TW202227567A - 矽基板用研磨液組合物 - Google Patents

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Abstract

本發明於一態樣中提供一種能夠兼顧研磨速度之提高與濃縮物之保存穩定性之矽基板用研磨液組合物。 本發明於一態樣中係關於一種矽基板用研磨液組合物，其含有下述成分A及下述成分B，且pH值超過8.5且為14以下。 成分A：二氧化矽粒子 成分B：pKa為5以上且8.5以下之含胺基之水溶性高分子

Description

矽基板用研磨液組合物
本發明係關於一種矽基板用研磨液組合物、以及使用其之研磨方法、半導體基板之製造方法。
作為用於製造半導體基板之矽基板之研磨所使用之研磨液組合物，已知有含有二氧化矽粒子之研磨液組合物。於此種研磨液組合物中，因二氧化矽粒子之凝集而導致矽基板之表面產生缺陷(LPD：Light point defects，光點缺陷)或為了將凝集物去除而對研磨液組合物進行過濾之情形時之過濾器堵塞成為問題(例如，參照日本專利特開2008-53415號公報)。又，已知有為了提高研磨速度而包含水溶性高分子化合物之研磨液組合物(參照日本專利特開2007-19093號公報、日本專利特開平11-116942號公報)。
於日本專利特開2008-53415號公報中，為了減少LPD，提出一種含有選自聚乙烯基吡咯啶酮及聚N-乙烯基甲醯胺中之至少一種水溶性高分子與鹼之研磨液組合物。 於日本專利特開2007-19093號公報中提出一種包含聚伸乙基亞胺等包含含氮基之水溶性高分子化合物的研磨液組合物。 於日本專利特開平11-116942號公報中，為了提高研磨速度及提高研磨對象物之表面之潤濕性，提出一種包含羥乙基纖維素(HEC)之研磨液組合物。
本發明於一態樣中係關於一種矽基板用研磨液組合物，其含有下述成分A及下述成分B，且pH值超過8.5且為14以下。 成分A：二氧化矽粒子 成分B：pKa為5以上且8.5以下之含胺基之水溶性高分子
本發明於一態樣中係關於一種矽基板之研磨方法，其包含使用本發明之研磨液組合物對被研磨矽基板進行研磨之步驟。
本發明於一態樣中係關於一種半導體基板之製造方法，其包含：使用本發明之研磨液組合物對被研磨矽基板進行研磨之步驟；及將經研磨之矽基板洗淨之步驟。
然而，於使用日本專利特開2008-53415號公報之研磨液組合物之研磨中，研磨速度不可謂充分。 使用日本專利特開2007-19093號公報之研磨液組合物存在二氧化矽粒子因包含含氮基之水溶性高分子化合物而凝集，從而會產生刮痕等矽基板之表面狀態變差之問題。 使用日本專利特開平11-116942號公報之包含HEC之研磨液組合物容易產生二氧化矽粒子之凝集物，即便對研磨液組合物進行過濾，亦會立刻產生過濾器堵塞，故而存在無法於將要研磨前對研磨液組合物進行過濾之問題。 進而，通常，研磨液組合物係以濃縮物之狀態保管、運輸，亦要求濃縮物之狀態下之保存穩定性。
本發明提供一種可兼顧研磨速度之提高與濃縮物之保存穩定性之矽基板用研磨液組合物、及使用其之矽基板之研磨方法以及半導體基板之製造方法。
本發明基於如下見解：藉由使用含有二氧化矽粒子及pKa為5以上且8.5以下之含胺基之水溶性高分子，且pH值超過8.5且為14以下之矽基板用研磨液組合物，可對矽基板進行高速研磨且濃縮物之保存穩定性優異。
即，本發明於一態樣中係關於一種矽基板用研磨液組合物(以下，亦稱為「本發明之研磨液組合物」)，其含有下述成分A及下述成分B，且pH值超過8.5且為14以下。 成分A：二氧化矽粒子 成分B：pKa為5以上且8.5以下之含胺基之水溶性高分子
根據本發明，於一個或複數個實施方式中，可提供一種可兼顧研磨速度之提高與濃縮物之保存穩定性之矽基板用研磨液組合物。
本發明之效果表現機制之詳細內容雖不明確，但推測如下。 於pH值超過8.5且為14以下之鹼性研磨條件下，二氧化矽研磨粒、被研磨矽基板均具有負電荷，始終產生靜電排斥力。為了提高研磨速度，有效的是緩和該靜電斥力，藉由陽離子性之物質雖能夠緩和兩表面之負電荷，但會導致產生如下新的課題：產生二氧化矽粒子間之凝集而導致研磨液組合物之保存穩定性、尤其是研磨液組合物之濃縮物之保存穩定性降低。 因此，著眼於具有胺基之水溶性高分子，結果，具有小於研磨劑組合物之pH值之pKa的含胺基之水溶性高分子(成分B)之陽離子性較低，認為相較於與胺基之靜電相互作用而言，係以作為主要原因之分子整體之凡得瓦耳力吸附於二氧化矽粒子(成分A)或被研磨矽基板。因此認為可適度緩和二氧化矽粒子(成分A)與被研磨矽基板間之靜電排斥力，抑制二氧化矽粒子之凝集，從而兼顧研磨速度之提高與保存穩定性。 但是，本發明亦可不限定解釋為該等機制。
[被研磨矽基板] 本發明之研磨液組合物係矽基板用研磨組合物，例如可用於半導體基板之製造方法中之對被研磨矽基板進行研磨之研磨步驟、或矽基板之研磨方法中之對被研磨矽基板進行研磨之研磨步驟。作為使用本發明之研磨液組合物進行研磨之被研磨矽基板，於一個或複數個實施方式中可例舉矽基板等，於一個或複數個實施方式中，可例舉單晶矽基板、多晶矽基板、具有多晶矽膜之基板、SiN基板等，就發揮本發明之研磨液組合物之效果之觀點而言，較佳為單晶矽基板或多晶矽基板，更佳為單晶矽基板。
[二氧化矽粒子(成分A)] 本發明之研磨液組合物含有二氧化矽粒子(以下，亦稱為「成分A」)作為研磨材。作為成分A，可例舉：膠體二氧化矽、薰製二氧化矽、粉碎二氧化矽或對其等進行表面改質所得之二氧化矽等；就兼顧研磨速度之提高與保存穩定性之觀點、及減少表面粗糙度(霧度)、表面缺陷及刮痕等提高表面品質之觀點而言，較佳為膠體二氧化矽。成分A可為1種，亦可為2種以上之組合。
