JP2023003634A - シリコンウェーハ用リンス剤組成物 - Google Patents

Abstract

【課題】一態様において、シリコンウェーハ表面の表面粗さ（ヘイズ）を低減できるリンス剤組成物を提供する。【解決手段】本開示は、一態様において、カチオン性界面活性剤（成分Ａ）を含み、成分Ａは、分子内に２つ以上の炭素数１０以上１８以下のアルキル基を有する第４級アンモニウム又はその塩（成分Ａ１）、及び、分子内に１つ以上の炭素数１０以上１８以下のアルキル基を有する第４級ホスホニウム又はその塩（成分Ａ２）の少なくとも一方である、シリコンウェーハ用リンス剤組成物に関する。【選択図】なし

Description

本開示は、シリコンウェーハ用リンス剤組成物及びその使用方法に関する。

近年、半導体メモリの高記録容量化に対する要求の高まりから半導体装置のデザインルールは微細化が進んでいる。このため半導体装置の製造過程で行われるフォトリソグラフィーにおいて焦点深度は浅くなり、シリコンウェーハ（ベアウェーハ）の表面欠陥（ＬＰＤ：Light point defects）や表面粗さ（ヘイズ）の低減に対する要求はますます厳しくなっている。

シリコンウェーハの品質を向上する目的で、シリコンウェーハを研磨する研磨工程には、シリコン単結晶インゴットを薄円板状にスライスすることにより得られたシリコンウェーハを平面化するラッピング（粗研磨）工程と、ラッピングされたシリコンウェーハをエッチングした後、シリコンウェーハ表面を鏡面化する仕上げ研磨工程とがある。特に研磨の最終段階で行われる仕上げ研磨工程は、ヘイズの抑制と研磨されたシリコンウェーハ表面の濡れ性向上（親水化）によるパーティクルやスクラッチ、ピット等のＬＰＤの低減とを目的として行われている。

砥粒を含む研磨液組成物を用いてシリコンウェーハを研磨した場合、通常、研磨液組成物中の砥粒等が研磨後のシリコンウェーハに付着する。この付着した砥粒等を除去するため、研磨後のシリコンウェーハをリンス剤組成物でリンスすることが一般的に行われている。
例えば、特許文献１には、第４級ポリアンモニウム塩、炭素数６以上の第４級アンモニウム塩、及び、アミド構造を有するアルキル化されたポリマーから選ばれる少なくとも１種の化合物、並びに、水性キャリヤを含む、リンス組成物が提案されている。同文献の実施例では、炭素数６以上の第４級アンモニウム塩として、塩化オクチルトリメチルアンモニウムや塩化ヘキサデシルトリメチルアンモニウムが用いられている。

特開２０２０－２０３９８０号公報

特許文献１では、表面粗さ（ヘイズ）を改善するリンス剤組成物が提案されているが、近年、研磨後のシリコンウェーハの表面品質に対する要求はますます厳しくなっており、表面粗さ（ヘイズ）のさらなる低減化が望まれている。

そこで、本開示は、シリコンウェーハの表面粗さ（ヘイズ）を低減できるリンス剤組成物及び該リンス剤組成物の使用方法を提供する。

本開示は、一態様において、カチオン性界面活性剤（成分Ａ）を含み、成分Ａは、分子内に２つ以上の炭素数１０以上１８以下のアルキル基を有する第４級アンモニウム又はその塩（成分Ａ１）、及び、分子内に１つ以上の炭素数１０以上１８以下のアルキル基を有する第４級ホスホニウム又はその塩（成分Ａ２）の少なくとも一方である、シリコンウェーハ用リンス剤組成物に関する。

本開示は、一態様において、研磨に用いた研磨機と同じ研磨機に供給されるリンス剤組成物の使用方法であって、本開示のリンス剤組成物を、シリカ粒子を含む研磨液組成物と共に研磨機に供給し、シリコンウェーハ及び研磨パッドと接触させること、又は、研磨に用いた研磨液組成物の研磨機への供給停止後、本開示のリンス剤組成物を研磨機に供給し、シリコンウェーハ及び研磨パッドと接触させること、を含む、リンス剤組成物の使用方法。
に関する。

本開示によれば、シリコンウェーハの表面粗さ（ヘイズ）を低減可能なリンス剤組成物及びその使用方法を提供できる。

本開示は、特定のカチオン性界面活性剤を有するリンス剤組成物を用いて、シリコンウェーハの表面をリンス処理することで、ウェーハ表面の濡れ性が良好となり、表面粗さ（ヘイズ）を低減できるという知見に基づく。

すなわち、本開示は、一態様において、カチオン性界面活性剤（成分Ａ）を含み、成分Ａは、分子内に２つ以上の炭素数１０以上１８以下のアルキル基を有する第４級アンモニウム又はその塩（成分Ａ１）、及び、分子内に１つ以上の炭素数１０以上１８以下のアルキル基を有する第４級ホスホニウム又はその塩（成分Ａ２）の少なくとも一方である、シリコンウェーハ用リンス剤組成物（以下、「本開示のリンス剤組成物」ともいう）に関する。

