JP6900284B2 - 描画装置および描画方法 - Google Patents

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Description

本発明は、描画装置および描画方法に関する。
従来、マスクを用いることなく、基板上の感光材料にパターンを描画する描画装置が実用化されている。描画装置では、CAD/CAMを用いて作成した設計データから、描画データ生成用のコンピュータにおいて描画データが生成され、当該描画データが装置本体に転送されて当該描画データに基づくパターンの描画が行われる。また、処理対象の基板のアライメントマークを撮像して基板の変形を取得し、基板の変形に合わせてパターンを補正しつつ描画データを生成することも行われる。
描画装置の一例では、ステージを描画ヘッドに対して移動方向に連続的に移動することにより、移動方向に延びる基板上の帯領域(ストライプとも呼ばれる。)に対してパターンの描画が行われる。このような描画装置では、例えば、ステージの移動方向への連続移動と、移動方向に垂直な幅方向へのステージの間欠移動とを繰り返すことにより、幅方向に並ぶ複数の帯領域に対してパターンの描画が順次行われる。
なお、特許文献1では、印刷データ処理装置が開示されており、当該装置では、RIP処理後の1シート当たりの予想データサイズと、RIP処理後のデータを記憶させるRAMの容量とに基づいて、処理の実行単位であるタスクのサイズ(1タスク当たりのシート数)が算出される。これにより、出力機に転送されるデータが欠落して印刷が停止することが防止される。
特開2015−130029号公報
ところで、複数の帯領域が基板上に設定される描画装置において、基板の変形に合わせてパターンを補正しつつ描画データを生成する場合、基板のアライメントマークを撮像し、さらに、撮像画像に基づいて一の帯領域の全体に対する描画データを生成して装置本体に転送した後に、描画ヘッドによる当該帯領域に対するパターンの描画が開始される。換言すると、帯領域の全体に対する描画データの生成および転送に要する時間が、描画データの生成開始(撮像画像の取得完了)から、描画ヘッドによるパターンの描画を開始するまでの待ち時間となる。描画装置では、多数の基板が順次処理されるため、上記待ち時間を短くして、スループット(単位時間当たりに処理可能な基板の枚数)を向上することが求められている。
本発明は上記課題に鑑みなされたものであり、描画装置におけるスループットを向上することを目的としている。
請求項1に記載の発明は、基板にパターンを描画する描画装置であって、基板を保持するステージと、前記ステージ上の基板に変調された光を照射する描画ヘッドと、前記ステージを前記描画ヘッドに対して相対的に、かつ、移動方向に連続的に移動する移動機構と、前記ステージ上の基板における描画可能領域を、前記移動方向に垂直な幅方向に分割することにより、それぞれが前記移動方向に延びる複数の帯領域が設定され、前記ステージの前記移動方向への連続的な相対移動に並行して前記描画ヘッドを制御することにより、一の帯領域に対してパターンの描画を行う描画制御部と、前記描画可能領域に描画すべき全体パターンを示す全体パターンデータを記憶する全体パターンデータ記憶部と、処理対象の基板を前記ステージ上に保持した後に、前記処理対象の基板の前記帯領域を前記移動方向に分割して得られる複数の分割領域に対して、それぞれ対応する複数の分割描画データを、前記全体パターンデータから順次生成して前記描画制御部に転送する描画データ生成部と、前記帯領域への描画に要する帯描画時間と、前記複数の分割描画データの生成および転送に要する帯描画データ準備時間とに基づいて、前記複数の分割描画データの生成開始から、前記帯領域における最初の分割領域への描画を開始するまでの遅延時間を決定する遅延時間決定部とを備え、前記帯描画時間が前記帯描画データ準備時間よりも長くなる場合に、前記遅延時間が、前記最初の分割領域に対応する分割描画データの生成および転送に要する時間以上、かつ、前記時間に所定の追加時間を加えた時間以下であり、前記帯描画時間が前記帯描画データ準備時間以下となる場合に、前記遅延時間が、前記帯領域における最後の分割領域への描画開始時刻が前記複数の分割描画データの生成および転送の完了時刻となる時間以上、かつ、前記時間に所定の追加時間を加えた時間以下である。
請求項2に記載の発明は、請求項1に記載の描画装置であって、前記複数の分割領域が、前記帯領域を前記移動方向に等分割して得られ、前記帯描画時間が前記帯描画データ準備時間以下となる場合に、前記帯領域における前記複数の分割領域の個数をnとして、前記遅延時間が、前記帯描画時間に((n−1)/n)を掛けて得た値を、前記帯描画データ準備時間から引くことにより得られる時間以上、かつ、前記時間に前記追加時間を加えた時間以下である。
請求項3に記載の発明は、請求項1または2に記載の描画装置であって、前記ステージ上の基板に形成されたアライメントマークを撮像して、撮像画像を取得する撮像部をさらに備え、前記撮像部が、前記処理対象の基板の前記撮像画像を取得し、前記描画データ生成部が、前記撮像画像が示す前記アライメントマークの位置に基づいてパターンを補正しつつ前記複数の分割描画データを生成する。
請求項4に記載の発明は、請求項1ないし3のいずれか1つに記載の描画装置であって、前記描画ヘッドを含む複数の描画ヘッドを備え、前記複数の描画ヘッドが互いに異なる帯領域に対してパターンの描画を行い、前記描画データ生成部が、前記複数の描画ヘッドのそれぞれに対して前記複数の分割描画データを生成し、前記遅延時間決定部が、前記複数の描画ヘッドに対する複数の帯描画データ準備時間のうち、最長の帯描画データ準備時間を用いて前記遅延時間を決定する。
請求項5に記載の発明は、請求項1ないし4のいずれか1つに記載の描画装置であって、前記全体パターンデータがランレングスデータであり、前記全体パターンデータにおいて前記帯領域を示す部分に含まれる変化点の個数に基づいて、前記帯描画データ準備時間が取得される。
請求項6に記載の発明は、請求項1ないし4のいずれか1つに記載の描画装置であって、前記処理対象の基板と同じパターンが形成される他の基板に対する処理において、前記複数の分割描画データの生成および転送に要する時間が取得され、前記時間が前記処理対象の基板に対する前記帯描画データ準備時間として利用される。
