KR101831027B1 - 다수의 컬럼을 이용하는 전자 빔 리소그래피 공정 - Google Patents

다수의 컬럼을 이용하는 전자 빔 리소그래피 공정 Download PDF

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Abstract

본 발명개시는 전자 빔(e-beam) 리소그래피 공정 방법을 제공한다. 방법은 기판 상에 정의된 제 1 서브세트의 필드들이 제 1 방향을 따라 기판 상에 배열되도록 전자 빔(e-beam) 시스템에 기판을 로딩하는 단계를 포함한다. 방법은 또한 제 1 방향을 따라 배열된 제 1 서브세트의 전자 빔 컬럼들을 갖는 복수의 전자 빔 컬럼들을 배치시키는 단계를 포함한다. 제 1 서브세트의 전자 빔 컬럼들 중에 있는 전자 빔 컬럼들은 제 1 서브세트의 필드들 중 상이한 필드들로 향한다. 방법은 또한 복수의 전자 빔 컬럼들이 제 1 방향을 따라 기판을 스캐닝하도록 스캔 모드로 제 1 노광 공정을 수행하는 단계를 포함한다.

Description

다수의 컬럼을 이용하는 전자 빔 리소그래피 공정{ELECTRON-BEAM LITHOGRAPHY PROCESS WITH MULTIPLE COLUMNS}
본 출원은 2015년 3월 27일자에 출원된 미국 가특허 출원 제62/139,316호의 우선권을 주장하며, 이것의 전체 개시 내용은 참조로써 본 명세서에 포함된다.
반도제 집적 회로(IC) 제조는 반도체 웨이퍼 상에 설계된 패턴을 갖는 다수의 물질층들을 형성하는 것을 포함한다. 반도체 웨이퍼 상의 이러한 패턴화된 물질층들은 하나 이상의 기능 회로들을 형성하기 위해 정렬 및 구성된다. 포토리소그래피 시스템이 반도체 웨이퍼를 패턴화하는데 이용된다. 반도체 기술이 더욱 작은 피처 크기를 갖는 회로 레이아웃으로 계속 진행하는 경우, 높은 해상도를 갖는 리소그래피 시스템이 더욱 작은 피처 크기를 갖는 IC 패턴을 이미지화하는데 필요하다. 전자 빔(e-beam)이 매우 높은 해상도를 야기하는, 매우 짧게 조정될 수 있는 파장을 갖기 때문에, 전자 빔 시스템이 리소그래피 패턴화 공정에 도입된다. 리소그래피 공정의 기존 방법은 일반적으로 자신의 의도된 목적에는 적절하지만, 모든 면에서 완전히 만족스러운 것은 아니다. 예를 들어, 전자 빔 기록 시간을 절감하고 처리량을 증가시키기 위한 도전 과제가 발생한다. 이 분야에서의 개선이 요구된다.
본 발명의 목적은 다수의 컬럼을 이용하는 전자 빔 리소그래피 공정을 제공하는 것이다.
본 발명개시는 리소그래피 공정을 위한 방법을 제공한다. 방법은 기판 상에 정의된 제 1 서브세트의 필드들이 제 1 방향을 따라 기판 상에 배열되도록 전자 빔(e-beam) 시스템에 기판을 로딩하는 단계를 포함한다. 방법은 또한 제 1 방향을 따라 배열된 제 1 서브세트의 전자 빔 컬럼들을 갖는 복수의 전자 빔 컬럼들을 배치시키는 단계를 포함한다. 제 1 서브세트의 전자 빔 컬럼들 중에 있는 전자 빔 컬럼들은 제 1 서브세트의 필드들 중 상이한 필드들로 향한다. 방법은 또한 복수의 전자 빔 컬럼들이 제 1 방향을 따라 기판을 스캐닝하도록 스캔 모드로 제 1 노광 공정을 수행하는 단계를 포함한다.
다른 실시예에서, 방법은 기판 상에 정의된 제 1 서브세트의 필드들이 제 1 방향을 따라 기판 상에 배열되도록 전자 빔(e-beam) 시스템에 기판을 로딩하는 단계를 포함한다. 방법은 또한 제 1 서브세트의 전자 빔 컬럼들로부터의 전자 빔들이 제 1 서브세트의 필드들 중 상이한 필드들로 향하도록 제 1 방향을 따라 배열된 제 1 서브세트의 전자 빔 컬럼들을 갖는 전자 빔 모듈을 배치시키는 단계를 포함한다. 방법은 또한 복수의 전자 빔 컬럼들이 대응 필드들의 유사한 위치들에서 노광시키기 위해 턴온되고 제 1 방향을 따라 기판을 스캐닝하도록 스캔 모드로 제 1 노광 공정을 수행하는 단계를 포함한다.
또 다른 실시예에서, 방법은 기판 상에 정의된 제 1 서브세트의 필드들이 제 1 방향을 따라 기판 상에 배열되도록 전자 빔(e-beam) 시스템에 기판을 로딩하는 단계를 포함한다. 방법은 또한 제 1 방향을 따라 제 1 서브세트의 필드들에 배열된 제 1 전자 빔 컬럼 및 제 2 전자 빔 컬럼을 갖는 전자 빔 시스템을 배치시키는 단계를 포함한다. 제 1 전자 빔 컬럼은 기판의 단부에 있는 필드로 향하고, 제 2 전자 빔 컬럼은 기판의 중간 지점에 있는 필드로 향한다. 방법은 또한 제 1 전자 빔 컬럼 및 제 2 전자 빔 컬럼이 개개의 제 1 시작점에서부터 개개의 제 1 종료점까지 제 1 방향을 따라 각각 기판을 스캐닝하도록 스캔 모드로 제 1 노광 공정을 수행하는 단계를 포함한다.
본 발명에 따르면, 다수의 컬럼을 이용하는 전자 빔 리소그래피 공정을 제공하는 것이 가능하다.
본 발명개시는 첨부 도면들과 함께 아래의 상세한 설명을 읽음으로써 가장 잘 이해된다. 본 산업계에서의 표준적인 실시에 따라, 다양한 피처들은 실척도로 도시되지 않았음을 강조한다. 사실, 다양한 피처들의 치수는 설명의 명료함을 위해 임의적으로 증가되거나 또는 감소될 수 있다. 더욱이, 모든 피처들은 간략함을 위해 모든 도면들에 도시되지 않을 수 있다.
도 1은 본 발명개시의 양태에 따라 구성된 집적 회로(IC) 패턴화를 위한 전자 빔(e-beam) 리소그래피 시스템의 일 실시예의 개략도이다.
도 2는 일부 실시예들에 따라 리소그래피 공정을 위한 일례의 방법의 흐름도이다.
도 3은 일부 실시예들에 따라 리소그래피 공정의 개략도이다.