本開示によれば、一又は複数の実施形態において、シリコンウェーハの表面粗さ（ヘイズ）を低減できる。

本開示の効果発現のメカニズムの詳細は明らかではないが、以下のように推察される。
例えば、単結晶構造のシリコンウェーハは、ヒドロキシイオンで溶解されるが、溶解される部分と溶解されない部分が存在し、表面を均一溶解できないため、表面粗さ（ヘイズ）が悪化すると推定される。不溶解部分の化学構造は不明であるが、親水性の高いヒドロキシイオンで溶解反応が進行しないことから、疎水的な性質を有していると推定される。
本開示では、２以上の長鎖アルキル鎖を有する第４級アンモニウム又はその塩（成分Ａ１）及び１つ以上の長鎖アルキル鎖を有する第４級ホスホニウム又はその塩（成分Ａ２）の少なくとも一方の疎水性の高いカチオン性界面活性剤を用いる。疎水性の長鎖アルキル鎖がシリコン基板上の疎水的な不溶解部分に吸着し、カチオン性界面活性剤のカチオン部（Ｎ⁺、Ｐ⁺）が溶解剤であるマイナス電荷を帯びたヒドロキシイオンを引き付けるため溶解が進行するか、カチオン性界面活性剤によって溶解されると考えられる。その結果、溶解部分と不溶解部分の溶解量差が小さくなり、表面粗さ（ヘイズ）を低減できると考えられる。
さらに、カチオン性界面活性剤の疎水性が高くなり、疎水性の不溶解部分への吸着量が多くなることで、エッチング反応はより進行すると考えられ、１つの長鎖アルキル鎖を有するよりも、２つ以上の長鎖アルキル鎖を有する疎水性の高いカチオン性界面活性剤が、より高いエッチング性能を有すると考えられる。その結果、溶解部分と不溶解部分の溶解量差をより小さくし、表面粗さ（ヘイズ）を低減できると考えられる。
但し、本開示はこれらのメカニズムに限定して解釈されなくてもよい。

［カチオン性界面活性剤（成分Ａ）］
本開示のリンス剤組成物は、カチオン性界面活性剤（以下、「成分Ａ」ともいう）を含有する。成分Ａは、分子内に２つ以上の炭素数１０以上１８以下のアルキル基を有する第４級アンモニウム又はその塩（以下、「成分Ａ１」ともいう）、及び、分子内に１つ以上の炭素数１０以上１８以下のアルキル基を有する第４級ホスホニウム又はその塩（以下、「成分Ａ２」ともいう）の少なくとも一方である。成分Ａ１は、１種でもよいし、２種以上の組合せでもよい。成分Ａ２は、１種でもよいし、２種以上の組合せでもよい。成分Ａは、１種でもよいし、２種以上の組合せでもよい。
本開示において、「分子内に２つ以上の炭素数１０以上１８以下のアルキル基を有する第４級アンモニウム」とは、一又は複数の実施形態において、少なくとも２つの炭素数１０以上１８以下のアルキル基が、窒素原子に結合していることを意味する。本開示において、「分子内に１つ以上の炭素数１０以上１８以下のアルキル基を有する第４級ホスホニウム」とは、一又は複数の実施形態において、少なくとも１つの炭素数１０以上１８以下のアルキル基が、リン原子に結合していることを意味する。前記アルキル基の炭素数は、表面粗さ（ヘイズ）低減の観点から、１０以上であって、１１以上が好ましく、１２以上がより好ましく、そして、１８以下であって、１６以下が好ましく、１５以下がより好ましい。同様の観点から、前記アルキル基の炭素数は、１０以上１８以下であって、１１以上１８以下が好ましく、１２以上１８以下が好ましく、１２以上１６以下がより好ましく、１２以上１５以下が更に好ましい。分子内に含まれる炭素数１０以上１８以下のアルキル基の数は、成分Ａ１の場合、２以上、３以上又は４が挙げられ、好ましくは２又は３、より好ましくは２である。成分Ａ２の場合、１以上、２以上、３以上又は４が挙げられ、好ましくは１又は２である。

成分Ａは、表面粗さ（ヘイズ）低減の観点から、分子内の炭素数の合計が２２以上が好ましく、２４以上がより好ましく、２６以上が更に好ましく、そして、３８以下が好ましく、３４以下がより好ましく、３２以下が更に好ましい。同様の観点から、成分Ａは、分子内の炭素数の合計が２２以上３８以下であることが好ましく、より好ましくは２４以上３８以下、更に好ましくは２６以上３８以下、更に好ましくは２６以上３４以下、更に好ましくは２６以上３２以下である。

成分Ａは、表面粗さ（ヘイズ）低減の観点から、一又は複数の実施形態において、下記式（Ｉ）又は下記式（ＩＩ）で表される構成を有する化合物であることが好ましい。

前記式（Ｉ）中、Ｒ¹は同一又は異なって、炭素数１０以上１８以下のアルキル基を示し、Ｒ²は同一又は異なって、炭素数１以上６以下の炭化水素基又は－（ＣＨ₂ＣＨ₂Ｏ）_nＨ（但し、ｎは１～３である）であり、Ｚはリン原子であり、Ｘ^-は対イオンである。
前記式（ＩＩ）中、Ｒ¹は同一又は異なって、炭素数１０以上１８以下のアルキル基を示し、Ｒ²は同一又は異なって、炭素数１以上６以下の炭化水素基又は－（ＣＨ₂ＣＨ₂Ｏ）_nＨ（但し、ｎは１～３である）であり、Ｚは窒素原子又はリン原子であり、Ｘ^-は対イオンである。
前記式（Ｉ）及び（ＩＩ）において、Ｒ²は、表面粗さ（ヘイズ）低減の観点から、炭素数１以上６以下の炭化水素基が好ましい。前記対イオンとしては、例えば、塩化物イオン（Ｃｌ^-）、炭酸水素イオン（ＨＣＯ₃ ^-）、臭化物イオン（Ｂｒ^-）等が挙げられる。

成分Ａ１としては、例えば、ジデシルジメチルアンモニウム塩、ジアルキルジメチルアンモニウム塩（Ｃ１２-Ｃ１８の混成品）、及びジオクタデジルジメチルアンモニウム塩、から選ばれる少なくとも１種が挙げられる。
成分Ａ２としては、例えば、トリヘキシルテトラデシルホスホニウム塩等が挙げられる。

本開示のリンス剤組成物中の成分Ａの含有量は、表面粗さ（ヘイズ）低減の観点から、１０ｐｐｍ以上が好ましく、１５ｐｐｍ以上がより好ましく、そして、濡れ性の観点から、４０ｐｐｍ以下が好ましく、３０ｐｐｍ以下がより好ましい。同様の観点から、本開示のリンス剤組成物中の成分Ａの含有量は、１０ｐｐｍ以上４０ｐｐｍ以下が好ましく、１５ｐｐｍ以上３０ｐｐｍ以下がより好ましい。成分Ａが２種以上の組合せの場合、成分Ａの含有量はそれらの合計含有量をいう。なお、本開示において、１０，０００ｐｐｍは１質量％である（以下同じ）。

