JP2018074133A - 荷電粒子マルチビームレットリソグラフィーシステムを使用し、一意的チップを製作すること - Google Patents
荷電粒子マルチビームレットリソグラフィーシステムを使用し、一意的チップを製作すること Download PDFInfo
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Abstract
Description
Claims (30)
- マスクレスパターンライターを使用するマスクレスリソグラフィック露光システムを使用し、電子デバイスを製造する方法であって、
前記電子デバイスの作成のためにウェハを露光するために前記マスクレスパターンライターを制御するためのビームレット制御データを生成することであって、前記ビームレット制御データが、
前記ウェハから製造される前記電子デバイスのために複数の構造を定義する設計レイアウトデータと、
前記設計レイアウトの前記構造のどれが前記ウェハから製造される各電子デバイスに対して適用可能であるのかを定義する選択データであって、前記電子デバイスの異なる部分集合のために前記構造の異なる集合を定義する前記選択データと
に基づいて生成される、ビームレット制御データを生成することと
を含み、
前記ビームレット制御データに従って前記ウェハを露光することにより、前記電子デバイスの異なる部分集合のために前記構造の異なる集合を有するパターンを露光することになる方法。 - 前記設計レイアウトデータが、
前記電子デバイスのすべてに対して適用可能な構造を定義する共通設計レイアウトデータと、
前記構造の前記異なる集合が前記選択データに従ってそこから選択可能である前記電子デバイスの内の特定の電子デバイスに適用可能な構造を定義する非共通設計レイアウトデータとを備える、請求項1に記載の方法。 - 前記選択データが、前記電子デバイスのそれぞれについて、前記ビームレット制御データが、前記設計レイアウトデータで定義される前記構造の1つ又は複数を定義するデータを含むのか、それとも含まないのかを指定する、請求項1に記載の方法。
- 前記設計レイアウトデータが、前記選択データに従って選択可能な前記構造を定義する設計レイアウトデータしか含まない、請求項1に記載の方法。
- 第1のネットワーク経路を介して前記マスクレスリソグラフィー露光システムで前記設計レイアウトデータを受信することと、
前記第1のネットワーク経路とは別個の第2のネットワーク経路を介して前記マスクレスリソグラフィー露光システムで前記選択データを受信することとをさらに含む、請求項1に記載の方法。 - 前記ビームレット制御データを生成する前記ステップが、さらにロケーションメタデータに基づき、前記ロケーションメタデータが前記設計レイアウトデータに定義される前記構造の場所を指定する、請求項1に記載の方法。
- 前記ロケーションメタデータ及び前記選択データに基づいてワイプアウトマスクデータを生成することをさらに含み、前記ビームレット制御データの前記生成することが、前記設計レイアウトデータから非選択構造を削除するために前記設計レイアウトデータ又は前記設計レイアウトデータの派生物と前記ワイプアウトマスクデータをマージすることを含む、請求項6に記載の方法。
- 前記電子デバイスが半導体チップであり、前記マスクレスパターンライターが荷電粒子マルチビームレットリソグラフィー機械である、請求項1に記載の方法。
- 前記構造が、
ビアとしても知られる金属層の間の接続と、
金属層と、接触層のゲートとの間の接続と、
ローカル相互接続層での接続と、
トランジスタ又はダイオードの特定の部分のPインプラント又はNインプラントと
の内の少なくも1つを含む、請求項1に記載の方法。 - マスクレスパターンライターを使用するマスクレスリソグラフィー露光システムを使用し、電子デバイスを製造する方法を使用し、作成される電子デバイスであって、前記方法が、
前記電子デバイスの作成のためにウェハを露光するために前記マスクレスパターンライターを制御するためのビームレット制御データを生成することであって、前記ビームレット制御データが、
前記ウェハから製造される前記電子デバイスのために複数の構造を定義する設計レイアウトデータと、
前記設計レイアウトデータの前記構造のどれが前記ウェハから製造される各電子デバイスに対して適用可能であるのかを定義する選択データであって、前記電子デバイスの異なる部分集合のために前記構造の異なる集合を定義する前記選択データと
に基づいて生成される、ビームレット制御データを生成することと
を含み、
前記ビームレット制御データに従って前記ウェハを露光することにより、前記電子デバイスの異なる部分集合のために前記構造の異なる集合を有するパターンを露光することになる電子デバイス。 - 前記電子デバイスが任意の他の作成された半導体チップとは異なる真に一意的半導体チップである、請求項10に記載の電子デバイス。
- 金属層及び隣接層を備え、前記非共通設計レイアウトデータによって定義される前記構造が前記金属層と前記隣接層との間の接続を含む、請求項10に記載の電子デバイス。
- マスクレスパターンライターを使用するマスクレスリソグラフィー露光システムを使用し、電子デバイスを製造する方法を実行するように構成されるマスクレスリソグラフィー露光システムであって、前記方法が、
前記電子デバイスの作成のためにウェハを露光するために前記マスクレスパターンライターを制御するためのビームレット制御データを生成することであって、前記ビームレット制御データが、
前記ウェハから製造される前記電子デバイスのために複数の構造を定義する設計レイアウトデータと、
前記設計レイアウトデータの前記構造のどれが前記ウェハから製造される各電子デバイスに対して適用可能であるのかを定義する選択データであって、前記電子デバイスの異なる部分集合のために前記構造の異なる集合を定義する前記選択データと
に基づいて生成される、ビームレット制御データを生成することと
を含み、
