JP2015127835A - 表示装置 - Google Patents
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Abstract
表示装置の駆動方法を提供することを課題の一とする。
【解決手段】表示素子に電圧を印加する画素電極及び共通電極の電位を浮遊状態(フロー
ティング)にして表示素子にかかる電圧を保持し、新たに電位を供給することなく静止画
の表示を行う静止画表示モードで静止画像を表示しながら、表示装置をオフ状態とする。
静止画表示モードによる任意の静止画像を表示したままオフ状態とすることで表示装置の
セキュリティ性、利便性を高めることができる。
【選択図】図1
Description
スイッチング素子としてトランジスタが設けられたアクティブマトリクス型の表示装置が
知られている。
イッチング素子に用いるアクティブマトリクス型の表示装置が注目を集めている(特許文
献1及び特許文献2参照。)。
電気泳動方式などを用いた電子インクをその例に挙げることができる。液晶素子を適用し
たアクティブマトリクス型の液晶表示装置は、液晶素子の動作速度を活かした動画の表示
から豊かな階調をもった静止画の表示まで幅広い用途に用いられている。
ランジスタがオフ状態であっても画素に書き込んだ信号がトランジスタを介して漏れて消
失してしまうという特徴があった。従って、表示素子がメモリ性を有していない場合、ア
クティブマトリクス型の表示装置は、たとえ同一画像であっても頻繁に信号を書き込み直
す必要が生じ、消費電力を低減することが困難であった。
表示装置の駆動方法を提供することを課題の一とする。
明細書では、表示装置において電力が供給されている状態(電源オンの状態)をオン状態
、電力の供給が停止されている状態(電源オフの状態)をオフ状態とよび、表示装置をオ
ン状態とする制御信号を開始信号、オフ状態とする制御信号を停止信号とよぶ。
を浮遊状態(フローティング)にして表示素子にかかる電圧を保持し、新たに電位を供給
することなく静止画の表示を行う静止画表示モードで静止画像を表示しながら、表示装置
をオフ状態とすることを特徴とする。
像信号によって動画表示モード、静止画表示モードを適宜選択して低消費電力化を図り、
かつ停止手段により静止画表示モードによる任意の静止画像を表示したままオフ状態とす
ることで表示装置のセキュリティ性、利便性を高めることができる。
像を表示し、初期化停止手段により初期化停止信号を供給し、初期化停止信号により初期
化画像信号を書き込み画面に初期化画像を表示し、画面に初期化画像を表示した状態で電
源からの電源電位の供給を停止する。
像を表示し、維持停止手段により維持停止信号を供給し、画面に画像を表示した状態で電
源からの電源電位の供給を停止する。
スイッチング素子であるトランジスタを介して電圧が印加される。電源の供給が停止する
時は、表示素子と電気的に接続するトランジスタはオフとなっており、表示素子は電圧を
保持したまま浮遊状態で電源停止後も一定時間画面に画像を表示し続ける。
像信号によって動画表示モード、静止画表示モードを適宜選択して低消費電力化を図り、
かつ停止手段により静止画表示モードによる任意の静止画像を表示したままオフ状態とす
ることで表示装置のセキュリティ性、利便性を高めることができる。
示装置の駆動方法を提供することが可能となる。
以下の説明に限定されず、その形態および詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれ
ば容易に理解される。また、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈さ
れるものではない。
本実施の形態では、表示装置及び表示装置の駆動方法の一形態を図1乃至6を用いて説明
する。
割した複数の異なる画像を高速に切り替えることで人間の目に動く画像として認識される
画像をいう。具体的には、1秒間に60回(60フレーム)以上画像を切り替えることで
、人間の目にはちらつきが少なく動画と認識されるものとなる。一方、静止画は、動画及
び部分動画と異なり、複数のフレームに時分割した複数の画像を高速に切り替えて動作さ
せていても、連続するフレーム、例えばnフレーム目と、(n+1)フレーム目とで変化
しない画像のことをいう。
とにおいて、それぞれ動画表示モード、静止画表示モードという異なる表示モードを用い
ている。なお本明細書では、静止画表示の時に表示される画像を静止画像ともよぶ。
込まれる表示モードを用いる。一方、連続するフレームの画像信号が同一な静止画表示の
場合は、新たに画像信号は書き込まれず、表示素子に電圧を印加する画素電極及び共通電
極の電位を浮遊状態(フローティング)にして表示素子にかかる電圧を保持し、新たに電
位を供給することなく静止画の表示を行う表示モードを用いる。
意味し、反対にオフ状態とは表示素子に電圧を印加せず表示を行わせない非表示状態を意
味する。表示装置は停止信号によって電源からの電力の供給を停止され、自動的に非表示
状態となるため、使用者はオフ状態における任意の画像の表示は選択できない。
装置がオフ状態となることを特徴とする。新たに電位を供給することなく静止画像の表示
を行うことのできる該静止画表示モードを用いると、表示装置に電力の供給が停止された
オフ状態であっても画像が表示できるからである。
終了させたい場合)、または現画面の画像を一時保持したい場合、本実施の形態の停止手
段を用いて、画面に任意の画像を表示させたまま表示装置をオフ状態とすることができる
。
示画像を必要としない場合は、表示画面の初期化を行う図1(A)の画面初期化モードを
動作させるための初期化停止手段を用いる。動画表示モードであっても静止画表示モード
であっても、初期化停止手段を選択して初期化停止信号を入力すると、初期化画像Sの画
像信号(初期化画像S信号)が書き込まれ、該初期化画像Sが静止画表示モードによる静
止画像として表示される。そして、該初期化画像Sが表示されたまま、電源停止により電
源からの電力の供給が停止しオフ状態となる。オフ状態になっても表示素子にかかる電圧
が維持されているので初期化画像Sは一定時間表示され続ける。初期化画像Sを予め登録
しておくことにより電源オフ時及びその後一定時間任意の画像を表示することができる。
例えば初期化画像を全白画面、又は全黒画面となるような同じ一色の画像としてもよいし
、帰属元を示すマークや宣伝用のロゴなどの画像を設定してもよい。これは電力を供給し
ないですむオフ状態において任意の画像表示を楽しめるだけでなく、残像等がオフ状態に
おいて画面に表示されることによる電源オフ直前の画像の情報の他者への漏洩を防止する
ことができる。従って低消費電力でありながら(電源オフ状態においては消費電力ゼロ)
画像の視認を長時間利用でき、かつセキュリティ効果も高い表示装置を提供することがで
きる。
1(B)の画面維持モードを動作させるための維持停止手段を用いる。維持停止手段を選
択して維持停止信号を入力すると、新たな画像は書き込まれず、現画面に表示されている
画像Aが静止画モードによる静止画像として維持される。そして該画像Aが表示されたま
ま、電源停止により電源からの電力の供給が停止しオフ状態となる。オフ状態になっても
表示素子にかかる電圧が維持されているので画像Aは一定時間表示され続ける。電源オフ
後及び一定時間該画像を表示することができるため、該画像からの情報を得ることができ
る。従って低消費電力でありながら(電源オフ状態においては消費電力ゼロ)画像の情報
を長時間利用でき、利便性の高い表示装置を提供することができる。
面が1フレームの画像信号の書き込み中であった場合、該1フレームの画像信号を書き込
み終わりオフ状態時に表示する画像を表示した後、表示素子に電圧を印加する画素電極及
び共通電極の電位を浮遊状態にして表示素子にかかる電圧を保持し、静止画像の表示を行
う静止画表示モードとする。
できるが、バックライト等の光源を用いる透過型表示装置、半透過型表示装置の場合には
、静止画表示モードとなり任意の画像が表示されているオフ状態後の一定時間は、同期し
て光源を駆動させておく必要がある。また、この場合は、オフ状態後の画像表示時間を光
源の駆動時間を制御することにより設定することもできる。
を行う表示装置の駆動方法の一例を、図2至図6を用いて説明する。なお、本明細書に開
示される表示装置、及び表示装置の駆動方法は図2至図6に限定されない。
置100は、画素において光の透過、非透過を利用して表示を行う透過型表示装置、又は
半透過型表示装置の例であり、画像処理回路110、表示パネル120、及びバックライ
ト部130を有する。反射型表示装置の場合は、光源として外光を用いるため、バックラ
イト部130を省略することができる。
いる。制御信号としてはスタートパルスSP、及びクロック信号CK、画像信号としては
画像信号Data、電源電位としては高電源電位Vdd、低電源電位Vss、及び共通電
位Vcomが供給される。なお、電源電位は表示装置の電源をオン状態として電力供給を
開始することによって与えられる。
基準電位以下の電位のことをいう。なお高電源電位Vdd及び低電源電位Vssともに、
トランジスタが動作できる程度の電位であることが望ましい。なお高電源電位Vdd及び
低電源電位Vssを併せて、電源電圧と呼ぶこともある。
であればよく、一例としてはグラウンド電位であってもよい。
フレーム反転駆動等に応じて適宜反転させて表示装置100に入力される構成とすればよ
い。また、画像信号がアナログの信号の場合には、A/Dコンバータ等を介してデジタル
の信号に変換して、表示装置100に供給する構成とすれば、後に画像信号の差分を検出
する際、検出を容易に行うことができ好適である。
する。
択回路115を有する。画像処理回路110は、入力された画像信号Dataから表示パ
ネル画像信号とバックライト信号を生成する。表示パネル画像信号は、表示パネル120
を制御する画像信号であり、バックライト信号はバックライト部130を制御する信号で
ある。
モリを有する。記憶回路111が有するフレームメモリの数は特に限定されるものではな
く、複数のフレームに関する画像信号を記憶できる素子であればよい。なおフレームメモ
リは、例えばDRAM(Dynamic Random Access Memory)
、SRAM(Static Random Access Memory)等の記憶素子
を用いて構成すればよい。
ムメモリの数について特に限定されるものではない。またフレームメモリの画像信号は、
比較回路112及び表示制御回路113により選択的に読み出されるものである。なお図
中のフレームメモリ111bは、1フレーム分のメモリ領域を概念的に図示するものであ
る。
的に読み出して、当該画像信号の連続するフレーム間での比較を画素毎に行い、差分を検
出するための回路である。
及び選択回路115の動作を決定する。当該比較回路112がフレーム間のいずれかの画
素で差分を検出した場合(差分「有」の場合)、比較回路112は画像信号が静止画では
ないと判断し、差分を検出した連続するフレーム期間を動画であると判断する。
(差分「無」の場合)、当該差分を検出しなかった連続するフレーム期間は、静止画であ
ると判断する。すなわち比較回路112は、連続するフレーム期間の画像信号の差分の有
無を検出することによって、動画を表示するための画像信号であるか、または静止画を表
示するための画像信号であるかの判断をするものである。
を超えたときに、差分有りとして検出したと判断されるように設定してもよい。なお比較
回路112の検出する差分は、差分の絶対値によって判断をする設定とすればよい。
するフレーム期間の画像信号の差分を検出することにより当該画像が動画か又は静止画か
であることの判断を行う構成について示したが、外部から動画であるか静止画であるかの
信号を供給する構成としてもよい。この場合、動画であるか静止画であるかの信号は直接
表示制御回路113に供給され、表示制御回路113によって表示パネル120へ供給さ
れる画像信号が制御される。従って、表示装置100内部に記憶回路111、比較回路1
12、及び選択回路115は設けなくてもよい。
。比較回路112が連続するフレーム間に差分を検出した場合、すなわち画像が動画の際
、記憶回路111内のフレームメモリから動画の画像信号を選択して表示制御回路113
に出力する。
すなわち画像が静止画の際、記憶回路111内のフレームメモリから表示制御回路113
に画像信号を出力しない。画像信号をフレームメモリより表示制御回路113に出力しな
い構成とすることにより、表示装置の消費電力を削減できる。
なう動作が静止画表示モード、比較回路112が画像を動画と判断しておこなう動作が動
画表示モードとなる。
に制御信号(具体的にはスタートパルスSP、及びクロック信号CK等の制御信号の供給
または停止の切り替えを制御するための信号)を供給し、バックライト部130にバック
ライト制御信号(具体的にはバックライト制御回路131がバックライトの点灯、及び消
灯を制御するための信号)を供給する回路である。
もよい。表示モード切り替え機能は、当該表示装置の利用者が手動または外部接続機器を
用いて当該表示装置の動作モードを選択することで動画表示モードまたは静止画表示モー
ドを切り替える機能である。
制御回路113に出力することもできる。
15にモード切り替え信号が入力された場合、比較回路112が連続するフレーム期間で
の画像信号の差分を検出していない場合であっても、選択回路115は入力される画像信
号を順次表示制御回路113に出力するモード、すなわち動画表示モードを実行できる。
また、動画表示モードで動作している際に、表示モード切り替え回路から選択回路115
にモード切り替え信号が入力された場合、比較回路112が連続するフレーム期間での画
像信号の差分を検出している場合であっても、選択回路115は選択した1フレームの画
像信号の信号のみを出力するモード、すなわち静止画表示モードを実行できる。その結果
、本実施の形態の表示装置には、動画中の1フレームが静止画として表示される。
装置がおかれている環境の明るさを検知できる。その結果、測光回路が接続された表示制
御回路113は、測光回路から入力される信号に応じて、バックライト等の光源の駆動方
法を制御することができる。
