JP2020526952A - パッケージ光活性ガラス基板内のｒｆシステムのための２ｄ及び３ｄのｒｆ集中素子デバイス - Google Patents

パッケージ光活性ガラス基板内のｒｆシステムのための２ｄ及び３ｄのｒｆ集中素子デバイス Download PDF

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Abstract

本発明は、集積化集中素子デバイスが光限定性ガラスの中又は上のシステムインパッケージ（ＳｉＰ，system-in-package）である、パッケージの中にシステムを生成するための方法を含み、この方法は、感光性ガラス基板の上又は中の１又は２以上の電気的構成要素を備える設計レイアウトをマスキングするステップと、感光性ガラス基板を活性化するステップと、結晶材料を作製するように加熱及び冷却して、ガラス結晶基板を形成するステップと、ガラス結晶基板をエッチングするステップと、光限定性ガラスの表面上のガラス結晶基板の表面においてシード層を堆積、成長、又は選択的にエッチングするステップとを含み、集積化集中素子デバイスは、等価な表面実装型デバイスと比較したとき、光限定性ガラスの中又は上にシステムインパッケージ（ＳｉＰ）に実装されるパッケージ集中素子デバイスから寄生雑音及び損失を少なくとも２５％、低減させる。

Description

関連出願の相互参照
なし
連邦政府の資金による研究の記載
なし
本発明は、一般に、パッケージ光活性ガラス基板内のＲＦシステムのためのＲＦ集中素子デバイスの分野に関する。
本発明の範囲を限定することなく、ＲＦ集中素子デバイスに関連するその背景技術について説明する。
感光性ガラス構造体は、集積化電子素子などを他の素子システム又はサブシステムと併用するいくつかのマイクロマシニングプロセス及び微細加工プロセスに対して提案されてきた。従来のガラスのシリコン微細加工は、高価で、歩留まりが低く、一方、射出成形プロセス又はエンボスプロセスでは、一貫性のない形状が生産されている。シリコン微細加工プロセスは、高価な資本設備、総じて１００万ドルを超える費用がそれぞれにかかるフォトリソグラフィー及び反応性イオンエッチング又はイオンビームミリングのツールに依存しており、これらのツールには、何百万〜何十億超えという費用のかかる超清浄高生産のシリコン加工施設が必要である。射出成形及びエンボスは、３次元形状を生産する、それほど費用のかからない方法であるが、転写の際に欠陥を生じさせ、又は確率論的な硬化プロセスに起因して差をもたらす。理想的なインダクタは、抵抗とキャパシタンスがゼロになる。しかし、実際のインダクタは、「寄生」抵抗、インダクタ、及びキャパシタンスを有する。
歴史的には、インダクタキャパシタンスは、絶縁コイル巻線間の電荷分離の結果であるという仮定に基づいて、「巻線間のキャパシタンス」と呼ばれている。しかしながら、インダクタが導電接地板を介して測定される場合、コイルと接地板との間のキャパシタンスもまた、測定の一部である。測定接地板からのコイルの距離、及び測定基板の実効誘電率は、キャパシタンス対接地に影響を及ぼす。このことは、テスト治具がどのようにＳＲＦ測定に影響を及ぼすかについて部分的に説明している。次の等式は、ＳＲＦがどのようにＬＣ回路内のインダクタンスとキャパシタンスとに関係しているかについて示している。
ただし、Ｌは、ヘンリー単位でのインダクタンスであり、Ｃは、ファラッド単位でのキャパシタンスである。
付加インダクタンスに加えて、キャパシタンス及び抵抗は、（１）ＰＣＢ相互接続部、（２）長尺の金属再配線、（３）ボンドパッド、（４）はんだボール、（５）基板損失及び誘電率／損失正接、並びに／又は（６）一貫性のない組立てからの損失を排除する。
この等式から、一般に、ＲＦフィルタ及び／又はマイクロ波フィルタは、１又は２以上の結合された共振器でできており、複数の異なる技術を使用して共振器／フィルタを作製し得ることが明白である。共振器／フィルタのほとんどが、３つの大まかなカテゴリ、すなわち、集中素子、マイクロストリップ伝送線、及び同軸導波管のうちの１つに分類される。
集中素子又はインダクタコンデンサ（ＬＣ）のフィルタは、ＲＦ及びマイクロ波のフィルタ並びに他のデバイスにおいて使用される最も単純な共振器構造体である。集中素子回路は、並列又は直列のインダクタ及びコンデンサからなる。集中素子のフィルタ／デバイスの利点は、それらが非常に小型であり得ることであるが、欠点は、それらは、品質係数が低く、歪み／雑音のレベルが大きく、比較的、性能が劣ることである。そのため、集中素子デバイスは、ＲＦ／マイクロ波の適用例においては実行可能な一選択肢とは見なされない。
２００３年に発表されたInder Bahlによる書籍、Lumped Elements for RF and Microwave Circuitsには、「理想的な集中素子は、フリンジ場に起因する関連の寄生リアクタンスにより、より低いマイクロ波周波数でも実現不可能である。ＲＦ及びマイクロ波の周波数では、各構成要素には、関連の電場及び磁場、並びに有限の散逸損失がある。したがって、そのような構成要素は、それらにわたる電気エネルギー及び磁気エネルギーを貯蔵又は放出し、それらの抵抗は、電力散逸の原因になる。これらの素子内のＣ、Ｌ、及びＲの構成要素の相対値は、ＬＥの使用目的によって決まる。それらの電気的振舞いについて説明するには、そのような構成要素の等価回路モデルが、一般に使用される。集中素子等価回路（ＥＣ，equivalent circuit）モデルは、関連の寄生成分が下付き文字によって表される基本回路素子（Ｌ、Ｃ、又はＲ）からなる。ＭＩＣ及びＭＭＩＣの正確なコンピュータ支援型設計には、これらの構成要素の完全で正確な特性評価が必要である。これには、接地板、フリンジ場、近接効果、基板の材料及び厚さ、導体の厚さ、並びに関連の実装技術及び適用例の効果を含む包括的なモデルが必要である。したがって、その寄生成分及びそれらの周波数依存特性を伴う集中素子のＥＣ表現は、正確な素子モデル化に不可欠である。ＥＣモデルは、もしあれば共振を含むその応答について十分に説明するのに必要な回路素子からなる。モデルは、解析的な電磁シミュレーション、及び測定ベースの方法を使用して開発され得る。集中素子の初期モデルは、解析的な半経験的な等式を使用して開発された。１９４３年には、Termanは、薄い金属の直線のインダクタンスの式を発表し、後にそれは、金属化厚さの効果を追加したCaulton et al.によって改善された。Wheelerは、より低いマイクロ波周波数において適度に優れた正確性を伴う、円形スパイラルインダクタのインダクタンスについての近似式を提示した。この式は、マイクロ波集中回路の設計において広範に使用されてきた。その他の者も、複数のジオメトリのインダクタンス計算について論じてきた。ＭＩＣのマイクロストリップインダクタの論理的モデル化は、通常、２つの方法、すなわち、集中素子手法と結合線手法とに基づいている。集中素子手法は、接地板効果を伴う自由空間インダクタンスについての式を使用する。これらの周波数に依存しない式は、インダクタの全長が動作波長のごく一部であるとき、及びターン間キャパシタンスが無視できるときのみ、有用である。結合線手法においては、インダクタは、多導体結合マイクロストリップ線を使用して解析される。ＲＦ及びマイクロ波の回路のための１０の集中素子のこの技法は、２ターンについて最大で約１８ＧＨｚまでのスパイラルインダクタの性能を適度によく予測する。櫛歯型コンデンサの初期理論については、Alleyが発表し、Joshi et al.は、これらのコンデンサについての修正された式を提示した。Mondalは、結合線手法に基づいて、ＭＩＭコンデンサの分散モデルについて報告した。Pengelly et al.は、Ｑ係数に特に重点を置いて、インダクタ及び櫛歯型コンデンサを含む、ＧａＡｓ上の異なる集中素子に関する最初の広範な結果を提示した。Pettenpaul et al.は、基本マイクロストリップ理論及び回路網解析と共に数値解法を使用する集中素子モデルについて報告した。一般に、解析モデルは、集中素子の電気性能を推測するのに優れている。マイクロ波周波数における集中Ｌ、Ｃ、Ｒ素子の実現は、構成要素のサイズを動作波長よりもはるかに小さく維持することによって可能である。しかしながら、構成要素のサイズが１／１０よりも大きくなると、これらの構成要素は、抵抗、キャパシタンス、及びインダクタンスなどの望ましくない関連の寄生成分をもたらす。ＲＦ周波数及びより高い周波数では、寄生成分のリアクタンスはより著しくなり、周波数の上昇により、結果的に、より高い損失及びスプリアス共振がもたらされることになる。したがって、経験的表現は、ＬＥ性能を正確に予測するほど正確ではない。一旦、集中素子が、電磁（ＥＭ，electromagnetic）シミュレーション又は測定結果のいずれかによって正確に特徴付けられると、寄生リアクタンスは、構成要素の不可欠な一部になり、それらの効果は、設計内に含められ得る。ワークステーション計算能力及びユーザフレンドリーのソフトウェアにおける近年の進歩は、ＥＭ場シミュレータの開発を可能にしている。これらのシミュレータは、伝送線などの単一及び多層の受動回路素子及びそれらの不連続性、パッチ、多層構成要素、すなわち、インダクタ、コンデンサ、抵抗器、ビアホール、エアブリッジ、インダクタ変成器、及びパッケージなど、並びに様々な回路素子間の受動結合のシミュレーションの重要な役割を果たす。密に詰められたモノリシックマイクロ波集積化回路（ＭＭＩＣ，Monolithic Microwave Integrated Circuit）の性能に対する放射線、表面波、及び構成要素間の相互作用の効果の正確な評価は、３次元（３Ｄ）ＥＭシミュレータを使用してのみ計算され得る。集中素子の正確なモデルを開発する最も一般に使用される方法は、ＤＣ抵抗及びＳパラメータデータを測定することによる。このモデル化手法により、迅速で正確な結果が得られるが、それらの結果は、一般に、測定されるデバイスのみに限定される。ＥＣモデルパラメータは、適用例に応じて、測定されたＤＣ及びＳパラメータデータ（１又は２ポートのデータ）を最大で２６又は４０ＧＨｚまで相関させるコンピュータ最適化によって抽出される。モデルパラメータ値の正確度は、近年開発されたオンウェハ較正標準及び技法を使用することによって測定正確度と同程度にすることができる。等価な回路モデルは、最初の並列共振周波数（ｆｒｅｓ）まではほとんど有効である。しかしながら、設計が高調波に関わっているとき、例えば、出力部において第２及び第３の高調波の終端部を備える電力増幅器では、最高設計周波数まで働くＥＭシミュレーションデータ、又はより高次の共振を考慮するより複雑なモデルのいずれかが必要である。動作周波数がｆｒｅｓ／３未満である場合には、上述のモデルは適当である。ＲＦ周波数及びマイクロ波周波数においては、ＬＥの抵抗は、表皮効果に起因して、それらのＤＣ値とは全く異なる。ＲＦ信号がＬＥにわたって印加されたとき、導体材料の有限導電率に起因して、ＥＭ場は、導体にその断面に沿って制限された深さしか侵入しない。場が表面における値の１／ｅ（約３６．９％）に減少する導体内の距離は、侵入深さ、又は表皮深さと呼ばれる。この効果は、周波数に応じ、侵入深さは周波数の増加と共に減少する。ＲＦ電流の流れは、表面のみに限定され、その結果、ＤＣ値よりも高いＲＦ表面抵抗がもたらされる。この効果は、構成要素内の抵抗損失の正確なモデル化の間、考慮される。」と記述されている。
ストリップラインとしても知られているマイクロストリップ伝送線は、優れた共振器／フィルタを作製し、サイズ及び性能の観点から、集中素子フィルタよりも優れた妥協案を提案することができる。マイクロストリップ回路を製造するのに使用されるプロセスは、精密な薄膜プロセスを使用するプリント回路ボードを製造するのに使用されるプロセスと非常に似ているが、石英基板、セラミック基板、サファイア基板、及び金などのより低い抵抗の金属を使用して、低い電力／損失のＲＦ適用例に必要な性能を得ることが必要である。
同軸導波管（ＣＷ，Coaxial Waveguide）フィルタは、平面伝送線よりも高いＱ係数を提供し、高性能ＲＦ適用例において使用される。同軸共振器は、それらのサイズを低減させるために、高誘電率材料を活用することができる。周波数、サイズに反比例するＣＷフィルタのサイズは、セラミック基板に関して３０ＧＨｚを上回る周波数において２ｃｍ２未満に達することができる。セラミック基板と物理的サイズとの組合せにより、フィルタが、これらのフィルタを他のＲＦフィルタと比べて高価にすること及び大型にすることが避けられ、そのため、市販の可搬型で小型のＲＦ製品には一般に使用されていない。
最も一般的なＲＦフィルタのうちの１つは、表面弾性波（ＳＡＷ，surface acoustic wave）及び／又はバルク弾性波（ＢＡＷ，bulk acoustic wave）である。ＳＡＷとＢＡＷとは共に、動作周波数が圧電材料における音速を超えると、信号対雑音比の減少を呈する。単一の結晶ＢＡＷデバイスは、より高い性能を有するように示されているが、周波数が圧電材料の音速を超えるときの信号対雑音の劇的な急減を被りもする。ＳＡＷフィルタ及びＢＡＷフィルタにおいて使用される圧電材料の音速により、それらの適用例が３ＧＨｚ未満の周波数に限定されている。
２００３年に発表されたInder Bahlによる書籍、Lumped Elements for RF and Microwave Circuits
全てのこれらの利点にもかかわらず、依然として、既存のデバイスには、信号対雑音比を増加させ、構築が容易で安価であり、（１）ＰＣＢ相互接続部、（２）長尺の金属再配線、（３）ボンドパッド、（４）はんだボール、（５）基板損失及び誘電率／損失正接、並びに／又は（６）一貫性のない組立てからの損失を排除する改善の必要性がある。