前記ビームレット制御データに従って前記ウェハを露光することにより、前記電子デバイスの異なる部分集合のために前記構造の異なる集合を有するパターンを露光することになるマスクレスリソグラフィー露光システム。 - 前記設計レイアウトデータの前記構造のどれが前記ウェハから製造される各電子デバイスに対して適用可能であるのかを定義する前記選択データを生成するように構成されたブラックボックスデバイスを備え、前記選択データが前記電子デバイスの異なる部分集合のために前記構造の異なる集合を定義する、請求項13に記載のマスクレスリソグラフィー露光システム。
- 請求項13に記載のマスクレスリソグラフィー露光システムを備える半導体製造工場。
- ラスタライザ及びマスクレスパターンライターを備えるリソグラフィーサブシステムであって、
前記ラスタライザが、電子デバイスの前記作成のためにウェハを露光するために前記マスクレスパターンライターを制御するためのビームレット制御データを生成するように構成され、前記ビームレット制御データが、
前記ウェハから製造される前記電子デバイスのために複数の構造を定義する設計レイアウトデータと、
前記設計レイアウトデータの前記構造のどれが前記ウェハから製造される各電子デバイスに対して適用可能であるのかを定義する選択データであって、前記電子デバイスの異なる部分集合のために前記構造の異なる集合を定義する前記選択データと
に基づいて生成され、
前記ビームレット制御データに従って前記ウェハを露光することにより、前記電子デバイスの異なる部分集合のために前記構造の異なる部分集合を有するパターンを露光することになるリソグラフィーサブシステム。 - 前記ラスタライザが、
前記設計レイアウトデータから生成されるリソグラフィーサブシステム特有のフォーマットでパターンベクトルデータを受信し、
前記選択データを受信し、
前記設計レイアウトデータに定義され、前記選択データに従って選択可能である前記構造のそれぞれの場所を指定するロケーションメタデータを受信し、
前記パターンベクトルデータ、前記ロケーションメタデータ、及び前記選択データを処理して、前記ビームレット制御データを入手するように構成される、請求項16に記載のリソグラフィーサブシステム。 - 半導体チップの3つ以上の層に形成される複数の構造を備える前記半導体チップを備える電子デバイスであって、
前記半導体チップが半導体チップの集合の要素であり、前記集合の前記半導体チップのそれぞれが、前記集合の前記半導体チップのすべてに存在する共通構造の集合、及び前記集合の前記半導体チップの部分集合にしか存在しない非共通構造の集合を有し、
前記非共通構造が、第1の層の上方に前記層の第2の層を有し、前記第1の層の下方に前記層の第3の層を有する前記層の少なくとも前記第1の層に形成される電子デバイス。 - 半導体チップの複数の層に形成される複数の構造を備える前記半導体チップを備える電子デバイスであって、
前記半導体チップが半導体チップの集合の要素であり、前記集合の前記半導体チップのそれぞれが、前記集合の前記半導体チップのすべてに存在する共通構造の集合、及び前記集合の前記半導体チップの部分集合にしか存在しない非共通構造の集合を有し、
前記非共通構造が、前記複数の層の金属層の間の接続、前記複数の層の金属層と接触層のゲートとの間の接続、前記複数の層のローカル相互接続層での接続、及び前記複数の層の1つのトランジスタ又はダイオードのP−ドープ拡散領域又はN−ドープ拡散領域の少なくとも1つを含む電子デバイス。 - 前記半導体チップの前記共通構造及び前記非共通構造が、電子回路を形成するために相互接続される、請求項18に記載の前記電子デバイス。
- 前記電子デバイスがチャレンジを受け取るための少なくとも1つの入力端子、及びレスポンスを出力するための少なくとも1つの出力端子を備え、前記電子回路が、前記少なくとも1つの入力端子及び前記少なくとも1つの出力端子に接続されたチャレンジ−レスポンス回路を形成し、
前記チャレンジ−レスポンス回路が前記少なくとも1つの入力端子に適用されるチャレンジに基づいて前記少なくとも1つの出力端子でレスポンスを生成するために適応され、前記チャレンジ及び前記レスポンスが所定の関係性を有する請求項20に記載の電子デバイス。 - マスクレスパターンライターを使用するマスクレスリソグラフィー露光システムを使用し、電子デバイスの作成のためにウェハを露光するためにマスクレスパターンライターを制御するためのビームレット制御データを生成するためのコンピュータ実装方法であって、これにより前記ビームレット制御データに従って前記ウェハを露光することにより前記電子デバイスの異なる部分集合のために構造の異なる集合を有するパターンを露光することになり、前記方法が、
前記ウェハから製造される前記電子デバイスのために複数の構造を定義する設計レイアウトデータを受信することと、
前記設計レイアウトデータの前記構造のどれが前記ウェハから製造される各電子デバイスに対して適用可能であるのかを定義する選択データを受信することであって、前記選択データが前記電子デバイスの異なる部分集合に前記構造の異なる集合を定義する、選択データを受信することと、
前記受信された設計レイアウトデータ及び前記受信された選択データに基づいて前記ビームレット制御データを生成することとを含む、コンピュータ実装方法。 - 前記ビームレット制御データを生成する前記ステップが、さらにロケーションメタデータに基づき、前記ロケーションメタデータが前記設計レイアウトデータに定義される前記構造の場所を指定する、請求項22に記載の方法。
- 前記ロケーションメタデータ及び前記選択データに基づいてワイプアウトマスクデータを生成することをさらに含み、前記ビームレット制御データの前記生成することが、前記設計レイアウトデータから非選択構造を削除するために前記設計レイアウトデータ又は前記設計レイアウトデータの派生物と前記ワイプアウトマスクデータをマージすることを含む、請求項22に記載の方法。
- マスクレスパターンライターを使用するマスクレスリソグラフィー露光システムを使用し、電子デバイスの作成のためにウェハを露光するためにマスクレスパターンライターを制御するためのビームレット制御データを生成するためのコンピュータ実装方法を実行するように構成されるプロセッサを備えるデータ処理システムであって、これにより前記ビームレット制御データに従って前記ウェハを露光することにより前記電子デバイスの異なる部分集合のために構造の異なる集合を有するパターンを露光することになり、前記方法が、
