JP2015109423A

JP2015109423A - シリコンウェーハ用研磨液組成物

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Publication number: JP2015109423A
Application number: JP2014213109A
Authority: JP
Inventors: 洋平内田; Yohei Uchida; 一博西田; Kazuhiro Nishida
Original assignee: Kao Corp
Current assignee: Kao Corp
Priority date: 2013-10-25
Filing date: 2014-10-17
Publication date: 2015-06-11
Anticipated expiration: 2034-10-17
Also published as: EP3062337A1; EP3062337A4; KR20160043120A; CN105659357A; JP5893706B2; WO2015060293A1; KR101728646B1; TW201527506A; TWI541335B; CN105659357B

Abstract

【課題】シリコンウェーハの、表面粗さ（ヘイズ）の低減と表面欠陥（ＬＰＤ）の低減とを両立できる、シリコンウェーハ用研磨液組成物を提供する。
【解決手段】本発明のシリコンウェーハ用研磨液組成物は、シリカ粒子を０．０１〜０．５質量％と、含窒素塩基性化合物と、水溶性高分子とを含み、水溶性高分子は、下記一般式（１）で表される構成単位を含み、水溶性高分子において、水酸基由来の酸素原子数とポリオキシアルキレン由来の酸素原子数の比（水酸基由来の酸素原子数/ポリオキシアル
キレン由来の酸素原子数）が、０．８〜１０である。水溶性高分子は、好ましくは、ポリグリシドール、ポリグシドール誘導体、ポリグリセリン、ポリグリセリン誘導体、ポリビニルアルコールを側鎖とするポリビニルアルコール・ポリエチレングリコール・グラフトコポリマーからなる群から選ばれる少なくとも１種である。
［化１］

【選択図】なし

Description

本発明はシリコンウェーハ用研磨液組成物及びこれを用いた半導体基板の製造方法並びにシリコンウェーハの研磨方法に関する。

近年、半導体メモリの高記録容量化に対する要求の高まりから半導体装置のデザインルールは微細化が進んでいる。このため半導体装置の製造過程で行われるフォトリソグラフィーにおいて焦点深度は浅くなり、シリコンウェーハ（ベアウェーハ）の欠陥低減や平滑性に対する要求はますます厳しくなっている。

シリコンウェーハの品質を向上する目的で、シリコンウェーハの研磨は多段階で行われている。特に研磨の最終段階で行われる仕上げ研磨は、表面粗さ（ヘイズ）の抑制と研磨後のシリコンウェーハ表面のぬれ性向上（親水化）によるパーティクルやスクラッチ、ピット等の表面欠陥（ＬＰＤ：Light point defects）の抑制とを目的として行われている
。

仕上げ研磨に用いられる研磨液組成物としては、コロイダルシリカ、及びアルカリ化合物を含む化学的機械研磨用の研磨液組成物が知られている。さらにヘイズレベルを改善することを目的とした研磨液組成物として、コロイダルシリカ、ヒドロキシエチルセルロース（ＨＥＣ）及びポリエチレンオキサイド（ＰＥＯ）を含む化学的機械研磨用の研磨液組成物が知られている（特許文献１）。

一方、表面欠陥（ＬＰＤ）の数を低減することを目的とした研磨液組成物として、ポリビニルアルコール水溶液をイオン交換することで、研磨液組成物中のナトリウムイオン及び酢酸イオンのいずれか一方の濃度を１０ｐｐｂ以下とした研磨液組成物が知られている（特許文献２）。また、うねり及び/又はヘイズ改善を目的とした研磨液組成物として、炭素長鎖構造を有し側鎖としてヒドロキシ低級アルコキシ基を有する鎖状炭化水素系高分子（例えば、エチレンオキサイド付加ポリビニルアルコール）を含有する研磨液組成物が知られている（特許文献３）。また、段差を有する半導体ウエーハの表面の平坦化に使用される研磨液組成物として、段差解消剤としてポリビニルアルコール類を含む研磨液組成物が知られている（特許文献４）。

特開２００４―１２８０８９号公報特開２００８―５３４１４号公報特開平１１−１４０４２７号公報ＷＯ２０１１／０９３２２３

しかし、ＨＥＣを用いる研磨液組成物は、ＨＥＣが天然物であるセルロースを原料としているため、セルロース由来の水不溶物が含まれ、当該水不溶物が核となってシリカ粒子が凝集しやすい。そして、シリカ粒子の凝集体や当該水不溶物自体の存在によって、表面欠陥（ＬＰＤ）の増大を生じさせる場合がある。

また、特許文献２〜４に記載の研磨液組成物についても、これらの研磨液組成物を用い
た研磨では、シリコンウェーハの表面粗さ（ヘイズ）と表面欠陥（ＬＰＤ）の低減を十分に両立できない。

そこで、本発明では、シリコンウェーハの、表面粗さ（ヘイズ）の低減と表面欠陥（ＬＰＤ）の低減とを両立できる、シリコンウェーハ用研磨液組成物、及び当該シリコンウェーハ用研磨液組成物を用いた半導体基板の製造方法、並びにシリコンウェーハの研磨方法を提供する。

本発明のシリコンウェーハ用研磨液組成物は、下記成分Ａ〜成分Ｃを含有する。
（成分Ａ）シリカ粒子
（成分Ｂ）含窒素塩基性化合物
（成分Ｃ）水溶性高分子
シリコンウェーハ用研磨液組成物におけるシリカ粒子の含有量は０．０１〜０．５質量％であり、前記水溶性高分子（成分Ｃ）は、下記一般式（１）で表される構成単位を含み、前記水溶性高分子において、水酸基由来の酸素原子数とポリオキシアルキレン由来の酸素原子数の比（水酸基由来の酸素原子数/ポリオキシアルキレン由来の酸素原子数）が、０
．８〜１０である。

但し、上記一般式（１）中、Ｒ¹は、メチレン基（―ＣＨ₂―）又は結合手であり、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵は、それぞれ独立して、Ｈ（水素原子）、―ＯＨ（水酸基）、―ＣＨ₂ＯＨ、又はポリビニルアルコールであるが、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵が各々すべて同時にはＨ（水素原子）、―ＯＨ（水酸基）、又は―ＣＨ₂ＯＨとはならない。

本発明のシリコンウェーハの研磨方法は、本発明のシリコンウェーハ用研磨液組成物を用いてシリコンウェーハを研磨する研磨工程を含む。

本発明の半導体基板の製造方法は、本発明のシリコンウェーハ用研磨液組成物を用いてシリコンウェーハを研磨する研磨工程を含む。

本発明によれば、シリコンウェーハの、表面粗さ（ヘイズ）の低減と表面欠陥（ＬＰＤ）の低減とを両立できる、シリコンウェーハ用研磨液組成物、及び当該シリコンウェーハ用研磨液組成物を用いたシリコンウェーハの研磨方法、並びに半導体基板の製造方法を提供できる。

本発明では、シリコンウェーハ用研磨液組成物におけるシリカ粒子の含有量が０．０１〜０．５０質量％である場合に、下記一般式（１）で表される構成単位を含み、水酸基由来の酸素原子数とポリオキシアルキレン由来の酸素原子数の比（水酸基由来の酸素原子数/ポリオキシアルキレン由来の酸素原子数）が、０．８〜１０の水溶性高分子がシリコン
ウェーハ用研磨液組成物（以下、「研磨液組成物」と略称する場合もある。）に含まれることにより、研磨液組成物で研磨されたシリコンウェーハの表面（研磨面）における、表
面粗さ（ヘイズ）の低減と表面欠陥（ＬＰＤ）の低減とを両立できる、という知見に基づく。

本発明の研磨液組成物で研磨されたシリコンウェーハの表面（研磨面）における、表面粗さ（ヘイズ）の低減と表面欠陥（ＬＰＤ）の低減とを両立できるという、本発明の効果の発現機構の詳細は明らかではないが、以下のように推定している。

研磨液組成物に含まれる水溶性高分子（成分Ｃ）は一分子中の主鎖に、シリコンウェーハと相互作用するアルキレンオキシ基を含み、側鎖にシリコンウェーハと相互作用する部位である水酸基を含む。そのため、水溶性高分子（成分Ｃ）がシリコンウェーハ表面に吸着して、含窒素塩基性化合物によるシリコンウェーハ表面の腐食、即ち、表面粗さ（ヘイズ）の上昇を抑制するとともに、良好なぬれ性を発現してシリコンウェーハ表面の乾燥により生じると考えられるシリコンウェーハ表面へのパーティクルの付着を抑制する。また、水溶性高分子（成分Ｃ）がシリコンウェーハ表面に吸着することによってシリコンウェーハ表面の濡れ性が向上するので、シリコンウェーハ表面の研磨の均一性が向上し、故に表面粗さ（ヘイズ）が低減される。

また、水溶性高分子（成分Ｃ）は、ＨＥＣに含まれるような原料由来の水不溶物を含まないので、水溶性高分子（成分Ｃ）をＨＥＣに代えて用いれば、当該水不溶物自体の存在に起因する表面欠陥（ＬＰＤ）の増大は生じない。

このように、本発明では、前記水溶性高分子（成分Ｃ）を含むことにより、シリコンウェーハの、表面粗さ（ヘイズ）の低減と表面欠陥（ＬＰＤ）の低減との両立が実現されているものと推定している。但し、本発明はこれらの推定に限定されるものではない。

