JP2021145348A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
Description
にアモルファスシリコン又は多結晶シリコンなどの半導体材料を用いて作製される。アモ
ルファスシリコンを用いたトランジスタは、電界効果移動度が低いもののガラス基板の大
面積化に対応することができる。一方、多結晶シリコンを用いたトランジスタは、電界効
果移動度が高いもののレーザアニールなどの結晶化工程が必要であり、ガラス基板の大面
積化には必ずしも適応しないといった特性を有している。
えば、半導体材料として酸化亜鉛又はIn−Ga−Zn−O系酸化物半導体を用いてトラ
ンジスタを作製し、画像表示装置のスイッチング素子として用いる技術が特許文献1及び
特許文献2で開示されている。
たトランジスタよりも高い電界効果移動度が得られている。また、酸化物半導体膜は、ス
パッタ法などによって300℃以下の温度での膜形成が可能であるため、酸化物半導体を
用いたトランジスタは、多結晶シリコンを用いたトランジスタよりも作製が容易である。
トロルミネセンスディスプレイ又は電子ペーパーなどの表示装置の画素部及び駆動回路を
構成するスイッチング素子に適用されることが期待されている。例えば、上記の酸化物半
導体を用いて作製されたトランジスタによって表示装置の画素部及び駆動回路を構成する
技術が非特許文献1で開示されている。
ンジスタである。そのため、酸化物半導体を用いて作製したトランジスタを用いて駆動回
路を構成する場合、当該駆動回路は、nチャネル型トランジスタのみによって構成される
ことになる。
フトレジスタが単極性のトランジスタによって構成される場合、動作が不安定になるなど
の問題が生じることがある。
路及びそれを含むシフトレジスタを提供することを課題の一とする。
することを課題の一とする。前記パルス信号出力回路の一形態は、一のトランジスタのソ
ース端子またはドレイン端子が他のトランジスタのゲート電極に接続され、前記他のトラ
ンジスタのソース端子またはドレイン端子が前記パルス信号出力回路の出力端子を形成し
、前記一のトランジスタのチャネル長を、前記他のトランジスタのチャネル長よりも大き
くする。これによって、前記他のトランジスタのゲート電位を変化させるリーク電流を抑
制して、前記パルス信号出力回路の誤作動を防止することができる。
入力信号生成回路と、を有し、第1のトランジスタの第1の端子と、第2のトランジスタ
の第1の端子とは第1の出力端子と電気的に接続され、第3のトランジスタの第1の端子
と、第4のトランジスタの第1の端子とは第2の出力端子と電気的に接続され、第1の入
力信号生成回路は、第5のトランジスタと、第6のトランジスタとを有し、第5のトラン
ジスタの第1の端子と、第6のトランジスタの第1の端子とは、電気的に接続され第1の
入力信号生成回路の出力端子として機能し、第2の入力信号生成回路は、第7乃至第9の
トランジスタを有し、第7のトランジスタの第2の端子と、第8のトランジスタの第2の
端子と、第9のトランジスタの第1の端子とは電気的に接続されて第2の入力信号生成回
路の出力端子として機能し、第1のトランジスタのゲート端子と、第3のトランジスタの
ゲート端子と、第1の入力信号生成回路の出力端子と、は電気的に接続され、第2のトラ
ンジスタのゲート端子と、第4のトランジスタのゲート端子と、第2の入力信号生成回路
の出力端子と、は電気的に接続され、第6のトランジスタのチャネル長は、第3のトラン
ジスタのチャネル長及び第4のトランジスタのチャネル長よりも大きく、第9のトランジ
スタのチャネル長は、第3のトランジスタのチャネル長及び第4のトランジスタのチャネ
ル長よりも大きいパルス信号出力回路である。
トランジスタの第2の端子には、第1のクロック信号が入力され、第2のトランジスタの
第2の端子と、第4のトランジスタの第2の端子と、第6のトランジスタの第2の端子と
、第9のトランジスタの第2の端子には、第1の電位が与えられ、第5のトランジスタの
第2の端子と、第7のトランジスタの第1の端子と、第8のトランジスタの第1の端子に
は、第1の電位より高い第2の電位が与えられ、第5のトランジスタのゲート端子と、第
9のトランジスタのゲート端子には第1のパルス信号が入力され、第6のトランジスタの
ゲート端子には第2の入力信号生成回路の出力信号が入力され、第7のトランジスタのゲ
ート端子には第3のパルス信号が入力され、第8のトランジスタのゲート端子には第2の
クロック信号が入力され、第1の出力端子または第2の出力端子から、第2のパルス信号
を出力するのが好ましい。
タの少なくとも一が、直列配置された少なくとも2つのゲートを有するマルチゲート型の
トランジスタであってもよい。
路と、第2の入力信号生成回路と、を有し、第1のトランジスタの第1の端子と、第2の
トランジスタの第1の端子とは第1の出力端子と電気的に接続され、第3のトランジスタ
の第1の端子と、第4のトランジスタの第1の端子とは第2の出力端子と電気的に接続さ
れ、第1の入力信号生成回路は、第5のトランジスタ乃至第7のトランジスタを有し、第
5のトランジスタの第1の端子と、第6のトランジスタの第1の端子と、第7のトランジ
スタの第1の端子と、は電気的に接続され、第7のトランジスタの第2の端子は、第1の
入力信号生成回路の出力端子として機能し、第2の入力信号生成回路は、第8乃至第11
のトランジスタを有し、第11のトランジスタの第2の端子と、第9のトランジスタの第
1の端子とは電気的に接続され、第9のトランジスタの第2の端子と、第8のトランジス
タの第2の端子と、第10のトランジスタの第1の端子とは電気的に接続されて第2の入
力信号生成回路の出力端子として機能し、第1のトランジスタのゲート端子と、第3のト
ランジスタのゲート端子と、第1の入力信号生成回路の出力端子と、は電気的に接続され
、第2のトランジスタのゲート端子と、第4のトランジスタのゲート端子と、第2の入力
信号生成回路の出力端子と、は電気的に接続され、第6のトランジスタのチャネル長は、
第3のトランジスタのチャネル長及び第4のトランジスタのチャネル長よりも大きく、第
10のトランジスタのチャネル長は、第3のトランジスタのチャネル長及び第4のトラン
ジスタのチャネル長よりも大きいパルス信号出力回路である。
トランジスタの第2の端子には、第1のクロック信号が入力され、第2のトランジスタの
第2の端子と、第4のトランジスタの第2の端子と、第6のトランジスタの第2の端子と
、第10のトランジスタの第2の端子には、第1の電位が与えられ、第5のトランジスタ
の第2の端子と、第7のトランジスタのゲート端子と、第8のトランジスタの第1の端子
と、第11のトランジスタの第1の端子には、第1の電位より高い第2の電位が与えられ
、第5のトランジスタのゲート端子と、第10のトランジスタのゲート端子には第1のパ
ルス信号が入力され、第6のトランジスタのゲート端子には第2の入力信号生成回路の出
力信号が入力され、第8のトランジスタのゲート端子には第3のパルス信号が入力され、
第9のトランジスタのゲート端子には第2のクロック信号が入力され、第11のトランジ
スタのゲート端子には第3のクロック信号が入力され、第1の出力端子または第2の出力
端子から、第2のパルス信号を出力するのが好ましい。
スタの少なくとも一が、直列配置された少なくとも2つのゲートを有するマルチゲート型
のトランジスタであってもよい。
ランジスタのゲート端子と、第4のトランジスタのゲート端子と、第2の入力信号生成回
路の出力端子と、が電気的に接続されたノードに電気的に接続した容量素子をさらに有し
ていてもよい。
ある。また、上記のパルス信号出力回路を複数用いて、シフトレジスタを構成することが
できる。
する発明はこれに限定されない。
または「直下」であることを限定するものではない。例えば、「ゲート絶縁層上のゲート
電極」という表現であれば、ゲート絶縁層とゲート電極との間に他の構成要素を含むもの
を除外しない。
に限定するものではない。例えば、「電極」は「配線」の一部として用いられることがあ
り、その逆もまた同様である。さらに、「電極」や「配線」という用語は、複数の「電極
」や「配線」が一体となって形成されている場合なども含む。
、回路動作において電流の方向が変化する場合などには入れ替わることがある。このため
、本明細書においては、「ソース」や「ドレイン」という用語は、入れ替えて用いること
ができるものとする。
」を介して接続されている場合が含まれる。ここで、「何らかの電気的作用を有するもの
」は、接続対象間での電気信号の授受を可能とするものであれば、特に制限を受けない。
などのスイッチング素子、抵抗素子、インダクタ、キャパシタ、その他の各種機能を有す
る素子などが含まれる。
することができる。
の説明に限定されず、本発明の趣旨およびその範囲から逸脱することなくその形態および
詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下
に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
際の位置、大きさ、範囲などを表していない場合がある。このため、開示する発明は、必
ずしも、図面等に開示された位置、大きさ、範囲などに限定されない。
同を避けるために付すものであり、数的に限定するものではないことを付記する。
本実施の形態では、パルス信号出力回路、およびパルス信号出力回路を含むシフトレジス
タの構成例およびその動作に関して図1乃至図4を参照して説明する。
〈回路構成〉
構成例について図1を参照して説明する。
ス信号出力回路10_n(n≧2)と、クロック信号を伝達する第1の信号線11〜第4
の信号線14を有する(図1(A)参照)。第1の信号線11には第1のクロック信号(
CLK1)が与えられ、第2の信号線12には第2のクロック信号(CLK2)が与えら
れ、第3の信号線13には第3のクロック信号(CLK3)が与えられ、第4の信号線1
4に第4のクロック信号(CLK4)が与えられる。
る。ここでは、第1のクロック信号(CLK1)〜第4のクロック信号(CLK4)は、
1/4周期ずつ遅延した信号とする。本実施の形態では、上記クロック信号を利用して、
パルス信号出力回路の制御等を行う。
第1の入力端子21、第2の入力端子22、第3の入力端子23、第4の入力端子24、
第5の入力端子25、第1の出力端子26、第2の出力端子27を有する(図1(B)参
照)。
〜第4の信号線14のいずれかと電気的に接続される。例えば、第1のパルス信号出力回
路10_1は、第1の入力端子21が第1の信号線11と電気的に接続され、第2の入力
端子22が第2の信号線12と電気的に接続され、第3の入力端子23が第3の信号線1
3と電気的に接続されている。また、第2のパルス信号出力回路10_2は、第1の入力
端子21が第2の信号線12と電気的に接続され、第2の入力端子22が第3の信号線1
3と電気的に接続され、第3の入力端子23が第4の信号線14と電気的に接続されてい
る。なお、ここでは、第nのパルス信号出力回路10_nと接続される信号線が、第2の
信号線12、第3の信号線13、第4の信号線14である場合を示しているが、接続され
る信号線は、nの値によって異なるものになる。このため、ここで示す構成はあくまでも
一例に過ぎないことを付記する。
て、第4の入力端子24は第(m−1)のパルス信号出力回路の第1の出力端子26と電
気的に接続され、第5の入力端子25は第(m+2)のパルス信号出力回路の第1の出力
端子26と電気的に接続され、第1の出力端子26は第(m+1)のパルス信号出力回路
の第4の入力端子24と電気的に接続され、第2の出力端子27はOUT(m)に信号を
出力する。
号出力回路10_2の第1の出力端子26と電気的に接続され、第5の入力端子25は第
5のパルス信号出力回路10_5の第1の出力端子26と電気的に接続され、第1の出力
端子26は第4のパルス信号出力回路10_4の第4の入力端子24及び第1のパルス信
号出力回路10_1の第5の入力端子25と電気的に接続されている。
らの第1のスタートパルス(SP1)が入力される。また、第kのパルス信号出力回路1
0_k(kは2以上n以下の自然数)では、第4の入力端子24に前段の出力パルスが入
力される。また、第(nー1)のパルス信号出力回路10_(nー1)では、第5の入力
端子25に第2のスタートパルス(SP2)が入力される。また、第nのパルス信号出力
回路10_nでは、第5の入力端子25に第3のスタートパルス(SP3)が入力される
。なお、第2のスタートパルス(SP2)及び第3のスタートパルス(SP3)は、外部
より入力される信号としてもよいし、回路内部で生成される信号としてもよい。
な構成に関して説明する。
のトランジスタ101〜第4のトランジスタ104で構成されるパルス信号生成回路と、
第5のトランジスタ105〜第7のトランジスタ107で構成される第1の入力信号生成
回路と、第8のトランジスタ108〜第11のトランジスタ111で構成される第2の入
力信号生成回路と、を含む(図1(C)参照)。また、上述した第1の入力端子21〜第
5の入力端子25に加え、第1の電源線31および第2の電源線32から、第1のトラン
ジスタ101〜第11のトランジスタ111に信号が供給される。
と、第2のトランジスタ102の第1の端子とは、第1の出力端子26と電気的に接続さ
れる。同様に、第3のトランジスタ103の第1の端子と、第4のトランジスタ104の
第1の端子とは、第2の出力端子27と電気的に接続される。そして、第1のトランジス
タ101のゲート端子と、第3のトランジスタ103のゲート端子と、第1の入力信号生
成回路の出力端子と、は電気的に接続される。また、第2のトランジスタ102のゲート
端子と、第4のトランジスタ104のゲート端子と、第2の入力信号生成回路の出力端子
と、は電気的に接続される。
には、第1のクロック信号が入力される。また、第1のトランジスタ101の第2の端子
は、パルス信号出力回路の第1の入力端子21としても機能する。第2のトランジスタ1
02の第2の端子には、第1の電源線31を介して第1の電位(例えば、低電位VSS)
が与えられる。第3のトランジスタ103の第2の端子には第1のクロック信号が入力さ
れ、パルス信号出力回路の第1の入力端子21としても機能する。第4のトランジスタ1
04の第2の端子には、第1の電源線31を介して第1の電位が与えられる。
第7のトランジスタ107の第1の端子と、は電気的に接続される。また、第7のトラン
ジスタ107の第2の端子は、第1の入力信号生成回路の出力端子として機能する。
えられ、第6のトランジスタ106の第2の端子には、第1の電源線31を介して第1の
電位が与えられ、第5のトランジスタ105のゲート端子には、前段からのパルス信号(
第1のパルス信号出力回路ではスタートパルス信号を含む)が入力される。また、第5の
トランジスタ105のゲート端子は、第1の入力信号生成回路の第1の入力端子として機
能すると共に、パルス信号出力回路の第4の入力端子24としても機能する。第6のトラ
ンジスタ106のゲート端子には、第2の入力信号生成回路の出力信号が入力される。ま
た、第6のトランジスタ106のゲート端子は、第1の入力信号生成回路の第2の入力端
子として機能する。第7のトランジスタ107のゲート端子には第2の電源線32を介し
て第2の電位が与えられる。
タ107を設けない構成としても良い。第7のトランジスタ107を設ける場合には、ブ
ートストラップ動作に起因して生じうる第5のトランジスタ105の第1の端子の電位上
昇を抑制できる。つまり、第5のトランジスタ105のゲートとソースの間(またはゲー
トとドレインの間)に大きなバイアス電圧が加わることを防止できるため、第5のトラン
