JP2013521641A - 複数の幾何学的ピクセル画像を合成する方法及び単一の変調器ピクセル画像を生成する方法 - Google Patents

複数の幾何学的ピクセル画像を合成する方法及び単一の変調器ピクセル画像を生成する方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2013521641A
JP2013521641A JP2012555443A JP2012555443A JP2013521641A JP 2013521641 A JP2013521641 A JP 2013521641A JP 2012555443 A JP2012555443 A JP 2012555443A JP 2012555443 A JP2012555443 A JP 2012555443A JP 2013521641 A JP2013521641 A JP 2013521641A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
custom
data
pattern data
substrate
resampling
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2012555443A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6017316B2 (ja
Inventor
イヴァンセン、ラース
エスターベルク、アンデシュ
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mycronic AB
Original Assignee
Micronic MyData AB
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Micronic MyData AB filed Critical Micronic MyData AB
Publication of JP2013521641A publication Critical patent/JP2013521641A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6017316B2 publication Critical patent/JP6017316B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H01L21/0274—Photolithographic processes
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2051—Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70283—Mask effects on the imaging process
    • G03F7/70291—Addressable masks, e.g. spatial light modulators [SLMs], digital micro-mirror devices [DMDs] or liquid crystal display [LCD] patterning devices
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70491—Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
    • G03F7/70508—Data handling in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. handling pattern data for addressable masks or data transfer to or from different components within the exposure apparatus
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70491—Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
    • G03F7/70541—Tagging, i.e. hardware or software tagging of features or components, e.g. using tagging scripts or tagging identifier codes for identification of chips, shots or wafers
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70605—Workpiece metrology
    • G03F7/706835—Metrology information management or control
    • G03F7/706837—Data analysis, e.g. filtering, weighting, flyer removal, fingerprints or root cause analysis
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70605—Workpiece metrology
    • G03F7/706843—Metrology apparatus
    • G03F7/706847—Production of measurement radiation, e.g. synchrotron, free-electron laser, plasma source or higher harmonic generation [HHG]
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F30/00—Computer-aided design [CAD]

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Evolutionary Computation (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Data Mining & Analysis (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Software Systems (AREA)
  • Architecture (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

本発明は、カスタムパターンを直接的に書き込むことにより、基板上に作製されたチップ、フラットパネル、又は他の電子機器のような、個々のワークピースをカスタマイズすることに関連する。カスタマイズを、デバイスごと、基板ごと、バッチごとに行うか、またはカスタムマスク或いはマスクセットを使用するのに実用的でない他の小規模で行うことができる。本発明は、特に、基板上の放射感応性層に形成された潜像をカスタマイズして、標準パターンデータおよびカスタムパターンデータを合成して、カスタマイズされた潜像生成用のカスタムパターンを形成することに関連する。
【選択図】図４

