JP2016086102A - リソグラフィーシステム及び物品の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 パターンデータを共通化し、かつ複数の光学系の位置ずれに対応可能なリソグラフィーシステムを提供することを目的とする。【解決手段】 リソグラフィ—システム1000は複数の光学系100を有し、該複数の光学系で各々整形されたビームによって基板10上にパターンを描画する描画装置1と、複数の光学系100で共用する、複数種類のパターンデータを記憶する記憶手段22と、複数種類のパターンデータのうち、前記描画装置が用いるパターンデータを選択して、前記描画装置に送信する送信手段とを有する。パターンデータは複数のサブパターンデータの集合データであり、かつ1つのサブパターンデータに対応する帯状の描画領域の幅は前記ビームによる描画幅を整数分割した長さであることを特徴とする【選択図】 図1
Description
本発明は、リソグラフィーシステム及び物品の製造方法に関する。
複数の電子光学系(以下、光学系と称す)で複数の電子ビームを照射して、基板上にパターンを描画する描画装置が知られている。各光学系が例えば水平面内で一列に配列されている場合、1つの光学系あたり、配列方向と直交する方向を長辺とする帯状の領域単位でパターンを描画する。複数の光学系によって、異なるショット領域に対して同時にパターンを描画していく。
この場合、配列方向の各光学系の光軸間の距離と、同方向におけるショット領域のピッチとの間に整数比の関係があることが好ましい。回路パターン等の描画パターンに係る設計図形データからパターンデータに変換する処理、及び変換したパターンデータを各光学系に転送する処理を共通化させることができるからである。
しかし、ショット領域のサイズが変わると前述の整数比の関係が崩れるため、パターンデータの共通化が困難になる。そこで、特許文献1は、鉛直方向の軸を回転軸として旋回可能な支持部材上に複数の光学系を配列した描画装置を開示している。当該描画装置は、支持部材の旋回角度を調整することで、各光学系間の光軸間の距離を調整している。
特許文献1に記載の描画装置であっても、経時的に複数の光学系の位置が変化してしまうと、再度パターンデータへの変換をし直す必要が生じる。
そのため、データ変換処理を経た、複数の描画パターンに係るパターンデータを予めメモリに記憶する方式の場合は、全てのパターンデータを最初から変換しなおす必要が生じるおそれがある。一方、パターンデータを描画直前に変換する方式の場合は、1つのパターンを描画し終えるごとに要するパターンデータへの変換処理の時間がロスタイムとなり、恒常的なスループット低下の要因となるおそれがある。
そこで本発明は上記課題を鑑みてなされたものであり、パターンデータを共通化し、かつ複数の光学系の位置ずれに対応可能なリソグラフィーシステムを提供することを目的とする。
本発明のリソグラフィーシステムは複数の光学系を有し、該複数の光学系で各々整形されたビームによって基板上にパターンを描画する描画装置と、前記複数の光学系で共用する、複数種類のパターンデータを記憶する記憶手段と、前記複数種類のパターンデータのうち、前記描画装置が用いるパターンデータを選択して、前記描画装置に送信する送信手段とを有し、前記パターンデータは複数のサブパターンデータの集合データであり、かつ1つの前記サブパターンデータに対応する帯状の描画領域の幅は前記ビームによる描画幅を整数分割した長さであることを特徴とする。
本発明に係るリソグラフィーシステムによれば、パターンデータを共通化しつつ複数の光学系の位置ずれに対応可能となる。
[実施形態1]
図1は、第1及び第2の実施形態に係るリソグラフィーシステム1000の構成図である。リソグラフィーシステム1000は、4台の電子ビーム描画装置1(以下、描画装置1と称す)を有している。
図1は、第1及び第2の実施形態に係るリソグラフィーシステム1000の構成図である。リソグラフィーシステム1000は、4台の電子ビーム描画装置1(以下、描画装置1と称す)を有している。
