JPH0259724A - 液晶表示素子及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、液晶表示素子に用いる配向膜に係り、特に、
ネマチック液晶表示素子２強誘電性液晶表示素子に好適
な配向膜に関する６ 〔従来の技術〕 液晶表示素子は各種デイスプレィに実用されている。良
好な表示品質を得るためには、液晶分子を均一に配向さ
せる必要がある。その役割を担うのが液晶の配向膜であ
る。そのため、配向膜に関し多くの開発研究がなされ、
これまでＳｉＯ等の無機化合物を斜方蒸着した無機配向
膜、ポリイミド等の有機高分子膜を形成して布等でラビ
ングした有機配向膜（特開昭５０−８３０５１号、同５
１−６５９６０号）等が液晶表示素子に実用されてきた
。また、最近では、ラングミュア・プロジェット法（Ｌ
Ｂ法）によってポリイミド等の単分子層又は単分子層を
多数累積した配向膜（特開昭６２−２０９４１５号。

同６２−２１１６１７号、同６２−２１５９２８号）を
用いることが提案されてる。

〔発明が解決しようとする課題〕

しかしながら、上述の配向膜の場合にはそれぞれ重大な
欠点があった。斜方蒸着により形成した無機配向膜は、
その配向膜形成に蒸着装置などの真空装置を必要とし、
量産性に問題がある。

一方、回転塗布、印刷塗布、スプレー塗布等で塗布し、
その膜面をラビング処理した有機配向膜は、量産性の点
で優れているが、大型の液晶素子が大型化されるにつれ
、配向膜の膜厚の均−性及び全膜面のラビング時の荷重
コントロールに問題が生じている。

また、これまでの有機配向膜では、配向能を高めるには
強いラビング処理が必要である為、静電気の発生が起こ
る。従って、静電気の発生しないソフトラビングで配向
する高品質の配向膜が要求されている。例えば、ネマチ
ック液晶を用いたスーパツイスト液晶素子（ＳＴＮ）ｆ
：ｓＩＤインターナショナルシンポジウム：ｐ１２０〜
１２３゜（１９８５））では、配向膜により表示むらが
生じたり、静電気によるＩＴＯ電極の破壊による非点灯
部の発生や電極間のショート等が発生し易い。

更にまた。アクティブマトリックス液晶素子では、薄膜
トランジスタ（ＴＰＴ）あるいはダイオードなどのスイ
ッチング素子の損傷、あるいはスイッチング特性の変化
による点灯不良などを引起す。

ＬＢ法によって形成した単分子配向膜は、量産性の点で
問題がある。即ち、ＬＢ法により形成される高分子膜は
、−層が約４人レベルの単分子膜であり、超薄膜すぎて
ＩＴＯ電極が見えるなど表示品質の点から好ましくない
。現在、実用されている有機配向膜は、表示品質の点か
ら約３００〜５００人の膜厚が必要である。従って、累
積操作の繰り返し時間及び累積膜の均−性等に問題があ
り、作業性が極めて悪く実際の生産にはあまり適さない
。また、ＬＢ膜は数多く累積することにより配向不良が
起り誘起ドメインが発生してくる傾向が見られる。

本発明の目的は上記のような事情にかんがみ分子配向し
た膜を用いて静電気の発生がなく、表示むらを防止し、
且つ量産性に優れた配向膜を備えた液晶表示素子を提供
することにある。

〔課題を解決するための手段〕

上記目的を達成するために、本発明者らは実用的な観点
で水面展開製膜法で分子配向した膜を用いてプレチルト
の方向を均一に揃える種々の研究を進め、静電気の発生
しないソフトラビング処理が可能なことを見出して本発
明を達成した。

すなわち、水面展開製膜法により形成した高分子膜は一
回の処理で膜厚が３０八〜１ｏｏｏ人の高分子膜をガラ
ス基板上に形成でき、且つ水面上に展開される膜を一定
方向に引取る操作によって高分子を分子配向させた膜を
作製する。

