JP2878243B2 - マルチ電子デバイス・パッケージ - Google Patents
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- H01L2924/151—Die mounting substrate
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- H—ELECTRICITY
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、集積回路，メモリ
・チップなどのようなマルチ電子デバイスのための電子
デバイス・パッケージに関する。
・チップなどのようなマルチ電子デバイスのための電子
デバイス・パッケージに関する。
【０００２】
【従来の技術】マルチチップ・モジュール（ｍｕｌｔｉ
ｐｌｅ ｃｈｉｐ ｍｏｄｕｌｅ；ＭＣＭ）構造は、小
さい領域内で、集積回路またはメモリ・チップのような
電子デバイスの数を増大させる必要性に答えたものであ
る。初期の段階では、ＭＣＭ技術は、チップまたはダイ
を、パッケージされていない裸の状態で、Ｚ軸に沿って
ではなくＸＹ面において接続していた。現在では、ＭＣ
Ｍ技術は、Ｚ軸に沿った、裸チップの相互接続および積
層を可能にしている。この種の３次元ＭＣＭパッケージ
ングは、２次元のマルチチップ基板よりも、高いチップ
密度および小さい要求相互接続密度を与える。このよう
な３次元マルチチップ・モジュールの１つの例について
は、米国特許第５，２２２，０１４号明細書を参照され
たい。このような構造は、チップ密度を非常に改善した
が、このような構造について以下の点でさらなる改善が
必要とされる。すなわち、熱の取扱いを改善し、および
マルチチップ・モジュールのプロファイルをさらに縮小
し、換言すれば、マルチチップから発生した熱を処理し
放散させながら、チップ密度をさらに増大させることで
ある。
ｐｌｅ ｃｈｉｐ ｍｏｄｕｌｅ；ＭＣＭ）構造は、小
さい領域内で、集積回路またはメモリ・チップのような
電子デバイスの数を増大させる必要性に答えたものであ
る。初期の段階では、ＭＣＭ技術は、チップまたはダイ
を、パッケージされていない裸の状態で、Ｚ軸に沿って
ではなくＸＹ面において接続していた。現在では、ＭＣ
Ｍ技術は、Ｚ軸に沿った、裸チップの相互接続および積
層を可能にしている。この種の３次元ＭＣＭパッケージ
ングは、２次元のマルチチップ基板よりも、高いチップ
密度および小さい要求相互接続密度を与える。このよう
な３次元マルチチップ・モジュールの１つの例について
は、米国特許第５，２２２，０１４号明細書を参照され
たい。このような構造は、チップ密度を非常に改善した
が、このような構造について以下の点でさらなる改善が
必要とされる。すなわち、熱の取扱いを改善し、および
マルチチップ・モジュールのプロファイルをさらに縮小
し、換言すれば、マルチチップから発生した熱を処理し
放散させながら、チップ密度をさらに増大させることで
ある。
【０００３】２次元ＭＣＭの他の欠点は、バーン・イン
中に生じる。バーン・インは、欠陥チップまたはダイを
選別し、およびＭＣＭの各ダイが、良品ダイ（ｋｎｏｗ
ｎｇｏｏｄ ｄｉｅ；ＫＧＤ）であることを確認するた
めに行われる。バーン・インの際に、２次元ＭＣＭが不
合格になると、全モジュールを、コストのかかる除去手
順を用いて、廃棄または修理しなければならない。この
手順では、欠陥ダイは、取り除かれ、良品ダイと置き換
えられる。したがって、２次元ＭＣＭ内のダイの数が増
大するにつれて、機能モジュールの歩留りが低くなる。
２次元ＭＣＭを積層して、３次元ＭＣＭを作製すること
によって、各２次元ＭＣＭ層を、別々にテストして、バ
ーン・インし、各２次元ＭＣＭ層および層内のダイが、
良品ダイであることを確認できる。したがって、機能３
次元モジュールの歩留りは、同一のチップ密度または回
路密度を有する２次元モジュールよりも大きい。また、
ＭＣＭレベルでバーン・インを実行することによって、
各ダイの良品ダイ・テストを避けることができる。
中に生じる。バーン・インは、欠陥チップまたはダイを
選別し、およびＭＣＭの各ダイが、良品ダイ（ｋｎｏｗ
ｎｇｏｏｄ ｄｉｅ；ＫＧＤ）であることを確認するた
めに行われる。バーン・インの際に、２次元ＭＣＭが不
合格になると、全モジュールを、コストのかかる除去手
順を用いて、廃棄または修理しなければならない。この
手順では、欠陥ダイは、取り除かれ、良品ダイと置き換
えられる。したがって、２次元ＭＣＭ内のダイの数が増
大するにつれて、機能モジュールの歩留りが低くなる。
２次元ＭＣＭを積層して、３次元ＭＣＭを作製すること
によって、各２次元ＭＣＭ層を、別々にテストして、バ
ーン・インし、各２次元ＭＣＭ層および層内のダイが、
良品ダイであることを確認できる。したがって、機能３
次元モジュールの歩留りは、同一のチップ密度または回
路密度を有する２次元モジュールよりも大きい。また、
ＭＣＭレベルでバーン・インを実行することによって、
各ダイの良品ダイ・テストを避けることができる。
【０００４】
【課題を解決するための手段】したがって、本発明は、
第１の面と、対向する第２の面とを有する第１の基板を
備え、この第１の基板は、第１の開口と、第１の基板の
第１の面に形成された第１の導電回路層とを備えるマル
チ電子デバイス・パッケージに関係している。電子デバ
イス・パッケージは、さらに、第１の面と、対向する第
２の面とを有する第２の基板とを有し、この第２の基板
は、第２の開口と、第２の基板の第２の面に形成された
第２の導電回路層とを有している。第１の面と、対向す
る第２の面とを有する伝熱および導電プレーンを備えて
いる。このプレーンは、第１の基板と第２の基板との間
に配置され、第１および第２の開口を覆っている。第１
の電子デバイスは、第１の開口内に配置され、第１の導
電回路層に電気的に接続されるように、プレーンの第１
の面に取り付けられている。電子デバイス・パッケージ
は、さらに、第２の開口内に配置され、プレーンの第２
の面に取り付けられた第２の電子デバイスを備えてい
る。この第２の電子デバイスは、第２の導電回路層に電
気的に接続され、第１の導電回路層は、第２の導電回路
層に電気的に接続されている。第１の導電回路層は、第
２の電子デバイス・パッケージに電気的に接続されるよ
うに構成され、第２の導電回路層は、第３の外部回路化
基板に電気的に接続されるように構成されている。
第１の面と、対向する第２の面とを有する第１の基板を
備え、この第１の基板は、第１の開口と、第１の基板の
第１の面に形成された第１の導電回路層とを備えるマル
チ電子デバイス・パッケージに関係している。電子デバ
イス・パッケージは、さらに、第１の面と、対向する第
２の面とを有する第２の基板とを有し、この第２の基板
は、第２の開口と、第２の基板の第２の面に形成された
第２の導電回路層とを有している。第１の面と、対向す
る第２の面とを有する伝熱および導電プレーンを備えて
いる。このプレーンは、第１の基板と第２の基板との間
に配置され、第１および第２の開口を覆っている。第１
の電子デバイスは、第１の開口内に配置され、第１の導
電回路層に電気的に接続されるように、プレーンの第１
の面に取り付けられている。電子デバイス・パッケージ
は、さらに、第２の開口内に配置され、プレーンの第２
の面に取り付けられた第２の電子デバイスを備えてい
る。この第２の電子デバイスは、第２の導電回路層に電
気的に接続され、第１の導電回路層は、第２の導電回路
層に電気的に接続されている。第１の導電回路層は、第
２の電子デバイス・パッケージに電気的に接続されるよ
うに構成され、第２の導電回路層は、第３の外部回路化
基板に電気的に接続されるように構成されている。
【０００５】本発明は、また、第１の面と、対向する第
２の面とを有する第１の基板を備え、第１の面が、第１
の面から第１の基板内へ拡がる第１の凹部を有するマル
チ電子デバイス・パッケージに関係する。第１の導電回
路層は、第１の基板の前記第１の面に形成され、第２の
導電回路層は、第１の基板の前記第２の面に形成され、
第２の導電回路層は、第１の導電回路層に電気的に接続
され、第２の導電回路層は、第３の外部回路化基板に電
気的に接続されるように構成されている。電子デバイス
は、さらに、第１の開口内に配置されるように、第１の
基板に取り付けられた第１の電子デバイスを備えてい
る。この第１の電子デバイスは、第１の導電回路層に電
気的に接続されている。第１の面と、対向する第２の面
とを有する第２の基板を備え、第２の基板の第２の面に
第３の導電回路層が形成されている。電子デバイス・パ
ッケージは、さらに、第２の基板に接続された第２の電
子デバイスを備えている。この第２の電子デバイスは、
第３の導電回路層に電気的に接続され、第１の基板と第
２の基板とは、共通界面に沿って接合され、第２の電子
デバイスと第２の基板の第２の面とは、第１の電子デバ
イスと第１の基板の第１の面に対面し、第１の導電回路
層は、第３の導電回路層に電気的に接続されている。
２の面とを有する第１の基板を備え、第１の面が、第１
の面から第１の基板内へ拡がる第１の凹部を有するマル
チ電子デバイス・パッケージに関係する。第１の導電回
路層は、第１の基板の前記第１の面に形成され、第２の
導電回路層は、第１の基板の前記第２の面に形成され、
第２の導電回路層は、第１の導電回路層に電気的に接続
され、第２の導電回路層は、第３の外部回路化基板に電
気的に接続されるように構成されている。電子デバイス
は、さらに、第１の開口内に配置されるように、第１の
基板に取り付けられた第１の電子デバイスを備えてい
る。この第１の電子デバイスは、第１の導電回路層に電
気的に接続されている。第１の面と、対向する第２の面
とを有する第２の基板を備え、第２の基板の第２の面に
第３の導電回路層が形成されている。電子デバイス・パ
ッケージは、さらに、第２の基板に接続された第２の電
子デバイスを備えている。この第２の電子デバイスは、
第３の導電回路層に電気的に接続され、第１の基板と第
２の基板とは、共通界面に沿って接合され、第２の電子
デバイスと第２の基板の第２の面とは、第１の電子デバ
イスと第１の基板の第１の面に対面し、第１の導電回路
層は、第３の導電回路層に電気的に接続されている。
【０００６】本発明は、また、第１の面と、対向する第
２の面とを有する第１の基板と；第１の基板の第１の面
に形成された第１の導電回路層と；第１の基板の第２の
