JP2005286346A - 電子ビーム露光装置及び該電子ビーム露光装置を管理する管理装置 - Google Patents

Abstract

【課題】 電子ビーム露光装置のメモリを軽減でき、電子ビーム露光装置毎のパターンデータの転送及び制御データへの変換をなくす電子ビーム露光システムを提供できる。
【解決手段】 制御データに基づいて電子ビームを偏向し、被露光物体上にパターンを露光する複数の電子ビーム露光装置と、前記電子ビーム露光装置から送られてくる露光されるパターンに関するパターン情報に応じて、前記パターン情報を送出した電子ビーム露光装置に前記露光されるパターンに対応した前記制御データを送出するデータ制御手段とを有する。
【選択図】 図６

Description

本発明は、電子ビーム露光装置及び該電子ビーム露光装置を管理する管理装置に関する。

電子ビームを偏向し、被露光物体上にパターンを露光する電子ビーム露光装置において、電子ビームを制御するデータは被露光物体上に露光する半導体素子パターンの微細化に伴い、そのデータ量は益々増加する傾向にある。更に、微細化された半導体素子はより多層化される為、より異なるパターンを露光する回数が増加する傾向にある。

しかしながら、電子ビーム露光装置に記憶できる露光されるパターンに対応する制御データには限度があり、そのため、露光するパターンが変わるたびに、電子ビーム露光装置は、露光するパターンのパターンデータを転送し、制御データに変換する作業が必要であった。そのため、半導体製造において、生産性を著しく低下させるという問題がある。

本発明は前記した従来の問題点に鑑みてなされたものであり、本発明のある形態は、露光されるパターンに対応した制御データに基づいて電子ビームを偏向し、被露光物体上に前記パターンを露光する電子ビーム露光装置において、互いに異なるパターンに対応した複数の前記制御データを記憶するメモリと、前記露光されるパターンに関するパターン情報を検出する検出系と、前記メモリから検出された前記パターン情報に対応した前記制御データを選択し、選択された前記制御データに基づいて前記被露光物体を露光する制御系とを有する。

本発明においては、前記制御系が、前記メモリ内に検出された前記パターン情報に対応した前記制御データが記憶されていない時、記憶されていない前記制御データの要求を行なう形態がある。

本発明の他の形態は、複数の電子ビーム露光装置で用いられる制御データを管理する管理装置において、互いに異なるパターン情報に対応する複数の前記制御データを記憶する記憶手段と、前記記憶手段から、前記電子ビーム露光装置から送信された前記パターン情報に対応する前記制御データを選択し、選択された前記制御データを、前記パターン情報を送信した前記電子ビーム露光装置へ送信する制御手段と、を有する。

本発明においては、前記制御手段は、送信された前記パターン情報に対応する前記制御データが前記記憶手段に記憶されていない時、アラームを発する形態がある。

前記制御データは、電子ビームの偏向位置を制御するデータと電子ビームの偏向位置での照射時間を制御するデータを有する形態がある。

前記管理装置は、複数の前記電子ビーム装置が設置されている空間に比べクリーン度の低い空間に設置されている形態がある。

以上説明したように本発明によれば、電子ビーム露光装置のメモリを軽減できる。

〔電子ビーム露光システムを構成する電子ビーム露光装置の構成要素説明〕
図１は本発明に係る電子ビーム露光装置の要部概略図である。

図１において、１は、カソード１ａ、グリッド１ｂ、アノード１ｃよりなる電子銃であって、カソード１ａから放射された電子はグリッド１ｂ、アノード１ｃの間でクロスオーバ像を形成する（以下、これらのクロスオーバ像を光源と記す）。

この光源から放射される電子は、その前側焦点位置が前記光源位置にあるコンデンサーレンズ２によって略平行の電子ビームとなる。略平行な電子ビームは、要素電子光学系アレイ３に入射する。要素電子光学系アレイ３は、ブランキング電極と開口と電子レンズで構成される要素電子光学系が光軸ＡＸに直交する方向に複数配列されて形成されたものである。要素電子光学系アレイ３の詳細については後述する。

要素電子光学系アレイ３は、光源の中間像を複数形成し、各中間像は後述する縮小電子光学系４によって縮小投影され、ウエハ５上に光源像を形成する。

その際、ウエハ５上の光源像の間隔が光源像の大きさの整数倍になるように、要素電子光学系アレイ３の各要素は設定されている。更に、要素電子光学系アレイ３は、各中間像の光軸方向の位置を縮小電子光学系４の像面湾曲に応じて異ならせるとともに、各中間像が縮小電子光学系４よってウエハ５に縮小投影される際に発生する収差を予め補正している。