ジスタ105の劣化を抑制することができる。
は電気的に接続される。また、第9のトランジスタの第2の端子と、第8のトランジスタ
の第2の端子と、第10のトランジスタの第1の端子とは電気的に接続されて第2の入力
信号生成回路の出力端子として機能する。
は、第2の電源線32を介して第2の電位が与えられる。第10のトランジスタ110の
第2の端子には、第1の電源線31を介して第1の電位が与えられる。第8のトランジス
タ108のゲート端子には2段後ろからのパルス信号が入力される。また、第8のトラン
ジスタ108のゲート端子は、第2の入力信号生成回路の第1の入力端子として機能する
と共に、パルス信号出力回路の第5の入力端子25としても機能する。第9のトランジス
タ109のゲート端子には第2のクロック信号が入力される。また、第9のトランジスタ
109のゲート端子は、第2の入力信号生成回路の第2の入力端子として機能すると共に
、パルス信号出力回路の第2の入力端子22としても機能する。第10のトランジスタ1
10のゲート端子には前段からのパルス信号(第1のパルス信号出力回路ではスタートパ
ルス信号)が入力される。また、第10のトランジスタ110のゲート端子は、第2の入
力信号生成回路の第3の入力端子として機能すると共に、パルス信号出力回路の第4の入
力端子24としても機能する。第11のトランジスタ111のゲート端子には第3のクロ
ック信号が入力される。また、第11のトランジスタ111のゲート端子は、第2の入力
信号生成回路の第4の入力端子として機能すると共に、パルス信号出力回路の第3の入力
端子23としても機能する。
ャネル長は、第3のトランジスタ103のチャネル長及び第4のトランジスタ104のチ
ャネル長よりも大きい。また、第10のトランジスタ110のチャネル長は、第3のトラ
ンジスタ103のチャネル長及び第4のトランジスタ104のチャネル長よりも大きい。
これによって、第6のトランジスタ106及び第10のトランジスタ110のしきい値電
圧のシフト量を低減し、劣化を抑制することができる。
回路、および、第2の入力信号生成回路の構成例など)は一例にすぎず、開示する発明が
これに限定されるものではない。
ランジスタ101のゲート端子と、第3のトランジスタ103のゲート端子と、第1の入
力信号生成回路の出力端子と、の接続により構成されるノードを、ノードAとする。また
、第2のトランジスタ102のゲート端子と、第4のトランジスタ104のゲート端子と
、第2の入力信号生成回路の出力端子と、の接続により構成されるノードを、ノードBと
する。
の容量素子を設けても良い。また、上記ノードBの電位を保持するために、ノードBに電
気的に接続された容量素子を設けてもよい。
いるのが好適である。酸化物半導体を用いることにより、トランジスタのオフ電流を低減
することができる。また、非晶質シリコンなどと比較して、オン電流および電界効果移動
度を高めることが出来る。また、トランジスタの劣化を抑制することができる。これによ
り、消費電力が小さく、高速動作が可能で、動作の正確性が高められた電子回路が実現す
る。なお、酸化物半導体を用いたトランジスタについては後の実施の形態において詳述す
るから、ここでは省略する。
次に、図1に示すシフトレジスタの動作について図2乃至図4を参照して説明する。具体
的には、図2に示すタイミングチャート中の、第1の期間51〜第6の期間56の各期間
における動作を、図3および図4を用いて説明する。タイミングチャート中、CLK1〜
CLK4はそれぞれクロック信号を示し、SP1は第1のスタートパルスを示し、OUT
1〜OUT4は、第1のパルス信号出力回路10_1〜第4のパルス信号出力回路10_
4の第2の出力端子からの出力を示し、ノードAおよびノードBはそれぞれノードAおよ
びノードBの電位を示し、SROUT1〜SROUT4は、第1のパルス信号出力回路1
0_1〜第4のパルス信号出力回路10_4の第1の出力端子からの出力を示す。
、全てnチャネル型のトランジスタであるものとする。また、図3および図4において、
トランジスタが実線で表現されている場合には、当該トランジスタが導通状態(オン状態
)にあることを表し、破線で表現されている場合には、当該トランジスタが非導通状態(
オフ状態)にあることを表すものとする。
号出力回路10_1の構成は、上述の通りである。また、入力される各信号、供給される
各電位の関係も上述の通りである。なお、以下の説明では、各入力端子および各電源線に
与えられる高電位(Hレベル、H信号などとも呼ぶ)は全てVDDとし、低電位(Lレベ
ル、L信号などとも呼ぶ)は全てVSSとする。
_1の第4の入力端子24として機能する第5のトランジスタ105のゲート端子と第1
0のトランジスタ110のゲート端子に高電位が与えられ、第5のトランジスタ105と
第10のトランジスタ110は導通状態になる。第1の期間51においてはCLK3もH
レベルであるため、第11のトランジスタ111もオン状態となる。また、第7のトラン
ジスタ107のゲート端子には高電位が与えられているため、第7のトランジスタ107
もオン状態となる(図3(A)参照)。
ードAの電位は上昇する。また、第10のトランジスタ110がオン状態となることによ
り、ノードBの電位は下降する。第5のトランジスタ105の第2の端子の電位はVDD
であるため、第5のトランジスタ105の第1の端子の電位は、第2の端子の電位から第
5のトランジスタ105のしきい値電圧分低下した値(VDD−Vth105)となる。
そして、第7のトランジスタ107のゲート端子の電位がVDDであるため、第7のトラ
ンジスタ107のしきい値電圧Vth107がVth105以上の場合には、ノードAの
電位は(VDD−Vth107)となって第7のトランジスタ107がオフ状態となる。
一方、Vth107がVth105未満の場合には、第7のトランジスタ107はオン状
態を保ったまま、ノードAの電位は(VDD−Vth105)まで上昇する。以下、第1
の期間51におけるノードAの電位の到達点をVAHとする。ここで、Vth105およ
びVth107は、それぞれ、第5のトランジスタ105および第7のトランジスタ10
7のしきい値電圧である。以下、他のトランジスタについても同様とする。ノードAの電
位がVAHにまで達すると、第5のトランジスタ105および第7のトランジスタ107
がオフ状態となり、ノードAは、VAHを維持したまま浮遊状態となる。
103がオン状態となる。ここで、CLK1はLレベルであるため、第1の出力端子26
及び第2の出力端子27からはLレベルが出力される。
1のトランジスタ101及び第3のトランジスタ103はオン状態であるため、第1の出
力端子26の電位及び第2の出力端子27の電位が上昇する。さらに、第1のトランジス
タ101のゲート端子とソース端子(またはドレイン端子)との間には容量が存在し、こ
れによってゲート端子とソース端子(またはドレイン端子)とが容量結合されている。同
様に、第3のトランジスタ103のゲート端子とソース端子(またはドレイン端子)との
間には容量が存在し、これによってゲート端子とソース端子(またはドレイン端子)とが
容量結合されている。したがって、第1の出力端子26の電位及び第2の出力端子27の
電位の上昇と共に、浮遊状態であるノードAの電位が上昇することになる(ブートストラ
ップ動作)。ノードAの電位は最終的にVDD+Vth101より高くなり、第1の出力
端子26の電位および第2の出力端子27の電位はVDD(Hレベル)となる(図2およ
び図3(B)参照)。
ノードBもLレベルに維持されている。このため、第1の出力端子26がLレベルからH
レベルに変化する際の、容量結合に起因するノードBの電位変動を抑制し、これによる不
具合の発生を防止できる。
0のトランジスタ110がオフ状態となる。また、CLK1がHレベルに維持され、ノー
ドAの電位も変化しないため、第1の出力端子26および第2の出力端子27からはVD
D(Hレベル)が出力される(図3(C)参照)。なお、第3の期間53ではノードBが
浮遊状態となるが、第1の出力端子26の電位も変化しないため、容量結合による不具合
は無視できる程度である。
電位が短時間で上昇する。また、CLK1がLレベルとなる。その結果、第2のトランジ
スタ102および第4のトランジスタ104がオン状態となり、第1の出力端子26およ
び第2の出力端子27の電位が短時間で下降する(図4(A)参照)。
持することにより、ノードBの電位が保持される。このため、第2のトランジスタ102
、第4のトランジスタ104および第6のトランジスタ106のオン状態が保持されて、
第1の出力端子26および第2の出力端子27の電位がLレベルに保持される(図4(B
)参照)。
り、第8のトランジスタ108がオフ状態となる。このとき、ノードBは、上述の電位を
保持したまま浮遊状態となる。これにより、第2のトランジスタ102、第4のトランジ
スタ104および第6のトランジスタ106のオン状態が継続する(図4(C)参照)。
にオフ電流が小さいトランジスタ(例えば、酸化物半導体を用いたトランジスタ)を適用
する場合には、このような問題は生じないため、ノードBの電位の下降を抑制することが
できる。
たトランジスタのように、ドーピングによるしきい値制御を適用することができないため
、ゲートにバイアスをかけない状態(ゲートとソースが同電位の状態)でも、ソースとド
レインの間に電流が流れる場合がある。しかしながら、本実施の形態で示すパルス信号出
力回路では、第10のトランジスタ110のチャネル長を、第3のトランジスタ103と
第4のトランジスタ104のチャネル長よりも大きくすることで、ノードBからの電流の
リークを抑制することができるため、ノードBの電位を安定して保持することが可能とな
る。さらに、第6のトランジスタ106のチャネル長を、第3のトランジスタ103と第
4のトランジスタ104のチャネル長よりも大きくすることで、ノードAからの電流のリ
ークを抑制することができるため、ノードAにおけるブートストラップ動作を安定化させ
ることができる。すなわち本実施の形態の構成を適用することで、ノードAの電位及びノ
ードBの電位を長期間にわたって保持することができるため、例えば周波数の低い回路に
適用した場合にも誤作動を防止することができる。
極をノードBに電気的に接続した容量素子120を別途設けてもよい。容量素子120の
他方の電極は、例えば第1の電源線31に電気的に接続して設ければよい。
110を、直列配置された少なくとも2つのゲートを有するマルチゲート型のトランジス
タ構造として、ノードBの電位の下降をより緩和することもできる。なお、図5(B)で
は、第6のトランジスタ106及び第10のトランジスタ110の双方をマルチゲート型
のトランジスタとする例を示すが、第6のトランジスタ106または第10のトランジス
タ110の一方をマルチゲート型のトランジスタとしても良い。もちろん、図5(A)に
示した構成と図5(B)に示す構成を組み合わせて用いても良い。
スタの冗長化を図ることができるため、パルス信号出力回路の歩留まりを向上させること
ができる。
9のトランジスタ109と第11のトランジスタ111がオン状態となり、定期的にノー
ドBに電位が与えられる。このため、オフ電流の比較的大きなトランジスタを用いる場合
であっても、パルス信号出力回路の誤動作を防止できる。
されるパルスと第(m+1)のパルス信号出力回路から出力されるパルスが半分重なる駆
動方法を採用している。このため、当該駆動方法を採用しない場合と比較して、配線の充
電に使用できる時間を長くすることができる。つまり、当該駆動方法によって、大きな負
荷に耐え、高い周波数で動作するパルス信号出力回路が提供される。
本実施の形態では、先の実施の形態において示したパルス信号出力回路、およびシフトレ
ジスタとは異なる態様の構成例およびその動作に関して図6乃至図9を参照して説明する
。
〈回路構成〉
構成例について図6を参照して説明する。
スタの構成に近似している。相違点の一は、第1のパルス信号出力回路10_1〜第nの
パルス信号出力回路10_nは、第3の入力端子23を有しない点である(図6(A)乃
至図6(C)参照)。つまり、一のパルス信号出力回路には、二種類のクロック信号が入
力される。その他の構成については先の実施の形態と同様である。
端子23を有しないため、これと接続される第11のトランジスタを有しない(図6(C
)参照)。そして、これに伴い、第2の入力信号生成回路内の接続関係が一部変更されて
いる。
第10のトランジスタ110の第1の端子とは電気的に接続されて第2の入力信号生成回
路の出力端子として機能する。
、第2の電源線32を介して第2の電位が与えられる。第10のトランジスタ110の第
2の端子には、第1の電源線31を介して第1の電位が与えられる。第8のトランジスタ
108のゲート端子にはパルス信号が入力される。また、第8のトランジスタ108のゲ
ート端子は、第2の入力信号生成回路の第1の入力端子として機能すると共に、パルス信
号出力回路の第5の入力端子25としても機能する。第9のトランジスタ109のゲート
端子には第2のクロック信号が入力される。また、第9のトランジスタ109のゲート端
子は、第2の入力信号生成回路の第2の入力端子として機能すると共に、パルス信号出力
回路の第2の入力端子22としても機能する。第10のトランジスタ110のゲート端子
にはパルス信号が入力される。また、第10のトランジスタ110のゲート端子は、第2
の入力信号生成回路の第3の入力端子として機能すると共に、パルス信号出力回路の第4
の入力端子24としても機能する。
ャネル長は、第3のトランジスタ103のチャネル長及び第4のトランジスタ104のチ
ャネル長よりも大きい。また、第10のトランジスタ110のチャネル長は、第3のトラ
ンジスタ103のチャネル長及び第4のトランジスタ104のチャネル長よりも大きい。
これによって、第6のトランジスタ106及び第10のトランジスタ110のしきい値電
圧のシフト量を低減し、劣化を抑制することができる。
力回路において第1のトランジスタ101のゲート端子と、第3のトランジスタ103の
ゲート端子と、第1の入力信号生成回路の出力端子と、の接続により構成されるノードを
、ノードAとする。また、第2のトランジスタ102のゲート端子と、第4のトランジス
タ104のゲート端子と、第2の入力信号生成回路の出力端子と、の接続により構成され
るノードを、ノードBとする。
の容量素子を設けても良い。また、上記ノードBの電位を保持するために、ノードBに電
気的に接続された容量素子を設けてもよい。
いるのが好適である。酸化物半導体を用いることにより、トランジスタのオフ電流を低減
することができる。また、非晶質シリコンなどと比較して、オン電流および電界効果移動
度を高めることが出来る。また、トランジスタの劣化を抑制することができる。これによ
り、消費電力が小さく、高速動作が可能で、動作の正確性が高められた電子回路が実現す
る。なお、酸化物半導体を用いたトランジスタについては後の実施の形態において詳述す
るから、ここでは省略する。
次に、図6に示すシフトレジスタの動作について図7乃至図9を参照して説明する。具体
的には、図7に示すタイミングチャート中の、第1の期間51〜第5の期間55の各期間
における動作を、図8および図9を用いて説明する。タイミングチャート中、CLK1〜
CLK4はそれぞれクロック信号を示し、SP1は第1のスタートパルスを示し、OUT
1〜OUT4は、第1のパルス信号出力回路10_1〜第4のパルス信号出力回路10_
4の第2の出力端子からの出力を示し、ノードAおよびノードBはそれぞれノードAおよ
びノードBの電位を示し、SROUT1〜SROUT4は、第1のパルス信号出力回路1
0_1〜第4のパルス信号出力回路10_4の第1の出力端子からの出力を示す。