Description

この出願は、これと同じ名称の米国特許仮出願第６１／３１１２７６号に関連し、それの便益を主張するものである。この出願は、更に、「ＳＬＭスタンプ画像の欠陥を修正する方法及び装置」と題する米国特許第７３２８４２５号、
「ワークピースをパターニングする方法及び装置」と題する米国特許第７４０５４１４号及び「半導体のパーソナライゼーションにおける方法および装置」と題する米国特許第７８４２５２５号に関連する。本願は、更に、「マイクロリソグラフィ印刷における、勾配を援用した再サンプリング」と題する米国特許出願公開第２０１０／６３１５９５号に関連する。本願は、「部分的コヒーレント光照射における光照射方法及び装置」と題する米国特許出願第１２／７１８９０４号にも関連する。
本発明は、カスタムパターンを直接的に書き込むことにより、基板上に作製されたチップ、フラットパネル、または他の電子機器のような、個々のワークピースをカスタマイズすることに関連する。カスタマイズを、デバイスごと、基板ごと、バッチごとに行うか、またはカスタムマスク或いはマスクセットを使用するのに実用的でない他の小規模で行うことができる。本発明は、特に、基板上の放射感応性層に形成された潜像をカスタマイズして、標準パターンデータおよびカスタムパターンデータを合成して、カスタマイズされた潜像生成用のカスタムパターンを形成することに関連する。ここで開示された技術は、多種多様な基板に適用できる。
ときには、集積回路がカスタム情報、個人化情報または固有情報を永久的に備えることは、有用である。この有用性は、様々な一度だけ書き込み可能プログラムメモリまたはライトワンス型メモリの開発につながっている。一例としては、「異方性半導体シートを含むライトワンスメモリ用ダイオード・アンド・ヒューズメモリ素子」と題する米国特許出願第６９１３１８２号である。ここに記載されたクロスポイントメモリ素子を、ヒューズインタクト状態からヒューズブロー状態に変換することで、ライトワンスメモリができる。
別の例としては、「半導体デバイス、半導体デバイスにおけるデータ素子およびこれらを製造する方法」と題する米国特許出願公開第２０１０／０００１３３０号がある。該出願では、不揮発性メモリを、工場でプログラムされたＲＯＭ（マスクＲＯＭとも呼ばれる）というカテゴリと、フィールドプログラマブルメモリというカテゴリとに分類している。
このようなヒューズ化されたメモリアプローチとは対照的に、マイクロニックレーザ（Ｍｉｃｒｏｎｉｃ Ｌａｓｅｒ）／マイクロニックマイデータ（Ｍｉｃｒｏｎｉｃ ｍｙｄａｔａ）社における開発チームは、以前、ＳＬＭとステッパーの機能とを組み合わせてマスクからの標準データとＳＬＭからのカスタムデータとを光学的に合成することを提案していた。この技術分野で発行された２つの特許は米国特許第６８１３０５８号と米国特許第７８４２５２５号であり、両方とも「半導体のパーソナライゼーションにおける方法及び装置」と題する。
米国特許第６８１３０５８号明細書 米国特許第７８４２５２５号明細書
したがって、集積回路がカスタム情報、個人化情報または固有情報を永久的に備えることは、新しい技術を開発する機会を提供する。新しい技術は、より信頼性が高く、より柔軟性が高く、費用対効果も高く、生産に良好に統合され得る。
本発明は、カスタムパターンを直接的に書き込むことにより、基板上に作製されたチップ、フラットパネル、または他の電子機器のような、個々のワークピースをカスタマイズすることに関連する。カスタマイズを、デバイスごと、基板ごと、バッチごとで行うか、またはカスタムマスク或いはマスクセットを使用するのに実用でない他の小規模で行うことができる。本発明は、特に、基板上の放射感応性層に形成された潜像をカスタマイズして、標準パターンデータおよびカスタムパターンデータを合成して、カスタマイズされた潜像生成用のカスタムパターンを形成することに関連する。本発明の特定の態様は、特許請求の範囲、明細書及び図面に記載されている。
図１は、ＳＬＭパターン・ジェネレーターの一般的な配置を示す。
図２は、３本のアームを備える走査システムと、ハブの両側で書き込みを行なっている一対のワークピースとを示す。
図３は、変調器グリッドに再サンプリングすることを含む汎用データパスを示す。
図４は、標準およびカスタムパターンデータを合成するデータフローのハイレベルブロック図である。
図５は、複数のダイが形成される円形のウエハ５０１及び矩形の基板を示す。
図６は、異なるピクセルサイズ及びタイルサイズのグリッドを示す。
図７は、潜像生成用の、様々な種類の変調器及びステージを示す。
次に図面を参照して詳細に説明する。好適な実施形態は、本発明を例示するために記載されるが、特許請求の範囲によって定義される本発明の範囲を限定するものではない。当業者であれば、以下の説明に基づいて、種々の、均等な変形が可能であることを理解するであろう。
図４〜図６に、標準データ及びカスタムデータを再サンプリングして合成し、直接描画装置により、合成されたデータを使用して潜像を基板上の少なくとも１層の放射感応層に形成することを示す。
図４は、標準パターンデータ及びカスタムパターンデータを合成するデータフローを示すハイレベルブロック図である。合成・再サンプリングコンポーネント４３３は、２つのデータパス上の標準パターンデータ４０１とカスタムパターンデータ４３１を受信する。データパスは、単一のデータバスまたはメモリアクセスチャネル上にあるように、物理的に分離してもインターリーブされてもよい。「データパス」とは、データがどのように合成・再サンプリングコンポーネント４３３へ配信されるかを指す。データは、ベクトルデータまたはラスタデータに由来してもよく、回転型メモリまたは非回転型メモリに格納されてもよい。
デザインデータ、一般的にベクトルデータセットは、製造のため共通ベクトル・フォーマットに変換される。ベクトル・ドメイン・ジオメトリ処理は、このフォーマットに適用される。そして、ベクトル・フォーマットを幾何学的ピクセルマップにレンダリングすることで、「標準パターンデータ」と呼ぶものが生成される。ピクセルドメインの画像処理が適用され、データは、転写用のため変調器に依存するフォーマットに再サンプリングされる。
バッチ転写の場合では、多くの同一またはほぼ同一のパネルが生産される。同じ作業を複数回にやり直すことを避けるために、以前に生成されたデータを再使用することは有益である。しかし、画像フォーマットの変換過程における最終的な変調ピクセルマップは、撮像された特定のパネルに固有の補償を有するため、最終的な変調ピクセルマップを再使用することはできない。このような補償の例としては、整列情報と歪み補償とを含む。標準パターンデータは、複数のパネルにわたって汎用で再使用されてもよく、またはカスタマイズが適用されるベースデータであってよい。複数のパネルにわたって再使用するとは、幾何学的マップが一度生成され、次に同じマップがバッチ内の複数のパネルに再使用されることを意味する。こうすることで、計算量を低くするとともに、ハードウェア構成を幾何学的マップがパネルごとに再生成されなければならない場合に比べて小さくすることができる。実際の転写が実行されるかなり前に、幾何学的マップを製造することができる。実際に、複数の幾何学的マップを事前に準備しておき、後で使用するためにアーカイブすることができる。また、このような体系は、転写前にマップの検査を可能にする。
標準パターンデータの再使用は、本質的にパネルを同一にする必要がある。これが一般的に望ましいことである。しかし、例えば、パッケージングを目的とする基板や、プログラミングを目的とするメモリ素子などのように、あるパネル、またはパネルの部品にとって個体性が望ましい使用状況がある。個体性の例としては、ユニットシリアル番号、製造バッチや時刻及び日付、製造基板又は他の製造データが含まれる。他のケースでは、ダイのエッジは、例えば大面積マスクにおいて、ダイのメインフィールドとは異なるパターンを必要とする。これらの目的ために、カスタムパターンデータの第２ピクセルマップを使用することができる。ここで開示するのは、例えば、潜像を形成するためにデータを使用している時に、カスタムパターンデータと標準パターンデータとを合成し再サンプリングすることである。
合成処理を再サンプリングの前または後に、さまざまなタイミングで行うことができる。合成、再サンプリングの順序は、標準およびカスタムのパターンデータの性質に依存しているため、合成及び再サンプリングは、単一のコンポーネントで表され、単一の操作とみなされることができる。ある使用状況では、合成を再サンプリングする前に行うことで、処理を、時間がそれほど重要ではないオフラインで実行することができるようになる。次に、オンライン処理は、より時間決定的であるため、計算パワーを最適化にすることが可能になる。再サンプリング操作により一つの入力マップが一つの出力マップに変換されることで、再サンプリング操作が簡略化される。結合されたピクセルマップを、転写に先立って検査のためにアクセスすることができる。
合成処理が再サンプリング中に実行されると、カスタムパターンデータのピクセルマップを、転写する直前に、変調ピクセルマップが生成される直前に、生成することができる。生産時期頃に生成された最近のカスタムパターンデータの一例としては、正確な生産時間でパターンに合成される。
合成を、再サンプリングの後に実行する場合に、追加ピクセルマップを、既存の変調ピクセルマップに合成することがある。これは、データフローが、転写前に複数の変調ピクセルマップを合成することを必要とするように分割されるときには、有益である。
合成時に、カスタムパターンデータをテストして特定の領域（フレームまたはタイル）において、カスタマイズが必要であるか否かを決定する。タイルは、変調器の要件に応じて配置された変調データの断片（ｐｉｅｃｅｓ）である。タイルを、空間的な広がりを持つデータの塊として定義してもよい。カスタマイズなしの場合に、合成を完全にバイパスするか、または標準パターンデータのピクセル値を変更しない合成を行うかにより、合成を最適化することができる。カスタマイズなしの場合に、処理するカスタムパターンデータがほとんどない。
ベースの幾何学的なピクセルマップ内の標準パターンデータと追加の幾何学的ピクセルマップ内のカスタムパターンデータとの合成は、全く異なるピクセルグリッドのマッチングのために行うことができる。
まず、同一の整列されたピクセルグリッドを合成することができる。最も単純な形式では、合成を、グリッド及びタイルがマッチングする複数のピクセルマップ上で実行する。すなわち、ピクセル寸法とマップ配列は同じである。この場合、合成を、単純な合成操作で、再サンプリングの前に、ピクセル対ピクセルで行うことができる。以下に、他の合成操作を説明する。
