JPH0299927A - 液晶表示素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、分子配向性′を有する高分子薄膜からなる液
晶表示素子およびその製造方法に関するものである。

〔従来の技術〕

従来から、液晶表示素子が各種のデイスプレィに実用化
されている。このような液晶表示素子の良好な表示品質
を得るためには、液晶分子を均一に配向させる必要があ
る。その役割を担うのが、液晶の配向膜である。そのた
めに、配向膜に関する多くの開発研究がなされ、これま
でにＳｉＯ等の無機化合物を斜方蒸着した無機配向膜、
ポリイミド等の有機高分子膜を形成して布等でこすった
有機配向膜（特開昭５０−８３０５１号公報、同５１−
６５９６０号公報）等が液晶表示素子に実用されている
。また、最近では、ラングミュア・プロジェット法（Ｌ
Ｂ法）によってポリイミド等の単分子層または単分子層
を多数累積した膜を液晶表示素子の配向膜（特開昭６２
−２０９４１５゜号公報、同６１−２１１６１７号公報
、同６２２１５９２８号公報）に用いることが提案され
ている。

〔発明が解決しようとする問題点〕

しかしながら、上記配向膜には重大な欠点がある。例え
ば、斜方蒸着により形成された無機配向膜は、その配向
膜形成に蒸着装置等の真空装置を必要とし、量産性の点
で充分なものとは言えない一方、有機配向膜の場合、量
産性の点では極めて優れているが高分子膜を均一な膜厚
で塗布できないという問題がある。また、布等で配向膜
を擦るラビング処理により静電気が発生し回路を破壊す
る、配向膜表面を汚染する等の問題も生じている。例え
ば、ネマチック液晶を用いたスーパーツイスト液晶素子
（ＳＴＮ）（ＳＩＤインターナショナルシンポジウム：
１２０〜１２３ページ、（１９８５））では、配向膜の
不均一膜厚に起因するしきい値電圧（ｖｔｈ）の不均一
により表示むらが生じたり、静電気によるＩＴＯ電極の
破壊で非点灯部が発生し易い状況になる。さらに、配向
膜表面の汚染は、液晶表示素子のしきい値電圧の周波数
依存性の不均一化を招き、これは表示むらにつながるこ
とになる。アクティブマトリックス液晶素子では、薄膜
トランジスタ（ＴＰＴ）あるいはダイオード等のスイッ
チング素子の損傷、あるいはスイッチング特性の変化に
よる点灯不良を引き起こす。また、ラビング処理時の荷
重を基板全体でコントロールする困難さもあり、特に大
形の液晶素子においてラビング処理に起因する傷を生じ
させてしまう等の問題も有している。

本発明は、このような事情に鑑みなされたもので、分子
配向にラビング処理が不要で、かつ量産性に優れた高分
子配向膜からなる液晶表示素子およびこれを容易に製造
する方法の提供をその目的とする。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明は、少なくとも一方が透光性の一対の電極基板間
に、少なくとも液晶層および液晶分子配向膜を挟持して
なる液晶表示素子において、上記液晶分子配向膜が有機
高分子の水面展開膜であって、主鎖または側鎖にメソゲ
ン基を有するライオトロピック液晶ポリマーもしくはサ
ーモトロピック液晶ポリマーからなる配向膜で構成した
液晶表示素子を第１の要旨とし、有機高分子溶液を水面
上に供給し、上記溶液を一方向に引いて製膜し、得られ
た水面展開膜を電極基板上の所定の部位に密着形成し、
上記電極基板を用いて作製した液晶セルに液晶を封入す
る液晶表示素子の製法を第２の要旨とする。

〔作用〕

本発明者らは、分子配向にラビング等の処理が不要で、
液晶分子に対する配向機能を示す配向膜を得るための一
連の研究を重ねた結果、水面展開製膜法によって有機高
分子の分子鎖を配列させた膜をガラス基板上に形成させ
ることに成功し、その膜によって液晶分子を配向させう
ろことを見出し本発明に到達した。

