JP2024065082A - 有機エレクトロルミネセンス材料及びデバイス - Google Patents
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- 239000000463 material Substances 0.000 title description 156
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 660
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims abstract description 22
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims abstract description 12
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 claims description 110
- -1 amino, silyl Chemical group 0.000 claims description 64
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 59
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 57
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 claims description 47
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 45
- RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N imidazole Natural products C1=CNC=N1 RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 45
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims description 45
- 125000001072 heteroaryl group Chemical group 0.000 claims description 40
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 39
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 39
- 239000003446 ligand Substances 0.000 claims description 37
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 claims description 36
- 238000004770 highest occupied molecular orbital Methods 0.000 claims description 35
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 34
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 33
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 33
- 125000000753 cycloalkyl group Chemical group 0.000 claims description 32
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 32
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 claims description 31
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 29
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 29
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 26
- YZCKVEUIGOORGS-OUBTZVSYSA-N Deuterium Chemical group [2H] YZCKVEUIGOORGS-OUBTZVSYSA-N 0.000 claims description 25
- 229910052805 deuterium Inorganic materials 0.000 claims description 25
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 25
- UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 9H-carbazole Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3NC2=C1 UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- TXCDCPKCNAJMEE-UHFFFAOYSA-N dibenzofuran Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3OC2=C1 TXCDCPKCNAJMEE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 claims description 24
- 125000002950 monocyclic group Chemical group 0.000 claims description 23
- 125000003367 polycyclic group Chemical group 0.000 claims description 23
- IYYZUPMFVPLQIF-UHFFFAOYSA-N dibenzothiophene Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3SC2=C1 IYYZUPMFVPLQIF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical group [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 claims description 19
- 125000003800 germyl group Chemical group [H][Ge]([H])([H])[*] 0.000 claims description 19
- 150000002825 nitriles Chemical class 0.000 claims description 19
- 125000003710 aryl alkyl group Chemical group 0.000 claims description 18
- 125000000592 heterocycloalkyl group Chemical group 0.000 claims description 18
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 125000000304 alkynyl group Chemical group 0.000 claims description 17
- 125000000707 boryl group Chemical group B* 0.000 claims description 17
- 125000000392 cycloalkenyl group Chemical group 0.000 claims description 17
- 125000004404 heteroalkyl group Chemical group 0.000 claims description 17
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 claims description 16
- 229960005544 indolocarbazole Drugs 0.000 claims description 16
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 claims description 15
- 125000004104 aryloxy group Chemical group 0.000 claims description 15
- 150000002527 isonitriles Chemical class 0.000 claims description 15
- 125000003808 silyl group Chemical group [H][Si]([H])([H])[*] 0.000 claims description 15
- 125000003396 thiol group Chemical group [H]S* 0.000 claims description 15
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 claims description 14
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 125000000475 sulfinyl group Chemical group [*:2]S([*:1])=O 0.000 claims description 14
- 125000000472 sulfonyl group Chemical group *S(*)(=O)=O 0.000 claims description 14
- JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-triazine Chemical compound C1=CN=NN=C1 JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 125000004008 6 membered carbocyclic group Chemical group 0.000 claims description 13
- 125000002252 acyl group Chemical group 0.000 claims description 13
- VVVPGLRKXQSQSZ-UHFFFAOYSA-N indolo[3,2-c]carbazole Chemical compound C1=CC=CC2=NC3=C4C5=CC=CC=C5N=C4C=CC3=C21 VVVPGLRKXQSQSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- SLGBZMMZGDRARJ-UHFFFAOYSA-N Triphenylene Natural products C1=CC=C2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C3C2=C1 SLGBZMMZGDRARJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000007850 fluorescent dye Substances 0.000 claims description 12
- 150000002460 imidazoles Chemical class 0.000 claims description 12
- 125000005580 triphenylene group Chemical group 0.000 claims description 12
- 125000005605 benzo group Chemical group 0.000 claims description 11
- DHFABSXGNHDNCO-UHFFFAOYSA-N dibenzoselenophene Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3[se]C2=C1 DHFABSXGNHDNCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 claims description 11
- 125000001054 5 membered carbocyclic group Chemical group 0.000 claims description 10
- WIUZHVZUGQDRHZ-UHFFFAOYSA-N [1]benzothiolo[3,2-b]pyridine Chemical compound C1=CN=C2C3=CC=CC=C3SC2=C1 WIUZHVZUGQDRHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- BPMFPOGUJAAYHL-UHFFFAOYSA-N 9H-Pyrido[2,3-b]indole Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3NC2=N1 BPMFPOGUJAAYHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 6
- 125000005647 linker group Chemical group 0.000 claims description 6
- OBZNQOXNXVLYRM-UHFFFAOYSA-N 8,14-dioxa-1-borapentacyclo[11.7.1.02,7.09,21.015,20]henicosa-2,4,6,9(21),10,12,15,17,19-nonaene Chemical compound C1=CC=CC=2OC=3C=CC=C4OC=5C=CC=CC5B(C34)C12 OBZNQOXNXVLYRM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 125000003636 chemical group Chemical group 0.000 claims description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 3
- PQGCEDQWHSBAJP-TXICZTDVSA-N 5-O-phosphono-alpha-D-ribofuranosyl diphosphate Chemical compound O[C@H]1[C@@H](O)[C@@H](O[P@](O)(=O)OP(O)(O)=O)O[C@@H]1COP(O)(O)=O PQGCEDQWHSBAJP-TXICZTDVSA-N 0.000 claims description 2
- 101100426085 Mus musculus Trim8 gene Proteins 0.000 claims description 2
- 101800000628 PDH precursor-related peptide Proteins 0.000 claims description 2
- 101150036449 SIRPA gene Proteins 0.000 claims description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 claims 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 277
- 239000000370 acceptor Substances 0.000 description 101
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 61
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 32
- 238000000034 method Methods 0.000 description 31
- 230000006870 function Effects 0.000 description 27
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 26
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 24
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 21
- 238000004768 lowest unoccupied molecular orbital Methods 0.000 description 20
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 19
- 238000010549 co-Evaporation Methods 0.000 description 19
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 19
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 19
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 18
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 17
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- KYQCOXFCLRTKLS-UHFFFAOYSA-N Pyrazine Chemical compound C1=CN=CC=N1 KYQCOXFCLRTKLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 15
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 14
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 14
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 description 12
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 12
- PCNDJXKNXGMECE-UHFFFAOYSA-N Phenazine Natural products C1=CC=CC2=NC3=CC=CC=C3N=C21 PCNDJXKNXGMECE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 239000010408 film Substances 0.000 description 11
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Substances [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 230000008569 process Effects 0.000 description 11
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 11
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 9
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 9
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 9
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 9
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 9
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 9
- XSCHRSMBECNVNS-UHFFFAOYSA-N quinoxaline Chemical compound N1=CC=NC2=CC=CC=C21 XSCHRSMBECNVNS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 9
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 9
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 9
- 238000003775 Density Functional Theory Methods 0.000 description 8
- CZPWVGJYEJSRLH-UHFFFAOYSA-N Pyrimidine Chemical compound C1=CN=CN=C1 CZPWVGJYEJSRLH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical group [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical compound C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- IOJUPLGTWVMSFF-UHFFFAOYSA-N benzothiazole Chemical group C1=CC=C2SC=NC2=C1 IOJUPLGTWVMSFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 150000001735 carboxylic acids Chemical class 0.000 description 8
- 230000008859 change Effects 0.000 description 8
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 8
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 8
- 238000005424 photoluminescence Methods 0.000 description 8
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 8
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 8
- YJTKZCDBKVTVBY-UHFFFAOYSA-N 1,3-Diphenylbenzene Chemical group C1=CC=CC=C1C1=CC=CC(C=2C=CC=CC=2)=C1 YJTKZCDBKVTVBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 7
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 7
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 7
- FCEHBMOGCRZNNI-UHFFFAOYSA-N 1-benzothiophene Chemical compound C1=CC=C2SC=CC2=C1 FCEHBMOGCRZNNI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical group [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 101100083446 Danio rerio plekhh1 gene Proteins 0.000 description 6
- SIKJAQJRHWYJAI-UHFFFAOYSA-N Indole Chemical compound C1=CC=C2NC=CC2=C1 SIKJAQJRHWYJAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N Quinoline Chemical compound N1=CC=CC2=CC=CC=C21 SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- DZBUGLKDJFMEHC-UHFFFAOYSA-N acridine Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3N=C21 DZBUGLKDJFMEHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- CUFNKYGDVFVPHO-UHFFFAOYSA-N azulene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC2=C1 CUFNKYGDVFVPHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 6
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 6
- WDECIBYCCFPHNR-UHFFFAOYSA-N chrysene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=C3C4=CC=CC=C4C=CC3=C21 WDECIBYCCFPHNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 6
- 125000006575 electron-withdrawing group Chemical group 0.000 description 6
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 6
- AWJUIBRHMBBTKR-UHFFFAOYSA-N isoquinoline Chemical compound C1=NC=CC2=CC=CC=C21 AWJUIBRHMBBTKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 6
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 6
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 6
- YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N phenanthrene Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3C=CC2=C1 YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 6
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 6
- BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N pyrene Chemical compound C1=CC=C2C=CC3=CC=CC4=CC=C1C2=C43 BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 125000006413 ring segment Chemical group 0.000 description 6
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 6
- 101100129500 Caenorhabditis elegans max-2 gene Proteins 0.000 description 5
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 125000000477 aza group Chemical group 0.000 description 5
- 238000005284 basis set Methods 0.000 description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 5
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 5
- 230000009878 intermolecular interaction Effects 0.000 description 5
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 5
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 5
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 5
- FVZVCSNXTFCBQU-UHFFFAOYSA-N phosphanyl Chemical group [PH2] FVZVCSNXTFCBQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- PBMFSQRYOILNGV-UHFFFAOYSA-N pyridazine Chemical compound C1=CC=NN=C1 PBMFSQRYOILNGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 5
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 description 5
- BCMCBBGGLRIHSE-UHFFFAOYSA-N 1,3-benzoxazole Chemical compound C1=CC=C2OC=NC2=C1 BCMCBBGGLRIHSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- HYZJCKYKOHLVJF-UHFFFAOYSA-N 1H-benzimidazole Chemical compound C1=CC=C2NC=NC2=C1 HYZJCKYKOHLVJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000001327 Förster resonance energy transfer Methods 0.000 description 4
- ZCQWOFVYLHDMMC-UHFFFAOYSA-N Oxazole Chemical compound C1=COC=N1 ZCQWOFVYLHDMMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- WTKZEGDFNFYCGP-UHFFFAOYSA-N Pyrazole Chemical compound C=1C=NNC=1 WTKZEGDFNFYCGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- FZWLAAWBMGSTSO-UHFFFAOYSA-N Thiazole Chemical compound C1=CSC=N1 FZWLAAWBMGSTSO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- FBVBNCGJVKIEHH-UHFFFAOYSA-N [1]benzofuro[3,2-b]pyridine Chemical compound C1=CN=C2C3=CC=CC=C3OC2=C1 FBVBNCGJVKIEHH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000006615 aromatic heterocyclic group Chemical group 0.000 description 4
- 230000003190 augmentative effect Effects 0.000 description 4
- 150000001716 carbazoles Chemical class 0.000 description 4
- 239000012634 fragment Substances 0.000 description 4
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 4
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 4
- 229920002521 macromolecule Polymers 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 4
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 4
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 4
- WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N oxadiazole Chemical compound C1=CON=N1 WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 4
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 4
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 4
- 230000011664 signaling Effects 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 4
- 150000003384 small molecules Chemical class 0.000 description 4
- 238000010129 solution processing Methods 0.000 description 4
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 4
- VLLMWSRANPNYQX-UHFFFAOYSA-N thiadiazole Chemical compound C1=CSN=N1.C1=CSN=N1 VLLMWSRANPNYQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 description 4
- 150000003852 triazoles Chemical class 0.000 description 4
- 239000003981 vehicle Substances 0.000 description 4
- FLBAYUMRQUHISI-UHFFFAOYSA-N 1,8-naphthyridine Chemical compound N1=CC=CC2=CC=CN=C21 FLBAYUMRQUHISI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BNRDGHFESOHOBF-UHFFFAOYSA-N 1-benzoselenophene Chemical compound C1=CC=C2[se]C=CC2=C1 BNRDGHFESOHOBF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WJFKNYWRSNBZNX-UHFFFAOYSA-N 10H-phenothiazine Chemical compound C1=CC=C2NC3=CC=CC=C3SC2=C1 WJFKNYWRSNBZNX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- TZMSYXZUNZXBOL-UHFFFAOYSA-N 10H-phenoxazine Chemical compound C1=CC=C2NC3=CC=CC=C3OC2=C1 TZMSYXZUNZXBOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VEPOHXYIFQMVHW-XOZOLZJESA-N 2,3-dihydroxybutanedioic acid (2S,3S)-3,4-dimethyl-2-phenylmorpholine Chemical compound OC(C(O)C(O)=O)C(O)=O.C[C@H]1[C@@H](OCCN1C)c1ccccc1 VEPOHXYIFQMVHW-XOZOLZJESA-N 0.000 description 3
- OLGGLCIDAMICTA-UHFFFAOYSA-N 2-pyridin-2-yl-1h-indole Chemical compound N1C2=CC=CC=C2C=C1C1=CC=CC=N1 OLGGLCIDAMICTA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QMEQBOSUJUOXMX-UHFFFAOYSA-N 2h-oxadiazine Chemical compound N1OC=CC=N1 QMEQBOSUJUOXMX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BCHZICNRHXRCHY-UHFFFAOYSA-N 2h-oxazine Chemical compound N1OC=CC=C1 BCHZICNRHXRCHY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BWCDLEQTELFBAW-UHFFFAOYSA-N 3h-dioxazole Chemical compound N1OOC=C1 BWCDLEQTELFBAW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- GJCOSYZMQJWQCA-UHFFFAOYSA-N 9H-xanthene Chemical compound C1=CC=C2CC3=CC=CC=C3OC2=C1 GJCOSYZMQJWQCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 101000577063 Arabidopsis thaliana Mannose-6-phosphate isomerase 1 Proteins 0.000 description 3
