JP2023126680A5 - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2023126680A5 JP2023126680A5 JP2023120060A JP2023120060A JP2023126680A5 JP 2023126680 A5 JP2023126680 A5 JP 2023126680A5 JP 2023120060 A JP2023120060 A JP 2023120060A JP 2023120060 A JP2023120060 A JP 2023120060A JP 2023126680 A5 JP2023126680 A5 JP 2023126680A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transistor
- electrically connected
- drain
- source
- gate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims 13
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims 16
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims 8
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims 8
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims 4
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims 1
Claims (5)
- 第１乃至第７のトランジスタを有し、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、出力信号配線と常に導通し、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方は、クロック信号線と常に導通し、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方は、電源線と常に導通し、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記出力信号配線と常に導通し、
前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記電源線と常に導通し、
前記第３のトランジスタのゲートは、前記第２のトランジスタのゲートと常に導通し、
前記第４のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記電源線と常に導通し、
前記第４のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第２のトランジスタのゲートと常に導通し、
前記第４のトランジスタのゲートは、信号線と常に導通し、
前記第５のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第３のトランジスタのソース又はドレインの他方と常に導通し、
前記第６のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２のトランジスタのゲートと常に導通し、
前記第６のトランジスタのソース又はドレインの他方は、配線と常に導通し、
前記第７のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２のトランジスタのゲートと常に導通し、
前記第７のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記配線と常に導通し、
前記電源線が少なくとも前記第３のトランジスタのチャネル形成領域を介して前記第１のトランジスタのゲートと導通状態であるとき、前記電源線の電位が少なくとも前記第３のトランジスタのチャネル形成領域を介して前記第１のトランジスタのゲートに入力され、
前記第５のトランジスタのソース又はドレインの他方が少なくとも前記第５のトランジスタのチャネル形成領域を介して前記第１のトランジスタのゲートと導通状態であるとき、前記第５のトランジスタのソース又はドレインの他方の電位が少なくとも前記第５のトランジスタのチャネル形成領域を介して前記第１のトランジスタのゲートに入力され、
前記第３のトランジスタは、マルチゲート型のトランジスタ構造であり、
前記第４のトランジスタは、シングルゲート型のトランジスタ構造である半導体装置。 - 第１乃至第９のトランジスタを有し、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第１の出力信号配線と常に導通し、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方は、クロック信号線と常に導通し、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方は、電源線と常に導通し、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第１の出力信号配線と常に導通し、
前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記電源線と常に導通し、
前記第３のトランジスタのゲートは、前記第２のトランジスタのゲートと常に導通し、
前記第４のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記電源線と常に導通し、
前記第４のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第２のトランジスタのゲートと常に導通し、
前記第４のトランジスタのゲートは、信号線と常に導通し、
前記第５のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第３のトランジスタのソース又はドレインの他方と常に導通し、
前記第６のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２のトランジスタのゲートと常に導通し、
前記第６のトランジスタのソース又はドレインの他方は、配線と常に導通し、
前記第７のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２のトランジスタのゲートと常に導通し、
前記第７のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記配線と常に導通し、
前記第８のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第２の出力信号配線と常に導通し、
前記第８のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記クロック信号線と常に導通し、
前記第８のトランジスタのゲートは、前記第１のトランジスタのゲートと常に導通し、
前記第９のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２の出力信号配線と常に導通し、
前記電源線が少なくとも前記第３のトランジスタのチャネル形成領域を介して前記第１のトランジスタのゲートと導通状態であるとき、前記電源線の電位が少なくとも前記第３のトランジスタのチャネル形成領域を介して前記第１のトランジスタのゲートに入力され、
前記第５のトランジスタのソース又はドレインの他方が少なくとも前記第５のトランジスタのチャネル形成領域を介して前記第１のトランジスタのゲートと導通状態であるとき、前記第５のトランジスタのソース又はドレインの他方の電位が少なくとも前記第５のトランジスタのチャネル形成領域を介して前記第１のトランジスタのゲートに入力され、
前記第９のトランジスタのソース又はドレインの他方が少なくとも前記第９のトランジスタのチャネル形成領域を介して前記第２の出力信号配線と導通状態であるとき、前記第９のトランジスタのソース又はドレインの他方の電位が少なくとも前記第９のトランジスタのチャネル形成領域を介して前記第２の出力信号配線に入力され、
前記第３のトランジスタは、マルチゲート型のトランジスタ構造であり、
前記第４のトランジスタは、シングルゲート型のトランジスタ構造である半導体装置。 - 第１乃至第７のトランジスタを有し、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、出力信号配線と常に導通し、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方は、クロック信号線と常に導通し、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方は、電源線と常に導通し、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記出力信号配線と常に導通し、
前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記電源線と常に導通し、
