JP2016523725A - 部品上にパターン化されたコーティングを形成する方法 - Google Patents

Abstract

パターン状の構造を有するコーティングの製造、又は繊細な領域から温和な条件でのコーティングの除去のための方法であって、リリースフィルムが、非コーティング領域内のコーティングの下に形成され、パターン化される。剥離工程において、リリースフィルムに作用している接着力が低減され、リリースフィルムが、この上に設けられたコーティングと共に剥離される。【選択図】図９Ｋ

Description

本発明は、例えば、電子部品等の表面にパターン状のコーティングを形成する方法に関し、特にＭＥＭＳコンポーネント等の部品を密封する方法に関する。

ＭＥＭＳコンポーネントは機械的に繊細な電気機械的構造であり、その微細な機械構造又は可動部品は機械的に繊細であり、正常に動作するためには、微細な機械構造の周囲に自由な空間を必要とする。ＭＥＭＳコンポーネントは、アクチュエータ、センサ、制御機構（Stellglied）又はマイクロホンとして構成されていてよい。ＭＥＭＳマイクロホンは、微細構造を有する膜を有しており、膜の前側及び／又は後ろ側に、音響空間として作用しうる密封された空間を必要とする。

マイクロホンとして設計され、チップコンポーネント、具体的にはＡＳＩＣと共に、基板上でデバイス又はモジュールを形成しているＭＥＭＳコンポーネントが知られている。機械的保護及び閉鎖空間の提供のために、キャップ又は隣接するフィルムカバーを含んでいてもよい密封膜が、それらの上に形成される。それにより、基板を貫通するサウンドホールを形成することができる。この場合、まず、ＭＥＭＳコンポーネントを基板に対し密封し、次いで、密封されたＭＥＭＳコンポーネントに密封された背部空間を形成する工程が提供される。基板に対し上側で、ＭＥＭＳコンポーネントの膜の上部を密封してもよい。このような密封を形成するためのある公知の方法において、デバイスを覆う深絞り加工可能なフィルムを形成し、基板に対し密封される。次いで、膜の上側から密封膜を貫通させ、或いは膜の下側から基板を貫通する孔としてサウンドホールを形成する。

しかし、全ての場合において、ＭＥＭＳコンポーネント又はＭＥＭＳコンポーネントを含むデバイスに対し、密封の際にＭＥＭＳコンポーネントの損傷又は不純物の混入を起こさず、且つＭＥＭＳコンポーネントの正常な動作を保証しうるように密封を行うことが問題となる。

このような課題は、請求項１に記載の方法によって解決できる。本発明の有利な実施形態については、従属請求項において開示されている。

提案された方法により、デバイスの表面にパターン状のコーティングが形成される。表面には、コーティング領域と非コーティング領域とが存在し、本方法によりコーティング領域上にのみコーティングが形成される。

コーティング領域を画定するために、工程ａ）において、まず、デバイス上にリリースフィルムが形成され、非コーティング領域内の少なくとも一部に固定される。工程ｂ）において、コーティング領域内のリリースフィルムが除去される。その結果、残存したリリースフィルムにより、その後形成されるパターン状のコーティングの擬似的な反転パターンが形成される。

反転パターン上及びデバイスの表面上の前面にわたり、工程ｃ）において、コーティングが形成される。

コーティング領域を画定するために、工程ｄ）において、非コーティング領域を取り囲む第１の分割線に沿ってコーティングを分割する。

非コーティング領域上のコーティングの除去を促進するために、工程ｅ）において、リリースフィルムの少なくとも分割線で囲まれた領域、好ましくは全体の接着を低減する。この接着を低減する工程は、コーティングの形成の直後に行ってもよい。

次いで、工程ｆ）において、接着が低減されたリリースフィルムを、その上に形成されたコーティングと共に剥離する。このようにして、所望のパターン状の形状を有するコーティングがコーティング領域内に残存すると共に、非コーティング領域が再び露出する。この方法により、残留物を残さずに非コーティング領域内のコーティングを完全に剥離できる。

この方法は、表面への接着力に関わりなく、また、繊細な表面又は構造上に接着されたものであっても、任意のパターン状のコーティングを、繊細な表面に損傷を与えることなく容易に除去できるという利点を有している。この様な表面は、リリースフィルムによって、コーティングの形成及びパターン形成の間も保護されている。強固に接着されたコーティングの剥離も、何の問題もなく行うことができる。

この方法で用いられるリリースフィルムは、表面に結合又は積層したものであってもよい。

リリースフィルムとして、特に、ＵＶリリーステープ又は熱リリーステープとして知られたものを用いることができる。リリースフィルムの種類に応じて、ＵＶ光、レーザー照射又は熱の作用により、表面への接着を低減することができる。この場合、少なくとも、リリースフィルムが表面に接着した界面の領域において、リリースフィルムの化学的又は物理的性質が永久に変化する。そのような作用により、化学結合が切断され、或いは、具体的には接着に寄与する反応性基が、より反応性が低い、具体的には、より極性の低い基に変換されてもよい。例えば、ある層の溶融、発泡又は蒸発により、境界層の物理的な整合性を変更させてもよい。このようなリリースフィルムは、加工工程後にリリースフィルムから再度剥離されなければならない半導体ウェーハの一時的な固定用として既に知られている。

リリースフィルムとして、適切な被覆を有し、前述の手段により、その接着力を低減し、或いは完全に剥離させることができるフィルムを用いてもよい。まず、非コーティング表面上に剥離層を形成し、次いで、その上に通常のフィルムを形成してもよい。光又は熱の作用により、剥離層を分解又は剥離させてもよい。

しかし、リリース層として、溶融、発泡又は蒸発により、濡れ性を有しない表面から分離される、例えば、堆積スズ層等の中間層を表面に形成してもよい。全ての場合において、リリースフィルムは、複数の層を有していてもよく、特に、前述の手段により、そのリリースシートの最下層の接着又は構造的完全性を、減少又は消失させてもよい。

一般に、剥離工程における接着力の減少の前後における比率は、少なくとも５：１、特に、１０：１よりも高いことが好ましい。

リリースフィルムのための典型的な厚さは、１μｍ〜２００μｍの範囲であるが、使用の用途、目的に応じて、それよりも大きくても小さくてもよい。リリースフィルムが、２つのコンポーネント又は表面の凹部との間のギャップを架橋するために使用される場合、その厚さは、十分な機械的安定性を維持するために相応に高く選択されるべきである。

一実施形態において、パターン化されたコーティングが形成される部品は、デバイス又はモジュールの一部であり、１又は複数のＭＥＭＳコンポーネント及び１又は複数のチップコンポーネントを含んでいる。これらのコンポーネントは、基板上に配置されている。コーティングの対象となる部品は、これらのコンポーネントの１つであってもよく、デバイス全体又はモジュール全体であってもよい。

提案された方法によるコーティングは、コーティングが、個々のコンポーネント、或いはデバイス又はモジュール全体を基板に対し密封するように形成されていてもよい。この方法により、パターン化されたコーティングは、非コーティング領域に、デバイス、特にＭＥＭＳコンポーネントへのメディアアクセスを有するように形成される。

