JP2016086103A - 描画装置、リソグラフィーシステム、パターンデータの作成方法、描画方法及び物品の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 複数の光学系で共通に使用可能なパターンデータに基づいて重複描画をする、描画装置、リソグラフィーシステム、及び描画方法を提供すること。【解決手段】 複数の光学系100を有し、一つの光学系100あたり一つの帯状領域ずつ、該帯状領域の一部を重複させながら基板10上にパターンを描画する動作を繰り返す描画装置に関する。帯状領域を描画幅方向で分割した幅を有する領域に対応するサブパターンデータであって、描画指示データの連続性に関する情報及び露光量情報を含むサブパターンデータを単位データとして、複数の光学系100で共用するパターンデータを記憶する記憶手段22と、複数のサブパターンデータを読み出し、かつ、重複描画領域に対応するサブパターンデータ内の露光量情報を連続性に関する情報に基づいて変更して、それぞれの光学系100に供給するデータを作成する作成手段14とを有することを特徴とする。【選択図】 図1
Description
本発明は、描画装置、リソグラフィーシステム、パターンデータの作成方法、描画方法及び物品の製造方法に関する。
複数の電子光学系(以下、光学系と称す)で複数の電子ビームを照射して、基板上にパターンを描画する描画装置が知られている。例えば、水平面内に一列に配列された複数の光学系のそれぞれが、配列方向と直交する方向を長辺とする帯状の領域単位でパターンを描画する。
このような描画方式の場合は、複数の光学系が、同時に異なるショット領域に対してパターンを描画する。当然、1つのショット領域を、異なる光学系が異なるタイミングに描画することもある。しかし、熱などの影響により基板が変形すると、異なるタイミングで描画する2つの領域に連続しているパターンが分断されてしまい、半導体素子等の製造の歩留まりが低下する恐れがある。
特許文献1に係る描画装置は偏向精度に起因するパターンの分断の抑制を目的としている。1つの光学系による複数のビームのうち、隣り合う2本のビームのそれぞれによって描画する領域の一部を重複させて描画(重複描画)する。どちらか一方のビームでのみ描画する領域に存在するパターンは重複描画せず、両方のビームで描画する領域に存在するパターンは重複描画する旨が記載されている。
複数の光学系を有する描画装置の場合、全ての光学系が異なるチップ上の同じ場所を描画するとは限らない。そのため、各光学系で描画する帯状領域に対応するように、回路パターン等の描画パターンに対応する設計図形データを分割して、パターンデータに変換する処理が必要となる。すなわち、それぞれの光学系に適した分割処理を施してパターンデータに変換する変換処理回路、及び変換したそれぞれのデータを記憶するメモリが必要となる。
データの変換処理は大量のデータを処理するため非常に時間がかかる作業である。そのため、複数光学系を有する描画装置で重複的に描画する場合に、単に特許文献1の描画方法を適用させることは、データ処理に要する時間やデータ量が光学系の数分だけ増大する可能性があり避けることが好ましい。
そこで、本発明は、複数の光学系で共通に使用可能なパターンデータに基づいて重複描画をする、描画装置、リソグラフィーシステム、及び描画方法を提供することを目的とする。
本発明の描画装置は、複数の光学系を有し、一つの光学系あたり一つの帯状領域ずつ、該帯状領域の一部を重複させながら基板上にパターンを描画する動作を繰り返す描画装置であって、前記帯状領域を描画幅方向で分割した幅を有する領域に対応するサブパターンデータであって、描画指示データの連続性に関する情報及び露光量情報を含むサブパターンデータを単位データとして、前記複数の光学系で共用するパターンデータを記憶する記憶手段と、複数の前記サブパターンデータを読み出し、かつ、重複描画領域に対応する前記サブパターンデータ内の露光量情報を前記連続性に関する情報に基づいて変更して、それぞれの前記光学系に供給するデータを作成する作成手段とを有することを特徴とする。