請求項7に記載の発明は、描画装置における描画方法であって、前記描画装置が、基板を保持するステージと、前記ステージ上の基板に変調された光を照射する描画ヘッドと、前記ステージを前記描画ヘッドに対して相対的に、かつ、移動方向に連続的に移動する移動機構と、前記ステージ上の基板における描画可能領域を、前記移動方向に垂直な幅方向に分割することにより、それぞれが前記移動方向に延びる複数の帯領域が設定され、前記ステージの前記移動方向への連続的な相対移動に並行して前記描画ヘッドを制御することにより、一の帯領域に対してパターンの描画を行う描画制御部とを備え、前記描画方法が、a)前記描画可能領域に描画すべき全体パターンを示す全体パターンデータを準備する工程と、b)処理対象の基板を前記ステージ上に保持する工程と、c)前記処理対象の基板の前記帯領域を前記移動方向に分割して得られる複数の分割領域に対して、それぞれ対応する複数の分割描画データを、前記全体パターンデータから順次生成して前記描画制御部に転送する工程と、d)前記帯領域への描画に要する帯描画時間と、前記複数の分割描画データの生成および転送に要する帯描画データ準備時間とに基づいて、前記複数の分割描画データの生成開始から、前記帯領域における最初の分割領域への描画を開始するまでの遅延時間を決定する工程と、e)前記複数の分割描画データに基づいて、前記処理対象の基板の前記帯領域にパターンを描画する工程とを備え、前記帯描画時間が前記帯描画データ準備時間よりも長くなる場合に、前記遅延時間が、前記最初の分割領域に対応する分割描画データの生成および転送に要する時間以上、かつ、前記時間に所定の追加時間を加えた時間以下であり、前記帯描画時間が前記帯描画データ準備時間以下となる場合に、前記遅延時間が、前記帯領域における最後の分割領域への描画開始時刻が前記複数の分割描画データの生成および転送の完了時刻となる時間以上、かつ、前記時間に所定の追加時間を加えた時間以下である。
請求項8に記載の発明は、請求項7に記載の描画方法であって、前記複数の分割領域が、前記帯領域を前記移動方向に等分割して得られ、前記帯描画時間が前記帯描画データ準備時間以下となる場合に、前記帯領域における前記複数の分割領域の個数をnとして、前記遅延時間が、前記帯描画時間に((n−1)/n)を掛けて得た値を、前記帯描画データ準備時間から引くことにより得られる時間以上、かつ、前記時間に前記追加時間を加えた時間以下である。
請求項9に記載の発明は、請求項7または8に記載の描画方法であって、前記描画装置が、前記ステージ上の基板に形成されたアライメントマークを撮像して、撮像画像を取得する撮像部をさらに備え、前記描画方法が、前記b)工程と前記c)工程との間に、前記撮像部により前記処理対象の基板の前記撮像画像を取得する工程をさらに備え、前記c)工程において、前記撮像画像が示す前記アライメントマークの位置に基づいてパターンを補正しつつ前記複数の分割描画データが生成される。
請求項10に記載の発明は、請求項7ないし9のいずれか1つに記載の描画方法であって、前記描画装置が、前記描画ヘッドを含む複数の描画ヘッドを備え、前記複数の描画ヘッドが互いに異なる帯領域に対してパターンの描画を行い、前記c)工程において、前記複数の描画ヘッドのそれぞれに対して前記複数の分割描画データが生成され、前記d)工程において、前記複数の描画ヘッドに対する複数の帯描画データ準備時間のうち、最長の帯描画データ準備時間を用いて前記遅延時間が決定される。
請求項11に記載の発明は、請求項7ないし10のいずれか1つに記載の描画方法であって、前記全体パターンデータがランレングスデータであり、前記全体パターンデータにおいて前記帯領域を示す部分に含まれる変化点の個数に基づいて、前記帯描画データ準備時間が取得される。
請求項12に記載の発明は、請求項7ないし10のいずれか1つに記載の描画方法であって、前記処理対象の基板と同じパターンが形成される他の基板に対する処理において、前記複数の分割描画データの生成および転送に要する時間が取得され、前記時間が前記処理対象の基板に対する前記帯描画データ準備時間として利用される。
本発明によれば、描画装置におけるスループットを向上することができる。
描画システムの構成を示すブロック図である。 装置本体を示す斜視図である。 基板上の複数の帯領域を示す図である。 描画装置における機能構成を示すブロック図である。 描画装置がパターンを描画する処理の流れを示す図である。 基板の主面を示す図である。 基板の主面を示す図である。 基板の主面を示す図である。 遅延時間を決定する処理の流れを示す図である。 遅延時間の意義を説明するための図である。 遅延時間の意義を説明するための図である。 比較例の処理を説明するための図である。 描画装置における他の動作例を説明するための図である。
図1は、本発明の一の実施の形態に係る描画システム100の構成を示すブロック図である。描画システム100は、プリント基板等の基板上の感光材料に光を照射して、当該感光材料に配線等のパターンを描画するシステムである。
描画システム100は、コンピュータ101と、描画装置1とを備える。コンピュータ101は、基板に描画すべき全体パターンを示す設計データの生成に用いられる。設計データは、例えば、全体パターンを示すベクトルデータである。描画装置1は、2個のコンピュータ21,22と、装置本体10とを備える。コンピュータ21は、装置本体10の全体制御を担う。コンピュータ22は、設計データから装置本体10にて用いられる描画データを生成する。コンピュータ101、コンピュータ21、コンピュータ22および装置本体10は、互いに通信可能に接続されている。
図2は、装置本体10を示す斜視図である。図2では、互いに直交する3つの方向をX方向、Y方向およびZ方向として矢印にて示している(他の図において同様)。図2の例では、X方向およびY方向は水平方向であり、Z方向は鉛直方向である。描画装置1の設計によっては、Z方向が鉛直方向に対して傾斜した方向、または、水平方向であってもよい。
装置本体10は、複数の描画ヘッド3と、ステージ41と、ステージ昇降機構42と、ステージ移動機構43と、撮像ユニット5とを備える。ステージ41は、描画ヘッド3の下方((−Z)側)にて基板9を保持する。複数の描画ヘッド3は、X方向(以下、「幅方向」という。)に配列される。各描画ヘッド3では、光源から光変調部に向けてレーザ光が出射され、光変調部により当該光が変調される。変調(空間変調)された光は、ステージ41上の基板9における(+Z)方向を向く主面91に照射される。以下の説明では、複数の微小ミラーが二次元に配列されたDMD(デジタルミラーデバイス)が、各描画ヘッド3の光変調部として利用されるものとする。光変調部は、複数の光変調素子が一次元に配列された変調器等であってもよい。