도 4, 도 5a 내지 도 5d, 도 6a 내지 도 6e, 및 도 7a 내지 도 7e는 일부 실시예들에 따라 리소그래피 공정의 개략적인 평면도이다.
본 발명개시는 일반적으로 리소그래피 시스템 및 이러한 시스템을 이용하는 방법에 관한 것이다. 그러나, 다음의 발명개시는 본 발명의 상이한 피처들을 구현하는 다수의 상이한 실시예들, 또는 예들을 제공한다는 것을 이해할 것이다. 컴포넌트 및 배치의 특정한 예들은 본 발명개시를 단순화하기 위해 이하에 설명된다. 물론, 이러한 설명은 단지 예일 뿐 제한하기 위한 것이 아니다. 게다가, 본 발명개시는 다양한 예들에서 참조 번호 및/또는 문자를 반복할 수 있다. 이러한 반복은 간략함과 명료함을 위한 것으로, 그 자체가 논의된 다양한 실시예들 및/또는 구성들 사이의 관계를 지시하지 않는다. 더욱이, 이어지는 설명에서 제 2 피처 위에 또는 제 2 피처 상에 제 1 피처의 형성은, 제 1 피처 및 제 2 피처가 직접 접촉하여 형성되는 실시예들을 포함할 수 있고, 제 1 피처 및 제 2 피처가 직접 접촉하지 않도록 제 1 피처와 제 2 피처 사이에 부가적인 피처들이 형성되는 실시예들을 또한 포함할 수 있다.
도 1은 본 발명개시의 일부 실시예들에 따라 구성된 전자 빔(또는 e-beam) 컬럼(100)의 개략도를 나타낸다. 전자 빔 컬럼(100)은 다양한 집적 회로(IC) 패턴화를 위해 전자 기반 이미징을 이용하는 전자 기반 리소그래피 기술이다. 전자 빔 컬럼(100)은 반도체 웨이퍼와 같은 기판 상에 코팅된 전자 빔 민감성 레지스트(e-beam-resist 또는 레지스트) 층에 IC 설계 패턴을 전달한다. 전자 빔이 짧은 파장을 갖도록 동력이 공급될 수 있기 때문에, 전자 빔 컬럼(100)은 광학 리소그래피의 것보다 높은 이미징 해상도를 제공한다.
전자 빔 컬럼(100)은 전자 빔(102)을 제공하기 위해 전자 소스(101)를 포함한다. 이 실시예를 촉진하기 위해, 전자 소스(101)는 예컨대 열 전자 방사에 의해 전자를 발생시키기 위한 메커니즘을 갖는 전자 총이다. 특정 예에서, 전자 총은 전자를 열 방출하기 위해 설계되고 바이어스된 텅스텐(또는 다른 적합한 물질) 필라멘트를 포함한다. 일부 실시예들에서, 전자 소스(101)로부터의 전자 빔(102)은 시간에 걸쳐 일정한 빔 강도를 갖는 연속 전자 빔이다.
전자 빔 컬럼(100)은 전자 빔(102)을 제어하기 위해 전자 빔 소스(101)의 전면에 구성된 전자 빔 렌즈(총 렌즈)(103)를 더 포함할 수 있다. 전자 빔 렌즈(103)는 적절한 방향 및/또는 빔 크기를 갖도록 전자 빔(102)을 제어한다. 일 실시예에서, 전자 빔 렌즈(103)는 균일한 공간 분포와 큰 스폿을 갖도록 전자 소스(101)로부터의 전자 빔(102)을 조정할 수 있다. 다른 실시예에서, 전자 빔(102)은 다른 전자 렌즈에 의해 적절한 빔 스폿 및 균일성을 갖도록 더욱 처리될 수 있다.
전자 빔 컬럼(100)은 시간에 걸쳐 주기적으로 변화하는 빔 강도와 같은, 강도 면에서, 전자 빔(102)을 조절하도록 설계된 정렬 게이트(104)를 더 포함한다. 정렬 게이트(104)는 교번하는 전자 빔을 형성하기 위해 전자 빔(102)을 조절하기 위한 적절한 메커니즘을 포함한다. 일 실시예에서, 정렬 게이트(104)는 전기장을 통해 전자 빔(102)을 조절하기 위한 메커니즘을 포함한다. 다른 실시예에서, 정렬 게이트(104)는 전자 빔(102)에 대한 동적 제어 가능 전송을 갖는 물질층을 통해 전자 빔(102)을 조절하기 위한 메커니즘을 포함한다. 다른 실시예에서, 정렬 게이트(104)는 시간에 걸쳐 전자 빔(102)의 강도를 효과적이고 동적으로 제어하기 위한 임의의 적합한 메커니즘을 포함한다. 전자 빔 컬럼(100)은 나중에 기술될, 디지털 패턴 발생기(digital pattern generator; DPG)와 정렬 게이트(104)를 동기화하는 다른 컴포넌트들을 더 포함한다.
전자 빔 컬럼(100)은 래스터 모드(raster mode)와 같은, 특정 모드로 기판의 특정 영역을 스캔 및 노광시키기 위해 전자 빔을 편향시키기 위한 디플렉터(106)를 포함할 수 있다.
전자 빔 컬럼(100)은 또한 패턴화된 전자 빔 어레이(109)를 발생시키기 위한 DPG(108)를 포함할 수 있다. DPG(108)는 어레이로 구성된 복수의 픽셀들을 포함하는 구조물이다. DPG(108)는 또한 온(on) 상태와 오프(off) 상태 사이에서 토글시키기 위해 개별 픽셀을 인에이블하는 메커니즘을 포함한다. 픽셀이 온 상태인 경우, 픽셀은 그 픽셀 상에 투영된 전자 빔(102)[또는 전자 빔(102)의 일부]를 반사한다. 픽셀이 오프 상태인 경우, 픽셀은 그 픽셀 상에 투영된 전자 빔(102)[또는 전자 빔(102)의 일부]를 반사하지 않는다. 일 실시예에서, DPG(108)는 빌트인 구동 회로에 의해 제어 가능한 픽셀 어레이를 갖는 집적 회로(IC) 기반 칩을 포함한다. 실시예를 촉진하기 위해, DPG(108)는 상보성 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터(complimentary metal-oxide-semiconductor filed effect transistor; CMOSFET), 또는 핀 전계 효과 트랜지스터(fin-type filed effect transistor; FinFET)와 같은 기술을 갖는 IC 칩을 포함할 수 있다.
전자 빔 컬럼(100)은 또한 DPG 렌즈(110), 및 적절한 이미징 효과를 위해 적절히 구성된 상부 반배율 렌즈(112) 및 하부 반배율 렌즈(114)와 같은, 다른 렌즈 피처들을 포함할 수 있다.