前記ウェハから製造される前記電子デバイスのために複数の構造を定義する設計レイアウトデータを受信することと、
前記設計レイアウトデータの前記構造のどれが前記ウェハから製造される各電子デバイスに対して適用可能であるのかを定義する選択データを受信することであって、前記選択データが前記電子デバイスの異なる部分集合のために前記構造の異なる集合を定義する、選択データを受信することと、
前記受信された設計レイアウトデータ及び前記受信された選択データに基づいて前記ビームレット制御データを生成することとを含む、データ処理システム。 - 選択データを生成するためのコンピュータ実装方法であって、前記選択データが、ウェハから製造される電子デバイスに対して適用可能な設計レイアウトデータの構造を定義し、前記方法が、
前記設計レイアウトデータの前記構造のどれが前記ウェハから製造される各電子デバイスに対して適用可能であるのかを定義することによって前記選択データを生成することであって、これにより前記選択データが電子デバイスの異なる部分集合のために前記構造の異なる集合を定義する、前記選択データを生成することを含む、選択データを生成するためのコンピュータ実装方法。 - 前記選択データの前記生成することが、前記設計レイアウトデータによって定義される前記電子デバイスの設計レイアウトの中で前記構造のそれぞれの場所を定義することをさらに含む、請求項26に記載の方法。
- 選択データを生成するためのコンピュータ実装方法を実行するように構成されたプロセッサを備えるデータ処理システムであって、前記選択データが、ウェハから製造される電子デバイスに対して適用可能な設計レイアウトデータの構造を定義し、前記方法が、
前記設計レイアウトデータの前記構造のどれが前記ウェハから製造される各電子デバイスに対して適用可能であるのかを定義する選択データを生成することであって、これにより前記選択データが電子デバイスの異なる部分集合のために前記構造の異なる集合を定義する、選択データを生成することとを含むデータ処理システム。 - コンピュータプログラム製品がコンピュータによって実行されるときに、前記コンピュータに選択データを生成するためのコンピュータ実装方法を実行させる命令を備える、コンピュータ可読非一過性記憶媒体に実装される前記コンピュータプログラム製品であって、前記選択データが前記ウェハから製造される電子デバイスに対して適用可能な設計レイアウトデータの構造を定義し、前記方法が、
前記設計レイアウトデータの前記構造のどれが前記ウェハから製造される各電子デバイスに対して適用可能であるのかを定義することによって前記選択データを生成することであって、これにより前記選択データが電子デバイスの異なる部分集合のために前記構造の異なる集合を定義する、前記選択データを生成することを含む、コンピュータプログラム製品。 - コンピュータによって実行されるときに、前記コンピュータに、選択データを生成するためのコンピュータ実装方法を実行させる命令を備えるコンピュータ可読非一過性記憶媒体であって、前記選択データが、ウェハから製造される電子デバイスに対して適用可能な設計レイアウトデータの構造を定義し、前記方法が、
前記設計レイアウトデータの前記構造のどれが前記ウェハから製造される各電子デバイスに対して適用可能であるのかを定義することによって前記選択データを生成することであって、これにより前記選択データが電子デバイスの異なる部分集合のために前記構造の異なる集合を定義する、前記選択データを生成することを含む、コンピュータ可読非一過性記憶媒体。
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---|---|---|---|
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Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10312091B1 (en) * | 2015-10-13 | 2019-06-04 | Multibeam Corporation | Secure permanent integrated circuit personalization |
US20180068047A1 (en) * | 2016-09-08 | 2018-03-08 | Mapper Lithography Ip B.V. | Method and system for fabricating unique chips using a charged particle multi-beamlet lithography system |
US11023648B2 (en) * | 2017-12-12 | 2021-06-01 | Siemens Industry Software Inc. | Puzzle-based pattern analysis and classification |
US10347486B1 (en) | 2017-12-19 | 2019-07-09 | International Business Machines Corporation | Patterning material film stack with metal-containing top coat for enhanced sensitivity in extreme ultraviolet (EUV) lithography |
US11176300B2 (en) * | 2018-02-03 | 2021-11-16 | Irdeto B.V. | Systems and methods for creating individualized processing chips and assemblies |