作為成分A之使用形態，就操作性之觀點而言，較佳為漿料狀。於本發明之研磨液組合物中所包含之成分A為膠體二氧化矽之情形時，就防止因鹼金屬或鹼土金屬等產生矽基板之污染之觀點而言，膠體二氧化矽較佳為自烷氧基矽烷之水解物獲得者。自烷氧基矽烷之水解物獲得之二氧化矽粒子可藉由先前以來公知之方法製作。
就維持研磨速度之觀點而言，成分A之平均一次粒徑較佳為10 nm以上，更佳為20 nm以上，進而較佳為30 nm以上，並且，就提高保存穩定性之觀點、及減少表面粗糙度(霧度)、表面缺陷及刮痕等提高表面品質之觀點而言，較佳為50 nm以下，更佳為45 nm以下，進而較佳為40 nm以下。就相同觀點而言，成分A之平均一次粒徑較佳為10 nm以上且50 nm以下，更佳為20 nm以上且45 nm以下，進而較佳為30 nm以上且40 nm以下。 於本發明中，成分A之平均一次粒徑係使用藉由氮吸附法(BET法)算出之比表面積S(m 2/g)而算出。平均一次粒徑之值係利用實施例所記載之方法所測得之值。
就維持研磨速度之觀點而言，成分A之平均二次粒徑較佳為20 nm以上，更佳為30 nm以上，進而較佳為40 nm以上，進而較佳為60 nm以上，就提高保存穩定性之觀點、及減少表面粗糙度(霧度)、表面缺陷及刮痕等提高表面品質之觀點而言，較佳為100 nm以下，更佳為90 nm以下，進而較佳為80 nm以下。就相同觀點而言，成分A之平均二次粒徑較佳為20 nm以上且100 nm以下，更佳為40 nm以上且90 nm以下，進而較佳為60 nm以上且80 nm以下。 於本發明中，平均二次粒徑係藉由動態光散射(DLS)法所測得之值，且係利用實施例所記載之方法所測得之值。
就提高保存穩定性之觀點、及提高表面品質之觀點而言，成分A之聚集度較佳為3以下，更佳為2.5以下，進而較佳為2.3以下，並且，就兼顧研磨速度之提高與保存穩定性之觀點、及提高表面品質之觀點而言，較佳為1.1以上，更佳為1.5以上，進而較佳為1.8以上。
於本發明中，成分A之聚集度係表示二氧化矽粒子之形狀之係數，係藉由下述式而算出。 聚集度＝平均二次粒徑/平均一次粒徑
作為成分A之聚集度之調整方法，例如可採用日本專利特開平6-254383號公報、日本專利特開平11-214338號公報、日本專利特開平11-60232號公報、日本專利特開2005-060217號公報、日本專利特開2005-060219號公報等所記載之方法。
就兼顧研磨速度之提高與保存穩定性之觀點、及提高表面品質之觀點而言，成分A之形狀較佳為所謂之球型及/或所謂之繭形。
就提高研磨速度之觀點而言，本發明之研磨液組合物中之成分A之含量以SiO 2換算計，較佳為0.01質量%以上，更佳為0.05質量%以上，進而較佳為0.07質量%以上，並且，就提高保存穩定性之觀點、及提高表面品質之觀點而言，較佳為2.5質量%以下，更佳為1質量%以下，進而更佳為0.8質量%以下。因此，本發明之研磨液組合物中之成分A之含量較佳為0.01質量%以上且2.5質量%以下，更佳為0.05質量%以上且1質量%以下，進而較佳為0.07質量%以上且0.8質量%以下。於成分A為2種以上之組合之情形時，成分A之含量係指其等之合計含量。 進而，於被研磨矽基板為單晶矽基板之情形時，就提高保存穩定性之觀點、及提高表面品質之觀點而言，本發明之研磨液組合物中之成分A之含量進而更佳為0.5質量%以下，進而更佳為0.3質量%以下，進而更佳為0.2質量%以下。因此，本發明之研磨液組合物中之成分A之含量進而更佳為0.07質量%以上且0.5質量%以下，進而更佳為0.07質量%以上且0.3質量%以下，進而更佳為0.07質量%以上且0.2質量%以下。 進而，於被研磨矽基板為多晶矽基板之情形時，就提高研磨速度之觀點而言，本發明之研磨液組合物中之成分A之含量進而更佳為0.1質量%以上，進而更佳為0.2質量%以上，進而更佳為0.3質量%以上。因此，本發明之研磨液組合物中之成分A之含量進而更佳為0.1質量%以上且0.8質量%以下，進而更佳為0.2質量%以上且0.8質量%以下，進而更佳為0.3質量%以上且0.8質量%以下。
[pKa為5以上且8.5以下之含胺基之水溶性高分子(成分B)] 本發明之研磨液組合物含有pKa為5以上且8.5以下之含胺基之水溶性高分子(以下，亦稱為「成分B」)。認為成分B能夠調整二氧化矽粒子(成分A)與被研磨矽基板之ζ電位，降低二氧化矽粒子(成分A)與被研磨矽基板間之靜電排斥力，並且抑制二氧化矽粒子之凝集。於本發明中，所謂「水溶性」，係指對水(20℃)具有0.5 g/100 mL以上之溶解度、較佳為2 g/100 mL以上之溶解度。
就提高研磨速度之觀點而言，成分B之pKa為5以上，較佳為5.5以上，更佳為5.9以上，進而較佳為6.3以上，並且，就提高表面品質之觀點而言，為8.5以下，較佳為8.3以下，更佳為8.1以下，進而較佳為8以下。 進而，於成分B為下述成分B1之情形時，就提高研磨速度之觀點而言，成分B之pKa進而較佳為6.5以上，並且，就提高表面品質之觀點而言，進而較佳為7.7以下，進而較佳為7.4以下，進而較佳為7.1以下。 進而，於成分B為下述成分B2之情形時，就提高研磨速度之觀點而言，成分B之pKa進而較佳為6.6以上，進而較佳為6.9以上，進而較佳為7.1以上，並且，就提高表面品質之觀點而言，進而較佳為7.8以下，進而較佳為7.6以下，進而較佳為7.4以下。
作為成分B，就兼顧研磨速度之提高與保存穩定性之觀點而言，較佳為包含源自選自烯丙基胺及二烯丙基胺中之1種以上單體之結構單元。就獲取性之觀點而言，於一個或複數個實施方式中，成分B較佳為包含源自烯丙基胺之結構單元之含胺基之水溶性高分子(以下，亦稱為「成分B1」)，於一個或複數個實施方式中，成分B較佳為包含源自二烯丙基胺之結構單元之含胺基之水溶性高分子(以下，亦稱為「成分B2」)。