１つの実施形態においては、本発明は、集積化集中素子デバイスが光限定性ガラスの中又は上にシステムインパッケージ（ＳｉＰ，system-in-package）として形成される、パッケージの中にシステムを生成するための方法を含み、この方法は、１又は２以上の構造体を備える設計レイアウトをマスキングして、感光性ガラス基板の上又は中に１又は２以上の電気的構成要素を形成するステップと、感光性ガラス基板の少なくとも一部分を活性化エネルギー源に露光するステップと、少なくとも１０分間、感光性ガラス基板をそのガラス転移温度を超えて加熱するステップと、露光されたガラスの少なくとも一部を結晶材料に変成させるように感光性ガラス基板を冷却して、ガラス結晶基板を形成するステップと、ガラス結晶基板をエッチャント溶液でエッチングして、デバイスの中に１又は２以上のチャネルを形成するステップであって、ガラス結晶基板が、トレンチに隣接しており、セラミック相に変換されてもよい、ステップと、トレンチを充填し光限定性ガラスの表面上に堆積する銅の電気めっきを可能にするように、エッチングステップ中に露光されるガラス結晶基板の表面においてシード層を堆積、成長、又は選択的にエッチングするステップとを含み、集積化集中素子デバイスは、等価な表面実装型デバイスと比較したとき、光限定性ガラスの中又は上にシステムインパッケージ（ＳｉＰ）に実装されるパッケージ集中素子デバイスから寄生雑音及び損失を少なくとも２５％、低減させる。１つの態様においては、方法は、集積化集中素子デバイスがＳｉＰ内にあるアイソレータを形成するステップをさらに含む。別の態様においては、方法は、集積化集中素子デバイスがＳｉＰの中にあるサーキュレータを形成するステップをさらに含む。別の態様においては、方法は、集積化集中素子デバイスがＳｉＰの中にあるＲＦフィルタを形成するステップをさらに含む。別の態様においては、方法は、集積化集中素子デバイスがＳｉＰの中にあるローパス、ハイパスフィルタ、ノッチフィルタ、バンドパスフィルタ、変成器（transformer）、サーキュレータ、アイソレータのうちの少なくとも１つを形成するステップをさらに含む。別の態様においては、方法は、光限定性ガラス基板の中又は上に電力結合器、電力分割器ＲＦ回路を形成するステップをさらに含む。別の態様においては、方法は、等価な表面実装型デバイスと比較したとき、ＲＦ寄生信号損失の少なくとも３０％を排除するＳｉＰ ＲＦ回路を形成するステップをさらに含む。別の態様においては、方法は、等価な表面実装型デバイスと比較したとき、ＲＦ寄生信号損失（基板への実装素子のパッケージ化に関連する損失）の少なくとも３５％を排除するＳｉＰ ＲＦ回路を形成するステップをさらに含む。別の態様においては、方法は、等価な表面実装型デバイスと比較したとき、ＲＦ寄生信号損失の少なくとも５０％を排除するＳｉＰ ＲＦ回路を形成するステップをさらに含む。別の態様においては、方法は、１又は２以上のＲＦフィルタ、ＲＦサーキュレータ、ＲＦアイソレータ、アンテナ、インピーダンスマッチング素子、５０オーム終端素子、集積化接地板、ＲＦ遮蔽素子、ＥＭＩ遮蔽素子、ＲＦ結合器、ＲＦ分割器、変成器、スイッチ、電力分割器、電力結合器、及び／又はダイプレクサを形成するステップをさらに含む。
本発明の別の実施形態は、本明細書に上述の方法によって作製される光限定性ガラス基板の中又は上のシステムインパッケージ（ＳｉＰ）に実装されるパッケージ集中素子デバイスを含む。１つの態様においては、デバイスは、集積化集中素子デバイスがＳｉＰの中にあるアイソレータである。別の態様においては、デバイスは、集積化集中素子デバイスがＳｉＰの中にあるサーキュレータである。別の態様においては、デバイスは、集積化集中素子デバイスがＳｉＰの中にあるＲＦフィルタである。別の態様においては、デバイスは、集積化集中素子デバイスがＳｉＰの中にあるローパスフィルタ、ハイパスフィルタ、ノッチフィルタ、バンドパスフィルタ、変成器、サーキュレータ、アイソレータのうちの少なくとも１つである。別の態様においては、デバイスは、光限定性ガラス基板の中又は上の電力結合器、電力分割器ＲＦ回路である。別の態様においては、デバイスは、等価な表面実装型デバイスと比較したとき、ＲＦ寄生信号損失の少なくとも３０％を排除するＳｉＰ ＲＦ回路である。別の態様においては、デバイスは、等価な表面実装型デバイスと比較したとき、ＲＦ寄生信号損失の少なくとも３５％を排除するＳｉＰ ＲＦ回路である。別の態様においては、方法は、等価な表面実装型デバイスと比較したとき、ＲＦ寄生信号損失の少なくとも５０％を排除するＳｉＰ ＲＦ回路を形成するステップをさらに含む。別の態様においては、デバイスは、１又は２以上のＲＦフィルタ、ＲＦサーキュレータ、ＲＦアイソレータ、アンテナ、インピーダンスマッチング素子、５０オーム終端素子、集積化接地板、ＲＦ遮蔽素子、ＥＭＩ遮蔽素子、ＲＦ結合器、ＲＦ分割器、変成器、スイッチ、電力分割器、電力結合器、及び／又はダイプレクサである。
さらなる別の実施形態においては、本発明は、集積化集中素子デバイスが光限定性ガラスの中又は上にシステムインパッケージ（ＳｉＰ）として形成される、パッケージの中にシステムを生成するための方法を含み、この方法は、１又は２以上の構造体を備える設計レイアウトをマスキングして、感光性ガラス基板の上又は中に１又は２以上の電気的構成要素を形成するステップと、露光されたガラスの少なくとも一部を結晶材料に変成して、ガラス結晶基板を形成するステップと、ガラス結晶基板をエッチャント溶液でエッチングして、デバイスの中に１又は２以上のチャネルを形成するステップであって、ガラス結晶基板が、トレンチに隣接しており、セラミック相に変換されてもよい、ステップと、トレンチを充填し光限定性ガラスの表面上に堆積する銅の電気めっきを可能にするように、エッチングステップ中に露光されるガラス結晶基板の表面においてシード層を堆積、成長、又は選択的にエッチングするステップとを含み、集積化集中素子デバイスは、等価な表面実装型デバイスと比較したとき、光限定性ガラスの中又は上にシステムインパッケージ（ＳｉＰ）に実装されるパッケージ集中素子デバイスから寄生雑音及び損失を少なくとも２５％、低減させる。１つの態様においては、方法は、集積化集中素子デバイスがＳｉＰの中にあるアイソレータを形成するステップをさらに含む。別の態様においては、方法は、集積化集中素子デバイスがＳｉＰの中にあるサーキュレータを形成するステップをさらに含む。別の態様においては、方法は、集積化集中素子デバイスがＳｉＰの中にあるＲＦフィルタを形成するステップをさらに含む。別の態様においては、方法は、集積化集中素子デバイスがＳｉＰの中にあるローパスフィルタ、ハイパスフィルタ、ノッチフィルタ、バンドパスフィルタ、変成器、サーキュレータ、アイソレータのうちの少なくとも１つを形成するステップをさらに含む。別の態様においては、方法は、光限定性ガラス基板の中又は上に電力結合器、電力分割器ＲＦ回路を形成するステップをさらに含む。別の態様においては、方法は、等価な表面実装型デバイスと比較したとき、ＲＦ寄生信号損失の少なくとも３０％を排除するＳｉＰ ＲＦ回路を形成するステップをさらに含む。別の態様においては、方法は、等価な表面実装型デバイスと比較したとき、ＲＦ寄生信号損失の少なくとも３５％を排除するＳｉＰ ＲＦ回路を形成するステップをさらに含む。別の態様においては、方法は、等価な表面実装型デバイスと比較したとき、ＲＦ寄生信号損失の少なくとも５０％を排除するＳｉＰ ＲＦ回路を形成するステップをさらに含む。別の態様においては、方法は、１又は２以上のＲＦフィルタ、ＲＦサーキュレータ、ＲＦアイソレータ、アンテナ、インピーダンスマッチング素子、５０オーム終端素子、集積化接地板、ＲＦ遮蔽素子、ＥＭＩ遮蔽素子、ＲＦ結合器、ＲＦ分割器、変成器、スイッチ、電力分割器、電力結合器、及び／又はダイプレクサを形成するステップをさらに含む。
本発明の別の実施形態は、本明細書に上述の方法によって作製される光限定性ガラス基板の中又は上にシステムインパッケージ（ＳｉＰ）に実装されるパッケージ集中素子デバイスを含む。１つの態様においては、デバイスは、集積化集中素子デバイスがＳｉＰの中にあるアイソレータである。別の態様においては、デバイスは、集積化集中素子デバイスがＳｉＰの中にあるサーキュレータである。別の態様においては、デバイスは、集積化集中素子デバイスがＳｉＰの中にあるＲＦフィルタである。別の態様においては、デバイスは、集積化集中素子デバイスがＳｉＰの中にあるローパスフィルタ、ハイパスフィルタ、ノッチフィルタ、バンドパスフィルタ、変成器、サーキュレータ、アイソレータのうちの少なくとも１つである。別の態様においては、デバイスは、光限定性ガラス基板の中又は上の電力結合器、電力分割器ＲＦ回路である。別の態様においては、デバイスは、基板への実装素子のパッケージ化に関連するＲＦ寄生信号の少なくとも３０％を排除するＳｉＰ ＲＦ回路である。別の態様においては、デバイスは、基板への実装素子のパッケージ化に関連するＲＦ寄生信号の少なくとも３５％を排除するＳｉＰ ＲＦ回路である。別の態様においては、デバイスは、１又は２以上のＲＦフィルタ、ＲＦサーキュレータ、ＲＦアイソレータ、アンテナ、インピーダンスマッチング素子、５０オーム終端素子、集積化接地板、ＲＦ遮蔽素子、ＥＭＩ遮蔽素子、ＲＦ結合器、ＲＦ分割器、変成器、スイッチ、電力分割器、電力結合器、及び／又はダイプレクサである。
本発明の特徴及び利点をより完全に理解するために、次に、添付の図に沿って本発明の詳細な説明を参照する。
本発明のシステムインパッケージ（ＳｉＰ）対表面実装技術（ＳＭＴ，Surface-Mount Technology）におけるコンデンサの性能に対するキャパシタンスの寄生信号／損失の影響を示すグラフである。 本発明のＳｉＰ対ＳＭＴにおけるインダクタの性能に対する寄生信号／損失の影響を示すグラフである。 本発明のＰＣＢ上の表面実装パッケージにおける３０ＧＨｚバンドパスフィルタ及びＲＦの歪みの性能を示すグラフである。 本発明の２８ＧＨｚのＳｉＰバンドパスフィルタの性能を示すグラフである。 本発明のＳｉＰベースの２．５ＧＨｚローパスフィルタの性能を示すグラフである。 本発明のＳｉＰベースの２．５ＧＨｚローパスフィルタの画像である。 本発明のＳｉＰベースの１９ＧＨｚバンドパスフィルタの性能を示すグラフである。 本発明のＳｉＰベースの１９ＧＨｚバンドパスフィルタの画像である。 本発明のＳｉＰベースの２４ＧＨｚバンドパスフィルタの性能を示すグラフである。 本発明のＳｉＰベースの２４ＧＨｚバンドパスフィルタの画像である。 本発明のＳｉＰベースの３３ＧＨｚローパスフィルタの性能を示すグラフである。 本発明のＳｉＰベースの３３ＧＨｚローパスフィルタの画像である。 本発明のＳｉＰベースの２８ＧＨｚバンドパスフィルタの性能を示すグラフである。 本発明のＳｉＰベースの２８ＧＨｚバンドパスフィルタの画像である。 本発明のＳｉＰベースの７ＧＨｚバンドパスフィルタの性能を示すグラフである。 本発明の複数のＳｉＰベースの７ＧＨｚバンドパスフィルタの画像である。 本発明のＳｉＰベースのフィルタの挿入損失を示すグラフである。 本発明の集中素子を含むドハティ増幅器設計を示す図である。 電力分割器／結合器を示す図である。 終端抵抗器が集中素子サーキュレータに接続されているときのサーキュレータを示す図であり、それは、アイソレータになる。 本発明の集積化集中素子デバイスを備えるガラスベースのＳｉＰを示す図である。ＳｉＰは、およそ０．５ｃｍ×０．５ｃｍである。 本発明の集積化集中素子デバイスを備えるガラスベースのＳｉＰのサンプル化を示している。ＳｉＰのサイズに応じて、単一のウェハ上に多数のＳｉＰが存在し得る。 本発明を使用するデバイスを作製するプロセスを示す図である。 本発明を使用するデバイスを作製するさらなる処理ステップを示す図である。
本発明の様々な実施形態の作製及び使用について詳細に後述するが、本発明が幅広い多様な特定の文脈で具現化され得る多くの適用可能な発明概念を提供していることを認識すべきである。本明細において論じる特定の実施形態は、単に本発明を作製し使用するための特定のやり方を示しているにすぎず、本発明の範囲を定めるものではない。
本発明の理解を容易にするために、いくつかの用語が以下に定義される。本明細書において定義される用語は、本発明に関係する分野の当業者によって一般に理解される意味を有する。「ａ」、「ａｎ」及び「ｔｈｅ」などの用語は、単数形の実体のみを示すように意図するものではなく、特定の例が例示に使用され得る概括的なクラスを含む。本明細書における専門用語は、本発明の特定の実施形態について説明するのに使用されるが、それらの用法は、特許請求の範囲において概説されていない限り、本発明を限定するものではない。
本発明は、ＲＦドメインにおける集中素子デバイスに関連する寄生損失及び寄生信号を排除する。集中素子デバイス又は集中素子デバイスの配列は、広い数の電子デバイス及び機能を実装するためのコンデンサ、インダクタ、及び抵抗器からなり、これらの電子デバイス及び機能は、寄生信号若しくは寄生損失を排除又は大いに低減するマイクロ波及び高周波のための光限定性ガラスセラミックのシステムインパッケージ（ＳｉＰ）の中に、フィルタ（バンドパスフィルタ、バンドストップフィルタ、ハイパスフィルタ、ノッチフィルタ、ローパスフィルタ）、サーキュレータ、アンテナ、電力調節部、電力結合器、電力分割器、マッチング回路網、アイソレータ、及び／又はドハティ電力増幅器を含む。寄生信号又は寄生損失は、パッケージ化された集中素子デバイスをＳｉＰに取り付けるパッケージ化、はんだボンディング（ボールグリッド）、電子コネクタ（ワイヤ）、電気的ボンドパッド、及び実装素子からのインダクタンス、キャパシタンス、及び抵抗と組み合わせられるアンテナ効果から生じさせられる。歪み信号又は損失は、プリント回路ボード又は基板上の他のＲＦデバイスに伝送される。実際の意図された性能から大きい性能変動を生成するのに十分な変動が集中素子の従来のパッケージ化及び実装には存在する。これらの変動は、パッケージ化におけるわずかな差に起因してランダムであるように見え、それにより、ＲＦ製品に多数の設計の繰返し及び／又は手動のトリミング／訂正に耐えさせて、所望の動作エンベロープを満たす最終的なＲＦ回路を生成する。ＲＦパッケージ化及び素子実装に関連する歪みを排除することにより、ＲＦフィルタデバイスは、設計され／シミュレーションされるようにあらかじめ形成することが可能になる。光限定性ガラスセラミックＳｉＰに集中素子デバイスを集積化することにより、回路は、ＲＦスペクトル全体を通して設計されシミュレーションされるようにあらかじめ形成することが可能になる。これらの集中素子デバイス構造体は、デバイスパリティ、より低い損失、低信号歪み、低減した寄生キャパシタンス、低減した費用、及びより小さい物理的サイズに対する設計により、２次元又は３次元の集中素子デバイスを形成するように、個別に又は同時のいずれかで、水平平面だけでなく垂直平面でも構成されている。