US11934762B2 (en) * | 2021-08-06 | 2024-03-19 | Applied Materials, Inc. | Overlaying on locally dispositioned patterns by ML based dynamic digital corrections (ML-DDC) |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05343278A (ja) * | 1992-06-10 | 1993-12-24 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
JPH097924A (ja) * | 1995-06-21 | 1997-01-10 | Nec Corp | 半導体装置の製造装置及び半導体装置の製造方法 |
JP2001109128A (ja) * | 1999-10-12 | 2001-04-20 | Hitachi Ltd | リソグラフィ用パターンデータ生成方法、それを用いた半導体装置の製造方法及び半導体製造装置 |
JP2001337439A (ja) * | 2000-05-26 | 2001-12-07 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路の設計、製造方法および検査方法並びに半導体集積回路 |
JP2003515930A (ja) * | 1999-11-24 | 2003-05-07 | マイクロニック レーザー システムズ アクチボラゲット | 半導体の個別化を行う方法および装置 |
JP2007258691A (ja) * | 2006-02-21 | 2007-10-04 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | レーザ照射装置、レーザ照射方法、及び半導体装置の作製方法 |
JP2011108830A (ja) * | 2009-11-17 | 2011-06-02 | Nuflare Technology Inc | 荷電粒子ビーム描画装置 |
JP2012527766A (ja) * | 2009-05-20 | 2012-11-08 | マッパー・リソグラフィー・アイピー・ビー.ブイ. | デュアルパス走査 |
JP2013521641A (ja) * | 2010-03-05 | 2013-06-10 | マイクロニック マイデータ アーベー | 複数の幾何学的ピクセル画像を合成する方法及び単一の変調器ピクセル画像を生成する方法 |
JP2013545309A (ja) * | 2010-11-13 | 2013-12-19 | マッパー・リソグラフィー・アイピー・ビー.ブイ. | リソグラフィ装置のためのデータパス |
Family Cites Families (87)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58116732A (ja) | 1981-12-29 | 1983-07-12 | Fujitsu Ltd | 荷電ビ−ム露光方法および装置 |
IL82113A (en) | 1987-04-05 | 1992-08-18 | Zvi Orbach | Fabrication of customized integrated circuits |
EP0289278B1 (en) | 1987-04-28 | 1994-08-17 | Canon Kabushiki Kaisha | A multi-electron-beam pattern drawing apparatus |
US4879605A (en) | 1988-02-29 | 1989-11-07 | Ateq Corporation | Rasterization system utilizing an overlay of bit-mapped low address resolution databases |
DE3919611A1 (de) | 1989-06-15 | 1990-12-20 | Wacker Chemitronic | Haltevorrichtung zur aufnahme von scheibenfoermigen gegenstaenden, insbesondere halbleiterscheiben, und verfahren zu deren behandlung |
JPH04273115A (ja) | 1991-02-27 | 1992-09-29 | Hitachi Ltd | ロット編成方法および装置 |
US5410124A (en) | 1993-04-01 | 1995-04-25 | Micron Technology, Inc. | Tracking sensor fixture and method for tracking reference locations on a moving semiconductor leadframe strip |
JPH08139208A (ja) | 1994-11-04 | 1996-05-31 | Toyota Motor Corp | 不揮発性メモリの製造システム及びその製造方法 |
US5733711A (en) | 1996-01-02 | 1998-03-31 | Micron Technology, Inc. | Process for forming both fixed and variable patterns on a single photoresist resin mask |
JPH1090874A (ja) | 1996-09-18 | 1998-04-10 | Nec Corp | マスクパターンの設計方法、およびその製造方法 |
US5984190A (en) | 1997-05-15 | 1999-11-16 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for identifying integrated circuits |