ステージ昇降機構42は、ステージ41をZ方向に移動する。ステージ移動機構43は、ステージ41を、ステージ昇降機構42と共にY方向(以下、「移動方向」という。)に移動する。撮像ユニット5は、複数の描画ヘッド3の(−Y)側に配置される。撮像ユニット5は、複数の撮像部51を有する。複数の撮像部51は、幅方向に間隔を空けて配列される。各撮像部51は、ステージ41上の基板9を撮像して撮像画像のデータを取得する。描画装置1では、ステージ昇降機構42が省略されてもよく、Z方向に平行な軸を中心としてステージ41を回転する回転機構が設けられてもよい。
後述の描画ヘッド3によるパターンの描画では、ステージ移動機構43がステージ41を移動方向に連続的に移動し、各描画ヘッド3からの光が照射される基板9上の位置が、基板9に対して移動方向に走査する。また、ステージ41の移動に同期して、描画ヘッド3のDMDが制御される。これにより、移動方向に延びる基板9の主面91上の帯領域に対して、各描画ヘッド3によるパターンの描画が行われる。
図3は、基板9の主面91上の複数の帯領域81を示す図である。図3では、各帯領域81をY方向に長い太線の矩形により示しており、各描画ヘッド3により光が照射される領域82(以下、「照射領域82」という。)も抽象的に示している。本処理例では、主面91のほぼ全体が、描画装置1によるパターンの描画が可能な描画可能領域であり、主面91の全体に感光材料が設けられている。また、装置本体10では、複数の描画ヘッド3が幅方向に密に並んでおり、基板9上の複数の照射領域82も幅方向に連続して並ぶ。したがって、複数の帯領域81も幅方向に連続して並ぶ。複数の帯領域81は、基板9の主面91の全体、すなわち、描画可能領域の全体に亘る。換言すると、描画可能領域を幅方向に分割することにより、それぞれが移動方向に延びる複数の帯領域81が設定されている。図3の例では、ステージ41の移動方向への一回の連続移動により、複数の描画ヘッド3により複数の帯領域81に対してそれぞれパターンの描画行われ、描画可能領域の全体へのパターンの描画が完了する(いわゆる、ワンパス描画が行われる)。
図4は、描画装置1における機能構成を示すブロック図である。描画装置1は、全体制御部211と、描画データ生成部221と、全体パターンデータ記憶部222と、複数の描画制御部6とを備える。全体制御部211は、図1のコンピュータ21により実現される。全体制御部211は、遅延時間決定部212と、描画データ変換部213とを含む。描画データ生成部221および全体パターンデータ記憶部222は、コンピュータ22により実現される。複数の描画制御部6は、装置本体10において複数の描画ヘッド3の近傍に設けられる。複数の描画制御部6は、複数の描画ヘッド3にそれぞれ通信可能に接続される。各描画制御部6は、描画データメモリ61と、変換データメモリ62とを含む。全体制御部211、描画データ生成部221、全体パターンデータ記憶部222、および、複数の描画制御部6の機能の詳細については後述する。図4では、ステージ移動機構43および撮像ユニット5もブロックにて示している。
図5は、描画装置1がパターンを描画する処理の流れを示す図である。描画装置1では、まず、基板9の描画可能領域に描画すべき全体パターンを示す全体パターンデータが準備される(ステップS11)。本処理例では、事前準備として、当該全体パターンを示す設計データが、図1のコンピュータ101により生成されている。また、描画データ生成部221では、ベクトルデータである設計データがラスタデータに変換され(ラスタライズが行われ)、変換後のデータが、全体パターンデータとして全体パターンデータ記憶部222に記憶されている。このように、描画装置1では、ラスタデータである全体パターンデータが、全体パターンデータ記憶部222に予め記憶されて準備されている。本処理例では、全体パターンデータは、ランレングス圧縮されたランレングスデータである。
遅延時間決定部212では、遅延時間が決定される(ステップS12)。遅延時間の意味、および、遅延時間を決定する処理の詳細については後述する。続いて、処理対象の基板9が、図2のステージ41上に載置されて保持される(ステップS13)。基板9は、ステージ41の移動により撮像ユニット5の下方へと移動し、複数の撮像部51により基板9の(+Z)方向を向く主面91が撮像される(ステップS14)。
図6は、基板9の主面91を示す図である。基板9の主面91上には複数のアライメントマーク911(実線にて示すアライメントマーク911参照)が形成されている。アライメントマーク911は感光材料を介して観察可能であり、各撮像部51では、アライメントマーク911を撮像した撮像画像(のデータ)が取得される。図6の例では、移動方向(Y方向)における両端部のそれぞれに複数のアライメントマーク911が設けられている。したがって、ステージ移動機構43が基板9を移動方向に移動することにより、基板9の両端部における複数のアライメントマーク911が複数の撮像部51により撮像される。本処理例では、基板9において(+Y)側の端部に設けられたアライメントマーク911が撮像された後、ステージ41が(+Y)方向に移動し、(−Y)側の端部に設けられたアライメントマーク911が撮像される。その後、基板9が、複数の描画ヘッド3から(+Y)側に僅かに離れた位置(以下、「待機位置」という。)に配置される。
複数の撮像画像は、全体制御部211に入力される。全体制御部211では、複数の撮像画像から、ステージ41上の基板9における複数のアライメントマーク911の位置(主面91の所定の位置を基準とする位置)が求められる。全体制御部211では、理想的な基板(変形が生じていない基板9)における複数のアライメントマーク911の位置も予め記憶されており、実際の基板9におけるアライメントマーク911の位置と比較される。これにより、基板9の変形を示す変形情報が取得される。基板9の変形は、当該基板9に対する前工程により基板9において発生する伸縮や歪みである。基板9の変形を示す変形情報は、描画データ生成部221へと出力される。図6では、基板9におけるアライメントマーク911を結んで形成される四角形B1を細い実線にて示している。また、理想的な基板におけるアライメントマーク911を二点鎖線にて示し、これらのアライメントマーク911を結んで形成される四角形B2も二点鎖線にて示している。
続いて、描画データ生成部221では、各描画ヘッド3において利用される複数の分割描画データの生成が行われる(ステップS15)。ここで、描画装置1では、図3に示す各帯領域81を移動方向に等分割することにより、複数の分割領域811(ブロックと捉えることもできる。)が設定されている。各描画ヘッド3に対する複数の分割描画データは、当該描画ヘッド3による複数の分割領域811へのパターンの描画にそれぞれ利用されるものであり、変形情報を参照して全体パターンデータから生成される。複数の分割描画データの生成における変形情報の参照については後述する。