本発明素子で用いた水面展開製膜法とは、例えば模式的
に第１図に示すように、水面展開連続膜装置であり、符
号１はノズル、２は水槽、３は水面、４は生成した膜、
５〜７はロール、８はフィルム状基材である。まず作製
方法としては定量ポンプでノズル１から有機高分子溶液
を水槽２内の水面３上に放出すると、該溶液が水面上に
自発的に展開して、第２図に示すように膜４が生成する
。

第２図は、水面上での有機高分子溶液の展開模式図であ
り、第２−１図はその平面図、第２−２図は拡大側面図
である。第２図において、ａは溶液部、ｂはゲル状部、
Ｃは固体膜部を意味する。こうして生成した膜４をロー
ル５〜７により移動するフィルム状基材８に接触させる
か、フィルム状基材の表面又は液晶表示素子の基板上の
所定の部位に膜を付着移行させ引取る。この際、有機高
分子溶液の水面上での自発的展開速度より速い速度で引
取ることによって１分子配向性を付与することができる
。このようにして得られた配向膜は、液晶分子を配向す
る効果を有し、更に静電気の発生しないソフトラビング
で液晶分子のプレチルトの方向を均一に揃える。

本発明で用いられる有機高分子物質としては、各種ポリ
イミド及びその前駆体のポリアミド酸。

ポリパラキシリレン、ポリエステル、ポリカーボネート
、ポリアミド、メラミン、ユリア樹脂、更にポリブテン
、ポリメチルペンテン等のオレフィン系ポリマー、酢酸
セルロース等のセルロース誘導体、ポリフッ化ビニリデ
ン等の含フツ素ポリマ。

ポリメチルメタクリレート等のアクリル系ポリマ、主鎖
または画鋲にメソゲン基を有する各種液晶ポリマ等が利
用できる。特に好適な配向膜の形成に用いられるポリア
ミド酸及びポリイミドは、ジアミン化合物又は二塩基酸
ヒドラジド化合物とテトラカルボン酸二無水物とを共重
合させることにより得ることができる。

上記のテトラカルボン酸二無水物としては、ピロメリッ
ト酸二無水物、３．３’　、４．４’　−ベンゾフェノ
ンテトラカルボン酸二無水物、３゜３′、４，４′−ビ
フェニルテトラカルボン酸二無水物、シクロペンタンテ
トラカルボン酸二無水物、シクロブタンテトラカルボン
酸二無水物、ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、ピ
リジンテトラカルボン酸二無水物、ペリレンテトラカル
ボン酸二無水物、４，４′−ジスルホニルシフタル酸二
無水物、ビス〔ジカルボキシフェノキシ）フェニル〕プ
ロパンテトラカルボン酸二無水物、ビス〔ジカルボキシ
フェノキシ〕ジフェニルエーテルテトラカルボン酸二無
水物、ビス〔ジカルボキシフェノキシ）フェニル〕へキ
サフルオロプロパンテトラカルボン酸二無水物、ブタン
テトラカルボン酸二無水物等が挙げられ、単独若しくは
２種以上を混合して用いることができる。

