JP2016537514A - 電解銅箔、並びにこれを含む電気部品及び電池 - Google Patents

Abstract

本発明によれば、析出面の中心線平均粗さ（Ｒａ）、最大高さ（Ｒｍａｘ）及び十点平均高さ（Ｒｚ）が次の式を満たす電解銅箔が提供される：１．５≦（Ｒｍａｘ−Ｒｚ）／Ｒａ≦６．５。本発明に係る電解銅箔は、低粗度及び高強度を維持しながら高い延伸率を示し、特に光沢度が高いため、中大型リチウムイオン二次電池の集電体、及びＴＣＰ（Ｔａｐｅ Ｃａｒｒｉｅｒ Ｐａｃｋａｇｅ）に使用されるＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）用半導体パッケージング（ｐａｃｋａｇｉｎｇ）基板などに使用できる。

Description

本発明は、電解銅箔、並びに該電解銅箔を含む電気部品及び電池に係り、より詳しくは、高温熱処理後も高い引張強度と高い延伸率を同時に有する低粗度、高強度及び高延伸電解銅箔に関する。

一般に、二次電池の集電体としては銅箔が用いられる。前記銅箔は圧延加工による圧延銅箔が主に用いられるが、この圧延銅箔は、製造コストが高く、広幅に製造することが難しい。さらに、圧延銅箔は、圧延加工時に潤滑油を使用しなければならないため、潤滑油の汚染により活物質との密着性が低下して電池の充放電サイクル特性が低下するおそれがある。

リチウム電池は充放電による体積変化及び過充電による発熱現象を伴う。また、電極活物質との密着性を向上させ、充放電サイクルに伴う活物質層の膨張収縮による銅箔基材への影響が少なくて集電体としての銅箔に対してシワや破断などの発生を防止する効果が現れるように銅箔の表面粗さが低くなければならない。よって、リチウム電池の体積変化及び発熱現象に耐えられるうえ、活物質との密着性にも優れた高延伸、高強度及び低粗度銅箔が求められる。

また、電子機器の軽薄短小の要求により、高機能化・小型化・軽量化による狭い面積内における回路の集積度を高めるために、半導体実装基板やメインボード基板の微細配線化に対する要求が増加している。このような微細パターンを有するプリント配線板の製造に厚い銅箔が用いられると、配線回路形成のためのエッチング時間が長くなり、配線パターンの側壁の垂直性が低下する。特に、エッチングによって形成される配線パターンの配線線幅が狭い場合には、配線が断線するおそれがある。従って、ファインピッチ回路を得るためにはより厚さの薄い銅箔が要求される。ところが、薄い銅箔は、銅箔の厚さが制限されるため、機械的強度が弱くてプリント配線基板の製造時にシワや折れなどの不良の発生頻度が高くなる。

そして、ＴＣＰ（Ｔａｐｅ Ｃａｒｒｉｅｒ Ｐａｃｋａｇｅ）に使用されるＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）用半導体パッケージング（ｐａｃｋａｇｉｎｇ）基板などにおいて、製品の中央部に位置するデバイスホール（ｄｅｖｉｃｅ ｈａｌｌ）に配置されるインナーリード（ｉｎｎｅｒ ｌｅａｄ）に対してＩＣチップの複数の端子を直接ボンディングする。この際、ボンディング装置を用いて瞬間的に電流を流して加熱し、一定の圧力を加える。よって、電解銅箔のエッチングによって形成されたインナーリードがボンディング圧によって引っ張られて伸びるようになる。

このため、厚さが薄く、機械的強度が高く、しかも高延伸が可能な低粗度銅箔が求められる。

本発明のある側面は、新規の電解銅箔を提供することを目的とする。

本発明の他の側面は、電解銅箔を含む電気部品を提供することを目的とする。

本発明の別の側面は、電解銅箔を含む電池を提供することを目的とする。

上記目的を達成するために、本発明のある側面による電解銅箔は、析出面の中心線平均粗さ（Ｒａ）、最大高さ（Ｒｍａｘ）及び十点平均高さ（Ｒｚ）が次の式を満たす。

電解銅箔は、熱処理前の引張強度が４０ｋｇｆ／ｍｍ^２〜７０ｋｇｆ／ｍｍ^２であり、熱処理後の引張強度も４０ｋｇｆ／ｍｍ^２〜７０ｋｇｆ／ｍｍ^２であってもよい。熱処理は１８０℃で１時間行われてもよい。さらに、熱処理後の引張強度は熱処理前の引張強度の８５％〜９９％であることが好ましい。

電解銅箔は、熱処理前の延伸率が２％〜１５％であり、熱処理後の延伸率は４％〜１５％であってもよい。熱処理は１８０℃で１時間行われてもよい。さらに、熱処理後の延伸率は熱処理前の延伸率の１倍〜４．５倍であることが好ましい。

電解銅箔の端部のカール角度は０°〜４５°であり、端部のカール高さは０ｍｍ〜４０ｍｍであり、電解銅箔の厚さは２μｍ〜１０μｍであってもよい。

本発明の他の側面によれば、前記電解銅箔を含む電池が提供される。

本発明の別の側面によれば、絶縁性基材、及び絶縁性基材の一表面に付着した前記電解銅箔を含む電気部品が提供される。

本発明の電解銅箔は、析出面から外部に突出した表面要素の最大垂直距離と垂直距離の平均との差が小さいため、後処理工程の前にも高光沢度を示して製品の品質を向上させる効果がある。また、本発明に係る電解銅箔は、高強度及び高延伸率を示し、電解銅箔内のストレスが小さくて端部のカール現象を防止することができる。したがって、本発明に係る電解銅箔は、低粗度、高強度及び高延伸率を示して工程実行が有利であり、製品不良率を減少させるうえ、ＰＣＢまたは二次電池の陰極集電体などの製品に使用される場合には製品の信頼性を向上させることができる。