メディアアクセスは、機能を発揮するために、環境に直接接触して相互作用する必要があるすべてのそのようなＭＥＭＳコンポーネントのために必要である。メディアアクセスは、例えば、サウンドチャネルとして、圧力のバランスのため、或いは媒体のパラメータを最適化するための周囲の媒体の導入のための、膜等のＭＥＭＳコンポーネントの微細な機械的構造に向かう自由なチャネルを形成する。

コーティングとしてフィルムが好適である。コーティングは、デバイス又はモジュールの上に、コンポーネント間のギャップに架橋するように、形成することができる。フィルムが、コンポーネントとの間に十分な距離をおいて、個々のコンポーネントの周囲又は１又は複数のデバイスのサブセットの周囲から基板の表面まで延び、それにより基板の表面を密封するようにコーティングが形成されていてもよい。

コーティングは、一緒に又は連続的に形成することができる複数の副層を含んでいてもよい。副層は金属製であってもよい。

一実施形態において、リリースフィルムは、その上に複数のＭＥＭＳコンポーネントが並列に加工されたＭＥＭＳウェーハ上に、既に形成され、パターン化されていてもよい。具体的には、コーティング領域において、リリースフィルムの表面に対する接着力が低減され、まさにこの領域に接着しているリリースフィルムが除去されてもよい。次いで、まず、ＭＥＭＳウェーハ上のリリースフィルムがパターン化された後で、個々のＭＥＭＳコンポーネントが分離される。

個々のＭＥＭＳコンポーネントは、必要に応じてチップコンポーネントと共に、これらのコンポーネントを有する個々のデバイスが基板上に取り付けられるよう、基板上にマウントされている。次いで、コーティングを形成し、非コーティング領域における接着力を低減させ、非コーティング領域において、リリースフィルムを、その上に形成されたコーティングと共に剥離することを含むことを含むさらなる工程を実施する。

この変形方法は、パターン形成工程を、より少ない時間とコストで、ＭＥＭＳウェーハレベルで行うことができるという利点を有している。この変形方法は、他の方法、具体的にはＵＶ照射により、その接着力を低減させることができる、熱的に安定なリリースフィルムに好適である。そうでなければ、コンポーネント、特にＭＥＭＳコンポーネントを有する構造の基板については、低温で実行できる方法を選択しなければならない。その場合には、熱により接着力を低減できるリリースフィルムを用いることができる。

一実施形態において、リリースフィルムのパターン化のために、非コーティング領域の周囲の第１の分割線に沿ってリリースフィルムに切り込みが形成される。その後、分離ラインによって包囲された領域の外側にある、コーティング領域内のリリースフィルムが除去される。この手順では、全体の接着力を低減させることなく、コーティング領域におけるリリースフィルムを剥離することができる。リリースフィルムを除去する際に破損する可能性がある敏感な上部表面上のコーティング領域においてリリースフィルムが接着していない場合、これは常に可能である。また、このような方法により、非コーティング領域を包囲する限られた領域内において表面に固定されたリリースフィルムのみが容易に剥離される。非コーティング領域が、ＭＥＭＳコンポーネントの表面に設けられており、ＭＥＭＳコンポーネントが、基板上で最も高い位置にあるデバイスの内部に位置するＭＥＭＳコンポーネントである場合、これは特に容易な方法により実施することが可能である。この方法では、工程ａ）において、主にＭＥＭＳコンポーネントの表面上に又はＭＥＭＳコンポーネントの表面にのみ接着するように、リリースフィルムを貼付することが可能である。

しかし、コーティング領域全体にわたり、表面へのリリースフィルムの接着力を低減し、それにより、コーティング領域全体にわたり、リリースフィルムの除去を容易にしてもよい。

リリースフィルムとしてＵＶリリーステープが貼付された、任意の基板上の選択された領域内リリースフィルムの接着力の低減は、好ましくは、ＵＶ照射により行われる。

位置選択的又はパターン状の露光は、マスクを用いて行うことができる。ＵＶリリーステープの当該領域上のみを光又はレーザービームでスキャンし、リリースフィルムの接着力の接着力を低減させることもできる。

工程ｄ）において、コーティングを形成後、第２の分割線に沿ってコーティングに第２の切り込みを形成する。この第２の分割線は、第１の分割線と一致するように形成されてもよい。しかし、第２の分割線が、第１の分割線によって包囲された面の内部を通り、特に、第１の分割線と平行になるように形成されていてもよい。

しかし、第２の分割線は、第１の分割線で包囲された面のわずかに外側に位置していてもよい。例えば、第１の分割線までの距離は、コーティングの厚さの５倍以下、又は約ｌＯＯμｍ以下であってもよい。したがって、多くの場合、後続の工程ｆ）において、コーティングの剥離をより容易にすることができる。

次の工程ｅ）において、非コーティング領域のリリースフィルムの粘着力は、適切な手段を使用することによって低減される。

続いて、工程ｆ）において、リリースフィルムを、その上に形成されたコーティングの一部の領域、すなわち、基板への接着も、強固な接着をもたらす結合も存在しないコーティング領域内の領域である、非コーティング領域内の第２の分割線の内側と共に剥離する。これは、種々の方法で実施することができ、リリースフィルムが、この領域内でどの程度基板に接着しているかに依存する。

特に、熱リリーステープを用いると、基板へのリリースフィルムの接着力を、ほぼ完全に除去することができる。この場合、第２の分離線に沿って分離された領域内のリリースフィルムを、その上に形成されたコーティングと共にエアブローにより除去することも可能である。基板への接着力がまだ残っているため、接着力がより低い粘着フィルムを用いて、分割されたリリースフィルムを剥離してもよい。他の機械的作用又は吸引により剥離を行うことも可能である。

一実施形態において、基板上にマウントされたデバイスの内部に組み込まれたＭＥＭＳマイクロホンをＭＥＭＳコンポーネントとして含むデバイス又はモジュールのカプセル化のための方法が用いられてる。本実施形態において、ＭＥＭＳコンポーネントのマイクロホン膜上の凹部に非コーティング領域を形成するが、コーティング工程の実施中又は実施後に、機械的なストレスや異物の混入があってはならない。

デバイスの周縁上のコーティングが基板と接触しない場合、デバイスを覆うカバーを用いて、カプセル化されたデバイスを収容する空洞を包囲及び密封することができる。このために、平坦な基板を用意し、形成後に、その下側の空間を密封する、機械的に安定なキャップを、カバーとして形成する。或いは、その凹部の内部にデバイスを収容可能なバスタブ状の基板を用意してもよい。その上に平坦なカバーを形成し、凹部を覆うようにそれを基板に固定してもよい。

別の可能性は、基板上のデバイスの周囲に、最も高いデバイスの部品よりも高くなるようにフレームを形成することである。その後、カバーとして、平坦なプレートがフレームの上部に設置され、密封された空洞が形成されるように固定される。