背景技術において説明したように、感光性ガラス構造体は、集積化電子素子などを他の素子システム又はサブシステムと併用するいくつかのマイクロマシニングプロセス及び微細加工プロセスに対して提案されてきた。本発明は、従来のガラスのシリコン微細加工に対して利点を有し、この従来のガラスは、高価で、歩留まりが低く、一方、射出成形プロセス又はエンボスプロセスでは、一貫性のない形状が生産されている。本発明は、シリコン微細加工プロセスに対して付加的利点を有し、このシリコン微細加工プロセスは、高価な資本設備、総じて１００万ドルを超える費用がそれぞれにかかるフォトリソグラフィー及び反応性イオンエッチング又はイオンビームミリングのツールに依存しており、これらのツールには、何百万〜何十億超えという費用のかかる超清浄高生産のシリコン加工施設が必要である。本発明は、射出成形及びエンボスに伴う問題も克服し、この射出成形及びエンボスは、転写の際に欠陥を生じさせ、又は確率論的な硬化プロセスに起因して差をもたらす。理想的なインダクタは、抵抗とキャパシタンスがゼロになる。しかし、実際のインダクタは、「寄生」抵抗、インダクタ、及びキャパシタンスを有する。インダクタの第１の自己共振周波数は、インダクタがその自己キャパシタンスにより共振する最低周波数である。第１の共振は、インダクタンスとキャパシタンスとの並列組合せによってモデル化され得る。抵抗器「Ｒ１」は、インダクタの自己共振周波数（ＳＲＦ，self-resonant frequency）における共振周波数付近のインピーダンスを制限し、次の条件のうちの全てが満たされる：（１）入力インピーダンスは、そのピークである、（２）入力インピーダンスの相角度は、正（誘導性）から負（容量性）へと移行して、ゼロである、（３）相角度がゼロであるので、Ｑはゼロである、（４）負の容量性リアクタンス（Ｘｃ＝１／ｊωＣ）は、正の誘導性リアクタンス（ＸＬ＝ｊωＬ）を取り消すだけであるので、実効インダクタンスはゼロである、（５）２ポート挿入損失（例えば、Ｓ２１ｄＢ）は、最大値であり、これは、周波数対Ｓ２１ｄＢのプロットの中の最小値に対応する、及び（６）２ポート相（例えば、Ｓ２１）の角度は、より低い周波数における負からより高い周波数における正へと移行して、ゼロである。
これらのニーズに対処するために、本発明者らは、半導体、ＲＦエレクトロニクス、マイクロ波エレクトロニクス、及び光学撮像用の新規なパッケージ化及び基板材料としてガラスセラミック（APEX（登録商標）ガラスセラミック）を開発した。APEX（登録商標）ガラスセラミックは、単純な３ステッププロセスで第一世代の半導体設備を使用して処理され、最終材料は、ガラス若しくはセラミックのいずれかに形作られ、又はガラスとセラミックとの両方の領域を包含することができる。APEX（登録商標）ガラスセラミックは、次、すなわち、簡単に加工された高密度のビアと、電子デバイスとのうちの一方又は一部を含むＳｉＰの生成を可能にし、この電子デバイスは、インダクタ、コンデンサ、抵抗器、伝送線、同軸線、アンテナ、マイクロプロセッサ、メモリ、増幅器、トランジスタ、マッチング回路網、ＲＦフィルタ、ＲＦサーキュレータ、ＲＦアイソレータ、インピーダンスマッチング素子、５０オーム終端素子、集積化接地板、ＲＦ遮蔽素子、ＥＭＩ遮蔽素子、ＲＦ結合器、ＲＦ分割器、変成器、スイッチ、マルチプレクサ、及び／又はダイプレクサを含む。
図１Ａは、同じ３ｐＦコンデンサと５ｐＦコンデンサとのテスト結果を示している。１組のコンデンサが、ガラスＳｉＰ上に集積化され、テストされた。他の組のコンデンサは、表面実装技術（ＳＭＴ）でパッケージ化され、テストされた。結果的に生じるデータは、ＳｉＰ集積化コンデンサが、ＳＭＴでパッケージ化される同じコンデンサと比較して、１５０％〜１３５％の間のより高いＳＲＦを有し、したがって、従来技術に対して著しく改善したことを示した。性能の改善は、ボンディングパッド、ボールボンド、埋込みリード、基板、及びＳＭＴパッケージ化に関連する他の寄生効果から損失を取り除くことに起因する。図１Ｂは、ＳＭＴか、又は集積化ＳｉＰかのいずれかにおいて測定される２つのインダクタ（５６ｎＨと９５ｎＨ）間の性能を示している。ＳｉＰベースのインダクタは、ＳＭＴパッケージ化のパッドによって生じさせられるキャパシタンスに関連する寄生損失又は信号を取り除くことに起因してＳＭＴの一部よりもＳＲＦが５０％高い。平均的な集積化ＳｉＰ構成要素に関しては、ＳＭＴと正確に同じ一部と比較してＳＲＦが５０％高い。ＳＭＴデバイスに対する集積化ＳｉＰデバイス間の性能差がｄＢ単位で測定されるとき、パッケージの中にシステムを作製するのに使用される他のＲＦ／マイクロ波構成要素に加えて、フィルタ、ドハティ増幅器、サーキュレータ、アイソレータ、アンテナ、電力分割器、電力結合器において実現されるインダクタとコンデンサとの組合せの使用に関連する寄生損失又は信号を付加することができる。損失の組合せに関しては、図２Ａ〜図２Ｄでわかり得る。図２Ａ及び図２Ｂは、ＳｉＰに集積化される集中素子フィルタの性能と、表面実装デバイス（ＳＭＤ）パッケージの中にパッケージ化されるその他との差を示している。図１Ａは、プリント回路ボードベースのＳｉＰにおいて実装されるＳＭＤパッケージ内の集中素子バンドパスフィルタのための信号を示している。図１Ｂは、ガラスベースのＳｉＰに直接、集積化される同じ集中素子バンドパスフィルタの信号を示している。図１Ａ及び図１Ｂの性能曲線の下のエリア間の正規化差は、およそ２００％である。これは、ＳｉＰ基板の中に直接、集積化されるＲＦ集中素子デバイスの使用により、寄生雑音及び損失が、最大で２００％低減又は排除されることを示している。損失、歪み／雑音、寄生信号及び劣っている性能品質係数を排除すると、ＳｉＰベースの集中素子デバイスは、１２０よりもはるかに大きい品質係数のインダクタと共に、８０よりもはるかに大きい品質係数のコンデンサを有することができる。ＳｉＰの中に直接、集積化される集中素子デバイスの性能の向上により、この場合、小さい形状サイズにより結合され得るＲＦ／マイクロ波デバイスにおける劇的に改善した機能が実証されている。ＳｉＰの中又はＳｉＰの上の直接、集積化された集中素子ベースのデバイスは、ＲＦフィルタ、ＲＦサーキュレータ、ＲＦアイソレータ、アンテナ、インピーダンスマッチング素子、５０オーム終端素子、集積化接地板、ＲＦ遮蔽素子、ＥＭＩ遮蔽素子、ＲＦ結合器、ＲＦ分割器、変成器、スイッチ、電力分割器、電力結合器、及び／又はダイプレクサを含むが、これらに限定するものではない。ＳｉＰ上のこれらの直接、集積化された集中素子デバイスは、集積化回路デバイスと接続される。これらの集積化回路デバイスは、マイクロプロセッサ、マルチプレクサ、スイッチ、増幅器、及びメモリを含むが、これらに限定するものではない。図３Ａは、本発明のＳｉＰベースの１９ＧＨｚバンドパスフィルタの性能を示すグラフである。図３Ｂは、本発明のＳｉＰベースの１９ＧＨｚバンドパスフィルタの画像である。
図４Ａは、本発明のＳｉＰベースの２４ＧＨｚバンドパスフィルタの性能を示すグラフである。本発明は、キャパシタンス対周波数を測定したとき、本発明のＳｉＰ対ＳＭＴについて１５０％及び１３５％、信号を改善した。図４Ｂは、ＳｉＰベースの２４ＧＨｚバンドパスフィルタの性能を示すグラフである。本発明は、インダクタンス対周波数を測定したとき、ＳＭＴと比較したとき、本発明のＳｉＰを使用して５０％、信号を改善した。
図５Ａは、本発明のＳｉＰベースの３３ＧＨｚローパスフィルタの性能を示すグラフである。図５Ｂは、本発明のＳｉＰベースの３３ＧＨｚローパスフィルタの画像を示している。
図６Ａは、本発明のＳｉＰベースの２８ＧＨｚバンドパスフィルタの性能を示すグラフである。図６Ｂは、本発明のＳｉＰベースの２８ＧＨｚバンドパスフィルタの画像を示している。
図７Ａは、本発明のＳｉＰベースの７ＧＨｚバンドパスフィルタの性能を示すグラフである。図７Ｂは、本発明の複数のＳｉＰベースの７ＧＨｚバンドパスフィルタの画像を示している。
図８は、本発明のＳｉＰベースのフィルタの挿入損失を示すグラフである。
図９は、本発明を使用して作製され得る集中素子を含むドハティ増幅器設計を示している。図１０は、本発明を使用して作製され得る電力分割器／結合器を示している。図１１は、終端抵抗器が集中素子サーキュレータに接続されているときのサーキュレータを示し、それは、アイソレータになり、本発明を使用して作製され得る。図１２は、本発明の集積化集中素子デバイスを備えるガラスベースのＳｉＰを示している。ＳｉＰは、およそ０．５ｃｍ×０．５ｃｍである。図１３は、本発明の集積化集中素子デバイスを備えるガラスベースのＳｉＰのサンプル化を示している。ＳｉＰのサイズに応じて、単一のウェハ上に多数のＳｉＰが存在し得る。
具体的には、集積化集中素子ＲＦデバイスを備えるＳｉＰは、従来の半導体処理設備を使用するAPEX（登録商標）ガラスにおけるデバイスパリティに対する設計により生産されてきた。APEX（登録商標）ガラスＳｉＰ内の集積化集中素子ＲＦフィルタは、図１２でわかり得る。このAPEX（登録商標）ガラスＳｉＰは、集積化集中素子デバイスを備える。ＳｉＰの中心における空きエリアは、ＳｉＰを完成するように集積化回路を配置するためにある。図１３は、本発明の集積化集中素子デバイスを備えるガラスベースのＳｉＰのサンプル化を示している。ＳｉＰのサイズに応じて、単一のウェハ上に多数のＳｉＰが存在し得る。APEX（商標）ガラスウェハには、集積化集中素子デバイスを備える５００超えのＳｉＰが投入された。
十分に集積化された集中素子デバイスを備えるＳｉＰは、光限定性ガラスにおいて生産され得、この光限定性ガラスは、温度安定性が高く、機械的及び電気的特性に優れており、プラスチック及び多くの金属よりも耐化学性に優れている。本発明者らが知る限りでは、唯一の市販の光限定性ガラスは、Schott社製のFOTURAN（商標）である。FOTURAN（商標）は、微量の銀イオンを含有するリチウムアルミニウムシリケートガラスを含む。酸化セリウムの吸収バンド内でＵＶ光に露光されると、酸化セリウムは、光子を吸収し電子を解放する増感剤として作用し、それにより、隣接する酸化銀を還元して銀原子が形成され、例えば、
Ce3+ + Ag+ = Ce4+ + Ag0
である。
銀原子は、ベーキングプロセス中に銀ナノクラスタに合体し、周囲のガラスを結晶化するために核生成サイトを誘導する。マスクを通してＵＶ光に露光された場合、ガラスの露光領域のみ、後続の熱処理中に結晶化することになる。
この熱処理は、ガラス転移温度付近の（例えば、FOTURAN（商標）の場合、空気中で４６５℃よりも高い）温度で実施されなければならない。結晶相は、フッ化水素酸（ＨＦ）などのエッチャントに、露光されていない硝子状の非晶質領域よりも可溶性である。具体的には、FOTURAN（商標）の結晶領域は、１０％ＨＦ中の非晶質領域よりも約２０倍速くエッチングされ、それにより、露光領域が除去されると、壁勾配比が約２０：１のマイクロ構造体が可能になる。本明細書に参照することによって組み込まれているT. R. Dietrich et al., "Fabrication technologies for microsystems utilizing photoetchable glass," Microelectronic Engineering 30, 497 (1996)を参照されたい。
好ましくは、成形されたガラス構造体は、少なくとも１又は２以上の２次元又は３次元の誘導性デバイスを包含する。誘導性デバイスは、一連の接続されたループを作製することによって形成されて、自立インダクタを形成する。ループは、長方形、円形、楕円形、フラクタル、又は誘導を生じさせるパターンを生成する他の形状のいずれかとすることができる。APEX（登録商標）ガラスのパターン化領域には、めっき又は気相堆積を含むいくつかの方法によって、金属、合金、複合材、ガラス、又は他の磁気媒体が充填され得る。デバイス内の構造体（ループ、ターン、又は他の誘導性素子）の寸法と数が組み合わせられる媒体の磁気誘電率により、デバイスのインダクタンスがもたらされる。
FOTURAN（商標）については、Invenios社（FOTURAN（商標）の米国の供給業者）によって供給される情報に記載されており、これは、酸化シリコン（ＳｉＯ２）７５〜８５重量％、酸化リチウム（Ｌｉ２Ｏ）７〜１１重量％、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）３〜６重量％、酸化ナトリウム（Ｎａ２Ｏ）１〜２重量％、三酸化アンチモニウム（Ｓｂ２Ｏ３）又は酸化ヒ素（Ａｓ２Ｏ３）０．２〜０．５重量％、酸化銀（Ａｇ２Ｏ）０．０５〜０．１５重量％、及び酸化セリウム（ＣｅＯ２）０．０１〜０．０４重量％から構成される。本明細書において使用されるとき、「APEX（登録商標）ガラスセラミック」、「APEXガラス」、又は単に「APEX」という用語は、本発明のガラスセラミック組成物の１つの実施形態を表すために使用される。
本発明は、レンズに使用される成形APEXガラス構造体によって撮像適用例に使用するための、及び貫通層又は層内の設計を含む光限定性APEXガラスを備える光学マイクロ構造体を加工するための単一材料手法を提供する。