リソグラフィーシステム1000は、ショットパターンに係る設計図形データをパターンデータに変換する(生成する)変換回路20と、変換されたパターンデータを記憶する主メモリ(記憶手段)22を有している。主メモリ22は、複数種類の設計図形データを変換した、複数種類のパターンデータを記憶している。
さらに、サーバー(送信手段)21を有している。サーバー21は、変換後のパターンデータを主メモリ22に記憶させ、かつ主メモリ22内のデータから適切なショットパターンに係るパターンデータを選択して各描画装置1の中間データメモリ18(以下、中間メモリ18と称す)に転送する。
ここで、ショットパターンとは、1つあるいは複数のチップパターンに係るパターンの形成単位である。ショットパターンのサイズは、他のリソグラフィ装置や加工装置の処理単位と共通であることが好ましく、例えば短手方向の幅が約20mm〜25mmである。設計図形データとは、例えばベクター形式のデータである。また、パターンデータとは例えばビットマップ形式の画像データであり、本実施形態ではパターンデータは、後述するサブストライプデータ(サブパターンデータ)を単位データとする。変換回路20によるデータ変換の方法やデータの転送方法については、後で詳述する。
図2は1つの描画装置1の光学系100の構成を示す図である。電子ビームを放射する電子源101は、LaB6又はBaO/W等を電子放出材として含む熱電子型の電子源である。コリメータレンズ102は、電界により電子ビームを収束可能な静電型のレンズである。電子源101から放射された電子ビームが互いに平行になるように、電子ビームを整形する。
ブランキングアパーチャアレイ103は、コリメータレンズ101を通過した電子ビームを2次元に配列された開孔(不図示)で複数の電子ビームに分割する。さらに、ブランキングアパーチャアレイ103の静電型のブランカー(不図示)は、後述するブランキング制御回路13からの指示に従って、開孔で分割された複数の電子ビームを個別に偏向する。偏向動作によって、光学系100の描画領域108への照射又は非照射を制御する。
レンズ104は静電型の電子レンズで、レンズ105は磁界型の電子レンズである。レンズ104とレンズ105は、それぞれ、ブランキングアパーチャアレイ103の複数の開孔での電子ビームの中間像を形成する。
レンズ106は磁界型の電子レンズである。レンズ106は光学系100での対物レンズとして作用し、レンズ104及びレンズ105が形成した中間像を描画領域108に投影する。偏向器107は、複数の電子ビームを一括して所定の方向に偏向し、ウエハ(基板)10(図3に図示)に対する描画領域108の位置を微調整する。
図3は、1台の描画装置1の構成を示す図である。1台の描画装置1は3つの光学系100を有している。3つの光学系100で整形された電子ビームが、それぞれ、ウエハ10上にパターンを描画する。ステージ11は、静電チャック(不図示)によりウエハ10を吸着保持した状態で、光学系100の光軸と直交するXY平面内で移動する。ステージ11上には検出器12が載置されている。検出器12は、電子ビームの位置及び電流を検出する。
ブランキング制御回路13は、ブランキングアパーチャアレイ103の複数のブランカーの駆動を個別に制御する。データ処理回路14は、メモリ14b、14d(図8に図示)と、データ処理回路14a、14c(図8に図示)とを有している。データ処理回路14a、14cは、各光学系100のブランキングアパーチャアレイ103の制御に必要となるストライプデータを生成する。
偏向器制御回路15は、各光学系100の偏向器107をそれぞれ制御する。検出処理回路16は、検出器12からの信号に基づいて、複数の電子ビームの実際の配列座標と電流値とを算出する。ステージ制御回路17は、レーザ干渉計(不図示)によるステージ11の位置の計測結果を用いて、ステージ11の位置決めを制御する。
中間メモリ18は、主メモリ22に格納されていた複数種類のショットパターンに係るパターンデータのうちの1つを記憶するメモリである。
