JP2019082689A

JP2019082689A - 表示装置

Info

Publication number: JP2019082689A
Application number: JP2018220086A
Authority: JP
Inventors: 山崎　舜平; Shunpei Yamazaki; 舜平山崎; 平形　吉晴; Yoshiharu Hirakata; 吉晴平形
Original assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Current assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority date: 2011-01-07
Filing date: 2018-11-26
Publication date: 2019-05-30
Anticipated expiration: 2032-01-05
Also published as: US8953120B2; US20150177566A1; JP2016184175A; KR101981919B1; JP6698795B2; US9857628B2; JP2012155320A; KR20120081943A; US20120176570A1; JP5948058B2

Abstract

【課題】発光素子を有し、且つシースルー機能を有する表示装置において、用途や状況に応じた多様な表示モードを可能とする表示装置を提供する。【解決手段】シースルー機能を有する表示装置において、両面発光型の発光素子を含む画素を有する第１の表示部１４と、光散乱性の液晶層を有する第２表示部１８との間に、シャッター状の遮光手段１０を設けることにより、第１の表示部１４、第２の表示部１８およシャッター状の遮光手段１０を切り替えるだけで容易に用途や状況に応じた多様な表示モードを可能とする表示装置を提供することができる。【選択図】図１

Description

発光素子を利用した表示装置に関する。特にシースルー機能を備え、発光素子を利用し
た表示装置に関する。

近年、ディスプレイの向こう側が透けて見える機能、いわゆるシースルー機能を備えた
ディスプレイが脚光を浴びている。シースルー機能を備えたディスプレイの応用分野とし
ては、車両のフロントガラス、家屋やビルなどの建築物の窓ガラス、デパートなどのショ
ーウインドウのケースなどが考えられている。

このようにシースルー機能を備えたディスプレイを用いることにより、ディスプレイの
向こう側の対象に関する情報をディスプレイ上に表示しながら対象を見る、またはディス
プレイに装飾用の映像を表示してディスプレイの向こう側の対象に装飾を施すことができ
る。さらに、ガラスのようにディスプレイの向こう側が見えるモードと、ディスプレイに
映像が表示されるモードを適宜切り替えて用いることも考えられる（例えば特許文献１参
照）。

特開平１０−２５９７５号公報

しかし、一方でシースルー機能を有する表示装置には、ディスプレイの向こう側からデ
ィスプレイの映像を覗かれてしまうという問題や、ディスプレイの向こう側の景色が映像
に写り込んでディスプレイの映像が見にくくなってしまうという問題があった。

特許文献１では、くし歯形電極により液晶分子を攪乱状態とする調光板をディスプレイ
の裏側に設け、ディスプレイに映像を表示する際に調光板を白濁状態にすることで、この
ような問題の解決を図っている。

しかし、このようにシースルー機能を有する表示装置の裏側に、くし歯形電極により液
晶分子を攪乱状態とする調光板を設けただけでは、有機ＥＬ素子に代表される発光素子を
用いてシースルー機能を有する表示装置を作製すると、コントラストの良好な黒色を表示
することが困難になるという問題が生じる。

また、シースルー機能を有する表示装置において、ガラスのようにディスプレイを透過
させられるモードや、従来のディスプレイのように映像表示のみを行うモードや、映像の
向こう側が透けて見えるシースルーモードを、用途や状況に応じて適宜切り替えられるよ
うにしたいという要請もある。

上述のような問題に鑑み、発光素子を有し、且つシースルー機能を有する表示装置にお
いて、用途や状況に応じた多様な表示モードを可能とする表示装置を提供することを課題
の一とする。

シースルー機能を有する表示装置において、両面発光型の発光素子を含む画素を有する
第１の表示部と、光散乱性の液晶層を有する第２表示部との間に、シャッター状の遮光手
段を有し、第１の表示部は、少なくとも両面発光型の発光素子が非発光状態の場合に透光
性を有し、第２の表示部は、少なくとも光散乱性の液晶層が透過状態の場合に透光性を有
する。

開示する発明の一態様は、透光性を有する第１の支持体と、第１の支持体に設けられた
、両面発光型の発光素子を含む画素を有する第１の表示部と、第１の支持体に対向して設
けられた、透光性を有する第２の支持体と、第２の支持体に第１の表示部と対向して設け
られた、光散乱性の液晶層を有する第２の表示部と、第１の表示部と第２の表示部の間に
、画素の少なくとも一部と重畳するように開口部が設けられた遮光層と当該開口部を遮光
することができる可動遮光層を含む複数のシャッターと、を有し、第１の表示部は、少な
くとも両面発光型の発光素子が非発光状態の場合に透光性を有し、第２の表示部は、少な
くとも光散乱性の液晶層が透過状態の場合に透光性を有する表示装置である。

開示する発明の他の一態様は、透光性を有する第１の支持体と、第１の支持体に設けら
れた、両面発光型の発光素子を含む画素を有する第１の表示部と、第１の支持体に対向し
て設けられた、透光性を有する第２の支持体と、第２の支持体の第１の表示部とは反対側
に設けられた、光散乱性の液晶層を有する第２の表示部と、第１の表示部と第２の支持体
の間に、画素の少なくとも一部と重畳するように開口部が設けられた遮光層と当該開口部
を遮光することができる可動遮光層を含む複数のシャッターと、を有し、第１の表示部は
、少なくとも両面発光型の発光素子が非発光状態の場合に透光性を有し、第２の表示部は
、少なくとも光散乱性の液晶層が透過状態の場合に透光性を有する表示装置である。

上記において、開口部に可動遮光層を重畳させることにより、第１の表示部の背景を黒
表示とすることができることが好ましい。また、開口部に可動遮光層を重畳させず、且つ
第２の表示部を散乱状態とすることにより、第１の表示部の背景を白表示とすることがで
きることが好ましい。また、開口部に可動遮光層を重畳させず、且つ第２の表示部を透過
状態とすることで、第２の支持体の裏側からの入射光を第１の表示部の背景に照射させる
ことにより、第２の支持体の向こう側の対象に関する情報を第１の表示部の背景に表示さ
せられることが好ましい。

また、複数の画素に一つずつ可動遮光層が設けられることが好ましい。また、複数の画
素および複数のシャッターがマトリクス状に設けられ、一つの可動遮光層で列方向に並ん
だ複数の画素を遮光することができるようにしてもよい。また、複数の画素および複数の
シャッターがマトリクス状に設けられ、一つの可動遮光層で行方向に並んだ複数の画素を
遮光することができるようにしてもよい。

また、開示する発明の他の一態様は、透光性を有する第１の支持体と、第１の支持体に
設けられた、両面発光型の発光素子を含む第１の画素を有する第１の表示部と、第１の支
持体に対向して設けられた、透光性を有する第２の支持体と、第２の支持体に第１の表示
部と対向して設けられた、光散乱性の液晶層を含む第２の画素を有する第２の表示部と、
第１の表示部と第２の表示部の間に、第１の画素および第２の画素の少なくとも一部と重
畳するように開口部が設けられた遮光層と当該開口部を遮光することができる可動遮光層
を含む複数のシャッターと、を有し、第１の表示部は、少なくとも両面発光型の発光素子
が非発光状態の場合に透光性を有し、第２の表示部は、少なくとも光散乱性の液晶層が透
過状態の場合に透光性を有する表示装置である。

また、複数の第１の画素および複数の第２の画素に一つずつ可動遮光層が設けられるこ
とが好ましい。また、複数の第１の画素、複数の第２の画素および複数のシャッターがマ
トリクス状に設けられ、一つの可動遮光層で列方向に並んだ複数の第１の画素および複数
の第２の画素を遮光することができるようにしてもよい。また、複数の第１の画素、複数
の第２の画素および複数のシャッターがマトリクス状に設けられ、一つの可動遮光層で行
方向に並んだ複数の第１の画素および複数の第２の画素を遮光することができるようにし
てもよい。

上記において、開口部に可動遮光層を重畳させることにより、第１の表示部と第２の表
示部で異なる映像を表示することができることが好ましい。また、開口部に可動遮光層を
重畳させず、第１の表示部を第２の表示部のバックライトとして用いることにより、第２
の表示部をカラー表示させることができることが好ましい。

また、両面発光型の発光素子は有機ＥＬ素子であることが好ましい。また、光散乱性の
液晶層は高分子分散型液晶材料を含むことが好ましい。また、複数のシャッターはＭＥＭ
Ｓを用いて形成されていることが好ましい。

シースルー機能を有する表示装置において、両面発光型の発光素子を含む画素を有する
第１の表示部と、光散乱性の液晶層を有する第２表示部との間に、シャッター状の遮光手
段を設けることにより、第１の表示部、第２の表示部およびシャッター状の遮光手段を切
り替えるだけで容易に用途や状況に応じた多様な表示モードを可能とする表示装置を提供
することができる。

本発明の一態様に係る表示装置を説明する斜投影図。本発明の一態様に係る表示装置を説明する断面図。本発明の一態様に係る表示装置におけるＭＥＭＳ構造体部を説明する平面図。本発明の一態様に係る表示装置を説明する断面図。本発明の一態様に係る表示装置を説明する断面図。本発明の一態様に係る表示装置におけるシャッターを説明する斜視図。本発明の一態様に係る表示装置における第１の表示部を説明する断面図および平面図。本発明の一態様に係る表示装置における第１の表示部を説明する断面図および平面図。本発明の一態様に係る表示装置における第２の表示部を説明する断面図および平面図。本発明の一態様に係る表示装置における第２の表示部を説明する断面図および平面図。本発明の一態様に係る表示装置の応用例を示す図。

本発明の実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説
明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様
々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実
施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する本発明の
構成において、同一部分または同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で
共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。

なお、本明細書で説明する各図において、各構成の大きさ、層の厚さ、または領域は、
明瞭化のために誇張されている場合がある。よって、必ずしもそのスケールに限定されな
い。