［水］
本開示のリンス剤組成物は、一又は複数の実施形態において、媒体として水を含有する。水としては、蒸留水、イオン交換水、純水、超純水等が挙げられる。
本開示のリンス剤組成物における水の含有量は、溶液安定性の観点から、５０質量％以上が好ましく、７０質量％以上がより好ましく、８０質量％以上が更に好ましく、そして、表面粗さ（ヘイズ）低減の観点から、９９．９９９０質量％以下が好ましく、９９．９９００質量％以下がより好ましく、９９．９８１５質量％以下が更に好ましい。

［水溶性高分子（成分Ｂ）］
本開示のリンス剤組成物は、一又は複数の実施形態において、濡れ性付与と表面粗さ（ヘイズ）低減とを両立する観点から、ヒドロキシアルキルセルロース及びポリグリセリンの少なくとも一方の水溶性高分子（以下、「成分Ｂ」ともいう）をさらに含んでもよい。成分Ｂは、１種でもよいし、２種以上の組合せでもよい。本開示において、「水溶性」とは、水（２０℃）に対して０．５ｇ／１００ｍＬ以上の溶解度、好ましくは２ｇ／１００ｍＬ以上の溶解度を有することをいう。
前記ヒドロキシアルキルセルロースとしては、ヒドロキシエチルセルロース（ＨＥＣ）、ヒドロキシプロピルセルロース、及びヒドロキシブチルセルロースから選ばれる少なくとも１種が挙げられる。
これらのなかでも、成分Ｂは、ヒドロキシエチルセルロース（ＨＥＣ）及びポリグリセリンの少なくとも一方が好ましい。

成分Ｂがヒドロキシアルキルセルロースである場合、成分Ｂの重量平均分子量は、濡れ性付与と表面粗さ（ヘイズ）低減とを両立する観点から、５万以上が好ましく、１０万以上がより好ましく、１５万以上が更に好ましく、そして、５０万以下が好ましく、４０万以下がより好ましく、３０万以下が更に好ましい。
成分Ｂがポリグリセリンである場合、成分Ｂの重量平均分子量は、同様の観点から、２，０００以上が好ましく、２，５００以上がより好ましく、２，８００以上が更に好ましく、そして、１０，０００以下が好ましく、８，０００以下がより好ましく、６，０００以下が更に好ましい。
成分Ｂの重量平均分子量は後の実施例に記載の方法により測定できる。

本開示のリンス剤組成物が成分Ｂを含む場合、本開示のリンス剤組成物中の成分Ｂの含有量は、濡れ性付与と表面粗さ（ヘイズ）低減とを両立する観点から、１０ｐｐｍ以上が好ましく、３０ｐｐｍ以上がより好ましく、５０ｐｐｍ以上が更に好ましく、そして、１，０００ｐｐｍ以下が好ましく、５００ｐｐｍ以下がより好ましく、３００ｐｐｍ以下が更に好ましく、１５０ｐｐｍ以下が更に好ましい。同様の観点から、本開示のリンス剤組成物中の成分Ｂの含有量は、１０ｐｐｍ以上１，０００ｐｐｍ以下が好ましく、３０ｐｐｍ以上５００ｐｐｍ以下がより好ましく、５０ｐｐｍ以上３００ｐｐｍ以下が更に好ましく、５０ｐｐｍ以上１５０ｐｐｍ以下が更に好ましい。成分Ｂが２種以上の組合せの場合、成分Ｂの含有量はそれらの合計含有量をいう。

［ポリエチレングリコール（成分Ｃ）］
本開示のリンス剤組成物は、一又は複数の実施形態において、ポリエチレングリコール（以下、「成分Ｃ」ともいう）をさらに含んでもよい。

成分Ｃの重量平均分子量は、表面粗さ（ヘイズ）低減の観点から、６００以上が好ましく、８００以上がより好ましく、１,０００以上が更に好ましく、そして、濡れ性付与の観点から、１０,０００未満以下が好ましく、８,０００以下がより好ましく、６,０００以下が更に好ましい。濡れ性付与の観点から、成分Ｃの重量平均分子量は、６００以上１０,０００未満が好ましく、８００以上８,０００以下が好ましく、１０００以上６,０００以下が更に好ましい。成分Ｃは、１種でもよいし、２種以上の組合せでもよい。

本開示のリンス剤組成物が成分Ｃを含む場合、本開示のリンス剤組成物中の成分Ｃの含有量は、表面粗さ（ヘイズ）低減の観点から、０．１ｐｐｍ以上が好ましく、１ｐｐｍ以上がより好ましく、３ｐｐｍ以上が更に好ましく、１０ｐｐｍ以上が更に好ましく、そして、濡れ性付与の観点から、１,０００ｐｐｍ以下が好ましく、５００ｐｐｍ以下がより好ましく、１００ｐｐｍ以下が更に好ましく、５０ｐｐｍ以下が更に好ましく、３０ｐｐｍ以下が更に好ましい。本開示のリンス剤組成物中の成分Ｃの含有量は、表面粗さ（ヘイズ）低減と濡れ性付与との両立の観点から、０．１ｐｐｍ以上１,０００ｐｐｍ以下が好ましく、１ｐｐｍ以上５００ｐｐｍ以下がより好ましく、３ｐｐｍ以上１００ｐｐｍ以下が更に好ましく、３ｐｐｍ以上５０ｐｐｍ以下が更に好ましく、１０ｐｐｍ以上５０ｐｐｍ以下が更に好ましい。成分Ｃが２種以上の組合せの場合、成分Ｃの含有量はそれらの合計含有量をいう。