[シリカ粒子（成分Ａ）]
本発明の研磨液組成物には、研磨材としてシリカ粒子が含まれる。シリカ粒子の具体例としては、コロイダルシリカ、フュームドシリカ等が挙げられるが、シリコンウェーハの表面平滑性を向上させる観点から、コロイダルシリカがより好ましい。

シリカ粒子の使用形態としては、操作性の観点からスラリー状が好ましい。本発明の研磨液組成物に含まれる研磨材がコロイダルシリカである場合、アルカリ金属やアルカリ土類金属等によるシリコンウェーハの汚染を防止する観点から、コロイダルシリカは、アルコキシシランの加水分解物から得たものであることが好ましい。アルコキシシランの加水分解物から得られるシリカ粒子は、従来から公知の方法によって作製できる。

本発明の研磨液組成物に含まれるシリカ粒子の平均一次粒子径は、研磨速度の確保の観点から、５ｎｍ以上が好ましく、１０ｎｍ以上がより好ましく、１５ｎｍ以上が更に好ましく、３０ｎｍ以上が更により好ましい。また、シリカ粒子の平均一次粒子径は、研磨速度の確保と、シリコンウェーハの表面粗さ（ヘイズ）の低減と表面欠陥（ＬＰＤ）の低減の両立の観点から、５０ｎｍ以下が好ましく、４５ｎｍ以下がより好ましく、４０ｎｍ以下が更に好ましい。

特に、シリカ粒子としてコロイダルシリカを用いた場合には、平均一次粒子径は、研磨速度の確保の観点から、５ｎｍ以上が好ましく、１０ｎｍ以上がより好ましく、１５ｎｍ以上が更に好ましく、３０ｎｍ以上が更により好ましい。また、コロイダルシリカの平均一次粒子径は、研磨速度の確保と、シリコンウェーハの表面粗さ（ヘイズ）の低減と表面欠陥（ＬＰＤ）の低減の両立の観点から、５０ｎｍ以下が好ましく、４５ｎｍ以下がより好ましく、４０ｎｍ以下が更に好ましい。

シリカ粒子の平均一次粒子径は、ＢＥＴ（窒素吸着）法によって算出される比表面積Ｓ（ｍ²／ｇ）を用いて算出される。比表面積は、例えば、実施例に記載の方法により測定できる。

シリカ粒子の会合度は、研磨速度の確保、及びシリコンウェーハの表面粗さ（ヘイズ）の低減と表面欠陥（ＬＰＤ）の低減の両立の観点から、３．０以下が好ましく、１．１〜３．０がより好ましく、１．８〜２．５が更に好ましく、２．０〜２．３が更により好ましい。シリカ粒子の形状はいわゆる球型といわゆるマユ型であることが好ましい。シリカ粒子がコロイダルシリカである場合、その会合度は、研磨速度の確保、及びシリコンウェーハの表面粗さ（ヘイズ）の低減と表面欠陥（ＬＰＤ）の低減の両立の観点から、３．０以下が好ましく、１．１〜３．０がより好ましく、１．８〜２．５が更に好ましく、２．０〜２．３が更により好ましい。

シリカ粒子の会合度とは、シリカ粒子の形状を表す係数であり、下記式により算出される。平均二次粒子径は、動的光散乱法によって測定される値であり、例えば、実施例に記載の装置を用いて測定できる。
会合度＝平均二次粒子径／平均一次粒子径

シリカ粒子の会合度の調整方法としては、特に限定されないが、例えば、特開平６−２５４３８３号公報、特開平１１−２１４３３８号公報、特開平１１−６０２３２号公報、特開２００５−０６０２１７号公報、特開２００５−０６０２１９号公報等に記載の方法を採用することができる。

本発明の研磨液組成物に含まれるシリカ粒子の含有量は、シリコンウェーハの研磨速度の確保の観点から、ＳｉＯ₂換算で、０．０１質量％以上であり、０．０７質量％以上が好ましく、０．１０質量％以上がより好ましい。また、本発明の研磨液組成物に含まれるシリカ粒子の含有量は、シリコンウェーハの表面粗さ（ヘイズ）の低減と表面欠陥（ＬＰＤ）の低減の両立の観点から、０．５０質量％以下であり、０．３０質量％以下が好ましく、０．２０質量％以下がより好ましい。

［含窒素塩基性化合物（成分Ｂ）］
本発明の研磨液組成物は、研磨液組成物の保存安定性の向上、研磨速度の確保、及びシリコンウェーハの表面粗さ（ヘイズ）の低減と表面欠陥（ＬＰＤ）の低減の両立の観点から、水溶性の塩基性化合物を含有する。水溶性の塩基性化合物としては、アミン化合物及びアンモニウム化合物から選ばれる少なくとも1種類以上の含窒素塩基性化合物である。
ここで、「水溶性」とは、水に対して２ｇ／１００ｍｌ以上の溶解度を有することをいい、「水溶性の塩基性化合物」とは、水に溶解したとき、塩基性を示す化合物をいう。

アミン化合物及びアンモニウム化合物から選ばれる少なくとも1種類以上の含窒素塩基
性化合物としては、例えば、アンモニア、水酸化アンモニウム、炭酸アンモニウム、炭酸水素アンモニウム、メチルアミン、ジメチルアミン、トリメチルアミン、エチルアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミン、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、Ｎ一メチルエタノールアミン、Ｎ−メチル−Ｎ，Ｎ一ジエタノ−ルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジエチルエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジブチルエタノールアミン、Ｎ−（β−アミノエチル）エタノ−ルアミン、モノイソプロパノールアミン、ジイソプロパノールアミン、トリイソプロパノールアミン、エチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、ピペラジン・六水和物、無水ピペラジン、１−（２−アミノエチル）ピペラジン、Ｎ−メチルピペラジン、ジエチレントリアミン、及び水酸化テトラメチルアンモニウムが挙げられる。これらの含窒素塩基性化合物は２種以上を混合して用いてもよい。本発明の研磨液組成物に含まれ得る含窒素塩基性化合物としては、シリコンウェーハの表面粗さ（ヘイズ）の低減と表面欠陥（ＬＰＤ）の低減の両立の観点、研磨液組成物の保存安定性の向上、及び、研磨速度の確保の観点からアンモニアがより好ましい。

本発明の研磨液組成物に含まれる含窒素塩基性化合物の含有量は、シリコンウェーハの表面粗さ（ヘイズ）の低減と表面欠陥（ＬＰＤ）の低減の両立の観点、研磨液組成物の保存安定性の向上、及び研磨速度の確保の観点から、０．００１質量％以上が好ましく、０．００５質量％以上がより好ましく、０．００７質量％以上が更に好ましく、０．０１０質量％以上が更により好ましく、０．０１２質量％以上が更により好ましい。また、含窒素塩基性化合物の含有量は、シリコンウェーハの表面粗さ（ヘイズ）の低減と表面欠陥（ＬＰＤ）の低減の両立の観点から、０．１質量％以下が好ましく、０．０５質量％以下がより好ましく、０．０２５質量％以下が更に好ましく、０．０１８質量％以下が更により好ましく、０．０１４質量％以下が更により好ましい。

［水溶性高分子(成分Ｃ)］
本発明の研磨液組成物は、シリコンウェーハの表面粗さ（ヘイズ）の低減と表面欠陥（ＬＰＤ）の低減の両立の観点から、下記一般式（１）で表される構成単位を含む水溶性高分子（成分Ｃ）を含む。ここで、「水溶性」とは、水に対して２ｇ／１００ｍｌ以上の溶解度を有することをいう。

但し、上記一般式（１）中、Ｒ¹は、メチレン基（―ＣＨ₂―）又は結合手であり、Ｒ²、
Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵は、それぞれ独立して、Ｈ（水素原子）、―ＯＨ（水酸基）、―ＣＨ₂ＯＨ、又はポリビニルアルコールであるが、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵が各々すべて同時にはＨ（水素原子）、―ＯＨ（水酸基）、又は―ＣＨ₂ＯＨとはならない。

前記水溶性高分子（成分Ｃ）において、水酸基由来の酸素原子数とポリオキシアルキレン由来の酸素原子数の比（水酸基由来の酸素原子数/ポリオキシアルキレン由来の酸素原子数）は、シリコンウェーハの表面粗さ（ヘイズ）の低減と表面欠陥（ＬＰＤ）の低減の両立の観点から、０．８以上であるが、１．２以上が好ましく、１．５以上がより好ましく、１．８以上が更に好ましい。また、前記比（水酸基由来の酸素原子数/ポリオキシアルキレン由来の酸素原子数）は、水溶性高分子の合成の簡便性の観点から、１０以下であるが、８．０以下が好ましく、７．０以下がより好ましく、６．０以下が更に好ましい。

上記一般式（１）中、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵は、シリコンウェーハの表面粗さ及び表面欠陥の低減の観点から、それぞれ独立して、Ｈ（水素原子）、―ＯＨ（水酸基）、―ＣＨ₂ＯＨ、又はポリビニルアルコールであるが、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵のうちのいずれか３つがＨ（水素原子）であり、残りの１つが―ＯＨ（水酸基）又は―ＣＨ₂ＯＨであるか、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵の少なくとも１つがポリビニルアルコールであり、残りがＨ（水素原子）であると好ましい。