上記のテトラカルボン酸二無水物と共重合させるジアミ
ン、二塩基酸ヒドラジドとしては、フェニレンジアミン
、ジフェニレンジアミン、トリフェニレンジアミン、式
： （式中Ｘは直接結合、−０−、−ＣＨ２−Ｈａ Ｆａ す）で表される化合物、若しくは、下記一般式■：で表
される構造をもつ化合物、例えば１式：（式中各Ｘは前
記と同義である）で表されるビス（アミノフェノキシ）
ジフェニル化合物等が用いられる。具体的には、ｐ−フ
ェニレンジアミン、ｍ−フェニレンジアミン、４，４′
−ジアミノターフェニル、４．４’　−ジアミノジフェ
ニルスルホン、３．３’　−ジアミノジフェニルスルホ
ン、４．４′−ジアミノジフェニルエーテル、４゜４′
−ジアミノフェニルベンゾエート、４，４′−ジアミノ
ジフェニルメタン、２．２−　（４゜４′−ジアミノジ
フェニル）プロパン、４，４′−ビス（Ｐ−アミノフェ
ノキシ）ジフェニルスルホン、４，４′−ビス（ｍ−ア
ミノフェノキシ）ジフェニルスルホン、４．４’−ビス
（ｐ−７ミノフエノキシ）ジフェニルエーテル、４，４
′ビス（ｐ−アミノフェノキシ）ジフェニルケトン、４
，４′−ビス（ｐ−アミノフェノキシ）ジブエニルメタ
ン、２．２−（４，４’−ビス（ｐ−７ミノフエノキシ
）ジフェニル〕プロパン、２，２−　（４，４’−ビス
（ｐ−アミノフェノキシ）ジフェニル〕へキサフルオロ
プロパン、また、式：で表わされる４、４′−ジアミノ
−３−カルバモイルジフェニルエーテル、また、下記の
ジアミノシロキサン化合物がある。

ＣＨｚ　　　　ＣＨ３ ＣｅＨｓ　　　　ＣｅＨｌｌ ＣＨａ　　　　ＣＨａ また、二塩基酸ヒドラジド化合物としては、例えばイソ
フタル酸ジヒドラジド、テレフタル酸ジヒドラジド、４
，４′−ジヒドラジドジフェニルエーテル、’４．４’
　−ジヒドラジドジフェニルスルホン、４，４′−ジヒ
ドラジドジフェニル、４゜４′−ジヒドラジドジフェニ
ルメタン、４．４’−ジヒドラジドフエニルベンゾエー
ト、４，４′−ジヒドラジドジフエニルスルフイド、３
，３’−ジヒドラジドジフェニルスルホン、４，４′ビ
ス（ｐ−ヒドラジドフェノキシ）ジフェニルスルホン、
４，４′−ビス（ｍ−ヒドラジドフェノキシ）ジフェニ
ルスルホン、４，４′−ビス（ｐ−ヒドラジドフェノキ
シ）ジフェニルエーテル、２．２−　（４，４’−ビス
（ｐ−ヒドラジドフェノキシ）ジフェニル〕プロパン、
２．２−　（４゜４′−ビス（ｐ−ヒドラジドフェノキ
シ）ジフェニル〕へキサフルオロプロパン、シュウ酸ジ
ヒドラジド、マロン酸ジヒドラジド、コハク酸ジヒドラ
ジド、ゲルタン酸ジヒドラジド、アジピン酸ジヒドラジ
ド、ピメリン酸ジヒドラジド、スペリン酸ジヒドラジド
、アゼライン酸ジヒドラジド、セバシン酸ジヒドラジド
等が挙げられる。これらも単独で又は２種以上を混合し
て使用することができる。

更に、上記のジアミン化合物及び二塩基酸ヒドラジド化
合物は、シリル化を行いＮ−シリル化ジアミン化合物及
びＮ−シリル化二塩基酸ヒドラジド化合物としても適用
できる。

また重合溶媒としては、ポリアミド酸、ポリイミドを溶
解するものであれば特に問わないが、例えばＮ−メチル
ピロリドン、ジメチルアセトアミド、ジメチルホルムア
ミド、ジメチルスルホキシド、ブレゾール及びフェノー
ル等の単独若しくは２種以上混合して使用することがで
きる。また。

一種類の溶剤で十分な水面展開製膜性が得られない場合
には、展開助剤として第二の有機溶剤を添加することも
有効である。このような展開助剤としては、脂肪族、脂
環族又は芳香族のケトン、エステル、アルコール、アミ
ン、アルデヒド、パーオキシド及びこれらの混合物が挙
げられる。