前記第３のトランジスタのゲートは、前記第２のトランジスタのゲートと常に導通し、
前記第４のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記電源線と常に導通し、
前記第４のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第２のトランジスタのゲートと常に導通し、
前記第４のトランジスタのゲートは、信号線と常に導通し、
前記第５のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第３のトランジスタのソース又はドレインの他方と常に導通し、
前記第６のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２のトランジスタのゲートと常に導通し、
前記第６のトランジスタのソース又はドレインの他方は、配線と常に導通し、
前記第７のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２のトランジスタのゲートと常に導通し、
前記第７のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記配線と常に導通し、
前記電源線が少なくとも前記第３のトランジスタのチャネル形成領域を介して前記第１のトランジスタのゲートと導通状態であるとき、前記電源線の電位が少なくとも前記第３のトランジスタのチャネル形成領域を介して前記第１のトランジスタのゲートに入力され、
前記第５のトランジスタのソース又はドレインの他方が少なくとも前記第５のトランジスタのチャネル形成領域を介して前記第１のトランジスタのゲートと導通状態であるとき、前記第５のトランジスタのソース又はドレインの他方の電位が少なくとも前記第５のトランジスタのチャネル形成領域を介して前記第１のトランジスタのゲートに入力され、
前記第３のトランジスタは、マルチゲート型のトランジスタ構造であり、
前記第４のトランジスタは、シングルゲート型のトランジスタ構造であり、
前記第１乃至第７のトランジスタの少なくとも一は、
ゲート電極として機能する領域を有する第１の導電層と、
前記第１の導電層上のゲート絶縁膜として機能する領域を有する第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層上のチャネル形成領域として機能する領域を有する酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層上のソース電極として機能する領域を有する第２の導電層と、
前記酸化物半導体層上のドレイン電極として機能する領域を有する第３の導電層と、
前記酸化物半導体層上、前記第２の導電層上及び前記第３の導電層上の第２の絶縁層と、
前記第２の絶縁層上の第３の絶縁層と、を有し、
前記第１の絶縁層は、窒素と、シリコンと、を有する絶縁膜と、酸素と、シリコンと、を有する絶縁膜とがこの順に積層された積層構造を有し、
前記第２の絶縁層は、酸素と、シリコンと、を有し、
前記第３の絶縁層は、窒素と、シリコンと、を有する半導体装置。 - 第１乃至第９のトランジスタを有し、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第１の出力信号配線と常に導通し、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方は、クロック信号線と常に導通し、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方は、電源線と常に導通し、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第１の出力信号配線と常に導通し、
前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記電源線と常に導通し、
前記第３のトランジスタのゲートは、前記第２のトランジスタのゲートと常に導通し、
前記第４のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記電源線と常に導通し、
前記第４のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第２のトランジスタのゲートと常に導通し、
前記第４のトランジスタのゲートは、信号線と常に導通し、
前記第５のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第３のトランジスタのソース又はドレインの他方と常に導通し、
前記第６のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２のトランジスタのゲートと常に導通し、
前記第６のトランジスタのソース又はドレインの他方は、配線と常に導通し、
前記第７のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２のトランジスタのゲートと常に導通し、
前記第７のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記配線と常に導通し、
前記第８のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第２の出力信号配線と常に導通し、
前記第８のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記クロック信号線と常に導通し、
前記第８のトランジスタのゲートは、前記第１のトランジスタのゲートと常に導通し、
前記第９のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２の出力信号配線と常に導通し、
前記電源線が少なくとも前記第３のトランジスタのチャネル形成領域を介して前記第１のトランジスタのゲートと導通状態であるとき、前記電源線の電位が少なくとも前記第３のトランジスタのチャネル形成領域を介して前記第１のトランジスタのゲートに入力され、
前記第５のトランジスタのソース又はドレインの他方が少なくとも前記第５のトランジスタのチャネル形成領域を介して前記第１のトランジスタのゲートと導通状態であるとき、前記第５のトランジスタのソース又はドレインの他方の電位が少なくとも前記第５のトランジスタのチャネル形成領域を介して前記第１のトランジスタのゲートに入力され、
前記第９のトランジスタのソース又はドレインの他方が少なくとも前記第９のトランジスタのチャネル形成領域を介して前記第２の出力信号配線と導通状態であるとき、前記第９のトランジスタのソース又はドレインの他方の電位が少なくとも前記第９のトランジスタのチャネル形成領域を介して前記第２の出力信号配線に入力され、
前記第３のトランジスタは、マルチゲート型のトランジスタ構造であり、
前記第４のトランジスタは、シングルゲート型のトランジスタ構造であり、
前記第１乃至第９のトランジスタの少なくとも一は、
ゲート電極として機能する領域を有する第１の導電層と、
前記第１の導電層上のゲート絶縁膜として機能する領域を有する第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層上のチャネル形成領域として機能する領域を有する酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層上のソース電極として機能する領域を有する第２の導電層と、
前記酸化物半導体層上のドレイン電極として機能する領域を有する第３の導電層と、
前記酸化物半導体層上、前記第２の導電層上及び前記第３の導電層上の第２の絶縁層と、
前記第２の絶縁層上の第３の絶縁層と、を有し、
前記第１の絶縁層は、窒素と、シリコンと、を有する絶縁膜と、酸素と、シリコンと、を有する絶縁膜とがこの順に積層された積層構造を有し、
前記第２の絶縁層は、酸素と、シリコンと、を有し、
前記第３の絶縁層は、窒素と、シリコンと、を有する半導体装置。 - 請求項３又は請求項４において、
前記酸化物半導体層は、Ｉｎ、Ｇａ及びＺｎを有する、半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2023219403A JP2024032715A (ja) | 2010-03-02 | 2023-12-26 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2010044949 | 2010-03-02 | ||
| JP2010044949 | 2010-03-02 | ||
| JP2019123661A JP2019205179A (ja) | 2010-03-02 | 2019-07-02 | 半導体装置 |
| JP2021082100A JP2021145348A (ja) | 2010-03-02 | 2021-05-14 | 半導体装置 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2021082100A Division JP2021145348A (ja) | 2010-03-02 | 2021-05-14 | 半導体装置 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2023219403A Division JP2024032715A (ja) | 2010-03-02 | 2023-12-26 | 半導体装置 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2023126680A JP2023126680A (ja) | 2023-09-07 |