面に形成された第２の導電回路層とを備え、第２の導電
回路層は、第１の導電回路層に電気的に接続され、第２
の導電回路層は、第３の外部回路化基板に電気的に接続
されるように構成されている。電子デバイス・パッケー
ジは、さらに、第１の基板に取り付けられ、第１の導電
回路層に電気的に接続された第１の電子デバイスと；第
１の面と、対向する第２の面とを有する第２の基板と；
第２の基板の第１の面に形成された第３の導電回路層
と；第２の基板に接続され、第３の導電回路層に電気的
に接続された第２の電子デバイスと；第２の基板の第２
の面に形成され、第３の導電回路層に電気的に接続され
た第４の導電回路層と；第１の電子デバイスと、第１の
導電回路層の少なくとも一部を覆うカプセル封止部とを
備えている。第２の基板は、第２の基板の第２の面から
第２の基板内に拡がる凹部を有し、第１の基板と第２の
基板とは、共通界面に沿って接合され、第２の基板の第
２の面は、第１の基板の第１の面に対面し、カプセル封
止部の少なくとも一部は、凹部内に拡がり、これにより
第２の基板の第２の面と第１の基板の第１の面との間の
距離を小さくする。
２の面とを有する第１の基板と；第１の基板の第１の面
に形成された第１の導電回路層と；第１の基板の第２の
面に形成された第２の導電回路層とを備え、第２の導電
回路層は、第１の導電回路層に電気的に接続され、第２
の導電回路層は、第３の外部回路化基板に電気的に接続
されるように構成されている。電子デバイス・パッケー
ジは、さらに、第１の基板に取り付けられ、第１の導電
回路層に電気的に接続された第１の電子デバイスと；第
１の面と、対向する第２の面とを有する第２の基板と；
第２の基板の第１の面に形成された第３の導電回路層
と；第２の基板に接続され、第３の導電回路層に電気的
に接続された第２の電子デバイスと；第２の基板の第２
の面に形成され、第３の導電回路層に電気的に接続され
た第４の導電回路層と；第１の電子デバイスと、第１の
導電回路層の少なくとも一部を覆うカプセル封止部とを
備えている。第２の基板は、第２の基板の第２の面から
第２の基板内に拡がる凹部を有し、第１の基板と第２の
基板とは、共通界面に沿って接合され、第２の基板の第
２の面は、第１の基板の第１の面に対面し、カプセル封
止部の少なくとも一部は、凹部内に拡がり、これにより
第２の基板の第２の面と第１の基板の第１の面との間の
距離を小さくする。
【０００７】本発明の主な利点は、従来のマルチチップ
・モジュール構造よりも、増大したチップ密度，低い全
体プロファイル，大きな放熱性能を有するマルチ電子デ
バイス・パッケージである。
・モジュール構造よりも、増大したチップ密度，低い全
体プロファイル，大きな放熱性能を有するマルチ電子デ
バイス・パッケージである。
【０００８】また、本発明は、ＭＣＭの製造に良品ダイ
（ＫＧＤ）の必要性を排除できる利点を与えるものであ
る。
（ＫＧＤ）の必要性を排除できる利点を与えるものであ
る。
【０００９】
【発明の実施の形態】図１および図２は、本発明のマル
チ電子デバイス・パッケージ１０を示す。マルチ電子デ
バイス１０は、また、ボール・グリッド・アレイ（ＢＧ
Ａ）パッケージとして知られている。マルチ電子デバイ
ス１０は、第１の面１４と、対向する第２の面１６とを
有する第１の基板１２を備えている。基板１２は、絶縁
材料、すなわち、ガラス布に含浸されたエポキシ樹脂よ
りなるプリ・ペグ（ｐｒｅ−ｐｅｇ）のような非導電性
材料である。第１の基板１２は、第１の開口１８を有し
ている。導電回路２０の第１の層は、第１の基板１２の
第１の面１４に形成されている。マルチ電子デバイス・
パッケージ１０は、さらに、第１の面２４と、対向する
第２の面２６とを有する第２の基板２２を備えている。
第２の基板２２は、第２の開口２８を有している。第１
の面３２と、対向する第２の面３４とを有する伝熱およ
び導電プレーン３０が、設けられている。プレーン３０
は、第１の基板１２と第２の基板２２との間に設けら
れ、第１および第２の開口１８，２８を覆っている。プ
レーン３０は、好ましくは、銅箔シートであるが、アル
ミニウムなどのような他の伝熱および導電材料で構成で
きることがわかる。第１の電子デバイス３６を、プレー
ン３０の第１の面３２に取り付ける。この場合、第１の
電子デバイス３６は、第１の開口１８内に配置される。
第１の電子デバイス３６は、第１の導電回路層２０に電
気的に接続される。第１の電子デバイス３６は、集積回
路，メモリ・チップ，および／またはコンタクト３８
ａ，３８ｂを有する半導体ダイのような、いかなる電気
的コンポーネントとすることもできる。
チ電子デバイス・パッケージ１０を示す。マルチ電子デ
バイス１０は、また、ボール・グリッド・アレイ（ＢＧ
Ａ）パッケージとして知られている。マルチ電子デバイ
ス１０は、第１の面１４と、対向する第２の面１６とを
有する第１の基板１２を備えている。基板１２は、絶縁
材料、すなわち、ガラス布に含浸されたエポキシ樹脂よ
りなるプリ・ペグ（ｐｒｅ−ｐｅｇ）のような非導電性
材料である。第１の基板１２は、第１の開口１８を有し
ている。導電回路２０の第１の層は、第１の基板１２の
第１の面１４に形成されている。マルチ電子デバイス・
パッケージ１０は、さらに、第１の面２４と、対向する
第２の面２６とを有する第２の基板２２を備えている。
第２の基板２２は、第２の開口２８を有している。第１
の面３２と、対向する第２の面３４とを有する伝熱およ
び導電プレーン３０が、設けられている。プレーン３０
は、第１の基板１２と第２の基板２２との間に設けら
れ、第１および第２の開口１８，２８を覆っている。プ
レーン３０は、好ましくは、銅箔シートであるが、アル
ミニウムなどのような他の伝熱および導電材料で構成で
きることがわかる。第１の電子デバイス３６を、プレー
ン３０の第１の面３２に取り付ける。この場合、第１の
電子デバイス３６は、第１の開口１８内に配置される。
第１の電子デバイス３６は、第１の導電回路層２０に電
気的に接続される。第１の電子デバイス３６は、集積回
路，メモリ・チップ，および／またはコンタクト３８
ａ，３８ｂを有する半導体ダイのような、いかなる電気
的コンポーネントとすることもできる。
【００１０】第２の電子デバイス４０を、プレーン３０
の第２の面３４に取り付ける。このとき、第２の電子デ
バイスが、第２の開口２８内に配置されるようにする。
第２の電子デバイス４０は、第２の基板２２の第２の面
２６に形成された第２の導電回路層２７に、コンタクト
３８ｃ，３８ｄを経て接続される。第１の導電回路層２
０は、第２の導電回路層２７に電気的に接続され、およ
び第１の導電回路層２０は、第２の電子パッケージ１
０′に電気的に接続されるように構成される。また、第
２の導電回路層２７は、第３の外部回路化基板（図示せ
ず）に電気的に接続されるように構成される。第２の電
子パッケージ１０′は、マルチ電子デバイス・パッケー
ジ１０と同じであるとして仮想線で示されているが、第
２の電子パッケージ１０′は、従来技術で既に述べた構
造および／または図３〜６で説明される構造のような種
々の形態を採ることもできる。
の第２の面３４に取り付ける。このとき、第２の電子デ
バイスが、第２の開口２８内に配置されるようにする。
第２の電子デバイス４０は、第２の基板２２の第２の面
２６に形成された第２の導電回路層２７に、コンタクト
３８ｃ，３８ｄを経て接続される。第１の導電回路層２
０は、第２の導電回路層２７に電気的に接続され、およ
び第１の導電回路層２０は、第２の電子パッケージ１
０′に電気的に接続されるように構成される。また、第
２の導電回路層２７は、第３の外部回路化基板（図示せ
ず）に電気的に接続されるように構成される。第２の電
子パッケージ１０′は、マルチ電子デバイス・パッケー
ジ１０と同じであるとして仮想線で示されているが、第
２の電子パッケージ１０′は、従来技術で既に述べた構
造および／または図３〜６で説明される構造のような種
々の形態を採ることもできる。
【００１１】図１および２において、マルチ電子デバイ
ス・パッケージ１０は、さらに、複数のメッキ・スルー
ホール４２，４４，４６，４８，５０，５２を有してい
る。これらスルーホールは、第１および第２の基板１
２，２２とプレーン３０とを貫通し、第１および第２の
導電回路層２０，２７を電気的に接続する。第２の導電
回路層２７は、複数の半田ボール・パッド５４，５６，
５８，６０，６２，６４を有している。半田ボール６
６，６８，７０，７２，７４，７６は、半田ボール・パ
ッド５４，５６，５８，６０，６２，６４にそれぞれ接
続すなわち半田づけされ、技術上周知のように、第２の
導電回路層２７を、第３の外部回路化基板（図示せず）
に電気的に接続する。第２の電子パッケージ１０′は、
少なくとも以下の部品を有している。すなわち、第１の
面２４′と、この面に対向する第２の面２６′とを有す
る第４の基板２２′；第４の基板２２′の′２の面２
６′に形成された第３の導電回路層２７′；第４の基板
２２′に接続され、および第３の導電回路層２７′に電
気的に接続された第３の電子デバイス４０′である。第
２の電子デバイス・パッケージ１０′は、マルチ電子デ
バイス・パッケージ１０の頂部上に積層されて、取り付
けられている。第３の導電回路層２７′は、複数の半田
ボール・パッド５４′，５６′，５８′，６０′，６
２′，６４′を有している。第１の導電回路層２０は、
第３の導電回路層２７′の各半田ボール・パッド５
４′，５６′，５８′，６０′，６２′，６４′に対応
する半田ボール・パッド７８，８０，８２，８４，８
６，８８を有している。半田ボール９０，９２，９４，
９６，９８，１００は、各半田ボール・パッド５４′，
５６′，５８′，６０′，６２′，６４′にそれぞれ接
続され、および対応する各半田ボール・パッド７８，８
０，８２，８４，８６，８８に接続されて、マルチ電子
デバイスパッケージ１０を第２の電子パッケージ１０′
に取り付け、第１の導電回路層２０を第３の導電回路層
２７′に電気的に接続する。マルチ電子デバイス・パッ
ケージ１０は、さらに、金または銅のような導電材料で
作られたボンディング・ワイヤ１０２ａ，１０２ｂ，１
０２ｃ，１０２ｄを有している。ボンディング・ワイヤ
１０２ａ，１０２ｂは、第１の電子デバイス３６のコン
タクト３８ａ，３８ｂと、第１の導電回路層２０との間
に接続され、第１の電子デバイス３６を、第１の導電回
路層２０に電気的に接続する。ボンディング・ワイヤ１
０２ｃ，１０２ｄは、第２の電子デバイス４０のコンタ