本発明に係る描画装置、リソグラフィーシステム、及び描画方法によれば、複数の光学系で共通に使用可能なパターンデータに基づいて重複描画をすることが可能となる。
図1は、第1及び第2の実施形態に係るリソグラフィーシステム1000の構成図である。リソグラフィーシステム1000は、4台の電子ビーム描画装置1(以下、描画装置1と称す)を有している。
リソグラフィーシステム1000は、ショットパターン(描画パターン)に係る設計図形データをパターンデータに変換する変換回路20と、変換されたパターンデータを記憶する主メモリ(記憶手段)22を有している。主メモリ22は、複数種類のパターンデータを記憶している。
さらに、サーバー21を有している。サーバー21は、変換後のパターンデータを主メモリ22に記憶させ、かつ主メモリ22内のデータから適切なショットパターンに係るパターンデータを選択して各描画装置1の中間データメモリ18(以下、中間メモリ18と称す)に転送する。
ここで、ショットパターンとは、1つあるいは複数のチップパターンに係るパターンの形成単位である。ショットパターンのサイズは、他のリソグラフィ装置や加工装置の処理単位と共通であることが好ましく、例えば短手方向の幅が約20mm〜25mmである。
設計図形データとは、例えばベクター形式のデータである。また、パターンデータとは例えばビットマップ形式の画像データであり、本実施形態ではパターンデータは、後述するサブストライプデータ(サブパターンデータ)を単位データとする、サブストライプデータの集合データである。変換回路20によるデータ変換の方法やデータの転送方法については、後で詳述する。
図2は1台の描画装置1の光学系100の構成を示す図である。電子ビームを放射する電子源101は、LaB6又はBaO/W等を電子放出材として含む熱電子型の電子源である。コリメータレンズ102は、電界により電子ビームを収束可能な静電型のレンズである。電子源101から放射された電子ビームが互いに平行になるように、電子ビームを整形する。
ブランキングアパーチャアレイ103は、コリメータレンズ101を通過した電子ビームを2次元に配列された開孔(不図示)で複数の電子ビームに分割する。さらに、ブランキングアパーチャアレイ103の静電型のブランカー(不図示)は、後述するブランキング制御回路13からの指示に従って、開孔で分割された複数の電子ビームを個別に偏向する。偏向動作によって、光学系100の描画領域108への照射又は非照射を制御する。
レンズ104は静電型の電子レンズで、レンズ105は磁界型の電子レンズである。レンズ104とレンズ105は、それぞれ、ブランキングアパーチャアレイ103の複数の開孔での中間像を形成する。
レンズ106は磁界型の電子レンズである。レンズ106は光学系100の対物レンズとして作用し、レンズ104及びレンズ105での中間像を描画領域108に投影する。偏向器107は、複数の電子ビームを一括して所定の方向に偏向し、ウエハ(基板)10(図3に図示)に対する描画領域108の位置を微調整する。
図3は、1台の描画装置1の構成を示す図である。1台の描画装置1は3つの光学系100を有している。3つの光学系100で整形された電子ビームが、それぞれ、ウエハ10上にパターンを描画する。ステージ11は、静電チャック(不図示)によりウエハ10を吸着保持した状態で、光学系100の光軸と直交するXY平面内で移動する。ステージ11上には検出器12が載置されている。検出器12は、電子ビームの位置及び電流を検出する。
ブランキング制御回路13は、ブランキングアパーチャアレイ103の複数のブランカーの駆動を個別に制御する。データ処理回路(作成手段)14は、それぞれの光学系100に供給され、それぞれのブランキングアパーチャアレイ103の制御に必要となるストライプデータを生成する(作成する)。
偏向器制御回路15は、各光学系100の偏向器107をそれぞれ制御する。検出処理回路16は、検出器12からの信号に基づいて、複数の電子ビームの実際の配列座標と電流値とを算出する。ステージ制御回路17は、レーザ干渉計(不図示)によるステージ11の位置の計測結果を用いて、ステージ11の位置決めを制御する。