また、本明細書にて用いる第１、第２、第３などの用語は、構成要素の混同を避けるた
めに付したものであり、数的に限定するものではない。そのため、例えば、「第１の」を
「第２の」または「第３の」などと適宜置き換えて説明することができる。

（実施の形態１）
本実施の形態では、開示する発明の一態様に係る、シースルー機能を有する表示装置に
ついて図１乃至図３を用いて説明する。

図１は、開示する発明の一態様に係る、シースルー機能を有する表示装置の構成を模式
的に示した斜投影図である。図１に示される表示装置は、両面発光型の発光素子を含む画
素を有する第１の表示部１４と、光散乱性の液晶層を有する第２の表示部１８と、第１の
表示部１４と第２の表示部１８の間にシャッター状の遮光手段１０を有する。第１の表示
部１４は、少なくとも両面発光型の発光素子が非発光状態の場合に透光性を有し、第２の
表示部１８は、少なくとも光散乱性の液晶層が透過状態の場合に透光性を有する。

第１の表示部１４は、両面発光型の発光素子を用いたシースルー機能を持つ発光表示装
置として機能し、各画素において発光状態と非発光状態を切り替えることができる。

第２の表示部１８は、光散乱性の液晶層を用いた液晶表示装置として機能し、不透明な
散乱状態と透光性を有する透過状態とを切り替えることができる。

シャッター状の遮光手段１０は、第１の表示部１４側から第２の表示部１８側に向かう
光および第２の表示部１８側から第１の表示部１４側に向かう光について遮光状態と透過
状態を切り替えることができる。なお、遮光手段１０は上記遮光状態と透過状態を切り替
えることができる機構を有すればよく、例えば、開口部を有する遮光層と当該開口部を遮
光することができる可動遮光層からなるシャッターなどを用いることができる。

以上のようにシースルー機能を有する表示装置において、両面発光型の発光素子を含む
画素を有する第１の表示部と、光散乱性の液晶層を有する第２表示部との間に、シャッタ
ー状の遮光手段を設けることにより、第１の表示部、第２の表示部およびシャッター状の
遮光手段を切り替えるだけで容易に用途や状況に応じた多様な表示モードを可能とする表
示装置を提供することができる。

なお、第１の表示部１４、第２の表示部１８および遮光手段１０の具体的な構成につい
ては、図２および図３の説明において後述する。なお、図１に示す第１の表示部１４はア
クティブマトリクス型の発光表示装置のように描かれているが、第１の表示部１４はこれ
に限られるものではない。また、図１に示すシャッター状の遮光手段１０は第１の表示部
１４の画素に対応して遮光手段が設けられるように描かれているが、シャッター状の遮光
手段１０はこれに限られるものではない。

以下に図１で示した、シースルー機能を有する表示装置の構成例および表示モードにつ
いて図２および図３を用いて説明する。

図２（Ａ）乃至図２（Ｃ）は、それぞれ開示する発明の一態様に係る、シースルー機能
を有する表示装置の断面図であり、第１の表示部１０４側から視認できる表示モードを示
している。図２（Ａ）は第１の表示部１０４の背景が黒表示の表示モードを、図２（Ｂ）
は第１の表示部１０４の背景が白表示の表示モードを、図２（Ｃ）は第１の表示部１０４
の背景がシースルー表示の表示モードを示している。

まず、図２（Ａ）乃至図２（Ｃ）に示される表示装置の構成について説明する。図２（
Ａ）乃至図２（Ｃ）に示される表示装置は、透光性を有する第１の支持体１００と、第１
の支持体１００に設けられた両面発光型の発光素子を有する第１の表示部１０４と、第１
の支持体１００に対向して設けられた透光性を有する第２の支持体１０２と、第２の支持
体１０２に第１の表示部１０４と対向して設けられた、光散乱性の液晶層を有する第２の
表示部１０８と、第１の表示部１０４と第２の表示部１０８の間に設けられた、遮光層１
１０ａと可動遮光層１１０ｂとを含むシャッター１１０とを有する。第１の表示部１０４
は少なくとも両面発光型の発光素子が非発光状態の場合に透光性を有し、第２の表示部１
０８は少なくとも光散乱性の液晶層が透過状態の場合に透光性を有する。第１の支持体１
００と第２の支持体１０２の間はシール材１１２によって封止される。

ここで、第１の表示部１０４が図１に示す第１の表示部１４に対応し、シャッター１１
０が図１に示す遮光手段１０に対応し、第２の表示部１０８が図１に示す第２の表示部１
８に対応する。

第１の支持体１００および第２の支持体１０２としては透光性を有する基板を用いるこ
とができる。例えば、ガラス基板、セラミックス基板などを用いることができる。また、
第１の支持体１００および第２の支持体１０２として、プラスチック基板などの、透光性
と可撓性を有する基板を用いることができる。プラスチック基板としては、ＦＲＰ（Ｆｉ
ｂｅｒｇｌａｓｓ−ＲｅｉｎｆｏｒｃｅｄＰｌａｓｔｉｃｓ）板、ＰＶＦ（ポリビニル
フルオライド）フィルム、ポリエステルフィルムまたはアクリル樹脂フィルムを用いるこ
とができる。また、アルミニウムホイルをＰＶＦフィルムやポリエステルフィルムで挟ん
だ構造のシートを用いることもできる。

図１に示す第１の表示部１４に対応する第１の表示部１０４は、複数の画素を有し、各
画素には少なくとも一つ以上の両面発光型の発光素子が形成されている。発光素子として
はエレクトロルミネッセンスを利用するものが適用でき、発光材料により有機ＥＬ（Ｅｌ
ｅｃｔｒｏＬｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）素子と無機ＥＬ素子に区別される。なお、本明
細書等において、両面発光とは、発光素子の発光を当該発光素子の陽極と陰極の両方の側
から取り出すことができる発光形式のことを示す。

有機ＥＬ素子は、発光素子に電圧を印加することにより、一対の電極から電子および正
孔がそれぞれ発光性の有機化合物を含む層に注入され、電流が流れる。そして、それらキ
ャリア（電子および正孔）が再結合することにより、発光性の有機化合物が励起状態を形
成し、その励起状態が基底状態に戻る際に発光する。このようなメカニズムから、このよ
うな発光素子は、電流励起型の発光素子と呼ばれる。

一方、無機ＥＬ素子は、その素子構成により、分散型無機ＥＬ素子と薄膜型無機ＥＬ素
子とに分類される。分散型無機ＥＬ素子は、発光材料の粒子をバインダ中に分散させた発
光層を有するものであり、発光メカニズムはドナー準位とアクセプター準位を利用するド
ナー−アクセプター再結合型発光である。薄膜型無機ＥＬ素子は、発光層を誘電体層で挟
み込み、さらにそれを電極で挟んだ構造であり、発光メカニズムは金属イオンの内殻電子
遷移を利用する局在型発光である。

本実施の形態では、発光素子として有機ＥＬ素子を用いて説明する。有機ＥＬ素子は陰
極と陽極の間に電界発光層を積層させて形成される。ここで陰極と陽極の間に設けられる
電界発光層の厚さは１０ｎｍ乃至１０００ｎｍとし、好ましくは１００ｎｍ乃至４００ｎ
ｍとする。また、電界発光層は単数の層で構成されていても、複数の層が積層されるよう
に構成されていてもどちらでも良い。電界発光層が複数の層で構成される場合、例えば、
陰極、電子注入層、電子輸送層、発光層、ホール輸送層、ホール注入層、陽極の順に積層
する。なおこれらの層を全て設ける必要はない。

陰極および陽極に用いる導電膜としては透光性を有する導電材料が好ましく、酸化亜鉛
、酸化タングステンを含むインジウム酸化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸
化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、イン
ジウム錫酸化物（以下、ＩＴＯと示す。）、インジウム亜鉛酸化物、酸化ケイ素を添加し
たインジウム錫酸化物などの導電性酸化物を用いることができる。また、透光性を有する
導電膜として光が透過する程度の膜厚（好ましくは、５ｎｍ〜３０ｎｍ程度）の金属膜を
用いることができる。特に陰極に用いる導電材料は仕事関数が小さい材料が好ましいので
、例えば、Ｃａ、Ａｌ、ＣａＦ、ＭｇＡｇ、ＡｌＬｉ等を上記の膜厚で用いることが好ま
しい。また、これらの金属膜を上記の導電性酸化物に積層させて用いても良い。また、第
１の表示部１０４は、少なくとも非発光状態の場合に透光性を有するように、発光素子以
外の構成についても透光性を有するようにする。

また、有機ＥＬ素子に酸素、水素、水分、二酸化炭素等が侵入しないように、有機ＥＬ
素子の上に保護膜を形成してもよい。保護膜としては、窒化シリコン膜、窒化酸化シリコ
ン膜、ＤＬＣ（Ｄｉａｍｏｎｄ−ＬｉｋｅＣａｒｂｏｎ）膜等を形成することができる
。

また、第１の表示部１０４は、パッシブマトリクス型としてもよいし、ＴＦＴなどのト
ランジスタによって発光素子の駆動が制御されるアクティブマトリクス型としてもよい。
いずれの場合においても、各画素に電気的に接続される配線を格子状に設ける必要がある
。開口率の向上を図る点において、第１の表示部の配線として用いる導電膜としては透光
性を有する導電材料が好ましく、上述の陰極および陽極に用いる透光性を有する導電材料
を用いることができる。ただし、配線の導電性向上を図りたい場合には、アルミニウム、
クロム、銅、タンタル、チタン、モリブデン、タングステン、マンガン、ジルコニウムか
ら選ばれた金属元素、または上述した金属元素を成分とする合金か、上述した金属元素を
組み合わせた合金などを用いることもできる。