すなわち、本発明者らは、水面展開製膜法よる場合には
、−回の処理で極めて短時間のうちに膜厚が３０〜１０
００人の高分子膜をガラス基板上に形成でき、かつ水面
上に展開される薄膜を一定方向に引き取る操作によって
高分子の分子配列が一定方向に揃った薄膜を作製するこ
とができることを突き止めた。そして、このように形成
した膜は液晶分子に対して配向作用を示すことを見出し
た。このような水面展開製膜法により形成された配向膜
は、ラビング処理が不要なため静電気等が発生せず、電
極やＴＰＴ等を破壊することが全くない。しかも、配向
膜界面を７万染することなく、膜厚も均一にすることが
できるため表示むら等を生じさせることなく量産性にも
優れている。

上記水面展開製膜法は、例えば第１図に示すようにして
行われる。すなわち、定量ポンプ（図示せず）でノズル
１から有機高分子溶液を水槽２内の水面３上に放出させ
る。これにより、上記有機高分子溶液が水面３上に自発
的に展開して薄膜４が形成される。このような有機高分
子溶液の水面での展開状態を模式的に第２図（Ａ）およ
び第２図（Ｂ）に示す。第２図（Ａ）は水面上での有機
高分子溶液の展開を示す平面模式図であり、第２図（Ｂ
）はその要部の拡大側面図である。第２図において、ａ
は有機高分子溶液部、ｂはゲル状部Ｃは固体の薄膜部で
ある。

このように水面３上に生成された薄膜４を第１、第２．
第３０−ル５，６．７により、連続的に移行するフィル
ム状基材８に接触させ付着移行させるか、液晶表示素子
の基板上の所定の部位に接触させ薄膜４を付着移行させ
引き取るということにより行われる。この際、展開する
高分子溶液の自発的な配向挙動を利用するか、もしくは
有機高分子溶液の水面上での自発的展開速度以上の引取
速度で引き取ることによって、薄膜に分子配向性を付与
することができる。上記のような基材上への配向膜の積
層は、水面上の薄膜を直接積層してもよいし、予めセパ
レーターのようなフィルム上に積層したものを透明電極
付ガラス板に転写する方式を用いてもよい。上記基材上
への薄膜の付着（付設）は単層であってもよいし、複層
であってもよい。複層の場合は、先に付設している水分
を完全に乾燥させてからつぎの薄膜を積層するのが好ま
しい。

このようにして得られる配向膜は、一定方向に配向する
効果を有し、分子配向に起因する赤外二色比力月、０５
以上の値を示す。

上記液晶分子配向膜の赤外二色比は、赤外分光装置ＦＴ
−Ｉ　Ｒを用い、つぎのようにして求められる。すなわ
ち、配向薄膜単独か、あるいは赤外的に透明な基材（例
えばシリコンウェハー）上に配向薄膜を積層した試料を
用い、この試料と赤外線ビームとの間に偏光子を設は透
過法により赤外線吸収スペクトルを測定する。第３図に
モデル的なスペクトルを示した。図において、曲線Ａが
吸光度Ａｂｓ／／を示し、曲線Ｂが吸光度Ａｂｓ土を示
している。このように、赤外の直線偏光軸が薄膜の製膜
方向と平行の場合の吸光度（Ａｂｓ／／）および垂直な
場合の吸光度（Ａｂｓ上）を各々測定し、特定波長にお
いて得られる上記吸光度の比（Ａ　ｂ　ｓ　／／／Ａ　
ｂ　ｓ上）が赤外二色比となる。

液晶分子配向膜の赤外二色比は、第４図に示すように、
引取速度により影響を受ける。すなわち、第４図は、引
取速度を変えて作製した配向膜の赤外二色比を、横軸に
引取速度（ｍ／分）、縦軸に赤外二色比（Ａ　ｂ　ｓ／
／／Ａ　ｂ　ｓ±）をとり関係を示している。曲線Ｃは
ポリエステル系液晶ポリマー、曲線りはフッ素含有ポリ
アミド酸である。

