JP2018041951A - シリアルナンバーを有するセキュアチップ - Google Patents
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Abstract
Description
本願は、2016年9月08日に出願された米国出願番号第62/385,049号、2016年10月27日に出願された米国出願番号第62/413,470号、2016年12月23日に出願された米国出願番号第62/438,548号、2017年2月08日に出願された米国出願番号第62/456,144号、2017年2月13日に出願された米国出願番号第62/458,040号、2017年2月13日に出願された米国出願番号第62/458,071号、2017年2月13日に出願された米国出願番号第62/458,082号、及び2017年2月13日に出願された米国出願番号第62/458,062号からの優先権を主張する。すべての優先出願は参照によりその全体として本明細書に援用される。
本発明は、半導体チップを含む電子デバイスに関する。より詳細には、本発明は共通部分及び一意的回路を形成する一意的部分を有する半導体チップを含む電子デバイスに関する。本発明はさらに、係る電子デバイスを含む複数の遠隔端末と、チャレンジ−レスポンス手順に基づいたホストシステムとの間の認証のためのシステム、係るシステムで使用するための遠隔端末、及び係るシステムでの認証のための方法に関する。
Claims (23)
- 半導体チップに形成される複数の構造を備える前記半導体チップを備える電子デバイスであって、
前記半導体チップが半導体チップの集合の要素であり、半導体チップの前記集合が半導体チップの複数の部分集合を備え、前記半導体チップが前記部分集合の1つだけの要素であり、
前記半導体チップの前記複数の構造が、前記集合の前記半導体チップのすべてに同じである共通構造の集合及び非共通構造の集合を含み、前記部分集合の前記半導体チップの前記非共通構造があらゆる他の部分集合の前記半導体チップの前記非共通構造とは異なり、
前記非共通構造の少なくとも第1の部分が第1の所定値を記憶する又は生成するように適応され、
前記第1の所定値が自動化された読取り手段によって前記半導体チップの外部から読み取り可能である
電子デバイス。 - 前記第1の所定値が、自動化された電磁読取り手段、光学読取り手段、又は電子読取り手段によって前記半導体チップの外部から読み取り可能である、請求項1に記載の電子デバイス。
- 前記第1の所定値が前記非共通構造の前記第1の部分の前記構造から読み取り可能である、及び/又は前記非共通構造の前記第1の部分の前記形状が前記第1の所定値を記憶する、請求項1に記載の電気デバイス。
- 第1の非共通回路が、前記半導体チップの前記非共通構造の前記第1の部分、及び前記半導体チップの前記共通構造の第1の部分から形成され、各部分集合の前記半導体チップの前記第1の非共通回路の前記回路構成があらゆる他の部分集合の前記半導体チップのいずれかの回路構成とは異なる、請求項1に記載の電子デバイス。
- 前記第1の非共通回路が、
読出し専用メモリ回路に予め保存される前記第1の所定値で製作される前記読出し専用メモリ回路と、
論理回路であって、前記第1の所定値を生成するように適応される前記論理回路と
の内の少なくとも1つを備える、請求項1に記載の電子デバイス。 - 前記半導体チップの非共通構造の前記集合が、前記半導体チップの前記集合のあらゆる他の半導体チップの非共通構造の前記集合とは異なる、請求項1に記載の電子デバイス。
- 前記電子デバイスが少なくとも1つの入力端子及び少なくとも1つの出力端子を備え、前記第1の非共通回路が前記入力端子及び前記出力端子に接続され、第1の所定値が前記出力端子から電子的に読み取り可能である、請求項1に記載の電子デバイス。
- 前記電子デバイスが、チャレンジを受け取るための少なくとも1つの入力端子及びレスポンスを出力するための少なくとも1つの出力端子を備え、前記第1の非共通回路が前記少なくとも1つの入力端子及び前記少なくとも1つの出力端子に接続されるチャレンジ−レスポンス回路を形成し、
前記チャレンジ−レスポンス回路が、前記少なくとも1つの入力端子に適用されるチャレンジに基づいて前記少なくとも1つの出力端子でレスポンスを生成するために適応され、前記チャレンジ及び前記レスポンスが所定の関係性を有する
請求項1に記載の電子デバイス。 - 前記チャレンジ−レスポンス回路によって生成される前記レスポンスが、前記少なくとも1つの入力端子に適用される前記チャレンジと、前記第1の所定値の両方に依存する、請求項8に記載の電子デバイス。
- 前記複数の構造が、前記非共通構造を含む1つ又は複数の非共通層、及び前記1つ又は複数の非共通層の上方の少なくとも1つの共通層、共通構造を含むが非共通構造は含まない前記少なくとも1つの共通層を含む、前記半導体チップの3つ以上の層に形成される、請求項1に記載の電子デバイス。
- 前記非共通構造のすべてが前記半導体チップの1つだけの層に形成される、請求項10に記載の電子デバイス。
- 前記半導体チップが、前記1つ又は複数の層の下方の少なくとも第2の共通層を備え、前記第2の共通層が共通構造を含むが、非共通構造を含まない、請求項10に記載の電子デバイス。
- 前記複数の構造が前記半導体チップの複数の層に形成され、前記非共通構造が、前記複数の層の金属層間の接続、前記複数の層の金属層と接触層のゲートとの間の接続、前記複数の層のローカル相互接続層での接続、及び前記複数の層の1つのトランジスタ又はダイオードのP−ドープ拡散領域又はN−ドープ拡散領域の少なくとも1つを含む、請求項1に記載の電子デバイス。
- 前記1つ又は複数の共通層の前記非共通構造が、荷電粒子マルチビームレットリソグラフィーシステムを使用し、形成され、前記共通層がマスクベースリソグラフィープロセスを使用し、形成される、請求項10に記載の電子デバイス。
- 半導体チップの前記集合がすべて単一のウェハから形成される、請求項1に記載の電子デバイス。
- 前記遠隔端末のそれぞれが請求項1に記載の電子デバイスを備えるチャレンジ−レスポンス手順に基づいた複数の遠隔端末とホストシステムとの間の認証のためのシステム。
- 請求項16に記載のシステムでの使用のために適応される遠隔端末。
- 請求項16に記載のシステムでの認証のための方法であって、複数のユーザに前記遠隔端末を分散することと、前記遠隔端末の1つに前記ホストシステムからチャレンジを送信することと、前記遠隔端末からレスポンスを受信することと、前記レスポンスが前記チャレンジと所定の関係性を有する場合に前記遠隔端末を認証することとを含む方法。
- 前記非共通構造の少なくとも一部分がマスクレスリソグラフィー露光システムを使用し、形成される、請求項1に記載の電子デバイスを製造する方法。
- 前記共通構造の少なくとも前記第1の部分がマスクベースフォトリソグラフィーシステムを使用し、形成され、前記非共通構造の前記第1の部分がマスクレスリソグラフィー露光システムを使用し、形成される、請求項19に記載の電子デバイスを製造する方法。
- 前記半導体チップを形成するための前記マスクレスリソグラフィー露光システムを制御するために使用されるパターンデータが、前記共通構造を表す共通チップ設計部分、及び前記非共通構造を表す非共通チップ設計部分を含む、請求項19に記載の電子デバイスを製造する方法。
- 前記パターンデータが、非共通設計レイアウト部分の作成中に前記マスクレスリソグラフィー露光システムに提供される秘密データに部分的に基づく、請求項21に記載の電子デバイスを製造する方法。
- 前記秘密データがブラックボックスデバイス等の一意的データジェネレータから生じる、請求項21に記載の電子デバイスを製造する方法。
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