，アミン，アルデ
ヒド，パーオキサイドならびにこれらの混合物があげら
れる。

この系では、上記展開助剤を１重量％（以下「％」と
略す）以上含有する溶液を用いることが好ましい。

本発明において、水面展開連続製膜に用いる有機高分
子溶液の濃度は、0.5〜30％、好ましくは１〜20％であ
る。ポリマー濃度が低すぎると均一な連続膜を得ること
が難しく、逆に高すぎると水面上で溶液の展開性が低下
するため好ましくない。

本発明に用いる配向膜は、先に述べたように、電極を
設けた基板上に直接積層形成することができるが、電極
の下層または上層に無機絶縁膜としてSiO₂,Al₂O₃および
TiO₂等の膜を設けた基板に対しても適用できる。また、
一層強固な配向膜を得るために、エポキシ系およびアミ
ノ系シランカツプリング剤の１種以上を併用することも
できる。

本発明は、上記のようにして得られた電極基板を用い
て液晶セルを形成し、この液晶セル中に液晶を封入する
ことにより液晶表示素子を製造する。

上記液晶としては、例えば、下記の式〜に示すネ
マチツク液晶，式〜に示す強誘電性液晶（Ｃ^＊は不
斉炭素原子を表す）および上記の混合物等があげられ
る。

これらの液晶は、上記液晶セルに封入され液晶層を構
成する。

本発明の液晶表示素子における液晶層は、ネマチツク
液晶物質を１種以上含有してもよい。その際、液晶表示
素子は両基板間の配向方向が80〜280゜捩じれた構造を
有するのが好ましい。また、一方の基板に薄膜トランジ
スターまたはダイオード等のスイツチング素子を設けて
よい。さらに、液晶層は、強誘電性液晶物質（例えば、
前記式〜）を１種以上含有しても差し支えない。

〔発明の効果〕

以上のように、本発明の液晶表示素子は、特定の液晶
ポリマーを用いて水面展開法によつて形成された水面展
開膜を液晶分子配向膜として用いているため、従来のよ
うなラビング処理による静電気の発生や配向膜界面の汚
染ならびに膜厚不均一にもとづく表示むら等の問題を全
く生じない。また、このような特定の液晶ポリマーを用
いた水面展開法による配向膜の形成は比較的容易で量産
性に富んでおり、上記液晶表示素子を容易に量産しうる
ようになる。

つぎに、実施例について比較例と併せて説明する。

〔実施例１〕ポリエチレンテレフタレートにｐ−ヒドロキシ安息香
酸を40モル％共重合したサーモトロピツク液晶ポリエス
テルをフエノール／テトラクロロエタン＝60/40（重量
比）混合溶媒にポリマー濃度が５重量％になるように溶
解して展開溶媒を調整した。この調整溶液を、製膜速度
5m/分で水面展開連続製膜を行い、膜厚が500Å，赤外二
色比が2.1（波長1160cm^-1）のポリエステル系液晶ポリ
マー配向膜を得た。得られた液晶ポリマー配向膜をスト
ライプ状の透明電極基板（電極幅200μｍ、間隔50μ
ｍ）に付設し、得られた基板を製膜方向が直交するよう
に６μｍのスペーサを介して、フエニルシクロヘキサン
系のネマチツク液晶組成物を注入し外周部をエポキシ樹
脂でシールした後、偏光軸が配向膜の配向方向と同じ方
向に偏光板を貼り付け液晶表示素子を得た。

このようにして得られた液晶表示素子は、配向のムラ
は見られず均一配向性を示した。また、周波数32Hz,印
加電圧5Vで応答速度を測定した結果、立上がり（Tr）が
6ms,立下がり（Td）が25msであつた。さらに、電気光学
特性の第５図に示す電圧透過率特性（γ＝V₉₀/V₁₀）は
1.55であつた。なお、第５図に示すように、しきい値特
性を電圧Ｖ（横軸）と透過率％（縦軸）との関係で示し
た。また、この液晶表示素子は静電気の発生がなく、電
極間のシヨート，電極破壊が全く見られなかつた。さら
に、目視で観察した結果、ネサ見えも発生していなかつ
た。

〔実施例２〕ポリ（ｐ−フエニレンテレフタルアミド）をN,N−ジ
メチルアセトアミド／アセトフエノン＝70/30（重量
比）混合溶媒にポリマー濃度が４％になるように溶解し
て展開溶液を調整した。この調整溶液を、製膜速度10m/
分で水面展開連続製膜を行い、膜厚が500Å，赤外二色
比が1.5（波長1640cm^-1）のポリアミド系液晶ポリマー
配向膜を得た。得られた液晶ポリマー配向膜を用いて実
施例１と同様にして液晶表示素子を得た。

得られた液晶表示素子の配向性は良好で、電気光学特
性は周波数32Hz,印加電圧5Vで応答速度を測定した結
果、Trが8ms,Tdが30msであり、γは1.60であつた。ま
た、この液晶表示素子は静電気の発生がなく、電極間の
シヨート，電極破壊が全く見られなかつた。さらに、目
視で観察した結果、ネサ見えも発生していなかつた。