概ね、ガラスセラミック材料は、マイクロ構造体の形成において限られた成功しか収めておらず、性能、均一性、他者による使用可能性、及び入手可能性の問題に悩まされてきた。過去のガラスセラミック材料は、歩留まりエッチングアスペクト比がおよそ１５：１であるのとは対照的に、APEX（登録商標）ガラスは、平均エッチングアスペクト比が５０：１よりも大きい。これにより、使用者は、より小さくより深い形状を生成することが可能になる。加えて、本発明者らの製造プロセスにより、９０％よりも高い製品歩留まりが可能になる（これまでのガラス歩留まりは、５０％前後である）。最後に、これまでのガラスセラミックでは、ガラスのおよそ３０％しか、セラミック状態に変換されず、一方、APEX（登録商標）ガラスセラミックの場合、この変換は、７０％前後である。
APEX（登録商標）ガラス組成物は、その性能の向上について３つの主な仕組みを提供する：（１）銀の量が多いほど、より小さいセラミック結晶の形成につながり、これは粒界においてより速くエッチングされる、（２）シリカ含有量（ＨＦ酸によってエッチングされる主な構成成分）の減少により、露光されていない材料の望ましくないエッチングが減少する、並びに（３）アルカリ金属及び酸化ホウ酸の全重量パーセントが高いほど、製造中にさらにより均質なガラスが生産される。
本発明は、電磁透過、変成器、フィルタリング適用例に使用される誘導性構造体を形成するのに使用するためのガラスセラミック構造体を加工するための方法を含む。本発明は、ガラスセラミック構造体の多平面内に生成される誘導性構造体を含み、そのようなプロセスは、（ａ）基板の向き又はエネルギー源の向きのいずれかを変更することによって様々な角度において露光が生じるように、励起エネルギーに露光するステップ、（ｂ）ベーキングステップ、及び（ｃ）エッチングステップを採用する。角度のサイズは、鋭角又は鈍角のいずれであってもよい。湾曲した構造体及び指状の構造体は、ほとんどのガラス、セラミック、又はシリコンの基板に生成することが実現不可能ではなくとも困難である。本発明は、ガラスセラミック基板のための水平平面だけでなく垂直平面にもそのような構造体を生成できる能力を生み出している。本発明は、ガラスセラミックの上又は中に誘導性構造体を加工するための方法を含む。
ガラスのセラミック化は、ガラス基板全体をおよそ２０Ｊ／ＣＭ２の３１０ｎｍ照明に露光することによって達成される。ガラス空間をセラミック内に生成することを試みるとき、使用者は、ガラスがガラスのままの状態に維持すべきところを除いて、材料の全てを露光する。１つの実施形態では、本発明は、直径が異なる種々の同心円を包含する石英／クロムマスクを提供する。
本発明は、電気マイクロ波及び高周波の適用例におけるガラスセラミック構造体の上又は中に誘導性デバイスを加工するための方法を含む。ガラスセラミック基板は、シリカ６０〜７６重量％、Ｋ２Ｏ少なくとも３重量％及びＫ２ＯとＮａ２Ｏとの組合せ６〜１６重量％、Ａｇ２Ｏ及びＡｕ２Ｏからなる群から選択される少なくとも１つの酸化物０．００３〜１重量％、Ｃｕ２Ｏ０．００３〜２重量％、Ｂ２Ｏ３０．７５〜７重量％、Ａｌ２Ｏ３６〜７重量％、Ｂ２Ｏ３とＡｌ２Ｏ３との組合せ１３重量％以下、Ｌｉ２Ｏ８〜１５重量％、及びＣｅＯ２０．００１〜０．１重量％を含むが、これらに限定されない広い数の組成変形形態を有する感光性ガラス基板とすることができる。この及び他の様々な組成物は、一般に、APEX（登録商標）ガラスと呼ばれる。
露光された部分は、ガラス基板をガラス転移温度付近の温度まで加熱することによって結晶材料に変成させることができる。ガラス基板をフッ化水素酸などのエッチャントでエッチングすると、露光された部分の、露光されていない部分に対する異方性エッチング比は、少なくとも３０：１であり、このとき、ガラスは、広域スペクトル中紫外線（約３０８〜３１２ｎｍ）投光ランプに露光されて、アスペクト比が少なくとも３０：１の成形ガラス構造体がもたらされ、誘導性構造体が生成される。露光用のマスクは、誘導性構造体／デバイスを生成するための湾曲した構造体を形成するように露光するために、連続したグレースケールを提供するハーフトーンマスクとすることができる。ハーフトーンマスク又はグレースケールにより、露光強度を制御することによってデバイス構造体を制御することが可能になる。指状のマスクのアンダーカットもまた、誘導性構造体／デバイスの生成に向けて生産するのに使用され得る投光露光と共に使用され得る。次いで、露光されたガラスは、典型的には、２ステッププロセスでベーキングされる。１０分〜２時間の間、４２０℃〜５２０℃の間で加熱される温度範囲により、銀イオンを銀ナノ粒子へと合体させ、１０分〜２時間の間、５２０℃〜６２０℃の間で加熱される温度範囲により、酸化リチウムは、銀ナノ粒子の周りに形成することが可能になる。次いで、ガラス板は、エッチングされる。ガラス基板は、異方性エッチングによる成形ガラス構造体を提供するように、典型的には５〜１０体積％のＨＦ溶液のエッチャントでエッチングされ、露光された部分の、露光されていない部分に対するエッチング比は、広域スペクトル中紫外線投光照明により露光されたときは、少なくとも３０：１であり、レーザにより露光されたときは、３０：１よりも大きい。
次いで、ガラス構造体は、典型的には、５〜１０体積％のＨＦ溶液のエッチャントでエッチングされる。十分に集積化された集中素子デバイス構造体が、生成される。
本発明及びその利点について詳細に説明してきたが、添付の特許請求の範囲によって定義される本発明の趣旨及び範囲から逸脱することなく、様々な変更、置換、及び代替を本明細書において行うことができることを理解すべきである。所望の回路性能又は材料互換性があるいくつかの場合においては、ＳｉＰは、光限定性ガラスベースのデバイスのうちの１つの代わりに、抵抗器、コンデンサ、又はインダクタのＳＭＤバージョンを使用することを選択することができる。素子のうちの１又は２以上のＳＭＤバージョンを使用すると、組立て及びパッケージ化の際に細心の注意が必要なＳｉＰの寄生発生雑音に寄与することになる。その上、本出願の範囲は、本明細書において記載されるプロセス、機械、製造物、物質の組成物、手段、方法、及びステップの具体的な実施形態に限定されるように意図するものではない。当業者は、本発明の開示から、本明細書において説明される対応する実施形態と実質的に同じ機能を実施し、又は実質的に同じ結果を達成する、現存する又は後に開発されることになるプロセス、機械、製造物、物質の組成物、手段、方法、若しくはステップが、本発明に従って利用可能であることを容易に認識するであろう。したがって、添付の特許請求の範囲は、そのようなプロセス、機械、製造物、物質の組成物、手段、方法、又はステップをそれらの範囲内に含むように意図されている。
図１４Ａ〜図１４Ｆは、本発明を使用してデバイスを作製するプロセスを示している。図１４Ａ〜図１４Ｄは、本発明の１つの例を示している。図１４Ａは、光限定性ガラス１０である出発材料を示し、この光限定性ガラス１０は、ウェハとすることができ、好ましくは、例えば、表面粗さが５０ｎｍ以下で、ＲＭＳ粗さが＜２００Åの表面対表面の平行度が１０％以下の１ｍｍの厚さのAPEX（登録商標）ガラスであってもよい。図１４Ａ〜図１４Ｄのそれぞれにおいては、上面等角図が、破線Ａ−Ａ’に沿って示されている断面側面図と共に示されている。この例においては、ＳｉＰ及びその製造物の抵抗器セクションが示されている。ステップ１からの光限定性ガラスウェハの表面においては、トレンチ／長方形のパターンが形成されている光限定性ガラス１０上にフォトマスクが堆積され、光限定性ガラス１０は、強度が約２０Ｊ／ｃｍ２の３１０ｎｍにおける放射線に露光され、上述の露光を生成するようにベーキングされる。露光の幅、長さ、及び深さは、抵抗器値を決定する、抵抗器媒体の抵抗率と組み合わせられる。上面図と断面側面図は共に、図示の抵抗器のビアパターンを含んで示されている。マスクによってカバーされていない光限定性ガラス１０を露光することにより、光限定性ガラス１０の中にセラミック１２が生成される。
図１４Ｂにおいては、先行ステップにおいて形成されたセラミック１２が、さらに処理される。セラミック１２に変換された光限定性ガラス１０領域は、上述のＨＦ酸のウェットエッチングでエッチングされて、トレンチ１４が形成される。
図１４Ｃにおいては、光限定性ガラス１０のエッチングされた領域には、アルミナ、ＡｌＮ、Ｂｅ、又は他の高周波数抵抗器材料のＲＦ抵抗器ペースト又は媒体１６が充填される。トレンチ１４には、シルクスクリーンプロセスによって堆積される抵抗器ペースト又は媒体１６が充填される。過剰なペーストは、ＤＩ軽水（light DI water）、又はＩＰＡリンス及びナイロン拭き取りによって除去される。
抵抗器ペースト１６を含む光限定性ガラス１０ウェハは、次いで、アルゴン又は真空などの不活性環境を含む焼なまし炉内に置かれる。光限定性ガラス１０ウェハは、抵抗性材料を焼結するように傾斜付けられる。表面上の過剰な抵抗器媒体はいずれも、２μｍシリカ研磨媒体及び水により、５分間のＣＭＰプロセスによって除去され得る。
光限定性ガラス１０には、抵抗器を接続するために、標準フォトレジストが再度、コーティングされる。抵抗器層が堆積可能なフォトレジストを通してパターンを生成するように標準プロセスに続いて、パターンが露光され現像される。ウェハは、照明Ｏ２プラズマに露光されて、そのパターンでいずれの残留有機材料も除去される。典型的には、これは、１分間、２００Ｗ順方向電力により０．１ｍトールにおいて達成される。次に、金属化層１８、例えば、薄膜状のタンタル、チタニウム、ＴｉＮ、ＴｉＷ、ＮｉＣｒ、又は他の同様の媒体が堆積される。典型的には、堆積は、真空堆積によって達成される。シード層の真空堆積は、４０Å／分の速度において、ガラス基板上にリフトオフパターンを通してタンタルをＤＣスパッタリングすることによって達成され得る。
別の方法においては、光限定性ガラス１０ウェハには、標準フォトレジストがコーティングされる。金属シード層が堆積可能なフォトレジストを通してパターンを生成するように標準プロセスに続いて、パターンが露光され現像される。ウェハは、照明Ｏ２プラズマに露光されて、そのパターンでいずれの残留有機材料も除去される。典型的には、これは、１分間、２００Ｗ順方向電力により０．１ｍトールにおいて達成される。４００Åのタンタルの薄膜シード層が、真空堆積によって堆積される。シード層の真空堆積は、４０Å／分の速度において、ガラス基板上にリフトオフパターンを通してタンタルをＤＣスパッタリングすることによって達成され得る。
図１４Ｅに示す別の実施形態においては、ＳｉＰのコンデンサセクションが、マスクを使用して形成される。ステップ１からの光限定性ガラス１０ウェハの表面においては、フォトマスクを使用して、上述の光限定性ガラスにおいてはしご形状の露光部を生成するように、強度約２０Ｊ／ｃｍ２の３１０ｎｍ照明においてコンデンサを撮像する。はしごの踏み板間の間隔は、５〜９５％の間の範囲に及ぶことができる。この構造体は、互いにかみ合った電極ベースのコンデンサを形成する。
図１４Ｆに示す別の実施形態においては、ＳｉＰのインダクタセクションは、マスクを使用して形成される。本明細書に上述の光限定性ガラス１０ウェハ上のコンデンサ又は抵抗器に隣接する表面においては、貫通孔ビアのパターンを含むフォトマスクが作製され、ここでは、ビアの行のうちの一方が、他方の行に対して３０％オフセットされている。ビアパターンは、上述の露光部を生成するように、強度約２０Ｊ／ｃｍ２の３１０ｎｍ放射線において露光される。この図は、インダクタのためのビアパターンの上面図を示している。
セラミックに変換されたガラス領域は、上述のＨＦ酸のウェットエッチングでエッチングされる。光限定性ガラス１０ウェハは、銅めっき槽中に置かれ、この槽は、エッチングされたセラミック構造体を優先的にめっきし、ビア及び上述の互いにかみ合った線構造体を完全に充填する。
図１５Ａ〜図１５Ｆは、本発明を使用してデバイスを作製するためのさらなる処理ステップを示している。図１５Ａは、銅がガラス構造体（ビア及び互いにかみ合った線）を通して充填され、APEXガラス構造体が、インダクタのためのビアを接続しコンデンサのための互いにかみ合ったパターンを仕上げるパターンを有する第２のフォトマスクを使用して露光されることを示している。図１５Ｂは、インダクタの断面図を示している。３１０ｎｍ照明の強度は、０．１Ｊ／ｃｍ２であり、ウェハは、上述したように、３０分間、アルゴンにおいて６００℃でベーキングされる。図１５Ａ及び図１５Ｂは、これにより、最初の数ミクロンの露光されたガラスをセラミックに変換することを示している。ウェハは、金属銀を露光する希釈ＨＦ槽中に置かれる。ウェハは、露光された銀／エッチングされた領域を選択的に金属化する銅めっき溶液中に置かれる。図１５Ｃは、次のステップを示し、ここでは、付加的フォト露光及びエッチングが達成されて、コンデンサの品質係数すなわちＱを改善するように、コンデンサの互いにかみ合った電極間のガラス／セラミック材料を除去することができる。図１５Ｄは、次のステップを示し、ここでは、付加的フォト露光及びエッチングが達成されて、コンデンサの品質係数を改善するように、互いにかみ合った電極間のガラス／セラミック材料を除去し、キャパシタンスを劇的に増加させる高ｋ媒体で充填され得る。図１５Ｅは、次のステップを示し、ここでは、付加的フォト露光及びエッチングが達成されて、インダクタの品質係数すなわちＱを改善するように、コイルが自立できるようにするために、インダクタの長方形の輪郭内で材料として識別されるガラス／セラミック材料を除去することができる。図１５Ｆは、次のステップを示し、ここでは、付加的フォト露光及びエッチングが達成されて、インダクタの長方形の輪郭内で、又は長方形の輪郭の外側で材料として識別されるガラス／セラミック材料を除去することができる。この領域には、磁気コアインダクタを生成するように、不活性ガスの下、焼結され得る磁気粒子が充填され得る。これにより、さらにより高いレベルのインダクタンスを伴う集積化インダクタが可能になる。