［含窒素塩基性化合物（成分Ｄ）］
本開示のリンス剤組成物は、一又は複数の実施形態において、ｐＨ調整と溶液安定性の観点から、含窒素塩基性化合物（以下、「成分Ｄ」ともいう）をさらに含んでもよい。成分Ｄは、水溶性の含窒素塩基性化合物であることが好ましい。本開示において、「水溶性」とは、水（２０℃）に対して０．５ｇ／１００ｍＬ以上の溶解度、好ましくは２ｇ／１００ｍＬ以上の溶解度を有することをいう。本開示において、「水溶性の含窒素塩基性」とは、水に溶解したときに塩基性を示す含窒素化合物をいう。成分Ｄは、１種でもよいし、２種以上の組合せでもよい。成分Ｄは、一又は複数の実施形態において、成分Ａを含まない。

成分Ｄとしては、一又は複数の実施形態において、アミン化合物及びアンモニウム化合物から選ばれる少なくとも１種が挙げられる。成分Ｄとしては、例えば、アンモニア、水酸化アンモニウム、炭酸アンモニウム、炭酸水素アンモニウム、ジメチルアミン、トリメチルアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミン、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、Ｎ一メチルエタノールアミン、Ｎ－メチル－Ｎ，Ｎ一ジエタノ－ルアミン、Ｎ，Ｎ－ジメチルエタノールアミン、Ｎ，Ｎ－ジエチルエタノールアミン、Ｎ，Ｎ－ジブチルエタノールアミン、Ｎ－（β－アミノエチル）エタノ－ルアミン、モノイソプロパノールアミン、ジイソプロパノールアミン、トリイソプロパノールアミン、エチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、ピペラジン・六水和物、無水ピペラジン、１－（２－アミノエチル）ピペラジン、Ｎ－メチルピペラジン、ジエチレントリアミン、水酸化テトラメチルアンモニウム、及びヒドロキシアミンから選ばれる１種又は２種以上の組合せが挙げられる。なかでも、表面粗さ（ヘイズ）のさらなる低減の観点から、成分Ｄとしては、アンモニア、又は、アンモニアとヒドロキシアミンの混合物が好ましく、アンモニアがより好ましい。

本開示のリンス剤組成物中の成分Ｄの含有量は、ｐＨ調整と溶液安定性の観点から、５ｐｐｍ以上が好ましく、１０ｐｐｍ以上がより好ましく、そして、５００ｐｐｍ以下が好ましく、２５０ｐｐｍ以下がより好ましく、２００ｐｐｍ以下が更に好ましく、１５０ｐｐｍ以下が更に好ましい。同様の観点から、本開示のリンス剤組成物中の成分Ｄの含有量は５ｐｐｍ以上５００ｐｐｍ以下が好ましく、５ｐｍ以上２５０ｐｐｍ以下がより好ましく、５ｐｐｍ以上２００ｐｐｍ以下が更に好ましく、１０ｐｐｍ以上１５０ｐｐｍ以下が更に好ましい。成分Ｄが２種以上の組合せの場合、成分Ｄの含有量はそれらの合計含有量をいう。

［シリカ粒子（成分Ｅ）］
本開示のリンス剤組成物は、一又は複数の実施形態において、表面粗さ（ヘイズ）のさらなる低減の観点から、シリカ粒子（以下、「成分Ｅ」ともいう）をさらに含んでもよい。成分Ｅとしては、コロイダルシリカ、フュームドシリカ、粉砕シリカ、及びそれらを表面修飾したシリカ等が挙げられ、表面粗さ（ヘイズ）低減の観点から、コロイダルシリカが好ましい。成分Ｅは、１種でもよいし、２種以上の組合せでもよい。成分Ｅは、一又は複数の実施形態において、研磨に用いるシリカ砥粒と同じシリカ砥粒を用いることができる。

成分Ｅの使用形態としては、操作性の観点から、スラリー状が好ましい。本開示のリンス剤組成物に含まれる成分Ｅがコロイダルシリカである場合、アルカリ金属やアルカリ土類金属等によるシリコン基板の汚染を防止する観点から、コロイダルシリカは、アルコキシシランの加水分解物から得たものであることが好ましい。アルコキシシランの加水分解物から得られるシリカ粒子は、従来から公知の方法によって作製できる。

成分Ｅの平均一次粒子径は、表面粗さ（ヘイズ）のさらなる低減の観点から、１０ｎｍ以上が好ましく、１５ｎｍ以上がより好ましく、２０ｎｍ以上が更に好ましく、そして、４０ｎｍ以下が好ましく、３５ｎｍ以下がより好ましく、３０ｎｍ以下が更に好ましい。同様の観点から、成分Ｅの平均一次粒子径は、１０ｎｍ以上４０ｎｍ以下が好ましく、１５ｎｍ以上３５ｎｍ以下がより好ましく、２０ｎｍ以上３０ｎｍ以下が更に好ましい。本開示において、成分Ｅの平均一次粒子径は、ＢＥＴ（窒素吸着）法によって算出される比表面積Ｓ（ｍ²／ｇ）を用いて算出される。比表面積は、例えば、実施例に記載の方法により測定できる。

成分Ｅの平均二次粒子径は、表面粗さ（ヘイズ）低減の観点から、２０ｎｍ以上が好ましく、３０ｎｍ以上がより好ましく、４０ｎｍ以上が更に好ましく、そして、８０ｎｍ以下が好ましく、７５ｎｍ以下がより好ましく、７０ｎｍ以下が更に好ましい。同様の観点から、成分Ｅの平均二次粒子径は、２０ｎｍ以上８０ｎｍ以下が好ましく、３０ｎｍ以上７５ｎｍ以下がより好ましく、４０ｎｍ以上７０ｎｍ以下が更に好ましい。本開示において、平均二次粒子径は、動的光散乱（ＤＬＳ）法によって測定される値であり、例えば、実施例に記載の装置を用いて測定できる。