〔実施例３〕ｐ−フエニレンテレフタルアミドと3,8−フエナント
リジノンジイルテレフタルアミドの50/50（モル比）共
重合体を、Ｎ−メチルピロリドン/N,N−ジメチルアセト
アミド／アセトフエノン＝40/40/20（重量比）混合溶媒
にポリマー濃度が５％になるように溶解して展開溶液を
調整した。この調整溶液を、製膜速度10m/分で水面展開
連続製膜を行い、膜厚が100Å，赤外二色比が1.4（波長
1640cm^-1）のポリアミド系液晶ポリマー配向膜を得た。
得られた液晶ポリマー配向膜をストライプ状の透明電極
基板（電極幅200μｍ、間隔50μｍ）に付設し、得られ
た基板を製膜方向が直交するように４μｍのスペーサを
介して、下記に示す強誘電性液晶組成物を注入し外周部をエポキシ樹脂でシールした後、偏光軸
が配向膜の製膜方向と同じ方向に偏光板を貼り付け液晶
表示素子を得た。このようにして得られた液晶表示素子
は、配向のむらは見られず均一配向性を示した。また、
電気光学特性も測定した。第６図は、このメモリー性評
価特性を、時間と明るさおよび印加電圧の関係で示した
グラフであり、図に示すように、電界印加時のコントラ
スト比C_R＝B₄/B₁、メモリー２状態間のコントラスト比C
_R ^M＝B₃/B₂とすると、両者の比はＭ＝（C_R ^M−１）／（C_R
−１）となる。すなわち、メモリー状態の安定性を表す
パラメータとして、メモリー２状態間のコントラスト比
と電界印加時のコントラスト比のメモリー性Ｍを測定し
た結果、Ｍ＝１でコントラスト比も10:1と良好な値を有
していた。また、この液晶表示素子は静電気の発生がな
く、電極間のシヨート，電極破壊が全く見られなかつ
た。

〔実施例４〕界面重縮合で合成したポリアゾフエノールアルカノエ
ートをｐ−クロロフエノール／テトラクロロエタン＝70/30
（重量比）混合溶媒にポリマー濃度が５％になるように
溶解して展開溶液を調整した。この調整溶液を、製膜速
度8m/分で水面展開連続製膜を行い、膜厚が1000Å，赤
外二色比が1.5（波長1500cm^-1）のポリエステル系液晶
ポリマー配向膜を得た。得られた液晶ポリマー配向膜を
アモルフアスシリコン半導体基板上（画素数20×20）に
付設し、得られた基板を配向膜の配向方向が直交するよ
うに４μｍのスペーサを介して下記に示すネマチツク液
晶組成物を注入し外周部をシールした後、偏光軸が配向膜の配向
方向と同じ方向に偏光板を貼り付けアクテイブマトリツ
クス液晶表示素子を得た。このようにして得られた液晶
表示素子は、配向のむらは見られず均一配向性を示し、
かつTFT動作を行つた結果、全画素が正常に点灯するこ
とを確認した。したがつて、この液晶表示素子は静電気
の発生がなく、TFTの損傷が全く見られなかつた。

〔実施例５〕下記に示す式で表される側鎖型液晶ポリシロキサンをトルエン／メチルエチルケトン＝80/20（重量比）混
合溶媒にポリマー濃度が５％になるように溶解して展開
溶液を調整した。この調整溶液をストライプ状の透明電
極基板（電極幅200μｍ、間隔50μｍ）に実施例３と同
じ条件で水面展開連続製膜を行い、膜厚が約400Å，赤
外二色比が1.45（波長1160cm^-1）のポリシロキサン系液
晶ポリマー配向膜を得た。その後、液晶分子のねじれ角
度を220゜になるよう基板と偏光板の吸収軸を調製し６
μｍのスペーサを介して、下記に示すネマチツク液晶組
成物を注入してシールした。その後、STN液晶素子のスキヤ
ツタリングドメイン（光を散乱するドメイン）を調べた
結果、ドメインの発生は見られず全画素の領域で安定な
点灯状態になることを確認した。また、このSTN液晶表
示素子も静電気の発生がなく、電極間のシヨート，電極
破壊が全く見られなかつた。さらに、目視で観察した結
果、ネサ見えも発生していなかつた。

〔比較例１〕ポリ（ｐ−フエニレンテレフタルアミド）を、N,N−
ジメチルアセトアミドにポリマー濃度が３％になるよう
に溶解し、ストライプ状の透明電極基板（電極幅200μ
m,間隔50μｍ）にスピン塗布（3000rpm,60秒）で約500
Åの配向膜を形成した。その後、150℃で１時間乾燥さ
せ、ABレーベル布を巻いたロータを回転（回転数600rp
m,切り込み量0.4mm）してラビングを行い液晶分子のね
じれ角を220゜になるよう基板と偏光板の吸収軸を調整
し実施例５で用いたネマチツク液晶を注入し、エポキシ
樹脂でシールした後評価した。その結果、静電気の発生
が見られ、電極間のシヨート，電極破壊が起こり点灯不
良が発生した。また、液晶素子の各部でしきい値（Vt
h）特性の変化および低下が見られ、素子全体での安定
性が劣つたものであつた。