と表示制御回路113はバックライト132の光の強度を高めるように制御して表示画面
の良好な視認性を確保し、反対に表示装置が極めて明るい外光下(例えば屋外の直射日光
下)で利用されていることが判明すると、表示制御回路113はバックライト132の光
の強度を抑えるように制御しバックライト132が消費する電力を低下させる。
。バックライト132は、表示装置100の用途に応じて選択して組み合わせればよく、
冷陰極管や発光ダイオード(LED)などを用いることができる。カラー表示を行う場合
にはカラーフィルタを組み合わせることで表示が可能である。バックライト132には例
えば白色の発光素子(例えばLED)を配置することができる。なお、バックライト13
2にRGBの発光ダイオード等を配置し、時分割によりカラー表示する継時加法混色法(
フィールドシーケンシャル法)を採用するときには、カラーフィルタを設けない場合もあ
る。バックライト制御回路131には、表示制御回路113からバックライトを制御する
バックライト信号、及び電源電位が供給される。
では、表示パネル120は第1の基板と、第2の基板を有し、第1の基板には駆動回路部
121、画素部122、及びスイッチング素子127が設けられている。また、第2の基
板には共通接続部(コモンコンタクトともいう)、及び共通電極128(コモン電極、ま
たは対向電極ともいう)が設けられている。なお、共通接続部は第1の基板と第2の基板
を電気的に接続するものであって、共通接続部は第1の基板上に設けられていてもよい。
設けられており、複数の画素がゲート線124及びソース線125に環囲されてマトリク
ス状に設けられている。なお、本実施の形態で例示する表示パネル120においては、ゲ
ート線124はゲート線側駆動回路121Aから延在し、ソース線125はソース線側駆
動回路121Bから延在している。
び表示素子を有し、該画素電極は可視光を透過する透光性を有する。
とき、オフ電流が低減されたトランジスタに接続された表示素子、並びに容量素子に蓄え
られた電荷は、オフ状態のトランジスタを介して漏れ難く、トランジスタがオフ状態にな
る前に書き込まれた状態を長時間に渡って保持できる。
とそれに対向する共通電極との間に液晶層を挟持して形成する。
素子がある。その素子は一対の電極と液晶層により構造されることが可能である。なお、
液晶の光学的変調作用は、液晶にかかる電界(即ち、縦方向の電界)によって制御される
。
チック液晶、ディスコチック液晶、サーモトロピック液晶、リオトロピック液晶、低分子
液晶、高分子分散型液晶(PDLC)、強誘電液晶、反強誘電液晶、主鎖型液晶、側鎖型
高分子液晶、バナナ型液晶などを挙げることができる。
STN(Super Twisted Nematic)モード、OCB(Optica
lly Compensated Birefringence)モード、ECB(El
ectrically Controlled Birefringence)モード、
FLC(Ferroelectric Liquid Crystal)モード、AFL
C(AntiFerroelectric Liquid Crystal)モード、P
DLC(Polymer Dispersed Liquid Crystal)モード
、PNLC(Polymer Network Liquid Crystal)モード
、ゲストホストモードなどがある。
る。ゲート線側駆動回路121A、ソース線側駆動回路121Bは、複数の画素を有する
画素部122を駆動するための駆動回路であり、シフトレジスタ回路(シフトレジスタと
もいう)を有する。
またはスイッチング素子127と同じ基板に形成されるものでもよいし、別の基板に形成
されるものであってもよい。
低電源電位Vss、スタートパルスSP、クロック信号CK、画像信号Dataが供給さ
れる。
(高電源電位Vdd、低電源電位Vss、スタートパルスSP、クロック信号CK、画像
信号Data、共通電位Vcom等)等を駆動回路部121に供給する入力端子である。
Vcomを共通電極128に供給する。スイッチング素子127としては、トランジスタ
を用いることができる。トランジスタのゲート電極を表示制御回路113に接続し、ソー
ス電極またはドレイン電極の一方を、端子部126を介して共通電位Vcomに接続し、
他方を共通電極128に接続すればよい。なお、スイッチング素子127は駆動回路部1
21、または画素部122と同じ基板に形成されるものでもよいし、別の基板に形成され
るものであってもよい。
子と、共通電極128を電気的に接続する。
により電気的な接続を図ればよい。なお、共通接続部は、第1の基板及び第2の基板に複
数箇所設けられる構成としてもよい。
ように設ける。また共通電極128及び画素部122が有する画素電極は、多様な開口パ
ターンを有する形状としてもよい。
る。
、本実施の形態では表示素子215に液晶素子を用いる。液晶素子は第1の基板上の画素
電極と第2の基板上の共通電極128の間に液晶層を挟持して形成する。
電極が接続され、ソース電極またはドレイン電極の一方が複数のソース線125のうちの
一つと接続され、ソース電極またはドレイン電極の他方が容量素子210の一方の電極、
及び表示素子215の一方の電極と接続される。
4がオフ状態のとき、オフ電流が低減されたトランジスタ214に接続された表示素子2
15、及び容量素子210に蓄えられた電荷は、トランジスタ214を介して漏れ難く、
トランジスタ214がオフ状態になる前に書き込まれた状態を長時間に渡って保持できる
。
ことができる。なお、容量素子210を設けない構成とすることもできる。また、容量素
子210の電極は、別途設けた容量線に接続する構成としてもよい。
電極またはドレイン電極の一方は、トランジスタ214と接続されていない容量素子21
0の他方の電極、及び表示素子215の他方の電極と接続され、スイッチング素子127
のソース電極またはドレイン電極の他方は、共通接続部を介して端子126Bに接続され
る。また、スイッチング素子127のゲート電極は端子126Aに接続される。
タイミングチャートを用いて説明する。
K、及びスタートパルスGSPを示す。また、表示制御回路113がソース線側駆動回路
121Bに供給するクロック信号SCK、及びスタートパルスSSKを示す。なお、クロ
ック信号の出力のタイミングを説明するために、図4ではクロック信号の波形を単純な矩
形波で示す。
Bの電位、並びに共通電極の電位を示す。
。期間1401では画像信号、共通電位が画素部122の各画素、共通電極に供給される
ように動作する。
22の各画素への画像信号、共通電極への共通電位を停止することとなる。なお図4に示
す期間1402では、駆動回路部の動作を停止するよう各信号を供給する構成について示
したが、期間1402の長さ及びリフレッシュレートによって、定期的に画像信号を書き
込むことで静止画の画像の劣化を防ぐ構成とすることが好ましい。
ク信号GCKとして、常時クロック信号が供給され、スタートパルスGSPとして、垂直
同期周波数に応じたパルスが供給される。また、期間1401では、クロック信号SCK
として、常時クロック信号が供給され、スタートパルスSSPとして、1ゲート選択期間
に応じたパルスが供給される。
4の電位に応じて画素電極にソース線125の電位が供給される。
127を導通状態とする電位を供給し、端子126Bを介して共通電極に共通電位を供給
する。
ミングチャートを説明する。期間1402では、クロック信号GCK、スタートパルスG
SP、クロック信号SCK、及びスタートパルスSSPは共に停止する。また、期間14
02において、ソース線125に供給していた画像信号Dataは停止する。クロック信
号GCK及びスタートパルスGSPが共に停止する期間1402では、トランジスタ21
4が非導通状態となり画素電極の電位が浮遊状態となる。
127を非導通状態とする電位を供給し、共通電極の電位を浮遊状態にする。
遊状態にして、新たに電位を供給することなく、静止画の表示を行うことができる。
ク信号、及びスタートパルスを停止することにより低消費電力化を図ることができる。
ンジスタを用いることにより、表示素子215の両端子に加わる電圧が経時的に低下する
現象を抑制できる。
に切り替わる期間(図4中の期間1404)における表示制御回路の動作を、図5(A)
、(B)を用いて説明する。図5(A)、(B)は表示制御回路が出力する、高電源電位
Vdd、クロック信号(ここではGCK)、スタートパルス信号(ここではGSP)、及
び端子126Aの電位を示す。
示制御回路は、スタートパルスGSPを停止する(図5(A)のE1、第1のステップ)
。次いで、スタートパルス信号GSPの停止後、パルス出力がシフトレジスタの最終段ま
で達した後に、複数のクロック信号GCKを停止する(図5(A)のE2、第2のステッ
プ)。次いで、電源電圧の高電源電位Vddを低電源電位Vssにする(図5(A)のE
3、第3のステップ)。次いで、端子126Aの電位を、スイッチング素子127が非導
通状態となる電位にする(図5(A)のE4、第4のステップ)。
1に供給する信号を停止できる。動画から静止画に切り替わる際の誤動作はノイズを生じ
、ノイズは静止画として保持されるため、誤動作が少ない表示制御回路を搭載した表示装
置は画像の劣化が少ない静止画を表示できる。
。表示制御回路は、端子126Aの電位をスイッチング素子127が導通状態となる電位
にする(図5(B)のS1、第1のステップ)。次いで、電源電圧を低電源電位Vssか
ら高電源電位Vddにする(図5(B)のS2、第2のステップ)。次いで、クロック信
号GCKとして先にハイの電位を与えた後、複数のクロック信号GCKを供給する(図5
(B)のS3、第3のステップ)。次いでスタートパルス信号GSPを供給する(図5(
B)のS4、第4のステップ)。
に信号の供給を再開できる。各配線の電位を適宜順番に動画表示時に戻すことで、誤動作
なく駆動回路部の駆動を行うことができる。
フレーム期間毎の画像信号の書き込み頻度を模式的に示す。図6中、「W」は画像信号の
書き込み期間であることをあらわし、「H」は画像信号を保持する期間であることを示し
ている。また、図6中、期間603は1フレーム期間を表したものであるが、別の期間で
あってもよい。
画像信号は期間604に書き込まれ、期間604で書き込まれた画像信号は、期間602
の他の期間で保持される。
頻度を低減できる。その結果、静止画を表示する際の低消費電力化を図ることができる。
きると、人間は目に疲労を感じることもあり得る。本実施の形態の表示装置は、画像信号
の書き込み頻度が削減されているため、目の疲労を減らすといった効果もある。
共通電極のスイッチング素子に適用することにより、保持容量で電圧を保持できる期間(
時間)を長く取ることができる。その結果、画像信号の書き込み頻度を画期的に低減する
ことが可能になり、静止画を表示する際の低消費電力化、及び目の疲労の低減に、顕著な
効果を有する。
るフレームの画像信号によって動画表示モード、静止画表示モードを適宜選択して低消費
電力化を図り、かつ停止手段により静止画表示モードによる任意の静止画像を表示したま
まオフ状態とすることでセキュリティ性、利便性を高めることができる。
を提供することが可能となる。
本実施の形態では、本明細書に開示する表示装置に適用できるトランジスタの例を示す。
本明細書に開示する表示装置に適用できるトランジスタの構造は特に限定されず、例えば
トップゲート構造、又はボトムゲート構造のスタガ型及びプレーナ型などを用いることが
できる。また、トランジスタはチャネル形成領域が一つ形成されるシングルゲート構造で
も、二つ形成されるダブルゲート構造もしくは三つ形成されるトリプルゲート構造であっ
ても良い。また、チャネル領域の上下にゲート絶縁層を介して配置された2つのゲート電
極層を有する、デュアルゲート型でもよい。なお、図7(A)乃至(D)にトランジスタ
の断面構造の一例を示す。図7(A)乃至(D)に示すトランジスタは、半導体として酸
化物半導体を用いるものである。酸化物半導体を用いることのメリットは、比較的簡単か
つ低温のプロセスで高い移動度と低いオフ電流が得られることであるが、もちろん、他の
半導体を用いてもよい。
あり、逆スタガ型薄膜トランジスタともいう。
絶縁層402、酸化物半導体層403、ソース電極層405a、及びドレイン電極層40
5bを含む。また、トランジスタ410を覆い、酸化物半導体層403に積層する絶縁層
407が設けられている。絶縁層407上にはさらに保護絶縁層409が形成されている
。
)と呼ばれるボトムゲート構造の一つであり逆スタガ型薄膜トランジスタともいう。
絶縁層402、酸化物半導体層403、酸化物半導体層403のチャネル形成領域を覆う
チャネル保護層として機能する絶縁層427、ソース電極層405a、及びドレイン電極
層405bを含む。また、トランジスタ420を覆い、保護絶縁層409が形成されてい
る。
表面を有する基板である基板400上に、ゲート電極層401、ゲート絶縁層402、ソ
ース電極層405a、ドレイン電極層405b、及び酸化物半導体層403を含む。また
、トランジスタ430を覆い、酸化物半導体層403に接する絶縁層407が設けられて
いる。絶縁層407上にはさらに保護絶縁層409が形成されている。
1上に接して設けられ、ゲート絶縁層402上にソース電極層405a、ドレイン電極層
405bが接して設けられている。そして、ゲート絶縁層402、及びソース電極層40
5a、ドレイン電極層405b上に酸化物半導体層403が設けられている。
ある。トランジスタ440は、絶縁表面を有する基板400上に、絶縁層437、酸化物
半導体層403、ソース電極層405a、及びドレイン電極層405b、ゲート絶縁層4
02、ゲート電極層401を含み、ソース電極層405a、ドレイン電極層405bにそ
れぞれ配線層436a、配線層436bが接して設けられ電気的に接続している。
物半導体層403に用いる酸化物半導体としては、四元系金属酸化物であるIn−Sn−
Ga−Zn−O系や、三元系金属酸化物であるIn−Ga−Zn−O系、In−Sn−Z
n−O系、In−Al−Zn−O系、Sn−Ga−Zn−O系、Al−Ga−Zn−O系
、Sn−Al−Zn−O系や、二元系金属酸化物であるIn−Zn−O系、Sn−Zn−
O系、Al−Zn−O系、Zn−Mg−O系、Sn−Mg−O系、In−Mg−O系や、