第二に、同一のオフセットされたピクセルグリッドを合成することができる。すなわち、複数のピクセルマップのグリッドは、同じピクセルサイズを持つが、一方のマップ内のピクセルが、他方のマップの中のピクセルに対応しないようにオフセットされている。この場合、追加マップのオフセットを切り取る（ｓｎａｐ）ことによってオフセットを除去してベースマップと一致させる。そして、合成を、単純な合成操作で、再サンプリング前に、ピクセル対ピクセルで実行する。または、追加マップ内の複数の隣接するピクセルを再サンプリングして得られたピクセルの値を決定する。そして得られたピクセルは合成される。
第三に、非マッチング・ピクセルグリッドを合成することができる。図６には、異なるピクセルサイズとタイルサイズを有するグリッドを示す。この図において、標準パターンデータはグリッド６０１にあり、カスタムパターンデータグリッド６１１にある。３個のピクセルを有するカスタムデータ６１３を、１２個のピクセルを有する標準データ６０５上に合わせる。接続パターン６１３は、開口ギャップのパッド６０３にオーバーレイされる。これは、クローズ接続とオープン接続のようにカスタムパターンを１と０にプログラミングするという簡単なものである。ピクセルグリッドが、ピッチかオフセットかで、マッチングしない場合は、画像を共通のグリッド及びタイルに再サンプリングすることにより合成を行う。または、複数のグリッドを同時に再サンプリングし、再サンプリングした結果が合成される。
ピクセルグリッドが一致する場合に、合成は、単純な一対一の合成操作でピクセルごとに行うことができる。関連するデータにはよるが、例えば、置換、加算、減算、ＸＯＲ、ＡＮＤ、ＯＲのような、さまざまな合成操作を使用することができる。置換、加算、減算といった操作は、浮動小数点または整数で表現されるピクセルに使用することができるが、指数スケーリングのために、論理演算を浮動小数点に適用することは困難である。ピクセルは整数で表されている場合、これらの合成操作のいずれかを適用することができる。
特定の実施形態では、合成される少なくとも２つのパターンは、ピクセル整列だけではなく、タイル整列でもある。その根拠としては、データがタイルで処理され、タイルが整列されていない場合は、異なる量のタイルが少なくとも２つのデータフローで供給される。
例示的な一実施形態では、合成されるパターンの少なくとも一つ（例えば、メインパターン）が、合成位置にパターンを持っていない。すなわち、パターンデータフローの一方または両方は、計算された実際の位置にデータを持っていない。この場合に、使用可能であるパターンデータフローからデータを使用する。使用可能なデータがない場合は、ゼロ設定を生成する。たとえば、このようなことは、スパースパターン（ｓｐａｒｓｅ ｐａｔｔｅｒｎ）に発生することがあり、タイルは、唯一にデータがある所（ＧＰＭファイル内）に保存される。従って、一般的に、この実施形態における合成パターンにとって、合成パターンのある領域にのみタイルが存在する。合成パターンの密度を元パターンのような密度には制限しないが、２つ以上の完全なデータフローを取り扱うので、スループットに一定の影響を与える可能性がある。一実装例では、スループットを著しく低下させずに、メインパターンと比較して合成パターンでは５−１０％のエリアカバー率を実現することが可能である。
カスタムパターンデータによる恩恵を受けるワークピースとしては、シリコンや半導体ウエハ、回路基板、フラットパネルディスプレイやロール・ツー・ロール製造に使用される可撓性材料の基板が挙げられる。図５は、複数のダイ５１１、５１５が形成される円形のウエハ５０１及び矩形の基板を示す。ダイを分離してチップやフラットパネル基板を形成する。
ここで開示されたカスタマイズ技術は、さまざまな環境に適用できる。マイクロニックレーザ（Ｍｉｃｒｏｎｉｃ Ｌａｓｅｒ）の開発チームは、マイクロリソグラフィ印刷におけるさまざまなプラットフォームを最初に開発してきた。図１は、シグママシンにおける従来のプラットフォームを示す。図１は、最近提出された特許出願に記載されたローター印刷プラットフォームを示す。ドラム印刷プラットフォームは、他の特許出願に記載されている。図７は、潜像生産用の、様々な種類の変調器とステージを示す。これらの変調器やステージのいくつかは、現在使用中であり、他のものはまだ開発されていない。示されているシステムに加えて、特にスキャナによる直接描画がマイクロニックレーザ（Ｍｉｃｒｏｎｉｃ Ｌａｓｅｒ）とＡＳＭＬとの共同で開発されている。
次の段落では、ここで開示された技術を適用し、２Ｄ ＳＬＭを使用する２つの環境を説明する。
図１は、ＸＹステージを持つＳＬＭパターン・ジェネレーターの一般的な配置を示す。露光されるワークピースは、ステージ１１２に位置する。ステージの位置は、対の干渉計１１３などの正確な位置決め装置により制御される。
ワークピースは、集積回路、またはレジスト層或いは他の感光材料の層を備えたフラットパネルであってもよい。第１の方向では、ステージは、連続移動する。第１の方向に一般に垂直である、他の方向では、ステージは、ゆっくり移動するか、又は１段ずつ移動し、ストライプのスタンプがワークピース上に露光される。本実施形態では、フラッシュコマンド１０８は、パルスエキシマレーザ光源１０７で受信され、それによりレーザーパルスを生成する。このレーザーパルスは、深紫外線（ＤＵＶ）もしくは極紫外線（ＥＵＶ）スペクトル範囲内であってよい。レーザーパルスは、ビーム調整器やホモジナイザーにより照明光１０６に変換される。ここに開示された技術を適用することで、パルスレーザに代わり、イルミネーター（特にワークピーストラッキング光学系）を持つ連続レーザーを用いることができる。
ビームスプリッタ１０５は、照明光の少なくとも一部をＳＬＭ １０４へ誘導する。パルスは、わずか２０ｎｓ程度と短く、ステージ移動は、フラッシュ時にフリーズされる。ＳＬＭ １０４は、パターン・ラスタライザ１０２によって処理されるデータストリーム１０１に応答的である。一構成では、ＳＬＭは、それぞれ１６×１６μｍである２０４８×５１２個のミラーを備え、また８０×８０ｎｍの投影像を持つ。これは、微少機械ミラーが各ストレージノード上に１ミクロンの半分に形成されているＣＭＯＳアナログメモリを含む。
ストレージノードとミラーとの間の静電気力がミラーを作動させる。この装置は、回折モードで動作し、１／４波長（２４８ｎｍでは６２ｎｍ）だけミラーを偏向させて、完全オン状態から完全オフ状態に移行させる必要がある。細かいアドレスグリッドを作成するために、ミラーは、オン、オフ、及び６３個の中間値に合わせて駆動される。パターンは、ＳＬＭチップの数百万個の像から張り合わせられる（Ｓｔｉｔｃｈｅｄ）。フラッシングと張り合わせは、毎秒１０００ スタンプの速度で進行する。スティッチング及びその他のエラーを減らすために、パターンを、オフセット・グリッド及びフィールドとともに４回書き込む。さらに、これらのフィールドは、エッジに沿って混合され得る。
ミラーは、個別に校正される。エキシマ光に敏感なＣＣＤカメラを、最終レンズの下の像に相当する位置の光学経路内に配置する。ＳＬＭミラーは、一連の既知電圧を介して駆動され、応答は、カメラによって測定される。校正機能は、書き込み時に、ミラーごとに決定され、グレースケールデータのリアルタイム補正に使用される。データパス内では、ベクトル形式のパターンが、４つの描画パス内の個別ピクセルの線量レベルに対応するグレーレベルを用いてグレースケール画像にラスタライズされる。その後、この画像を、画像処理を用いて処理することができる。最終ステップは、ＳＬＭの電圧を生成するために画像を変換することである。画像処理機能は、プログラマブルロジックを使用してリアルタイムで実行される。関連特許出願で開示されている様々なステップを経て、ラスタライザ・パターンデータは、ＳＬＭ １０４を駆動するために使用される値１０３に変換される。
図２は、３本のアームを備えるロータースキャニングシステムを示しており、一対のワークピース２１１、２１２は、ハブ２４８の両側において書き込まれる。示されている回転式プリンタは、ワークピース上に１Ｄまたは２Ｄ画像を印刷することができる。ロータースキャニングシステムは、いくつかのアーム、例えば、２、３、４、６、または８のアームを有することで、単位時間あたりのスキャン面積が倍増する。画像は、ラジアルアームを介して、ローターハブまたはその近くに配置された固定画像デバイスとワークピースとの間でリレーされる。図２に示すシステムは、１００％のデューティサイクルを有し得る。各ローターは、６０度の円弧を介して書き込みを行う。一回に一本のアーム２４０のみが書き込み、２つのワークピース２１１および２１２上に交互に書き込む。レーザーエネルギーは、２つのＳＬＭ２４７、２４９の間において偏光制御２３２によって切り替えられる。データストリームも、ＳＬＭの間で切り替えられる。レーザー２２０およびデータパス２３５は、書き込み機構内においてもっとも高価なモジュールの一つであるため、本実施形態では、ＳＬＭおよびアーム内の光学系は、それぞれ５０％、３３％と低いデューティサイクルを有するが、レーザーおよびデータチャネルは１００％の時間にわたって用いられる。これは、例えば、三本の回転アーム２４０Ａ〜２４０Ｃを備える書き込みシステムの一例である。これらのアームおよび中継光学系は、種々の代替設計がある。図は、レーザー２２０と、二つのＳＬＭ２４７、２４９にデータを送信するコントローラ２３５とを概念的に示しており、データは、回転アームまで２３２、２４７、２４９を介して中継される。図は、各アームが各ＳＬＭの前方に移動し、一連の同心円状スタンプをワークピース２１１、２１２上に書き込む様子を示している。図２には２つのワークピースが示されているが、その寸法に応じて、一つのワークピースまたは２つ以上のワークピースは、ローターの下方に配置されてもよい。この例は書き込みシステムとして説明されているが、中継の方向を、ワークピースからレーザー２２０が位置する場所および別の場所に配置されている一対の検出器への方向に戻すことは容易である。
別の構成では、単一のＳＬＭを使用してワークピース上に画像を投影する。例えば、「１．５Ｄ ＳＬＭ」と呼ばれる単一の２Ｄ ＳＬＭを使用して１Ｄ画像をワークピース上に投影するができる。１．５Ｄ ＳＬＭとは、ＮｘＭ個のピクセルを有するＳＬＭデバイスを意味し、Ｎは、例えば、１０２４、２０４８、４０９６、８１９２または１６３８４のような大きい数値であり、Ｍは、２０よりも小さくまたは２０に等しく、かなり小さい数値であり、例えば、２、３、４、５、６、８、１０、１５、２０である。ピクセルとは、データパスで１つの単位として処理され、且つ、ピクセル値が割り当てられているＳＬＭの領域を意味する。あるケースでは１つのピクセルが１つのマイクロミラーであり、他のケースでは同じピクセル値によって制御されるミラーの集合であってよい。
