DE102015106704A1

DE102015106704A1 - Elektronenstrahl-Lithografieprozess mit mehreren Säulen

Info

Publication number: DE102015106704A1
Application number: DE102015106704.8A
Authority: DE
Inventors: Wen-Chuan Wang; Shy-Jay Lin
Original assignee: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Current assignee: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Priority date: 2015-03-27
Filing date: 2015-04-30
Publication date: 2016-09-29
Anticipated expiration: 2035-05-01
Also published as: CN106019821A; TWI590009B; KR101831027B1; US9589764B2; DE102015106704B4; KR20160115641A; US20160284504A1; CN106019821B; TW201635047A

Abstract

Die vorliegende Offenbarung stellt ein Verfahren eines Elektronenstrahl(E-Strahl)-Lithografieprozesses bereit. Das Verfahren umfasst das Laden einer Trägerschicht in ein Elektronenstrahl(E-Strahl)-System, so dass eine erste Untermenge von Feldern, dir auf der Trägerschicht definiert ist, auf der Trägerschicht entlang einer ersten Richtung angeordnet ist. Das Verfahren umfasst auch das Positionieren mehrerer E-Strahlsäulen mit einer ersten Untermenge von E-Strahlsäulen, die entlang der ersten Richtung angeordnet ist. Die E-Strahlsäulen der ersten Untermenge von E-Strahlsäulen sind auf verschiedene Felder der ersten Untermenge von Feldern gerichtet. Das Verfahren umfasst auch das Durchführen eines ersten Belichtungsprozesses in einem Abtastmodus, so dass die mehreren E-Strahlsäulen die Trägerschicht entlang der ersten Richtung abtasten.

Description

QUERVERWEIS
Diese Anmeldung beansprucht Priorität aus der vorläufigen US Patentanmeldung, Seriennr. 62/139,316, eingereicht am 27. März 2015, auf deren gesamte Offenbarung hiermit Bezug genommen wird.
HINTERGRUND
Die Herstellung integrierter Halbleiterschaltungen (IC) beinhaltet das Ausbilden mehrerer Materialschichten mit entworfenen Strukturen auf einem Halbleiterwafer. Diese strukturierten Materialschichten auf dem Halbleiterwafer sind so ausgerichtet und konfiguriert, dass sie eine oder mehrere funktionelle Schaltungen bilden. Zum Strukturieren eines Halbleiterwafers werden Fotolithografiesysteme verwendet. Bei der Weiterentwicklung der Halbleitertechnologie zu Schaltungslayouts mit kleineren Merkmalgrößen ist ein Lithografiesystem mit höherer Auflösung zur Abbildung einer IC-Struktur mit kleineren Merkmalgrößen notwendig. Für Lithografiestrukturierungsprozesse wird ein Elektronenstrahl(E-Strahl)-System eingeführt, weil der Elektronenstrahl Wellenlängen hat, die auf sehr kurze Werte abgestimmt werden können, was zu einer hohen Auflösung führt. Obwohl bestehende Verfahren von Lithografieprozessen allgemein für ihren beabsichtigten Zweck angemessen sind, sind sie nicht in jeder Hinsicht zufriedenstellend. Zum Beispiel steigen die Herausforderungen, eine E-Strahl-Schreibzeit zu verkürzen und den Durchsatz zu erhöhen. In diesem Gebiet sind Verbesserungen erwünscht.
KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
Die vorliegende Offenbarung wird aus der folgenden ausführlichen Beschreibung am besten verständlich, wenn diese mit den beiliegenden Figuren gelesen wird. Es wird betont, dass gemäß der Standardpraxis in der Industrie verschiedene Merkmale nicht im Maßstab gezeichnet sind. Tatsächlich können die Abmessungen der verschiedenen Merkmale der deutlichen Besprechung wegen beliebig vergrößert oder verkleinert sein. Ferner können der Einfachheit wegen nicht alle Merkmale in allen Zeichnungen dargestellt sein.
1 ist eine schematische Ansicht einer Ausführungsform eines Elektronenstrahl(E-Strahl)-Lithografiesystems für eine Strukturierung einer integrierten Schaltung (IC), die gemäß Aspekten der vorliegenden Offenbarung konstruiert ist.
2 ist ein Ablaufdiagramm eines Verfahrens eines Beispiels für einen Lithografieprozess gemäß einigen Ausführungsformen.
3 ist eine schematische Ansicht eines Lithografieprozesses gemäß einigen Ausführungsformen.
4, 5A–5D, 6A–6E und 7A–7E sind schematische Draufsichten eines Lithografieprozesses gemäß einigen Ausführungsformen.
AUSFÜHRLICHE BESCHREIBUNG
Die vorliegende Offenbarung betrifft im Allgemeinen Lithografiesysteme und ein Verfahren zur Verwendung solcher Systeme. Es ist jedoch klar, dass die folgende Offenbarung viele verschiedene Ausführungsformen oder Beispiele zur Implementierung verschiedener Merkmale der Erfindung bereitstellt. In der Folge sind spezielle Beispiele für Komponenten und Anordnungen zur Vereinfachung der vorliegenden Offenbarung beschrieben. Diese sind natürlich nur Beispiele und nicht als Einschränkung gedacht. Zusätzlich kann die vorliegende Offenbarung Bezugszahlen und/oder -buchstaben in den verschiedenen Beispielen wiederholen. Diese Wiederholung dient der Einfachheit und Klarheit und legt selbst kein Verhältnis zwischen den verschiedenen besprochenen Ausführungsformen und/oder Konfigurationen fest. Ferner kann die Bildung eines ersten Merkmals über oder auf einem zweiten Merkmal in der folgenden Beschreibung Ausführungsformen enthalten, in welchen das erste und zweite Merkmal in direktem Kontakt gebildet sind, und kann auch Ausführungsformen enthalten, in welchen zusätzliche Merkmale zwischen dem ersten und zweiten Merkmal gebildet sind, so dass das erste und zweite Merkmal nicht in direktem Kontakt sein mögen.
1 zeigt eine schematische Ansicht einer Elektronenstrahlsäule 100, die gemäß einigen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung konstruiert ist. Die E-Strahlsäule 100 ist eine auf Elektronen basierende Lithografietechnik, die eine auf Elektronen basierende Abbildung für eine Strukturierung verschiedener integrierter Schaltungen (IC) verwendet. Die Elektronenstrahlsäule 100 überträgt eine IC-Designstruktur auf eine für einen E-Strahl empfindliche Fotolack(E-Strahlfotolack oder Fotolack)-Schicht, die auf eine Trägerschicht, wie einen Halbleiterwafer, aufgetragen ist. Die E-Strahlsäule 100 stellt eine höhere Abbildungsauflösung als jene einer optischen Lithografie bereit, da ein Elektronenstrahl so erregt werden kann, dass er eine kürzere Wellenlänge hat.