本発明の効果を発現できる系は、水面展開製膜法で薄膜
を形成できる全ての系である。ポリマーとしては、主鎖
または側鎖にメソゲン基を有する各種液晶ポリマー、各
種ポリイミドおよびその前駆体のポリアミド酸、ポリパ
ラキシリレン、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリ
アミド、メラミン、ユリア樹脂、ポリブテン　ポリメチ
ルペンテン等のオレフィン系ポリマー、酢酸セルロース
等のセルロース誘導体、ポリフッ化ビニル、ポリフッ化
ビニリデン等の含フツ素ポリマー、ポリメチルメタクリ
レート等のアクリル系ポリマー等が利用できる。特に好
適に配向膜の形成に用いられるポリマーは、主鎖または
側鎖にメソゲン基を有する各種液晶ポリマーであり、上
記メソゲン基は液晶表示に用いる低分子液晶と本質的に
良好な相互作用を形成するため理想的な配列状態を実現
できる。なお、液晶ポリマーを基材として用いた液晶表
示素子の配向膜（特開昭５７−４０２２８号公報、同６
２−２２７１２２号公報）も提案されているが、通常の
塗布方法では膜厚が不均一なことから、表示むらのない
液晶表示素子を形成することは極めて困難である。

本発明に用いられる液晶ポリマーは、主鎖または側鎖に
メソゲン基を有するポリマーでありかつ有機溶剤に溶解
することのできるものである。

上記主鎖にメソゲン基を有するポリマーとしては、ポリ
（ｐ−フェニレンテレツクルアミド）（Ｋｅｖｌａ　ｒ
）、ポリ　（ｐ−ベンズアミド）等の芳香族ポリアミド
、ヒドロキシプロピルセルロース等のセルロース誘導体
、ポリ（Ｔ−ヘンシルし一グルタメート）等のポリペプ
チド、スチレンエチレンオキサイド等のブロックポリマ
ー、ポリ（ｐ−フェニレンベンゾビスチアゾール）、ポ
リテレフタロイルヒドラジド等があげられ、ライオトロ
ピック液晶性を示すポリマーとして用いられる。

一方、サーモトロピック液晶性を示す主鎖型液晶ポリマ
ーとしては、ポリエステル系があげられ、広範囲に利用
されている。例えば、ポリエチレンテレフタレートとＰ
−ヒドロキシ安息香酸の共重合体が広い組成範囲で液晶
性を示し、かつクロロホルムやフェノール／テトラクロ
ロエタン混合溶液に溶解できるため、水面展開法に好適
に利用〔ただし、Ｒは−ＣＨ３、−ｉ、−（）である。

〕や下記の式で表される ポリアゾ（キシ）フェノールアルカノエートも利用でき
る。また、ポリアミドにおいても、等はサーモトロピッ
ク性を示す材料として利用可等のポリアゾメチンも同様
に利用できる。

上記側鎖型液晶ポリマーで用いられるメソゲン基として
は、低分子液晶化合物として利用できるほとんどの化合
物があげられる。側鎖型液晶ポリマーの骨格鎖としては
、ポリスチレン、ポリアクリル酸、ポリメタクリル酸、
ポリシロキサン、ポリマロン酸があげられる。例えば、
ポリアクリル酸が骨格鎖である場合、側鎖型液晶ポリマ
ーは下記の一般式 ％式％ で表される。上記液晶ポリマーは単独もしくは共重合し
て用いてもよいし、ブレンドして用いてもよい。また、
非液晶ポリマーとの混合も可能である。

上記液晶ポリマーは、素材に応じて展開溶媒を選択し、
水面上に均一展開する系で薄膜形成される。ただし、一
般に液晶ポリマー（特にサーモトロピック液晶性を示す
もの）は溶解性に乏しいものが多いため、例えば芳香族
ポリアミドではブリッジド（Ｂｒｉｄｇｅｄ）ビフェニ
レン型化合物（３，８ジアミノフエナトリジノン等）を
共重合させて溶解性を向上させることも行われる。