전자 빔 컬럼(100)은 또한 웨이퍼(130)를 고정시키기 위한 웨이퍼 스테이지(120)를 포함한다. 본 실시예에서, 웨이퍼(130)는 전자 빔 리소그래피 시스템(100)에 의해 리소그래피 공정에서 패턴화될 레지스트층으로 코팅된다. 레지스트층은 전자에 민감한 레지스트 물질(그래서 전자 빔 레지스트로서 언급됨)을 포함한다. 레지스트 물질은 에칭 및/또는 이온 주입과 같은, IC 제조 공정에 저항하는 컴포넌트를 포함한다. 레지스트 물질은 전자에 민감한 컴포넌트를 더 포함한다. 레지스트 물질은 네거티브 톤 또는 포지티브 톤일 수 있다. 일례에서, 레지스트 물질은 폴리메틸 메타크릴레이트(polymethyl methacrylate; PMMA)를 포함한다.
일 실시예에서, 전자 빔이 웨이퍼(130) 상의 레지스트층의 다양한 위치로 향하도록 웨이퍼 스테이지(120)는 이동 가능하다. 일례에서, 웨이퍼 스테이지(120) 및 디플렉터(106)는 웨이퍼(130)에 관하여 전자 빔(들)을 대등하게 이동시키도록 설계된다. 특히, 본 실시예에서, 웨이퍼(130)는 패턴화될 복수의 영역(필드)(132)를 포함한다. 각각의 필드(132)는 같은 IC 패턴으로 패턴화될 것이고, 각각의 필드(132)는 동일한 치수, 영역 및 모양을 갖는다.
전자 빔 컬럼(100)은 또한 전기 신호 발생기(140), 및 전자 빔 컬럼(100)의 다양한 컴포넌트들과 통합 및 결합되는 IC 설계 데이터베이스(150)를 포함한다. 패턴화된 전자 빔 어레이(109)는 IC 설계 데이터베이스(150)에 따라, 전기 신호 발생기(140)에 의해 전송된 전기 신호(데이터)에 의해 온/오프 스위칭될 수 있다. IC 설계 데이터베이스(150)는 IC 설계 레이아웃을 포함한다. 일부 실시예들에서, IC 설계 레이아웃은 하나 이상의 IC 설계 피처들 또는 패턴들을 포함한다. IC 설계는 스태틱 랜덤 액세스 메모리(static random access memory; SRAM) 및/또는 다른 로직 회로, 수동 회로 부품(저항, 커패시터, 및 인덕터), 및 능동 회로 부품[P 채널 전계 효과 트랜지스터(PFET), N 채널 전계 효과 트랜지스터(NFET), 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET), 상보성 금속 산화물 반도체(CMOS) 트랜지스터, 바이폴라 트랜지스터, 고전압 트랜지스터, 고주파 트랜지스터, 다른 메모리 셀, 및 이들의 조합]과 같은 디바이스를 정의할 수 있다. IC 설계 레이아웃은 기하학적 패턴의 정보를 갖는 하나 이상의 데이터 파일로 나타난다. 일부 예들에서, IC 설계 레이아웃은 그래픽 데이터베이스 시스템(graphic database system; GDS) 포맷으로 표현될 수 있다.
데이터는, 컴퓨터 파일로서, 예를 들어, GDS(graphic database system) 유형 파일로서, OASIS(open artwork system interchange standard) 유형 파일로서, 및/또는 임의의 적절한 유형 파일로서, 저장 및/또는 전송될 수 있다. GDS 또는 OASIS 파일은 IC 레이아웃 아트워크의 데이터 교환을 위해 이용되는 데이터베이스 파일이다. 예를 들어, 이러한 파일들은 평면 기하학 모양, 텍스트 라벨뿐만 아니라, IC 레이아웃의 다른 레이아웃 정보를 나타내는 이진 파일 포맷을 가질 수 있다. GDS 또는 OASIS 파일은 각각 다수의 층들을 포함할 수 있다. GDS 또는 OASIS 파일은 IC 레이아웃 아트워크를 재구성하는데 이용될 수 있고, 따라서 전자 빔 컬럼(100)을 포함하는 다양한 제조 툴들 사이에 전달 또는 공유될 수 있다.
전자 빔 컬럼(100)은 다른 컴포넌트 및 모듈을 더 포함할 수 있다. 일례에서, 전자 빔 컬럼(100)은 리소그래피 노광 공정 동안에 정렬 및 오버레이를 체크 및 모니터링하는 모듈을 포함한다.
도 2는 전자 빔 컬럼(100)과 같은 리소그래피 시스템을 이용하여, 웨이퍼(130)와 같은 기판 상의 리소그래피 공정(1000)의 방법(200)을 나타내는 흐름도이다. 부가적인 단계들이 상기 방법(200) 이전에, 방법 동안에, 그리고 방법 이후에 제공될 수 있고, 기술된 단계들의 일부는 상기 방법(200)의 추가적인 실시예들을 위해 교체, 제거, 또는 이동될 수 있다는 것이 이해된다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 방법(200)은 전자 빔(e-beam) 시스템(320)에 레지스트층으로 코팅된 웨이퍼(310)를 로딩함으로써 단계(202)에서 시작한다. 웨이퍼(310)는 도 1을 참조하여 앞서 기술된, 웨이퍼(130)와 실질적으로 유사할 수 있다. 레지스트층은, 예를 들어, 스핀 온 코팅 기술에 의해, 웨이퍼(310) 위에 퇴적된다. 레지스트층은 소프트 베이킹 공정(또한 사전 노광 베이크 공정으로 언급됨)과 같은 베이킹 공정을 받을 수 있다.
웨이퍼(310)는 후속 동작을 위한 필드 매트릭스(314)를 형성하기 위해 복수의 필드들(312)로 분할된다. 일 실시예에서, 필드 매트릭스(314)는 웨이퍼(310)의 지름(D)과 같은 폭(X 축을 따라)을 갖는다. 필드(312)는 도 1을 참조하여 앞서 기술된, 필드(132)와 실질적으로 유사할 수 있다. 필드들(312)은 다수의 로우(row) 및 컬럼(column)으로 정렬한다. 본 예에서, 필드(312)는 직사각형 모양 또는 정사각형 모양으로 있다. 필드(312)의 총수는 계산 효율성과 같은, 하나 이상의 요인에 따라 결정될 수 있다. 총수가 큰 경우, 다음 공정의 동작들은 완료되는데 긴 시간이 걸릴 수 있다. 총수가 작은 경우, 다음 공정의 동작들은 완료하는데 적은 시간이 걸릴 수 있지만, 감소된 최적화 효과를 야기할 수 있다. 따라서, 총수는 엔지니어 경험 및/또는 이전 처리된 데이터[예컨대, 방법(200)의 실행으로부터 수집된 이력 데이터]와 같은, 하나 이상의 요인에 따라 적절히 선택된다.