(成分B1：包含源自烯丙基胺之結構單元之含胺基之水溶性高分子) 源自烯丙基胺之結構單元中之胺基之至少一部分於一個或複數個實施方式中，就兼顧研磨速度之提高與保存穩定性之觀點、及獲取性之觀點而言，較佳為具有位阻基。於本發明中，位阻基係指可遮蔽成分B之胺基之氮原子從而抑制陽離子化、即降低pKa之立體性(體積大)之取代基。就相同觀點而言，具有位阻基之胺基較佳為包含具有羥基之碳數3以上且11以下之烴基的二級胺基或三級胺基。就提高胺基之遮蔽性(抑制胺基之氮原子之陽離子化)之觀點、及兼顧研磨速度之提高與保存穩定性之觀點而言，烴基之碳數較佳為3以上，並且，就提高水溶性之觀點、及獲取性之觀點而言，較佳為11以下，更佳為7以下，進而較佳為5以下，進而更佳為4以下。
具有位阻基之胺基於一個或複數個實施方式中，係藉由針對胺基之去水甘油衍生物所得之修飾基，於一個或複數個實施方式中，係源自烯丙基胺之結構單元中之胺基與去水甘油衍生物反應而形成之基。成分B1之所有胺基中之至少一部分胺基經去水甘油衍生物改性而成為具有位阻基之胺基。就提高保存穩定性之觀點、及提高表面品質之觀點而言，相對於源自烯丙基胺之結構單元中之胺基數(1當量)的去水甘油衍生物之當量(以下，亦稱為「去水甘油改性率」)較佳為0.3以上，更佳為0.5以上，進而較佳為0.8以上，進而較佳為1以上，較佳為超過1.1，更佳為1.2以上，進而較佳為1.3以上，進而較佳為1.4以上，進而較佳為1.5以上，並且，就提高研磨速度之觀點而言，較佳為4以下，更佳為3以下，進而較佳為2.5以下，進而較佳為2以下，進而較佳為1.9以下，進而較佳為1.6以下。
於本發明中，去水甘油改性率係使用 13C-NMR(nuclear magnetic resonance，核磁共振)並藉由實施例所記載之方法所測得之值。但是，去水甘油改性率亦可藉由以下方法(1)或(2)進行測定。 (1)可根據反應原料所使用之烯丙基胺聚合物之胺基當量與去水甘油衍生物之莫耳數求出。 (2)可測定去水甘油衍生物與烯丙基胺聚合物之反應物之氮含量N(質量%)，並根據下述式求出。 去水甘油改性率＝A/B 此處，A＝(100－N×烯丙基胺單體之分子量/14)/去水甘油衍生物分子量，B＝N/14。
作為去水甘油衍生物，例如可例舉去水甘油、烷基縮水甘油醚等，就獲取性之觀點、及兼顧研磨速度之提高與保存穩定性之觀點而言，較佳為去水甘油。就獲取性之觀點而言，烷基縮水甘油醚之烷基較佳為碳數1～8之烷基，例如可例舉甲基、乙基、丙基、丁基、2-乙基己基等。作為烷基縮水甘油醚之具體例，可例舉甲基縮水甘油醚、2-乙基己基縮水甘油醚等。
作為成分B1，於一個或複數個實施方式中，可例舉至少一部分胺基具有位阻基之聚烯丙基胺，於一個或複數個實施方式中，可例舉聚烯丙基胺與去水甘油衍生物之反應物。
作為成分B1，於一個或複數個實施方式中，例如可例舉包含下述式(I)之結構單元之化合物(去水甘油改性聚烯丙基胺)。 [化1]
Figure 02_image001
式(I)中，R 1及R 2分別為氫原子或位阻基。作為位阻基，可例舉源自去水甘油衍生物之修飾基，於一個或複數個實施方式中，可例舉去水甘油之1莫耳加成體或2莫耳加成體，於一個或複數個實施方式中，可例舉-CH 2CH(OH)CH 2(OH)、-CH 2CH(OH)CH 2O-CH 2CH(OH)CH 2(OH)等。
(成分B2：包含源自二烯丙基胺之結構單元之含胺基之水溶性高分子) 源自二烯丙基胺之結構單元中之胺基之至少一部分於一個或複數個實施方式中，就兼顧研磨速度之提高與保存穩定性之觀點而言，較佳為於胺基之β位或γ位具有拉電子基。作為拉電子基，可例舉下述式(II)所表示之基等。
[化2]
Figure 02_image003
作為成分B2，於一個或複數個實施方式中，可例舉包含源自二烯丙基胺之結構單元及源自二氧化硫之結構單元之化合物，例如可例舉包含下述式(III)所表示之結構單元之化合物。 [化3]
Figure 02_image005
式(III)中，R 3係可具有羥基之碳數1～3之烷基。就獲取性及經濟性之觀點之觀點而言，R 3較佳為甲基。又，n＋m＝1，n、m為0或1。就相同觀點而言，較佳為m＝1且n＝0之化合物。再者，亦可為m＝1且n＝0之化合物與m＝0且n＝1之化合物之混合物。
作為成分B2，於一個或複數個實施方式中，可例舉包含下述式(IV)所表示之結構單元之化合物，例如可例舉甲基二烯丙基胺/二氧化硫共聚物。 [化4]
Figure 02_image007
就提高研磨速度之觀點而言，成分B之重量平均分子量較佳為800以上，更佳為1,000以上，進而較佳為1,500以上，進而較佳為2,000以上，並且，就兼顧研磨速度之提高與保存穩定性之觀點、及減少表面粗糙度及表面缺陷之觀點而言，較佳為100,000以下，更佳為50,000以下，進而較佳為30,000以下，進而較佳為20,000以下，進而較佳為15,000以下，進而較佳為12,000以下。本發明中之成分B之重量平均分子量例如可藉由實施例所記載之方法進行測定。
於成分B為成分B1之情形時，就提高研磨速度之觀點而言，成分B之重量平均分子量較佳為800以上，更佳為1,000以上，進而較佳為1,500以上，進而較佳為2,000以上，較佳為3,000以上，更佳為5,000以上，進而較佳為6,000以上，進而較佳為7,000以上，並且，就兼顧研磨速度之提高與保存穩定性之觀點、減少表面粗糙度及表面缺陷之觀點而言，較佳為100,000以下，更佳為50,000以下，進而較佳為30,000以下，進而較佳為20,000以下，進而較佳為15,000以下，進而較佳為12,000以下，進而較佳為10,000以下。