In−O系、Sn−O系、Zn−O系などを用いることができる。また、上記酸化物半導
体にSiO2を含んでもよい。ここで、例えば、In−Ga−Zn−O系酸化物半導体と
は、少なくともInとGaとZnを含む酸化物であり、その組成比に特に制限はない。ま
た、InとGaとZn以外の元素を含んでもよい。
薄膜を用いることができる。ここで、Mは、Ga、Al、MnおよびCoから選ばれた一
または複数の金属元素を示す。例えばMとして、Ga、Ga及びAl、Ga及びMn、ま
たはGa及びCoなどがある。
態における電流値(オフ電流値)を低くすることができる。よって、画像信号等の電気信
号の保持時間を長くすることができ、電源オン状態では書き込み間隔も長く設定できる。
よって、リフレッシュ動作の頻度を少なくすることができるため、消費電力を抑制する効
果を奏する。
る。
比較的高い電界効果移動度が得られるため、高速駆動が可能である。よって、表示装置の
画素部に該トランジスタを用いることで、色分離を抑制することができ、高画質な画像を
提供することができる。また、該トランジスタは、同一基板上に駆動回路部または画素部
に作り分けて作製することができるため、表示装置の部品点数を削減することができる。
ムホウケイ酸ガラスやアルミノホウケイ酸ガラスなどのガラス基板を用いる。
を基板とゲート電極層の間に設けてもよい。下地膜は、基板からの不純物元素の拡散を防
止する機能があり、窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、又は酸化窒
化シリコン膜から選ばれた一又は複数の膜による積層構造により形成することができる。
アルミニウム、銅、ネオジム、スカンジウム等の金属材料またはこれらを主成分とする合
金材料を用いて、単層でまたは積層して形成することができる。
ン層、窒化シリコン層、酸化窒化シリコン層、窒化酸化シリコン層、酸化アルミニウム層
、窒化アルミニウム層、酸化窒化アルミニウム層、窒化酸化アルミニウム層、又は酸化ハ
フニウム層を単層で又は積層して形成することができる。例えば、第1のゲート絶縁層と
してプラズマCVD法により膜厚50nm以上200nm以下の窒化シリコン層(SiN
y(y>0))を形成し、第1のゲート絶縁層上に第2のゲート絶縁層として膜厚5nm
以上300nm以下の酸化シリコン層(SiOx(x>0))を積層して、合計膜厚20
0nmのゲート絶縁層とする。
、Cr、Cu、Ta、Ti、Mo、Wからから選ばれた元素、または上述した元素を成分
とする合金か、上述した元素を組み合わせた合金膜等を用いることができる。また、Al
、Cuなどの金属層の下側又は上側の一方または双方にTi、Mo、Wなどの高融点金属
層を積層させた構成としても良い。また、Al膜に生ずるヒロックやウィスカーの発生を
防止する元素(Si、Nd、Scなど)が添加されているAl材料を用いることで耐熱性
を向上させることが可能となる。
6bのような導電膜も、ソース電極層405a、ドレイン電極層405bと同様な材料を
用いることができる。
層を含む)となる導電膜としては導電性の金属酸化物で形成しても良い。導電性の金属酸
化物としては酸化インジウム(In2O3)、酸化スズ(SnO2)、酸化亜鉛(ZnO
)、酸化インジウム酸化スズ合金(In2O3―SnO2、ITOと略記する)、酸化イ
ンジウム酸化亜鉛合金(In2O3―ZnO)またはこれらの金属酸化物材料に酸化シリ
コンを含ませたものを用いることができる。
化アルミニウム膜、または酸化窒化アルミニウム膜などの無機絶縁膜を用いることができ
る。
酸化アルミニウム膜などの無機絶縁膜を用いることができる。
を形成してもよい。平坦化絶縁膜としては、ポリイミド、アクリル、ベンゾシクロブテン
、等の有機材料を用いることができる。また上記有機材料の他に、低誘電率材料(low
−k材料)等を用いることができる。なお、これらの材料で形成される絶縁膜を複数積層
させることで、平坦化絶縁膜を形成してもよい。
を用いることにより、低消費電力で、オフ状態後も任意の画像を表示可能な利便性の高い
表示装置を提供することができる。
本実施の形態は、酸化物半導体層を含むトランジスタ、及び作製方法の一例を図8を用い
て詳細に説明する。上記実施の形態と同一部分又は同様な機能を有する部分、及び工程は
、上記実施の形態と同様に行うことができ、繰り返しの説明は省略する。また同じ箇所の
詳細な説明は省略する。
示すトランジスタ510は、図7(A)に示すトランジスタ410と同様なボトムゲート
構造の逆スタガ型薄膜トランジスタである。
から除去し、酸化物半導体の主成分以外の不純物が極力含まれないように高純度化するこ
とによりI型(真性)の酸化物半導体、又はI型(真性)に限りなく近い酸化物半導体と
したものである。すなわち、不純物を添加してI型化するのでなく、水素や水等の不純物
を極力除去したことにより、高純度化されたI型(真性半導体)又はそれに近づけること
を特徴としている。従って、トランジスタ510が有する酸化物半導体層は、高純度化及
び電気的にI型(真性)化された酸化物半導体層である。
リア濃度は1×1014/cm3未満、好ましくは1×1012/cm3未満、さらに好
ましくは1×1011/cm3未満である。
ることができる。オフ電流は少なければ少ないほど好ましい。
のオフ電流密度を室温下において、10aA/μm(1×10−17A/μm)以下にす
ること、さらには1aA/μm(1×10−18A/μm)以下、さらには10zA/μ
m(1×10−20A/μm)以下にすることが可能である。
素部におけるトランジスタとして用いることにより、静止画領域におけるリフレッシュ動
作を少ない画像データの書き込み回数で行うことができる。
とんど見られず、オフ電流も非常に小さいままである。
を説明する。
工程によりゲート電極層511を形成する。なお、レジストマスクをインクジェット法で
形成してもよい。レジストマスクをインクジェット法で形成するとフォトマスクを使用し
ないため、製造コストを低減できる。
ことができる。本実施の形態では基板505としてガラス基板を用いる。
、基板505からの不純物元素の拡散を防止する機能があり、窒化シリコン膜、酸化シリ
コン膜、窒化酸化シリコン膜、又は酸化窒化シリコン膜から選ばれた一又は複数の膜によ
る積層構造により形成することができる。
ルミニウム、銅、ネオジム、スカンジウム等の金属材料又はこれらを主成分とする合金材
料を用いて、単層で又は積層して形成することができる。
、プラズマCVD法又はスパッタリング法等を用いて、酸化シリコン層、窒化シリコン層
、酸化窒化シリコン層、窒化酸化シリコン層、酸化アルミニウム層、窒化アルミニウム層
、酸化窒化アルミニウム層、窒化酸化アルミニウム層、又は酸化ハフニウム層を単層で又
は積層して形成することができる。
化物半導体を用いる。このような高純度化された酸化物半導体は界面準位、界面電荷に対
して極めて敏感であるため、酸化物半導体層とゲート絶縁層との界面は重要である。その
ため高純度化された酸化物半導体に接するゲート絶縁層は、高品質化が要求される。
絶縁耐圧の高い高品質な絶縁層を形成できるので好ましい。高純度化された酸化物半導体
と高品質ゲート絶縁層とが密接することにより、界面準位を低減して界面特性を良好なも
のとすることができるからである。
法やプラズマCVD法など他の成膜方法を適用することができる。また、成膜後の熱処理
によってゲート絶縁層の膜質、酸化物半導体との界面特性が改質される絶縁層であっても
良い。いずれにしても、ゲート絶縁層としての膜質が良好であることは勿論のこと、酸化
物半導体との界面準位密度を低減し、良好な界面を形成できるものであれば良い。
まれないようにするために、酸化物半導体膜530の成膜の前処理として、スパッタリン
グ装置の予備加熱室でゲート電極層511が形成された基板505、又はゲート絶縁層5
07までが形成された基板505を予備加熱し、基板505に吸着した水素、水分などの
不純物を脱離し排気することが好ましい。なお、予備加熱室に設ける排気手段はクライオ
ポンプが好ましい。なお、この予備加熱の処理は省略することもできる。またこの予備加
熱は、絶縁層516の成膜前に、ソース電極層515a及びドレイン電極層515bまで
形成した基板505にも同様に行ってもよい。
上30nm以下の酸化物半導体膜530を形成する(図8(A)参照。)。
入してプラズマを発生させる逆スパッタを行い、ゲート絶縁層507の表面に付着してい
る粉状物質(パーティクル、ごみともいう)を除去することが好ましい。逆スパッタとは
、ターゲット側に電圧を印加せずに、アルゴン雰囲気下で基板側にRF電源を用いて電圧
を印加して基板近傍にプラズマを形成して表面を改質する方法である。なお、アルゴン雰
囲気に代えて窒素、ヘリウム、酸素などを用いてもよい。
や、三元系金属酸化物や、二元系金属酸化物や、In−O系、Sn−O系、Zn−O系な
どの酸化物半導体を用いることができる。また、上記酸化物半導体にSiO2を含んでも
よい。本実施の形態では、酸化物半導体膜530としてIn−Ga−Zn−O系金属酸化
物ターゲットを用いてスパッタリング法により成膜する。この段階での断面図が図8(A
)に相当する。また、酸化物半導体膜530は、希ガス(代表的にはアルゴン)雰囲気下
、酸素雰囲気下、又は希ガスと酸素の混合雰囲気下においてスパッタ法により形成するこ
とができる。
、組成比として、In2O3:Ga2O3:ZnO=1:1:1[mol比](すなわち
、In:Ga:Zn=1:1:0.5[atom比])を用いることができる。また、他
にも、In:Ga:Zn=1:1:1[atom比]、又はIn:Ga:Zn=1:1:
2[atom比]の組成比を有するターゲットを用いてもよい。金属酸化物ターゲットの
充填率は90%以上100%以下、好ましくは95%以上99.9%である。充填率の高
い金属酸化物ターゲットを用いることにより、成膜した酸化物半導体膜は緻密な膜となる
。
物などの不純物が除去された高純度ガスを用いることが好ましい。
ましくは200℃以上400℃以下とする。基板を加熱しながら成膜することにより、成
膜した酸化物半導体膜に含まれる不純物濃度を低減することができる。また、スパッタリ
ングによる損傷が軽減される。そして、成膜室内の残留水分を除去しつつ水素及び水分が
除去されたスパッタガスを導入し、上記ターゲットを用いて基板505上に酸化物半導体
膜530を成膜する。成膜室内の残留水分を除去するためには、吸着型の真空ポンプ、例
えば、クライオポンプ、イオンポンプ、チタンサブリメーションポンプを用いることが好
ましい。また、排気手段としては、ターボポンプにコールドトラップを加えたものであっ
てもよい。クライオポンプを用いて排気した成膜室は、例えば、水素原子、水(H2O)
など水素原子を含む化合物(より好ましくは炭素原子を含む化合物も)等が排気されるた
め、当該成膜室で成膜した酸化物半導体膜に含まれる不純物の濃度を低減できる。
、直流(DC)電源0.5kW、酸素(酸素流量比率100%)雰囲気下の条件が適用さ
れる。なお、パルス直流電源を用いると、成膜時に発生する粉状物質(パーティクル、ご
みともいう)が軽減でき、膜厚分布も均一となるために好ましい。
体層に加工する。また、島状の酸化物半導体層を形成するためのレジストマスクをインク
ジェット法で形成してもよい。レジストマスクをインクジェット法で形成するとフォトマ
スクを使用しないため、製造コストを低減できる。
膜530の加工時に同時に行うことができる。
ッチングでもよく、両方を用いてもよい。例えば、酸化物半導体膜530のウェットエッ
チングに用いるエッチング液としては、燐酸と酢酸と硝酸を混ぜた溶液、アンモニア過水
(31重量%過酸化水素水:28重量%アンモニア水:水=5:2:2)などを用いるこ
とができる。また、ITO07N(関東化学社製)を用いてもよい。
導体層の脱水化または脱水素化を行うことができる。第1の加熱処理の温度は、400℃
以上750℃以下、または400℃以上基板の歪み点未満とする。ここでは、加熱処理装
置の一つである電気炉に基板を導入し、酸化物半導体層に対して窒素雰囲気下450℃に
おいて1時間の加熱処理を行った後、大気に触れることなく、酸化物半導体層への水や水
素の再混入を防ぎ、酸化物半導体層531を得る(図8(B)参照。)。
輻射によって、被処理物を加熱する装置を用いてもよい。例えば、GRTA(Gas R
apid Thermal Anneal)装置、LRTA(Lamp Rapid T
hermal Anneal)装置等のRTA(Rapid Thermal Anne
al)装置を用いることができる。LRTA装置は、ハロゲンランプ、メタルハライドラ
ンプ、キセノンアークランプ、カーボンアークランプ、高圧ナトリウムランプ、高圧水銀
ランプなどのランプから発する光(電磁波)の輻射により、被処理物を加熱する装置であ
る。GRTA装置は、高温のガスを用いて加熱処理を行う装置である。高温のガスには、
アルゴンなどの希ガス、または窒素のような、加熱処理によって被処理物と反応しない不
活性気体が用いられる。
板を移動させて入れ、数分間加熱した後、基板を移動させて高温に加熱した不活性ガス中
から出すGRTAを行ってもよい。
に、水、水素などが含まれないことが好ましい。または、加熱処理装置に導入する窒素、
またはヘリウム、ネオン、アルゴン等の希ガスの純度を、6N(99.9999%)以上
好ましくは7N(99.99999%)以上(即ち不純物濃度を1ppm以下、好ましく
は0.1ppm以下)とすることが好ましい。
度のN2Oガス、又は超乾燥エア(露点が−40℃以下、好ましくは−60℃以下)を導
入してもよい。酸素ガスまたはN2Oガスに、水、水素などが含まれないことが好ましい
。または、加熱処理装置に導入する酸素ガスまたはN2Oガスの純度を、6N以上好まし
くは7N以上(即ち、酸素ガスまたはN2Oガス中の不純物濃度を1ppm以下、好まし
くは0.1ppm以下)とすることが好ましい。酸素ガス又はN2Oガスの作用により、
脱水化または脱水素化処理による不純物の排除工程によって同時に減少してしまった酸化
物半導体を構成する主成分材料である酸素を供給することによって、酸化物半導体層を高
純度化及び電気的にI型(真性)化する。
半導体膜530に行うこともできる。その場合には、第1の加熱処理後に、加熱装置から