本発明の配向膜は、電極を設けた基板上に直接形成する
ことができるが、電極の下層又は上層に無機絶縁膜とし
て５ｉＯｚ、ＡＱｚＯδ並びにＴ　ｉ　Ｏｘなどの膜を
設けたものも用いることができる。

また、−層強固な配向膜を得るためには、エポキシ系及
びアミノ系シランカップリング剤の１種以上を併用する
ことができる。

また、液晶ポリマは、主鎖または側鎖にメソゲン基を有
するポリマで有機溶剤に溶解することのできるものであ
る。

主鎖型液晶ポリマとしては、ポリ（ｐ−フェニレンテレ
フタルアミド）　（Ｋｅｖｌａｒ）、ポリ　（Ｐ−ベン
ズアミド）などの芳香族ポリアミド、ヒドロキシプロピ
ルセルロースなどのセルロース誘導体。

ボレ（γ−ベンジルーＬ−グルタメート）などのポリペ
プチド類、スチレン−エチレンオキサイド等のブロック
ポリマ、ポリ（ｐ−）二二しンベンゾビスチアゾール）
、ポリテレフタロイルヒドラジド等がライオトロピック
液晶性を示すポリマとして利用できる。

一方、サーモトロピック液晶性を示す主鎖型液晶ポリマ
としては、ポリエステル系が広範に利用されており１例
えばポリエチレンテレフタレートとＰ−ヒドロキシ安息
香酸の共重合体が広い組成範囲で液晶性を示し、且つ、
クロロホルムやフェノール／テトラクロロエタン混合溶
媒に溶解できるため、水面展開法に利用できる。その他
のポリエステル類としては、ポリアゾキシフェノールア
ルカノエート、ポリアミドにおいても などはサーモトロピック性を示す材料として利用可能で
ある。

側鎖型液晶ポリマーで用いられるメソゲン基は。

低分子液晶化合物として利用できるほとんどの化合物で
ある。側鎖型液晶ポリマーの骨格鎖には、ポリスチレン
、ポリアクリル酸、ポリメタクリル酸、ポリシロキサン
、ポリマロン酸が用いられる。

ポリアクリル酸を代表に側鎖型液晶ポリマーを示すと −ｆ−ＣＨｚ−ＣＨ＋。

ＣＯ２（ＣＨｚ）−Ｒ Ｒ’　　ニーＣＮ、−０（ＣＨｚ）ａＣＨａ（ａ＝ｏ〜
８））で表わされる。

これらの液晶ポリマーは単独もしくは共重合して用いて
も良いしブレンドして利用することもできる。また、非
液晶性ポリマーとの混合も可能である。

更に、基材上への配向膜の積層は、水面上の膜を直接積
層してもよいし、あらかじめセパレーターのようなフィ
ルム上に積層したものを透明電極付ガラス板に転写する
方式を用いても良い。この基材上への配向膜の付設は、
単層、複層のいずれであってもよく、複層の場合は付設
した配向薄膜に付着している水分を完全に乾燥させてか
ら次を積層するのが好ましい。得られた配向膜は、ポリ
アミド酸系のものは、必要に応じて加熱又は化学処理に
よりイミド化しても良い。

また、用いる液晶は例えば下記の式に示すネマチック液
晶（４）〜（１０）強誘電性液晶（１１）〜（１５）等
及び各々混合物として適用される。

（式中、Ａ、Ｂはアルキル基、アルコキシ基、シアノ基
、フッ素などである） 本発明の液晶表示素子における液晶層は、ネマチック液
晶物質を１種以上含有していてよい。その際、素子は、
周基板間の配向方向が８０〜２８０度ねじれた構造を有
していてよい。また、一方の基板に薄膜トランジスター
又はダイオード等のスイッチング素子を設けてよい。