Die E-Strahlsäule 100 umfasst eine Elektronenquelle 101 zur Bereitstellung eines Elektronenstrahls 102. In einer Weiterentwicklung der Ausführungsform ist die Elektronenquelle 101 eine Elektronenkanone mit einem Mechanismus zum Generieren von Elektronen, wie durch thermische Elektronenemission. In einem besonderen Beispiel umfasst die Elektronenkanone ein Wolfram-Filament (oder ein Filament aus einem anderen geeigneten Material), das zum thermischen Emittieren von Elektronen gestaltet oder vorgespannt ist. In einigen Ausführungsformen ist der E-Strahl 102 von der E-Strahlquelle 101 ein kontinuierlicher E-Strahl mit konstanter Strahlstärke im Laufe der Zeit.
Die E-Strahlsäule 100 kann ferner eine E-Strahllinse (Kanonenlinse) 103 enthalten, die an der Vorderseite der E-Strahlquelle 101 zum Steuern des E-Strahls 102 konfiguriert ist. Die E-Strahllinse 103 steuert den E-Strahl 102, so dass er eine richtige Richtung und/oder E-Strahlgröße hat. In einer Ausführungsform kann die E-Strahllinse 103 den E-Strahl 102 von der E-Strahlquelle 101 so abstimmen, dass er einen großen Punkt mit einer gleichförmigen Raumverteilung hat. In einer anderen Ausführungsform kann der E-Strahl 102 ferner durch andere Elektronenlinsen so bearbeitet werden, dass er einen passenden Strahlpunkt und eine passende Gleichförmigkeit hat.
Die E-Strahlsäule 100 umfasst ferner ein Ausrichtungs-Gate 104, das so gestaltet ist, dass es den E-Strahl 102 im Sinne der Stärke moduliert, wie einer Strahlstärke, die sich im Laufe der Zeit periodisch ändert. Dieses Ausrichtungs-Gate 104 umfasst einen passenden Mechanismus zum Modulieren des E-Strahls 102 zur Bildung eines anderen E-Strahls. In einer Ausführungsform umfasst das Ausrichtungs-Gate 104 einen Mechanismus zum Modulieren des E-Strahls 102 durch ein elektrisches Feld. In einer anderen Ausführungsform umfasst das Ausrichtungs-Gate 104 einen Mechanismus zum Modulieren des E-Strahls 102 durch eine Materialschicht mit einer dynamisch steuerbaren Durchlässigkeit für den E-Strahl 102. In einer anderen Ausführungsform umfasst das Ausrichtungs-Gate 104 jeden geeigneten Mechanismus zum effektiven und dynamischen Steuern des E-Strahls 102 im Laufe der Zeit. Die E-Strahlsäule 100 umfasst ferner andere Komponenten, die das Ausrichtungs-Gate 104 mit einem Digitalstrukturgenerator (DPG) synchronisieren, der später beschrieben wird.
Die E-Strahlsäule 100 kann einen Deflektor 106 zum Ablenken eines Elektronenstrahls zum Abtasten und Belichten einer bestimmten Region einer Trägerschicht in einem gewissen Modus, wie einem Rastermodus, enthalten.
Die E-Strahlsäule 100 kann auch einen DPG 108 zum Generieren einer strukturieren E-Strahlgruppe 109 enthalten. Der DPG 108 ist eine Struktur, die mehrere Pixel umfasst, die in einer Gruppe konfiguriert sind. Der DPG 108 umfasst auch einen Mechanismus, der einem einzelnen Pixel ermöglicht, zwischen Ein- und Auszuständen umzuschalten. Wenn ein Pixel auf ”Ein” ist, reflektiert das Pixel den E-Strahl 102 (oder einen Teil des E-Strahls 102), der auf dieses Pixel projiziert wird. Wenn ein Pixel auf ”Aus” ist, reflektiert das Pixel den E-Strahl 102 (oder einen Teil des E-Strahls 102) nicht, der auf dieses Pixel projiziert wird. In einer Ausführungsform umfasst der DPG 108 einen auf einer integrierten Schaltung (IC) basierenden Chip mit einer Gruppe von Pixeln, die durch eine eingebaute Treiberschaltung steuerbar ist. In einer Weiterentwicklung der Ausführungsform kann der DPG 108 einen IC-Chip mit Technologien wie komplementärer Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor (CMOSFET) oder Fin-artiger Feldeffekttransistor (FinFET) enthalten.
Die E-Strahlsäule 100 kann auch eine DPG-Linse 110 und andere Linsenmerkmale enthalten, wie eine obere Verkleinerungslinse 112 und eine untere Verkleinerungslinse 114, die für richtige Abbildungseffekte richtig konfiguriert sind.
Die E-Strahlsäule 100 umfasst auch eine Waferstufe 120 zum Befestigen eines Wafers 130. In der vorliegenden Ausführungsform ist der Wafer 130 mit einer Fotolackschicht beschichtet, die in einem Lithografieprozess von dem E-Strahl-Lithografiesystem 100 strukturiert wird. Die Fotolackschicht umfasst ein Fotolackmaterial, das für Elektronen empfindlich ist (somit auch als E-Strahl-Fotolack bezeichnet). Das Fotolackmaterial umfasst eine Komponente, die einem IC-Herstellungsprozess standhält, wie einem Ätzen und/oder einer Ionenimplantation. Das Fotolackmaterial umfasst ferner eine Komponente, die für Elektronen empfindlich ist. Das Fotolackmaterial kann negativ oder positiv sein. In einem Beispiel umfasst das Fotolackmaterial Polymethylmethacrylat (PMMA).
In einer Ausführungsform ist die Waferstufe 120 bedienbar, um sich so zu bewegen, dass ein E-Strahl auf verschiedene Stellen der Fotolackschicht auf dem Wafer 130 gerichtet wird. In einem Beispiel sind die Waferstufe 120 und der Deflektor 106 so gestaltet, dass sie den (die) E-Strahl(en) koordiniert relativ zum Wafer 130 bewegen. Insbesondere umfasst der Wafer 130 in der vorliegenden Ausführungsform mehrere Regionen (Felder) 132, die zu strukturieren sind. Jedes Feld 132 wird mit derselben IC-Struktur strukturiert und jedes Feld 132 hat eine identische Dimension, Fläche und Form.
Die E-Strahlsäule 100 umfasst auch einen Generator 140 eines elektrischen Signals und eine IC-Design-Datenbank 150, die mit verschiedenen Komponenten der E-Strahlsäule 100 integriert und gekoppelt sind. Die strukturierte E-Strahlgruppe 109 kann durch das elektrische Signal (die Daten), das von dem Generator 140 eines elektrischen Signals gemäß der IC-Design-Datenbank 150 gesendet wird, ein- und ausgeschaltet werden. Die IC-Design-Datenbank 150 umfasst ein IC-Designlayout. In einigen Ausführungsformen umfasst ein IC-Designlayout ein oder mehrere IC-Designmerkmale oder -strukturen. Das IC-Design kann eine Vorrichtung wie einen statischen Direktzugriffsspeicher (SRAM) und/oder andere logische Schaltungen, passive Komponenten wie Widerstände, Kondensatoren und Induktoren, und aktive Komponenten wie P-Kanal Feldeffekttransistoren (PFET), N-Kanal FET (NFET), Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFET), komplementäre Metall-Oxid-Halbleiter(CMOS)-Transistoren, Bipolartransistoren, Hochspannungstransistoren, Hochfrequenztransistoren, andere Speicherzellen und Kombinationen von diesen definieren. Das IC-Designlayout wird in einer oder mehreren Datendatei(en) mit den Informationen der geometrischen Strukturen präsentiert. In einigen Beispielen kann das IC-Designlayout in einem Grafikdatenbanksystem(GDS)-Format präsentiert werden.