成分Ｅの会合度は、表面粗さ（ヘイズ）のさらなる低減の観点から、３以下が好ましく、２．５以下がより好ましく、２．３以下が更に好ましく、そして、１．１以上が好ましく、１．５以上がより好ましく、１．８以上が更に好ましい。
本開示において、成分Ｅの会合度は、シリカ粒子の形状を表す係数であり、下記式により算出できる。
会合度＝平均二次粒子径／平均一次粒子径
成分Ｅの会合度の調整方法としては、例えば、特開平６－２５４３８３号公報、特開平１１－２１４３３８号公報、特開平１１－６０２３２号公報、特開２００５－０６０２１７号公報、特開２００５－０６０２１９号公報等に記載の方法を採用することができる。

本開示のリンス剤組成物中の成分Ｅの含有量は、表面粗さ（ヘイズ）のさらなる低減の観点から、ＳｉＯ₂換算で、０．０１質量％以上が好ましく、０．０５質量％以上がより好ましく、０．０７質量％以上が更に好ましく、そして、２．５質量％以下が好ましく、１質量％以下がより好ましく、０．５質量％以下が更に好ましく、０．２質量％以下が更に好ましい。本開示のリンス剤組成物中の成分Ｅの含有量は、表面欠陥低減の観点から、ＳｉＯ₂換算で、０．０１質量％以上２．５質量％以下が好ましく、０．０５質量％以上１質量％以下がより好ましく、０．０７質量％以上０．５質量％以下が更に好ましく、０．０７質量％以上０．２質量％以下が更に好ましい。成分Ｅが２種以上の組合せの場合、成分Ｅの含有量はそれらの合計含有量をいう。

［その他の成分］
本開示のリンス剤組成物は、本開示の効果が妨げられない範囲で、その他の成分をさらに含んでもよい。その他の成分としては、一又は複数の実施形態において、成分Ａ以外の界面活性剤、成分Ｂ及び成分Ｃ以外の水溶性高分子、成分Ｄ以外のｐＨ調整剤、防腐剤、アルコール類、キレート剤、消泡剤及び酸化剤から選ばれる少なくとも１種の任意成分をさらに含むことができる。

[リンス剤組成物のｐＨ］
本開示のリンス剤組成物の２５℃におけるｐＨは、溶液安定性の観点から、６以上が好ましく、８以上がより好ましく、９以上が更に好ましく、そして、表面粗さ（ヘイズ）低減の観点から、１４以下が好ましく、１３以下が更に好ましい。ｐＨの調整は、必要に応じて、ｐＨ調整剤を適宜添加して行うことができる。ここで、２５℃におけるｐＨは、ｐＨメータを用いて測定でき、具体的には、実施例に記載の方法で測定できる。

［リンス剤組成物の製造方法］
本開示のリンス剤組成物は、例えば、成分Ａと水と必要に応じて任意成分（成分Ｂ、成分Ｃ、成分Ｄ、成分Ｅ、その他の成分）とを公知の方法で配合する工程を含む製造方法によって製造できる。本開示において「配合する」とは、成分Ａ、水及び必要に応じて任意成分（成分Ｂ、成分Ｃ、成分Ｄ、成分Ｅ、その他の成分）を、同時に又は任意の順に混合することを含む。前記配合は、例えば、ホモミキサー、ホモジナイザー、超音波分散機及び湿式ボールミル等の混合器を用いて行うことができる。本開示のリンス剤組成物の製造方法における各成分の好ましい配合量は、上述した本開示のリンス剤組成物中の各成分の好ましい含有量と同じとすることができる。

本開示において、「リンス剤組成物中の各成分の含有量」は、リンス剤組成物の使用時、すなわち、リンス剤組成物をリンス処理に使用する時点における前記各成分の含有量をいう。

［リンス剤組成物の濃縮液］
本開示のリンス剤組成物は、その保存安定性が損なわれない範囲で濃縮された状態で保存及び供給されてもよい。この場合、製造及び輸送コストを更に低くできる点で好ましい。本開示のリンス剤組成物の濃縮液は、使用時に各成分の含有量が上述した各成分の含有量となるように水で適宜希釈して使用すればよい。濃縮倍率としては、製造及び輸送コストを更に低くできる観点から、好ましくは２倍以上、より好ましくは１０倍以上、更に好ましくは２０倍以上である。

本開示のリンス剤組成物が濃縮液である場合、本開示のリンス剤組成物の濃縮液中の成分Ａの含有量は、製造及び輸送コストを低くする観点から、好ましくは０．００２質量％以上、より好ましくは０．０１質量％以上、更に好ましくは０．０２質量％以上であり、そして、保存安定性の向上の観点から、好ましくは０．４質量％以下、より好ましくは０．２質量％以下、更に好ましくは０．１質量％以下である。

本開示のリンス剤組成物が濃縮液である場合、本開示のリンス剤組成物の濃縮液の２５℃におけるｐＨは、好ましくは８以上、より好ましくは９以上、更に好ましくは１０以上であり、そして、好ましくは１４以下、より好ましくは１３以下である。

［リンス剤組成物の使用方法］
本開示のリンス剤組成物は、シリカ粒子を含む研磨液組成物を用いて研磨されたシリコンウェーハをリンス処理するためのものである。
本開示のリンス剤組成物は、一又は複数の実施形態において、研磨に用いた研磨機と同じ研磨機に供給され、シリコンウェーハ及び研磨パッドと接触するように使用される。
本開示のリンス剤組成物は、一又は複数の実施形態において、前記研磨液組成物と共に研磨機に供給されてもよいし、前記研磨液組成物の研磨機への供給停止後に研磨機に供給されてもよい。
したがって、本開示は、一態様において、研磨に用いた研磨機と同じ研磨機に供給されるリンス剤組成物の使用方法であって、本開示のリンス剤組成物を、シリカ粒子を含む研磨液組成物と共に研磨機に供給し、シリコンウェーハ及び研磨パッドと接触させること、又は、研磨に用いた研磨液組成物の研磨機への供給停止後、本開示のリンス剤組成物を、シリコンウェーハ及び研磨パッドと接触させること、を含む、リンス剤組成物の使用方法（以下、「本開示のリンス剤組成物の使用方法」ともいう）に関する。中でも、本開示のリンス剤組成物を、シリカ粒子を含む研磨液組成物と共に研磨機に供給し、シリコンウェーハ及び研磨パッドと接触させること、を含む、リンス剤組成物の使用方法が好ましい。
本開示のリンス剤組成物の使用方法によれば、シリコンウェーハの表面粗さ（ヘイズ）を低減できる。