上記展開溶剤の代表例としては、芳香族ポリアミドに対
してはＮ、Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロ
リドンがあげられ、必要に応じてＬｉＣｌ２．ＣａＣ１
ｚの塩類の添加も有用である。また、ポリエステル類は
主にフェノール系の溶媒（フェノール、ｐ−クロロフェ
ノール等）を中心に展開溶剤を調整することができる。

ただし、上記溶剤で充分な水面展開製膜性が得られない
場合には展開助剤として第二の有Ｓ溶剤を添加すること
も有効である。このような展開助剤としては、脂肪族、
脂環族または芳香族のケトン、エステル、アルコール、
アミン、アルデヒド　パーオキサイドならびにこれらの
混合物があげられる。

この系では、上記展開助剤を１重量％（以下「％」と略
す）以上含有する溶液を用いることが好ましい。

本発明において、水面展開連続製膜に用いる有機高分子
溶液の濃度は、０．５〜３０％、好ましくは１〜２０％
である。ポリマー濃度が低すぎると均一な連続膜を得る
ことが難しく、逆に高すぎると水面上で溶液の展開性が
低下するため好ましくない。

本発明に用いる配向膜は、先に述べたように、電極を設
けた基板」二に直接積層形成することができるが、電極
の下層または上層に無機絶縁膜とし７Ｓ　ｉ　０２　、
　Ａｌ２ｚ　Ｏ３およびＴｉｅ、等の膜を設＆ｊた基板
に対しても適用できる。また、−層強固な配向膜を得る
ために、エポキシ系およびアミノ系シランカップリング
剤の１種以上を併用することもできる。

本発明は、上記のようにして得られた電極基板を用いて
液晶セルを形成し、この液晶セル中に液晶を封入するこ
とにより液晶表示素子を製造する。

」二記液晶としては、例えば、下記の式■〜■に示すネ
マチック液晶物質〇〜＠に示す強誘電性液晶（Ｃ”は不
斉炭素原子を表す）および上記の混合物等があげられる
。

■　Ａ←ロ→ＣトＢ ■　Ａ→８←ｅＢ ■　八−Ｃ＞　ＣＯ□−Ｑ−Ｂ ■　Ａ−ＧトＣＯ２＜ツーＢ ■　Ａ−’８ヒＣＨ２Ｃ）＋２−ＣＩ　Ｂ■Ａ−ｅセア
Ｂ ■　八−（ツベ葺トＯ−Ｂ ｌｈ ■　Ｃ６１１，３０−４フー０ＣＯ−Ｃ＞→コ←ＯＣ”
　Ｃ６Ｈ１３（余　　白　　） ？ ■Ｃ７ＨＩ　５０−（）−〇　ＣＯペフヒ０（ＣＨ２テ
「じ−Ｃ２Ｉ＋　５［相］Ｃ３ＨＩ７０−Ｃ叉刊コトＣ
Ｏ□−ＣＨ２Ｃ”　　Ｃ２ｔｌ　５ｌ（ Ｃ１＋。

■ＣＪ　１ｑＯ−Ｑ−ＯＣＯ＜コト０（ＣＩ＋□÷「じ
−Ｃ２ＨＳ１■ これらの液晶は、」二記液晶セルに封入され液晶層を構
成する。

本発明の液晶表示素子における液晶層は、ネマチック液
晶物質を１種以上含有してもよい。その際、液晶表示素
子は側基板間の配向方向が８０〜２８０°捩しれた構造
を有するのが好ましい。また、一方の基板に薄膜トラン
ジスターまたはダイオード等のスイッチング素子を設け
てよい。さらに、液晶層は、強誘電性液晶物質（例えば
、前記式■〜＠）を１種以」二含有しても差し支えない
。