- 238000004057 DFT-B3LYP calculation Methods 0.000 description 3
- 101001094831 Homo sapiens Phosphomannomutase 2 Proteins 0.000 description 3
- 102100025022 Mannose-6-phosphate isomerase Human genes 0.000 description 3
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 206010070834 Sensitisation Diseases 0.000 description 3
- QZLAKPGRUFFNRD-UHFFFAOYSA-N [1]benzoselenolo[3,2-b]pyridine Chemical compound C1=CN=C2C3=CC=CC=C3[se]C2=C1 QZLAKPGRUFFNRD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RFRXIWQYSOIBDI-UHFFFAOYSA-N benzarone Chemical compound CCC=1OC2=CC=CC=C2C=1C(=O)C1=CC=C(O)C=C1 RFRXIWQYSOIBDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011203 carbon fibre reinforced carbon Substances 0.000 description 3
- WCZVZNOTHYJIEI-UHFFFAOYSA-N cinnoline Chemical compound N1=NC=CC2=CC=CC=C21 WCZVZNOTHYJIEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 3
- GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N fluoranthrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=C22)=C3C2=CC=CC3=C1 GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RMBPEFMHABBEKP-UHFFFAOYSA-N fluorene Chemical compound C1=CC=C2C3=C[CH]C=CC3=CC2=C1 RMBPEFMHABBEKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- PZOUSPYUWWUPPK-UHFFFAOYSA-N indole Natural products CC1=CC=CC2=C1C=CN2 PZOUSPYUWWUPPK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RKJUIXBNRJVNHR-UHFFFAOYSA-N indolenine Natural products C1=CC=C2CC=NC2=C1 RKJUIXBNRJVNHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QDLAGTHXVHQKRE-UHFFFAOYSA-N lichenxanthone Natural products COC1=CC(O)=C2C(=O)C3=C(C)C=C(OC)C=C3OC2=C1 QDLAGTHXVHQKRE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N o-biphenylenemethane Natural products C1=CC=C2CC3=CC=CC=C3C2=C1 NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- AZHVQJLDOFKHPZ-UHFFFAOYSA-N oxathiazine Chemical compound O1SN=CC=C1 AZHVQJLDOFKHPZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CQDAMYNQINDRQC-UHFFFAOYSA-N oxatriazole Chemical compound C1=NN=NO1 CQDAMYNQINDRQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 3
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 3
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XDJOIMJURHQYDW-UHFFFAOYSA-N phenalene Chemical compound C1=CC(CC=C2)=C3C2=CC=CC3=C1 XDJOIMJURHQYDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229950000688 phenothiazine Drugs 0.000 description 3
- 125000004437 phosphorous atom Chemical group 0.000 description 3
- 238000001126 phototherapy Methods 0.000 description 3
- LFSXCDWNBUNEEM-UHFFFAOYSA-N phthalazine Chemical compound C1=NN=CC2=CC=CC=C21 LFSXCDWNBUNEEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 3
- CPNGPNLZQNNVQM-UHFFFAOYSA-N pteridine Chemical compound N1=CN=CC2=NC=CN=C21 CPNGPNLZQNNVQM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- JWVCLYRUEFBMGU-UHFFFAOYSA-N quinazoline Chemical compound N1=CN=CC2=CC=CC=C21 JWVCLYRUEFBMGU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 3
- 230000008313 sensitization Effects 0.000 description 3
- KTQYWNARBMKMCX-UHFFFAOYSA-N tetraphenylene Chemical group C1=CC=C2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C3C2=C1 KTQYWNARBMKMCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 3
- KTZQTRPPVKQPFO-UHFFFAOYSA-N 1,2-benzoxazole Chemical compound C1=CC=C2C=NOC2=C1 KTZQTRPPVKQPFO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BAXOFTOLAUCFNW-UHFFFAOYSA-N 1H-indazole Chemical compound C1=CC=C2C=NNC2=C1 BAXOFTOLAUCFNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 101000577065 Arabidopsis thaliana Mannose-6-phosphate isomerase 2 Proteins 0.000 description 2
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229940126062 Compound A Drugs 0.000 description 2
- NLDMNSXOCDLTTB-UHFFFAOYSA-N Heterophylliin A Natural products O1C2COC(=O)C3=CC(O)=C(O)C(O)=C3C3=C(O)C(O)=C(O)C=C3C(=O)OC2C(OC(=O)C=2C=C(O)C(O)=C(O)C=2)C(O)C1OC(=O)C1=CC(O)=C(O)C(O)=C1 NLDMNSXOCDLTTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QLBALZYOTXGTDQ-VFFCLECNSA-N PGI2-EA Chemical compound O1\C(=C/CCCC(=O)NCCO)C[C@@H]2[C@@H](/C=C/[C@@H](O)CCCCC)[C@H](O)C[C@@H]21 QLBALZYOTXGTDQ-VFFCLECNSA-N 0.000 description 2
- KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N Pyrrole Chemical compound C=1C=CNC=1 KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 2
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 2
- 150000004982 aromatic amines Chemical class 0.000 description 2
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical group 0.000 description 2
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 2
- 150000001721 carbon Chemical group 0.000 description 2
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229940125898 compound 5 Drugs 0.000 description 2
- 239000000412 dendrimer Substances 0.000 description 2
- 229920000736 dendritic polymer Polymers 0.000 description 2
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 2
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 description 2
- 230000005593 dissociations Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 2
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 238000001912 gas jet deposition Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 2
- 239000008240 homogeneous mixture Substances 0.000 description 2
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- HZVOZRGWRWCICA-UHFFFAOYSA-N methanediyl Chemical compound [CH2] HZVOZRGWRWCICA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052755 nonmetal Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 2
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 2
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 2
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 2
- 125000004076 pyridyl group Chemical group 0.000 description 2
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 2
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 2
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 description 2
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 125000004434 sulfur atom Chemical group 0.000 description 2
- 150000003568 thioethers Chemical class 0.000 description 2
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 2
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 2
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 2
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 2
- HCMJWOGOISXSDL-UHFFFAOYSA-N (2-isothiocyanato-1-phenylethyl)benzene Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(CN=C=S)C1=CC=CC=C1 HCMJWOGOISXSDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HWIATMHDQVGMFQ-UHFFFAOYSA-N 1,3-azaborinine Chemical compound B1=CC=CN=C1 HWIATMHDQVGMFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OBUDOIAYABJUHQ-UHFFFAOYSA-N 1,4-azaborinine Chemical compound B1=CC=NC=C1 OBUDOIAYABJUHQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QLSWIGRIBOSFMV-UHFFFAOYSA-N 1h-pyrrol-2-amine Chemical compound NC1=CC=CN1 QLSWIGRIBOSFMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004493 2-methylbut-1-yl group Chemical group CC(C*)CC 0.000 description 1
- 150000005360 2-phenylpyridines Chemical class 0.000 description 1
- 125000003542 3-methylbutan-2-yl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- XBMULXNXJLWLLD-UHFFFAOYSA-N 4,5-bis(4-methoxyphenyl)-2-thiophen-2-yl-1h-imidazole Chemical compound C1=CC(OC)=CC=C1C1=C(C=2C=CC(OC)=CC=2)NC(C=2SC=CC=2)=N1 XBMULXNXJLWLLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DHDHJYNTEFLIHY-UHFFFAOYSA-N 4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline Chemical group C1=CC=CC=C1C1=CC=NC2=C1C=CC1=C(C=3C=CC=CC=3)C=CN=C21 DHDHJYNTEFLIHY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DIVZFUBWFAOMCW-UHFFFAOYSA-N 4-n-(3-methylphenyl)-1-n,1-n-bis[4-(n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]-4-n-phenylbenzene-1,4-diamine Chemical group CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 DIVZFUBWFAOMCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical compound [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003466 9 membered carbocyclic group Chemical group 0.000 description 1
- YJKJAYFKPIUBAW-UHFFFAOYSA-N 9h-carbazol-1-amine Chemical compound N1C2=CC=CC=C2C2=C1C(N)=CC=C2 YJKJAYFKPIUBAW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical group [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910015711 MoOx Inorganic materials 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ABLZXFCXXLZCGV-UHFFFAOYSA-N Phosphorous acid Chemical compound OP(O)=O ABLZXFCXXLZCGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 1
- 229910006095 SO2F Inorganic materials 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical group [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DHXVGJBLRPWPCS-UHFFFAOYSA-N Tetrahydropyran Chemical compound C1CCOCC1 DHXVGJBLRPWPCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101150049278 US20 gene Proteins 0.000 description 1
- LXNHXLLTXMVWPM-UHFFFAOYSA-N Vitamin B6 Natural products CC1=NC=C(CO)C(CO)=C1O LXNHXLLTXMVWPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 1
- 125000005073 adamantyl group Chemical group C12(CC3CC(CC(C1)C3)C2)* 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 125000002009 alkene group Chemical group 0.000 description 1
- 125000002355 alkine group Chemical group 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 125000000129 anionic group Chemical group 0.000 description 1
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 1
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 1
- KCQLSIKUOYWBAO-UHFFFAOYSA-N azaborinine Chemical compound B1=NC=CC=C1 KCQLSIKUOYWBAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001556 benzimidazoles Chemical class 0.000 description 1
- 125000003785 benzimidazolyl group Chemical group N1=C(NC2=C1C=CC=C2)* 0.000 description 1
- 150000003939 benzylamines Chemical class 0.000 description 1
- 230000008033 biological extinction Effects 0.000 description 1
- 125000006269 biphenyl-2-yl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C1=C(*)C([H])=C([H])C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- UORVGPXVDQYIDP-BJUDXGSMSA-N borane Chemical group [10BH3] UORVGPXVDQYIDP-BJUDXGSMSA-N 0.000 description 1
- 229910000085 borane Inorganic materials 0.000 description 1
- BGECDVWSWDRFSP-UHFFFAOYSA-N borazine Chemical compound B1NBNBN1 BGECDVWSWDRFSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 1
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000002915 carbonyl group Chemical group [*:2]C([*:1])=O 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 229940125904 compound 1 Drugs 0.000 description 1
- 229940125782 compound 2 Drugs 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 150000004292 cyclic ethers Chemical class 0.000 description 1
- 125000000113 cyclohexyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 1
- 125000001511 cyclopentyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C1([H])[H] 0.000 description 1
- 125000001559 cyclopropyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C1([H])* 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 125000004431 deuterium atom Chemical group 0.000 description 1
- 125000004987 dibenzofuryl group Chemical group C1(=CC=CC=2OC3=C(C21)C=CC=C3)* 0.000 description 1
- IYYZUPMFVPLQIF-ALWQSETLSA-N dibenzothiophene Chemical group C1=CC=CC=2[34S]C3=C(C=21)C=CC=C3 IYYZUPMFVPLQIF-ALWQSETLSA-N 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical group [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 1
- 125000001475 halogen functional group Chemical group 0.000 description 1
- 238000004128 high performance liquid chromatography Methods 0.000 description 1
- 239000011630 iodine Substances 0.000 description 1
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000959 isobutyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 239000012948 isocyanate Substances 0.000 description 1
- 150000002513 isocyanates Chemical class 0.000 description 1
- 125000001972 isopentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- ZLTPDFXIESTBQG-UHFFFAOYSA-N isothiazole Chemical compound C=1C=NSC=1 ZLTPDFXIESTBQG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CTAPFRYPJLPFDF-UHFFFAOYSA-N isoxazole Chemical compound C=1C=NOC=1 CTAPFRYPJLPFDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000002082 metal nanoparticle Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 125000001160 methoxycarbonyl group Chemical group [H]C([H])([H])OC(*)=O 0.000 description 1
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000001971 neopentyl group Chemical group [H]C([*])([H])C(C([H])([H])[H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 150000002829 nitrogen Chemical class 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 238000013086 organic photovoltaic Methods 0.000 description 1
- 125000002524 organometallic group Chemical class 0.000 description 1
- 150000002916 oxazoles Chemical class 0.000 description 1
- 125000005740 oxycarbonyl group Chemical group [*:1]OC([*:2])=O 0.000 description 1
- 125000001147 pentyl group Chemical group C(CCCC)* 0.000 description 1
- KBBSSGXNXGXONI-UHFFFAOYSA-N phenanthro[9,10-b]pyrazine Chemical compound C1=CN=C2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C3C2=N1 KBBSSGXNXGXONI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RIYPENPUNLHEBK-UHFFFAOYSA-N phenanthro[9,10-b]pyridine Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C3C2=N1 RIYPENPUNLHEBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000843 phenylene group Chemical group C1(=C(C=CC=C1)*)* 0.000 description 1
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical class N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003057 platinum Chemical class 0.000 description 1
- 125000004585 polycyclic heterocycle group Chemical group 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 150000004033 porphyrin derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 150000003216 pyrazines Chemical class 0.000 description 1
- 150000003222 pyridines Chemical class 0.000 description 1
- 235000008160 pyridoxine Nutrition 0.000 description 1
- 239000011677 pyridoxine Substances 0.000 description 1
- 150000003227 pyridoxines Chemical class 0.000 description 1
- 150000003230 pyrimidines Chemical class 0.000 description 1
- 238000012552 review Methods 0.000 description 1
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000002914 sec-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000003548 sec-pentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000001824 selenocyanato group Chemical group *[Se]C#N 0.000 description 1
- 238000001338 self-assembly Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 150000004756 silanes Chemical class 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- 230000000153 supplemental effect Effects 0.000 description 1
- 238000002198 surface plasmon resonance spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 125000001973 tert-pentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- RAOIDOHSFRTOEL-UHFFFAOYSA-N tetrahydrothiophene Chemical compound C1CCSC1 RAOIDOHSFRTOEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CXWXQJXEFPUFDZ-UHFFFAOYSA-N tetralin Chemical compound C1=CC=C2CCCCC2=C1 CXWXQJXEFPUFDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003557 thiazoles Chemical class 0.000 description 1
- 150000003918 triazines Chemical class 0.000 description 1
- 125000000876 trifluoromethoxy group Chemical group FC(F)(F)O* 0.000 description 1
- ATVLVRVBCRICNU-UHFFFAOYSA-N trifluorosilicon Chemical compound F[Si](F)F ATVLVRVBCRICNU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001889 triflyl group Chemical group FC(F)(F)S(*)(=O)=O 0.000 description 1
- UORVGPXVDQYIDP-UHFFFAOYSA-N trihydridoboron Chemical group B UORVGPXVDQYIDP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940011671 vitamin b6 Drugs 0.000 description 1
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Abstract
【課題】有機発光デバイス(OLED)を提供する。【解決手段】アノードと;正孔輸送層と;発光領域と;電子輸送層と;カソードと、を含む有機発光デバイス(OLED)であって、発光領域は、第1の化合物と;第2の化合物と;第3の化合物と、を含み、第1の化合物は、エネルギーを第2の化合物に伝達する増感剤であり;第2の化合物は、発光体であるアクセプターであり;第3の化合物は、第1のホストであり、第1の化合物及び第2の化合物の少なくとも1つは、第3の化合物においてドープされ;第1の化合物、第2の化合物、及び第3の化合物の少なくとも2つは、同じ又は異なる置換基R*を含み;R*は、下記からなる群から選択されるOLEDが提供される。TIFF2024065082000178.tif45166【選択図】図1
Description
関連出願の相互参照
本出願は、2023年5月17日に出願された同時係属中の米国特許出願第18/319,182の一部継続出願である。本出願は、米国特許法第119条の下で、2022年10月27日出願の米国特許仮出願第63/419,782号、2022年11月2日出願の米国特許仮出願第63/421,804号、2022年12月13日出願の米国特許仮出願第63/387,166号、2023年2月7日出願の米国特許仮出願第63/483,647号、2023年2月27日出願の米国特許仮出願第63/487,055号、2023年4月13日出願の米国特許仮出願第63/459,091号、2022年12月21日出願の米国特許仮出願第63/434,161号、2023年2月14日出願の米国特許仮出願第63/484,757号、2023年2月14日出願の米国特許仮出願第63/484,786号、及び2023年3月14日出願の米国特許仮出願第63/490,065号に対する優先権も主張し、上記参照された全ての出願の全内容は、参照により本明細書に組み込まれる。
本出願は、2023年5月17日に出願された同時係属中の米国特許出願第18/319,182の一部継続出願である。本出願は、米国特許法第119条の下で、2022年10月27日出願の米国特許仮出願第63/419,782号、2022年11月2日出願の米国特許仮出願第63/421,804号、2022年12月13日出願の米国特許仮出願第63/387,166号、2023年2月7日出願の米国特許仮出願第63/483,647号、2023年2月27日出願の米国特許仮出願第63/487,055号、2023年4月13日出願の米国特許仮出願第63/459,091号、2022年12月21日出願の米国特許仮出願第63/434,161号、2023年2月14日出願の米国特許仮出願第63/484,757号、2023年2月14日出願の米国特許仮出願第63/484,786号、及び2023年3月14日出願の米国特許仮出願第63/490,065号に対する優先権も主張し、上記参照された全ての出願の全内容は、参照により本明細書に組み込まれる。
本開示は、一般的に、新規組成物及びOLEDデバイス、並びに前記OLEDデバイスの製造及び使用方法に関する。