また、第１の表示部１０４をアクティブマトリクス型とする場合、トランジスタも透光
性を有する材料で形成するのが好ましい。トランジスタに用いる透光性を有する半導体膜
としては、酸化物半導体膜を用いるのが好ましい。当該酸化物半導体膜としては、四元系
金属酸化物であるＩｎ−Ｓｎ−Ｇａ−Ｚｎ系金属酸化物や、三元系金属酸化物であるＩｎ
−Ｇａ−Ｚｎ系金属酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｚｎ系金属酸化物、Ｉｎ−Ａｌ−Ｚｎ系金属酸
化物、Ｓｎ−Ｇａ−Ｚｎ系金属酸化物、Ａｌ−Ｇａ−Ｚｎ系金属酸化物、Ｓｎ−Ａｌ−Ｚ
ｎ系金属酸化物や、二元系金属酸化物であるＩｎ−Ｚｎ系金属酸化物、Ｓｎ−Ｚｎ系金属
酸化物などが用いられる。

なお、トランジスタの活性層に用いる上述の酸化物半導体膜は、熱処理によって、水素
、水分、水酸基または水素化物（水素化合物ともいう）などの不純物を酸化物半導体より
排除し、かつ不純物の排除工程によって同時に減少してしまう酸化物半導体を構成する主
成分材料である酸素を供給することによって、酸化物半導体膜を高純度化および電気的に
ｉ型（真性）化されたものとすることが好ましい。このように高純度化された酸化物半導
体膜を含むトランジスタは、電気的特性変動が抑制されており、電気的に安定である。

なお、第１の表示部１０４の構造例の詳細については後の実施の形態に記載する。

図１に示す第２の表示部１８に対応する第２の表示部１０８は、液晶粒による光の散乱
光を利用して白表示（明表示）を行う光散乱性の液晶層を有する。光散乱性の液晶として
は、例えば、高分子分散型液晶（ＰＤＬＣ（ＰｏｌｙｍｅｒＤｉｓｐｅｒｓｅｄＬｉ
ｑｕｉｄＣｒｙｓｔａｌ）、高分子分散液晶、ポリマー分散型液晶ともいう）又は高分
子ネットワーク型液晶（ＰＮＬＣ（ＰｏｌｙｍｅｒＮｅｔｗｏｒｋＬｉｑｕｉｄＣ
ｒｙｓｔａｌ））が挙げられる。これらを用いた液晶層は高分子ネットワークを形成する
高分子層中に液晶粒が分散された構成となっている。

また、上記の光散乱性の液晶は、あらかじめ液晶を配向させず、かつ入射した光に偏光
を行わないため、配向膜及び偏光板を設けなくてもよい。従って、上記の光散乱性の液晶
を用いた第２の表示部１０８は、配向膜及び偏光板を設ける必要がないため、配向膜及び
偏光板による光の吸収がなく、より高輝度な明るい表示画面とすることができる。よって
、第２の表示部１０８の光の利用効率が良好となるので、低消費電力化を図ることができ
る。

第２の表示部１０８において、光散乱性の液晶層は透光性を有する導電膜によって挟持
されるように設けられ、液晶素子を形成する。ここで、透光性を有する導電膜としては、
第１の表示部１０４の有機ＥＬ素子の陰極および陽極に用いた導電膜と同様のものを用い
ることができる。また、第２の表示部１０８は、少なくとも光散乱性の液晶層が透過状態
の場合に透光性を有するように、液晶素子以外の構成についても透光性を有するようにす
る。

上記の光散乱性の液晶層において、上面および下面に設けられた導電膜に電圧を印加し
ない場合（オフ状態ともいう）は、高分子層内に分散している液晶粒はランダムに配列し
高分子の屈折率と液晶分子の屈折率とが異なるため、入射した光は液晶粒によって散乱さ
れ、液晶層は不透明な白濁した状態となる。よって視認側から確認できる表示も白表示と
なる。

一方、上面および下面に設けられた導電膜に電圧を印加した場合（オン状態ともいう）
、光散乱性の液晶層に電界が形成され、液晶粒内の液晶分子は電界方向に配列し高分子の
屈折率と液晶分子短軸の屈折率とがほぼ一致するため、入射した光は液晶粒で散乱されず
、液晶層を透過する。よって、液晶層は透光性となり透明な状態となる。液晶層が透光性
な状態となった場合は、視認側から確認できる表示は、液晶層の前後に設けられる材料に
依存する。

なお、本実施の形態では第２の表示部１０８が、光散乱性を有する液晶層と、当該液晶
層の上面および下面に設けられる透光性を有する導電膜と、を有し、当該導電膜は第２の
支持体１０２の基板面に対して一様に形成される構成とした。つまり、第２の表示部１０
８に画素を設けない構成としたが、本実施の形態はこれに限られるものではない。第２の
表示部１０８の液晶層の上面および下面に設けられる透光性を有する導電膜を行方向およ
び列方向に分割して画素電極として、第２の表示部１０８に複数の画素を設ける構成とし
ても良い。

なお、第２の表示部１０８の構造例の詳細については後の実施の形態に記載する。

第１の表示部１０４と第２の表示部１０８との間には、開閉可能なシャッター状の遮光
手段を設ける。図２（Ａ）乃至図２（Ｃ）に示す表示装置においては、遮光層１１０ａと
可動遮光層１１０ｂとを含むシャッター１１０が、図１に示すシャッター状の遮光手段１
０にあたる。

シャッター１１０はＭＥＭＳ（ＭｉｃｒｏＥｌｅｃｔｒｏＭｅｃｈａｎｉｃａｌ
Ｓｙｓｔｅｍｓ）を用いて形成することが好ましい。図２（Ａ）乃至図２（Ｃ）に示す表
示装置においては、第１の表示部１０４と第２の表示部１０８との間にＭＥＭＳ構造体部
１０６ａとＭＥＭＳ駆動素子部１０６ｂとを設ける。ＭＥＭＳ構造体部１０６ａは、３次
元的な立体構造を有し、且つ一部が可動する微小構造体であるシャッター１１０を複数有
する。シャッター１１０は開口部１１０ｃが設けられた遮光層１１０ａと、開口部１１０
ｃを遮光することができる可動遮光層１１０ｂとを有する。ここで、開口部１１０ｃの少
なくとも一部は、第１の表示部１０４に設けられた画素と重畳するように設けられる。

シャッター１１０は、可動遮光層１１０ｂを開口部１１０ｃと重畳させることで開口部
１１０ｃを通過しようとする光を遮光し、可動遮光層１１０ｂを開口部１１０ｃと重畳さ
せないように移動させることで開口部１１０ｃに光を通過させる。図３に示す平面図にマ
トリクス状に設けられたシャッター１１０の例を示す。

図３（Ａ−１）および図３（Ａ−２）に示すシャッター１１０は、遮光層１１０ａの各
開口部１１０ｃに一つずつ行方向にスライドできる可動遮光層１１０ｂが設けられている
。開口部１１０ｃが第１の表示部１０４の画素に対応して設けられている場合、各画素に
一つずつ可動遮光層１１０ｂが設けられることになる。

図３（Ａ−１）はシャッター１１０が閉まっている状態を示し、図３（Ａ−２）は一部
のシャッター１１０が開き、残りのシャッター１１０が閉まっている状態を示す。図３（
Ａ−１）および図３（Ａ−２）のように各開口部１１０ｃに可動遮光層１１０ｂを設ける
ことにより、開口部１１０ｃごとにシャッター１１０の開閉を設定することができ、開口
部１１０ｃを第１の表示部１０４の画素に対応して設けている場合、画素ごとにシャッタ
ー１１０の開閉を設定することができる。なお、図３（Ａ−２）では、一部のシャッター
１１０を開くようにしたが、もちろん全てのシャッター１１０を開いてもよい。

また、図３（Ａ−１）および図３（Ａ−２）では、可動遮光層１１０ｂおよび開口部１
１０ｃの形状を矩形状としたがこれに限られることなく、円形、楕円形、多角形等にして
もよい。

また、可動遮光層１１０ｂおよび開口部１１０ｃをスリット状に形成しても良い。図３
（Ａ−１）および図３（Ａ−２）に示すシャッター１１０の可動遮光層１１０ｂおよび開
口部１１０ｃをスリット状にしたものを図３（Ｂ−１）および図３（Ｂ−２）に示す。こ
こで、可動遮光層１１０ｂの可動領域は開口部１１０ｃにおける可動遮光層１１０ｂのス
ライド方向（行方向）の幅に応じて設定される。よって、図３（Ｂ−１）および図３（Ｂ
−２）に示すように、開口部１１０ｃの行方向の幅を狭くすることにより、可動遮光層１
１０ｂの可動領域を狭く設定することができる。これにより、シャッター１１０一つあた
りの占有面積を狭くすることができるので、ＭＥＭＳ構造体部１０６ａの高開口率化を図
ることができる。また、これにより、シャッター１１０の開閉に必要な消費電力も低減す
ることができる。さらに、開口部１１０ｃを第１の表示部１０４の画素に対応して設ける
場合、当該画素をより集積して設けることができる。

また、一つの可動遮光層１１０ｂで、可動遮光層１１０ｂのスライド方向に垂直な方向
（列方向）に並んだ複数の開口部１１０ｃを遮光できるようにしてもよい。図３（Ａ−１
）および図３（Ａ−２）に示すシャッター１１０の可動遮光層１１０ｂを列方向に伸長し
たものを図３（Ｃ−１）および図３（Ｃ−２）に示す。

また、一つの可動遮光層１１０ｂで、可動遮光層１１０ｂのスライド方向（行方向）に
並んだ複数の開口部１１０ｃを遮光できるようにしてもよい。図３（Ａ−１）および図３
（Ａ−２）に示すシャッター１１０の可動遮光層１１０ｂを行方向に伸長したものを図３
（Ｄ−１）および図３（Ｄ−２）に示す。