前記水溶性高分子（成分Ｃ）は、シリコンウェーハの表面粗さ（ヘイズ）の低減と表面欠陥（ＬＰＤ）の低減の両立の観点から、下記式（２）で表される構成単位Ｉ、下記式（３）で表される構成単位II、及び前記一般式（１）中、Ｒ¹が結合手であり、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵が、それぞれ独立して、Ｈ（水素原子）又はポリビニルアルコールであり、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵が各々すべて同時にはＨ（水素原子）、―ＯＨ（水酸基）、又は―ＣＨ₂ＯＨとはならない構成単位IIIから選ばれる少なくとも１種の構成単位を含んでいると好ましく、構成単位Ｉ、構成単位II、又は構成単位IIIを含んでいるとより好ましく、ポリグリシドール、ポリグシドール誘導体、ポリグリセリン、ポリグリセリン誘導体、ポリビニルアルコールを側鎖とするポリビニルアルコール・ポリエチレングリコール・グラフトコポリマーからなる群から選ばれる少なくとも１種であると好ましい。

ポリグシドール誘導体としては、ポリ（1-メチルグリシドール）、ポリ（1-エチルグリシドール）、ポリ（1-プロピルグリシドール）、ポリ（1-ジメチルグリシドール）、ポリ（1-ジエチルグリシドール）、ポリ（1-ジプロピルグリシドール）、ポリ（3-フェニルグリシドール）が挙げられる。ポリグリセリン誘導体としては、ポリグリセリンステアレート、ポリグリセリンラウレート、ポリグリセリンオレート、ポリグリセリンカプレート、カルボン酸付加ポリグリセリン、アミド化ポリグリセリン、サクシニル化ポリグリセリン、カルバモイル化ポリグリセリンが挙げられる。

ポリビニルアルコールを側鎖とし、ポリエチレングリコールを主鎖とする、ポリビニルアルコール・ポリエチレングリコール・グラフトコポリマーにおける、比（水酸基由来の酸素原子数／ポリオキシアルキレン有来の酸素原子数）は、ＮＭＲによる分析結果に基づくと、シリコンウェーハの表面粗さ（ヘイズ）の低減と表面欠陥（ＬＰＤ）の低減の両立の観点から、０．８以上が好ましく、１．２以上がより好ましく、１．５以上が更に好ましく、１．８以上が更により好ましい。

また、前記比（水酸基由来の酸素原子数/ポリオキシアルキレン由来の酸素原子数）は、前記グラフトコポリマーの合成の簡便性の観点から、１０以下が好ましく、８．０以下がより好ましく、７．０以下が更に好ましく、６．０以下が更により好ましい。

前記ポリビニルアルコール・ポリエチレングリコール・グラフトコポリマーは、前記構成単位IIIと、エチレングリコールに由来する構成単位IVとを含むが、これらの構成単位の配列は、ブロックでもランダムでもよい。

前記水溶性高分子（成分Ｃ）の好ましい重量平均分子量は、シリコンウェーハの表面粗さ（ヘイズ）の低減と表面欠陥（ＬＰＤ）の低減の両立の観点から、下記の通り、その種類に応じて異なる。

前記水溶性高分子（成分Ｃ）が、ポリグリシドール又はポリグシドール誘導体である場合、前記水溶性高分子（成分Ｃ）の重量平均分子量は、シリコンウェーハの表面粗さ（ヘイズ）の低減と表面欠陥（ＬＰＤ）の低減の両立の観点から、３０００以上が好ましく、１万以上がより好ましく、２万以上が更に好ましく、３万以上が更により好ましく、研磨速度向上の観点から、１５万以下が好ましく、１２万以下がより好ましく、１０万以下が更に好ましく、８万以下が更により好ましい。

前記水溶性高分子（成分Ｃ）が、ポリグリセリン又はポリグリセリン誘導体である場合、前記水溶性高分子（成分Ｃ）の重量平均分子量は、シリコンウェーハの表面粗さ（ヘイズ）の低減と表面欠陥（ＬＰＤ）の低減の両立の観点から、５００以上が好ましく、１０００以上がより好ましく、１５００以上が更に好ましく、２０００以上が更により好ましく、研磨速度向上の観点から、５万以下が好ましく、４万以下がより好ましく、３万以下が更に好ましく、２万以下が更により好ましく、１万以下が更により好ましく、５０００以下が更により好ましい。

前記水溶性高分子（成分Ｃ）が、前記ポリビニルアルコール・ポリエチレングリコール・グラフトコポリマーである場合、前記水溶性高分子（成分Ｃ）の重量平均分子量は、シリコンウェーハの表面粗さ（ヘイズ）の低減と表面欠陥（ＬＰＤ）の低減の両立の観点から、１万以上が好ましく、１．２万以上がより好ましく、１．５万以上が更に好ましく、３万以上が更により好ましく、研磨速度向上の観点から、４０万以下が好ましく、３０万以下がより好ましく、１５万以下が更に好ましく、１２万以下が更により好ましく、１０万以下が更により好ましく、８万以下が更により好ましい。

本発明の研磨液組成物に含まれる前記水溶性高分子（成分Ｃ）の含有量は、シリコンウェーハの表面粗さ（ヘイズ）の低減と表面欠陥（ＬＰＤ）の低減の両立の観点から、０．００１質量％以上が好ましく、０．００２質量％以上がより好ましく、０．００４質量％以上が更に好ましく、０．００７質量％以上が更により好ましい。また、本発明の研磨液組成物に含まれる前記水溶性高分子（成分Ｃ）の含有量は、シリコンウェーハの表面粗さ（ヘイズ）の低減と表面欠陥（ＬＰＤ）の低減の両立の観点から、０．１質量％以下が好ましく、０．０５質量％以下がより好ましく、０．０３５質量％以下が更に好ましく、０．０３０質量％以下が更により好ましい。

本発明の研磨液組成物に含まれるシリカ粒子（成分Ａ）の含有量と水溶性高分子（成分Ｃの含有量の比（成分Ａの質量％/成分Ｃの質量％）は、研磨速度向上の観点から、１以上が好ましく、３以上がより好ましく、５以上が更に好ましい。また、前記比（成分Ａの質量％/成分Ｃの質量％）は、シリコンウェーハの表面粗さ（ヘイズ）の低減と表面欠陥（ＬＰＤ）の低減の両立の観点から、３８以下が好ましく、３０以下がより好ましく、２５以下が更に好ましく、２０以下が更により好ましい。

[水系媒体(成分Ｄ)]
本発明の研磨液組成物に含まれる水系媒体(成分Ｄ)としては、イオン交換水や超純水等の水、又は水と溶媒との混合媒体等が挙げられ、上記溶媒としては、水と混合可能な溶媒（例えば、エタノール等のアルコール）が好ましい。水系媒体としては、なかでも、イオン交換水又は超純水がより好ましく、超純水が更に好ましい。水系媒体(成分Ｄ)が、水と溶媒との混合媒体である場合、成分Ｄである混合媒体全体に対する水の割合は、特に限定されるわけではないが、経済性の観点から、９５質量％以上が好ましく、９８質量％以上がより好ましく、実質的に１００質量％が更に好ましい。

本発明の研磨液組成物における水系媒体の含有量は、特に限定されるわけではなく、成分Ａ〜Ｃ及び後述する任意成分の残余であってよい。

本発明の研磨液組成物の２５℃におけるｐＨは、研磨速度の確保の観点から、８．０以上が好ましく、９．０以上がより好ましく、９．５以上が更に好しく、また、１２．０以下が好ましく、１１．５以下がより好ましく、１１．０以下が更に好ましい。ｐＨの調整は、必要に応じて、含窒素塩基性化合物（成分Ｂ）及び／又はｐＨ調整剤を適宜添加して行うことができる。ここで、２５℃におけるｐＨは、ｐＨメータ（東亜電波工業株式会社、ＨＭ−３０Ｇ）を用いて測定でき、電極の研磨液組成物への浸漬後１分後の数値である。

［任意成分（助剤）］
本発明の研磨液組成物には、本発明の効果が妨げられない範囲で、更に、水溶性高分子化合物（成分Ｃ）以外の水溶性高分子化合物（成分Ｅ）、ｐＨ調整剤、防腐剤、アルコール類、キレート剤、アニオン性界面活性剤、及びノニオン性界面活性剤から選ばれる少なくとも１種の任意成分が含まれてもよい。

[水溶性高分子化合物（成分Ｅ）］
本発明の研磨液組成物には、シリコンウェーハの表面粗さ（ヘイズ）の低減と表面欠陥（ＬＰＤ）の低減の両立の観点から、更に水溶性高分子化合物（成分Ｃ）以外の水溶性高分子化合物（成分Ｅ）を含有してもよい。この水溶性高分子化合物（成分Ｅ）は、親水基を有する高分子化合物であり、水溶性高分子化合物（成分Ｅ）の重量平均分子量は、研磨速度の確保、シリコンウェーハの表面欠陥の低減の観点から、１０，０００以上が好ましく、１００，０００以上がより好ましい。上記成分Ｅを構成する供給源である単量体としては、例えば、アミド基、水酸基、カルボキシル基、カルボン酸エステル基、スルホン酸基等の水溶性基を有する単量体が挙げられる。このような水溶性高分子化合物（成分Ｅ）としては、ポリアミド、ポリ（Ｎ−アシルアルキレンイミン）、セルロース誘導体、ポリビニルアルコール、ポリエチレンオキサイド等が例示できる。ポリアミドとしては、ポリビニルピロリドン、ポリアクリルアミド、ポリオキサゾリン、ポリジメチルアクリルアミド、ポリジエチルアクリルアミド、ポリイソプロピルアクリルアミド、ポリヒドロキシエチルアクリルアミド等が挙げられる。ポリ（Ｎ−アシルアルキレンイミン）としては、ポリ（Ｎ−アセチルエチレンイミン）、ポリ（Ｎ−プロピオニルエチレンイミン）、ポリ（Ｎ−カプロイルエチレンイミン）、ポリ（Ｎ−ベンゾイルエチレンイミン）、ポリ（Ｎ−ノナデゾイルエチレンイミン）、ポリ（Ｎ−アセチルプロピレンイミン）、ポリ（Ｎ−ブチオニルエチレンイミン）等があげられる。セルロース誘導体としては、カルボキシメチルセルロ−ス、ヒドロキシエチルセルロース、ヒドロキシエチルメチルセルロース、ヒドロキシプロピルセルロース、ヒドロキシプロピルメチルセルロース、メチルセルロース、エチルセルロース、ヒドロキシエチルエチルセルロース、及びカルボキシメチルエチルセルロース等が挙げられる。これらの水溶性高分子化合物は任意の割合で２種以上を混合して用いてもよい。