본 실시예에서, 전자 빔 시스템(320)은 복수의 전자 빔 컬럼(330)을 포함한다. 전자 빔 컬럼(330)은 도 1을 참조하여 앞서 기술된, 전자 빔 컬럼(100)과 실질적으로 유사할 수 있다. 다수의 전자 빔 컬럼들(330)은, 각각의 전자 빔 컬럼(330)이 정확한 초점(332)에 있는 필드(312)(필드에 있는 초점이 아니라 초점에 있는 필드)(명료함을 위해 확대됨)에 영향을 미치도록 정렬된다. 초점(332)은 전자 빔 컬럼(330)을 이동시킴으로써 및/또는 웨이퍼(310)를 이동시킴으로써, 웨이퍼(310)의 표면을 따라 스캐닝된다.
도 2 및 도 3을 또한 참조하면, 방법(200)은 전자 빔 스캔 방향(X 방향)에 수직인 Y 축을 따라 다수의 섹션들로 필드 매트릭스(314)를 분할하고, 각각의 섹션에 전자 빔 컬럼(330)의 서브그룹을 할당함으로써 단계(204)로 진행한다. 본 실시예에서, 필드 매트릭스(314)는 도 3에 도시된 바와 같이 4101, 4102 및 4103과 같은, M개의 색션들(410M)(여기서, M은 정수)을 갖는다. 각각의 섹션(410M)은 N개의 전자 빔 컬럼(330)(여기서, N은 정수)을 갖는다. 전자 빔 컬럼(330MN)은 섹션(4101)에 있는 33011 및 33012와 같은, M번째 섹션에 있는 N번째 전자 빔 컬럼(330)을 나타낸다. 일부 실시예들에서, 필드 매트릭스(314)는 어떠한 필드(312)도 두 개의 인접한 섹션으로 분할되지 않도록 분할된다. 각각의 섹션(410M)에서 전자 빔 컬럼(330)의 총수(N) 및 섹션들(410M)의 총수(M)는 웨이퍼 스테이지 가속/감속의 시간 소비, 공정 복잡성 및 공정 효율성과 같은 하나 이상의 요인에 따라 결정될 수 있다.
도 3에 도시된 바와 같이 일례(여기서, M = 3 및 N = 2)로서, 필드 매트릭스(314)는 4101, 4102 및 4103의 섹션들로 분할되고, 전자 빔 컬럼들(33011 및 33012)이 섹션(4101)에 할당되고, 전자 빔 컬럼들(33021 및 33022)이 섹션(4102)에 할당되며, 전자 빔 컬럼들(33031 및 33032)이 섹션(4103)에 할당된다.
도 2 및 도 4를 참조하면, 방법(200)은 전자 빔 컬럼(330MN)의 전자 빔이 필드 매트릭스(314) 상의 제 1 시작점(SMN)으로 향하도록 제 1 방향(X 방향)을 따라 전자 빔 컬럼(330MN)을 배치시킴으로써 단계(206)로 진행한다. 본 실시예에서, 전자 빔 컬럼(330M1)은 제 1 시작점(SM1)에 배치된다. 전자 빔 컬럼(330MN)(330M1 제외)은 XMN=(N-1)D/N에서, X 방향을 따라, 제 1 시작점(SMN)(SM1 제외)에 배치되고, 여기서 XMN은 X 방향을 따라 전자 빔 컬럼(330MN)의 제 1 시작점의 위치를 나타낸다. 도 4에 도시된 바와 같은 예로서, 필드 매트릭스(314)는 세 개의 섹션으로 분할되고, 각각의 섹션은 두 개의 전자 빔 컬럼을 갖는다. 전자 빔 컬럼(33011)은 제 1 시작점(S11)에 배치되고, 전자 빔 컬럼(33012)은 필드 매트릭스(314)에서 라인(L)으로 표현된 X = D/2를 갖는 제 1 시작점(S12)에 배치되며, 다른 것들도 이런 식이다.
일부 실시예들에서, 제 1 시작점(SMN)은 섹션(410M)의 대응 필드(312)에서 유사한 위치에 있지 않을 수 있고, 대응 필드(312)에서 가장 인접한 유사 위치로부터 떨어진 거리(DMN)(스캔 방향이 될 X 방향의 앞쪽 방향 거리를 따름)를 가지며, 여기서 DMN은 M번째 섹션에서 N번째 전자 빔 컬럼(330)에 대한 거리를 나타낸다. 도 4에 도시된 바와 같은 예로서, 제 1 시작점(SM1)은 필드(312)의 에지에 있지만, 제 1 시작점(SM2)은 라인(L)에 있고, 이는 스캔 방향을 따라 필드(312)의 가장 인접한 에지(라인(P1)으로 표현됨)까지의 거리(DM2)를 갖는다.
방법(200)은 접미사 "A", "B" 및 "C"로 각각 식별되는, 단계(206) 이후의 세 가지 경로를 갖는다. 이러한 세 가지 경로는 아래에 별도로 논의된다. 본 발명개시는 다양한 실시예들에서 참조 번호 및/또는 문자를 반복한다. 이러한 반복은 특별히 명시되지 않는 한, 반복된 참조 번호 및/또는 문자는 다양한 실시예들 사이에서 유사한 피처들을 나타내도록 간략함과 명료함을 위한 것이다.
도 2 및 도 5a를 참조하면, 경로 A의 경우, 방법(200)은 X 방향(도 5a의 화살표로 도시된 바와 같음)을 따라 전자 빔 컬럼(330MN) 각각에 의해 필드 매트릭스(314)에 스캔 모드로 제 1 노광 공정을 동시에 수행함으로써 단계(208A)로 진행한다. 전자 빔(330MN)은 제 1 시작점(SMN)에서부터 제 1 종료점(EMN)으로 스캐닝하고, 여기서 EMN은 전자 빔 컬럼(330MN)에 대한 제 1 종료점을 나타낸다. 본 실시예에서, 제 1 종료점(EMN)은 개개의 제 1 시작점(SM(N+1)) 바로 앞에 있다. 전자 빔 컬럼(330MN)은 래스터 모드, 벡터 모드, 또는 다른 적절한 모드로 스캐닝할 수 있다. 본 실시예에서, 노광 공정은 화살표 방향의 반대 방향을 따라, 전자 빔 컬럼(330MN)에 관하여 웨이퍼(310)를 이동시킴으로써(웨이퍼 스테이지에 의해) 구현된다. 간략함과 명료함을 위해, 도 5a에서 화살표가 가리키는 방향은 전자 빔 컬럼(330MN)과 웨이퍼(310) 사이의 상대적인 이동을 나타내는데 이용된다. 그러므로, 전자 빔 컬럼(330MN) 각각은 대략 D/N인, 동일한 길이를 스캐닝한다.