Die Daten können als Computerdatei gespeichert und/oder gesendet werden, zum Beispiel als Datei in der Art eines Grafikdatenbanksystems (GDS) als Datei in der Art des Open Artwork System Interchange Standards (OASIS) und/oder als jede geeignete Dateiart. Die GDS- oder OASIS-Dateien sind Datenbankdateien, die für einen Datenaustausch einer IC-Layoutgestaltung verwendet werden. Zum Beispiel können diese Dateien binäre Dateiformate zur Darstellung ebener geometrischer Formen, Textkennzeichnungen wie auch anderer Layout-Informationen des IC-Layouts haben. Die GDS oder OASIS-Dateien können jeweils mehrere Schichten enthalten. Die GDS oder OASIS-Dateien können zur Rekonstruktion der IC-Layoutgestaltung verwendet werden und als solches zwischen verschiedenen Herstellungswerkzeugen, einschließlich der E-Strahlsäule 100, übertragen oder von diesen gemeinsam benützt werden.
Die E-Strahlsäule 100 kann ferner andere Komponenten und Module enthalten. In einem Beispiel umfasst die E-Strahlsäule 100 ein Modul zum Prüfen und Überwachen einer Ausrichtung und Überlagerung während eines Lithografiebelichtungsprozesses.
2 ist ein Ablaufdiagramm, das ein Verfahren 200 eines Lithografieprozesses 1000 auf einer Trägerschicht, wie dem Wafer 130, unter Verwendung des Lithografiesystems, wie einer E-Strahlsäule 100, zeigt. Es ist klar, dass zusätzliche Schritte vor, während und nach dem Verfahren 200 bereitgestellt sein können und einige beschriebene Schritte für zusätzliche Ausführungsformen des Verfahrens 200 ersetzt, eliminiert oder anders positioniert sein können.
Unter Bezugnahme auf 2 und 3 beginnt das Verfahren 200 in Schritt 202 durch Laden eines Wafers 310, der mit einer Fotolackschicht beschichtet ist, in ein Elektronenstrahl(E-Strahl)-System 320. Der Wafer 310 kann dem oben unter Bezugnahme auf 1 beschriebenen Wafer 130 im Wesentlichen ähnlich sein. Die Fotolackschicht wird über dem Wafer 310 zum Beispiel durch eine Rotationsbeschichtungstechnik abgeschieden. Die Fotolackschicht kann einem Backprozess, wie einem Weichbackprozess (auch als Vorbelichtungsbackprozess bezeichnet), unterzogen werden.
Der Wafer 310 ist in mehrere Felder 312 zur Bildung einer Feldmatrix 314 für anschließende Operationen unterteilt. In einer Ausführungsform hat die Feldmatrix 314 eine Breite (entlang der X-Richtung), die gleich dem Durchmesser D des Wafers 310 ist. Das Feld 312 kann im Wesentlichen dem oben unter Bezugnahme auf 1 beschriebenen Feld 132 ähnlich sein. Die Felder 312 sind in zahlreichen Reihen und Spalten ausgerichtet. Im vorliegenden Beispiel weist das Feld 312 eine rechteckige Form oder eine quadratische Form auf. Eine Gesamtanzahl von Feldern 312 kann nach einem oder mehreren Faktoren, wie Berechnungseffizienz bestimmt werden. Wenn die Gesamtanzahl groß ist, können die Operationen im folgenden Prozess eine längere Zeit bis zur Vollendung benötigen. Wenn die Gesamtanzahl gering ist, können die Operationen im folgenden Prozess weniger Zeit bis zur Vollendung benötigen, können aber zu einer verringerten Optimierungswirksamkeit führen. Daher wird die Gesamtanzahl gemäß einem oder mehreren Faktoren passend gewählt, wie Erfahrung des Technikers und/oder zuvor verarbeiteten Daten (wie Verlaufsdaten, die bei Ausführung des Verfahrens 200 gesammelt wurden).
In der vorliegenden Ausführungsform umfasst das E-Strahlsystem 320 mehrere E-Strahlsäulen 330. Die E-Strahlsäule 330 kann der oben unter Bezugnahme auf 1 beschriebenen E-Strahlsäule 100 im Wesentlichen ähnlich sein. Die mehreren E-Strahlsäulen 330 sind so ausgerichtet, dass jede E-Strahlsäule 330 auf das Feld 312 an präzisen Brennpunkten 332 auftrifft (Punkt im Feld, nicht Feld im Punkt) (der Deutlichkeit wegen vergrößert). Die Brennpunkte 332 werden entlang der Oberfläche des Wafers 310 abgetastet, indem die E-Strahlsäulen 330 bewegt werden und/oder indem der Wafer 310 bewegt wird.
Unter Bezugnahme auch auf 2 und 3 fährt das Verfahren 200 mit Schritt 204 fort, indem die Feldmatrix 314 in mehrere Abschnitte entlang der Y-Richtung geteilt wird, die zu einer E-Strahl-Abtastrichtung (X-Richtung) senkrecht verläuft, und eine Teilgruppe von E-Strahlsäulen 330 jedem der Abschnitte zugeordnet wird. In der vorliegenden Ausführungsform hat die Feldmatrix 314 M Abschnitte 410 _M (wobei M eine ganze Zahl ist), wie 410 ₁, 410 ₂ und 410 ₃, wie in 3 dargestellt. Jeder Abschnitt 410 _M hat N der E-Strahlsäulen 330 (wobei N eine ganze Zahl ist). Eine E-Strahlsäule 330 _MN stellt eine N. E-Strahlsäule 330 im M. Abschnitt dar, wie 330 ₁₁ und 330 ₁₂ im Abschnitt 410, und so weiter. In einigen Ausführungsformen ist die Feldmatrix 314 so geteilt, dass kein Feld 312 in zwei benachbarte Abschnitte geteilt ist. Die Gesamtanzahl von Abschnitten 410 _M, M, und Gesamtanzahl von E-Strahlsäulen 330 in jedem Abschnitt 410 _M, N, kann nach einem oder mehreren Faktoren bestimmt werden, wie Zeitaufwand für die Beschleunigung/Verlangsamung der Waferstufe, Prozesskomplexität und Prozesseffizienz.
Als ein Beispiel, wie in 3 dargestellt (wo M = 3 und N = 2), ist die Feldmatrix 314 in Abschnitte 410 ₁, 410 ₂ und 410 ₃ unterteilt und die E-Strahlsäulen 330 ₁₁ und 330 ₁₂ sind dem Abschnitt 410 ₁ zugeordnet; die E-Strahlsäulen 330 ₂₁ und 330 ₂₂ sind dem Abschnitt 410 ₂ zugeordnet und die E-Strahlsäulen 330 ₃₁ und 330 ₃₂ sind dem Abschnitt 410 ₃ zugeordnet.