本処理例では、後述の描画ヘッド3によるパターンの描画において、基板9が(−Y)方向に連続的に移動し、各帯領域81において最も(−Y)側に配置される分割領域811に対して最初にパターンの描画が行われ、最も(+Y)側に配置される分割領域811に対して最後にパターンの描画が行われる。したがって、複数の分割描画データの生成では、最も(−Y)側の分割領域811に対応する分割描画データが最初に生成され、最も(+Y)側の分割領域811に対応する分割描画データが最後に生成される。各分割描画データは、ラスタデータであり、生成された部分から順次、描画制御部6へと転送される。以上のように、描画データ生成部221は、複数の分割領域811にそれぞれ対応する複数の分割描画データを、移動方向における分割領域811の順序に従って全体パターンデータから順次生成し、描画制御部6に転送する。分割描画データは、描画データメモリ61に記憶される。本処理例では、全体パターンデータと同様に、分割描画データもランレングス圧縮されたランレングスデータである。
また、複数の分割描画データの生成では、変形情報が参照される。変形情報は、理想的な基板(変形が生じていない基板9)におけるアライメントマーク911の位置と、実際の基板9におけるアライメントマーク911の位置との相違を示す。また、全体パターンデータ記憶部222に記憶される全体パターンデータは、理想的な基板に合わせた全体パターンを示す。したがって、描画データ生成部221では、変形情報を参照することにより、基板9の変形に合わせて、全体パターンデータが示す全体パターンを変形(補正)して、複数の分割描画データが生成される。
なお、主面91の四隅近傍にアライメントマーク911が設けられる図6の基板9は一例に過ぎず、図7Aに示すように、主面91において移動方向および幅方向の中央にもアライメントマーク911が設けられてもよい。また、図7Bに示すように、主面91において複数の個片領域910が設定され、個片領域910毎に変形情報に基づくパターンの補正が行われてもよい。
実際には、全体制御部211の描画データ変換部213では、各分割領域811に対応する分割描画データが描画データメモリ61に送信されると直ぐに、ランレングスデータである分割描画データが、非圧縮のラスタデータに変換され(ビットマップデータに伸長され)、変換済み分割描画データとして変換データメモリ62に記憶される。このとき、描画データ変換部213では、画素の値の縦横変換も行われる。具体的には、分割描画データが、移動方向に対応する方向に並ぶ画素の値を順に示すのに対し、変換済み分割描画データは、幅方向に対応する方向に並ぶ画素の値を順に示すものとなる。
一方、全体制御部211では、複数の分割描画データの生成開始からの時間が計測され、計測時間が、既述の遅延時間に到達したか否かが、微小時間毎に繰り返し確認される。計測時間が遅延時間に到達していない場合には(ステップS16)、装置本体10では、基板9が待機位置に配置された状態が維持される。計測時間が遅延時間に到達すると(ステップS16)、ステージ移動機構43が制御され、ステージ41の(−Y)方向への連続的な移動が開始される。そして、ステージ41の連続移動に並行して、描画制御部6が複数の分割描画データに基づいて描画ヘッド3のDMD31を制御することにより、帯領域81に対してパターンの描画が行われる(ステップS17)。
帯領域81へのパターンの描画において、各描画ヘッド3が最初の分割領域811にパターンを描画する際には、後述するように、当該分割領域811に対応する分割描画データが既に描画データメモリ61に記憶されている。実際には、分割描画データから変換済み分割描画データも生成されて、変換データメモリ62に記憶されている。したがって、描画制御部6では、変換済み分割描画データを用いて、DMD31に含まれる複数のミラーの姿勢を高速に切り替えて、パターンを適切に描画することが可能である。他の各分割領域811へのパターンの描画を開始する際にも、当該分割領域811に対応する分割描画データの生成および転送が完了しており、当該分割領域811に対してパターンの描画が適切に行われる。複数の分割領域811に対するパターンの描画は、複数の分割描画データの生成および転送と部分的に並行して行われる。各描画ヘッド3からの光が照射される基板9上の位置が、主面91の(+Y)側の端部へと到達すると、描画ヘッド3によるパターンの描画が完了する。
次に、ステップS12において、遅延時間決定部212が遅延時間を決定する処理について説明する。図8は、遅延時間決定部212が遅延時間を決定する処理の流れを示す図である。上述のように、遅延時間は、複数の分割描画データの生成開始から、帯領域81における最初の分割領域811への描画を開始するまでの時間である。
遅延時間の決定では、まず、図5のステップS15において、複数の分割描画データの生成および転送に要すると推定される時間が、帯描画データ準備時間として取得される(ステップS121)。ここで、各帯領域81に対する複数の(全ての)分割描画データの生成および転送に要する時間は、ランレングスデータである全体パターンデータにおいて当該帯領域81を示す部分に含まれる変化点の個数に依存することが経験上判っている。遅延時間決定部212では、帯領域81の変化点の個数と、当該帯領域81に対する複数の分割描画データの生成および転送に要する時間との関係を示すテーブル(関数等であってもよい。)が予め準備されている。そして、全体パターンデータにおいて各描画ヘッド3の帯領域81を示す部分に含まれる変化点の個数が求められ、当該変化点の個数を用いて上記テーブルを参照することにより、当該描画ヘッド3に対して帯描画データ準備時間が取得される。このようにして、複数の描画ヘッド3に対して複数の帯描画データ準備時間が取得される。
また、ステップS17において、帯領域81の各分割領域811へのパターンの描画に要すると推定される時間が、分割領域描画時間として取得される(ステップS122)。描画装置1では、基板9上の感光材料の感光に必要な光量および照度が予め設定されるとともに、描画ヘッド3において基板9上に照射可能な最大光量が求められている。また、全体制御部211では、これらの値から、描画ヘッド3によるパターンの描画時におけるステージ41の移動方向への移動速度が求められている。したがって、移動方向における各分割領域811の長さ、および、ステージ41の移動方向への移動速度から、分割領域811へのパターンの描画に要すると推定される時間、すなわち分割領域描画時間が求められる。また、帯領域81に含まれる全ての分割領域811に対する分割領域描画時間の総和、すなわち、帯領域81の全体への描画に要すると推定される時間が、帯描画時間として求められる。複数の描画ヘッド3では、帯描画時間は同じである。