| JP2023126680A5 true JP2023126680A5 (ja) | 2023-09-15 |
| JP7412626B2 JP7412626B2 (ja) | 2024-01-12 |
Family
ID=44531345
Family Applications (13)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2011041131A Active JP5646368B2 (ja) | 2010-03-02 | 2011-02-28 | 半導体装置及び電子機器 |
| JP2012162734A Expired - Fee Related JP5190549B2 (ja) | 2010-03-02 | 2012-07-23 | 半導体装置及び電子機器 |
| JP2013000551A Active JP5216945B1 (ja) | 2010-03-02 | 2013-01-07 | 半導体装置 |
| JP2014172145A Active JP5697786B2 (ja) | 2010-03-02 | 2014-08-27 | 半導体装置 |
| JP2014179744A Active JP5684424B2 (ja) | 2010-03-02 | 2014-09-04 | 半導体装置及び表示装置 |
| JP2014179743A Active JP5684423B2 (ja) | 2010-03-02 | 2014-09-04 | 半導体装置及び表示装置 |
| JP2015004635A Active JP5863997B2 (ja) | 2010-03-02 | 2015-01-14 | 半導体装置及び表示装置 |
| JP2015249368A Withdrawn JP2016096566A (ja) | 2010-03-02 | 2015-12-22 | パルス出力回路 |
| JP2018014258A Active JP6552654B2 (ja) | 2010-03-02 | 2018-01-31 | 駆動回路 |
| JP2019123661A Withdrawn JP2019205179A (ja) | 2010-03-02 | 2019-07-02 | 半導体装置 |
| JP2021082100A Withdrawn JP2021145348A (ja) | 2010-03-02 | 2021-05-14 | 半導体装置 |
| JP2023120060A Active JP7412626B2 (ja) | 2010-03-02 | 2023-07-24 | 半導体装置 |
| JP2023219403A Pending JP2024032715A (ja) | 2010-03-02 | 2023-12-26 | 半導体装置 |
Family Applications Before (11)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2011041131A Active JP5646368B2 (ja) | 2010-03-02 | 2011-02-28 | 半導体装置及び電子機器 |
| JP2012162734A Expired - Fee Related JP5190549B2 (ja) | 2010-03-02 | 2012-07-23 | 半導体装置及び電子機器 |
| JP2013000551A Active JP5216945B1 (ja) | 2010-03-02 | 2013-01-07 | 半導体装置 |
| JP2014172145A Active JP5697786B2 (ja) | 2010-03-02 | 2014-08-27 | 半導体装置 |
| JP2014179744A Active JP5684424B2 (ja) | 2010-03-02 | 2014-09-04 | 半導体装置及び表示装置 |
| JP2014179743A Active JP5684423B2 (ja) | 2010-03-02 | 2014-09-04 | 半導体装置及び表示装置 |
| JP2015004635A Active JP5863997B2 (ja) | 2010-03-02 | 2015-01-14 | 半導体装置及び表示装置 |
| JP2015249368A Withdrawn JP2016096566A (ja) | 2010-03-02 | 2015-12-22 | パルス出力回路 |
| JP2018014258A Active JP6552654B2 (ja) | 2010-03-02 | 2018-01-31 | 駆動回路 |
| JP2019123661A Withdrawn JP2019205179A (ja) | 2010-03-02 | 2019-07-02 | 半導体装置 |
| JP2021082100A Withdrawn JP2021145348A (ja) | 2010-03-02 | 2021-05-14 | 半導体装置 |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2023219403A Pending JP2024032715A (ja) | 2010-03-02 | 2023-12-26 | 半導体装置 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US8320516B2 (ja) |
| JP (13) | JP5646368B2 (ja) |
| KR (1) | KR101389120B1 (ja) |
| CN (2) | CN102783025B (ja) |
| DE (1) | DE112011100749B4 (ja) |
| TW (7) | TWI792345B (ja) |
| WO (1) | WO2011108343A1 (ja) |
Families Citing this family (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI511116B (zh) | 2006-10-17 | 2015-12-01 | Semiconductor Energy Lab | 脈衝輸出電路、移位暫存器及顯示裝置 |
| WO2010137197A1 (ja) * | 2009-05-28 | 2010-12-02 | シャープ株式会社 | シフトレジスタ |
| JP5405570B2 (ja) * | 2009-06-15 | 2014-02-05 | シャープ株式会社 | シフトレジスタおよび表示装置 |
| WO2011108345A1 (en) * | 2010-03-02 | 2011-09-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Pulse signal output circuit and shift register |
| KR101807734B1 (ko) | 2010-03-02 | 2017-12-11 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 펄스 신호 출력 회로 및 시프트 레지스터 |
| KR101840181B1 (ko) | 2010-05-21 | 2018-03-19 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 펄스 출력 회로, 시프트 레지스터, 및 표시 장치 |
| US8718224B2 (en) | 2011-08-05 | 2014-05-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Pulse signal output circuit and shift register |
| KR20130055253A (ko) * | 2011-11-18 | 2013-05-28 | 삼성디스플레이 주식회사 | 주사 구동 장치 및 그 구동 방법 |
| JP6099372B2 (ja) * | 2011-12-05 | 2017-03-22 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置及び電子機器 |
| US8995607B2 (en) | 2012-05-31 | 2015-03-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Pulse signal output circuit and shift register |
| TWI600022B (zh) * | 2012-07-20 | 2017-09-21 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 脈衝輸出電路、顯示裝置、及電子裝置 |