中間メモリ18は、主メモリ22に格納されていた複数種類のショットパターンに係るパターンデータのうちの1つを記憶するメモリである。
主制御系19は、描画装置1で描画するショットパターンに応じたパターンデータをサーバー21に要求する。これを受けて、中間メモリ18にパターンデータが転送される。また、ブランキング制御回路13、データ処理回路14、偏向器制御回路15、検出処理回路16、ステージ制御回路17を統括的に制御する。
描画装置1の制御手段は、本実施形態ではブランキング制御回路13、データ処理回路14、偏向器制御回路15、検出処理回路16、ステージ制御回路17、主制御系19により構成されているが、これは一例にすぎず、適宜変更が可能である。
図4(a)(b)は、描画領域について説明する図である。図4(a)は、ウエハ10上に描画すべきショット領域109の配置例、あるいは既に形成された、ショット領域109の配置例である。図4(b)は、X軸方向に配列された電子ビームによる描画領域108とウエハ10との関係を示す図である。
描画装置1は、一つの光学系(一光学系)100あたりストライプ領域(帯状領域)(S1、S2、S3)ずつウエハ10上にパターンを描画する動作を繰り返す。ウエハ10が載置されたステージ11が、X軸方向に直交するY軸方向に移動することで、3つの光学系100のそれぞれの描画領域108ウエハ10上を走査する。
1回のY軸方向への走査中に、ストライプ領域に対応するストライプデータに基づいて電子ビームの照射(ON)又は非照射(OFF)を制御して、3つのストライプ領域に対して同時にパターンを描画する。さらに、隣り合うストライプ領域を描画する場合には、そのストライプ領域の一部を重複させながら描画する。このとき、ステージ11がX軸方向に移動する際の1回の移動量が、ストライプ領域の幅よりも小さくなるようにする。
図5(a)(b)(c)は、階調制御を伴う描画方法を説明する図である。図5(a)は、描画領域108あたりの電子ビームの配列を示している。ブランキングアパーチャアレイ103で分割された電子ビームは5行20列で構成され、列のピッチに対して行のピッチは2倍である。
図5(a)に示すように紙面に対して上から下方向にステージ11が移動すると、ウエハ10上の各位置に対して、対象のビーム列のj、k、l、m、n行の電子ビームが順に走査する。
図5(b)は、ウエハ10上の位置(1)〜(6)と露光量の関係を示す図である。例えば、位置(1)は、j、k、l、m、n行の電子ビームを用いることで露光量5で照射されることを示している。全ての電子ビームはクロック信号に基づきウエハ10を照射し、ステージ11は単位クロックあたり列ピッチ分移動する速度で連続的に移動する。
図5(b)のデータに基づいて設定した、ON/OFF信号のタイムテーブルを図5(c)に示す。ウエハ10のステージの移動方向に並んでいる位置(1)〜位置(6)を露光する、各行(j〜n行)による電子ビームのON/OFF信号を示している。単位クロック2個分で、ステージが1ピッチ分移動する様子を示している。
電子ビームの列の幅が光学系100の描画幅であり、かつストライプ領域の幅に相当する。例えば、数十nmのピッチで、1列あたり4000本のビームが配置された場合は、ストライプの幅は80〜100μm程度となる。
つづいて、リソグラフィーシステム1000における、パターンデータの変換プロセスと描画方法について説明する。
図6は、リソグラフィーシステム1000における、光学系100へ供給するストライプデータの作成工程及び描画方法について説明するフローチャートである。まず、変換回路20が、ショットパターンに係る設計図形データ(描画パターンに対応するデータ)をサブストライプ領域の幅に対応するように分割する(S10)。これにより、ストライプ領域を描画幅方向(図4のX軸方向)で整数分割した幅を有する領域に係るデータを、複数生成する。さらに、生成したデータに対して、図形データごとに、指標(描画指示データの連続性に関する情報)を付与する(S20)。