主制御系19は、描画装置1で描画するショットパターンに応じたパターンデータをサーバー21に要求する。これを受けて、中間メモリ18にパターンデータが転送される。また、ブランキング制御回路13、データ処理回路14、偏向器制御回路15、検出処理回路16、ステージ制御回路17を統括的に制御する。
描画装置1の制御手段は、本実施形態ではブランキング制御回路13、データ処理回路14、偏向器制御回路15、検出処理回路16、ステージ制御回路17、主制御系19により構成されているが、これは一例にすぎず、適宜変更が可能である。
図4(a)(b)は、描画領域について説明する図である。図4(a)は、ウエハ10上に描画すべきショット領域109の配置例、あるいは既に形成された、ショット領域109の配置例である。図4(b)は、X軸方向に配列された電子ビームによる描画領域108とウエハ10との関係を示す図である。
ウエハ10が載置されたステージ11が、X軸方向に直交するY軸方向に移動することで、3つの光学系100のそれぞれの描画領域108がウエハ10上を走査する。3つの光学系100のそれぞれにおいて、ストライプ領域(帯状の描画領域)に対応するストライプデータに基づいて電子ビームの照射(ON)又は非照射(OFF)が制御される。これにより、3つのストライプ領域(S1、S2、S3)に対してパターンが描画されていく。
図5(a)(b)(c)は、階調制御を伴う描画方法を説明する図である。図5(a)は、描画領域108あたりの電子ビームの配列を示している。ブランキングアパーチャアレイ103で分割された電子ビームは5行20列で構成され、列のピッチに対して行のピッチは2倍である。
図5(a)に示すように紙面に対して上から下方向にステージ11が移動すると、ウエハ10上の各位置に対して、対象のビーム列のj、k、l、m、n行の電子ビームが順に走査する。
図5(b)は、ウエハ10上の位置(position)(1)〜(6)と露光量(Dose)の関係を示す図である。例えば、位置(1)は、j、k、l、m、n行の電子ビームを用いることで露光量5で照射されることを示している。全ての電子ビームはクロック信号に基づきウエハ10を照射し、ステージ11は単位クロックあたり列ピッチ分移動する速度で連続的に移動する。
図5(b)のデータに基づいて設定した、ON/OFF信号のタイムテーブルを図5(c)に示す。ウエハ10のステージの移動方向に並んでいる位置(1)〜位置(6)を露光する、各行(j〜n行)による電子ビームのON/OFF信号を示している。単位クロック2個分で、ステージが1ピッチ分移動する様子を示している。
電子ビームの列の幅が光学系100の描画幅であり、かつストライプ領域の幅に相当する。例えば、数十nmのピッチで、1列あたり4000本のビームが配置された場合は、ストライプの幅は80〜100μm程度となる。
つづいて、リソグラフィーシステム1000におけるパターンデータの変換プロセスと、このリソグラフィーシステムにおける描画方法について説明する。
図6は、リソグラフィーシステム1000におけるデータの流れを示すフローチャートである。まず、変換回路20が、ショットパターンに係る設計図形データをサブストライプ領域の幅に対応するように整数分割する。そして、ビットマップ形式のデータに変換したサブストライプデータを圧縮する(S10)。
図7は、パターンデータに対応するショット領域と、サブストライプデータに対応するサブストライプ領域、及びストライプデータに対応するストライプ領域との関係を示す図である。図7に示すように、ショットパターンに係るパターンデータ、及びストライプデータは、サブストライプデータを単位データとし、複数のサブストライプデータで構成された集合データである。
変換回路20は、サブストライプ領域の幅(例えば、5〜10μm)がストライプ領域(例えば、80〜100μm)を整数分割した長さとなるように分割する。すなわち、サブストライプ領域の幅は、複数の電子ビームによる描画幅を整数分割した長さである。変換回路20は、偏向器107による偏向幅、ストライプ領域の幅(すなわち、描画領域108の幅)、ショット領域の幅に基づいてサブストライプ領域の幅を決定する。照射位置の微調整は偏向器107により行われる。