| JP6267902B2 (ja) * | 2012-09-21 | 2018-01-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 順序回路、表示装置 |
| US9041453B2 (en) * | 2013-04-04 | 2015-05-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Pulse generation circuit and semiconductor device |
| TWI654614B (zh) * | 2013-07-10 | 2019-03-21 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置 |
| CN103413514A (zh) * | 2013-07-27 | 2013-11-27 | 京东方科技集团股份有限公司 | 移位寄存器单元、移位寄存器和显示装置 |
| TWI509593B (zh) * | 2013-12-20 | 2015-11-21 | Au Optronics Corp | 移位暫存器 |
| CN103928056B (zh) * | 2014-03-06 | 2017-02-08 | 厦门天马微电子有限公司 | 移位寄存器、栅极驱动电路、阵列基板、显示面板及装置 |
| KR102313978B1 (ko) | 2015-01-21 | 2021-10-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 게이트 구동회로 |
| CN105632561B (zh) * | 2016-01-05 | 2018-09-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 移位寄存器及其驱动方法、栅极驱动电路以及显示装置 |
| CN108890907A (zh) * | 2018-07-06 | 2018-11-27 | 合肥格骄电子科技有限公司 | 一种光机电一体化的岩棉切割装置 |
| CN111223459B (zh) | 2018-11-27 | 2022-03-08 | 元太科技工业股份有限公司 | 移位寄存器以及栅极驱动电路 |
| CN111445857B (zh) | 2020-04-17 | 2021-05-14 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 像素驱动电路及其驱动方法和显示装置 |
| CN111445869B (zh) * | 2020-04-30 | 2022-04-15 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种亮度控制装置及其控制方法、显示面板 |
| CN111583885B (zh) * | 2020-06-17 | 2021-11-30 | 京东方科技集团股份有限公司 | 移位寄存器的驱动方法及装置 |
| KR20230154906A (ko) * | 2021-03-05 | 2023-11-09 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치, 표시 장치, 및 전자 기기 |
Family Cites Families (140)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4959543A (ja) * | 1972-10-05 | 1974-06-10 | ||
| FR2524714B1 (fr) * | 1982-04-01 | 1986-05-02 | Suwa Seikosha Kk | Transistor a couche mince |
| US5701136A (en) * | 1995-03-06 | 1997-12-23 | Thomson Consumer Electronics S.A. | Liquid crystal display driver with threshold voltage drift compensation |
| DE69635107D1 (de) | 1995-08-03 | 2005-09-29 | Koninkl Philips Electronics Nv | Halbleiteranordnung mit einem transparenten schaltungselement |
| JP3514002B2 (ja) * | 1995-09-04 | 2004-03-31 | カシオ計算機株式会社 | 表示駆動装置 |
| JP3625598B2 (ja) | 1995-12-30 | 2005-03-02 | 三星電子株式会社 | 液晶表示装置の製造方法 |
| JPH11184432A (ja) * | 1997-12-19 | 1999-07-09 | Sony Corp | 液晶表示装置の駆動回路 |
| JP4170454B2 (ja) | 1998-07-24 | 2008-10-22 | Ｈｏｙａ株式会社 | 透明導電性酸化物薄膜を有する物品及びその製造方法 |
| KR100438525B1 (ko) * | 1999-02-09 | 2004-07-03 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 쉬프트 레지스터 회로 |
| JP4181710B2 (ja) * | 1998-10-21 | 2008-11-19 | エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド | シフトレジスタ |
| JP2000150861A (ja) | 1998-11-16 | 2000-05-30 | Tdk Corp | 酸化物薄膜 |
| JP3276930B2 (ja) | 1998-11-17 | 2002-04-22 | 科学技術振興事業団 | トランジスタ及び半導体装置 |
| TW460731B (en) | 1999-09-03 | 2001-10-21 | Ind Tech Res Inst | Electrode structure and production method of wide viewing angle LCD |
| JP4089858B2 (ja) | 2000-09-01 | 2008-05-28 | 国立大学法人東北大学 | 半導体デバイス |
| KR20020038482A (ko) | 2000-11-15 | 2002-05-23 | 모리시타 요이찌 | 박막 트랜지스터 어레이, 그 제조방법 및 그것을 이용한표시패널 |
| JP3997731B2 (ja) | 2001-03-19 | 2007-10-24 | 富士ゼロックス株式会社 | 基材上に結晶性半導体薄膜を形成する方法 |
| JP2002289859A (ja) | 2001-03-23 | 2002-10-04 | Minolta Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
| TW582005B (en) * | 2001-05-29 | 2004-04-01 | Semiconductor Energy Lab | Pulse output circuit, shift register, and display device |
| JP3925839B2 (ja) | 2001-09-10 | 2007-06-06 | シャープ株式会社 | 半導体記憶装置およびその試験方法 |
| JP4090716B2 (ja) | 2001-09-10 | 2008-05-28 | 雅司 川崎 | 薄膜トランジスタおよびマトリクス表示装置 |
| US7061014B2 (en) | 2001-11-05 | 2006-06-13 | Japan Science And Technology Agency | Natural-superlattice homologous single crystal thin film, method for preparation thereof, and device using said single crystal thin film |
| JP4164562B2 (ja) | 2002-09-11 | 2008-10-15 | 独立行政法人科学技術振興機構 | ホモロガス薄膜を活性層として用いる透明薄膜電界効果型トランジスタ |
| JP4397555B2 (ja) * | 2001-11-30 | 2010-01-13 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、電子機器 |
| JP4083486B2 (ja) | 2002-02-21 | 2008-04-30 | 独立行政法人科学技術振興機構 | ＬｎＣｕＯ（Ｓ，Ｓｅ，Ｔｅ）単結晶薄膜の製造方法 |
| US7049190B2 (en) | 2002-03-15 | 2006-05-23 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Method for forming ZnO film, method for forming ZnO semiconductor layer, method for fabricating semiconductor device, and semiconductor device |