、全てnチャネル型のトランジスタであるものとする。また、図8および図9において、
トランジスタが実線で表現されている場合には、当該トランジスタが導通状態(オン状態
)にあることを表し、破線で表現されている場合には、当該トランジスタが非導通状態(
オフ状態)にあることを表すものとする。
力回路10_1の構成は、上述の通りである。また、入力される各信号、供給される各電
位の関係も上述の通りである。なお、以下の説明では、各入力端子および各電源線に与え
られる高電位(Hレベル、H信号などとも呼ぶ)は全てVDDとし、低電位(Lレベル、
L信号などとも呼ぶ)は全てVSSとする。
の第4の入力端子24として機能する第5のトランジスタ105のゲート端子と第10の
トランジスタ110のゲート端子に高電位が与えられ、第5のトランジスタ105と第1
0のトランジスタ110は導通状態になる。また、第7のトランジスタ107のゲート端
子には高電位が与えられているため、第7のトランジスタ107もオン状態となる(図8
(A)参照)。
ードAの電位は上昇する。また、第10のトランジスタ110がオン状態となることによ
り、ノードBの電位は下降する。第5のトランジスタ105の第2の端子の電位はVDD
であるため、第5のトランジスタ105の第1の端子の電位は、第2の端子の電位から第
5のトランジスタ105のしきい値電圧分低下した値(VDD−Vth105)となる。
そして、第7のトランジスタ107のゲート端子の電位がVDDであるため、第7のトラ
ンジスタ107のしきい値電圧Vth107がVth105以上の場合には、ノードAの
電位は(VDD−Vth107)となって第7のトランジスタ107がオフ状態となる。
一方、Vth107がVth105未満の場合には、第7のトランジスタ107はオン状
態を保ったまま、ノードAの電位は(VDD−Vth105)まで上昇する。以下、第1
の期間51におけるノードAの電位の到達点をVAHとする。ノードAの電位がVAHに
まで達すると、第5のトランジスタ105および第7のトランジスタ107がオフ状態と
なり、ノードAは、VAHを維持したまま浮遊状態となる。
103がオン状態となる。ここで、CLK1はLレベルであるため、第1の出力端子26
及び第2の出力端子27からはLレベルが出力される。
1のトランジスタ101及び第3のトランジスタ103はオン状態であるため、第1の出
力端子26の電位及び第2の出力端子27の電位が上昇する。さらに、第1のトランジス
タ101のゲート端子とソース端子(またはドレイン端子)との間には容量が存在し、こ
れによってゲート端子とソース端子(またはドレイン端子)とが容量結合されている。同
様に、第3のトランジスタ103のゲート端子とソース端子(またはドレイン端子)との
間には容量が存在し、これによってゲート端子とソース端子(またはドレイン端子)とが
容量結合されている。したがって、第1の出力端子26の電位及び第2の出力端子27の
電位の上昇と共に、浮遊状態であるノードAの電位が上昇することになる(ブートストラ
ップ動作)。ノードAの電位は最終的にVDD+Vth101より高くなり、第1の出力
端子26の電位および第2の出力端子27の電位はVDD(Hレベル)となる(図7およ
び図8(B)参照)。
ン状態となる。これにより、ノードBの電位が上昇する。ノードBの電位の上昇により、
第2のトランジスタ102、第4のトランジスタ104、および第6のトランジスタ10
6がオン状態となり、ノードAの電位が下降する。このため、第1の出力端子26の電位
および第2の出力端子27の電位はLレベルとなる(図8(C)参照)。
フ状態となるが、第5の入力端子25(つまりSROUT3)がHレベルとなるため、第
8のトランジスタ108がオン状態となる。このため、ノードAの電位とノードBの電位
は保持されて、第1の出力端子26の電位および第2の出力端子27の電位はLレベルに
保持される(図9(A)参照)。
り、ノードBの電位が保持される。このため、第2のトランジスタ102、第4のトラン
ジスタ104および第6のトランジスタ106のオン状態が保持されて、第1の出力端子
26および第2の出力端子27の電位がLレベルに保持される(図9(B)参照)。
にオフ電流が小さいトランジスタ(例えば、酸化物半導体を用いたトランジスタ)を適用
する場合には、このような問題は生じない。
たトランジスタのように、ドーピングによるしきい値制御を適用することができないため
、ゲートにバイアスをかけない状態(ゲートとソースが同電位の状態)でも、ソースとド
レインの間に電流が流れる場合がある。しかしながら、本実施の形態で示すパルス信号出
力回路では、第10のトランジスタ110のチャネル長を、第3のトランジスタ103と
第4のトランジスタ104のチャネル長よりも大きくすることで、ノードBからの電流の
リークを抑制することができるため、ノードBの電位を安定して保持することが可能とな
る。さらに、第6のトランジスタ106のチャネル長を、第3のトランジスタ103と第
4のトランジスタ104のチャネル長よりも大きくすることで、ノードAからの電流のリ
ークを抑制することができるため、ノードAにおけるブートストラップ動作を安定化させ
ることができる。すなわち本実施の形態の構成を適用することで、ノードAの電位及びノ
ードBの電位を長期間にわたって保持することができるため、例えば周波数の低い回路に
適用した場合にも誤作動を防止することができる。
電極をノードBに電気的に接続した容量素子120を別途設けてもよい。容量素子120
の他方の電極は、例えば第1の電源線31に電気的に接続して設ければよい。
タ110を、直列配置された少なくとも2つのゲートを有するマルチゲート型のトランジ
スタ構造として、ノードBの電位の下降をより緩和することもできる。なお、図10(B
)では、第6のトランジスタ106及び第10のトランジスタ110の双方をマルチゲー
ト型のトランジスタとする例を示すが、第6のトランジスタ106または第10のトラン
ジスタ110の一方をマルチゲート型のトランジスタとしても良い。もちろん、図10(
A)に示した構成と図10(B)に示す構成を組み合わせて用いても良い。
ジスタの冗長化を図ることができるため、パルス信号出力回路の歩留まりを向上させるこ
とができる。
109がオン状態となり、定期的にノードBに電位が与えられる。このため、オフ電流の
比較的大きなトランジスタを用いる場合であっても、パルス信号出力回路の誤動作を防止
できる。
宜組み合わせて用いることができる。
本実施の形態では、上記実施の形態で述べたパルス信号出力回路やシフトレジスタに適用
できるトランジスタの例につき、図11を参照して説明する。なお、トランジスタの構造
は特に限定されず、例えば、トップゲート構造またはボトムゲート構造、スタガ型または
プレーナ型など、適当な構造を採用することができる。また、トランジスタはチャネル形
成領域を一つ有するシングルゲート構造でも、二つ以上有するマルチゲート構造であって
も良い。また、チャネル領域の上下にゲート絶縁層を介して配置された2つのゲート電極
層を有する構造でもよい。
乃至図11(D)に示すトランジスタは、半導体として酸化物半導体を用いるものである
。酸化物半導体を用いることのメリットは、簡単なプロセス、低温のプロセスで、高い移
動度と低いオフ電流が実現できることといえる。
り、逆スタガ型トランジスタともいう。
絶縁層402、酸化物半導体層403、ソース電極層405a、及びドレイン電極層40
5bを含む。また、酸化物半導体層403に接する絶縁層407が設けられている。絶縁
層407上にはさらに保護絶縁層409が形成されている。
う)と呼ばれるボトムゲート構造のトランジスタの一例であり、逆スタガ型トランジスタ
ともいう。
絶縁層402、酸化物半導体層403、チャネル保護層として機能する絶縁層427、ソ
ース電極層405a、及びドレイン電極層405bを含む。また、保護絶縁層409が設
けられている。
。トランジスタ430は、絶縁表面を有する基板400上の、ゲート電極層401、ゲー
ト絶縁層402、ソース電極層405a、ドレイン電極層405b、及び酸化物半導体層
403を含む。また、酸化物半導体層403に接する絶縁層407が設けられている。絶
縁層407上にはさらに保護絶縁層409が形成されている。
1上に接して設けられ、また、ゲート絶縁層402上には、ソース電極層405a、ドレ
イン電極層405bが接して設けられている。そして、ゲート絶縁層402、及びソース
電極層405a、ドレイン電極層405b上に酸化物半導体層403が設けられている。
る。トランジスタ440は、絶縁表面を有する基板400上の、絶縁層437、酸化物半
導体層403、ソース電極層405a、ドレイン電極層405b、ゲート絶縁層402、
及びゲート電極層401を含む。そして、ソース電極層405a、ドレイン電極層405
bにそれぞれ配線層436a、配線層436bが接して設けられている。
物半導体層403に用いる酸化物半導体としては、四元系金属酸化物であるIn−Sn−
Ga−Zn−O系や、三元系金属酸化物であるIn−Ga−Zn−O系、In−Sn−Z
n−O系、In−Al−Zn−O系、Sn−Ga−Zn−O系、Al−Ga−Zn−O系
、Sn−Al−Zn−O系や、二元系金属酸化物であるIn−Zn−O系、Sn−Zn−
O系、Al−Zn−O系、Zn−Mg−O系、Sn−Mg−O系、In−Mg−O系や、
In−O系、Sn−O系、Zn−O系などがある。また、上記酸化物半導体にSiO2を
添加してもよい。ここで、例えば、In−Ga−Zn−O系酸化物半導体とは、少なくと
もInとGaとZnを含む酸化物であり、その組成比に特に制限はない。また、InとG
aとZn以外の元素を含んでもよい。
る酸化物半導体を用いることができる。ここで、Mは、Ga、Al、MnおよびCoから
選ばれた一または複数の金属元素を示す。例えば、Mとしては、Ga、Ga及びAl、G
a及びMn、またはGa及びCoなどがある。
430、トランジスタ440は、オフ電流を極めて小さくすることが可能である。よって
、これをパルス信号出力回路やシフトレジスタに用いることで、各ノードの電位保持が容
易になり、パルス信号出力回路やシフトレジスタの誤動作の確率を極めて低く抑えること
ができる。
液晶表示装置などに用いられるガラス基板や、石英基板などを用いることができる。また
、シリコンウェハ上に絶縁層を形成した基板などを用いても良い。
いて、下地となる絶縁層を基板とゲート電極層の間に設けてもよい。当該絶縁層は、基板
からの不純物元素の拡散を防止する機能があり、窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、窒化
酸化シリコン膜、又は酸化窒化シリコン膜から選ばれた一又は複数の膜により形成するこ
とができる。
ニウム、銅、ネオジム、スカンジウム等の金属材料またはこれらを主成分とする合金材料
を用いて形成することができる。また、その構造は、単層構造としても良いし、積層構造
としても良い。
窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、窒化
アルミニウム膜、酸化窒化アルミニウム膜、窒化酸化アルミニウム膜、酸化ハフニウム膜
などから選ばれた一又は複数の膜により形成することができる。例えば、第1のゲート絶
縁層としてプラズマCVD法により膜厚50nm以上200nm以下の窒化シリコン膜(
SiNy(y>0))を形成し、第1のゲート絶縁層上に第2のゲート絶縁層としてスパ
ッタ法により膜厚5nm以上300nm以下の酸化シリコン膜(SiOx(x>0))を
形成して、合計膜厚300nm程度のゲート絶縁層とすることができる。
タル、タングステン、アルミニウム、銅、ネオジム、スカンジウム等の金属材料またはこ
れらを主成分とする合金材料を用いて形成することができる。例えば、アルミニウムや銅
などの金属層と、チタン、モリブデン、タングステンなどの高融点金属層との積層構造と
することができる。ヒロックやウィスカーの発生を防止する元素(シリコン、ネオジム、
スカンジウムなど)が添加されたアルミニウム材料を用いることで耐熱性を向上させても
良い。
層を含む)となる導電膜として、導電性の金属酸化物膜を用いても良い。導電性の金属酸
化物としては酸化インジウム(In2O3)、酸化スズ(SnO2)、酸化亜鉛(ZnO
)、酸化インジウム酸化スズ合金(In2O3―SnO2、ITOと略記する場合がある
)、酸化インジウム酸化亜鉛合金(In2O3―ZnO)またはこれらの金属酸化物材料
に酸化シリコンを含ませたもの、などを用いることができる。
bについては、ソース電極層405a、ドレイン電極層405bと同様の材料を用いて形
成することができる。
窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、または酸化窒化アルミニウム膜などの無機絶縁膜
を用いることができる。
、窒化酸化アルミニウム膜などの無機絶縁膜を用いることができる。
縁膜を形成してもよい。平坦化絶縁膜としては、ポリイミド、アクリル、ベンゾシクロブ
テン等の有機材料を用いることができる。また、上記有機材料の他に、低誘電率材料(l
ow−k材料)等を用いることができる。なお、これらの材料で形成される絶縁膜を複数
積層させることで、平坦化絶縁膜を形成してもよい。
宜組み合わせて用いることができる。
本実施の形態では、酸化物半導体層を含むトランジスタ、およびその作製方法の一例を、
図12を用いて詳細に説明する。
、ここで示すトランジスタ510は、図11(A)に示すトランジスタ410と同様の逆
スタガ型トランジスタである。
から除去し、酸化物半導体の主成分以外の不純物が極力含まれないように高純度化するこ
とによりi型(真性)の酸化物半導体、又はi型(真性)に限りなく近い酸化物半導体と
したものである。
1014/cm3未満、好ましくは1×1012/cm3未満、さらに好ましくは1×1
011/cm3未満となる。また、このようにキャリアが少ないことで、オフ状態におけ
る電流(オフ電流)は十分に小さくなる。
るチャネル幅1μmあたりのオフ電流密度を、トランジスタのチャネル長Lが10μm、
トランジスタのソース−ドレイン間の電圧が3Vの条件において、100zA/μm(1
×10−19A/μm)以下、さらには10zA/μm(1×10−20A/μm)以下
にすることが可能である。
依存性がほとんど見られず、オフ電流も非常に小さいままである。
する工程を説明する。
工程によりゲート電極層511を形成する。なお、当該フォトリソグラフィ工程に用いる
レジストマスクは、インクジェット法で形成してもよい。レジストマスクをインクジェッ
ト法で形成するとフォトマスクを使用しないため、製造コストを低減できる。
いることができる。本実施の形態では基板505としてガラス基板を用いる。
絶縁層には、基板505からの不純物元素の拡散を防止する機能があり、窒化シリコン膜
、酸化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜などから選ばれた一または
複数の膜により形成することができる。
アルミニウム、銅、ネオジム、スカンジウム等の金属材料またはこれらを主成分とする合
金材料を用いて形成することができる。また、その構造は、単層構造としても良いし、積
層構造としても良い。
、プラズマCVD法やスパッタ法などを用いて形成することができる。また、酸化シリコ
ン膜、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、酸化アルミニウム膜
、窒化アルミニウム膜、酸化窒化アルミニウム膜、窒化酸化アルミニウム膜、酸化ハフニ
ウム膜などから選ばれた一又は複数の膜により形成することができる。