１．５Ｄ ＳＬＭは、複数のピクセル上に広がるコヒーレンスを有し、長手方向に部分的にコヒーレントな光でかつ短手方向のコヒーレント光分布により照射されるように構成され得る。特に、コヒーレンスは、短手方向にデバイス全体（またはその照射された部分）に広がることがある。１．５Ｄ ＳＬＭを照明するためのアナモルフィック光学システムを導入することにより、ＳＬＭからワークピースへ投影した画像は、ＳＬＭの２軸間の倍率（一般的に縮小）の差が大きい。従って、ワークピースの画像平面上の点を打つ光線のフットプリントは、一方の方向に点になり、他方の方向にＳＬＭ上で拡散する。すなわち、ワークピース上に１Ｄ画像が得られる。このように、アナモルフィック光学経路を通して１．５Ｄ ＳＬＭの反射素子から放射線を中継し該放射線が１．５Ｄ ＳＬＭのアレイの１つの軸に沿ってある程度縮小されるようにすることにより、特定の列でその個々の反射素子が画像平面において分解されないことになる。縮小された反射素子は、例えばワークピースに１Ｄ画像を作成するために、１０ミクロン未満の幅の範囲に集束させることができる。
この技術のいくつかの特に有用な応用の一つとしては、パターンを電子基板（例えば、ウエハの表側と裏側、ＰＣＢ、ビルドアップ、インターポーザおよびフレキシブル相互接続基板、およびマスク、ステンシル、テンプレート、その他のマスター）上にパターンを書き込むことである。同様にローターライターを、ディスプレイ、電子ペーパー、プラスチックロジックおよび光電池におけるパターニングパネルに使用することができる。パターニングは、フォトレジストの露光によって行うことができるが、光の他の作用としての熱または光化学過程（例えば、溶融、蒸発、アブレーション、熱融着、レーザー誘起パターン転写、アニーリング、熱分解および光誘起エッチング、デポジション）を通して行うこともできる。
図３は、一般的なデータパスを示す。連続的に転写される、ピクセルベースの露光システムのデータは、「フラット化され」（１ピクセルに寄与するすべてのデータが集約された状態）、かつローカライズされる。レンダリングされる幾何学的ピクセルマップ（ＧＰＭ１２１）として表されるパターンは、これらの性質を満たすと同時に、中間記憶装置として適切なフォーマットを形成する。
再サンプリング処理は、ＧＰＭを、変調ピクセルマップ（ＭＰＭ １２３）の変調器ピクセルに変換する。また、画像処理およびモルフォロジー演算がこの再サンプリング処理中に用いられ得る。露光システムの視野等のパターンの局所、あるいは、パターンの全域のいずれにも、画像処理およびモルフォロジー演算を適用することが可能である。画像処理およびモルフォロジー演算は、スケーリング、平行移動、回転、変形およびサイジングを含むが、これらに限定されない。これらの演算は、露光システムによるマスク／基板への画像の投影状況と、マスク／基板の特性との両方を補償するために使用され得る。
再サンプリング処理中の忠実性要件と潜在的な情報損失とによって、中間ピクセルマップ（ＧＰＭ１２１）は、変調ピクセルマップ（ＭＰＭ １２３）よりも高い分解能を持つ。再サンプリング過程における勾配情報を用いることで、ＧＰＭ１２１の要件を満たすために必要なメモリ分解能を大幅に低減され得る。
パターンに依存する処理ステップの大多数は、ＧＰＭ１２１の生成中に行なわれる。再サンプリングは、主に、局在パターンに依存する（モルフォロジー）演算に対処するために使用される。再サンプリングを局在化パターンに依存する演算に制限すると再サンプリングに対する計算量の予測可能性が改善されるので有利である。計算量が予測可能になることによって、さらに、処理の並列化が容易になる。
中間記憶装置としてＧＰＭ１２１を使用すると、ＧＰＭ１２１を生成するための処理ステップが包括的になるとともに露光システムから独立した状態になりうるので、露光システムを独立させることができる。
高分解能マイクロリソグラフィにおけるデータパスの処理要件は、最新の最も有能な処理ハードウェアを使用してもきわめて困難である。高分解能処理および高性能コンピューティング（ＨＰＣ）における成功の要因は、一般に並列化である。高分解能処理の並列化には処理を小要素（ｐｉｅｃｅｓ）に分割することを伴う。前述のデータパスを使用するマイクロリソグラフィ・アプリケーションでは幾何学的性質を有するデータを処理し、この処理は座標系内で行なわれる。タスクを分割する１つの便利な方法は、座標に基づくものである。
開示されたアーキテクチャに従った処理は、オフラインおよびオンラインと呼ばれる２つのドメインに記載されうる。また、処理は種々のデータドメインにおいて動作する。本開示では、幾何学的画素マップ１２１を生成するための処理を「ＧＰＭ処理」と呼ぶ。ＧＰＭの再サンプリングを行って変調画素マップ１２３を生成することを「ＭＰＭ処理」と呼ぶ。処理の第１段階では、変調器のタイプおよびジオメトリと無関係である幾何学的座標系において演算が行なわれる。第２段階は、特定の変調器に適合される。第２段階は、変調器からの要求に従って配置された変調データの要素であるタイル５１０を生成する。タイルは、空間的な広がりを持つデータの塊として定義されうる。
データパスを論じる際、パターンによってカバーされた領域の隣接部を「タイル」５１０と呼ぶ。タイルは、幾何学的座標系によって完全に記述されうる。ＧＰＭ処理とＭＰＭ処理とでは座標系が全く異なる可能性があるが、これらの処理のいずれにおいてもタイルに言及する。
前述のＧＰＭ１２１の処理ドメインおよびＭＰＭ１２３の処理ドメインに加えて、第３のデータドメインは議論を必要とする。ベクトル・データ・ドメインは、ＧＰＭを生成するためのラスタリゼーションに先行する。したがって、３つの異なるデータドメインは、ベクトルデータ、統合された幾何学的ピクセルマップ（ＧＰＭ）１２１におけるピクセルデータ、および変調用に編成されたピクセルデータ（ＭＰＭ１２３、変調ピクセルマップ）である。
いくつか特定の実施形態
開示された技術は、基板上の放射感応性層でカスタム潜像を形成する方法を含む。この方法は、第１のデータパス上の標準的なデータを受信し、第２のデータパス上のカスタムパターンデータを受信することを含む。ここでいうデータパスが広く解釈されるべきものである。標準パターンデータは、カスタマイズにはよるが、複数のダイまたはダイ内の領域に、及びバッチ内の複数の基板に繰り返して使用されるパターンデータである。カスタムパターンデータは、標準パターンデータを変更してカスタム潜像を生成するために使用される。この方法はさらに、標準的なカスタムパターンデータを再サンプリングし合成して放射感応層に形成される物理的なカスタム潜像を示す合成され、かつラスタライズされたパターンデータを形成することを含む。潜像は、基板上に塗布されたレジストまたは他の放射感応性材料に応じて、ポジ型またはネガ型であってよい。典型的なデバイスの製造工程では、潜像が現像され、放射感応性層の部分がパターンを形成するために除去される。パターンは、電子デバイスを形成する一環として、材料を追加または削除するために使用される。
本方法は、直接描画装置を使用して合成されたラスタライズパターンデータから放射感応性層でカスタム潜像を形成することを含む。直接描画装置のいくつかの例は、上述され、図１−図２に示されている。また、図５は、広範囲な変調器の種類およびスキャニングステージによって組立可能な直接描画装置（まだ未生産）を示す。ここでいう直接描画装置は、広義に解釈されるべきである。直接描画装置が従来のステッパーとは違い、従来のステッパーはマスクまたはレチクルを使用するのに対し、直接描画装置は仮想マスクとして変調器を使用する。
標準パターンデータおよびカスタムパターンデータは、整列されたグリッド、またはオフセットグリッド上にあってよい。これらのタイプのパターンデータは、同一または異なるピクセルサイズを使用する。最も単純なケースでは、グリッドが整列し一致する。次に、ピクセル間の合成は、データを再サンプリングする前に適用されうる。このように、合成、再サンプリングの順序は、カスタム潜像を形成するために使用される特定のデータに依存する。
標準パターンデータおよびカスタムパターンデータは、別のパイプラインを通して、並列に処理されうる。または、データの取得、及び／又は再サンプリングするために、インターリーブされ、そして合成される。
必要に応じて、再サンプリングおよび合成処理をリアルタイムで行うことができる。リアルタイムとは、特定カスタム潜像のデータの第２部分を合成および／または再サンプリングをする動作と、合成及び再サンプリング処理を必要とされた、合成され、かつラスタライズされたパターンデータの第２部分を使用して該特定カスタム潜像の第１部分を形成する動作とが、並列的に進行することである。リアルタイムでは、基板に書き込むための再サンプリングおよび合成処理が進行中である間に、合成されたラスタライズパターンデータは、基板上に潜像の一部を形成するために使用されている。
前述したように、基板は、様々な形態を取ることができる。シリコン又は半導体ウエハ、回路基板、フラットパネルディスプレイ、またはいわゆるロール・ツー・ロール製造に使用されるフレキシブル基板とすることができる。
上記方法は、基板上の１つ以上の層にあるパターンを１回以上適用することができる。潜像が形成された後、従来のパターニングプロセスを適用して基板上に電子デバイスを形成する。これらのプロセスを使用してこの方法を拡張して電子デバイスを形成することができる。
カスタムデータは、様々なレベルで固有なものであってよい。シリアル番号などの、特定の基板上の特定のダイに固有なものであってよい。層の転写を開始した時刻などの、特定の基板に対して固有なものであってよい。または、バッチ制御番号などの、基板の特定のバッチに対して固有なものであってよい。また、カスタムデータを、メモリチップやフラットパネルディスプレイなどの、大規模な通常のデバイスで使用して、パターンエッジを完成させ、または隣接するパネルを張り合わせることができる。
また、開示された技術は、データパスと直接描画装置に連結されるように構成されたコントローラとして実施することができる。このコントローラは、上記した方法のいずれかに基づく標準パターンデータおよびカスタムパターンデータを処理する。コントローラは、メモリとプロセッサとを含む。なお、該プロセッサは、従来のＣＰＵ、ＲＩＳＣプロセッサ、ＦＰＧＡ、ＧＰＵか、または他の処理ロジックかは、問わない。コンピュータ命令を処理して標準パターンデータおよびカスタムパターンデータを合成し再サンプリングして、そして、直接描画装置による使用のために出力する。直接描画装置と組み合わせてこのコントローラを拡張して上記したいずれかの方法を実施する直接描画システムを形成することができる。
また、開示された技術を、回転型または非回転型メモリなどの、コンピュータ命令をロードした非一時的なストレージとして実施することができる。このコンピュータ命令は、上記いずれかの方法を実行するようにされた命令であってもよく、ハードウェアと組み合わせて上記コントローラ及び描画システムを生成するようにされた命令であってもよい。