於成分B為成分B2之情形時，就提高研磨速度之觀點而言，成分B之重量平均分子量較佳為800以上，更佳為1,000以上，進而較佳為1,500以上，進而較佳為2,000以上，並且，就兼顧研磨速度之提高與保存穩定性之觀點、以及減少表面粗糙度及表面缺陷之觀點而言，較佳為100,000以下，更佳為50,000以下，進而較佳為30,000以下，進而較佳為20,000以下，進而較佳為15,000以下，進而較佳為12,000以下，進而較佳為10,000以下，進而較佳為7,000以下，進而較佳為5,000以下，進而較佳為4,000以下。
就兼顧研磨速度之提高與保存穩定性之觀點而言，本發明之研磨液組合物中之成分B之含量較佳為10質量ppm以上，更佳為20質量ppm以上，進而較佳為30質量ppm以上，並且，就相同觀點而言，較佳為200質量ppm以下，更佳為150質量ppm以下，進而較佳為120質量ppm以下。再者，於本發明中，1質量%為10,000質量ppm(以下相同)。
就提高保存穩定性之觀點而言，本發明之研磨液組合物中之成分B之含量相對於成分A之含量之比(質量比B/A)較佳為0.008以上，更佳為0.016以上，進而較佳為0.025以上，並且，就提高研磨速度之觀點而言，較佳為0.16以下，更佳為0.12以下，進而較佳為0.09以下。
[水] 本發明之研磨液組合物於一個或複數個實施方式中，亦可包含水。作為水，例如可例舉離子交換水或超純水等水。本發明之研磨液組合物中之水之含量例如可設為成分A、成分B、及下述任意成分之剩餘量。
[含氮鹼性化合物(成分C)] 本發明之研磨液組合物於一個或複數個實施方式中，就調整pH值之觀點而言，較佳為進而含有含氮鹼性化合物(以下，亦稱為「成分C」)。作為成分C，就兼顧研磨速度之提高與保存穩定性之觀點、及提高表面品質之觀點而言，較佳為水溶性之含氮鹼性化合物。於本發明中，所謂「水溶性」，係指對水(20℃)具有0.5 g/100 mL以上之溶解度、較佳為2 g/100 mL以上之溶解度。於本發明中，所謂「水溶性之含氮鹼性」，係指溶解於水中時表現出鹼性之含氮化合物。成分C於一個或複數個實施方式中，設為不包含含胺基之水溶性高分子(成分B)。成分C可為1種，亦可為2種以上之組合。
作為成分C，於一個或複數個實施方式中，可例舉選自胺化合物及銨化合物中之至少1種。作為成分C，例如可例舉選自氨、氫氧化銨、碳酸銨、碳酸氫銨、二甲基胺、三甲基胺、二乙基胺、三乙基胺、單乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、N-甲基乙醇胺、N-甲基-N,N-二乙醇胺、N,N-二甲基乙醇胺、N,N-二乙基乙醇胺、N,N-二丁基乙醇胺、N-(β-胺基乙基)乙醇胺、單異丙醇胺、二異丙醇胺、三異丙醇胺、乙二胺、六亞甲基二胺、哌𠯤・六水合物、無水哌𠯤、1-(2-胺基乙基)哌𠯤、N-甲基哌𠯤、二伸乙基三胺、氫氧化四甲基銨、及羥胺中之1種或2種以上之組合。其中，就兼顧研磨速度之提高與保存穩定性之觀點而言，作為成分C，較佳為氨、或氨與羥胺之混合物，更佳為氨。
於本發明之研磨液組合物包含成分C之情形時，就提高研磨速度之觀點而言，本發明之研磨液組合物中之成分C之含量較佳為5質量ppm以上，更佳為10質量ppm以上，進而較佳為20質量ppm以上，就提高保存穩定性之觀點、提高表面品質之觀點、及抑制矽基板之腐蝕之觀點而言，較佳為500質量ppm以下，更佳為300質量ppm以下，進而較佳為150質量ppm以下，進而較佳為100質量ppm以下。就相同觀點而言，本發明之研磨液組合物中之成分C之含量較佳為5質量ppm以上且500質量ppm以下更佳為10質量ppm以上且300質量ppm以下，進而較佳為20質量ppm以上且150質量ppm以下，進而較佳為20質量ppm以上且100質量ppm以下。於成分C為2種以上之組合之情形時，成分C之含量係指其等之合計含量。
於本發明之研磨液組合物包含成分C之情形時，就提高研磨速度之觀點而言，本發明之研磨液組合物中之成分C之含量相對於成分A之含量之比C/A(質量比C/A)較佳為0.002以上，更佳為0.01以上，進而較佳為0.015以上，進而較佳為0.025以上，並且，就提高保存穩定性之觀點、提高表面品質之觀點、及抑制矽基板之腐蝕之觀點而言，較佳為1以下，更佳為0.5以下，進而較佳為0.1以下，進而較佳為0.08以下。就相同觀點而言，本發明之研磨液組合物中之質量比C/A較佳為0.002以上且1以下，更佳為0.01以上且0.5以下，進而較佳為0.015以上且0.1以下，進而較佳為0.025以上且0.08以下。
[其他成分] 本發明之研磨液組合物亦可於不損及本發明之效果之範圍內進而包含其他成分。作為其他成分，於一個或複數個實施方式中，可例舉成分B以外之水溶性高分子、成分C以外之pH值調整劑、防腐劑、醇類、螯合劑、及氧化劑等。
[pH值] 就兼顧研磨速度之提高與保存穩定性之觀點而言，本發明之研磨液組合物之pH值超過8.5，較佳為9以上，進而較佳為9.5以上，進而較佳為10以上，並且，就提高表面品質之觀點而言，為14以下，較佳為13以下，更佳為12.5以下，進而較佳為12以下，進而較佳為11.5以下，進而較佳為11以下。就相同觀點而言，本發明之研磨液組合物之pH值超過8.5以上且為14以下，更佳為9以上且13以下，進而較佳為9以上且12.5以下，進而較佳為9以上且12以下，進而較佳為9.5以上且11.5以下，進而較佳為10以上且11以下。本發明之研磨液組合物之pH值可使用成分C或公知之pH值調整劑進行調整。於本發明中，上述pH值係利用實施例所記載之方法所測得之值。