| JP3933591B2 (ja) | 2002-03-26 | 2007-06-20 | 淳二 城戸 | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
| US7339187B2 (en) | 2002-05-21 | 2008-03-04 | State Of Oregon Acting By And Through The Oregon State Board Of Higher Education On Behalf Of Oregon State University | Transistor structures |
| JP2004022625A (ja) | 2002-06-13 | 2004-01-22 | Murata Mfg Co Ltd | 半導体デバイス及び該半導体デバイスの製造方法 |
| US7105868B2 (en) | 2002-06-24 | 2006-09-12 | Cermet, Inc. | High-electron mobility transistor with zinc oxide |
| US7067843B2 (en) | 2002-10-11 | 2006-06-27 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Transparent oxide semiconductor thin film transistors |
| JP4425547B2 (ja) * | 2003-01-17 | 2010-03-03 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | パルス出力回路、シフトレジスタ、および電子機器 |
| JP4166105B2 (ja) | 2003-03-06 | 2008-10-15 | シャープ株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP2004273732A (ja) | 2003-03-07 | 2004-09-30 | Sharp Corp | アクティブマトリクス基板およびその製造方法 |
| US7369111B2 (en) * | 2003-04-29 | 2008-05-06 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Gate driving circuit and display apparatus having the same |
| KR100913303B1 (ko) * | 2003-05-06 | 2009-08-26 | 삼성전자주식회사 | 액정표시장치 |
| KR20040097503A (ko) * | 2003-05-12 | 2004-11-18 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 쉬프트 레지스터 |
| JP4108633B2 (ja) | 2003-06-20 | 2008-06-25 | シャープ株式会社 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法ならびに電子デバイス |
| US7262463B2 (en) | 2003-07-25 | 2007-08-28 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Transistor including a deposited channel region having a doped portion |
| JP4321266B2 (ja) * | 2003-10-16 | 2009-08-26 | ソニー株式会社 | インバータ回路および表示装置 |
| US7145174B2 (en) | 2004-03-12 | 2006-12-05 | Hewlett-Packard Development Company, Lp. | Semiconductor device |
| KR101032945B1 (ko) * | 2004-03-12 | 2011-05-09 | 삼성전자주식회사 | 시프트 레지스터 및 이를 포함하는 표시 장치 |
| US7282782B2 (en) | 2004-03-12 | 2007-10-16 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Combined binary oxide semiconductor device |
| EP1737044B1 (en) | 2004-03-12 | 2014-12-10 | Japan Science and Technology Agency | Amorphous oxide and thin film transistor |
| US7297977B2 (en) | 2004-03-12 | 2007-11-20 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Semiconductor device |
| US7211825B2 (en) | 2004-06-14 | 2007-05-01 | Yi-Chi Shih | Indium oxide-based thin film transistors and circuits |
| JP2006100760A (ja) | 2004-09-02 | 2006-04-13 | Casio Comput Co Ltd | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
| US7285501B2 (en) | 2004-09-17 | 2007-10-23 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Method of forming a solution processed device |
| KR101056375B1 (ko) * | 2004-10-01 | 2011-08-11 | 삼성전자주식회사 | 쉬프트 레지스터와, 이를 이용한 게이트 구동 회로 및표시 패널 |
| US7298084B2 (en) | 2004-11-02 | 2007-11-20 | 3M Innovative Properties Company | Methods and displays utilizing integrated zinc oxide row and column drivers in conjunction with organic light emitting diodes |
| CA2708335A1 (en) | 2004-11-10 | 2006-05-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Amorphous oxide and field effect transistor |
| US7863611B2 (en) | 2004-11-10 | 2011-01-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Integrated circuits utilizing amorphous oxides |
| US7791072B2 (en) | 2004-11-10 | 2010-09-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Display |
| EP1810335B1 (en) | 2004-11-10 | 2020-05-27 | Canon Kabushiki Kaisha | Light-emitting device |
| US7453065B2 (en) | 2004-11-10 | 2008-11-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Sensor and image pickup device |
| US7829444B2 (en) | 2004-11-10 | 2010-11-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Field effect transistor manufacturing method |
| AU2005302964B2 (en) | 2004-11-10 | 2010-11-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Field effect transistor employing an amorphous oxide |
| KR101137880B1 (ko) * | 2004-12-31 | 2012-04-20 | 엘지디스플레이 주식회사 | 쉬프트 레지스터 및 그 구동 방법 |
| US7579224B2 (en) | 2005-01-21 | 2009-08-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing a thin film semiconductor device |