本明細書において論じられているいずれの実施形態も、本発明のいずれの方法、一式、試薬、又は組成物に関して実装され得、逆もまた同様であることが企図される。さらには、本発明の組成物は、本発明の方法を達成するために使用され得る。
本明細書に説明される具体的な実施形態が、本発明を限定するものとしてではなく、例示として示されていることが理解されよう。本発明の主要な特徴は、本発明の範囲から逸脱することなく、様々な実施形態において採用され得る。当業者は、本明細書に説明される特定の手順に対する数多くの等価物を日常的な実験のみを使用して認識し、又は確認することができるであろう。そのような等価物は、本発明の範囲内にあると見なされ、特許請求の範囲によって包含される。
本明細書に言及の全ての発行物及び特許出願は、本発明が関係する当業者のレベルを示している。全ての発行物及び特許出願は、各個々の発行物又は特許出願が参照によって組み込まれていると具体的に及び個々に示されている場合と同じ範囲まで参照によって本明細書に組み込まれている。
特許請求の範囲及び／又は本明細書における「備える、含む（comprising）」という用語と併用するとき、「ａ」又は「ａｎ」という単語の使用は、「１つ（one）」を意味し得るが、「１又は２以上（one or more）」、「少なくとも１つ（at least one）」、及び「１又は複数（one or more than one）」という意味とも一致する。特許請求の範囲における「又は（or）」という用語の使用は、代替形態のみを明示的に示さない限り、又は代替形態が互いに排他的でない限り、「及び／又は（and/or）」を意味するのに使用されるが、本開示は、単なる代替形態及び「及び／又は（and/or）」を示す定義を支持する。本出願全体を通じて、「約（about）」という用語は、値がデバイスの固有の誤差変動を含むことを示すのに使用され、方法は、値、又は研究課題の中に存在する変動を決定するのに採用される。
本明細書及び特許請求の範囲に使用されるとき、「備える、含む（comprising）」（及び「comprise」や「comprises」などのcomprisingのいずれかの形態）、「有する（having）」（及び「have」や「has」などのhavingのいずれかの形態）、「含む（including）」（及び「includes」や「include」などのincludingのいずれかの形態）、又は「包含する（containing）」（及び「contains」や「contain」などのcontainingのいずれかの形態）は、包括的又はオープンエンドであり、追加の列挙されていない要素又は方法ステップを排除しない。本明細書に提供される組成物及び方法のうちのいずれかの実施形態においては、「備える、含む（comprising）」は、「本質的に〜からなる（consisting essentially of）」又は「〜からなる（consisting of）」により置き換えられ得る。本明細書において使用されるとき、「本質的に〜からなる（consisting essentially of）」という句は、指定された整数又はステップだけでなく、特許請求される発明の特徴又は機能にそれほど影響しないものが必要である。本明細書において使用されるとき、「〜からなる（consisting）」という用語は、列挙した整数（例えば、特徴、要素、特性、特質、方法／プロセスステップ、若しくは制限）、又は整数の群（例えば、特徴（複数可）、要素（複数可）、特性（複数可）、特質（複数可）、方法／プロセスステップ又は制限（複数可））の存在のみを示すのに使用される。
本明細書において使用される「又はそれらの組合せ（or combinations thereof）」という用語は、その用語に先行するリスト化された項目の全ての配列及び組合せを示している。例えば、「Ａ、Ｂ、Ｃ、又はそれらの組合せ（A, B, C, or combinations thereof）」は、Ａ、Ｂ、Ｃ、ＡＢ、ＡＣ、ＢＣ、又はＡＢＣ、及び順序が特定の文脈で重要である場合、ＢＡ、ＣＡ、ＣＢ、ＣＢＡ、ＢＣＡ、ＡＣＢ、ＢＡＣ、又はＣＡＢのうちの少なくとも１つも含むように意図されている。この例に続いて、ＢＢ、ＡＡＡ、ＡＢ、ＢＢＣ、ＡＡＡＢＣＣＣＣ、ＣＢＢＡＡＡ、及びＣＡＢＡＢＢなどの１又は２以上の項目又は用語の繰返しを包含する組合せが明示的に含まれている。当業者は、別段、文脈から明らかでない限り、通常はいずれの組合せにも項目又は用語の数に対する制限がないことを理解するであろう。
本明細書において使用されるとき、限定することなく、「約（about）」、「実質的な（substantial）」、又は「実質的に（substantially）」などの近似の単語は、そのように修飾されたとき、必ずしも絶対的又は完璧ではないと理解されるものの、存在する条件を指定することを保証するには十分に近いと当業者には見なされることになる条件を示す。説明が変わることがあり得る程度は、どの程度、変更を起こし得るかに依存することになり、修飾された特徴が、修飾されていない特徴の所要の特性及び能力を依然として有すると当業者に依然として認識させる。概して、先の議論を条件とするが、「約（about）」などの近似の単語によって修飾される本明細書における数値的な値は、記載の値とは、少なくとも±１、２、３、４、５、６、７、１０、１２又は１５％異なっている場合がある。
本明細書において開示され、特許請求される組成物及び／又は方法の全ては、本開示に照らして必要以上の実験なしに、作製され実行され得る。本発明の組成物及び方法を好ましい実施形態の観点で説明してきたが、変形形態が、組成物及び／又は方法に対して、本発明の概念、趣旨、及び範囲から逸脱することなく、本明細書に説明される方法のステップ又はステップシーケンスで適用され得ることは当業者には明らかであろう。当業者には明らかな全てのそのような同様の置換形態及び修正形態は、添付の特許請求の範囲によって定義される本発明の趣旨、範囲、及び概念のうちにあるものと見なされる。

Claims (29)

  1. 集積化集中素子デバイスが光限定性ガラスの中又は上にシステムインパッケージ（ＳｉＰ，system-in-package）として形成された、パッケージ内のシステムを生成するための方法であって、
    １又は２以上の構造体を備える設計レイアウトをマスキングして、感光性ガラス基板の上又は中に１又は２以上の電気的構成要素を形成するステップと、
    前記感光性ガラス基板の少なくとも一部分を活性化エネルギー源に露光するステップと、
    少なくとも１０分間、前記感光性ガラス基板をそのガラス転移温度を超えて加熱するステップと、
    前記露光されたガラスの少なくとも一部を結晶材料に変換させるように前記感光性ガラス基板を冷却して、ガラス結晶基板を形成するステップと、
    前記ガラス結晶基板をエッチャント溶液でエッチングして、前記デバイス内に１又は２以上のチャネルを形成するステップであって、前記ガラス結晶基板が、トレンチに隣接しており、セラミック相に変換されてもよい、ステップと、
    前記トレンチを充填し前記光限定性ガラスの表面上に堆積する銅の電気めっきを可能にするように、前記エッチングステップ中に露光される前記ガラス結晶基板の表面においてシード層を堆積、成長、又は選択的にエッチングして生成するステップとを含み、
    前記集積化集中素子デバイスが、等価な表面実装型デバイスと比較したとき、光限定性ガラスの中又は上にシステムインパッケージ（ＳｉＰ）に実装されるパッケージ集中素子デバイスから寄生雑音及び損失を少なくとも２５％、低減させる、
    前記方法。
  2. 集積化集中素子デバイスがＳｉＰ内にあるアイソレータを形成するステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
  3. 集積化集中素子デバイスがＳｉＰ内にあるサーキュレータを形成するステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
  4. 集積化集中素子デバイスがＳｉＰ内にあるＲＦフィルタを形成するステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
  5. 集積化集中素子デバイスがＳｉＰ内にあるローパス、ハイパスフィルタ、ノッチフィルタ、バンドパスフィルタ、変成器、サーキュレータ、アイソレータのうちの少なくとも１つを形成するステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
  6. 光限定性ガラス基板の中又は上に電力結合器、電力分割器ＲＦ回路を形成するステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
  7. 基板への実装素子のパッケージ化に関連するＲＦ寄生信号の少なくとも３０％を排除するＳｉＰ ＲＦ回路を形成するステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
  8. 基板への実装素子のパッケージ化に関連するＲＦ寄生信号の少なくとも３５％を排除するＳｉＰ ＲＦ回路を形成するステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
  9. １又は２以上のＲＦフィルタ、ＲＦサーキュレータ、ＲＦアイソレータ、アンテナ、インピーダンスマッチング素子、５０オーム終端素子、集積化接地板、ＲＦ遮蔽素子、ＥＭＩ遮蔽素子、ＲＦ結合器、ＲＦ分割器、変成器、スイッチ、電力分割器、電力結合器、及び／又はダイプレクサを形成するステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
  10. 請求項１に記載の方法によって作製される光限定性ガラスの中又は上のシステムインパッケージ（ＳｉＰ，system-in-package）に実装されるパッケージ集中素子デバイス。
  11. 集積化集中素子デバイスがＳｉＰ内にあるアイソレータである、請求項１０に記載のデバイス。
  12. 集積化集中素子デバイスがＳｉＰ内にあるサーキュレータである、請求項１０に記載のデバイス。
  13. 集積化集中素子デバイスがＳｉＰ内にあるＲＦフィルタである、請求項１０に記載のデバイス。
  14. 集積化集中素子デバイスがＳｉＰ内にあるローパス、ハイパスフィルタ、ノッチフィルタ、バンドパスフィルタ、変成器、サーキュレータ、アイソレータのうちの少なくとも１つである、請求項１０に記載のデバイス。
  15. 光限定性ガラス基板の中又は上の電力結合器、電力分割器ＲＦ回路である、請求項１０に記載のデバイス。
  16. 等価な表面実装型デバイスと比較したとき、ＲＦ寄生信号損失の少なくとも３０％を排除するＳｉＰ ＲＦ回路である、請求項１０に記載のデバイス。
  17. 等価な表面実装型デバイスと比較したとき、ＲＦ寄生信号損失の少なくとも３５％を排除するＳｉＰ ＲＦ回路である、請求項１０に記載のデバイス。
  18. 等価な表面実装型デバイスと比較したとき、ＲＦ寄生信号損失の少なくとも５０％を排除するＳｉＰ ＲＦ回路を形成するステップをさらに含む、請求項１０に記載のデバイス。
  19. １又は２以上のＲＦフィルタ、ＲＦサーキュレータ、ＲＦアイソレータ、アンテナ、インピーダンスマッチング素子、５０オーム終端素子、集積化接地板、ＲＦ遮蔽素子、ＥＭＩ遮蔽素子、ＲＦ結合器、ＲＦ分割器、変成器、スイッチ、電力分割器、電力結合器、及び／又はダイプレクサである、請求項１０に記載のデバイス。
  20. 集積化集中素子デバイスが光限定性ガラスの中又は上にシステムインパッケージ（ＳｉＰ，system-in-package）として形成された、パッケージ内のシステムを生成するための方法であって、
    １又は２以上の構造体を備える設計レイアウトをマスキングして、感光性ガラス基板の上又は中に１又は２以上の電気的構成要素を形成するステップと、
    前記露光されたガラスの少なくとも一部を結晶材料に変換して、ガラス結晶基板を形成するステップと、
    前記ガラス結晶基板をエッチャント溶液でエッチングして、前記デバイス内に１又は２以上のチャネルを形成するステップであって、前記ガラス結晶基板が、トレンチに隣接しており、セラミック相に変換されてもよい、ステップと、
    前記トレンチを充填し前記光限定性ガラスの表面上に堆積する銅の電気めっきを可能にするように、前記エッチングステップ中に露光される前記ガラス結晶基板の表面においてシード層を堆積、成長、又は選択的にエッチングするステップとを含み、
    前記集積化集中素子デバイスが、等価な表面実装型デバイスと比較したとき、光限定性ガラスの中又は上にシステムインパッケージ（ＳｉＰ）に実装されるパッケージ集中素子デバイスから寄生雑音及び損失を少なくとも２５％、低減させる、
    前記方法。
  21. 集積化集中素子デバイスがＳｉＰ内にあるアイソレータを形成するステップをさらに含む、請求項２０に記載の方法。
  22. 集積化集中素子デバイスがＳｉＰ内にあるサーキュレータを形成するステップをさらに含む、請求項２０に記載の方法。
  23. 集積化集中素子デバイスがＳｉＰ内にあるＲＦフィルタを形成するステップをさらに含む、請求項２０に記載の方法。
  24. 集積化集中素子デバイスがＳｉＰ内にあるローパス、ハイパスフィルタ、ノッチフィルタ、バンドパスフィルタ、変成器、サーキュレータ、アイソレータのうちの少なくとも１つを形成するステップをさらに含む、請求項２０に記載の方法。
  25. 光限定性ガラス基板の中又は上に電力結合器、電力分割器ＲＦ回路を形成するステップをさらに含む、請求項２０に記載の方法。