本発明の一実施形態に係る電解銅箔の倍率２，０００倍の電界放出型走査電子顕微鏡（Ｆｉｅｌｄ ｅｍｉｓｓｉｏｎ ｓｃａｎｎｉｎｇ ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｙ、ＦＥＳＥＭ）画像である。 本発明の一実施形態に係る電解銅箔の倍率１０，０００倍のＦＥＳＥＭ画像である。 本発明の一実施形態に係る電解銅箔の倍率５０，０００倍のＦＥＳＥＭ画像である。 本発明の一実施形態に係る電解銅箔の倍率１００，０００倍のＦＥＳＥＭ画像である。 本発明の一実施形態に係る電解銅箔の倍率１００，０００倍のＦＥＳＥＭ画像である。 実施例１で製造された電解銅箔の析出面に対するＸＲＤ（Ｘ−ｒａｙ ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ）スペクトルである。 実施例１で製造された電解銅箔の表面に対する走査型電子顕微鏡（ｓｃａｎｎｉｎｇ ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｙ、ＳＥＭ）画像である。 実施例２の電解銅箔の表面に対するＳＥＭ画像である。 実施例３の電解銅箔の表面に対するＳＥＭ画像である。 実施例４の電解銅箔の表面に対するＳＥＭ画像である。 比較例１の電解銅箔の表面に対するＳＥＭ画像である。 比較例２の電解銅箔の表面に対するＳＥＭ画像である。 比較例３の電解銅箔の表面に対するＳＥＭ画像である。 比較例４の電解銅箔の表面に対するＳＥＭ画像である。

本発明のある側面による電解銅箔は、析出面の中心線平均粗さ（Ｒａ）、最大高さ（Ｒｍａｘ）及び十点平均高さ（Ｒｚ）が次の式を満たす。

以下、本発明に係る電解銅箔、該電解銅箔を含む電気部品及び電池、並びに電解銅箔の製造方法についてさらに詳細に説明する。

本発明の一実施形態に係る電解銅箔は、次の式を満たす。

式中、Ｒａは析出面の中心線平均粗さ（μｍ）、Ｒｍａｘは最大高さ（μｍ）、Ｒｚは十点平均高さ（μｍ）をそれぞれ示す。

Ｒａ（Ｒｏｕｇｈｎｅｓｓ Ａｖｅｒａｇｅ）は、析出面における平均粗さであって、実際の表面と中心線との間の面積、すなわち測定区間の表面輪郭の高さの絶対値の和を示す。Ｒｍａｘは、最も高く突出した表面要素、すなわち最も高い山頂（ｐｅａｋ）から最も低いところ、すなわち最も深い谷底（ｖａｌｌｅｙ）までの垂直距離を意味する。すなわち、Ｒｍａｘは表面要素の最大垂直距離を意味する。Ｒｚは全体測定区間で測定した５つの最も高い山頂の高さに５つの最も低い谷底の深さを加えた値の平均値である。

本明細書において、「表面要素」は、析出面に見える明るい部分であって、電解銅箔の表面に突出した部分を意味するが、表面要素のうち高いものを山頂（ｐｅａｋ）とし、表面要素同士の間に掘られた領域を谷底（ｖａｌｌｅｙ）とする。

本発明に係る電解銅箔は析出面の光沢度が非常に高い。電解銅箔は、銅電解液浴槽に浸漬された回転する陰極ドラムと陽極との間で電流を供給して陰極ドラムの表面に銅箔を析出させて得るが、電解銅箔の陰極ドラムに接触する面は光沢面（Ｓｈｉｎｙ ｓｉｄｅ、Ｓ面）といい、その反対面は析出面という。析出面は、ドラムに接触する光沢面とは異なり、電解された銅箔がそのまま析出する面であるため、原則的に光沢が少なく表面粗さが高い。よって、析出面は、後処理によって表面粗さを下げ、必要に応じて光沢を与える処理を行う。

しかし、本発明に係る電解銅箔の析出面の光沢度は後処理工程の前にも高い。図１は本発明の一実施形態に係る電解銅箔の倍率２，０００倍の電界放出型走査電子顕微鏡（Ｆｉｅｌｄ ｅｍｉｓｓｉｏｎ ｓｃａｎｎｉｎｇ ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｙ、ＦＥＳＥＭ）画像である。

析出面は、工程の特性上、一般に倍率２，０００倍のＦＥＳＥＭ分析を行う場合、表面に凹凸が現れるうえ、光沢度が高くない。一方、図１において、本発明に係る電解銅箔の析出面は光沢面と同様に鏡（ｍｉｒｒｏｒ）のような光沢を示している。

ＦＥＳＥＭ分析の解像度を高めて図２の１０，０００倍のＦＥＳＥＭ画像、図３の５０，０００倍のＦＥＳＥＭ画像及び図４の１００，０００倍のＦＥＳＥＭ画像を分析すると、解像度を高めるほど、表面に凹凸、すなわち表面要素を確認することができる。ところが、１０，０００倍のＦＥＳＥＭ画像からも凹凸を確認することが難しく、５０，０００倍のＦＥＳＥＭ及び１００，０００倍のＦＥＳＥＭ分析などの超高解像度から凹凸を確認している。

図４において、本発明に係る電解銅箔は析出面の表面要素の大きさ及び高さが均一である。同じサンプルに対して５２度傾けて（ｔｉｌｔ）１００，０００倍のＦＥＳＥＭ分析を行った結果が図５に示されている。図５では、突出した表面要素同士の間の谷底がさらに明確に示されている。

電解銅箔の表面が同じ表面粗さを有する場合でも、谷底が外部に現れる領域が小さいか谷底の数が小さければ、表面光沢度は向上する。粗度を表面要素の体積から判断する場合、同じ表面粗さで山頂の高さが高ければ、山頂と谷底が鋭利に形成されていると見なすことができる。すなわち、表面粗さを表面における表面要素が突出したか或いは引き込まれた全体領域とする場合、同じ表面粗さで山頂の高さが高く谷底の深さが深ければ、表面要素が鋭利に形成されているといえる。これは、同じ表面粗さで山頂の高さが低く谷底の深さが浅ければ、表面要素は鈍く形成されていると見なすことができる。

この場合、析出面における谷底の深さが浅く、外部に見える暗い部分の平均直径が大きい場合、表面に現れた暗い領域である谷底がさらに大きく光沢度に影響を与えることができる。すなわち、谷底の深さが深く平均直径が小さい場合は、外部に暗い領域が少なく現れるため、追加の処理なしでも光沢度が向上できる。

したがって、本発明に係る電解銅箔の析出面における谷底は、相対的に深さは深く平均直径は小さいことが光沢度の面で好ましい。谷底の深さが深く平均直径が小さいためには、表面要素が高い高さに鋭く形成されていなければならない。