有機材料を利用する光電子デバイスは、各種理由から、次第に望ましいものとなりつつある。そのようなデバイスを作製するために使用される材料の多くは比較的安価であるため、有機光電子デバイスは無機デバイスを上回るコスト優位性の可能性を有する。加えて、柔軟性等の有機材料の固有の特性により、該材料は、フレキシブル基板上での製作等の特定用途によく適したものとなり得る。有機光電子デバイスの例は、有機発光ダイオード/デバイス(OLED)、有機光トランジスタ、有機光電池、有機シンチレーター、及び有機光検出器を含む。OLEDについて、有機材料は従来の材料を上回る性能の利点を有し得る。
OLEDはデバイス全体に電圧が印加されると光を放出する薄い有機膜を利用する。OLEDは、ディスプレイ、照明及びバックライティング等の用途において使用するためのますます興味深い技術となりつつある。
発光性分子の1つの用途は、フルカラーディスプレイである。そのようなディスプレイの業界標準は、「飽和(saturated)」色と称される特定の色を放出するように適合された画素を必要とする。特に、これらの標準は、飽和した赤色、緑色及び青色画素を必要とする。若しくは、OLEDは、白色光を照射するように設計することができる。従来の、白色バックライトからの液晶ディスプレイ発光は、吸収フィルターを用いてフィルタリングされ、赤色、緑色、及び青色発光を生成する。同様の技術は、OLEDでも用いられることができる。白色OLEDは、単層の発光層(EML)デバイス又は積層体構造のいずれかであることができる。色は、当技術分野において周知のCIE座標を使用して測定することができる。
一態様では、本開示は、有機発光デバイス(OLED)を提供し、前記有機発光デバイス(OLED)は、アノードと;正孔輸送層と;発光領域と;電子輸送層と;カソードと、を含み、前記発光領域は、第1の化合物と;第2の化合物と;第3の化合物と、を含み、前記第1の化合物は、エネルギーを前記第2の化合物に伝達する増感剤であり;前記第2の化合物は、発光体であるアクセプターであり;前記第3の化合物は、第1のホストであり、前記第1の化合物及び前記第2の化合物の少なくとも1つは、前記第3の化合物においてドープされ;前記第1の化合物、前記第2の化合物、及び前記第3の化合物の少なくとも2つは、同じ又は異なる置換基R*を含み;R*は、下記からなる群から選択される。
式中、[X]は、少なくとも1つの6員炭素環、シリル基、ゲルミル基、又は複素環を含む化学部分(chemical moiety)であり;
部分E及びFは、それぞれ独立して、単環式環又は多環式縮合環系であり;
前記単環式環及び前記多環式縮合環系の各環は、独立して、5員又は6員の炭素環又は複素環であり;
RE及びRFは、それぞれ独立して、モノから最大可能置換を表す、又は無置換を表し;
RE及びRFは、それぞれ独立して、水素である、又は重水素、ハロゲン、アルキル、シクロアルキル、ヘテロアルキル、ヘテロシクロアルキル、ボリル、アリールアルキル、アルコキシ、アリールオキシ、アミノ、シリル、ゲルミル、アルケニル、シクロアルケニル、ヘテロアルケニル、アルキニル、アリール、ヘテロアリール、アシル、カルボン酸、エーテル、エステル、ニトリル、イソニトリル、スルファニル、スルフィニル、スルホニル、ホスフィノ、セレニル、及びこれらの組合せからなる群から選択される置換基であり;
任意の隣接する置換基は、任意に結合又は縮合し、環を形成する。
部分E及びFは、それぞれ独立して、単環式環又は多環式縮合環系であり;
前記単環式環及び前記多環式縮合環系の各環は、独立して、5員又は6員の炭素環又は複素環であり;
RE及びRFは、それぞれ独立して、モノから最大可能置換を表す、又は無置換を表し;
RE及びRFは、それぞれ独立して、水素である、又は重水素、ハロゲン、アルキル、シクロアルキル、ヘテロアルキル、ヘテロシクロアルキル、ボリル、アリールアルキル、アルコキシ、アリールオキシ、アミノ、シリル、ゲルミル、アルケニル、シクロアルケニル、ヘテロアルケニル、アルキニル、アリール、ヘテロアリール、アシル、カルボン酸、エーテル、エステル、ニトリル、イソニトリル、スルファニル、スルフィニル、スルホニル、ホスフィノ、セレニル、及びこれらの組合せからなる群から選択される置換基であり;
任意の隣接する置換基は、任意に結合又は縮合し、環を形成する。
更なる態様では、本開示は、第1の化合物と;第2の化合物と;第3の化合物と、を含む組成物も提供し、前記第1の化合物は、室温のOLEDにおいて、エネルギーを前記第2の化合物に伝達する増感剤であり;前記第2の化合物は、室温の前記OLEDにおいて、発光体であるアクセプターであり;前記第3の化合物は、室温の前記OLEDにおいて、第1のホストであり;前記第1の化合物、前記第2の化合物、及び前記第3の化合物の少なくとも2つは、同じ又は異なる置換基R*を含み;R*は、下記からなる群から選択される。
式中、[X]は、少なくとも1つの6員炭素環、シリル基、ゲルミル基、又は複素環を含む化学部分であり;
部分E及びFは、それぞれ独立して、単環式環又は多環式縮合環系であり;
前記単環式環及び前記多環式縮合環系の各環は、独立して、5員又は6員の炭素環又は複素環であり;
RE及びRFは、それぞれ独立して、モノから最大可能置換を表す、又は無置換を表し;
RE及びRFは、それぞれ独立して、水素である、又は本明細書で定義される一般的な置換基からなる群から選択される置換基であり;
任意の隣接する置換基は、任意に結合又は縮合し、環を形成し;
前記組成物は、前記第1の化合物、前記第2の化合物、及び前記第3の化合物の少なくとも2つを含む。
部分E及びFは、それぞれ独立して、単環式環又は多環式縮合環系であり;
前記単環式環及び前記多環式縮合環系の各環は、独立して、5員又は6員の炭素環又は複素環であり;
RE及びRFは、それぞれ独立して、モノから最大可能置換を表す、又は無置換を表し;
RE及びRFは、それぞれ独立して、水素である、又は本明細書で定義される一般的な置換基からなる群から選択される置換基であり;
任意の隣接する置換基は、任意に結合又は縮合し、環を形成し;
前記組成物は、前記第1の化合物、前記第2の化合物、及び前記第3の化合物の少なくとも2つを含む。
更に別の態様では、本開示は、モノマー、ポリマー、巨大分子、及び超分子からなる群から選択される化学構造/アセンブリを更に提供し、前記化学構造/アセンブリは、以下の成分:
第1の化合物、それらの一価又は多価のバリアント;
第2の化合物、それらの一価又は多価のバリアント;及び
第3の化合物、それらの一価又は多価のバリアント;
の少なくとも2つを含み;
前記第1の化合物は、室温のOLEDにおいて、エネルギーを前記第2の化合物に伝達する増感剤であり;
前記第2の化合物は、室温の前記OLEDにおいて、発光体であるアクセプターであり;
前記第3の化合物は、室温の前記OLEDにおいて、第1のホストである。
第1の化合物、それらの一価又は多価のバリアント;
第2の化合物、それらの一価又は多価のバリアント;及び
第3の化合物、それらの一価又は多価のバリアント;
の少なくとも2つを含み;
前記第1の化合物は、室温のOLEDにおいて、エネルギーを前記第2の化合物に伝達する増感剤であり;
前記第2の化合物は、室温の前記OLEDにおいて、発光体であるアクセプターであり;
前記第3の化合物は、室温の前記OLEDにおいて、第1のホストである。
更に別の態様では、本開示は、第1の化合物及び第2の化合物の混合物である予混合共蒸発源も提供し;
共蒸発源は、真空堆積プロセス又はOVJPプロセスのための共蒸発源であり;
第1の化合物及び第2の化合物は、以下からなる群から異なって選択され:
(1)室温のOLEDにおいて発光体であるアクセプターにエネルギーを伝達する増感剤である化合物;
(2)室温のOLEDにおいて発光体であるアクセプターである化合物;
(3)室温のOLEDにおいてホストである化合物;
第1の化合物は、150~350℃の蒸発温度T1を有し;
第2の化合物は、150~350℃の蒸発温度T2を有し;
T1-T2の絶対値は、20℃未満であり;
第1の化合物は、前記混合物における濃度C1及び膜における濃度C2を有し、前記膜は、蒸発させる前記混合物から離れた、あらかじめ決められた距離で位置される表面上で、2Å/sec堆積速度で、1×10-6Torr~1×10-9Torrの一定圧力で、真空堆積ツール内で前記混合物を蒸発させることによって形成され;
(C1-C2)/C1の絶対値は、5%未満である。
共蒸発源は、真空堆積プロセス又はOVJPプロセスのための共蒸発源であり;
第1の化合物及び第2の化合物は、以下からなる群から異なって選択され:
(1)室温のOLEDにおいて発光体であるアクセプターにエネルギーを伝達する増感剤である化合物;
(2)室温のOLEDにおいて発光体であるアクセプターである化合物;
(3)室温のOLEDにおいてホストである化合物;
第1の化合物は、150~350℃の蒸発温度T1を有し;
第2の化合物は、150~350℃の蒸発温度T2を有し;
T1-T2の絶対値は、20℃未満であり;
第1の化合物は、前記混合物における濃度C1及び膜における濃度C2を有し、前記膜は、蒸発させる前記混合物から離れた、あらかじめ決められた距離で位置される表面上で、2Å/sec堆積速度で、1×10-6Torr~1×10-9Torrの一定圧力で、真空堆積ツール内で前記混合物を蒸発させることによって形成され;
(C1-C2)/C1の絶対値は、5%未満である。
更に別の態様では、本開示は、有機発光デバイスを作製する方法を更に提供し、前記方法は、
その上に配置された第1の電極を有する基板を準備することと;
1×10-6Torr~1×10-9Torrのチャンバー底面圧で高真空堆積ツール内において、第1の化合物及び第2の化合物の混合物である予混合共蒸発源を蒸発させることによって前記第1の電極の上に第1の有機層を堆積することと;
前記第1の有機層の上に第2の電極を堆積することと、
を含み、
第1の化合物及び第2の化合物は、以下からなる群から異なって選択され:
(1)室温のOLEDにおいて発光体であるアクセプターにエネルギーを伝達する増感剤である化合物;
(2)室温のOLEDにおいて発光体であるアクセプターである化合物;
(3)室温のOLEDにおいてホストである化合物;
第1の化合物は、150~350℃の蒸発温度T1を有し;
第2の化合物は、150~350℃の蒸発温度T2を有し;
T1-T2の絶対値は、20℃未満であり
第1の化合物は、前記混合物における濃度C1及び膜における濃度C2を有し、前記膜は、蒸発させる前記混合物から離れた、あらかじめ決められた距離で位置される表面上で、2Å/sec堆積速度で、1×10-6Torr~1×10-9Torrの一定圧力で、真空堆積ツール内で前記混合物を蒸発させることによって形成され;
(C1-C2)/C1の絶対値は、5%未満である。
その上に配置された第1の電極を有する基板を準備することと;
1×10-6Torr~1×10-9Torrのチャンバー底面圧で高真空堆積ツール内において、第1の化合物及び第2の化合物の混合物である予混合共蒸発源を蒸発させることによって前記第1の電極の上に第1の有機層を堆積することと;
前記第1の有機層の上に第2の電極を堆積することと、
を含み、
第1の化合物及び第2の化合物は、以下からなる群から異なって選択され:
(1)室温のOLEDにおいて発光体であるアクセプターにエネルギーを伝達する増感剤である化合物;
(2)室温のOLEDにおいて発光体であるアクセプターである化合物;
(3)室温のOLEDにおいてホストである化合物;
第1の化合物は、150~350℃の蒸発温度T1を有し;
第2の化合物は、150~350℃の蒸発温度T2を有し;
T1-T2の絶対値は、20℃未満であり
第1の化合物は、前記混合物における濃度C1及び膜における濃度C2を有し、前記膜は、蒸発させる前記混合物から離れた、あらかじめ決められた距離で位置される表面上で、2Å/sec堆積速度で、1×10-6Torr~1×10-9Torrの一定圧力で、真空堆積ツール内で前記混合物を蒸発させることによって形成され;
(C1-C2)/C1の絶対値は、5%未満である。
A.用語
特段の断りがない限り、本明細書に使用される下記用語は、以下の通り定義される。
特段の断りがない限り、本明細書に使用される下記用語は、以下の通り定義される。
本明細書において使用される場合、「頂部」は基板から最遠部を意味するのに対し、「底部」は基板の最近部を意味する。第1の層が第2の層「の上に配置されている」と記述される場合、第1の層のほうが基板から遠くに配置されている。第1の層が第2の層「と接触している」ことが指定されているのでない限り、第1の層と第2の層との間に他の層があってもよい。例えば、間に種々の有機層があるとしても、カソードはアノード「の上に配置されている」と記述され得る。
本明細書において使用される場合、「溶液プロセス可能な」は、溶液又は懸濁液形態のいずれかの液体媒質に溶解、分散若しくは輸送されることができ、且つ/又は該媒質から堆積されることができるという意味である。
本明細書において使用される場合、当業者には概して理解されるように、第1の「最高被占分子軌道」(HOMO)又は「最低空分子軌道」(LUMO)エネルギー準位は、第1のエネルギー準位が真空エネルギー準位に近ければ、第2のHOMO又はLUMOエネルギー準位「よりも大きい」又は「よりも高い」。イオン化ポテンシャル(IP)は、真空準位と比べて負のエネルギーとして測定されるため、より高いHOMOエネルギー準位は、より小さい絶対値を有するIP(あまり負でないIP)に相当する。同様に、より高いLUMOエネルギー準位は、より小さい絶対値を有する電子親和力(EA)(あまり負でないEA)に相当する。頂部に真空準位がある従来のエネルギー準位図において、材料のLUMOエネルギー準位は、同じ材料のHOMOエネルギー準位よりも高い。「より高い」HOMO又はLUMOエネルギー準位は、「より低い」HOMO又はLUMOエネルギー準位よりもそのような図の頂部に近いように思われる。
本明細書において使用される場合、当業者には概して理解されるように、第1の仕事関数がより高い絶対値を有するならば、第1の仕事関数は第2の仕事関数「よりも大きい」又は「よりも高い」。仕事関数は概して真空準位と比べて負数として測定されるため、これは「より高い」仕事関数が更に負であることを意味する。頂部に真空準位がある従来のエネルギー準位図において、「より高い」仕事関数は、真空準位から下向きの方向に遠く離れているものとして例証される。故に、HOMO及びLUMOエネルギー準位の定義は、仕事関数とは異なる慣例に準ずる。
「ハロ」、「ハロゲン」、及び「ハライド」という用語は、相互交換可能に使用され、フッ素、塩素、臭素、及びヨウ素を指す。
「アシル」という用語は、置換されたカルボニル基(C(O)-Rs)を指す。
「エステル」という用語は、置換されたオキシカルボニル(-O-C(O)-Rs又は-C(O)-O-Rs)基を指す。
「エーテル」という用語は、-ORs基を指す。
「スルファニル」又は「チオエーテル」という用語は、相互交換可能に使用され、-SRs基を指す。
「セレニル」という用語は、-SeRs基を指す。
「スルフィニル」という用語は、-S(O)-Rs基を指す。
「スルホニル」という用語は、-SO2-Rs基を指す。
「ホスフィノ」という用語は、関連する分子に結合するために使用される少なくとも1つのリン原子を含む基を指し、一般的な例としては、-P(Rs)2基又は-PO(Rs)2基が挙げられるが、これらに限定されるものではなく、各Rsは同一であっても異なっていてもよい。
「シリル」という用語は、関連する分子に結合するために使用される少なくとも1つのケイ素原子を含む基を指し、一般的な例としては、-Si(Rs)3基が挙げられるが、これらに限定されるものではなく、各Rsは同一であっても異なっていてもよい。
「ゲルミル」という用語は、関連する分子に結合するために使用される少なくとも1つのゲルマニウム原子を含む基を指し、一般的な例としては、-Ge(Rs)3基が挙げられるが、これらに限定されるものではなく、各Rsは同一であっても異なっていてもよい。
「ボリル」という用語は、関連する分子に結合するために使用される少なくとも1つのホウ素原子を含む基を指し、一般的な例としては、-B(Rs)2基又はそのルイス付加物-B(Rs)3基等が挙げられるが、これらに限定されるものではなく、各Rsは同一であっても異なっていてもよい。
上記のそれぞれにおいて、Rsは、水素であることができる、又は本出願で定義される一般的な置換基であることができる。好ましいRsは、重水素、ハロゲン、アルキル、シクロアルキル、ヘテロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリールアルキル、アルコキシ、アリールオキシ、アミノ、シリル、アルケニル、シクロアルケニル、ヘテロアルケニル、アルキニル、アリール、ヘテロアリール、及びこれらの組合せからなる群から選択される。より好ましいRsは、アルキル、シクロアルキル、アリール、ヘテロアリール、及びこれらの組合せからなる群から選択される。
「アルキル」という用語は、直鎖及び分岐鎖アルキル基の両方を指し、含む。好ましいアルキル基としては、1個から15個までの炭素原子、好ましくは1個から9個までの炭素原子を含むものであり、メチル、エチル、プロピル、1-メチルエチル、ブチル、1-メチルプロピル、2-メチルプロピル、ペンチル、1-メチルブチル、2-メチルブチル、3-メチルブチル、1,1-ジメチルプロピル、1,2-ジメチルプロピル、及び2,2-ジメチルプロピル等が挙げられる。更に、前記アルキル基は、更に置換されていてもよい。
「シクロアルキル」という用語は、単環式、多環式、及びスピロアルキル基を指し、含む。好ましいシクロアルキル基は、3~12個の環炭素原子を含むものであり、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシル、ビシクロ[3.1.1]ヘプチル、スピロ[4.5]デシル、スピロ[5.5]ウンデシル、アダマンチル等が挙げられる。更に、前記シクロアルキル基は、更に置換されていてもよい。
「ヘテロアルキル」又は「ヘテロシクロアルキル」という用語は、それぞれ、ヘテロ原子によって置換された少なくとも1つの炭素原子を有するアルキル基又はシクロアルキル基を指す。任意に、少なくとも1つのヘテロ原子は、O、S、N、P、B、Si、Ge、及びSe、好ましくはO、S、又はNから選択される。更に、前記ヘテロアルキル基又は前記ヘテロシクロアルキル基は、更に置換されていてもよい。
「アルケニル」という用語は、直鎖及び分枝鎖のアルケン基の両方を指し、含む。アルケニル基は、本質的に、アルキル鎖中に少なくとも1つの炭素-炭素二重結合を含むアルキル基である。シクロアルケニル基は、本質的に、シクロアルキル環中に少なくとも1つの炭素-炭素二重結合を含むシクロアルキル基である。本明細書で使用される「ヘテロアルケニル」という用語は、ヘテロ原子によって置換された少なくとも1つの炭素原子を有するアルケニル基を指す。任意に、少なくとも1つのヘテロ原子は、O、S、N、P、B、Si、Ge、及びSe、好ましくはO、S、又はNから選択される。好ましいアルケニル、シクロアルケニル、又はヘテロアルケニル基は、2~15個の炭素原子を含むものである。更に、前記アルケニル、前記シクロアルケニル、又は前記ヘテロアルケニル基は、更に置換されていてもよい。
「アルキニル」という用語は、直鎖及び分枝鎖アルキン基の両方を指し、含む。アルキニル基は、本質的に、アルキル鎖に少なくとも1つの炭素-炭素三重結合を含むアルキル基である。好ましいアルキニル基は、2~15個の炭素原子を含むものである。更に、前記アルキニル基は、更に置換されていてもよい。
「アラルキル」又は「アリールアルキル」という用語は、相互交換可能に使用され、アリール基で置換されたアルキル基を指す。更に、前記アラルキル基は、更に置換されていてもよい。
「複素環式基(ヘテロ環基;heterocyclic group)」という用語は、少なくとも1つのヘテロ原子を含む芳香族及び非芳香族の環式基を指し、含む。任意に、前記少なくとも1つのヘテロ原子は、O、S、N、P、B、Si、Ge、及びSe、好ましくはO、S、N、又はBから選択される。ヘテロ芳香族環式基は、ヘテロアリールと相互交換可能に使用され得る。好ましいヘテロ非芳香族環式基は、3~10個の環原子を含むもの、好ましくは3~7個の環原子を含むものであって、少なくとも1つのヘテロ原子を含み、モルホリノ、ピペリジノ、ピロリジノ等の環式アミン、及び例えばテトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン、テトラヒドロチオフェン等の環式エーテル/チオエーテルを含む。更に、前記複素環式基は、任意に置換又は縮合されていてもよい。
「アリール」という用語は、単環式芳香族ヒドロカルビル基及び多環式芳香族ヒドロカルビルの両方を指し、含む。多環とは、2つの隣接する環(前記環は、「縮合」している)に2つの炭素が共有されている2つ以上の環を有することができる。好ましいアリール基は、6~30個の炭素原子を含むものであり、6~24個の炭素原子を含むもの、6~18個の炭素原子を含むものが好ましく、6~12個の炭素原子を含むものが更に好ましい。6個の炭素を有するアリール基、10個の炭素を有するアリール基、12個の炭素を有するアリール基、14個の炭素を有するアリール基、又は18個の炭素を有するアリール基が特に好ましい。好適なアリール基としては、フェニル、ビフェニル、トリフェニル、トリフェニレン、テトラフェニレン、ナフタレン、アントラセン、フェナレン、フェナンスレン、ピレン、クリセン、ペリレン、及びアズレン等が挙げられ、フェニル、ビフェニル、トリフェニル、トリフェニレン、及びナフタレンが好ましい。更に、前記アリール基は、更にフルオレン等に縮合又は置換されてもよいが、これらに限定されない。
「ヘテロアリール」という用語は、少なくとも1つのヘテロ原子を含む単環式芳香族基及び多環式芳香族環系の両方を指し、含む。ヘテロ原子としては、O、S、Se、N、P、B、Si、Ge、及びSeが挙げられるが、これらに限定されない。多くの例においては、O、S、N、又はBが好ましいヘテロ原子である。ヘテロ単環式芳香族系は、好ましくは5個又は6個の環原子を有する単環であり、前記環は1~6個のヘテロ原子を有することができる。ヘテロ多環式環系は、2つの原子が2つの隣接する環(前記環は「縮合している」)に共通している2つ以上の芳香族環を有することができ、前記環の少なくとも1つはヘテロアリールである。複素多環式芳香族環系は、多環式芳香族環系の環当たり1~6個のヘテロ原子を有することができる。好ましいヘテロアリール基は、3~30個の炭素原子を含むものであり、3~24個の炭素原子を含むもの、3~18個の炭素原子を含むものが好ましく、3~12個の炭素原子を含むものがより好ましい。好適なヘテロアリール基としては、ジベンゾチオフェン、ジベンゾフラン、ジベンゾセレノフェン、フラン、チオフェン、ベンゾフラン、ベンゾチオフェン、ベンゾセレノフェン、カルバゾール、インドロカルバゾール、ピリジルインドール、ピロロジピリジン、ピラゾール、イミダゾール、トリアゾール、オキサゾール、チアゾール、オキサジアゾール、オキサトリアゾール、ジオキサゾール、チアジアゾール、ピリジン、ピリダジン、ピリミジン、ピラジン、トリアジン、オキサジン、オキサチアジン、オキサジアジン、インドール、ベンズイミダゾール、インダゾール、インドキサジン、ベンゾキサゾール、ベンズイソオキサゾール、ベンゾチアゾール、キノリン、イソキノリン、シンノリン、キナゾリン、キノキサリン、ナフチリジン、フタラジン、プテリジン、キサンテン、アクリジン、フェナジン、フェノチアジン、フェノキサジン、ベンゾフロピリジン、フロジピリジン、ベンゾチエノピリジン、チエノジピリジン、ベンゾセレノフェノピリジン、及びセレノフェノジピリジンが挙げられ、ジベンゾチオフェン、ジベンゾフラン、ジベンゾセレノフェン、カルバゾール、インドロカルバゾール、イミダゾール、ピリジン、トリアジン、ベンズイミダゾール、1,2-アザボリン、1,3-アザボリン、1,4-アザボリン、ボラジン、及びこれらのアザ類似体が好ましい。更に、前記ヘテロアリール基は、更に置換又は縮合されていてもよい。
上記にリストされる前記アリール及び前記ヘテロアリール基のうち、トリフェニレン、ナフタレン、アントラセン、ジベンゾチオフェン、ジベンゾフラン、ジベンゾセレノフェン、カルバゾール、インドロカルバゾール、イミダゾール、ピリジン、ピラジン、ピリミジン、トリアジン、及びベンズイミダゾールの基、並びにそのそれぞれのアザ類似体が、特に興味深い。
多くの例において、前記一般的な置換基は、重水素、ハロゲン、アルキル、シクロアルキル、ヘテロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリールアルキル、アルコキシ、アリールオキシ、アミノ、シリル、ゲルミル、ボリル、アルケニル、シクロアルケニル、ヘテロアルケニル、アルキニル、アリール、ヘテロアリール、アシル、カルボン酸、エーテル、エステル、ニトリル、イソニトリル、スルファニル、セレニル、スルフィニル、スルホニル、ホスフィノ、セレニル、及びそれらの組合せからなる群から選択される。
幾つかの例において、好ましい一般的な置換基は、重水素、フッ素、アルキル、シクロアルキル、ヘテロアルキル、アルコキシ、アリールオキシ、アミノ、シリル、ゲルミル、ボリル、アルケニル、シクロアルケニル、ヘテロアルケニル、アリール、ヘテロアリール、ニトリル、イソニトリル、スルファニル、及びそれらの組合せからなる群から選択される。
幾つかの例においては、より好ましい一般的な置換基は、重水素、フッ素、アルキル、シクロアルキル、アルコキシ、アリールオキシ、アミノ、シリル、ボリル、アリール、ヘテロアリール、ニトリル、スルファニル、及びそれらの組合せからなる群から選択される。
更に他の例においては、最も好ましい一般的な置換基は、重水素、フッ素、アルキル、シクロアルキル、シリル、アリール、ヘテロアリール、ニトリル、及びこれらの組合せからなる群から選択される。
更に他の例においては、最も好ましい一般的な置換基は、重水素、アルキル、シクロアルキル、アリール、ヘテロアリール、及びそれらの組合せからなる群から選択される。
「置換された」及び「置換」という用語は、関連する位置(例えば炭素又は窒素)に結合されているH以外の置換基を指す。例えば、R1がモノ置換を表す場合、1つのR1はH以外でなければならない(即ち、置換)。同様に、R1がジ置換を表す場合、R1の2つはH以外でなければならない。同様に、R1がゼロ又は無置換を表す場合、R1は、例えば、ベンゼンにおける炭素原子及びピロール中の窒素原子の場合のように、環原子の利用可能な原子価における水素であることができる、又は完全に満たされた原子価を有する環原子(例えば、ピリジン中の窒素)の場合には単に何も表さない。環構造において可能な置換の最大数は、環原子における利用可能な原子価の総数に依存する。
本明細書中で使用される場合、「それらの組合せ」は、適用されるリストから当業者が想到することができる、知られた又は化学的に安定な配置を形成するために、適用されるリストの1以上のメンバーが組み合わされることを示す。例えば、アルキル及び重水素は、組み合わされて、部分的又は完全に重水素化されたアルキル基を形成することができる;ハロゲン及びアルキルは、組み合わされて、ハロゲン化アルキル置換基を形成することができる;ハロゲン、アルキル、及びアリールは、組み合わされて、ハロゲン化アリールアルキルを形成することができる。1つの例においては、置換という用語は、リストされた基の2~4個の組合せを含む。別の例においては、置換という用語は、2~3個の基の組合せを含む。更に別の例では、置換という用語は、2個の基の組合せを含む。置換基の好ましい組合せは、水素又は重水素でない50個までの原子を含むもの、又は水素又は重水素ではない40個までの原子を含むもの、又は水素若しくは重水素ではない30個までの原子を含むものである。多くの例においては、置換基の好ましい組合せは、水素又は重水素ではない20個までの原子を含む。
本明細書において記述されるフラグメント、例えば、アザ-ジベンゾフラン、アザ-ジベンゾチオフェン等の中の「アザ」という名称は、各芳香族環中のC-H基の1以上が窒素原子に置き換わることができることを意味し、例えば、何ら限定するものではないが、アザトリフェニレンは、ジベンゾ[f,h]キノキサリンとジベンゾ[f,h]キノリンのいずれをも包含する。当業者であれば、上述のアザ誘導体の他の窒素類似体を容易に想像することができ、このような類似体全てが本明細書に記載の前記用語によって包含されることが意図される。
本明細書で使用される「重水素」は、水素の同位体を指す。重水素化化合物は、当該分野で公知の方法を用いて容易に調製されることができる。例えば、それらの内容の全体を参照によって援用する、米国特許第8,557,400号明細書、国際公開第WO2006/095951号、及び米国特許出願公開第2011/0037057号には、重水素で置換された有機金属錯体の作製が記載されている。更なる参照は、それらの内容の全体を参照によって組み込まれる、Tetrahedron 2015,71,1425~30(Ming Yanら)及びAngew.Chem.Int.Ed.(Reviews)2007,46,7744~65(Atzrodtら)によって為され、ベンジルアミン中のメチレン水素の重水素化及び芳香族環水素を重水素で置換する効率的な経路が、それぞれ記載されている。
本明細書で使用されるように、メチル、フェニル、ピリジル等であるがこれらに限定されない任意の具体的に挙げられている置換基は、これらの重水素化されていない、部分的に重水素化された、及び完全に重水素化されたバージョンを含む。同様に、アルキル、アリール、シクロアルキル、ヘテロアリール等であるがこれらに限定されない置換基のクラスも、これらの重水素化されていない、部分的に重水素化された、及び完全に重水素化されたバージョンも含む。更に特定されたH又はDのない化学構造は、それらの重水素化されていない、部分的に重水素化された、及び完全に重水素化されたバージョンを含むと考えるべきである。幾つかの一般的な最小の部分的に又は完全に重水素化された基としては、CD3、CD2C(CH3)3、C(CD3)3、及びC6D5が挙げられるが、これらに限定されない。
分子フラグメントが置換基であるとして記述される、又は他の部分に結合されているものとして記述される場合、その名称は、フラグメント(例えば、フェニル、フェニレン、ナフチル、ジベンゾフリル)又は分子全体(例えば、ベンゼン、ナフタレン、ジベンゾフラン)であるように記載されることがあることを理解されたい。本明細書においては、置換基又は結合フラグメントの表示の仕方が異なっていても、これらは、等価であると考える。
幾つかの例においては、分子中の対の置換基は、任意に結合又は縮合し、環を形成することができる。好ましい環は、5員環~9員環の炭素環又は複素環であり、対の置換基によって形成される環の部分が飽和されている例、及び対の置換基によって形成される環の部分が不飽和である例の両方を含む。更に他の例では、対の隣接する置換基は、任意に結合又は融合して環を形成することができる。本明細書中で使用される「隣接する」は、関連する2つの置換基が、互いに隣り合って同じ環上にあることができる、又はビフェニルにおける2位と2’位、及びナフタレンにおける1位と8位等、2つの最も近い利用可能な置換可能位置を有する2つの隣どうしの環上にあることができることを意味する。
層、材料、領域、及びデバイスは、それらが発する光の色に関連して本明細書に記載されることができる。一般に、本明細書において使用される場合、特定の色の光を生成すると記述される発光領域は、積層体内で相互に配置された1以上の発光層を含むことができる。
本明細書において使用される場合、「赤色」層、材料、領域、又はデバイスとは、約580nm~700nmの範囲で発光するか、その領域で発光スペクトルのピークが最も高いものを指す。同様に、「緑色」層、材料、領域、デバイスとは、約500nm~600nmの範囲において、発光するか、ピーク波長を有する発光スペクトルを有するものを指す。「青色」層、材料、又はデバイスとは、約400nm~500nmの範囲において、発光するか、ピーク波長を有する発光スペクトルを有するものを指す。「黄色」層、材料、領域、又はデバイスとは、約540nm~600nmの範囲において、ピーク波長を有する発光スペクトルを有するものを指す。幾つかの配置においては、別々の領域、層、材料、領域、又はデバイスが、別々の「濃い青色」と「薄い青色」の光を提供することができる。本明細書において使用される場合、別々の「薄い青色」と「濃い青色」を提供する配置において、「濃い青色」成分とは、「薄い青色」成分のピーク発光波長よりも少なくとも約4nm小さいピーク発光波長を持つものを指す。通常、「薄い青色」成分は、約465nm~500nmの範囲でピーク発光波長を有し、「濃い青色」成分は、約400nm~470nmの範囲でピーク発光波長を有するが、これらの範囲は、幾つかの構成によって異なる場合がある。同様に、色変化層は、別の色の光を、その色に特定された波長を有する光に変換又は変更する層を指す。例えば、「赤色」のカラーフィルターは、約580nm~700nmの範囲の波長を有する光をもたらすフィルターを指す。一般に、色変化層には、不要な波長の光を除去してスペクトルを変更させるカラーフィルターと、高エネルギーの光子を低エネルギーに変換する色変化層の2つのクラスがある。「色の」成分とは、活性化又は使用されると、前述のように特定の色を有する光を生成又は放出する成分を指す。例えば、「第1の色の第1の発光領域」と「前記第1の色とは異なる第2の色の第2の発光領域」は、デバイス内で活性化されると、前述のように2つの異なる色を発する2つの発光領域を記述する。
本明細書において使用される場合、発光材料、層、及び領域は、同じ又は異なる構造によって最終的に放射される光とは対照的に、材料、層、又は領域によって最初に生成された光に基づいて、互いに、及び他の構造から区別されることができる。通常、最初の光の発生は、光子の放出をもたらすエネルギーレベルの変化の結果である。例えば、有機発光材料は、最初に青色光を生成することができ、これはカラーフィルター、量子ドット、又はその他の構造によって赤色光又は緑色光に変換されることができ、それによって完全な発光積層体又はサブピクセルは、赤色光又は緑色光を発する。この場合、前記サブピクセルが、「赤色」又は「緑色」成分であっても、最初の発光材料又は層は「青色」成分と呼ばれることがある。
幾つかの例では、発光領域、サブピクセル、色変化層等の成分の色を1931CIE座標で記述することが好ましいことがある。例えば、黄色の発光材料は、複数のピーク発光波長を有することがあり、一つは前述のように「緑」領域のエッジ内又はその近くにあり、もう一つは「赤」領域のエッジ内又はその近くにある。したがって、本明細書で使用されるように、各色の用語は、1931CIE座標色空間の形状にも対応する。1931CIE色空間の形状は、2つの色点と任意の追加の内部点との間の座標をたどることによって構築される。例えば、赤、緑、青、黄の内部形状パラメータは、次のように定義することができる。
OLEDに関する更なる詳細、及び前記した定義は、参照によりその全体が組み込まれる米国特許第7,279,704号明細書にみることができる。
本明細書に開示されるように、図1~2にそれぞれ示される発光層135及び発光層220等の発光層又は材料は、量子ドットを含むことができる。本明細書に開示されるような「発光層」又は「発光材料」は、当業者の理解に応じて明示的に又は文脈によって反対に示されない限り、有機発光材料及び/又は量子ドット又は同等の構造を含む発光材料を含むことができる。一般的に、発光層は、ホストマトリックス内に発光材料を含む。そのような発光層は、別々の発光材料又は他の発光体によって放出された光を変換する量子ドット材料のみを含むことができる、又は別々の発光材料又は他の発光体も含むことができる、又は電流の印加から直接光自体を放出することができる。同様に、色変化層、カラーフィルター、アップコンバージョン、又はダウンコンバージョン層又は構造は、量子ドットを含む材料を含むことができるが、そのような層は、本明細書に開示されるような「発光層」とはみなされない。一般に、「発光層」又は材料は、注入された電荷に基づいて初期光を放出するものであり、初期光は、それ自体はデバイス内で初期光を放出しないが、発光層によって放出された初期光の吸収及びより低いエネルギー発光へのダウンコンバージョンに基づいて、異なるスペクトル含有量の変化した光を再放出することができるカラーフィルター又は他の色変化層の等の別の層によって変更され得る。明細書に開示される幾つかの実施形態では、色変化層、カラーフィルター、アップコンバージョン、及び/又はダウンコンバージョン層は、OLEDデバイスの電極の上又は下等、OLEDデバイスの外部に配置され得る。
別段の規定がない限り、種々の実施形態の層のいずれも、任意の適切な方法によって堆積され得る。有機層について、好ましい方法は、参照によりその全体が組み込まれる米国特許第6,013,982号明細書及び同第6,087,196号明細書において記述されているもの等の熱蒸着、インクジェット、参照によりその全体が組み込まれるForrestらの米国特許第6,337,102号において記述されているもの等の有機気相堆積(OVPD)、並びに参照によりその全体が組み込まれる米国特許第7,431,968号明細書において記述されているもの等の有機気相ジェットプリンティング(OVJP、有機気相ジェット堆積(OVJD)とも称される)による堆積を含む。他の適切な堆積法は、スピンコーティング及び他の溶液ベースのプロセスを含む。溶液ベースのプロセスは、好ましくは、窒素又は不活性雰囲気中で行われる。他の層について、好ましい方法は熱蒸着を含む。好ましいパターニング法は、参照によりその全体が組み込まれる米国特許第6,294,398号明細書及び同第6,468,819号明細書において記述されているもの等のマスク、冷間圧接を経由する堆積、並びにインクジェット及びOVJD等の堆積法の幾つかに関連するパターニングを含む。他の方法を使用してもよい。堆積する材料は、特定の堆積法と適合するように修正され得る。例えば、分枝鎖状又は非分枝鎖状であり、好ましくは少なくとも3個の炭素を含有するアルキル及びアリール基等の置換基は、溶液プロセシングを受ける能力を増強するために、低分子において使用され得る。20個以上の炭素を有する置換基を使用してよく、3~20個の炭素が好ましい範囲である。非対称構造を有する材料は、対称構造を有するものよりも良好な溶液プロセス性を有し得、これは、非対称材料のほうが再結晶する傾向が低くなり得るからである。溶液プロセシングを受ける低分子の能力を増強するために、デンドリマー置換基が使用され得る。
本開示の実施形態にしたがって製作されたデバイスは、バリア層を更に含んでいてよい。バリア層の1つの目的は、電極及び有機層を、水分、蒸気及び/又はガス等を含む環境における有害な種への損傷性暴露から保護することである。バリア層は、基板、電極の上、下若しくは隣に、又はエッジを含むデバイスの任意の他の部分の上に堆積し得る。バリア層は、単層又は多層を含んでいてよい。バリア層は、種々の公知の化学気相堆積技術によって形成され得、単相を有する組成物及び多相を有する組成物を含み得る。任意の適切な材料又は材料の組合せをバリア層に使用してよい。バリア層は、無機若しくは有機化合物又は両方を組み込み得る。好ましいバリア層は、参照によりその全体が本明細書に組み込まれる、米国特許第7,968,146号明細書、PCT特許出願第PCT/US2007/023098号及び同第PCT/US2009/042829号において記述されている、ポリマー材料及び非ポリマー材料の混合物を含む。「混合物」とみなされるためには、バリア層を含む前記のポリマー及び非ポリマー材料は、同じ反応条件下で及び/又は同時に堆積されるべきである。非ポリマー材料に対するポリマー材料の重量比は、95:5から5:95の範囲内となり得る。ポリマー材料及び非ポリマー材料は、同じ前駆体材料から作製され得る。一例において、ポリマー材料及び非ポリマー材料の混合物は、ポリマーケイ素及び無機ケイ素から本質的になる。