なお、図３に示す可動遮光層１１０ｂおよび開口部１１０ｃの形状などは互いに適宜組
み合わせて用いることができる。

遮光層１１０ａまたは可動遮光層１１０ｂとしては遮光性を有する材料を用いる。例え
ば、クロム、モリブデン、ニッケル、チタン、銅、タングステン、タンタル、ネオジム、
アルミニウム、シリコンなどの金属、合金または酸化物などを用いることができる。

また、ＭＥＭＳ構造体部１０６ａおよびシャッター１１０には、遮光層１１０ａおよび
可動遮光層１１０ｂの他に可動遮光層１１０ｂを基板平面に平行にスライドさせるための
アクチュエータや、可動遮光層１１０ｂを支持する構造体などが含まれる。なお、シャッ
ター１１０の構造例の詳細については後の実施の形態に記載する。

また、アクチュエータを介して可動遮光層１１０ｂを駆動させるトランジスタがＭＥＭ
Ｓ駆動素子部１０６ｂに形成される。ＭＥＭＳ駆動素子部１０６ｂに用いるトランジスタ
は透光性を有する材料で形成されることが好ましく、第１の表示部１０４で用いたトラン
ジスタと同様のものを用いることができる。また、ＭＥＭＳ駆動素子部１０６ｂの配線と
して用いる導電膜としては透光性を有する導電材料が好ましく、第１の表示部１０４で用
いた配線と同様のものを用いることができる。

なお、図２（Ａ）乃至図２（Ｃ）において、ＭＥＭＳ構造体部１０６ａとＭＥＭＳ駆動
素子部１０６ｂを明確に分けているが、本実施の形態に示す表示装置は必ずしもこれに限
定されない。例えば、遮光層１１０ａと可動遮光層１１０ｂの間に可動遮光層１１０ｂを
駆動するためのトランジスタおよび当該トランジスタを駆動するための配線を設けるよう
な構成としても良い。

また、シール材１１２としては、代表的には可視光硬化性、紫外線硬化性または熱硬化
性の樹脂を用いるのが好ましい。代表的には、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、アミン樹脂
などを用いることができる。また、光（代表的には紫外線）重合開始剤、熱硬化剤、フィ
ラー、カップリング剤を含んでもよい。

また、第１の支持体１００、第２の支持体１０２、およびシール材１１２によって封止
された空間には充填材が封入されている。充填材としては窒素やアルゴンなどの不活性な
気体を用いることができる。このように充填材を封入することにより、酸素、水素、水分
、二酸化炭素等が侵入し、有機ＥＬ素子やシャッター１１０などが劣化するのを防ぐこと
ができる。

また、第１の支持体１００、第２の支持体１０２、およびシール材１１２によって封止
された空間に柱状または球状のスペーサを設けて当該空間の高さを制御しても良い。ただ
し、柱状または球状のスペーサがシャッター１１０の可動遮光層１１０ｂに干渉しないよ
うにする必要がある。

次に図２（Ａ）乃至図２（Ｃ）に示す第１の表示部１０４側から視認できる表示モード
について説明する。

図２（Ａ）に示す第１の表示部１０４側から視認できる表示モードは、第１の表示部１
０４の背景が黒表示（暗表示）となる表示モードである。当該表示モードでは、シャッタ
ー１１０の可動遮光層１１０ｂを遮光層１１０ａの開口部１１０ｃに重畳させているので
、第２の支持体１０２側からの光は開口部１１０ｃにおいて遮光される。よって、第１の
表示部１０４側から視認できる光は第１の表示部１０４の発光だけになる。このとき、第
１の表示部１０４において非発光状態の画素からはほとんど光が射出されないので非発光
状態の画素は黒表示となる。

なお、本明細書等において、黒表示とは、画素と重畳するシャッター１１０が閉まって
いる状態における非発光状態の画素の表示を示すものとする。よって、黒表示という記載
は当該画素から射出される光が全くないということを指すものではない。例えば、シャッ
ター１１０の可動遮光層１１０ｂに金属膜などの反射性を有する膜を用いた場合、可動遮
光層１１０ｂに反射した光が画素からわずかに射出されることもあるが、このような場合
も黒表示というものとする。

なお、図２（Ａ）に示す表示モードでは、第２の表示部１０８は散乱状態としていても
よいし、透過状態としていてもよい。

図２（Ａ）に示す表示モードにおいては、開口部１１０ｃを可動遮光層１１０ｂによっ
て遮光するので、第１の表示部１０４の映像を第２の支持体１０２側から覗かれたり、第
１の表示部の映像に第２の支持体１０２側の景色が写り込んだりすることを防ぐことがで
きる。さらに、開口部１１０ｃを可動遮光層１１０ｂによって遮光することにより、第２
の支持体１０２側から非発光状態の画素に余計な光が入射することをふせぐことができる
ので、非発光状態の画素でコントラストの良好な黒色を発色することができる。

図２（Ｂ）に示す第１の表示部１０４側から視認できる表示モードは、第１の表示部１
０４の背景が白表示（明表示）となる表示モードである。当該表示モードでは、シャッタ
ー１１０の可動遮光層１１０ｂを遮光層１１０ａの開口部１１０ｃに重畳させず、第２の
表示部１０８を散乱状態としているので、第２の表示部１０８の散乱光が開口部１１０ｃ
を通って第１の支持体１００側に射出される。よって、第１の表示部１０４側から視認で
きる光は第１の表示部１０４の発光と第２の表示部１０８の散乱光となる。このとき、第
１の表示部１０４において非発光状態の画素から射出される光はほとんど第２の表示部１
０８の散乱光となるので非発光状態の画素は白表示となる。また、第２の支持体側に向か
う第１の表示部１０４の発光は、開口部１１０ｃを通って第２の表示部１０８に入射する
と散乱されてしまう。

なお、本明細書等において、白表示とは、画素と重畳するシャッター１１０が開いてお
り、且つ第２の表示部１０８が散乱状態における非発光状態の画素の表示を示すものとす
る。

図２（Ｂ）に示す表示モードにおいては、第２の表示部１０８が散乱状態なので、第１
の表示部１０４の映像を第２の支持体１０２側から覗かれたり、第１の表示部の映像に第
２の支持体１０２側の景色が写り込んだりすることを防ぐことができる。さらに、第２の
表示部１０８を散乱状態とすることにより、第１の表示部１０４を発光させることなく第
１の表示部１０４側に白表示することができるので、低消費電力で白表示を行うことが可
能となる。

図２（Ｃ）に示す第１の表示部１０４側から視認できる表示モードは、第１の表示部１
０４の背景として第２の支持体１０２の反対側からの光も目に入る、いわゆるシースルー
表示となる表示モードである。当該表示モードでは、シャッター１１０の可動遮光層１１
０ｂを遮光層１１０ａの開口部１１０ｃに重畳させず、第２の表示部１０８を透過状態と
しているので、第２の支持体１０２の向こう側からの入射光が第２の表示部１０８および
開口部１１０ｃを通って第１の支持体１００側に射出される。よって、第１の表示部１０
４側から視認できる光は第１の表示部１０４の発光と第２の支持体１０２の向こう側から
の入射光となる。このとき、第１の表示部１０４において非発光状態の画素から射出され
る光はほとんど第２の支持体１０２の向こう側からの入射光となるので非発光状態の画素
はシースルー表示となる。なお、図２（Ｃ）に示す第２の表示部１０８は、図２（Ａ）お
よび図２（Ｂ）の第２の表示部１０８とは異なり、透過状態なのでハッチングを変更して
示している。

なお、本明細書等において、シースルー表示とは、画素と重畳するシャッター１１０が
開いており、且つ第２の表示部１０８が透過状態における非発光状態の画素の表示を示す
ものとする。よって、シースルー表示という記載は第２の表示部１０８側から入射した光
が、第１の表示部１０４側に１００％射出されることを指すものではない。例えば、第２
の表示部１０８側から入射した光が遮光層１１０ａなどで吸収減衰されてとしても、シー
スルー表示というものとする。

また、図２（Ｃ）に示す表示モードにおいては、第２の表示部１０８側から第１の表示
部１０４の表示を視認することもできる。

図２（Ｃ）に示す表示モードにおいては、第２の表示部１０８が透過状態なので、第１
の表示部１０４の映像と第２の支持体１０２の向こう側の景色を同時に見ることができる
。これにより、第２の支持体１０２の向こう側の対象に関する情報を第１の表示部１０４
に表示しながら対象を見る、または第１の表示部１０４に映像を表示して第２の支持体１
０２の向こう側の対象に装飾を施すことができる。

また、図２（Ｃ）に示す表示モードにおいて、さらに第１の表示部１０４の発光素子を
非発光状態とすることを透過表示と呼ぶ。透過表示とすることにより、第２の支持体１０
２側からの入射光を第１の支持体１００側に透過させ、第１の支持体１００側からの入射
光を第２の支持体１０２側に透過させることができる。つまり、当該表示装置を窓ガラス
などのように用いることができる。なお、ここでいう透過表示とは、第１の表示部１０４
または第２の表示部１０８側から入射した光が遮光層１１０ａなどで吸収減衰されてしま
う場合も含むものとする。

これにより第１の表示部１０４を発光させないときには、当該表示装置を窓ガラスなど
のように、透光性を有する板のような状態で待機させておくことができる。

また、図２（Ａ）乃至図２（Ｃ）に示す表示モードを第１の表示部１０４の画素ごとま
たはＭＥＭＳ構造体部１０６ａのシャッター１１０ごとに使い分けることも可能である。
例えば、図２（Ａ）に示す黒表示モードと図２（Ｃ）に示すシースルー表示モードを第１
の表示部１０４の画素ごとに使い分けても良い。つまり、第１の表示部１０４において、
発光表示または黒表示をしたい画素については当該画素に重畳するシャッター１１０を閉
めておき、シースルー表示または透過表示をしたい画素については当該画素に重畳するシ
ャッターを開いておくこともできる。これにより、第２の支持体１０２の向こう側の対象
に関する情報を第１の表示部１０４に表示しながら対象を見る、または第１の表示部１０
４に映像を表示して第２の支持体１０２の向こう側の対象に装飾を施す際に、第１の表示
部１０４の必要な映像に対して、第２の支持体１０２の向こう側の景色が透けて写り込む
ことを防ぐことができる。