このために、本発明の一実施形態に係る電解銅箔は次の式を満たす。

式中、Ｒａは析出面の中心線平均粗さ（μｍ）、Ｒｍａｘは最大高さ（μｍ）、Ｒｚは十点平均高さ（μｍ）をそれぞれ示す。

前記式中、（Ｒｍａｘ−Ｒｚ）／Ｒａ値が６．５以下であれば、後処理工程なしに優れた光沢度値を得ることができる。一方、（Ｒｍａｘ−Ｒｚ）／Ｒａ値が１．５以下であれば、ＲｍａｘとＲｚの差があまり小さいため、表面要素の山頂から谷底までの値が全体的に高くなって全体的な表面粗さが高くなる。

ＲｍａｘからＲｚを差し引いた値は、表面要素のうち最も高い山頂の中心線からの高さと最も低い谷底の中心線からの深さとを加えた値（Ｒｍａｘ）から、表面要素のうち最も高い５つの山頂の高さと最も低い５つの谷底の深さとを加えた値の平均値（Ｒｚ）を差し引いた値である。つまり、表面要素の中心線を基準とした最大垂直長さと、最も高い山頂及び谷底を含む高い山頂及び谷底各５つの平均値との差を意味する。その差が大きいことは最も高い山頂と残りの４つの高さとの差が大きいことを意味するが、これは全体的に表面要素に高さや深さのバラツキがあるように形成されていることを意味する。その差が小さいことは、高い山頂や深い谷底が多く形成されており、表面要素の高さのバラツキが大きくないことを意味する。但し、Ｒｚが５つの山頂及び谷底の値の平均を示すため、Ｒａを式に反映して平均的なバラツキを得ることができる。

表面粗さが同じである場合、（Ｒｍａｘ−Ｒｚ）／Ｒａが大きければ、析出面の表面要素の高さバラツキが大きく、表面要素は鈍く形成されるようになる。（Ｒｍａｘ−Ｒｚ）／Ｒａが小さければ、析出面の表面要素の高さバラツキが小さいため表面要素は鋭く形成され、これは光沢度向上効果を示す。（Ｒｍａｘ−Ｒｚ）／Ｒａの最大値及び最小値については下記の実施例を参照してさらに説明する。

本発明の一実施形態に係る電解銅箔は、析出面の表面粗さ（Ｒｚ）が１．４μｍ以下であり、熱処理後の引張強度が４０ｋｇｆ／ｍｍ^２以上であり、延伸率が４％以上である。

前記電解銅箔は、表面粗さ（Ｒｚ）１．４μｍ以下の低粗度銅箔でありながら、４０ｋｇｆ／ｍｍ^２以上の高い引張強度を有するので、機械的強度が高い。これと同時に、前記電解銅箔は、高温を経た後も４％以上の高延伸率を有する。

また、本発明に係る電解銅箔は、端部のカール（ｃｕｒｌ）角度が０°〜４５°である。端部のカール角度は電解銅箔を平らな床の上に置く場合、電解銅箔の端部、つまり角部や縁部が反る角度を意味する。電解銅箔の端部のカール現象は、電解銅箔の内部エネルギーが不均一であるときに発生するものと知られているが、端部のカールが発生する場合、ＰＣＢ工程における積層などの工程で端部が破れるような不良が多数発生するおそれがあり、リチウム二次電池の工程では活物質コーティングの際に端部が破れたり折れたり皺立ったりするなどの問題が発生するおそれがある。電解銅箔の端部のカール角度が大きければ、後続工程に使用し難いので、端部のカール角度は０°〜４５°であることが好ましい。また、電解銅箔を平らな床の上に広げておいてＸ字状にカットし、カットした部分が捲れ上がる高さを端部のカール高さとする。端部のカール高さは０ｍｍ〜４０ｍｍであることが好ましい。本発明に係る電解銅箔の場合、銅結晶内に不純物が存在して強度が高いので、端部のカール程度が大きいと予想されるが、銅結晶粒界に不純物が存在しないため、内部のストレスが低くなって端部のカール程度が低くなる。

したがって、前記電解銅箔はＰＣＢ（Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ Ｂｏａｒｄ）／ＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ ＰＣＢ）用途及び電池の集電体用途に同時に使用できる。

前記電解銅箔において、析出面の表面粗さ（Ｒｚ）が１．４μｍを超える場合、陰極集電体用電解銅箔の表面と活物質との接触面が小さくなって充放電サイクルの寿命及び充電初期の電気容量が低くなるおそれがある。また、前記析出面の表面粗さ（Ｒｚ）が１．４μｍを超える場合、プリント配線板でファインピッチを有する高密度回路を形成することが容易ではない。

前記電解銅箔は、引張強度が４０ｋｇｆ／ｍｍ^２〜７０ｋｇｆ／ｍｍ^２であって高強度特性を有する。また、前記電解銅箔は、熱処理後も引張強度が４０ｋｇｆ／ｍｍ^２〜７０ｋｇｆ／ｍｍ^２である。熱処理は、例えば１５０℃〜２２０℃、詳しくは１８０℃で行うことができる。熱処理は、３０分、１時間、２時間及び数時間にわたって行うことができる。熱処理は、電解銅箔の引張強度を測定するためのもので、電解銅箔を保管し或いは後続工程に投入した場合、一定のレベルに変わらない値に維持される引張強度や延伸率を得るための処理である。

前記電解銅箔は、熱処理後の引張強度が４０ｋｇｆ／ｍｍ^２未満であれば、機械的強度が弱くて取り扱いが難しいおそれがある。

前記電解銅箔は、熱処理後の引張強度が熱処理前の引張強度に類似することが好ましい。前記電解銅箔の熱処理後の引張強度は熱処理前の引張強度の８５％〜９９％であることが好ましいが、熱処理後も強度を維持すると、後続工程での取り扱いが容易で歩留まりが高くなる。

前記電解銅箔は熱処理前の延伸率が２％〜１５％であってもよい。また、前記電解銅箔は熱処理後の延伸率が４％〜１５％であってもよいが、熱処理は１８０℃で１時間行うことができる。または、熱処理後の延伸率は熱処理前の延伸率の１倍〜４．５倍であってもよい。

前記電解銅箔における熱処理後の延伸率が４％未満であれば、後続工程が高温工程である場合にクラックが発生するおそれがある。例えば、前記電解銅箔が二次電池の陰極集電体として使用される場合、陰極集電体製造時の工程が高温工程であり、充放電時に活物質層の体積変化が伴うので、クラックが発生して不良の原因となるおそれがあるので、熱処理後に所定の延伸率を維持しなければならない。