Unter Bezugnahme auf 2 und 4 fährt das Verfahren 200 mit Schritt 206 durch Positionieren der E-Strahlsäule 330 _MN fort, die entlang der ersten Richtung (X-Richtung) angeordnet ist, so dass E-Strahlen der E-Strahlsäulen 330 _MN auf einen ersten Anfangspunkt S_MN der Feldmatrix 314 gerichtet sind. In der vorliegenden Ausführungsform ist die E-Strahlsäule 330 _M1 am ersten Anfangspunkt S_M1 positioniert. Die E-Strahlsäule 330 _MN (mit Ausnahme von 330 _M1) ist am ersten Anfangspunkt S_MN (mit Ausnahme von S_M1), der entlang der ersten Richtung (X-Richtung) angeordnet ist, bei X_MN = (N – 1)D/N positioniert, wobei X_MN eine Stelle des ersten Anfangspunkts der E-Strahlsäule 330 _MN entlang der X-Richtung darstellt. Als ein Beispiel, wie in 4 dargestellt, ist die Feldmatrix 314 in drei Abschnitte geteilt und jeder Abschnitt hat zwei E-Strahlsäulen. Die E-Strahlsäule 330 ₁₁ ist am ersten Anfangspunkt S₁₁ positioniert, E-Strahlsäule 330 ₁₂ ist am ersten Anfangspunkt S₁₂ positioniert, wobei X = D/2 durch eine Linie L in der Feldmatrix 314 dargestellt ist, und so weiter.
In einigen Ausführungsformen kann der erste Anfangspunkt S_MN nicht an einer gleichen Stelle am entsprechenden Feld 312 des zweiten 410 _M liegen und hat einen Abstand D_MN (entlang der Vorwärtsrichtung der X-Richtung, die die Abtastrichtung ist) von der nächstliegenden, ähnlichen Stelle am entsprechenden Feld 312, wobei D_MN den Abstand für die N. E-Strahlsäule 330 im M. Abschnitt darstellt. Als ein Beispiel, wie in 4 dargestellt, befindet sich der erste Anfangspunkt S_M1 am Rand des Feldes 312, während sich der erste Anfangspunkt S_M2 an der Linie L befindet, die den Abstand D_M2 zum nächstliegenden Rand des Feldes 312 (dargestellt durch eine Linie P₁) entlang der Abtastrichtung aufweist.
Das Verfahren 200 hat drei Wege nach Schritt 206, die mit dem Suffix ”A”, ”B” bzw. ”C” bezeichnet sind. Diese drei Wege werden in der Folge getrennt besprochen. Die vorliegende Offenbarung wiederholt Bezugszahlen und/oder -buchstaben in den verschiedenen Ausführungsformen. Diese Wiederholung dient der Einfachheit und Deutlichkeit, so dass wiederholte Bezugszahlen und/oder -buchstaben gleiche Merkmale in den verschiedenen Ausführungsformen bezeichnen, falls nicht anderes angegeben ist.
Unter Bezugnahme auf 2 und 5A fährt das Verfahren 200 für den Weg A mit Schritt 208A durch Ausführen eines ersten Belichtungsprozesses in einem Abtastmodus an der Feldmatrix 314 gleichzeitig durch jede E-Strahlsäule 330 _MN entlang der X-Richtung (wie durch einen Pfeil in 5A dargestellt) fort. Der E-Strahl 330 _MN tastet von der ersten S_MN zu einem ersten Endpunkt E_MN ab, wobei hier E_MN den ersten Endpunkt für die E-Strahlsäule 330 _MN darstellt. In der vorliegenden Ausführungsform liegt der erste Endpunkt E_MN unmittelbar vor dem entsprechenden ersten Anfangspunkt S_M(N+1). Die E-Strahlsäule 330 _MN kann in einem Rastermodus, Vektormodus oder einem anderen passenden Modus abtasten. In der vorliegenden Ausführungsform wird der Belichtungsprozess durch Bewegen des Wafers 310 (durch eine Waferstufe) relativ zur E-Strahlsäule 330 _MN entlang einer Richtung, die zur Pfeilrichtung entgegengesetzt ist, ausgeführt. Der Einfachheit und Deutlichkeit wegen wird die Richtung, in die der Pfeil in 5A zeigt, zur Darstellung einer relativen Bewegung zwischen der E-Strahlsäule 330 _MN und dem Wafer 310 verwendet. Daher tastet jede der E-Strahlsäulen 330 _MN dieselbe Länge ab, die etwa D/N gleich ist.
Als ein Beispiel, wie in 5A dargestellt, tastet die E-Strahlsäule 330 ₁₁ vom ersten Anfangspunkt S₁₁ zum ersten Endpunkt E₁₁ ab, der unmittelbar vor dem ersten Anfangspunkt S₁₂ liegt; die E-Strahlsäule 330 ₁₂ tastet vom ersten Anfangspunkt S₁₂ zum ersten Endpunkt E₁₂ ab; die E-Strahlsäule 330 ₂₁ tastet vom ersten Anfangspunkt S₂₁ zum ersten Endpunkt E₂₁ ab, der unmittelbar vor dem ersten Anfangspunkt S₂₂ liegt; die E-Strahlsäule 330 ₂₂ tastet vom ersten Anfangspunkt S₂₂ zum ersten Endpunkt E₂₂ ab; und so weiter. Daher tasten die E-Strahlsäulen 330 ₁₂, 330 ₁₂, 330 ₂₁ und 330 ₂₂ eine selbe Länge ab, die gleich etwa D/2 ist.
Unter Bezugnahme auf 2 und 5B fährt das Verfahren 200 für den Weg A mit Schritt 210A durch Ausführen einer ersten Bewegung zum Bewegen der E-Strahlsäule 330 _MN (durch Bewegen des Wafers 210) vom ersten Endpunkt E_MN zu einem zweiten Anfangspunkt R_MN fort, so dass der zweite Anfangspunkt R_MN denselben X-Wert wie der erste Endpunkt E_MN hat, aber einen anderen Y-Wert, was zur nächsten Abtastfläche fährt (in 5B stellen schattierte Flächen abgetastete Flächen in der Feldmatrix 314 dar). Als ein Beispiel, wie in 5B dargestellt, bewegt sich der E-Strahl 330 ₁₁ vom ersten Endpunkt E₁₁ nach unten zum zweiten Anfangspunkt R₁₁, der E-Strahl 330 ₁₂ bewegt sich vom ersten Endpunkt E₁₂ nach unten zum zweiten Anfangspunkt R₁₂, und so weiter.