キャップは、接着剤を用いて取り付けられていてもよい。キャップは、金属製であってもよく、シートメタル成形部品を含んでいてもよく、ガルバノプラスチック製又は金属被膜が形成された樹脂部品を含んでいてもよい。電磁シールド効果を向上させるために、キャップは、基板上で接地電位に接続されてもよい。その後、キャップを半田や導電性接着剤で取り付けることが好ましい。

マイクロホン又はＭＥＭＳコンポーネントを含む部品の近傍には、少なくとも１つのサウンドホールが、カバー又は基板に形成されている。これは、ＭＥＭＳコンポーネントが基板上に形成される前、カバーが基板上に固定される前、又はカバー又はキャップが基板上に形成された後に設けられてもよい。それに続くサウンドホールの形成のために、カバーの下の空洞或いはマイクロホン膜へのメディアアクセスが、マイクロホン膜の機能を損なうおそれのある異物が空洞の内部に混入しないように形成される。

カバーを設けることにより、膜と基板との間の第１の空間を、コーティングにより、膜又はコーティングとカバーとの間の第２の空間に対し密封することができる。

好ましくは、第１の密封された空間は、ＭＥＭＳコンポーネントとチップコンポーネントとの間に少なくとも１つのギャップを更に有している。他の対応する、或いはそれぞれ相互接続された空間が、コンポーネントの間及び下のギャップを通って形成されていてもよく、特に、コンポーネントが基板と距離をおいて形成されている場合、例えば，バンプ接続により、擬似的なスペーサーとして、基板と、コンポーネントのうち少なくとも１つの間の空間を直立状態に保持している。

一実施形態において、コーティングとして、深絞り成形可能なフィルムがデバイスの上に形成される。このようなフィルムは、高温で可塑性を示す。例えば、オートクレーブ内で、圧力と温度を組み合わせて用いることにより、このような深絞り成形可能なフィルムを、デバイス及び基板上にラミネートし、デバイスを構成する部品の上にフィルムが緊密を接触させることが可能である。

深絞り成形可能なフィルムは、弾性成分を含んでいてもよく、適用温度で所望の機械的性質、特に適度な可塑性が保証される。好ましくは、深絞り成形可能なフィルムは、硬化により完全な熱硬化性を示すことができる他の成分を更に含んでいる。フィルムは、既にわずかに架橋しており、硬化状態で安定した機械的性質を示すラミネート膜に転換可能なポリマーＢステージを含んでいてもよい。コーティングの硬化により、変形性を失い、機械的に安定で、基板及びデバイスの上に強固に固定されたコーティングが得られる。

コーティングに適したラミネートフィルムは、１０μｍ〜２００μｍの厚さを有することが有利である。

コーティングは、デバイスの個々の部品の、少なくとも側面及び上面に緊密に接触できるように、形成工程の間に軟化するものであってもよい。デバイスのコンポーネント間のギャップによって形成される空間への、コーティングとして使用されるフィルムの制御不能な侵入を確実に減少させるために、一実施形態において、このようなギャップを機械的に安定に密封するために、リリースフィルムを用いることができる。このために、リリースフィルムは、パターン化の間も、その上に形成されるコーティングの支持機能を発揮させるために、デバイス上のその領域内、特に、２つのコンポーネント間のギャップの上方の架橋領域内に残される。架橋領域内のリリースフィルムは除去されず、好ましくは、接着力も低減しない。したがって、架橋領域内のコーティングを支持することができ、ギャップへのコーティングの形成の際に、コーティングのたるみの発生を回避できる。

一実施形態において、リリースフィルムとして熱リリーステープが用いられ、まず、基板上へのコンポーネントの形成後に貼付される。それによって、リリースフィルムを接着中にコンポーネントのはんだ付けを行うことによるリリースフィルムの減少が回避される。工程ｂ）に好適なリリースフィルムのパターン化は、加熱により実施することができ、接着力を低減させるために必要な熱エネルギーは、レーザーを介して供給できる。コーティングの形成後、残ったリリースフィルム全体の接着力は、デバイスのホットプレートへの載置、ＩＲ放射、又は熱風送風機を用いた熱の作用により低減させることができる。この熱放出は、第２の分割線の形成前に実施することができる。次いで、非コーティング領域内のコーティングの剥離が実施される。

機械的安定性を増大させ、気密性を向上させ、電磁シールド性を向上させるために、コーティングは、形成後に、コーティングの上に形成されるメタライゼーションにより、全体又は一部が強化されてもよい。このような強化は、２段階で実施することができ、第１段階において、例えば、スパッタリング、蒸着又は核形成溶液を用いた処理によって、ベースメタライゼーションが形成される。ベースメタライゼーションは、溶液からの電解又は無電解処理で補強することができる。その後の熱処理により、必要に応じて金属粒子を堆積させることによってベースメタライゼーションの補強を行うことも可能である。金属粒子は、スパッタリングにより或いは、特に、インクジェット印刷法を用いて堆積することができる。低融点金属を用いた金属箔の溶融により、メタライゼーションを強化することもできる。

メタライゼーションは、デバイス上のコーティングが十分な機械的安定性を有するのに十分な厚さに形成されていてよい。

一実施形態において、基板に直接支持されたコーティングは、デバイスに隣接し、これを完全に包囲する周辺領域の上まで剥離される。周辺領域全体にわたり、コーティングは、基板を、なお強固に密封している。したがって、必要に応じて、その上に形成されたメタライゼーションにより、基板を密封することができ、デバイスを緊密に密封することができる。また、同じく必要に応じて、キャップが、基板のコーティングが剥離された領域に設置され、好ましくは、基板を密封する。

一実施形態において、ＭＥＭＳコンポーネントとして、ＭＥＭＳマイクロホンが、フリップチップ実装を用いて基板上にマウントされている。この目的のためには、はんだボール、或いは金スタッドバンプが、導電性接着剤の液滴と共に好適である。

一実施形態において、デバイスは、サウンドホールを被覆するカバーとして設けられたキャップを有している。サウンドホールは、２つのコンポーネント間のギャップの上方に位置されるように配置されている。サウンドホールと、架橋部の上方の領域内のコーティングとの間の密封材によって、サウンドホールを介してサウンドチャネルとして機能する、ギャップの領域内のコーティングの下の第１の空間への通路が形成される。同時に、マイクロホン膜の下側の空間と連通したサウンドチャネルも形成される。

シールキャップとアセンブリの上に塗布されたコーティング、少なくともサウンドホールの周辺に、ブリッジ領域のコーティングでキャップを内側から密封する密封材との間に設けられているよう。シール手段であるか、又は開口部はその後内部空間にコーティングを介して延長され、提供されます。ここで、スルーチャンネルの音がギャップ内の音絞り、シーラント及びコーティングによって生成され、最終的にＭＥＭＳコンポーネントの下やマイクの膜の下に言いました。

シーラントはサウンドホールにより粘性塊としてのキャップの適用後に適用し、次いで硬化させることができます。シール手段は、中間空間上のコーティングの配置の前に配置されてもよいです。密封剤として、シールリングは、中間スペース上又はキャップ／カバーの適切な場所にコーティング上に配置される弾性材料を用いることができます。シールリングは、それがしっかりとシール作用を発揮することができるので、コーティングとカバーとの間のキャップ又はカバーを配置しながら締め付けられるように寸法決めされています。