前記電解銅箔は、析出面に対するＸＲＤスペクトルにおいて、（２００）結晶面に対する回折ピークの強度Ｉ（２００）と（１１１）結晶面に対する回折ピークの強度Ｉ（１１１）との比であるＩ（２００）／Ｉ（１１１）が０．５〜１．０であり得る。

例えば、図６に示すように、析出面に対するＸＲＤスペクトルにおいて、回折角度（２θ）４３．０°±１．０°で（１１１）結晶面に対する回折ピークを示し、回折角度（２θ）５０．５°±１．０°で（２００）結晶面に対する回折ピークを示し、これらの強度比Ｉ（２００）／Ｉ（１１１）が０．５〜１．０以上であり得る。

例えば、前記の電解銅箔におけるＩ（２００）／Ｉ（１１１）が０．５〜０．８であってもよい。前記電解銅箔の前記析出面に対するＸＲＤスペクトルにおいて、（２００）結晶面に対する配向指数Ｍ（２００）と（１１１）結晶面に対する配向指数Ｍ（１１１）から得られる配向指数の比であるＭ（２００）／Ｍ（１１１）が１．１〜１．５であり得る。前記配向指数（ｏｒｉｅｎｔａｔｉｏｎ ｉｎｄｅｘ）は、任意の試料に対する特定の結晶面の相対的なピーク強度を、あらゆる結晶面に対して無配向な標準試料から得られる特定結晶面の相対的なピーク強度で割った値である。例えば、前記電解銅箔におけるＭ（２００）／Ｍ（１１１）が１．２〜１．４であってもよい。

前記電解銅箔は、１８０℃で１時間熱処理した後の延伸率が１０％以上であり得る。すなわち、前記電解銅箔は、高温熱処理後の延伸率が１０％以上である高延伸率を持つことができる。例えば、前記電解銅箔は高温熱処理後の延伸率が１０％〜２０％であってもよい。例えば、前記電解銅箔は高温熱処理後の延伸率が１０％〜１５％であってもよい。例えば、前記電解銅箔は高温熱処理後の延伸率が１０％〜１３％であってもよい。前記電解銅箔は熱処理前の延伸率が２％以上であってもよい。例えば、前記電解銅箔は熱処理前の延伸率が２％〜２０％であってもよい。例えば、前記電解銅箔は熱処理前の延伸率が５％〜２０％であってもよい。例えば、前記電解銅箔は、熱処理前の延伸率が５％〜１５％であってもよい。例えば、前記電解銅箔は、熱処理前の延伸率が５％〜１０％であってもよい。前記「熱処理前」という用語は、高温状態で熱処理する前の温度である２５℃〜１３０℃を意味する。前記延伸率は、電解銅箔が破断される直前まで延伸された距離を電解銅箔の最初長さで割った値である。

前記電解銅箔は析出面の表面粗さＲｚが０．７μ以下であり得る。前記電解銅箔は、Ｒｚ０．７μｍ以下の低粗度を有することにより、ＰＣＢ／ＦＰＣ用銅箔及び二次電池用陰極集電体の銅箔としてすべて使用できる。例えば、前記電解銅箔は、析出面の表面粗さ（Ｒｚ）が０．５μｍ以下であってもよい。例えば、前記電解銅箔は、析出面の表面粗さ（Ｒｚ）が０．４５μｍ以下であってもよい。

前記電解銅箔は析出面の表面粗さ（Ｒａ）が０．１５μｍ以下であり得る。前記電解銅箔は、Ｒａ０．１５μｍ以下の低粗度を有することにより、ＰＣＢ／ＦＰＣ用銅箔及び二次電池用陰極集電体の銅箔としてすべて使用できる。例えば、前記電解銅箔は、析出面の表面粗さ（Ｒａ）が０．１２μｍ以下であってもよい。例えば、前記電解銅箔は、析出面の表面粗さ（Ｒａ）が０．１１μｍ以下であってもよい。

前記電解銅箔の熱処理後の引張強度が熱処理前の引張強度の８５％以上であり得る。例えば、前記電解銅箔の１８０℃で１時間熱処理した後の引張強度が熱処理前の引張強度の９０％以上であってもよい。前記熱処理前の引張強度は、高温熱処理なしで得られた銅箔の引張強度である。前記電解銅箔の熱処理前の引張強度は４０ｋｇｆ／ｍｍ^２〜７０ｋｇｆ／ｍｍ^２であり得る。

前記電解銅箔における析出面の幅方向に対する光沢度（Ｇｓ（６０°））が５００以上であり得る。例えば、前記電解銅箔における析出面の幅方向に対する光沢度（Ｇｓ（６０°））が５００〜１０００であってもよい。前記光沢度はＪＩＳ Ｚ８７１−１９９７に準拠して測定された値である。

前記電解銅箔の厚さは３５μｍ以下であり得る。例えば、前記電解銅箔の厚さは６〜３５μｍであってもよい。例えば、前記電解銅箔の厚さは６〜１８μｍであってもよい。また、例えば、前記電解銅箔の厚さは２〜１０μｍであってもよい。

前記電解銅箔は、絶縁樹脂などと接着する必要がある場合、密着性を実用レベルまたはそれ以上にするために、表面処理がさらに実施できる。銅箔上における表面処理としては、例えば、耐熱及び耐化学性処理、クロメート処理、シランカップリング処理のいずれかまたはこれらの組み合わせなどを挙げることができ、どの表面処理をどのように実施するかは、絶縁樹脂として用いる樹脂または工程条件に応じて、本発明の属する技術分野における通常の知識を有する者が選択して行われる。

例示的な一実施形態による電気部品は、絶縁性基材；及び該絶縁性基材の一表面に付着した前記電解銅箔；を含み、該電解銅箔をエッチングして形成された回路を含む。

前記電気部品は、例えば、ＴＡＢテープ、プリント配線板（ＰＣＢ）、軟性プリント配線板（ＦＰＣ、Ｆｌｅｘｉｂｌｅ ＰＣＢ）などであるが、必ずしもこれらに限定されず、前記電解銅箔を絶縁性基材上に付着させて使用するものであって、当該技術分野で使用できるものであればいずれでも使用可能である。

例示的な一実施形態に係る電池は、前記電解銅箔を含む。前記電解銅箔は、前記電池の陰極集電体として使用できるが、必ずしもこれらに限定されず、電池に使用される他の構成要素としても使用できる。前記電池は、特に限定されるものではなく、一次電池、二次電池をすべて含み、リチウムイオン電池、リチウムポリマー電池、リチウム空気電池など、電解銅箔を集電体として用いる電池であって当該技術分野で使用できる電池であれば、いずれでも使用可能である。