図6の説明に戻る。変換回路20は、サブストライプデータを、サーバー21に転送する。サーバー21は、変換したパターンデータを主メモリ22に記憶させる(S20)。変換回路20は、同様にして他のショットパターンに係る設計図形データをパターンデータに変換し、複数種類のパターンデータを主メモリ22に記憶させる。
描画装置1で描画すべきショットパターンが決定されると、描画装置1の主制御系19はサーバー21にそのショットパターンに係るパターンデータを要求する(S30)。サーバー21は、要求されたパターンデータを、主メモリ22内に記憶されている複数種類のパターンデータから選択する。そして、要求のあった描画装置1の中間メモリ18に転送する(S40)。
データ処理回路14は、光学系100で使用するストライプデータを逐次変換する。そのために、描画装置1の主制御系19は、中間メモリ19に転送されたパターンデータの一部を選択して抜き出し、各光学系100に必要なサブストライプデータを配信するための選択条件を決定する。選択条件は、各光学系100の描画領域108の端の位置を始点として、サブストライプデータの数を示す。
描画領域108の端の位置は、ショット領域のレイアウトと光学系100の相対的位置関係に基づいて定まる。サブストライプデータの数は、描画幅方向(前述のX軸方向)における描画領域108の描画幅に基づいて定まる。
このとき、複数の光学系100に係る光軸の位置を示す、描画領域108の位置(複数の光学系に係るビームの位置情報)は、設計値から求まる位置ではなく実測値に基づくことが好ましい。機械的な加工精度や、描画装置1の組み立ての精度によって描画装置1ごとに光学系100同士の距離が異なる場合があるからである。係る場合は、描画装置1毎に異なる選択条件を設定すれば良い。
また、各光学系100の相対的な位置関係も描画動作時の振動によって経時的に変化する恐れがあることから、電子ビームの位置情報も定期的に更新し、選択条件を更新する。
描画の指令を受けた主制御部19は、データ処理回路14にそのデータ処理回路14で処理する複数のサブストライプデータを選択するように指示する。データ処理回路14は、前述の選択条件に従って、各々のデータ処理回路14の接続先の光学系100で使用する、複数のサブストライプデータを選択し、データを展開する(S50)。
図8の模式図を用いてデータ変換(S50)について説明する。データ処理回路14のデータ処理回路14a(選択手段)は、前述の選択条件に従って、複数のサブストライプデータを選択する。そして、メモリ14bに一時的に記憶させる。データ処理回路14cは、ストライプデータに係るサブストライプデータの圧縮データを展開して、光学系100ごとに特有の収差補正などの補正処理を施す。データ処理回路14cは生成したストライプデータをメモリ14dに記憶させる。メモリ14dは2つのストライプデータを記憶可能な、2面バッファメモリである。
図7の説明に戻る。生成されたストライプデータに基づいて、ブランキング制御回路13は、ブランキングアレイ103を制御するための照射の制御データを作成する。主制御部19はブランキング制御回路で作成した照射データに基づいて、ウエハ10にパターンを描画する(S60)。
主制御部19は、ブランキングブランキング制御回路13にブランキングアパーチャアレイ103を制御させ、ステージ制御回路17にステージ11の移動を制御させる。各光学系100のバッファメモリ14dに記憶させたデータのうち、1つのストライプ領域分のストライプデータに相当する描画領域を描画させる。
1つのストライプ領域の描画が終了したら、主制御系19は2面バッファメモリ14dのもう片方のメモリに記憶されている次のストライプデータを読み出す。このデータに基づいて、次のストライプ領域の描画を実行させる。2つ目のストライプ領域の描画と並行して、データ制御回路14aは、さらに次に描画するストライプデータを前述と同様の手法により選択する。データ処理回路14cは圧縮したサブストライプデータで構成されたストライプデータを展開し、既に描画が終了したストライプデータが記憶されているバッファメモリ14dの一方に上書きする。