図9Aおよび図9Bは、遅延時間の意義を説明するための図であり、図5のパターンを描画する処理において一部のステップが行われる期間を示している。図9Aおよび図9Bでは、ステップS15において複数の分割描画データの生成および転送が行われる期間を、同じ符号S15を付す実線の矢印にて示し、当該矢印S15の長さを、複数の描画ヘッド3に対する複数の帯描画データ準備時間のうちの最長の帯描画データ準備時間であるTとしている。また、ステップS17において帯領域81へのパターンの描画が行われる期間を、同じ符号S17を付す実線の複数の矢印の集合にて示している。当該複数の矢印は、当該帯領域81の複数の分割領域811へのパターンの描画が行われる期間をそれぞれ示し、各矢印の長さを分割領域描画時間であるBとしている。帯描画時間は、帯領域81における複数の分割領域811の個数をnとして、(n・B)となる。図9Aおよび図9Bでは、ステップS14における撮像ユニット5による複数の撮像画像の取得、および、基板9の変形を示す変形情報の取得に要する期間も、同じ符号S14を付す実線の矢印にて示している。
続いて、遅延時間決定部212では、複数の描画ヘッド3に対する複数の帯描画データ準備時間のうち、最長の帯描画データ準備時間と、帯描画時間とが比較される。図9Aに示すように、帯描画時間が最長の帯描画データ準備時間よりも長い、すなわち、(n・B>T)である場合には(ステップS123)、最初の分割領域811に対応する分割描画データの生成および転送に要する時間が、遅延時間Wとして決定される(ステップS124)。本処理例では、帯領域81に含まれる複数の分割領域811における移動方向の長さが一定であり、複数の分割領域811にそれぞれ対応する複数の分割描画データの生成および転送に要する時間も、ほぼ一定であると考えられる。したがって、遅延時間Wは、(T/n)により求められる。
既述のように、パターンを描画する処理では、遅延時間Wは、複数の分割描画データの生成開始から(ステップS14の終了から)、帯領域81における最初の分割領域811への描画を開始するまでの時間として扱われる。したがって、図5のステップS16において、上記ステップS124にて決定される遅延時間Wを用いることにより、ステップS17にて最初の分割領域811へのパターンの描画を開始する際に、最初の分割領域811に対応する分割描画データの生成および転送が完了している。これにより、最初の分割領域811に対して、パターンの描画が適切に行われる。また、帯描画時間が最長の帯描画データ準備時間よりも長いため、分割領域描画時間が、1つの分割領域811に対応する分割描画データの生成および転送に要する時間よりも長い。したがって、最初の分割領域811を除く、各分割領域811へのパターンの描画を開始する際にも、当該分割領域811に対応する分割描画データの生成および転送が完了しており、当該分割領域811に対してパターンの描画が適切に行われる。
一方、図9Bに示すように、帯描画時間が最長の帯描画データ準備時間以下となる、すなわち、(n・B≦T)である場合には(ステップS123)、上記とは異なる遅延時間Wが求められる。具体的には、まず、帯描画時間に((n−1)/n)を掛けた値(時間)が求められる。換言すると、(n−1)個の分割領域811に対する描画時間の和((n−1)・B)が求められる。そして、最長の帯描画データ準備時間から、(n−1)個の分割領域811に対する描画時間の和を引くことにより得られる時間、すなわち、(T−(n−1)・B)が、遅延時間Wとして決定される(ステップS125)。
ここで、帯描画時間が最長の帯描画データ準備時間未満である、すなわち、分割領域描画時間が、1つの分割領域811に対応する分割描画データの生成および転送に要する時間よりも短い場合に、図9Aの例と同様に、仮に遅延時間Wを(T/n)により求めると、最初の分割領域811を除く、各分割領域811へのパターンの描画を開始する際に、当該分割領域811に対応する分割描画データの生成および転送が未完了となる。この場合、ステージ41の連続移動を停止して、分割描画データの生成および転送を待つ必要が生じ、帯領域81に対するパターンの描画を適切に行うことができない。
実際には、図5のステップS16において、上記ステップS125にて決定される遅延時間Wを用いることにより、ステップS17において、帯領域81における最後の分割領域811への描画開始時刻が、複数の(全ての)分割描画データの生成および転送の完了時刻となる。したがって、最後の分割領域811に対して、パターンの描画が適切に行われる。また、分割領域描画時間が、1つの分割領域811に対応する分割描画データの生成および転送に要する時間以下(B≦(T/n))であるため、最後の分割領域811を除く、各分割領域811へのパターンの描画を開始する際にも、当該分割領域811に対応する分割描画データの生成および転送が完了している。したがって、帯領域81に含まれる全ての分割領域811に対するパターンの描画が、ステージ41の連続移動を停止することなく適切に行われる。なお、複数の基板9に対して同じ全体パターンが描画される場合には、当該複数の基板9に対する図5の処理において、同じ遅延時間が用いられてよい。
図10は、比較例の処理を説明するための図であり、基板9の主面91上の複数の帯領域81を示している。比較例の処理では、各帯領域81において複数の分割領域811が設定されず、図5のステップS12における遅延時間の決定も行われない。したがって、図9Aおよび図9Bにて破線の矢印にて示すように、ステップS15において複数の分割描画データの生成および転送が完了した後(実際には、各描画ヘッド3に対する帯領域81全体の描画データを描画データメモリ61に記憶した後)、ステップS17において帯領域81へのパターンの描画が開始される。したがって、複数の分割描画データの生成開始から、帯領域81へのパターンの描画を開始するまでの待ち時間が長くなる。
これに対し、描画装置1では、帯描画時間が帯描画データ準備時間よりも長くなる場合に、遅延時間が、最初の分割領域811に対応する分割描画データの生成および転送に要する時間として決定される。また、帯描画時間が帯描画データ準備時間以下となる場合に、遅延時間が、帯領域81における最後の分割領域811への描画開始時刻が複数の分割描画データの生成および転送の完了時刻となる時間として決定される。これにより、複数の分割描画データの生成開始から、帯領域81へのパターンの描画を開始するまでの待ち時間を短くして、描画装置1におけるスループットを向上することができる。