例示的な一実施形態に係る電解銅箔の製造方法は、添加剤Ａ；添加剤Ｂ；添加剤Ｃ及び添加剤Ｄ；を含む銅電解液を電解する段階を含み、前記添加剤Ａはチオ尿素系化合物、及び窒素を含む複素環にチオール基が連結された化合物よりなる群から選択された１種以上であり、前記添加剤Ｂは硫黄原子を含む化合物のスルホン酸またはその金属塩であり、前記添加剤Ｃは非イオン性水溶性高分子であり、前記添加剤Ｄはフェナジニウム（ｐｈｅｎａｚｉｎｉｕｍ）系化合物である。

前記電解銅箔の製造方法は、新しい組成の添加剤を含むことにより、厚さが薄く、機械的強度が高く、しかも高延伸が可能な低粗度銅箔を製造することができる。前記銅電解液は、濃度１〜４０ｐｐｍの塩素（塩素イオン）を含むことができる。銅電解液中に塩素イオンが少量存在すると、電解メッキの際に初期核生成サイトが多くなって結晶粒が微細になり、結晶粒界界面に形成されるＣｕＣｌ_２の析出物が高温で加熱されるときに結晶成長を抑制して高温での熱的安定性を向上させることができる。前記塩素イオンの濃度が１ｐｐｍ未満であれば、硫酸−硫酸銅電解液中に必要な塩素イオンの濃度が足りなくて熱処理前の引張強度が低下し、高温での熱的安定性が低下するおそれがある。塩素イオンの濃度が４０ｐｐｍ超過であれば、析出面の表面粗さが上昇して低粗度の電解銅箔の製造が難しく、熱処理前の引張強度が低下し、高温での熱的安定性が低下するおそれがある。

前記銅電解液における前記添加剤Ａの含有量が１〜１０ｐｐｍであり、前記添加剤Ｂの含有量が１０〜２００ｐｐｍであり、前記添加剤Ｃの含有量が５〜４０ｐｐｍであり、前記添加剤Ｄの含有量が１〜１０ｐｐｍであり得る。

前記銅電解液における添加剤Ａは、電解銅箔の製造安定化を向上させ、電解銅箔の強度を向上させることができる。前記添加剤Ａの含有量が１ｐｐｍ未満である場合には、電解銅箔の引張強度が低下するおそれがあり、前記添加剤Ａの含有量が１０ｐｐｍを超える場合には、析出面の表面粗さが上昇して低粗度の電解銅箔の製造が難しく、引張強度が低下するおそれがある。

前記銅電解液における添加剤Ｂは、電解銅箔の表面光沢を向上させることができる。前記添加剤Ｂの含有量が１０ｐｐｍ未満である場合には、電解銅箔の光沢が低下するおそれがあり、前記添加剤Ｂの含有量が２００ｐｐｍを超える場合には、析出面の表面粗さが上昇して低粗度の電解銅箔の製造が難しく、電解銅箔の引張強度が低下するおそれがある。

前記銅電解液における添加剤Ｃは、電解銅箔の表面粗さを下げ、表面光沢を向上させることができる。前記添加剤Ｃの含有量が５ｐｐｍ未満である場合には、析出面の表面粗さが上昇して低粗度の電解銅箔の製造が難しく、電解銅箔の光沢が低下するおそれがあり、前記添加剤Ｃの含有量が４０ｐｐｍを超える場合には、電解銅箔の物性や外観に差がなく、不経済的である。

前記銅電解液における添加剤Ｄは、電解銅箔の表面の平らさに向上させる役割を果たすことができる。前記添加剤Ｄの含有量が１ｐｐｍ未満である場合には、析出面の表面粗さが上昇して低粗度の電解銅箔の製造が難しく、電解銅箔の光沢が低下するおそれがあり、前記添加剤Ｄの含有量が４０ｐｐｍを超える場合には、電解銅箔の析出状態が不安定になり、電解銅箔の引張強度が低下するおそれがある。

前記チオ尿素系化合物は、ジエチルチオ尿素、エチレンチオ尿素、アセチレンチオ尿素、ジプロピルチオ尿素、ジブチルチオ尿素、Ｎ−トリフルオロアセチルチオ尿素（Ｎ−ｔｒｉｆｌｕｏｒｏａｃｅｔｙｌｔｈｉｏｕｒｅａ）、Ｎ−エチルチオ尿素（Ｎ−ｅｔｈｙｌｔｈｉｏｕｒｅａ）、Ｎ−シアノアセチルチオ尿素（Ｎ−ｃｙａｎｏａｃｅｔｙｌｔｈｉｏｕｒｅａ）、Ｎ−アリルチオ尿素（Ｎ−ａｌｌｙｌｔｈｉｏｕｒｅａ）、ｏ−トリルチオ尿素（ｏ−ｔｏｌｙｌｔｈｉｏｕｒｅａ）、Ｎ，Ｎ’−ブチレンチオ尿素（Ｎ，Ｎ’−ｂｕｔｙｌｅｎｅ ｔｈｉｏｕｒｅａ）、チオゾリジンチオール（ｔｈｉａｚｏｌｉｄｉｎｅｔｈｉｏｌ）、４−チアゾリンチオール（４−ｔｈｉａｚｏｌｉｎｅｔｈｉｏｌ）、４−メチル−２−ピリミジンチオール（４−ｍｅｔｈｙｌ−２−ｐｙｒｉｍｉｄｉｎｅｔｈｉｏｌ）、及び２−チオウラシル（２−ｔｈｉｏｕｒａｃｉｌ）よりなる群から選択された１種以上であってもよいが、必ずしもこれらに限定されず、当該技術分野で添加剤として使用できるチオ尿素化合物であればいずれでも使用可能である。前記窒素を含む複素環にチオール基が連結された化合物は、例えば、２−メルカプト−５−ベンゾイミダゾールスルホン酸ナトリウム塩（２−ｍｅｒｃａｐｔｏ−５−ｂｅｎｚｏｉｍｉｄａｚｏｌｅ ｓｕｌｆｏｎｉｃ ａｃｉｄ ｓｏｄｉｕｍ ｓａｌｔ）、ナトリウム３−（５−メルカプト−１−テトラゾリル）ベンゼンスルホン酸塩（Ｓｏｄｉｕｍ ３−（５−ｍｅｒｃａｐｔｏ−１−ｔｅｔｒａｚｏｌｙｌ）ｂｅｎｚｅｎｅ ｓｕｌｆｏｎａｔｅ）、２−メルカプトベンゾチアゾール（２−ｍｅｒｃａｐｔｏ ｂｅｎｚｏｔｈｉａｚｏｌｅ）であってもよい。