パターンデータに対応するショット領域と、サブストライプデータに対応するサブストライプ領域、及びストライプデータに対応するストライプ領域との関係について図7を用いて説明する。
図7に示すように、サブストライプ領域は、ストライプデータを整数分割した領域であり、かつショット領域を整数分割した領域である。変換回路20は、サブストライプ領域の幅(例えば、5〜10μm)がストライプ領域(例えば、80〜100μm)を整数分割した幅となるように、設計図形データを分割する。変換回路20は、偏向器107による偏向幅、ストライプ領域の幅(すなわち、描画領域108の幅)、ショット領域の幅に基づいてサブストライプ領域の幅を決定する。照射位置の微調整は偏向器107により行われる。
このようにデータを分割しておくと、選択するサブストライプデータの組み合わせを変更するだけで各々の光学系100に合わせたストライプデータを容易に作成することができる。すなわち、最も処理時間を要する、ベクター形式の設計図形データから、露光量情報を含むビットマップ形式の画像データへの変換処理を一括で済ませられる。そして複数の光学系100において共通のデータを使用する(データを共用する)ことが可能となる。
次に、図形データへの指標の付与について図8を用いて説明する。図8は上段は、設計図形データが示すパターンの配置であり、ウエハ10上に描画すべきパターンの配置を示す図である。図8の下段は、重複描画するサブストライプ領域におけるデータの帰属を示す図である。K_ストライプ(K番目のストライプ領域)と、(K+1)_ストライプ((K+1)番目のストライプ領域)を示している。重複描画する領域(重複描画領域)はN_サブストライプ(N番目のサブストライプ)であり、K_ストライプにも(K+1)_ストライプにも帰属している様子を示している。
N_サブストライプには、図形データZ1〜Z4が含まれている。図形データは、電子ビームを照射すべきデータ(描画指示データ)に変換されるデータである。1つの図形データは、設計図形データに含まれる複数の描画すべき図形のうち、連続するひとかたまりの図形に相当するデータである。すなわち、描画時にはパターンが分断しないように、図形データに関する描画データを調整する必要がある。
S20において、変換回路20は、図形データZ1〜Z4のそれぞれを、帰属しているサブストライプ領域ごとの微小図形(エンティティ、あるいは図形要素ともいう)に分割する。すなわち、図形データZ1は2つ、図形データZ3は2つ、図形データZ4は3つに分割される。N_ストライプ内にある、4つの微小図形を網線領域で示している。
変換回路20は下記の(a)〜(d)の場合分けに基づいて、微小図形ごとに指標を付与する。指標とは、あるサブストライプ領域に係るデータ内の微小図形(第1サブパターンデータ内の描画指示データ)と、それに隣接しているサブストライプ領域に係るデータ内の微小図形(第2サブパターンデータ内の描画指示データ)との連続性の有無を示す情報である。さらに、指標を付与するにあたり注目している微小図形が、どのサブストライプデータに対して連続することになるのかが区別できる情報も含む(サブパターンの数を含む)。
(a)右側のサブストライプ領域にのみ連続する微小図形がある場合に、指標「R」を付与。
(b)左側のサブストライプ領域にのみ連続する微小図形がある場合に、指標「L」を付与。
(c)左右両側のサブストライプ領域に連続する微小図形がある場合に、指標「C」を付与。
(d)左右両側のサブストライプ領域に連続する微小図形がない場合に、指標「I」を付与。
(a)右側のサブストライプ領域にのみ連続する微小図形がある場合に、指標「R」を付与。
(b)左側のサブストライプ領域にのみ連続する微小図形がある場合に、指標「L」を付与。
(c)左右両側のサブストライプ領域に連続する微小図形がある場合に、指標「C」を付与。
(d)左右両側のサブストライプ領域に連続する微小図形がない場合に、指標「I」を付与。
例えば、N_ストライプ内の図形データZ1には指標「R」、(N+1)_ストライプ内の図形データZ1には指標「L」が付与される。同様にして、図形データZ2には指標「I」が、N_ストライプ内の図形データZ4には指標「C」が付与される。