도 5a에 도시된 바와 같은 예로서, 전자 빔 컬럼(33011)은 제 1 시작점(S11)에서 제 1 시작점(S12) 바로 앞에 있는 제 1 종료점(E11)까지 스캐닝하고; 전자 빔 컬럼(33012)은 제 1 시작점(S12)에서 제 1 종료점(E12)까지 스캐닝하고; 전자 빔 컬럼(33021)은 제 1 시작점(S21)에서 제 1 시작점(S22) 바로 앞에 있는 제 1 종료점(E21)까지 스캐닝하며; 전자 빔 컬럼(33022)은 제 1 시작점(S22)에서 제 1 종료점(E22)까지 스캐닝하며, 다른 것들도 이런 식이다. 그러므로, 33012, 33022, 33021 및 33022의 전자 빔 컬럼은 대략 D/2와 같은, 동일한 길이를 스캐닝한다.
도 2 및 도 5b를 참조하면, 경로 A의 경우, 방법(200)은 제 2 시작점(RMN)이 제 1 종료점(EMN)과 같은 X 값을 갖지만, 다음 스캔 영역[도 5b에서, 음영 영역은 필드 매트릭스(314)에서 스캐닝된 영역을 나타냄] 쪽으로 상이한 Y 값을 갖도록 제 1 종료점(EMN)에서부터 제 2 시작점(RMN)으로 전자 빔 컬럼(330MN)을 이동시키기 위해 제 1 이동을 수행함으로써[웨이퍼(310)를 이동시킴으로써] 단계(210A)로 진행한다. 도 5b에 도시된 바와 같은 예의 경우, 전자 빔(33011)은 제 1 종료점(E11)에서부터 아래로 제 2 시작점(R11)으로 이동하고, 전자 빔(33012)은 제 1 종료점(E12)에서부터 아래로 제 2 시작점(R11)으로 이동하며, 다른 것들도 이런 식이다.
도 2 및 도 5c를 참조하면, 경로 A의 경우, 방법(200)은 개개의 제 2 종료점(TMN)으로 X 방향 뒤쪽(도 5c의 화살표로 도시된 바와 같음)을 따라 전자 빔 컬럼(330MN) 각각에 의해 필드 매트릭스(314)에 스캔 모드로 제 2 노광 공정을 수행함으로써 단계(212A)로 진행하고, 여기서 TMN은 전자 빔 컬럼(330MN)에 대한 제 2 종료점을 나타낸다. 일부 실시예에서, 제 2 종료점(TMN)은 제 1 시작점(SMN)과 같은 X 값을 갖지만, 상이한 Y 값을 갖는다. 전자 빔 컬럼(330MN)은 래스터 모드, 벡터 모드, 또는 다른 적절한 모드로 스캐닝할 수 있다. 본 실시예에서, 제 2 노광 스캐닝은 화살표 방향의 반대 방향을 따라, 전자 빔 컬럼(330MN)에 관하여 웨이퍼(310)를 이동시킴으로써(웨이퍼 스테이지에 의해) 구현된다. 간략함과 명료함을 위해, 화살표가 가리키는 방향은 전자 빔 컬럼(330MN)과 웨이퍼(310) 사이의 상대적인 이동을 나타내는데 이용된다. 그러므로, 각각의 전자 빔 컬럼(330MN)은 대략 D/N과 같은, 노광 스캐닝의 동일한 길이를 스캐닝(노광과 함께)한다.
도 5c에 도시된 바와 같은 예로서, 33011은 제 2 시작점(R11)에서부터 제 2 종료점(T11)까지 스캐닝하고; 33012은 제 2 시작점(R12)에서부터 제 2 종료점(T12)까지 스캐닝(노광과 함께)하고; 33021은 제 2 시작점(R21)에서부터 제 2 종료점(T21)까지 스캐닝(노광과 함께)하며; 33022은 제 2 시작점(R22)에서부터 제 2 종료점(T22)까지 스캐닝(노광과 함께)한다. 각각의 전자 빔 컬럼(330MN)은 대략 D/2과 같은, 노광 스캐닝의 동일한 길이를 스캐닝(노광과 함께)한다.
도 2 및 도 5d를 참조하면, 경로 A의 경우, 방법(200)은 제 3 시작점(UMN)이 개개의 제 2 종료점(TMN)과 같은 X 값을 갖고 그 값은 다음 스캔 영역[도 5d에서, 음영 영역은 필드 매트릭스(314)에서 스캐닝(노광과 함께)된 영역을 나타냄] 쪽으로 Y 방향을 따라 상이한 값을 갖도록 제 2 종료점(TMN)에서부터 제 3 시작점(UMN)으로 전자 빔 컬럼(330MN)을 이동시키기 위해 제 2 이동을 수행함으로써 단계(214A)로 진행한다. 도 5d에 도시된 바와 같은 예의 경우, 전자 빔(33012)은 제 2 종료점(T12)에서부터 아래로 제 3 시작점(U12)으로 이동하고, 전자 빔(33022)은 제 2 종료점(T22)에서부터 아래로 제 3 시작점(U22)으로 이동하며, 다른 것들도 이런 식이다.
경로 A의 경우, 전체 필드 매트릭스(314)가 전자 빔 컬럼(330MN)에 의해 스캔 및 노광될 때까지 단계들(208A 내지 214A)이 여러번 반복될 수 있다.
도 2, 및 도 6a 및 도 6b를 참조하면, 경로 B의 경우, DMN이 0이 아니면, 방법(200)은 전자 빔 컬럼(330MN)에 대한 개별 턴온 타임을 이용하여, X 방향(도 6a의 화살표로 도시된 바와 같음)을 따라 전자 빔 컬럼(330MN) 각각에 의해 필드 매트릭스(314)에 스캔 모드로 제 1 노광 공정을 수행함으로써 단계(208B)로 진행한다. 본 실시예에서, 전자 빔 컬럼(330MN)(N은 1과 같지 않음)은 DMN/v와 같은, 지연 시간(tMN)을 갖고 턴온되고, 여기서 v는 스캔 속도이다. 그러므로, 각각의 전자 빔 컬럼(330MN)은 대응 필드(312)의 유사한 위치에서 턴온되고, 예컨대, 필드(312)의 에지에서 턴온되므로, IC 데이터베이스[도 1을 참조하여 앞서 기술된 IC 데이터베이스(130)]로부터 전송된 동일한 데이터가 동일한 섹션(M)에 있는 전자 빔 컬럼(330MN) 각각에 의해 이용될 수 있고, 이는 데이터 뱅크 크기 및 데이터 처리 시간을 감소시킨다. 도 6a에 도시된 바와 같은 예로서, 33012, 33022 및 33032의 전자 빔 컬럼들(음영진 원으로 표현됨)은 지연 시간 tM2 = (DM2/v)을 갖고 턴온된다.