まれないようにするために、酸化物半導体膜530の成膜の前処理として、スパッタ装置
の予備加熱室でゲート電極層511が形成された基板505、またはゲート絶縁層507
までが形成された基板505を予備加熱し、基板505が吸着している水素、水分などの
不純物を脱離させることが好ましい。また、予備加熱室に設ける排気手段は、クライオポ
ンプとすることが好ましい。また、当該予備加熱は、ソース電極層515a及びドレイン
電極層515bまで形成した基板505に対して行っても良い。なお、この予備加熱の処
理は省略することもできる。
上30nm以下の酸化物半導体膜530を形成する(図12(A)参照)。
物、二元系金属酸化物、In−O系、Sn−O系、Zn−O系などを用いることができる
。
Ga:Zn=1:x:y(xは0以上、yは0.5以上5以下)の組成比で表されるもの
を用いるのが好適である。例えば、In2O3:Ga2O3:ZnO=1:1:2[mo
l数比]の組成比を有するターゲットなどを用いることができる。また、In2O3:G
a2O3:ZnO=1:1:1[mol数比]の組成比を有するターゲットや、In2O
3:Ga2O3:ZnO=1:1:4[mol数比]の組成比を有するターゲットや、I
n2O3:ZnO=1:2[mol数比]の組成比を有するターゲットを用いることもで
きる。
物ターゲットを用いるスパッタ法により形成することとする。
さらに好ましくは99.9%以上とする。相対密度の高い金属酸化物ターゲットを用いる
ことにより、緻密な構造の酸化物半導体層を形成することが可能である。
気、または、希ガス(代表的にはアルゴン)と酸素との混合雰囲気とするのが好適である
。具体的には、例えば、水素、水、水酸基、水素化物などの不純物が、濃度1ppm以下
(望ましくは濃度10ppb以下)にまで除去された高純度ガス雰囲気を用いるのが好適
である。
物を保持し、被処理物の温度が100℃以上550℃未満、好ましくは200℃以上40
0℃以下となるように被処理物を熱する。または、酸化物半導体膜530の形成の際の被
処理物の温度は、室温(25℃±10℃)としてもよい。そして、処理室内の水分を除去
しつつ、水素や水などが除去されたスパッタガスを導入し、上記ターゲットを用いて酸化
物半導体膜530を形成する。被処理物を熱しながら酸化物半導体膜530を形成するこ
とにより、酸化物半導体層に含まれる不純物を低減することができる。また、スパッタに
よる損傷を軽減することができる。処理室内の水分を除去するためには、吸着型の真空ポ
ンプを用いることが好ましい。例えば、クライオポンプ、イオンポンプ、チタンサブリメ
ーションポンプなどを用いることができる。また、ターボ分子ポンプにコールドトラップ
を加えたものを用いてもよい。クライオポンプなどを用いて排気することで、処理室から
水素や水などを除去することができるため、酸化物半導体膜530中の不純物濃度を低減
できる。
が170mm、圧力が0.4Pa、直流(DC)電力が0.5kW、雰囲気が酸素(酸素
100%)雰囲気、またはアルゴン(アルゴン100%)雰囲気、または酸素とアルゴン
の混合雰囲気、といった条件を適用することができる。なお、パルス直流(DC)電源を
用いると、成膜時に発生する粉状物質(パーティクル、ゴミともいう)を低減でき、膜厚
分布も均一となるため好ましい。酸化物半導体膜530の厚さは、1nm以上50nm以
下、好ましくは1nm以上30nm以下、より好ましくは1nm以上10nm以下とする
。このような厚さの酸化物半導体膜530を用いることで、微細化に伴う短チャネル効果
を抑制することが可能である。ただし、適用する酸化物半導体材料や、半導体装置の用途
などにより適切な厚さは異なるから、その厚さは、用いる材料や用途などに応じて選択す
ることもできる。
てプラズマを発生させる逆スパッタを行い、形成表面(例えばゲート絶縁層507の表面
)の付着物を除去するのが好適である。ここで、逆スパッタとは、通常のスパッタにおい
ては、スパッタターゲットにイオンを衝突させるところを、逆に、処理表面にイオンを衝
突させることによってその表面を改質する方法のことをいう。処理表面にイオンを衝突さ
せる方法としては、アルゴン雰囲気下で処理表面側に高周波電圧を印加して、被処理物付
近にプラズマを生成する方法などがある。なお、アルゴン雰囲気に代えて窒素、ヘリウム
、酸素などによる雰囲気を適用してもよい。
体層に加工する。なお、当該フォトリソグラフィ工程に用いるレジストマスクは、インク
ジェット法で形成してもよい。レジストマスクをインクジェット法で形成するとフォトマ
スクを使用しないため、製造コストを低減できる。
膜530の加工と同時に行うことができる。
く、両方を用いてもよい。例えば、酸化物半導体膜530のウェットエッチングに用いる
エッチング液としては、燐酸と酢酸と硝酸とを混合させた溶液などを用いることができる
。また、ITO07N(関東化学社製)を用いてもよい。
1を得る(図12(B)参照)。この第1の熱処理によって酸化物半導体層中の過剰な水
素(水や水酸基を含む)を除去し、酸化物半導体層の構造を整え、エネルギーギャップ中
の欠陥準位を低減することができる。第1の熱処理の温度は、例えば、300℃以上55
0℃未満、または400℃以上500℃以下とする。
450℃、1時間の条件で行うことができる。この間、酸化物半導体層は大気に触れさせ
ず、水や水素の混入が生じないようにする。
によって、被処理物を加熱する装置を用いても良い。例えば、GRTA(Gas Rap
id Thermal Anneal)装置、LRTA(Lamp Rapid The
rmal Anneal)装置等のRTA(Rapid Thermal Anneal
)装置を用いることができる。LRTA装置とは、ハロゲンランプ、メタルハライドラン
プ、キセノンアークランプ、カーボンアークランプ、高圧ナトリウムランプ、高圧水銀ラ
ンプなどのランプから発する光(電磁波)の輻射により、被処理物を加熱する装置である
。GRTA装置とは、高温のガスを用いて熱処理を行う装置である。ガスとしては、アル
ゴンなどの希ガス、または窒素のような、熱処理によって被処理物と反応しない不活性気
体が用いられる。
間熱した後、当該不活性ガス雰囲気から被処理物を取り出すGRTA処理を行ってもよい
。GRTA処理を用いると短時間での高温熱処理が可能となる。また、被処理物の耐熱温
度を超える温度条件であっても適用が可能となる。なお、処理中に、不活性ガスを、酸素
を含むガスに切り替えても良い。酸素を含む雰囲気において第1の熱処理を行うことで、
酸素欠損に起因するエネルギーギャップ中の欠陥準位を低減することができるためである
。
)を主成分とする雰囲気であって、水、水素などが含まれない雰囲気を適用するのが望ま
しい。例えば、熱処理装置に導入する窒素や、ヘリウム、ネオン、アルゴン等の希ガスの
純度を、6N(99.9999%)以上、好ましくは7N(99.99999%)以上(
すなわち、不純物濃度が1ppm以下、好ましくは0.1ppm以下)とする。
に限りなく近い酸化物半導体層を形成することで、極めて優れた特性のトランジスタを実
現することができる。
当該熱処理を、脱水化処理や、脱水素化処理などと呼ぶこともできる。当該脱水化処理や
、脱水素化処理は、酸化物半導体膜530の形成後、島状の酸化物半導体層に加工する前
において行うことも可能である。また、このような脱水化処理、脱水素化処理は、一回に
限らず複数回行っても良い。
ソース電極層及びドレイン電極層上に絶縁層を形成した後、などのタイミングにおいて行
うことができる。
ン電極層(これと同じ層で形成される配線を含む)となる導電膜を形成する。ソース電極
層、及びドレイン電極層に用いる導電膜としては、上記実施の形態において示した材料を
用いることができる。
チングを行ってソース電極層515a、ドレイン電極層515bを形成した後、レジスト
マスクを除去する(図12(C)参照)。
ーザ光やArFレーザ光を用いるとよい。なお、トランジスタのチャネル長(L)は、ソ
ース電極層とドレイン電極層の間隔によって決定される。このため、チャネル長(L)が
25nm未満のトランジスタの作製に用いるマスク形成時の露光には、数nm〜数10n
mと波長の短い超紫外線(Extreme Ultraviolet)を用いるのが望ま
しい。超紫外線による露光は、解像度が高く焦点深度も大きい。従って、後に形成される
トランジスタのチャネル長(L)を、10nm以上1000nm(1μm)以下とするこ
とも可能であり、回路の動作速度を高めることが可能である。また、微細化によって、半
導体装置の消費電力を低減することも可能である。
調マスクによって形成されたレジストマスクを用いてエッチング工程を行ってもよい。多
階調マスクを用いて形成されたレジストマスクは異なる厚さの領域を有し、エッチングを
行うことでさらに形状を変形することができるため、異なるパターンに加工するための複
数のエッチング工程に用いることができる。よって、一枚の多階調マスクによって、少な
くとも二種類以上の異なるパターンに対応するレジストマスクを形成することができる。
これにより、露光マスク数を削減することができ、対応するフォトリソグラフィ工程も削
減できるため、工程の簡略化が可能となる。
ることのないように、エッチング条件を最適化することが望まれる。しかしながら、導電
膜のみをエッチングし、酸化物半導体層531を全くエッチングしないという条件を得る
ことは難しく、導電膜のエッチングの際に、酸化物半導体層531の一部がエッチングさ
れ溝部(凹部)が形成されることもある。
い。なお、素子の微細化という観点からはドライエッチングを用いるのが好適である。エ
ッチングガスやエッチング液については被エッチング材料に応じて適宜選択することがで
きる。本実施の形態では、導電膜としてチタン膜を用い、酸化物半導体層531にはIn
−Ga−Zn−O系の材料を用いているため、例えばウェットエッチングを適用する場合
には、エッチャントとして過水アンモニア水(アンモニア、水、過酸化水素水の混合液)
を用いることができる。
る酸化物半導体層の表面に付着した水素や水などを除去するのが望ましい。当該プラズマ
処理を行う場合は、処理後、大気に触れない条件で、保護絶縁膜となる絶縁層516を形
成する。
や水素等の不純物を混入させない方法を用いて形成することが望ましい。絶縁層516に
水素が含まれると、その水素の酸化物半導体層への侵入や、水素による酸化物半導体層中
の酸素の引き抜きなどが生じ、酸化物半導体層のバックチャネルが低抵抗化(n型化)し
て寄生チャネルが形成されるおそれがあるからである。また、絶縁層516には、酸化シ
リコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、または酸化窒化アルミニウム膜な
どを用いるのが望ましい。
を用いて成膜する。成膜時の基板温度は、室温(25℃)以上300℃以下とすればよく
、本実施の形態では100℃とする。酸化シリコン膜のスパッタ法による成膜は、希ガス
(代表的にはアルゴン)雰囲気下、酸素雰囲気下、または希ガスと酸素の混合雰囲気下に
おいて行うことができる。また、ターゲットとして酸化シリコンターゲットまたはシリコ
ンターゲットを用いることができる。
ためには、吸着型の真空ポンプ(クライオポンプなど)を用いることが好ましい。クライ
オポンプを用いて排気した成膜室で成膜することにより、絶縁層516に含まれる不純物
の濃度を低減できる。また、絶縁層516の成膜室内の残留水分を除去するための排気手
段として、ターボ分子ポンプにコールドトラップを加えたものを用いても良い。
ガスであることが望ましい。
は、200℃以上450℃以下、望ましくは250℃以上350℃以下とする。例えば、
窒素雰囲気下で250℃、1時間の熱処理を行えばよい。第2の熱処理を行うことによっ
て、トランジスタの電気的特性のばらつきを軽減することができる。また、絶縁層516
から酸化物半導体層531への酸素の供給により、該酸化物半導体層531の酸素欠損を
補填して、i型(真性)半導体またはi型に限りなく近い酸化物半導体層を形成すること
もできる。
熱処理のタイミングはこれに限定されない。例えば、第1の熱処理に続けて第2の熱処理
を行っても良いし、第1の熱処理に第2の熱処理を兼ねさせても良い。
の主成分以外の不純物が極力含まれないように高純度化し、i型(真性)化することがで
きる。
E)参照)。保護絶縁層506は、水素や水などの、外部からの侵入を防止する。保護絶
縁層506としては、例えば、窒化シリコン膜、窒化アルミニウム膜などを用いることが
できる。成膜方法は特に限定されないが、RFスパッタ法は量産性がよいため、保護絶縁
層506の成膜方法として適している。
時間以上30時間以下の条件で、熱処理を行ってもよい。
ンジスタは、オフ電流が極めて小さいという特徴を有している。このため、これを用いる
ことにより、ノードの電位保持が容易になる。よって、これをパルス信号出力回路やシフ
トレジスタに用いることで、パルス信号出力回路やシフトレジスタの誤動作の確率を極め
て低く抑えることができる。
宜組み合わせて用いることができる。
上記実施の形態1または実施の形態2で一例を示したシフトレジスタを用いて、表示機能
を有する半導体装置(表示装置ともいう)を作製することができる。また、駆動回路の一
部または全体を、画素部と同じ基板上に一体形成し、システムオンパネルを形成すること
ができる。
表示素子ともいう)を適用することができる。発光素子は、電流または電圧によって輝度
が制御される素子をその範疇に含んでおり、具体的には無機EL(Electro Lu
minescence)、有機EL等が含まれる。また、電子インクなど、電気的作用に
よりコントラストが変化する表示媒体も適用することができる。
して、シール材4005が設けられ、第2の基板4006によって封止されている。図1
3(A)においては、第1の基板4001上のシール材4005によって囲まれている領
域とは異なる領域に、別途用意された基板上に走査線駆動回路4004、信号線駆動回路
4003が実装されている。また別途形成された信号線駆動回路4003と、走査線駆動
回路4004または画素部4002に与えられる各種信号及び電位は、FPC(Flex
ible printed circuit)4018a、4018bから供給されてい
る。
02と、走査線駆動回路4004とを囲むようにして、シール材4005が設けられてい
る。また画素部4002と、走査線駆動回路4004の上に第2の基板4006が設けら
れている。よって画素部4002と、走査線駆動回路4004とは、第1の基板4001
とシール材4005と第2の基板4006とによって、表示素子と共に封止されている。
図13(B)及び図13(C)においては、第1の基板4001上のシール材4005に
よって囲まれている領域とは異なる領域に、別途用意された基板上に信号線駆動回路40
03が実装されている。図13(B)及び図13(C)においては、別途形成された信号
線駆動回路4003と、走査線駆動回路4004または画素部4002に与えられる各種
信号及び電位は、FPC4018から供給されている。
第1の基板4001に実装している例を示しているが、この構成に限定されない。走査線
駆動回路を別途形成して実装しても良いし、信号線駆動回路の一部または走査線駆動回路
の一部のみを別途形成して実装しても良い。
ip On Glass)方法、ワイヤボンディング方法、或いはTAB(Tape A
utomated Bonding)方法などを用いることができる。図13(A)は、
COG方法により信号線駆動回路4003、走査線駆動回路4004を実装する例であり
、図13(B)は、COG方法により信号線駆動回路4003を実装する例であり、図1
3(C)は、TAB方法により信号線駆動回路4003を実装する例である。