[ｐＨ調整剤］
ｐＨ調整剤としては、酸性化合物等が挙げられる。酸性化合物としては、硫酸、塩酸、硝酸又はリン酸等の無機酸、酢酸、シュウ酸、コハク酸、グリコール酸、リンゴ酸、クエン酸又は安息香酸等の有機酸等が挙げられる。

[防腐剤］
防腐剤としては、ベンザルコニウムクロライド、ベンゼトニウムクロライド、１，２−ベンズイソチアゾリン−３−オン、（５−クロロ−）２−メチル−４−イソチアゾリン−３−オン、過酸化水素、又は次亜塩素酸塩等が挙げられる。

[アルコール類］
アルコール類としては、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール、イソプロピルアルコール、２−メチル−２−プロパノオール、エチレングリコール、プロピレングリコール、ポリエチレングリコール、グリセリン等が挙げられる。本発明の研磨液組成物におけるアルコール類の含有量は、０．１質量％〜５質量％が好ましい。

[キレート剤］
キレート剤としては、エチレンジアミン四酢酸、エチレンジアミン四酢酸ナトリウム、ニトリロ三酢酸、ニトリロ三酢酸ナトリウム、ニトリロ三酢酸アンモニウム、ヒドロキシエチルエチレンジアミン三酢酸、ヒドロキシエチルエチレンジアミン三酢酸ナトリウム、トリエチレンテトラミン六酢酸、トリエチレンテトラミン六酢酸ナトリウム等が挙げられる。本発明の研磨液組成物におけるキレート剤の含有量は、０．０１〜１質量％が好ましい。

[アニオン性界面活性剤］
アニオン性界面活性剤としては、例えば、脂肪酸石鹸、アルキルエーテルカルボン酸塩等のカルボン酸塩、アルキルベンゼンスルホン酸塩、アルキルナフタレンスルホン酸塩等のスルホン酸塩、高級アルコール硫酸エステル塩、アルキルエーテル硫酸塩等の硫酸エステル塩、アルキルリン酸エステル等のリン酸エステル塩などが挙げられる。

[非イオン性界面活性剤］
非イオン性界面活性剤としては、ポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステル、ポリオキシエチレンソルビット脂肪酸エステル、ポリオキシエチレングリセリン脂肪酸エステル、ポリオキシエチレン脂肪酸エステル、ポリオキシエチレンアルキルエーテル、ポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル、ポリオキシアルキレン（硬化）ヒマシ油等のポリエチレングリコール型と、ショ糖脂肪酸エステル、アルキルグリコシド等の多価アルコール型及び脂肪酸アルカノールアミド等が挙げられる。

尚、上記において説明した各成分の含有量は、使用時における含有量であるが、本発明の研磨液組成物は、その保存安定性が損なわれない範囲で濃縮された状態で保存及び供給されてもよい。この場合、製造及び輸送コストを更に低くできる点で好ましい。濃縮液は、必要に応じて前述の水系媒体で適宜希釈して使用すればよい。濃縮倍率としては、希釈した後の研磨時の濃度を確保できれば、特に限定するものではないが、製造及び輸送コストを更に低くできる観点から、２倍以上が好ましく、１０倍以上がより好ましく、２０倍以上が更に好ましく、３０倍以上が更により好ましく、また、１００倍以下が好ましく、８０倍以下がより好ましく、６０倍以下が更に好ましく、５０倍以下が更により好ましい。

本発明の研磨液組成物が上記濃縮液である場合、濃縮液におけるシリカ粒子（成分Ａ）の含有量は、ＳｉＯ₂換算で、製造及び輸送コストを低くする観点から、２質量％以上が好ましく、４質量％以上がより好ましく、６質量％以上が更に好ましい。また、濃縮液中におけるシリカ粒子の含有量は、保存安定性を向上させる観点から、４０質量％以下が好ましく、３５質量％以下がより好ましく、２０質量％以下が更に好ましく、１５質量％以下が更により好ましく、９質量％以下が更により好ましい。

本発明の研磨液組成物が上記濃縮液である場合、濃縮液における含窒素塩基性化合物（成分Ｂ）の含有量は、製造及び輸送コストを低くする観点から、０．０２質量％以上が好ましく、０．０５質量％以上がより好ましく、０．１質量％以上が更に好ましい。また、濃縮液中における含窒素塩基性化合物（成分Ｂ）の含有量は、保存安定性の向上の観点から５質量％以下が好ましく、２質量％以下がより好ましく、１質量％以下が更に好ましい。

本発明の研磨液組成物が上記濃縮液である場合、濃縮液における水溶性高分子化合物（成分Ｃ）の含有量は、製造及び輸送コストを低くする観点から、０．００５質量％以上が好ましく、０．０１質量％以上がより好ましく、０．０２質量％以上が更に好ましく、０．０５質量％以上が更により好ましく、０．１質量％以上が更により好ましい。また、濃縮液中における水溶性高分子化合物（成分Ｃ）の含有量は、保存安定性の向上の観点から、５質量％以下が好ましく、３質量％以下がより好ましく、２質量％以下が更に好ましく、１．５質量％以下が更により好ましい。

本発明の研磨液組成物が上記濃縮液である場合、上記濃縮液の２５℃におけるｐＨは、８．０以上が好ましく、９．０以上がより好ましく、９．５以上が更に好しく、また、１２．０以下が好ましく、１１．５以下がより好ましく、１１．０以下が更に好ましい。

次に、本発明の研磨液組成物の製造方法の一例について説明する。

本発明の研磨液組成物の製造方法の一例は、何ら制限されず、例えば、シリカ粒子（成分Ａ）と、含窒素塩基性化合物（成分Ｂ）と、水溶性高分子化合物（成分Ｃ）と、水系媒体（成分Ｄ）と、必要に応じて任意成分とを混合することによって調製できる。

シリカ粒子の水系媒体への分散は、例えば、ホモミキサー、ホモジナイザー、超音波分散機、湿式ボールミル、又はビーズミル等の撹拌機等を用いて行うことができる。シリカ粒子の凝集等により生じた粗大粒子が水系媒体中に含まれる場合、遠心分離やフィルターを用いたろ過等により、当該粗大粒子を除去すると好ましい。シリカ粒子の水系媒体への分散は、水溶性高分子化合物（成分Ｃ）の存在下で行うと好ましい。具体的には、水溶性高分子化合物（成分Ｃ）と水系媒体（成分Ｄ）とを含むシリコンウェーハ研磨用添加剤組成物を調製した後、当該シリコンウェーハ研磨用添加剤組成物とシリカ粒子とを混合し、次いで、必要に応じて、シリコンウェーハ研磨用添加剤組成物とシリカ粒子の混合物を水系媒体（成分Ｄ）で希釈すると好ましい。

本発明の研磨液組成物は、例えば、半導体基板の製造過程における、シリコンウェーハを研磨する研磨工程や、シリコンウェーハを研磨する研磨工程を含むシリコンウェーハの研磨方法に用いられる。

前記シリコンウェーハを研磨する研磨工程には、シリコン単結晶インゴットを薄円板状にスライスすることにより得られたシリコンウェーハを平面化するラッピング（粗研磨）工程と、ラッピングされたシリコンウェーハをエッチングした後、シリコンウェーハ表面を鏡面化する仕上げ研磨工程とがある。本発明の研磨液組成物は、上記仕上げ研磨工程で用いられるとより好ましい。

前記半導体基板の製造方法や前記シリコンウェーハの研磨方法では、シリコンウェーハを研磨する研磨工程の前に、本発明の研磨液組成物（濃縮液）を希釈する希釈工程を含んでいてもよい。希釈媒には、水系媒体（成分Ｄ）を用いればよい。

前記希釈工程で希釈される濃縮液は、製造及び輸送コスト低減、保存安定性の向上の観点から、例えば、成分Ａを２〜４０質量％、成分Ｂを０．０２〜５質量％、成分Ｃを０．００５〜５質量％含んでいると好ましい。

本発明は、さらに以下＜１＞〜＜１５＞を開示する。

＜１＞シリカ粒子を０．０１〜０．５質量％と、含窒素塩基性化合物と、水溶性高分子とを含み、前記水溶性高分子は、下記一般式（１）で表される構成単位を含み、前記水溶性高分子において、水酸基由来の酸素原子数とポリオキシアルキレン由来の酸素原子数の比（水酸基由来の酸素原子数/ポリオキシアルキレン由来の酸素原子数）が、０．８〜１
０である、シリコンウェーハ用研磨液組成物。