도 6b를 참조하면, 전자 빔 컬럼(330MN)은 제 1 시작점(SMN)에서부터 제 1 종료점(EMN)까지 스캐닝한다. 본 실시예에서, 전자 빔 컬럼(330MN) 모두가 제 1 시작점(SMN)에서부터 제 1 종료점(EMN)까지 동시에 스캐닝한다. 그러므로, 각각의 전자 빔 컬럼(330MN)은 대략 {(D/N) + DMN}인, 동일한 길이를 스캐닝한다. 예를 들어, 스캔 길이는 33011, 33012, 33021, 33022, 33031 및 33032의 전자 빔 컬럼에 대해 {(D/2) + DM2}와 같다. 이 경우에, 33011, 33021 및 33031의 전자 빔 컬럼은 라인(P1)까지 스캐닝하고, 33021, 33022 및 33032의 전자 빔 컬럼은 라인(P2)까지 스캐닝한다.
도 2 및 도 6c를 참조하면, 경로 B의 경우, 방법(200)은 제 1 종료점(EMN)에서부터 제 2 시작점(RMN)까지 전자 빔 컬럼(330MN)을 이동시키기 위해 제 1 이동을 수행함으로써 단계(210B)로 진행한다. 이동은 도 5b와 관련하여 단계(210A)에서 앞서 논의된 것과 여러 면에서 유사하다.
도 2 및 도 6d를 참조하면, 경로 B의 경우, 방법(200)은 개개의 제 2 종료점(TMN)으로 X 방향(도 6d의 화살표로 도시된 바와 같음)을 따라 전자 빔 컬럼(330MN) 각각에 의해 필드 매트릭스(314)를 뒤로 스캐닝하기 위해 스캔 모드로 제 2 노광 공정을 수행함으로써 단계(212B)로 진행한다. 제 2 스캔은, 전자 빔 컬럼(330MN)이 개별적으로 턴오프 된다는 것을 제외하면, 도 5c와 관련하여 단계(212A)에서 앞서 논의된 것과 여러 면에서 유사하다. 전자 빔(330MN)(330M1 제외)은 그것이 전자 빔 컬럼(330M1)의 제 2 시작점(RM1)에 도달했을 경우 턴오프된다. 도 6d에 도시된 바와 같은 예로서, 전자 빔 컬럼들(33012, 33022 및 33032)은 제 2 시작점들(R11, R21 및 R31)(라인 P1에서)에서 턴오프된다.
도 2 및 도 6e를 참조하면, 경로 B의 경우, 방법(200)은 제 2 종료점(TMN)에서부터 제 3 시작점(UMN)까지 전자 빔 컬럼(330MN)을 이동시키기 위해 제 2 이동을 수행함으로써 단계(214B)로 진행한다. 제 2 이동은 도 5d와 관련하여 단계(214A)에서 앞서 논의된 것과 여러 면에서 유사하다.
경로 B의 경우, 전체 필드 매트릭스(314)가 전자 빔 컬럼(330MN)에 의해 스캔 및 노광될 때까지 단계들(208B 내지 214B)이 여러번 반복될 수 있다.
도 2 및 도 7a를 참조하면, 경로 C의 경우, DMN이 0이 아니면, 방법(200)은 편향 공정을 수행하여, 이에 의해, DMN만큼 필드 매트릭스(314) 상에서 X 방향을 따라 앞쪽으로 전자 빔 컬럼(330MN)의 전자 빔을 개별적으로 시프팅시킴으로써 단계(208C)로 진행하여, 섹션(M)에서의 전자 빔 컬럼(330MN)의 전자 빔은 대응 필드(312)의 유사한 위치로 향하게 된다. 편향 공정은 도 1의 디플렉터(106)와 같은, 디플렉터에 의해 수행될 수 있다. 도 7a에 도시된 바와 같은 예로서, 전자 빔 컬럼들(33012, 33022, 및 33032)의 전자 빔은 라인(L)에서부터 라인(P1)까지, DM2만큼 X 방향을 따라 앞쪽으로 편향된다.
도 2 및 도 7b를 참조하면, 경로 C의 경우, 방법(200)은 제 1 시작점(SMN)에서부터 제 1 종료점(EMN)까지 X 방향(도 7b의 화살표로 도시된 바와 같음)을 따라 전자 빔 컬럼(330MN) 각각에 의해 필드 매트릭스(314)에 스캔 모드로 제 1 노광 공정을 수행함으로써 단계(210C)로 진행한다. 노광 공정은 도 5a와 관련하여 단계(208A)에서 앞서 논의된 것과 여러 면에서 유사하다. 각각의 전자 빔 컬럼(330MN)은 대략 {(D/N) + DMN}인, 동일한 스캔 길이를 스캐닝한다. 예를 들어, 도 7b에 도시된 바와 같이, 스캔 길이는 33011, 33012, 33021, 33022, 33031 및 33032의 전자 빔 컬럼에 대해 {(D/2) + DM2}와 같다. 이 경우에, 33011, 33021 및 33031의 전자 빔 컬럼은 라인(P1)까지 스캐닝하고, 33021, 33022 및 33032의 전자 빔 컬럼은 라인(P3)까지 스캐닝한다. 전자 빔 컬럼(330MN)의 전자 빔을 대응 필드(312)의 유사한 위치에 편향시킴으로써, IC 데이터 베이스[도 1을 참조하여 앞서 기술된 IC 데이터베이스(130)와 같음]로부터 전송된 동일한 데이터가 동일한 섹션(M)에 있는 전자 빔 컬럼(330MN) 각각에 의해 이용될 수 있고, 이는 데이터 뱅크 크기 및 데이터 처리 시간을 감소시킨다.
도 2 및 도 7c를 참조하면, 경로 C의 경우, 방법(200)은 제 1 종료점(EMN)에서부터 제 2 시작점(RMN)까지 전자 빔 컬럼(330MN)을 이동시키기 위해 제 1 이동을 수행함으로써 단계(212C)로 진행한다. 이러한 이동은 도 5b와 관련하여 단계(210A)에서 앞서 논의된 것과 여러 면에서 유사하다.
도 2 및 도 7d를 참조하면, 경로 C의 경우, 방법(200)은 제 2 종료점(TMN)으로 X 방향(도 7d의 화살표로 도시된 바와 같음)을 따라 전자 빔 컬럼(330MN) 각각에 의해 필드 매트릭스(314)에 뒤쪽으로 스캐닝하는 제 2 노광 공정을 동시에 수행함으로써 단계(214C)로 진행한다. 제 2 노광 스캔은 도 5c와 관련하여 단계(212A)에서 앞서 논의된 것과 여러 면에서 유사하다.