［リンス方法］
本開示は、一態様において、シリカ粒子を含む研磨液組成物を用いて研磨されたシリコンウェーハをリンス処理するリンス方法であって、本開示のリンス剤組成物を、シリカ粒子を含む研磨液組成物と共に研磨機に供給し、シリコンウェーハ及び研磨パッドと接触させること、又は、研磨に用いた研磨液組成物の研磨機への供給停止後、本開示のリンス剤組成物を研磨機に供給し、シリコンウェーハ及び研磨パッドと接触させること、を含む、リンス方法（以下、「本開示のリンス方法」ともいう）に関する。本開示のリンス方法におけるリンス処理の方法は、後述する本開示の半導体基板製造方法におけるリンス工程（２）と同様にして行うことができる。
本開示のリンス方法によれば、シリコンウェーハの表面粗さ（ヘイズ）を低減できる。

［半導体基板の製造方法］
本開示のリンス剤組成物は、一又は複数の実施形態において、半導体基板の製造過程における、シリコンウェーハの研磨工程後のリンス工程に用いられる。
すなわち、本開示は、一態様において、下記工程（１）、（２）及び（３）を含み、下記工程（１）及び（２）を同一研磨機で行う、半導体基板の製造方法（以下、「本開示の半導体基板製造方法」ともいう）に関する。
（１）シリカ粒子を含む研磨液組成物を用いて被研磨シリコンウェーハを研磨する研磨工程
（２）工程（１）で研磨されたシリコンウェーハ（以下、「研磨後シリコンウェーハ」ともいう）を、本開示のリンス剤組成物を用いてリンス処理するリンス工程
（３）工程（２）でリンス処理されたシリコンウェーハ（以下、「リンス後シリコンウェーハ」ともいう）を洗浄する洗浄工程

＜被研磨シリコンウェーハ＞
被研磨シリコンウェーハとしては、例えば、単結晶１００面シリコンウェーハ、１１１面シリコンウェーハ、１１０面シリコンウェーハ等が挙げられる。シリコンウェーハの抵抗率としては、ウェーハ表面上の残留物低減の観点から、好ましくは０．０００１Ω・ｃｍ以上、より好ましくは０．００１Ω・ｃｍ以上、更に好ましくは０．０１Ω・ｃｍ以上、更により好ましくは０．１Ω・ｃｍ以上であり、そして、好ましくは１００Ω・ｃｍ以下、より好ましくは５０Ω・ｃｍ以下、更に好ましくは２０Ω・ｃｍ以下である。同様の観点から、シリコンウェーハの抵抗率は、好ましくは０．０００１Ω・ｃｍ以上１００Ω・ｃｍ以下、より好ましくは０．００１Ω・ｃｍ以上１００Ω・ｃｍ以下、更に好ましくは０．０１Ω・ｃｍ以上１００Ω・ｃｍ以下、更に好ましくは０．１Ω・ｃｍ以上１００Ω・ｃｍ以下であり、更に好ましくは０．１Ω・ｃｍ以上５０Ω・ｃｍ以下、更に好ましくは０．１Ω・ｃｍ以上２０Ω・ｃｍ以下である。

＜工程（１）：研磨工程＞
前記研磨工程には、シリコン単結晶インゴットを薄円板状にスライスすることにより得られたシリコンウェーハを平面化するラッピング（粗研磨）工程と、ラッピングされたシリコンウェーハをエッチングした後、シリコンウェーハ表面を鏡面化する仕上げ研磨工程とがある。本開示のリンス剤組成物は、上記仕上げ研磨工程の後に用いられるとより好ましい。

前記研磨工程では、例えば、被研磨シリコンウェーハと研磨パッドとの間に研磨液組成物を供給し、被研磨シリコンウェーハと研磨パッドが接した状態で、研磨パッドを被研磨シリコンウェーハに対して相対運動させる。研磨パッドの種類、研磨パッドの回転数、被研磨基板の回転数、研磨パッドを備えた研磨装置に設定される研磨荷重、研磨液組成物の供給速度、研磨時間、研磨液組成物の温度、研磨パッドの表面温度等の研磨条件は、従来公知の研磨条件と同じでもよく、適宜設定可能である。
研磨荷重としては、例えば、４０～１５０ｇ/ｃｍ²が挙げられる。研磨荷重とは、研磨時に被研磨シリコン基板の被研磨面に加えられる定盤の圧力をいう。
研磨時間としては、例えば、１００～６００秒が挙げられる。
研磨時における研磨液組成物の温度及び研磨パッドの表面温度としては、例えば、１５℃～４０℃が挙げられる。