基板を取り出し、フォトリソグラフィ工程を行う。
層上にソース電極層及びドレイン電極層を積層させた後、あるいは、ソース電極層及びド
レイン電極層上に絶縁層を形成した後、のいずれで行っても良い。
膜530に第1の加熱処理を行う前でも行った後に行ってもよい。
部材の材料が、酸化物、窒化物、金属など材料を問わず、膜厚の厚い結晶領域(単結晶領
域)、即ち、膜表面に垂直にc軸配向した結晶領域を有する酸化物半導体層を形成しても
よい。例えば、3nm以上15nm以下の第1の酸化物半導体膜を成膜し、窒素、酸素、
希ガス、または乾燥空気の雰囲気下で450℃以上850℃以下、好ましくは550℃以
上750℃以下の第1の加熱処理を行い、表面を含む領域に結晶領域(板状結晶を含む)
を有する第1の酸化物半導体膜を形成する。そして、第1の酸化物半導体膜よりも厚い第
2の酸化物半導体膜を形成し、450℃以上850℃以下、好ましくは600℃以上70
0℃以下の第2の加熱処理を行い、第1の酸化物半導体膜を結晶成長の種として、上方に
結晶成長させ、第2の酸化物半導体膜の全体を結晶化させ、結果として膜厚の厚い結晶領
域を有する酸化物半導体層を形成してもよい。
ン電極層(これと同じ層で形成される配線を含む)となる導電膜を形成する。ソース電極
層、及びドレイン電極層に用いる導電膜としては、実施の形態2に示したソース電極層4
05a、ドレイン電極層405bに用いる材料を用いることができる。
チングを行ってソース電極層515a、ドレイン電極層515bを形成した後、レジスト
マスクを除去する(図8(C)参照。)。
ーザ光やArFレーザ光を用いるとよい。酸化物半導体層531上で隣り合うソース電極
層の下端部とドレイン電極層の下端部との間隔幅によって後に形成されるトランジスタの
チャネル長Lが決定される。なお、チャネル長L=25nm未満の露光を行う場合には、
数nm〜数10nmと極めて波長が短い超紫外線(Extreme Ultraviol
et)を用いて第3のフォトリソグラフィ工程でのレジストマスク形成時の露光を行うと
よい。超紫外線による露光は、解像度が高く焦点深度も大きい。従って、後に形成される
トランジスタのチャネル長Lを10nm以上1000nm以下とすることも可能であり、
回路の動作速度を高速化できる。
した光が複数の強度となる露光マスクである多階調マスクによって形成されたレジストマ
スクを用いてエッチング工程を行ってもよい。多階調マスクを用いて形成したレジストマ
スクは複数の膜厚を有する形状となり、エッチングを行うことでさらに形状を変形するこ
とができるため、異なるパターンに加工する複数のエッチング工程に用いることができる
。よって、一枚の多階調マスクによって、少なくとも二種類以上の異なるパターンに対応
するレジストマスクを形成することができる。よって露光マスク数を削減することができ
、対応するフォトリソグラフィ工程も削減できるため、工程の簡略化が可能となる。
とのないようエッチング条件を最適化することが望まれる。しかしながら、導電膜のみを
エッチングし、酸化物半導体層531を全くエッチングしないという条件を得ることは難
しく、導電膜のエッチングの際に酸化物半導体層531は一部のみがエッチングされ、溝
部(凹部)を有する酸化物半導体層となることもある。
Zn−O系酸化物半導体を用いたので、エッチャントとしてアンモニア過水(31重量%
過酸化水素水:28重量%アンモニア水:水=5:2:2)を用いる。
る酸化物半導体層の表面に付着した吸着水などを除去してもよい。プラズマ処理を行った
場合、大気に触れることなく、酸化物半導体層の一部に接する保護絶縁膜となる絶縁層5
16を形成する。
、水素等の不純物を混入させない方法を適宜用いて形成することができる。絶縁層516
に水素が含まれると、その水素の酸化物半導体層への侵入、又は水素による酸化物半導体
層中の酸素の引き抜き、が生じ酸化物半導体層のバックチャネルが低抵抗化(N型化)し
てしまい、寄生チャネルが形成されるおそれがある。よって、絶縁層516はできるだけ
水素を含まない膜になるように、成膜方法に水素を用いないことが重要である。
グ法を用いて成膜する。成膜時の基板温度は、室温以上300℃以下とすればよく、本実
施の形態では100℃とする。酸化シリコン膜のスパッタ法による成膜は、希ガス(代表
的にはアルゴン)雰囲気下、酸素雰囲気下、または希ガスと酸素の混合雰囲気下において
行うことができる。また、ターゲットとして酸化シリコンターゲットまたはシリコンター
ゲットを用いることができる。例えば、シリコンターゲットを用いて、酸素を含む雰囲気
下でスパッタ法により酸化シリコンを形成することができる。酸化物半導体層に接して形
成する絶縁層516は、水分や、水素イオンや、OH−などの不純物を含まず、これらが
外部から侵入することをブロックする無機絶縁膜を用い、代表的には酸化シリコン膜、酸
化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、または酸化窒化アルミニウム膜などを用いる。
ためには、吸着型の真空ポンプ(クライオポンプなど)を用いることが好ましい。クライ
オポンプを用いて排気した成膜室で成膜した絶縁層516に含まれる不純物の濃度を低減
できる。また、絶縁層516の成膜室内の残留水分を除去するための排気手段としては、
ターボポンプにコールドトラップを加えたものであってもよい。
の不純物が除去された高純度ガスを用いることが好ましい。
00℃以上400℃以下、例えば250℃以上350℃以下)を行う。例えば、窒素雰囲
気下で250℃、1時間の第2の加熱処理を行う。第2の加熱処理を行うと、酸化物半導
体層の一部(チャネル形成領域)が絶縁層516と接した状態で加熱される。
水分、水酸基又は水素化物(水素化合物ともいう)などの不純物を酸化物半導体層より意
図的に排除し、かつ不純物の排除工程によって同時に減少してしまう酸化物半導体を構成
する主成分材料の一つである酸素を供給することができる。よって、酸化物半導体層は高
純度化及び電気的にI型(真性)化する。
の加熱処理によって酸化物半導体層中に含まれる水素、水分、水酸基又は水素化物などの
不純物を酸化物絶縁層に拡散させ、酸化物半導体層中に含まれる該不純物をより低減させ
る効果を奏する。
用いて窒化シリコン膜を形成する。RFスパッタ法は、量産性がよいため、保護絶縁層の
成膜方法として好ましい。保護絶縁層は、水分などの不純物を含まず、これらが外部から
侵入することをブロックする無機絶縁膜を用い、窒化シリコン膜、窒化アルミニウム膜な
どを用いる。本実施の形態では、保護絶縁層として保護絶縁層506を、窒化シリコン膜
を用いて形成する(図8(E)参照。)。
100℃〜400℃の温度に加熱し、水素及び水分が除去された高純度窒素を含むスパッ
タガスを導入しシリコン半導体のターゲットを用いて窒化シリコン膜を成膜する。この場
合においても、絶縁層516と同様に、成膜室内の残留水分を除去しつつ保護絶縁層50
6を成膜することが好ましい。
下での加熱処理を行ってもよい。この加熱処理は一定の加熱温度を保持して加熱してもよ
いし、室温から、100℃以上200℃以下の加熱温度への昇温と、加熱温度から室温ま
での降温を複数回くりかえして行ってもよい。
ンジスタを用いることにより、オフ状態における電流値(オフ電流値)をより低くするこ
とができる。よって、画像信号等の電気信号の保持時間を長くすることができ、書き込み
間隔も長く設定できる。よって、リフレッシュ動作の頻度をより少なくすることができる
ため、消費電力を抑制する効果を高くできる。
る。
れるため、高速駆動が可能である。よって、表示装置の画素部に該トランジスタを用いる
ことで、色分離を抑制することができ、高画質な画像を提供することができる。また、該
トランジスタによって、同一基板上に駆動回路部または画素部を作り分けて作製すること
ができるため、表示装置の部品点数を削減することができる。
である。
本明細書に開示する表示装置は、さまざまな電子機器(遊技機も含む)に適用することが
できる。電子機器としては、例えば、テレビジョン装置(テレビ、またはテレビジョン受
信機ともいう)、コンピュータ用などのモニタ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ
などのカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機(携帯電話、携帯電話装置ともいう
)、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、パチンコ機などの大型ゲーム機など
が挙げられる。上記実施の形態で説明した表示装置を具備する電子機器の例について説明
する。
、操作キー9632、太陽電池9633、充放電制御回路9634を有することができる
。図9(A)に示した電子書籍は、様々な情報(静止画、動画、テキスト画像など)を表
示する機能、カレンダー、日付又は時刻などを表示部に表示する機能、表示部に表示した
情報を操作又は編集する機能、様々なソフトウェア(プログラム)によって処理を制御す
る機能、等を有することができる。なお、図9(A)では充放電制御回路9634の一例
としてバッテリー9635、DCDCコンバータ(以下、コンバータと略記)9636を
有する構成について示している。実施の形態1乃至3のいずれかで示した表示装置を表示
部9631に適用することにより、より利便性、セキュリティが高い、低消費電力な電子
書籍とすることができる。
表示装置を用いる場合、比較的明るい状況下での使用も予想され、太陽電池9633によ
る発電、及びバッテリー9635での充電を効率よく行うことができ、好適である。なお
太陽電池9633は、筐体9630の空きスペース(表面や裏面)に適宜設けることがで
きるため、効率的なバッテリー9635の充電を行う構成とすることができるため好適で
ある。なおバッテリー9635としては、リチウムイオン電池を用いると、小型化を図れ
る等の利点がある。
ロック図を示し説明する。図9(B)には、太陽電池9633、バッテリー9635、コ
ンバータ9636、コンバータ9637、スイッチSW1乃至SW3、表示部9631に
ついて示しており、バッテリー9635、コンバータ9636、コンバータ9637、ス
イッチSW1乃至SW3が充放電制御回路9634に対応する箇所となる。
太陽電池で発電した電力は、バッテリー9635を充電するための電圧となるようコンバ
ータ9636で昇圧または降圧がなされる。そして、表示部9631の動作に太陽電池9
633からの電力が用いられる際にはスイッチSW1をオンにし、コンバータ9637で
表示部9631に必要な電圧に昇圧または降圧をすることとなる。また、表示部9631
での表示を行わない際には、SW1をオフにし、SW2をオンにしてバッテリー9635
の充電を行う構成とすればよい。
る。バッテリー9635に蓄電された電力は、スイッチSW3をオンにすることでコンバ
ータ9637により昇圧または降圧がなされる。そして、表示部9631の動作にバッテ
リー9635からの電力が用いられることとなる。
テリー9635の充電を行う構成であってもよい。また他の充電手段を組み合わせて行う
構成としてもよい。
2、表示部3003、キーボード3004などによって構成されている。実施の形態1乃
至3のいずれかで示した表示装置を表示部3003に適用することにより、より利便性、
セキュリティが高く、低消費電力なノート型のパーソナルコンピュータとすることができ
る。
外部インターフェイス3025と、操作ボタン3024等が設けられている。また操作用
の付属品としてスタイラス3022がある。実施の形態1乃至3のいずれかで示した表示
装置を表示部3023に適用することにより、より利便性、セキュリティが高く、低消費
電力な携帯情報端末(PDA)とすることができる。
01および筐体2703の2つの筐体で構成されている。筐体2701および筐体270
3は、軸部2711により一体とされており、該軸部2711を軸として開閉動作を行う
ことができる。このような構成により、紙の書籍のような動作を行うことが可能となる。
込まれている。表示部2705および表示部2707は、続き画面を表示する構成として
もよいし、異なる画面を表示する構成としてもよい。異なる画面を表示する構成とするこ
とで、例えば右側の表示部(図10(C)では表示部2705)に文章を表示し、左側の
表示部(図10(C)では表示部2707)に画像を表示することができる。実施の形態
1乃至3のいずれかで示した表示装置を表示部2705、表示部2707に適用すること
により、より利便性、セキュリティが高く、低消費電力な電子書籍2700とすることが
できる。
筐体2701において、電源2721、操作キー2723、スピーカ2725などを備え
ている。操作キー2723により、頁を送ることができる。なお、筐体の表示部と同一面
にキーボードやポインティングデバイスなどを備える構成としてもよい。また、筐体の裏
面や側面に、外部接続用端子(イヤホン端子、USB端子など)、記録媒体挿入部などを
備える構成としてもよい。さらに、電子書籍2700は、電子辞書としての機能を持たせ
た構成としてもよい。
電子書籍サーバから、所望の書籍データなどを購入し、ダウンロードする構成とすること
も可能である。
れている。筐体2801には、表示パネル2802、スピーカー2803、マイクロフォ
ン2804、ポインティングデバイス2806、カメラ用レンズ2807、外部接続端子
2808などを備えている。また、筐体2800には、携帯電話の充電を行う太陽電池セ
ル2810、外部メモリスロット2811などを備えている。また、アンテナは筐体28
01内部に内蔵されている。実施の形態1乃至3のいずれかで示した表示装置を表示パネ
ル2802に適用することにより、より利便性、セキュリティが高く、低消費電力な携帯
電話とすることができる。
ている複数の操作キー2805を点線で示している。なお、太陽電池セル2810で出力
される電圧を各回路に必要な電圧に昇圧するための昇圧回路も実装している。
2802と同一面上にカメラ用レンズ2807を備えているため、テレビ電話が可能であ
る。スピーカー2803及びマイクロフォン2804は音声通話に限らず、テレビ電話、
録音、再生などが可能である。さらに、筐体2800と筐体2801は、スライドし、図