以上、本実施の形態に示す構成などは、他の実施の形態に示す構成などと適宜組み合わ
せて用いることができる。

（実施の形態２）
本実施の形態では、実施の形態１に示すシースルー機能を有する表示装置とは異なる態
様の表示装置について図４を用いて説明する。

図４に示す表示装置は、透光性を有する第１の支持体１００と、第１の支持体１００に
設けられた発光素子を有する第１の表示部１０４と、第１の支持体１００に対向して設け
られた透光性を有する第２の支持体１０２と、第２の支持体１０２の第１の表示部１０４
とは反対側に設けられた、光散乱性の液晶層を有する第２の表示部１０８と、第１の表示
部１０４と第２の支持体１０２の間に設けられた、ＭＥＭＳ構造体部１０６ａとＭＥＭＳ
駆動素子部１０６ｂとを有する。ＭＥＭＳ構造体部１０６ａは、開口部１１０ｃが設けら
れた遮光層１１０ａと、開口部１１０ｃを遮光することができる可動遮光層１１０ｂとを
含むシャッター１１０を有し、ＭＥＭＳ駆動素子部１０６ｂはシャッター１１０を駆動す
るトランジスタを有する。第１の支持体１００と第２の支持体１０２の間はシール材１１
２によって封止される。

つまり、図２（Ａ）乃至図２（Ｃ）に示す表示装置と図４に示す表示装置の相違点は、
第２の表示部１０８が第１の支持体１００と第２の支持体１０２との間に設けられている
か否かという点である。その他の構成については、図２（Ａ）乃至図２（Ｃ）に示す表示
装置と同様なので詳細についてはそちらを参酌することができる。

本実施の形態において、第２の表示部１０８は第１の支持体１００、第２の支持体１０
２およびシール材１１２で封止された領域の外側に設けられるので、酸素、水素、水分、
二酸化炭素等が侵入しないように、第２の表示部１０８の上に保護膜を形成することが好
ましい。保護膜としては、窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、ＤＬＣ（Ｄｉａｍｏｎ
ｄ−ＬｉｋｅＣａｒｂｏｎ）膜等を形成することができる。さらに外気に曝されないよ
うに気密性が高く、脱ガスの少ない保護フィルム（貼り合わせフィルム、紫外線硬化樹脂
フィルム等）やカバー材でパッケージング（封入）することが好ましい。

なお、図４に示す表示装置の、第１の表示部１０４側から視認できる表示モードは、第
１の表示部１０４の背景が黒表示（暗表示）となる表示モードとしているが、もちろんこ
れに限られるものではなく、実施の形態１と同様に、図２（Ａ）乃至図２（Ｃ）に示すよ
うな各種の表示モードを用いることができる。

また、図４に示す表示装置では、第２の表示部１０８を第１の支持体１００、第２の支
持体１０２およびシール材１１２で封止された領域の外側に設けたが、本実施の形態はこ
れに限られるものではない。外気に曝されないように気密性が高く、脱ガスの少ない保護
フィルムやカバー材で封入できるならば、第１の表示部１０４を当該領域の外に設けても
良い。その場合、図２（Ａ）乃至図２（Ｃ）に示す構成において、第１の表示部１０４を
第１の支持体１００の第２の表示部１０８とは反対側に設け、ＭＥＭＳ構造体部１０６ａ
およびＭＥＭＳ駆動素子部１０６ｂを第２の表示部１０８と第１の支持体１００の間に設
けるような構成となる。

（実施の形態３）
本実施の形態では、実施の形態１に示すシースルー機能を有する表示装置とは異なる態
様の表示装置について図５を用いて説明する。

図５（Ａ）および図５（Ｂ）は、それぞれ開示する発明の一態様に係る表示装置の断面
図である。図５（Ａ）は両面表示の表示モードを、図５（Ｂ）は第１の表示部１０４をバ
ックライトとして用いる表示モードを示している。

まず、図５（Ａ）および図５（Ｂ）に示される表示装置の構成について説明する。図５
（Ａ）および図５（Ｂ）に示される表示装置は、透光性を有する第１の支持体１００と、
第１の支持体１００に設けられた発光素子を有する第１の表示部１０４と、第１の支持体
１００に対向して設けられた透光性を有する第２の支持体１０２と、第２の支持体１０２
に第１の表示部１０４と対向して設けられた、光散乱性の液晶層を有する第２の表示部２
０８と、第１の表示部１０４と第２の表示部２０８の間に設けられた、ＭＥＭＳ構造体部
１０６ａとＭＥＭＳ駆動素子部１０６ｂとを有する。ＭＥＭＳ構造体部１０６ａは、開口
部１１０ｃが設けられた遮光層１１０ａと、開口部１１０ｃを遮光することができる可動
遮光層１１０ｂとを含むシャッター１１０を有し、ＭＥＭＳ駆動素子部１０６ｂはシャッ
ター１１０を駆動するトランジスタを有する。第１の表示部１０４は複数の第１の画素を
有し、第２の表示部２０８は複数の第２の画素を有し、第１の画素および第２の画素の少
なくとも一部は遮光層１１０ａの開口部１１０ｃと重畳する。第１の支持体１００と第２
の支持体１０２の間はシール材１１２によって封止される。

つまり、図５（Ａ）および図５（Ｂ）に示す表示装置は、第２の表示部２０８に複数の
第２の画素が設けられている点において、図２（Ａ）乃至図２（Ｃ）に示す表示装置と異
なる。その他の構成については、図２（Ａ）乃至図２（Ｃ）に示す表示装置と同様なので
詳細についてはそちらを参酌することができる。

実施の形態１に示す第２の表示部１０８と異なり、本実施の形態において第２の表示部
２０８は、光散乱性を有する液晶層の上面および下面に設けられる透光性を有する導電膜
の一方を分割して画素電極として、第２の表示部２０８に複数の画素を設ける構成とする
。第２の表示部２０８は、パッシブマトリクス型としてもよいし、ＴＦＴなどのトランジ
スタによって液晶素子の駆動が制御されるアクティブマトリクス型としてもよい。いずれ
の場合においても、各画素に電気的に接続される配線を格子状に設ける必要がある。第２
の表示部の配線として用いる導電膜としては、先の実施の形態において、第１の表示部の
配線として用いた導電膜を用いることができるので、詳細についてはそちらを参酌するこ
とができる。また、第２の表示部２０８をアクティブマトリクス型とする場合、トランジ
スタも透光性を有する材料で形成されることが好ましく、実施の形態１に示す第１の表示
部１０４と同様のものを用いることができる。

次に図５（Ａ）および図５（Ｂ）に示す表示モードについて説明する。なお、本実施の
形態に示す表示装置においても、実施の形態１と同様に図２（Ａ）乃至図２（Ｃ）に示す
表示モードはもちろん可能である。

図５（Ａ）に示す表示モードは、第１の支持体１００側からは第１の表示部１０４の映
像を視認することができ、第２の支持体１０２側からは第２の表示部２０８の映像を視認
することができる、両面表示の表示モードである。当該表示モードでは、シャッター１１
０の可動遮光層１１０ｂを遮光層１１０ａの開口部１１０ｃに重畳させているので、第１
の支持体１００側からの光も第２の支持体１０２側からの光もシャッター１１０において
遮光される。よって、第１の支持体１００側から視認できる映像は第１の表示部１０４の
映像だけとなり、第２の支持体１０２側から視認できる映像は第２の表示部２０８の映像
だけとなる。つまり、図５（Ａ）に示す表示モードでは、一つの表示装置の両面に異なる
映像を表示させることができる。

また、図５（Ｂ）に示す表示モードでは、第１の表示部１０４を第２の表示部２０８の
バックライトとして用いる表示モードである。当該表示モードでは、シャッター１１０の
可動遮光層１１０ｂを遮光層１１０ａの開口部１１０ｃに重畳させず、第１の表示部１０
４を発光状態としているので、第１の表示部１０４の発光が開口部１１０ｃを通って、第
２の表示部２０８に入射する。よって、第１の表示部１０４において、赤（Ｒ）色を呈色
する発光素子、緑（Ｇ）色を呈色する発光素子、青（Ｂ）色を呈色する発光素子を設ける
ことにより、第２の表示部２０８に着色層を用いることなくフルカラー表示を行うことが
可能となる。例えば、ＲＧＢの３色の発光素子を順次点灯させ、色を切り替えてフルカラ
ー表示をするフィールドシーケンシャル方式を用いることもできる。

以上のようにシースルー機能を有する表示装置において、両面発光型の発光素子を含む
第１の画素を有する第１の表示部と、光散乱性の液晶層から成る第２の画素を有する第２
表示部との間に、シャッター状の遮光手段を設けることにより、第１の表示部、第２の表
示部およびシャッター状の遮光手段を切り替えるだけで容易に用途や状況に応じた多様な
表示モードを可能とする表示装置を提供することができる。

（実施の形態４）
本実施の形態では、先の実施の形態に示すシースルー機能を有する表示装置に設けられ
たシャッターの構造例について図６を用いて説明する。

図６は、シャッター３００の斜視図である。シャッター３００は、アクチュエータ３１
１に結合された可動遮光層３０２を有する。アクチュエータ３１１は開口部３０４を有す
る遮光層（図面が煩雑となるため図示せず）上に設けられており、２つの柔軟性を有する
アクチュエータ３１５を有する。可動遮光層３０２の一方の辺は、アクチュエータ３１５
に接続されている。アクチュエータ３１５は、可動遮光層３０２を、開口部３０４を有す
る遮光層表面に平行な横方向に移動させる機能を有する。なお、シャッター３００は先の
実施の形態に示すシャッター１１０に対応し、開口部３０４を有する遮光層は先の実施の
形態に示す遮光層１１０ａに対応し、開口部３０４は先に実施の形態に示す開口部１１０
ｃに対応し、可動遮光層３０２は先の実施の形態に示す可動遮光層１１０ｂに対応する。