前記研磨工程で使用される研磨液組成物は、一又は複数の実施形態において、砥粒としてシリカ粒子を含む。シリカ粒子としては、コロイダルシリカ、フュームドシリカ、粉砕シリカ、及びそれらを表面修飾したシリカ等が挙げられる。研磨速度向上及び表面粗さ（ヘイズ）低減とウェーハ表面上の表面欠陥（ＬＰＤ）低減の観点から、コロイダルシリカが好ましい。シリカ粒子は、１種でもよいし、２種以上の組合せでもよい。研磨液組成物中のシリカ粒子の含有量は、例えば、０．０５質量％以上１０質量％以下が挙げられる。
前記研磨液組成物は、研磨速度向上と表面粗さ（ヘイズ）低減と表面欠陥（ＬＰＤ）低減とを達成する観点から、好ましくはノニオン性水溶性高分子、より好ましくは分子内にアルキレンオキサイド基又は水酸基を有し、重量平均分子量が１，０００以上５０万未満であるノニオン性水溶性高分子を含有する。本開示において、「水溶性」とは、水（２０℃）に対して０．５ｇ／１００ｍＬ以上の溶解度、好ましくは２ｇ／１００ｍＬ以上の溶解度を有することをいう。前記ノニオン性高分子が分子内にアルキレンオキサイド基を有する場合、アルキレンオキサイド基としては、例えば、エチレンオキサイド基、プロピレンオキサイド基等が挙げられる。前記ノニオン性高分子は、研磨速度向上と表面粗さ（ヘイズ）低減と表面欠陥（ＬＰＤ）低減とを達成する観点から、ポリグリセリン、ヒドロキシアルキルセルロース、ポリビニルアルコール、及びポリヒドロキシエチルアクリルアミドから選ばれる少なくとも１種が挙げられる。
前記研磨液組成物のｐＨは、研磨速度向上と保存安定性とを両立する観点から、８．５超が好ましく、９以上がより好ましく、９．５以上が更に好ましく、１０以上が更に好ましく、そして、表面品質を向上する観点から、１４以下が好ましく、１３以下がより好ましく、１２．５以下が更に好ましく、１２以下が更に好ましく、１１．５以下が更に好ましく、１１以下が更に好ましい。
前記研磨液組成物は、媒体として水を含み、研磨液組成物中の水の含有量は、シリカ粒子及び前記ノニオン性高分子および後述する任意成分の残余とすることができる。
前記研磨液組成物は、一又は複数の実施形態において、水溶性高分子、塩基性化合物、ｐＨ調整剤、防腐剤、アルコール類、キレート剤等の任意成分を含んでいてもよい。

＜工程（２）：リンス工程＞
前記リンス工程は、一又は複数の実施形態において、本開示のリンス剤組成物の使用方法又は本開示のリンス方法を用いてリンス処理を行うことができる。よって、前記リンス工程は、一又は複数の実施形態において、工程（１）の後、前記研磨液組成物の研磨機への供給を停止せず、本開示のリンス剤組成物を、シリカ粒子を含む研磨液組成物と共に研磨機に供給し、研磨されたシリコンウェーハ及び研磨パッドと接触させること、又は、工程（１）の後、前記研磨液組成物の研磨機への供給停止し、本開示のリンス剤組成物を研磨機に供給し、本開示のリンス剤組成物を、研磨されたシリコンウェーハ及び研磨パッドと接触させること、を含む。

前記リンス工程では、例えば、工程（１）で研磨されたシリコンウェーハ（以下、「研磨後シリコンウェーハ」ともいう）と研磨パッドとの間に本開示のリンス剤組成物を供給し、研磨後シリコンウェーハと研磨パッドとが接した状態で、研磨パットを研磨後シリコンウェーハに対して相対運動させる。

前記リンス工程におけるリンス処理は、研磨工程で用いられる研磨装置を用いて行える。研磨パッドの種類、研磨パッドの回転数、研磨後シリコンウェーハの回転数、研磨パッドを備えた研磨装置に設定される荷重、リンス剤組成物の供給速度等は、研磨工程における対応する条件と同じでもよいし異なっていてもよい。リンス時間は、砥粒の付着抑制の観点から、好ましくは１秒以上、より好ましくは３秒以上であり、生産性の向上の観点から、好ましくは６０秒以下、より好ましくは３０秒以下である。ここで、リンス時間とは、リンス剤組成物を供給している時間を意味する。

前記リンス工程で使用される研磨パッドは、研磨工程で使用される研磨パッドと同じでよく、不織布タイプ、スウェードタイプ等のいずれの種類のものであってもよい。また、研磨工程で使用された研磨パッドは交換せずに、そのままリンス工程に用いてもよく、この場合は、研磨パッド中に研磨液組成物の砥粒が若干含まれていてもよい。前記リンス工程は、前記研磨工程の直後、研磨装置に取り付けられたままのシリコンウェーハに対して行うこともできる。

前記リンス工程で使用されるリンス剤組成物の温度としては、例えば、５～６０℃が挙げられる。

前記リンス工程は、少なくとも仕上げ研磨工程の後に行うのが好適であるが、粗研磨工程及び仕上げ研磨工程の各工程の後に、各々行ってもよい。

前記リンス工程は、本開示のリンス剤組成物を用いて行われるリンス処理の前後に、リンス液として水を用いる水リンス処理を含んでいてもよい。水リンス処理時間は、好ましくは２秒以上３０秒以下である。

＜工程（３）：洗浄工程＞
前記洗浄工程では、例えば、工程（２）でリンス処理されたシリコンウェーハ（以下、「リンス後シリコンウェーハ」ともいう）を、洗浄剤に浸漬するか、又は、リンス後シリコンウェーハの洗浄されるべき面に洗浄剤を射出する。洗浄剤には、従来から公知の洗浄剤を用いればよく、例えば、オゾン、過酸化水素、アンモニア、塩酸、硫酸、フッ酸及びオゾン水から選ばれる少なくとも１種を含む無機物洗浄剤が挙げられる。洗浄時間は、洗浄方法に応じて設定すればよい。

本開示の半導体基板製造方法は、素子分離膜の形成工程、層間絶縁膜の平坦化工程、金属配線の形成工程等をさらに含んでいてもよい。

以下、実施例により本開示をさらに詳細に説明するが、これらは例示的なものであって、本開示はこれら実施例に制限されるものではない。

１．各種パラメータの測定方法
（１）水溶性高分子（成分Ｂ、成分Ｃ）の重量平均分子量の測定
水溶性高分子（成分Ｂ、成分Ｃ）の重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）法を下記の条件で適用して得たクロマトグラム中のピークに基づき算出した。
＜測定条件＞
装置：ＨＬＣ－８３２０ ＧＰＣ（東ソー社製、検出器一体型）
カラム：α－Ｍ＋α－Ｍ
溶離液：０．１５ｍｏｌ／Ｌ Ｎａ₂ＳＯ₄，１質量％酢酸、溶媒：水
流量：１．０ｍＬ／ｍｉｎ
カラム温度：４０℃
検出器：ショーデックスＲＩ ＳＥ－６１示差屈折率検出器
標準物質：分子量が既知のプルラン