描画装置1では、ランレングスデータである全体パターンデータにおいて、帯領域81を示す部分に含まれる変化点の個数が求められる。これにより、上記変化点の個数に基づいて帯描画データ準備時間を容易に取得することが可能となる。また、複数の描画ヘッド3に対する複数の帯描画データ準備時間のうち、最長の帯描画データ準備時間を用いて遅延時間が決定されることにより、複数の描画ヘッド3を有する描画装置1において、遅延時間を適切に決定することができる。さらに、基板9上のアライメントマーク911の位置に基づいてパターンを補正しつつ、複数の分割描画データを生成することにより、各基板9の変形に合わせてパターンを適切に描画することができる。
次に、帯描画データ準備時間を取得する他の処理例について説明する。当該他の処理例に係る描画装置1では、複数の基板9に対して、同じ全体パターンデータを用いてパターンが描画されることが前提となる。例えば、最初の基板9に対する図5の処理では、遅延時間が設定されず(すなわち、ステップS12がスキップされ)、ステップS15において全ての分割描画データの生成および転送が完了した後、ステップS17において帯領域81へのパターンの描画が開始される。換言すると、全ての分割描画データの生成および転送に要する時間が遅延時間として扱われる。また、上記ステップS15では、全体制御部211により、各帯領域81に対する全ての分割描画データの生成および転送に要した時間が計測され、帯描画データ準備時間として取得される。
続いて、次の基板9(2番目の基板9)に対する図5の処理では、ステップS12において、上記帯描画データ準備時間を用いて遅延時間が決定される。ステップS13〜S17の処理は、上記処理例と同じである。帯描画データ準備時間が計測される基板9は、当該帯描画データ準備時間を用いて遅延時間が決定される基板9(現在の処理対象の基板9)よりも前に処理されるのであるならば、最初に処理される基板9には限定されない。
以上のように、上記他の処理例では、処理対象の基板9と同じパターンが形成される他の基板9に対する処理において、複数の分割描画データの生成および転送に要する時間が取得され、当該時間が当該処理対象の基板9に対する帯描画データ準備時間として利用される。これにより、帯描画データ準備時間を容易に取得することができる。
上記描画装置1では様々な変形が可能である。
描画装置1では、ステージ41の移動方向への連続移動と、移動方向に垂直な幅方向への間欠移動とを複数回繰り返すことにより、描画可能領域の全体へのパターンの描画が行われてもよい(いわゆるマルチパス描画)。図11に示す例では、ステージ41の移動方向への一回の連続移動(照射領域82の移動方向への走査)において、複数の描画ヘッド3により互いに異なる帯領域81に対してパターンの描画が行われる。当該帯領域81は、移動方向に複数の分割領域811に分割されており、当該帯領域81へのパターンの描画では、上記処理例と同様に、帯描画時間および帯描画データ準備時間に基づいて決定された遅延時間が利用される。
当該帯領域81へのパターンの描画後、描画ヘッド3がステージ41に対して幅方向に相対的に移動し、続いて、ステージ41が移動方向に連続的に移動することにより、当該帯領域81に隣接する他の帯領域81へのパターンの描画が行われる。当該他の帯領域81も移動方向に複数の分割領域811に分割されており、当該他の帯領域81へのパターンの描画では、帯描画時間および帯描画データ準備時間に基づいて決定された遅延時間が利用される。このように、マルチパス描画を行う描画装置1においても、適切な遅延時間を決定することにより、スループットを向上することができる。
一方、図3を参照して説明したワンパス描画では、1つの帯領域81に対する描画データのデータ量が、マルチパス描画におけるデータ量よりも大きくなる。したがって、仮に、帯領域81を複数の分割領域811に分割しない場合、描画データの生成および転送に長時間を要し、描画データの生成開始から、帯領域81へのパターンの描画を開始するまでの待ち時間が長くなる。このような観点では、帯領域81を複数の分割領域811に分割するとともに、帯描画時間および帯描画データ準備時間に基づいて遅延時間を決定する上記手法は、ワンパス描画を行う描画装置1に特に適しているといえる。
描画装置1では、帯領域81において、移動方向における複数の分割領域811の長さが互いに相違してもよい。この場合でも、図8のステップS124では、最初の分割領域811に対応する分割描画データの生成および転送に要する時間として、遅延時間が決定される。また、ステップS125では、帯領域81における最後の分割領域811への描画開始時刻が、複数の(全ての)分割描画データの生成および転送の完了時刻となる時間として、遅延時間が決定される。これにより、描画装置1におけるスループットを向上することができる。
また、上記ステップS124,S125の処理により取得される時間よりも僅かに長い時間が、遅延時間として決定されてもよい。すなわち、帯描画時間が帯描画データ準備時間よりも長くなる場合、遅延時間は、最初の分割領域811に対応する分割描画データの生成および転送に要する時間以上、かつ、当該時間に所定の追加時間を加えた時間以下であればよい。また、帯描画時間が帯描画データ準備時間以下となる場合、遅延時間は、帯領域81における最後の分割領域811への描画開始時刻が複数の分割描画データの生成および転送の完了時刻となる時間以上、かつ、当該時間に所定の追加時間を加えた時間以下であればよい。複数の分割描画データの生成開始から、帯領域81へのパターンの描画を開始するまでの待ち時間を短くするという観点では、上記追加時間は、例えば1つの分割領域811への描画に要する時間であり、好ましくは、当該時間の半分である。
帯領域81における複数の分割領域811の個数は、2以上の任意の個数に決定されてよい。ただし、上記実施の形態における全体パターンデータは、移動方向に対応する方向に並ぶ画素の値を順に示すため、分割領域811の個数が過度に多くなると、複数の分割描画データを生成する処理が煩雑となる。このような観点では、複数の分割領域811の個数は、例えば20個以下であり、好ましくは10個以下である。
ベクトルデータである全体パターンデータが、全体パターンデータ記憶部222に記憶されてもよい。この場合、描画データ生成部221では、基板9の変形に合わせてパターンを補正しつつラスタライズを行って、ラスタデータである複数の分割描画データが生成される。パターンの補正は、アライメントマーク911以外を用いて行われてもよい。例えば、撮像部51により、基板9に形成されているビアホール等が撮像され、当該ビアホール等の位置に合わせてパターンを補正しつつ、複数の分割描画データが生成されてもよい。