蛍光OLEDの内部量子効率(IQE)は、遅延蛍光によって25%スピン統計限界を超えることができると考えられている。本明細書で使用されるように、P型遅延蛍光とE型遅延蛍光の2種類の遅延蛍光がある。P型遅延蛍光は、三重項-三重項消滅(TTA)から発生する。
一方で、E型遅延蛍光は、2つの三重項の衝突に依存せず、むしろ三重項状態と一重項励起状態との間の熱ポピュレーションに依存する。E型遅延蛍光を生成することができる化合物は、非常に小さい一重項-三重項ギャップを有することが必要とされる。熱エネルギーは、三重項状態から一重項状態に戻る遷移を活性化することができる。このタイプの遅延蛍光は、熱活性化遅延蛍光(TADF)としても知られている。TADFの特有の特徴は、増加した熱エネルギーにより温度が上昇すると遅延成分が増加することである。逆項間交差速度が三重項状態からの非放射減衰を最小にするのに十分な速さであれば、逆集合一重項励起状態の割合は潜在的に75%に達することができる。全一重項分率は100%であることができ、電気的に発生した励起子のスピン統計限界をはるかに超える。
E型遅延蛍光特性は、エキシプレックス系又は単一化合物に見られることができる。理論に縛られることなく、E型遅延蛍光は発光材料が小さい一重項‐三重項エネルギーギャップ(ΔES‐T)を有することを必要とすると考えられている。有機、非金属含有、ドナー‐アクセプター発光材料はこれを達成できるかもしれない。これらの材料における発光は、ドナー‐アクセプター電荷移動(CT)型発光としてしばしば特徴付けられる。これらのドナー‐アクセプター型化合物におけるHOMOとLUMOの空間分離は、しばしば小さなΔES‐Tをもたらす。これらの状態はCT状態を含む。多くの場合、ドナー-アクセプター発光材料は、アミノ-又はカルバゾール誘導体等の電子ドナー部分と、N含有6員芳香族環等の電子アクセプター部分とを連結することによって構築される。
本開示の実施形態にしたがって作製されたデバイスは、種々の電気製品又は中間部品に組み込まれることができる多種多様な電子部品モジュール(又はユニット)に組み込まれることができる。このような電気製品又は中間部品としては、エンドユーザーの製品製造者によって利用されることができるディスプレイスクリーン、照明デバイス(離散的光源デバイス又は照明パネル等)が挙げられる。このような電子部品モジュールは、駆動エレクトロニクス及び/又は電源を任意に含むことができる。本開示の実施形態にしたがって作製されたデバイスは、組み込まれた1以上の電子部品モジュール(又はユニット)を有する多種多様な消費者製品に組み込まれることができる。OLEDの有機層に本開示の化合物を含むOLEDを含む消費者製品が開示される。このような消費者製品は、1以上の光源及び/又は1以上のある種のビジュアルディスプレイを含む任意の種類の製品を含む。このような消費者製品の幾つかの例としては、フラットパネルディスプレイ、曲がったディスプレイ、コンピュータモニター、メディカルモニター、テレビ、掲示板、屋内若しくは屋外照明及び/又は信号送信用のライト、ヘッドアップディスプレイ、完全又は部分透明ディスプレイ、フレキシブルディスプレイ、丸めることができるディスプレイ、折り畳むことができるディスプレイ、伸ばすことができるディスプレイ、レーザープリンター、電話、携帯電話、タブレット、ファブレット、パーソナルデジタルアシスタント(PDA)、ウェアラブルデバイス、ラップトップコンピュータ、デジタルカメラ、カムコーダー、ビューファインダー、マイクロディスプレイ(対角で2インチ未満のディスプレイ)、3-Dディスプレイ、バーチャルリアリティ又は拡張現実ディスプレイ、車両、共に並べた多重ディスプレイを含むビデオウォール、劇場又はスタジアムのスクリーン、及び看板を含む。パッシブマトリックス及びアクティブマトリックスを含む、種々の制御機構を使用して、本開示にしたがって製作されたデバイスを制御することができる。デバイスの多くは、18℃から30℃、より好ましくは室温(20~25℃)等、ヒトに快適な温度範囲内での使用が意図されているが、この温度範囲外、例えば、摂氏-40℃~+80℃で用いることもできる。
本明細書において記述されている材料及び構造は、OLED以外のデバイスにおける用途を有し得る。例えば、有機太陽電池及び有機光検出器等の他の光電子デバイスが、該材料及び構造を用い得る。より一般的には、有機トランジスタ等の有機デバイスが、該材料及び構造を用い得る。
当技術分野の一般的な用語では、「サブピクセル」は、発光領域を指すことができ、発光領域によって放出される色を変更するために使用される任意の色変化層と組み合わせた単層EML、積層デバイス等であることができる。
本明細書で使用されるように、サブピクセルの「発光領域」は、サブピクセルのための光を生成するために最初に使用される任意の及び全ての発光層、領域、及びデバイスを指す。サブピクセルはまた、サブピクセルによって最終的に生成される色に影響を与える発光領域を有する積層体に配置される追加の層、例えば本明細書に開示される色変化層等を含むことができるが、そのような色変化層は、典型的には本明細書に開示されるような「発光層」とはみなされない。フィルタリングされていないサブピクセルは、色変化層等の色変更成分を除外するものであるが、1つ以上の発光領域、層、又はデバイスを含むことができる。
幾つかの構成では、「発光領域」は、複数の色の光を放出する発光材料を含むことができる。例えば、黄色の発光領域は、各材料が単独でOLEDデバイスに使用されるときに赤と緑の光を放射する複数の材料を含むことができる。黄色のデバイスで使用される場合、個々の材料は、通常、独立して活性化又はアドレス(address)できるように配置されていない。つまり、材料を含む「黄色」OLED積層体を駆動して、赤、緑、又は黄色の光を生成することはできず、むしろ、積層体全体を駆動して黄色の光を生成することができる。このような発光領域は、個々の発光体のレベルでは、積層体が直接黄色の光を生成しない場合でも、黄色の発光領域と呼ばれることがある。以下に更に詳細に説明されるように、発光領域(1超の場合)で使用される個々の発光材料は、デバイス内の同じ発光層、又は発光領域を含むOLEDデバイス内の複数の発光層に配置されることができる。以下に更に詳細に説明されるように、本明細書に開示される実施形態は、発光領域の色数よりも多くのサブピクセル又は他のOLEDデバイスの色を含む一方、限られた数の発光領域の色を含むディスプレイ等のOLEDデバイスを可能にすることがある。例えば、本明細書に開示されるデバイスは、青色及び黄色の発光領域のみを含むことができる。サブピクセルの追加の色は、黄色又は青色の発光領域を有する積層体に配置された色変化層等の色変化層の使用によって、又はより一般的には、本明細書に開示されるようなマイクロキャビティを形成する色変化層、電極又は他の構造、又は任意の他の適切な構成の使用によって達成されることができる。場合によっては、サブピクセルによって提供される一般的な色は、濃い青色色変化層が薄い青色の発光領域を有する積層体に配置されて、濃い青色のサブピクセルを生成する場合等、サブピクセルを画定する積層体内の発光領域によって提供される色と同じであることができる。同様に、サブピクセルによって提供される色は、緑の色変化層が黄色の発光領域を有する積層体に配置されて緑のサブピクセルを生成する場合等、サブピクセルを画定する積層体内の発光領域によって提供される色とは異なる場合がある。
幾つかの構成では、発光領域及び/又は発光層は、複数のサブピクセルにまたがることができ、追加の層及び回路が製造されて、発光領域又は層の一部が個別にアドレスされることを可能にする。
本明細書に開示される発光領域は、当該技術分野で一般的に参照され、本明細書で使用される発光「層」と区別することができる。場合によっては、黄色の発光領域を形成するために、黄色の発光領域が、赤色及び緑色の発光層によって連続的に製造される場合等、単一の発光領域が複数の層を含むことがある。前述したように、そのような層が本明細書に開示されるような発光領域に存在する場合、その層は、単一の発光積層体内で個別にアドレス可能ではなく、むしろ、その層は、発光領域に対して所望の色の光を生成するために同時に活性化又は駆動される。他の構成では、発光領域は、単一の色の単一の発光層又は同じ色の複数の発光層を含むことができ、この場合、そのような発光層の色は、発光層が配置されている発光領域の色と同じである、又は発光層が配置されている発光領域の色と同じスペクトルの領域となる。
B.本開示のOLED及びデバイス
一態様では、本開示は、有機発光デバイス(OLED)も提供し、前記有機発光デバイス(OLED)は、アノードと、正孔輸送層と;発光領域と;電子輸送層と;カソードと、を含み、前記発光領域は、第1の化合物と;第2の化合物と;第3の化合物と、を含み、
前記第1の化合物は、エネルギーを前記第2の化合物に伝達する増感剤であり;
前記第2の化合物は、発光体であるアクセプターであり;
前記第3の化合物は、第1のホストであり、前記第1の化合物及び前記第2の化合物の少なくとも1つは、前記第3の化合物においてドープされ;
前記第1の化合物、前記第2の化合物、及び前記第3の化合物の少なくとも2つは、同じ又は異なる置換基R*を含み;
R*は、下記からなる群から選択される。
式中、[X]は、少なくとも1つの6員炭素環、シリル基、ゲルミル基、又は複素環を含む化学部分であり;
部分E及びFは、それぞれ独立して、単環式環又は多環式縮合環系であり;
前記単環式環及び前記多環式縮合環系の各環は、独立して、5員又は6員の炭素環又は複素環であり;
RE及びRFは、それぞれ独立して、モノから最大可能置換を表す、又は無置換を表し;
RE及びRFは、それぞれ独立して、水素である、又は本明細書で定義される一般的な置換基からなる群から選択される置換基であり;
任意の隣接する置換基は、任意に結合又は縮合し、環を形成する。
一態様では、本開示は、有機発光デバイス(OLED)も提供し、前記有機発光デバイス(OLED)は、アノードと、正孔輸送層と;発光領域と;電子輸送層と;カソードと、を含み、前記発光領域は、第1の化合物と;第2の化合物と;第3の化合物と、を含み、
前記第1の化合物は、エネルギーを前記第2の化合物に伝達する増感剤であり;
前記第2の化合物は、発光体であるアクセプターであり;
前記第3の化合物は、第1のホストであり、前記第1の化合物及び前記第2の化合物の少なくとも1つは、前記第3の化合物においてドープされ;
前記第1の化合物、前記第2の化合物、及び前記第3の化合物の少なくとも2つは、同じ又は異なる置換基R*を含み;
R*は、下記からなる群から選択される。
部分E及びFは、それぞれ独立して、単環式環又は多環式縮合環系であり;
前記単環式環及び前記多環式縮合環系の各環は、独立して、5員又は6員の炭素環又は複素環であり;
RE及びRFは、それぞれ独立して、モノから最大可能置換を表す、又は無置換を表し;
RE及びRFは、それぞれ独立して、水素である、又は本明細書で定義される一般的な置換基からなる群から選択される置換基であり;
任意の隣接する置換基は、任意に結合又は縮合し、環を形成する。
幾つかの実施形態では、上記の層は、記載されているように順番に配置される。より具体的には、本開示のOLEDのアノード、正孔輸送層、発光領域、電子輸送層、及びカソードは、記載されているように順次配置される。しかし、識別された層が記載されている順序である限り、他の層をこれらの層の間に配置してもよい。化合物が他の化合物にドープされる場合、それは2つの化合物が互いに混合されることを意味することを理解すべきである。
幾つかの実施形態では、第1の化合物は、室温のOLEDにおいてリン光発光体として機能することができるが、開示されたOLEDにおいては必ずしも機能しない。幾つかの実施形態では、第1の化合物は、室温のOLEDにおいて、TADF発光体として機能することができる。
幾つかの実施形態では、第1の化合物は、室温の本開示のOLEDにおいて、第3の化合物とエキシプレックスを形成する。
幾つかの実施形態では、第2の化合物は、室温の本開示のOLEDにおいて、TADF発光体として機能する遅延蛍光化合物である。幾つかの実施形態では、第2の化合物は、室温の本開示のOLEDにおいて、発光体として機能する蛍光化合物である。幾つかの実施形態では、第2の化合物は、本開示のOLEDにおいて、主要な発光体である。
幾つかの実施形態では、第1の化合物及び第2の化合物は、同じR*を含む。幾つかの実施形態では、第1の化合物及び第3の化合物は、同じR*を含む。幾つかの実施形態では、第2の化合物及び第3の化合物は、同じR*を含む。
幾つかの実施形態では、第1の化合物及び第2の化合物は、異なるR*を含む。幾つかの実施形態では、第1の化合物及び第3の化合物は、異なるR*を含む。幾つかの実施形態では、第2の化合物及び第3の化合物は、異なるR*を含む。
幾つかの実施形態では、第1の化合物、第2の化合物、及び第3の化合物は、R*を含み、各R*は、同じでも異なっていてもよい。幾つかの実施形態では、第1の化合物又は第2の化合物の少なくとも1つは、少なくとも2つのR*を含む。幾つかの実施形態では、第1の化合物及び第2の化合物の両方は、少なくとも2つのR*を含む。
幾つかの実施形態では、R*を含む第1の化合物、第2の化合物、及び第3の化合物の少なくとも2つは、1つの層で混合される。
幾つかの実施形態では,第1の化合物は、R*を含み;第1の化合物における最低三重項励起状態のスピン密度の質量中心は、位置MTSで位置され、R*は、MTSに最も近い化合物における10原子の1つで、第1の化合物の残部に直接結合される。
幾つかの実施形態では、第1の化合物は、R*を含み;第1の化合物における最低三重項励起状態のスピン密度の質量中心は、位置MTSに位置され;R*の質量中心は、位置MRに位置され;MTSからMRまでの距離は、2.0nm未満である。幾つかの実施形態では、MTSからMRまでの距離は、1.5nm未満である。幾つかの実施形態では、MTSからMRまでの距離は、1.0nm未満である。
幾つかの実施形態では、第2の化合物は、R*を含み;第2の化合物における最低三重項励起状態のスピン密度の質量中心は、位置MTAに位置され;R*は、MTAに最も近い化合物における10原子の1つで、第2の化合物の残部に直接結合される。
幾つかの実施形態では、第2の化合物は、R*を含み;第2の化合物における最低三重項励起状態のスピン密度の質量中心位置は、MTAに位置され;R*の質量中心は、位置MRに位置され;MTAからMRまでの距離は、2.0nm未満である。幾つかの実施形態では、MTAからMRまでの距離は、1.5nm未満である。幾つかの実施形態では、MTAからMRまでの距離は、1.0nm未満である。
幾つかの実施形態では、第2の化合物は、R*を含み;第2の化合物におけるHOMOの質量中心は、位置MHAに位置され;R*は、MHAに最も近い化合物における10原子の1つで、第2の化合物の残部に直接結合される。
幾つかの実施形態では、第2の化合物は、R*を含み;第2の化合物におけるHOMOの質量中心は、位置MHAに位置され;R*の質量中心は、位置MRに位置され;MHAからMRまでの距離は、2.0nm未満である。幾つかの実施形態では、MHAからMRまでの距離は、1.5nm未満である。幾つかの実施形態では、MHAからMRまでの距離は、1.0nm未満である。
幾つかの実施形態では、第2の化合物は、R*を含み;第2の化合物におけるLUMOの質量中心は、位置MLAに位置され;R*は、MLAに最も近い化合物における10原子の1つで、第2の化合物の残部に直接結合される。
幾つかの実施形態では、第2の化合物は、R*を含み;第2の化合物におけるLUMOの質量中心は、位置MLAに位置され;R*の質量中心は、位置MRに位置され;MLAからMRまでの距離は、2.0nm未満である。幾つかの実施形態では、MLAからMRまでの距離は、1.5nm未満である。幾つかの実施形態では、MLAからMRまでの距離は、1.0nm未満である。
幾つかの実施形態では、第2の化合物は、R*を含み;第2の化合物の質量中心は、位置M2cに位置され;R*は、M2cから最も遠い化合物における10原子の1つで、第2の化合物の残部に直接結合される。
化合物の最低三重項励起状態のスピン密度の質量中心、化合物のHOMOの質量中心、化合物のLUMOの質量中心、化合物の質量中心、及び同定された全ての距離と共にR*の質量中心等の上記のパラメータ及び上記は、DFT計算によって得られることを理解すべきである。DFT計算は、上述のように関連する位置に最も近い10個の原子に対しても使用することができる。
本明細書で同定されたDFT関数系(functional set)及び基底系(basis set)を用いて得られたこれらの化合物関連計算は理論的であることを理解すべきである。本明細書で使用されるCEP-31G基底系を用いたGaussian等の計算複合プロトコルは、電子効果が付加的であるので、より大きな基底系を用いて完全基底系(CBS)限界に推定することができるという仮定に依存する。しかしながら、研究の目的が一連の構造的に関連した化合物におけるHOMO、LUMO、S1、T1、結合解離エネルギー等の変化を理解することである場合、付加的効果は同様であると予想される。したがって、B3LYPの使用からの絶対誤差は他の計算方法と比較して有意であるかもしれないが、B3LYPプロトコルで計算されたHOMO、LUMO、S1、T1、及び結合解離エネルギー値の間の相対的な差は、実験を非常によく再現すると予想される(例えば、Hong et al.,Chem.Mater.2016,28,5791-98,5792-93 and Supplemental Informationを参照)(OLED材料の文脈におけるDFT計算の信頼性についての議論)。更に、OLED技術において有用なイリジウム又は白金錯体に関しては、DFT計算から得られたデータは、実際の実験データと非常によく相関している。例えば、Tavasli et al.,J.Mater.Chem.2012,22,6419-29,6422(表3)(各種発光錯体の実際のデータと密接に相関するDFT計算を示す);Morello,G.R.,J.Mol.Model.2017,23:174(種々のDFT関数系と基底系を研究し、B3LYPとCEP-31Gの組合せは発光錯体について特に正確であると結論した)を参照。
幾つかの実施形態では、[X]は、少なくとも6個の炭素原子を含む化学部分である。幾つかの実施形態では、[X]は、少なくとも7、8、9、10、11、12、15、18、21、又は24個の炭素原子を含む化学部分である。
幾つかの実施形態では、[X]は、少なくとも6員芳香族環を含む。
幾つかの実施形態では、[X]は、置換又は非置換単環式環、置換又は非置換多環式縮合環系、SiRP、SiRPRQ、GeRP、GeRPRQ、BRP、BRPRQ、CRPRQ、NRP、及びPRPからなる群から選択され;RPは、6員炭素環又は複素環を含み、RQは、水素である、又は本明細書で定義される一般的な置換基からなる群から選択される置換基である。
幾つかの実施形態では、RP及びRQは、それぞれ、6員炭素環又は複素環を含む。
幾つかの実施形態では、単環式環、RP、及びRQは、それぞれ独立して、フェニル、ピリジン、ピリミジン、ピラジン、ピリダジン、及びトリアジンからなる群から選択され;前記単環式環は、更に置換されてよく;RP及びRQは、更に置換又は縮合されてもよく;多環式縮合環系のそれぞれは、トリフェニレン、カルバゾール、インドロカルバゾール、ジベンゾチオフェン、ジベンゾフラン、ジベンゾセレノフェン、5λ2-ベンゾ[d]ベンゾ[4,5]イミダゾ[3,2-a]イミダゾール、5,9-ジオキサ-13b-ボラナフト[3,2,1-de]アントラセン、及びこれらのアザバリアントからなる群から選択される。
幾つかの実施形態では、R*は、部分的又は完全に重水素化される。
幾つかの実施形態では、第1の化合物は、部分的又は完全に重水素化される。
幾つかの実施形態では、第2の化合物は、部分的又は完全に重水素化される。
幾つかの実施形態では、第3の化合物は、部分的又は完全に重水素化される。
幾つかの実施形態では、R*は、以下からなる群から選択される。
式中、環A、B、及びCは、それぞれ独立して、5員又は6員の炭素環又は複素環であり;
Z1~Z4は、直接結合である、又はO、S、Se、NR、BR、BRR’、PR、CR、C=X、CRR’、SO、SO2、SiRR’、GeRR’、P(O)R、アリール、ヘテロアリール、アルキル、ヘテロシクロアルキル、及びシクロアルキルからなる群から選択され;
X101~X173は、それぞれ独立して、C又はNであり;
ZAは、C、Si、及びGeからなる群から選択され;
W1及びW2は、それぞれ独立して、直接結合、O、S、Se、CRR’、SiRR’、及びGeRR’からなる群から選択され;
Yaa及びYbbは、それぞれ独立して、O、S、Se、CRR’、SiRR’、GeRR’、NR、BR、及びBRR’からなる群から選択され;
YE、Ycc、及びYddは、それぞれ独立して、O、S、Se、CRR’、SiRR’、GeRR’、BR、及びBRR’からなる群から選択され;
Yee及びYffは、それぞれ独立して、CR、SiR、GeR、B、及びNからなる群から選択され;
QA~QEfは、それぞれ独立して、モノから最大可能置換を表す、又は無置換を表し;
R、R’、QA~QEは、それぞれ独立して、水素である、又は本明細書に定義される一般的な置換基であり;
任意の2つの置換基は、結合又は縮合して、環を形成してもよく;
上記のいずれかの構造の任意の各フェニル環において、置換基とともに最大合計3個までの任意の炭素環原子をNで置換してもよい。
Z1~Z4は、直接結合である、又はO、S、Se、NR、BR、BRR’、PR、CR、C=X、CRR’、SO、SO2、SiRR’、GeRR’、P(O)R、アリール、ヘテロアリール、アルキル、ヘテロシクロアルキル、及びシクロアルキルからなる群から選択され;
X101~X173は、それぞれ独立して、C又はNであり;
ZAは、C、Si、及びGeからなる群から選択され;
W1及びW2は、それぞれ独立して、直接結合、O、S、Se、CRR’、SiRR’、及びGeRR’からなる群から選択され;
Yaa及びYbbは、それぞれ独立して、O、S、Se、CRR’、SiRR’、GeRR’、NR、BR、及びBRR’からなる群から選択され;
YE、Ycc、及びYddは、それぞれ独立して、O、S、Se、CRR’、SiRR’、GeRR’、BR、及びBRR’からなる群から選択され;
Yee及びYffは、それぞれ独立して、CR、SiR、GeR、B、及びNからなる群から選択され;
QA~QEfは、それぞれ独立して、モノから最大可能置換を表す、又は無置換を表し;
R、R’、QA~QEは、それぞれ独立して、水素である、又は本明細書に定義される一般的な置換基であり;
任意の2つの置換基は、結合又は縮合して、環を形成してもよく;
上記のいずれかの構造の任意の各フェニル環において、置換基とともに最大合計3個までの任意の炭素環原子をNで置換してもよい。
上記実施形態の幾つかにおいて、好ましい置換位置は、その環上の既存の置換位置に対するオルト位置である。
幾つかの実施形態では、第1の化合物及び第2の化合物は、発光領域内の別々の層にある。例えば、第1の化合物及び第3の化合物は、混合物として1つの堆積層にあることができ、第2の化合物は、別の堆積層にあることができる。その例では、2つの層は、HTL及びETLに関していずれかの順序であることができるので、幾つかの実施形態では、第1の化合物及び第3の化合物を含む層は、第2の化合物を含む層よりもHTLに近いことが可能である。幾つかの他の実施形態では、第1の化合物及び第3の化合物を含む層は、第2の化合物を含む層よりもETLに近いことが可能である。幾つかの実施形態では、第2の化合物及び第3の化合物は、混合物として1つの堆積層にあることができ、第1の化合物は、別の堆積層にあることができる。これらの2つの層は、HTL及びETLに関していずれの順序であることができる。幾つかの実施形態では、第1の化合物及び第2の化合物を含む層は、互いに接触している。
幾つかの実施形態では、第1の化合物、第2の化合物、及び第3の化合物は、発光領域内で混合物として存在する。
幾つかの実施態様において、混合物は、均質な混合物であることができる、又は混合物中の化合物は、層の厚みを通して勾配濃度にあることができる。濃度勾配は、線形、非線形、正弦波(sinusoidal)等であることができる。第1の化合物、第2の化合物、及び第3の化合物に加えて、1以上の追加的なホスト化合物も混合物に混合されることができる。
幾つかの実施形態では、発光領域は、N>2のN層を含む。
幾つかの実施形態では、第1の化合物はN層のそれぞれに含まれ、第2の化合物は、N-1層以下に含まれる。
幾つかの実施形態では、第2の化合物は、N-2層以下に含まれる。
幾つかの実施形態では、第1の化合物及び第2の化合物は、同じ層にはない。
幾つかの実施形態では、第2の化合物を含む層は、第1の化合物を含む層に含まれない第4の化合物を含む。
幾つかの実施形態では、2つ以上の層は、第2の化合物を含み;2つ以上の層のうちの少なくとも2つにおける第2の化合物の濃度が異なる。
幾つかの実施形態では、電圧がOLEDに印加される場合、OLEDは、第2の化合物のS1エネルギーからの発光成分を含むルミネセンス発光を発する。幾つかの実施形態では、OLEDからの発光の少なくとも65%は、少なくとも10cd/m2の輝度(luminance)を有する第2の化合物から生成される。幾つかの実施形態では、OLEDからの発光の少なくとも75%は、少なくとも10cd/m2の輝度を有する第2の化合物から生成される。幾つかの実施形態では、OLEDからの発光の少なくとも85%は、少なくとも10cd/m2の輝度を有する第2の化合物から生成される。幾つかの実施形態では、OLEDからの発光の少なくとも95%は、少なくとも10cd/m2の輝度を有する第2の化合物から生成される。
幾つかの実施形態では、第3の化合物のT1エネルギーは、第1の化合物及び第2の化合物のT1エネルギーよりも高い。
幾つかの実施形態では、第2の化合物のT1エネルギーは、第1の化合物及び第3の化合物のT1エネルギーよりも低い。
幾つかの実施形態では、第1の化合物のS1-T1エネルギーギャップは、400meV未満である。幾つかの実施形態では、第1の化合物のS1-T1エネルギーギャップは、300meV未満である。幾つかの実施形態では、第1の化合物のS1-T1エネルギーギャップは、250meV未満である。幾つかの実施形態では、第1の化合物のS1-T1エネルギーギャップは、200meV未満である。幾つかの実施形態では、第1の化合物のS1-T1エネルギーギャップは、150meV未満である。幾つかの実施形態では、第1の化合物のS1-T1エネルギーギャップは、100meV未満である。
幾つかの実施形態では、第2の化合物のS1-T1エネルギーギャップは、400meV未満である。幾つかの実施形態では、第2の化合物のS1-T1エネルギーギャップは、300meV未満である。幾つかの実施形態では、第2の化合物のS1-T1エネルギーギャップは、250meV未満である。幾つかの実施形態では、第2の化合物のS1-T1エネルギーギャップは、200meV未満である。幾つかの実施形態では、第2の化合物のS1-T1エネルギーギャップは、150meV未満である。幾つかの実施形態では、第2の化合物のS1-T1エネルギーギャップは、100meV未満である。
幾つかの実施形態では、第2の化合物は、30nm以下のストークスシフトを有する。幾つかの実施形態では、第2の化合物は、25nm以下のストークスシフトを有する。幾つかの実施形態では、第2の化合物は、20nm以下のストークスシフトを有する。幾つかの実施形態では、第2の化合物は、15nm以下のストークスシフトを有する。幾つかの実施形態では、第2の化合物は、10nm以下のストークスシフトを有する。
幾つかの実施形態では、第1の化合物は、室温でホストとして第3の化合物を有する単色OLEDにおいて、λmax1の発光最大値を有し;第2の化合物は、第1の化合物を第2の化合物と置き換えることにより、単色OLEDにおいてλmax2の発光最大値を有し;Δλ=λmax1-λmax2であり;Δλは、15、12、10、8、6、4、2、0、-2、-4、-6、-8、及び-10nmからなる群から選択される数以下である。
幾つかの実施形態では、Δλは、5、4、3、2、1、0、-1、-2、-3、-4、又は-5以下である。
幾つかの実施形態では、第1の化合物は、室温のOLEDにおいて、リン光発光体として機能することができる。幾つかの実施形態では、第1の化合物は、室温のOLEDにおいて、三重項励起状態から基底一重項状態へ光を発することができる。
一実施形態において、第1の化合物は、室温のOLEDにおいてリン光発光体として機能することができ、前記第1の化合物は、金属-炭素結合、金属-窒素結合、又は金属-酸素結合を有する金属配位錯体であることができる。幾つかの実施形態では、金属は、Ir、Rh、Re、Ru、Os、Pt、Zn、Zr、Pd、Au、Ag、及びCuからなる群から選択される。幾つかの実施形態では、金属は、Irである。幾つかの実施形態では、金属は、Ptである。幾つかの実施形態では、第1の化合物は、M(L1)x(L2)y(L3)zの式を有し;
式中、L1、L2、及びL3は、同じでも異なっていてもよく;
xは1、2、又は3であり;
yは0、1、又は2であり;
zは0、1、又は2であり;
x+y+zは前記金属の酸化状態であり;
L1は配位子リストの構造からなる群から選択される。
配位子リスト:
式中、L2及びL3は、独立して、下記:
及び配位子リストの構造からなる群から選択され;
Tは、B、Al、Ga、及びInからなる群から選択され;
K1’は、直接結合である、又はNRe、PRe、O、S、及びSeからなる群から選択され;
Y1~Y13は、それぞれ独立して、炭素及び窒素からなる群から選択され;
Y’は、BRe、NRe、PRe、O、S、Se、C=O、S=O、SO2、CReRf、SiReRf、及びGeReRfからなる群から選択され;
Re及びRfは、縮合又は結合して環を形成してもよく;
Ra、Rb、Rc、及びRdは、それぞれ独立して、モノから最大可能数の置換を表す、又は無置換を表し;
Ra1、Rb1、Rc1、Rd1、Ra、Rb、Rc、Rd、Re、及びRfは、それぞれ独立して、水素である、又は本明細書で定義される一般的な置換基からなる群から選択される置換基であり;
Ra1、Rb1、Rc1、Rd1、Ra、Rb、Rc、及びRdの任意の2つの隣接する置換基は、縮合又は結合して、環を形成してもよい又は多座配位子を形成してもよい。
式中、L1、L2、及びL3は、同じでも異なっていてもよく;
xは1、2、又は3であり;
yは0、1、又は2であり;
zは0、1、又は2であり;
x+y+zは前記金属の酸化状態であり;
L1は配位子リストの構造からなる群から選択される。
配位子リスト:
Tは、B、Al、Ga、及びInからなる群から選択され;
K1’は、直接結合である、又はNRe、PRe、O、S、及びSeからなる群から選択され;
Y1~Y13は、それぞれ独立して、炭素及び窒素からなる群から選択され;
Y’は、BRe、NRe、PRe、O、S、Se、C=O、S=O、SO2、CReRf、SiReRf、及びGeReRfからなる群から選択され;
Re及びRfは、縮合又は結合して環を形成してもよく;
Ra、Rb、Rc、及びRdは、それぞれ独立して、モノから最大可能数の置換を表す、又は無置換を表し;
Ra1、Rb1、Rc1、Rd1、Ra、Rb、Rc、Rd、Re、及びRfは、それぞれ独立して、水素である、又は本明細書で定義される一般的な置換基からなる群から選択される置換基であり;
Ra1、Rb1、Rc1、Rd1、Ra、Rb、Rc、及びRdの任意の2つの隣接する置換基は、縮合又は結合して、環を形成してもよい又は多座配位子を形成してもよい。
幾つかの実施形態では、式M(L1)x(L2)y(L3)z中の金属は、Cu、Ag、又はAuからなる群から選択される。
幾つかの実施形態では、第1の化合物は、Ir(LA)3、Ir(LA)(LB)2、Ir(LA)2(LB)、Ir(LA)2(LC)、Ir(LA)(LB)(LC)、及びPt(LA)(LB)からなる群から選択される式を有し;
LA、LB、及びLCは、Ir化合物において、互いに異なり;
LA及びLBは、Pt化合物において、同じでも異なってもよく;
LA及びLBは、Pt化合物において、結合して、四座配位子を形成してもよい。
LA、LB、及びLCは、Ir化合物において、互いに異なり;
LA及びLBは、Pt化合物において、同じでも異なってもよく;
LA及びLBは、Pt化合物において、結合して、四座配位子を形成してもよい。
幾つかの実施形態では、第1の化合物は、少なくとも1つの電子求引基を含む。幾つかのそのような実施形態では、電子求引基は、一般に、フッ素、酸素、硫黄、窒素、塩素、及び臭素を含むがこれらに限定されない1以上の電気陰性度の高い元素を含む。幾つかのそのような実施形態では、電子吸引基は、0より大きいハメット定数を有する。幾つかのそのような実施形態では、電子吸引基は、0.1、0.2、0.3、0.4、0.5、0.6、0.7、0.8、0.9、1.0、又は1.1と等しいか又はそれより大きいハメット定数を有する。
幾つかの実施形態においては、電子吸引基は、以下のリストEWG1の構造からなる群から選択される:F、CF3、CN、COCH3、CHO、COCF3、COOMe、COOCF3、NO2、SF3、SiF3、PF4、SF5、OCF3、SCF3、SeCF3、SOCF3、SeOCF3、SO2F、SO2CF3、SeO2CF3、OSeO2CF3、OCN、SCN、SeCN、NC、+N(Rk2)3、(Rk2)2CCN、(Rk2)2CCF3、CNC(CF3)2、BRk3Rk2、置換又は非置換ジベンゾボロール、1-置換カルバゾール、1,9-置換カルバゾール、置換又は非置換カルバゾール、置換又は非置換ピリジン、置換又は非置換ピリミジン、置換又は非置換ピラジン、置換又は非置換ピリドキシン、置換又は非置換トリアジン、置換又は非置換オキサゾール、置換又は非置換ベンゾキサゾール、置換又は非置換チアゾール、置換又は非置換ベンゾチアゾール、置換又は非置換イミダゾール、置換又は非置換ベンズイミダゾール、ケトン、カルボン酸、エステル、ニトリル、イソニトリル、スルフィニル、スルホニル、部分的に又は完全にフッ素化されたアルキル、部分的に又は完全にフッ素化されたアリール、部分的に又は完全にフッ素化されたヘテロアリール、シアノ含有アルキル、シアノ含有アリール、シアノ含有ヘテロアリール、イソシアネート、及び以下のもの。
リストEWG1:
式中、YGは、BRe、NRe、PRe、O、S、Se、C=O、S=O、SO2、CReRf、SiReRf、及びGeReRf’からなる群から選択され;
Rk1は、それぞれ独立して、モノから最大可能置換を表す、又は無置換を表し;
Rk1、Rk2、Rk3、Re、及びRfは、それぞれ独立して、水素である、又は本明細書に定義される一般的な置換基からなる群から選択される置換基である。
リストEWG1:
Rk1は、それぞれ独立して、モノから最大可能置換を表す、又は無置換を表し;
Rk1、Rk2、Rk3、Re、及びRfは、それぞれ独立して、水素である、又は本明細書に定義される一般的な置換基からなる群から選択される置換基である。
OLEDの幾つかの実施形態では、第1の化合物は、以下のリスト2の化合物からなる群から選択される。
リスト2:
式中、X96~X99は、それぞれ独立して、C又はNであり;
Y100は、それぞれ独立して、NR’’、O、S、及びSeからなる群から選択され;
Lは、独立して、直接結合、BR’’、BR’’R’’’、NR’’、PR’’、O、S、Se、C=O、C=S、C=Se、C=NR’’、C=CR’’R’’’、S=O、SO2、CR’’、CR’’R’’’、SiR’’R’’’、GeR’’R’’’、アルキル、シクロアルキル、アリール、ヘテロアリール、及びこれらの組合せからなる群から選択され;
各場合におけるX100及びX200は、O、S、Se、NR’’、及びCR’’R’’’からなる群から選択され;
R10a、R20a、R30a、R40a、及びR50a、RA’’、RB’’、RC’’、RD’’、RE’’、及びRF’’は、それぞれ独立して、モノ置換、又は最大置換まで、又は無置換を表し;
R、R’、R’’、R’’’、R10a、R11a、R12a、R13a、R20a、R30a、R40a、R50a、R60、R70、R97、R98、R99、RA1’、RA2’、RA’’、RB’’、RC’’、RD’’、RE’’、RF’’、RG’’、RH’’、RI’’、RJ’’、RK’’、RL’’、RM’’、及びRN’’は、それぞれ独立して、水素である、又は本明細書で定義される一般的な置換基からなる群から選択される置換基であり;
任意の2つの置換基は、縮合又は結合して、環を形成してもよい。
リスト2:
Y100は、それぞれ独立して、NR’’、O、S、及びSeからなる群から選択され;
Lは、独立して、直接結合、BR’’、BR’’R’’’、NR’’、PR’’、O、S、Se、C=O、C=S、C=Se、C=NR’’、C=CR’’R’’’、S=O、SO2、CR’’、CR’’R’’’、SiR’’R’’’、GeR’’R’’’、アルキル、シクロアルキル、アリール、ヘテロアリール、及びこれらの組合せからなる群から選択され;
各場合におけるX100及びX200は、O、S、Se、NR’’、及びCR’’R’’’からなる群から選択され;
R10a、R20a、R30a、R40a、及びR50a、RA’’、RB’’、RC’’、RD’’、RE’’、及びRF’’は、それぞれ独立して、モノ置換、又は最大置換まで、又は無置換を表し;
R、R’、R’’、R’’’、R10a、R11a、R12a、R13a、R20a、R30a、R40a、R50a、R60、R70、R97、R98、R99、RA1’、RA2’、RA’’、RB’’、RC’’、RD’’、RE’’、RF’’、RG’’、RH’’、RI’’、RJ’’、RK’’、RL’’、RM’’、及びRN’’は、それぞれ独立して、水素である、又は本明細書で定義される一般的な置換基からなる群から選択される置換基であり;
任意の2つの置換基は、縮合又は結合して、環を形成してもよい。
上記実施形態の幾つかにおいて、R、R’、R’’、R’’’、R10a、R11a、R12a、R13a、R20a、R30a、R40a、R50a、R60、R70、R97、R98、R99、RA1’、RA2’、RA’’、RB’’、RC’’、RD’’、RE’’、RF’’、RG’’、RH’’、RI’’、RJ’’、RK’’、RL’’、RM’’、及びRN’’の少なくとも1つは、本明細書に定義される電子求引基を含む又はである。