クト３８ｃ，３８ｄと、第２の導電回路層２７との間に
接続され、第２の電子デバイス４０を、第２の導電回路
層２７に電気的に接続する。ボンディング・ワイヤ１０
２ａ，１０２ｂ，１０２ｃ，１０２ｄを、既知のワイヤ
・ボンディング技術を用いて、コンタクト３８ａ，３８
ｂ，３８ｃ，３８ｄおよび第１，第２の導電回路層２
０，２７に接続することができる。マルチ電子デバイス
・パッケージ１０は、さらに、電子デバイス３６，ボン
ディング・ワイヤ１０２ａ，１０２ｂ，第１の導電回路
層２０の一部を覆う好ましくはエポキシ樹脂で作られた
第１のカプセル封止部１０４と、第２の電子デバイス４
０，ボンディング・ワイヤ１０２ｃ，１０２ｄ，第２の
導電回路層２７の一部を覆う好ましくはエポキシ樹脂で
作られた第２のカプセル封止部１０６とを有している。
第１のカプセル封止部１０４を、第２の電子パッケージ
１０′に関係したカプセル封止部に結合し、第１の電子
パッケージ１０を、第２の電子パッケージ１０′に物理
的に接続することができる。図示していないが、第１お
よび第２のカプセル封止部１０４，１０６を、第１の電
子パッケージ１０を包む単一の一体形カプセル封止部の
形態を採ることもできる。
ス・パッケージ１０は、さらに、複数のメッキ・スルー
ホール４２，４４，４６，４８，５０，５２を有してい
る。これらスルーホールは、第１および第２の基板１
２，２２とプレーン３０とを貫通し、第１および第２の
導電回路層２０，２７を電気的に接続する。第２の導電
回路層２７は、複数の半田ボール・パッド５４，５６，
５８，６０，６２，６４を有している。半田ボール６
６，６８，７０，７２，７４，７６は、半田ボール・パ
ッド５４，５６，５８，６０，６２，６４にそれぞれ接
続すなわち半田づけされ、技術上周知のように、第２の
導電回路層２７を、第３の外部回路化基板（図示せず）
に電気的に接続する。第２の電子パッケージ１０′は、
少なくとも以下の部品を有している。すなわち、第１の
面２４′と、この面に対向する第２の面２６′とを有す
る第４の基板２２′；第４の基板２２′の′２の面２
６′に形成された第３の導電回路層２７′；第４の基板
２２′に接続され、および第３の導電回路層２７′に電
気的に接続された第３の電子デバイス４０′である。第
２の電子デバイス・パッケージ１０′は、マルチ電子デ
バイス・パッケージ１０の頂部上に積層されて、取り付
けられている。第３の導電回路層２７′は、複数の半田
ボール・パッド５４′，５６′，５８′，６０′，６
２′，６４′を有している。第１の導電回路層２０は、
第３の導電回路層２７′の各半田ボール・パッド５
４′，５６′，５８′，６０′，６２′，６４′に対応
する半田ボール・パッド７８，８０，８２，８４，８
６，８８を有している。半田ボール９０，９２，９４，
９６，９８，１００は、各半田ボール・パッド５４′，
５６′，５８′，６０′，６２′，６４′にそれぞれ接
続され、および対応する各半田ボール・パッド７８，８
０，８２，８４，８６，８８に接続されて、マルチ電子
デバイスパッケージ１０を第２の電子パッケージ１０′
に取り付け、第１の導電回路層２０を第３の導電回路層
２７′に電気的に接続する。マルチ電子デバイス・パッ
ケージ１０は、さらに、金または銅のような導電材料で
作られたボンディング・ワイヤ１０２ａ，１０２ｂ，１
０２ｃ，１０２ｄを有している。ボンディング・ワイヤ
１０２ａ，１０２ｂは、第１の電子デバイス３６のコン
タクト３８ａ，３８ｂと、第１の導電回路層２０との間
に接続され、第１の電子デバイス３６を、第１の導電回
路層２０に電気的に接続する。ボンディング・ワイヤ１
０２ｃ，１０２ｄは、第２の電子デバイス４０のコンタ
クト３８ｃ，３８ｄと、第２の導電回路層２７との間に
接続され、第２の電子デバイス４０を、第２の導電回路
層２７に電気的に接続する。ボンディング・ワイヤ１０
２ａ，１０２ｂ，１０２ｃ，１０２ｄを、既知のワイヤ
・ボンディング技術を用いて、コンタクト３８ａ，３８
ｂ，３８ｃ，３８ｄおよび第１，第２の導電回路層２
０，２７に接続することができる。マルチ電子デバイス
・パッケージ１０は、さらに、電子デバイス３６，ボン
ディング・ワイヤ１０２ａ，１０２ｂ，第１の導電回路
層２０の一部を覆う好ましくはエポキシ樹脂で作られた
第１のカプセル封止部１０４と、第２の電子デバイス４
０，ボンディング・ワイヤ１０２ｃ，１０２ｄ，第２の
導電回路層２７の一部を覆う好ましくはエポキシ樹脂で
作られた第２のカプセル封止部１０６とを有している。
第１のカプセル封止部１０４を、第２の電子パッケージ
１０′に関係したカプセル封止部に結合し、第１の電子
パッケージ１０を、第２の電子パッケージ１０′に物理
的に接続することができる。図示していないが、第１お
よび第２のカプセル封止部１０４，１０６を、第１の電
子パッケージ１０を包む単一の一体形カプセル封止部の
形態を採ることもできる。
【００１２】図３および図４は、本発明のマルチ電子デ
バイス・パッケージ３００の第２の実施例を示す。マル
チ電子デバイス・パッケージ３００は、第１の面３１４
と、対向する第２の面３１６とを有する第１の基板３１
２を備えている。第１の面３１４は、第１の凹部３１８
を有し、この凹部は、第１の面３１４から第１の基板３
１２内に部分的に拡がっている。第１の導電回路層３２
０は、第１の基板３１２の第１の面３１４に形成されて
いる。第２の導電回路層３２２は、第１の基板３１２の
第２の面３１６に形成されている。第２の導電回路層３
２２は、１つ以上のメッキ・スルーホール３２４ａ，３
２４ｂを経て、第１の導電回路層３２０に電気的に接続
されている。第２の導電回路層３２２は、第３の外部回
路化基板（図示せず）に電気的に接続できるように構成
されている。第１の電子デバイス３２６は、第１の凹部
３１８内に配置されている。第１の電子デバイス３２６
は、コンタクト３２７ａ，３２７ｂを経て、第１の導電
回路層３２０に電気的に接続されている。マルチ電子デ
バイス・パッケージ３００は、さらに、第１の面３３０
と、対向する第２の面３３２とを有する第２の基板３２
８とを備えている。図１および図２のマルチ電子デバイ
ス・パッケージ１０におけるように、第１および第２の
基板３１２，３２８は、好ましくはガラス布に含浸され
たエポキシ樹脂よりなるペレ・ペグである。第３の導電
回路層３３４は、第２の基板３２８の第２の面３３２に
形成されている。コンタクト３２７ｃ，３２７ｄを有す
る第２の電子デバイス３３６は、第３の導電回路層３３
４に電気的に接続されている。第１および第２の基板３
１２，３２８は、共通の界面に沿って互いに接合され
る。この場合、第２の電子デバイス３３６と、第２の基
板３２８の第２の面３３２とは、第１の電子デバイス３
２６と、第１の基板３１２の第１の面３１４とに対面し
ている。第１の導電回路層３２０は、第３の導電回路層
３３４に電気的に接続されている。メッキ・スルーホー
ル３２４ａ，３２４ｂは、第１の基板３１２を貫通し、
第１および第２の導電回路層３２０，３２２を電気的に
接続する。第２の導電回路層３２２は、複数の半田ボー
ル・パッド３３８，３４０，３４２，３４４，３４６，
３４８，３５０を有している。
バイス・パッケージ３００の第２の実施例を示す。マル
チ電子デバイス・パッケージ３００は、第１の面３１４
と、対向する第２の面３１６とを有する第１の基板３１
２を備えている。第１の面３１４は、第１の凹部３１８
を有し、この凹部は、第１の面３１４から第１の基板３
１２内に部分的に拡がっている。第１の導電回路層３２
０は、第１の基板３１２の第１の面３１４に形成されて
いる。第２の導電回路層３２２は、第１の基板３１２の
第２の面３１６に形成されている。第２の導電回路層３
２２は、１つ以上のメッキ・スルーホール３２４ａ，３
２４ｂを経て、第１の導電回路層３２０に電気的に接続
されている。第２の導電回路層３２２は、第３の外部回
路化基板（図示せず）に電気的に接続できるように構成
されている。第１の電子デバイス３２６は、第１の凹部
３１８内に配置されている。第１の電子デバイス３２６
は、コンタクト３２７ａ，３２７ｂを経て、第１の導電
回路層３２０に電気的に接続されている。マルチ電子デ
バイス・パッケージ３００は、さらに、第１の面３３０
と、対向する第２の面３３２とを有する第２の基板３２
８とを備えている。図１および図２のマルチ電子デバイ
ス・パッケージ１０におけるように、第１および第２の
基板３１２，３２８は、好ましくはガラス布に含浸され
たエポキシ樹脂よりなるペレ・ペグである。第３の導電
回路層３３４は、第２の基板３２８の第２の面３３２に
形成されている。コンタクト３２７ｃ，３２７ｄを有す
る第２の電子デバイス３３６は、第３の導電回路層３３
４に電気的に接続されている。第１および第２の基板３
１２，３２８は、共通の界面に沿って互いに接合され
る。この場合、第２の電子デバイス３３６と、第２の基
板３２８の第２の面３３２とは、第１の電子デバイス３
２６と、第１の基板３１２の第１の面３１４とに対面し
ている。第１の導電回路層３２０は、第３の導電回路層
３３４に電気的に接続されている。メッキ・スルーホー
ル３２４ａ，３２４ｂは、第１の基板３１２を貫通し、
第１および第２の導電回路層３２０，３２２を電気的に
接続する。第２の導電回路層３２２は、複数の半田ボー
ル・パッド３３８，３４０，３４２，３４４，３４６，
３４８，３５０を有している。
【００１３】マルチ電子デバイス・パッケージ３００
は、さらに、半田ボール３５２，３５４，３５６，３５
８，３６０，３６２，３６４を有している。これら半田
ボールは、それぞれ、各半田ボール・パッド３３８，３
４０，３４２，３４４，３４６，３４８，３５０に接続
され、第２の導電回路層３２２を、第３の外部回路化基
板（図示せず）に電気的に接続する。第１の導電回路層
３２０は、複数の半田ボール・パッド３６６，３６８，
３７０，３７２，３７４，３７６を有している。第３の
導電回路層３３４は、第１の導電回路層３２０の各半田
ボール・パッド３６６，３６８，３７０，３７２，３７
４，３７６に対応する各半田ボール・パッド３７８，３
８０，３８２，３８４，３８６，３８８を有している。
半田ボール３９０，３９２，３９４，３９６，３９８，
４００は、各半田ボール・パッド３６６，３６８，３７
０，３７２，３７４，３７６および対応する半田ボール
・パッド３７８，３８０，３８２，３８４，３８６，３
８８にそれぞれ接続され、第１の基板３１２を、共通の