〔発明の効果］ 以上のように、本発明の液晶表示素子は、水面展開法に
よって形成された水面展開膜を液晶分子配向膜として用
いているため、従来のようなラビング処理による静電気
の発生や配向膜界面の汚染ならびに膜厚不均一にもとづ
く表示むら等の問題を全く生じない。また、水面展開法
による配向膜の形成は比較的容易で量産性に冨んでいる
ことから、本発明の方法によれば、上記液晶表示素子を
容易に量産しうるようになる。

つぎに、実施例について比較例と併用で説明する。

〔実施例１］ ポリエチレンテレフタレートにＰ−ヒドロキシ安息香酸
を４０モル％共重合した勺−モ１ヘロピツク液晶ポリエ
ステルをフェノール／テ１〜ラクロロエタン−６０／４
０（重量比）混合溶媒にポリマー濃度が５重量％になる
ように溶解して展開溶液を調整した。この調整溶液を、
製膜速度５ｍ／分で水面展開連続製膜を行い、膜厚が５
００人、赤外二色比が２．１（波長１１６０ｃｍ＋−’
）のポリエステル系液晶ポリマー配向膜を得た。得られ
た液晶ポリマー配向膜をストライブ状の透明電極基板（
電極幅２００μｍ、間隔５０μＭ）に付設し、得られた
基板を製膜方向が直交するように６μｍのスペーサを介
して、フェニルシクロヘキサン系のネマチック液晶組成
物を注入し外周部をエポキシ樹脂でシールした後、偏光
軸が配向膜の配向方向と同じ方向に偏光板を貼り付は液
晶表示素子を得た。

このようにして得られた液晶表示素子は、配向のムラは
見られず均一配向性を示した。また、周波数３２Ｈｚ、
印加電圧５■で応答速度を測定した結果、立上がり（Ｔ
ｒ）が６ｃｍ、立下がり（Ｔｄ）が２５ｍ５であった。

さらに、電気光学特性の第５図に示す電圧透過率特性（
７＝Ｖ９゜／　Ｖ　＋。）は１．５５であった。なお、
第５図に示すように、しきい値特性を電圧■（横軸）と
透過率％（縦軸）との関係で示した。また、この液晶表
示素子は静電気の発生がなく、電極間のショート、電極
破壊が全く見られなかった。さらに、目視で観察した結
果、ネサ見えも発生していなかった。

〔実施例２〕 ポリ（Ｐ−フェニレンテレフタルアミド）ヲＮＮ−ジメ
チルアセトアミド／アセトフェノン＝７０／３０（重量
比）混合溶媒にポリマー濃度が４％になるように溶解し
て展開溶液を調整した。

この調整溶液を、製膜速度１０ｍ／分で水面展開連続製
膜を行い、膜厚が５００人、赤外二色比が１．５（波長
１６４０ｃｎｒ’）のポリアミド系液晶ポリマー配向膜
を得た。得られた液晶ポリマー配向膜を用いて実施例１
と同様にして液晶表示素子を得た。

得られた液晶表示素子の配向性は良好で、電気光学特性
は周波数３２七、印加電圧５■で応答速度を測定した結
果、Ｔｒが８躯、Ｔｄが３０ｍ５であり、γは１．６０
であった。また、この液晶表示素子は静電気の発生がな
く、電極間のショート。