US6049624A (en) | 1998-02-20 | 2000-04-11 | Micron Technology, Inc. | Non-lot based method for assembling integrated circuit devices |
US6063685A (en) | 1998-08-07 | 2000-05-16 | Advanced Micro Devices, Inc. | Device level identification methodology |
SE516914C2 (sv) | 1999-09-09 | 2002-03-19 | Micronic Laser Systems Ab | Metoder och rastrerare för högpresterande mönstergenerering |
JP3886695B2 (ja) | 2000-03-28 | 2007-02-28 | 株式会社東芝 | 露光パターンデータ生成方法、露光パターンデータ生成装置、半導体装置の製造方法、及びフォトマスクの製造方法 |
JP3983990B2 (ja) | 2000-06-13 | 2007-09-26 | 株式会社東芝 | 回路パターンの設計方法と荷電粒子ビーム露光方法及び記録媒体 |
JP2002055431A (ja) | 2000-08-08 | 2002-02-20 | Hitachi Ltd | マスクデータパターン生成方法 |
JP2002184872A (ja) | 2000-12-15 | 2002-06-28 | Hitachi Ltd | 認識番号を有する半導体装置、その製造方法及び電子装置 |
US7316934B2 (en) | 2000-12-18 | 2008-01-08 | Zavitan Semiconductors, Inc. | Personalized hardware |
JP4251784B2 (ja) | 2001-04-09 | 2009-04-08 | 株式会社アドバンテスト | 電子ビーム露光装置、照射位置算出方法 |
JP4647820B2 (ja) | 2001-04-23 | 2011-03-09 | キヤノン株式会社 | 荷電粒子線描画装置、および、デバイスの製造方法 |
US6759248B2 (en) | 2001-09-28 | 2004-07-06 | Motorola, Inc. | Semiconductor wafer identification |
US6614035B2 (en) | 2002-01-30 | 2003-09-02 | International Business Machines Corporation | Multi-beam shaped beam lithography system |
US7840803B2 (en) | 2002-04-16 | 2010-11-23 | Massachusetts Institute Of Technology | Authentication of integrated circuits |
AU2003259197A1 (en) | 2002-07-24 | 2004-02-09 | Congruence Llc. | Code for object identification |
DE10258511A1 (de) | 2002-12-14 | 2004-07-08 | Infineon Technologies Ag | Integrierte Schaltung sowie zugehörige gehäuste integrierte Schaltung |
JP2004253637A (ja) | 2003-02-20 | 2004-09-09 | Hitachi High-Technologies Corp | 半導体装置及び半導体製造管理システム |
US7107560B1 (en) | 2003-04-03 | 2006-09-12 | Xilinx, Inc. | Method and apparatus for designing custom programmable logic devices |
WO2004105125A2 (en) | 2003-05-26 | 2004-12-02 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Semiconductor device, method of authentifying and system |
JP2005057203A (ja) | 2003-08-07 | 2005-03-03 | Renesas Technology Corp | ウェハ、集積回路チップおよび半導体装置の製造方法 |
EP2575144B1 (en) | 2003-09-05 | 2017-07-12 | Carl Zeiss Microscopy GmbH | Particle-optical systems and arrangements and particle-optical components for such systems and arrangements |
US8768642B2 (en) * | 2003-09-15 | 2014-07-01 | Nvidia Corporation | System and method for remotely configuring semiconductor functional circuits |
JP2005159198A (ja) | 2003-11-28 | 2005-06-16 | Technovates:Kk | 電子ビーム露光用データ作成システム、電子ビーム露光用データ作成方法、電子ビーム露光用データ作成プログラム |
WO2005064399A2 (en) | 2003-12-22 | 2005-07-14 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Lithography system using a programmable electro-wetting mask |