[pH值－pKa] 就兼顧研磨速度之提高與保存穩定性之觀點、及提高表面品質之觀點而言，本發明之研磨液組合物之pH值較佳為大於成分B之pKa。具體而言，就兼顧研磨速度之提高與保存穩定性之觀點而言，pH值與pKa之差(pH值－pKa)較佳為超過0，更佳為0.5以上，進而較佳為1以上，進而較佳為1.5以上，進而較佳為2以上，進而較佳為2.5以上，並且，就提高表面品質之觀點而言，較佳為7以下，更佳為6以下，進而較佳為5.5以下，進而較佳為5以下，進而較佳為4.5以下，進而較佳為4以下，進而較佳為3.5以下。
本發明之研磨液組合物例如可藉由利用公知之方法調配成分A及成分B、進而視需要之水、成分C及其他成分而製造。即，本發明之研磨液組合物例如可藉由至少調配成分A與成分B而製造。因此，本發明於另一態樣中係關於一種研磨液組合物之製造方法，其包含至少調配成分A及成分B之步驟。於本發明中，所謂「調配」，包含同時或以任意順序將成分A、成分B、以及視需要之水、成分C及其他成分進行混合。上述調配例如可使用均質攪拌機、均質機、超音波分散機、濕式球磨機、或珠磨機等攪拌機等進行。上述本發明之研磨液組合物之製造方法中之各成分之較佳調配量可設為與上述本發明之研磨液組合物中之各成分之較佳含量相同。
於本發明中，「研磨液組合物中之各成分之含量」係指使用時、即開始將研磨液組合物用於研磨之時點之各成分之含量。
就儲存及運輸之觀點而言，本發明之研磨液組合物較佳為以濃縮物形式製造，使用時亦可被稀釋。作為稀釋倍率，就製造及運輸成本之觀點、保存穩定性之觀點而言，較佳為2倍以上，更佳為10倍以上，進而較佳為30倍以上，進而較佳為50倍以上，就保存穩定性之觀點而言，較佳為180倍以下，更佳為140倍以下，進而較佳為100倍以下，進而較佳為70倍以下。本發明之研磨液組合物之濃縮物使用時可以各成分之含量成為上述含量(即使用時之含量)之方式用水稀釋後使用。於本發明中，所謂研磨液組合物之濃縮物之「使用時」，係指研磨液組合物之濃縮物經稀釋後之狀態。
[研磨液套組] 本發明於另一態樣中係關於一種用以製造本發明之研磨液組合物之研磨液套組(以下，亦稱為「本發明之套組」)。根據本發明之套組，獲得可兼顧研磨速度提高與濃縮物之保存穩定性之研磨液組合物。 作為本發明之套組，於一個或複數個實施方式中，可例舉包含含有成分A、成分B及成分C之溶液之研磨液套組。上述溶液中亦可視需要包含上述其他成分。上述溶液使用時亦可視需要使用水進行稀釋。
[矽基板之研磨方法] 本發明於另一態樣中係關於一種矽基板之研磨方法(以下，亦稱為「本發明之研磨方法」)，其包含使用本發明之研磨液組合物對被研磨矽基板進行研磨之步驟(以下，亦稱為「研磨步驟」)。根據本發明之研磨方法，由於使用本發明之研磨液組合物，故而可兼顧研磨速度之提高與表面品質之提高。
於本發明之研磨方法中之研磨步驟中，例如可將被研磨矽基板壓抵於貼附有研磨墊之壓盤，並以3～20 kPa之研磨壓力對被研磨矽基板進行研磨。於本發明中，所謂研磨壓力，係指研磨時施加至被研磨矽基板之被研磨面之壓盤之壓力。
於本發明之研磨方法中之研磨步驟中，例如可將被研磨矽基板壓抵於貼附有研磨墊之壓盤，並以15℃以上且40℃以下之研磨液組合物及研磨墊表面溫度對被研磨矽基板進行研磨。作為研磨液組合物之溫度及研磨墊表面溫度，就兼顧研磨速度提高與表面粗糙度(霧度)減少等表面品質之觀點而言，較佳為15℃以上或20℃以上，較佳為40℃以下或30℃以下。
[半導體基板之製造方法] 本發明於另一態樣中係關於一種半導體基板之製造方法(以下，亦稱為「本發明之半導體基板製造方法」)，其包含：使用本發明之研磨液組合物對被研磨矽基板進行研磨之步驟(以下，亦稱為「研磨步驟」)；及將經研磨之矽基板洗淨之步驟(以下，亦稱為「洗淨步驟」)。根據本發明之半導體基板製造方法，藉由使用本發明之研磨液組合物，可兼顧研磨速度提高與濃縮物之保存穩定性，故而可以高產率生產性良好且廉價地製造高品質之半導體基板。
本發明之半導體基板製造方法中之研磨步驟例如可包含：使藉由將單晶矽錠切割成薄圓板狀所獲得之單晶矽基板平面化之磨削(粗研磨)步驟；及對經磨削單晶後之矽基板進行蝕刻後，使單晶矽基板表面鏡面化之精研磨步驟。就兼顧研磨速度之提高與表面品質之提高之觀點而言，本發明之研磨液組合物更佳為於上述精研磨步驟中使用。
本發明之半導體基板製造方法中之研磨步驟例如可包含：針對在具有二氧化矽膜及氮化矽膜之矽基板之上藉由化學蒸鍍(CVD)法製膜有多晶矽膜之基板，將多晶矽膜之凹凸去除而使之平坦化之步驟；及同時對正下方之二氧化矽膜及氮化矽膜與多晶矽膜進行研磨而使其等平坦化之步驟。就兼顧研磨速度之提高與表面品質之提高之觀點而言，本發明之研磨液組合物更佳為於將上述多晶矽膜之凹凸去除而使之平坦化之步驟中使用。
本發明之半導體基板製造方法中之研磨步驟可於與上述本發明之研磨方法中之研磨步驟相同之條件(研磨壓力、研磨液組合物及研磨墊之表面溫度等)下進行研磨。
本發明之半導體基板製造方法於一個或複數個實施方式中，於上述研磨步驟之前，亦可包含對本發明之研磨液組合物之濃縮物進行稀釋之稀釋步驟。稀釋介質例如可使用水。
於本發明之半導體基板製造方法中之洗淨步驟中，就減少矽基板表面上之殘留物之觀點而言，較佳為進行無機物洗淨。作為無機物洗淨所使用之洗淨劑，例如可例舉包含選自過氧化氫、氨、鹽酸、硫酸、氫氟酸及臭氧水中之至少1種之無機物洗淨劑。
本發明之半導體基板製造方法於一個或複數個實施方式中，於上述洗淨步驟之後，亦可進而包含用水對洗淨後之矽基板進行沖洗並乾燥之步驟。