を含むIC等を実装した状態にあるモジュールとを含む。
源(照明装置含む)を指す。また、コネクター、例えばFPCもしくはTABテープもし
くはTCPが取り付けられたモジュール、TABテープやTCPの先にプリント配線板が
設けられたモジュール、または表示素子にCOG方式によりIC(集積回路)が直接実装
されたモジュールも全て表示装置に含むものとする。
スタとして、先の実施の形態で例示したトランジスタを適用してもよい。
晶、高分子分散型液晶、強誘電性液晶、反強誘電性液晶等を用いる。これらの液晶材料は
、条件により、コレステリック相、スメクチック相、キュービック相、カイラルネマチッ
ク相、等方相等を示す。
あり、コレステリック液晶を昇温していくと、コレステリック相から等方相へ転移する直
前に発現する相である。ブルー相は狭い温度範囲でしか発現しないため、温度範囲を改善
するために数重量%以上のカイラル剤を混合させた液晶組成物を液晶層に用いると良い。
ブルー相を示す液晶とカイラル剤とを含む液晶組成物は、応答速度が1msec以下と短
く、光学的等方性であるため配向処理が不要であり、視野角依存性が小さい。また配向膜
を設けなくてもよいのでラビング処理が不要となる。このため、ラビング処理によって引
き起こされる静電破壊を防止することができ、作製工程中の液晶表示装置の不良や破損を
軽減することができる。よって液晶表示装置の生産性を向上させることが可能となる。
Ω・cm以上であり、さらに好ましくは1×1012Ω・cm以上である。なお、本明細
書における固有抵抗の値は、20℃で測定した値とする。
ク電流等を考慮して、所定の期間の間電荷を保持できるように設定される。保持容量の大
きさは、トランジスタのオフ電流等を考慮して設定すればよい。
lane−Switching)モード、FFS(Fringe Field Swit
ching)モード、ASM(Axially Symmetric aligned
Micro−cell)モード、OCB(Optically Compensated
Birefringence)モード、FLC(Ferroelectric Liq
uid Crystal)モード、AFLC(AntiFerroelectric L
iquid Crystal)モードなどを用いる。
透過型の液晶表示装置としてもよい。垂直配向モードとしては、いくつか挙げられるが、
例えば、MVA(Multi−Domain Vertical Alignment)
モード、PVA(Patterned Vertical Alignment)モード
、ASVモードなどを用いることができる。
晶表示パネルの液晶分子の配列を制御する方式の一種である。VA型の液晶表示装置は、
電圧が印加されていないときにパネル面に対して液晶分子が垂直方向を向く方式である。
また、画素(ピクセル)をいくつかの領域(サブピクセル)に分け、それぞれ別の方向に
分子を倒すよう工夫されているマルチドメイン化あるいはマルチドメイン設計といわれる
方法を用いることができる。
防止部材などの光学部材(光学基板)などは適宜設ける。例えば、偏光基板及び位相差基
板による円偏光を用いてもよい。また、光源としてバックライト、サイドライトなどを用
いてもよい。
ことができる。また、カラー表示する際に画素で制御する色要素としては、RGB(Rは
赤、Gは緑、Bは青を表す)の三色に限定されない。例えば、RGBW(Wは白を表す)
、又はRGBに、イエロー、シアン、マゼンタ等を一色以上追加したものがある。なお、
色要素のドット毎にその表示領域の大きさが異なっていてもよい。ただし、開示する発明
は、カラー表示の表示装置に限定されるものではなく、モノクロ表示の表示装置に適用す
ることもできる。
子を適用することができる。エレクトロルミネッセンスを利用する発光素子は、発光材料
が有機化合物であるか、無機化合物であるかによって区別され、一般的に、前者は有機E
L素子、後者は無機EL素子と呼ばれている。
孔がそれぞれ発光性の有機化合物を含む層に注入され、電流が流れる。そして、それらキ
ャリア(電子および正孔)が再結合することにより、発光性の有機化合物が励起状態を形
成し、その励起状態が基底状態に戻る際に発光する。当該メカニズムから、このような発
光素子は電流励起型の発光素子と呼ばれる。
類される。分散型無機EL素子は、発光材料の粒子をバインダ中に分散させた発光層を有
するものであり、発光メカニズムはドナー準位とアクセプター準位を利用するドナー−ア
クセプター再結合型発光である。薄膜型無機EL素子は、発光層を誘電体層で挟み込み、
さらにそれを電極で挟んだ構造であり、発光メカニズムは金属イオンの内殻電子遷移を利
用する局在型発光である。
る。電子ペーパーは、電気泳動表示装置(電気泳動ディスプレイ)とも呼ばれており、紙
と同じ読みやすさ、他の表示装置に比べ低消費電力、薄くて軽い形状とすることが可能と
いう利点を有している。
、マイナスの電荷を有する第2の粒子とを含むマイクロカプセルが溶媒または溶質に複数
分散されたものであり、マイクロカプセルに電界を印加することによって、マイクロカプ
セル中の粒子を互いに反対方向に移動させて一方側に集合した粒子の色のみを表示するも
のである。なお、第1の粒子または第2の粒子は染料を含み、電界がない場合において移
動しないものである。また、第1の粒子の色と第2の粒子の色は異なるもの(無色を含む
)とする。
ゆる誘電泳動的効果を利用したディスプレイである。
の電子インクはガラス、プラスチック、布、紙などの表面に印刷することができる。また
、カラーフィルタや色素を有する粒子を用いることによってカラー表示も可能である。
、半導体材料、磁性材料、液晶材料、強誘電性材料、エレクトロルミネセント材料、エレ
クトロクロミック材料、磁気泳動材料から選ばれた一種の材料、またはこれらの複合材料
を用いればよい。
できる。ツイストボール表示方式とは、白と黒に塗り分けられた球形粒子を表示素子に用
いる電極層である第1の電極層及び第2の電極層の間に配置し、第1の電極層及び第2の
電極層に電位差を生じさせての球形粒子の向きを制御することにより、表示を行う方法で
ある。
路を適用することで、様々な機能を有する表示装置を提供することができる。
宜組み合わせて用いることができる。
本明細書に開示する半導体装置は、さまざまな電子機器(遊技機も含む)に適用すること
ができる。電子機器としては、例えば、テレビジョン装置(テレビ、またはテレビジョン
受信機ともいう)、コンピュータ用などのモニタ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメ
ラなどのカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機(携帯電話、携帯電話装置ともい
う)、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、パチンコ機などの大型ゲーム機な
どが挙げられる。
したノート型のパーソナルコンピュータであり、本体3001、筐体3002、表示部3
003、キーボード3004などによって構成されている。
した携帯情報端末(PDA)であり、本体3021には表示部3023と、外部インター
フェイス3025と、操作ボタン3024等が設けられている。また操作用の付属品とし
てスタイラス3022がある。
14(C)は該電子ペーパーを一部品として実装して作製した電子書籍である。図14(
C)は、電子書籍の一例を示している。例えば、電子書籍2700は、筐体2701およ
び筐体2703の2つの筐体で構成されている。筐体2701および筐体2703は、軸
部2711により一体とされており、該軸部2711を軸として開閉動作を行うことがで
きる。このような構成により、紙の書籍のような動作を行うことが可能となる。
込まれている。表示部2705および表示部2707は、続き画面を表示する構成として
もよいし、異なる画面を表示する構成としてもよい。異なる画面を表示する構成とするこ
とで、例えば右側の表示部(図14(C)では表示部2705)に文章を表示し、左側の
表示部(図14(C)では表示部2707)に画像を表示することができる。
筐体2701において、電源2721、操作キー2723、スピーカー2725などを備
えている。操作キー2723により、頁を送ることができる。なお、筐体の表示部と同一
面にキーボードやポインティングデバイスなどを備える構成としてもよい。また、筐体の
裏面や側面に、外部接続用端子(イヤホン端子、USB端子など)、記録媒体挿入部など
を備える構成としてもよい。さらに、電子書籍2700は、電子辞書としての機能を持た
せた構成としてもよい。
電子書籍サーバから、所望の書籍データなどを購入し、ダウンロードする構成とすること
も可能である。
した携帯電話であり、筐体2800及び筐体2801の二つの筐体で構成されている。筐
体2801には、表示パネル2802、スピーカー2803、マイクロフォン2804、
ポインティングデバイス2806、カメラ用レンズ2807、外部接続端子2808など
を備えている。また、筐体2800には、携帯型情報端末の充電を行う太陽電池セル28
10、外部メモリスロット2811などを備えている。また、アンテナは筐体2801内
部に内蔵されている。
ている複数の操作キー2805を点線で示している。なお、太陽電池セル2810で出力
される電圧を各回路に必要な電圧に昇圧するための昇圧回路も実装している。
2802と同一面上にカメラ用レンズ2807を備えているため、テレビ電話が可能であ
る。スピーカー2803及びマイクロフォン2804は音声通話に限らず、テレビ電話、
録音、再生などが可能である。さらに、筐体2800と筐体2801は、スライドし、図
14(D)のように展開している状態から重なり合った状態とすることができ、携帯に適
した小型化が可能である。
であり、充電及びパーソナルコンピュータなどとのデータ通信が可能である。また、外部
メモリスロット2811に記録媒体を挿入することで、より大量のデータ保存及び移動に
対応できる。
よい。
たデジタルビデオカメラであり、本体3051、第1の表示部3057、接眼部3053
、操作スイッチ3054、第2の表示部3055、バッテリー3056などによって構成
されている。
ビジョン装置の一例を示している。テレビジョン装置9600では、筐体9601に表示
部9603が組み込まれている。表示部9603により、映像を表示することが可能であ
る。また、ここでは、スタンド9605により筐体9601を支持した構成を示している
。
コン操作機により行うことができる。また、リモコン操作機に、当該リモコン操作機から
出力する情報を表示する表示部を設ける構成としてもよい。
より一般のテレビ放送の受信を行うことができ、さらにモデムを介して有線または無線に
よる通信ネットワークに接続することにより、一方向(送信者から受信者)または双方向
(送信者と受信者間、あるいは受信者間同士など)の情報通信を行うことも可能である。
宜組み合わせて用いることができる。
12 信号線
13 信号線
14 信号線
21 入力端子
22 入力端子
23 入力端子
24 入力端子
25 入力端子
26 出力端子
27 出力端子
31 電源線
32 電源線
51 期間
52 期間
53 期間
54 期間
55 期間
56 期間
101 トランジスタ
102 トランジスタ
103 トランジスタ
104 トランジスタ
105 トランジスタ
106 トランジスタ
107 トランジスタ
108 トランジスタ
109 トランジスタ
110 トランジスタ
111 トランジスタ
120 容量素子
400 基板
401 ゲート電極層
402 ゲート絶縁層
403 酸化物半導体層
405a ソース電極層
405b ドレイン電極層
407 絶縁層
409 保護絶縁層
410 トランジスタ
420 トランジスタ
427 絶縁層
430 トランジスタ
436a 配線層
436b 配線層
437 絶縁層
440 トランジスタ
505 基板
506 保護絶縁層
507 ゲート絶縁層
510 トランジスタ
511 ゲート電極層
515a ソース電極層
515b ドレイン電極層
516 絶縁層
530 酸化物半導体膜
531 酸化物半導体層
2700 電子書籍
2701 筐体
2703 筐体
2705 表示部
2707 表示部
2711 軸部
2721 電源
2723 操作キー
2725 スピーカー
2800 筐体
2801 筐体
2802 表示パネル
2803 スピーカー
2804 マイクロフォン
2805 操作キー
2806 ポインティングデバイス
2807 カメラ用レンズ
2808 外部接続端子
2810 太陽電池セル
2811 外部メモリスロット
3001 本体
3002 筐体
3003 表示部
3004 キーボード
3021 本体
3022 スタイラス
3023 表示部
3024 操作ボタン
3025 外部インターフェイス
3051 本体
3053 接眼部
3054 操作スイッチ
3055 第2の表示部
3056 バッテリー
3057 第1の表示部
4001 基板
4002 画素部
4003 信号線駆動回路
4004 走査線駆動回路
4005 シール材
4006 基板
4018 FPC
9600 テレビジョン装置
9601 筐体
9603 表示部
9605 スタンド
Claims (4)
- 第1乃至第5のトランジスタと、容量素子と、を有し、
前記第1のトランジスタのソース又はドレインの一方は、出力端子と電気的に接続され、
前記第1のトランジスタのソース又はドレインの他方は、第1の配線と電気的に接続され、
前記第2のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記出力端子と電気的に接続され、
前記第2のトランジスタのソース又はドレインの他方は、第2の配線と電気的に接続され、
前記第3のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第1のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第3のトランジスタのゲートは、第3の配線と電気的に接続され、
前記第4のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第3のトランジスタのソース又はドレインの他方と電気的に接続され、
前記第4のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第2の配線と電気的に接続され、
前記第4のトランジスタのゲートは、前記第2のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第5のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第2のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第5のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第3の配線と電気的に接続され、
前記第5のトランジスタのゲートは、第4の配線と電気的に接続され、
前記容量素子の第1の電極は、前記第2の配線と電気的に接続され、
前記容量素子の第2の電極は、前記第2のトランジスタのゲートと電気的に接続される半導体装置。 - 請求項1において、
前記第1の配線には、第1のクロック信号が入力され、
前記第3の配線には、前記第2の配線よりも高い電位が入力され、
前記第4の配線には、第2のクロック信号が入力される半導体装置。 - 第1乃至第6のトランジスタと、容量素子と、を有し、
前記第1のトランジスタのソース又はドレインの一方は、出力端子と電気的に接続され、