界面に沿って、第２の基板３２８に取り付け、第３の導
電回路層３３４に電気的に接続する。ボンディング・ワ
イヤ４０２ａ，４０２ｂは、第１の電子デバイス３２６
のコンタクト３２７ａ，３２７ｂと、第１の導電回路層
３２０との間に接続されるワイヤである。ボンデイング
・ワイヤ４０２ｃ，４０２ｄは、第２の電子デバイス３
３６のコンタクト３２７ｃ，３２７ｄと、第３の導電回
路層３３４との間に接続されるワイヤである。このよう
にして、第１の電子デバイス３２６は、第１の導電回路
層３２０に電気的に接続され、第２の電子デバイス３３
６は、第３の導電回路層３３４に電気的に接続される。
マルチ電子デバイス・パッド３００は、さらに、好まし
くはエポキシ樹脂よりなる第１のカプセル封止部４０
４、第２のカプセル封止部４０６とを有している。第１
のカプセル封止部４０４は、第１の電子デバイス３２６
と、第１の凹部３１８と、ボンディング・ワイヤ４０２
ａ，４０２ｂと、第１の導電回路層３２０の少なくとも
一部とを覆っている。第２のカプセル封止部４０６は、
第２の電子デバイス３３６と、ボンデイングワイヤ４０
２ｃ，４０２ｄと、第３の導電回路層３３４の少なくと
も一部とを覆っている。第１のカプセル封止部４０４
は、第２のカプセル封止部４０６に接合され、第１の基
板３１２を第２の基板３２８に取り付ける。第２の基板
３２８は、さらに、開口４０８と、伝熱プレーン４１０
とを有している。この伝熱プレーン４１０は、第２の基
板３２８の第１の面３３０に接続され、開口４０８を覆
っている。第２の電子デバイス３３６は、開口４０８で
伝熱プレーン４１０に取り付けられている。このように
して、第２の電子デバイス３３６は、プレーン４１０を
経て、第２の基板３２８に接続されている。プレーン４
１０は、第１および第２の電子デバイス３２６，３３６
から発生する熱を拡散する。さらに、基板３１２，３２
８は、埋込まれた伝熱および／または導電プレーンを有
することができる。
は、さらに、半田ボール３５２，３５４，３５６，３５
８，３６０，３６２，３６４を有している。これら半田
ボールは、それぞれ、各半田ボール・パッド３３８，３
４０，３４２，３４４，３４６，３４８，３５０に接続
され、第２の導電回路層３２２を、第３の外部回路化基
板（図示せず）に電気的に接続する。第１の導電回路層
３２０は、複数の半田ボール・パッド３６６，３６８，
３７０，３７２，３７４，３７６を有している。第３の
導電回路層３３４は、第１の導電回路層３２０の各半田
ボール・パッド３６６，３６８，３７０，３７２，３７
４，３７６に対応する各半田ボール・パッド３７８，３
８０，３８２，３８４，３８６，３８８を有している。
半田ボール３９０，３９２，３９４，３９６，３９８，
４００は、各半田ボール・パッド３６６，３６８，３７
０，３７２，３７４，３７６および対応する半田ボール
・パッド３７８，３８０，３８２，３８４，３８６，３
８８にそれぞれ接続され、第１の基板３１２を、共通の
界面に沿って、第２の基板３２８に取り付け、第３の導
電回路層３３４に電気的に接続する。ボンディング・ワ
イヤ４０２ａ，４０２ｂは、第１の電子デバイス３２６
のコンタクト３２７ａ，３２７ｂと、第１の導電回路層
３２０との間に接続されるワイヤである。ボンデイング
・ワイヤ４０２ｃ，４０２ｄは、第２の電子デバイス３
３６のコンタクト３２７ｃ，３２７ｄと、第３の導電回
路層３３４との間に接続されるワイヤである。このよう
にして、第１の電子デバイス３２６は、第１の導電回路
層３２０に電気的に接続され、第２の電子デバイス３３
６は、第３の導電回路層３３４に電気的に接続される。
マルチ電子デバイス・パッド３００は、さらに、好まし
くはエポキシ樹脂よりなる第１のカプセル封止部４０
４、第２のカプセル封止部４０６とを有している。第１
のカプセル封止部４０４は、第１の電子デバイス３２６
と、第１の凹部３１８と、ボンディング・ワイヤ４０２
ａ，４０２ｂと、第１の導電回路層３２０の少なくとも
一部とを覆っている。第２のカプセル封止部４０６は、
第２の電子デバイス３３６と、ボンデイングワイヤ４０
２ｃ，４０２ｄと、第３の導電回路層３３４の少なくと
も一部とを覆っている。第１のカプセル封止部４０４
は、第２のカプセル封止部４０６に接合され、第１の基
板３１２を第２の基板３２８に取り付ける。第２の基板
３２８は、さらに、開口４０８と、伝熱プレーン４１０
とを有している。この伝熱プレーン４１０は、第２の基
板３２８の第１の面３３０に接続され、開口４０８を覆
っている。第２の電子デバイス３３６は、開口４０８で
伝熱プレーン４１０に取り付けられている。このように
して、第２の電子デバイス３３６は、プレーン４１０を
経て、第２の基板３２８に接続されている。プレーン４
１０は、第１および第２の電子デバイス３２６，３３６
から発生する熱を拡散する。さらに、基板３１２，３２
８は、埋込まれた伝熱および／または導電プレーンを有
することができる。
【００１４】図５および図６には、本発明のマルチ電子
デバイス・パッケージ５００の第２の実施例を示す。マ
ルチ電子デバイス・パッケージ５００は、第１の面５１
４と、対向する第２の面５１６とを有する第１の基板５
１２を備えている。第１の導電回路層５１８は、第１の
基板５１２の第１の面５１４に形成されている。第２の
導電回路層５２０は、第１の基板５１２の第２の面５１
６に形成されている。第２の導電回路層５２０は、第１
の導電回路層５１８に電気的に接続されている。第２の
導電回路層５２０は、第３の外部回路化基板（図示せ
ず）に電気的に接続できるように構成されている。コン
タクト５２３ａ，５２３ｂを有する第１の電子デバイス
５２２は、第１の基板５１２に取り付けられ、第１の導
電回路層５１８に電気的に接続されている。また、第１
の面５２６および第２の面５２８を有する第２の基板５
２４が含まれている。第３の導電回路層５３０は、第２
の基板５２４の第１の面５２６に形成されている。コン
タクト５２３ｃ，５２３ｄを有する第２の電子デバイス
５３２は、第２の基板５２４に接続され、第３の導電回
路層５３０に電気的に接続されている。第４の導電回路
層５３４は、第２の基板５２４の第２の面５２８に形成
されている。第４の導電回路層５３４は、第３の導電回
路層５３０に電気的に接続されている。マルチ電子デバ
イス・パッケージ５００は、好ましくはエポキシ樹脂よ
りなる第１のカプセル封止部５３６を有し、この封止部
は、第１の電子デバイス５２２と、第１の導電回路層５
１８の一部とを覆っている。第２の基板５２４は、凹部
５３８を有している。この凹部は、第２の基板５２４の
第２の面５２８から、第２の基板５２４内に部分的に拡
がっている。第１および第２の基板５１２，５２４は、
共通界面に沿って、互いに接着されている。この場合、
第２の基板５２４の第２の面５２８は、第１の基板５１
２の第１の面５１４に対面している。第１のカプセル封
止部５３６の少なくとも一部は、凹部５３８内に延び、
第２の基板５２４の第２の面５２８と、第１の基板５１
２の第１の面５１４との間の距離を小さくする。
デバイス・パッケージ５００の第２の実施例を示す。マ
ルチ電子デバイス・パッケージ５００は、第１の面５１
４と、対向する第２の面５１６とを有する第１の基板５
１２を備えている。第１の導電回路層５１８は、第１の
基板５１２の第１の面５１４に形成されている。第２の
導電回路層５２０は、第１の基板５１２の第２の面５１
６に形成されている。第２の導電回路層５２０は、第１
の導電回路層５１８に電気的に接続されている。第２の
導電回路層５２０は、第３の外部回路化基板（図示せ
ず）に電気的に接続できるように構成されている。コン
タクト５２３ａ，５２３ｂを有する第１の電子デバイス
５２２は、第１の基板５１２に取り付けられ、第１の導
電回路層５１８に電気的に接続されている。また、第１
の面５２６および第２の面５２８を有する第２の基板５
２４が含まれている。第３の導電回路層５３０は、第２
の基板５２４の第１の面５２６に形成されている。コン
タクト５２３ｃ，５２３ｄを有する第２の電子デバイス
５３２は、第２の基板５２４に接続され、第３の導電回
路層５３０に電気的に接続されている。第４の導電回路
層５３４は、第２の基板５２４の第２の面５２８に形成
されている。第４の導電回路層５３４は、第３の導電回
路層５３０に電気的に接続されている。マルチ電子デバ
イス・パッケージ５００は、好ましくはエポキシ樹脂よ
りなる第１のカプセル封止部５３６を有し、この封止部
は、第１の電子デバイス５２２と、第１の導電回路層５
１８の一部とを覆っている。第２の基板５２４は、凹部
５３８を有している。この凹部は、第２の基板５２４の
第２の面５２８から、第２の基板５２４内に部分的に拡
がっている。第１および第２の基板５１２，５２４は、
共通界面に沿って、互いに接着されている。この場合、
第２の基板５２４の第２の面５２８は、第１の基板５１
２の第１の面５１４に対面している。第１のカプセル封
止部５３６の少なくとも一部は、凹部５３８内に延び、
第２の基板５２４の第２の面５２８と、第１の基板５１
２の第１の面５１４との間の距離を小さくする。
【００１５】マルチ電子デバイス・パッケージ５００
は、さらに、少なくとも１つのメッキ・スルーホール５
４０ａ，５４０ｂ，５４０ｃを有している。これらスル
ーホールは、第１の基板５１２を貫通し、第１および第
２の導電回路層５１８，５２０を電気的に接続する。さ
らに、電子デバイス・パッケージ５００は、さらに、少
なくとも１つのメッキ・スルーホール５４２ａ，５４２
ｂを有している。これらスルーホールは、第２の基板５
２４を貫通し、第３および第４の導電回路層５３０，５
３４を電気的に接続する。第２の導電回路層５２０は、
複数の半田ボール・パッド５４４，５４６，５４８，５
５０，５５２，５５４，５５６を有している。半田ボー
ル５５８，５６０，５６２，５６４，５６６，５６８，
５７０は、各半田ボール・パッド５４４，５４６，５４
８，５５０，５５２，５５４，５５６にそれぞれ接続さ
れ、第２の導電回路層５２０を第３の外部回路化基板に
電気的に接続し、およびマルチ電子デバイス・パッケー
ジ５００を、第３の外部回路化基板に物理的に取り付け
る。第１の導電回路層５１８は、複数の半田ボール・パ
ッド５７２，５７４，５７６，５７８，５８０，５８２
を有している。第４の導電回路層５３４は、第１の導電
回路層５１８の各半田ボール・パッド５７２，５７４，
５７６，５７８，５８０，５８２に対応する半田ボール