但し、上記一般式（１）中、Ｒ¹は、メチレン基（―ＣＨ₂―）又は結合手であり、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵は、それぞれ独立して、Ｈ（水素原子）、―ＯＨ（水酸基）、―ＣＨ₂ＯＨ、又はポリビニルアルコールであるが、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵が各々すべて同時にはＨ（水素原子）、―ＯＨ（水酸基）、又は―ＣＨ₂ＯＨとはならない。
＜２＞前記水溶性高分子が、ポリビニルアルコール・ポリエチレングリコール・グラフトコポリマーである、前記＜１＞に記載のシリコンウェーハ用研磨液組成物。
＜３＞前記水溶性高分子が、前記ポリビニルアルコール・ポリエチレングリコール・グラフトコポリマーが、ポリビニルアルコールを側鎖とし、ポリエチレングリコールを主鎖とする、ポリビニルアルコール・ポリエチレングリコール・グラフトコポリマーである、前記＜１＞又は＜２＞に記載のシリコンウェーハ用研磨液組成物。
＜４＞前記ポリビニルアルコール・ポリエチレングリコール・グラフトコポリマーの重量平均分子量は、１万以上が好ましく、１．２万以上がより好ましく、１．５万以上が更に好ましく、３万以上が更により好ましく、４０万以下が好ましく、３０万以下がより好ましく、１５万以下が更に好ましく、１２万以下が更により好ましく、１０万以下が更により好ましく、８万以下が更により好ましい、前記＜２＞又は＜３＞に記載のシリコンウェーハ用研磨液組成物。
＜５＞前記水溶性高分子が、ポリグリシドール及び／又はポリグシドール誘導体である、前記＜１＞に記載のシリコンウェーハ用研磨液組成物。
＜６＞前記ポリグリシドール及びポリグシドール誘導体の重量平均分子量は、３０００以上が好ましく、１万以上がより好ましく、２万以上が更に好ましく、３万以上が更により好ましく、１５万以下が好ましく、１２万以下がより好ましく、１０万以下が更に好ましく、８万以下が更により好ましい、前記＜５＞に記載のシリコンウェーハ用研磨液組成物。
＜７＞前記水溶性高分子が、ポリグリセリン及び／又はポリグリセリン誘導体である、前記＜１＞に記載のシリコンウェーハ用研磨液組成物。
＜８＞前記ポリグリセリン及びポリグリセリン誘導体の重量平均分子量は、５００以上が好ましく、１０００以上がより好ましく、１５００以上が更に好ましく、２０００以上が更により好ましく、５万以下が好ましく、４万以下がより好ましく、３万以下が更に好ましく、２万以下が更により好ましく、１万以下が更により好ましく、５０００以下が更により好ましい、前記＜７＞に記載のシリコンウェーハ用研磨液組成物。
＜９＞前記シリカ粒子と前記水溶性高分子の質量比（前記シリカ粒子の質量/前記水溶性高分子の質量）は、１以上が好ましく、３以上がより好ましく、５以上が更に好ましく、３８以下が好ましく、３０以下がより好ましく、２５以下が更に好ましく、２０以下が更により好ましい、＜１＞〜＜８＞のいずれかに記載のシリコンウェーハ用研磨液組成物。
＜１０＞前記比（水酸基由来の酸素原子数/ポリオキシアルキレン由来の酸素原子数）が、０．８以上であり、１．２以上が好ましく、１．５以上がより好ましく、１．８以上が更に好ましく、１０以下であり、８．０以下が好ましく、７．０以下がより好ましく、６．０以下が更に好ましい。前記＜１＞〜＜９＞のいずれかに記載のシリコンウェーハ用研磨液組成物。
＜１１＞前記シリコンウェーハ用研磨液組成物に含まれるシリカ粒子の含有量は、ＳｉＯ₂換算で、０．０１質量％以上であり、０．０７質量％以上が好ましく、０．１０質量％以上がより好ましく、０．５０質量％以下であり、０．３０質量％以下が好ましく、０．２０質量％以下がより好ましい、前記＜１＞〜＜１０＞のいずれかに記載のシリコンウェーハ用研磨液組成物。
＜１２＞前記シリコンウェーハ用研磨液組成物に含まれる前記水溶性高分子（成分Ｃ）の含有量は、０．００１質量％以上が好ましく、０．００２質量％以上がより好ましく、０．００４質量％以上が更に好ましく、０．００７質量％以上が更により好ましく、０．１質量％以下が好ましく、０．０５質量％以下がより好ましく、０．０３５質量％以下が更に好ましく、０．０３０質量％以下が更により好ましい、前記＜１＞〜＜１１＞のいずれかに記載のシリコンウェーハ用研磨液組成物。
＜１３＞前記＜１＞〜＜１２＞のいずれかに記載のシリコンウェーハ用研磨液組成物を用いてシリコンウェーハを研磨する研磨工程を含む研磨方法。
＜１４＞前記＜１＞〜＜１２＞のいずれかに記載のシリコンウェーハ用研磨液組成物を用いてシリコンウェーハを研磨する研磨工程を含む、半導体基板の製造方法。
＜１５＞シリコンウェーハの研磨における前記＜１＞〜＜１２＞のいずれかに記載のシリコンウェーハ用研磨液組成物の使用。

下記の実施例１〜１７及び比較例１〜１１で用いた表１の水溶性高分子（ポリマーＡ）及びポリマーＢ詳細は下記のとおりである。

（ポリマーＡNo.１）
Ｓｍ（ＴＭＨＤ）３（和光純薬工業）を０．７３ｇ秤量し、窒素置換後ジオキサン３０ｍｌを添加して６０℃でＳｍ（ＴＭＨＤ）３を溶解させた。放冷後、得られた溶液に、撹拌しながら、ＭＡＯトルエン溶液（東ソー・ファインケム）０．４４ｍｌを滴下し、更に１５分撹拌し、触媒溶液を得た。次に、グリシドール（和光純薬工業）２３ｍｌを、２３ｍｌのジオキサンに溶解させ、これを前記触媒溶液に添加した後、１００℃で３時間反応させた。さらに触媒溶液にエタノール１０ｍｌ添加した後、得られた沈殿物を濾取した。次いで、沈殿物に対してイソプロピルアルコールで浸漬洗浄を行った後、減圧乾燥させ、粗ポリグリシドールを得た。得られた粗ポリグリシドール１０ｇをイオン交換水に溶解させ、更にヒノキチオール０．１ｇを加えて７０℃で３０分撹拌した。得られた沈殿物を濾別した後、濾別によって得られた水溶液を、ヘキサンで洗浄し、濃縮した後、イソプロピルアルコールにより浸漬洗浄、減圧乾燥を行って、再沈殿を行った。沈殿物の乾燥後、それを少量のイオン交換水に再度溶解させ、次いで凍結乾燥して、無色透明な固体（ポリグリシドール）を得た。

（ポリマーＡNo.２）
ポリグリセリン（商品名：ポリグリセリンＸ、重量平均分子量3000、ダイセル社製）

（ポリマーＡNo.３）
ポリエチレングリコール（重量平均分子量2000、和光純薬工業）10gを、重合容器に導入し、穏やかな窒素流の下で攪拌しながら80℃まで加熱した。ポリエチレングリコールを攪拌して80℃に保持しながら、酢酸ビニル36gを3時間かけて重合容器内に滴下し、それと同時に、tert-ブチルペルピバレート0.14gをメタノール5gに加えた溶液を、同様に、3時間かけて重合容器内に滴下した。これらの添加が終了した後、80℃で混合物を2時間攪拌した。冷却後、得られたポリマーをメタノール100mlに溶解させた。加水分解するために、30℃において濃度10質量％のメタノール性水酸化ナトリウム溶液を15ml、重合容器内に添加した。約40分後、濃度10質量％の酢酸を22.5ml、重合容器内に添加することによって反応を停止させた。得られた溶液を減圧蒸留して溶液からメタノールを除去した。次に、得られた溶液について3日間透析（ヴィスキングチューブ、分画分子量12,000〜14,000、日本メディカルサイエンス）を行った。その後凍結乾燥を行い、無色の粉末で、ＮＭＲよる分析結果から算出したＰＥＧとＰＶＡの重合度の比が１対１．８のポリビニルアルコール・ポリエチレングリコール・グラフトコポリマーを得た。

（ポリマーＡNo.４）
ポリエチレングリコール（重量平均分子量1000、和光純薬工業）10gを、重合容器に導入し、穏やかな窒素流の下で攪拌しながら80℃ まで加熱した。ポリエチレングリコールを攪拌して80℃ に保持しながら、酢酸ビニル60gを3時間かけて重合容器内に滴下し、それと同時に、tert-ブチルペルピバレート0.24gをメタノール5gに加えた溶液を、同様に、3時間かけて重合容器内に滴下した。これらの添加が終了した後、80℃で混合物を2時間攪拌した。冷却後、得られたポリマーをメタノール100mlに溶解させた。加水分解するために、30℃において濃度10質量％のメタノール性水酸化ナトリウム溶液を15ml、重合容器内に添加した。約40分後、濃度10質量％の酢酸を22.5ml、重合容器内に添加することによって反応を停止させた。得られた溶液を減圧蒸留して溶液からメタノールを除去した。次に、得られた溶液について3日間透析（ヴィスキングチューブ、分画分子量12,000〜14,000、日本メディカルサイエンス）を行った。その後凍結乾燥を行い、無色の粉末で、ＮＭＲより算出したＰＥＧとＰＶＡの重合度の比が１対３のポリビニルアルコール・ポリエチレングリコール・グラフトコポリマーを得た。