図5のステップS16において、計測時間が遅延時間に到達したことが全体制御部211により確認された際に、最初の分割領域811に対応する分割描画データの生成および転送の完了がさらに確認されることにより、ステップS17における帯領域81へのパターンの描画が開始されてもよい。例えば、最初の分割領域811に対応する分割描画データの最後に、当該分割描画データの最後であることを示すコードを挿入することにより、全体制御部211において、最初の分割領域811の分割描画データの生成および転送の完了が容易に確認可能となる。
上記実施の形態では、描画データ生成部221が、1つのコンピュータ22により実現されるが、例えば、複数の描画制御部6にそれぞれ対応する複数のコンピュータが設けられ、当該複数のコンピュータにより当該複数の描画制御部6に対する描画データがそれぞれ生成されてもよい。この場合、当該複数のコンピュータにより描画データ生成部221が実現されていると捉えることができる。
描画装置1では、描画ヘッド3を移動方向に移動する移動機構が設けられてもよい。すなわち、描画装置1では、ステージ41を描画ヘッド3に対して相対的に、かつ、移動方向に連続的に移動する移動機構が設けられる。
パターンが描画される基板9は、プリント基板以外に、半導体基板やガラス基板等であってもよい。
上記実施の形態および各変形例における構成は、相互に矛盾しない限り適宜組み合わされてよい。
1 描画装置
3 描画ヘッド
6 描画制御部
9 基板
41 ステージ
43 ステージ移動機構
51 撮像部
81 帯領域
212 遅延時間決定部
221 描画データ生成部
222 全体パターンデータ記憶部
811 分割領域
911 アライメントマーク
S11〜S17,S121〜S125 ステップ

Claims (12)

  1. 基板にパターンを描画する描画装置であって、
    基板を保持するステージと、
    前記ステージ上の基板に変調された光を照射する描画ヘッドと、
    前記ステージを前記描画ヘッドに対して相対的に、かつ、移動方向に連続的に移動する移動機構と、
    前記ステージ上の基板における描画可能領域を、前記移動方向に垂直な幅方向に分割することにより、それぞれが前記移動方向に延びる複数の帯領域が設定され、前記ステージの前記移動方向への連続的な相対移動に並行して前記描画ヘッドを制御することにより、一の帯領域に対してパターンの描画を行う描画制御部と、
    前記描画可能領域に描画すべき全体パターンを示す全体パターンデータを記憶する全体パターンデータ記憶部と、
    処理対象の基板を前記ステージ上に保持した後に、前記処理対象の基板の前記帯領域を前記移動方向に分割して得られる複数の分割領域に対して、それぞれ対応する複数の分割描画データを、前記全体パターンデータから順次生成して前記描画制御部に転送する描画データ生成部と、
    前記帯領域への描画に要する帯描画時間と、前記複数の分割描画データの生成および転送に要する帯描画データ準備時間とに基づいて、前記複数の分割描画データの生成開始から、前記帯領域における最初の分割領域への描画を開始するまでの遅延時間を決定する遅延時間決定部と、
    を備え、
    前記帯描画時間が前記帯描画データ準備時間よりも長くなる場合に、前記遅延時間が、前記最初の分割領域に対応する分割描画データの生成および転送に要する時間以上、かつ、前記時間に所定の追加時間を加えた時間以下であり、前記帯描画時間が前記帯描画データ準備時間以下となる場合に、前記遅延時間が、前記帯領域における最後の分割領域への描画開始時刻が前記複数の分割描画データの生成および転送の完了時刻となる時間以上、かつ、前記時間に所定の追加時間を加えた時間以下であることを特徴とする描画装置。
  2. 請求項1に記載の描画装置であって、
    前記複数の分割領域が、前記帯領域を前記移動方向に等分割して得られ、
    前記帯描画時間が前記帯描画データ準備時間以下となる場合に、前記帯領域における前記複数の分割領域の個数をnとして、前記遅延時間が、前記帯描画時間に((n−1)/n)を掛けて得た値を、前記帯描画データ準備時間から引くことにより得られる時間以上、かつ、前記時間に前記追加時間を加えた時間以下であることを特徴とする描画装置。
  3. 請求項1または2に記載の描画装置であって、
    前記ステージ上の基板に形成されたアライメントマークを撮像して、撮像画像を取得する撮像部をさらに備え、
    前記撮像部が、前記処理対象の基板の前記撮像画像を取得し、
    前記描画データ生成部が、前記撮像画像が示す前記アライメントマークの位置に基づいてパターンを補正しつつ前記複数の分割描画データを生成することを特徴とする描画装置。
  4. 請求項1ないし3のいずれか1つに記載の描画装置であって、
    前記描画ヘッドを含む複数の描画ヘッドを備え、
    前記複数の描画ヘッドが互いに異なる帯領域に対してパターンの描画を行い、
    前記描画データ生成部が、前記複数の描画ヘッドのそれぞれに対して前記複数の分割描画データを生成し、
    前記遅延時間決定部が、前記複数の描画ヘッドに対する複数の帯描画データ準備時間のうち、最長の帯描画データ準備時間を用いて前記遅延時間を決定することを特徴とする描画装置。
  5. 請求項1ないし4のいずれか1つに記載の描画装置であって、
    前記全体パターンデータがランレングスデータであり、
    前記全体パターンデータにおいて前記帯領域を示す部分に含まれる変化点の個数に基づいて、前記帯描画データ準備時間が取得されることを特徴とする描画装置。
  6. 請求項1ないし4のいずれか1つに記載の描画装置であって、
    前記処理対象の基板と同じパターンが形成される他の基板に対する処理において、前記複数の分割描画データの生成および転送に要する時間が取得され、前記時間が前記処理対象の基板に対する前記帯描画データ準備時間として利用されることを特徴とする描画装置。
  7. 描画装置における描画方法であって、
    前記描画装置が、
    基板を保持するステージと、
    前記ステージ上の基板に変調された光を照射する描画ヘッドと、
    前記ステージを前記描画ヘッドに対して相対的に、かつ、移動方向に連続的に移動する移動機構と、
    前記ステージ上の基板における描画可能領域を、前記移動方向に垂直な幅方向に分割することにより、それぞれが前記移動方向に延びる複数の帯領域が設定され、前記ステージの前記移動方向への連続的な相対移動に並行して前記描画ヘッドを制御することにより、一の帯領域に対してパターンの描画を行う描画制御部と、