Unter Bezugnahme auf 2 und 5C fährt das Verfahren 200 für den Weg A mit Schritt 212A durch Ausführen eines zweiten Belichtungsprozesses in einem Abtastmodus an der Feldmatrix 314 durch jede E-Strahlsäule 330 _MN entlang einer X-Richtung zurück (wie durch den Pfeil in 5C dargestellt) zu einem entsprechenden zweiten Endpunkt T_MN fort, wobei hier T_MN den zweiten Endpunkt für die E-Strahlsäule 330 _MN darstellt. In einigen Ausführungsformen hat der zweite Endpunkt T_MN denselben X-Wert wie der erste Anfangspunkt S_MN, aber einen anderen Y-wert. Die E-Strahlsäule 330 _MN kann in einem Rastermodus, Vektormodus oder einem anderen passenden Modus abtasten. In der vorliegenden Ausführungsform wird die zweite Belichtungsabtastung durch Ausführen der Bewegung des Wafers 310 (durch eine Waferstufe) relativ zur E-Strahlsäule 330 _MN entlang einer Richtung ausgeführt, die zur Pfeilrichtung entgegengesetzt ist. Der Einfachheit und Deutlichkeit wegen wird die Richtung, in die der Pfeil zeigt, zur Darstellung einer relativen Bewegung zwischen der E-Strahlsäule 330 _MN und dem Wafer 310 verwendet. Daher tastet jede der E-Strahlsäulen 330 _MN (mit Belichtung) dieselbe Länge einer Belichtungsabtastung ab, die etwa D/N gleich ist.
Als ein Beispiel, wie in 5C dargestellt, tastet 330 ₁₁ vom zweiten Anfangspunkt R₁₁ zum zweiten Endpunkt T₁₁ ab; die 330 ₁₂ tastet (mit Belichtung) vom zweiten Anfangspunkt R₁₂ zum zweiten Endpunkt T₁₂ ab; die 330 ₂₁ tastet (mit Belichtung) vom zweiten Anfangspunkt R₂₁ zum zweiten Endpunkt T₂₁ ab und die 330 ₂₂ tastet (mit Belichtung) vom zweiten Anfangspunkt R₂₂ zum zweiten Endpunkt T₂₂ ab. Jede E-Strahlsäule 330 _MN tastet (mit Belichtung) dieselbe Länge einer Belichtungsabtastung ab, die etwa D/N gleich ist.
Unter Bezugnahme auf 2 und 5D fährt das Verfahren 200 mit Schritt 214A zur Ausführung einer zweiten Bewegung fort, um die E-Strahlsäule 330 _MN vom zweiten Endpunkt T_MN zu einem dritten Anfangspunkt U_MN zu bewegen, so dass der dritte Anfangspunkt U_MN denselben X-Wert wie der entsprechende zweite Endpunkt T_MN und einen anderen Wert entlang der Y-Richtung hat, hin zur nächsten Abtastfläche (in 5D stellen schattierte Flächen (mit Belichtung) abgetastete Flächen in der Feldmatrix 314 dar). Wie zum Beispiel in 5D dargestellt, bewegt sich der E-Strahl 330 _MN vom zweiten Endpunkt T₁₂ nach unten zum dritten Anfangspunkt U₁₂, der E-Strahl 330 _MN bewegt sich vom zweiten Endpunkt T₂₂ nach unten zum dritten Anfangspunkt U₂₂, und so weiter.
Für Weg A können die Schritte 208A–214A mehrere Male wiederholt werden, bis die gesamte Feldmatrix 314 von der E-Strahlsäule 330 _MN abgetastet und belichtet ist.
Unter Bezugnahme auf 2 und 6A–6B fährt das Verfahren 200 für den Weg B, wenn D_MN nicht null ist, mit Schritt 208B fort, indem ein erster Belichtungsprozess im Abtastmodus an der Feldmatrix 314 durch jede E-Strahlsäule 330 _MN entlang der X-Richtung (wie durch einen Pfeil in 6A dargestellt ist) mit einer individuellen Einschaltzeit für die E-Strahlsäule 330 _MN ausgeführt wird. In der vorliegenden Ausführungsform wird die E-Strahlsäule 330 _MN (N ist ungleich 1) mit einer Verzögerungszeit t_MN eingeschaltet, die gleich D_MN/v ist, wobei v die Abtastgeschwindigkeit ist. Daher wird jede E-Strahlsäule 330 _MN an gleichen Stellen der entsprechenden Felder 312 eingeschaltet, z. B. an einem Rand des Feldes 312, und somit können dieselben Daten, die von der IC-Datenbank (wie der oben unter Bezugnahme auf 1 beschriebenen IC-Datenbank 130) gesendet werden, von jeder E-Strahlsäule 330 _MN im selben Abschnitt M verwendet werden, was die Datenbankgröße und Datenverarbeitungszeit verringert. Als ein Beispiel, wie in 6A dargestellt, werden die E-Strahlsäulen 330 ₁₂, 330 ₂₂ und 330 ₃₂ (dargestellt durch einen schattierten Kreis) mit der Verzögerungszeit t_M2 = (D_M2/v) eingeschaltet.
Unter Bezugnahme auf 6B tastet die E-Strahlsäule 330 _MN vom ersten Anfangspunkt S_MN zum ersten Endpunkt E_MN ab. In der vorliegenden Ausführungsform tasten alle E-Strahlsäulen 330 _MN gleichzeitig vom ersten Anfangspunkt S_MN zum ersten Endpunkt E_MN ab. Daher tastet jede E-Strahlsäule 330 _MN dieselbe Länge ab, die etwa {(D/N) + D_MN} ist. Zum Beispiel ist die Abtastlänge gleich {(D/2) + D_M2} für E-Strahlsäulen 330 ₁₁, 330 ₁₂, 330 ₂₁, 330 ₂₂, 330 ₃₁ und 330 ₃₂. In diesem Fall tasten die E-Strahlsäulen 330 ₁₁, 330 ₂₁ und 330 ₃) die Linie P₁ ab, während die E-Strahlsäulen 330 ₁₂, 330 ₂₂ und 330 ₃₂ die Linie P₂ abtasten.
Unter Bezugnahme auf 2 und 6C führt das Verfahren 200 für den Weg B mit Schritt 210B fort, indem die erste Bewegung ausgeführt wird, um die E-Strahlsäule 330 _MN vom ersten Endpunkt E_MN zum zweiten Anfangspunkt R_MN zu bewegen. Die Bewegung ist in vieler Hinsicht der oben in Schritt 210A in Verbindung mit 5B besprochenen ähnlich.
Unter Bezugnahme auf 2 und 6D fährt das Verfahren 200 für Weg B mit Schritt 212B fort, indem der zweite Belichtungsprozess in einem Abtastmodus ausgeführt wird, um die Feldmatrix 314 durch jede E-Strahlsäule 330 _MN entlang der X-Richtung (wie durch einen Pfeil in 6D dargestellt) zum entsprechenden zweiten Endpunkt T_MN zurück abzutasten. Die zweite Abtastung ist in vieler Hinsicht der oben in Schritt 212A in Verbindung mit 5C besprochenen ähnlich, mit der Ausnahme, dass die E-Strahlsäule 330 _MN individuell ausgeschaltet wird. Der E-Strahl 330 _MN (mit Ausnahme von 330 _M1) wird ausgeschaltet, wenn er den zweiten Endpunkt R_M1 der E-Strahlsäule 330 _M1 erreicht. Als ein Beispiel, wie in 6D dargestellt, werden die E-Strahlsäulen 330 ₁₂, 330 ₂₂ und 330 ₃₂ an den zweiten Anfangspunkten R₁₁, R₂₁ und R₃₁ (an der Linie P₁) ausgeschaltet.