縮小電子光学系４は、第１投影レンズ４１（４３）と第２投影レンズ４２（４４）とからなる対称磁気タブレットで構成される。第１投影レンズ４１（４３）の焦点距離をｆ１、第２投影レンズ４２（４４）の焦点距離をｆ２とすると、この２つのレンズ間距離はｆ１＋ｆ２になっている。光軸上ＡＸの物点は第１投影レンズ４１（４３）の焦点位置にあり、その像点は第２投影レンズ４２（４４）の焦点に結ぶ。この像は−ｆ２／ｆ１に縮小される。また、２つのレンズ磁界が互いに逆方向に作用する様に決定されているので、理論上は、球面収差、等方性非点収差、等方性コマ収差、像面湾曲収差、軸上色収差の５つの収差を除いて他のザイデル収差および回転と倍率に関する色収差が打ち消される。

６は、要素電子光学系アレイ３からの複数の電子ビームを偏向させて、複数の光源像をウエハ５上でＸ，Ｙ方向に略同一の変位量だけ変位させる偏向器である。偏向器６は、図示はされていないが、偏向幅が広い場合に用いられる主偏向器と偏向幅が狭い場合に用いられる副偏向器で構成されていて、主偏向器は電磁型偏向器で、副偏向器は静電型偏向器である。

７は偏向器６を作動させた際に発生する偏向収差により光源像のフォーカス位置のずれを補正するダイナミックフォーカスコイルであり、８は、ダイナミックフォーカスコイル７と同様に、偏向により発生する偏向収差の非点収差を補正するダイナミックスティグコイルである。

９は、要素電子光学系アレイ３からの電子ビームが、ウエハ５上に形成された位置合わせマークもしくはステージ基準板１３上のマークを照射した際に生じる反射電子又は２次電子を検出する反射電子検出器である。

１０は、Ｘ及びＹ方向にのびる２つのシングルナイフエッジを有するファラデーカップで要素電子光学系からの電子ビームが形成する光源像の電荷量を検出する。

１１は、ウエハを載置し、光軸ＡＸ（Ｚ軸）方向とＺ軸回りの回転方向に移動可能なθ−Ｚステージであって、前述したステージ基準板１３とファラデーカップ１０が固設されている。

１２は、θ−Ｚステージを載置し、光軸ＡＸ（Ｚ軸）と直交するＸＹ方向に移動可能なＸＹステージである。

次に、図２を用いて要素電子光学系アレイ３について説明する。

要素電子光学系アレイ３は、複数の要素電子光学系をグループ（サブアレイ）とし、そのサブアレイが複数形成されている。そして、本実施例では７つのサブアレイＡ〜Ｇが形成されている。各サブアレイは、複数の要素電子光学系が２次元的に配列されている。そして、本実施例の各サブアレイではＤ（１，１）〜Ｄ（５，５）のように２５個の要素電子光学系が形成されていて、各要素電子光学系は縮小電子光学系４を介してウエハ上にはＸ方向もＹ方向もピッチＰｂ（μｍ）の間隔で配列する光源像を形成する。

各要素電子光学系の断面図を図３に示す。

図３において、３０１は一対の電極で構成され、偏向機能を有するブランキング電極であり、３０２は、透過する電子ビームの形状を規定する開口（ＡＰ）を有する基板で他の要素電子光学系と共通である。その上にブランキング電極３０１と電極をｏｎ／ｏｆｆするための配線（Ｗ）が形成されている。３０３は、３つの開口電極で構成され、上下の電極を加速電位Ｖ０と同じにし、中間の電極を別の電位Ｖ１またはＶ２に保った収斂機能を有するユニポテンシャルレンズ３０３ａ、３０３ｂの２つを用いた電子レンズである。

ユニポテンシャルレンズ３０３ａの上、中、下の電極及びユニポテンシャルレンズ３０３ｂの上、下の電極の形状は図４（Ａ）に示すような形状であり、ユニポテンシャルレンズ３０３ａ、３０３ｂの上下電極は、後述する焦点・非点制御回路１によって全ての要素電子光学系において共通の電位に設定している。

ユニポテンシャルレンズ３０３ａの中間電極は、焦点・非点制御回路１によって要素電子光学系毎に電位が設定出来る為、ユニポテンシャルレンズ３０３ａの焦点距離が要素電子光学系毎に設定できる。