・パッド５８４，５８６，５８８，５９０，６００，６
０２を有している。半田ボール６０４，６０６，６０
８，６１０，６１２，６１４は、各半田ボール・パッド
５７２，５７４，５７６，５７８，５８０，５８２およ
び対応する半田ボール・パッド５８４，５８６，５８
８，５９０，６００，６０２に接続され、第１の基板５
１２を共通界面に沿って、第２の基板５２４に取り付
け、第１の導電回路層５１８を、第４の導電回路層５３
４に電気的に接続する。
は、さらに、少なくとも１つのメッキ・スルーホール５
４０ａ，５４０ｂ，５４０ｃを有している。これらスル
ーホールは、第１の基板５１２を貫通し、第１および第
２の導電回路層５１８，５２０を電気的に接続する。さ
らに、電子デバイス・パッケージ５００は、さらに、少
なくとも１つのメッキ・スルーホール５４２ａ，５４２
ｂを有している。これらスルーホールは、第２の基板５
２４を貫通し、第３および第４の導電回路層５３０，５
３４を電気的に接続する。第２の導電回路層５２０は、
複数の半田ボール・パッド５４４，５４６，５４８，５
５０，５５２，５５４，５５６を有している。半田ボー
ル５５８，５６０，５６２，５６４，５６６，５６８，
５７０は、各半田ボール・パッド５４４，５４６，５４
８，５５０，５５２，５５４，５５６にそれぞれ接続さ
れ、第２の導電回路層５２０を第３の外部回路化基板に
電気的に接続し、およびマルチ電子デバイス・パッケー
ジ５００を、第３の外部回路化基板に物理的に取り付け
る。第１の導電回路層５１８は、複数の半田ボール・パ
ッド５７２，５７４，５７６，５７８，５８０，５８２
を有している。第４の導電回路層５３４は、第１の導電
回路層５１８の各半田ボール・パッド５７２，５７４，
５７６，５７８，５８０，５８２に対応する半田ボール
・パッド５８４，５８６，５８８，５９０，６００，６
０２を有している。半田ボール６０４，６０６，６０
８，６１０，６１２，６１４は、各半田ボール・パッド
５７２，５７４，５７６，５７８，５８０，５８２およ
び対応する半田ボール・パッド５８４，５８６，５８
８，５９０，６００，６０２に接続され、第１の基板５
１２を共通界面に沿って、第２の基板５２４に取り付
け、第１の導電回路層５１８を、第４の導電回路層５３
４に電気的に接続する。
【００１６】第１のカプセル封止部５３６は、第２の基
板５２４、および特に凹部５３８に接合される。図示し
ないが、第１および第２の基板５１２，５１４は、カプ
セル封止される伝熱および導電プレーンを有している。
これらのプレーンは、第１の電子デバイス５２２および
第２の電子デバイス５３２によって発生される熱を放散
する。ボンディング・ワイヤ６１６ａ，６１６ｂは、第
１の電子デバイス５２２のコンタクト５２３ａ，５２３
ｂと、第１の導電回路層５１８との間でワイヤ・ボンデ
ィングされ、第１の電子デバイス５２２を第１の導電回
路層５１８に電気的に接続する。また、ボンディング・
ワイヤ６１６ｃ，６１６ｄは、第２の電子デバイス５３
２のコンタクト５２３ｃ，５２３ｄと、第３の導電回路
層５３０との間でワイヤ・ボンデイングされ、第２の電
子デバイス５３２を第３の導電回路層５３０に電気的に
接続する。第１のカプセル封止部５３６は、さらに、第
１の電子デバイス５２２と第１の導電回路層５１８との
間に接続されたボンディング・ワイヤ５１６ａ，６１６
ｂを覆っている。エポキシ樹脂よりなる第２のカプセル
封止部６１８は、第２の電子デバイス５３２と、第３の
導電回路層５３０の少なくとも一部と、第２の電子デバ
イス５３２を第３の導電回路層５３０に電気的に接続す
るボンディング・ワイヤ６１６ｃ，６１６ｄとを覆って
いる。
板５２４、および特に凹部５３８に接合される。図示し
ないが、第１および第２の基板５１２，５１４は、カプ
セル封止される伝熱および導電プレーンを有している。
これらのプレーンは、第１の電子デバイス５２２および
第２の電子デバイス５３２によって発生される熱を放散
する。ボンディング・ワイヤ６１６ａ，６１６ｂは、第
１の電子デバイス５２２のコンタクト５２３ａ，５２３
ｂと、第１の導電回路層５１８との間でワイヤ・ボンデ
ィングされ、第１の電子デバイス５２２を第１の導電回
路層５１８に電気的に接続する。また、ボンディング・
ワイヤ６１６ｃ，６１６ｄは、第２の電子デバイス５３
２のコンタクト５２３ｃ，５２３ｄと、第３の導電回路
層５３０との間でワイヤ・ボンデイングされ、第２の電
子デバイス５３２を第３の導電回路層５３０に電気的に
接続する。第１のカプセル封止部５３６は、さらに、第
１の電子デバイス５２２と第１の導電回路層５１８との
間に接続されたボンディング・ワイヤ５１６ａ，６１６
ｂを覆っている。エポキシ樹脂よりなる第２のカプセル
封止部６１８は、第２の電子デバイス５３２と、第３の
導電回路層５３０の少なくとも一部と、第２の電子デバ
イス５３２を第３の導電回路層５３０に電気的に接続す
るボンディング・ワイヤ６１６ｃ，６１６ｄとを覆って
いる。
【００１７】本発明およびその利点を、詳細に説明した
が、本発明の趣旨と範囲から離れることなく、種々の変
更，置換，変形を行うことができることがわかる。
が、本発明の趣旨と範囲から離れることなく、種々の変
更，置換，変形を行うことができることがわかる。
【００１８】まとめとして、本発明の構成に関して以下
の事項を開示する。 （１）第１の電子デバイス・パッケージを備え、この第
１の電子デバイス・パッケージは、第１の面と、対向す
る第２の面とを有し、第１の開口を有する第１の基板
と、前記第１の基板の前記第１の面に形成された第１の
導電回路層と、第１の面と、対向する第２の面とを有
し、第２の開口を有する第２の基板と、前記第２の基板
の前記第２の面に形成された第２の導電回路層と、第１
の面と、対向する第２の面とを有し、前記第１の基板と
第２の基板との間に配置され、前記第１および第２の開
口を覆う伝熱および導電プレーンと、前記第１の開口内
に配置され、前記第１の導電回路層に電気的に接続され
るように、前記プレーンの第１の面に取り付けられた第
１の電子デバイスと、前記第２の開口内に配置され、前
記第２の導電回路層に電気的に接続されるように、前記
プレーンの第２の面に取り付けられた第２の電子デバイ
スとを備え、前記第１の導電回路層は、前記第２の導電
回路層に電気的に接続され、前記第１の導電回路層は、
第２の電子デバイス・パッケージに電気的に接続される
ように構成され、前記第２の導電回路層は、第３の外部
回路化基板に電気的に接続されるように構成されてい
る、ことを特徴とするマルチ電子デバイス・パッケー
ジ。 （２）前記第１および第２の基板を貫通し、前記第１の
導電回路層と第２の導電回路層とを電気的に接続する少
なくとも１つのメッキ・スルーホールを、さらに備える
ことを特徴とする上記（１）に記載のマルチ電子デバイ
ス・パッケージ。 （３）前記第２の導電回路層は、複数の半田ボール・パ
ッドを有することを特徴とする上記（１）に記載のマル
チ電子デバイス・パッケージ。 （４）前記各半田ボール・パッドに接続され、前記第２
の導電回路層を、前記第３の外部回路化基板に電気的に
接続する半田ボールをさらに備えることを特徴とする上
記（３）に記載のマルチ電子デバイス・パッケージ。 （５）第２の電子デバイス・パッケージをさらに備え、
この第２の電子デバイス・パッケージは、第１の面と、
対向する第２の面とを有する第３の基板と、前記第３の
基板の前記第２の面に形成された第３の導電回路層と、
前記第３の基板に接続され、前記第３の導電回路層に電
気的に接続された第３の電子デバイスと、をさらに備え
ることを特徴とする上記（１）に記載のマルチ電子デバ
イス・パッケージ。 （６）前記第２の電子デバイス・パッケージは、前記第
１の電子デバイス・パッケージの頂部に積層され、取り
付けられていることを特徴とする上記（５）に記載のマ
ルチ電子デバイス・パッケージ。 （７）前記第３の導電回路層は、複数の半田ボール・パ
ッドを有することを特徴とする上記（６）に記載のマル
チ電子デバイス・パッケージ。 （８）前記第１の導電回路層は、前記第３の導電回路層
の前記各半田ボール・パッドに対応する半田ボール・パ
ッドを有することを特徴とする上記（７）に記載のマル
チ電子デバイス・パッケージ。 （９）前記各半田ボール・パッドおよび対応する半田ボ
ール・パッドに接続され、前記第１の電子デバイス・パ
ッケージと第２の電子デバイス・パッケージとを取り付
け、前記第１の導電回路層を、前記第３の導電回路層に
電気的に接続する半田ボールをさらに備えることを特徴
とする上記（８）に記載のマルチ電子デバイス・パッケ
ージ。 （１０）第１の面と、対向する第２の面とを有する第１
の基板を備え、前記第１の面は、前記第１の面から前記
第１の基板内へ拡がる第１の凹部を有し、前記第１の基
板の前記第１の面に形成された第１の導電回路層を備
え、前記第１の基板の前記第２の面に形成された第２の
導電回路層を備え、前記第２の導電回路層は、前記第１
の導電回路層に電気的に接続され、前記第２の導電回路
層は、第３の外部回路化基板に電気的に接続されるよう
に構成され、前記第１の開口内に配置され、前記第１の
導電回路層に電気的に接続されるように、前記第１の基
板に取り付けられた第１の電子デバイスを備え、第１の
面と、対向する第２の面とを有する第２の基板を備え、
前記第２の基板の前記第２の面に形成された第３の導電
回路層を備え、前記第２の基板に接続され、前記第３の
導電回路層に電気的に接続された第２の電子デバイスを
備え、前記第１の基板と第２の基板とは、共通界面に沿
って接合され、前記第２の電子デバイスと前記第２の基
板の第２の面とは、前記第１の電子デバイスと前記第１
の基板の第１の面に対面し、前記第１の導電回路層は、
前記第３の導電回路層に電気的に接続されている、こと
を特徴とするマルチ電子デバイス・パッケージ。 （１１）前記第１の基板を貫通し、前記第１の導電回路
層と第２の導電回路層とを電気的に接続する少なくとも
１つのメッキ・スルーホールを、さらに備えることを特
徴とする上記（１０）に記載のマルチ電子デバイス・パ
ッケージ。 （１２）前記第２の導電回路層は、複数の半田ボール・
パッドを有することを特徴とする上記（１０）に記載の
マルチ電子デバイス・パッケージ。 （１３）前記各半田ボール・パッドに接続され、前記第
２の導電回路層を、前記第３の外部回路化基板に電気的
に接続する半田ボールをさらに備えることを特徴とする
上記（１２）に記載のマルチ電子デバイス・パッケー