JP4317443B2 (ja) | 2003-12-26 | 2009-08-19 | 株式会社日立製作所 | Rom型rfidチップへの製品番号設定方法、製品番号設定装置、製品実装管理方法、およびシステム |
JP2005209850A (ja) | 2004-01-22 | 2005-08-04 | Toshiba Corp | 半導体装置の設計システムと製造システム |
JP4841807B2 (ja) | 2004-02-27 | 2011-12-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 薄膜集積回路及び薄型半導体装置 |
US7075093B2 (en) | 2004-05-12 | 2006-07-11 | Gorski Richard M | Parallel multi-electron beam lithography for IC fabrication with precise X-Y translation |
US7407252B2 (en) * | 2004-07-01 | 2008-08-05 | Applied Materials, Inc. | Area based optical proximity correction in raster scan printing |
JP2006139165A (ja) | 2004-11-15 | 2006-06-01 | Seiko Epson Corp | セルを記録した記録媒体及び半導体集積回路 |
US7391499B2 (en) | 2004-12-02 | 2008-06-24 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
WO2006064921A2 (en) | 2004-12-13 | 2006-06-22 | Tokyo Electron Limited | Semiconductor chip with identification codes, manufacturing method of the chip and semiconductor chip management system |
US7812930B2 (en) | 2005-03-21 | 2010-10-12 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method using repeated patterns in an LCD to reduce datapath volume |
US7403265B2 (en) * | 2005-03-30 | 2008-07-22 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing data filtering |
US7728956B2 (en) | 2005-04-05 | 2010-06-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing multiple die designs on a substrate using a data buffer that stores pattern variation data |
JP4631658B2 (ja) | 2005-11-09 | 2011-02-16 | ソニー株式会社 | デジタル放送受信システム及びデジタル放送受信装置 |
US7532378B2 (en) | 2006-02-21 | 2009-05-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Laser irradiation apparatus, method of laser irradiation, and method for manufacturing semiconductor device |
US7721090B1 (en) | 2006-03-07 | 2010-05-18 | Xilinx, Inc. | Event-driven simulation of IP using third party event-driven simulators |
JP4732938B2 (ja) | 2006-03-29 | 2011-07-27 | テルモ株式会社 | 通信装置 |
US7508491B2 (en) | 2006-04-12 | 2009-03-24 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method utilized to reduce quantization influence of datapath SLM interface to dose uniformity |
JP4973224B2 (ja) | 2006-07-19 | 2012-07-11 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 電子回路装置設計方法、電子ビーム露光データ作成方法、及び、電子ビーム露光方法 |
JP4256408B2 (ja) | 2006-07-20 | 2009-04-22 | 株式会社東芝 | 不良確率の算出方法、パターン作成方法及び半導体装置の製造方法 |
FR2906646B1 (fr) | 2006-10-03 | 2009-01-30 | Microcomposants De Haute Secur | Procede de marquage individuel de circuits integres et circuit integre marque selon ce procede. |