以上、変換回路20によって、設計図形データは、サブストライプ単位に分割され、図形データもサブストライプへの帰属に応じて微小図形データに分割される。微小図形の位置、微小図形が示す形状、及び各微小図形に付された指標を有するデータに変換される。
図6の説明に戻る。変換回路20は、指標を含む状態でビットマップ形式のデータに変換したサブストライプ単位のデータを圧縮して、サブストライプデータをサーバー21に転送する。サーバー21は、変換したパターンデータを主メモリ22に記憶させる(S30)。変換回路20は、同様にして他のショットパターンに係る設計図形データをパターンデータに変換して、サーバー21は複数種類のパターンデータを主メモリ22に記憶させる。
描画装置1で描画すべきショットパターンが決定されると、描画装置1の主制御系19はサーバー21にそのショットパターンに係るパターンデータを要求する(S30)。サーバー21は、要求されたパターンデータを、主メモリ22内に記憶されている複数種類のパターンデータから選択する。そして、要求のあった描画装置1の中間メモリ18に転送する(S40)。
データ処理回路14は、複数のサブストライプデータから光学系100で使用するストライプデータに逐次変換する。そのために、描画装置1の主制御系19は、中間メモリ19に転送されたパターンデータの一部を選択して抜き出し、各光学系100に必要なサブストライプデータを配信するための選択条件を決定する。
選択条件は、各光学系100の描画領域108の端の位置を始点として選択する、サブストライプデータの数を示す。描画領域108の端の位置は、ショット領域のレイアウト情報と光学系100の相対的位置関係に基づいて定まる。選択するサブストライプデータの数は、描画幅方向(前述のX軸方向)における描画領域108の描画幅に基づいて定まる。描画するパターンの連続性を向上させるために、選択するサブストライプデータのうち、両端のサブストライプデータを重複描画用のサブストライプデータとしている。
主制御系19は、データ処理回路14にそのデータ処理回路14で処理する複数のサブストライプデータを選択するように指示する。データ処理回路14は、前述の選択条件に従って、各々のデータ処理回路14の接続先の光学系100で使用する、複数のサブストライプデータを選択する。さらに、選択したサブストライプデータを、付与した指標に基づいて重複描画用のサブストライプデータとなるように露光量情報を変更する(S50)。
図8下段は、指標に基づいて露光量情報を変更した後の、K_1ストライプと(K+1)_ストライプを示している。下記(a)〜(d)の条件に基づいて変更した結果である。
(a)指標「R」が付与された微小図形は、(K+1)_ストライプに帰属させるため削除。(b)指標「I」が付与された微小図形は、(K+1)_ストライプに帰属させるため削除。(c)指標「L」が付与された微小図形は、K_ストライプに帰属させる。
(d)指標「C」が付与された微小図形には、露光量を半分にする情報を付加して、K_ストライプに帰属させる。
(a)指標「R」が付与された微小図形は、(K+1)_ストライプに帰属させるため削除。(b)指標「I」が付与された微小図形は、(K+1)_ストライプに帰属させるため削除。(c)指標「L」が付与された微小図形は、K_ストライプに帰属させる。
(d)指標「C」が付与された微小図形には、露光量を半分にする情報を付加して、K_ストライプに帰属させる。
指標に基づいて、所定のサブストライプデータ内の微小図形を削除したり、微小図形内の露光量を半減させるなど、露光量を低減させる操作をおこなっている。帰属先の決定は、特に、重複描画領域に対応するサブストライプデータが、非重複描画領域に対応するサブストライプデータに連続する微小図形を含む場合に重要となる。異なるタイミングで描画する2つのストライプ領域に連続しているパターンが分断されてしまうのを防ぐため、非重複描画領域に対応するサブストライプデータが供給されるストライプに微小図形を帰属させることが好ましい。