前記第1のトランジスタのソース又はドレインの他方は、第1の配線と電気的に接続され、
前記第2のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記出力端子と電気的に接続され、
前記第2のトランジスタのソース又はドレインの他方は、第2の配線と電気的に接続され、
前記第3のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第1のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第3のトランジスタのゲートは、第3の配線と電気的に接続され、
前記第4のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第3のトランジスタのソース又はドレインの他方と電気的に接続され、
前記第4のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第2の配線と電気的に接続され、
前記第4のトランジスタのゲートは、前記第2のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第5のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第2のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第5のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第3の配線と電気的に接続され、
前記第5のトランジスタのゲートは、第4の配線と電気的に接続され、
前記第6のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第2のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第6のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第2の配線と電気的に接続され、
前記第6のトランジスタのゲートは、第5の配線と電気的に接続され、
前記容量素子の第1の電極は、前記第2の配線と電気的に接続され、
前記容量素子の第2の電極は、前記第2のトランジスタのゲートと電気的に接続される半導体装置。 - 請求項3において、
前記第1の配線には、第1のクロック信号が入力され、
前記第3の配線には、前記第2の配線よりも高い電位が入力され、
前記第4の配線には、第2のクロック信号が入力され、
前記第5の配線には、第1の信号が入力される半導体装置。
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US8559588B2 (en) * | 2009-05-28 | 2013-10-15 | Sharp Kabushiki Kaisha | Shift register |
US8422622B2 (en) * | 2009-06-15 | 2013-04-16 | Sharp Kabushiki Kaisha | Shift register and display device |
KR101838628B1 (ko) * | 2010-03-02 | 2018-03-14 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 펄스 신호 출력 회로 및 시프트 레지스터 |
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US8718224B2 (en) | 2011-08-05 | 2014-05-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Pulse signal output circuit and shift register |
KR20130055253A (ko) * | 2011-11-18 | 2013-05-28 | 삼성디스플레이 주식회사 | 주사 구동 장치 및 그 구동 방법 |
JP6099372B2 (ja) * | 2011-12-05 | 2017-03-22 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置及び電子機器 |
US8995607B2 (en) | 2012-05-31 | 2015-03-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Pulse signal output circuit and shift register |
TWI600022B (zh) * | 2012-07-20 | 2017-09-21 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 脈衝輸出電路、顯示裝置、及電子裝置 |
JP6267902B2 (ja) * | 2012-09-21 | 2018-01-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 順序回路、表示装置 |
US9041453B2 (en) * | 2013-04-04 | 2015-05-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Pulse generation circuit and semiconductor device |
US9424950B2 (en) * | 2013-07-10 | 2016-08-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
CN103413514A (zh) | 2013-07-27 | 2013-11-27 | 京东方科技集团股份有限公司 | 移位寄存器单元、移位寄存器和显示装置 |
TWI509593B (zh) * | 2013-12-20 | 2015-11-21 | Au Optronics Corp | 移位暫存器 |
CN103928056B (zh) * | 2014-03-06 | 2017-02-08 | 厦门天马微电子有限公司 | 移位寄存器、栅极驱动电路、阵列基板、显示面板及装置 |
KR102313978B1 (ko) | 2015-01-21 | 2021-10-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 게이트 구동회로 |
CN105632561B (zh) * | 2016-01-05 | 2018-09-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 移位寄存器及其驱动方法、栅极驱动电路以及显示装置 |
CN108890907A (zh) * | 2018-07-06 | 2018-11-27 | 合肥格骄电子科技有限公司 | 一种光机电一体化的岩棉切割装置 |
CN111223459B (zh) | 2018-11-27 | 2022-03-08 | 元太科技工业股份有限公司 | 移位寄存器以及栅极驱动电路 |
CN111445857B (zh) | 2020-04-17 | 2021-05-14 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 像素驱动电路及其驱动方法和显示装置 |
CN111445869B (zh) * | 2020-04-30 | 2022-04-15 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种亮度控制装置及其控制方法、显示面板 |
CN111583885B (zh) * | 2020-06-17 | 2021-11-30 | 京东方科技集团股份有限公司 | 移位寄存器的驱动方法及装置 |
JPWO2022185143A1 (ja) * | 2021-03-05 | 2022-09-09 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004226429A (ja) * | 2003-01-17 | 2004-08-12 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | パルス出力回路、シフトレジスタ、および電子機器 |
JP2006107692A (ja) * | 2004-10-01 | 2006-04-20 | Samsung Electronics Co Ltd | シフトレジスタ、これを利用したゲート駆動回路及び表示パネル |
WO2009034750A1 (ja) * | 2007-09-12 | 2009-03-19 | Sharp Kabushiki Kaisha | シフトレジスタ |
JP2010021899A (ja) * | 2008-07-12 | 2010-01-28 | Sony Corp | 半導体デバイス、表示パネル及び電子機器 |
Family Cites Families (136)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4959543A (ja) * | 1972-10-05 | 1974-06-10 | ||
FR2524714B1 (fr) * | 1982-04-01 | 1986-05-02 | Suwa Seikosha Kk | Transistor a couche mince |
US5701136A (en) * | 1995-03-06 | 1997-12-23 | Thomson Consumer Electronics S.A. | Liquid crystal display driver with threshold voltage drift compensation |
DE69635107D1 (de) | 1995-08-03 | 2005-09-29 | Koninkl Philips Electronics Nv | Halbleiteranordnung mit einem transparenten schaltungselement |
JP3514002B2 (ja) * | 1995-09-04 | 2004-03-31 | カシオ計算機株式会社 | 表示駆動装置 |
JP3625598B2 (ja) | 1995-12-30 | 2005-03-02 | 三星電子株式会社 | 液晶表示装置の製造方法 |
JPH11184432A (ja) * | 1997-12-19 | 1999-07-09 | Sony Corp | 液晶表示装置の駆動回路 |
JP4170454B2 (ja) | 1998-07-24 | 2008-10-22 | Hoya株式会社 | 透明導電性酸化物薄膜を有する物品及びその製造方法 |
FR2787913B1 (fr) * | 1998-10-21 | 2004-08-27 | Lg Philips Lcd Co Ltd | Registre a decalage |
KR100438525B1 (ko) * | 1999-02-09 | 2004-07-03 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 쉬프트 레지스터 회로 |
JP2000150861A (ja) | 1998-11-16 | 2000-05-30 | Tdk Corp | 酸化物薄膜 |
JP3276930B2 (ja) | 1998-11-17 | 2002-04-22 | 科学技術振興事業団 | トランジスタ及び半導体装置 |
TW460731B (en) | 1999-09-03 | 2001-10-21 | Ind Tech Res Inst | Electrode structure and production method of wide viewing angle LCD |
JP4089858B2 (ja) | 2000-09-01 | 2008-05-28 | 国立大学法人東北大学 | 半導体デバイス |
KR20020038482A (ko) | 2000-11-15 | 2002-05-23 | 모리시타 요이찌 | 박막 트랜지스터 어레이, 그 제조방법 및 그것을 이용한표시패널 |
JP3997731B2 (ja) | 2001-03-19 | 2007-10-24 | 富士ゼロックス株式会社 | 基材上に結晶性半導体薄膜を形成する方法 |
JP2002289859A (ja) | 2001-03-23 | 2002-10-04 | Minolta Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
TW582005B (en) * | 2001-05-29 | 2004-04-01 | Semiconductor Energy Lab | Pulse output circuit, shift register, and display device |
JP3925839B2 (ja) | 2001-09-10 | 2007-06-06 | シャープ株式会社 | 半導体記憶装置およびその試験方法 |
JP4090716B2 (ja) | 2001-09-10 | 2008-05-28 | 雅司 川崎 | 薄膜トランジスタおよびマトリクス表示装置 |
US7061014B2 (en) | 2001-11-05 | 2006-06-13 | Japan Science And Technology Agency | Natural-superlattice homologous single crystal thin film, method for preparation thereof, and device using said single crystal thin film |
JP4164562B2 (ja) | 2002-09-11 | 2008-10-15 | 独立行政法人科学技術振興機構 | ホモロガス薄膜を活性層として用いる透明薄膜電界効果型トランジスタ |
JP4397555B2 (ja) * | 2001-11-30 | 2010-01-13 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、電子機器 |
JP4083486B2 (ja) | 2002-02-21 | 2008-04-30 | 独立行政法人科学技術振興機構 | LnCuO(S,Se,Te)単結晶薄膜の製造方法 |
CN1445821A (zh) | 2002-03-15 | 2003-10-01 | 三洋电机株式会社 | ZnO膜和ZnO半导体层的形成方法、半导体元件及其制造方法 |
JP3933591B2 (ja) | 2002-03-26 | 2007-06-20 | 淳二 城戸 | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
US7339187B2 (en) | 2002-05-21 | 2008-03-04 | State Of Oregon Acting By And Through The Oregon State Board Of Higher Education On Behalf Of Oregon State University | Transistor structures |
JP2004022625A (ja) | 2002-06-13 | 2004-01-22 | Murata Mfg Co Ltd | 半導体デバイス及び該半導体デバイスの製造方法 |