アクチュエータ３１５は、可動遮光層３０２及び構造体３１９に接続する可動電極３２
１と、構造体３２３に接続する可動電極３２５とを有する。可動電極３２５は、可動電極
３２１に隣接しており、可動電極３２５の一端は構造体３２３に接続し、他端は自由に動
くことができる。また、可動電極３２５の自由に動くことが可能な端部は、可動電極３２
１及び構造体３１９の接続部で最も近くなるように、湾曲している。

可動遮光層３０２の他方の辺は、アクチュエータ３１１によって及ぼされた力に対抗す
る復元力を有するスプリング３１７に接続されている。スプリング３１７は構造体３２７
に接続されている。

構造体３１９、構造体３２３、構造体３２７は、開口部３０４を有する遮光層の表面の
近傍において、可動遮光層３０２、アクチュエータ３１５、及びスプリング３１７を、浮
遊させる機械的支持体として機能する。

可動遮光層３０２の下方には、遮光層で囲まれる開口部３０４が設けられる。なお、本
実施の形態において、可動遮光層３０２および開口部３０４の形状は図３（Ｂ−１）およ
び図３（Ｂ−２）に示すものを用いているが、これに限られるものではなく、先の実施の
形態で示した他の形状のものを用いてももちろんよい。

シャッター３００に含まれる構造体３２３は、図示しないトランジスタと接続する。当
該トランジスタは、先の実施の形態においてＭＥＭＳ駆動素子部１０６ｂに設けられてい
た、可動遮光層を駆動するためのトランジスタである。これにより、構造体３２３に接続
される可動電極３２５に、トランジスタを介して任意の電圧を印加することができる。ま
た、構造体３１９、構造体３２７は、それぞれ接地電極（ＧＮＤ）と接続する。このため
、構造体３１９に接続する可動電極３２１及び構造体３２７に接続するスプリング３１７
の電位は、ＧＮＤとなっている。なお、構造体３１９、構造体３２７は、任意の電圧を印
加できる共通電極に電気的に接続されてもよい。

可動電極３２５に電圧が印加されると、可動電極３２５と可動電極３２１との間の電位
差により、可動電極３２１及び可動電極３２５が電気的に引き寄せあう。この結果、可動
電極３２１に接続する可動遮光層３０２が、構造体３２３の方へ引きよせられ、構造体３
２３の方へ横方向に移動する。可動電極３２１はスプリングとして働くため、可動電極３
２１と可動電極３２５との間の電位差が除去されると、可動電極３２１は、可動電極３２
１に蓄積された応力を解放しながら、可動遮光層３０２をその初期位置に押し戻す。なお
、可動電極３２１が可動電極３２５に引き寄せられている状態で、開口部３０４が可動遮
光層３０２に塞がれるように設定してもよいし、逆に開口部３０４上に可動遮光層３０２
が重ならないように設定してもよい。

シャッター３００の作製方法について、以下に説明する。開口部３０４を有する遮光層
上にフォトリソグラフィ工程により所定の形状を有する犠牲層を形成する。犠牲層として
は、ポリイミド、アクリル等の有機樹脂、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化窒化シリコ
ン、窒化酸化シリコン等の無機絶縁膜等で形成することができる。なお、本明細書などに
おいて、酸化窒化シリコンとは、その組成として、窒素よりも酸素の含有量が多いものを
指し、窒化酸化シリコンとは、その組成として、酸素よりも窒素の含有量が多いものを指
すものとする。ここで、酸素および窒素の含有量は、ラザフォード後方散乱法（ＲＢＳ：
ＲｕｔｈｅｒｆｏｒｄＢａｃｋｓｃａｔｔｅｒｉｎｇＳｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）ま
たは水素前方散乱法（ＨＦＳ：ＨｙｄｒｏｇｅｎＦｏｒｗａｒｄｓｃａｔｔｅｒｉｎ
ｇＳｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）を用いて測定するものとする。

次に、犠牲層上に印刷法、スパッタリング法、蒸着法等により遮光性を有する材料を形
成した後、選択的にエッチングをしてシャッター３００を形成する。遮光性を有する材料
としては例えば、クロム、モリブデン、ニッケル、チタン、銅、タングステン、タンタル
、ネオジム、アルミニウム、シリコンなどの金属、合金または酸化物などを用いることが
できる。または、インクジェット法によりシャッター３００を形成する。シャッター３０
０は、厚さ１００ｎｍ以上５μｍ以下で形成することが好ましい。

次に、犠牲層を除去することで、空間において可動可能なシャッター３００を形成する
ことができる。なお、この後、シャッター３００の表面を酸素プラズマ、熱酸化等で酸化
し、酸化膜を形成することが好ましい。または、原子層蒸着法、ＣＶＤ法により、シャッ
ター３００の表面に、アルミナ、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化
酸化シリコン、ＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）等の絶縁膜を形成することが好ま
しい。当該絶縁膜をシャッター３００に設けることで、シャッター３００の経年劣化を低
減することができる。

以上のような構成のシャッター状の遮光手段を、先の実施の形態に示す、透光性を有す
る支持体に設けられた発光素子を有する第１の表示部と、透光性を有する支持体に設けら
れた光散乱性の液晶層を有する第２の表示部との間に設けることにより、容易に用途や状
況に応じた多様な表示モードを可能とする表示装置を提供することができる。

（実施の形態５）
本実施の形態では、先の実施の形態に示すシースルー機能を有する表示装置に設けられ
たアクティブマトリクス型の第１の表示部の構造例について図７（Ａ）および図７（Ｂ）
を用いて説明する。

図７（Ａ）はアクティブマトリクス型の第１の表示部に設けられた画素の一を示す平面
図であり、本実施の形態に示す第１の表示部は当該画素がマトリクス状に配列している。
図７（Ｂ）は図７（Ａ）における線Ａ−Ｂの断面図である。なお、図７（Ａ）において、
図７（Ｂ）に示す構造の一部は、図面が煩雑となるので省略している。

図７（Ａ）および図７（Ｂ）に示す第１の表示部は、トランジスタ４０１、トランジス
タ４０２、発光素子４０３、容量素子４０４、ソース配線層４０５、ゲート配線層４０６
、電源線４０７を含む。ここで、トランジスタ４０１、４０２はｎチャネル型薄膜トラン
ジスタとする。

トランジスタ４０１のソース電極またはドレイン電極の一方は、ソース配線層４０５と
電気的に接続されており、ゲート電極はゲート配線層４０６と電気的に接続されており、
ソース電極またはドレイン電極の他方は、容量素子４０４の電極の一方およびトランジス
タ４０２のゲート電極と電気的に接続されている。また、トランジスタ４０２のソース電
極またはドレイン電極の一方は電源線４０７と電気的に接続されており、ソース電極また
はドレイン電極の他方は、発光素子４０３の第１の電極層４２０と電気的に接続される。
また、容量素子４０４の電極の他方は電源線４０７と電気的に接続される。

本実施の形態に示す第１の表示部は、第１の支持体４００上にトランジスタ４０１、ト
ランジスタ４０２および容量素子４０４が設けられ、トランジスタ４０１およびトランジ
スタ４０２を覆うように絶縁層４１１と絶縁層４１３が設けられる。なお、第１の支持体
４００は先の実施の形態に示す第１の支持体１００と同様のものである。

トランジスタ４０１およびトランジスタ４０２は、先の実施の形態に示すトランジスタ
と同様のものを用いることができ、透光性を有する材料で形成することが好ましい。詳細
については先の実施の形態を参酌することができる。なお、本実施の形態では、トランジ
スタ４０１およびトランジスタ４０２としてチャネルエッチ型のトランジスタを用いてい
るが、これに限られるものではない。例えば、チャネル保護型としてもよいし、トップゲ
ート型としてもよい。

容量素子４０４は、トランジスタ４０１およびトランジスタ４０２のゲート電極と同じ
層の導電膜と、当該トランジスタとのゲート絶縁膜と同じ層の絶縁膜と、当該トランジス
タのソース電極またはドレイン電極と同じ層の導電膜を用いて形成することができる。

なお、トランジスタ４０１、トランジスタ４０２および容量素子４０４と電気的に接続
される、ソース配線層４０５、ゲート配線層４０６および電源線４０７は、先の実施の形
態に示す第１の表示部の配線と同様のものを用いることができる。よって、詳細について
は先の実施の形態を参酌することができる。

絶縁層４１１は、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化シリコン、窒化酸化シリコン
、酸化アルミニウム、酸化窒化アルミニウムなどを用いて形成することができる。また、
絶縁層４１３は、無機絶縁材料または有機絶縁材料を用いて形成することができる。なお
、アクリル樹脂、ポリイミド、ベンゾシクロブテン樹脂、ポリアミド、エポキシ樹脂等の
、耐熱性を有する有機絶縁材料を用いると、平坦化絶縁膜として好適である。また、上記
有機絶縁材料の他に、低誘電率材料（ｌｏｗ−ｋ材料）、シロキサン系樹脂、ＰＳＧ（リ
ンガラス）、ＢＰＳＧ（リンボロンガラス）等を用いることができる。なお、これらの材
料で形成される絶縁膜を複数積層させることで、絶縁層を形成してもよい。

また、絶縁層４１３上に設けられた第１の電極層４２０と、第１の電極層４２０上に設
けられた電界発光層４２２と、電界発光層４２２を覆うように設けられた第２の電極層４
２３により発光素子４０３が形成されている。