データ処理回路14aは、光学系100に必要なサブストライプデータを逐次選択し、展開して、メモリ14dに記憶させる。逐次ストライプデータを生成していくことにより、1つの光学系100あたり1ショットパターン分のパターンデータを記憶する必要が無くなる。よって、実装増大の抑制やコストの低減を図ることができる。
本実施形態のリソグラフィーシステムにおいて、主メモリ22は多種多様なショットパターンに係るパターンデータをサブストライプデータ単位で記憶している。そして、各描画装置1で、光学系100のそれぞれが必要とする複数のサブストライプデータを選択することによりストライプデータを生成する。
そのため、異なる光学系においても1つのパターンデータを共通して使用する(共用する)ことができる。光学系100の光軸位置が設計位置に対してずれている場合も、データ処理回路14が選択するストライプデータを変更するだけで同じパターンデータを使用することができる。よって、異なる描画装置間で光学系の位置に機差が生じている場合も、1つのパターンデータを共通して使用することができる。
さらに、経時的に光軸の位置ずれが生じる場合であっても、主制御系19が選択条件を変更し、データ処理回路14が各光学系100のために選択するサブストライプデータを変更するだけで良い。そのため、種々のデータ変換において最も時間を要する設計図形データからパターンデータへの変換工程を描画動作と並行して行い、主メモリ22にまとめて記憶させておくことができる。変換済みのパターンデータを用いて光学系の位置ずれに対応できるため、1つのパターンを描画し終えるごとにパターンデータへの変換を実行した場合に生じるスループットの低下を防ぐ効果がある。
このようにして、パターンの切り替え時に配列変化が生じた場合であっても、すぐに記憶しているデータを用いて次のショットパターンを描画することが可能となる。
[実施形態2]
実施形態1では、各々の電子ビームが描画する領域が重複しない実施形態であった。しかしながら、ウエハ10への照射熱の影響で描画位置がずれてストライプ領域間のパターンが分断してしまう可能性がある。係る場合は、隣り合う領域の一部を重複させながら描画する。
実施形態1では、各々の電子ビームが描画する領域が重複しない実施形態であった。しかしながら、ウエハ10への照射熱の影響で描画位置がずれてストライプ領域間のパターンが分断してしまう可能性がある。係る場合は、隣り合う領域の一部を重複させながら描画する。
実施形態2のリソグラフィーシステムは、リソグラフィーシステム1000とほぼ同様の構成である。実施形態1に比べて、ステージ制御部17がステージ11をX軸方向に移動させる際の1回あたりの移動量が描画領域108の幅よりも小さくなる点が異なる。さらに、データ処理回路14aは、選択した複数のサブストライプデータのうち両端に位置する少なくとも2つのサブストライプデータ(一部のサブパターンデータ)を、重複して描画する領域のスティッチングデータ(多重描画領域用のサブパターンデータ)としている。
スティッチングデータには、所定のルール(露光量を半分にする、等)に従いデータ修正を施してから、ストライプデータを生成する。ストライプ領域の両端を重複しながら描画する場合であっても、選択するサブストライプデータの組み合わせを変更することで、描画装置1の機差、及び光学系100の光軸の位置ずれに対して対応可能となる。
[その他の実施形態]
主メモリ22の構成は、1つの大容量のメモリでも、複数のメモリを組み合わせたものでも構わない。サーバー21が複数種類のパターンデータにアクセス可能であり、描画装置1に必要なパターンデータを転送可能であれば良い。
主メモリ22の構成は、1つの大容量のメモリでも、複数のメモリを組み合わせたものでも構わない。サーバー21が複数種類のパターンデータにアクセス可能であり、描画装置1に必要なパターンデータを転送可能であれば良い。
リソグラフィーシステムが有する描画装置は何台でも良い。また、描画装置同士が同じパターンを描画する場合はもちろん、前述の実施形態1、2のように異なるパターンを描画する場合にも適用可能である。