| TWI412138B (zh) | 2005-01-28 | 2013-10-11 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置，電子裝置，和半導體裝置的製造方法 |
| TWI569441B (zh) | 2005-01-28 | 2017-02-01 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置，電子裝置，和半導體裝置的製造方法 |
| US7858451B2 (en) | 2005-02-03 | 2010-12-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic device, semiconductor device and manufacturing method thereof |
| US7948171B2 (en) | 2005-02-18 | 2011-05-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
| US20060197092A1 (en) | 2005-03-03 | 2006-09-07 | Randy Hoffman | System and method for forming conductive material on a substrate |
| US8681077B2 (en) | 2005-03-18 | 2014-03-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, and display device, driving method and electronic apparatus thereof |
| WO2006105077A2 (en) | 2005-03-28 | 2006-10-05 | Massachusetts Institute Of Technology | Low voltage thin film transistor with high-k dielectric material |
| JP4993544B2 (ja) * | 2005-03-30 | 2012-08-08 | 三菱電機株式会社 | シフトレジスタ回路 |
| US7645478B2 (en) | 2005-03-31 | 2010-01-12 | 3M Innovative Properties Company | Methods of making displays |
| US8300031B2 (en) | 2005-04-20 | 2012-10-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device comprising transistor having gate and drain connected through a current-voltage conversion element |
| JP5190722B2 (ja) * | 2005-05-20 | 2013-04-24 | Ｎｌｔテクノロジー株式会社 | ブートストラップ回路並びにこれを用いたシフトレジスタ、走査回路及び表示装置 |
| JP2006344849A (ja) | 2005-06-10 | 2006-12-21 | Casio Comput Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
| US7402506B2 (en) | 2005-06-16 | 2008-07-22 | Eastman Kodak Company | Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby |
| US7691666B2 (en) | 2005-06-16 | 2010-04-06 | Eastman Kodak Company | Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby |
| US7507618B2 (en) | 2005-06-27 | 2009-03-24 | 3M Innovative Properties Company | Method for making electronic devices using metal oxide nanoparticles |
| KR100711890B1 (ko) | 2005-07-28 | 2007-04-25 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 발광표시장치 및 그의 제조방법 |
| JP2007059128A (ja) | 2005-08-23 | 2007-03-08 | Canon Inc | 有機ｅｌ表示装置およびその製造方法 |
| JP4280736B2 (ja) | 2005-09-06 | 2009-06-17 | キヤノン株式会社 | 半導体素子 |
| JP5116225B2 (ja) | 2005-09-06 | 2013-01-09 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体デバイスの製造方法 |
| JP4850457B2 (ja) | 2005-09-06 | 2012-01-11 | キヤノン株式会社 | 薄膜トランジスタ及び薄膜ダイオード |
| JP2007073705A (ja) | 2005-09-06 | 2007-03-22 | Canon Inc | 酸化物半導体チャネル薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
| JP5064747B2 (ja) | 2005-09-29 | 2012-10-31 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、電気泳動表示装置、表示モジュール、電子機器、及び半導体装置の作製方法 |
| JP5078246B2 (ja) * | 2005-09-29 | 2012-11-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、及び半導体装置の作製方法 |
| EP1998375A3 (en) | 2005-09-29 | 2012-01-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. | Semiconductor device having oxide semiconductor layer and manufacturing method |
| JP5037808B2 (ja) | 2005-10-20 | 2012-10-03 | キヤノン株式会社 | アモルファス酸化物を用いた電界効果型トランジスタ、及び該トランジスタを用いた表示装置 |
| KR101112652B1 (ko) | 2005-11-15 | 2012-02-16 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 액티브 매트릭스 디스플레이 장치 및 텔레비전 수신기 |
| KR101192777B1 (ko) | 2005-12-02 | 2012-10-18 | 엘지디스플레이 주식회사 | 쉬프트 레지스터 |
| TWI292281B (en) | 2005-12-29 | 2008-01-01 | Ind Tech Res Inst | Pixel structure of active organic light emitting diode and method of fabricating the same |
| US7867636B2 (en) | 2006-01-11 | 2011-01-11 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transparent conductive film and method for manufacturing the same |
| JP4977478B2 (ja) | 2006-01-21 | 2012-07-18 | 三星電子株式会社 | ＺｎＯフィルム及びこれを用いたＴＦＴの製造方法 |
| US7576394B2 (en) | 2006-02-02 | 2009-08-18 | Kochi Industrial Promotion Center | Thin film transistor including low resistance conductive thin films and manufacturing method thereof |
| TWI325132B (en) * | 2006-02-10 | 2010-05-21 | Au Optronics Corp | Shift register capable of self feedback |