前記硫黄原子を含む化合物のスルホン酸またはその金属塩は、例えば、ビス−（３−スルホプロピル）−ジスルフィドジナトリウム塩（ＳＰＳ）、３−メルカプト−１−プロパンスルホン酸（ＭＰＳ）、３−（Ｎ，Ｎ−ジメチルチオルカルバモイル）−チオプロパンスルホン酸ナトリウム塩（ＤＰＳ）、３−［（アミノ−イミノメチル）チオ］−１−プロパンスルホン酸ナトリウム塩（ＵＰＳ）、ｏ−エチルジチオカルボネート−Ｓ−（３−スルホプロピル）−エステルナトリウム塩（ＯＰＸ）、３−（ベンゾチアゾリル−２−メルカプト）−プロピル−スルホン酸ナトリウム塩（ＺＰＳ）、エチレンジチオジプロピルスルホン酸ナトリウム塩（Ｅｔｈｙｌｅｎｅｄｉｔｈｉｏｄｉｐｒｏｐｙｌｓｕｌｆｏｎｉｃ ａｃｉｄ ｓｏｄｉｕｍ ｓａｌｔ）、チオグリコール酸（Ｔｈｉｏｇｌｙｃｏｌｉｃ ａｃｉｄ）、チオリン酸−ｏ−エチル−ビス−（ω−スルホプロピル）エステルジナトリウム塩（Ｔｈｉｏｐｈｏｓｐｈｏｒｉｃ ａｃｉｄ−ｏ−ｅｔｈｙｌ−ｂｉｓ−（ω−ｓｕｌｆｏｐｒｏｐｙｌ）ｅｓｔｅｒ ｄｉｓｏｄｉｕｍ ｓａｌｔ）、及びチオリン酸−トリス−（ω−スルホプロピル）エステルトリナトリウム塩（Ｔｈｉｏｐｈｏｓｐｈｏｒｉｃ ａｃｉｄ−ｔｒｉｓ−（ω−ｓｕｌｆｏｐｒｏｐｙｌ）ｅｓｔｅｒ ｔｒｉｓｏｄｉｕｍ ｓａｌｔ）よりなる群から選択された１種以上であってもよいが、必ずしもこれらに限定されず、当該技術分野で添加剤として使用できる硫黄原子を含む化合物のスルホン酸またはその金属塩であればいずれでも使用可能である。

前記非イオン性水溶性高分子は、ポリエチレングリコール、ポリグリセリン、ヒドロキシエチルセルロース、カルボキシメチルセルロース（Ｃａｒｂｏｘｙｍｅｔｈｙｌｃｅｌｌｕｌｏｓｅ）、ノニルフェノールポリグリコールエーテル（Ｎｏｎｙｌｐｈｅｎｏｌ ｐｏｌｙｇｌｙｃｏｌ ｅｔｈｅｒ）、オクタンジオール−ビス−（ポリアルキレングリコールエーテル（Ｏｃｔａｎｅ ｄｉｏｌ−ｂｉｓ−（ｐｏｌｙａｌｋｙｌｅｎｅ ｇｌｙｃｏｌ ｅｔｈｅｒ）、オクタノールポリアルキレングリコールエーテル（Ｏｃａｔａｎｏｌ ｐｏｌｙａｌｋｙｌｅｎｅ ｇｌｙｃｏｌ ｅｔｈｅｒ）、オレイン酸ポリグリコールエーテル（Ｏｌｅｉｃ ａｃｉｄ ｐｏｌｙｇｌｙｃｏｌ ｅｔｈｅｒ）、ポリエチレンプロピレングリコール（Ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ ｐｒｏｐｙｌｅｎｅ ｇｌｙｃｏｌ）、ポリエチレングリコールジメチルエーテル（Ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ ｇｌｙｃｏｌ ｄｉｍｅｔｈｙｌ ｅｔｈｅｒ）、ポリオキシプロピレングリコール（Ｐｏｌｙｏｘｙｐｒｏｐｙｌｅｎｅ ｇｌｙｃｏｌ）、ポリビニルアルコール（Ｐｏｌｙｖｉｎｙｌ ａｌｃｏｈｏｌ）、β−ナフトールポリグリコールエーテル（β−ｎａｐｈｔｈｏｌ ｐｏｌｙｇｌｙｃｏｌ ｅｔｈｅｒ）、ステアリン酸ポリグリコールエーテル（Ｓｔｅａｒｉｃ ａｃｉｄ ｐｏｌｙｇｌｙｃｏｌ ｅｔｅｒ）、及びステアリルアルコールポリグリコールエーテル（Ｓｔｅａｒｙｌ ａｌｃｏｈｏｌ ｐｏｌｙｇｌｙｃｏｌ ｅｔｈｅｒ）よりなる群から選択された１種以上であってもよいが、必ずしもこれらに限定されず、当該技術分野で添加剤として使用できる水溶性高分子であれば、いずれでも使用可能である。例えば、前記ポリエチレングリコールは、２０００〜２００００の分子量を有してもよい。

前記フェナジウム系化合物は、サフラニン−Ｏ（Ｓａｆｒａｎｉｎｅ−Ｏ）及びヤヌスグリーンＢ（Ｊａｎｕｓ Ｇｒｅｅｎ Ｂ）などよりなる群から選択された１種以上であってもよい。

前記製造方法で使用される銅電解液の温度は３０〜６０℃であってもよいが、必ずしもこのような範囲に限定されるものではなく、本発明の目的を達成することが可能な範囲内で適切に調節できる。例えば、前記銅電解液の温度は４０〜５０℃であってもよい。

前記製造方法で使用される電流密度は、２０〜５００Ａ／ｄｍ^２であってもよいが、必ずしもこのような範囲に限定されるものではなく、本発明の目的を達成することが可能な範囲内で適切に調節できる。例えば、前記電流密度は３０〜４０Ａ／ｄｍ^２であってもよい。前記銅電解液は硫酸−硫酸銅の銅電解液であってもよい。前記硫酸−硫酸銅の銅電解液において、前記Ｃｕ^２＋イオンの濃度は６０ｇ／Ｌ〜１８０ｇ／Ｌであってもよいが、必ずしもこのような範囲に限定されるものではなく、本発明の目的を達成することが可能な範囲内で適切に調節できる。例えば、前記Ｃｕ^２＋の濃度は６５ｇ／Ｌ〜１７５ｇ／Ｌであってもよい。