  26. 基板への実装素子のパッケージ化に関連するＲＦ寄生信号の少なくとも３０％を排除するＳｉＰ ＲＦ回路を形成するステップをさらに含む、請求項２０に記載の方法。
  27. 基板への実装素子のパッケージ化に関連するＲＦ寄生信号の少なくとも３５％を排除するＳｉＰ ＲＦ回路を形成するステップをさらに含む、請求項２０に記載の方法。
  28. 等価な表面実装型デバイスと比較したとき、ＲＦ寄生信号損失の少なくとも５０％を排除するＳｉＰ ＲＦ回路を形成するステップをさらに含む、請求項２０に記載の方法。
  29. １又は２以上のＲＦフィルタ、ＲＦサーキュレータ、ＲＦアイソレータ、アンテナ、インピーダンスマッチング素子、５０オーム終端素子、集積化接地板、ＲＦ遮蔽素子、ＥＭＩ遮蔽素子、ＲＦ結合器、ＲＦ分割器、変成器、スイッチ、電力分割器、電力結合器、及び／又はダイプレクサを形成するステップをさらに含む、請求項２０に記載の方法。
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WO (1) WO2019010045A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2022042814A (ja) * 2020-09-03 2022-03-15 株式会社村田製作所 電子部品および電子部品モジュール

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10665377B2 (en) 2014-05-05 2020-05-26 3D Glass Solutions, Inc. 2D and 3D inductors antenna and transformers fabricating photoactive substrates
KR102386799B1 (ko) 2017-07-07 2022-04-18 3디 글래스 솔루션즈 인코포레이티드 패키지 광활성 유리 기판들에서 ｒｆ 시스템을 위한 2ｄ 및 3ｄ 집중 소자 디바이스들
US10854946B2 (en) 2017-12-15 2020-12-01 3D Glass Solutions, Inc. Coupled transmission line resonate RF filter
KR102600200B1 (ko) 2018-01-04 2023-11-10 3디 글래스 솔루션즈 인코포레이티드 고효율 ｒｆ 회로들을 위한 임피던스 정합 도전성 구조
CA3071138C (en) 2018-05-29 2021-05-25 3D Glass Solutions, Inc. Low insertion loss rf transmission line
AU2019344542B2 (en) 2018-09-17 2022-02-24 3D Glass Solutions, Inc. High efficiency compact slotted antenna with a ground plane
WO2020139951A1 (en) 2018-12-28 2020-07-02 3D Glass Solutions, Inc. Heterogenous integration for rf, microwave and mm wave systems in photoactive glass substrates
WO2020139955A1 (en) 2018-12-28 2020-07-02 3D Glass Solutions, Inc. Annular capacitor rf, microwave and mm wave systems
JP7287185B2 (ja) * 2019-04-05 2023-06-06 株式会社村田製作所 電子部品、電子部品実装基板及び電子部品の製造方法
EP4046187A4 (en) * 2019-10-14 2022-12-07 3D Glass Solutions, Inc. HIGH TEMPERATURE PRINTED CIRCUIT BOARD SUBSTRATE
US11784610B2 (en) * 2020-03-03 2023-10-10 Nxp Usa, Inc. Doherty amplifier module with compact wideband impedance inverter
CA3177603C (en) * 2020-04-17 2024-01-09 3D Glass Solutions, Inc. Broadband induction
CN111814419B (zh) * 2020-07-27 2024-01-16 中国电子科技集团公司第九研究所 通讯用集总参数环行器中集总电容选择设计方法
WO2022256551A1 (en) * 2021-06-04 2022-12-08 3D Glass Solutions, Inc. Ceramic phase capacitors for rf system in photoactive glass substrates
KR20230009131A (ko) 2021-07-08 2023-01-17 이영준 비장애인 차량 인식 로봇
WO2023200624A1 (en) * 2022-04-11 2023-10-19 3D Glass Solutions, Inc. 2d and 3d rf lumped element devices for rf system in a package photoactive glass substrates

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10199728A (ja) * 1997-01-07 1998-07-31 Murata Mfg Co Ltd 薄膜型コイル部品及びその製造方法
US20150277047A1 (en) * 2012-09-12 2015-10-01 Life Bioscience, Inc. Methods of fabricating photoactive substrates suitable for electromagnetic transmission and filtering applications
JP2016502261A (ja) * 2012-10-16 2016-01-21 クォルコム・メムズ・テクノロジーズ・インコーポレーテッド 基板を貫通するビアによって設けられたインダクタ
JP2017504211A (ja) * 2014-01-14 2017-02-02 クアルコム，インコーポレイテッド スタック型導電性相互接続インダクタ
JP2017516307A (ja) * 2014-05-05 2017-06-15 スリーディー グラス ソリューションズ，インク３Ｄ Ｇｌａｓｓ Ｓｏｌｕｔｉｏｎｓ，Ｉｎｃ 光活性基板を製造する、２ｄ及び３ｄインダクタ、アンテナ、並びにトランス

Family Cites Families (238)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
BE478714A (ja) 1946-09-09
US2515941A (en) 1946-09-09 1950-07-18 Corning Glass Works Photosensitive opal glass
US2628160A (en) 1951-08-30 1953-02-10 Corning Glass Works Sculpturing glass
BE513836A (ja) 1951-08-30
US2971853A (en) 1953-03-05 1961-02-14 Corning Glass Works Ceramic body and method of making it
US3281264A (en) 1963-01-31 1966-10-25 Coast Metals Inc Method of gold-plating aluminum
JPS5321827B2 (ja) 1973-02-12 1978-07-05
US3993401A (en) 1975-02-10 1976-11-23 Minnesota Mining And Manufacturing Company Retroreflective material including geometric fresnel zone plates
US3985531A (en) 1975-03-19 1976-10-12 Corning Glass Works Spontaneously-formed fluormica glass-ceramics
US4029605A (en) 1975-12-08 1977-06-14 Hercules Incorporated Metallizing compositions
US4131516A (en) 1977-07-21 1978-12-26 International Business Machines Corporation Method of making metal filled via holes in ceramic circuit boards
US4413061A (en) 1978-02-06 1983-11-01 International Business Machines Corporation Glass-ceramic structures and sintered multilayer substrates thereof with circuit patterns of gold, silver or copper
JPS56155587A (en) 1980-05-02 1981-12-01 Fujitsu Ltd Printed circuit board
JPS57200042A (en) 1981-06-02 1982-12-08 Hoya Corp Exposure method for chemically machinable photosensitive glass
US4537612A (en) 1982-04-01 1985-08-27 Corning Glass Works Colored photochromic glasses and method
US4647940A (en) 1982-09-27 1987-03-03 Rogers Corporation Parallel plate waveguide antenna
US5078771A (en) 1989-02-07 1992-01-07 Canyon Materials, Inc. Method of making high energy beam sensitive glasses
US4514053A (en) 1983-08-04 1985-04-30 Corning Glass Works Integral photosensitive optical device and method
JPS61149905A (ja) 1984-12-25 1986-07-08 Fujitsu Ltd 光合分波器
JPS61231529A (ja) 1985-04-08 1986-10-15 Agency Of Ind Science & Technol 光制御型光スイツチ装置
JPS62202840A (ja) 1986-03-03 1987-09-07 Toshiba Corp 感光性ガラスの加工方法
US4692015A (en) 1986-03-14 1987-09-08 Xerox Corporation Short focal lens array with multi-magnification properties
JPS63128699A (ja) 1986-11-19 1988-06-01 株式会社日立製作所 感光性ガラス−セラミツク多層配線基板
US4788165A (en) 1987-10-07 1988-11-29 Corning Glass Works Copper-exuding, boroaluminosilicate glasses
CA1320507C (en) 1987-10-07 1993-07-20 Elizabeth A. Boylan Thermal writing on glass or glass-ceramic substrates and copper-exuding glasses
US4942076A (en) 1988-11-03 1990-07-17 Micro Substrates, Inc. Ceramic substrate with metal filled via holes for hybrid microcircuits and method of making the same
JP2737292B2 (ja) 1989-09-01 1998-04-08 富士通株式会社 銅ペースト及びそれを用いたメタライズ方法
US5147740A (en) 1990-08-09 1992-09-15 Rockwell International Corporation Structure and process for fabricating conductive patterns having sub-half micron dimensions
US5215610A (en) 1991-04-04 1993-06-01 International Business Machines Corporation Method for fabricating superconductor packages
BE1004844A7 (fr) 1991-04-12 1993-02-09 Laude Lucien Diego Methodes de metallisation de surfaces a l'aide de poudres metalliques.