| US7977169B2 (en) | 2006-02-15 | 2011-07-12 | Kochi Industrial Promotion Center | Semiconductor device including active layer made of zinc oxide with controlled orientations and manufacturing method thereof |
| JP5128102B2 (ja) * | 2006-02-23 | 2013-01-23 | 三菱電機株式会社 | シフトレジスタ回路およびそれを備える画像表示装置 |
| KR20070101595A (ko) | 2006-04-11 | 2007-10-17 | 삼성전자주식회사 | ＺｎＯ ＴＦＴ |
| US20070252928A1 (en) | 2006-04-28 | 2007-11-01 | Toppan Printing Co., Ltd. | Structure, transmission type liquid crystal display, reflection type display and manufacturing method thereof |
| JP5028033B2 (ja) | 2006-06-13 | 2012-09-19 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体膜のドライエッチング方法 |
| JP4609797B2 (ja) | 2006-08-09 | 2011-01-12 | Ｎｅｃ液晶テクノロジー株式会社 | 薄膜デバイス及びその製造方法 |
| JP4999400B2 (ja) | 2006-08-09 | 2012-08-15 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体膜のドライエッチング方法 |
| TWI347577B (en) * | 2006-09-01 | 2011-08-21 | Au Optronics Corp | Shift register with low stress |
| JP4332545B2 (ja) | 2006-09-15 | 2009-09-16 | キヤノン株式会社 | 電界効果型トランジスタ及びその製造方法 |
| JP5164357B2 (ja) | 2006-09-27 | 2013-03-21 | キヤノン株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
| JP4274219B2 (ja) | 2006-09-27 | 2009-06-03 | セイコーエプソン株式会社 | 電子デバイス、有機エレクトロルミネッセンス装置、有機薄膜半導体装置 |
| JP5468196B2 (ja) * | 2006-09-29 | 2014-04-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、表示装置及び液晶表示装置 |
| TWI834568B (zh) | 2006-09-29 | 2024-03-01 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置 |
| JP4932415B2 (ja) * | 2006-09-29 | 2012-05-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| JP4990034B2 (ja) * | 2006-10-03 | 2012-08-01 | 三菱電機株式会社 | シフトレジスタ回路およびそれを備える画像表示装置 |
| US7622371B2 (en) | 2006-10-10 | 2009-11-24 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Fused nanocrystal thin film semiconductor and method |
| TWI511116B (zh) * | 2006-10-17 | 2015-12-01 | Semiconductor Energy Lab | 脈衝輸出電路、移位暫存器及顯示裝置 |
| JP5525685B2 (ja) | 2006-10-17 | 2014-06-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置及び電子機器 |
| JP4968671B2 (ja) * | 2006-11-27 | 2012-07-04 | Ｎｌｔテクノロジー株式会社 | 半導体回路、走査回路、及びそれを用いた表示装置 |
| US7772021B2 (en) | 2006-11-29 | 2010-08-10 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Flat panel displays comprising a thin-film transistor having a semiconductive oxide in its channel and methods of fabricating the same for use in flat panel displays |
| JP2008140490A (ja) * | 2006-12-04 | 2008-06-19 | Seiko Epson Corp | シフトレジスタ、走査線駆動回路、電気光学装置及び電子機器 |
| JP2008140684A (ja) | 2006-12-04 | 2008-06-19 | Toppan Printing Co Ltd | カラーｅｌディスプレイおよびその製造方法 |
| TWI340947B (en) * | 2006-12-29 | 2011-04-21 | Chimei Innolux Corp | Shift register and liquid crystal display |
| KR101303578B1 (ko) | 2007-01-05 | 2013-09-09 | 삼성전자주식회사 | 박막 식각 방법 |
| US8207063B2 (en) | 2007-01-26 | 2012-06-26 | Eastman Kodak Company | Process for atomic layer deposition |
| KR100851215B1 (ko) | 2007-03-14 | 2008-08-07 | 삼성에스디아이 주식회사 | 박막 트랜지스터 및 이를 이용한 유기 전계 발광표시장치 |
| US7795613B2 (en) | 2007-04-17 | 2010-09-14 | Toppan Printing Co., Ltd. | Structure with transistor |
| KR101325053B1 (ko) | 2007-04-18 | 2013-11-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법 |
| KR20080094300A (ko) | 2007-04-19 | 2008-10-23 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법과 박막 트랜지스터를포함하는 평판 디스플레이 |
| KR101334181B1 (ko) | 2007-04-20 | 2013-11-28 | 삼성전자주식회사 | 선택적으로 결정화된 채널층을 갖는 박막 트랜지스터 및 그제조 방법 |
| CN101663762B (zh) | 2007-04-25 | 2011-09-21 | 佳能株式会社 | 氧氮化物半导体 |
| TWI373019B (en) * | 2007-05-09 | 2012-09-21 | Chunghwa Picture Tubes Ltd | Shift register and shift register apparatus therein |
| KR101345376B1 (ko) | 2007-05-29 | 2013-12-24 | 삼성전자주식회사 | ＺｎＯ 계 박막 트랜지스터 및 그 제조방법 |
| JP5241724B2 (ja) * | 2007-09-12 | 2013-07-17 | シャープ株式会社 | シフトレジスタ |
| JP5538890B2 (ja) * | 2007-09-12 | 2014-07-02 | シャープ株式会社 | シフトレジスタ |
| US8202365B2 (en) | 2007-12-17 | 2012-06-19 | Fujifilm Corporation | Process for producing oriented inorganic crystalline film, and semiconductor device using the oriented inorganic crystalline film |
| US8223112B2 (en) * | 2007-12-27 | 2012-07-17 | Sharp Kabushiki Kaisha | Shift register receiving all-on signal and display device |
| JP5527647B2 (ja) * | 2008-05-26 | 2014-06-18 | Ｎｌｔテクノロジー株式会社 | シフトレジスタ |