また、液晶層は、強誘電性液晶物質〔前記（１１）〜（
１５）のような〕を１種以上含有していてよい。

本発明のラビングは、ソフトラビング処理でよい。ソフ
トラビングは、従来のラビングの加圧力が約１／２以下
のラビング処理を云う。

〔作用〕

本発明の分子配向能を有する膜は、−回の処理で３０Å
以上の配向膜が形成され、ラビング処理も軽く行なうだ
けでよいので電極やＴＰＴなどを破壊することなく表示
むらも発生しない。

〔実施例〕

以下、本発明を実施例により更に具体的に説明するが、
本発明はこれら実施例に限定されない。

実施例１ ３．３’　、４．４’　−ビフェニルテトラカルボン酸
二無水物０．１　モルと２．２−　（４，４’ビス（ｐ
−アミノフェノキシ）ジフェニル〕へキサフルオロプロ
パン０．１　　モルをジメチルアセトアミド溶液中で、
ポリアミド酸溶液を合成した。

得られたポリアミド酸を、ジメチルアセトアミド／アセ
トフェノン（等重量比）で５％になるように希釈してポ
リアミド酸ワニスを調製した。この調製溶液を製膜速度
１２ｍ／分でストライプ状の透明電極基板に水面展開連
続製膜を行い、６０℃１時間熱処理して膜厚が３００人
の分子配向した配向膜を得た。その後、ラビング強度０
．２Ｉでラビング操作を行い、６μｍのスペーサを介し
て、フェニルシクロヘキサン系のネマチック液晶組成物
を注入し外周部をエポキシ樹脂でシール後、偏光軸が配
向膜の製膜方向と同方向に偏光板を貼り付は液晶表示素
子を得た。このようにして得られた液晶表示素子は静電
気の発生がなく、電極間のショート、電極破壊が一切見
られなかった。更に、プレチルトの方向を均一に揃える
ことができる為、誘起ドメインの発生も起らず表示むら
はなかった。

また、電気光学特性の第３図に示す電圧透過率特性（γ
＝＝　Ｖ　ｅｏ／　Ｖ　ｉｏ）は１．５０であった。な
お、第３図は、しきい値特性を電圧（Ｖ、横軸）と透過
率（％、縦軸）との関係で示すグラフである。

実施例２ ３．３’　、４．４’　−ベンゾフェノンテトラカルボ
ン酸二無水物０．０８　モルとピロメリット酸二無水物
０．０２　モル及び４，４′−ビス（ｍ　−アミノフェ
ノキシ）ジフェニルスルホン０．０８モル、４，４′−
ジアミノジフェニルエーテル０．０２　　モルをクレゾ
ールとトルエン混合溶液中で、１５０℃で５時間かくは
んしポリイミド溶液を合成した。得られたポリイミド溶
液をアルコール中で再沈させて、Ｎ−メチルピロリドン
で３％に再溶し、更にアセトフェノンを２０重量％混合
した。この調製溶液を製膜速度１５ｍ／分でストライプ
状の透明電極基板に水面展開速度製膜を行い、膜厚が５
００人の分子配向した配向膜を得た。

その後、ラビング強度０．２５ｎｍでラビング操作を行
い、５μｍのスペーサを介して、フェニルシクロヘキサ
ン系及びエステル系の液晶組成物を注入し外周部をエポ
キシ樹脂でシール後、偏光軸が配向膜の製膜方向と同方
向に偏光板を貼り付は液晶表示素子を得た。このように
して得られた液晶表示素子は静電気の発生がなく、電極
間のショート、電極破壊が一切見られなかった。更に、
誘起ドメインの発生も起らず表示むらはなかった。また
、電気透過率特性γは１．５８であった。

