JP2017112424A - 光電変換素子、画像読取装置及び画像形成装置 - Google Patents
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- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 title claims abstract description 60
- 239000003086 colorant Substances 0.000 claims abstract description 13
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 10
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 6
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 8
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 46
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 18
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 6
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 5
- 230000006870 function Effects 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 1
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- H01L27/144—Devices controlled by radiation
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- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
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- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14636—Interconnect structures
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
- H01L27/14645—Colour imagers
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/10—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof for transforming different wavelengths into image signals
- H04N25/11—Arrangement of colour filter arrays [CFA]; Filter mosaics
- H04N25/13—Arrangement of colour filter arrays [CFA]; Filter mosaics characterised by the spectral characteristics of the filter elements
- H04N25/134—Arrangement of colour filter arrays [CFA]; Filter mosaics characterised by the spectral characteristics of the filter elements based on three different wavelength filter elements
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- H—ELECTRICITY
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- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/71—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
- H04N25/75—Circuitry for providing, modifying or processing image signals from the pixel array
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
- H04N25/77—Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components
- H04N25/771—Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components comprising storage means other than floating diffusion
Abstract
【解決手段】受光する光の色毎に所定の配列方向に配列されて、光を電荷に変換する複数の受光素子と、複数の受光素子が変換した電荷をそれぞれ電圧信号に変換する複数の画素回路と、複数の画素回路が変換した電圧信号をそれぞれ保持する複数の保持部と、を有し、複数の画素回路は、複数の受光素子にそれぞれ隣接する位置に配置され、複数の保持部は、複数の受光素子及び複数の画素回路が配置された光電変換領域に隣接する隣接領域に配置されていることを特徴とする。
【選択図】図2
Description
2 光電変換素子
3 画素部
4 アナログ処理回路部
10 発振器
12 タイミングクロック生成部
14 信号インターフェース変換
30 受光素子
32 画素回路
34、34a、34b アナログメモリ
36 配線
50 画像形成装置
60 画像読取装置
70 画像形成部
300 光電変換領域
340、340a、340b、340c、340d 隣接領域
Claims (11)
- 受光する光の色毎に所定の配列方向に配列されて、光を電荷に変換する複数の受光素子と、
複数の前記受光素子が変換した電荷をそれぞれ電圧信号に変換する複数の画素回路と、
複数の前記画素回路が変換した電圧信号をそれぞれ保持する複数の保持部と、
を有し、
複数の前記画素回路は、
複数の前記受光素子にそれぞれ隣接する位置に配置され、