10(D)のように展開している状態から重なり合った状態とすることができ、携帯に適
した小型化が可能である。
であり、充電及びパーソナルコンピュータなどとのデータ通信が可能である。また、外部
メモリスロット2811に記録媒体を挿入し、より大量のデータ保存及び移動に対応でき
る。
よい。
接眼部3053、操作スイッチ3054、表示部(B)3055、バッテリー3056な
どによって構成されている。実施の形態1乃至3のいずれかで示した表示装置を表示部(
A)3057、表示部(B)3055に適用することにより、より利便性、セキュリティ
が高く、低消費電力なデジタルビデオカメラとすることができる。
筐体9601に表示部9603が組み込まれている。表示部9603により、映像を表示
することが可能である。また、ここでは、スタンド9605により筐体9601を支持し
た構成を示している。実施の形態1乃至3のいずれかで示した表示装置を表示部9603
に適用することにより、より利便性、セキュリティが高く、低消費電力なテレビジョン装
置9600とすることができる。
コン操作機により行うことができる。また、リモコン操作機に、当該リモコン操作機から
出力する情報を表示する表示部を設ける構成としてもよい。
より一般のテレビ放送の受信を行うことができ、さらにモデムを介して有線または無線に
よる通信ネットワークに接続することにより、一方向(送信者から受信者)または双方向
(送信者と受信者間、あるいは受信者間同士など)の情報通信を行うことも可能である。
である。
Claims (2)
- 動画を表示する動画表示モードと、静止画を表示する静止画表示モードと、を有し、
前記動画表示モードでは、各フレーム期間において画素電極に画像信号が供給され、
前記静止画表示モードでは、前記画素電極に画像信号が供給された後、前記画素電極が浮遊状態となる複数のフレーム期間を有する表示装置であって、
画素部と、駆動回路と、を有し、
前記駆動回路は、電源電圧が供給され、スタートパルス及びクロック信号が入力されることによって、前記画素部に信号を出力する機能を有し、
前記動画表示モードから前記静止画表示モードに切りかわる場合に、
前記駆動回路へのスタートパルスの入力を停止させるステップと、前記駆動回路へのクロック信号の入力を停止させるステップと、前記駆動回路への電源電圧の供給を停止させるステップとを順に行い、
前記静止画表示モードから前記動画表示モードに切りかわる場合に、
前記駆動回路への電源電圧の供給を行うステップと、前記駆動回路へのクロック信号の入力を行うステップと、前記駆動回路へのスタートパルスの入力を行うステップとを順に行うことを特徴とする表示装置。 - 請求項1において、
前記画素電極と電気的に接続されたトランジスタを有し、
前記トランジスタは、酸化物半導体層にチャネルが形成され、
前記酸化物半導体層は、表面に垂直な方向に沿うようにc軸配向した領域を有することを特徴とする表示装置。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2015158684A (ja) * | 2010-02-19 | 2015-09-03 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
Families Citing this family (30)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101751908B1 (ko) | 2009-10-21 | 2017-06-28 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 전압 조정 회로 |
CN102714023B (zh) * | 2010-01-20 | 2016-05-04 | 株式会社半导体能源研究所 | 液晶显示设备的驱动方法 |
WO2011089843A1 (en) * | 2010-01-20 | 2011-07-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for driving display device |
KR20190093706A (ko) | 2010-01-24 | 2019-08-09 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치와 이의 제조 방법 |
CN106057162B (zh) | 2010-01-24 | 2019-01-22 | 株式会社半导体能源研究所 | 显示装置 |
US10126803B1 (en) | 2011-04-04 | 2018-11-13 | Google Llc | Conditional power management activities |
WO2013115133A1 (ja) * | 2012-01-31 | 2013-08-08 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置、液晶表示装置の駆動方法 |
CN104094344B (zh) * | 2012-01-31 | 2016-12-14 | 夏普株式会社 | 液晶显示装置、液晶显示装置的驱动方法 |
WO2013137014A1 (en) | 2012-03-13 | 2013-09-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device and method for driving the same |
US9601059B2 (en) * | 2012-05-15 | 2017-03-21 | Google Inc. | Dynamic backlight control selector |
CN103809725B (zh) * | 2012-11-12 | 2017-03-29 | 联想(北京)有限公司 | 一种电子设备及基于该电子设备的状态切换方法 |
KR20150085035A (ko) | 2012-11-15 | 2015-07-22 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 액정 디스플레이 장치 |
WO2014080810A1 (ja) * | 2012-11-20 | 2014-05-30 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置およびその駆動方法 |
US9824651B2 (en) | 2012-11-22 | 2017-11-21 | Sharp Kabushiki Kaisha | Display device and electronic device |
KR101448775B1 (ko) * | 2013-09-06 | 2014-10-08 | 현대자동차 주식회사 | 공조 패널 반도체 장치 및 이를 포함하는 차량용 공조 시스템 |
US9806098B2 (en) | 2013-12-10 | 2017-10-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device |
KR102294280B1 (ko) * | 2014-03-05 | 2021-08-26 | 삼성전자주식회사 | 디스플레이 장치 및 이의 제어 방법 |
US10022622B2 (en) | 2014-04-21 | 2018-07-17 | Steelseries Aps | Programmable actuation inputs of an accessory and methods thereof |
JP6581825B2 (ja) * | 2014-07-18 | 2019-09-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示システム |
TW201614626A (en) | 2014-09-05 | 2016-04-16 | Semiconductor Energy Lab | Display device and electronic device |
WO2016087999A1 (ja) | 2014-12-01 | 2016-06-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置、該表示装置を有する表示モジュール、及び該表示装置または該表示モジュールを有する電子機器 |
CN105869576A (zh) * | 2015-01-24 | 2016-08-17 | 深圳富泰宏精密工业有限公司 | 提高显示稳定性的装置与方法 |
DE102015219490A1 (de) * | 2015-10-08 | 2017-04-13 | BSH Hausgeräte GmbH | Matrixschaltung für eine Anzeigevorrichtung eines Haushaltsgerätes, Anzeigevorrichtung sowie Haushaltsgerät |
US10504204B2 (en) * | 2016-07-13 | 2019-12-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic device |
JP6903476B2 (ja) * | 2017-04-20 | 2021-07-14 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
US10712882B2 (en) * | 2018-02-09 | 2020-07-14 | Kabushiki Kaisha Tokai Rika Denki Seisakusho | Operational input device |
CN108303832A (zh) * | 2018-02-13 | 2018-07-20 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种电子纸显示屏及其驱动方法、电子纸显示装置 |
CN108761877A (zh) * | 2018-05-24 | 2018-11-06 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板、显示装置及基于其的控制方法 |
US10935843B2 (en) * | 2019-02-08 | 2021-03-02 | Sharp Kabushiki Kaisha | Backlight and display device provided with same |
CN110335570B (zh) * | 2019-05-08 | 2021-08-31 | 京东方科技集团股份有限公司 | 能耗控制方法、系统以及装置、计算机可读存储介质 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07333577A (ja) * | 1994-06-14 | 1995-12-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示装置 |
JP2001312253A (ja) * | 2000-04-28 | 2001-11-09 | Sharp Corp | 表示装置の駆動方法およびそれを用いた表示装置ならびに携帯機器 |
JP2002169499A (ja) * | 2000-11-30 | 2002-06-14 | Sanyo Electric Co Ltd | 表示パネルの駆動方法及び表示パネルの駆動制御装置 |
JP2009528670A (ja) * | 2006-06-02 | 2009-08-06 | 財団法人高知県産業振興センター | 半導体機器及びその製法 |
JP5031086B2 (ja) * | 2009-12-18 | 2012-09-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置の駆動方法 |
Family Cites Families (168)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60198861A (ja) | 1984-03-23 | 1985-10-08 | Fujitsu Ltd | 薄膜トランジスタ |
JPH0244256B2 (ja) | 1987-01-28 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn2o5deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPH0244260B2 (ja) | 1987-02-24 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn5o8deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPS63210023A (ja) | 1987-02-24 | 1988-08-31 | Natl Inst For Res In Inorg Mater | InGaZn↓4O↓7で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
JPH0244258B2 (ja) | 1987-02-24 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn3o6deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPH0244262B2 (ja) | 1987-02-27 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn6o9deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPH0244263B2 (ja) | 1987-04-22 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn7o10deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPH01134497A (ja) | 1987-11-20 | 1989-05-26 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶表示装置の電源回路 |