すべてのパターニング工程においては、このように幾何学的ウエハからデータ及びストック又は装着されていない基板に適合することができ、これらのデータを使用して構造化、捕捉及び格納することが有利です。この姿勢や製造公差を補償することができます。

実施例及び関連する図面を参照して、本発明を詳細に説明する。図面は、単なる概略図であるため、絶対的な寸法及び相対的な寸法のいずれも表していない。個々の部分については拡大されている場合もある。

図１〜８は、パターン化されたコーティングの製造方法における簡単な実施形態、異なる処理工程を示す。

図９ａ〜９ｋは、ＵＶリリーステープを用いたコーティングの製造における種々の処理工程を示す。

図１０〜１４は、パターン化されたコーティングが形成されたデバイスの種々のさらなる実施形態を、パターン化されたコーティングが形成された部品と共に示す。

図１５ａ及び１５ｂは、金属で強化されたパターン化されたコーティングを有する部品を示す。

図１６ａ〜１６ｉは、熱リリーステープを用いてコーティングを製造する方法の種々の工程を示す。

図１７は、キャップ状のカバーでカプセル化された装置の更なる変形例を示す。

図１８は、パターン化されたコーティング、及びバスタブ状基板上に形成された平坦なカバーを有する部品を示す。

図１９ａ〜１９ｄは、ＭＥＭＳマイクロフォンとカプセル化された部品へのサウンドチャネルの製造における種々の処理工程を示す。

図１は、その表面上にリリースフィルムＲＴが形成される部品ＢＥの概略断面図を示す。図示されている例では、リリースフィルムは、部品ＢＥの表面全体に接着している。

リリースフィルムでコーティング領域ＣＡなく被覆される範囲ＵＣＡが定義。任意選択的に、構成要素の表面にリリースフィルムＲＴのコーティング領域ＣＡの密着性が低下することができます。リリースフィルムの種類に応じて、これは、熱効果によって、又は光／ＵＶ照射により行うことができます。リリースフィルムは、その後、ＢＥわずか又は部品の表面に無接着ＣＡ被覆する必要があるが、それでも構造的完全性を有し、図２Ａを参照します。

代替又はこの工程に続くように、リリースフィルムＲＴが大きく又は完全に切断及び／又は除去するＴＬＬは、生成された第１の分離線に沿って第１カットです。彼らは、コーティングされる領域を囲むように、最初の分割線が案内される閉じた線を形成ＵＣＡではありません。図２Ｂは、ＲＴは、コーティング領域において減少するリリースフィルムの接着なしＵＣＡ被覆されるべきではなく周りＴＬＬ最初の分離線を示しています。

なお、第１コーティング領域を定義する（図２Ｂ参照）だけにしてコーティング領域ＣＡ内の責任を軽減するために、第１カットを製造することも可能です。図３は、この処理段階における構成を示しています。

次の工程は、リリースフィルムは、コーティング領域ＣＡで除去し、その結果だけでなく、領域がコーティングされるＢＥ ＵＣＡにおけるデバイスの表面にリリースフィルムＲＴＳの一部のままです。リリースフィルムの除去は、吸引することによって達成することができます。図４は、このプロセスの段階での配置を示しています。

図５は、構成要素の全面に、リリースフィルムＲＴＳ ＲＴの残りの構造に適用されるコーティングで-ＬＦ、適用後の構成を示しています。コーティングは、好ましくは、完全に平らにされ、様々な材料を含んでもよいです。コーティングは、薄膜プロセス層又は層の配列に適用されたコーティングを含むことができます。コーティングは、樹脂層等の有機層であることができる、フィルム、無機蒸着、スパッタリング又はＣＶＤ絶縁層により堆積。また、金属層がコーティングとして又はコーティング層の一部として適用することができます。

コーティングの構造は、今ではないＵＣＡ、大部分又は完全に除去コーティングＬＦを被覆すべき領域の縁部領域の第１分離線ＴＬ１と平行に案内されると、実質的に配置された第２の分離線ＴＬ２に沿ってＬＦです。残りのリリースフィルム構造にＲＴＳが露出するように切開が行われます。図６は、このプロセスの段階での配置を示しています。また、第２の分割線ＴＬ２ ＲＴＳが除去されるリリースフィルムに沿って（図示せず）することも可能です。第二の分割線ＴＬ２は、ちょうどリリースフィルムＲＴＳの残りの外で実行することができます。このように、彼は避けコーティングされたエッジを構築するに膨らみました。

次に、リリースフィルムの残りの構造ＲＴＳが完全に熱、ＵＶ光によって、又は再び以前に実行される工程に従って行うことができる接着性、低減されます。図７においては、リリースフィルム構造ＲＴＳ残存債務を削減しているハッチングで示されています。

最初の工程と、最後の２つの工程の順序を入れ替えて、リリースフィルムのパターンＲＴＳの接着力を低減させ、次いで、第２の分割線ＴＬ２に沿って分割を行ってもよい。

次の工程は、負債のリリースフィルム構造に減少ＲＴＳは、コーティングＬＦＳの領域上に塗布と共に持ち上げられます。力の程度が必要とされる変化にリリースフィルムの粘着力を低下させる方法に応じて、使用されるリリースフィルムに依存し、そして。責任の完全な排除を吹き付けや吸引が十分であるかもしれません。しかし、それはまた、撤回する部品の表面にリリースフィルムの残りの接着よりも強い接着力を有する接着フィルムを用いてコーティングし、リリースフィルム構造です。図８は、したがって、ＵＣＡ被覆する領域で除去し、部品の表面は、ＢＥが露出されていないコーティング領域ＣＡでコーティングＬＦを有するデバイスを、この段階での配置を示しています。提示構造化プロセスは、例えば、範囲を被覆すべきではない敏感な表面を有し、そのようなデバイスに特に適していますそこに敏感な部品の構造を配置。提示された方法のコーティングを穏やかに構成従って、そのような表面上で除去することができます。

特定のアプリケーションにおいて、コーティングプロセスは、上の凹部を含む、ＢＥ部品の表面上で使用されます。凹部敏感な構造の底部に配置することができます。特に、装置は、ＭＥＭＳは、ＭＥＭＳマイクロフォンや圧力センサに用いられているように、特に凹部ＭＥＭＳ構造、膜の底部に有する成分であることです。

コーティングプロセスは、ウェーハに有利なレベルで行われます。 ＭＥＭＳウエハにおいて、構成要素の多数は、並列に処理されます。図９ａは、模式的に示しており、一例として、構成要素としての凹部ＡＮ ＭＥＭＳウェハのような持つＶｉの番号は、凹部又は空洞を有するＢＥ。

次の工程は、リリースフィルムを室温で、次いでリリースフィルムＲＴが凹部に及ぶことが、ＭＥＭＳ装置を複数備え、ＢＥ ＭＥＭＳウエハの表面に塗布しました。部品の表面であるか、ＭＥＭＳウェーハにリリースフィルムの接着は、ラミネート法により、特に、圧力及び／又は温度によって高めることができます。図９ｂは、この処理段階における構成を示しています。