    を備え、
    前記描画方法が、
    a)前記描画可能領域に描画すべき全体パターンを示す全体パターンデータを準備する工程と、
    b)処理対象の基板を前記ステージ上に保持する工程と、
    c)前記処理対象の基板の前記帯領域を前記移動方向に分割して得られる複数の分割領域に対して、それぞれ対応する複数の分割描画データを、前記全体パターンデータから順次生成して前記描画制御部に転送する工程と、
    d)前記帯領域への描画に要する帯描画時間と、前記複数の分割描画データの生成および転送に要する帯描画データ準備時間とに基づいて、前記複数の分割描画データの生成開始から、前記帯領域における最初の分割領域への描画を開始するまでの遅延時間を決定する工程と、
    e)前記複数の分割描画データに基づいて、前記処理対象の基板の前記帯領域にパターンを描画する工程と、
    を備え、
    前記帯描画時間が前記帯描画データ準備時間よりも長くなる場合に、前記遅延時間が、前記最初の分割領域に対応する分割描画データの生成および転送に要する時間以上、かつ、前記時間に所定の追加時間を加えた時間以下であり、前記帯描画時間が前記帯描画データ準備時間以下となる場合に、前記遅延時間が、前記帯領域における最後の分割領域への描画開始時刻が前記複数の分割描画データの生成および転送の完了時刻となる時間以上、かつ、前記時間に所定の追加時間を加えた時間以下であることを特徴とする描画方法。
  8. 請求項7に記載の描画方法であって、
    前記複数の分割領域が、前記帯領域を前記移動方向に等分割して得られ、
    前記帯描画時間が前記帯描画データ準備時間以下となる場合に、前記帯領域における前記複数の分割領域の個数をnとして、前記遅延時間が、前記帯描画時間に((n−1)/n)を掛けて得た値を、前記帯描画データ準備時間から引くことにより得られる時間以上、かつ、前記時間に前記追加時間を加えた時間以下であることを特徴とする描画方法。
  9. 請求項7または8に記載の描画方法であって、
    前記描画装置が、前記ステージ上の基板に形成されたアライメントマークを撮像して、撮像画像を取得する撮像部をさらに備え、
    前記描画方法が、前記b)工程と前記c)工程との間に、前記撮像部により前記処理対象の基板の前記撮像画像を取得する工程をさらに備え、
    前記c)工程において、前記撮像画像が示す前記アライメントマークの位置に基づいてパターンを補正しつつ前記複数の分割描画データが生成されることを特徴とする描画方法。
  10. 請求項7ないし9のいずれか1つに記載の描画方法であって、
    前記描画装置が、前記描画ヘッドを含む複数の描画ヘッドを備え、
    前記複数の描画ヘッドが互いに異なる帯領域に対してパターンの描画を行い、
    前記c)工程において、前記複数の描画ヘッドのそれぞれに対して前記複数の分割描画データが生成され、
    前記d)工程において、前記複数の描画ヘッドに対する複数の帯描画データ準備時間のうち、最長の帯描画データ準備時間を用いて前記遅延時間が決定されることを特徴とする描画方法。
  11. 請求項7ないし10のいずれか1つに記載の描画方法であって、
    前記全体パターンデータがランレングスデータであり、
    前記全体パターンデータにおいて前記帯領域を示す部分に含まれる変化点の個数に基づいて、前記帯描画データ準備時間が取得されることを特徴とする描画方法。
  12. 請求項7ないし10のいずれか1つに記載の描画方法であって、
    前記処理対象の基板と同じパターンが形成される他の基板に対する処理において、前記複数の分割描画データの生成および転送に要する時間が取得され、前記時間が前記処理対象の基板に対する前記帯描画データ準備時間として利用されることを特徴とする描画方法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005166928A (ja) * 2003-12-02 2005-06-23 Hitachi High-Technologies Corp 電子線描画システム
JP4307288B2 (ja) * 2004-02-25 2009-08-05 キヤノン株式会社 位置決め装置
JP4413036B2 (ja) * 2004-02-25 2010-02-10 新光電気工業株式会社 描画装置、描画データ生成装置、描画方法、および描画データ生成方法
JP2008147359A (ja) * 2006-12-08 2008-06-26 Canon Inc 露光装置
US7847919B2 (en) * 2007-03-29 2010-12-07 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus having feedthrough control system
JP5044342B2 (ja) * 2007-09-14 2012-10-10 大日本スクリーン製造株式会社 描画装置および描画方法
JP2010232035A (ja) * 2009-03-27 2010-10-14 Fujifilm Corp 電子ビーム描画方法、電子ビーム描画装置、モールドの製造方法および磁気ディスク媒体の製造方法
US7994060B2 (en) * 2009-09-01 2011-08-09 International Business Machines Corporation Dual exposure track only pitch split process
US9360772B2 (en) * 2011-12-29 2016-06-07 Nikon Corporation Carrier method, exposure method, carrier system and exposure apparatus, and device manufacturing method
US9589764B2 (en) * 2015-03-27 2017-03-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Electron beam lithography process with multiple columns
CN105467779A (zh) * 2016-01-04 2016-04-06 京东方科技集团股份有限公司 一种曝光机及曝光方法

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