（ポリマーＡNo.５）
ポリエチレングリコール（重量平均分子量1000、和光純薬工業）10gを、重合容器に導入し、穏やかな窒素流の下で攪拌しながら80℃ まで加熱した。ポリエチレングリコールを攪拌して80℃ に保持しながら、酢酸ビニル140gを3時間かけて重合容器内に滴下し、それと同時に、tert-ブチルペルピバレート0.56gをメタノール5gに加えた溶液を、同様に、3時間かけて重合容器内に滴下した。これらの添加が終了した後、80℃で混合物を2時間攪拌した。冷却後、得られたポリマーをメタノール100mlに溶解させた。加水分解するために、30℃において濃度10質量％のメタノール性水酸化ナトリウム溶液を15ml、重合容器内に添加した。約40分後、濃度10質量％の酢酸を22.5ml、重合容器内に添加することによって反応を停止させた。得られた溶液を減圧蒸留して溶液からメタノールを除去した。次に、得られた溶液について3日間透析（ヴィスキングチューブ、分画分子量12,000〜14,000、日本メディカルサイエンス）を行った。その後凍結乾燥を行い、無色の粉末で、ＮＭＲより算出したＰＥＧとＰＶＡの重合度の比が１対７のポリビニルアルコール・ポリエチレングリコール・グラフトコポリマーを得た。

（ポリマーＡNo.６）
ポリビニルアルコール・ポリエチレングリコール・グラフトコポリマー（商品名：Kollicoat IR、重量平均分子量２６５００、BASF社製）

（ポリマーＡNo.７）
ポリエチレングリコール（重量平均分子量6000、和光純薬工業）10gを、重合容器に導入し、穏やかな窒素流の下で攪拌しながら80℃ まで加熱した。ポリエチレングリコールを攪拌して80℃ に保持しながら、酢酸ビニル86gを3時間かけて重合容器内に滴下し、それと同時に、tert-ブチルペルピバレート0.34gをメタノール5gに加えた溶液を、同様に、3時間かけて重合容器内に滴下した。これらの添加が終了した後、80℃で混合物を2時間攪拌した。冷却後、得られたポリマーをメタノール100mlに溶解させた。加水分解するために、30℃において濃度10質量％のメタノール性水酸化ナトリウム溶液を15ml、重合容器内に添加した。約40分後、濃度10質量％の酢酸を22.5ml、重合容器内に添加することによって反応を停止させた。得られた溶液を減圧蒸留して溶液からメタノールを除去した。次に、得られた溶液について3日間透析（ヴィスキングチューブ、分画分子量12,000〜14,000、日本メディカルサイエンス）を行った。その後凍結乾燥を行い、無色の粉末で、ＮＭＲより算出したＰＥＧとＰＶＡの重合度の比が１対４．３のポリビニルアルコール・ポリエチレングリコール・グラフトコポリマーを得た。

（ポリマーＡNo.８）
ポリエチレングリコール（重量平均分子量20000、和光純薬工業）10gを、重合容器に導入し、穏やかな窒素流の下で攪拌しながら80℃まで加熱した。ポリエチレングリコールを攪拌して80℃ に保持しながら、酢酸ビニル22gを3時間かけて重合容器内に滴下し、それと同時に、tert-ブチルペルピバレート0.09gをメタノール5gに加えた溶液を、同様に、3時間かけて重合容器内に滴下した。これらの添加が終了した後、80℃で混合物を2時間攪拌した。冷却後、得られたポリマーをメタノール100mlに溶解させた。加水分解するために、30℃において濃度10質量％のメタノール性水酸化ナトリウム溶液を15ml、重合容器内に添加した。約40分後、濃度10質量％の酢酸を22.5ml、重合容器内に添加することによって反応を停止させた。得られた溶液を減圧蒸留して溶液からメタノールを除去した。次に、得られた溶液について3日間透析（ヴィスキングチューブ、分画分子量12,000〜14,000、日本メディカルサイエンス）を行った。その後凍結乾燥を行い、無色の粉末で、ＮＭＲより算出したＰＥＧとＰＶＡの重合度の比が１対１．１のポリビニルアルコール・ポリエチレングリコール・グラフトコポリマーを得た。

（ポリマーＡNo.９）
ポリエチレングリコール（重量平均分子量20000、和光純薬工業）10gを、重合容器に導入し、穏やかな窒素流の下で攪拌しながら80℃ まで加熱した。ポリエチレングリコールを攪拌して80℃ に保持しながら、酢酸ビニル60gを3時間かけて重合容器内に滴下し、それと同時に、tert-ブチルペルピバレート0.24gをメタノール5gに加えた溶液を、同様に、3時間かけて重合容器内に滴下した。これらの添加が終了した後、80℃で混合物を2時間攪拌した。冷却後、得られたポリマーをメタノール100mlに溶解させた。加水分解するために、30℃において濃度10質量％のメタノール性水酸化ナトリウム溶液を15ml、重合容器内に添加した。約40分後、濃度10質量％の酢酸を22.5ml、重合容器内に添加することによって反応を停止させた。得られた溶液を減圧蒸留して溶液からメタノールを除去した。次に、得られた溶液について3日間透析（ヴィスキングチューブ、分画分子量12,000〜14,000、日本メディカルサイエンス）を行った。その後凍結乾燥を行い、無色の粉末で、ＮＭＲより算出したＰＥＧとＰＶＡの重合度の比が１対３のポリビニルアルコール・ポリエチレングリコール・グラフトコポリマーを得た。

（ポリマーＡNo.10）
ポリエチレングリコール（重量平均分子量20000、和光純薬工業）10gを、重合容器に導入し、穏やかな窒素流の下で攪拌しながら80℃ まで加熱した。ポリエチレングリコールを攪拌して80℃ に保持しながら、酢酸ビニル80gを3時間かけて重合容器内に滴下し、それと同時に、tert-ブチルペルピバレート0.32gをメタノール5gに加えた溶液を、同様に、3時間かけて重合容器内に滴下した。これらの添加が終了した後、80℃で混合物を2時間攪拌した。冷却後、得られたポリマーをメタノール100mlに溶解させた。加水分解するために、30℃において濃度10質量％のメタノール性水酸化ナトリウム溶液を15ml、重合容器内に添加した。約40分後、濃度10質量％の酢酸を22.5ml、重合容器内に添加することによって反応を停止させた。得られた溶液を減圧蒸留して溶液からメタノールを除去した。次に、得られた溶液について3日間透析（ヴィスキングチューブ、分画分子量12,000〜14,000、日本メディカルサイエンス）を行った。その後凍結乾燥を行い、無色の粉末で、ＮＭＲより算出したＰＥＧとＰＶＡの重合度の比が１対４のポリビニルアルコール・ポリエチレングリコール・グラフトコポリマーを得た。

（ポリマーＡNo.11）
ポリエチレングリコール（重量平均分子量20000、和光純薬工業）10gを、重合容器に導入し、穏やかな窒素流の下で攪拌しながら80℃ まで加熱した。ポリエチレングリコールを攪拌して80℃ に保持しながら、酢酸ビニル156gを3時間かけて重合容器内に滴下し、それと同時に、tert-ブチルペルピバレート0.62gをメタノール5gに加えた溶液を、同様に、3時間かけて重合容器内に滴下した。これらの添加が終了した後、80℃で混合物を2時間攪拌した。冷却後、得られたポリマーをメタノール100mlに溶解させた。加水分解するために、30℃において濃度10質量％のメタノール性水酸化ナトリウム溶液を15ml、重合容器内に添加した。約40分後、濃度10質量％の酢酸を22.5ml、重合容器内に添加することによって反応を停止させた。得られた溶液を減圧蒸留して溶液からメタノールを除去した。次に、得られた溶液について3日間透析（ヴィスキングチューブ、分画分子量12,000〜14,000、日本メディカルサイエンス）を行った。その後凍結乾燥を行い、無色の粉末で、ＮＭＲより算出したＰＥＧとＰＶＡの重合度の比が１対７．８のポリビニルアルコール・ポリエチレングリコール・グラフトコポリマーを得た。

（ポリマーＡNo.12）
ポリエチレングリコール（重量平均分子量40000、和光純薬工業）10gを、重合容器に導入し、穏やかな窒素流の下で攪拌しながら80℃ まで加熱した。ポリエチレングリコールを攪拌して80℃ に保持しながら、酢酸ビニル80gを3時間かけて重合容器内に滴下し、それと同時に、tert-ブチルペルピバレート0.32gをメタノール5gに加えた溶液を、同様に、3時間かけて重合容器内に滴下した。これらの添加が終了した後、80℃で混合物を2時間攪拌した。冷却後、得られたポリマーをメタノール100mlに溶解させた。加水分解するために、30℃において濃度10質量％のメタノール性水酸化ナトリウム溶液を15ml、重合容器内に添加した。約40分後、濃度10質量％の酢酸を22.5ml、重合容器内に添加することによって反応を停止させた。得られた溶液を減圧蒸留して溶液からメタノールを除去した。次に、得られた溶液について3日間透析（ヴィスキングチューブ、分画分子量12,000〜14,000、日本メディカルサイエンス）を行った。その後凍結乾燥を行い、無色の粉末で、ＮＭＲより算出したＰＥＧとＰＶＡの重合度の比が１対４のポリビニルアルコール・ポリエチレングリコール・グラフトコポリマーを得た。