本發明進而係關於以下一個或複數個實施方式。 ＜1＞一種矽基板用研磨液組合物，其含有下述成分A及下述成分B，pH值超過8.5，較佳為9以上，更佳為9.5以上，進而較佳為10以上，並且為14以下，較佳為13以下，更佳為12.5以下，更佳為12以下，進而較佳為11.5以下，進而較佳為11以下。 成分A：二氧化矽粒子 成分B：pKa為5以上、較佳為5.5以上、更佳為5.9以上、更佳為6.3以上並且為8.5以下、較佳為8.3以下、更佳為8.1以下、更佳為8以下之含胺基之水溶性高分子 ＜2＞如＜1＞之研磨液組合物，其pH值與pKa之差(pH值－pKa)超過0，較佳為0.5以上，更佳為1以上，進而較佳為1.5以上，進而較佳為2以上，進而較佳為2.5以上，並且為7以下，較佳為6以下，更佳為5.5以下，進而較佳為5以下，進而較佳為4.5以下，進而較佳為4以下，進而較佳為3.5以下。 ＜3＞如＜1＞或＜2＞之研磨液組合物，其中成分B係選自烯丙基胺及二烯丙基胺中之1種以上單體，較佳為包含源自二烯丙基胺之結構單元。 ＜4＞如＜3＞之研磨液組合物，其中源自烯丙基胺之結構單元中之胺基之至少一部分具有位阻基。 ＜5＞如＜3＞或＜4＞之研磨液組合物，其中源自烯丙基胺之結構單元中之胺基之至少一部分係包含具有羥基之碳數3以上且11以下之烴基的二級胺基或三級胺基。 ＜6＞如＜1＞至＜5＞中任一項之研磨液組合物，其中成分B係聚烯丙基胺與去水甘油衍生物之反應物，較佳為去水甘油改性聚烯丙基胺。 ＜7＞如＜3＞之研磨液組合物，其中源自二烯丙基胺之結構單元中之胺基之至少一部分於β位或γ位具有拉電子基、較佳為下述式(II)所表示之基。 [化5]
Figure 02_image009
＜8＞如＜1＞至＜7＞中任一項之研磨液組合物，其中成分B係包含下述式(III)所表示之結構單元之化合物。 [化6]
Figure 02_image011
式(III)中，R 3係可具有羥基之碳數1～3之烷基，較佳為甲基，n＋m＝1，較佳為m＝1且n＝0。 ＜9＞如＜1＞至＜8＞中任一項之研磨液組合物，其中本發明之研磨液組合物中之成分B之含量相對於成分A之含量之比(質量比B/A)為0.008以上，較佳為0.016以上，更佳為0.025以上，並且為0.16以下，較佳為0.12以下，更佳為0.09以下。 ＜10＞如＜1＞至＜9＞中任一項之研磨液組合物，其中本發明之研磨液組合物包含含氮鹼性化合物(成分C)，較佳為包含水溶性之含氮鹼性化合物，更佳為包含選自胺化合物及銨化合物中之至少1種，進而較佳為包含氨。 ＜11＞如＜10＞之研磨液組合物，其中於本發明之研磨液組合物包含成分C之情形時，本發明之研磨液組合物中之成分C之含量相對於成分A之含量之比C/A(質量比C/A)為0.002以上，較佳為0.01以上，更佳為0.015以上，進而較佳為0.025以上，並且為1以下，較佳為0.5以下，更佳為0.1以下，進而較佳為0.08以下。 ＜12＞一種矽基板之研磨方法，其包含使用如＜1＞至＜11＞中任一項之研磨液組合物對被研磨矽基板進行研磨之步驟。 ＜13＞如＜12＞之研磨方法，其中被研磨矽基板為單晶矽基板或多晶矽基板，較佳為單晶矽基板。 ＜14＞一種半導體基板之製造方法，其包含：使用如＜1＞至＜11＞中任一項之研磨液組合物對被研磨矽基板進行研磨之步驟；及 將經研磨之矽基板洗淨之步驟。 [實施例]
以下，藉由實施例對本發明進而詳細地進行說明，但該等為例示，本發明並不限制於該等實施例。
1.研磨液組合物之製備 (研磨液組合物之濃縮物) 將表1～2所示之二氧化矽粒子(成分A)、表1～2所示之水溶性高分子(成分B或非成分B)、氨(成分C)、及超純水進行攪拌混合，獲得研磨液組合物之濃縮物(60倍)。濃縮物之25℃下之pH值為10.6～11.0。 (研磨液組合物) 利用離子交換水將上述濃縮物稀釋60倍，獲得實施例1～9及比較例1～3之研磨液組合物。表1及表2中之各成分之含量係稀釋後之研磨液組合物之使用時之各成分之含量(質量%或質量ppm、有效成分)。超純水之含量係除成分A、成分B或非成分B及成分C所剩之剩餘量。各研磨液組合物(使用時)之25℃下之pH值為10.3。 25℃下之pH值係使用pH值測定計(東亞電波工業股份有限公司、HM-30G)所測得之值，係將pH值測定計之電極於研磨液組合物或其濃縮物中浸漬1分鐘後之數值。
用於製備各研磨液組合物之成分A、成分B、非成分B及成分C使用下述者。 (成分A) 膠體二氧化矽[平均一次粒徑35 nm、平均二次粒徑70 nm、聚集度2.0] (成分B) B1：甲基二烯丙基胺・二氧化硫共聚物[Nittobo Medical公司製造、PAS-2201、重量平均分子量3,000] B2：去水甘油改性聚烯丙基胺(去水甘油改性率：2.0)[Nittobo Medical公司製造、重量平均分子量11,000] B3：去水甘油改性聚烯丙基胺(去水甘油改性率：1.8)[Nittobo Medical公司製造、重量平均分子量10,200] B4：去水甘油改性聚烯丙基胺(去水甘油改性率：1.5)[Nittobo Medical公司製造、重量平均分子量8,900] B5：去水甘油改性聚烯丙基胺(去水甘油改性率：1.0)[Nittobo Medical公司製造、重量平均分子量6,900] (非成分B) B6：烯丙基胺(游離)聚合物[Nittobo Medical PAA-03、重量平均分子量3,000] B7：聚伸乙基亞胺[日本觸媒公司製造、SP-200、重量平均分子量10,000] (成分C) 氨[28質量%氨水、岸田化學公司製造、試劑特級]
2.各種參數之測定方法 (1)二氧化矽粒子(成分A)之平均一次粒徑之測定 成分A之平均一次粒徑(nm)係使用藉由BET(氮吸附)法而算出之比表面積S(m 2/g)並利用下述式算出。 平均一次粒徑(nm)＝2727/S