Claims (14)

  1. 基板上の放射感応性層にカスタム潜像を形成する方法であって、
    第１データパス上の標準パターンデータを受信すること、
    第２データパス上のカスタムパターンデータを受信すること、
    前記標準パターンデータおよびカスタムパターンデータを再サンプリングするとともに合成して、放射感応性層内に形成される物理的なカスタム潜像を示す合成され、かつラスタライズされたパターンデータを形成すること、
    直接描画装置を使用して合成され、かつラスタライズされたパターンデータから放射感応性層においてカスタム潜像を形成すること、
    を備える方法。
  2. 前記標準パターンデータおよび前記カスタムパターンデータは、整列されたグリッド上のラスタライズデータであり、
    再サンプリングをするに先立って、前記標準パターンデータおよび前記カスタムパターンデータを合成することを更に含む、請求項１に記載の方法。
  3. 前記標準パターンデータおよび前記カスタムパターンデータを整列されたグリッドに再サンプリングしてから合成することを含む、請求項１に記載の方法。
  4. 異なる処理ロジックを使用して、前記標準パターンデータおよび前記カスタムパターンデータを並列的に再サンプリングすることを更に含む、請求項３に記載の方法。
  5. 合成されたラスタライズパターンデータの第１の部分が直接描画装置によって使用されて、特定カスタム潜像の第１部分が形成されている間に、前記特定カスタム潜像のパターンデータの第２の部分に対し再サンプリングするとともに合成することを更に含む、請求項１−４のいずれか１項に記載の方法。
  6. 前記基板は、シリコンウエハである請求項１−５のいずれか１項に記載の方法。
  7. 前記基板は、半導体ウエハである請求項１−５のいずれか１項に記載の方法。
  8. 前記基板は、回路基板である請求項１−５のいずれか１項に記載の方法。
  9. 前記基板は、フラットパネルディスプレイである請求項１−５のいずれか１項に記載の方法。
  10. 前記基板は、ロール・ツー・ロール製造に使用される可撓性材料である請求項１−５のいずれか１項に記載の方法。
  11. 受信、再サンプリング及び形成操作を１回以上行い、前記カスタム潜像を用いて前記基板上の層をパターニングし、前記パターニングされた層を用いて電子デバイスを形成することを更に含む、請求項１−１０のいずれか１項に記載の方法。
  12. 前記カスタムデータは、基板の特定のバッチに固有のものである請求項１−１１のいずれか１項に記載の方法。
  13. 前記カスタムデータは、特定の基板に固有のものである請求項１−１２のいずれか１項に記載の方法。
  14. 前記カスタムデータは、特定の基板上の特定のダイに固有のものである請求項１−１３のいずれか１項に記載の方法。
JP2012555443A 2010-03-05 2011-03-04 複数の幾何学的ピクセル画像を合成する方法及び単一の変調器ピクセル画像を生成する方法 Active JP6017316B2 (ja)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US31127610P 2010-03-05 2010-03-05
US61/311,276 2010-03-05
US13/039,206 US8539395B2 (en) 2010-03-05 2011-03-02 Method and apparatus for merging multiple geometrical pixel images and generating a single modulator pixel image
US13/039,206 2011-03-02
PCT/EP2011/053337 WO2011107603A1 (en) 2010-03-05 2011-03-04 Method for merging multiple geometrical pixel images and generating a single modulator pixel image

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2013521641A true JP2013521641A (ja) 2013-06-10
JP6017316B2 JP6017316B2 (ja) 2016-10-26

Family

ID=43929079

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012555443A Active JP6017316B2 (ja) 2010-03-05 2011-03-04 複数の幾何学的ピクセル画像を合成する方法及び単一の変調器ピクセル画像を生成する方法

Country Status (6)

Country Link
US (3) US8539395B2 (ja)
EP (1) EP2542940B1 (ja)
JP (1) JP6017316B2 (ja)
KR (1) KR101824748B1 (ja)
CN (1) CN102844715B (ja)
WO (1) WO2011107603A1 (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018041950A (ja) * 2016-09-08 2018-03-15 マッパー・リソグラフィー・アイピー・ビー．ブイ． 荷電粒子マルチビームレットリソグラフィーシステムを使用し、一意的チップを製作するための方法及びシステム
JP2018074133A (ja) * 2016-10-27 2018-05-10 マッパー・リソグラフィー・アイピー・ビー．ブイ． 荷電粒子マルチビームレットリソグラフィーシステムを使用し、一意的チップを製作すること
KR20190052041A (ko) * 2016-09-08 2019-05-15 마퍼 리쏘그라피 아이피 비.브이. 하전 입자 멀티-빔릿 리소그래피 시스템을 사용하여 고유 칩들을 제조하기 위한 방법 및 시스템
TWI757336B (zh) * 2016-09-08 2022-03-11 荷蘭商Ａｓｍｌ荷蘭公司 使用無罩幕微影曝光系統來製造電子裝置的方法、相關的電子裝置、相關的無罩幕微影曝光系統、相關的半導體製造設備、用於產生小波束控制資料的電腦實施方法、及相關的資料處理系統