第1の化合物がリスト2からなる群から選択される上記実施形態の幾つかでは、R、R’、R’’、R’’’、R10a、R11a、R12a、R13a、R20a、R30a、R40a、R50a、R60、R70、R97、R98、R99、RA1’、RA2’、RA’’、RB’’、RC’’、RD’’、RE’’、RF’’、RG’’、RH’’、RI’’、RJ’’、RK’’、RL’’、RM’’、及びRN’’の1以上は、部分的に又は完全に重水素化されたアリール、部分的に又は完全に重水素化されたアルキル、ボリル、シリル、ゲルミル、2,6-テルフェニル、2-ビフェニル、2-(tert-ブチル)フェニル、テトラフェニレン、テトラヒドロナフタレン、及びこれらの組合せからなる群から選択される部分を含む。
リスト2におけるこれらの化合物のそれぞれの金属Ptは、Pdで置換されることができ、これらの誘導されたPd化合物も具体的に包含されることが意図されていることを理解すべきである。
幾つかの実施形態では、第1の化合物は、室温のOLEDにおいて、リン光発光体、TADF発光体、又は二重項(doublet)発光体として機能することができる。幾つかの実施形態では、第2の化合物は、室温の前記OLEDにおいてTADF発光体として機能する遅延蛍光化合物、室温の前記OLEDにおいて蛍光発光体として機能する蛍光化合物からなる群から選択される。幾つかの実施形態では、蛍光発光体は、一重項又は二重項発光体であることができる。そのような実施形態の幾つかでは、一重項発光体は、TADF発光体、更に多重共鳴MR-TADF発光体を含むことができる。本明細書で使用される遅延蛍光の記載は、参照により本明細書に組み込まれる米国特許出願公開US20200373510A1の段落0083~0084でみることができる。
OLEDの幾つかの実施形態では、第1の化合物及び第2の化合物は、発光領域内で別々の層にある。
幾つかの実施形態では、第1の化合物と第2の化合物は、発光領域内の1つ以上の層に混合物として存在する。所定の層の混合物は均一な混合物であってもよい、又は混合物中の化合物は、所定の層の厚みを通して段階的な濃度であってもよいことを理解すべきである。濃度勾配は線形、非線形、正弦波(sinusoidal)等であることができる。増感剤及びアクセプター化合物の混合物を有する発光領域において1超の層がある場合、混合物の種類(即ち、均一濃度又は段階的濃度)及び1超の層のそれぞれにおける混合物中の化合物の濃度レベルは、同じであっても異なっていてもよい。増感剤及びアクセプター化合物に加えて、ホストも混合物に混合される等、1つ以上の他の機能性化合物があってもよいが、これに限定されない。
幾つかの実施形態では、第2の化合物は、同じ濃度又は異なる濃度で2層以上に存在することができる。幾つかの実施形態では、2つ以上の層が第2の化合物を含む場合、2つ以上の層のうち少なくとも2つにおける第2の化合物の濃度が異なる。幾つかの実施形態では、第1の化合物を含む層における第1の化合物の濃度は、1~50重量%、10~20重量%、又は12~15重量%の範囲である。幾つかの実施形態では、第2の化合物を含む層における第2の化合物の濃度は、0.1~10重量%、0.5~5重量%、又は1~3重量%の範囲である。
幾つかの実施形態では、発光領域は、N>2のN層を含む。幾つかの実施形態では、第1の化合物は、N層のそれぞれに存在し、第2の化合物は、N-1層以下に含まれる。幾つかの実施形態では、第1の化合物はN層のそれぞれに存在し、第2の化合物は、N/2層以下に含まれる。幾つかの実施形態では、第2の化合物はN層のそれぞれに存在し、第1の化合物は、N-1層以下に含まれる。幾つかの実施形態では、第2の化合物はN層のそれぞれに存在し、第1の化合物は、N/2層以下に含まれる。
幾つかの実施形態では、電圧がOLEDに印加される場合、OLEDは、第2の化合物のS1エネルギー(第1の一重項エネルギー)からの発光成分を含むルミネセンス発光を発する。幾つかの実施形態では、OLEDからの発光の少なくとも65%、75%、85%、又は95%が、少なくとも10cd/m2の輝度で第2の化合物から生成される。幾つかの実施形態では、第2の化合物のS1エネルギーは、第1の化合物のものよりも低い。
幾つかの実施形態では、ホスト化合物のT1エネルギー(第1の三重項エネルギー)は、第1の化合物及び第2の化合物のT1エネルギー以上であり、第1の化合物のT1エネルギーは、第2の化合物のS1エネルギー(第1の一重項エネルギー)以上である。幾つかの実施形態では、第1の化合物、及び/又は第2の化合物、及び/又は第1のホスト化合物、及び/又は第2のホスト化合物のS1-T1エネルギーギャップは、400、300、250、200、150、100、又は50meV未満である。幾つかの実施形態では、第1の化合物のHOMOと第2の化合物のHOMOとの絶対エネルギー差は、0.6、0.5、0.4、0.3、又は0.2eV未満である。幾つかの実施形態では、第1の化合物のLUMOと第2の化合物のLUMOとの絶対エネルギー差は、0.6、0.5、0.4、0.3、又は0.2eV未満である。
第1の化合物が単色増感(即ち、第2の化合物へのエネルギー移動時の最小のエネルギー損失)を提供する幾つかの実施形態では、第2の化合物は、30nm以下、25nm以下、20nm以下、15nm以下、又は10nm以下のストークスシフトを有する。例としては、幅の狭い青色発光アクセプターを増感する幅の広い青色リン光体がある。
第1の化合物がダウンコンバージョンプロセス(例えば、緑色の発光体を増感するために青色の発光体を使用したり、赤色の発光体を増感するために緑色の発光体を使用したりする)を提供する幾つかの実施形態では、第2の化合物は30nm以上、40nm以上、60nm以上、80nm以上、又は100nm以上のストークスシフトを有する。
幾つかの実施形態では、第1の化合物の発光スペクトルのλmaxと第2の化合物の吸収スペクトルのλmaxとの差は、50nm以下、40nm以下、30nm以下、又は20nm以下である。幾つかの実施形態では、第1の化合物の光発光領域に対する第2の化合物の光吸収領域と第1の化合物の光発光領域のスペクトルの重なりは、5%以上、10%以上、15%以上、20%以上、30%以上、40%以上、50%以上である。
増感剤化合物(本開示のOLEDの発光領域において増感剤として使用される化合物)とアクセプター化合物(本開示のOLEDの発光領域においてアクセプターとして使用される化合物)との定性的関係を定量化する一つの方法は、値Δλ=λmax1-λmax2を決定することであり、式中λmax1及びλmax2は以下のように定義される。λmax1は、第1のホストを有する第1のモノクロOLED(1色のみを発光するOLED)において増感剤化合物が唯一の発光体として使用される場合、室温における増感剤化合物の発光最大値である。λmax2は、同じ第1のホストを有する第2のモノクロOLEDにおいてアクセプター化合物が唯一の発光体として使用される場合、室温におけるアクセプター化合物の発光最大値である。
第1の化合物が単色増感(即ち、第2の化合物へのエネルギー移動時の最小のエネルギー損失)を提供する本開示のOLEDの幾つかの実施形態では、Δλ(上述のように決定される)は、15nm、12nm、10nm、8nm、6nm、4nm、2nm、0nm、-2nm、-4nm、-6nm、-8nm、及び-10nmからなる群から選択される数値以下である。
幾つかの実施形態では、第1の化合物及び第2の化合物のスペクトル重複積分は、少なくとも1014nm4*L/cm*molである。幾つかの実施形態では、第1の化合物及び第2の化合物のスペクトル重複積分は、少なくとも5×1014nm4*L/cm*molである。幾つかの実施形態では、第1の化合物及び第2の化合物のスペクトル重複積分は、少なくとも1015nm4*L/cm*molである。
本明細書で使用されるように、第2の化合物消光スペクトルに、曲線下面積に関して標準化された第1の化合物発光スペクトルを乗算することによって「スペクトル重複積分」が決定される。スペクトル重複が高いほど、Forster共鳴エネルギー移動(FRET)効率は良好である。FRETの速度は、スペクトル重複積分に比例する。従って、高いスペクトル重複は、OLEDにおけるFRET効率を改善し、励起子寿命を低減するのに役立つことができる。
幾つかの実施形態では、第2の化合物及び第1の化合物は、スペクトル重複を増加させるために選択される。スペクトル重複を増加させることは、例えば、第2の化合物の振動子強度を増加させること、第1の化合物ピーク発光強度と第2の化合物吸収ピークとの間の距離を最小化すること、第1の化合物発光又は第2の化合物吸収の線形状を狭くすること等、幾つかの方法で達成されることができる。幾つかの実施形態では、第2の化合物の振動子強度は、0.1以上である。
第2の化合物の発光が増感によって赤方移動される幾つかの実施形態では、Δλの絶対値は、20、30、40、60、80、100nmからなる群から選択される数以上である。
幾つかの実施形態では、増感剤(第1の化合物)及び/又はアクセプター(第2の化合物)は、リン光発光体又は蛍光発光体であることができる。リン光は、一般に、電子スピン量子数の変化を伴う光子の発光を指す。即ち、発光の初期状態及び最終状態は、T1状態からS0状態等、異なる電子スピン量子数を有する。OLEDで現在広く使用されているIr錯体及びPt錯体は、リン光発光体に属する。幾つかの実施形態では、エキシプレックス形成が三重項発光体を伴う場合、そのようなエキシプレックスはリン光を発することもできる。一方で、蛍光発光体は、一般に、S1状態からS0状態又はD1状態からD0状態等の電子スピン量子数の変化を伴わない光子の発光を指す。蛍光発光体は、遅延蛍光発光体又は非遅延蛍光発光体であることができる。スピン状態に応じて、蛍光発光体は、一重項発光体又は二重項発光体、又はその他の多重項発光体であることができる。蛍光OLEDの内部量子効率(IQE)は、遅延蛍光によって25%スピン統計限界を超えることができると考えられている。P型遅延蛍光とE型遅延蛍光の2種類の遅延蛍光がある。P型遅延蛍光は、三重項-三重項消滅(TTA)から発生する。一方で、E型遅延蛍光は、2つの三重項の衝突に依存せず、むしろ三重項状態と一重項励起状態との間の熱ポピュレーションに依存する。熱エネルギーは、三重項状態から一重項状態に戻る遷移を活性化することができる。このタイプの遅延蛍光は、熱活性化遅延蛍光(TADF)としても知られている。E型遅延蛍光特性は、エキシプレックス系又は単一化合物に見られることができる。理論に縛られることなく、TADFは、400meV、350meV、300meV、250meV、200meV、150meV、100meV、又は50meV以下の小さな一重項-三重項エネルギーギャップ(ΔES-T)を有する化合物又はエキシプレックスを必要とすると考えられている。大きく2つのタイプのTADF発光体があり、一つはドナー-アクセプター型TADFと呼ばれ、もう一つは多重共鳴(MR)TADFと呼ばれる。多くの場合、ドナー-アクセプター単一化合物は、アミノ誘導体やカルバゾール誘導体等の電子ドナー部分と、N-含有6員環芳香族環又はシアノ置換芳香環等の電子アクセプター部分を接続することによって構築される。ドナー-アクセプターエキシプレックスは、正孔輸送化合物と電子輸送化合物との間に形成されることができる。MR-TADFの例としては、高度に共役した縮合環系が挙げられる。幾つかの実施形態では、MR‐TADF材料は、ホウ素、炭素、及び窒素原子を含む。それらは、他の原子、例えば酸素も含むことができる。幾つかの実施形態では、293Kでの遅延蛍光発光のT1からS1までの逆項間交差時間は10マイクロ秒以下である。幾つかの実施形態では、そのような時間は、10マイクロ秒より大きく、100マイクロ秒未満であることができる。
幾つかの実施形態では、以下の条件の少なくとも1つが当てはまる。
(1)第1の化合物は、室温のOLEDにおいてTADF発光体として機能することができる;
(2)第2の化合物は、室温のOLEDにおいてTADF発光体として機能することができる遅延蛍光化合物である。
(1)第1の化合物は、室温のOLEDにおいてTADF発光体として機能することができる;
(2)第2の化合物は、室温のOLEDにおいてTADF発光体として機能することができる遅延蛍光化合物である。
幾つかの実施形態では、TADF発光体は、少なくとも1つのドナー基及び少なくとも1つのアクセプター基を含む。幾つかの実施形態では、TADF発光体は、金属錯体である。幾つかの実施形態では、TADF発光体は、非金属錯体である。幾つかの実施形態では、TADF発光体は、ホウ素含有化合物である。幾つかの実施形態では、TADF発光体は、Cu、Zn、Zr、Ag、又はAu錯体である。
OLEDの幾つかの実施形態では、TADF発光体は、M(L5)(L6)の式を有し、Mは、Cu、Ag、又はAuであり、L5及びL6は異なり、L5及びL6は、独立して、以下からなる群から選択される。
A1~A9は、それぞれ独立して、C又はNから選択され;RP、RQ、及びRUは、それぞれ独立して、モノ置換、又は最大置換まで、又は無置換を表し;RP、RP、RU、RSA、RSB、RRA、RRB、RRC、RRD、RRE、及びRRFは、それぞれ独立して、水素である、又は本明細書で定義される一般的な置換基からなる群から選択される置換基であり;任意の2つの置換基は、結合又は縮合して、環を形成してもよい。
OLEDの幾つかの実施形態では、TADF発光体は、以下の1つであることができる。
式中、RA’’、RB’’、RC’’、RD’’、RE’’、及びRF’’は、それぞれ独立して、モノから最大可能数の置換を表すことができる、又は無置換を表すことができ;
R’’、R’’’、RA1、RA’’、RB’’、RC’’、RD’’、RE’’、及びRF’’は、それぞれ独立して、水素である、又は本明細書で定義される一般的な置換基からなる群から選択される置換基であり;任意の2つの置換基は、縮合又は結合して、環を形成してもよく;
Lは、独立して、直接結合、BR’’、BR’’R’’’、NR’’、PR’’、O、S、Se、C=O、C=S、C=Se、C=NR’’、C=CR’’R’’’、S=O、SO2、CR’’、CR’’R’’’、SiR’’R’’’、GeR’’R’’’、アルキル、シクロアルキル、アリール、ヘテロアリール、及びこれらの組合せからなる群から選択され;
L1 ’及びL2 ’は、それぞれ、単座アニオン配位子であり;
X1’及びX2’は、それぞれ、ハライドであり;
任意の2つの置換基は、縮合又は結合して、環を形成してもよい。
R’’、R’’’、RA1、RA’’、RB’’、RC’’、RD’’、RE’’、及びRF’’は、それぞれ独立して、水素である、又は本明細書で定義される一般的な置換基からなる群から選択される置換基であり;任意の2つの置換基は、縮合又は結合して、環を形成してもよく;
Lは、独立して、直接結合、BR’’、BR’’R’’’、NR’’、PR’’、O、S、Se、C=O、C=S、C=Se、C=NR’’、C=CR’’R’’’、S=O、SO2、CR’’、CR’’R’’’、SiR’’R’’’、GeR’’R’’’、アルキル、シクロアルキル、アリール、ヘテロアリール、及びこれらの組合せからなる群から選択され;
L1 ’及びL2 ’は、それぞれ、単座アニオン配位子であり;
X1’及びX2’は、それぞれ、ハライドであり;
任意の2つの置換基は、縮合又は結合して、環を形成してもよい。
OLEDの幾つかの実施形態では、TADF発光体は、ホウ素原子を含む。OLEDの幾つかの実施形態では、TADF発光体は、以下からなる群から選択されるドナー部分の少なくとも1つを含む。
式中、YT、YU、YV、及びYWは、それぞれ独立して、BR、NR、PR、O、S、Se、C=O、S=O、SO2、BRR’、CRR’、SiRR’、及びGeRR’からなる群から選択され;
各RTは、同じでも異なっていてもよく、RTは、それぞれ独立して、ドナー、アクセプター基、ドナーに結合された有機リンカー、アクセプター基に結合された有機リンカー、又はアルキル、シクロアルキル、ヘテロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリールアルキル、アリール、ヘテロアリール、及びこれらの組合せからなる群から選択される末端基であり;
R及びR’は、それぞれ独立して、水素である、又は本明細書で定義される一般的な置換基からなる群から選択される置換基である。
各RTは、同じでも異なっていてもよく、RTは、それぞれ独立して、ドナー、アクセプター基、ドナーに結合された有機リンカー、アクセプター基に結合された有機リンカー、又はアルキル、シクロアルキル、ヘテロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリールアルキル、アリール、ヘテロアリール、及びこれらの組合せからなる群から選択される末端基であり;
R及びR’は、それぞれ独立して、水素である、又は本明細書で定義される一般的な置換基からなる群から選択される置換基である。
上記実施形態の幾つかでは、上記の構造の任意の各フェニル環において、置換基とともに最大合計3個までの任意の炭素環原子をNで置換することができる。
幾つかの実施形態では、TADF発光体は、ニトリル、イソニトリル、ボラン、フルオライド、ピリジン、ピリミジン、ピラジン、トリアジン、アザ-カルバゾール、アザ-ジベンゾチオフェン、アザ-ジベンゾフラン、アザ-ジベンゾセレノフェン、アザ-トリフェニレン、イミダゾ―ル、ピラゾール、オキサゾール、チアゾール、イソオキサゾール、イソチアゾール、トリアゾール、チアジアゾール、及びオキサジアゾールからなる群から選択されるアクセプター部分の少なくとも1つを含む。幾つかの実施形態では、本明細書で記載されるアクセプター部分及びドナー部分は、直接、若しくは共役リンカー又は非共役リンカー、sp3炭素又はシリコン原子等のような、を介して結合されることができる。
幾つかの実施形態では、アクセプターは、室温の前記OLEDにおいて、発光体として機能する蛍光化合物である。幾つかの実施形態では、蛍光化合物は、以下からなる群から選択される化学部分の少なくとも1つを含む。
式中、YF、YG、YH、及びYIは、それぞれ独立して、BR、NR、PR、O、S、Se、C=O、S=O、SO2、BRR’、CRR’、SiRR’、及びGeRR’からなる群から選択され;
XF及びXGは、それぞれ独立して、C及びNからなる群から選択され;
RF、RG、R、及びR’は、それぞれ独立して、水素である、又は本明細書で定義される一般的な置換基からなる群から選択される置換基である。
上記実施形態の幾つかでは、上記の構造の任意の各フェニル環において、置換基とともに最大合計3個までの任意の炭素環原子をNで置換することができる。
式中、YF、YG、YH、及びYIは、それぞれ独立して、BR、NR、PR、O、S、Se、C=O、S=O、SO2、BRR’、CRR’、SiRR’、及びGeRR’からなる群から選択され;
XF及びXGは、それぞれ独立して、C及びNからなる群から選択され;
RF、RG、R、及びR’は、それぞれ独立して、水素である、又は本明細書で定義される一般的な置換基からなる群から選択される置換基である。
上記実施形態の幾つかでは、上記の構造の任意の各フェニル環において、置換基とともに最大合計3個までの任意の炭素環原子をNで置換することができる。
幾つかの実施形態では、第2の化合物は、下記からなる群から選択される。
式中、YF1~YF4は、それぞれ独立して、O、S、及びNRF1から選択され;
RF1及びR1S~R9Sは、それぞれ独立して、モノから最大可能数の置換を表す、又は無置換を表し;
RF1及びR1S~R9Sは、それぞれ独立して、水素である、又は本明細書で定義される一般的な置換基からなる群から選択される置換基であり、任意の2つの置換基は、結合又は縮合して、環を形成してもよい。
RF1及びR1S~R9Sは、それぞれ独立して、モノから最大可能数の置換を表す、又は無置換を表し;
RF1及びR1S~R9Sは、それぞれ独立して、水素である、又は本明細書で定義される一般的な置換基からなる群から選択される置換基であり、任意の2つの置換基は、結合又は縮合して、環を形成してもよい。
上記実施形態の幾つかでは、上記の構造の任意の各フェニル環において、置換基とともに最大合計3個までの任意の炭素環原子をNで置換することができる。
幾つかの実施形態では、第2の化合物は、少なくとも5~15個の5員環及び/又は6員環芳香族環を有する縮合環系を含む。幾つかの実施形態では、第2の化合物は、第1の基と第2の基を有し、第1の基は第2の基と重複せず;最も低い一重項励起状態の一重項励起状態群の少なくとも80%は、第1の基に局在し;最も低い三重項励起状態の三重項励起状態群の少なくとも80%、85%、90%、又は95%は、第2の基に局在している。
幾つかの実施形態では、第2の化合物は、少なくとも5個の5員及び/又は6員環芳香族環を有する縮合環系を含む。幾つかの実施形態では、第2の化合物は、少なくとも6個の5員及び/又は6員環芳香族環を有する縮合環系を含む。幾つかの実施形態では、第2の化合物は、少なくとも7個の5員及び/又は6員芳香族環を有する縮合環系を含む。幾つかの実施形態では、第2の化合物は、少なくとも8個の5員及び/又は6員芳香族環を有する縮合環系を含む。幾つかの実施形態では、第2の化合物は、少なくとも9個の5員及び/又は6員芳香族環を有する縮合環系を含む。幾つかの実施形態では、第2の化合物は、少なくとも10個の5員及び/又は6員芳香族環を有する縮合環系を含む。
幾つかの実施形態では、第2の化合物は、第1の基と第2の基を有し、第1の基は第2の基と重複せず;最低一重項励起状態の一重項励起状態群の少なくとも80%は、第1の基に局在し;最低三重項励起状態の三重項励起状態群の少なくとも80%は、第2の基に局在している。幾つかの実施形態では、最低一重項励起状態の一重項励起状態群の少なくとも85%は、第1の基に局在し;最低三重項励起状態の三重項励起状態群の少なくとも85%は、第2の基に局在し;最低一重項励起状態の一重項励起状態群の少なくとも90%は、第1の基に局在し;最低三重項励起状態の三重項励起状態群の少なくとも90%は、第2の基に局在し;最低一重項励起状態の一重項励起状態群の少なくとも95%は、第1の基に局在し;最低三重項励起状態の三重項励起状態群の少なくとも95%は、第2の基に局在している。
幾つかの実施形態では、第3の化合物は、トリフェニレン、カルバゾール、インドロカルバゾール、ジベンゾチオフェン、ジベンゾフラン、ジベンゾセレノフェン、5λ2-ベンゾ[d]ベンゾ[4,5]イミダゾ[3,2-a]イミダゾール、5,9-ジオキサ-13b-ボラナフト[3,2,1-de]アントラセン、トリアジン、ボリル、シリル、アザ-トリフェニレン、アザ-カルバゾール、アザ-インドロカルバゾール、アザ-ジベンゾチオフェン、アザ-ジベンゾフラン、アザ-ジベンゾセレノフェン、アザ-5λ2-ベンゾ[d]ベンゾ[4,5]イミダゾ[3,2-a]イミダゾール、及びアザ-(5,9-ジオキサ-13b-ボラナフト[3,2,1-de]アントラセン)からなる群から選択される少なくとも1つの化学基を含む。
幾つかの実施形態では、第1の化合物(増感剤)は、室温のOLEDにおいて、第3の化合物(第1のホスト)とエキシプレックスを形成する。幾つかの実施形態では、第1のホストは、発光領域において、増感剤化合物及びアクセプター化合物(第2の化合物)のLUMOエネルギーよりも低いLUMOエネルギーを有する。幾つかの実施形態では、第1のホストは、発光領域において、増感剤化合物及びアクセプター化合物のHOMOエネルギーよりも低いHOMOエネルギーを有する。幾つかの実施形態では、第1のホストは、発光領域において、増感剤化合物及びアクセプター化合物のHOMOエネルギーよりも高いHOMOエネルギーを有する。幾つかの実施形態では、第1のホストは、発光領域において、増感剤化合物及びアクセプター化合物の少なくとも1つのHOMOエネルギーよりも高いHOMOエネルギーを有する。
幾つかの実施形態では、発光領域は、第2のホストを更に含む。幾つかの実施形態では、第1のホストは、室温でOLEDにおいて第2のホストとエキシプレックスを形成する。幾つかの実施形態では、第1のホスト及び第2のホストによって形成されるエキシプレックスにおけるS1-T1エネルギーギャップは、0.4、0.3、0.2、又は0.1eV未満である。幾つかの実施形態では、エキシプレックスのT1エネルギーは、2.5、2.6、2.7、又は2.8eV超である。幾つかの実施形態では、第1のホスト及び第2のホストを含む層又は複数の層中の第1のホスト及び第2のホストの濃度は、増感剤化合物及びアクセプター化合物を含む層又は複数の層中の増感剤化合物及びアクセプター化合物の濃度よりも大きい。幾つかの実施形態では、第1のホスト及び第2のホストを含む層又は複数の層中の第1のホスト及び第2のホストの濃度は、感剤化合物及びアクセプター化合物を含む層又は複数の層中のアクセプター化合物の濃度よりも大きい。
幾つかの実施形態では、第1のホストのS1エネルギーは、アクセプター化合物のS1エネルギーよりも大きい。幾つかの実施形態では、第1のホストのT1エネルギーは、増感剤化合物のT1エネルギーよりも大きい。幾つかの実施形態では、増感剤化合物は、アクセプター化合物のHOMOエネルギーよりも大きいHOMOエネルギーを有する。幾つかの実施形態では、第2のホストは、アクセプター化合物のHOMOレベルよりも浅いHOMOレベルを有する。幾つかの実施形態では、アクセプター化合物のHOMOレベルは、増感剤化合物及び第1のホストから選択される少なくとも1つよりも深い。
幾つかの実施形態では、第1のホスト及び/又は第2のホストは、トリフェニレン、カルバゾール、インドロカルバゾール、ジベンゾチオフェン、ジベンゾフラン、ジベンゾセレノフェン、5λ2-ベンゾ[d]ベンゾ[4,5]イミダゾ[3,2-a]イミダゾ―ル、5,9-ジオキサ-13b-ボラナフト[3,2,1-de]アントラセン、トリアジン、ボリル、シリル、ニトリル、アザ-トリフェニレン、アザ-カルバゾール、アザ-インドロカルバゾール、アザ-ジベンゾチオフェン、アザ-ジベンゾフラン、アザ-ジベンゾセレノフェン、アザ-5λ2-ベンゾ[d]ベンゾ[4,5]イミダゾ[3,2-a]イミダゾ―ル、及びアザ-(5,9-ジオキサ-13b-ボラナフト[3,2,1-de]アントラセン)からなる群から選択される少なくとも1つの化学基を含む。幾つかの実施形態では、第1のホスト及び第2のホストは、いずれも有機化合物である。幾つかの実施形態では、第1のホスト及び第2のホストの少なくとも1つは、金属錯体である。
本開示のR*の全ての実施形態は、R*基を有する第2のホストに等しく適用できることを理解すべきである。
幾つかの実施形態では、第3の化合物(第1のホスト)及び/又は第2のホストは、下記構造(リスト3)からなる群から選択されることができる。
リスト3:
式中、J1~J6は、それぞれ独立して、C又はNであり;
L’は、直接結合又は有機リンカーであり;
YAA、YBB、YCC、及びYDDは、それぞれ独立して、結合がない、直接結合、O、S、Se、CRR’、SiRR’、GeRR’、NR、BR、BRR’からなる群から選択され;
RA’、RB’、RC’、RD’、RE’、RF’、及びRG’は、それぞれ独立して、モノ置換、又は最大置換まで、又は無置換を表し;
R、R’、RA’、RB’、RC’、RD’、RE’、RF’、及びRG’は、それぞれ独立して、水素である、又は本明細書で定義される一般的な置換基からなる群から選択される置換基であり;任意の2つの置換基は、結合又は縮合して、環を形成してもよく;
可能な場合、各非置換芳香族炭素原子は、任意にNに置換され、アザ-置換環を形成する。
リスト3:
L’は、直接結合又は有機リンカーであり;
YAA、YBB、YCC、及びYDDは、それぞれ独立して、結合がない、直接結合、O、S、Se、CRR’、SiRR’、GeRR’、NR、BR、BRR’からなる群から選択され;
RA’、RB’、RC’、RD’、RE’、RF’、及びRG’は、それぞれ独立して、モノ置換、又は最大置換まで、又は無置換を表し;
R、R’、RA’、RB’、RC’、RD’、RE’、RF’、及びRG’は、それぞれ独立して、水素である、又は本明細書で定義される一般的な置換基からなる群から選択される置換基であり;任意の2つの置換基は、結合又は縮合して、環を形成してもよく;
可能な場合、各非置換芳香族炭素原子は、任意にNに置換され、アザ-置換環を形成する。
幾つかの実施形態では、J1~J3の少なくとも1つは、Nである。幾つかの実施形態では、J1~J3の少なくとも2つは、Nである。幾つかの実施形態では、J1~J3の3つ全ては、Nである。幾つかの実施形態では、YCC及びYDDは、それぞれ、O、S、及びSiRR’であることが好ましく、O又はSであることが更により好ましい。幾つかの実施形態では、少なくとも1つの非置換芳香族炭素原子は、Nに置換され、アザ-環を形成する。
幾つかの実施形態では、第2の化合物のHOMOレベルは、第1の化合物及び第3の化合物から選択される少なくとも1つよりも深い。
幾つかの実施形態では、第2の化合物及び第1の化合物の質量中心間の距離は、少なくとも0.75nmである。幾つかの実施形態では、第2の化合物及び第1の化合物の質量中心間の距離は、少なくとも1.0nmである。幾つかの実施形態では、第2の化合物及び第1の化合物の質量中心間の距離は、少なくとも1.5nmである。幾つかの実施形態では、第2の化合物及び第1の化合物の質量中心間の距離は、少なくとも2.0nmである。
幾つかの実施形態では、第1の化合物及び第2の化合物の両方は、0.33以下のVDR値を有する。幾つかの実施形態では、第1の化合物及び第2の化合物の両方は、0.30以下のVDR値を有する。幾つかの実施形態では、第1の化合物及び第2の化合物の両方は、0.25以下のVDR値を有する。幾つかの実施形態では、第1の化合物及び第2の化合物の両方は、0.2以下のVDR値を有する。幾つかの実施形態では、第1の化合物及び第2の化合物の両方は、0.15以下のVDR値を有する。幾つかの実施形態では、第1の化合物及び第2の化合物の両方は、0.10以下のVDR値を有する。
幾つかの実施形態では、第1の化合物及び第2の化合物の両方は、0.4以上のVDR値を有する。幾つかの実施形態では、第1の化合物及び第2の化合物の両方は、0.5以上のVDR値を有する。幾つかの実施形態では、第1の化合物及び第2の化合物の両方は、0.6以上のVDR値を有する。幾つかの実施形態では、第1の化合物及び第2の化合物の両方は、0.7以上のVDR値を有する。
幾つかの実施形態では、第2の化合物は、0.5超のVDR値を有し、第1の化合物は、第2の化合物よりも小さいVDRを有する。幾つかの実施形態では、第2の化合物は、0.3超のVDR値を有し、第1の化合物は、第2の化合物よりも小さいVDRを有する。幾つかの実施形態では、第2の化合物は、0.1超のVDR値を有し、第1の化合物は、第2の化合物よりも小さいVDRを有する。
幾つかの実施形態では、第2の化合物は、0.33以下のVDR値を有し;第1の化合物及び第3の化合物の少なくとも1つは、0.33超のVDR値を有する。
幾つかの実施形態では、第2の化合物は、0.33以下のVDR値を有し;第1の化合物及び第3の化合物の少なくとも1つは、0.33未満のVDR値を有する。
幾つかの実施形態では、発光領域は、第2のホストを更に含む。幾つかの実施形態では、第2のホストは、第2の化合物のHOMOレベルよりも浅いHOMOレベルを有する。
幾つかの実施形態では、第1の化合物は、発光領域内の第2の化合物とは別の層にあってもよい、又は第1の化合物は、第2の化合物と混合された層にあってもよく、第1の化合物を含む層における第1の化合物の濃度は、1~50重量%の範囲にある。幾つかの実施形態では、第1の化合物を含む層における第1の化合物の濃度は、5~40重量%の範囲にある。第1の化合物を含む層における第1の化合物の濃度は、10~20重量%の範囲にある。第1の化合物を含む層における第1の化合物の濃度は、12~15重量%の範囲にある。
幾つかの実施形態では、第2の化合物は、発光領域内の第1の化合物とは別の層にあってもよい、又は第2の化合物は、第1の化合物と混合された層にあってもよく、第2の化合物を含む層における第2の化合物の濃度は、0.1~10重量%の範囲にある。幾つかの実施形態では、第2の化合物を含む層における第2の化合物の濃度は、0.5~5重量%の範囲にある。第2の化合物を含む層における第2の化合物の濃度は、1~3重量%の範囲にある。
幾つかの実施形態では、電圧をデバイスに印加すると、前記OLEDが室温で発光放射を発し;前記発光放射は、340~500nmの発光値lmaxを有する第2の化合物から寄与される第1の放射成分を含む。
幾つかの実施形態では、電圧をデバイスに印加すると、前記OLEDが室温で発光放射を発し;前記発光放射は、500~600nmの発光値lmaxを有する第2の化合物から寄与される第1の放射成分を含む。
幾つかの実施形態では、電圧をデバイスに印加すると、前記OLEDが室温で発光放射を発し;前記発光放射は、600~900nmの発光値lmaxを有する第2の化合物から寄与される第1の放射成分を含む。
幾つかの実施形態では、電圧をデバイスに印加すると、前記OLEDが室温で発光放射を発し;前記発光放射は、50nm以下のFWHMを有する第2の化合物から寄与される第1の放射成分を含む。幾つかの実施形態では、FWHMは、40nm以下である。幾つかの実施形態では、FWHMは、35nm以下である。幾つかの実施形態では、FWHMは、30nm以下である。幾つかの実施形態では、FWHMは、25nm以下である。幾つかの実施形態では、FWHMは、20nm以下である。幾つかの実施形態では、FWHMは、15nm以下である。幾つかの実施形態では、FWHMは、10nm以下である。幾つかの実施形態では、FWHMは、5nm以下である。
幾つかの実施形態では、電圧をデバイスに印加すると、前記OLEDが室温で発光放射を発し;前記発光放射は、465nm未満の発光ピークの10%オンセットを有する第2の化合物から寄与される第1の放射成分を含む。幾つかの実施形態では、前記発光放射は、460nm未満の発光ピークの10%オンセットを有する第2の化合物から寄与される第1の放射成分を含む。幾つかの実施形態では、前記発光放射は、455nm未満の発光ピークの10%オンセットを有する第2の化合物から寄与される第1の放射成分を含む。幾つかの実施形態では、前記発光放射は、450nm未満の発光ピークの10%オンセットを有する第2の化合物から寄与される第1の放射成分を含む。
増感剤化合物とアクセプター化合物との間のDexterエネルギー伝達の量を減らすために、発光領域内で最も近接するアクセプター化合物の質量中心と増感剤化合物の質量中心との間の距離が大きいことが好ましいことは理解されるべきである。したがって、幾つかの実施形態では、アクセプター化合物の質量中心と増感剤化合物の質量中心との間の距離は、少なくとも2、1.5、1.0、又は0.75nmである。
好ましいアクセプター/増感剤VDR組合せ(A):幾つかの実施形態では、より高いアウトカップリング効率を達成するために、等方性発光体と比較して、発光アクセプターのプラズモンモードへの遷移双極子モーメントのカップリングを低減するために、アクセプターのVDRが0.33未満であることが好ましい。幾つかの場合では、アクセプターのVDRが0.33未満である場合、増感剤とアクセプターの遷移双極子モーメントのアウトカップリングを改善し、Forsterエネルギー移動率を最適化するために、増感剤のVDRが0.33未満であることが好ましい。したがって、発明OLEDの幾つかの実施形態では、発明OLEDにおけるアクセプター化合物は、アクセプター化合物を唯一の発光体として有する発光薄膜試験サンプルでVDRを測定したときに、0.33、0.30、0.25、0.2、0.15、0.10、0.08、又は0.05以下のVDR値を示し;発明OLEDにおける増感剤化合物は、増感剤化合物を唯一の発光体として有する発光薄膜試験サンプルでVDRを測定したときに、0.33、0.30、0.25、0.2、0.15、0.10、0.08、又は0.05以下のVDR値を示す。
好ましいアクセプター/増感剤VDR組合せ(B):幾つかの実施形態では、より高いアウトカップリング効率を達成するために、等方性発光体と比較して、発光アクセプターのプラズモンモードへの遷移双極子モーメントのカップリングを低減させるために、アクセプターのVDRが0.33未満であることが好ましい。幾つかの場合では、アクセプターのVDRが0.33未満である場合、デクスター消光の程度を低減するために、増感剤とアクセプターとの間の分子間相互作用を最小化することが好ましい。増感剤の分子構造を変更して分子間相互作用を減少させることにより、VDRが0.33より大きい増感剤を有することが好ましいことがある。したがって、発明OLEDの幾つかの実施形態では、発明OLEDにおけるアクセプター化合物は、アクセプター化合物を唯一の発光体として有する発光薄膜試験サンプルでVDRを測定したときに、0.33、0.30、0.25、0.2、0.15、0.10、0.08、又は0.05以下のVDR値を示し;発明OLEDにおける増感剤化合物は、増感剤化合物を唯一の発光体として有する発光薄膜試験サンプルでVDRを測定したときに、0.33、0.4、0.5、0.6、又は0.7超のVDR値を示す。
好ましいアクセプター/増感剤VDR組合せ(C):幾つかの実施形態では、発光層における励起状態の過渡寿命を減少させるために、等方性発光体と比較して、アクセプターのプラズモンモードへの遷移双極子モーメントのカップリングを増加させるために、アクセプターのVDRが0.33より大きいことが好ましい。幾つかの場合では、プラズモンモードへのカップリングの増加は、プラズモンOLEDデバイスにおいて、エンハンスメント層と対になり、効率を改善し、動作寿命を延長することができる。幾つかの場合では、アクセプターのVDRが0.33超である場合、デクスター消光の程度を低減するために、増感剤とアクセプターとの間の分子間相互作用を最小化することが好ましい。増感剤の分子構造を変更して分子間相互作用を減少させることにより、VDRが0.33より小さい増感剤を有することが好ましいことがある。したがって、発明OLEDの幾つかの実施形態では、アクセプター化合物を唯一の発光体として有する発光薄膜試験サンプルでVDRを測定したときに、発明OLEDにおけるアクセプター化合物は、0.33、0.4、0.5、0.6、又は0.7よりも大きいVDR値を示し;増感剤化合物を唯一の発光体として有する発光薄膜試験サンプルでVDRを測定したときに、発明OLEDにおける増感剤化合物は、0.33、0.30、0.25、0.2、0.15、0.10、0.08、又は0.05以下のVDR値を示す。
好ましいアクセプター/増感剤VDR組合せ(D):幾つかの実施形態では、発光層における励起状態の過渡寿命を減少させるために、等方性発光体と比較して、アクセプターのプラズモンモードへの遷移双極子モーメントのカップリングを増加させるために、アクセプターのVDRが0.33より大きいことが好ましい。幾つかの場合では、プラズモンモードへのカップリングの増加は、プラズモンOLEDデバイスにおいて、エンハンスメント層と対になり、効率を改善し、動作寿命を延長することができる。幾つかの場合では、アクセプターのVDRが0.33よりも大きい場合には、増感剤及びアクセプターの遷移双極子モーメントのカップリングを改善して、Forsterエネルギー移動率を最適化するために、増感剤のVDRが0.33よりも大きいことが好ましい。したがって、発明OLEDの幾つかの実施形態では、アクセプター化合物を唯一の発光体として有する発光薄膜試験サンプルでVDRを測定したときに、発明OLEDにおけるアクセプター化合物は、0.33、0.4、0.5、0.6、又は0.7よりも大きいVDR値を示し;増感剤化合物を唯一の発光体として有する発光薄膜試験サンプルでVDRを測定したときに、発明OLEDにおける増感剤化合物は、0.33、0.4、0.5、0.6、又は0.7未満のVDR値を示す。