〔比較例２〕ポリエチレンテレフタレートにｐ−ヒドロキシ安息香
酸を40モル％共重合したサーモトロピツク液晶ポリエス
テルをフエノール／テトラクロロエタン＝60/40混合溶
媒にポリマー濃度が２％になるように溶解し、アモルフ
アスシリコン半導体基板上（画素数20×20）に印刷機を
用いて、約1000Åの配向膜を形成した。その後、150℃
で１時間加熱乾燥させABレーベル布を巻いたロータを回
転（回転数600rpm,切り込み量0.25mm）してラビングを
行い実施例４で用いたネマチツク液晶を注入し、エポキ
シ樹脂でシールした後電気光学特性を評価した。その結
果、この液晶表示素子にTFT動作を行つたところ静電気
の発生が見られ、画素数が数個で点灯不良が起こり安定
に表示できなかつた。

〔比較例３〕下記に示す側鎖型液晶ポリシロキサンをテトラヒドロフランにポリマー濃度が10％になるよう
に溶解し、ストライプ状の透明電極基板（電極幅200μ
m,間隔50μｍ）にスピン塗布（2000rpm,30sec）し厚み
約500Åの塗膜を形成した。形成した後、この基板を120
℃に加熱しながら、塗膜の上面に垂直方向からローラー
を用いて1kgの加重をかけながら塗膜上を1cm/秒の速度
でローラーを移動させて剪断応力を印加し配向薄膜基板
とした。この基板を剪断処理応力が直交するように６μ
ｍのスペーサを介してフエニルシロキサン系のネマチツ
ク液晶組成物を注入し外周部をエポキシ樹脂でシールし
た後、偏光軸が配向膜の剪断処理方向と同方向に偏光板
を貼り付け液晶表示素子を得た。その結果、この液晶表
示素子は配向のむらが存在し，均一性が不充分であつた

【図面の簡単な説明】

第１図は水面展開連続製膜装置の一例の構成図、第２図
（Ａ）は水面上で高分子溶液の展開を示す平面模式図、
第２図（Ｂ）はその要部の拡大側面図、第３図はFT−IR
で測定した配向薄膜の赤外二色比の測定スペクトル図、
第４図は引取速度を変えて作製した配向薄膜の赤外二色
比の変化の状態を示す線図、第５図はしきい値特性を示
す線図、第６図はメモリー性評価特性を示す線図であ
る。

フロントページの続き (72)発明者増谷昇大阪府茨木市下穂積１丁目１番２号日東電工株式会社内 (72)発明者松本恒隆大阪府茨木市下穂積１丁目１番２号日東電工株式会社内 (72)発明者横倉久男茨城県日立市久慈町4026番地株式会社日立製作所日立研究所内 (72)発明者中田忠夫茨城県日立市久慈町4026番地株式会社日立製作所日立研究所内 (72)発明者北村輝夫茨城県日立市久慈町4026番地株式会社日立製作所日立研究所内 (72)発明者今西泰茂茨城県日立市久慈町4026番地株式会社日立製作所日立研究所内 (56)参考文献特公平７−92570（ＪＰ，Ｂ２)

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】少なくとも一方が透光性の一対の電極基板
間に、少なくとも液晶層および液晶分子配向膜を挟持し
てなる液晶表示素子において、上記液晶分子配向膜が有
機高分子の水面展開膜であつて、主鎖または側鎖にメソ
ゲン基を有するライオトロピツク液晶ポリマーもしくは
サーモトロピツク液晶ポリマーからなる配向膜であるこ
とを特徴とする液晶表示素子。
【請求項２】上記液晶層が、ネマチツク液晶層であり、
上下電極基板で挟持された液晶層の液晶分子の長軸方向
が電界ゼロにおいて上下電極基板間で80〜280゜ねじれ
た構造を有する請求項（１）記載の液晶表示素子。
【請求項３】上記液晶層が、強誘電性液晶組成物層であ
る請求項（１）記載の液晶表示素子。
【請求項４】上記液晶高分子配向膜が、絶縁層上および
カツプリング剤層上の少なくとも一方に形成されている
請求項（１）ないし（３）のいずれか一項に記載の液晶
表示素子。
【請求項５】上記液晶高分子配向膜は、縦方向と横方向
との赤外二色比の値が1.05以上の膜である請求項（１）
ないし（４）のいずれか一項に記載の液晶表示素子。
【請求項６】電極がアクテイブマトリツクス型電極であ
る電極基板を用いている請求項（１）ないし（５）のい
ずれか一項に記載の液晶表示素子。