Unter Bezugnahme auf 2 und 6E fährt das Verfahren 200 für den Weg B mit Schritt 214B durch Ausführen einer zweiten Bewegung fort, um die die E-Strahlsäule 330 _MN vom zweiten Endpunkt T_MN zum dritten Anfangspunkt U_MN zu bewegen. Die zweite Bewegung ist in vieler Hinsicht der oben in Schritt 214A in Verbindung mit 5D besprochenen ähnlich.
Für Weg B können die Schritte 208B–214B mehrere Male wiederholt werden, bis die gesamte Feldmatrix 314 abgetastet und mit der E-Strahlsäule 330 _MN belichtet ist.
Unter Bezugnahme auf 2 und 7A fährt das Verfahren 200 für den Weg C, wenn D_MN nicht null ist, mit Schritt 208C fort, indem ein Ablenkungsprozess ausgeführt wird, wodurch E-Strahlen der E-Strahlsäulen 330 _MN individuell nach vorne entlang der X-Richtung auf der Feldmatrix 314 um D_MN verschoben werden, so dass die E-Strahlen der E-Strahlsäulen 330 _MN in Abschnitt M zu gleichen Stellen der entsprechenden Felder 312 gelenkt werden. Der Ablenkungsprozess kann von einem Deflektor ausgeführt werden, wie dem Deflektor 106 in 1. Als ein Beispiel, wie in 7A dargestellt, werden die E-Strahlen der E-Strahlsäulen 330 ₁₂, 330 ₂₂ und 330 ₃₂ nach vorne entlang der X-Richtung um D_M2 von der Linie L zur Linie P₁ abgelenkt.
Unter Bezugnahme auf 2 und 7B fährt das Verfahren 200 für den Weg C mit Schritt 210C fort, indem der erste Belichtungsprozess im Abtastmodus an der Feldmatrix 314 von jeder E-Strahlsäule 330 _MN entlang der X-Richtung (wie durch einen Pfeil in 7B dargestellt) vom ersten Anfangspunkt S_MN zum ersten Endpunkt E_M ausgeführt wird. Der Belichtungsprozess ist in vieler Hinsicht dem oben in Schritt 208A in Verbindung mit 5A besprochenen ähnlich. Jede E-Strahlsäule 330 _MN tastet dieselbe Abtastlänge ab, die etwa {(D/n) + D_MN) ist. Wie zum Beispiel in 7B dargestellt ist, ist die Abtastlänge gleich {(D/2) + D_M2} für E-Strahlsäulen 330 ₁₁, 330 ₁₂, 330 ₂₁, 330 ₂₂, 330 ₃₁ und 330 ₃₂. In diesem Fall tasten die E-Strahlsäulen 330 _11, 330 ₂₁ und 330 ₃₁ die Linie P₁ ab, während die E-Strahlsäulen 330 ₁₂, 330 ₂₂ und 330 ₃₂ die Linie P₂ abtasten. Durch Ablenken der E-Strahlen der E-Strahlsäulen 330 _MN zu gleichen Stellen der entsprechenden Felder 312 können dieselben Daten, die von der IC-Datenbank (wie der oben unter Bezugnahme auf 1 beschriebenen IC-Datenbank 130) gesendet werden, von jeder E-Strahlsäule 330 _MN im selben Abschnitt M verwendet werden, was die Datenbankgröße und Datenverarbeitungszeit verringert.
Unter Bezugnahme auf 2 und 7C fährt das Verfahren 200 für den Weg C mit Schritt 212C fort, indem die erste Bewegung zum Bewegen der E-Strahlsäule 330 _MN vom ersten Endpunkt E_MN zum zweiten Anfangspunkt R_MN ausgeführt wird. Die Bewegung ist in vieler Hinsicht der oben in Schritt 210A in Verbindung mit 5B besprochenen ähnlich.
Unter Bezugnahme auf 2 und 7D fährt das Verfahren 200 für den Weg C mit Schritt 214C fort, indem der zweite Belichtungsprozess durch Rückabtasten an der Feldmatrix 314 gleichzeitig durch jede E-Strahlsäule 330 _MN entlang der X-Richtung (wie durch einen Pfeil in 7D dargestellt) zum zweiten Endpunkt T_MN ausgeführt wird. Die zweite Belichtungsabtastung ist in vieler Hinsicht der oben in Schritt 212A in Verbindung mit 5C besprochenen ähnlich.
Unter Bezugnahme auf 2 und 7E fährt das Verfahren 200 für den Weg C mit Schritt 216C fort, indem eine zweite Bewegung zum Bewegen der E-Strahlsäule 330 _MN vom zweiten Endpunkt T_MN zum dritten Anfangspunkt U_MN durchgeführt wird. Die zweite Bewegung ist in vieler Hinsicht der oben in Schritt 214A in Verbindung mit 5D besprochenen ähnlich.
Für Weg C können die Schritte 208C–216C mehrere Male wiederholt werden, bis die gesamte Feldmatrix 314 von der E-Strahlsäule 330 _MN abgetastet und belichtet ist.
Es können zusätzliche Schritte vor, während und nach dem Verfahren 200 bereitgestellt sein und einige der beschriebenen Schritte können für zusätzliche Ausführungsformen des Verfahrens 200 ersetzt, eliminiert oder anders positioniert sein. Zum Beispiel können der Ablenkungsprozess und die Belichtungseinschaltverzögerung gemeinsam in den Positionierungs- und Belichtungsprozessen ausgeführt werden, so dass die E-Strahlsäulen 330 _MN individuell entlang der X-Richtung auf der Feldmatrix 314 um eine Strecke D_MN verschoben und mit einer Verzögerungszeit t_MN eingeschaltet werden. Somit wird jede E-Strahlsäule 330 _MN an gleichen Stellen der entsprechenden Felder 312 eingeschaltet. Daher tastet jede E-Strahlsäule 330 _MN dieselbe Abtastlänge ab, die etwa [D/N + D_MN + (v × t_MN)] ist.
Anhand des Vorhergesagten stellt die vorliegende Offenbarung ein Verfahren eines E-Strahl-Lithografieprozesses bereit. Das Verfahren verwendet eine Positionierung von E-Strahlsäulen, die in einer Abtastrichtung angeordnet sind und mit einem Ablenkungsprozess und einem Belichtungszeitverzögerungsprozess ausgestattet sind. Das Verfahren zeigt eine Abtastlängenverringerung, Datenbankverkleinerung und Durchsatzverbesserung.
Somit stellt die vorliegende Offenbarung ein Verfahren für einen Lithografieprozess bereit. Das Verfahren umfasst das Laden einer Trägerschicht in ein Elektronenstrahl(E-Strahl)-System, so dass eine erste Untermenge von Feldern, die auf der Trägerschicht definiert ist, auf der Trägerschicht entlang einer ersten Richtung angeordnet ist. Das Verfahren umfasst auch das Positionieren mehrerer E-Strahlsäulen, die eine erste Untermenge von E-Strahlsäulen umfassen, die entlang der ersten Richtung angeordnet ist. Die E-Strahlsäulen der ersten Untermenge von E-Strahlsäulen sind auf verschiedene Felder der ersten Untermenge von Feldern gerichtet. Das Verfahren umfasst auch das Durchführen eines ersten Belichtungsprozesses in einem Abtastmodus, so dass die mehreren E-Strahlsäulen die Trägerschicht entlang der ersten Richtung abtasten.