電極破壊が全く見られなかった。さらに、目視で観察し
た結果、ネサ見えも発生していなかった。

（実施例３） ｐ−フェニレンテレフタルアミドと３，８−フエナント
リジノンジイルテレフタルアミドの５０１５０（モル比
）共重合体を、Ｎ−メチルピロリドン／Ｎ、Ｎ−ジメチ
ルアセトアミド／アセトフェノン＝４０／４０／２０　
（重量比）混合溶媒にポリマー濃度が５％になるように
溶解して展開溶液を調整した。この調整溶液を、製膜速
度１０ｍ／分で水面展開連続製膜を行い、膜厚が１００
人、赤外二色比が１．４（波長１６４０ｃｍ−’）のポ
リアミド系液晶ポリマー配向膜を得た。得られた液晶ポ
リマー配向膜をストライプ状の透明電極基板（電極幅２
００μｍ、間隔５０μｍ）に付設し、得られた基板を製
膜方向が直交するように４μｍのスペーサを介して、下
記に示す強誘電性液晶組成物 ＣＨ３ Ｃ６ＨＩｆｆｏ−Ｑ−ｏｃｏ−Ｑ＞→コトＯ−Ｃ”　Ｃ
６ＨＩ３　　（５０モルχ）■ ＣＨ。

Ｃ７■ｌ５Ｏ−Ｑ−ＯＣＯ−Ｑ−０（ＣＨｄ丁Ｃ”−Ｃ
２Ｈ５（２５モルχ）■ ■ を注入し外周部をエポキシ樹脂でシールした後、偏光軸
が配向膜の製膜方向と同じ方向に偏光板を貼り付は液晶
表示素子を得た。このようにして得られた液晶表示素子
は、配向のむらは見られず均一配向性を示した。また、
電気光学特性も測定した。第６図は、このメモリー性評
価特性を、時間と明るさおよび印加電圧の関係で示した
グラフであり、図に示すように、電界印加時のコントラ
ス１・比ＣＲ−Ｂ４　／Ｂ　ｌ　、メモリ−２状態間の
コントラスト比ＣＲ＋′＝８３／Ｂｚとすると、両者の
比はＭ＝　（ｃＲ８−ｔ）／　（ＣＲ−１）となる。

すなわち、メモリー状態の安定性を表すパラメータとし
て、メモリ−２状態間のコントラス１〜比と電界印加時
のコントラスト比のメモリー性Ｍを測定した結果、Ｍ＝
１でコントラスト比も１０：１と良好な値を存していた
。また、この液晶表示素子は静電気の発生がなく、電極
間のショート、電極破壊が全く見られなかった。

〔実施例４〕 界面重縮合で合成したポリアゾフェノールアルカノエー
ト −（−−０−Ｑ＋Ｎ　＝　Ｎ−Ｃ＞０ＣＯ−（ＣＩ−１
ｚ−）−ｒ　Ｃｏ−テ■をｐ−クロロフェノール／テト
ラクロロエ９７＝７０／３０（重量比）混合溶媒にポリ
マー濃度が５％になるように溶解して展開溶液を調整し
た。

この調整溶液を、製膜速度８ｍ／分で水面展開連続製膜
を行い、膜厚が１０００人、赤外二色比が１．５（波長
１５００ｃｍ−’）のポリエステル系液晶ポリマー配向
膜を得た。得られた液晶ポリマー配向膜をアモルファス
シリコン半導体基板上（画素数２０Ｘ２０）に付設し、
得られた基板を配向膜の配向方向が直交するように４μ
ｍのスペーサを介して下記に示すネマチック液晶組成物
Ｃ３Ｌ＜ＥＥ＞ベロヒＣＮ　　　　　　　（６０モルχ
）ＣｓＨ＋　１−ｏ−ＣＯ２イフーＦ　　　　（１０モ
ルχ）ＣＩ７−４夕べ日と（）Ｃ３Ｈ７（２０モルχ）
Ｃ５ＨＩＩｆベロ戸Ｆ　　　（１０モルχ）を注入し外
周部をシールした後、偏光軸が配向膜の配向方向と同じ
方向に偏光板を貼り付はアクティブマトリックス液晶表
示素子を得た。このようにして得られた液晶表示素子は
、配向のむらは見られず均−配向性を示し、かつＴＰＴ
動作を行った結果、全画素が正常に点灯することを確認
した。したがって、この液晶表示素子は静電気の発生が
なく、ＴＰＴの損傷が全く見られなかった。