次の工程は、リリースフィルムＲＴの接着が行われる本実施例では、好ましくは、（対応する矢印によって示される図９ｃに）ＵＶ放射線への暴露によってＣＡを、コーティングされる面積が減少されます。露光は、露光される領域に対して透明な構造化マスクＭＡを介して行うことができます。あるいは、露光がレーザ光を走査することによって行うことができます。リリースフィルムＲＴが露出する領域との間、接着に各凹部の周囲の面積を小さくし、凹部の縁がＢＥ部品の表面によくリリースフィルムを接着するとらえどころのない広い境界領域のまま。されるように露光が行われますあるいは、逆の原理とは、リリースフィルムの接着は、照射によって増加し、適用します。次に領域は、少なくとも全体の手順のセクションの上にリリースフィルムの粘着力を得たままにされており、照射されるべきです。このような領域は、分離、したがって表面の剥離が行われる分割線の領域であってもよいです。

工程は、図示しない、コーティング領域と非分離領域との間のリリースフィルムは、被覆されます。そして、リリースフィルムＲＴは、その責任が低下する領域で除去されます。図９Ｄは、このプロセス段階における構成を示しています。残りのリリースフィルム構造のＲＴＳは、凹部ＡＮ、それを再シールをカバーしています。

コンポーネントはＢＥ次に、例えば、個々のコンポーネント領域間のＭＥＭＳウエハに貫通切断することにより、分離することができ、ソーイングによります。ＭＥＭＳ構造は、上の凹部内部リリースフィルムＲＴＳの残りの構造によって保護切断工程より好ましいです。したがって、どちらの水分、おがくず又は分離中に生成された他の液体又は粒子、コンポーネントは汚染。雷雨のＭＥＭＳデバイスは、ＢＥので、図９ｅが表示されます。

図９Ｆ：単離され、ＲＴＳ ＭＥＭＳデバイスは、現在、さらに個別に処理することができＢＥリリースフィルム構造で保護されています。このために、彼らは基板Ｔでサポートされていますし、電気的、かつ機械的に接続嵌。担体は、適当な有機又は無機の多層積層体（例えば、ガラス繊維／エポキシカテゴリＦＲ４、ＨＴＣＣ、ＬＴＣＣ又は他の材料）があります。基板上に更なる成分は、所望の組み立てのために必要とされて配置されることができます。また、基板のＴＲは、モジュール又はアセンブリが複数並列に処理可能な複合基板であってもよいです。

コンポーネントの隣にこの例９Ｆ図では（ここではＭＥＭＳコンポーネントＭＫ）、モジュール又はモジュール内の別のチップ部品ＣＫを提供し、一緒にアセンブリを形成します。アセンブリは、もちろん、他の構成要素を含むことができます。図９ｇは、組み立てられた部品との配置を示しています。

これらは、基板の表面と縁部領域の周りのモジュールに同一平面になるように、次の工程は、コーティングのＬＦは、現在のモジュールと基板ＴＲの中間の露出面を介して印加されます。好ましくは、コーティングは、全ての部品の表面にしがみつくし、横方向に、これを囲みます。アセンブリの組み立てられた構成要素との間の狭いギャップは、コーティングが広がることができます。

コーティングとして、ラミネートフィルムが適用されるような接触コーティングを製造するためのコーティング方法は、例えば、積層工程です。薄板状にすることができるフィルムは、熱可塑性フィルムが、後の工程缶で硬化好ましくは熱変形接着シートであってもよいです。図９ｈは、このプロセス段階における構成を示しています。

凹部は、コーティングＬＦが凹部に侵入し、凹部の底部に連絡接触してＭＥＭＳ構造体を配置、あるいは損傷し、機能に干渉することはできません原因でこのプロセスの変形において、残りのリリースフィルム構造ＲＴＳが提供しています、これは、コーティングＬＦよりも高い機械的安定性をコーティング駆動条件下有するリリースフィルムにより達成されます。

ＭＫのＭＥＭＳコンポーネントの機能に、それが凹部ＡＮ ＲＴを介して凹部の底部にＭＥＭＳ構造への無料アクセスを生成するためのリリースフィルムを除去するために覆うコーティングＬＦは言っと共に、ここに必要です。この目的のために、残りのリリースフィルム構造の接着は、第一段階で還元されます。図９１に放射線に曝露することによって示されています。おそらく、それは熱作用により責任を軽減するために、ただし、です。

次に、コーティングは、ＬＦが第二ラインＴＬ２を分離するに沿って除去されます。このため、例えば、レーザー構造を直接構造化プロセスを提供しています。それがＭＥＭＳコンポーネントＭＫとＭＥＭＳコンポーネントの外縁部から凹部ＡＮ葉の外縁部に、これにより十分な距離の境界凹部縁に衝突するように第２の分離線ＴＬ２が導かれます。第２の分離ラインＴＬ２は、上記のコーティングを含むリリースフィルムが除去されたＲＴＳを適用しているないＵＣＡコーティングされる領域を、第一の分割線ＴＬ１と一致行わと定義することができます。しかし、移動する第１の分割線に凹部ＡＮに向かって、好ましくは、内側に第二の分割線でもあるが、必ずしも距離は、凹部に保持されます。図９Ｊは、このプロセス段階における構成を示しています。すでに説明したように、第２の分割線ＴＬ２も、さらにアウトややアウトすることができます。

次の工程は、ＲＴＳにリリースフィルムの粘着力が低減ＵＣＡ被覆する除去されません。残りの債務の強さに応じて、異なる方法が使用されなければなりません。 ＭＥＭＳコンポーネントに関して、当社は一切の責任をほとんどリリーステープを行いますので、失うことや、例えば缶が吹き飛ばされる極端な場合にはあります。あるいは、接着剤フィルムを用いて除去することができます。被覆されるべきではないＲＴＳにおけるリリースフィルムを除去すると、図９Ｋの配置を示します。残りの領域でのコーティングは、基板ＴＲに対するモジュール及びシールをしっかりとかかっている間凹部ＡＮは、今までアクセス可能な上から自由です。ここでコーティングＬＦ空間の下にチップ部品、ＭＥＭＳコンポーネントと基板との間のすべてのスペースを含む、含まれています。凹部の領域で囲まれた体積から、凹部の底部を構成するマイクロホン振動板を含みます。

図１０に示すように、構成は、現在ＫＡ基板ＴＲが、きつくシールして、アセンブリの上に中間空間を残すコーティングで覆われたモジュールを介して、基板上に配置されるキャップでさらに保護されていてもよいです。ここで、内部はキャップＫＡコーティングＬＦ及び膜によって底部で囲まれている別の空間の下に含まれています。キャップＫＡは、そのようなサポートへの接着剤のような接続手段に取り付けることができます。金属キャップを半田付けすることができます。

ＭＥＭＳマイクロホンとしてＭＫ形成されたＭＥＭＳコンポーネントは、今のキャップの下及び割り当ては異ならせることができる前記コーティングの前部空間と後部空間、下の２つの個別の空間を定義します。