成分A之比表面積S係於進行下述[預處理]後，精確稱量測定樣品約0.1 g至小數點以下4位並置於測定元件中，於將要測定比表面積之前，於110℃之氛圍下乾燥30分鐘後，使用比表面積測定裝置(Micromeritics自動比表面積測定裝置「Flowsorb III2305」、島津製作所製造)並藉由氮吸附法(BET法)所測得。 [預處理] (a)利用硝酸水溶液將漿料狀之成分A調整為pH值2.5±0.1。 (b)將調整為pH值2.5±0.1之漿料狀之成分A取至培養皿中，使之於150℃之熱風乾燥機內乾燥1小時。 (c)乾燥後，利用瑪瑙乳缽將所獲得之試樣細細地粉碎。 (d)使粉碎後之試樣懸浮於40℃之離子交換水中，並利用孔徑1 μm之膜濾器進行過濾。 (e)利用20 g之離子交換水(40℃)將過濾器上之過濾物洗淨5次。 (f)將附著有過濾物之過濾器取至培養皿中，並使之於110℃之氛圍下乾燥4小時。 (g)將乾燥後之過濾物(成分A)以不會混入過濾器碎屑之方式取出來，利用乳缽細細地粉碎，獲得測定樣品。
(2)二氧化矽粒子(成分A)之平均二次粒徑 成分A之平均二次粒徑(nm)係以成分A之濃度成為0.25質量%之方式將研磨材添加至離子交換水中後，將所獲得之水分散液添加至Disposable Sizing Cuvette(聚苯乙烯製10 mm元件)中至距離下底之高度為10 mm為止，並使用動態光散射法(裝置名：「Zetasizer Nano ZS」、Sysmex公司製造)所測得。
(3)水溶性高分子之重量平均分子量之測定 水溶性高分子(成分B、非成分B)之重量平均分子量係基於在下述條件下應用凝膠滲透層析(GPC)法所獲得之層析圖中之波峰而算出。 ＜水溶性高分子之測定條件＞ 裝置：HLC-8320 GPC(Tosoh公司製造、檢測器一體型) 管柱：α－M＋α－M 溶離液：0.15 mol/LNa 2SO 4，1%CH 3COOH/水 流量：1.0 mL/min 管柱溫度：40℃ 檢測器：Shodex RI SE-61示差折射率檢測器 標準物質：已知分子量之單分散聚乙二醇
(4)pKa之測定 使用HM-41K型pH值測定計(東亞DKK(股))，針對調整為1 M之成分B之水溶液，藉由0.1 M-鹽酸於室溫下進行電位差滴定。根據所獲得之滴定曲線算出pKa。
(5)去水甘油改性率 去水甘油改性率係使用 13C-NMR而算出。 ＜測定條件＞ 試樣：使去水甘油改性聚烯丙基胺 200 mg溶解於重水0.6 mL中 使用裝置：400MHz 13C-NMR(安捷倫科技股份有限公司製造之「Agilent 400-MR DD2」) 測定條件： 13C-NMR測定、脈衝間隔時間5秒、將四甲基矽烷作為標準波峰(σ：0.0 ppm)進行測定 累計次數：5000次 用於積分之各波峰範圍： A：71.0～72.3 ppm(與胺基反應後之去水甘油之鍵結有二級羥基之C之波峰之積分值) B：32.0～41.0 ppm(烯丙基胺之主鏈C之波峰之積分值) ＜去水甘油改性率＞ 去水甘油改性率(去水甘油之當量相對於胺基之當量之比)係以以下式求出。 去水甘油改性率(當量比)＝2A/B
3.實施例1～7及比較例1～2之研磨液組合物之評價 (1)研磨方法等 針對各研磨液組合物，分別於將要研磨前利用過濾器(小型化濾筒「MCP-LX-C10S」、Advantech公司製造)進行過濾，並於下述研磨條件下對下述矽基板進行精研磨及洗淨。 ＜被研磨矽基板＞ 單晶矽基板[直徑200 mm之矽單面鏡面基板、傳導型：P、結晶方位：100、電阻率：0.1 Ω・cm以上且未達100 Ω・cm] 使用市售之研磨液組合物(Fujimi Incorporated製造、GLANZOX1302)預先對上述單晶矽基板實施粗研磨。結束粗研磨並供於精研磨之單晶矽基板之霧度為2～3 ppm。
＜精研磨條件＞ 研磨機：單面8英吋研磨機「GRIND-X SPP600s」(岡本工作製造) 研磨墊：麂皮墊(Toray Coatex公司製造、ASKER硬度：64、厚度：1.37 mm、毛長：450 μm、開口直徑：60 μm) 矽基板研磨壓力：100 g/cm 2壓盤旋轉速度：60 rpm 研磨時間：5分鐘 研磨液組合物之供給速度：150 g/min 研磨液組合物之溫度：23℃ 載體旋轉速度：62 rpm
＜矽基板之表面粗糙度(霧度)之測定＞ 使用利用表面粗糙度測定裝置「Surfscan SP1-DLS」(KLA Tencor公司製造)所測得之暗視野寬斜入射通道(DWO)中之值(DWO霧度)。
＜洗淨方法＞ 精研磨後，以如下方式對矽基板進行臭氧洗淨與稀氫氟酸洗淨。於臭氧洗淨中，使包含20 ppm臭氧之水溶液以流速1 L/min自噴嘴朝向以600 rpm旋轉之矽基板之中央噴射3分鐘。此時臭氧水之溫度設為常溫。繼而進行稀氫氟酸洗淨。於稀氫氟酸洗淨中，使包含0.5質量%之氟化氫銨(特級、Nacalai Tesque股份有限公司)之水溶液以流速1 L/min自噴嘴朝向以600 rpm旋轉之矽基板之中央噴射6秒。將上述臭氧洗淨與稀氫氟酸洗淨作為1組共計進行2組，最後進行旋轉乾燥。於旋轉乾燥中使矽基板以1,500 rpm旋轉。
(2)研磨速度之評價 使用精密天平(Sartorius公司製造「BP-210S」)測定研磨前後之各矽基板之重量，將所獲得之重量差除以矽基板之密度、面積及研磨時間，求出各單位時間之單面研磨速度。將結果示於表1中。再者，研磨後之矽基板之重量係進行上述精研磨及洗淨後之矽基板之重量。