〔実施例５〕 下記に示す式で表される側鎖型液晶ポリシロキサン ＣＯ３ 云Ｓｉ　　Ｏ汁 （Ｃ１１ｚ＋−ｒ−０％ツーＣ００（ニー〇ＣＨ：＋を
トルエン／メチルエチルケトン−８０／２０（重量比）
混合溶媒にポリマー濃度が５％になるように溶解して展
開溶液を調整した。この調整溶液をストライプ状の透明
電極基板（電極幅２００μｍ、間隔５０μｍ）に実施例
３と同じ条件で水面展開連続製膜を行い、膜厚が約４０
０人、赤外二色比が１．４５（波長１１６０ｃ＋ｎ−’
）のポリシロキサン系液晶ポリマー配向膜を得た。その
後、液晶分子のねじれ角度を２２０°になるよう基板と
偏光板の吸収軸を調製し６μｍのスペーサを介して、下
記に示すネマチック液晶組成物 Ｃ，１Ｉ７（）−コ＞　ＣＮ　　　　　　　　　　　（
４０モルχ）ＣＪ、、−％ンＣ）Ｉ　２Ｃ１１２舎Ｃｓ
Ｌ＋　　　（１５モルχ）Ｃ１Ｈ＋ｓＲ葛と（針ｅＯｃ
ｓＨｌ　１　　　　　　（２０モルχ）ＣｓＨ＋＋→征
針イＯｚ＜コト０ＣＪｌ＋ｚ　　　　　（２５モルχ）
を注入してシールした。その後、ＳＴＮ液晶素子のスキ
ャツクリングドメイン（光を散乱するドメイン）を調べ
た結果、ドメインの発生は見られず全画素の領域で安定
な点灯状態になることを確認した。また、このＳＴＮ液
晶表示素子も静電気の発生がなく、電極間のショート、
電極破壊が全く見られなかった。さらに、目視で観察し
た結果、ネサ見えも発生していなかった。

〔比較例１〕 ポリ（ｐ−フェニレンテレフタルアミド）を、Ｎ、Ｎ−
ジメチルアセ１−アミドにポリマー濃度が３％になるよ
うに溶解し、ストライブ状の透明電極基板（電極幅２０
０μｍ２間隔５０μｍ）にスピン塗布（３０００ｒｐｍ
、６０秒）で約５００人の配向膜を形成した。その後、
１５０°Ｃで１時間乾燥させ、ＡＢレーベル布を巻いた
ロータを回転（回転数６０Ｏｒｐｍ、切り込み量０．４
胴）してラビングを行い液晶分子のねしれ角を２２０°
になるよう基板と偏光板の吸収軸を調整し実施例５で用
いたネマチ・ンク液晶を注入し、エポキシ樹脂でシール
した後評価した。その結果、静電気の発生が見られ、電
極間のショート、電極破壊が起こり点灯不良が発生した
。また、液晶素子の各部でしきい値（ｖｔｈ）特性の変
化および低下が見られ、素子全体での安定性が劣ったも
のであった。

〔比較例２〕 ポリエチレンテレフタレートにｐ−ヒドロキシ安息香酸
を４０モル％共重合したサーモトロピック液晶ポリエス
テルをフェノール／テトラクロロエタン＝６０／４０混
合溶媒にポリマー濃度が２％になるように溶解し、アモ
ルファスシリコン半導体基板上（Ｍ素数２０ｘ２０）に
印刷機を用いて、約１０００人の配向膜を形成した。そ
の後、１５０°Ｃで１時間加熱乾燥させＡＢレーベル布
を巻いたロータを回転（回転数６０Ｏｒｐｍ、切り込み
量０．２５ｍｍ）してラビングを行い実施例４で用いた
ネマチック液晶を注入し、エポキシ樹脂でシールした後
電気光学特性を評価した。その結果、この液晶表示素子
にＴＰＴ動作を行ったところ静電気の発生が見られ、画
素数の数個で点灯不良が起こり安定に表示ができなかっ
た。