US8259285B2 (en) * | 2006-12-14 | 2012-09-04 | Asml Holding N.V. | Lithographic system, device manufacturing method, setpoint data optimization method, and apparatus for producing optimized setpoint data |
CN100576434C (zh) | 2007-03-22 | 2009-12-30 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 芯片标识的制作方法及光罩 |
US8896809B2 (en) | 2007-08-15 | 2014-11-25 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
NL1036049A1 (nl) | 2007-10-16 | 2009-04-20 | Asml Holding Nv | Securing authenticity of integrated circuit chips. |
JP5194770B2 (ja) | 2007-12-20 | 2013-05-08 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 半導体装置の製造方法及びそのプログラム |
US8178818B2 (en) | 2008-03-31 | 2012-05-15 | Electro Scientific Industries, Inc. | Photonic milling using dynamic beam arrays |
US8754538B2 (en) | 2008-06-24 | 2014-06-17 | Infineon Technologies Ag | Semiconductor chip including identifying marks |
JP5347417B2 (ja) | 2008-10-10 | 2013-11-20 | 富士電機株式会社 | Icカードシステム、その上位機器、プログラム |
US8492072B2 (en) | 2009-04-30 | 2013-07-23 | Infineon Technologies Ag | Method for marking objects |
CA2767723C (en) | 2009-07-10 | 2018-08-28 | Certicom Corp. | System and method for performing serialization of devices |
EP2494578B1 (en) | 2009-10-26 | 2016-06-15 | Mapper Lithography IP B.V. | Charged particle multi-beamlet lithography system, with modulation device |
WO2011107601A1 (en) | 2010-03-05 | 2011-09-09 | Micronic Mydata AB | 1.5d slm for lithography |
NL1037820C2 (en) | 2010-03-22 | 2011-09-23 | Mapper Lithography Ip Bv | Lithography system, sensor, sensor surface element and method of manufacture. |
JP5380368B2 (ja) | 2010-05-31 | 2014-01-08 | 株式会社エヌ・ティ・ティ・データ | Icチップ発行システム、icチップ発行方法およびicチップ発行プログラム |
JP2012012712A (ja) | 2010-06-29 | 2012-01-19 | Tokushu Tokai Seishi Co Ltd | Icチップ実装紙とその製造方法 |
JP5354611B2 (ja) | 2010-07-29 | 2013-11-27 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 電子回路部品の真贋判定方法 |
ITMI20101415A1 (it) | 2010-07-29 | 2012-01-30 | St Microelectronics Srl | Circuiti integrati tracciabili e relativo metodo di produzione |
US9140978B2 (en) | 2010-10-12 | 2015-09-22 | Weng-Dah Ken | Semiconductor multi-project or multi-product wafer process |
JP5882348B2 (ja) | 2010-11-13 | 2016-03-09 | マッパー・リソグラフィー・アイピー・ビー.ブイ. | マルチ小ビーム露光装置における2つの小ビーム間の距離を決定する方法 |
US8884255B2 (en) | 2010-11-13 | 2014-11-11 | Mapper Lithography Ip B.V. | Data path for lithography apparatus |
WO2012076629A2 (en) * | 2010-12-07 | 2012-06-14 | Micronic Mydata AB | Criss-cross writing strategy |
JP5298141B2 (ja) | 2011-01-14 | 2013-09-25 | ラピスセミコンダクタ株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP5821689B2 (ja) | 2011-04-20 | 2015-11-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体 |