ジ。 （１４）前記第１の導電回路層は、複数の半田ボール・
パッドを有することを特徴とする上記（１０）に記載の
マルチ電子デバイス・パッケージ。 （１５）前記第１の導電回路層は、前記第１の導電回路
層の前記各半田ボール・パッドに対応する半田ボール・
パッドを有することを特徴とする上記（１４）に記載の
マルチ電子デバイス・パッケージ。 （１６）前記各半田ボール・パッドおよび対応する半田
ボール・パッドに接続され、前記第３の基板を前記共通
界面に沿って前記第２の基板に取り付け、前記第１の導
電回路層を、前記第３の導電回路層に電気的に接続する
半田ボールをさらに備えることを特徴とする上記（１
５）に記載のマルチ電子デバイス・パッケージ。 （１７）前記第１の電子デバイスと、前記第１の凹部
と、前記第１の導電回路層の少なくとも一部とを覆う第
１のカプセル封止部と、前記第２の電子デバイスと、前
記第３の導電回路層の少なくとも一部を覆う第２のカプ
セル封止部とをさらに備え、前記第１のカプセル封止部
は、前記第２のカプセル封止部に接合され、前記第１の
基板を前記第２の基板に取り付けることを特徴とする上
記（１０）に記載のマルチ電子デバイス・パッケージ。 （１８）前記第２の基板は、開口を有することを特徴と
する上記（１０）に記載のマルチ電子デバイス・パッケ
ージ。 （１９）前記第２の基板の第１の面に接続され、前記開
口を覆う伝熱プレーンを有することを特徴とする上記
（１８）に記載のマルチ電子デバイス・パッケージ。 （２０）前記第２の電子デバイスは、前記開口内で前記
プレーンに取り付けられていることを特徴とする上記
（１９）に記載のマルチ電子デバイス・パッケージ。 （２１）第１の面と、対向する第２の面とを有する第１
の基板を備え、前記第１の基板の前記第１の面に形成さ
れた第１の導電回路層を備え、前記第１の基板の前記第
２の面に形成された第２の導電回路層を備え、前記第２
の導電回路層は、前記第１の導電回路層に電気的に接続
され、前記第２の導電回路層は、第３の外部回路化基板
に電気的に接続されるように構成され、前記第１の基板
に取り付けられ、前記第１の導電回路層に電気的に接続
された第１の電子デバイスを備え、第１の面と、対向す
る第２の面とを有する第２の基板を備え、前記第２の基
板の前記第１の面に形成された第３の導電回路層を備
え、前記第２の基板に接続され、前記第３の導電回路層
に電気的に接続された第２の電子デバイスを備え、前記
第２の基板の前記第２の面に形成され、前記第３の導電
回路層に電気的に接続された第４の導電回路層を備え、
前記第１の電子デバイスと、前記第１の導電回路層の少
なくとも一部を覆うカプセル封止部を備え、前記第２の
基板は、前記第２の基板の第２の面から前記第２の基板
内に拡がる凹部を有し、前記第１の基板と第２の基板と
は、共通界面に沿って接合され、前記第２の基板の第２
の面は、前記第１の基板の第１の面に対面し、前記カプ
セル封止部の少なくとも一部は、前記凹部内に拡がり、
これにより前記第２の基板の第２の面と前記第１の基板
の第１の面との間の距離を小さくする、ことを特徴とす
るマルチ電子デバイス・パッケージ。 （２２）前記第１の基板を貫通し、前記第１の導電回路
層と第２の導電回路層とを電気的に接続する少なくとも
１つのメッキ・スルーホールを、さらに備えることを特
徴とする上記（２１）に記載のマルチ電子デバイス・パ
ッケージ。 （２３）前記第２の基板を貫通し、前記第３の導電回路
層と第４の導電回路層とを電気的に接続する少なくとも
１つのメッキ・スルーホールを、さらに備えることを特
徴とする上記（２１）に記載のマルチ電子デバイス・パ
ッケージ。 （２４）前記第２の導電回路層は、複数の半田ボール・
パッドを有することを特徴とする上記（２１）に記載の
マルチ電子デバイス・パッケージ。 （２５）前記各半田ボール・パッドに接続され、前記第
２の導電回路層を、前記第３の外部回路化基板に電気的
に接続する半田ボールをさらに備えることを特徴とする
上記（２１）に記載のマルチ電子デバイス・パッケー
ジ。 （２６）前記第１の導電回路層は、複数の半田ボール・
パッドを有することを特徴とする上記（２１）に記載の
マルチ電子デバイス・パッケージ。 （２７）前記第４の導電回路層は、前記第１の導電回路
層の前記各半田ボール・パッドに対応する半田ボール・
パッドを有することを特徴とする上記（２６）に記載の
マルチ電子デバイス・パッケージ。 （２８）前記各半田ボール・パッドおよび対応する半田
ボール・パッドに接続され、前記第１の基板を前記共通
界面に沿って前記第２の基板に取り付け、前記第１の導
電回路層を、前記第４の導電回路層に電気的に接続する
半田ボールをさらに備えることを特徴とする上記（２
７）に記載のマルチ電子デバイス・パッケージ。 （２９）前記カプセル封止部は、前記第２の基板に接合
されることを特徴とする上記（２１）に記載のマルチ電
子デバイス・パッケージ （３０）前記第１および第２の基板は、カプセル封止さ
れた伝熱および導電プレーンを有することを特徴とする
上記（２１）に記載のマルチ電子デバイス・パッケー
ジ。
の事項を開示する。 （１）第１の電子デバイス・パッケージを備え、この第
１の電子デバイス・パッケージは、第１の面と、対向す
る第２の面とを有し、第１の開口を有する第１の基板
と、前記第１の基板の前記第１の面に形成された第１の
導電回路層と、第１の面と、対向する第２の面とを有
し、第２の開口を有する第２の基板と、前記第２の基板
の前記第２の面に形成された第２の導電回路層と、第１
の面と、対向する第２の面とを有し、前記第１の基板と
第２の基板との間に配置され、前記第１および第２の開
口を覆う伝熱および導電プレーンと、前記第１の開口内
に配置され、前記第１の導電回路層に電気的に接続され
るように、前記プレーンの第１の面に取り付けられた第
１の電子デバイスと、前記第２の開口内に配置され、前
記第２の導電回路層に電気的に接続されるように、前記
プレーンの第２の面に取り付けられた第２の電子デバイ
スとを備え、前記第１の導電回路層は、前記第２の導電
回路層に電気的に接続され、前記第１の導電回路層は、
第２の電子デバイス・パッケージに電気的に接続される
ように構成され、前記第２の導電回路層は、第３の外部
回路化基板に電気的に接続されるように構成されてい
る、ことを特徴とするマルチ電子デバイス・パッケー
ジ。 （２）前記第１および第２の基板を貫通し、前記第１の
導電回路層と第２の導電回路層とを電気的に接続する少
なくとも１つのメッキ・スルーホールを、さらに備える
ことを特徴とする上記（１）に記載のマルチ電子デバイ
ス・パッケージ。 （３）前記第２の導電回路層は、複数の半田ボール・パ
ッドを有することを特徴とする上記（１）に記載のマル
チ電子デバイス・パッケージ。 （４）前記各半田ボール・パッドに接続され、前記第２
の導電回路層を、前記第３の外部回路化基板に電気的に
接続する半田ボールをさらに備えることを特徴とする上
記（３）に記載のマルチ電子デバイス・パッケージ。 （５）第２の電子デバイス・パッケージをさらに備え、
この第２の電子デバイス・パッケージは、第１の面と、
対向する第２の面とを有する第３の基板と、前記第３の
基板の前記第２の面に形成された第３の導電回路層と、
前記第３の基板に接続され、前記第３の導電回路層に電
気的に接続された第３の電子デバイスと、をさらに備え
ることを特徴とする上記（１）に記載のマルチ電子デバ
イス・パッケージ。 （６）前記第２の電子デバイス・パッケージは、前記第
１の電子デバイス・パッケージの頂部に積層され、取り
付けられていることを特徴とする上記（５）に記載のマ
ルチ電子デバイス・パッケージ。 （７）前記第３の導電回路層は、複数の半田ボール・パ
ッドを有することを特徴とする上記（６）に記載のマル
チ電子デバイス・パッケージ。 （８）前記第１の導電回路層は、前記第３の導電回路層
の前記各半田ボール・パッドに対応する半田ボール・パ
ッドを有することを特徴とする上記（７）に記載のマル
チ電子デバイス・パッケージ。 （９）前記各半田ボール・パッドおよび対応する半田ボ
ール・パッドに接続され、前記第１の電子デバイス・パ
ッケージと第２の電子デバイス・パッケージとを取り付
け、前記第１の導電回路層を、前記第３の導電回路層に
電気的に接続する半田ボールをさらに備えることを特徴
とする上記（８）に記載のマルチ電子デバイス・パッケ
ージ。 （１０）第１の面と、対向する第２の面とを有する第１
の基板を備え、前記第１の面は、前記第１の面から前記
第１の基板内へ拡がる第１の凹部を有し、前記第１の基
板の前記第１の面に形成された第１の導電回路層を備
え、前記第１の基板の前記第２の面に形成された第２の
導電回路層を備え、前記第２の導電回路層は、前記第１
の導電回路層に電気的に接続され、前記第２の導電回路
層は、第３の外部回路化基板に電気的に接続されるよう
に構成され、前記第１の開口内に配置され、前記第１の
導電回路層に電気的に接続されるように、前記第１の基
板に取り付けられた第１の電子デバイスを備え、第１の
面と、対向する第２の面とを有する第２の基板を備え、
前記第２の基板の前記第２の面に形成された第３の導電
回路層を備え、前記第２の基板に接続され、前記第３の
導電回路層に電気的に接続された第２の電子デバイスを
備え、前記第１の基板と第２の基板とは、共通界面に沿
って接合され、前記第２の電子デバイスと前記第２の基
板の第２の面とは、前記第１の電子デバイスと前記第１
の基板の第１の面に対面し、前記第１の導電回路層は、
前記第３の導電回路層に電気的に接続されている、こと
を特徴とするマルチ電子デバイス・パッケージ。 （１１）前記第１の基板を貫通し、前記第１の導電回路
層と第２の導電回路層とを電気的に接続する少なくとも
１つのメッキ・スルーホールを、さらに備えることを特
徴とする上記（１０）に記載のマルチ電子デバイス・パ
ッケージ。 （１２）前記第２の導電回路層は、複数の半田ボール・
パッドを有することを特徴とする上記（１０）に記載の
マルチ電子デバイス・パッケージ。 （１３）前記各半田ボール・パッドに接続され、前記第
２の導電回路層を、前記第３の外部回路化基板に電気的
に接続する半田ボールをさらに備えることを特徴とする
上記（１２）に記載のマルチ電子デバイス・パッケー
ジ。 （１４）前記第１の導電回路層は、複数の半田ボール・
パッドを有することを特徴とする上記（１０）に記載の
マルチ電子デバイス・パッケージ。 （１５）前記第１の導電回路層は、前記第１の導電回路