図9の模式図を用いてストライプデータの生成工程(S60)について説明する。データ処理回路14は、メモリ14b、14dと、データ処理回路14a、14cを有している。
データ処理回路14のデータ処理回路14aは、前述の条件選択条件に従って、サブストライプデータを複数選択して読み出し、その一部を重複描画用のサブストライプデータとして設定し、露光量情報を変更する。そして、メモリ14bに一時的に記憶させる。データ処理回路14cは、ストライプデータを構成する複数のサブストライプデータを展開して、光学系100ごとに特有の収差補正などの補正処理を施す。データ処理回路14cは生成したストライプデータをメモリ14dに記憶させる。メモリ14dは2つのストライプデータを記憶可能な、2面バッファメモリである。
図6の説明に戻る。生成されたストライプデータ(変更後のデータ)に基づいて、ブランキング制御回路13は、ブランキングアレイ103を制御するための照射の制御データを作成する。主制御部19はブランキング制御回路13が作成した照射データに基づいて、ウエハ10上にパターンを描画する(S70)。
主制御部19は、ブランキングブランキング制御回路13にブランキングアパーチャアレイ103を制御させ、ステージ制御回路17にステージ11の移動を制御させる。各光学系100のバッファメモリ14dに記憶させたデータのうち、1つのストライプデータに基づき描画させる。
1つのストライプ領域の描画が終了したら、主制御系19は2面バッファメモリ14dのもう片方のメモリに記憶されている次のストライプデータを読み出す。このデータに基づいて、次のストライプ領域の描画を実行させる。2つ目のストライプ領域の描画と並行して、データ制御回路14aは、さらに次に描画するストライプデータを前述と同様の手法により選択する。データ処理回路14cは圧縮したサブストライプデータで構成されたストライプデータを展開し、既に描画が終了したストライプデータが記憶されているバッファメモリ14dの一方に上書きする。
データ処理回路19は、光学系100に必要なサブストライプデータを逐次選択し、展開して、メモリ14dに記憶させる。少しずつストライプデータを生成していくことにより、1つの光学系100あたり1ショットパターン分のパターンデータを記憶する必要が無くなる。よって、実装増大の抑制やコストの低減を図ることができる。
このように、本実施形態のリソグラフィーシステムにおいて、主メモリ22はパターンデータをサブストライプデータ単位で記憶している。そして、各描画装置1で、光学系100のそれぞれが必要とする複数のサブストライプデータを選択することにより、ストライプデータを生成する。そのため、異なる光学系においても1つのパターンデータを共通して使用することができる。
さらに、サブストライプデータには、図形データの連続性に関する情報を指標として付与している。指標に基づいて重複描画領域に係るパターンを描画する光学系100を決定し、帰属先に応じて重複描画領域にある微小図形での露光量を変更する。例えば、そのパターンを描画しないこととなった場合にはパターンを削除する(すなわち、露光量をゼロにする)。あるいは、重複描画させるために露光量を低減させる。このように、指標を付与したサブストライプデータ単位のパターンデータであれば、複数の光学系で共通に使用可能なだけでなく、重複描画をすることも可能となる。
光学系100の相対的位置あるいは電子ビームによる描画領域108の相対的位置は、設計値から求まる位置ではなく、実測値によって取得した位置であることが好ましい。機械的な加工精度や、描画装置1の組み立ての精度によって光学系100同士の距離に機差が生じている場合であっても、機差に応じた選択条件を設定することにより、共通のパターンデータを使用して描画をすることができる。
さらに、光学系100の位置あるいは電子ビームによる被描画領域の位置を実測値に基づいて選択条件を更新することが好ましい。これにより光学系100の相対的な位置関係が描画動作時の振動によって経時的に変化する場合であっても、共通のパターンデータを使用して描画をすることができる。パターンデータのつくり直しに要する時間を必要としないことから、光学系の経時的な位置ずれに対応に伴い、基板処理のスループットが低下するのを防ぐ効果も有する。