KR940008180B1 (ko) | 1990-12-27 | 1994-09-07 | 가부시끼가이샤 한도다이 에네르기 겐꾸쇼 | 액정 전기 광학 장치 및 그 구동 방법 |
JPH05224626A (ja) | 1992-02-14 | 1993-09-03 | Fujitsu Ltd | 液晶表示装置 |
JPH05251705A (ja) | 1992-03-04 | 1993-09-28 | Fuji Xerox Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
JP3476241B2 (ja) | 1994-02-25 | 2003-12-10 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | アクティブマトリクス型表示装置の表示方法 |
JP3479375B2 (ja) | 1995-03-27 | 2003-12-15 | 科学技術振興事業団 | 亜酸化銅等の金属酸化物半導体による薄膜トランジスタとpn接合を形成した金属酸化物半導体装置およびそれらの製造方法 |
EP0820644B1 (en) | 1995-08-03 | 2005-08-24 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Semiconductor device provided with transparent switching element |
JPH0990317A (ja) * | 1995-09-27 | 1997-04-04 | Canon Inc | 液晶ディスプレイ |
US5959599A (en) | 1995-11-07 | 1999-09-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Active matrix type liquid-crystal display unit and method of driving the same |
JP3625598B2 (ja) | 1995-12-30 | 2005-03-02 | 三星電子株式会社 | 液晶表示装置の製造方法 |
TW455725B (en) | 1996-11-08 | 2001-09-21 | Seiko Epson Corp | Driver of liquid crystal panel, liquid crystal device, and electronic equipment |
JP3827823B2 (ja) * | 1996-11-26 | 2006-09-27 | シャープ株式会社 | 液晶表示画像の消去装置及びそれを備えた液晶表示装置 |
JP3496431B2 (ja) | 1997-02-03 | 2004-02-09 | カシオ計算機株式会社 | 表示装置及びその駆動方法 |
JP3883641B2 (ja) | 1997-03-27 | 2007-02-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | コンタクト構造およびアクティブマトリクス型表示装置 |
JP3308880B2 (ja) | 1997-11-07 | 2002-07-29 | キヤノン株式会社 | 液晶表示装置と投写型液晶表示装置 |
JP4170454B2 (ja) | 1998-07-24 | 2008-10-22 | Hoya株式会社 | 透明導電性酸化物薄膜を有する物品及びその製造方法 |
JP2000150861A (ja) | 1998-11-16 | 2000-05-30 | Tdk Corp | 酸化物薄膜 |
JP3276930B2 (ja) | 1998-11-17 | 2002-04-22 | 科学技術振興事業団 | トランジスタ及び半導体装置 |
JP2000267066A (ja) | 1999-03-15 | 2000-09-29 | Canon Inc | 液晶素子 |
TW460731B (en) | 1999-09-03 | 2001-10-21 | Ind Tech Res Inst | Electrode structure and production method of wide viewing angle LCD |
CN1198172C (zh) | 1999-12-03 | 2005-04-20 | 三菱电机株式会社 | 液晶显示装置 |
JP3835967B2 (ja) * | 2000-03-03 | 2006-10-18 | アルパイン株式会社 | Lcd表示装置 |
TW494382B (en) * | 2000-03-22 | 2002-07-11 | Toshiba Corp | Display apparatus and driving method of display apparatus |
JP2001272650A (ja) * | 2000-03-28 | 2001-10-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶パネル駆動装置及び情報携帯機器 |
JP2001290170A (ja) | 2000-04-04 | 2001-10-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示装置とその駆動方法 |
EP1296174B1 (en) | 2000-04-28 | 2016-03-09 | Sharp Kabushiki Kaisha | Display unit, drive method for display unit, electronic apparatus mounting display unit thereon |
JP2002026312A (ja) | 2000-07-06 | 2002-01-25 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 半導体装置 |
JP4089858B2 (ja) | 2000-09-01 | 2008-05-28 | 国立大学法人東北大学 | 半導体デバイス |
TWI221595B (en) * | 2000-09-29 | 2004-10-01 | Sanyo Electric Co | Driving apparatus for display device |
JP4995370B2 (ja) | 2000-10-25 | 2012-08-08 | 三菱電機株式会社 | 表示装置 |
KR20020038482A (ko) | 2000-11-15 | 2002-05-23 | 모리시타 요이찌 | 박막 트랜지스터 어레이, 그 제조방법 및 그것을 이용한표시패널 |
JP3730159B2 (ja) | 2001-01-12 | 2005-12-21 | シャープ株式会社 | 表示装置の駆動方法および表示装置 |
TW502525B (en) | 2001-02-02 | 2002-09-11 | Avision Inc | Scanner with reference pattern for combining pictures and the picture combining method |
JP3997731B2 (ja) | 2001-03-19 | 2007-10-24 | 富士ゼロックス株式会社 | 基材上に結晶性半導体薄膜を形成する方法 |
JP2002289859A (ja) | 2001-03-23 | 2002-10-04 | Minolta Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
US6897843B2 (en) | 2001-07-14 | 2005-05-24 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Active matrix display devices |
JP2003029721A (ja) * | 2001-07-17 | 2003-01-31 | Casio Comput Co Ltd | 液晶表示装置及びその表示駆動方法 |
JP4090716B2 (ja) | 2001-09-10 | 2008-05-28 | 雅司 川崎 | 薄膜トランジスタおよびマトリクス表示装置 |
JP3925839B2 (ja) | 2001-09-10 | 2007-06-06 | シャープ株式会社 | 半導体記憶装置およびその試験方法 |
JP2003131633A (ja) | 2001-10-29 | 2003-05-09 | Sony Corp | 表示装置の駆動方法 |
WO2003040441A1 (en) | 2001-11-05 | 2003-05-15 | Japan Science And Technology Agency | Natural superlattice homologous single crystal thin film, method for preparation thereof, and device using said single crystal thin film |
JP4164562B2 (ja) | 2002-09-11 | 2008-10-15 | 独立行政法人科学技術振興機構 | ホモロガス薄膜を活性層として用いる透明薄膜電界効果型トランジスタ |
JP4083486B2 (ja) | 2002-02-21 | 2008-04-30 | 独立行政法人科学技術振興機構 | LnCuO(S,Se,Te)単結晶薄膜の製造方法 |
JP4218249B2 (ja) | 2002-03-07 | 2009-02-04 | 株式会社日立製作所 | 表示装置 |
CN1445821A (zh) | 2002-03-15 | 2003-10-01 | 三洋电机株式会社 | ZnO膜和ZnO半导体层的形成方法、半导体元件及其制造方法 |
JP3933591B2 (ja) | 2002-03-26 | 2007-06-20 | 淳二 城戸 | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
JP4103425B2 (ja) | 2002-03-28 | 2008-06-18 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置、電子機器及び投射型表示装置 |
US7339187B2 (en) | 2002-05-21 | 2008-03-04 | State Of Oregon Acting By And Through The Oregon State Board Of Higher Education On Behalf Of Oregon State University | Transistor structures |
JP2004022625A (ja) | 2002-06-13 | 2004-01-22 | Murata Mfg Co Ltd | 半導体デバイス及び該半導体デバイスの製造方法 |
US7105868B2 (en) | 2002-06-24 | 2006-09-12 | Cermet, Inc. | High-electron mobility transistor with zinc oxide |
JP4638117B2 (ja) | 2002-08-22 | 2011-02-23 | シャープ株式会社 | 表示装置およびその駆動方法 |
US7067843B2 (en) | 2002-10-11 | 2006-06-27 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Transparent oxide semiconductor thin film transistors |
JP4166105B2 (ja) | 2003-03-06 | 2008-10-15 | シャープ株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2004273732A (ja) | 2003-03-07 | 2004-09-30 | Sharp Corp | アクティブマトリクス基板およびその製造方法 |
KR100945577B1 (ko) * | 2003-03-11 | 2010-03-08 | 삼성전자주식회사 | 액정 표시 장치의 구동 장치 및 그 방법 |
US20040246280A1 (en) | 2003-06-06 | 2004-12-09 | Credelle Thomas Lloyd | Image degradation correction in novel liquid crystal displays |
JP4108633B2 (ja) | 2003-06-20 | 2008-06-25 | シャープ株式会社 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法ならびに電子デバイス |
US7262463B2 (en) | 2003-07-25 | 2007-08-28 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Transistor including a deposited channel region having a doped portion |
KR101078509B1 (ko) | 2004-03-12 | 2011-10-31 | 도꾸리쯔교세이호징 가가꾸 기쥬쯔 신꼬 기꼬 | 박막 트랜지스터의 제조 방법 |
US7297977B2 (en) | 2004-03-12 | 2007-11-20 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Semiconductor device |