In einer anderen Ausführungsform umfasst das Verfahren das Laden einer Trägerschicht in ein Elektronenstrahl(E-Strahl)-System, so dass eine erste Untermenge von Feldern, der auf der Trägerschicht definiert ist, auf der Trägerschicht entlang einer ersten Richtung angeordnet ist. Das Verfahren umfasst auch das Positionieren eines E-Strahlmoduls, das eine erste Untermenge von E-Strahlsäulen umfasst, die entlang der ersten Richtung angeordnet ist, so dass E-Strahlen von der ersten Untermenge von E-Strahlsäulen auf verschiedene Felder der ersten Untermenge von Feldern gerichtet sind. Das Verfahren umfasst auch das Durchführen eines ersten Belichtungsprozesses in einem Abtastmodus, so dass die mehreren E-Strahlsäulen an gleichen Stellen der entsprechenden Felder eine Belichtung eingeschalten und die Trägerschicht entlang der ersten Richtung abtasten.
In einer weiteren Ausführungsform umfasst das Verfahren das Laden einer Trägerschicht in ein Elektronenstrahl(E-Strahl)-System, so dass eine erste Untermenge von Feldern, die auf der Trägerschicht definiert ist, auf der Trägerschicht entlang einer ersten Richtung angeordnet ist. Das Verfahren umfasst auch das Positionieren eines E-Strahlsystems, das eine erste E-Strahlsäule und eine zweite E-Strahlsäule umfasst, der entlang der ersten Untermenge von Feldern entlang der ersten Richtung angeordnet sind. Die erste E-Strahlsäule wird auf ein Feld an einem Ende der Trägerschicht gerichtet und die zweite E-Strahlsäule wird auf ein Feld in der Mitte der Trägerschicht gerichtet. Das Verfahren umfasst auch das Durchführen eines ersten Belichtungsprozesses in einem Abtastmodus, so dass die erste E-Strahlsäule und die zweite E-Strahlsäule die Trägerschicht jeweils entlang der ersten Richtung von einem entsprechenden ersten Anfangspunkt zu einem entsprechenden ersten Endpunkt abtasten.
Zuvor wurden Merkmale von mehreren Ausführungsformen skizziert, so dass Fachleute auf dem Gebiet die Aspekte der vorliegenden Offenbarung besser verstehen können. Fachleute auf dem Gebiet sollten zu schätzen wissen, dass sie die vorliegende Offenbarung sofort als Basis zur Gestaltung oder Modifizierung anderer Prozesse und Strukturen zur Ausführung derselben Zwecke und/oder zum Erzielen derselben Vorteile der hier vorgestellten Ausführungsformen verwenden können. Fachleute auf dem Gebiet sollten auch erkennen, dass solche äquivalenten Konstruktionen nicht vom Wesen und Umfang der vorliegenden Offenbarung abweichen und dass sie verschiedene Änderungen, Ersetzungen und Abänderungen hier vornehmen können, ohne vom Wesen und Umfang der vorliegenden Offenbarung abzuweichen.

Claims

Verfahren, umfassend: Laden einer Trägerschicht in ein Elektronenstrahl(E-Strahl)-System, so dass eine erste Untermenge von Feldern, die auf der Trägerschicht definiert ist, auf der Trägerschicht entlang einer ersten Richtung angeordnet ist; Positionieren mehrerer E-Strahlsäulen, die eine erste Untermenge von E-Strahlsäulen umfassen, die entlang der ersten Richtung angeordnet ist, so dass E-Strahlsäulen der ersten Untermenge von E-Strahlsäulen auf verschiedene Felder der ersten Untermenge von Feldern gerichtet sind; und Durchführen eines ersten Belichtungsprozesses in einem Abtastmodus, so dass die mehreren E-Strahlsäulen die Trägerschicht entlang der ersten Richtung abtasten.
Verfahren nach Anspruch 1, wobei das Positionieren der mehreren E-Strahlsäulen, welche die erste Untermenge von E-Strahlsäulen umfassen, die entlang der ersten Richtung ausgerichtet ist, des Weiteren das Durchführen eines Ablenkungsprozesses umfasst, wodurch E-Strahlen der ersten Untermenge von E-Strahlsäulen entlang der ersten Richtung auf der Trägerschicht so verschoben werden, dass die E-Strahlen auf gleiche Stellen der entsprechenden Felder gerichtet werden.
Verfahren nach Anspruch 2, wobei jede der ersten Untermengen von E-Strahlsäulen denselben Satz von Daten verwendet.
Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, wobei das Durchführen des ersten Belichtungsprozesses im Abtastmodus des Weiteren das Einschalten jeder der mehreren E-Strahlsäulen mit einer Verzögerungszeit umfasst, so dass die mehreren E-Strahlsäulen an gleichen Stellen der entsprechenden Felder eingeschaltet werden.
Verfahren nach Anspruch 4, wobei jede E-Strahlsäule in der ersten Untermenge von E-Strahlsäulen denselben Datensatz verwendet.
Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, wobei die erste Untermenge von E-Strahlsäulen mit derselben Abtastlänge entlang der ersten Richtung abtastet, wobei die Abtastlänge etwa D/N ist, wobei D eine Gesamtbreite der Trägerschicht ist und N die Gesamtanzahl von E-Strahlsäulen in der ersten Untermenge von E-Strahlsäulen ist.
Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, des Weiteren umfassend: nachdem jede E-Strahlsäule von einem ersten Anfangspunkt zu einem ersten Endpunkt abgetastet hat, Bewegen der ersten Untermenge von E-Strahlsäulen entlang einer zweiten Richtung vom ersten Endpunkt zu einem zweiten Anfangspunkt, wobei die zweite Richtung senkrecht zur ersten Richtung verläuft und der zweite Anfangspunkt mit dem ersten Endpunkt entlang der zweiten Richtung ausgerichtet ist; und Durchführen eines zweiten Belichtungsprozesses in einem Abtastmodus, so dass die mehreren E-Strahlsäulen die Trägerschicht entlang einer Richtung, die zur ersten Richtung entgegengesetzt ist, vom zweiten Anfangspunkt zu einem zweiten Endpunkt abtasten, wobei der zweite Endpunkt mit dem ersten Anfangspunkt entlang der zweiten Richtung ausgerichtet ist.
Verfahren, umfassend: Laden einer Trägerschicht in ein Elektronenstrahl(E-Strahl)-System, so dass eine erste Untermenge von Feldern, die auf der Trägerschicht definiert ist, auf der Trägerschicht entlang einer ersten Richtung angeordnet ist; Positionieren eines E-Strahlmoduls, das eine erste Untermenge von E-Strahlsäulen umfasst, die entlang der ersten Richtung angeordnet ist, so dass E-Strahlen der ersten Untermenge von E-Strahlsäulen auf verschiedene Felder der ersten Untermenge von Feldern gerichtet sind; und Durchführen eines ersten Belichtungsprozesses in einem Abtastmodus, so dass die mehreren E-Strahlsäulen an gleichen Stellen der entsprechenden Felder eine Belichtung einschalten und die Trägerschicht entlang der ersten Richtung abtasten.