指標「I」が付された図形データの帰属先は、(K+1)_ストライプでも、K_ストライプでも構わない。
[その他の実施形態]
前述の実施形態は1つのサブストライプ領域だけを重複描画する実施形態であったが、重複描画するサブストライプ領域の数はこれに限らない。また、重複描画するサブストライプデータの数が多い場合は、指標の種類は前述の4種類に限られない。どのサブストライプデータに対して連続しているのかが区別できる情報を含む指標であれば良い。
前述の実施形態は1つのサブストライプ領域だけを重複描画する実施形態であったが、重複描画するサブストライプ領域の数はこれに限らない。また、重複描画するサブストライプデータの数が多い場合は、指標の種類は前述の4種類に限られない。どのサブストライプデータに対して連続しているのかが区別できる情報を含む指標であれば良い。
前述の実施形態では、データ処理回路14が、複数のサブストライプデータを読み出し、かつ指標に基づいて露光量情報を変更して、ストライプデータを生成する。これらの3つの工程は、それぞれが描画装置1で実施されるのであれば別々の回路で実行しても構わない。
描画パターンに係るデータに基づいて、複数の電子ビームごとに、照射又は非照射を制御し所定位置への露光量を制御できるデバイスであれば、ブランキングアパーチャアレイ103以外のデバイスで各電子ビームによる照射又は非照射を制御しても良い。
光学系ごとに描画幅が異なっていても共通のパターンデータを用いることが可能である。また、光学系の数、及び、1つの光学系あたりのビーム本数は、前述の実施形態に限定されるものではなく適宜変更可能である。リソグラフィーシステムが有する描画装置は何台でも良い。ただし、1台の描画装置の場合は、描画装置内で変換回路20及び主メモリ22の機能を有している必要がある。例えば主制御系19に変換回路20及び主メモリ22の機能を搭載する。複数台の場合は、各描画装置で同じパターンを描画する場合に限らず、異なるパターンを描画する場合にも適用可能である。
前述の実施形態では、電子ビームを用いてパターンを描画する描画装置を例に説明したが、本発明のリソグラフィーシステムに適用できる描画装置はこれに限られない。イオンビーム等の荷電粒子線、KrFエキシマレーザ光、ArFエキシマレーザ光、EUV光を用いて基板上にパターンを描画する描画装置にも適用しても良い。
[物品の製造方法]
本発明の実施形態に係る物品(半導体集積回路素子、液晶表示素子、撮像素子、磁気ヘッド、CD−RW、光学素子、フォトマスク等)の製造方法は、前述の描画装置を用いて基板(ウエハやガラス板等)上にパターンを描画する工程と、描画した基板を現像する工程とを含む。さらに、他の周知の処理工程(酸化、成膜、蒸着、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等)を含んでも良い。
本発明の実施形態に係る物品(半導体集積回路素子、液晶表示素子、撮像素子、磁気ヘッド、CD−RW、光学素子、フォトマスク等)の製造方法は、前述の描画装置を用いて基板(ウエハやガラス板等)上にパターンを描画する工程と、描画した基板を現像する工程とを含む。さらに、他の周知の処理工程(酸化、成膜、蒸着、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等)を含んでも良い。
1 描画装置
10 ウエハ
14 データ処理回路
22 主メモリ
100 光学系
1000 リソグラフィーシステム
10 ウエハ
14 データ処理回路
22 主メモリ
100 光学系
1000 リソグラフィーシステム
Claims (10)
- 複数の光学系を有し、一つの光学系あたり一つの帯状領域ずつ、該帯状領域の一部を重複させながら基板上にパターンを描画する動作を繰り返す描画装置であって、
前記帯状領域を描画幅方向で分割した幅を有する領域に対応するサブパターンデータであって、描画指示データの連続性に関する情報及び露光量情報を含むサブパターンデータを単位データとして、前記複数の光学系で共用するパターンデータを記憶する記憶手段と、