サウンドホールＳＯが基板に設けられた場合、キャップの下の空間が後部空間を形成する。図１０は、このような構成を示す。

しかし、基板ＴＲに対し、コーティングＬＦによって包囲された領域の空間が、後部空間を形成するように、キャップＫＡにサウンドホールを設けてもよい。図１４は、このような構成を示す。

次の工程で、モジュールの分離を行うことができるように、キャップＫＡは、支持ＴＲのアセンブリの上に適用されます。キャップの間とキャップアセンブリなどに適しているソーイングのような機械的プロセスによって覆われた領域間の基板を切断するため。担体の材料に応じて、しかし、他の方法を用いてもよいです。 １１は分離されたモジュールを示している図。

図１２は、コーティングＬＦが基板の表面に二つの構成要素間に引かれ、これとが終了されたアセンブリを示しています。これは、コーティングと基板の体積の間に閉じ込められた空気は、コンポーネント間のギャップによって削減されることができます。この空間は、前部空間として使用され、基板内の図１１〜１３に示すように、サウンドホールが設けられている場合、これは有利です。

図１３：１の変法では、コンポーネントの上端を超えるトラフの上縁が生き残るように、その後、ＭＥＭＳチップ部品が搭載されている底に、ＴＲモジュール住宅トラフのための基板として使用することができます。部品を組み立て、先にメンテナンスエリアと内側筐体トラフの底にコーティングされていない領域にアセンブリを分離するコーティングを備えています。コーティングは、それが側縁を覆うように、ハウジング全体のトラフの上に引っ張ることができます。

その後、キャップをフラットカバーＣＲを配置することができ、次の工程で９６は、平坦なカバー付きの端の周りや住宅トラフのエッジが非常に空間が封入されていること、住宅トラフのエッジに適用されます。コーティングは熱軟化ＬＦあるいは粘着性であるとき、ハウジングトラフ固体コーティングＦの縁の上に、特に、接続手段としての役割を果たすことができます。このコンポーネントは、単一のハウジングの溝を用いて製造することができます。しかし、ハウジングトレイ複数のすでに予め形成された複合基板を用いることも可能です。そして、部品の組立や表面処理などのフラットカバーＣＲのアプリケーション又は複数の使用が可能です。

図１５ａ及び１５ｂは、コーティングは、少なくとも２つの部分層を含む、更なる変形例を示します。コーティング層の最初の部分として、ラミネートフィルムＬＦが適用されます。コーティング層の第二の部分として、金属層ＭＬは、ラミネートフィルムＬＦの全表面上に堆積されます。

ＭＬは、薄いチタン接着層と厚い無電解又は電気めっき銅又はＰＶＤ Ｎｉ層によって堆積存在から補強層数μｍから完了することができる金属層である。

それによって装置は溶剤、酸又は塩基の攻撃に対するコーティングによって保護されているので、金属層の分離構造は、レーザーアブレーション及び湿式化学プロセスに加えて、あります。

図１５ａに示すように、平坦な基板上に取り付けることができる構成要素は、しかしながら、内部ハウジングの溝の底部に取り付けることができます。

両方の第１の部分層（ラミネートフィルムＬＦ）だけでなく、第二部層（金属層ＭＬ）は、ハウジングトラフの側壁上引っ張ることができます。また、金属層ＭＬ包括的なコーティングのリフティングは、ＭＥＭＳコンポーネントの凹部の周りに２分割線に沿って分離して示した図の９Ｋを参照して、例えば発生する可能性があります。

図１５ｂには、次のような接合方法により、フラットカバーとＣＲで覆われた住宅パン後のアセンブリを示し、例えば、しっかりと接続こだわりが。

図１６ａは、熱リリースフィルムをリリースフィルムＲＴに用いた方法の他の変形例を示す１６Ｉします。適切なリリースフィルムは、日東電工などによってリバアルファ（登録商標）のために、です。リリースフィルムの熱感受性のため、このプロセスの変形は、そのチップとＭＥＭＳコンポーネントＣＫが異なるため、リリースフィルムが適用される前に、ＭＫは、第一基板ＴＲに取り付けられています。部品を組み立てるときに、この早期放出は、熱プロセスによって防止されます。担体は、好ましくは、大きな表面積であり、多くの構成要素の組み立て、したがって同時に複数の構成要素の並列処理を可能にします。組み立て後、熱リリースフィルムＲＴは、２つのコンポーネントの上に適用されます。 、異なる高さの図１６に示すように部品のでリリースフィルムＲＴのみ最も通常ＭＥＭＳコンポーネントＭＫ基板成分を越えて突出にも適用することができます。チップ部品ＣＫ上にリリースフィルムＲＴではないです。

今、第一の分離線ＴＬ１に沿って分離され、連続的なフィルムとして被覆される領域内の分割線を越えて引き抜かれ、図１６Ｃに示すように、リリースフィルムです。図１６Ｄは、この工程の間に配置を示しています。

前と次の工程（図９ａを、次も参照されたい）全面ＬＦチップとＭＥＭＳコンポーネント上のコーティング図１６Ｅに示すように、それは、基板ＴＲとアセンブリの周りに円周方向にシールするように適用されます。

ＴＬ２は、リリースフィルムＲＴの構造に応じて分離された第２の分離線に沿って、図１６Ｆに示すように、コーティングＬＦはその後です。分離後、塗布されるコーティングについて互いにリリースフィルムＬＦは、図１６ｇに示すように、被覆される削除されません分離しました。被覆されるべき領域に、リリースフィルムを剥離容易にしないために、リリースフィルムの密着性が高められた温度にアセンブリ全体が十分であるが施された縮小領域全体は、第２の分離線に沿って切開の製造後、好ましくＴＬ２で、リリースフィルムの接着力ＭＥＭＳコンポーネントＭＫに低減することができます。この目的のために、適切な温度／時間プロファイルは、オーブン及び／又はホットプレート上で、及び／又は実行することができる赤外線放射体の下れ、設定されています。剥離工程が組み合わされるコーティングラミネートフィルムＬＦの硬化このように使用することができます。

図１６ｇ：それらの接着力はほぼ完全にキャンセルすることができるような状態にあるコーティングＬＦについて一緒にリリースフィルムＲＴＳのリフティングは、熱リリースフィルムを用いて簡単に成功します。

図１６ｈ：完成した成分としては、基板に対するコーティングＬＦで覆われているサポート、オンチップとＭＥＭＳコンポーネントのまま。ＭＥＭＳコンポーネントの底部に膜又は他の機能層以上のＭＥＭＳコンポーネントの凹部を被覆することが、この地域にリリースフィルムやコーティングの除去により露出されず、機能層又はＭＥＭＳコンポーネントＭＫの膜にこのようにアクセス無料のオープン。

その後、キャップＫＡはとてもチップコンポーネント及びＭＥＭＳコンポーネントの上に配置し、封入されている空間を含む支持ＴＲにリンクされています。図１６ｉは、サウンドホールＳＯが基板ＴＲ上のＭＥＭＳコンポーネントＭＫの下方に設けられている、完成したデバイスを示す。