（ポリマーＡNo.13）
ポリエチレングリコール（重量平均分子量80000、明成化学工業）10gを、重合容器に導入し、穏やかな窒素流の下で攪拌しながら80℃ まで加熱した。ポリエチレングリコールを攪拌して80℃ に保持しながら、酢酸ビニル80gを3時間かけて重合容器内に滴下し、それと同時に、tert-ブチルペルピバレート0.32gをメタノール5gに加えた溶液を、同様に、3時間かけて重合容器内に滴下した。これらの添加が終了した後、80℃で混合物を2時間攪拌した。冷却後、得られたポリマーをメタノール100mlに溶解させた。加水分解するために、30℃において濃度10質量％のメタノール性水酸化ナトリウム溶液を15ml、重合容器内に添加した。約40分後、濃度10質量％の酢酸を22.5ml、重合容器内に添加することによって反応を停止させた。得られた溶液を減圧蒸留して溶液からメタノールを除去した。次に、得られた溶液について3日間透析（ヴィスキングチューブ、分画分子量12,000〜14,000、日本メディカルサイエンス）を行った。その後凍結乾燥を行い、無色の粉末で、ＮＭＲより算出したＰＥＧとＰＶＡの重合度の比が１対４のポリビニルアルコール・ポリエチレングリコール・グラフトコポリマーを得た。

（ポリマーＡNo.14）
ポリエチレングリコール（重量平均分子量6000、和光純薬工業）20gを、重合容器に導入し、穏やかな窒素流の下で攪拌しながら80℃ まで加熱した。ポリエチレングリコールを攪拌して80℃に保持しながら、酢酸ビニル20gを3時間かけて重合容器内に滴下し、それと同時に、tert-ブチルペルピバレート0.08gをメタノール1gに加えた溶液を、同様に、3時間かけて重合容器内に滴下した。これらの添加が終了した後、80℃で混合物を2時間攪拌した。冷却後、得られたポリマーをメタノール100mlに溶解させた。加水分解するために、30℃において濃度10質量％のメタノール性水酸化ナトリウム溶液を15ml、重合容器内に添加した。約40分後、濃度10質量％の酢酸を22.5ml、重合容器内に添加することによって反応を停止させた。得られた溶液を減圧蒸留して溶液からメタノールを除去した。次に、得られた溶液について3日間透析（ヴィスキングチューブ、分画分子量12,000〜14,000、日本メディカルサイエンス）を行った。その後凍結乾燥を行い、無色の粉末で、ＮＭＲより算出したＰＥＧとＰＶＡの重合度の比が１対０．５のポリビニルアルコール・ポリエチレングリコール・グラフトコポリマーを得た。

（ポリマーＡNo.15）
ポリエチレングリコール（重量平均分子量80000、明成化学工業）20gを、重合容器に導入し、穏やかな窒素流の下で攪拌しながら80℃ まで加熱した。ポリエチレングリコールを攪拌して80℃に保持しながら、酢酸ビニル20gを3時間かけて重合容器内に滴下し、それと同時に、tert-ブチルペルピバレート0.08gをメタノール1gに加えた溶液を、同様に、3時間かけて重合容器内に滴下した。これらの添加が終了した後、80℃で混合物を2時間攪拌した。冷却後、得られたポリマーをメタノール100mlに溶解させた。加水分解するために、30℃において濃度10質量％のメタノール性水酸化ナトリウム溶液を15ml、重合容器内に添加した。約40分後、濃度10質量％の酢酸を22.5ml、重合容器内に添加することによって反応を停止させた。得られた溶液を減圧蒸留して溶液からメタノールを除去した。次に、得られた溶液について3日間透析（ヴィスキングチューブ、分画分子量12,000〜14,000、日本メディカルサイエンス）を行った。その後凍結乾燥を行い、無色の粉末で、ＮＭＲより算出したＰＥＧとＰＶＡの重合度の比が１対０．５のポリビニルアルコール・ポリエチレングリコール・グラフトコポリマーを得た。

（ポリマーＡNo.16）
ヒドロキシエチルセルロース（商品名CF-V、重量平均分子量80万、住友精化社製）
（ポリマーＡNo.17）
ヒドロキシエチルセルロース（商品名SE400、重量平均分子量25万、ダイセル社製）
（ポリマーＡNo.18、ポリマーＢ）
ポリエチレングリコール（重量平均分子量６０００：和光純薬社製）
（ポリマーＡNo.19）
ポリビニルアルコール（商品名：ＰＶＡ１０５、重量平均分子量４３０００、クラレ社製）

ポリマーＡＮｏ．１は、ポリグリシドールであり、前記一般式（１）中、Ｒ¹は結合手であり、Ｒ²、Ｒ³、及びＲ⁴はＨ（水素原子）であり、及びＲ⁵は―ＣＨ₂ＯＨである。

ポリマーＡＮｏ．２は、ポリグリセリンであり、前記式（１）中、Ｒ¹は、メチレン基（―ＣＨ₂―）であり、Ｒ²は―ＯＨ（水酸基）であり、Ｒ³、Ｒ⁴、及びＲ⁵はＨ（水素原子）である。

ポリマーＡＮｏ．3〜15は、ポリエチレングリコールを主鎖とし、ポリビニルアルコールを側鎖とする、ポリビニルアルコール・ポリエチレングリコール・グラフトコポリマーである。ポリマーＡＮｏ．3〜15は、前記一般式（１）中、Ｒ¹が結合手であり、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵が、それぞれ独立して、Ｈ（水素原子）又はポリビニルアルコールであり、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵が同時に水素原子とはならない構成単位IIIとエチレングリコールに由来する構成単位IVとを含む。

〈ポリマーＡの溶解度〉
上記ポリマーＡＮｏ.1〜19の、２０℃の水に対する溶解度は、いずれも２ｇ／１００ｍｌ以上であった。

〈重合平均分子量の測定〉
ポリマーＡＮｏ．1〜19の重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（GPC）法を下記の条件で適用して得たクロマトグラム中のピークに基づき算出した。
装置：HLC-8320 GPC(東ソー株式会社、検出器一体型)
カラム：GMPWXL+GMPWXL（アニオン）
溶離液：0.2Mリン酸バッファー／CH₃CN＝９／１
流量：0.5ml/min
カラム温度：40℃
検出器：RI 検出器
標準物質：ポリエチレングリコール

＜比（水酸基由来の酸素原子数/ポリオキシアルキレン由来の酸素原子数）＞
ポリマーＡがポリビニルアルコール・ポリエチレングリコール・グラフトコポリマーである場合、比（水酸基由来の酸素原子数/ポリオキシアルキレン由来の酸素原子数）は１ＨＮＭＲによって算出した。具体的には、ポリマー主鎖のアルキレンオキシド部位のエチレンの積分比からポリオキシアルキレン由来の酸素原子数を算出し、側鎖のポリビニルアルコール部位のエチレンの積分比から水酸基由来の酸素原子数を算出し、これらの値をもって比（水酸基由来の酸素原子数/ポリオキシアルキレン由来の酸素原子数）を算出した。ポリマーＡが、ポリグリシドール及びポリグリセリンの場合は、その構造から、比（水酸基由来の酸素原子数/ポリオキシアルキレン由来の酸素原子数）はほぼ１となる。

＜研磨材（シリカ粒子）の平均一次粒子径＞
研磨材の平均一次粒子径（ｎｍ）は、ＢＥＴ（窒素吸着）法によって算出される比表面積Ｓ（ｍ²／ｇ）を用いて下記式で算出した。
平均一次粒子径（ｎｍ）＝２７２７／Ｓ

研磨材の比表面積は、下記の［前処理］をした後、測定サンプル約０．１ｇを測定セルに小数点以下４桁まで精量し、比表面積の測定直前に１１０℃の雰囲気下で３０分間乾燥した後、比表面積測定装置（マイクロメリティック自動比表面積測定装置フローソーブＩＩＩ２３０５、島津製作所製）を用いて窒素吸着法（ＢＥＴ法）により測定した。

［前処理］
（ａ）スラリー状の研磨材を硝酸水溶液でｐＨ２．５±０．１に調整する。
（ｂ）ｐＨ２．５±０．１に調整されたスラリー状の研磨材をシャーレにとり１５０℃の熱風乾燥機内で１時間乾燥させる。
（ｃ）乾燥後、得られた試料をメノウ乳鉢で細かく粉砕する。
（ｄ）粉砕された試料を４０℃のイオン交換水に懸濁させ、孔径１μｍのメンブランフィルターで濾過する。
（ｅ）フィルター上の濾過物を２０ｇのイオン交換水（４０℃）で５回洗浄する。
（ｆ）濾過物が付着したフィルターをシャーレにとり、１１０℃の雰囲気下で４時間乾燥させる。
（ｇ）乾燥した濾過物（砥粒）をフィルター屑が混入しないようにとり、乳鉢で細かく粉砕して測定サンプルを得た。

＜研磨材（シリカ粒子）の平均二次粒子径＞
研磨材の平均二次粒子径（ｎｍ）は、研磨材の濃度が０．２５質量％となるように研磨材をイオン交換水に添加した後、得られた水溶液をＤｉｓｐｏｓａｂｌｅＳｉｚｉｎｇＣｕｖｅｔｔｅ（ポリスチレン製１０ｍｍセル）に下底からの高さ１０ｍｍまで入れ、動的光散乱法（装置名：ゼータサイザーＮａｎｏＺＳ、シスメックス（株）製）を用い
て測定した。