また、ユニポテンシャルレンズ３０３ｂの中間電極は、図４（Ｂ）に示すような４つの電極で構成され、焦点・非点制御回路によって各電極の電位が個別に設定でき、要素電子光学系毎にも個別設定出来るため、ユニポテンシャルレンズ３０３ｂは直交する断面において焦点距離が異なるようにでき、かつ要素電子光学系毎にも個別に設定出来る。

その結果、要素電子光学系の中間電極の電位をそれぞれ制御することによって、要素電子光学系の電子光学特性（中間像形成位置、非点収差）を制御することができる。

コンデンサーレンズ２で略平行にされた電子ビームは、ブランキング電極３０１と開口（ＡＰ）を介し、電子レンズ３０３によって、光源の中間像を形成する。この時、ブランキング電極３０１の電極間に電界をかけていないと電子ビーム束３０５の様に偏向されない。一方、ブランキング電極３０１の電極間に電界をかけると電子ビーム束３０６の様に偏向される。すると、電子光束３０５と電子ビーム束３０６は、縮小電子光学系４の物体面で互いに異なる角度分布を有するので、縮小電子光学系４の瞳位置（図１のＰ面上）では電子ビーム束３０５と電子ビーム束３０６は互いに異なる領域に入射される。したがって、電子ビーム束３０５だけを透過させるブランキング開口ＢＡを縮小電子光学系の瞳位置（図１のＰ面上）に設けてある。

また、各要素電子光学系は、それぞれが形成する中間像が縮小電子光学系４によって被露光面に縮小投影される際に発生する像面湾曲・非点収差を補正するために、各要素電子光学系の２つの中間電極の電位を個別に設定して、各要素電子光学系の電子光学特性（中間像形成位置、非点収差）を異ならしめている。ただし、本実施例では、中間電極と焦点・非点制御回路１との配線を減らす為に同一サブアレイ内の要素電子光学系は同一の電子光学特性にしてあり、要素電子光学系の電子光学特性（中間像形成位置、非点収差）をサブアレイ毎に制御している。

さらに、複数の中間像が縮小電子光学系４によって被露光面に縮小投影される際に発生する歪曲収差を補正するために、縮小電子光学系４の歪曲特性を予め知り、それに基づいて、縮小電子光学系４の光軸と直交する方向の各要素電子光学系の位置を設定している。

次に電子ビーム露光装置のシステム構成図を図５に示す。

ブランキング制御回路１４は、要素電子光学アレイ３の各要素電子光学系のブランキング電極のｏｎ／ｏｆｆを個別に制御する制御回路、焦点・非点制御回路１（１５）は、要素電子光学アレイ３の各要素電子光学系の電子光学特性（中間像形成位置、非点収差）を個別に制御する制御回路である。

焦点・非点制御回路２（１６）は、ダイナミックスティグコイル８及びダイナミックフォーカスコイル７を制御して縮小電子光学系４の焦点位置、非点収差を制御する制御回路で、偏向制御回路１７は偏向器６を制御する制御回路、倍率調整回路１８は、縮小電子光学系４の倍率を調整する制御回路、光学特性回路１９は、縮小電子光学系４を構成する電磁レンズの励磁電流を変化させ回転収差や光軸を調整する制御回路である。

ステージ駆動制御回路２０は、θ−Ｚステージを駆動制御し、かつＸＹステージ１２の位置を検出するレーザ干渉計２１と共同してＸＹステージ１２を駆動制御する制御回路である。

制御系２２は、描画パターンが記憶されたメモリ２３からのデータに基づく露光及び位置合わせの為に上記複数の制御回路および反射電子検出器９・ファラデーカップ１０を同期して制御する。制御系２２は、インターフェース２４を介して電子ビーム露光装置全体をコントロールするＣＰＵ２５によって制御されている。

ウエハ認識検出系２６は、露光される前のウエハもしくは前記ウエハを複数毎格納するカセットに記された例えばバーコードを検出する。そのバーコードには、そのウエハに露光されるべきパターンに関する情報が含まれている。

１００は、上記説明した構成要素を有する電子ビーム露光装置である。

〔電子ビーム露光システムを構成する構成要素説明〕
図６を用いて、本発明の電子ビーム露光システムの構成を説明する。

１００ａ，１００ｂ，１００ｃ，１００ｄは、前述した電子ビーム露光装置である。１１０は、電子ビーム露光装置を制御する制御データを、電子ビーム露光装置１００ａ、１００ｂ、１００ｃ、１００ｄに適宜送出するとともに、ウエハに露光すべきパターンデータから該パターンに対応した電子ビーム露光装置専用の制御データを生成する管理用ＣＰＵである。１２０は、電子ビーム露光装置専用の制御データを複数記憶する大容量メモリである。