本実施の形態では画素のトランジスタ４０２がｎ型であるので、画素電極層である第１
の電極層４２０を陰極として用い、第２の電極層４２３を陽極として用いることが好まし
い。第１の電極層４２０および第２の電極層４２３は先の実施の形態で示した透光性を有
する導電材料を用いて形成することができる。よって、詳細については先の実施の形態を
参酌することができる。

また、電界発光層４２２は、単数の層で構成されていても、複数の層が積層されるよう
に構成されていてもどちらでも良い。電界発光層が複数の層で構成される場合、例えば、
陰極、電子注入層、電子輸送層、発光層、ホール輸送層、ホール注入層、陽極の順に積層
する。なおこれらの層を全て設ける必要はない。

また、第１の電極層４２０上に開口部を形成するように、隔壁４２１が設けられている
。隔壁４２１は、当該開口部の側壁が連続した曲率を持って形成される傾斜面となるよう
に形成されることが好ましい。

隔壁４２１は、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化窒化シリコン、酸化アルミニウム、
窒化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、その他の無機絶縁性材料、又はアクリル酸、
メタクリル酸及びこれらの誘導体、又はポリイミド、芳香族ポリアミド、ポリベンゾイミ
ダゾールなどの耐熱性高分子、又はシロキサン樹脂を用いてもよい。また、ポリビニルア
ルコール、ポリビニルブチラールなどのビニル樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ノ
ボラック樹脂、アクリル樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂等の樹脂材料を用いてもよい
。

また、発光素子４０３に酸素、水素、水分、二酸化炭素等が侵入しないように、第２の
電極層４２３及び隔壁４２１上に保護膜４２４を形成してもよい。保護膜４２４としては
、窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、ＤＬＣ膜等を形成することができる。

（実施の形態６）
本実施の形態では、先の実施の形態に示すシースルー機能を有する表示装置に設けられ
たパッシブマトリクス型の第１の表示部の構造例について図８（Ａ）、図８（Ｂ）および
図８（Ｃ）を用いて説明する。

図８（Ａ）はパッシブマトリクス型の第１の表示部を示す平面図である。図８（Ｂ）は
図８（Ａ）における線Ｃ−Ｄの断面図であり、図８（Ｃ）は図８（Ａ）における線Ｅ−Ｆ
の断面図である。なお、図８（Ａ）において、図８（Ｂ）および図８（Ｃ）に示す構造の
一部は、図面が煩雑となるので省略している。

図８（Ａ）乃至図８（Ｃ）に示す第１の表示部は、第１の支持体５００上に第１の方向
（列方向）に延伸して設けられた第１の電極層５２０ａ乃至第１の電極層５２０ｃと、第
１の電極層５２０ａ乃至第１の電極層５２０ｃ上に開口部を有するように設けられた隔壁
５２１と、隔壁５２１上に第１の方向に垂直な第２の方向（行方向）に延伸して設けられ
た隔壁５２５と、第１の電極層５２０ａ乃至第１の電極層５２０ｃと隔壁５２１上に第２
の方向に延伸して設けられた電界発光層５２２ａ乃至電界発光層５２２ｃと、電界発光層
５２２ａ乃至電界発光層５２２ｃ上に第２の方向に延伸して設けられた第２の電極層５２
３ａ乃至第２の電極層５２３ｃと、を含む。

第１の電極層５２０ａ乃至第１の電極層５２０ｃと、第２の電極層５２３ａ乃至第２の
電極層５２３ｃとが、隔壁５２１の開口部を介して電界発光層５２２ａ乃至電界発光層５
２２ｃを挟持して交差する部分に発光素子５０３が形成され、第１の表示部の画素領域と
なる。

第１の電極層５２０ａ乃至第１の電極層５２０ｃと、第２の電極層５２３ａ乃至第２の
電極層５２３ｃの一方を陰極として用い、他方を陽極として用いる。第１の電極層５２０
ａ乃至第１の電極層５２０ｃ、および第２の電極層５２３ａ乃至第２の電極層５２３ｃは
先の実施の形態で示した透光性を有する導電材料を用いて形成することができる。よって
、詳細については先の実施の形態を参酌することができる。ここで、第１の表示部をパッ
シブマトリクス型で形成すると、アクティブマトリクス型と比較して配線幅を広くとるこ
とができ、配線抵抗の低減を容易に図ることができるので、第１の電極層５２０ａ乃至第
１の電極層５２０ｃ、および第２の電極層５２３ａ乃至第２の電極層５２３ｃに透光性を
有する導電材料を用いて第１の表示部の開口率を向上させることが容易になる。

また、電界発光層５２２ａ乃至電界発光層５２２ｃは、単数の層で構成されていても、
複数の層が積層されるように構成されていてもどちらでも良い。電界発光層が複数の層で
構成される場合、例えば、陰極、電子注入層、電子輸送層、発光層、ホール輸送層、ホー
ル注入層、陽極の順に積層する。なおこれらの層を全て設ける必要はない。

また、隔壁５２１は、当該開口部の側壁が連続した曲率を持って形成される傾斜面とな
るように形成されることが好ましい。

隔壁５２５は隔壁５２１上に形成される、第２の電極層５２３ａ乃至第２の電極層５２
３ｃを非連続に分断する機能を有する。隔壁５２５の側壁は、基板面に近くなるに伴って
、一方の側壁と他方の側壁との間隔が狭くなっていくような傾斜を有する。つまり、隔壁
５２５の短辺方向の断面は、台形状であり、底辺（隔壁５２１の面方向と同様の方向を向
き、隔壁５２１と接する辺）の方が上辺（隔壁５２１の面方向と同様の方向を向き、隔壁
５２１と接しない辺）よりも短い。隔壁５２５はいわゆる逆テーパー形状であるために、
自己整合的に第２の電極層５２３ａ乃至第２の電極層５２３ｃは、隔壁５２５によって分
断され、第１の電極層５２０ａ乃至第１の電極層５２０ｃ上に選択的に形成することがで
きる。従ってエッチングにより形状を加工しなくても、隣接する発光素子間は分断されて
おり発光素子間のショートなどの電気的不良を防止することができる。

また、隔壁５２１および隔壁５２５は、先の実施の形態に示した隔壁４２１と同様の材
料を用いることができる。よって、詳細については先の実施の形態を参酌することができ
る。

また、発光素子５０３に酸素、水素、水分、二酸化炭素等が侵入しないように、第２の
電極層５２３ａ乃至第２の電極層５２３ｃ、隔壁５２１および隔壁５２５上に保護膜５２
４を形成してもよい。保護膜５２４としては、窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、Ｄ
ＬＣ膜等を形成することができる。

（実施の形態７）
本実施の形態では、先の実施の形態に示すシースルー機能を有する表示装置に設けられ
たアクティブマトリクス型の第２の表示部の構造例について図９（Ａ）および図９（Ｂ）
を用いて説明する。

図９（Ａ）はアクティブマトリクス型の第２の表示部に設けられた画素の一を示す平面
図であり、本実施の形態に示す第２の表示部は当該画素がマトリクス状に配列している。
図９（Ｂ）は図９（Ａ）における線Ｇ−Ｈの断面図である。なお、図９（Ａ）において、
図９（Ｂ）に示す構造の一部は、図面が煩雑となるので省略している。

図９（Ａ）および図９（Ｂ）に示す第２の表示部は、トランジスタ６０１、容量配線層
６０４、ソース配線層６０５、ゲート配線層６０６を含む。

トランジスタ６０１のソース電極またはドレイン電極の一方は、ソース配線層６０５と
電気的に接続されており、ゲート電極はゲート配線層６０６と電気的に接続されており、
ソース電極またはドレイン電極の他方は、液晶素子６６０の第１の電極層６２０と電気的
に接続される。

本実施の形態に示す第２の表示部は、第２の支持体６０２上にトランジスタ６０１が設
けられ、トランジスタ６０１を覆うように絶縁層６１１と絶縁層６１３が設けられる。な
お、第２の支持体６０２は先の実施の形態に示す第２の支持体１０２と同様のものである
。

トランジスタ６０１は、先の実施の形態に示すトランジスタと同様のものを用いること
ができ、透光性を有する材料で形成することが好ましい。詳細については先の実施の形態
を参酌することができる。なお、本実施の形態では、トランジスタ６０１としてチャネル
エッチ型のトランジスタを用いているが、これに限られるものではない。例えば、チャネ
ル保護型としてもよいし、トップゲート型としてもよい。

容量配線層６０４は、トランジスタ６０１のゲート電極と同じ層の導電膜で設けられ、
トランジスタ６０１のゲート絶縁膜と同じ層の絶縁膜を介して第１の電極層６２０と重畳
して容量を形成する。

なお、容量配線層６０４、ソース配線層６０５およびゲート配線層６０６は、先の実施
の形態に示すソース配線層４０５、ゲート配線層４０６および電源線４０７と同様のもの
を用いることができる。よって、詳細については先の実施の形態を参酌することができる
。

また、絶縁層６１１および絶縁層６１３は、先の実施の形態に示す絶縁層４１１および
絶縁層４１３と同様のものを用いることができる。よって、詳細については先の実施の形
態を参酌することができる。

絶縁層６１３上に設けられた第１の電極層６２０と、第１の電極層６２０上に設けられ
た液晶層６６２と、液晶層６６２上に設けられた第２の電極層６２３により液晶素子６６
０が形成されている。

画素電極として機能する第１の電極層６２０、および支持部６６６に設けられた共通電
極として機能する第２の電極層６２３は、先の実施の形態で示した透光性を有する導電材
料を用いて形成することができる。よって、詳細については先の実施の形態を参酌するこ
とができる。また支持部６６６は、第２の支持体６０２と同様のものを用いることができ
る。