（１）研磨液組成物の調製
シリカ粒子（コロイダルシリカ、平均一次粒子径３５ｎｍ、平均二次粒子径７０ｎｍ、会合度２）、水溶性高分子（ポリマーＡ）、28質量％アンモニア水（キシダ化学（株）試薬特級）、イオン交換水、必要に応じてポリマーＢを攪拌混合して、実施例１〜１７、及び比較例１〜１１の研磨液組成物（いずれも濃縮液、pH10.6±0.1（25℃））を得た。シリカ粒子、水溶性高分子（ポリマーＡ）、アンモニア、及びポリマーＢを除いた残余はイオン交換水である。尚、表１における各成分の含有量は、濃縮液を４０倍に希釈して得た研磨液組成物についての値であり、シリカ粒子の含有量は、ＳｉＯ₂換算濃度である。

（２）研磨方法
研磨液組成物（濃縮液）をイオン交換水で40倍に希釈して得た研磨液組成物（pH10.6±0.1（25℃））を研磨直前にフィルター（コンパクトカートリッジフィルター MCP−LX−C10S アドバンテック株式会社）にてろ過を行い、下記の研磨条件で下記のシリコンウェーハ（直径２００ｍｍのシリコン片面鏡面ウェーハ（伝導型：Ｐ、結晶方位：１００、抵抗率０．１Ω・ｃｍ以上１００Ω・ｃｍ未満）に対して仕上げ研磨を行った。当該仕上げ研磨に先立ってシリコンウェーハに対して市販の研磨液組成物を用いてあらかじめ粗研磨を実施した。粗研磨を終了し仕上げ研磨に供したシリコンウェーハの表面粗さ（ヘイズ）は、2.680ppmであった。表面粗さ（ヘイズ）は、KLA Tencor社製のSurfscan SP1−DLS（商品名）を用いて測定される暗視野ワイド斜入射チャンネル（DWO）での値である。

<仕上げ研磨条件>
研磨機：片面8インチ研磨機GRIND-X SPP600s（岡本工作製）
研磨パッド：スエードパッド（東レコーテックス社製アスカー硬度64 厚さ 1.37mm ナップ長450um 開口径60um）
シリコンウェーハ研磨圧力：１００ｇ/ｃｍ²
定盤回転速度：６０ｒｐｍ
研磨時間：５分
研磨液組成物の供給速度：150ｇ/ｃｍ²
研磨液組成物の温度：２３℃
キャリア回転速度：６０ｒｐｍ

仕上げ研磨後、シリコンウェーハに対して、オゾン洗浄と希フッ酸洗浄を下記のとおり行った。オゾン洗浄では、20ppmのオゾンを含んだ水溶液をノズルから流速1L/minで600rpmで回転するシリコンウェーハの中央に向かって3分間噴射した。このときオゾン水の温度は常温とした。次に希フッ酸洗浄を行った。希フッ酸洗浄では、0.5質量％のフッ化水素アンモニウム（特級:ナカライテクス株式会社）を含んだ水溶液をノズルから流速1L/minで600rpmで回転するシリコンウェーハの中央に向かって6秒間噴射した。上記オゾン洗浄と希フッ酸洗浄を1セットとして計2セット行い、最後にスピン乾燥を行った。スピン乾燥では1500rpmでシリコンウェーハを回転させた。

＜シリコンウェーハの表面粗さ（ヘイズ）及び表面欠陥（ＬＰＤ）の評価＞
洗浄後のシリコンウェーハ表面の表面粗さ（ヘイズ）(ppm)の評価には、KLA Tencor社製のSurfscan SP1−DLS（商品名）を用いて測定される、暗視野ワイド斜入射チャンネル（ＤＷＯ）での値を用いた。また、表面欠陥（ＬＰＤ）(個)は、Ｈａｚｅ測定時に同時に測定され、シリコンウェーハ表面の粒子径が４５ｎｍ以上のパーティクル数を測定することによって評価した。Ｈａｚｅの数値は小さいほど表面の平坦性が高いことを示す。また、ＬＰＤの数値（パーティクル数）が小さいほど表面欠陥が少ないことを示す。表面粗さ（ヘイズ）及び表面欠陥（ＬＰＤ）の結果を表１に示した。表面粗さ（ヘイズ）及び表面欠陥（ＬＰＤ）の測定は、各々２枚のシリコンウェーハに対して行い、各々平均値を表１に示した。

＜濡れ性の評価＞
仕上げ研磨直後のシリコンウェーハ（直径２００ｍｍ）鏡面の親水化部（濡れている部分）の面積を目視により観察し、下記の評価基準に従って濡れ性を評価し、その結果を表１に示した。
（評価基準）
Ａ：濡れ部分面積の割合が９５以上
Ｂ：濡れ部分面積の割合が９０％以上９５％未満
Ｃ：濡れ部分面積の割合が５０％以上９０％未満
Ｄ：濡れ部分面積の割合が５０％未満

＜分散粒径の評価＞
研磨液組成物（濃縮液）をイオン交換水で40倍に希釈して得た研磨液組成物（pH10.6±0.1（25℃））を用いて、研磨液組成物中のシリカ粒子の分散粒径の測定を行った。分散粒径測定に使用する粒径測定装置として、光子相関法（動的光散乱法）の原理に基づいているシスメックス社製の粒度分布測定機「ゼータサイザーナノＺＳ」を使用した。前記研磨液組成物を測定液としてＤｉｓｐｏｓａｂｌｅＳｉｚｉｎｇＣｕｖｅｔｔｅ（ポリスチレン製１０ｍｍセル）に１．２ｍＬ採取し、測定部に入れて、分散粒径として体積中位粒径（Ｄ５０）を測定した。この結果を下記表１に示した。Ｄ５０の値が小さいほど、シリカ粒子の分散性は良好である。

＜腐食量の評価＞
４０×４０ｍｍ角にカットしたシリコンウェーハを、１質量％希フッ酸水溶液に２分浸漬させ酸化膜を除去した後、イオン交換水に瞬時浸漬し、リンスし、エアブロー乾燥した。次いでシリコンウェーハをプラスチック容器に入れ、当該プラスチック容器に研磨液組成物２０ｇを加えて蓋をした。シリコンウェーハを、研磨液組成物に４０℃で２４時間浸漬した後、イオン交換水に瞬時浸漬し、リンスし、エアブロー乾燥した。エアブロー乾燥されたシリコンウェーハの研磨液組成物への浸漬前後での重量減少量を腐食量とした。

表１に示されるように、実施例１〜１７の研磨液組成物を用いることで、比較例１〜１１の研磨液組成物を用いた場合に比べて、表面粗さ（ヘイズ）の低減と表面欠陥（ＬＰＤ）の低減の両立が可能になった。

本発明の研磨液組成物を用いれば、シリコンウェーハの、表面粗さ（ヘイズ）の低減と表面欠陥（ＬＰＤ）の低減とを両立できる。よって、本発明の研磨液組成物は、様々な半導体基板の製造過程で用いられる研磨液組成物として有用であり、なかでも、シリコンウェーハの仕上げ研磨用の研磨液組成物として有用である。

Claims

シリカ粒子を０．０１〜０．５質量％と、含窒素塩基性化合物と、水溶性高分子とを含み、前記水溶性高分子は、下記一般式（１）で表される構成単位を含み、前記水溶性高分子において、水酸基由来の酸素原子数とポリオキシアルキレン由来の酸素原子数の比（水酸基由来の酸素原子数/ポリオキシアルキレン由来の酸素原子数）が、０．８〜１０である、シリコンウェーハ用研磨液組成物。

但し、上記一般式（１）中、Ｒ¹は、メチレン基（―ＣＨ₂―）又は結合手であり、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵は、それぞれ独立して、Ｈ（水素原子）、―ＯＨ（水酸基）、―ＣＨ₂ＯＨ、又はポリビニルアルコールであるが、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵が各々すべて同時にはＨ（水素原子）、―ＯＨ（水酸基）、又は―ＣＨ₂ＯＨとはならない。
前記水溶性高分子が、ポリビニルアルコール・ポリエチレングリコール・グラフトコポリマーである、請求項１に記載のシリコンウェーハ用研磨液組成物。
前記ポリビニルアルコール・ポリエチレングリコール・グラフトコポリマーの重量平均分子量が、１万以上１５万以下である、請求項２に記載のシリコンウェーハ用研磨液組成物。
前記水溶性高分子が、ポリグリシドール及び／又はポリグシドール誘導体である、請求項１に記載のシリコンウェーハ用研磨液組成物。
前記ポリグリシドール及びポリグシドール誘導体の重量平均分子量が、３０００以上１５万以下である、請求項４に記載のシリコンウェーハ用研磨液組成物。
前記水溶性高分子が、ポリグリセリン及び／又はポリグリセリン誘導体である、請求項１に記載のシリコンウェーハ用研磨液組成物。
前記ポリグリセリン及びポリグリセリン誘導体の重量平均分子量が、５００以上５万以下である、請求項６に記載のシリコンウェーハ用研磨液組成物。
前記シリカ粒子と前記水溶性高分子の質量比（前記シリカ粒子の質量/前記水溶性高分子の質量）が１〜３８である請求項１〜７のいずれかの項に記載のシリコンウェーハ用研磨液組成物。
請求項１〜８のいずれかの項に記載のシリコンウェーハ用研磨液組成物を用いてシリコンウェーハを研磨する研磨工程を含むシリコンウェーハの研磨方法。
請求項１〜８のいずれかの項に記載のシリコンウェーハ用研磨液組成物を用いてシリコンウェーハを研磨する研磨工程を含む、半導体基板の製造方法。