光学系ごとに描画幅が異なっていても共通のパターンデータを用いることが可能である。1つの光学系による描画領域を所定幅に変更しながら描画する場合には、その所定幅がビームの描画幅に該当する。
描画データに基づいて複数の電子ビームの露光量や照射又は非照射を電子ビームごとに制御できるデバイスであれば、各電子ビームの照射又は非照射の制御は、ブランキングアパーチャアレイ103以外のデバイスで制御しても良い。光学系の数、及び、1つの光学系あたりのビーム本数は、実施形態1、2に限定されるものではなく適宜変更可能である。
実施形態1、2では、電子ビームを用いてパターンを描画する描画装置を例に説明したが、本発明のリソグラフィーシステムに適用できる描画装置はこれに限られない。イオンビーム等の荷電粒子線、KrFエキシマレーザ光、ArFエキシマレーザ光、EUV光を用いて基板上にパターンを描画する描画装置にも適用しても良い。
[物品の製造方法]
本発明の実施形態に係る物品(半導体集積回路素子、液晶表示素子、撮像素子、磁気ヘッド、CD−RW、光学素子、フォトマスク等)の製造方法は、前述の描画装置を用いて基板(ウエハやガラス板等)上にパターンを描画する工程と、描画した基板を現像する工程とを含む。さらに、他の周知の処理工程(酸化、成膜、蒸着、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等)を含んでも良い。
本発明の実施形態に係る物品(半導体集積回路素子、液晶表示素子、撮像素子、磁気ヘッド、CD−RW、光学素子、フォトマスク等)の製造方法は、前述の描画装置を用いて基板(ウエハやガラス板等)上にパターンを描画する工程と、描画した基板を現像する工程とを含む。さらに、他の周知の処理工程(酸化、成膜、蒸着、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等)を含んでも良い。
1 描画装置
10 ウエハ
14 データ処理回路
22 主メモリ
21 サーバー
100 光学系
1000 リソグラフィーシステム
10 ウエハ
14 データ処理回路
22 主メモリ
21 サーバー
100 光学系
1000 リソグラフィーシステム
Claims (6)
- 複数の光学系を有し、該複数の光学系で各々整形されたビームによって基板上にパターンを描画する描画装置と、
前記複数の光学系で共用する、複数種類のパターンデータを記憶する記憶手段と、
前記複数種類のパターンデータのうち、前記描画装置が用いるパターンデータを選択して、前記描画装置に送信する送信手段とを有し、
前記パターンデータは複数のサブパターンデータの集合データであり、かつ1つの前記サブパターンデータに対応する帯状の描画領域の幅は前記ビームによる描画幅を整数分割した長さであることを特徴とするリソグラフィーシステム。 - 前記描画装置は選択手段を有し、該選択手段は前記複数の光学系に対応するビームの位置情報と前記描画幅に基づいて、前記複数の光学系の各々で用いられる複数の前記サブパターンデータを選択することを特徴とする請求項1に記載のリソグラフィーシステム。
- 前記選択手段は、選択した複数の前記サブパターンデータのうち、一部の前記サブパターンデータを多重描画領域用のサブパターンデータとすることを特徴とする請求項2に記載のリソグラフィーシステム。
- 前記描画装置は複数あり、前記送信手段は、前記複数種類のパターンデータから選択したパターンデータを、該パターンデータを用いる前記描画装置に送信することを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載のリソグラフィーシステム。
- 前記描画装置は、前記複数の光学系に対応するビームの位置情報を更新することを特徴とする請求項2に記載のリソグラフィーシステム。
- 請求項1乃至5のいずれか1項に記載のリソグラフィーシステムを用いて基板に描画を行う工程と、前記工程で描画された基板を現像する工程とを有することを特徴とする物品の製造方法。
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