Verfahren nach Anspruch 8, wobei jede der E-Strahlsäulen der ersten Untermenge von E-Strahlsäulen denselben Satz von Daten verwendet.
Verfahren nach Anspruch 8 oder 9, wobei das Durchführen des ersten Belichtungsprozesses im Abtastmodus, so dass die mehreren E-Strahlsäulen an gleichen Stellen der entsprechenden Felder die Belichtung einschalten, des Weiteren umfasst: Einschalten jeder der mehreren E-Strahlsäulen mit einer Verzögerungszeit.
Verfahren nach einem der Ansprüche 8 bis 10, des Weiteren umfassend: vor der Durchführung des ersten Belichtungsprozesses, Durchführen eines Ablenkungsprozesses, wodurch E-Strahlen der ersten Untermenge von E-Strahlsäulen individuell entlang der ersten Richtung eine entsprechende Strecke d auf der Trägerschicht so verschoben werden, dass die E-Strahlen auf ähnliche Stellen der entsprechenden Felder gerichtet werden.
Verfahren nach Anspruch 11, wobei jede E-Strahlsäule in der ersten Untermenge von E-Strahlsäulen mit derselben Abtastlänge entlang der ersten Richtung abtastet, die etwa (D/N + d) ist, wobei D eine Gesamtbreite der Trägerschicht ist, N die Gesamtanzahl von E-Strahlsäulen in der ersten Untermenge von E-Strahlsäulen ist und d die entsprechende Strecke ist, über die eine individuelle E-Strahlsäule durch den Ablenkungsprozess verschoben wird.
Verfahren nach einem der Ansprüche 8 bis 12, wobei jede E-Strahlsäule in der ersten Untermenge von E-Strahlsäulen mit derselben Abtastlänge entlang der ersten Richtung abtastet, die etwa [D/N + (V × t)] ist, wobei D eine Gesamtbreite der Trägerschicht ist, N die Gesamtanzahl von E-Strahlsäulen in der ersten Untermenge von E-Strahlsäulen ist, V eine Abtastgeschwindigkeit ist und t eine Verzögerungszeit ist.
Verfahren nach einem der Ansprüche 8 bis 13, des Weiteren umfassend: nachdem jede E-Strahlsäule von einem ersten Anfangspunkt zu einem ersten Endpunkt abgetastet hat, Bewegen des ersten Untermengees von E-Strahlsäulen entlang einer zweiten Richtung vom ersten Endpunkt zu einem zweiten Anfangspunkt, senkrecht zur ersten Richtung, und wobei der zweite Anfangspunkt mit dem ersten Endpunkt entlang der zweiten Richtung ausgerichtet ist; und Durchführen eines zweiten Belichtungsprozesses in einem Abtastmodus, so dass die mehreren E-Strahlsäulen die Trägerschicht entlang einer Richtung, die zur ersten Richtung entgegengesetzt ist, vom zweiten Anfangspunkt zu einem zweiten Endpunkt abtasten, wobei der zweite Endpunkt mit dem ersten Anfangspunkt entlang der zweiten Richtung ausgerichtet ist.
Verfahren, umfassend: Laden einer Trägerschicht in ein Elektronenstrahl(E-Strahl)-System, so dass eine erste Untermenge von Feldern, die auf der Trägerschicht definiert ist, auf der Trägerschicht entlang einer ersten Richtung angeordnet ist; Positionieren eines E-Strahlsystems, das eine erste E-Strahlsäule und eine zweite E-Strahlsäule umfasst, die entlang der ersten Untermenge von Feldern entlang der ersten Richtung angeordnet sind, so dass: die erste E-Strahlsäule auf ein Feld an einem Ende der Trägerschicht gerichtet ist; und die zweite E-Strahlsäule auf ein Feld in der Mitte der Trägerschicht gerichtet ist; und Durchführen eines ersten Belichtungsprozesses in einem Abtastmodus, so dass die erste E-Strahlsäule und die zweite E-Strahlsäule die Trägerschicht jeweils entlang der ersten Richtung von einem entsprechenden ersten Anfangspunkt zu einem entsprechenden ersten Endpunkt abtasten.
Verfahren nach Anspruch 15, wobei das Positionieren des E-Strahlsystems des Weiteren das Durchführen eines Ablenkungsprozesses umfasst, um die zweite E-Strahlsäule entlang der ersten Richtung auf der Trägerschicht so zu verschieben, dass die erste E-Strahlsäule und die zweite E-Strahlsäule sich an gleichen Stellen des entsprechenden Feldes befinden, wobei die erste E-Strahlsäule und die zweite E-Strahlsäule denselben Satz von Daten verwenden.
Verfahren nach Anspruch 15 oder 16, wobei das Durchführen des ersten Belichtungsprozesses im Abtastmodus des Weiteren das Einschalten der zweiten E-Strahlsäule mit einer Zeitverzögerung in Bezug auf die erste E-Strahlsäule umfasst, so dass die erste E-Strahlsäule und die zweite E-Strahlsäule an gleichen Stellen der entsprechenden Felder eingeschaltet werden, wobei die erste E-Strahlsäule und die zweite E-Strahlsäule denselben Satz von Daten verwenden.
Verfahren nach einem der Ansprüche 15 bis 17, wobei die erste E-Strahlsäule und die zweite E-Strahlsäule mit derselben Abtastlänge entlang der ersten Richtung abtasten, die etwa [D/2 + (V × t)] ist, wobei D eine Gesamtbreite der Trägerschicht ist, V eine Abtastgeschwindigkeit ist und t eine Verzögerungszeit ist.
Verfahren nach einem der Ansprüche 15 bis 18, wobei die erste E-Strahlsäule und die zweite E-Strahlsäule mit derselben Abtastlänge entlang der ersten Richtung abtasten, die etwa (D/2 + d) ist, wobei D eine Gesamtbreite der Trägerschicht ist und d die entsprechende Strecke ist, über die die zweite E-Strahlsäule durch den Ablenkungsprozess verschoben wird.
Verfahren nach einem der Ansprüche 15 bis 19, des Weiteren umfassend: nach der Durchführung des ersten Belichtungsprozesses, Bewegen der ersten E-Strahlsäule und der zweiten E-Strahlsäule entlang einer zweiten Richtung, die senkrecht zur ersten Richtung verläuft, vom ersten Endpunkt zu einem zweiten Anfangspunkt, wobei der zweite Anfangspunkt mit dem ersten Endpunkt entlang der zweiten Richtung ausgerichtet ist; und Durchführen eines zweiten Belichtungsprozesses in einem Abtastmodus, so dass die erste E-Strahlsäule und die zweite E-Strahlsäule die Trägerschicht entlang einer Richtung entgegengesetzt zur ersten Richtung vom zweiten Anfangspunkt zu einem zweiten Endpunkt abtasten, wobei der zweite Endpunkt mit dem ersten Anfangspunkt entlang der zweiten Richtung ausgerichtet ist.