図１７は、サウンドホールＳＯがキャップＫＡに設けられた変形例を示す。

図１８は、キャップの代わりに、平坦なカバーＣＲが、基板ＴＲとしてのハウジングトラフ上にマウントされ、ハウジングトラフが密封されている変形例を示す。

図１９Ｄ、図１９（ａ）は、両方の捕捉された空間の機能を交換することができる一つの処理の変形例において、異なる方法の工程を示します。開始点は、チップ部品のＣＫ及びＭＫ基板ＴＲに取り付けられ、これに対してコーティングＬＦによってとのように覆われているＭＥＭＳコンポーネントは、すでに図１４又は図１７のように示され、記載された装置でありますこの変形例では、ＳＯ音開口に、基板上のコンポーネントを覆うキャップＫＡ。前変異体とは対照的に、サウンドホールは、例えば、チップ部品とＭＥＭＳコンポーネントとの間に中間キャビティをＭＥＭＳコンポーネントの凹部の上に中心が、２つのコンポーネント間のスペース上記されません。

図１９ａは、前部空間ＦＶコーティングとキャップＬＦ ＫＡ間の体積である。後部空間内の前部空間の変換のために、以前の前部空間に対する音の開口部がシールされなければなりません。図１９Ｂに示すように、この目的のために、シーラントキャップＤＭ ＫＡとコーティングＬＦとの間に導入され、液体シーラントＬＤとして示すように、例えば、適用されます。これは、噴射、分注、ピン転写、又は同様の手順によって行うことができます。図１９Ｃは、グラフトＤＭと内部からのサウンドホールがバックコートＬＦに同時に密封する密封材から閉鎖されているこの段階での配置を示しています。

音響開口部ＳＯと最近戻って空間へのアクセスを介して、グラフト、又はシーラントＤＭが作成されます。この目的のために、シールを貫通する開口部は、ＤＭを意味し、下地コーティングＬＦを介して生成されます。この目的のために、掘削方法は、特定のレーザー穿孔プロセスにおいて、使用されます。その結果、音声チャネルＳＫは、ＭＥＭＳコンポーネントとチップ部品との間及びコンポーネントと基板ＴＲ間の空間へのアクセスＳＯサウンドホールを介して、図１９Ｄに示すように開くが生成されます。サウンドチャンネルがコーティングとキャップとの間の空間ＲＶから密封されているので、他の空間が戻っ空間として機能しながら、サウンドチャンネルは、前部空間ＦＶへのアクセスを提供します。

シーラントは、液体の形態で適用し、続いて硬化させることができます。キャップ接着及び／又は液体のシーラントの経過を交換する前に、コーティングＬＦの表面に影響を与えることが可能です。これは、粗さを増加させることによって、又は、特にこの領域の溝のパターンを適用することにより、表面特性を変化させることによって行うことができます。ことも可能である、フローティングバリアはさらに硬化前にシーラントの流れを防止設けプラグ周りに生成します。この方法では、所望の程度の経過液体シーラントと回避されるの流れ過剰ことを保証することができます。

あるいは、図１９Ｃに示される構成はまた、シーラントによって生成することができるキャップの適用前にチップとＭＥＭＳコンポーネント液と、ゴム弾性の密封手段（リング又は移植）などの空間を介してコーティングに適用されます。圧縮可能な発泡材料を使用することができます。それはシール手段に対して十分な力で押し、場所を取り、そのように続いて、キャップＫＡが設定されているので、中間領域上にキャップとコーティングとの間に良好なシール。環状シールは、後で音響チャネルの領域にキャップを取り付ける前に配置又は固定されることで、図１９Ｄに示す構成を生成することも可能です。なお、ここでは、サウンドチャネルＳＫは後でリア空間ＲＶに対して密封されているので、ここでも、キャップは、好ましくは十分にしっかりとシール手段のシールリングとして形成に対して押します。

シーラントキャップの前に適用される方法の後者の２つの変形例において、サウンドホールであっても、キャップの適用後キャップＫＡに形成することができます。しかしながら、好ましくは、これはセルフアジャスタブルであるのでシーラントは、既存のサウンドホールにより塗布する方法。

この変形方法においても、バスタブ状の基板を使用し、コーティングと平坦なカバーとの間に密封手段を配置することが可能である。

作製及びコーティングのパターニングの方法を説明し、いくつかの実施形態を参照し、従ってこれらに限定されるものではありません。プロセスではなくコーティングを製造することができ、部品の凹部を一時的のいずれか又はその中に敏感な構造の領域でコーティングを慎重に除去しなければならないコーティングによって被覆された任意の表面又はコンポーネントの構造化されました。

符号の一覧
ＢＥ 部品
ＣＡ コーティング領域
ＵＣＡ 非コーティング領域
ＲＴ リリースフィルム
ＬＦ コーティング（ラミネートフィルム等）
ＴＬ 第１及び第２の分割線（ＣＡを包囲）
ＴＲ 基板
ＭＫ、ＣＫ ＭＥＭＳ又はチップコンポーネント
ＭＷ ＭＥＭＳウェーハ
ＭＭ （ＭＫ内の）マイクロホン膜
ＡＮ 凹部（マイクロホン膜上）
ＫＡ 基板上のデバイスの上方を覆うキャップ
ＣＲ カバー
ＳＯ サウンドホール（カバー又は基板内）
ＺＲ （２つのコンポーネントの間の）ギャップ
ＭＡ マスク
ＭＬ 金属層／メタライジング部
ＤＭ 密封材
ＦＶ 前側空間
ＲＶ 後側空間
ＤＲ 硬化すると弾性材料となる粘稠な塊状物
ＳＫ サウンドチャネル（ＳＯ、ＤＭ及びＬＦ中の開口、コンポーネント間及びＭＫとＴＲとの間のギャップによって形成されている）

Claims (17)