実施例３ ３．３’　、４．４’　−ベンゾフェノンテトラカルボ
ン酸二無水物０．０５モル、シクロブタンテトラカルボ
ン酸二無水物０．０５　モル及びインフタル酸ジヒドラ
ジド０．０５　モルと２．２−　（４゜４′ジアミノジ
フエニル）プロパン０．０５モルをジメチルアセトアミ
ド溶液中でポリアミド酸−ヒドラシト酸溶液を合成した
。得られたポリアミド酸−ヒドラシト酸溶液を１％に希
釈し、Ｎ−メチルピロリドン／アセトフェノン（等重量
比）になるよう調整した。この調整溶液を製膜速度１０
ｍ／分でストライプ状の透明電極基板に水面展開連続製
膜を行い、膜厚が５０人の分子配向した配向膜を得た。

その後、ラビング強度０．１ｍ１１でラビング操作を行
い、７μｍのスペーサを介して、下記のＳｃ＊相を示す
強誘電性液晶組成物（５０ｍｏＱ％） （２５ｍｏＱ％） （２５１１ｏρ％） を注入し外周部をエポキシ樹脂でシール後、偏光軸が配
向膜の製膜方向と同方向に偏光板を貼り付は液晶表示素
子を得た。このようにして得られた液晶表示素子は、配
向のムラは見られず均一配向性を示す、また、電気光学
特性も測定した。第４図はこのメモリー性評価特性を、
時間と明るさ及び印加電圧の関係で示すグラフであり、
第４図に示すように電界印加時のコントラスト比ＣＲ：
＝Ｂａ／Ｂｚ、メモリ−２状態間のコントラスト比ＣＲ
’：Ｂ８／Ｂ２とすると、両者の比は Ｍ　＝　（ＣＲ’　−１）／　（ＣＲ−１）となる。す
なわち、メモリー状態の安定性を表すパラメータとして
、メモリ−２状態間のコントラスト比と電界印加時のコ
ントラスト比のメモリー性Ｍを測定した結果Ｍ＝１で、
コントラスト比も１８：１と良好な値を有していた。ま
た１本液晶表示素子は静電気の発生がなく、電極間のシ
ョート、電極破壊が一切見られなかった。

実施例４ ピロメリット酸二無水物Ｏ０１モル、２，２−（４，４
’−ビス（Ｐ−アミノフェノキシ）ジフェニル〕プロパ
ンのシリル化合物０．０８モル。

セバシン酸ジヒドラジド０．０２　モルをジメチルア欠
５ドアミド溶液中でポリアミド酸−ヒドロシト酸溶液を
合成した。得られたポリアミド酸−ヒドラシト酸溶液を
６％に希釈し、ジメチルアセトアミドにアセトフェノン
を３０重量％混入した調製溶液をアモルファスシリコン
半導体基板上に製膜速度１３ｍ／分で水面展開連続製膜
を行い、１５０℃２時間加熱後、膜厚が８００人の分子
配向した配向膜を得た。その後、ラビング強度０．１５
＋ｍ＋でラビング操作を行い、６μｍのスペーサを介し
て、下記に示すネマチック液晶組成物 を注入し外周部をシール後、偏光軸が配向膜の製膜方向
と同方向に偏光板を貼り付はアクティブマトリックス液
晶表示素子を得た。このようにして得られた液晶表示素
子は、配向のムラは見られず均一配向性を示し、且つＴ
ＰＴ動作を行った結果、全画素が正常に点灯することを
確認した。したがって、本液晶表示素子は静電気の発生
がなく。

ＴＰＴの損傷が一切見られなかった。

実施例５ ３．３’　、４．４’　−ビフェニルテトラカルボン酸
二無水物０．１　モルと２．２−　（４，４’　−ビス
（ｐ−アミノフェノキシ）ジフェニル〕へキサフルオロ
プロパン０．０９　モル、ジアミノシロキサン０．０１
　　モルをジメチルアセトアミド溶液中でポリアミド酸
シロキサン溶液を合成した。得られたポリアミド酸シロ
キサン溶液を４％に希釈し、ジメチルアセトアミド／ア
セトフェノン（等重量比）になるよう調製した。この調
製溶液をストライプ状の透明電極基板（電極幅２００μ
ｍ。