層の前記各半田ボール・パッドに対応する半田ボール・
パッドを有することを特徴とする上記（１４）に記載の
マルチ電子デバイス・パッケージ。 （１６）前記各半田ボール・パッドおよび対応する半田
ボール・パッドに接続され、前記第３の基板を前記共通
界面に沿って前記第２の基板に取り付け、前記第１の導
電回路層を、前記第３の導電回路層に電気的に接続する
半田ボールをさらに備えることを特徴とする上記（１
５）に記載のマルチ電子デバイス・パッケージ。 （１７）前記第１の電子デバイスと、前記第１の凹部
と、前記第１の導電回路層の少なくとも一部とを覆う第
１のカプセル封止部と、前記第２の電子デバイスと、前
記第３の導電回路層の少なくとも一部を覆う第２のカプ
セル封止部とをさらに備え、前記第１のカプセル封止部
は、前記第２のカプセル封止部に接合され、前記第１の
基板を前記第２の基板に取り付けることを特徴とする上
記（１０）に記載のマルチ電子デバイス・パッケージ。 （１８）前記第２の基板は、開口を有することを特徴と
する上記（１０）に記載のマルチ電子デバイス・パッケ
ージ。 （１９）前記第２の基板の第１の面に接続され、前記開
口を覆う伝熱プレーンを有することを特徴とする上記
（１８）に記載のマルチ電子デバイス・パッケージ。 （２０）前記第２の電子デバイスは、前記開口内で前記
プレーンに取り付けられていることを特徴とする上記
（１９）に記載のマルチ電子デバイス・パッケージ。 （２１）第１の面と、対向する第２の面とを有する第１
の基板を備え、前記第１の基板の前記第１の面に形成さ
れた第１の導電回路層を備え、前記第１の基板の前記第
２の面に形成された第２の導電回路層を備え、前記第２
の導電回路層は、前記第１の導電回路層に電気的に接続
され、前記第２の導電回路層は、第３の外部回路化基板
に電気的に接続されるように構成され、前記第１の基板
に取り付けられ、前記第１の導電回路層に電気的に接続
された第１の電子デバイスを備え、第１の面と、対向す
る第２の面とを有する第２の基板を備え、前記第２の基
板の前記第１の面に形成された第３の導電回路層を備
え、前記第２の基板に接続され、前記第３の導電回路層
に電気的に接続された第２の電子デバイスを備え、前記
第２の基板の前記第２の面に形成され、前記第３の導電
回路層に電気的に接続された第４の導電回路層を備え、
前記第１の電子デバイスと、前記第１の導電回路層の少
なくとも一部を覆うカプセル封止部を備え、前記第２の
基板は、前記第２の基板の第２の面から前記第２の基板
内に拡がる凹部を有し、前記第１の基板と第２の基板と
は、共通界面に沿って接合され、前記第２の基板の第２
の面は、前記第１の基板の第１の面に対面し、前記カプ
セル封止部の少なくとも一部は、前記凹部内に拡がり、
これにより前記第２の基板の第２の面と前記第１の基板
の第１の面との間の距離を小さくする、ことを特徴とす
るマルチ電子デバイス・パッケージ。 （２２）前記第１の基板を貫通し、前記第１の導電回路
層と第２の導電回路層とを電気的に接続する少なくとも
１つのメッキ・スルーホールを、さらに備えることを特
徴とする上記（２１）に記載のマルチ電子デバイス・パ
ッケージ。 （２３）前記第２の基板を貫通し、前記第３の導電回路
層と第４の導電回路層とを電気的に接続する少なくとも
１つのメッキ・スルーホールを、さらに備えることを特
徴とする上記（２１）に記載のマルチ電子デバイス・パ
ッケージ。 （２４）前記第２の導電回路層は、複数の半田ボール・
パッドを有することを特徴とする上記（２１）に記載の
マルチ電子デバイス・パッケージ。 （２５）前記各半田ボール・パッドに接続され、前記第
２の導電回路層を、前記第３の外部回路化基板に電気的
に接続する半田ボールをさらに備えることを特徴とする
上記（２１）に記載のマルチ電子デバイス・パッケー
ジ。 （２６）前記第１の導電回路層は、複数の半田ボール・
パッドを有することを特徴とする上記（２１）に記載の
マルチ電子デバイス・パッケージ。 （２７）前記第４の導電回路層は、前記第１の導電回路
層の前記各半田ボール・パッドに対応する半田ボール・
パッドを有することを特徴とする上記（２６）に記載の
マルチ電子デバイス・パッケージ。 （２８）前記各半田ボール・パッドおよび対応する半田
ボール・パッドに接続され、前記第１の基板を前記共通
界面に沿って前記第２の基板に取り付け、前記第１の導
電回路層を、前記第４の導電回路層に電気的に接続する
半田ボールをさらに備えることを特徴とする上記（２
７）に記載のマルチ電子デバイス・パッケージ。 （２９）前記カプセル封止部は、前記第２の基板に接合
されることを特徴とする上記（２１）に記載のマルチ電
子デバイス・パッケージ （３０）前記第１および第２の基板は、カプセル封止さ
れた伝熱および導電プレーンを有することを特徴とする
上記（２１）に記載のマルチ電子デバイス・パッケー
ジ。
【図１】本発明のマルチ電子デバイス・パッケージの斜
視図である。
視図である。
【図２】図１のマルチ電子デバイス・パッケージの断面
図である。
図である。
【図３】本発明のマルチ電子デバイス・パッケージの他
の実施例の斜視図である。
の実施例の斜視図である。
【図４】図３のマルチ電子デバイス・パッケージの断面
図である。
図である。
【図５】本発明のマルチ電子デバイス・パッケージの第
２の実施例の斜視図である。
２の実施例の斜視図である。
【図６】図５のマルチ電子デバイス・パッケージの断面
図である。
図である。
１０ マルチ電子デバイス・パッケージ １２ 第１の基板 １４ 第１の面 １６ 第２の面 １８ 第１の開口 ２０ 第１の導電回路層 ２２ 第２の基板 ２７ 第２の導電回路層 ２８ 第２の開口 ３０ 伝熱および導電プレーン ３２ 第１の面 ３４ 第２の面 ３６ 第１の電子デバイス ３８ａ，３８ｂ コンタクト ４０ 第２の電子デバイス ４２，４４，４６，４８，５０，５２ メッキ・スルー
ホール ５４，５６，５８，６０，６２，６４ 半田ボール・パ
ッド ６６，６８，７０，７２，７４，７６ 半田ボール ７８，８０，８２，８４，８６，８８ 半田ボール・パ
ッド ９０，９２，９４，９６，９８，１００ 半田ボール １０２ａ，１０２ｂ，１０２ｃ，１０２ｄ ボンディン
グ・ワイヤ １０４ 第１のカプセル封止部 １０６ 第２のカプセル封止部 ３００ マルチ電子デバイス・パッケージ ３１２ 第１の基板 ３１４ 第１の面 ３１６ 第２の面 ３１８ 第１の凹部 ３２０ 第１の導電回路層 ３２２ 第２の導電回路層 ３２４ａ，３２４ｂ メッキ・スルーホール ３２６ 第１の電子デバイス ３２７ａ，３２７ｂ コンタクト ３２８ 第２の基板 ３３０ 第１の面 ３３２ 第２の面 ３３４ 第３の導電回路層 ３２７ｃ，３２７ｄ コンタクト ３３６ 第２の電子デバイス ３３８，３４０，３４２，３４４，３４６，３４８，３
５０ 半田ボール・パッド ３５２，３５４，３５６，３５８，３６０，３６２，３
６４ 半田ボール ３６６，３６８，３７０，３７２，３７４，３７６ 半
田ボール・パッド ３７８，３８０，３８２，３８４，３８６，３８８ 半
田ボール・パッド ３９０，３９２，３９４，３９６，３９８，４００ 半
田ボール ４０４ 第１のカプセル封止部 ４０６ 第２のカプセル封止部 ４０８ 開口 ４１０ 伝熱プレーン ５００ マルチ電子デバイス・パッケージ ５１２ 第１の基板 ５１４ 第１の面 ５１６ 第２の面 ５１８ 第１の導電回路層 ５２０ 第２の導電回路層 ５２２ 第１の電子デバイス ５２３ａ，５２３ｂ コンタクト ５２４ 第２の基板 ５３０ 第３の導電回路層 ５３２ 第２の電子デバイス ５３４ 第４の導電回路層 ５４０ａ，５４０ｂ，５４０ｃ メッキ・スルーホール ５４２ａ，５４２ｂ メッキ・スルーホール ５４４，５４６，５４８，５５０，５５２，５５４，５
５６ 半田ボール・パッド ５５８，５６０，５６２，５６４，５６６，５６８，５
７０ 半田ボール ５７２，５７４，５７６，５７８，５８０，５８２ 半
田ボール・パッド ５８４，５８６，５８８，５９０，６００，６０２ 半
田ボール・パッド ６０４，６０６，６０８，６１０，６１２，６１４ 半
田ボール
ホール ５４，５６，５８，６０，６２，６４ 半田ボール・パ
ッド ６６，６８，７０，７２，７４，７６ 半田ボール ７８，８０，８２，８４，８６，８８ 半田ボール・パ
ッド ９０，９２，９４，９６，９８，１００ 半田ボール １０２ａ，１０２ｂ，１０２ｃ，１０２ｄ ボンディン
グ・ワイヤ １０４ 第１のカプセル封止部 １０６ 第２のカプセル封止部 ３００ マルチ電子デバイス・パッケージ ３１２ 第１の基板 ３１４ 第１の面 ３１６ 第２の面 ３１８ 第１の凹部 ３２０ 第１の導電回路層 ３２２ 第２の導電回路層 ３２４ａ，３２４ｂ メッキ・スルーホール ３２６ 第１の電子デバイス ３２７ａ，３２７ｂ コンタクト ３２８ 第２の基板 ３３０ 第１の面 ３３２ 第２の面 ３３４ 第３の導電回路層 ３２７ｃ，３２７ｄ コンタクト ３３６ 第２の電子デバイス ３３８，３４０，３４２，３４４，３４６，３４８，３
５０ 半田ボール・パッド ３５２，３５４，３５６，３５８，３６０，３６２，３
６４ 半田ボール ３６６，３６８，３７０，３７２，３７４，３７６ 半
田ボール・パッド ３７８，３８０，３８２，３８４，３８６，３８８ 半
田ボール・パッド ３９０，３９２，３９４，３９６，３９８，４００ 半
田ボール ４０４ 第１のカプセル封止部 ４０６ 第２のカプセル封止部 ４０８ 開口 ４１０ 伝熱プレーン ５００ マルチ電子デバイス・パッケージ ５１２ 第１の基板 ５１４ 第１の面 ５１６ 第２の面 ５１８ 第１の導電回路層 ５２０ 第２の導電回路層 ５２２ 第１の電子デバイス ５２３ａ，５２３ｂ コンタクト ５２４ 第２の基板 ５３０ 第３の導電回路層 ５３２ 第２の電子デバイス ５３４ 第４の導電回路層 ５４０ａ，５４０ｂ，５４０ｃ メッキ・スルーホール ５４２ａ，５４２ｂ メッキ・スルーホール ５４４，５４６，５４８，５５０，５５２，５５４，５
５６ 半田ボール・パッド ５５８，５６０，５６２，５６４，５６６，５６８，５
７０ 半田ボール ５７２，５７４，５７６，５７８，５８０，５８２ 半
田ボール・パッド ５８４，５８６，５８８，５９０，６００，６０２ 半
田ボール・パッド ６０４，６０６，６０８，６１０，６１２，６１４ 半
田ボール
Claims (30)
- 【請求項１】第１の電子デバイス・パッケージを備え、
この第１の電子デバイス・パッケージは、 第１の面と、対向する第２の面とを有し、第１の開口を