US7105868B2 (en) | 2002-06-24 | 2006-09-12 | Cermet, Inc. | High-electron mobility transistor with zinc oxide |
US7067843B2 (en) | 2002-10-11 | 2006-06-27 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Transparent oxide semiconductor thin film transistors |
JP4166105B2 (ja) | 2003-03-06 | 2008-10-15 | シャープ株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2004273732A (ja) | 2003-03-07 | 2004-09-30 | Sharp Corp | アクティブマトリクス基板およびその製造方法 |
US7369111B2 (en) * | 2003-04-29 | 2008-05-06 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Gate driving circuit and display apparatus having the same |
KR100913303B1 (ko) * | 2003-05-06 | 2009-08-26 | 삼성전자주식회사 | 액정표시장치 |
KR20040097503A (ko) * | 2003-05-12 | 2004-11-18 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 쉬프트 레지스터 |
JP4108633B2 (ja) | 2003-06-20 | 2008-06-25 | シャープ株式会社 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法ならびに電子デバイス |
US7262463B2 (en) | 2003-07-25 | 2007-08-28 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Transistor including a deposited channel region having a doped portion |
JP4321266B2 (ja) * | 2003-10-16 | 2009-08-26 | ソニー株式会社 | インバータ回路および表示装置 |
US7297977B2 (en) | 2004-03-12 | 2007-11-20 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Semiconductor device |
KR101032945B1 (ko) * | 2004-03-12 | 2011-05-09 | 삼성전자주식회사 | 시프트 레지스터 및 이를 포함하는 표시 장치 |
US7282782B2 (en) | 2004-03-12 | 2007-10-16 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Combined binary oxide semiconductor device |
EP1737044B1 (en) | 2004-03-12 | 2014-12-10 | Japan Science and Technology Agency | Amorphous oxide and thin film transistor |
US7145174B2 (en) | 2004-03-12 | 2006-12-05 | Hewlett-Packard Development Company, Lp. | Semiconductor device |
US7211825B2 (en) | 2004-06-14 | 2007-05-01 | Yi-Chi Shih | Indium oxide-based thin film transistors and circuits |
JP2006100760A (ja) | 2004-09-02 | 2006-04-13 | Casio Comput Co Ltd | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
US7285501B2 (en) | 2004-09-17 | 2007-10-23 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Method of forming a solution processed device |
US7298084B2 (en) | 2004-11-02 | 2007-11-20 | 3M Innovative Properties Company | Methods and displays utilizing integrated zinc oxide row and column drivers in conjunction with organic light emitting diodes |
US7863611B2 (en) | 2004-11-10 | 2011-01-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Integrated circuits utilizing amorphous oxides |
US7453065B2 (en) | 2004-11-10 | 2008-11-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Sensor and image pickup device |
CA2585063C (en) | 2004-11-10 | 2013-01-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Light-emitting device |
US7791072B2 (en) | 2004-11-10 | 2010-09-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Display |
RU2358355C2 (ru) | 2004-11-10 | 2009-06-10 | Кэнон Кабусики Кайся | Полевой транзистор |
BRPI0517568B8 (pt) | 2004-11-10 | 2022-03-03 | Canon Kk | Transistor de efeito de campo |
US7829444B2 (en) | 2004-11-10 | 2010-11-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Field effect transistor manufacturing method |
KR101137880B1 (ko) * | 2004-12-31 | 2012-04-20 | 엘지디스플레이 주식회사 | 쉬프트 레지스터 및 그 구동 방법 |
US7579224B2 (en) | 2005-01-21 | 2009-08-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing a thin film semiconductor device |
TWI505473B (zh) | 2005-01-28 | 2015-10-21 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置,電子裝置,和半導體裝置的製造方法 |
US7608531B2 (en) | 2005-01-28 | 2009-10-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, electronic device, and method of manufacturing semiconductor device |
US7858451B2 (en) | 2005-02-03 | 2010-12-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic device, semiconductor device and manufacturing method thereof |
US7948171B2 (en) | 2005-02-18 | 2011-05-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
US20060197092A1 (en) | 2005-03-03 | 2006-09-07 | Randy Hoffman | System and method for forming conductive material on a substrate |
US8681077B2 (en) | 2005-03-18 | 2014-03-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, and display device, driving method and electronic apparatus thereof |
WO2006105077A2 (en) | 2005-03-28 | 2006-10-05 | Massachusetts Institute Of Technology | Low voltage thin film transistor with high-k dielectric material |
JP4993544B2 (ja) * | 2005-03-30 | 2012-08-08 | 三菱電機株式会社 | シフトレジスタ回路 |
US7645478B2 (en) | 2005-03-31 | 2010-01-12 | 3M Innovative Properties Company | Methods of making displays |
US8300031B2 (en) | 2005-04-20 | 2012-10-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device comprising transistor having gate and drain connected through a current-voltage conversion element |
JP5190722B2 (ja) * | 2005-05-20 | 2013-04-24 | Nltテクノロジー株式会社 | ブートストラップ回路並びにこれを用いたシフトレジスタ、走査回路及び表示装置 |
JP2006344849A (ja) | 2005-06-10 | 2006-12-21 | Casio Comput Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
US7402506B2 (en) | 2005-06-16 | 2008-07-22 | Eastman Kodak Company | Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby |
US7691666B2 (en) | 2005-06-16 | 2010-04-06 | Eastman Kodak Company | Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby |
US7507618B2 (en) | 2005-06-27 | 2009-03-24 | 3M Innovative Properties Company | Method for making electronic devices using metal oxide nanoparticles |
KR100711890B1 (ko) | 2005-07-28 | 2007-04-25 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 발광표시장치 및 그의 제조방법 |
JP2007059128A (ja) | 2005-08-23 | 2007-03-08 | Canon Inc | 有機el表示装置およびその製造方法 |
JP4280736B2 (ja) | 2005-09-06 | 2009-06-17 | キヤノン株式会社 | 半導体素子 |
JP4850457B2 (ja) | 2005-09-06 | 2012-01-11 | キヤノン株式会社 | 薄膜トランジスタ及び薄膜ダイオード |
JP2007073705A (ja) | 2005-09-06 | 2007-03-22 | Canon Inc | 酸化物半導体チャネル薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
JP5116225B2 (ja) | 2005-09-06 | 2013-01-09 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体デバイスの製造方法 |
EP1998373A3 (en) | 2005-09-29 | 2012-10-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. | Semiconductor device having oxide semiconductor layer and manufacturing method thereof |
JP5064747B2 (ja) | 2005-09-29 | 2012-10-31 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、電気泳動表示装置、表示モジュール、電子機器、及び半導体装置の作製方法 |
JP5078246B2 (ja) * | 2005-09-29 | 2012-11-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、及び半導体装置の作製方法 |
JP5037808B2 (ja) | 2005-10-20 | 2012-10-03 | キヤノン株式会社 | アモルファス酸化物を用いた電界効果型トランジスタ、及び該トランジスタを用いた表示装置 |
CN101577281B (zh) | 2005-11-15 | 2012-01-11 | 株式会社半导体能源研究所 | 有源矩阵显示器及包含该显示器的电视机 |
KR101192777B1 (ko) | 2005-12-02 | 2012-10-18 | 엘지디스플레이 주식회사 | 쉬프트 레지스터 |
TWI292281B (en) | 2005-12-29 | 2008-01-01 | Ind Tech Res Inst | Pixel structure of active organic light emitting diode and method of fabricating the same |
US7867636B2 (en) | 2006-01-11 | 2011-01-11 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transparent conductive film and method for manufacturing the same |