| TWI366194B (en) * | 2008-06-06 | 2012-06-11 | Au Optronics Corp | Shift register |
| JP4582216B2 (ja) * | 2008-07-12 | 2010-11-17 | ソニー株式会社 | 半導体デバイス、表示パネル及び電子機器 |
| JP2010044949A (ja) | 2008-08-12 | 2010-02-25 | Fuji Electric Systems Co Ltd | 燃料電池用電解質層の製造方法及び燃料電池の製造方法 |
| JP4623179B2 (ja) | 2008-09-18 | 2011-02-02 | ソニー株式会社 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
| JP5451280B2 (ja) | 2008-10-09 | 2014-03-26 | キヤノン株式会社 | ウルツ鉱型結晶成長用基板およびその製造方法ならびに半導体装置 |
| WO2010134486A1 (ja) * | 2009-05-20 | 2010-11-25 | シャープ株式会社 | シフトレジスタ |
| CN102804388B (zh) * | 2009-06-18 | 2016-08-03 | 夏普株式会社 | 半导体装置 |
| WO2011074379A1 (en) * | 2009-12-18 | 2011-06-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device and driving method thereof |
| WO2011108345A1 (en) * | 2010-03-02 | 2011-09-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Pulse signal output circuit and shift register |
| KR101807734B1 (ko) * | 2010-03-02 | 2017-12-11 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 펄스 신호 출력 회로 및 시프트 레지스터 |
| KR101840181B1 (ko) * | 2010-05-21 | 2018-03-19 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 펄스 출력 회로, 시프트 레지스터, 및 표시 장치 |
| JP5766012B2 (ja) * | 2010-05-21 | 2015-08-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置 |
-
2011
- 2011-02-03 CN CN201180011894.9A patent/CN102783025B/zh active Active
- 2011-02-03 CN CN201510558152.8A patent/CN105245218B/zh active Active
- 2011-02-03 DE DE112011100749.3T patent/DE112011100749B4/de active Active
- 2011-02-03 KR KR1020127025119A patent/KR101389120B1/ko active IP Right Grant
- 2011-02-03 WO PCT/JP2011/052795 patent/WO2011108343A1/en active Application Filing
- 2011-02-16 TW TW110121289A patent/TWI792345B/zh active
- 2011-02-16 TW TW109121185A patent/TWI731726B/zh active
- 2011-02-16 TW TW100105103A patent/TWI512739B/zh active
- 2011-02-16 TW TW106116724A patent/TW201810288A/zh unknown
- 2011-02-16 TW TW112101493A patent/TW202334974A/zh unknown
- 2011-02-16 TW TW107130292A patent/TWI699775B/zh active
- 2011-02-16 TW TW104131466A patent/TWI595496B/zh active
- 2011-02-22 US US13/031,717 patent/US8320516B2/en active Active
- 2011-02-28 JP JP2011041131A patent/JP5646368B2/ja active Active
-
2012
- 2012-07-23 JP JP2012162734A patent/JP5190549B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2012-10-25 US US13/660,470 patent/US8576978B2/en active Active
-
2013
- 2013-01-07 JP JP2013000551A patent/JP5216945B1/ja active Active
-
2014
- 2014-08-27 JP JP2014172145A patent/JP5697786B2/ja active Active
- 2014-09-04 JP JP2014179744A patent/JP5684424B2/ja active Active
- 2014-09-04 JP JP2014179743A patent/JP5684423B2/ja active Active
-
2015
- 2015-01-14 JP JP2015004635A patent/JP5863997B2/ja active Active
- 2015-12-22 JP JP2015249368A patent/JP2016096566A/ja not_active Withdrawn
-
2018
- 2018-01-31 JP JP2018014258A patent/JP6552654B2/ja active Active
-
2019
- 2019-07-02 JP JP2019123661A patent/JP2019205179A/ja not_active Withdrawn
-
2021
- 2021-05-14 JP JP2021082100A patent/JP2021145348A/ja not_active Withdrawn
-
2023
- 2023-07-24 JP JP2023120060A patent/JP7412626B2/ja active Active
- 2023-12-26 JP JP2023219403A patent/JP2024032715A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2023126680A5 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2022051730A5 (ja) | ||
| JP2023181469A5 (ja) | ||
| JP2022003602A5 (ja) | ||
| JP2023029617A5 (ja) | ||
| JP2023022087A5 (ja) | ||
| JP2020194966A5 (ja) | ||
| JP2022161925A5 (ja) | ||
| JP2017174492A5 (ja) | ||
| TWI474150B (zh) | 基準電壓電路及電子機器 | |
| JP2019216253A (ja) | 駆動回路 | |
| JP2018022185A5 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2015179838A5 (ja) | ||
| SG135930A1 (en) | Cmos inverters configured using multiple-gate transistors | |
| JP2011119672A5 (ja) | ||
| JP2011171702A5 (ja) | ||
| JP2011119674A5 (ja) | ||
| JP2011085918A5 (ja) | 表示装置 | |
| JP2010109357A5 (ja) | ||
| JP2011124560A5 (ja) | ||
| JP2011204347A5 (ja) | 半導体メモリ装置 | |
| CN107799521A (zh) | Cmos反相器及阵列基板 | |
| JPWO2021094878A5 (ja) | ||
| JPWO2020201865A5 (ja) | ||
| TW200707905A (en) | Semiconductor device, power supply device, and information processing device |