間隔５０μｍ）に製膜速度１８ｍ／分で水面展開連続製
膜を行い、２５０℃３時間加熱後膜厚が３００人のポリ
イミドシロキサン分子配向した配向膜を得た。その後、
ラビング強度０．２＋ｍ＋でラビング操作を行い、液晶
分子のねじれ角を２４０度になるよう基板と偏光板の吸
収軸を調製し６μｍのスペーサを介して、カイラル物質
と下記に示すネマチック液晶組成物 を注入してシールした。その後、ＳＴＮ液晶素子のスキ
ャツタリングドメイン（光を散乱するドメイン）を調べ
た結果、ドメインの発生は見られず全画素の領域で表示
むらのない安定な点灯状態になることを確認した。また
、本ＳＴＮ液晶表示素子も静電気も発生がなく、電極間
のショート、電極破壊が一切見られなかった。

実施例６ ポリエチレンテレフタレートにＰ−ヒドロキシ安息香酸
を４０ｍｏＱ％共重合したサーモトロピック液晶ポリエ
チレンをフェノール／テトラクロロエタン＝６０／４０
混合溶媒にポリマ濃度が５ｗｔ％になるように溶解して
展開溶液を調整した。

この調整溶液を製膜速度５ｍ／分でストライプ状の透明
電極基板に水面展開連続製膜を行ない、膜厚が５００人
の分子配向したポリエステル系液晶ポリマ配向膜を得た
ｉ−その後、ラビング強度０．ＩＩでラビング操作を行
い、５μｍのスペーサを介して、フェニルシクロヘキサ
ン系のネマチック液晶組成物を注入し外周部をエポキシ
樹脂でシール後、偏光軸が配向膜の製膜方向と同方向に
偏光板を貼り付は液晶表示素子を得た。このようにして
得られた液晶表示素子は静電気の発生がなく、電極間の
ショート、電極破壊が一切見られなかった。

更に、プレチルトの方向を均一に揃えることができる為
、誘起ドメインの発生も起らず表示むらはなかった。ま
た、電圧透過率特性γは１．６２であった。

比較例１ 実施例１のポリアミド酸溶液を用いて、ストライプ状の
透明電極基板にスピン塗布（３００ｒｐｍ。

６０秒）を行い、２００℃１時間加熱閉環してラビング
強度０．１ｍｉでラビング操作後、６μｍのスペーサを
介して、フェニルシクロヘキサン系のネマチック液晶組
成物を注入しこれまでと同様に液晶表示素子を作製した
。その結果、静電気の発生は起らず電極間のショート、
電極破壊は見られなかった。しかし、プレチルトの方向
を均一に揃えることは難しく、誘起ドメインが発生し表
示むらが見られた。

比較例２ 実施例４のポリアミド酸−ヒドラシト酸溶液を用いてア
モルファスシリコン半導体基板上にスピン塗布（３００
０ｒｐｍ　ｙ　６０秒）を行い、１５０℃３時間加熱閉
環してラビング強度０．５＋＋ｎでラビング操作後６μ
ｍのスペーサを介して、実施例４のネマチック液晶組成
物を注入しこれまでと同様に液晶表示素子を作製した。