US7145174B2 (en) | 2004-03-12 | 2006-12-05 | Hewlett-Packard Development Company, Lp. | Semiconductor device |
US7282782B2 (en) | 2004-03-12 | 2007-10-16 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Combined binary oxide semiconductor device |
JP2005300948A (ja) * | 2004-04-13 | 2005-10-27 | Hitachi Displays Ltd | 表示装置及びその駆動方法 |
US7211825B2 (en) | 2004-06-14 | 2007-05-01 | Yi-Chi Shih | Indium oxide-based thin film transistors and circuits |
JP2006047500A (ja) | 2004-08-02 | 2006-02-16 | Seiko Epson Corp | 表示パネル駆動回路、表示装置及び電子機器 |
JP2006100760A (ja) | 2004-09-02 | 2006-04-13 | Casio Comput Co Ltd | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
US7285501B2 (en) | 2004-09-17 | 2007-10-23 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Method of forming a solution processed device |
US7298084B2 (en) | 2004-11-02 | 2007-11-20 | 3M Innovative Properties Company | Methods and displays utilizing integrated zinc oxide row and column drivers in conjunction with organic light emitting diodes |
US7791072B2 (en) | 2004-11-10 | 2010-09-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Display |
US7829444B2 (en) | 2004-11-10 | 2010-11-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Field effect transistor manufacturing method |
EP2453481B1 (en) | 2004-11-10 | 2017-01-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Field effect transistor with amorphous oxide |
WO2006051994A2 (en) | 2004-11-10 | 2006-05-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Light-emitting device |
US7453065B2 (en) | 2004-11-10 | 2008-11-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Sensor and image pickup device |
JP5118810B2 (ja) | 2004-11-10 | 2013-01-16 | キヤノン株式会社 | 電界効果型トランジスタ |
KR100911698B1 (ko) | 2004-11-10 | 2009-08-10 | 캐논 가부시끼가이샤 | 비정질 산화물을 사용한 전계 효과 트랜지스터 |
JP5126729B2 (ja) | 2004-11-10 | 2013-01-23 | キヤノン株式会社 | 画像表示装置 |
US7863611B2 (en) | 2004-11-10 | 2011-01-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Integrated circuits utilizing amorphous oxides |
US7579224B2 (en) | 2005-01-21 | 2009-08-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing a thin film semiconductor device |
TWI390735B (zh) | 2005-01-28 | 2013-03-21 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置,電子裝置,和半導體裝置的製造方法 |
TWI412138B (zh) | 2005-01-28 | 2013-10-11 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置,電子裝置,和半導體裝置的製造方法 |
US7858451B2 (en) | 2005-02-03 | 2010-12-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic device, semiconductor device and manufacturing method thereof |
US7948171B2 (en) | 2005-02-18 | 2011-05-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
US20060197092A1 (en) | 2005-03-03 | 2006-09-07 | Randy Hoffman | System and method for forming conductive material on a substrate |
US8681077B2 (en) | 2005-03-18 | 2014-03-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, and display device, driving method and electronic apparatus thereof |
US7544967B2 (en) | 2005-03-28 | 2009-06-09 | Massachusetts Institute Of Technology | Low voltage flexible organic/transparent transistor for selective gas sensing, photodetecting and CMOS device applications |
US7645478B2 (en) | 2005-03-31 | 2010-01-12 | 3M Innovative Properties Company | Methods of making displays |
US8300031B2 (en) | 2005-04-20 | 2012-10-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device comprising transistor having gate and drain connected through a current-voltage conversion element |
JP4943058B2 (ja) | 2005-05-20 | 2012-05-30 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置 |
EP1724751B1 (en) | 2005-05-20 | 2013-04-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device and electronic apparatus |
JP2006344849A (ja) | 2005-06-10 | 2006-12-21 | Casio Comput Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
US7402506B2 (en) | 2005-06-16 | 2008-07-22 | Eastman Kodak Company | Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby |
US7691666B2 (en) | 2005-06-16 | 2010-04-06 | Eastman Kodak Company | Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby |
US7507618B2 (en) | 2005-06-27 | 2009-03-24 | 3M Innovative Properties Company | Method for making electronic devices using metal oxide nanoparticles |
KR100711890B1 (ko) | 2005-07-28 | 2007-04-25 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 발광표시장치 및 그의 제조방법 |
JP2007059128A (ja) | 2005-08-23 | 2007-03-08 | Canon Inc | 有機el表示装置およびその製造方法 |
JP5116225B2 (ja) | 2005-09-06 | 2013-01-09 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体デバイスの製造方法 |
JP4560502B2 (ja) | 2005-09-06 | 2010-10-13 | キヤノン株式会社 | 電界効果型トランジスタ |
JP4850457B2 (ja) | 2005-09-06 | 2012-01-11 | キヤノン株式会社 | 薄膜トランジスタ及び薄膜ダイオード |
JP2007073705A (ja) | 2005-09-06 | 2007-03-22 | Canon Inc | 酸化物半導体チャネル薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
JP4280736B2 (ja) | 2005-09-06 | 2009-06-17 | キヤノン株式会社 | 半導体素子 |
JP5064747B2 (ja) | 2005-09-29 | 2012-10-31 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、電気泳動表示装置、表示モジュール、電子機器、及び半導体装置の作製方法 |
EP1770788A3 (en) | 2005-09-29 | 2011-09-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having oxide semiconductor layer and manufacturing method thereof |
JP5078246B2 (ja) | 2005-09-29 | 2012-11-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、及び半導体装置の作製方法 |
JP5037808B2 (ja) | 2005-10-20 | 2012-10-03 | キヤノン株式会社 | アモルファス酸化物を用いた電界効果型トランジスタ、及び該トランジスタを用いた表示装置 |
US20060256133A1 (en) * | 2005-11-05 | 2006-11-16 | Outland Research | Gaze-responsive video advertisment display |
KR101397571B1 (ko) | 2005-11-15 | 2014-05-22 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체장치 및 그의 제조방법 |
TWI292281B (en) | 2005-12-29 | 2008-01-01 | Ind Tech Res Inst | Pixel structure of active organic light emitting diode and method of fabricating the same |
US7867636B2 (en) | 2006-01-11 | 2011-01-11 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transparent conductive film and method for manufacturing the same |
TW200728849A (en) | 2006-01-20 | 2007-08-01 | Niko Semiconductor Co Ltd | Backlight power supply device of liquid crystal display panel |
JP4977478B2 (ja) | 2006-01-21 | 2012-07-18 | 三星電子株式会社 | ZnOフィルム及びこれを用いたTFTの製造方法 |
US7576394B2 (en) | 2006-02-02 | 2009-08-18 | Kochi Industrial Promotion Center | Thin film transistor including low resistance conductive thin films and manufacturing method thereof |