VDRは、発光層の薄膜サンプルにおける発光化合物の垂直に配向した分子双極子のアンサンブル平均画分であり、配向「垂直」は、薄膜サンプルが形成される基板の表面の平面に対するものである(即ち、基板平面の表面に対して垂直である)。同様の概念は、発光層の薄膜サンプルにおける発光化合物の水平に配向した分子双極子のアンサンブル平均画分である、水平双極子比(HDR)であり、配向「水平」は、薄膜サンプルが形成される基板の表面の平面に対するものである(即ち、基板平面の表面に対して平行である)。定義上、VDR+HDR=1である。VDRは、角度依存測定、偏光依存測定、光ルミネセンス測定によって測定されることができる。偏光の関数として、光励起薄膜試験サンプルの測定された発光パターンを計算してモデル化されたパターンと比較することによって、薄膜試験サンプル発光層のVDRを決定することができる。例えば、p偏光発光のモデル化されたデータを図3に示す。モデル化されたp偏光角度光ルミネセンス(PL)は、異なるVDRを有する発光体についてプロットされる。モデル化されたPLのピークは、45°の角度付近のp偏光PLにおいて観測され、発光体のVDRが高いときにピークPLがより大きくなる。
薄膜試験サンプルのVDR値を測定するために、薄膜中の唯一の発光体としてアクセプター化合物又は増感剤化合物(アクセプター化合物又は増感剤化合物のVDRが測定されているかに依存する)及びホストとして参照ホスト化合物Aを有する薄膜試験サンプルを形成することができる。好ましくは、参照ホスト化合物Aは、以下:
である。薄膜試験サンプルは、発光体化合物及びホスト化合物を基板上に熱蒸発させて形成される。例えば、発光体化合物及びホスト化合物を共蒸発させることができる。幾つかの実施形態では、ホスト中の発光体化合物のドーピングレベルは、0.1%~50%の重量パーセントであることができる。幾つかのそのような実施形態では、ホスト中の発光体化合物のドーピングレベルは、青色発光体において3%~20%であることができる。幾つかのそのような実施形態では、ホスト中の発光体化合物のドーピングレベルは、赤色及び緑色発光体において1%~15%であることができる。熱蒸発薄膜試験サンプルの厚みは、50~1000Åの厚みを有することができる。
幾つかの実施形態では、本開示のOLEDは、発光領域において、増感剤、アクセプター、及び1以上のホストを含むことができ、上述される好ましいアクセプター/増感剤VDR組合せ(A)~(D)は、依然として適用可能である。これらの実施形態では、アクセプター化合物のVDR値は、1以上のホスト及びアクセプターからなる薄膜試験サンプルで測定されることができ、アクセプターは薄膜試験サンプル内の唯一の発光体である。同様に、増感剤化合物のVDR値は、1以上のホスト及び増感剤からなる薄膜試験サンプルで測定されることができ、増感剤は薄膜試験サンプル内の唯一の発光体である。
図3を生成するために使用されたこの例では、屈折率1.75及び発光を有する材料の30nm厚の膜は、屈折率1.75の半無限媒体で監視される。膜の表面に垂直な0°の角度で光ルミネセンス強度1に対して、各曲線は基準化される。発光体のVDRが変化すると、45°付近のピークは大きく増加する。ソフトウェアを使用して実験データのVDRを適合させる場合、モデル化されたVDRは、モデル化されたデータと実験データの間との差が最小になるまで変化する。
VDRは、薄膜サンプル中の発光化合物の平均双極子配位を示すため、発光層中に追加の発光可能な化合物があっても、発光に寄与していなければ、VDR測定はVDRを反映しない。また、発光化合物と相互作用するホスト材料を含有させることにより、発光化合物のVDRを変更することができる。したがって、ホスト材料Aを有する薄膜サンプル中の発光化合物は、1つのVDR測定値を示し、ホスト材料Bを有する薄膜サンプル中の同じ発光化合物は異なるVDR測定値を示す。更に、幾つかの実施形態においては、隣接する2つの分子間に発光状態を形成するエキシプレックス又はエキシマーが望ましい。これらの発光状態は、エキシプレックス又はエキシマーの成分の1つのみが発光していた場合又は試料中に存在していた場合とは異なるVDRを有することができる。
幾つかの実施形態においては、OLEDは、プラズモンOLEDである。幾つかの実施形態においては、OLEDは、導波(wave-guided)型OLEDである。
幾つかの実施形態では、発光領域は、第2のホストを更に含むことができる。幾つかの実施形態では、第1のホストは、ビカルバゾール、インドロカルバゾール、トリアジン、ピリミジン、ピリジン、及びボリルからなる群から選択される部分を含む。幾つかの実施形態では、第2のホストは、アクセプター化合物のHOMOレベルよりも浅いHOMOレベルを有する。
幾つかの実施形態では、OLEDは、電圧がデバイスに印加されると、室温で白色光を発する。
幾つかの実施形態では、OLEDは、電圧がデバイスに印加されると、室温で発光を発し;発光第一放射成分は、340nm超~500nm以下、500nm超~600nm以下、及び600nm超~900nm以下からなる群から独立して選択される発光値λmax1を有するアクセプター化合物から寄与される。幾つかの実施形態では、第1放射成分は、50、40、35、30、25、20、15、10、又は5nm以下のFWHMを有する。幾つかの実施形態では、第1放射成分は、465、460、455、又は450nm未満である発光ピークの10%オンセットを有する。
幾つかの実施形態では、増感剤化合物は、部分的に又は完全に重水素化される。幾つかの実施形態では、アクセプター化合物は、部分的に又は完全に重水素化される。幾つかの実施形態では、第1のホストは、部分的に又は完全に重水素化される。幾つかの実施形態では、第2のホストは、部分的に又は完全に重水素化される。
幾つかの実施形態では、第1の化合物(増感剤)及び/又は第2の化合物(アクセプター)は、それぞれ独立して、0.45、0.55、0.65、0.75、又は0.80以上の真球度(spherocity)を有する少なくとも1つの置換基を含む。真球度は、嵩高い基の三次元性の測定値である。真球度は、主慣性モーメント(PMI)間の比率として定義される。具体的には、真球度は、PMI1、PMI2、及びPMI3の合計に対する3倍のPMI1の比率であり、PMI1は最小主慣性モーメントであり、PMI2は2番目に小さい主慣性モーメントであり、及びPMI3は最大主慣性モーメントである。密度汎関数理論による基底状態の最適化後の構造の最小エネルギー配座異性体の真球度を算出することができる。より詳細な情報は、参照によりその内容が本明細書に組み込まれる、2022年12月6日出願の米国特許出願番号18/062,110の段落0054~0059で見ることができる。幾つかの実施形態では、第1の化合物及び/又は第2の化合物は、それぞれ独立して、153、206、259、290、又は329Å3より大きいファンデルワールス体積を有する少なくとも1つの置換基を含む。幾つかの実施形態では、第1の化合物及び/又は第2の化合物は、それぞれ独立して、167、187、259、303、又は305amuより大きい分子量を有する少なくとも1つの置換基を含む。
幾つかの実施形態では、第1のホスト及び第2のホストの1つは、正孔輸送ホストであり、第1のホスト及び第2のホストの1つの他の一方は、電子輸送ホストである。幾つかの実施形態では、前記第1のホストは正孔輸送ホストであり、前記第1のホストは、アミノ、カルバゾール、インドロカルバゾール、ジベンゾチオフェン、ジベンゾフラン、ジベンゾセレノフェン、及び5λ2-ベンゾ[d]ベンゾ[4,5]イミダゾ[3,2-a]イミダゾ―ルからなる群から選択される少なくとも化学基を含む。幾つかの実施形態では、前記第1のホストは、電子輸送ホストであり、前記第1のホストは、ピリジン、ピリミジン、ピラジン、ピリダジン、トリアジン、イミダゾ―ル、アザ-トリフェニレン、アザ-カルバゾール、アザ-ジベンゾチオフェン、アザ-ジベンゾフラン、アザ-ジベンゾセレノフェン、5,9-ジオキサ-13b-ボラナフト(ボラナフト)[3,2,1-de]アントラセン、ボリル、ニトリル、アザ-5λ2-ベンゾ[d]ベンゾ[4,5]イミダゾ[3,2-a]イミダゾ―ル、及びアザ-(5,9-ジオキサ-13b-ボラナフト[3,2,1-de]アントラセン)からなる群から選択される少なくとも1つの化学基を含む。幾つかの実施形態では、第1のホスト及び第2のホストの1つは、正孔輸送部分及び電子輸送部分の両方を含む双極性ホストである。
幾つかの実施形態では、OLEDは、色変換層又はカラーフィルターを更に含む。
幾つかの実施形態では、組成物(formulation)は、以下の化合物:増感剤化合物、アクセプター化合物、及びホストの少なくとも2つの異なる化合物を含むことができる。
幾つかの実施形態では、化学構造は、モノマー、ポリマー、巨大分子、及び超分子からなる群から選択され、前記化学構造は、以下の成分:増感剤化合物、アクセプター化合物、及びホストの少なくとも2つを含む。
本明細書に記載される全ての化合物及びデバイスの実施形態は、それらの実施形態が開示全体の異なる態様にも適用可能である場合には、交換可能であり得ることを理解すべきである。
幾つかの実施形態においては、本明細書に記載される増感剤化合物、アクセプター化合物、及びホスト化合物は、それぞれ、少なくとも10%重水素化されることができる、少なくとも20%重水素化されることができる、少なくとも30%重水素化されることができる、少なくとも40%重水素化されることができる、少なくとも50%重水素化されることができる、少なくとも60%重水素化されることができる、少なくとも70%重水素化されることができる、少なくとも80%重水素化されることができる、少なくとも90%重水素化されることができる、少なくとも95%重水素化されることができる、少なくとも99%重水素化されることができる、又は100%重水素化されることができる。本明細書で使用されるように、重水素化の割合は、通常の意味を有し、重水素原子に置換される可能性のある水素原子(例えば、水素又は重水素である位置)の割合を含む。
他の態様では、本開示は、本明細書で定義されるOLEDを含む消費者製品を提供する。
幾つかの実施形態においては、前記消費者製品は、フラットパネルディスプレイ、コンピュータモニター、メディカルモニター、テレビ、掲示板、屋内若しくは屋外照明及び/又は信号送信用のライト、ヘッドアップディスプレイ、完全又は部分透明ディスプレイ、フレキシブルディスプレイ、レーザープリンター、電話、携帯電話、タブレット、ファブレット、パーソナルデジタルアシスタント(PDA)、ウェアラブルデバイス、ラップトップコンピュータ、デジタルカメラ、カムコーダー、ビューファインダー、対角で2インチ未満のマイクロディスプレイ、3-Dディスプレイ、バーチャルリアリティ又は拡張現実ディスプレイ、車両、共に並べた多重ディスプレイを含むビデオウォール、劇場又はスタジアムのスクリーン、光療法デバイス、及び看板からなる群から選択される。
C.本開示の組成物、化学構造/アセンブリ、及び予混合共蒸発源
更に別の態様では、本開示は、
第1の化合物と;
第2の化合物と;
第3の化合物と、
を含む組成物を提供し、
前記第1の化合物は、室温のOLEDにおいて、エネルギーを前記第2の化合物に伝達する増感剤であり;
前記第2の化合物は、室温の前記OLEDにおいて、発光体であるアクセプターであり;
前記第3の化合物は、室温の前記OLEDにおいて、第1のホストであり;
前記第1の化合物、前記第2の化合物、及び前記第3の化合物の少なくとも2つは、同じ又は異なる置換基R*を含み;
R*は、下記からなる群から選択される。
式中、[X]は、少なくとも1つの6員炭素環、シリル基、ゲルミル基、又は複素環を含む化学部分であり;
部分E及びFは、それぞれ独立して、単環式環又は多環式縮合環系であり;
前記単環式環及び前記多環式縮合環系の各環は、独立して、5員又は6員の炭素環又は複素環であり;
RE及びRFは、それぞれ独立して、モノから最大可能置換を表す、又は無置換を表し;
RE及びRFは、それぞれ独立して、水素である、又は本明細書で定義される一般的な置換基からなる群から選択される置換基であり;
任意の隣接する置換基は、任意に結合又は縮合し、環を形成し;
前記組成物は、前記第1の化合物、前記第2の化合物、及び前記第3の化合物の少なくとも2つを含む。
更に別の態様では、本開示は、
第1の化合物と;
第2の化合物と;
第3の化合物と、
を含む組成物を提供し、
前記第1の化合物は、室温のOLEDにおいて、エネルギーを前記第2の化合物に伝達する増感剤であり;
前記第2の化合物は、室温の前記OLEDにおいて、発光体であるアクセプターであり;
前記第3の化合物は、室温の前記OLEDにおいて、第1のホストであり;
前記第1の化合物、前記第2の化合物、及び前記第3の化合物の少なくとも2つは、同じ又は異なる置換基R*を含み;
R*は、下記からなる群から選択される。
部分E及びFは、それぞれ独立して、単環式環又は多環式縮合環系であり;
前記単環式環及び前記多環式縮合環系の各環は、独立して、5員又は6員の炭素環又は複素環であり;
RE及びRFは、それぞれ独立して、モノから最大可能置換を表す、又は無置換を表し;
RE及びRFは、それぞれ独立して、水素である、又は本明細書で定義される一般的な置換基からなる群から選択される置換基であり;
任意の隣接する置換基は、任意に結合又は縮合し、環を形成し;
前記組成物は、前記第1の化合物、前記第2の化合物、及び前記第3の化合物の少なくとも2つを含む。
更に別の態様では、本開示は、モノマー、ポリマー、巨大分子、及び超分子からなる群から選択される化学構造も提供し、前記化学構造は、以下の成分:
第1の化合物、それらの一価又は多価のバリアント;
第2の化合物、それらの一価又は多価のバリアント;及び
第3の化合物、それらの一価又は多価のバリアント;
の少なくとも2つを含み;
前記第1の化合物は、室温のOLEDにおいて、エネルギーを前記第2の化合物に伝達する増感剤であり;
前記第2の化合物は、室温の前記OLEDにおいて、発光体であるアクセプターであり;
前記第3の化合物は、室温の前記OLEDにおいて、第1のホストである。
第1の化合物、それらの一価又は多価のバリアント;
第2の化合物、それらの一価又は多価のバリアント;及び
第3の化合物、それらの一価又は多価のバリアント;
の少なくとも2つを含み;
前記第1の化合物は、室温のOLEDにおいて、エネルギーを前記第2の化合物に伝達する増感剤であり;
前記第2の化合物は、室温の前記OLEDにおいて、発光体であるアクセプターであり;
前記第3の化合物は、室温の前記OLEDにおいて、第1のホストである。
化学構造の幾つかの実施形態では、前記第1の化合物、前記第2の化合物、及び前記第3の化合物の少なくとも2つは、同じ又は異なる置換基*を含み;
R*は、下記からなる群から選択される。
式中、[X]は、少なくとも1つの6員炭素環、シリル基、ゲルミル基、又は複素環を含む化学部分であり;
部分E及びFは、それぞれ独立して、単環式環又は多環式縮合環系であり;前記単環式環及び前記多環式縮合環系の各環は、独立して、5員又は6員の炭素環又は複素環であり;
RE及びRFは、それぞれ独立して、モノから最大可能置換を表す、又は無置換を表し;
RE及びRFは、それぞれ独立して、水素である、又は本明細書で定義される一般的な置換基からなる群から選択される置換基であり;
任意の隣接する置換基は、任意に結合又は縮合し、環を形成する。
R*は、下記からなる群から選択される。
部分E及びFは、それぞれ独立して、単環式環又は多環式縮合環系であり;前記単環式環及び前記多環式縮合環系の各環は、独立して、5員又は6員の炭素環又は複素環であり;
RE及びRFは、それぞれ独立して、モノから最大可能置換を表す、又は無置換を表し;
RE及びRFは、それぞれ独立して、水素である、又は本明細書で定義される一般的な置換基からなる群から選択される置換基であり;
任意の隣接する置換基は、任意に結合又は縮合し、環を形成する。
更に別の態様では、本開示は、第1の化合物及び第2の化合物の混合物である予混合共蒸発源を更に提供し;
共蒸発源は、真空堆積プロセス又はOVJPプロセスのための共蒸発源であり;
第1の化合物及び第2の化合物は、以下からなる群から異なって選択され:
(1)室温のOLEDにおいて発光体であるアクセプターにエネルギーを伝達する増感剤である化合物;
(2)室温のOLEDにおいて発光体であるアクセプターである化合物;
(3)室温のOLEDにおいてホストである化合物;
第1の化合物は、150~350℃の蒸発温度T1を有し;
第2の化合物は、150~350℃の蒸発温度T2を有し;
T1-T2の絶対値は、20℃未満であり;
第1の化合物は、前記混合物における濃度C1及び膜における濃度C2を有し、前記膜は、蒸発させる前記混合物から離れた、あらかじめ決められた距離で位置される表面上で、2Å/sec堆積速度で、1×10-6Torr~1×10-9Torrの一定圧力で、真空堆積ツール内で前記混合物を蒸発させることによって形成され;
(C1-C2)/C1の絶対値は、5%未満である。
共蒸発源は、真空堆積プロセス又はOVJPプロセスのための共蒸発源であり;
第1の化合物及び第2の化合物は、以下からなる群から異なって選択され:
(1)室温のOLEDにおいて発光体であるアクセプターにエネルギーを伝達する増感剤である化合物;
(2)室温のOLEDにおいて発光体であるアクセプターである化合物;
(3)室温のOLEDにおいてホストである化合物;
第1の化合物は、150~350℃の蒸発温度T1を有し;
第2の化合物は、150~350℃の蒸発温度T2を有し;
T1-T2の絶対値は、20℃未満であり;
第1の化合物は、前記混合物における濃度C1及び膜における濃度C2を有し、前記膜は、蒸発させる前記混合物から離れた、あらかじめ決められた距離で位置される表面上で、2Å/sec堆積速度で、1×10-6Torr~1×10-9Torrの一定圧力で、真空堆積ツール内で前記混合物を蒸発させることによって形成され;
(C1-C2)/C1の絶対値は、5%未満である。
幾つかの実施形態では、請求項における予混合共蒸発源、
第1の化合物及び第2の化合物は、同じ又は異なる置換基*を含み;
R*は、下記からなる群から選択され;
式中、[X]は、少なくとも1つの6員炭素環、シリル基、ゲルミル基、又は複素環を含む化学部分であり;
部分E及びFは、それぞれ独立して、単環式環又は多環式縮合環系であり;前記単環式環及び前記多環式縮合環系の各環は、独立して、5員又は6員の炭素環又は複素環であり;
RE及びRFは、それぞれ独立して、モノから最大可能置換を表す、又は無置換を表し;
RE及びRFは、それぞれ独立して、水素である、又は本明細書で定義される一般的な置換基からなる群から選択される置換基であり;
任意の隣接する置換基は、任意に結合又は縮合し、環を形成する。
第1の化合物及び第2の化合物は、同じ又は異なる置換基*を含み;
R*は、下記からなる群から選択され;
部分E及びFは、それぞれ独立して、単環式環又は多環式縮合環系であり;前記単環式環及び前記多環式縮合環系の各環は、独立して、5員又は6員の炭素環又は複素環であり;
RE及びRFは、それぞれ独立して、モノから最大可能置換を表す、又は無置換を表し;
RE及びRFは、それぞれ独立して、水素である、又は本明細書で定義される一般的な置換基からなる群から選択される置換基であり;
任意の隣接する置換基は、任意に結合又は縮合し、環を形成する。
予混合共蒸発源の幾つかの実施形態では、前記第1の化合物は、室温のOLEDにおいて、リン光発光体として機能することができる化合物であり;前記第2の化合物は、室温のOLEDにおいて、TADF発光体として機能することができる遅延蛍光化合物である。
予混合共蒸発源の幾つかの実施形態では、前記第1の化合物は、室温のOLEDにおいて、リン光発光体として機能することができる化合物であり;前記第2の化合物は、室温のOLEDにおいて、蛍光発光体として機能することができる蛍光化合物である。
予混合共蒸発源の幾つかの実施形態では、前記第1の化合物は、室温の有機発光デバイスにおいて、TADF発光体として機能することができ;前記第2の化合物は、室温のOLEDにおいて、蛍光発光体として機能することができる蛍光化合物である。
予混合共蒸発源の幾つかの実施形態では、混合物は、第3の化合物を更に含み;
第3の化合物は、第1の化合物及び第2の化合物とは異なり、同じ群から選択され;
第3の化合物は、150~350℃の蒸発温度T3を有し、T1-T3の絶対値は、20℃未満である。
第3の化合物は、第1の化合物及び第2の化合物とは異なり、同じ群から選択され;
第3の化合物は、150~350℃の蒸発温度T3を有し、T1-T3の絶対値は、20℃未満である。
予混合共蒸発源の幾つかの実施形態では、第1の化合物は、200~350℃の蒸発温度T1を有し、第2の化合物は、200~350℃の蒸発温度T2を有する。
予混合共蒸発源の幾つかの実施形態では、(C1-C2)/C1の絶対値は、3%未満である。
予混合共蒸発源の幾つかの実施形態では、第1の化合物は、1atm、T1で、P1の蒸気圧を有し、第2の化合物は、1atm、T2で、P2の蒸気圧を有し;
P1/P2の比は、0.90:1~1.10:1の範囲内であり;
予混合共蒸発源の幾つかの実施形態では、第1の化合物は、第1の質量損失率を有し、第2の化合物は、第2の質量損失率を有し、前記第1の質量損失率と前記第2の質量損失率との比は、0.90:1~1.10:1の範囲内である。幾つかの実施形態では、前記第1の質量損失率と前記第2の質量損失率との比は、0.95:1~1.05:1の範囲内である。幾つかの実施形態では、前記第1の質量損失率と前記第2の質量損失率との比は、0.97:1~1.03:1の範囲内である。
P1/P2の比は、0.90:1~1.10:1の範囲内であり;
予混合共蒸発源の幾つかの実施形態では、第1の化合物は、第1の質量損失率を有し、第2の化合物は、第2の質量損失率を有し、前記第1の質量損失率と前記第2の質量損失率との比は、0.90:1~1.10:1の範囲内である。幾つかの実施形態では、前記第1の質量損失率と前記第2の質量損失率との比は、0.95:1~1.05:1の範囲内である。幾つかの実施形態では、前記第1の質量損失率と前記第2の質量損失率との比は、0.97:1~1.03:1の範囲内である。
予混合共蒸発源の幾つかの実施形態では、第1の化合物及び第2の化合物は、それぞれ、高圧液体クロマトグラフィーによって決定される99%を超える純度を有する。
予混合共蒸発源の幾つかの実施形態では、組成物は、T1及びT2の低い温度よりも低い温度で液体形態である。
予混合共蒸発源の幾つかの実施形態では、組成物は、T1及びT2の低い温度よりも低い温度で液体形態である。
D.本開示のOLEDを作製する方法
更に別の態様では、本開示は、有機発光デバイスを作製する方法も提供し、前記方法は、
その上に配置された第1の電極を有する基板を準備することと;
1×10-6Torr~1×10-9Torrのチャンバー底面圧で高真空堆積ツール内において、第1の化合物及び第2の化合物の混合物である予混合共蒸発源を蒸発させることによって前記第1の電極の上に第1の有機層を堆積することと;
前記第1の有機層の上に第2の電極を堆積することと、
を含み、
第1の化合物及び第2の化合物は、以下からなる群から異なって選択され:
(1)室温のOLEDにおいて発光体であるアクセプターにエネルギーを伝達する増感剤である化合物;
(2)室温のOLEDにおいて発光体であるアクセプターである化合物;
(3)室温のOLEDにおいてホストである化合物;
第1の化合物は、150~350℃の蒸発温度T1を有し;
第2の化合物は、150~350℃の蒸発温度T2を有し;
T1-T2の絶対値は、20℃未満であり;
第1の化合物は、前記混合物における濃度C1及び膜における濃度C2を有し、前記膜は、蒸発させる前記混合物から離れた、あらかじめ決められた距離で位置される表面上で、2Å/sec堆積速度で、1×10-6Torr~1×10-9Torrの一定圧力で、真空堆積ツール内で前記混合物を蒸発させることによって形成され;
(C1-C2)/C1の絶対値は、5%未満である。
更に別の態様では、本開示は、有機発光デバイスを作製する方法も提供し、前記方法は、
その上に配置された第1の電極を有する基板を準備することと;
1×10-6Torr~1×10-9Torrのチャンバー底面圧で高真空堆積ツール内において、第1の化合物及び第2の化合物の混合物である予混合共蒸発源を蒸発させることによって前記第1の電極の上に第1の有機層を堆積することと;
前記第1の有機層の上に第2の電極を堆積することと、
を含み、
第1の化合物及び第2の化合物は、以下からなる群から異なって選択され:
(1)室温のOLEDにおいて発光体であるアクセプターにエネルギーを伝達する増感剤である化合物;
(2)室温のOLEDにおいて発光体であるアクセプターである化合物;
(3)室温のOLEDにおいてホストである化合物;
第1の化合物は、150~350℃の蒸発温度T1を有し;
第2の化合物は、150~350℃の蒸発温度T2を有し;
T1-T2の絶対値は、20℃未満であり;
第1の化合物は、前記混合物における濃度C1及び膜における濃度C2を有し、前記膜は、蒸発させる前記混合物から離れた、あらかじめ決められた距離で位置される表面上で、2Å/sec堆積速度で、1×10-6Torr~1×10-9Torrの一定圧力で、真空堆積ツール内で前記混合物を蒸発させることによって形成され;
(C1-C2)/C1の絶対値は、5%未満である。
方法の幾つかの実施形態では、第1の化合物及び第2の化合物は、同じ又は異なる置換基*を含み;
R*は、以下からなる群から選択される。
式中、[X]は、少なくとも1つの6員炭素環、シリル基、ゲルミル基、又は複素環を含む化学部分であり;
部分E及びFは、それぞれ独立して、単環式環又は多環式縮合環系であり;前記単環式環及び前記多環式縮合環系の各環は、独立して、5員又は6員の炭素環又は複素環であり;
RE及びRFは、それぞれ独立して、モノから最大可能置換を表す、又は無置換を表し;
RE及びRFは、それぞれ独立して、水素である、又は本明細書で定義される一般的な置換基からなる群から選択される置換基であり;
任意の隣接する置換基は、任意に結合又は縮合し、環を形成する。
R*は、以下からなる群から選択される。
部分E及びFは、それぞれ独立して、単環式環又は多環式縮合環系であり;前記単環式環及び前記多環式縮合環系の各環は、独立して、5員又は6員の炭素環又は複素環であり;
RE及びRFは、それぞれ独立して、モノから最大可能置換を表す、又は無置換を表し;
RE及びRFは、それぞれ独立して、水素である、又は本明細書で定義される一般的な置換基からなる群から選択される置換基であり;
任意の隣接する置換基は、任意に結合又は縮合し、環を形成する。
E.本開示のOLEDの他の態様
幾つかの実施形態においては、前記OLEDは、更に、追加のホストを含むことができ、前記追加のホストは、ベンゾ縮合チオフェン又はベンゾ縮合フランを含むトリフェニレンを含み、前記ホスト中のいずれの置換基は、独立して、CnH2n+1、OCnH2n+1、OAr1、N(CnH2n+1)2、N(Ar1)(Ar2)、CH=CH-CnH2n+1、C≡C-CnH2n+1、Ar1、Ar1-Ar2、CnH2n-Ar1からなる群から選択される非縮合置換基である、又は無置換であり、nは1~10の整数であり、Ar1及びAr2は、独立して、ベンゼン、ビフェニル、ナフタレン、トリフェニレン、カルバゾール、及びこれらの複素芳香族類似体からなる群から選択されることができる。
幾つかの実施形態においては、前記OLEDは、更に、追加のホストを含むことができ、前記追加のホストは、ベンゾ縮合チオフェン又はベンゾ縮合フランを含むトリフェニレンを含み、前記ホスト中のいずれの置換基は、独立して、CnH2n+1、OCnH2n+1、OAr1、N(CnH2n+1)2、N(Ar1)(Ar2)、CH=CH-CnH2n+1、C≡C-CnH2n+1、Ar1、Ar1-Ar2、CnH2n-Ar1からなる群から選択される非縮合置換基である、又は無置換であり、nは1~10の整数であり、Ar1及びAr2は、独立して、ベンゼン、ビフェニル、ナフタレン、トリフェニレン、カルバゾール、及びこれらの複素芳香族類似体からなる群から選択されることができる。
幾つかの実施形態においては、前記追加のホストは、トリフェニレン、カルバゾール、インドロカルバゾール、ジベンゾチオフェン、ジベンゾフラン、ジベンゾセレノフェン、5λ2-ベンゾ[d]ベンゾ[4,5]イミダゾ[3,2-a]イミダゾール、5,9-ジオキサ-13b-ボラナフト[3,2,1-de]アントラセン、トリアジン、ボリル、シリル、アザ-トリフェニレン、アザ-カルバゾール、アザ-インドロカルバゾール、アザ-ジベンゾチオフェン、アザ-ジベンゾフラン、アザ-ジベンゾセレノフェン、アザ-5λ2-ベンゾ[d]ベンゾ[4,5]イミダゾ[3,2-a]イミダゾール、及びアザ-(5,9-ジオキサ-13b-ボラナフト[3,2,1-de]アントラセン)からなる群から選択される少なくとも1つの化学基を含む。
幾つかの実施形態では、追加のホストは、以下からなる群から選択されるホスト群1から選択されることができる。
ホスト群1:
式中、X1~X24は、それぞれ独立して、C又はNであり;
L’は、直接結合又は有機リンカーであり;
YAは、それぞれ独立して、結合がない、O、S、Se、CRR’、SiRR’、GeRR’、NR、BR、BRR’からなる群から選択され;
RA’、RB’、RC’、RD’、RE’、RF’、及びRG’は、それぞれ独立して、モノ、最大置換まで、又は無置換を表し;
R、R’、RA’、RB’、RC’、RD’、RE’、RF’、及びRG’は、それぞれ独立して、水素である、又は重水素、ハロゲン、アルキル、シクロアルキル、ヘテロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリールアルキル、アルコキシ、アリールオキシ、アミノ、シリル、ゲルミル、セレニル、アルケニル、シクロアルケニル、ヘテロアルケニル、アルキニル、アリール、ヘテロアリール、アシル、カルボン酸、エーテル、エステル、ニトリル、イソニトリル、スルファニル、スルフィニル、スルホニル、ホスフィノ、ボリル、及びこれらの組合せからなる群から選択される置換基であり;
有機層は、ホストを更に含み;
RA’、RB’、RC’、RD’、RE’、RF’、及びRG’の2つの隣接したものは、任意に結合又は縮合して、環を形成してもよい。
ホスト群1:
L’は、直接結合又は有機リンカーであり;
YAは、それぞれ独立して、結合がない、O、S、Se、CRR’、SiRR’、GeRR’、NR、BR、BRR’からなる群から選択され;
RA’、RB’、RC’、RD’、RE’、RF’、及びRG’は、それぞれ独立して、モノ、最大置換まで、又は無置換を表し;
R、R’、RA’、RB’、RC’、RD’、RE’、RF’、及びRG’は、それぞれ独立して、水素である、又は重水素、ハロゲン、アルキル、シクロアルキル、ヘテロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリールアルキル、アルコキシ、アリールオキシ、アミノ、シリル、ゲルミル、セレニル、アルケニル、シクロアルケニル、ヘテロアルケニル、アルキニル、アリール、ヘテロアリール、アシル、カルボン酸、エーテル、エステル、ニトリル、イソニトリル、スルファニル、スルフィニル、スルホニル、ホスフィノ、ボリル、及びこれらの組合せからなる群から選択される置換基であり;
有機層は、ホストを更に含み;
RA’、RB’、RC’、RD’、RE’、RF’、及びRG’の2つの隣接したものは、任意に結合又は縮合して、環を形成してもよい。
更に別の態様において、本開示のOLEDは、また、本開示の前記化合物セクションに開示される組成物(formulation)を含む発光領域を含むことができる。
幾つかの実施形態においては、アノード、カソード、又は有機発光層の上に配置された新たな層の少なくとも1つが、エンハンスメント層として機能する。エンハンスメント層は、非放射的に発光体材料に結合し、発光体材料から励起状態エネルギーを非放射モードの表面プラズモンポラリトンに伝達する表面プラズモン共鳴を示すプラズモン材料を含む。エンハンスメント層は、有機発光層から閾値距離以内に設けられ、発光体材料は、エンハンスメント層の存在により総非放射性崩壊速度定数及び総放射性崩壊速度定数を有し、閾値距離では、総非放射性崩壊速度定数は、総放射性崩壊速度定数に等しい。幾つかの実施形態においては、OLEDは、更に、アウトカップリング層を含む。幾つかの実施形態においては、アウトカップリング層は、有機発光層の反対側のエンハンスメント層の上に配置される。幾つかの実施形態においては、アウトカップリング層は、エンハンスメント層から発光層の反対側に配置されるが、依然として、エンハンスメント層の表面プラズモンモードからエネルギーをアウトカップリングする。アウトカップリング層は、表面プラズモンポラリトンからのエネルギーを散乱させる。幾つかの実施形態においては、このエネルギーは、光子として自由空間に散乱される。他の実施形態においては、エネルギーは、表面プラズモンモードから、デバイスの他のモード、例えば、有機導波路モード、基板モード、又は別の導波モード等に散乱されるがこれらに限定されない。エネルギーがOLEDの非自由空間モードに散乱される場合、他のアウトカップリングスキームを組み込んでそのエネルギーを自由空間に取り出すことができる。幾つかの実施形態においては、1以上の介在層を、エンハンスメント層とアウトカップリング層との間に配置することができる。介在層の例としては、有機、無機、ペロブスカイト、酸化物を含む誘電体材料であることができ、これらの材料の積層体及び/又は混合物を含むことができる。
前記エンハンスメント層は、発光体材料が存在する媒体の有効特性を変更し、発光率の低下、発光ライン形状の変更、角度による発光強度の変化、発光体材料の安定性の変化、OLEDの効率の変化、及びOLEDデバイスの効率ロールオフの低下のいずれか又は全てをもたらす。カソード側、アノード側、又は両側にエンハンスメント層を配置すると、前記した効果のいずれかを利用するOLEDデバイスが得られる。本明細書に記載され、図示される様々なOLEDの例に示される特定の機能層に加えて、本開示に係るOLEDは、OLEDにしばしば見られる他の機能層のいずれかを含むことができる。
前記エンハンスメント層は、プラズモン材料、光学活性メタ材料、又はハイパーボリックメタ材料で構成することがきる。本明細書で使用されるとき、プラズモン材料は、誘電率の実部が、電磁スペクトルの可視又は紫外領域でゼロを横切る材料である。幾つかの実施形態では、プラズモン材料は、少なくとも1つの金属を含む。そのような実施形態においては、金属は、Ag、Al、Au、Ir、Pt、Ni、Cu、W、Ta、Fe、Cr、Mg、Ga、Rh、Ti、Ru、Pd、In、Bi、Ca、これらの材料の合金又は混合物、及びこれらの材料の積層体の少なくとも1つを含むことができる。一般に、メタ材料は、異なる材料で構成される媒体であり、媒体が全体として、その各材料部分の合計とは異なる動作をする。特に、光学活性メタ材料は、負の誘電率と負の透磁率の両方を有する材料と定義される。一方、ハイパーボリックメタ材料は、誘電率又は透磁率が異なる空間方向に対して異なる符号を有する異方性媒体である。光学活性メタ材料とハイパーボリックメタ材料は、光の波長の長さスケールで伝搬方向に均一に見える媒体であるという点で、分布ブラッグ反射器(「DBR」)等の他の多くのフォトニック構造体と厳密に区別される。当業者が理解できる用語を使用すると、伝播方向におけるメタ材料の誘電率は、有効媒質近似で記述することができる。プラズモン材料とメタ材料は、光の伝搬を制御する方法を提供し、様々な方法でOLED性能を向上させることができる。
幾つかの実施形態においては、前記エンハンスメント層は平坦層として設けられる。他の実施形態においては、エンハンスメント層は、周期的、準周期的、若しくはランダムに配置される波長サイズのフィーチャ、又は周期的、準周期的、若しくはランダムに配置されるサブ波長サイズのフィーチャを有する。幾つかの実施形態においては、波長サイズのフィーチャ及びサブ波長サイズのフィーチャは、シャープなエッジを有する。
幾つかの実施形態においては、前記アウトカップリング層は、周期的、準周期的、若しくはランダムに配置される波長サイズのフィーチャ、又は周期的、準周期的、若しくはランダムに配置されるサブ波長サイズのフィーチャを有する。幾つかの実施形態においては、アウトカップリング層は、複数のナノ粒子から構成することができ、他の実施形態においては、アウトカップリング層は、材料の上に配置された複数のナノ粒子から構成される。これらの実施形態においては、アウトカップリングを、複数のナノ粒子のサイズを変えること、複数のナノ粒子の形状を変えること、複数のナノ粒子の材料を変えること、材料の厚みを調整すること、材料の屈折率又は複数のナノ粒子上に配置される更なる層の屈折率を変えること、エンハンスメント層の厚みを変えること、及び/又はエンハンスメント層の材料を変えることの少なくとも1つによって調節可能であり得る。デバイスの複数のナノ粒子は、金属、誘電体材料、半導体材料、金属の合金、誘電体材料の混合物、1以上の材料の積層体又は層、及び/又はあるタイプの材料のコアであって、別のタイプの材料のシェルでコーティングされたものの少なくとも1つから形成することができる。幾つかの実施形態においては、アウトカップリング層は、少なくとも金属ナノ粒子から構成され、前記金属は、Ag、Al、Au、Ir、Pt、Ni、Cu、W、Ta、Fe、Cr、Mg、Ga、Rh、Ti、Ru、Pd、In、Bi、Ca、これらの材料の合金又は混合物、及びこれらの材料の積層体からなる群から選択される。複数のナノ粒子は、それらの上に配置された更なる層を有することができる。幾つかの実施形態においては、発光の偏光を、アウトカップリング層を使用して調節することができる。アウトカップリング層の次元と周期性を変えることで、空気に優先的にアウトカップリングされる偏光のタイプを選択できる。幾つかの実施形態においては、アウトカップリング層は、デバイスの電極としても機能する。
更に別の態様では、本開示は、アノード、カソード、及び前記アノードと前記カソードとの間に配置された有機層を有する有機発光デバイス(OLED)を含む消費者製品も提供し;前記有機層は、本開示の前記化合物セクションに開示される化合物を含むことができる。
幾つかの実施形態では、前記消費者製品は、アノード、カソード、及び前記アノードと前記カソードとの間に配置された有機層を有するOLEDを含み;前記有機層は、本明細書に記載される組成物を含むことができる。
幾つかの実施形態においては、前記消費者製品は、フラットパネルディスプレイ、コンピュータモニター、メディカルモニター、テレビ、掲示板、屋内若しくは屋外照明及び/又は信号送信用のライト、ヘッドアップディスプレイ、完全又は部分透明ディスプレイ、フレキシブルディスプレイ、レーザープリンター、電話、携帯電話、タブレット、ファブレット、パーソナルデジタルアシスタント(PDA)、ウェアラブルデバイス、ラップトップコンピュータ、デジタルカメラ、カムコーダー、ビューファインダー、対角で2インチ未満のマイクロディスプレイ、3-Dディスプレイ、バーチャルリアリティ又は拡張現実ディスプレイ、車両、共に並べた多重ディスプレイを含むビデオウォール、劇場又はスタジアムのスクリーン、光療法デバイス、及び看板の1つであることができる。