その結果、プレチルトの方向を均一に揃えることが可能
となり、表示むらは見られず均一配向性を示した。しか
し。

ＴＰＴ動作を行ったところ静電気の発生が見られ、画素
数の数個で点灯不良が起り安定に表示ができなかった。

比較例３ 実施例１のポリアミド酸溶液をストライプ状の透明電極
基板にベンゼン、ジメチルアセトアミド（１：　１）混
合溶媒で１ｒｎ＋＋ｏ１２／Ωに希釈し、同一溶媒に溶
解した長鎖アルキルアミンを当量添加後、ポリアミック
酸アルキルアミン塩をＬＢ膜累積装置の純水上に滴下し
た。更に、表面圧２Ｑｄｙｎ／ａｓまで圧縮し、引上げ
速度２０　ｍ　／　ｎ＋ｉｎの条件下でポリアミック酸
アルキルアミン塩を長時間かけて５０層累積し、ベンゼ
ン、ピリジン、無水酢酸の混合溶媒中に１２時間浸漬し
、約２００人のポリイミドＬＢ配向膜を作製した。その
結果、静電気の発生は起らず電極間のショート、電極破
壊は見られなかった。しかし、プレチルトの方向を均一
に揃えることは難しく、誘起ドメインが発生し表示むら
が見られた。

〔発明の効果〕

以上説明したように、本発明で使用する液晶分子配向膜
は、特にポリアミド酸及びイミド系ポリマ更に液晶ポリ
マが好適であって、１回処理で極めて短時間に３０〜１
０００人の膜厚が形成でき、該配向膜は分子配向してい
る。従って、ソフトラビング処理でもプレチルトの方向
を均一に揃えることが可能な為、表示むらを防止できる
。また。

静電気の発生がない為、電極破壊及びトランジスタの損
傷が見られず、更に連続的に配向膜を効率良く製造でき
るので量産性にも適している。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明素子で使用する配向膜を製造するための
水面展開連続製膜装置の一例の概要図、第２図は水面上
で有機高分子溶液が展開する状態を示す模式図であって
、第２−１図はその平面図であり、第２−２図は拡大側
面図、第３図はしきい値特性を示すグラフ、第４図はメ
モリ性評価特性を示すグラフである。 １・・・ノズル、−２・・・水槽、３・・・水面、４・
・・生成膜。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、少なくとも一方が透光性の一対の電極基板で液晶層
   及び該液晶分子配向膜を挾持してなる液晶表示素子にお
   いて、前記配向膜が、有機高分子が分子配向した膜であ
   つて、該膜がラビング処理されていることを特徴とする
   液晶表示素子。 ２、少なくとも一方が透光性の一対の電極基板間に液晶
   層及び該液晶分子配向膜を挾持してなる液晶表示素子に
   おいて、前記配向膜の少なくとも一方は、有機高分子の
   水面展開膜で、かつ該膜はラビング処理されていること
   を特徴とする液晶表示素子。 ３、前記液晶層がネマチツク液晶層であり、上下電極基
   板で挾持された液晶層の液晶分子の長軸方向が、電界ゼ
   ロにおいて上下電極基板間で８０〜２８０度ねじれた構
   造を有することを特徴とする請求項１〜２のいずれかに
   記載の液晶表示素子。 ４、前記液晶層が強誘電性液晶組成物層であることを特
   徴とする請求項１または２に記載の液晶表示素子。 ５、前記有機高分子配向膜が、アミド酸系ポリマ、イミ
   ド系ポリマ及びこれらの共重合体、又は主鎖もしくは側
   鎖にメソゲン基を有するライオトロピツク液晶ポリマも
   しくはサーモトロピツク液晶ポリマから成る配向膜であ
   ることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載
   の液晶表示素子。 ６、前記有機高分子配向膜が、絶縁層及び／又はカップ
   リング剤層の上に形成されていることを特徴とする請求
   項１〜５のいずれか１項に記載の液晶表示素子。 ７、電極がアクティブマトリックス型電極である電極基
   板を用いたことを特徴とする請求項１〜６のいずれか１
   項に記載の液晶表示素子。 ８、有機高分子溶液を水面上に供給し、該溶液を一方向
   に引いて製膜し、得られた水面展開膜を電極基板上の所
   定の部位に密着形成し、該膜をラビング処理した該電極
   基板を用いて作成した液晶セルに液晶を封入する工程を
   含むことを特徴とする液晶表示素子の製造方法。