(3)濃縮物之保存穩定性之評價 將各研磨液組合物之濃縮物100 g放入100 ml螺旋管中並密封，藉由下述評價基準對經過1天後之保存穩定性進行評價。研磨液組合物之濃縮物保管於23℃之室內。將結果示於表1中。 ＜評價基準＞ A：製備研磨液組合物之濃縮物起經過1天後未產生凝集物及分離，維持分散穩定性。 B：製備研磨液組合物之濃縮物起經過1天後略微產生凝集物及分離。 C：製備研磨液組合物之濃縮物起經過1天後產生凝集物及分離。
[表1]
表1 研磨液組合物(使用時) 被研磨基板(單晶矽基板) 濃縮物之保存穩定性
成分A 成分B或非成分B 成分C pH值
二氧化矽粒子 水溶性高分子 氨
平均一次粒徑(nm) 含量 (質量%) 種類 pKa 含量 (質量 ppm) 含量 (質量 ppm) 研磨速度(nm/min)
實施例1 35 0.13 B1 甲基二烯丙基胺-二氧化硫 聚合物 7.2 50 100 10.3 45 A
實施例2 35 0.13 B1 甲基二烯丙基胺-二氧化硫 聚合物 7.2 100 100 10.3 40 A
實施例3 35 0.13 B1 甲基二烯丙基胺-二氧化硫 聚合物 7.2 200 100 10.3 35 A
實施例4 35 0.13 B2 去水甘油改性(改性率2.0)聚烯丙基胺 6.1 50 100 10.3 35 A
實施例5 35 0.13 B3 去水甘油改性(改性率1.8)聚烯丙基胺 6.6 50 100 10.3 38 A
實施例6 35 0.13 B4 去水甘油改性(改性率1.5)聚烯丙基胺 7.0 50 100 10.3 45 A
實施例7 35 0.13 B5 去水甘油改性(改性率1.0)聚烯丙基胺 7.9 50 100 10.3 50 B
比較例1 35 0.13 B6 烯丙基胺聚合物 9.2 100 100 10.3 32 C
比較例2 35 0.13 B7 聚伸乙基亞胺 8.7 100 100 10.3 25 C
如表1所示，得知實施例1～7之研磨液組合物與比較例1～2之研磨液組合物相比，兼顧了研磨速度之提高與濃縮物之保存穩定性。
4.實施例8～9及比較例3之研磨液組合物之評價 (1)研磨方法 針對各研磨液組合物，分別於將要研磨前利用過濾器(小型化濾筒「MCP-LX-C10S」、Advantech公司製造)進行過濾，並以與上述3(1)相同之研磨條件對下述矽基板進行研磨後，藉由與上述3(1)相同之洗淨方法進行洗淨。 ＜被研磨矽基板＞ 多晶矽基板[藉由電漿CVD法使SiO 2膜4400 Å沈積於直徑200 mm之矽單面鏡面基板(傳導型：P、結晶方位：100、電阻率：0.1 Ω・cm以上且未達100 Ω・cm)之上，繼而藉由電漿CVD法使多晶矽膜8000 Å沈積所得之基板]
(2)研磨速度之評價 將多晶矽基板用作被研磨基板之研磨速度之評價係以與上述3(2)相同之方法進行評價。將結果示於表2中。
(3)濃縮物之保存穩定性之評價 濃縮物之保存穩定性之評價係以與上述3(3)相同之方法進行評價。將結果示於表2中。
[表2]
表2 研磨液組合物(使用時) 被研磨基板(多晶矽基板) 濃縮物之保存穩定性
成分A 成分B或非成分B 成分C pH值
二氧化矽粒子 水溶性高分子 氨
平均一次粒徑(nm) 含量 (質量%) 種類 pKa 含量 (質量 ppm) 含量 (質量 ppm) 研磨速度(nm/min)
實施例8 35 0.5 B1 甲基二烯丙基胺-二氧化硫 聚合物 7.2 100 100 10.3 10 A
實施例9 35 0.5 B4 去水甘油改性(改性率1.5)聚烯丙基胺 7.0 100 100 10.3 21 A
比較例3 35 0.5 B6 烯丙基胺聚合物 9.2 100 100 10.3 3 C
根據表2所示，得知實施例8～9之研磨液組合物與比較例3之研磨液組合物相比，兼顧了研磨速度之提高與濃縮物之保存穩定性。 [產業上之可利用性]
若使用本發明之研磨液組合物，則可兼顧研磨速度提高與保存穩定性。因此，本發明之研磨液組合物有效用作各種半導體基板之製造過程中所使用之研磨液組合物，其中，有效用作矽基板之精研磨用之研磨液組合物。

Claims (10)

  1. 一種矽基板用研磨液組合物，其含有下述成分A及下述成分B，且 pH值超過8.5且為14以下， 成分A：二氧化矽粒子 成分B：pKa為5以上且8.5以下之含胺基之水溶性高分子。
  2. 如請求項1之研磨液組合物，其中成分B包含源自選自烯丙基胺及二烯丙基胺中之1種以上單體之結構單元。
  3. 如請求項2之研磨液組合物，其中源自烯丙基胺之結構單元中之胺基之至少一部分具有位阻基。
  4. 如請求項2之研磨液組合物，其中源自烯丙基胺之結構單元中之胺基之至少一部分係包含具有羥基之碳數3以上且11以下之烴基的二級胺基或三級胺基。
  5. 如請求項1之研磨液組合物，其中成分B係聚烯丙基胺與去水甘油衍生物之反應物。
  6. 如請求項2之研磨液組合物，其中源自二烯丙基胺之結構單元中之胺基之至少一部分於β位或γ位具有拉電子基。
  7. 如請求項1、2及6中任一項之研磨液組合物，其中成分B係包含下述式(III)所表示之結構單元之化合物， [化1]
    Figure 03_image013
    式(III)中，R 3為可具有羥基之碳數1～3之烷基，n＋m＝1。
  8. 一種矽基板之研磨方法，其包含使用如請求項1至7中任一項之研磨液組合物對被研磨矽基板進行研磨之步驟。
  9. 如請求項8之研磨方法，其中被研磨矽基板係單晶矽基板或多晶矽基板。
  10. 一種半導體基板之製造方法，其包含： 使用如請求項1至7中任一項之研磨液組合物對被研磨矽基板進行研磨之步驟；及 將經研磨之矽基板洗淨之步驟。
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