複数の前記サブパターンデータを読み出し、かつ、重複描画領域に対応する前記サブパターンデータ内の露光量情報を前記連続性に関する情報に基づいて変更して、それぞれの前記光学系に供給するデータを作成する作成手段とを有することを特徴とする描画装置。 - 前記複数のサブパターンデータは、第1サブパターンデータと、前記第1サブパターンデータに隣接している第2サブパターンデータとを含み、
前記連続性に関する情報は、前記第1サブパターンデータ内の描画指示データと、前記第2サブパターンデータ内の描画指示データとの連続の有無を含むことを特徴とする請求項1に記載の描画装置。 - 前記連続性に関する情報は、前記第1サブパターンデータ内の前記描画指示データが連続して帰属しているサブパターンデータの数を含むことを特徴とする請求項2に記載の描画装置。
- 前記第1サブパターンデータは前記重複描画領域に対応するサブパターンデータであり、前記第2サブパターンデータは非重複描画領域に対応するサブパターンデータであって、
前記作成手段は、前記第1サブパターンデータが、前記第1サブパターンデータ及び前記第2サブパターンデータに連続する描画指示データを含む場合に、該描画指示データが示す露光量情報を変更することを特徴とする請求項2乃至3のいずれか1項に記載の描画装置。 - 前記作成手段は、前記連続性に関する情報に基づいて、前記露光量情報が示す露光量が低減するように前記露光量情報を変更することを特徴とすることを特徴とする請求項2乃至4のいずれか1項に記載の描画装置。
- 前記作成手段は、前記描画指示データを削除して該描画指示データが示す露光量情報を変更することを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の描画装置。
- 複数の光学系を備え、一つの光学系あたり帯状領域ずつ該帯状領域の一部を重複させながら、基板上にパターンを描画する動作を繰り返す、複数の描画装置と、
前記帯状領域を描画幅方向で分割した幅を有する領域に対応するサブパターンデータであって、描画指示データの連続性に関する情報を含むサブパターンデータを単位データとして、前記複数の光学系で共用するパターンデータを記憶する記憶手段とを有し、
前記描画装置は、複数の前記サブパターンデータを選択し、かつ、前記連続性に関する情報に基づいて重複描画領域となる前記サブパターンデータ内の露光量情報を変更して、それぞれの前記光学系に供給するデータを作成する作成手段を有することを特徴とするリソグラフィーシステム。 - 複数の光学系に供給するパターンデータの作成方法であって、
描画パターンに対応するデータを分割して、一つの光学系による描画幅を分割した幅を有する領域に対応するデータを複数生成するステップと、
前記データに対して、前記データにおける描画指示データの連続性に関する情報を付与するステップと、
前記連続性に関する情報に基づいて、重複描画領域に対応する前記データ内の露光量情報を変更するステップと、を有することを特徴とするパターンデータの作成方法。 - 複数の光学系を用いて、一つの光学系あたり帯状領域ずつ、該帯状領域の一部を重複させながら、基板上にパターンを描画する動作を繰り返す描画方法であって、
前記複数の光学系で共用するパターンデータを構成する単位データであるサブパターンデータであって、一つの前記帯状領域の幅を分割した領域に対応し、描画指示データの連続性に関する情報を含むサブパターンデータを、複数読み出すステップと、
重複描画領域に対応する前記データに付与された前記連続性に関する情報に基づいて、重複描画領域に対応するサブパターンデータ内の露光量情報を変更するステップと、
変更後のデータに基づいて前記基板にパターンを描画するステップと、を有することを特徴とする描画方法。 - 請求項1乃至6のいずれか1項に記載の描画装置を用いて基板に描画を行う工程と、前記工程で描画された基板を現像する工程とを有することを特徴とする物品の製造方法。
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