概して、OLEDは、アノード及びカソードの間に配置され、それらと電気的に接続された少なくとも1つの有機層を含む。電流が印加されると、アノードが正孔を注入し、カソードが電子を有機層(複数可)に注入する。注入された正孔及び電子は、逆帯電した電極にそれぞれ移動する。電子及び正孔が同じ分子上に局在する場合、励起エネルギー状態を有する局在電子正孔対である「励起子」が形成される。光は、励起子が緩和した際に、光電子放出機構を介して放出される。幾つかの事例において、励起子はエキシマー又はエキサイプレックス上に局在し得る。熱緩和等の無輻射機構が発生する場合もあるが、概して望ましくないとみなされている。
幾つかのOLEDの材料及び構成が、参照によりその全体が組み込まれる米国特許第5,844,363号明細書、米国特許第6,303,238号明細書、及び米国特許第5,707,745号明細書に記載されている。
初期のOLEDは、例えば、参照によりその全体が組み込まれる米国特許第4,769,292号明細書において開示されている通り、その一重項状態から光を放出する発光分子(「蛍光」)を使用していた。蛍光発光は、概して、10ナノ秒未満の時間枠で発生する。
ごく最近では、三重項状態から光を放出する発光材料(「燐光」)を有するOLEDが実証されている。参照によりその全体が組み込まれる、Baldoら、「Highly Efficient リン光 Emission from Organic Electroluminescent Devices」、Nature、395巻、151~154、1998;(「Baldo-I」)及びBaldoら、「Very high-efficiency green 有機発光デバイスs based on electroリン光体escence」、Appl.Phys.Lett.、75巻、3号、4~6(1999)(「Baldo-II」)。燐光については、参照により組み込まれる米国特許第7,279,704号5~6段において更に詳細に記述されている。
図1は、有機発光デバイス100を示す。図は必ずしも一定の縮尺ではない。デバイス100は、基板110、アノード115、正孔注入層120、正孔輸送層125、電子ブロッキング層130、発光層135、正孔ブロッキング層140、電子輸送層145、電子注入層150、保護層155、カソード160、及びバリア層170を含み得る。カソード160は、第1の導電層162及び第2の導電層164を有する複合カソードである。デバイス100は、記述されている層を順に堆積させることによって製作され得る。これらの種々の層の特性及び機能並びに材料例は、参照により組み込まれるUS7,279,704、6~10段において更に詳細に記述されている。
これらの層のそれぞれについて、更なる例が利用可能である。例えば、フレキシブル及び透明基板-アノードの組合せは、参照によりその全体が組み込まれる米国特許第5、844、363号において開示されている。p-ドープされた正孔輸送層の例は、参照によりその全体が組み込まれる米国特許出願公開第2003/0230980号明細書において開示されている通りの、50:1のモル比でm-MTDATAにF4-TCNQをドープしたものである。発光材料及びホスト材料の例は、参照によりその全体が組み込まれるThompsonらの米国特許第6,303,238号において開示されている。n-ドープされた電子輸送層の例は、参照によりその全体が組み込まれる米国特許出願公開第2003/0230980号において開示されている通りの、1:1のモル比でBPhenにLiをドープしたものである。参照によりその全体が組み込まれる米国特許第5,703,436号及び同第5,707,745号は、上を覆う透明の、導電性の、スパッタリング蒸着したITO層を有するMg:Ag等の金属の薄層を有する複合カソードを含むカソードの例を開示している。ブロッキング層の理論及び使用は、参照によりその全体が組み込まれる米国特許第6,097,147号及び米国特許出願公開第2003/0230980号において更に詳細に記述されている。注入層の例は、参照によりその全体が組み込まれる米国特許出願公開第2004/0174116号において提供されている。保護層についての記述は、参照によりその全体が組み込まれる米国特許出願公開第2004/0174116号において見ることができる。
図2は、反転させたOLED200を示す。デバイスは、基板210、カソード215、発光層220、正孔輸送層225、及びアノード230を含む。デバイス200は、記述されている層を順に堆積させることによって製作され得る。最も一般的なOLED構成はアノードの上に配置されたカソードを有し、デバイス200はアノード230の下に配置されたカソード215を有するため、デバイス200は「反転させた」OLEDと称されることができる。デバイス100に関して記述されたものと同様の材料を、デバイス200の対応する層において使用してよい。図2は、幾つかの層が如何にしてデバイス100の構造から省略され得るかの一例を提供するものである。
図1及び図2において例証されている単純な層構造は、非限定的な例として提供されるものであり、本開示の実施形態は多種多様な他の構造に関連して使用され得ることが理解される。記述されている特定の材料及び構造は、事実上例示的なものであり、他の材料及び構造を使用してよい。機能的なOLEDは、記述されている種々の層を様々な手法で組み合わせることによって実現され得るか、又は層は、設計、性能及びコスト要因に基づき、全面的に省略され得る。具体的には記述されていない他の層も含まれ得る。具体的に記述されているもの以外の材料を使用してよい。本明細書において提供されている例の多くは、単一材料を含むものとして種々の層を記述しているが、ホスト及びドーパントの混合物等の材料の組合せ、又はより一般的には混合物を使用してよいことが理解される。また、層は種々の副層を有してもよい。本明細書における種々の層に与えられている名称は、厳しく限定することを意図するものではない。例えば、デバイス200において、正孔輸送層225は正孔を輸送し、正孔を発光層220に注入し、正孔輸送層又は正孔注入層として記述され得る。一実施形態において、OLEDは、カソード及びアノードの間に配置された「有機層」を有するものとして記述され得る。有機層は単層を含んでいてよく、又は、例えば図1及び図2に関して記述されている異なる有機材料の多層を更に含んでいてよい。
参照によりその全体が組み込まれるFriendらの米国特許第5,247,190号明細書において開示されているもののようなポリマー材料で構成されるOLED(PLED)等、具体的には記述されていない構造及び材料を使用してもよい。更なる例として、単一の有機層を有するOLEDが使用され得る。OLEDは、例えば、参照によりその全体が組み込まれるForrestらの米国特許第5,707,745号明細書において記述されている通り、積み重ねられてよい。OLED構造は、図1及び図2において例証されている単純な層構造から逸脱してよい。例えば、基板は、参照によりその全体が組み込まれる、Forrestらの米国特許第6,091,195号明細書において記述されているメサ構造及び/又はBulovicらの米国特許第5,834,893号明細書において記述されているくぼみ構造等、アウトカップリングを改良するための角度のついた反射面を含み得る。
別段の規定がない限り、種々の実施形態の層のいずれも、任意の適切な方法によって堆積され得る。有機層について、好ましい方法は、参照によりその全体が組み込まれる米国特許第6,013,982号明細書及び同第6,087,196号明細書において記述されているもの等の熱蒸着、インクジェット、参照によりその全体が組み込まれるForrestらの米国特許第6,337,102号において記述されているもの等の有機気相堆積(OVPD)、並びに参照によりその全体が組み込まれる米国特許第7,431,968号明細書において記述されているもの等の有機気相ジェットプリンティング(OVJP、有機気相ジェット堆積(OVJD)とも称される)による堆積を含む。他の適切な堆積法は、スピンコーティング及び他の溶液ベースのプロセスを含む。溶液ベースのプロセスは、好ましくは、窒素又は不活性雰囲気中で行われる。他の層について、好ましい方法は熱蒸着を含む。好ましいパターニング法は、参照によりその全体が組み込まれる米国特許第6,294,398号明細書及び同第6,468,819号明細書において記述されているもの等のマスク、冷間圧接を経由する堆積、並びにインクジェット及び有機気相ジェットプリンティング(OVJP)等の堆積法の幾つかに関連するパターニングを含む。他の方法を使用してもよい。堆積する材料は、特定の堆積法と適合するように修正され得る。例えば、分枝鎖状又は非分枝鎖状であり、好ましくは少なくとも3個の炭素を含有するアルキル及びアリール基等の置換基は、溶液プロセシングを受ける能力を増強するために、低分子において使用され得る。20個以上の炭素を有する置換基を使用してよく、3~20個の炭素が好ましい範囲である。非対称構造を有する材料は、対称構造を有するものよりも良好な溶液プロセス性を有し得、これは、非対称材料のほうが再結晶する傾向が低くなり得るからである。溶液プロセシングを受ける低分子の能力を増強するために、デンドリマー置換基が使用され得る。
本開示の実施形態にしたがって製作されたデバイスは、バリア層を更に含んでいてよい。バリア層の1つの目的は、電極及び有機層を、水分、蒸気及び/又はガス等を含む環境における有害な種への損傷性暴露から保護することである。バリア層は、基板、電極の上、下若しくは隣に、又はエッジを含むデバイスの任意の他の部分の上に堆積し得る。バリア層は、単層又は多層を含んでいてよい。バリア層は、種々の公知の化学気相堆積技術によって形成され得、単相を有する組成物及び多相を有する組成物を含み得る。任意の適切な材料又は材料の組合せをバリア層に使用してよい。バリア層は、無機若しくは有機化合物又は両方を組み込み得る。好ましいバリア層は、参照によりその全体が本明細書に組み込まれる、米国特許第7,968,146号明細書、PCT特許出願第PCT/US2007/023098号及び同第PCT/US2009/042829号において記述されている、ポリマー材料及び非ポリマー材料の混合物を含む。「混合物」とみなされるためには、バリア層を含む前記のポリマー及び非ポリマー材料は、同じ反応条件下で及び/又は同時に堆積されるべきである。非ポリマー材料に対するポリマー材料の重量比は、95:5から5:95の範囲内となり得る。ポリマー材料及び非ポリマー材料は、同じ前駆体材料から作製され得る。一例において、ポリマー材料及び非ポリマー材料の混合物は、ポリマーケイ素及び無機ケイ素から本質的になる。
本開示の実施形態にしたがって作製されたデバイスは、種々の電気製品又は中間部品に組み込まれることができる多種多様な電子部品モジュール(又はユニット)に組み込まれることができる。このような電気製品又は中間部品としては、エンドユーザーの製品製造者によって利用されることができるディスプレイスクリーン、照明デバイス(離散的光源デバイス又は照明パネル等)が挙げられる。このような電子部品モジュールは、駆動エレクトロニクス及び/又は電源を任意に含むことができる。本開示の実施形態にしたがって作製されたデバイスは、組み込まれた1以上の電子部品モジュール(又はユニット)を有する多種多様な消費者製品に組み込まれることができる。OLEDの有機層に本開示の化合物を含むOLEDを含む消費者製品が開示される。このような消費者製品は、1以上の光源及び/又は1以上のある種のビジュアルディスプレイを含む任意の種類の製品を含む。このような消費者製品の幾つかの例としては、フラットパネルディスプレイ、曲がったディスプレイ、コンピュータモニター、メディカルモニター、テレビ、掲示板、屋内若しくは屋外照明及び/又は信号送信用のライト、ヘッドアップディスプレイ、完全又は部分透明ディスプレイ、フレキシブルディスプレイ、丸めることができるディスプレイ、折り畳むことができるディスプレイ、伸ばすことができるディスプレイ、レーザープリンター、電話、携帯電話、タブレット、ファブレット、パーソナルデジタルアシスタント(PDA)、ウェアラブルデバイス、ラップトップコンピュータ、デジタルカメラ、カムコーダー、ビューファインダー、マイクロディスプレイ(対角で2インチ未満のディスプレイ)、3-Dディスプレイ、バーチャルリアリティ又は拡張現実ディスプレイ、車両、共に並べた多重ディスプレイを含むビデオウォール、劇場又はスタジアムのスクリーン、光療法デバイス、及び看板を含む。パッシブマトリックス及びアクティブマトリックスを含む種々の制御機構を使用して、本開示にしたがって製作されたデバイスを制御することができる。デバイスの多くは、18℃から30℃、より好ましくは室温(20~25℃)等、ヒトに快適な温度範囲内での使用が意図されているが、この温度範囲外、例えば、摂氏-40℃~+80℃で用いることもできる。
OLEDに関する更なる詳細、及び前記した定義は、参照によりその全体が組み込まれる米国特許第7,279,704号明細書にみることができる。
本明細書において記述されている材料及び構造は、OLED以外のデバイスにおける用途を有し得る。例えば、有機太陽電池及び有機光検出器等の他の光電子デバイスが、該材料及び構造を用い得る。より一般的には、有機トランジスタ等の有機デバイスが、該材料及び構造を用い得る。
幾つかの実施形態においては、前記OLEDは、可撓性があること、丸めることができること、折り畳むことができること、伸ばすことができること、曲げることができることからなる群から選択される1以上の特性を有する。幾つかの実施形態においては、前記OLEDは、透明又は半透明である。幾つかの実施形態においては、前記OLEDは、カーボンナノチューブを含む層を更に含む。
幾つかの実施形態においては、前記OLEDは、遅延蛍光発光体を含む層を更に含む。幾つかの実施形態においては、前記OLEDは、RGB画素配列又は白色及びカラーフィルター画素配列を含む。幾つかの実施形態においては、前記OLEDは、モバイルデバイス、ハンドヘルドデバイス、又はウェアラブルデバイスである。幾つかの実施形態においては、前記OLEDは、10インチ未満の対角線又は50平方インチ未満の面積を有するディスプレイパネルである。幾つかの実施形態においては、前記OLEDは、少なくとも10インチの対角線又は少なくとも50平方インチの面積を有するディスプレイパネルである。幾つかの実施形態においては、前記OLEDは、照明パネルである。
幾つかの実施形態においては、前記化合物は、発光ドーパントであることができる。幾つかの実施形態においては、前記化合物は、リン光、蛍光、熱活性化遅延蛍光、即ちTADF(E型遅延蛍光とも呼ばれる;例えば、参照によりその全体が組み込まれる、米国特許出願公開第15/700,352号参照)、三重項-三重項消滅、又はこれらの過程の組合せを介して、発光を生成することができる。幾つかの実施形態においては、前記発光ドーパントは、ラセミ混合物であることができる、又は1つのエナンチオマーに富む(enriched)ことができる。幾つかの実施形態においては、前記化合物は、ホモレプティックであることができる(各配位子が同じである)。幾つかの実施形態においては、前記化合物は、ヘテロレプティックであることができる(少なくとも1つの配位子が他と異っている)。幾つかの実施形態においては、金属に配位されている1超の配位子がある場合、配位子は全て同じであることができる。幾つかの他の実施形態においては、少なくとも1つの配位子は、他の配位子と異なっている。幾つかの配位子においては、各配位子は、互いに異なることができる。これはまた、金属に配位されている配位子がその金属に配位されている他の配位子に連結され、三座配位子、四座配位子、五座配位子、又は六座配位子を形成することができる実施形態において、成り立つ(true)。したがって、幾つかの実施形態においては、配位している配位子が互いに連結されている場合、配位子全ては同じであることができ、幾つかの他の実施形態においては、連結されている配位子の少なくとも1つは、他の配位子と異なっていることができる。
幾つかの実施形態では、化合物は、OLEDにおいて、リン光増感剤として用いられることができ、前記OLEDにおける1つ又は複数の層は、1以上の蛍光及び/又は遅延蛍光発光体の形態で、アクセプターを含む。幾つかの実施形態では、化合物は、増感剤として使用されるエキシプレックスの1つの成分として用いられることができる。リン光増感剤として、化合物は、アクセプターへのエネルギー伝達が可能でなければならず、アクセプターは、エネルギーを放出するか、又は最終発光体へ更にエネルギーを伝達する。アクセプター濃度は、0.001%~100%の範囲であることができる。アクセプターは、リン光増感剤と同じ層又は1以上の異なる層のいずれかに存在することがある。幾つかの実施形態では、アクセプターはTADF発光体である。幾つかの実施形態では、アクセプターは蛍光発光体である。幾つかの実施形態では、発光は、増感剤、アクセプター、及び最終発光体のいずれか又は全てから生じることができる。
他の態様によれば、本明細書に記載される化合物を含む組成物も開示される。
本明細書中に開示されるOLEDは、消費者製品、電子部品モジュール、及び照明パネルの1以上に組み込まれることができる。前記有機層は、発光層であることができ、幾つかの実施形態においては、前記化合物は、発光ドーパントであることができ、他の実施形態においては、前記化合物は、非発光ドーパントであることができる。
本開示の更に他の態様においては、本明細書に開示される新規化合物を含む組成物が記載される。前記組成物は、本明細書に開示される溶媒、ホスト、正孔注入材料、正孔輸送材料、電子ブロッキング材料、正孔ブロッキング材料、及び電子輸送材料からなる群から選択される1つ以上の成分を含むこともできる。
本開示は、本開示の新規化合物、又はその一価又は多価のバリアントを含む任意の化学構造を包含する。言い換えれば、本発明化合物又はその一価又は多価のバリアントは、より大きな化学構造の一部であることができる。そのような化学構造は、モノマー、ポリマー、巨大分子、及び超分子(supramolecule)(超分子(supermolecule)としても知られている)からなる群から選択されることができる。本明細書中で使用される、「化合物の一価のバリアント」は、1個の水素が除去され、化学構造の残りへの結合で置き換えられていることを除いては、前記化合物と同一である部分を指す。本明細書中で使用される、「化合物の多価のバリアント」は、1個超の水素が除去され、化学構造の残りへの結合で置き換えられていることを除いては前記化合物と同一である部分を指す。超分子の例においては、発明化合物は、共有結合なしで前記超分子錯体に組み込まれることもできる。
F.本開示の化合物の他の材料との組合せ
F.本開示の化合物の他の材料との組合せ
有機発光デバイス中の特定の層に有用として本明細書において記述されている材料は、デバイス中に存在する多種多様な他の材料と組み合わせて使用され得る。例えば、本明細書において開示されている発光性ドーパントは、多種多様なホスト、輸送層、ブロッキング層、注入層、電極、及び存在し得る他の層と併せて使用され得る。以下で記述又は参照される材料は、本明細書において開示されている化合物と組み合わせて有用となり得る材料の非限定的な例であり、当業者であれば、組み合わせて有用となり得る他の材料を特定するための文献を容易に閲覧することができる。
a)伝導性(導電性)ドーパント:
電荷輸送層は、伝導性ドーパントでドープされ、電荷キャリアの密度を大きく変え、それによりその伝導性を変えることとなる。伝導性は、マトリックス材料中の電荷キャリアを生成することで、又はドーパントのタイプに応じて増加され、半導体のフェルミ準位における変化も達成することができる。正孔輸送層は、p型伝導性ドーパントでドープされることができ、n型伝導性ドーパントは、電子輸送層中に用いられる。
電荷輸送層は、伝導性ドーパントでドープされ、電荷キャリアの密度を大きく変え、それによりその伝導性を変えることとなる。伝導性は、マトリックス材料中の電荷キャリアを生成することで、又はドーパントのタイプに応じて増加され、半導体のフェルミ準位における変化も達成することができる。正孔輸送層は、p型伝導性ドーパントでドープされることができ、n型伝導性ドーパントは、電子輸送層中に用いられる。
本明細書において開示される材料と組み合わせて、OLED中に用いられることができる伝導性ドーパントの非制限的な例は、これらの材料を開示する文献と共に下記に例示される。
EP01617493、EP01968131、EP2020694、EP2684932、US20050139810、US20070160905、US20090167167、US2010288362、WO06081780、WO2009003455、WO2009008277、WO2009011327、WO2014009310、US2007252140、US2015060804、US20150123047、及びUS2012146012
EP01617493、EP01968131、EP2020694、EP2684932、US20050139810、US20070160905、US20090167167、US2010288362、WO06081780、WO2009003455、WO2009008277、WO2009011327、WO2014009310、US2007252140、US2015060804、US20150123047、及びUS2012146012
b)HIL/HTL:
本開示において使用される正孔注入/輸送材料は特に限定されず、その化合物が正孔注入/輸送材料として典型的に使用されるものである限り、任意の化合物を使用してよい。材料の例は、フタロシアニン又はポルフィリン誘導体;芳香族アミン誘導体;インドロカルバゾール誘導体;フッ化炭化水素を含有するポリマー;伝導性ドーパントを有するポリマー;PEDOT/PSS等の導電性ポリマー;ホスホン酸及びシラン誘導体等の化合物に由来する自己集合モノマー;MoOx等の金属酸化物誘導体;1,4,5,8,9,12-ヘキサアザトリフェニレンヘキサカルボニトリル等のp型半導体有機化合物;金属錯体、並びに架橋性化合物を含むがこれらに限定されない。
本開示において使用される正孔注入/輸送材料は特に限定されず、その化合物が正孔注入/輸送材料として典型的に使用されるものである限り、任意の化合物を使用してよい。材料の例は、フタロシアニン又はポルフィリン誘導体;芳香族アミン誘導体;インドロカルバゾール誘導体;フッ化炭化水素を含有するポリマー;伝導性ドーパントを有するポリマー;PEDOT/PSS等の導電性ポリマー;ホスホン酸及びシラン誘導体等の化合物に由来する自己集合モノマー;MoOx等の金属酸化物誘導体;1,4,5,8,9,12-ヘキサアザトリフェニレンヘキサカルボニトリル等のp型半導体有機化合物;金属錯体、並びに架橋性化合物を含むがこれらに限定されない。
Ar1からAr9のそれぞれは、ベンゼン、ビフェニル、トリフェニル、トリフェニレン、ナフタレン、アントラセン、フェナレン、フェナントレン、フルオレン、ピレン、クリセン、ペリレン、アズレン等の芳香族炭化水素環式化合物からなる群;ジベンゾチオフェン、ジベンゾフラン、ジベンゾセレノフェン、フラン、チオフェン、ベンゾフラン、ベンゾチオフェン、ベンゾセレノフェン、カルバゾール、インドロカルバゾール、ピリジルインドール、ピロロジピリジン、ピラゾール、イミダゾール、トリアゾール、オキサゾール、チアゾール、オキサジアゾール、オキサトリアゾール、ジオキサゾール、チアジアゾール、ピリジン、ピリダジン、ピリミジン、ピラジン、トリアジン、オキサジン、オキサチアジン、オキサジアジン、インドール、ベンズイミダゾール、インダゾール、インドキサジン、ベンゾオキサゾール、ベンズイソオキサゾール、ベンゾチアゾール、キノリン、イソキノリン、シンノリン、キナゾリン、キノキサリン、ナフチリジン、フタラジン、プテリジン、キサンテン、アクリジン、フェナジン、フェノチアジン、フェノキサジン、ベンゾフロピリジン、フロジピリジン、ベンゾチエノピリジン、チエノジピリジン、ベンゾセレノフェノピリジン及びセレノフェノジピリジン等の芳香族複素環式化合物からなる群;並びに芳香族炭化水素環式基及び芳香族複素環式基から選択される同じ種類又は異なる種類の基であり、且つ、直接的に、又は酸素原子、窒素原子、硫黄原子、ケイ素原子、リン原子、ホウ素原子、鎖構造単位及び脂肪族環式基の少なくとも1つを介して、互いに結合している2から10個の環式構造単位からなる群から選択される。各Arは、無置換であることができる、又は重水素、ハロゲン、アルキル、シクロアルキル、ヘテロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリールアルキル、アルコキシ、アリールオキシ、アミノ、シリル、アルケニル、シクロアルケニル、ヘテロアルケニル、アルキニル、アリール、ヘテロアリール、アシル、カルボン酸、エーテル、エステル、ニトリル、イソニトリル、スルファニル、スルフィニル、スルホニル、ホスフィノ及びそれらの組合せからなる群から選択される置換基によって置換されることができる。
一態様において、Ar1からAr9は、
(式中、kは1から20までの整数であり;X101からX108はC(CHを含む)又はNであり;Z101はNAr1、O、又はSであり;Ar1は、上記で定義したものと同じ基を有する。)からなる群から独立に選択される。
HIL又はHTL中に使用される金属錯体の例は、下記の一般式を含むがこれらに限定されない。
式中、Metは、40より大きい原子量を有し得る金属であり;(Y101-Y102)は二座配位子であり、Y101及びY102は、C、N、O、P及びSから独立に選択され;L101は補助配位子であり;k’は、1から金属に結合し得る配位子の最大数までの整数値であり;且つ、k’+k’’は、金属に結合し得る配位子の最大数である。
一態様において、(Y101-Y102)は2-フェニルピリジン誘導体である。別の態様において、(Y101-Y102)はカルベン配位子である。別の態様において、Metは、Ir、Pt、Os及びZnから選択される。更なる態様において、金属錯体は、Fc+/Fcカップルに対して、溶液中で約0.6V未満の最小酸化電位を有する。
本明細書において開示される材料と組み合わせて、OLED中に用いられることができるHIL材料及びHTL材料の非制限的な例は、これらの材料を開示する文献と共に下記に例示される。
CN102702075、DE102012005215、EP01624500、EP01698613、EP01806334、EP01930964、EP01972613、EP01997799、EP02011790、EP02055700、EP02055701、EP1725079、EP2085382、EP2660300、EP650955、JP07-073529、JP2005112765、JP2007091719、JP2008021687、JP2014-009196、KR20110088898、KR20130077473、TW201139402、US06517957、US20020158242、US20030162053、US20050123751、US20060182993、US20060240279、US20070145888、US20070181874、US20070278938、US20080014464、US20080091025、US20080106190、US20080124572、US20080145707、US20080220265、US20080233434、US20080303417、US2008107919、US20090115320、US20090167161、US2009066235、US2011007385、US20110163302、US2011240968、US2011278551、US2012205642、US2013241401、US20140117329、US2014183517、US5061569、US5639914、WO05075451、WO07125714、WO08023550、WO08023759、WO2009145016、WO2010061824、WO2011075644、WO2012177006、WO2013018530、WO2013039073、WO2013087142、WO2013118812、WO2013120577、WO2013157367、WO2013175747、WO2014002873、WO2014015935、WO2014015937、WO2014030872、WO2014030921、WO2014034791、WO2014104514、WO2014157018
CN102702075、DE102012005215、EP01624500、EP01698613、EP01806334、EP01930964、EP01972613、EP01997799、EP02011790、EP02055700、EP02055701、EP1725079、EP2085382、EP2660300、EP650955、JP07-073529、JP2005112765、JP2007091719、JP2008021687、JP2014-009196、KR20110088898、KR20130077473、TW201139402、US06517957、US20020158242、US20030162053、US20050123751、US20060182993、US20060240279、US20070145888、US20070181874、US20070278938、US20080014464、US20080091025、US20080106190、US20080124572、US20080145707、US20080220265、US20080233434、US20080303417、US2008107919、US20090115320、US20090167161、US2009066235、US2011007385、US20110163302、US2011240968、US2011278551、US2012205642、US2013241401、US20140117329、US2014183517、US5061569、US5639914、WO05075451、WO07125714、WO08023550、WO08023759、WO2009145016、WO2010061824、WO2011075644、WO2012177006、WO2013018530、WO2013039073、WO2013087142、WO2013118812、WO2013120577、WO2013157367、WO2013175747、WO2014002873、WO2014015935、WO2014015937、WO2014030872、WO2014030921、WO2014034791、WO2014104514、WO2014157018
c)EBL:
電子ブロッキング層(EBL)は、発光層から出る電子及び/又は励起子の数を減らすために使用されることができる。デバイス中のそのようなブロッキング層の存在は、ブロッキング層を欠く同様のデバイスと比較して、大幅に高い効率及び/又はより長い寿命をもたらし得る。また、ブロッキング層を使用して、OLEDの所望の領域に発光を制限することもできる。幾つかの実施形態においては、EBL材料は、EBLインターフェースに最も近接した発光体よりも高いLUMO(真空準位により近い)及び/又は高い三重項エネルギーを有する。幾つかの実施形態においては、EBL材料は、EBLインターフェースに最も近接したホストの1以上よりも高いLUMO(真空準位により近い)及び/又は高い三重項エネルギーを有する。一態様においては、EBL中に用いられる前記化合物は、下記に記載されるホストの1つとして用いられる、同じ分子又は同じ官能基を含む。
電子ブロッキング層(EBL)は、発光層から出る電子及び/又は励起子の数を減らすために使用されることができる。デバイス中のそのようなブロッキング層の存在は、ブロッキング層を欠く同様のデバイスと比較して、大幅に高い効率及び/又はより長い寿命をもたらし得る。また、ブロッキング層を使用して、OLEDの所望の領域に発光を制限することもできる。幾つかの実施形態においては、EBL材料は、EBLインターフェースに最も近接した発光体よりも高いLUMO(真空準位により近い)及び/又は高い三重項エネルギーを有する。幾つかの実施形態においては、EBL材料は、EBLインターフェースに最も近接したホストの1以上よりも高いLUMO(真空準位により近い)及び/又は高い三重項エネルギーを有する。一態様においては、EBL中に用いられる前記化合物は、下記に記載されるホストの1つとして用いられる、同じ分子又は同じ官能基を含む。
d)ホスト:
本発明の有機ELデバイスの発光層は、発光材料として少なくとも金属錯体を含むことが好ましく、前記金属錯体をドーパント材料として用いたホスト材料を含むことができる。前記ホスト材料としては特に限定されず、前記ホストの三重項エネルギーがドーパントのものよりも大きければ、任意の金属錯体又は有機化合物が用いられることができる。いずれのホスト材料も、三重項の基準が満たされる限り、任意のドーパントと共に用いられることができる。
本発明の有機ELデバイスの発光層は、発光材料として少なくとも金属錯体を含むことが好ましく、前記金属錯体をドーパント材料として用いたホスト材料を含むことができる。前記ホスト材料としては特に限定されず、前記ホストの三重項エネルギーがドーパントのものよりも大きければ、任意の金属錯体又は有機化合物が用いられることができる。いずれのホスト材料も、三重項の基準が満たされる限り、任意のドーパントと共に用いられることができる。
ホスト材料として使用される金属錯体の例は、下記の一般式を有することが好ましい。
式中、Metは金属であり;(Y103-Y104)は二座配位子であり、Y103及びY104は、C、N、O、P及びSから独立に選択され;L101は他の配位子であり;k’は、1から金属に結合し得る配位子の最大数までの整数値であり;且つ、k’+k’’は、金属に結合し得る配位子の最大数である。
別の態様において、Metは、Ir及びPtから選択される。更なる態様において、(Y103-Y104)はカルベン配位子である。
1つの態様においては、前記ホスト化合物は、ベンゼン、ビフェニル、トリフェニル、トリフェニレン、テトラフェニレン、ナフタレン、アントラセン、フェナレン、フェナントレン、フルオレン、ピレン、クリセン、ペリレン、及びアズレン等の芳香族炭化水素環式化合物からなる群;ジベンゾチオフェン、ジベンゾフラン、ジベンゾセレノフェン、フラン、チオフェン、ベンゾフラン、ベンゾチオフェン、ベンゾセレノフェン、カルバゾール、インドロカルバゾール、ピリジルインドール、ピロロジピリジン、ピラゾール、イミダゾール、トリアゾール、オキサゾール、チアゾール、オキサジアゾール、オキサトリアゾール、ジオキサゾール、チアジアゾール、ピリジン、ピリダジン、ピリミジン、ピラジン、トリアジン、オキサジン、オキサチアジン、オキサジアジン、インドール、ベンズイミダゾール、インダゾール、インドキサジン、ベンゾオキサゾール、ベンズイソオキサゾール、ベンゾチアゾール、キノリン、イソキノリン、シンノリン、キナゾリン、キノキサリン、ナフチリジン、フタラジン、プテリジン、キサンテン、アクリジン、フェナジン、フェノチアジン、フェノキサジン、ベンゾフロピリジン、フロジピリジン、ベンゾチエノピリジン、チエノジピリジン、ベンゾセレノフェノピリジン及びセレノフェノジピリジン等の芳香族複素環式化合物からなる群;並びに芳香族炭化水素環式基及び芳香族複素環式基から選択される同じ種類又は異なる種類の基であり、且つ、直接的に、又は酸素原子、窒素原子、硫黄原子、ケイ素原子、リン原子、ホウ素原子、鎖構造単位及び脂肪族環式基の少なくとも1つを介して互いに結合している2から10個の環式構造単位からなる群から選択される群の少なくとも1つを含む。各基内の各オプションは、非置換であることができる、又は重水素、ハロゲン、アルキル、シクロアルキル、ヘテロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリールアルキル、アルコキシ、アリールオキシ、アミノ、シリル、アルケニル、シクロアルケニル、ヘテロアルケニル、アルキニル、アリール、ヘテロアリール、アシル、カルボン酸、エーテル、エステル、ニトリル、イソニトリル、スルファニル、スルフィニル、スルホニル、ホスフィノ、及びこれらの組合せからなる群から選択される置換基によって置換されることができる。
一つの態様においては、前記ホスト化合物は、分子中に、下記の基の少なくとも1つを含む。
式中、R101は、水素、重水素、ハロゲン、アルキル、シクロアルキル、ヘテロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリールアルキル、アルコキシ、アリールオキシ、アミノ、シリル、アルケニル、シクロアルケニル、ヘテロアルケニル、アルキニル、アリール、ヘテロアリール、アシル、カルボン酸、エーテル、エステル、ニトリル、イソニトリル、スルファニル、スルフィニル、スルホニル、ホスフィノ、及びこれらの組合せからなる群から選択され、それがアリール又はヘテロアリールである場合、上記で言及したArのものと同様の定義を有する。kは0から20又は1から20までの整数である。X101~X108は、独立して、C(CHを含む)又はNから選択される。Z101及びZ102は、独立して、NR101、O、又はSから選択される。
本明細書において開示される材料と組み合わせて、OLED中に用いられることができるホスト材料の非制限的な例は、これらの材料を開示する文献と共に下記に例示される。
EP2034538、EP2034538A、EP2757608、JP2007254297、KR20100079458、KR20120088644、KR20120129733、KR20130115564、TW201329200、US20030175553、US20050238919、US20060280965、US20090017330、US20090030202、US20090167162、US20090302743、US20090309488、US20100012931、US20100084966、US20100187984、US2010187984、US2012075273、US2012126221、US2013009543、US2013105787、US2013175519、US2014001446、US20140183503、US20140225088、US2014034914、US7154114、WO2001039234、WO2004093207、WO2005014551、WO2005089025、WO2006072002、WO2006114966、WO2007063754、WO2008056746、WO2009003898、WO2009021126、WO2009063833、WO2009066778、WO2009066779、WO2009086028、WO2010056066、WO2010107244、WO2011081423、WO2011081431、WO2011086863、WO2012128298、WO2012133644、WO2012133649、WO2013024872、WO2013035275、WO2013081315、WO2013191404、WO2014142472、US20170263869、US20160163995、US9466803