도 2 및 도 7e를 참조하면, 경로 C의 경우, 방법(200)은 제 2 종료점(TMN)에서부터 제 3 시작점(UMN)까지 전자 빔 컬럼(330MN)을 이동시키기 위해 제 2 이동을 수행함으로써 단계(216C)로 진행한다. 이러한 제 2 이동은 도 5d와 관련하여 단계(214A)에서 앞서 논의된 것과 여러 면에서 유사하다.
경로 C의 경우, 전체 필드 매트릭스(314)가 전자 빔 컬럼(330MN)에 의해 스캔 및 노광될 때까지 단계들(208C 내지 216C)이 여러번 반복될 수 있다.
부가적인 단계들이 상기 방법(200) 이전에, 방법 동안에, 그리고 방법 이후에 제공될 수 있고, 기술된 단계들의 일부는 상기 방법(200)의 추가적인 실시예들을 위해 반복, 교체, 제거, 또는 이동될 수 있다. 예를 들어, 편향 공정 및 노광 턴온 지연은 배치 및 노광 공정에서 함께 수행될 수 있어, 전자 빔 컬럼(330MN)은 거리(DMN)만큼 필드 매트릭스(314) 상에서 X 방향을 따라 개별적으로 시프트되고, 지연 시간(tMN)으로 턴온된다. 따라서, 각각의 전자 빔 컬럼(330MN)은 대응 필드(312)의 유사한 위치 상에서 턴온된다. 그러므로, 각각의 전자 빔 컬럼(330MN)은 대략 [D/N + DMN + (v × tMN)]인 동일한 스캔 길이를 스캐닝한다.
상기에 기초하여, 본 발명개시는 전자 빔 리소그래피 공정의 방법을 제공한다. 방법은 스캔 방향으로 전자 빔 컬럼을 배치시키는 단계, 및 편향 공정 및 노광 시간 지연 공정을 갖추는 단계를 이용한다. 방법은 스캔 길이 감소, 데이터 뱅크 감소 및 처리량 개선을 입증한다.
따라서, 본 발명개시는 리소그래피 공정을 위한 방법을 제공한다. 방법은 기판 상에 정의된 제 1 서브세트의 필드들이 제 1 방향을 따라 기판 상에 배열되도록 전자 빔(e-beam) 시스템에 기판을 로딩하는 단계를 포함한다. 방법은 또한 제 1 방향을 따라 배열된 제 1 서브세트의 전자 빔 컬럼들을 갖는 복수의 전자 빔 컬럼들을 배치시키는 단계를 포함한다. 제 1 서브세트의 전자 빔 컬럼들 중에 있는 전자 빔 컬럼들은 제 1 서브세트의 필드들 중 상이한 필드들로 향한다. 방법은 또한 복수의 전자 빔 컬럼들이 제 1 방향을 따라 기판을 스캐닝하도록 스캔 모드로 제 1 노광 공정을 수행하는 단계를 포함한다.
다른 실시예에서, 방법은 기판 상에 정의된 제 1 서브세트의 필드들이 제 1 방향을 따라 기판 상에 배열되도록 전자 빔(e-beam) 시스템에 기판을 로딩하는 단계를 포함한다. 방법은 또한 제 1 서브세트의 전자 빔 컬럼들로부터의 전자 빔들이 제 1 서브세트의 필드들 중 상이한 필드들로 향하도록 제 1 방향을 따라 배열된 제 1 서브세트의 전자 빔 컬럼들을 갖는 전자 빔 모듈을 배치시키는 단계를 포함한다. 방법은 또한 복수의 전자 빔 컬럼들이 대응 필드들의 유사한 위치들에서 노광시키기 위해 턴온되고 제 1 방향을 따라 기판을 스캐닝하도록 스캔 모드로 제 1 노광 공정을 수행하는 단계를 포함한다.
또 다른 실시예에서, 방법은 기판 상에 정의된 제 1 서브세트의 필드들이 제 1 방향을 따라 기판 상에 배열되도록 전자 빔(e-beam) 시스템에 기판을 로딩하는 단계를 포함한다. 방법은 또한 제 1 방향을 따라 제 1 서브세트의 필드들에 배열된 제 1 전자 빔 컬럼 및 제 2 전자 빔 컬럼을 갖는 전자 빔 시스템을 배치시키는 단계를 포함한다. 제 1 전자 빔 컬럼은 기판의 단부에 있는 필드로 향하고, 제 2 전자 빔 컬럼은 기판의 중간 지점에 있는 필드로 향한다. 방법은 또한 제 1 전자 빔 컬럼 및 제 2 전자 빔 컬럼이 개개의 제 1 시작점에서부터 개개의 제 1 종료점까지 제 1 방향을 따라 각각 기판을 스캐닝하도록 스캔 모드로 제 1 노광 공정을 수행하는 단계를 포함한다.
당업자가 본 발명개시의 양태들을 더욱 잘 이해할 수 있도록 앞서 말한 것은 여러 실시예들의 특징들을 설명하였다. 당업자는 본 명세서에 도입된 실시예들의 동일한 이점들을 달성 및/또는 동일한 목적을 수행하는 구조 및 다른 공정을 설계 또는 수정하기 위한 기본으로서 본 발명개시를 용이하게 이용할 수 있음을 이해해야 한다. 당업자는 또한, 등가 구조물이 본 발명개시의 사상과 범위로부터 벗어나지 않도록 실현해야 하며, 본 발명개시의 사상과 범위로부터 벗어나지 않고 여기에서 다양한 변경, 대체 및 변화를 행할 수 있다.

Claims (10)

  1. 리소그래피 공정을 수행하는 방법에 있어서,
    기판 상에 정의된 제 1 서브세트의 필드들이 제 1 방향을 따라 상기 기판 상에 배열되도록 전자 빔(e-beam) 시스템에 상기 기판을 로딩하는 단계;
    제 1 서브세트의 전자 빔 컬럼들 중에 있는 전자 빔 컬럼이 상기 제 1 서브세트의 필드들 중 상이한 필드들로 향하도록 상기 제 1 방향을 따라 배열된 상기 제 1 서브세트의 전자 빔 컬럼들을 갖는 복수의 전자 빔 컬럼들을 배치시키는 단계; 및
    상기 복수의 전자 빔 컬럼들이 상기 제 1 방향을 따라 동시에 상기 기판을 스캐닝하도록 스캔 모드로 제 1 노광 공정을 수행하는 단계를 포함하고,
    상기 스캔 모드로 제 1 노광 공정을 수행하는 단계는 상기 복수의 전자 빔 컬럼들이 상기 제 1 서브세트의 필드들의 상이한 필드들 상의 대응하는 위치들에서 턴온되도록 시간 지연을 이용하여 상기 복수의 전자 빔 컬럼들 각각을 턴온시키는 단계를 포함하는 것인, 리소그래피 공정 수행 방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 방향을 따라 배열된 상기 제 1 서브세트의 전자 빔 컬럼들을 갖는 상기 복수의 전자 빔 컬럼들을 배치시키는 단계는, 편향 공정을 수행하여 전자 빔들이 상기 제 1 서브세트의 필드들의 상이한 필드들 상의 대응하는 위치들로 향하도록 상기 기판 상에서 상기 제 1 방향을 따라 상기 제 1 서브세트의 전자 빔 컬럼들의 전자 빔들을 개별적으로 시프트시키는 단계를 더 포함하는 것인, 리소그래피 공정 수행 방법.