なお、先の実施の形態に示す、ＭＥＭＳ構造体部１０６ａおよびＭＥＭＳ駆動素子部１
０６ｂは支持部６６６上に設けることができる。

また、液晶層６６２は、液晶による光の散乱光を利用して白表示（明表示）を行う光散
乱性の液晶層とする。光散乱性の液晶としては、例えば、高分子分散型液晶（ＰＤＬＣ、
高分子分散液晶、ポリマー分散型液晶ともいう）又は高分子ネットワーク型液晶（ＰＮＬ
Ｃ）が挙げられる。これらを用いた液晶層は高分子ネットワークを形成する高分子層中に
液晶粒が分散された構成となっている。

また、液晶層６６２中に柱状または球状のスペーサを設けて液晶層６６２の厚さを制御
しても良い。

（実施の形態８）
本実施の形態では、先の実施の形態に示すシースルー機能を有する表示装置に設けられ
たパッシブマトリクス型の第２の表示部の構造例について図１０（Ａ）および図１０（Ｂ
）を用いて説明する。

図１０（Ａ）はパッシブマトリクス型の第２の表示部を示す平面図である。図１０（Ｂ
）は図１０（Ａ）における線Ｉ−Ｊの断面図である。なお、図１０（Ａ）において、図１
０（Ｂ）に示す構造の一部は、図面が煩雑となるので省略している。

図１０（Ａ）および図１０（Ｂ）に示す第２の表示部は、第２の支持体７０２に第１の
方向（列方向）に延伸して設けられた第１の電極層７２０ａ乃至第１の電極層７２０ｃと
、支持部７６６に第１の方向に垂直な第２の方向（行方向）に延伸して設けられた第２の
電極層７２３ａ乃至第２の電極層７２３ｃと、設けられた第１の電極層７２０ａ乃至第１
の電極層７２０ｃと第２の電極層７２３ａ乃至第２の電極層７２３ｃとに挟持される液晶
層７６２と、を含む。

なお、第２の支持体７０２と支持部７６６は、先の実施の形態に示す第２の支持体６０
２と支持部６６６と同様のものを用いることができる。

なお、先の実施の形態に示す、ＭＥＭＳ構造体部１０６ａおよびＭＥＭＳ駆動素子部１
０６ｂは支持部７６６上に設けることができる。

第１の電極層７２０ａ乃至第１の電極層７２０ｃと、第２の電極層７２３ａ乃至第２の
電極層７２３ｃとが、液晶層７６２を挟持して交差する部分に液晶素子７６０が形成され
、第２の表示部の画素領域となる。

第１の電極層７２０ａ乃至第１の電極層７２０ｃ、および第２の電極層７２３ａ乃至第
２の電極層７２３ｃは先の実施の形態で示した透光性を有する導電材料を用いて形成する
ことができる。よって、詳細については先の実施の形態を参酌することができる。ここで
、第２の表示部をパッシブマトリクス型で形成すると、アクティブマトリクス型と比較し
て配線幅を広くとることができ、配線抵抗の低減を容易に図ることができるので、第１の
電極層７２０ａ乃至第１の電極層７２０ｃ、および第２の電極層７２３ａ乃至第２の電極
層７２３ｃに透光性を有する導電材料を用いて第２の表示部の開口率を向上させることが
容易になる。

また、液晶層７６２は、先の実施の形態に示す液晶層６６２と同様のものを用いること
ができる。また、液晶層７６２中に柱状または球状のスペーサを設けて液晶層７６２の厚
さを制御しても良い。

なお、第１の電極層７２０ａ乃至第１の電極層７２０ｃと、第２の電極層７２３ａ乃至
第２の電極層７２３ｃを、それぞれ一枚の第１の電極層および第２の電極層とすることに
より、実施の形態１に示した、画素を設けない構造の第２の表示部とすることができる。

（実施の形態９）
本実施の形態では、先の実施の形態で説明した表示装置の応用例について図１１を用い
て説明する。

図１１（Ａ）は、自動車のフロントガラスに先の実施の形態に示す表示装置を用いた例
である。図１１（Ａ）では、第１の表示部を車内側に向けて表示装置１１００を設けてい
る。表示装置１１００は、図２（Ｃ）に示すシースルー表示モードで用いられており、第
１の表示部の発光素子による映像１１１０と、表示装置１１００の向こう側からの透過像
１１２０とが表示されている。ここで、透過像１１２０は車外の人影を示し、映像１１１
０は当該人影に対する警告のマークを表している。このように、開示する発明に係る表示
装置を用いることにより、表示装置の向こう側の対象に関する情報を表示させながら対象
を見ることができる。

また、透過像１１２０と映像１１１０が重畳して、映像１１１０が視認しにくい場合な
どは、映像１１１０の部分だけを図２（Ａ）に示す黒表示モードとすることもできる。こ
れにより、映像１１１０の後ろから透過像１１２０が透けなくなるので、映像１１１０を
明確に視認することができる。

なお、表示装置１１００は必ずしもフロントガラス全体に用いる必要はなく、映像１１
１０を表示したい部分にのみ表示装置１１００を形成し、他の部分は従来のフロントガラ
スと同様のガラスを用いることも可能である。

図１１（Ｂ）は、窓ガラスに先の実施の形態に示す表示装置を用いた例である。図１１
（Ｂ）では、第１の表示部を室内側に向けて表示装置１２００を設けている。表示装置１
２００は、図２（Ａ）に示す黒表示モードまたは図２（Ｂ）に示す白表示モードで用いら
れており、第１の表示部の発光素子による映像１２１０が表示されている。ここで、映像
１２１０は例えばテレビ番組の映像などである。

また、表示装置１２００に映像１２１０を映さない場合には、表示装置１２００を先の
実施の形態に示す透過表示とすることにより、表示装置１２００を従来の窓ガラスのよう
に扱うことができる。このように、表示装置１２００の表示モードを切り替えることによ
り、表示装置１２００をテレビやディスプレイのように扱うこともできるし、窓ガラスの
ように扱うこともできる。

また、図５（Ａ）に示すような両面表示の表示モードを用いることにより、室内と室外
で異なる映像を映すこともできる。

なお、表示装置１２００は必ずしも窓ガラス全体に用いる必要はなく、映像１２１０を
表示したい部分にのみ表示装置１２００を形成し、他の部分は従来の窓ガラスと同様のガ
ラスを用いることも可能である。

図１１（Ｃ）は、ショーウインドウのケースに先の実施の形態に示す表示装置を用いた
例である。図１１（Ｃ）では、第１の表示部をケースの外側に向けて表示装置１３００を
設けている。表示装置１３００は、図２（Ｃ）に示すシースルー表示モードで用いられて
おり、第１の表示部の発光素子による映像１３１０と、表示装置１３００の内側の被装飾
体１３２０とが表示されている。ここで、被装飾体１３２０はショーウインドウに飾られ
ているバッグであり、映像１３１０は当該バッグを飾るリボンの映像である。このように
、開示する発明に係る表示装置を用いることにより、表示装置の向こう側の対象を映像で
装飾を施して見ることができる。

また、映像１３１０の部分だけを図２（Ａ）に示す黒表示モードとすることにより、映
像１３１０の後ろから被装飾体１３２０が透けて見えるのを防ぐことができるので、映像
１３１０による装飾にリアリティを持たせることができる。

なお、表示装置１３００は必ずしもショーウインドウのケース全体に用いる必要はなく
、映像１３１０を表示したい部分にのみ表示装置１３００を形成し、他の部分は従来のシ
ョーウインドウと同様のケースを用いることも可能である。

１０遮光手段
１４第１の表示部
１８第２の表示部
１００第１の支持体
１０２第２の支持体
１０４第１の表示部
１０８第２の表示部
１１０シャッター
１１２シール材
２０８第２の表示部
３００シャッター
３０２可動遮光層
３０４開口部
３１１アクチュエータ
３１５アクチュエータ
３１７スプリング
３１９構造体
３２１可動電極
３２３構造体
３２５可動電極
３２７構造体
４００第１の支持体
４０１トランジスタ
４０２トランジスタ
４０３発光素子
４０４容量素子
４０５ソース配線層
４０６ゲート配線層
４０７電源線
４１１絶縁層
４１３絶縁層
４２０電極層
４２１隔壁
４２２電界発光層
４２３電極層
４２４保護膜
５００第１の支持体
５０３発光素子
５２１隔壁
５２２電界発光層
５２３電極層
５２４保護膜
５２５隔壁
６０１トランジスタ
６０２第２の支持体
６０４容量配線層
６０５ソース配線層
６０６ゲート配線層
６１１絶縁層
６１３絶縁層
６２０電極層
６２３電極層
６６０液晶素子
６６２液晶層
６６６支持部
７０２第２の支持体
７６０液晶素子
７６２液晶層
７６６支持部
１１００表示装置
１１１０映像
１１２０透過像
１２００表示装置
１２１０映像
１３００表示装置
１３１０映像
１３２０被装飾体
１０６ａＭＥＭＳ構造体部
１０６ｂＭＥＭＳ駆動素子部
１１０ａ遮光層
１１０ｂ可動遮光層
１１０ｃ開口部
５２０ａ電極層
５２０ｃ電極層
５２２ａ電界発光層
５２２ｃ電界発光層
５２３ａ電極層
５２３ｃ電極層
６０１６トランジスタ
７２０ａ電極層
７２０ｃ電極層
７２３ａ電極層
７２３ｃ電極層

Claims

有機ＥＬ素子を含む第１の表示部と、
液晶素子を含む第２の表示部と、
前記第１の表示部と前記第２の表示部の間に設けられた、開口部を有する遮光層と、
前記第１の表示部と前記第２の表示部の間に設けられた、前記開口部を遮光することができる機能を有する可動遮光層と、を有し、
前記第１の表示部は複数の画素を有し、前記複数の画素の発光状態を制御することにより任意の情報の表示を行い、
前記液晶素子は、前記開口部を介して、前記有機ＥＬ素子と重なる領域を有する表示装置。
請求項１において、
前記液晶素子と電気的に接続するトランジスタを有し、
前記トランジスタは、酸化物半導体を有する表示装置。