EP2034538、EP2034538A、EP2757608、JP2007254297、KR20100079458、KR20120088644、KR20120129733、KR20130115564、TW201329200、US20030175553、US20050238919、US20060280965、US20090017330、US20090030202、US20090167162、US20090302743、US20090309488、US20100012931、US20100084966、US20100187984、US2010187984、US2012075273、US2012126221、US2013009543、US2013105787、US2013175519、US2014001446、US20140183503、US20140225088、US2014034914、US7154114、WO2001039234、WO2004093207、WO2005014551、WO2005089025、WO2006072002、WO2006114966、WO2007063754、WO2008056746、WO2009003898、WO2009021126、WO2009063833、WO2009066778、WO2009066779、WO2009086028、WO2010056066、WO2010107244、WO2011081423、WO2011081431、WO2011086863、WO2012128298、WO2012133644、WO2012133649、WO2013024872、WO2013035275、WO2013081315、WO2013191404、WO2014142472、US20170263869、US20160163995、US9466803
e)追加の発光体:
1以上の追加の発光体ドーパントを本開示の化合物と合わせて使用することができる。前記追加の発光体ドーパントの例としては、特に限定されず、前記化合物が典型的に発光体材料として用いられるものであれば、いずれの化合物も用いられることができる。好適な発光体材料の例としては、燐光、蛍光、熱活性化遅延蛍光、即ちTADF(E型遅延蛍光とも言われる)、三重項-三重項消滅、又はこれらの過程の組合せを介して、発光を生成することができる化合物が挙げられるが、これらに限定されない。
本明細書において開示される材料と組み合わせて、OLED中に用いられることができる発光体材料の非制限的な例は、これらの材料を開示する文献と共に下記に例示される。
CN103694277、CN1696137、EB01238981、EP01239526、EP01961743、EP1239526、EP1244155、EP1642951、EP1647554、EP1841834、EP1841834B、EP2062907、EP2730583、JP2012074444、JP2013110263、JP4478555、KR1020090133652、KR20120032054、KR20130043460、TW201332980、US06699599、US06916554、US20010019782、US20020034656、US20030068526、US20030072964、US20030138657、US20050123788、US20050244673、US2005123791、US2005260449、US20060008670、US20060065890、US20060127696、US20060134459、US20060134462、US20060202194、US20060251923、US20070034863、US20070087321、US20070103060、US20070111026、US20070190359、US20070231600、US2007034863、US2007104979、US2007104980、US2007138437、US2007224450、US2007278936、US20080020237、US20080233410、US20080261076、US20080297033、US200805851、US2008161567、US2008210930、US20090039776、US20090108737、US20090115322、US20090179555、US2009085476、US2009104472、US20100090591、US20100148663、US20100244004、US20100295032、US2010102716、US2010105902、US2010244004、US2010270916、US20110057559、US20110108822、US20110204333、US2011215710、US2011227049、US2011285275、US2012292601、US20130146848、US2013033172、US2013165653、US2013181190、US2013334521、US20140246656、US2014103305、US6303238、US6413656、US6653654、US6670645、US6687266、US6835469、US6921915、US7279704、US7332232、US7378162、US7534505、US7675228、US7728137、US7740957、US7759489、US7951947、US8067099、US8592586、US8871361、WO06081973、WO06121811、WO07018067、WO07108362、WO07115970、WO07115981、WO08035571、WO2002015645、WO2003040257、WO2005019373、WO2006056418、WO2008054584、WO2008078800、WO2008096609、WO2008101842、WO2009000673、WO2009050281、WO2009100991、WO2010028151、WO2010054731、WO2010086089、WO2010118029、WO2011044988、WO2011051404、WO2011107491、WO2012020327、WO2012163471、WO2013094620、WO2013107487、WO2013174471、WO2014007565、WO2014008982、WO2014023377、WO2014024131、WO2014031977、WO2014038456、WO2014112450
1以上の追加の発光体ドーパントを本開示の化合物と合わせて使用することができる。前記追加の発光体ドーパントの例としては、特に限定されず、前記化合物が典型的に発光体材料として用いられるものであれば、いずれの化合物も用いられることができる。好適な発光体材料の例としては、燐光、蛍光、熱活性化遅延蛍光、即ちTADF(E型遅延蛍光とも言われる)、三重項-三重項消滅、又はこれらの過程の組合せを介して、発光を生成することができる化合物が挙げられるが、これらに限定されない。
本明細書において開示される材料と組み合わせて、OLED中に用いられることができる発光体材料の非制限的な例は、これらの材料を開示する文献と共に下記に例示される。
CN103694277、CN1696137、EB01238981、EP01239526、EP01961743、EP1239526、EP1244155、EP1642951、EP1647554、EP1841834、EP1841834B、EP2062907、EP2730583、JP2012074444、JP2013110263、JP4478555、KR1020090133652、KR20120032054、KR20130043460、TW201332980、US06699599、US06916554、US20010019782、US20020034656、US20030068526、US20030072964、US20030138657、US20050123788、US20050244673、US2005123791、US2005260449、US20060008670、US20060065890、US20060127696、US20060134459、US20060134462、US20060202194、US20060251923、US20070034863、US20070087321、US20070103060、US20070111026、US20070190359、US20070231600、US2007034863、US2007104979、US2007104980、US2007138437、US2007224450、US2007278936、US20080020237、US20080233410、US20080261076、US20080297033、US200805851、US2008161567、US2008210930、US20090039776、US20090108737、US20090115322、US20090179555、US2009085476、US2009104472、US20100090591、US20100148663、US20100244004、US20100295032、US2010102716、US2010105902、US2010244004、US2010270916、US20110057559、US20110108822、US20110204333、US2011215710、US2011227049、US2011285275、US2012292601、US20130146848、US2013033172、US2013165653、US2013181190、US2013334521、US20140246656、US2014103305、US6303238、US6413656、US6653654、US6670645、US6687266、US6835469、US6921915、US7279704、US7332232、US7378162、US7534505、US7675228、US7728137、US7740957、US7759489、US7951947、US8067099、US8592586、US8871361、WO06081973、WO06121811、WO07018067、WO07108362、WO07115970、WO07115981、WO08035571、WO2002015645、WO2003040257、WO2005019373、WO2006056418、WO2008054584、WO2008078800、WO2008096609、WO2008101842、WO2009000673、WO2009050281、WO2009100991、WO2010028151、WO2010054731、WO2010086089、WO2010118029、WO2011044988、WO2011051404、WO2011107491、WO2012020327、WO2012163471、WO2013094620、WO2013107487、WO2013174471、WO2014007565、WO2014008982、WO2014023377、WO2014024131、WO2014031977、WO2014038456、WO2014112450
f)HBL:
正孔ブロッキング層(HBL)を使用して、発光層から出る正孔及び/又は励起子の数を低減させることができる。デバイス中のそのようなブロッキング層の存在は、ブロッキング層を欠く同様のデバイスと比較して大幅に高い効率及び/又はより長い寿命をもたらし得る。また、ブロッキング層を使用して、OLEDの所望の領域に発光を制限することもできる。幾つかの実施形態においては、HBL材料は、HBLインターフェースに最も近接した発光体よりも低いHOMO(真空準位から更に離れて)及び/又は高い三重項エネルギーを有する。幾つかの実施形態においては、HBL材料は、HBLインターフェースに最も近接したホストの1以上よりも低いHOMO(真空準位から更に離れて)及び/又は高い三重項エネルギーを有する。
正孔ブロッキング層(HBL)を使用して、発光層から出る正孔及び/又は励起子の数を低減させることができる。デバイス中のそのようなブロッキング層の存在は、ブロッキング層を欠く同様のデバイスと比較して大幅に高い効率及び/又はより長い寿命をもたらし得る。また、ブロッキング層を使用して、OLEDの所望の領域に発光を制限することもできる。幾つかの実施形態においては、HBL材料は、HBLインターフェースに最も近接した発光体よりも低いHOMO(真空準位から更に離れて)及び/又は高い三重項エネルギーを有する。幾つかの実施形態においては、HBL材料は、HBLインターフェースに最も近接したホストの1以上よりも低いHOMO(真空準位から更に離れて)及び/又は高い三重項エネルギーを有する。
一態様において、前記HBL中に使用される前記化合物は、上述したホストに用いられる場合と同じ分子又は同じ官能基を含む。
g)ETL:
電子輸送層(ETL)は、電子を輸送することができる材料を含み得る。電子輸送層は、真性である(ドープされていない)か、又はドープされていてよい。ドーピングを使用して、伝導性を増強することができる。ETL材料の例は特に限定されず、電子を輸送するために典型的に使用されるものである限り、任意の金属錯体又は有機化合物を使用してよい。
電子輸送層(ETL)は、電子を輸送することができる材料を含み得る。電子輸送層は、真性である(ドープされていない)か、又はドープされていてよい。ドーピングを使用して、伝導性を増強することができる。ETL材料の例は特に限定されず、電子を輸送するために典型的に使用されるものである限り、任意の金属錯体又は有機化合物を使用してよい。
一態様において、前記ETL中に使用される前記化合物は、分子中に下記の群の少なくとも1つを含有する。
式中、R101は、水素、重水素、ハロゲン、アルキル、シクロアルキル、ヘテロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリールアルキル、アルコキシ、アリールオキシ、アミノ、シリル、アルケニル、シクロアルケニル、ヘテロアルケニル、アルキニル、アリール、ヘテロアリール、アシル、カルボン酸、エーテル、エステル、ニトリル、イソニトリル、スルファニル、スルフィニル、スルホニル、ホスフィノ及びそれらの組合せからなる群から選択され、それがアリール又はヘテロアリールである場合、上記で言及したArのものと同様の定義を有する。Ar1からAr3は、上記で言及したArのものと同様の定義を有する。kは1から20までの整数である。X101からX108はC(CHを含む)又はNから選択される。
別の態様において、前記ETL中に使用される金属錯体は、下記の一般式を含有するがこれらに限定されない。
式中、(O-N)又は(N-N)は、原子O、N又はN、Nに配位された金属を有する二座配位子であり;L101は他の配位子であり;k’は、1から金属に結合し得る配位子の最大数までの整数値である。
本明細書において開示される材料と組み合わせて、OLED中に用いられることができるETL材料の非制限的な例は、これらの材料を開示する文献と共に下記に例示される。CN103508940、EP01602648、EP01734038、EP01956007、JP2004-022334、JP2005149918、JP2005-268199、KR0117693、KR20130108183、US20040036077、US20070104977、US2007018155、US20090101870、US20090115316、US20090140637、US20090179554、US2009218940、US2010108990、US2011156017、US2011210320、US2012193612、US2012214993、US2014014925、US2014014927、US20140284580、US6656612、US8415031、WO2003060956、WO2007111263、WO2009148269、WO2010067894、WO2010072300、WO2011074770、WO2011105373、WO2013079217、WO2013145667、WO2013180376、WO2014104499、WO2014104535
h)電荷発生層(CGL)
タンデム型、又は積層型のOLED中で、CGLは、性能において重要な役割を果たし、それぞれ、電子及び正孔の注入ためのn-ドープ層及びp-ドープ層からなる。電子及び正孔は、前記CGL及び電極から供給される。前記CGL中の消費された電子及び正孔は、それぞれカソード及びアノードから注入された電子及び正孔によって再び満たされ、その後バイポーラ電流が徐々に安定した状態に達する。典型的なCGL材料は、輸送層で用いられるn型及びp型伝導性ドーパントを含む。
タンデム型、又は積層型のOLED中で、CGLは、性能において重要な役割を果たし、それぞれ、電子及び正孔の注入ためのn-ドープ層及びp-ドープ層からなる。電子及び正孔は、前記CGL及び電極から供給される。前記CGL中の消費された電子及び正孔は、それぞれカソード及びアノードから注入された電子及び正孔によって再び満たされ、その後バイポーラ電流が徐々に安定した状態に達する。典型的なCGL材料は、輸送層で用いられるn型及びp型伝導性ドーパントを含む。
OLEDデバイスの各層中に使用される任意の上記で言及した化合物において、水素原子は、部分的又は完全に重水素化されていてよい。重水素化される化合物の水素の最低量は、30%、40%、50%、60%、70%、80%、90%、95%、99%、及び100%からなる群から選択される。故に、メチル、フェニル、ピリジル等であるがこれらに限定されない任意の具体的に挙げられている置換基は、これらの重水素化されていない、部分的に重水素化された、及び完全に重水素化されたバージョンであることができる。同様に、アルキル、アリール、シクロアルキル、ヘテロアリール等であるがこれらに限定されない置換基のクラスも、これらの重水素化されていない、部分的に重水素化された、及び完全に重水素化されたバージョンであることができる。
本明細書において記述されている種々の実施形態は、単なる一例としてのものであり、本発明の範囲を限定することを意図するものではないことが理解される。例えば、本明細書において記述されている材料及び構造の多くは、本発明の趣旨から逸脱することなく他の材料及び構造に置き換えることができる。したがって、特許請求されている通りの本発明は、当業者には明らかとなるように、本明細書において記述されている特定の例及び好ましい実施形態からの変形形態を含み得る。なぜ本発明が作用するのかについての種々の理論は限定を意図するものではないことが理解される。
G.実験セクション
以下の材料セットを用いて、OLEDデバイスを作製した。
G.実験セクション
以下の材料セットを用いて、OLEDデバイスを作製した。
シート抵抗15Ω/sqの酸化インジウムスズ(ITO)層でプレコートしたガラス基板上にOLEDを成長させた。有機層の堆積又はコーティングの前に、基板を溶媒で脱脂した後、50W、100mTorrで、酸素プラズマで1.5分間、UVオゾンで5分間処理した。デバイスはいずれも高真空下(<10-6Torr)における熱蒸着で作製した。アノード電極は、750Åの酸化インジウムスズ(ITO)であった。デバイスはいずれも、作製後直ちに、窒素グローブボックス(<1ppmのH2O及びO2)中で、エポキシ樹脂で封止したガラス製の蓋で封入し、水分ゲッターをパッケージに入れた。ドーピング率は、体積率である。
ITO表面から順に、100Åの化合物1(HIL)、250Åの化合物2(HTL)、50ÅのHホスト(EBL)、EML、50ÅのEホスト(BL)、35%の化合物6でドープした300Åの化合物5(ETL)、10Åの化合物5(EIL)からなる有機層、並びに1,000ÅのAl(カソード)を有する5つのデバイスを成長させた。Eホスト(Eホスト1又はEホスト2)及びHホスト(Hホスト1又はHホスト2)は、所定のデバイスのEMLで使用されているものと同じ化合物である。EMLの組成を表1に示す。
発光特性、EQE、及び寿命を表2に示す。EQEは、10mA/cm2で測定され、LT90は、定電流密度20mA/cm2で輝度が初期輝度の90%に低下するまでの時間である。EQE及び寿命の両方は、比較2の値と比較して報告する。
上記データは、EML中の2つ以上の材料へのトリアリールシラン又はテルフェニル基等の立体的に嵩高い基の添加が、増感デバイスのEQEと寿命の両方を改善したことを示す。比較1におけるリン光体のみへの嵩高い基の添加は、これらの嵩高い基を持たない比較2と比較して、EQEのわずかな改善をもたらしたが、デバイス寿命ははるかに悪かった。実施例3のアクセプター2上のテルフェニル基とリン光体2のシラン基を対にすると、比較2と比較して、EQEと寿命の両方が、それぞれ118%と93%の予想外の劇的な改善を有した。Eホスト(実施例2)及びHホスト(実施例1)に嵩高い基を更に導入すると、比較2と比較して、寿命を3.9倍と5.7倍に更に改善した。EQEの倍増及び1.9~5.7倍近く高い寿命は、劇的な変化と考えられ、実験誤差に帰せられる値を超えており、観察された改善は有意である。デバイスが類似の構造を有し、主な違いはトリフェニルシリル又はテルフェニル基の添加であるという事実に基づき、上記データで観察された有意な性能改善は予想外である。いかなる理論にも拘束されることなく、この改善は、効率とデバイスの動作寿命の両方を減少させることがあるdexterエネルギー移動の程度を減少させる抑制された分子間相互作用に起因するのかもしれない。
Claims (10)
- アノードと;
正孔輸送層と;
発光領域と;
電子輸送層と;
カソードと、
を含む有機発光デバイス(OLED)であって、
前記発光領域は、
第1の化合物と;
第2の化合物と;
第3の化合物と、
を含み、
前記第1の化合物は、エネルギーを前記第2の化合物に伝達する増感剤であり;
前記第2の化合物は、発光体であるアクセプターであり;
前記第3の化合物は、第1のホストであり、前記第1の化合物及び前記第2の化合物の少なくとも1つは、前記第3の化合物においてドープされ;
前記第1の化合物、前記第2の化合物、及び前記第3の化合物の少なくとも2つは、同じ又は異なる置換基R*を含み;
R*は、下記からなる群から選択されることを特徴とする有機発光デバイス(OLED)。
部分E及びFは、それぞれ独立して、単環式環又は多環式縮合環系であり;
前記単環式環及び前記多環式縮合環系の各環は、独立して、5員又は6員の炭素環又は複素環であり;
RE及びRFは、それぞれ独立して、モノから最大可能置換を表す、又は無置換を表し;
RE及びRFは、それぞれ独立して、水素である、又は重水素、ハロゲン、アルキル、シクロアルキル、ヘテロアルキル、ヘテロシクロアルキル、ボリル、アリールアルキル、アルコキシ、アリールオキシ、アミノ、シリル、ゲルミル、アルケニル、シクロアルケニル、ヘテロアルケニル、アルキニル、アリール、ヘテロアリール、アシル、カルボン酸、エーテル、エステル、ニトリル、イソニトリル、スルファニル、スルフィニル、スルホニル、ホスフィノ、セレニル、及びこれらの組合せからなる群から選択される置換基であり;
任意の隣接する置換基は、任意に結合又は縮合し、環を形成する。) - 前記第1の化合物は、室温のOLEDにおいて、リン光発光体又はTADF発光体として機能することができる;及び/又は前記第2の化合物は、室温の前記OLEDにおいて、TADF発光体として機能することができる遅延蛍光化合物又は室温の前記OLEDにおいて発光体として機能することができる蛍光化合物である;及び/又は前記第1の化合物は、室温の前記OLEDにおいて、前記第3の化合物とエキシプレックスを形成し;及び/又は
[X]は、置換又は非置換単環式環、置換又は非置換多環式縮合環系、SiRP、SiRPRQ、GeRP、GeRPRQ、BRP、BRPRQ、CRPRQ、NRP、及びPRPからなる群から選択され;RPは、6員炭素環又は複素環を含み、RQは、水素である、又は重水素、ハロゲン、アルキル、シクロアルキル、ヘテロアルキル、ヘテロシクロアルキル、ボリル、アリールアルキル、アルコキシ、アリールオキシ、アミノ、シリル、ゲルミル、アルケニル、シクロアルケニル、ヘテロアルケニル、アルキニル、アリール、ヘテロアリール、アシル、カルボン酸、エーテル、エステル、ニトリル、イソニトリル、スルファニル、スルフィニル、スルホニル、ホスフィノ、セレニル、及びこれらの組合せからなる群から選択される置換基である;及び/又は
前記第1の化合物は、部分的又は完全に重水素化される;及び/又は前記第2の化合物は、部分的又は完全に重水素化される;及び/又は前記第3の化合物は、部分的又は完全に重水素化される、請求項1に記載のOLED。 - R*が下記からなる群から選択される、請求項1に記載のOLED。
Z1~Z4は、それぞれ独立して、直接結合である、又はO、S、Se、NR、BR、BRR’、PR、CR、C=X、CRR’、SO、SO2、SiRR’、GeRR’、P(O)R、アリール、ヘテロアリール、アルキル、ヘテロシクロアルキル、及びシクロアルキルからなる群から選択され;
X101~X173は、それぞれ独立して、C又はNであり;
ZAは、C、Si、及びGeからなる群から選択され;
W1及びW2は、それぞれ独立して、直接結合、O、S、Se、CRR’、SiRR’、及びGeRR’からなる群から選択され;
Yaa及びYbbは、それぞれ独立して、O、S、Se、CRR’、SiRR’、GeRR’、NR、BR、及びBRR’からなる群から選択され;
YE、Ycc、及びYddは、それぞれ独立して、O、S、Se、CRR’、SiRR’、GeRR’、BR、及びBRR’からなる群から選択され;
Yee及びYffは、それぞれ独立して、CR、SiR、GeR、B、及びNからなる群から選択され;
QA~QEは、それぞれ独立して、モノから最大可能置換を表す、又は無置換を表し;
各R、R’、QA~QEは、それぞれ独立して、水素である、又は重水素、ハロゲン、アルキル、シクロアルキル、ヘテロアルキル、ヘテロシクロアルキル、アリールアルキル、アルコキシ、アリールオキシ、アミノ、シリル、ゲルミル、ボリル、アルケニル、シクロアルケニル、ヘテロアルケニル、アルキニル、アリール、ヘテロアリール、アシル、カルボン酸、エーテル、エステル、ニトリル、イソニトリル、スルファニル、スルフィニル、スルホニル、ホスフィノ、セレニル、及びこれらの組合せからなる群から選択される置換基であり;
任意の2つの置換基は、結合又は縮合して、環を形成してもよく;
上記のいずれかの構造の任意の各フェニル環において、置換基とともに最大合計3個までの任意の炭素環原子をNで置換してもよい。) - R*は、本明細書に定義されるリスト1の構造からなる群から選択される、請求項1に記載のOLED。
- 前記第3の化合物のT1エネルギーは、前記第1の化合物及び前記第2の化合物のT1エネルギーよりも高い;及び/又は前記第2の化合物のS1エネルギーは、前記第1の化合物及び前記第3の化合物のS1エネルギーよりも低い;及び/又は前記第1の化合物のS1-T1エネルギーギャップは、300meV未満である;前記第2の化合物のS1-T1エネルギーギャップは、300meV未満である;及び/又は前記第2の化合物は、30nm以下のストークスシフトを有する;及び/又は
前記第1の化合物は、室温で前記ホストとして前記第3の化合物を有する単色OLEDにおいて、λmax1の発光最大値を有し;前記第2の化合物は、前記第1の化合物を前記第2の化合物で取り換えることによって、前記単色OLEDにおいて、λmax2の発光最大を有し;Dλ=λmax1-λmax2であり;Dλは、15、12、10、8、6、4、2、0、-2、-4、-6、-8、及び-10nmからなる群から選択される数以下である、請求項1に記載のOLED。 - 前記第1の化合物は、M(L1)x(L2)y(L3)zの式を有し;
L1、L2、及びL3は、同じでも異なってもよく;
xは、1、2、又は3であり;
yは、0、1、又は2であり;
zは、0、1、又は2であり;
x+y+zは、金属Mの酸化状態であり;
L1が以下からなる群から選択され;
K1’は、直接結合である、又はNRe、PRe、O、S、及びSeからなる群から選択され;
Y1~Y13は、それぞれ独立して、炭素及び窒素からなる群から選択され;
Y’は、BRe、NRe、PRe、O、S、Se、C=O、S=O、SO2、CReRf、SiReRf、及びGeReRfからなる群から選択され;
Re及びRfは、縮合又は結合して、環を形成してもよく;
Ra、Rb、Rc、及びRdは、それぞれ独立して、モノから最大可能数の置換を表すことができる、又は無置換を表すことができ;
Ra1、Rb1、Rc1、Rd1、Ra、Rb、Rc、Rd、Re、及びRfは、それぞれ独立して、水素である、又は重水素、ハロゲン、アルキル、シクロアルキル、ヘテロアルキル、ヘテロシクロアルキル、ボリル、アリールアルキル、アルコキシ、アリールオキシ、アミノ、シリル、ゲルミル、アルケニル、シクロアルケニル、ヘテロアルケニル、アルキニル、アリール、ヘテロアリール、アシル、カルボン酸、エーテル、エステル、ニトリル、イソニトリル、スルファニル、スルフィニル、スルホニル、ホスフィノ、セレニル、及びこれらの組合せからなる群から選択される置換基であり;
Ra1、Rb1、Rc1、Rd1、Ra、Rb、Rc、及びRdの任意の2つの隣接する置換基は、縮合又は結合して、環を形成してもよい、又は他座配位子を形成してもよい、
請求項1に記載のOLED。 - 前記第1の化合物が以下からなる群から選択される、請求項1に記載のOLED。
Y100は、それぞれ独立して、NR’’、O、S、及びSeからなる群から選択され;
Lは、独立して、直接結合、BR’’、BR’’R’’’、NR’’、PR’’、O、S、Se、C=O、C=S、C=Se、C=NR’’、C=CR’’R’’’、S=O、SO2、CR’’、CR’’R’’’、SiR’’R’’’、GeR’’R’’’、アルキル、シクロアルキル、アリール、ヘテロアリール、及びこれらの組合せからなる群から選択され;
各場合におけるX100及びX200は、O、S、Se、NR’’、及びCR’’R’’’からなる群から選択され;
R10a、R20a、R30a、R40a、及びR50a、RA’’、RB’’、RC’’、RD’’、RE’’、及びRF’’は、それぞれ独立して、モノ置換、又は最大置換まで、又は無置換を表し;
R、R’、R’’、R’’’、R10a、R11a、R12a、R13a、R20a、R30a、R40a、R50a、R60、R70、R97、R98、R99、RA1’、RA2’、RA’’、RB’’、RC’’、RD’’、RE’’、RF’’、RG’’、RH’’、RI’’、RJ’’、RK’’、RL’’、RM’’、及びRN’’は、それぞれ独立して、水素である、又は本明細書で定義される一般的な置換基からなる群から選択される置換基であり;
任意の2つの置換基は、縮合又は結合して、環を形成してもよい。) - 前記第2の化合物が以下からなる群から選択される、請求項1に記載のOLED。
RF1及びR1~R9は、それぞれ独立して、モノから最大可能数の置換を表す、又は無置換を表し;
RF1及びR1~R9は、それぞれ独立して、水素である、又は重水素、ハロゲン、アルキル、シクロアルキル、ヘテロアルキル、ヘテロシクロアルキル、ボリル、アリールアルキル、アルコキシ、アリールオキシ、アミノ、シリル、ゲルミル、アルケニル、シクロアルケニル、ヘテロアルケニル、アルキニル、アリール、ヘテロアリール、アシル、カルボン酸、エーテル、エステル、ニトリル、イソニトリル、スルファニル、スルフィニル、スルホニル、ホスフィノ、セレニル、及びこれらの組合せからなる群から選択される置換基である。) - 前記第2の化合物のHOMOレベルが前記第1の化合物及び前記第3の化合物から選択される少なくとも1つよりも深い;及び/又は
前記発光領域が第2のホストを更に含む;及び/又は
前記第3の化合物及び/又は前記第2のホストが、トリフェニレン、カルバゾール、インドロカルバゾール、ジベンゾチオフェン、ジベンゾフラン、ジベンゾセレノフェン、5λ2-ベンゾ[d]ベンゾ[4,5]イミダゾ[3,2-a]イミダゾール、5,9-ジオキサ-13b-ボラナフト[3,2,1-de]アントラセン、トリアジン、ボリル、シリル、アザ-トリフェニレン、アザ-カルバゾール、アザ-インドロカルバゾール、アザ-ジベンゾチオフェン、アザ-ジベンゾフラン、アザ-ジベンゾセレノフェン、アザ-5λ2-ベンゾ[d]ベンゾ[4,5]イミダゾ[3,2-a]イミダゾール、及びアザ-(5,9-ジオキサ-13b-ボラナフト[3,2,1-de]アントラセン)からなる群から選択される少なくとも1つの化学基を含む;及び/又は
電圧をデバイスに印加すると、前記OLEDが室温で発光放射を発し;前記発光放射が、340~900nmの発光値lmaxを有する前記第2の化合物から起因する第1の放射成分を含む;及び/又は
電圧をデバイスに印加すると、前記OLEDが室温で発光放射を発し;前記発光放射が、50nm以下のFWHMを有する前記第2の化合物から起因する第1の放射成分を含む;及び/又は
電圧をデバイスに印加すると、前記OLEDが室温で発光放射を発し;前記発光放射が、465nm未満の発光ピークの10%オンセットを有する前記第2の化合物から起因する第1の放射成分を含む、請求項1に記載のOLED。 - 前記第3の化合物及び/又は第2のホストが下記からなる群から選択される、請求項1に記載のOLED。
L’は、直接結合又は有機リンカーであり;
YAA、YBB、YCC、及びYDDは、それぞれ独立して、結合がない、直接結合、O、S、Se、CRR’、SiRR’、GeRR’、NR、BR、BRR’からなる群から選択され;
RA’、RB’、RC’、RD’、RE’、RF’、及びRG’は、それぞれ独立して、モノ、最大置換まで、又は無置換を表し;
R、R’、RA’、RB’、RC’、RD’、RE’、RF’、及びRG’は、それぞれ独立して、水素である、又は本明細書で定義される一般的な置換基からなる群から選択される置換基であり;任意の2つの置換基は、結合又は縮合して、環を形成してもよく;
可能な場合、各非置換芳香族炭素原子は、任意に、Nと置換され、アザ-置換環を形成する。)
Applications Claiming Priority (24)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US202263419782P | 2022-10-27 | 2022-10-27 | |
US63/419782 | 2022-10-27 | ||
US202263421804P | 2022-11-02 | 2022-11-02 | |
US63/421804 | 2022-11-02 | ||
US202263387166P | 2022-12-13 | 2022-12-13 | |
US63/387166 | 2022-12-13 | ||
US202263434161P | 2022-12-21 | 2022-12-21 | |
US63/434161 | 2022-12-21 | ||
US202363483647P | 2023-02-07 | 2023-02-07 | |
US63/483647 | 2023-02-07 | ||
US202363484786P | 2023-02-14 | 2023-02-14 | |
US202363484757P | 2023-02-14 | 2023-02-14 | |
US63/484757 | 2023-02-14 | ||
US63/484786 | 2023-02-14 | ||
US202363487055P | 2023-02-27 | 2023-02-27 | |
US63/487055 | 2023-02-27 | ||
US202363490065P | 2023-03-14 | 2023-03-14 | |
US63/490065 | 2023-03-14 | ||
US202363459091P | 2023-04-13 | 2023-04-13 | |
US63/459091 | 2023-04-13 | ||
US18/319,182 US20230292539A1 (en) | 2019-10-25 | 2023-05-17 | Organic electroluminescent materials and devices |
US18/319182 | 2023-05-17 | ||
US18/491013 | 2023-10-20 | ||
US18/491,013 US20240188419A1 (en) | 2022-10-27 | 2023-10-20 | Organic electroluminescent materials and devices |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2024065082A true JP2024065082A (ja) | 2024-05-14 |
Family
ID=88511397
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2023184374A Pending JP2024065082A (ja) | 2022-10-27 | 2023-10-27 | 有機エレクトロルミネセンス材料及びデバイス |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20240188419A1 (ja) |
EP (1) | EP4369898A1 (ja) |
JP (1) | JP2024065082A (ja) |
KR (1) | KR20240059579A (ja) |
Family Cites Families (314)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4769292A (en) | 1987-03-02 | 1988-09-06 | Eastman Kodak Company | Electroluminescent device with modified thin film luminescent zone |
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-
2023
- 2023-10-20 US US18/491,013 patent/US20240188419A1/en active Pending
- 2023-10-25 EP EP23205915.4A patent/EP4369898A1/en active Pending
- 2023-10-27 KR KR1020230145716A patent/KR20240059579A/ko unknown
- 2023-10-27 JP JP2023184374A patent/JP2024065082A/ja active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP4369898A1 (en) | 2024-05-15 |
US20240188419A1 (en) | 2024-06-06 |
KR20240059579A (ko) | 2024-05-07 |
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