前記銅電解液は公知の方法で製造することができる。例えば、Ｃｕ^２＋イオンの濃度は銅イオンまたは硫酸銅の添加量を調節して得ることができ、ＳＯ_４ ^２＋イオンの濃度は硫酸及び硫酸銅の添加量を調節して得ることができる。

前記銅電解液に含まれる添加剤の濃度は、銅電解液に投入される添加剤の投入量及び分子量から得ることができるか、或いは銅電解液に含まれた添加剤をカラムクロマトグラフィーなどの公知の方法で分析して得ることができる。

前記電解銅箔の製造方法は、上述した銅電解液を用いた以外は公知の方法で行うことができる。

例えば、前記電解銅箔は、回転するチタン製ドラム状チタンの曲面状陰極の表面と陽極との間に前記銅電解液を供給し、電解して陰極の表面に電解銅箔を析出させ、これを連続的に巻き取って電解銅箔を製造することができる。

以下、実施例を挙げて本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。

（電解銅箔の製造）
実施例１
電解による電解銅箔を製造するために、２０Ｌ／ｍｉｎで循環可能な容量３Ｌの電解槽システムを利用し、銅電解液の温度は４５℃に一定に維持した。陽極は厚さ５ｍｍ及びサイズ１０×１０ｃｍ^２のＤＳＥ（Ｄｉｍｅｎｔｉｏｎａｌｌｙ Ｓｔａｂｌｅ Ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）極板を使用し、陰極は陽極と同じサイズ及び厚さのチタニウム極板を使用した。

Ｃｕ^２＋イオンの移動を円滑にするために、３５Ａ／ｄｍ^２の電流密度でメッキを施し、厚さ１８μｍの電解銅箔を製造した。

銅電解液の基本組成は次のとおりである。
ＣｕＳＯ_４・５Ｈ_２Ｏ：２５０〜４００ｇ／Ｌ
Ｈ_２ＳＯ_４：８０〜１５０ｇ／Ｌ

前記銅電解液に塩素イオン及び添加剤が添加され、添加された添加剤及び塩素イオンの組成は下記表１に示すとおりである。下記表１において、ｐｐｍはｍｇ／Ｌと同じ濃度である。

製造された電解銅箔の析出面（マット（ｍａｔｔｅ）面、Ｍ面）表面の走査型電子顕微鏡写真を図７に示した。

実施例２〜４及び比較例１〜４
銅電解液の組成を下記表１のとおり変更した以外は、実施例１と同様の方法で電解銅箔を製造した。実施例２〜４及び比較例１〜４で製造された電解銅箔の析出面表面の走査型電子顕微鏡写真を図８〜図１４にそれぞれ示した。

前記表１において、略字は次の化合物を意味する。
ＤＥＴ：ジエチルチオ尿素
ＳＰＳ：ビス−（３−スルホプロピル）−ジスルフィド
ＭＰＳ：３−メルカプト−１−プロパンスルホン酸
ＰＥＧ：ポリエチレングリコール（関東化学製Ｃａｓ Ｎｏ．２５３２２−６８−３）
ＺＰＳ：３−（ベンゾチアゾリル−２−メルカプト）−プロピル−スルホン酸ナトリウム塩
ＪＧＢ：ヤヌスグリーンＢ
２Ｍ−ＳＳ：２−メルカプト−５−ベンゾイミダゾールスルホン酸
ＤＤＡＣ：ジアリルジメチルアンモニウムグロリド
ＰＧＬ：ポリグリセリン（ＫＣＩ、ＰＧＬ １０４ＫＣ）

評価例１：走査型電子顕微鏡実験
実施例１〜４及び比較例１〜４で得られた電解銅箔の析出面の表面に対して走査型電子顕微鏡を測定し、その結果を図７〜図１４にそれぞれ示した。

図７〜図１４に示すように、実施例１〜４の電解銅箔は比較例１〜４の電解銅箔に比べて表面粗さが低かった。

評価例２：光沢度の測定
実施例１〜４及び比較例１〜４で得られた電解銅箔の析出面の表面に対して光沢度を測定した。前記光沢度はＪＩＳ Ｚ ８７１−１９９７に準拠して測定された値である。

光沢度の測定は、電解銅箔の流れ方向（ＭＤ方向）に沿って当該銅箔の表面に入射角６０°で測定光を照射し、反射角６０°で反射された光の強度を測定したもので、光沢度測定方法たるＪＩＳ Ｚ ８７４１−１９９７に準拠して測定した。

測定結果を下記表２に示した。

前記表２に記載されているように、実施例１〜４の電解銅箔は比較例１〜４の電解銅箔に比べて向上した光沢度を示した。

評価例３：ＸＲＤ実験
実施例１〜４及び比較例１〜４で得られた電解銅箔の析出面に対してＸＲＤ（Ｘ−ｒａｙ ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ)スペクトルを測定した。実施例１に対するＸＲＤスペクトルを図６に示した。

図６に示すように、（１１１）結晶面のピーク強度が最も高く、その次が（２００）結晶面であった。

前記（２００）結晶面に対する回折ピークの強度Ｉ（２００）と（１１１）結晶面に対する回折ピークの強度Ｉ（１１１）との比であるＩ（２００）／Ｉ（１１１）は、０．６０５であった。

また、前記析出面に対するＸＲＤスペクトルにおいて、（１１１）、（２００）、（２２０）、（３１１）、（２２２）結晶面に対する配向指数（ｏｒｉｅｎｔａｔｉｏｎ ｉｎｄｅｘ、Ｍ）を測定し、その結果を下記表３に示した。

配向指数は、『Ｓ．Ｙｏｓｈｉｍｕｒａ、Ｓ．Ｙｏｓｈｉｈａｒａ、Ｔ．Ｓｈｉｒａｋａｓｈｉ、Ｅ．Ｓａｔｏ、Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｉｍ．Ａｃｔａ ３９、５８９（１９９４）』で提案した配向指数（Ｍ）を用いて測定した。

例えば、（１１１）面を有する試験片の場合は、次の方法で配向指数（ｏｒｉｅｎｔａｔｉｏｎ ｉｎｄｅｘ）（Ｍ）を計算する。

ＩＦ（１１１）はＪＣＰＤＳカード（Ｃａｒｄｓ）におけるＸＲＤ強度であり、Ｉ（１１１）は実験値である。Ｍ（１１１）が１よりも大きければ、（１１１）面に平行な優先方位を有し、Ｍが１よりも小さければ、優先方位が減少することを意味する。