有する第１の基板と、 前記第１の基板の前記第１の面に形成された第１の導電
回路層と、 第１の面と、対向する第２の面とを有し、第２の開口を
有する第２の基板と、 前記第２の基板の前記第２の面に形成された第２の導電
回路層と、 第１の面と、対向する第２の面とを有し、前記第１の基
板と第２の基板との間に配置され、前記第１および第２
の開口を覆う伝熱および導電プレーンと、 前記第１の開口内に配置され、前記第１の導電回路層に
電気的に接続されるように、前記プレーンの第１の面に
取り付けられた第１の電子デバイスと、 前記第２の開口内に配置され、前記第２の導電回路層に
電気的に接続されるように、前記プレーンの第２の面に
取り付けられた第２の電子デバイスとを備え、 前記第１の導電回路層は、前記第２の導電回路層に電気
的に接続され、前記第１の導電回路層は、第２の電子デ
バイス・パッケージに電気的に接続されるように構成さ
れ、前記第２の導電回路層は、第３の外部回路化基板に
電気的に接続されるように構成されている、ことを特徴
とするマルチ電子デバイス・パッケージ。 - 【請求項２】前記第１および第２の基板を貫通し、前記
第１の導電回路層と第２の導電回路層とを電気的に接続
する少なくとも１つのメッキ・スルーホールを、さらに
備えることを特徴とする請求項１記載のマルチ電子デバ
イス・パッケージ。 - 【請求項３】前記第２の導電回路層は、複数の半田ボー
ル・パッドを有することを特徴とする請求項１記載のマ
ルチ電子デバイス・パッケージ。 - 【請求項４】前記各半田ボール・パッドに接続され、前
記第２の導電回路層を、前記第３の外部回路化基板に電
気的に接続する半田ボールをさらに備えることを特徴と
する請求項３記載のマルチ電子デバイス・パッケージ。 - 【請求項５】第２の電子デバイス・パッケージをさらに
備え、この第２の電子デバイス・パッケージは、 第１の面と、対向する第２の面とを有する第３の基板
と、 前記第３の基板の前記第２の面に形成された第３の導電
回路層と、 前記第３の基板に接続され、前記第３の導電回路層に電
気的に接続された第３の電子デバイスと、をさらに備え
ることを特徴とする請求項１記載のマルチ電子デバイス
・パッケージ。 - 【請求項６】前記第２の電子デバイス・パッケージは、
前記第１の電子デバイス・パッケージの頂部に積層さ
れ、取り付けられていることを特徴とする請求項５記載
のマルチ電子デバイス・パッケージ。 - 【請求項７】前記第３の導電回路層は、複数の半田ボー
ル・パッドを有することを特徴とする請求項６記載のマ
ルチ電子デバイス・パッケージ。 - 【請求項８】前記第１の導電回路層は、前記第３の導電
回路層の前記各半田ボール・パッドに対応する半田ボー
ル・パッドを有することを特徴とする請求項７記載のマ
ルチ電子デバイス・パッケージ。 - 【請求項９】前記各半田ボール・パッドおよび対応する
半田ボール・パッドに接続され、前記第１の電子デバイ
ス・パッケージと第２の電子デバイス・パッケージとを
取り付け、前記第１の導電回路層を、前記第３の導電回
路層に電気的に接続する半田ボールをさらに備えること
を特徴とする請求項８記載のマルチ電子デバイス・パッ
ケージ。 - 【請求項１０】第１の面と、対向する第２の面とを有す
る第１の基板を備え、前記第１の面は、前記第１の面か
ら前記第１の基板内へ拡がる第１の凹部を有し、 前記第１の基板の前記第１の面に形成された第１の導電
回路層を備え、 前記第１の基板の前記第２の面に形成された第２の導電
回路層を備え、前記第２の導電回路層は、前記第１の導
電回路層に電気的に接続され、前記第２の導電回路層
は、第３の外部回路化基板に電気的に接続されるように
構成され、 前記第１の開口内に配置され、前記第１の導電回路層に
電気的に接続されるように、前記第１の基板に取り付け
られた第１の電子デバイスを備え、 第１の面と、対向する第２の面とを有する第２の基板を
備え、 前記第２の基板の前記第２の面に形成された第３の導電
回路層を備え、 前記第２の基板に接続され、前記第３の導電回路層に電
気的に接続された第２の電子デバイスを備え、 前記第１の基板と第２の基板とは、共通界面に沿って接
合され、前記第２の電子デバイスと前記第２の基板の第
２の面とは、前記第１の電子デバイスと前記第１の基板
の第１の面に対面し、前記第１の導電回路層は、前記第
３の導電回路層に電気的に接続されている、ことを特徴
とするマルチ電子デバイス・パッケージ。 - 【請求項１１】前記第１の基板を貫通し、前記第１の導
電回路層と第２の導電回路層とを電気的に接続する少な
くとも１つのメッキ・スルーホールを、さらに備えるこ
とを特徴とする請求項１０記載のマルチ電子デバイス・
パッケージ。 - 【請求項１２】前記第２の導電回路層は、複数の半田ボ
ール・パッドを有することを特徴とする請求項１０記載
のマルチ電子デバイス・パッケージ。 - 【請求項１３】前記各半田ボール・パッドに接続され、
前記第２の導電回路層を、前記第３の外部回路化基板に
電気的に接続する半田ボールをさらに備えることを特徴
とする請求項１２記載のマルチ電子デバイス・パッケー
ジ。 - 【請求項１４】前記第１の導電回路層は、複数の半田ボ
ール・パッドを有することを特徴とする請求項１０記載
のマルチ電子デバイス・パッケージ。 - 【請求項１５】前記第１の導電回路層は、前記第１の導
電回路層の前記各半田ボール・パッドに対応する半田ボ
ール・パッドを有することを特徴とする請求項１４記載
のマルチ電子デバイス・パッケージ。 - 【請求項１６】前記各半田ボール・パッドおよび対応す
る半田ボール・パッドに接続され、前記第３の基板を前
記共通界面に沿って前記第２の基板に取り付け、前記第
１の導電回路層を、前記第３の導電回路層に電気的に接
続する半田ボールをさらに備えることを特徴とする請求
項１５記載のマルチ電子デバイス・パッケージ。 - 【請求項１７】前記第１の電子デバイスと、前記第１の
凹部と、前記第１の導電回路層の少なくとも一部とを覆
う第１のカプセル封止部と、前記第２の電子デバイス
と、前記第３の導電回路層の少なくとも一部を覆う第２
のカプセル封止部とをさらに備え、前記第１のカプセル
封止部は、前記第２のカプセル封止部に接合され、前記
第１の基板を前記第２の基板に取り付けることを特徴と
する請求項１０記載のマルチ電子デバイス・パッケー
ジ。 - 【請求項１８】前記第２の基板は、開口を有することを
特徴とする請求項１０記載のマルチ電子デバイス・パッ
ケージ。 - 【請求項１９】前記第２の基板の第１の面に接続され、
前記開口を覆う伝熱プレーンを有することを特徴とする
請求項１８記載のマルチ電子デバイス・パッケージ。 - 【請求項２０】前記第２の電子デバイスは、前記開口内
で前記プレーンに取り付けられていることを特徴とする
請求項１９記載のマルチ電子デバイス・パッケージ。 - 【請求項２１】第１の面と、対向する第２の面とを有す
る第１の基板を備え、 前記第１の基板の前記第１の面に形成された第１の導電
回路層を備え、 前記第１の基板の前記第２の面に形成された第２の導電
回路層を備え、前記第２の導電回路層は、前記第１の導
電回路層に電気的に接続され、前記第２の導電回路層
は、第３の外部回路化基板に電気的に接続されるように
構成され、 前記第１の基板に取り付けられ、前記第１の導電回路層
に電気的に接続された第１の電子デバイスを備え、 第１の面と、対向する第２の面とを有する第２の基板を
備え、 前記第２の基板の前記第１の面に形成された第３の導電
回路層を備え、 前記第２の基板に接続され、前記第３の導電回路層に電
気的に接続された第２の電子デバイスを備え、 前記第２の基板の前記第２の面に形成され、前記第３の
導電回路層に電気的に接続された第４の導電回路層を備
え、 前記第１の電子デバイスと、前記第１の導電回路層の少
なくとも一部を覆うカプセル封止部を備え、 前記第２の基板は、前記第２の基板の第２の面から前記
第２の基板内に拡がる凹部を有し、 前記第１の基板と第２の基板とは、共通界面に沿って接
合され、前記第２の基板の第２の面は、前記第１の基板
の第１の面に対面し、前記カプセル封止部の少なくとも
一部は、前記凹部内に拡がり、これにより前記第２の基
板の第２の面と前記第１の基板の第１の面との間の距離
を小さくする、ことを特徴とするマルチ電子デバイス・
パッケージ。 - 【請求項２２】前記第１の基板を貫通し、前記第１の導
電回路層と第２の導電回路層とを電気的に接続する少な
くとも１つのメッキ・スルーホールを、さらに備えるこ
とを特徴とする請求項２１記載のマルチ電子デバイス・
パッケージ。 - 【請求項２３】前記第２の基板を貫通し、前記第３の導
電回路層と第４の導電回路層とを電気的に接続する少な
くとも１つのメッキ・スルーホールを、さらに備えるこ
とを特徴とする請求項２１記載のマルチ電子デバイス・
パッケージ。 - 【請求項２４】前記第２の導電回路層は、複数の半田ボ
ール・パッドを有することを特徴とする請求項２１記載
のマルチ電子デバイス・パッケージ。 - 【請求項２５】前記各半田ボール・パッドに接続され、
前記第２の導電回路層を、前記第３の外部回路化基板に
電気的に接続する半田ボールをさらに備えることを特徴
とする請求項２１記載のマルチ電子デバイス・パッケー
ジ。 - 【請求項２６】前記第１の導電回路層は、複数の半田ボ
ール・パッドを有することを特徴とする請求項２１記載
のマルチ電子デバイス・パッケージ。 - 【請求項２７】前記第４の導電回路層は、前記第１の導
電回路層の前記各半田ボール・パッドに対応する半田ボ
ール・パッドを有することを特徴とする請求項２６記載
のマルチ電子デバイス・パッケージ。 - 【請求項２８】前記各半田ボール・パッドおよび対応す
る半田ボール・パッドに接続され、前記第１の基板を前
記共通界面に沿って前記第２の基板に取り付け、前記第
１の導電回路層を、前記第４の導電回路層に電気的に接
続する半田ボールをさらに備えることを特徴とする請求
項２７記載のマルチ電子デバイス・パッケージ。 - 【請求項２９】前記カプセル封止部は、前記第２の基板
に接合されることを特徴とする請求項２１記載のマルチ
電子デバイス・パッケージ。 - 【請求項３０】前記第１および第２の基板は、カプセル
封止された伝熱および導電プレーンを有することを特徴
とする請求項２１記載のマルチ電子デバイス・パッケー
ジ。
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