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8539395B2 (en) * 2010-03-05 2013-09-17 Micronic Laser Systems Ab Method and apparatus for merging multiple geometrical pixel images and generating a single modulator pixel image
FR2998063B1 (fr) * 2012-11-15 2018-04-06 Idemia France Agencement de pixels pour realisation d'une image couleur par laser
WO2017134651A1 (en) * 2016-02-01 2017-08-10 Shapedo Ltd. Comparing and merging complex data structures
KR102481733B1 (ko) * 2016-09-08 2022-12-29 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 하전-입자 멀티-빔렛 리소그래피 시스템을 이용한 고유한 칩들의 제작
US10714427B2 (en) 2016-09-08 2020-07-14 Asml Netherlands B.V. Secure chips with serial numbers
KR102359084B1 (ko) * 2016-12-23 2022-02-07 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 하전 입자 멀티-빔렛 리소그래피 시스템을 이용한 고유 칩 제조
KR20230117439A (ko) * 2020-12-17 2023-08-08 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 로컬 셀 교체를 위한 디지털 리소그래피에서의 적응적교체 맵들의 사용

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0476552A (ja) * 1990-07-18 1992-03-11 Fujitsu Ltd マスクの製造方法及び露光データ作成装置
JP2000228341A (ja) * 1999-02-08 2000-08-15 Toshiba Corp 半導体集積回路
JP2000260688A (ja) * 1999-03-08 2000-09-22 Nec Corp 電子線描画描画用パターンデータ作成方法、電子線描画用パターンデータ作成装置および電子線描画装置
JP2001337439A (ja) * 2000-05-26 2001-12-07 Hitachi Ltd 半導体集積回路の設計、製造方法および検査方法並びに半導体集積回路
JP2002134621A (ja) * 2000-10-30 2002-05-10 Seiko Epson Corp マスクデータ合成方法、マスクデータ検証方法及び半導体集積装置
JP2003515930A (ja) * 1999-11-24 2003-05-07 マイクロニック レーザー システムズ アクチボラゲット 半導体の個別化を行う方法および装置
JP2007264423A (ja) * 2006-03-29 2007-10-11 Fujifilm Corp デジタルデータ処理方法およびこれを用いるデジタル露光装置
JP2011027918A (ja) * 2009-07-23 2011-02-10 Hitachi Via Mechanics Ltd 描画装置