〔比較例３〕 下記に示す側鎖型液晶ポリシロキサン 慢Ｓｉ　Ｏ廿 （ＣＨ２）ｒ−０’ｌ０Ｊ）−ぺ０Ｏ−ＣＰ−ＣＨ３を
テトラヒドロフランにポリマー濃度が１０％になるよう
に溶解し、ス１−ライブ状の透明電極基板（電極幅２０
０μｍ１間隔５０μｍ）にスピン塗布（２００Ｏｒｐｍ
、３０ｓｅｃ　）Ｌ厚み約５００人の塗膜を形成した。

形成した後、この基板を１２０°Ｃに加熱しながら、塗
膜の上面に垂直方向からローラーを用いて１　ｋｇの加
重をかけながら塗膜上を１ｃｍ／秒の速度でローラーを
移動させて剪断応力を印加し配向薄膜基板とした。この
基板を剪断処理応力が直交するように６μｍのスペーサ
を介してフェニルシロキサン系のネマチック液晶組成物
を注入し外周部をエポキシ樹脂でシールした後、偏光軸
が配向膜の剪断処理方向と同方向に偏光板を貼り付は液
晶表示素子を得た。その結果、この液晶表示素子は配向
のむらが存在し、均一性が不充分であった

【図面の簡単な説明】

第１図は水面展開連続製膜装置の一例の構成図、第２図
（Ａ）は水面上で高分子溶液の展開を示す平面模式図、
第２図ＣＢ）はその要部の拡大側面図、第３図はＦＴ−
ＩＲで測定した配向薄膜の赤外二色比の測定スペクトル
図、第４図は引取速度を変えて作製した配向薄膜の赤外
二色比の変化の状態を示す線図、第５図はしきい値特性
を示す線図、第６図はメモリー性評価特性を示す線図で
ある。 特許出願人　　日東電工株式会社 株式会社日立製作所 代理人　　弁理士　西　藤　征　彦 鯛宕・翻鱈 ｆ、？′疲 鎖旨（４）■ 旨つイＪ

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. （１）少なくとも一方が透光性の一対の電極基板間に、
   少なくとも液晶層および液晶分子配向膜を挟持してなる
   液晶表示素子において、上記液晶分子配向膜が有機高分
   子の水面展開膜であつて、主鎖または側鎖にメソゲン基
   を有するライオトロピツク液晶ポリマーもしくはサーモ
   トロピツク液晶ポリマーからなる配向膜であることを特
   徴とする液晶表示素子。
2. （２）上記液晶層が、ネマチツク液晶層であり、上下電
   極基板で挟持された液晶層の液晶分子の長軸方向が電界
   ゼロにおいて上下電極基板間で８０〜２８０°ねじれた
   構造を有する請求項（１）記載の液晶表示素子。
3. （３）上記液晶層が、強誘電性液晶組成物層である請求
   項（１）記載の液晶表示素子。
4. （４）上記液晶高分子配向膜が、絶縁層上およびカップ
   リング剤層上の少なくとも一方に形成されている請求項
   （１）ないし（３）のいずれか一項に記載の液晶表示素
   子。
5. （５）上記液晶高分子配向膜は、縦方向と横方向との赤
   外二色比の値が１．０５以上の膜である請求項（１）な
   いし（４）のいずれか一項に記載の液晶表示素子。
6. （６）電極がアクティブマトリックス型電極である電極
   基板を用いている請求項（１）ないし（５）のいずれか
   一項に記載の液晶表示素子。
7. （７）有機高分子溶液を水面上に供給し、上記溶液を一
   方向に引いて製膜し、得られた水面展開膜を電極基板上
   の所定の部位に密着形成し、上記電極基板を用いて作製
   した液晶セルに液晶を封入することを特徴する液晶表示
   素子の製造方法。
8. （８）上記水面展開膜の引取速度と同じ速度で移動する
   複数個の電極基板を、上記膜に順次接触させる連続操作
   により上記電極基板上に膜を密着形成する請求項（７）
   記載の液晶表示素子の製造方法。