1. コーティング領域（ＣＡ）と非コーティング領域（ＵＣＡ）とを有する表面を有する部品の表面にパターン状のコーティングを形成する方法であって、
   ａ．前記部品の表面にリリースフィルム（ＲＴ）を形成し、非コーティング領域内の少なくとも一部に固定することと、
   ｂ．前記コーティング領域（ＣＡ）内の前記リリースフィルムを除去することと、
   ｃ．前記リリースフィルム（ＲＴＳ）及び前記部品の表面の全表面上にコーティング（ＬＦ）を形成することと、
   ｄ．前記コーティング領域（ＣＡ）を取り囲む第２の分割線（ＴＬ２）に沿って前記コーティングを分割することと、
   ｅ．少なくとも第２の分割線（ＴＬ２）で囲まれた領域内の前記リリースフィルム（ＲＴ）の接着力を低減することと、
   ｆ．前記非コーティング領域内の前記リリースフィルムを、その上に形成された前記コーティングと共に剥離することと、
   を含む方法。
2. ＵＶリリーステープ又は熱リリーステープが前記リリースフィルムとして用いられ、前記工程ｅ）において、ＵＶ光、レーザー又は熱の作用により接着力が低減される請求項１に記載の方法。
3. −前記部品（ＢＥ）が、基板（ＴＲ）上に配置された１又は複数のＭＥＭＳコンポーネント又はチップコンポーネント（ＭＫ、ＣＫ）を有するデバイス（デバイス）の一部であり、該部品がこれらのコンポーネントを構成しており、
   −工程ｄ）において、コーティング（ＬＦ）として、フィルムを前記装置の表面全体にわたって、前記ＭＥＭＳコンポーネント又はチップコンポーネントのいずれか一方、或いは装置としてコンポーネント全体を基板上で密封するように貼付し、
   −工程ｇ）により、非コーティング領域（ＵＣＡ）に、ＭＥＭＳコンポーネントへのメディアアクセスを形成する、
   請求項１又は２に記載の方法。
4. −工程ａ）において、ＭＥＭＳウェーハの複数のＭＥＭＳコンポーネント（ＭＫ）に対し同時にリリースフィルム（ＲＴ）を貼付し、
   −次いで工程ｂ）を実行し、ＭＥＭＳコンポーネントを分離し、
   −少なくとも１つのＭＥＭＳコンポーネント（ＭＫ）及び少なくとも１つのチップコンポーネント（ＣＫ）を有する装置を取り付け、
   −その後、工程ｃ）からｆ）を実行する、
   請求項３に記載の方法。
5. −工程ｂ）において、非コーティング領域（ＵＣＡ）を取り囲む第１の分割線（ＴＬ１）に沿って切り込みを形成し、
   −工程ｂ）において、コーティング領域（ＣＡ）のうち、第１の分割線（ＴＬ１）で囲まれた領域の外側のリリースフィルムを除去し、
   −次いでコーティング（ＬＦ）を塗布し、
   −工程ｅ）において、まず、熱又はＵＶ照射への曝露により、非コーティング領域全体上のリリースフィルムの接着力を低減し、その後、工程ｄ）においてコーティング内の第２の分割線（ＴＬ２）に沿って第２の切り込みを形成し、或いは工程ｅ）の前に工程ｄ）を実行し、
   −次いで、工程ｆ）を実行する、
   請求項１から４のいずれか１項に記載の方法。
6. −前記部品（ＢＥ）がＭＥＭＳマイクロホンであり、単独で、或いはデバイスに組み込まれた形で基板（ＴＲ）上に実装されており、
   −工程ｆ）において、マイクロホンのマイクロホン膜上に、非コーティング領域（ＵＣＡ）として凹部（ＡＮ）を露出させ、
   −ＭＥＭＳマイクロホン又はデバイスを覆うように、被覆（ＣＲ、ＫＡ）を基板上に固定し、被覆の下でＭＥＭＳマイクロホン又はデバイスを収容する空洞を包囲及び密封し、
   −平坦な基板（ＴＲ）を用い、その上に被覆としてキャップ（ＫＡ）を形成し、或いはバスタブ状の基板を用い、それを覆うように平坦な被覆（ＣＲ）を形成し、
   −被覆（ＫＡ、ＣＲ）又は基板（ＴＲ）内にサウンドホール（ＳＯ）を設ける、
   請求項１から５のいずれか１項に記載の方法。
7. コーティング（ＬＦ）により、マイクロホン膜の上側の空間を、膜の下側の空間に対し密封し、それにより、膜の上側の空間がコーティングの上方及びカバーの下側に残存する空洞を含み、
   コーティングの下側且つマイクロホン膜の下側の空間が、コーティングを貫通し、基板に対し密封された、少なくとも１つのＭＥＭＳ-及び／又はチップコンポーネントの間のギャップを含む、
   請求項５又は６に記載の方法。
8. 工程ｃ）において、コーティング（ＬＦ）として、深絞り加工可能な フィルムがデバイス上に形成される、請求項６又は７に記載の方法。
9. −工程ｂ）及びｆ）において、２つのコンポーネント（ＣＫ、ＭＫ）間のギャップ上の架橋領域にもリリースフィルム（ＲＴ）を残すか、除去せずにおき、
   −工程ｃ）の実施中及び後に、架橋領域に残存したリリースフィルムが、ギャップ上のコーティング（ＬＦ）を補強する、
   請求項３から８のいずれか１項に記載の方法。
10. −リリースフィルム（ＲＴ）として熱リリーステープが用いられ、その貼付が、基板（ＴＲ）上でのコンポーネントの組み立て後に行われ、
    −工程ｅ）において、全体に残ったリリースフィルムの接着力が、熱の作用により低減され、
    −非コーティング領域（ＵＣＡ）内のリリースフィルム及びその上に形成されたコーティング（ＬＦ）の剥離が、エアブロー、求引又は粘着フィルムを用いた剥離により行われる、
    請求項３から９のいずれか１項に記載の方法。
11. 工程ｃ）において、コーティング（ＬＦ）として、深絞り加工可能で熱処理可能なフィルムがデバイス上に形成される、請求項３から１０のいずれか１項に記載の方法。
12. −デバイスに隣接し、それを完全に包囲する外周までの基板上のコーティングを除去し、それにより、コーティングの外周全体での基板との密封を完了し、
    −キャップを、基板のコーティングが除去された領域の上に重ね合わせ、基板と接合する、
    請求項６から１１のいずれか１項に記載の方法。
13. −ＭＥＭＳコンポーネントとしてＭＥＭＳマイクロホンが、デバイス内に組み込まれ、フリップチップ実装を用いて基板上にマウントされ、
    −カバーとして、キャップが、サウンドホール（ＳＯ）内に設けられ、基板上でデバイスを覆うようにマウントされ、
    −２つのコンポーネント間のギャップの上方にサウンドホールが設けられ、
    −デバイスの上方のキャップとコーティングの間が密封され、内側からキャップ周囲のサウンドホールが密封され、
    −サウンドホール下方の密封材に開口が設けられ、
    −サウンドホール（ＳＯ）を貫通して連続したサウンドチャネル（Ｓｃｈａｌｌｋａｎａｌ）（ＳＫ）、密封材（ＤＭ）及びコーティング（ＬＦ）が、ギャップを通り、ＭＥＭＳコンポーネント（ＭＫ）の下側に開口するように、コーティングを貫通してギャップに向かって開口を延在させた、
    請求項６から１２のいずれか１項に記載の方法。
14. キャップ（ＫＡ）を設置後に、サウンドホール（ＳＯ）を通して、粘性組成物として、密封材（ＤＭ）を塗布し、完全に硬化させる、請求項１３に記載の方法。
15. ギャップを覆うようにコーティング（ＬＦ）の上にキャップを載置する前に、密封材（ＤＭ）を配置する、請求項１３に記載の方法。
16. 密封材（ＤＭ）として、弾性材料からなる密封リングが、ギャップを覆うコーティングの上に配置された、請求項１５に記載の方法。
17. -粘性を示し、硬化状態で弾性を示す組成物（ＬＤ）として、密封材（ＤＭ）が、コーティング（ＬＦ）とキャップ（ＫＡ）の間のサウンドホール（ＳＯ）の領域内に、サウンドホールを閉塞し、コーティングとの境界を密封するように形成され、
    -次いで、レーザードリリング法を用いて、密封材（ＤＭ）及びコーティング（ＬＦ）に開口（ＯＥ）を形成する、
    請求項１３又は１４に記載の方法。
    
    

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