ここで管理用ＣＰＵ１１０および大容量メモリ１２０が設置されている空間（部屋）１３０は、電子ビーム露光装置１００ａ，１００ｂ，１００ｃ，１００ｄが設置されている空間（部屋）１３１に比べ、クリーン度が低い。それにより、設置する空間のクリーン度をさほど要求しない管理用ＣＰＵ１１０および大容量メモリ１２０を、建設費用及びランニングコストの点から高価なクリーン度の高い空間（部屋）１３１に設置しないので、高価な空間（部屋）１３１の面積が狭くでき、実質的に電子ビーム露光システムで製造されるデバイスの製造コストが低減できる。

〔動作の説明〕
図５、６を用いて本実施例の電子ビーム露光システムの動作について説明する。

管理用ＣＰＵ１１０は、電子ビーム露光装置１００ａ，１００ｂ，１００ｃ，１００ｄで露光される様々なパターンに対応した電子ビーム露光装置専用の露光制御データを、大容量メモリ１２０に予め記憶させている。

もしくは、管理用ＣＰＵ１１０は、電子ビーム露光装置で露光されることが予定されているパターンがあると、そのパターンに関するパターンデータが入力される。そして、そのパターンの最小線幅、線幅の種類、形状に基づいて、電子ビーム露光装置の偏向器が電子ビームに与える最小偏向量を決定する。次に各要素電子光学系からの電子ビームの露光領域毎のパターンデータに分割し、最小偏向量を配列間隔として、配列要素ＦＭＥで構成される共通の配列を設定し、各要素電子光学系毎にパターンデータを共通の配列上で表したデータに変換する。それに基づいて露光制御データを作成する。以下、説明を簡略にするために、２つの要素電子光学系ａ，ｂを用いて露光する際の、パターンデータから露光制御データを作成する処理について詳細に説明する。

図７（Ａ）にウエハ上５に露光するべき連続した一つのパターンＰ０を示す。パターンＰ０に対して、要素電子光学系ａ，ｂの矩形状の露光領域ＥＳａ，ＥＳｂを、露光領域ＥＳａ，ＥＳｂの境界が接するように設定する。そして最小偏向量を配列間隔として、配列要素ＦＭＥで構成される共通の配列を設定し、各要素電子光学系毎にパターンデータを共通の配列上で表したデータに変換する。

次に、図７（Ｂ）に示すように、要素電子光学系ａ，ｂのうち少なくとも一つがパターンを露光する時の配列位置から成る領域ＰＰ（ハッチング部）を決定する。

ここで、複数の電子ビームが配列上の領域ＰＰに位置する時に、電子ビームの位置を整定して露光することにより、ウエハ上に露光すべき全てのパターンが露光できる。また、複数の電子ビームが配列上の領域ＰＰ以外の位置する時は、電子ビームの位置を整定せずに偏向することにより、電子ビームの無駄な偏向を減らして露光できる。

そこで、図７（Ｂ）に示す領域ＰＰに関するデータから、電子ビームを整定するべき配列位置を決定し、整定すべき配列位置（領域ＰＰに属する配列位置）のみに電子ビームの位置を整定する偏向制御データを作成する。

また、パターンを露光する為には、複数の電子ビームそれぞれの整定される配列位置に基づいて、ブランキング電極を制御して各要素電子光学系からの電子ビームの照射を行う必要がある。図７（Ａ）は、それぞれの要素電子光学系からの電子ビームの配列位置に対応した電子ビームの照射を示すものでもあるから、図７（Ａ）を示すデータから、要素電子光学系毎の配列位置に対応した電子ビームの照射量を制御するブランキング制御データを作成する。

以上の偏向制御データ、及び要素電子光学系毎のブランキング制御データより、管理用ＣＰＵ１１０は、図８に示すような、少なくとも一つの電子ビームが露光する配列位置、その配列位置での各要素電子光学系のブランキング電極の動作時間（電子ビームの照射量を決定する）を要素とする露光制御データを作成する。そして、その露光制御データを大容量メモリ１２０に記憶している。