US5212120A (en) 1991-06-10 1993-05-18 Corning Incorporated Photosensitive glass
US5395498A (en) 1991-11-06 1995-03-07 Gombinsky; Moshe Method for separating biological macromolecules and means therfor
JPH05139787A (ja) 1991-11-19 1993-06-08 Seikosha Co Ltd 感光性ガラスの加工方法
US5374291A (en) 1991-12-10 1994-12-20 Director-General Of Agency Of Industrial Science And Technology Method of processing photosensitive glass
JPH05206706A (ja) 1992-01-30 1993-08-13 Reader Denshi Kk インターデジタル型バンドパスフィルタ
US6258497B1 (en) 1992-07-29 2001-07-10 International Business Machines Corporation Precise endpoint detection for etching processes
US5371466A (en) 1992-07-29 1994-12-06 The Regents Of The University Of California MRI RF ground breaker assembly
US6017681A (en) 1992-11-09 2000-01-25 Fujitsu Limited Method of coupling optical parts and method of forming a mirror
GB2290171B (en) 1994-06-03 1998-01-21 Plessey Semiconductors Ltd Inductor chip device
JPH0826767A (ja) 1994-07-13 1996-01-30 Nippon Glass Kk ソーダ石灰シリカ系感光性ガラス及びその製造方法
JPH08179155A (ja) 1994-12-26 1996-07-12 Ricoh Co Ltd レンズと光ファイバとの結合方法及びレンズ基板の作成方法
JP3438383B2 (ja) 1995-03-03 2003-08-18 ソニー株式会社 研磨方法およびこれに用いる研磨装置
US6066448A (en) 1995-03-10 2000-05-23 Meso Sclae Technologies, Llc. Multi-array, multi-specific electrochemiluminescence testing
US5919607A (en) 1995-10-26 1999-07-06 Brown University Research Foundation Photo-encoded selective etching for glass based microtechnology applications
US5733370A (en) 1996-01-16 1998-03-31 Seagate Technology, Inc. Method of manufacturing a bicrystal cluster magnetic recording medium
JPH107435A (ja) 1996-06-26 1998-01-13 Ngk Spark Plug Co Ltd ガラスセラミック配線基板およびその製造方法
DE69739727D1 (de) 1996-09-26 2010-02-11 Asahi Glass Co Ltd Schutzplatte für ein Plasma-Display und Verfahren zur Herstellung derselben
US6562523B1 (en) 1996-10-31 2003-05-13 Canyon Materials, Inc. Direct write all-glass photomask blanks
US5850623A (en) 1997-03-14 1998-12-15 Eastman Chemical Company Method for standardizing raman spectrometers to obtain stable and transferable calibrations
EP0951724A2 (en) 1997-04-25 1999-10-27 Koninklijke Philips Electronics N.V. Method of manufacturing an enveloped multilayer capacitor and an envelope multilayer capacitor
US5998224A (en) 1997-05-16 1999-12-07 Abbott Laboratories Magnetically assisted binding assays utilizing a magnetically responsive reagent
US6287965B1 (en) 1997-07-28 2001-09-11 Samsung Electronics Co, Ltd. Method of forming metal layer using atomic layer deposition and semiconductor device having the metal layer as barrier metal layer or upper or lower electrode of capacitor
JPH11176815A (ja) 1997-12-15 1999-07-02 Ricoh Co Ltd ドライエッチングの終点判定方法およびドライエッチング装置
US6598291B2 (en) 1998-03-20 2003-07-29 Viasystems, Inc. Via connector and method of making same
US6115521A (en) 1998-05-07 2000-09-05 Trw Inc. Fiber/waveguide-mirror-lens alignment device
WO1999063557A1 (fr) 1998-05-29 1999-12-09 Nissha Printing Co., Ltd. Bobine annulaire imprimee et procede de fabrication correspondant
US6171886B1 (en) 1998-06-30 2001-01-09 Eastman Kodak Company Method of making integrated hybrid silicon-based micro-actuator devices
JP2000199827A (ja) 1998-10-27 2000-07-18 Sony Corp 光導波装置およびその製造方法
US6136210A (en) 1998-11-02 2000-10-24 Xerox Corporation Photoetching of acoustic lenses for acoustic ink printing
JP2000228615A (ja) 1999-02-05 2000-08-15 Tokin Corp Ｌｃバンドパスフィルタ
US6511793B1 (en) 1999-03-24 2003-01-28 Lg Electronics Inc. Method of manufacturing microstructure using photosensitive glass substrate
US6485690B1 (en) 1999-05-27 2002-11-26 Orchid Biosciences, Inc. Multiple fluid sample processor and system
JP3756041B2 (ja) 1999-05-27 2006-03-15 Ｈｏｙａ株式会社 多層プリント配線板の製造方法
FR2795745B1 (fr) 1999-06-30 2001-08-03 Saint Gobain Vitrage Procede de depot d'une couche a base de tungstene et/ou de molybdene sur un substrat verrier, ceramique ou vitroceramique, et substrat ainsi revetu
JP2001033664A (ja) 1999-07-21 2001-02-09 Hitachi Cable Ltd 光ファイバブロック
US6278352B1 (en) 1999-07-26 2001-08-21 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company High efficiency thin film inductor
US7179638B2 (en) 1999-07-30 2007-02-20 Large Scale Biology Corporation Microarrays and their manufacture by slicing
US6538775B1 (en) 1999-09-16 2003-03-25 Reveo, Inc. Holographically-formed polymer dispersed liquid crystals with multiple gratings
US6403286B1 (en) 1999-11-04 2002-06-11 Corning Incorporated High aspect ratio patterning of glass film
JP2001206735A (ja) 2000-01-25 2001-07-31 Central Glass Co Ltd めっき方法
US6579817B2 (en) 2000-04-26 2003-06-17 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Dielectric ceramic composition and method for producing the same, and device for communication apparatus using the same
US6329702B1 (en) 2000-07-06 2001-12-11 Tyco Electronics Corporation High frequency carrier
US6495411B1 (en) 2000-07-13 2002-12-17 Promos Technology Inc. Technique to improve deep trench capacitance by increasing surface thereof
US6510264B2 (en) 2000-07-31 2003-01-21 Corning Incorporated Bulk internal bragg gratings and optical devices
US7829348B2 (en) 2000-09-22 2010-11-09 Iowa State University Research Foundation, Inc. Raman-active reagents and the use thereof
JP4361271B2 (ja) 2000-10-10 2009-11-11 バイオトローブ・インコーポレイテツド アッセイ、合成、および保存用の器具、ならびに、その作製、使用、および操作の方法
US7033821B2 (en) 2000-11-08 2006-04-25 Surface Logix, Inc. Device for monitoring cell motility in real-time
KR100392956B1 (ko) 2000-12-30 2003-07-28 엘지전자 주식회사 플라즈마 디스플레이 패널의 격벽 제조방법
KR100368930B1 (ko) * 2001-03-29 2003-01-24 한국과학기술원 반도체 기판 위에 높이 떠 있는 3차원 금속 소자, 그 회로모델, 및 그 제조방법
US6932933B2 (en) 2001-03-30 2005-08-23 The Aerospace Corporation Ultraviolet method of embedding structures in photocerams
US6824974B2 (en) 2001-06-11 2004-11-30 Genorx, Inc. Electronic detection of biological molecules using thin layers
DK1412725T3 (en) 2001-06-29 2019-03-25 Meso Scale Technologies Llc Multi-well plates for LUMINESCENSE TEST MEASUREMENTS
US6771860B2 (en) 2001-06-29 2004-08-03 Xanoptix, Inc. Module mounted aligning optical connector
TW552686B (en) 2001-07-12 2003-09-11 Hitachi Ltd Electronic circuit component
US6843902B1 (en) 2001-07-20 2005-01-18 The Regents Of The University Of California Methods for fabricating metal nanowires
US20030025227A1 (en) 2001-08-02 2003-02-06 Zograph, Llc Reproduction of relief patterns
CA2500453A1 (en) 2001-09-28 2003-04-03 Biovalve Technologies, Inc. Microneedle with membrane
KR100814806B1 (ko) 2001-10-15 2008-03-19 삼성에스디아이 주식회사 스페이서 제조 방법 및 이 스페이서를 갖는 평판 표시 소자
US20040171076A1 (en) 2001-12-20 2004-09-02 Dejneka Matthew J. Detectable micro to nano sized structures, methods of manufacture and use
US7064103B2 (en) 2002-01-04 2006-06-20 Becton, Dickinson And Company Binding protein as biosensors
US7470518B2 (en) 2002-02-12 2008-12-30 Cellectricon Ab Systems and method for rapidly changing the solution environment around sensors
US20030156819A1 (en) 2002-02-15 2003-08-21 Mark Pruss Optical waveguide
WO2003079082A2 (en) 2002-03-14 2003-09-25 Corning Incorporated Fiber array and methods of fabrication
CA2482827A1 (en) 2002-04-30 2003-11-13 University Of Maryland, Baltimore Fluorescence sensing
JP2003329877A (ja) 2002-05-14 2003-11-19 Nippon Sheet Glass Co Ltd 光モジュール
US6580054B1 (en) 2002-06-10 2003-06-17 New Wave Research Scribing sapphire substrates with a solid state UV laser
US7407768B2 (en) 2002-09-11 2008-08-05 Synamem Corporation Membrane-based assays
US6875544B1 (en) 2002-10-03 2005-04-05 Sandia Corporation Method for the fabrication of three-dimensional microstructures by deep X-ray lithography
US20040184705A1 (en) 2003-01-08 2004-09-23 Mikihiro Shimada Optical waveguide component and method of manufacturing the same
US6783920B2 (en) 2003-01-15 2004-08-31 The Aerospace Corporation Photosensitive glass variable laser exposure patterning method
DE10304606B3 (de) 2003-02-05 2004-06-03 Magnet-Physik Dr. Steingroever Gmbh Transformator zur Erzeugung hoher elektrischer Ströme
US7601491B2 (en) 2003-02-06 2009-10-13 Becton, Dickinson And Company Pretreatment method for extraction of nucleic acid from biological samples and kits therefor
US7142086B2 (en) 2003-02-11 2006-11-28 Oplink Communications, Inc. Ultra broadband inductor assembly
US7150569B2 (en) 2003-02-24 2006-12-19 Nor Spark Plug Co., Ltd. Optical device mounted substrate assembly
EP1609206B1 (en) 2003-03-04 2010-07-28 Rohm and Haas Electronic Materials, L.L.C. Coaxial waveguide microstructures and methods of formation thereof
US20040198582A1 (en) 2003-04-01 2004-10-07 Borrelli Nicholas F. Optical elements and methods of making optical elements
US6909137B2 (en) 2003-04-07 2005-06-21 International Business Machines Corporation Method of creating deep trench capacitor using a P+ metal electrode
US7579077B2 (en) 2003-05-05 2009-08-25 Nanosys, Inc. Nanofiber surfaces for use in enhanced surface area applications
US7335972B2 (en) 2003-11-13 2008-02-26 Sandia Corporation Heterogeneously integrated microsystem-on-a-chip
US20050170670A1 (en) 2003-11-17 2005-08-04 King William P. Patterning of sacrificial materials
US7316063B2 (en) 2004-01-12 2008-01-08 Micron Technology, Inc. Methods of fabricating substrates including at least one conductive via
JP4153442B2 (ja) 2004-02-02 2008-09-24 シャープ株式会社 光モジュールの製造方法
US7057881B2 (en) 2004-03-18 2006-06-06 Nanosys, Inc Nanofiber surface based capacitors
JP4394999B2 (ja) 2004-04-12 2010-01-06 大日本印刷株式会社 受動素子内蔵配線基板およびその製造方法
CN1262500C (zh) 2004-04-16 2006-07-05 武汉理工大学 制备纳米孔微晶玻璃/玻璃载体材料的方法
US7176152B2 (en) 2004-06-09 2007-02-13 Ferro Corporation Lead-free and cadmium-free conductive copper thick film pastes
DE102004059252A1 (de) 2004-06-09 2006-01-19 Schott Ag Aufbau diffraktiver Optiken durch strukturierte Glasbeschichtung
JP4622359B2 (ja) 2004-07-22 2011-02-02 コニカミノルタホールディングス株式会社 インクジェットヘッドの製造方法
US7132054B1 (en) 2004-09-08 2006-11-07 Sandia Corporation Method to fabricate hollow microneedle arrays
US20060147344A1 (en) 2004-09-30 2006-07-06 The University Of Cincinnati Fully packed capillary electrophoretic separation microchips with self-assembled silica colloidal particles in microchannels and their preparation methods
US7405698B2 (en) 2004-10-01 2008-07-29 De Rochemont L Pierre Ceramic antenna module and methods of manufacture thereof
JP4795677B2 (ja) 2004-12-02 2011-10-19 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置およびそれを用いた半導体モジュール、ならびに半導体装置の製造方法
JP2006179564A (ja) 2004-12-21 2006-07-06 Nec Corp 半導体接続基板、半導体装置、半導体デバイス及び半導体基板並びに半導体接続基板の製造方法
DE102005003594B4 (de) 2004-12-31 2016-02-18 Schott Ag Verfahren zur Herstellung eines optischen Bauteils, verfahrensgemäß hergestelltes Bauteil sowie derartige Bauteile umfassende Einrichtung
US7714688B2 (en) 2005-01-20 2010-05-11 Avx Corporation High Q planar inductors and IPD applications
KR100682919B1 (ko) 2005-01-20 2007-02-15 삼성전자주식회사 미세 금속 박막 패턴 형성 방법, 이를 채용한 생체물질고정용 기판 및 바이오칩
US7964380B2 (en) 2005-01-21 2011-06-21 Argylia Technologies Nanoparticles for manipulation of biopolymers and methods of thereof
JP2006236516A (ja) 2005-02-28 2006-09-07 Hitachi Ltd 光へッド、光情報再生装置及びその製造方法
WO2006114928A1 (ja) 2005-04-18 2006-11-02 Murata Manufacturing Co., Ltd. 高周波モジュール
US7355704B2 (en) 2005-06-13 2008-04-08 Solaris Nanosciences, Inc. Chemical and biological sensing using metallic particles in amplifying and absorbing media
JP2006352750A (ja) 2005-06-20 2006-12-28 Denso Corp アンテナコイル、それを用いた共振アンテナ及びカード型無線機
US7755291B2 (en) 2005-06-27 2010-07-13 Osram Sylvania Inc. Incandescent lamp that emits infrared light and a method of making the lamp
DE102005039323B4 (de) 2005-08-19 2009-09-03 Infineon Technologies Ag Leitbahnanordnung sowie zugehöriges Herstellungsverfahren
US7410763B2 (en) 2005-09-01 2008-08-12 Intel Corporation Multiplex data collection and analysis in bioanalyte detection
TW200721064A (en) 2005-11-29 2007-06-01 Novatek Microelectronics Corp Timing controller chip
US8003408B2 (en) 2005-12-29 2011-08-23 Intel Corporation Modification of metal nanoparticles for improved analyte detection by surface enhanced Raman spectroscopy (SERS)
GB2434913A (en) 2006-02-02 2007-08-08 Xsil Technology Ltd Support for wafer singulation
US7812416B2 (en) 2006-05-22 2010-10-12 Cardiomems, Inc. Methods and apparatus having an integrated circuit attached to fused silica
JP2007318002A (ja) 2006-05-29 2007-12-06 Matsushita Electric Ind Co Ltd 固体撮像装置及びその製造方法