US7977169B2 (en) | 2006-02-15 | 2011-07-12 | Kochi Industrial Promotion Center | Semiconductor device including active layer made of zinc oxide with controlled orientations and manufacturing method thereof |
JP2007272203A (ja) | 2006-03-06 | 2007-10-18 | Nec Corp | 表示装置 |
KR20070101595A (ko) | 2006-04-11 | 2007-10-17 | 삼성전자주식회사 | ZnO TFT |
US20070252928A1 (en) | 2006-04-28 | 2007-11-01 | Toppan Printing Co., Ltd. | Structure, transmission type liquid crystal display, reflection type display and manufacturing method thereof |
JP5028033B2 (ja) | 2006-06-13 | 2012-09-19 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体膜のドライエッチング方法 |
JP4609797B2 (ja) | 2006-08-09 | 2011-01-12 | Nec液晶テクノロジー株式会社 | 薄膜デバイス及びその製造方法 |
JP4999400B2 (ja) | 2006-08-09 | 2012-08-15 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体膜のドライエッチング方法 |
FR2905027B1 (fr) | 2006-08-21 | 2013-12-20 | Lg Philips Lcd Co Ltd | Dispositif d'affichage a cristaux liquides et son procede de pilotage |
JP4332545B2 (ja) | 2006-09-15 | 2009-09-16 | キヤノン株式会社 | 電界効果型トランジスタ及びその製造方法 |
JP4415393B2 (ja) | 2006-09-26 | 2010-02-17 | エプソンイメージングデバイス株式会社 | 駆動回路、液晶装置、電子機器、および液晶装置の駆動方法 |
JP4274219B2 (ja) | 2006-09-27 | 2009-06-03 | セイコーエプソン株式会社 | 電子デバイス、有機エレクトロルミネッセンス装置、有機薄膜半導体装置 |
JP5164357B2 (ja) | 2006-09-27 | 2013-03-21 | キヤノン株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
US7622371B2 (en) | 2006-10-10 | 2009-11-24 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Fused nanocrystal thin film semiconductor and method |
US7772021B2 (en) | 2006-11-29 | 2010-08-10 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Flat panel displays comprising a thin-film transistor having a semiconductive oxide in its channel and methods of fabricating the same for use in flat panel displays |
JP2008140684A (ja) | 2006-12-04 | 2008-06-19 | Toppan Printing Co Ltd | カラーelディスプレイおよびその製造方法 |
KR101303578B1 (ko) | 2007-01-05 | 2013-09-09 | 삼성전자주식회사 | 박막 식각 방법 |
US8207063B2 (en) | 2007-01-26 | 2012-06-26 | Eastman Kodak Company | Process for atomic layer deposition |
KR100851215B1 (ko) | 2007-03-14 | 2008-08-07 | 삼성에스디아이 주식회사 | 박막 트랜지스터 및 이를 이용한 유기 전계 발광표시장치 |
US7795613B2 (en) | 2007-04-17 | 2010-09-14 | Toppan Printing Co., Ltd. | Structure with transistor |
KR101325053B1 (ko) | 2007-04-18 | 2013-11-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법 |
KR20080094300A (ko) | 2007-04-19 | 2008-10-23 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법과 박막 트랜지스터를포함하는 평판 디스플레이 |
KR101334181B1 (ko) | 2007-04-20 | 2013-11-28 | 삼성전자주식회사 | 선택적으로 결정화된 채널층을 갖는 박막 트랜지스터 및 그제조 방법 |
US8274078B2 (en) | 2007-04-25 | 2012-09-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Metal oxynitride semiconductor containing zinc |
US8325310B2 (en) | 2007-05-18 | 2012-12-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device and manufacturing method thereof |
KR101345376B1 (ko) | 2007-05-29 | 2013-12-24 | 삼성전자주식회사 | ZnO 계 박막 트랜지스터 및 그 제조방법 |
JP2008309834A (ja) | 2007-06-12 | 2008-12-25 | Seiko Epson Corp | 半導体集積回路、電源システムインタフェース及び電子機器 |
JP2009042263A (ja) * | 2007-08-06 | 2009-02-26 | Seiko Epson Corp | 画像表示装置及びその制御方法 |
US8102346B2 (en) | 2007-09-20 | 2012-01-24 | Sony Corporation | Electro-optical device and electronic apparatus including the same |
JP2009099887A (ja) | 2007-10-19 | 2009-05-07 | Hitachi Displays Ltd | 表示装置 |
CN101878502B (zh) | 2007-11-29 | 2013-04-10 | 株式会社半导体能源研究所 | 液晶显示器件和电子器件 |
US8202365B2 (en) | 2007-12-17 | 2012-06-19 | Fujifilm Corporation | Process for producing oriented inorganic crystalline film, and semiconductor device using the oriented inorganic crystalline film |
JP2009162936A (ja) * | 2007-12-28 | 2009-07-23 | Rohm Co Ltd | ソースドライバ回路 |
JP2009186542A (ja) * | 2008-02-04 | 2009-08-20 | Seiko Epson Corp | プロジェクタ |
JP2009229540A (ja) | 2008-03-19 | 2009-10-08 | Toshiba Corp | 液晶装置の駆動装置及び駆動方法 |
JP5325446B2 (ja) | 2008-04-16 | 2013-10-23 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置及びその製造方法 |
TWI597850B (zh) | 2008-07-31 | 2017-09-01 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置的製造方法 |
JP4623179B2 (ja) | 2008-09-18 | 2011-02-02 | ソニー株式会社 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
JP5451280B2 (ja) | 2008-10-09 | 2014-03-26 | キヤノン株式会社 | ウルツ鉱型結晶成長用基板およびその製造方法ならびに半導体装置 |
EP2351088B1 (en) | 2008-10-24 | 2016-09-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
US8450144B2 (en) | 2009-03-26 | 2013-05-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
KR101844080B1 (ko) | 2009-10-16 | 2018-03-30 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 액정 표시 장치 및 이를 구비한 전자 장치 |
KR101801540B1 (ko) | 2009-10-16 | 2017-11-27 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 액정 표시 장치 및 액정 표시 장치를 포함한 전자 기기 |
CN104681568B (zh) | 2009-10-21 | 2017-11-21 | 株式会社半导体能源研究所 | 显示装置和包括显示装置的电子设备 |
CN102576172B (zh) | 2009-10-30 | 2016-01-27 | 株式会社半导体能源研究所 | 液晶显示设备、其驱动方法以及包括该液晶显示设备的电子电器 |
KR102433801B1 (ko) | 2009-11-13 | 2022-08-18 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치 및 이 표시 장치를 구비한 전자 기기 |
CN105739209B (zh) | 2009-11-30 | 2022-05-27 | 株式会社半导体能源研究所 | 液晶显示设备、用于驱动该液晶显示设备的方法 |
WO2011068106A1 (en) | 2009-12-04 | 2011-06-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic device including the same |
CN102640207A (zh) | 2009-12-18 | 2012-08-15 | 株式会社半导体能源研究所 | 液晶显示装置及其驱动方法 |
WO2011089843A1 (en) * | 2010-01-20 | 2011-07-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for driving display device |
CN102714023B (zh) * | 2010-01-20 | 2016-05-04 | 株式会社半导体能源研究所 | 液晶显示设备的驱动方法 |
-
2010
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07333577A (ja) * | 1994-06-14 | 1995-12-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示装置 |
JP2001312253A (ja) * | 2000-04-28 | 2001-11-09 | Sharp Corp | 表示装置の駆動方法およびそれを用いた表示装置ならびに携帯機器 |
JP2002169499A (ja) * | 2000-11-30 | 2002-06-14 | Sanyo Electric Co Ltd | 表示パネルの駆動方法及び表示パネルの駆動制御装置 |
JP2009528670A (ja) * | 2006-06-02 | 2009-08-06 | 財団法人高知県産業振興センター | 半導体機器及びその製法 |
JP5031086B2 (ja) * | 2009-12-18 | 2012-09-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置の駆動方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015158684A (ja) * | 2010-02-19 | 2015-09-03 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201137820A (en) | 2011-11-01 |
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