各電子ビーム露光装置１００ａ，１００ｂ，１００ｃ，１００ｄは、露光されるためのウエハが搬送されてくると、ウエハもしくはウエハカセットに記されたバーコードをウエハ認識検出系２６によって検出する。バーコードには、そのウエハに露光するパターンに関する情報が入っている。制御系２２は、検出されたパターン情報と、メモリ２３に記憶されている複数の露光制御データに対応するパターンのパターン情報とを比較する。一致するパターン情報がない時は、検出されたパターン情報を管理用ＣＰＵ１１０に送信する。

管理用ＣＰＵ１１０は、パターン情報が送信されてくると、パターン情報に対応したパターンを露光するための露光制御データが大容量メモリ１２０に記憶されてるか検索し、記憶されている場合は、その露光制御データをパターン情報を送信した電子ビーム露光装置に送信する。また、記憶されていない場合は、アラーム信号を発してオペレータに認識させる。

制御系２２は、管理用ＣＰＵ１１０から送信された露光制御データをメモリ２３に記憶させる。その時、メモリ２３に記憶されている複数の露光制御データのうち使用頻度の低い露光制御データは削除される。

各電子ビーム露光装置１００ａ，１００ｂ，１００ｃ，１００ｄにおいては、露光されるウエハが準備されると、制御系２２は、メモリ２３に記憶されている複数の露光制御データから、ウエハ認識検出系により予め検出されたパターン情報に対応した露光制御データを選択する。そして選択された露光制御データに基づいて下記のステップを実行する。

（ステップ１）
制御系２２は、偏向制御回路１７に命じ、偏向器６の副偏向器によって、要素電子光学系アレイからの複数の電子ビーム偏向させるとともに、ブランキング制御回路１４に命じ各要素電子光学系のブランキング電極をウエハ５に露光すべきパターンに応じてｏｎ／ｏｆｆさせる。この時ＸＹステージ１２はＸ方向に連続移動しており、偏向制御回路１７は、ＸＹステージ１２の移動量も含めて電子ビームの偏向位置を制御している。

その結果、一つの要素電子光学系からの電子ビームは、選択された露光制御データに応じて、図９に示すようにウエハ５上の露光フィールド（ＥＦ）内で、位置を整定され、その照射が行われる。また、図１０に示すように、サブアレイ内の複数の要素電子光学系の露光フィールド（ＥＦ）は、隣接するように設定されていて、その結果、ウエハ５上において、複数の露光領域（ＥＦ）で構成されるサブアレイ露光フィールド（ＳＥＦ）が露光される。同時に、ウエハ５上において、図１１に示すようなサブアレイＡからＧのそれぞれが形成するサブアレイ露光フィールド（ＳＥＦ）で構成されるサブフィールドが露光される。

（ステップ２）
制御系２２は、図１２に示すサブフィールド（１）を露光後、サブフィールド（２）を露光する為に、偏向制御回路１７に命じ、偏向器６の主偏向器によって、要素電子光学系アレイからの複数の電子ビーム偏向させる。この時、制御系２２は、焦点・非点制御回路２に命じ、予め求めた動的焦点補正データに基づいてダイナミックフォーカスコイル７を制御して縮小電子光学系４の焦点位置を補正するとともに、予め求めた動的非点補正データに基づいてダイナミックスティグコイル８を制御して、縮小電子光学系の非点収差を補正する。そして、ステップ１の動作を行い、サブフィールド（２）を露光する。

以上のステップ１、２を繰り返して、図１２示すようにサブフィールド（３）（４）というようにサブフィールドを順次露光してウエハ全面を露光する。

次に上記説明した電子ビーム露光システムを利用したデバイスの生産方法の実施例を説明する。

図１３は微小デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等）の製造のフローを示す。ステップ１（回路設計）では半導体デバイスの回路設計を行なう。ステップ２（露光制御データ作成）では設計した回路パターンに基づいて露光装置の露光制御データを作成する。一方、ステップ３（ウエハ製造）ではシリコン等の材料を用いてウエハを製造する。ステップ４（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、上記用意した露光制御データが入力された露光装置とウエハを用いて、リソグラフィ技術によってウエハ上に実際の回路を形成する。次のステップ５（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステップ４によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封入）等の工程を含む。ステップ６（検査）ではステップ５で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行なう。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、これが出荷（ステップ７）される。

図１４は上記ウエハプロセスの詳細なフローを示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶縁膜を形成する。ステップ１３（電極形成）ではウエハ上に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオン打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１５（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ステップ１６（露光）では上記説明した露光装置によって回路パターンをウエハに焼付露光する。ステップ１７（現像）では露光したウエハを現像する。ステップ１８（エッチング）では現像したレジスト像以外の部分を削り取る。ステップ１９（レジスト剥離）ではエッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。これらのステップを繰り返し行なうことによって、ウエハ上に多重に回路パターンが形成される。