Family Cites Families (109)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4409686A (en) 1980-06-16 1983-10-11 Harris Corporation Method of serialization of dice
US4547882A (en) 1983-03-01 1985-10-15 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Jr. University Error detecting and correcting memories
US4498010A (en) 1983-05-05 1985-02-05 The Perkin-Elmer Corporation Virtual addressing for E-beam lithography
JPH0680626B2 (ja) 1983-11-17 1994-10-12 株式会社日立製作所 電子線描画方法
US4619508A (en) 1984-04-28 1986-10-28 Nippon Kogaku K. K. Illumination optical arrangement
JPS63283021A (ja) 1987-05-14 1988-11-18 Sanyo Electric Co Ltd 露光方法
US4879605A (en) 1988-02-29 1989-11-07 Ateq Corporation Rasterization system utilizing an overlay of bit-mapped low address resolution databases
US5307207A (en) 1988-03-16 1994-04-26 Nikon Corporation Illuminating optical apparatus
US4989255A (en) 1988-03-25 1991-01-29 Texas Instruments Incorporated Expansion of compact database for pattern inspector or writer
US5115477A (en) 1988-03-31 1992-05-19 Honeywell Inc. Image recognition edge detection method and system
US5523193A (en) 1988-05-31 1996-06-04 Texas Instruments Incorporated Method and apparatus for patterning and imaging member
JPH03154096A (ja) 1989-11-13 1991-07-02 Canon Inc パターン発生方法及びパターン発生装置
DE69032740T2 (de) 1989-12-20 1999-06-02 Koninklijke Philips Electronics N.V., Eindhoven Informationscodierungsverfahren zur Chipidentifizierung unter Verwendung von schrittlitografischen Methoden
US5327338A (en) 1990-01-31 1994-07-05 Etec Systems, Inc. Scanning laser lithography system alignment apparatus
JPH07123101B2 (ja) 1990-09-14 1995-12-25 株式会社東芝 半導体装置
US5148157A (en) 1990-09-28 1992-09-15 Texas Instruments Incorporated Spatial light modulator with full complex light modulation capability
US5103101A (en) 1991-03-04 1992-04-07 Etec Systems, Inc. Multiphase printing for E-beam lithography
US5233459A (en) 1991-03-06 1993-08-03 Massachusetts Institute Of Technology Electric display device
US5278949A (en) 1991-03-12 1994-01-11 Hewlett-Packard Company Polygon renderer which determines the coordinates of polygon edges to sub-pixel resolution in the X,Y and Z coordinates directions
US5418796A (en) 1991-03-26 1995-05-23 International Business Machines Corporation Synergistic multiple bit error correction for memory of array chips
EP0558781B1 (en) 1992-03-05 1998-08-05 Micronic Laser Systems Ab Method and apparatus for exposure of substrates
AU4277893A (en) 1992-04-06 1993-11-08 Microunity Systems Engineering, Inc. Method for forming a lithographic pattern in a process for manufacturing semiconductor devices
CA2148121A1 (en) 1992-11-02 1994-05-11 Robin L. Teitzel Rasterizer for a pattern generation apparatus
US5393987A (en) 1993-05-28 1995-02-28 Etec Systems, Inc. Dose modulation and pixel deflection for raster scan lithography
US5539567A (en) 1994-06-16 1996-07-23 Texas Instruments Incorporated Photolithographic technique and illuminator using real-time addressable phase shift light shift
US5504504A (en) 1994-07-13 1996-04-02 Texas Instruments Incorporated Method of reducing the visual impact of defects present in a spatial light modulator display
US5673379A (en) 1995-03-20 1997-09-30 Hewlett-Packard Company Scan line generator for area fill of extensible polygons
JPH08313842A (ja) 1995-05-15 1996-11-29 Nikon Corp 照明光学系および該光学系を備えた露光装置
US5729625A (en) 1995-07-14 1998-03-17 Canon Kabushiki Kaisha Image processing method and apparatus which expand a pixel into multiple pixels, with a change in the number of gray levels
US5963881A (en) 1995-09-22 1999-10-05 Texas Instruments Incorporated Method and system for enhancing the identification of causes of variations in the performance of manufactured articles
US5754618A (en) 1995-12-22 1998-05-19 Matsushita Electric Industrial Image processing apparatus and image processing method for favorably enhancing continuous boundaries which are affected by noise
FR2746057B1 (fr) 1996-03-15 1998-06-05 Procede d'impression d'image tramee avec economie de produit d'impression et imprimante permettant de mettre en oeuvre ledit procede
JP3284045B2 (ja) 1996-04-30 2002-05-20 キヤノン株式会社 Ｘ線光学装置およびデバイス製造方法
US6312134B1 (en) 1996-07-25 2001-11-06 Anvik Corporation Seamless, maskless lithography system using spatial light modulator
US5986781A (en) 1996-10-28 1999-11-16 Pacific Holographics, Inc. Apparatus and method for generating diffractive element using liquid crystal display
US6201559B1 (en) 1996-12-19 2001-03-13 Minolta Co., Ltd. Method for measuring the quantity of light emergent from an optical tip array and image forming apparatus provided with an optical tip array
US6201545B1 (en) 1997-09-23 2001-03-13 Ati Technologies, Inc. Method and apparatus for generating sub pixel masks in a three dimensional graphic processing system
US6281931B1 (en) 1997-11-04 2001-08-28 Tien Ren Tsao Method and apparatus for determining and correcting geometric distortions in electronic imaging systems
SE9800665D0 (sv) 1998-03-02 1998-03-02 Micronic Laser Systems Ab Improved method for projection printing using a micromirror SLM
JP3555484B2 (ja) 1998-03-20 2004-08-18 株式会社日立製作所 電子線描画装置、および描画方法
KR20010042133A (ko) 1998-03-26 2001-05-25 오노 시게오 노광방법, 노광장치, 포토마스크, 포토마스크의 제조방법,마이크로디바이스, 및 마이크로디바이스의 제조방법
JPH11271213A (ja) 1998-03-26 1999-10-05 Toshiba Corp マスク検査装置、露光装置及び照明方法
DE19829674A1 (de) 1998-07-03 2000-01-13 Heidelberg Instruments Mikrotechnik Gmbh Lithografisches Verfahren zur Individualisierung einzelner Chips im Scheibenprozeß
US6261728B1 (en) 1998-10-19 2001-07-17 Vanguard International Semiconductor Corporation Mask image scanning exposure method
EP0997841A3 (en) 1998-10-30 2004-01-02 Texas Instruments Incorporated High resolution digital printing with spatial light modulation
US7328425B2 (en) 1999-05-20 2008-02-05 Micronic Laser Systems Ab Method and device for correcting SLM stamp image imperfections
US6335151B1 (en) 1999-06-18 2002-01-01 International Business Machines Corporation Micro-surface fabrication process
SE516914C2 (sv) 1999-09-09 2002-03-19 Micronic Laser Systems Ab Metoder och rastrerare för högpresterande mönstergenerering
WO2001093303A2 (en) 2000-06-01 2001-12-06 Applied Materials, Inc. High throughput multipass printing with lithographic quality
US6645677B1 (en) 2000-09-18 2003-11-11 Micronic Laser Systems Ab Dual layer reticle blank and manufacturing process
JP3568120B2 (ja) 2000-11-29 2004-09-22 日立金属株式会社 光路切替装置
JP3513489B2 (ja) 2000-12-26 2004-03-31 住友重機械工業株式会社 ガルバノスキャナの制御方法及び装置
US20020122109A1 (en) 2000-12-28 2002-09-05 Ehsani Ali R. Laser pattern imaging of circuit boards with grayscale image correction
US6751362B2 (en) 2001-01-11 2004-06-15 Micron Technology, Inc. Pixel resampling system and method for text
US6823091B2 (en) 2001-01-12 2004-11-23 Micron Technology, Inc. Pixel resampling system and method
US7136081B2 (en) 2001-05-25 2006-11-14 Nvidia Corporation System and method of line sampling object scene information
US7034963B2 (en) 2001-07-11 2006-04-25 Applied Materials, Inc. Method for adjusting edges of grayscale pixel-map images
US6798494B2 (en) 2001-08-30 2004-09-28 Euv Llc Apparatus for generating partially coherent radiation
US7302111B2 (en) 2001-09-12 2007-11-27 Micronic Laser Systems A.B. Graphics engine for high precision lithography
US6618185B2 (en) 2001-11-28 2003-09-09 Micronic Laser Systems Ab Defective pixel compensation method
US7106490B2 (en) 2001-12-14 2006-09-12 Micronic Laser Systems Ab Methods and systems for improved boundary contrast
SE0104238D0 (sv) 2001-12-14 2001-12-14 Micronic Laser Systems Ab Method and apparatus for patterning a workpiece
US6913182B2 (en) 2002-01-18 2005-07-05 Precision Dispensing Equipment, Inc. Method and apparatus for controlled application of flux
SE0200547D0 (sv) 2002-02-25 2002-02-25 Micronic Laser Systems Ab An image forming method and apparatus
EP1426915B1 (en) 2002-04-24 2011-06-22 Panasonic Corporation Image display device
US6813182B2 (en) 2002-05-31 2004-11-02 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Diode-and-fuse memory elements for a write-once memory comprising an anisotropic semiconductor sheet
US20040227767A1 (en) 2002-06-20 2004-11-18 Alberto Baroncelli Vector graphics circuit accelerator for display systems
KR101049608B1 (ko) 2002-08-24 2011-07-14 매스크리스 리소그래피 인코퍼레이티드 연속적인 직접-기록 광 리쏘그래피 장치 및 방법
US7063920B2 (en) 2003-05-16 2006-06-20 Asml Holding, N.V. Method for the generation of variable pitch nested lines and/or contact holes using fixed size pixels for direct-write lithographic systems
US6833854B1 (en) 2003-06-12 2004-12-21 Micronic Laser Systems Ab Method for high precision printing of patterns
US7186486B2 (en) 2003-08-04 2007-03-06 Micronic Laser Systems Ab Method to pattern a substrate
US7842926B2 (en) 2003-11-12 2010-11-30 Micronic Laser Systems Ab Method and device for correcting SLM stamp image imperfections
JP2007517239A (ja) * 2003-11-12 2007-06-28 マイクロニック レーザー システムズ アクチボラゲット Ｓｌｍスタンプ像の欠陥を修正する方法及び装置
US20060068334A1 (en) 2003-12-15 2006-03-30 Micronic Laser Systems Ab Phase-shifting optical maskless lithography enabling asics at the 65 and 45 NM nodes
US7006196B2 (en) 2003-12-15 2006-02-28 Agilent Technologies, Inc. Real time image resizing for dynamic digital photolithography
US7184109B2 (en) * 2003-12-15 2007-02-27 Agilent Technologies, Inc. Liquid crystal cell that resists degradation from exposure to radiation
EP1719018A1 (en) 2004-02-25 2006-11-08 Micronic Laser Systems Ab Methods for exposing patterns and emulating masks in optical maskless lithography
US6963434B1 (en) 2004-04-30 2005-11-08 Asml Holding N.V. System and method for calculating aerial image of a spatial light modulator
US6870172B1 (en) 2004-05-21 2005-03-22 Kla-Tencor Technologies Corporation Maskless reflection electron beam projection lithography
US7529421B2 (en) 2004-07-01 2009-05-05 Applied Materials, Inc. Optical proximity correction in raster scan printing based on corner matching templates
US7407252B2 (en) 2004-07-01 2008-08-05 Applied Materials, Inc. Area based optical proximity correction in raster scan printing
US7102733B2 (en) 2004-08-13 2006-09-05 Asml Holding N.V. System and method to compensate for static and dynamic misalignments and deformations in a maskless lithography tool
US7500218B2 (en) 2004-08-17 2009-03-03 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, method, and computer program product for generating a mask pattern and device manufacturing method using same
US7713667B2 (en) 2004-11-30 2010-05-11 Asml Holding N.V. System and method for generating pattern data used to control a pattern generator
US7403865B2 (en) * 2004-12-28 2008-07-22 Asml Netherlands B.V. System and method for fault indication on a substrate in maskless applications
US20060216869A1 (en) 2005-03-22 2006-09-28 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method, code reading device and substrate
US7209216B2 (en) 2005-03-25 2007-04-24 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing dynamic correction for magnification and position in maskless lithography
US7728956B2 (en) 2005-04-05 2010-06-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing multiple die designs on a substrate using a data buffer that stores pattern variation data
JP4691653B2 (ja) 2005-04-07 2011-06-01 国立大学法人東北大学 データ生成方法、データ生成装置、及びプログラム
US7934172B2 (en) 2005-08-08 2011-04-26 Micronic Laser Systems Ab SLM lithography: printing to below K1=.30 without previous OPC processing
KR20090026116A (ko) 2006-06-09 2009-03-11 가부시키가이샤 니콘 패턴 형성 방법 및 패턴 형성 장치, 노광 방법 및 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
GB2440139A (en) 2006-07-20 2008-01-23 John Bostock Electrocoagulation unit for the removal of contaminants from a fluid
US7726252B2 (en) 2007-02-02 2010-06-01 Maples Industries, Inc Systems and methods for edge measurement
KR100888477B1 (ko) 2007-02-28 2009-03-12 삼성전자주식회사 1차원 광변조기 및 이를 채용한 화상 출력 장치
US7930653B2 (en) 2007-04-17 2011-04-19 Micronic Laser Systems Ab Triangulating design data and encoding design intent for microlithographic printing
US7672531B2 (en) 2007-04-26 2010-03-02 Geostudio Consultants Limited System and method for determining edges of objects in an image
US8318055B2 (en) 2007-08-21 2012-11-27 Johnson & Johnson Vision Care, Inc. Methods for formation of an ophthalmic lens precursor and lens
US20090213350A1 (en) 2008-02-22 2009-08-27 Nikon Corporation Coherence-reduction devices and methods for pulsed lasers
DE102008000967B4 (de) 2008-04-03 2015-04-09 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsbelichtungsanlage für die EUV-Mikrolithographie
US7981742B2 (en) 2008-07-02 2011-07-19 Macronic International Co., Ltd. Semiconductor device, data element thereof and method of fabricating the same
US8057970B2 (en) * 2008-09-01 2011-11-15 D2S, Inc. Method and system for forming circular patterns on a surface
JP2012511168A (ja) 2008-12-05 2012-05-17 マイクロニック マイデータ アーベー マイクロリソグラフ印刷における勾配を援用した画像再サンプリング
WO2010092189A1 (en) 2009-02-16 2010-08-19 Micronic Laser Systems Ab Reconfigurable micro-mechanical light modulator and method
EP2228817B1 (en) 2009-03-09 2012-07-18 IMS Nanofabrication AG Global point spreading function in multi-beam patterning
JP5801288B2 (ja) 2009-05-20 2015-10-28 マッパー・リソグラフィー・アイピー・ビー．ブイ． リソグラフ処理のための２レベルパターンを発生する方法およびその方法を使用するパターン発生器
KR101926423B1 (ko) * 2010-02-26 2018-12-07 마이크로닉 아베 패턴 정렬을 수행하기 위한 방법 및 장치
US8539395B2 (en) * 2010-03-05 2013-09-17 Micronic Laser Systems Ab Method and apparatus for merging multiple geometrical pixel images and generating a single modulator pixel image
US20110216302A1 (en) 2010-03-05 2011-09-08 Micronic Laser Systems Ab Illumination methods and devices for partially coherent illumination
JP5724454B2 (ja) 2011-02-25 2015-05-27 村田機械株式会社 画像処理装置及び画像処理方法