前記表３を参照して、前記析出面に対するＸＲＤスペクトルにおいて、（２００）結晶面に対する配向指数（Ｍ（２００））と（１１１）結晶面に対する配向指数（Ｍ（１１１））から得られる配向指数の比であるＭ（２００）／Ｍ（１１１）は、１．３１であった。

評価例４：表面粗さ（Ｒｚ、Ｒａ及びＲｍａｘ）の測定
実施例１〜４及び比較例１〜４で得られた電解銅箔の析出面の表面粗さ（Ｒｚ、Ｒａ及びＲｍａｘ）をＪＩＳＢ ０６０１−１９９４規格に準拠して測定した。前記測定方法で得られた表面粗さ（Ｒｚ、Ｒａ及びＲｍａｘ）を下記表４に示した。値が低いほど粗さが低いことを意味する。

評価例５：常温引張強度、常温延伸率、高温引張強度及び高温延伸率の測定
実施例１〜４及び比較例１〜４で得られた電解銅箔から幅１２．７ｍｍ×ゲージ長さ５０ｍｍで引張試験片を採取した後、５０．８ｍｍ／ｍｉｎのクロスヘッド速度で引張試験をＩＰＣ−ＴＭ−６５０ ２．４．１８Ｂ規格に基づいて行い、測定される引張強度の最大荷重を常温引張強度とし、破断時の延伸率を常温延伸率とした。ここで、常温は２５℃である。

常温での引張強度及び延伸率の測定に使用された電解銅箔と同じ電解銅箔を１８０℃で１時間熱処理した後、取り出して上記と同様の方法で引張強度及び延伸率を測定し、高温引張強度及び高温延伸率とした。

前記測定方法で得られた常温引張強度、常温延伸率、高温引張強度及び高温延伸率を下記表４に示した。

前記表４に示すように、実施例１〜４の電解銅箔は、表面粗さ（Ｒｚ）が０．５μｍ未満と低く、高温熱処理後の引張強度が４０ｋｇｆ／ｍｍ^２以上であり、高温熱処理後の延伸率が殆ど１０％以上と高かった。

これに対し、比較例１〜４の電解銅箔は、実施例１〜４の電解銅箔に比べて表面粗さが高く、高温熱処理後の延伸率が低いため、二次電池用陰極集電体及び／またはＰＤＢ／ＦＰＣ用低粗度銅箔として使用するのに不適である。

また、実施例１〜実施例４の（Ｒｍａｘ−Ｒｚ）／Ｒａ値は６．５以下と低い値を示したが、比較例１〜比較例４の（Ｒｍａｘ−Ｒｚ）／Ｒａ値は６．５以上と高い値を示した。これにより、表２から分かるように、実施例１〜実施例４の電解銅箔の光沢度は６００以上であって、後処理工程なしでも高い光沢度を示したが、比較例１〜比較例４は５００以下の光沢度を示した。

評価例６：端部のカール（ｃｕｒｌ）程度の測定
実施例１〜４及び比較例１〜４で得られた電解銅箔から幅１０ｃｍ×長さ１０ｃｍの試験片を採取した後、平らな床の上に置き、端部が反る角度（端部のカール角度）及びＸ字状に切った後、切った部分が捲れ上がる高さ（カール高さ）を測定し、下記表５に示した。

表５に示すように、実施例１〜４の電解銅箔は、端部のカール角度が５〜３０°であって４５°以下であった。ところが、比較例１〜比較例４の電解銅箔は、端部のカール角度が４６°〜５２°であって４５°を超え、後続工程での取り扱いが難しい状態を示した。併せて、比較例１〜比較例４の電解銅箔は、端部のカール高さが４０ｍｍを超えて品質が不良な状態を示した。よって、本発明に係る電解銅箔は、高強度であり、しかも内部ストレスが低いため、端部のカール現象が少なく現れて優れた性能を示した。

本発明は、上述した実施形態及び添付図面によって限定されるものではなく、添付された請求の範囲によって解釈されるべきである。また、請求の範囲に記載された本発明の技術的思想を逸脱することなく、本発明に多様な形態の置換、変形及び変更を加え得るのは、当該技術分野における通常の知識を有する者にとって自明であろう。

Claims (14)

1. 析出面の中心線平均粗さ（Ｒａ）、最大高さ（Ｒｍａｘ）及び十点平均高さ（Ｒｚ）が次の式を満たす電解銅箔。
   
2. 熱処理前の引張強度が４０ｋｇｆ／ｍｍ^２〜７０ｋｇｆ／ｍｍ^２であることを特徴とする、請求項１に記載の電解銅箔。
3. 熱処理後の引張強度が４０ｋｇｆ／ｍｍ^２〜７０ｋｇｆ／ｍｍ^２であることを特徴とする、請求項１に記載の電解銅箔。
4. １８０℃で１時間熱処理した後の引張強度が４０ｋｇｆ／ｍｍ^２〜７０ｋｇｆ／ｍｍ^２以上であることを特徴とする、請求項１に記載の電解銅箔。
5. 熱処理後の引張強度は熱処理前の引張強度の８５％〜９９％であることを特徴とする、請求項１に記載の電解銅箔。
6. 熱処理前の延伸率が２％〜１５％であることを特徴とする、請求項１に記載の電解銅箔。
7. 熱処理後の延伸率が４％〜１５％であることを特徴とする、請求項１に記載の電解銅箔。
8. １８０℃で１時間熱処理した後の延伸率が４％〜１５％であることを特徴とする、請求項１に記載の電解銅箔。
9. 熱処理後の延伸率が熱処理前の延伸率の１倍〜４．５倍であることを特徴とする、請求項１に記載の電解銅箔。
10. 端部のカール高さが０°〜４５°であることを特徴とする、請求項１に記載の電解銅箔。
11. 端部のカール高さが０ｍｍ〜４０ｍｍであることを特徴とする、請求項１に記載の電解銅箔。
12. 厚さが２μｍ〜１０μｍであることを特徴とする、請求項１に記載の電解銅箔。
13. 請求項１〜１２のいずれか１項に記載の電解銅箔を含む電池。
14. 絶縁性基材、及び
    前記絶縁性基材の一表面に付着した請求項１〜１２のいずれか１項に記載の電解銅箔を含む電気部品。