JP5951753B2 (ja) | 2011-04-22 | 2016-07-13 | マッパー・リソグラフィー・アイピー・ビー.ブイ. | リソグラフィ機のクラスタのためのネットワークアーキテクチャおよびプロトコル |
JP5492181B2 (ja) | 2011-12-28 | 2014-05-14 | 楽天株式会社 | 電子マネーサーバ、電子マネーサーバプログラム、記録媒体、及び、紛失処理方法 |
US8893059B2 (en) | 2012-02-06 | 2014-11-18 | Kla-Tencor Corporation | Pattern data system for high-performance maskless electron beam lithography |
US8972229B2 (en) * | 2012-07-27 | 2015-03-03 | Synopsys, Inc. | Fast 3D mask model based on implicit countors |
US9672316B2 (en) | 2013-07-17 | 2017-06-06 | Arm Limited | Integrated circuit manufacture using direct write lithography |
GB201405705D0 (en) | 2014-03-31 | 2014-05-14 | Irdeto Bv | Secured printed electronics device |
US9465906B2 (en) * | 2014-04-01 | 2016-10-11 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | System and method for integrated circuit manufacturing |
JP2016086103A (ja) | 2014-10-27 | 2016-05-19 | キヤノン株式会社 | 描画装置、リソグラフィーシステム、パターンデータの作成方法、描画方法及び物品の製造方法 |
CN105632543B (zh) | 2014-11-21 | 2018-03-30 | 松下知识产权经营株式会社 | 具有防篡改性的非易失性存储装置及集成电路卡 |
US9691709B2 (en) | 2015-02-26 | 2017-06-27 | International Business Machines Corporation | Semiconductor device security |
GB201505434D0 (en) | 2015-03-30 | 2015-05-13 | Irdeto Bv | Cryptographic processing |
-
2016
- 2016-12-23 US US15/389,581 patent/US10079206B2/en active Active
- 2016-12-23 US US15/389,593 patent/US10418324B2/en active Active
-
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-
2019
- 2019-09-16 US US16/572,592 patent/US10600733B2/en active Active
-
2020
- 2020-03-23 US US16/827,638 patent/US11152302B2/en active Active
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05343278A (ja) * | 1992-06-10 | 1993-12-24 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
JPH097924A (ja) * | 1995-06-21 | 1997-01-10 | Nec Corp | 半導体装置の製造装置及び半導体装置の製造方法 |
JP2001109128A (ja) * | 1999-10-12 | 2001-04-20 | Hitachi Ltd | リソグラフィ用パターンデータ生成方法、それを用いた半導体装置の製造方法及び半導体製造装置 |
JP2003515930A (ja) * | 1999-11-24 | 2003-05-07 | マイクロニック レーザー システムズ アクチボラゲット | 半導体の個別化を行う方法および装置 |
JP2001337439A (ja) * | 2000-05-26 | 2001-12-07 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路の設計、製造方法および検査方法並びに半導体集積回路 |
JP2007258691A (ja) * | 2006-02-21 | 2007-10-04 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | レーザ照射装置、レーザ照射方法、及び半導体装置の作製方法 |
JP2012527766A (ja) * | 2009-05-20 | 2012-11-08 | マッパー・リソグラフィー・アイピー・ビー.ブイ. | デュアルパス走査 |
JP2011108830A (ja) * | 2009-11-17 | 2011-06-02 | Nuflare Technology Inc | 荷電粒子ビーム描画装置 |
JP2013521641A (ja) * | 2010-03-05 | 2013-06-10 | マイクロニック マイデータ アーベー | 複数の幾何学的ピクセル画像を合成する方法及び単一の変調器ピクセル画像を生成する方法 |
JP2013545309A (ja) * | 2010-11-13 | 2013-12-19 | マッパー・リソグラフィー・アイピー・ビー.ブイ. | リソグラフィ装置のためのデータパス |
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