本実施例の製造方法を用いれば、従来は製造が難しかった高集積度の半導体デバイスを低コストに製造することができる。

本発明に係る電子ビーム露光装置の要部概略を示す図。 要素電子光学系アレイ３について説明する図。 要素電子光学系を説明する図。 要素電子光学系の電極を説明する図。 本発明に係るシステム構成を説明する図。 電子ビーム露光システムを説明する図。 各要素電子光学系の露光領域で露光されるパターンを説明する図。 露光制御データを説明する図。 要素電子光学系の露光領域（ＥＦ）を説明する図。 サブアレイ露光フィールド（ＳＥＦ）を説明する図。 サブフィールドを説明する図。 ウエハ全面露光を説明する図。 微小デバイスの製造フローを説明する図。 ウエハプロセスを説明する図。

符号の説明

１ 電子銃
２ ンデンサーレンズ
３ 要素電子光学系アレイ
４ 縮小電子光学系
５ ウエハ
６ 偏向器
７ ダイナミックフォーカスコイル
８ ダイナミックスティグコイル
９ 反射電子検出器
１０ ファラデーカップ
１１ θ−Ｚステージ
１２ ＸＹステージ
１３ ステージ基準板
１４ ブランキング制御回路
１５ 焦点・非点制御回路１
１６ 焦点・非点制御回路２
１７ 偏向制御回路
１８ 倍率調整回路
１９ 光学特性回路
２０ ステージ駆動制御回路
２１ レーザ干渉計
２２ 制御系
２３ メモリ
２４ インターフェース
２５ ＣＰＵ
２６ ウエハ認識検出系
１００ 電子ビーム露光装置
１１０ 管理用ＣＰＵ
１２０ 大容量メモリ

Claims (10)

1. 露光されるパターンに対応した制御データに基づいて電子ビームを偏向し、被露光物体上に前記パターンを露光する電子ビーム露光装置において、互いに異なるパターンに対応した複数の前記制御データを記憶するメモリと、前記露光されるパターンに関するパターン情報を検出する検出系と、前記メモリから検出された前記パターン情報に対応した前記制御データを選択し、選択された前記制御データに基づいて前記被露光物体を露光する制御系と、を有することを特徴とする電子ビーム露光装置。
2. 前記制御系は、前記メモリ内に検出された前記パターン情報に対応した前記制御データが記憶されていない時、記憶されていない前記制御データの要求を行うことを特徴とする請求項１に記載の電子ビーム露光装置。
3. 前記制御系は、前記メモリ内に記憶された前記複数の制御データのうち使用頻度の低いものを消去することを特徴とする請求項１または２に記載の電子ビーム露光装置。
4. 前記制御データは、前記電子ビームの偏向位置を制御するデータと、前記電子ビームの偏向位置での照射時間を制御するデータと、を有することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１つに記載の電子ビーム露光装置。
5. 請求項１〜４のいずれか１つに記載の電子ビーム露光装置を用いてデバイスを製造することを特徴とするデバイス製造方法。
6. 複数の電子ビーム露光装置で用いられる制御データを管理する管理装置において、互いに異なるパターン情報に対応する複数の前記制御データを記憶する記憶手段と、前記記憶手段から、前記電子ビーム露光装置から送信された前記パターン情報に対応する前記制御データを選択し、選択された前記制御データを、前記パターン情報を送信した前記電子ビーム露光装置へ送信する制御手段と、を有することを特徴とする管理装置。
7. 前記制御手段は、送信された前記パターン情報に対応する前記制御データが前記記憶手段に記憶されていない時、アラームを発することを特徴とする請求項６に記載の管理装置。
8. 前記制御手段は、送信された前記パターン情報に基づいて前記パターン情報に対応する制御データを生成することを特徴とする請求項６または７に記載の管理装置。
9. 前記制御データは、前記電子ビーム露光装置で電子ビームを偏向し、被露光物体上にパターンを露光する際に、電子ビームの偏向位置を制御するデータと、前記電子ビームの偏向位置での照射時間を制御するデータと、を有することを特徴とする請求項６〜８のいずれか１つに記載の管理装置。
10. 請求項６〜９のいずれか１つに記載の電子ビーム露光装置を用いてデバイスを製造することを特徴とするデバイス製造方法。

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