AU2007345315A1 (en) 2006-06-28 2008-07-31 Northwestern University Etching and hole arrays
US7990679B2 (en) 2006-07-14 2011-08-02 Dais Analytic Corporation Nanoparticle ultracapacitor
US8061017B2 (en) 2006-08-28 2011-11-22 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Methods of making coil transducers
US7847669B2 (en) 2006-12-06 2010-12-07 Georgia Tech Research Corporation Micro-electromechanical switched tunable inductor
US7556440B2 (en) 2006-12-22 2009-07-07 Lightwire Inc. Dual-lensed unitary optical receiver assembly
KR100849791B1 (ko) 2007-03-12 2008-07-31 삼성전기주식회사 캐패시터 내장형 인쇄회로기판
JP2008225339A (ja) 2007-03-15 2008-09-25 Hitachi Cable Ltd 光学系接続構造、光学部材及び光伝送モジュール
WO2008117710A1 (ja) * 2007-03-26 2008-10-02 Murata Manufacturing Co., Ltd. 感光性誘電体ペーストおよびそれを用いた電子部品
WO2008119080A1 (en) 2007-03-28 2008-10-02 Life Bioscience Inc. Compositions and methods to fabricate a photoactive substrate suitable for shaped glass structures
JP4458296B2 (ja) 2007-03-30 2010-04-28 Ｔｄｋ株式会社 誘電体共振器、誘電体フィルタ及びその特性調整方法
US8143431B2 (en) 2007-06-05 2012-03-27 Air Products And Chemicals, Inc. Low temperature thermal conductive inks
WO2008154931A1 (en) 2007-06-18 2008-12-24 Danmarks Tekniske Universitet (Technical University Of Denmark) Adsorbent beads suitable for use in separation of biological molecules
TW200905703A (en) 2007-07-27 2009-02-01 Delta Electronics Inc Magnetic device and manufacturing method thereof
US8492315B2 (en) 2007-08-28 2013-07-23 Life Bioscience, Inc. Method of providing a pattern of biological-binding areas for biological testing
US8211625B2 (en) 2007-11-07 2012-07-03 Massachusetts Institute Of Technology Method of forming a locally periodic 3D structure with larger-scale variation in periodic properties and applications thereof
JP5133047B2 (ja) 2007-12-28 2013-01-30 太陽誘電株式会社 電子部品の製造方法
US7792823B2 (en) 2008-01-15 2010-09-07 International Business Machines Corporation Maintained symbol table only index
US8569678B2 (en) 2008-03-04 2013-10-29 The Regents Of The University Of California Micron-scale lens array having diffracting structures
US8603626B2 (en) 2008-03-12 2013-12-10 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Decorative sheet for three-dimensional work
WO2009126649A2 (en) 2008-04-07 2009-10-15 Life Bioscience, Inc. Method of providing particles having biological-binding areas for biological applications
US7948342B2 (en) 2008-07-24 2011-05-24 Cutt-A-Watt Enterprises, Llc Electromotive rectification system
WO2010011939A2 (en) 2008-07-25 2010-01-28 Life Bioscience, Inc. Assay plates, methods and systems having one or more etched features
KR101031134B1 (ko) 2008-09-11 2011-04-27 주식회사 동부하이텍 반도체 소자의 컨택 및 그 제조 방법
US20100237462A1 (en) 2009-03-18 2010-09-23 Benjamin Beker Package Level Tuning Techniques for Propagation Channels of High-Speed Signals
US8700134B2 (en) 2009-04-03 2014-04-15 Research Triangle Institute Cantilever-based MEMS optical scanning apparatus, system and method
KR100941691B1 (ko) 2009-04-10 2010-02-12 (주)제이스 감광성 유리 기판, 이의 제조 방법 및 반도체 프로브 칩
US7989248B2 (en) 2009-07-02 2011-08-02 Advanced Microfab, LLC Method of forming monolithic CMOS-MEMS hybrid integrated, packaged structures
CN102762573B (zh) 2009-07-24 2015-09-16 阿马曾提斯公司 用于在神经退行性障碍中保护脑部健康的化合物、组合物和方法
TWI410380B (zh) 2009-11-11 2013-10-01 Ind Tech Res Inst 光敏玻璃微結構之製造方法及用以製造該微結構之系統
US8479375B2 (en) 2010-01-13 2013-07-09 The Aerospace Corporation Method of making an embedded electromagnetic device
DE112011100505T5 (de) 2010-02-10 2013-03-28 Life Bioscience, Inc. Verfahren zur herstellung eines fotoaktiven substrats, das zur mikrofertigung geeignet ist
US20110217657A1 (en) 2010-02-10 2011-09-08 Life Bioscience, Inc. Methods to fabricate a photoactive substrate suitable for microfabrication
US9275934B2 (en) 2010-03-03 2016-03-01 Georgia Tech Research Corporation Through-package-via (TPV) structures on inorganic interposer and methods for fabricating same
US8411459B2 (en) 2010-06-10 2013-04-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd Interposer-on-glass package structures
US9564320B2 (en) 2010-06-18 2017-02-07 Soraa, Inc. Large area nitride crystal and method for making it
US8492818B2 (en) 2010-09-14 2013-07-23 International Business Machines Corporation High capacitance trench capacitor
JP5644340B2 (ja) 2010-10-04 2014-12-24 株式会社デンソー キャパシタ構造体およびその製造方法
US20130233202A1 (en) 2010-12-03 2013-09-12 Ei Du Pont De Nemours And Company Inks and processes for preparing copper indium gallium sulfide/selenide coatings and films
US8502340B2 (en) 2010-12-09 2013-08-06 Tessera, Inc. High density three-dimensional integrated capacitors
US8835217B2 (en) 2010-12-22 2014-09-16 Intel Corporation Device packaging with substrates having embedded lines and metal defined pads
JP2012194455A (ja) 2011-03-17 2012-10-11 Enplas Corp レンズアレイ
KR101167691B1 (ko) 2011-08-09 2012-07-20 주식회사 비티엔아이티솔루션스 감광성 유리 기판을 구비한 적층형 캐패시터, 이의 제조방법 및 이의 용도
US9287614B2 (en) 2011-08-31 2016-03-15 The Regents Of The University Of Michigan Micromachined millimeter-wave frequency scanning array
JP2013062473A (ja) 2011-09-15 2013-04-04 Toppan Printing Co Ltd 配線基板およびその製造方法
JP5541425B2 (ja) 2012-01-16 2014-07-09 株式会社村田製作所 Ｒｆ信号用遮断装置
US9293269B2 (en) 2012-02-08 2016-03-22 Dais Analytic Corporation Ultracapacitor tolerating electric field of sufficient strength
US9285554B2 (en) 2012-02-10 2016-03-15 International Business Machines Corporation Through-substrate optical coupling to photonics chips
JP6011958B2 (ja) 2012-03-28 2016-10-25 株式会社エンプラス 光レセプタクルおよびこれを備えた光モジュール
JP2013217989A (ja) 2012-04-04 2013-10-24 Hitachi Chemical Co Ltd 光ファイバコネクタ
US8896521B2 (en) 2012-04-24 2014-11-25 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Metal-insulator-metal capacitors on glass substrates
US20130308906A1 (en) 2012-05-21 2013-11-21 LaXense, Inc. System and method for dense coupling between optical devices and an optical fiber array
US8815638B2 (en) 2012-06-19 2014-08-26 E I Du Pont De Nemours And Company Method of manufacturing thick-film electrode
US20140035935A1 (en) 2012-08-03 2014-02-06 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Passives via bar
US10115671B2 (en) 2012-08-03 2018-10-30 Snaptrack, Inc. Incorporation of passives and fine pitch through via for package on package
US9755305B2 (en) 2012-08-16 2017-09-05 Ethertronics, Inc. Active antenna adapted for impedance matching and band switching using a shared component
WO2014028022A1 (en) 2012-08-16 2014-02-20 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Diagonal openings in photodefinable glass
US8872349B2 (en) 2012-09-11 2014-10-28 Intel Corporation Bridge interconnect with air gap in package assembly
EP3603956A1 (en) 2012-10-19 2020-02-05 Rutgers, The State University of New Jersey Graphene-reinforced polymer matrix composite by an in situ exfoliation method
US20140144681A1 (en) 2012-11-27 2014-05-29 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Adhesive metal nitride on glass and related methods
US9035457B2 (en) 2012-11-29 2015-05-19 United Microelectronics Corp. Substrate with integrated passive devices and method of manufacturing the same
TWI565989B (zh) 2012-12-14 2017-01-11 鴻海精密工業股份有限公司 光纖連接器
US20140247269A1 (en) 2013-03-04 2014-09-04 Qualcomm Mems Technologies, Inc. High density, low loss 3-d through-glass inductor with magnetic core
US20140272688A1 (en) 2013-03-15 2014-09-18 Photronics, Inc. Grayscale lithography of photo definable glass
JP6015567B2 (ja) 2013-06-12 2016-10-26 株式会社デンソー 貫通型コンデンサ
US9202888B2 (en) 2013-06-18 2015-12-01 Stephen P. Barlow Trench high electron mobility transistor device
US10014843B2 (en) * 2013-08-08 2018-07-03 Zhuhai Advanced Chip Carriers & Electronic Substrate Solutions Technologies Co. Ltd. Multilayer electronic structures with embedded filters
US9093975B2 (en) 2013-08-19 2015-07-28 Harris Corporation Microelectromechanical systems comprising differential inductors and methods for making the same
US9449753B2 (en) 2013-08-30 2016-09-20 Qualcomm Incorporated Varying thickness inductor
US20160185653A1 (en) 2013-09-04 2016-06-30 Hoya Corporation Silicate ceramics, plate-like substrate, and method of producing plate-like substrate
KR20160036666A (ko) 2013-09-27 2016-04-04 인텔 코포레이션 수동 부품용 중첩체 기판을 구비한 다이 패키지
WO2015052059A1 (en) 2013-10-07 2015-04-16 Koninklijke Philips N.V. Precision batch production method for manufacturing ferrite rods
EP3084491B1 (en) 2013-12-19 2019-09-25 3M Innovative Properties Company Multimode optical connector
US20170003421A1 (en) 2014-01-24 2017-01-05 3D Glass Solutions, Inc Methods of Fabricating Photoactive Substrates for Micro-lenses and Arrays
US9437921B2 (en) * 2014-02-04 2016-09-06 Raytheon Company Optically reconfigurable RF fabric
KR102233579B1 (ko) 2014-08-12 2021-03-30 삼성전자주식회사 극자외선 리소그래피용 펠리클
US10201901B2 (en) 2015-01-29 2019-02-12 Canon Kabushiki Kaisha Robot apparatus, method for controlling robot, program, and recording medium
US9647306B2 (en) 2015-03-04 2017-05-09 Skyworks Solutions, Inc. RF filter comprising N coaxial resonators arranged in a specified interdigitation pattern
US20160265974A1 (en) 2015-03-09 2016-09-15 Corning Incorporated Glass waveguide spectrophotometer
US9385083B1 (en) 2015-05-22 2016-07-05 Hrl Laboratories, Llc Wafer-level die to package and die to die interconnects suspended over integrated heat sinks
US9853624B2 (en) 2015-06-26 2017-12-26 Qorvo Us, Inc. SAW resonator with resonant cavities
US9712131B2 (en) 2015-09-15 2017-07-18 Karl L. Thorup High isolation power combiner/splitter and coupler
US10070533B2 (en) 2015-09-30 2018-09-04 3D Glass Solutions, Inc. Photo-definable glass with integrated electronics and ground plane
US9935004B2 (en) 2016-01-21 2018-04-03 Applied Materials, Inc. Process and chemistry of plating of through silicon vias
JP6806781B2 (ja) 2016-01-31 2021-01-06 スリーディー グラス ソリューションズ，インク３Ｄ Ｇｌａｓｓ Ｓｏｌｕｔｉｏｎｓ，Ｉｎｃ 集積デバイスを有する多層感光性ガラス
KR20200010598A (ko) 2016-02-25 2020-01-30 3디 글래스 솔루션즈 인코포레이티드 3d 커패시터 및 커패시터 어레이 제작용 광활성 기재
US9819991B1 (en) 2016-02-29 2017-11-14 Amazon Technologies, Inc. Adaptive impedance matching interface
US11161773B2 (en) 2016-04-08 2021-11-02 3D Glass Solutions, Inc. Methods of fabricating photosensitive substrates suitable for optical coupler
US9635757B1 (en) 2016-08-11 2017-04-25 Unimicron Technology Corp. Circuit board and manufacturing method thereof
EP3327806B1 (en) 2016-11-24 2021-07-21 Murata Integrated Passive Solutions Integrated electronic component suitable for broadband biasing
KR102524712B1 (ko) 2017-04-28 2023-04-25 3디 글래스 솔루션즈 인코포레이티드 Ｒｆ 서큘레이터
US10367243B2 (en) 2017-05-02 2019-07-30 Bae Systems Information And Electronic Systems Integration Inc. Miniature LTCC coupled stripline resonator filters for digital receivers
JP7083600B2 (ja) 2017-05-25 2022-06-13 凸版印刷株式会社 キャパシタ内蔵ガラス回路基板及びその製造方法
KR102386799B1 (ko) 2017-07-07 2022-04-18 3디 글래스 솔루션즈 인코포레이티드 패키지 광활성 유리 기판들에서 ｒｆ 시스템을 위한 2ｄ 및 3ｄ 집중 소자 디바이스들
JP2019106429A (ja) 2017-12-11 2019-06-27 凸版印刷株式会社 ガラス配線基板、その製造方法及び半導体装置
US10854946B2 (en) 2017-12-15 2020-12-01 3D Glass Solutions, Inc. Coupled transmission line resonate RF filter
KR102600200B1 (ko) 2018-01-04 2023-11-10 3디 글래스 솔루션즈 인코포레이티드 고효율 ｒｆ 회로들을 위한 임피던스 정합 도전성 구조
US11076489B2 (en) 2018-04-10 2021-07-27 3D Glass Solutions, Inc. RF integrated power condition capacitor
CA3071138C (en) 2018-05-29 2021-05-25 3D Glass Solutions, Inc. Low insertion loss rf transmission line
CN210668058U (zh) 2019-12-09 2020-06-02 梅州市成就电子科技有限公司 一种宽频锥形电感

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10199728A (ja) * 1997-01-07 1998-07-31 Murata Mfg Co Ltd 薄膜型コイル部品及びその製造方法
US20150277047A1 (en) * 2012-09-12 2015-10-01 Life Bioscience, Inc. Methods of fabricating photoactive substrates suitable for electromagnetic transmission and filtering applications
JP2016502261A (ja) * 2012-10-16 2016-01-21 クォルコム・メムズ・テクノロジーズ・インコーポレーテッド 基板を貫通するビアによって設けられたインダクタ
JP2017504211A (ja) * 2014-01-14 2017-02-02 クアルコム，インコーポレイテッド スタック型導電性相互接続インダクタ
JP2017516307A (ja) * 2014-05-05 2017-06-15 スリーディー グラス ソリューションズ，インク３Ｄ Ｇｌａｓｓ Ｓｏｌｕｔｉｏｎｓ，Ｉｎｃ 光活性基板を製造する、２ｄ及び３ｄインダクタ、アンテナ、並びにトランス

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2022042814A (ja) * 2020-09-03 2022-03-15 株式会社村田製作所 電子部品および電子部品モジュール
US11610728B2 (en) 2020-09-03 2023-03-21 Murata Manufacturing Co., Ltd. Electronic component and electronic component module
JP7322838B2 (ja) 2020-09-03 2023-08-08 株式会社村田製作所 電子部品および電子部品モジュール

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