複数の前記保持部は、
複数の前記受光素子及び複数の前記画素回路が配置された光電変換領域に隣接する隣接領域に配置されていること
を特徴とする光電変換素子。 - 複数の前記保持部それぞれは、
1つの前記隣接領域内に配置され、配列順序が対応する前記受光素子及び前記画素回路と同順であること
を特徴とする請求項1に記載の光電変換素子。 - 複数の前記保持部それぞれは、
1つの前記隣接領域内に配置され、対応する前記画素回路が変換した電圧信号の光の色の配列順序に対して、保持する電圧信号の光の色の前記配列方向の配列順序が同順であり、保持する電圧信号の光の色の配列順序が逆順であること
を特徴とする請求項1に記載の光電変換素子。 - 前記隣接領域は、
前記光電変換領域を挟んで対向するように二分されていること
を特徴とする請求項1に記載の光電変換素子。 - 複数の前記画素回路は、
複数の前記受光素子が変換した電荷をそれぞれフローティングディフュージョンによって電圧信号に変換し、
前記フローティングディフュージョンが所定の基準電圧にリセットされた状態で出力するリセット電圧信号をそれぞれ保持する複数のリセット信号保持部を前記隣接領域内に
さらに有すること
を特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の光電変換素子。 - 複数の前記保持部は、
前記配列方向に2つずつ隣接するように配置され、
複数の前記リセット信号保持部は、
前記配列方向に2つずつ隣接するように配置されていること
を特徴とする請求項5に記載の光電変換素子。 - 前記保持部及び前記リセット信号保持部は、
前記配列方向に交互に配列されていること
を特徴とする請求項5に記載の光電変換素子。 - 複数の前記画素回路と複数の前記保持部とをそれぞれ接続して、複数の前記画素回路が変換した電圧信号をそれぞれ伝達する複数の信号線を有し、
複数の前記信号線は、
複数の前記受光素子の間にそれぞれ配置されていること
を特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項に記載の光電変換素子。 - 複数の前記信号線は、
複数の前記受光素子を互いに分離させる複数の分離帯とは異なる配線層にそれぞれ形成され、且つ前記分離帯に重なる範囲内に配置されていること
を特徴とする請求項8に記載の光電変換素子。 - 請求項1乃至9のいずれか1項に記載の光電変換素子を有すること
を特徴とする画像読取装置。 - 請求項10に記載の画像読取装置と、
前記画像読取装置が読取った画像を形成する画像形成部と
を有することを特徴とする画像形成装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015243355A JP6668728B2 (ja) | 2015-12-14 | 2015-12-14 | 光電変換素子、画像読取装置及び画像形成装置 |
US15/376,074 US10103192B2 (en) | 2015-12-14 | 2016-12-12 | Photoelectric conversion element, image reading device, and image forming apparatus |
US15/979,960 US10204954B2 (en) | 2015-12-14 | 2018-05-15 | Photoelectric conversion element, image reading device, and image forming apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015243355A JP6668728B2 (ja) | 2015-12-14 | 2015-12-14 | 光電変換素子、画像読取装置及び画像形成装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017112424A true JP2017112424A (ja) | 2017-06-22 |
JP6668728B2 JP6668728B2 (ja) | 2020-03-18 |
Family
ID=59020959
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015243355A Active JP6668728B2 (ja) | 2015-12-14 | 2015-12-14 | 光電変換素子、画像読取装置及び画像形成装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US10103192B2 (ja) |
JP (1) | JP6668728B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2021150800A (ja) * | 2020-03-18 | 2021-09-27 | 株式会社リコー | 光電変換装置、画像読取装置、画像形成装置、及び撮像システム |
Families Citing this family (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10057521B1 (en) * | 2016-08-11 | 2018-08-21 | National Technology & Engineering Solutions Of Sandia, Llc | High-speed CMOS camera |
JP6822096B2 (ja) | 2016-11-24 | 2021-01-27 | 株式会社リコー | 光電変換装置、光電変換方法及び画像形成装置 |
JP6880709B2 (ja) | 2016-12-20 | 2021-06-02 | 株式会社リコー | 光電変換装置、光電変換方法及び画像形成装置 |
US10542184B2 (en) | 2017-01-25 | 2020-01-21 | Ricoh Company, Ltd. | Photoelectric conversion device, defective pixel determining method, image forming apparatus, and recording medium |
JP6946983B2 (ja) | 2017-11-30 | 2021-10-13 | 株式会社リコー | 位置検出装置、画像読取装置、画像形成装置、プログラムおよび位置検出方法 |
JP2019129514A (ja) | 2018-01-26 | 2019-08-01 | 株式会社リコー | 画像読取装置、画像形成装置および濃度補正方法 |