JP4977478B2 (ja) | 2006-01-21 | 2012-07-18 | 三星電子株式会社 | ZnOフィルム及びこれを用いたTFTの製造方法 |
US7576394B2 (en) | 2006-02-02 | 2009-08-18 | Kochi Industrial Promotion Center | Thin film transistor including low resistance conductive thin films and manufacturing method thereof |
TWI325132B (en) * | 2006-02-10 | 2010-05-21 | Au Optronics Corp | Shift register capable of self feedback |
US7977169B2 (en) | 2006-02-15 | 2011-07-12 | Kochi Industrial Promotion Center | Semiconductor device including active layer made of zinc oxide with controlled orientations and manufacturing method thereof |
JP5128102B2 (ja) * | 2006-02-23 | 2013-01-23 | 三菱電機株式会社 | シフトレジスタ回路およびそれを備える画像表示装置 |
KR20070101595A (ko) | 2006-04-11 | 2007-10-17 | 삼성전자주식회사 | ZnO TFT |
US20070252928A1 (en) | 2006-04-28 | 2007-11-01 | Toppan Printing Co., Ltd. | Structure, transmission type liquid crystal display, reflection type display and manufacturing method thereof |
JP5028033B2 (ja) | 2006-06-13 | 2012-09-19 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体膜のドライエッチング方法 |
JP4609797B2 (ja) | 2006-08-09 | 2011-01-12 | Nec液晶テクノロジー株式会社 | 薄膜デバイス及びその製造方法 |
JP4999400B2 (ja) | 2006-08-09 | 2012-08-15 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体膜のドライエッチング方法 |
TWI347577B (en) * | 2006-09-01 | 2011-08-21 | Au Optronics Corp | Shift register with low stress |
JP4332545B2 (ja) | 2006-09-15 | 2009-09-16 | キヤノン株式会社 | 電界効果型トランジスタ及びその製造方法 |
JP5164357B2 (ja) | 2006-09-27 | 2013-03-21 | キヤノン株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
JP4274219B2 (ja) | 2006-09-27 | 2009-06-03 | セイコーエプソン株式会社 | 電子デバイス、有機エレクトロルミネッセンス装置、有機薄膜半導体装置 |
JP5468196B2 (ja) * | 2006-09-29 | 2014-04-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、表示装置及び液晶表示装置 |
JP4932415B2 (ja) * | 2006-09-29 | 2012-05-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
TWI675358B (zh) * | 2006-09-29 | 2019-10-21 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 顯示裝置和電子裝置 |
JP4990034B2 (ja) * | 2006-10-03 | 2012-08-01 | 三菱電機株式会社 | シフトレジスタ回路およびそれを備える画像表示装置 |
US7622371B2 (en) | 2006-10-10 | 2009-11-24 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Fused nanocrystal thin film semiconductor and method |
TWI511116B (zh) * | 2006-10-17 | 2015-12-01 | Semiconductor Energy Lab | 脈衝輸出電路、移位暫存器及顯示裝置 |
JP5525685B2 (ja) * | 2006-10-17 | 2014-06-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置及び電子機器 |
JP4968671B2 (ja) * | 2006-11-27 | 2012-07-04 | Nltテクノロジー株式会社 | 半導体回路、走査回路、及びそれを用いた表示装置 |
US7772021B2 (en) | 2006-11-29 | 2010-08-10 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Flat panel displays comprising a thin-film transistor having a semiconductive oxide in its channel and methods of fabricating the same for use in flat panel displays |
JP2008140490A (ja) * | 2006-12-04 | 2008-06-19 | Seiko Epson Corp | シフトレジスタ、走査線駆動回路、電気光学装置及び電子機器 |
JP2008140684A (ja) | 2006-12-04 | 2008-06-19 | Toppan Printing Co Ltd | カラーelディスプレイおよびその製造方法 |
TWI340947B (en) * | 2006-12-29 | 2011-04-21 | Chimei Innolux Corp | Shift register and liquid crystal display |
KR101303578B1 (ko) | 2007-01-05 | 2013-09-09 | 삼성전자주식회사 | 박막 식각 방법 |
US8207063B2 (en) | 2007-01-26 | 2012-06-26 | Eastman Kodak Company | Process for atomic layer deposition |
KR100851215B1 (ko) | 2007-03-14 | 2008-08-07 | 삼성에스디아이 주식회사 | 박막 트랜지스터 및 이를 이용한 유기 전계 발광표시장치 |
US7795613B2 (en) | 2007-04-17 | 2010-09-14 | Toppan Printing Co., Ltd. | Structure with transistor |
KR101325053B1 (ko) | 2007-04-18 | 2013-11-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법 |
KR20080094300A (ko) | 2007-04-19 | 2008-10-23 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법과 박막 트랜지스터를포함하는 평판 디스플레이 |
KR101334181B1 (ko) | 2007-04-20 | 2013-11-28 | 삼성전자주식회사 | 선택적으로 결정화된 채널층을 갖는 박막 트랜지스터 및 그제조 방법 |
WO2008133345A1 (en) | 2007-04-25 | 2008-11-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Oxynitride semiconductor |
TWI373019B (en) * | 2007-05-09 | 2012-09-21 | Chunghwa Picture Tubes Ltd | Shift register and shift register apparatus therein |
KR101345376B1 (ko) | 2007-05-29 | 2013-12-24 | 삼성전자주식회사 | ZnO 계 박막 트랜지스터 및 그 제조방법 |
WO2009034749A1 (ja) * | 2007-09-12 | 2009-03-19 | Sharp Kabushiki Kaisha | シフトレジスタ |
JP5215158B2 (ja) | 2007-12-17 | 2013-06-19 | 富士フイルム株式会社 | 無機結晶性配向膜及びその製造方法、半導体デバイス |
JP5063706B2 (ja) * | 2007-12-27 | 2012-10-31 | シャープ株式会社 | シフトレジスタおよび表示装置 |
JP5527647B2 (ja) * | 2008-05-26 | 2014-06-18 | Nltテクノロジー株式会社 | シフトレジスタ |
TWI366194B (en) * | 2008-06-06 | 2012-06-11 | Au Optronics Corp | Shift register |
JP2010044949A (ja) | 2008-08-12 | 2010-02-25 | Fuji Electric Systems Co Ltd | 燃料電池用電解質層の製造方法及び燃料電池の製造方法 |
JP4623179B2 (ja) | 2008-09-18 | 2011-02-02 | ソニー株式会社 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
JP5451280B2 (ja) | 2008-10-09 | 2014-03-26 | キヤノン株式会社 | ウルツ鉱型結晶成長用基板およびその製造方法ならびに半導体装置 |
US20120082287A1 (en) * | 2009-05-20 | 2012-04-05 | Sharp Kabushiki Kaisha | Shift register |
CN102804388B (zh) * | 2009-06-18 | 2016-08-03 | 夏普株式会社 | 半导体装置 |
WO2011074379A1 (en) * | 2009-12-18 | 2011-06-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device and driving method thereof |
KR101838628B1 (ko) * | 2010-03-02 | 2018-03-14 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 펄스 신호 출력 회로 및 시프트 레지스터 |
KR101807734B1 (ko) * | 2010-03-02 | 2017-12-11 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 펄스 신호 출력 회로 및 시프트 레지스터 |
KR101805228B1 (ko) * | 2010-05-21 | 2017-12-05 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 펄스 출력 회로, 시프트 레지스터, 및 표시 장치 |
JP5766012B2 (ja) * | 2010-05-21 | 2015-08-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置 |
-
2011
- 2011-02-03 CN CN201180011894.9A patent/CN102783025B/zh active Active
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2012
- 2012-07-23 JP JP2012162734A patent/JP5190549B2/ja not_active Expired - Fee Related
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2013
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2015
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- 2015-12-22 JP JP2015249368A patent/JP2016096566A/ja not_active Withdrawn
-
2018
- 2018-01-31 JP JP2018014258A patent/JP6552654B2/ja active Active
-
2019
- 2019-07-02 JP JP2019123661A patent/JP2019205179A/ja not_active Withdrawn
-
2021
- 2021-05-14 JP JP2021082100A patent/JP2021145348A/ja not_active Withdrawn
-
2023
- 2023-07-24 JP JP2023120060A patent/JP7412626B2/ja active Active
- 2023-12-26 JP JP2023219403A patent/JP2024032715A/ja active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004226429A (ja) * | 2003-01-17 | 2004-08-12 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | パルス出力回路、シフトレジスタ、および電子機器 |
JP2006107692A (ja) * | 2004-10-01 | 2006-04-20 | Samsung Electronics Co Ltd | シフトレジスタ、これを利用したゲート駆動回路及び表示パネル |
WO2009034750A1 (ja) * | 2007-09-12 | 2009-03-19 | Sharp Kabushiki Kaisha | シフトレジスタ |
JP2010021899A (ja) * | 2008-07-12 | 2010-01-28 | Sony Corp | 半導体デバイス、表示パネル及び電子機器 |
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---|---|---|
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