  3. 제 2 항에 있어서, 상기 제 1 서브세트의 전자 빔 컬럼들 각각은 동일한 세트의 데이터를 이용하는 것인, 리소그래피 공정 수행 방법.
  4. 삭제
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 서브세트의 전자 빔 컬럼들은 상기 제 1 방향을 따라 동일한 스캔 길이로 스캐닝하고, 상기 스캔 길이는 D/N으로서, D는 상기 기판의 전체 폭이고, N은 상기 제 1 서브세트의 전자 빔 컬럼들 내의 전자 빔 컬럼들의 총수인 것인, 리소그래피 공정 수행 방법.
  6. 제 1 항에 있어서,
    각각의 전자 빔 컬럼이 제 1 시작점에서부터 제 1 종료점까지 스캐닝한 이후에, 상기 제 1 종료점에서부터 제 2 시작점으로 제 2 방향을 따라 상기 제 1 서브세트의 전자 빔 컬럼들을 이동시키는 단계로서, 상기 제 2 방향은 상기 제 1 방향에 수직이고, 상기 제 2 시작점은 상기 제 2 방향을 따라 상기 제 1 종료점에 정렬하는 것인, 상기 제 1 서브세트의 전자 빔 컬럼 이동 단계; 및
    상기 복수의 전자 빔 컬럼들이 상기 제 2 시작점에서부터 제 2 종료점까지 상기 제 1 방향의 반대 방향을 따라 상기 기판을 스캐닝하도록 스캔 모드로 제 2 노광 공정을 수행하는 단계로서, 상기 제 2 종료점은 상기 제 2 방향을 따라 상기 제 1 시작점에 정렬하는 것인, 제 2 노광 공정을 수행하는 단계
    를 더 포함하는 리소그래피 공정 수행 방법.
  7. 리소그래피 공정을 수행하는 방법에 있어서,
    기판 상에 정의된 제 1 서브세트의 필드들이 제 1 방향을 따라 상기 기판 상에 배열되도록 전자 빔(e-beam) 시스템에 상기 기판을 로딩하는 단계;
    제 1 서브세트의 전자 빔 컬럼들로부터의 전자 빔들이 상기 제 1 서브세트의 필드들 중 상이한 필드들로 향하도록 상기 제 1 방향을 따라 배열된 상기 제 1 서브세트의 전자 빔 컬럼들을 갖는 전자 빔 모듈을 배치시키는 단계; 및
    복수의 전자 빔 컬럼들이 상기 제 1 서브세트의 필드들의 상이한 필드들 상의 대응하는 위치들에서 노광시키기 위해 턴온되고 상기 제 1 방향을 따라 동시에 상기 기판을 스캐닝하도록 스캔 모드로 제 1 노광 공정을 수행하는 단계를 포함하고,
    상기 스캔 모드로 제 1 노광 공정을 수행하는 단계는 시간 지연을 이용하여 상기 복수의 전자 빔 컬럼들 각각을 턴온시키는 단계를 포함하는 것인, 리소그래피 공정 수행 방법.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 제 1 노광 공정을 수행하는 단계 전에, 편향 공정을 수행하여 전자 빔들이 상기 제 1 서브세트의 필드들의 상이한 필드들 상의 대응하는 위치들로 향하도록 상기 기판 상에서 개개의 거리(d)로 상기 제 1 방향을 따라 상기 제 1 서브세트의 전자 빔 컬럼들로부터의 전자 빔들을 개별적으로 시프트시키는 단계를 포함하는 것인, 리소그래피 공정 수행 방법.
  9. 제 7 항에 있어서,
    각각의 전자 빔 컬럼이 제 1 시작점에서부터 제 1 종료점까지 스캐닝한 이후에, 상기 제 1 종료점에서부터 제 2 시작점으로 제 2 방향을 따라 상기 제 1 서브세트의 전자 빔 컬럼들을 이동시키는 단계로서, 상기 제 2 방향은 상기 제 1 방향에 수직이고, 상기 제 2 시작점은 상기 제 2 방향을 따라 상기 제 1 종료점에 정렬하는 것인, 상기 제 1 서브세트의 전자 빔 컬럼 이동 단계; 및
    상기 복수의 전자 빔 컬럼들이 상기 제 2 시작점에서부터 제 2 종료점까지 상기 제 1 방향의 반대 방향을 따라 상기 기판을 스캐닝하도록 스캔 모드로 제 2 노광 공정을 수행하는 단계로서, 상기 제 2 종료점은 상기 제 2 방향을 따라 상기 제 1 시작점에 정렬하는 것인, 제 2 노광 공정을 수행하는 단계
    를 더 포함하는 리소그래피 공정 수행 방법.
  10. 리소그래피 공정을 수행하는 방법에 있어서,
    기판 상에 정의된 제 1 서브세트의 필드들이 제 1 방향을 따라 상기 기판 상에 배열되도록 전자 빔(e-beam) 시스템에 상기 기판을 로딩하는 단계;
    제 1 전자 빔 컬럼이 상기 기판의 단부에 있는 필드로 향하고, 제 2 전자 빔 컬럼이 상기 기판의 중간 지점에 있는 필드로 향하도록 상기 제 1 방향을 따라 상기 제 1 서브세트의 필드들에 배열된 상기 제 1 전자 빔 컬럼 및 상기 제 2 전자 빔 컬럼을 갖는 전자 빔 시스템을 배치시키는 단계; 및
    상기 제 1 전자 빔 컬럼 및 상기 제 2 전자 빔 컬럼이 개개의 제 1 시작점에서부터 개개의 제 1 종료점까지 상기 제 1 방향을 따라 동시에 각각 상기 기판을 스캐닝하도록 스캔 모드로 제 1 노광 공정을 수행하는 단계를 포함하고,
    상기 스캔 모드로 제 1 노광 공정을 수행하는 단계는 상기 제 1 전자 빔 컬럼 및 상기 제 2 전자 빔 컬럼이 각각 상기 기판의 단부에 있는 필드 및 상기 기판의 중간 지점에 있는 필드 상의 대응하는 위치들에서 턴온되도록 상기 제 1 전자 빔 컬럼에 대한 시간 지연을 이용하여 상기 제 2 전자 빔 컬럼을 턴온시키는 단계를 포함하는 것인, 리소그래피 공정 수행 방법.
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