JP7056176B2 (ja) | 2018-01-26 | 2022-04-19 | 株式会社リコー | 位置検出装置、画像形成装置、および位置検出方法 |
JP7043852B2 (ja) | 2018-01-26 | 2022-03-30 | 株式会社リコー | 位置検出装置、画像形成装置、および方法 |
JP7159568B2 (ja) | 2018-02-23 | 2022-10-25 | 株式会社リコー | 光電変換素子、画像読取装置、および画像形成装置 |
JP7010131B2 (ja) | 2018-04-24 | 2022-01-26 | 株式会社リコー | 色検査装置、画像形成装置、色検査方法およびプログラム |
JP7081286B2 (ja) | 2018-04-27 | 2022-06-07 | 株式会社リコー | 読取装置、画像形成装置、情報検出方法、およびプログラム |
CN110830670A (zh) | 2018-08-10 | 2020-02-21 | 株式会社理光 | 读取装置、图像形成装置、真伪判定系统及读取方法 |
CN110830675B (zh) | 2018-08-10 | 2022-05-03 | 株式会社理光 | 读取装置、图像形成装置及读取方法 |
US20200098817A1 (en) * | 2018-09-21 | 2020-03-26 | Mission Support and Test Services, LLC | Solid-state streak camera |
JP7115206B2 (ja) | 2018-10-11 | 2022-08-09 | 株式会社リコー | 原稿サイズ検出装置、画像読取装置、画像形成装置、及び原稿サイズ検出方法 |
JP7183682B2 (ja) | 2018-10-12 | 2022-12-06 | 株式会社リコー | 読取装置、画像読取装置、画像形成装置、及び読取方法 |
US10834352B2 (en) * | 2019-01-14 | 2020-11-10 | Omnivision Technologies, Inc. | Configurable interface alignment buffer between DRAM and logic unit for multiple-wafer image sensors |
JP7314752B2 (ja) * | 2019-09-30 | 2023-07-26 | 株式会社リコー | 光電変換素子、読取装置、画像処理装置および光電変換素子の製造方法 |
JP2021141467A (ja) | 2020-03-05 | 2021-09-16 | 株式会社リコー | 読取装置、画像処理装置および特徴量検出方法 |
JP7468176B2 (ja) | 2020-06-17 | 2024-04-16 | 株式会社リコー | 画像処理装置および画像読取方法 |
JP2022006850A (ja) | 2020-06-25 | 2022-01-13 | 株式会社リコー | 固体撮像素子、読取装置、画像処理装置および制御方法 |
Family Cites Families (41)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5665959A (en) * | 1995-01-13 | 1997-09-09 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Adminstration | Solid-state image sensor with focal-plane digital photon-counting pixel array |
US5909026A (en) * | 1996-11-12 | 1999-06-01 | California Institute Of Technology | Integrated sensor with frame memory and programmable resolution for light adaptive imaging |
US6388241B1 (en) * | 1998-02-19 | 2002-05-14 | Photobit Corporation | Active pixel color linear sensor with line—packed pixel readout |
US20030183829A1 (en) * | 2002-03-27 | 2003-10-02 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Solid-state imaging device and camera |
US7355641B2 (en) * | 2003-01-10 | 2008-04-08 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Solid state imaging device reading non-adjacent pixels of the same color |
JP2007142686A (ja) * | 2005-11-16 | 2007-06-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像装置 |
JP4565567B2 (ja) | 2006-02-07 | 2010-10-20 | 株式会社リコー | アナログ信号バッファ、アナログ信号処理システム、画像読取装置、及び画像形成装置 |
JP4699417B2 (ja) | 2007-04-16 | 2011-06-08 | 株式会社リコー | アナログ処理回路およびアナログ集積回路装置および画像読取装置および画像形成装置 |
JP5444795B2 (ja) | 2008-07-29 | 2014-03-19 | 株式会社リコー | 画像読み取り装置、画像形成装置、振幅調整方法、及びコンピュータプログラム |
JP5206423B2 (ja) | 2009-01-07 | 2013-06-12 | 株式会社リコー | 画像読み取り装置、画像形成装置、及びサンプル・ホールド制御方法 |
JP5326911B2 (ja) | 2009-07-30 | 2013-10-30 | 株式会社リコー | スペクトラム拡散クロックジェネレータ、回路装置、画像読取装置、画像形成装置、及びスペクトラム拡散クロック生成方法 |
JP5454019B2 (ja) | 2009-09-02 | 2014-03-26 | 株式会社リコー | 光電変換素子、センサ制御回路、画像読取装置、及び画像形成装置 |