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0476552A (ja) * 1990-07-18 1992-03-11 Fujitsu Ltd マスクの製造方法及び露光データ作成装置
JP2000228341A (ja) * 1999-02-08 2000-08-15 Toshiba Corp 半導体集積回路
JP2000260688A (ja) * 1999-03-08 2000-09-22 Nec Corp 電子線描画描画用パターンデータ作成方法、電子線描画用パターンデータ作成装置および電子線描画装置
JP2003515930A (ja) * 1999-11-24 2003-05-07 マイクロニック レーザー システムズ アクチボラゲット 半導体の個別化を行う方法および装置
JP2001337439A (ja) * 2000-05-26 2001-12-07 Hitachi Ltd 半導体集積回路の設計、製造方法および検査方法並びに半導体集積回路
JP2002134621A (ja) * 2000-10-30 2002-05-10 Seiko Epson Corp マスクデータ合成方法、マスクデータ検証方法及び半導体集積装置
JP2007264423A (ja) * 2006-03-29 2007-10-11 Fujifilm Corp デジタルデータ処理方法およびこれを用いるデジタル露光装置
JP2011027918A (ja) * 2009-07-23 2011-02-10 Hitachi Via Mechanics Ltd 描画装置

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018041950A (ja) * 2016-09-08 2018-03-15 マッパー・リソグラフィー・アイピー・ビー．ブイ． 荷電粒子マルチビームレットリソグラフィーシステムを使用し、一意的チップを製作するための方法及びシステム
KR20190052041A (ko) * 2016-09-08 2019-05-15 마퍼 리쏘그라피 아이피 비.브이. 하전 입자 멀티-빔릿 리소그래피 시스템을 사용하여 고유 칩들을 제조하기 위한 방법 및 시스템
JP2019529986A (ja) * 2016-09-08 2019-10-17 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． 荷電粒子マルチビームレットリソグラフィーシステムを使用し、一意的チップを製作するための方法及びシステム
US11137689B2 (en) 2016-09-08 2021-10-05 Asml Netherlands B.V. Method and system for fabricating unique chips using a charged particle multi-beamlet lithography system
TWI757336B (zh) * 2016-09-08 2022-03-11 荷蘭商Ａｓｍｌ荷蘭公司 使用無罩幕微影曝光系統來製造電子裝置的方法、相關的電子裝置、相關的無罩幕微影曝光系統、相關的半導體製造設備、用於產生小波束控制資料的電腦實施方法、及相關的資料處理系統
KR102454242B1 (ko) * 2016-09-08 2022-10-17 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 하전 입자 멀티-빔릿 리소그래피 시스템을 사용하여 고유 칩들을 제조하기 위한 방법 및 시스템
JP2022163167A (ja) * 2016-09-08 2022-10-25 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． 荷電粒子マルチビームレットリソグラフィーシステムを使用し、一意的チップを製作するための方法及びシステム
JP7507815B2 (ja) 2016-09-08 2024-06-28 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． 荷電粒子マルチビームレットリソグラフィーシステムを使用し、一意的チップを製作するための方法及びシステム
JP2018074133A (ja) * 2016-10-27 2018-05-10 マッパー・リソグラフィー・アイピー・ビー．ブイ． 荷電粒子マルチビームレットリソグラフィーシステムを使用し、一意的チップを製作すること

Also Published As

Publication number Publication date
US9235127B2 (en) 2016-01-12
US9291902B2 (en) 2016-03-22
EP2542940B1 (en) 2014-11-19
US20140137055A1 (en) 2014-05-15
CN102844715B (zh) 2015-12-02
KR101824748B1 (ko) 2018-02-01
EP2542940A1 (en) 2013-01-09
US8539395B2 (en) 2013-09-17
US20120060131A1 (en) 2012-03-08
KR20130061667A (ko) 2013-06-11
US20140170566A1 (en) 2014-06-19
WO2011107603A1 (en) 2011-09-09
JP6017316B2 (ja) 2016-10-26
CN102844715A (zh) 2012-12-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6017316B2 (ja) 複数の幾何学的ピクセル画像を合成する方法及び単一の変調器ピクセル画像を生成する方法
US7618751B2 (en) RET for optical maskless lithography
TWI497231B (zh) 以超越繞射極限光子直接寫入之裝置及方法
US20060068334A1 (en) Phase-shifting optical maskless lithography enabling asics at the 65 and 45 NM nodes
TWI228274B (en) Method and tool for transferring mask pattern
US20050083511A1 (en) Computer architecture for and method of high-resolution imaging using a low-resolution image transducer
JP4417325B2 (ja) 光パターニング方法および光パターニングシステム
KR100730060B1 (ko) 리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법
US8654311B2 (en) Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7728956B2 (en) Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing multiple die designs on a substrate using a data buffer that stores pattern variation data
JP4898262B2 (ja) 複数のパターン形成デバイスを利用するリソグラフィ装置及びデバイス製造方法
JP2005260232A (ja) リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
Sandstrom et al. OML: optical maskless lithography for economic design prototyping and small-volume production
JP2006519494A (ja) Ｓｌｍ直接書き込み装置
JP2004031851A (ja) 露光方法、マスク製造方法および半導体装置の製造方法
TWI640837B (zh) 使用光學投影之基板調整系統及方法
JP2009521108A (ja) Ｓｌｍ直接描画装置
US7253881B2 (en) Methods and systems for lithographic gray scaling
JP2009105385A (ja) リソグラフィシステム、リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
Paufler et al. Continuous image writer with improved critical dimension performance for high-accuracy maskless optical patterning
Aggarwal Evolution of Maskless Digital Lithography: Game changer for Advanced Semiconductor Packaging
US7180577B2 (en) Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing a microlens array at an image plane
TW201102760A (en) Maskless microlithography system and method thereof
JP2007503613A (ja) 光学像を形成する方法、この方法を実行する機器、及びこの方法を使用するデバイスを製造する方法
JP2004509456A (ja) 画像品質を向上し、かつ感光性層の露光の際における描画速度を増加するための方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20140224

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20141125

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20150107

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20150407

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20150701

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20151222

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20160322

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20160906

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20160928

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6017316

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250