JP5476876B2 (ja) | 2009-09-11 | 2014-04-23 | 株式会社リコー | センサ駆動回路、ドライバ装置、画像読取装置、及び画像形成装置 |
JP5633860B2 (ja) | 2010-07-06 | 2014-12-03 | 株式会社リコー | アナログ信号バッファおよび画像読取装置 |
JP5716346B2 (ja) | 2010-10-13 | 2015-05-13 | 株式会社リコー | 信号バッファ回路とセンサ制御基板と画像読取装置および画像形成装置 |
US9030582B2 (en) * | 2011-02-08 | 2015-05-12 | Shimadzu Corporation | Solid state image sensor and method for driving the same |
JP5724463B2 (ja) | 2011-03-03 | 2015-05-27 | 株式会社リコー | 信号処理回路と画像読取装置および画像形成装置 |
JP6226508B2 (ja) | 2011-09-13 | 2017-11-08 | 株式会社リコー | 画像読取装置、画像形成装置及び画像読取方法 |
JP5839998B2 (ja) * | 2012-01-10 | 2016-01-06 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置 |
JP6051654B2 (ja) | 2012-07-25 | 2016-12-27 | 株式会社リコー | 画像読取装置、及び画像形成装置 |
KR20150099727A (ko) * | 2012-12-20 | 2015-09-01 | 소니 주식회사 | 촬상 소자, 촬상 장치, 전자 기기, 임계치 산출 장치 및 촬상 방법 |
JP6146015B2 (ja) | 2013-01-18 | 2017-06-14 | 株式会社リコー | 光電変換素子、画像読取装置及び画像形成装置 |
JP6127536B2 (ja) | 2013-01-24 | 2017-05-17 | 株式会社リコー | 画像読取装置、画像形成装置及び画像読取方法 |
JP6149408B2 (ja) | 2013-01-29 | 2017-06-21 | 株式会社リコー | 固体撮像素子、画像読取装置及び画像形成装置 |
JP6205885B2 (ja) | 2013-06-18 | 2017-10-04 | 株式会社リコー | 光電変換素子、画像読取装置、画像形成装置及び画像読取方法 |
JP6383143B2 (ja) | 2013-10-08 | 2018-08-29 | 株式会社リコー | 撮像素子、画像読取装置、画像形成装置及び撮像方法 |
JP6287058B2 (ja) | 2013-10-24 | 2018-03-07 | 株式会社リコー | 縮小光学系用の光電変換素子、画像読取装置、画像形成装置及び画像読取方法 |
JP6225682B2 (ja) * | 2013-12-11 | 2017-11-08 | 株式会社リコー | 撮像素子、画像読取装置及び画像形成装置 |
JP6281304B2 (ja) | 2014-02-04 | 2018-02-21 | 株式会社リコー | 撮像素子、画像読取装置及び画像形成装置 |
JP6278730B2 (ja) | 2014-02-20 | 2018-02-14 | オリンパス株式会社 | 固体撮像装置および撮像システム |
JP6274904B2 (ja) * | 2014-02-25 | 2018-02-07 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置及び撮像システム |
JP6354328B2 (ja) | 2014-05-22 | 2018-07-11 | 株式会社リコー | 画像読取装置、画像形成装置及び画像読取方法 |
JP6519997B2 (ja) | 2014-07-04 | 2019-05-29 | 株式会社リコー | 光電変換素子、画像読取装置及び画像形成装置 |
JP6451104B2 (ja) | 2014-07-04 | 2019-01-16 | 株式会社リコー | 光電変換素子、画像読取装置、画像形成装置及び信号制御方法 |
JP6549366B2 (ja) * | 2014-09-19 | 2019-07-24 | 株式会社リコー | 光電変換素子、画像読取装置及び画像形成装置 |
US10728450B2 (en) * | 2014-09-30 | 2020-07-28 | Qualcomm Incorporated | Event based computer vision computation |
JP6612492B2 (ja) | 2014-10-16 | 2019-11-27 | 株式会社リコー | 光電変換素子、画像読取装置及び画像形成装置 |
JP6519142B2 (ja) | 2014-10-28 | 2019-05-29 | 株式会社リコー | 処理装置、画像読取装置及び画像形成装置 |
US9774801B2 (en) * | 2014-12-05 | 2017-09-26 | Qualcomm Incorporated | Solid state image sensor with enhanced charge capacity and dynamic range |
JP6432332B2 (ja) | 2014-12-15 | 2018-12-05 | 株式会社リコー | 光電変換素子、画像読取装置及び画像形成装置 |
JP6451344B2 (ja) | 2015-01-23 | 2019-01-16 | 株式会社リコー | 画像読取装置、画像処理装置及び画像読取方法 |
-
2015
- 2015-12-14 JP JP2015243355A patent/JP6668728B2/ja active Active
-
2016
- 2016-12-12 US US15/376,074 patent/US10103192B2/en active Active
-
2018
- 2018-05-15 US US15/979,960 patent/US10204954B2/en active Active
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US20170170225A1 (en) | 2017-06-15 |
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