（２）シリカ粒子（成分Ｅ）の平均一次粒子径の測定
成分Ｅの平均一次粒子径（ｎｍ）は、ＢＥＴ（窒素吸着）法によって算出される比表面積Ｓ（ｍ²／ｇ）を用いて下記式で算出した。
平均一次粒子径（ｎｍ）＝２７２７／Ｓ
成分Ｅの比表面積Ｓは、下記の［前処理］をした後、測定サンプル約０．１ｇを測定セルに小数点以下４桁まで精量し、比表面積の測定直前に１１０℃の雰囲気下で３０分間乾燥した後、比表面積測定装置（マイクロメリティック自動比表面積測定装置「フローソーブＩＩＩ２３０５」、島津製作所製）を用いて窒素吸着法（ＢＥＴ法）により測定した。
［前処理］
（ａ）スラリー状の成分Ｅを硝酸水溶液でｐＨ２．５±０．１に調整する。
（ｂ）ｐＨ２．５±０．１に調整されたスラリー状の成分Ａをシャーレにとり１５０℃の熱風乾燥機内で１時間乾燥させる。
（ｃ）乾燥後、得られた試料をメノウ乳鉢で細かく粉砕する。
（ｄ）粉砕された試料を４０℃のイオン交換水に懸濁させ、孔径１μｍのメンブランフィルタで濾過する。
（ｅ）フィルタ上の濾過物を２０ｇのイオン交換水（４０℃）で５回洗浄する。
（ｆ）濾過物が付着したフィルタをシャーレにとり、１１０℃の雰囲気下で４時間乾燥させる。
（ｇ）乾燥した濾過物（成分Ｅ）をフィルタ屑が混入しないようにとり、乳鉢で細かく粉砕して測定サンプルを得た。

（３）シリカ粒子（成分Ｅ）の平均二次粒子径
成分Ｅの平均二次粒子径（ｎｍ）は、成分Ｅの濃度が０．２５質量％となるように研磨材をイオン交換水に添加した後、得られた水分散液をＤｉｓｐｏｓａｂｌｅ Ｓｉｚｉｎｇ Ｃｕｖｅｔｔｅ（ポリスチレン製 １０ｍｍセル）に下底からの高さ１０ｍｍまで入れ、動的光散乱法（装置名：「ゼータサイザーＮａｎｏ ＺＳ」、シスメックス社製）を用いて測定した。

（４）リンス剤組成物のｐＨ
リンス剤組成物及びその濃縮液の２５℃におけるｐＨ値は、ｐＨメータ（東亜ディーケーケー株式会社製、「ＨＭ－３０Ｇ」）を用いて測定した値であり、ｐＨメータの電極をリンス剤組成物又はその濃縮物へ浸漬して１分後の数値である。

２．リンス剤組成物の調製（実施例１～１５及び比較例１～３）
表１に示すカチオン性界面活性剤（成分Ａ又は非成分Ａ）、表１に示す添加剤（成分Ｂ、成分Ｃ、成分Ｄ、成分Ｅ）及び超純水を攪拌混合し、必要に応じてｐＨ調整剤（アンモニア）を用いて、２５℃におけるｐＨを１０～１１に調整し、実施例１～１５及び比較例１～３のリンス剤組成物の濃縮液（濃縮倍率：２０倍）を得た。
なお、表１に示す各成分の含有量は、濃縮液を２０倍に希釈して得たリンス剤組成物についての値である。超純水の含有量は、成分Ａ又は非成分Ａと添加剤（成分Ｂ、成分Ｃ、成分Ｄ、成分Ｅ）とｐＨ調整剤とを除いた残余である。

リンス剤組成物の調製に用いた各成分の詳細は以下のとおりである。
（成分Ａ）
ジデシルジメチルアンモニウムクロライド［花王社製、コータミンＤ１０Ｅ］（式（ＩＩ）中、Ｒ¹：Ｃ₁₀Ｈ₂₁、Ｒ²：ＣＨ₃、Ｚ：Ｎ、Ｘ：Ｃｌ^-）
ジアルキル（Ｃ１２－１８）ジメチルアンモニウムクロライド［花王社製、コータミンＤ２３４５Ｐ］（式（ＩＩ）中、Ｒ¹：Ｃ１２－１８のアルキル基、Ｒ²：ＣＨ₃、Ｚ：Ｎ、Ｘ：Ｃｌ^-）
ジオクタデシルジメチルアンモニウムクロライド［東京化成工業社製］（式（ＩＩ）中、Ｒ¹：Ｃ₁₈Ｈ₃₇、Ｒ²：ＣＨ₃、Ｚ：Ｎ、Ｘ：Ｃｌ^-）
ジデシルジメチルアンモニウム重炭酸塩［ロンザジャパン社製、Carboquat HE］（式（ＩＩ）中、Ｒ¹：Ｃ₁₀Ｈ₂₁、Ｒ²：ＣＨ₃、Ｚ：Ｎ、Ｘ：ＨＣＯ₃ ^-）
トリヘキシルテトラデシルホスホニウムブロミド［東京化成工業社製］（式（Ｉ）中、Ｒ¹：Ｃ₁₄Ｈ₂₉、Ｒ²：Ｃ₆Ｈ₁₃、Ｚ：Ｐ、Ｘ：Ｂｒ^-）
（非成分Ａ）
ヘキサデシルトリメチルアンモニウムクロライド［東京化成工業社製］
（成分Ｂ）
ポリグリセリン［ダイセル社製、ＸＰＷ、重合度４０、重量平均分子量２，９８０］
ＨＥＣ［ヒドロキシエチルセルロース、ダイセル社製、ＳＥ４００、重量平均分子量２５０，０００］
（成分Ｃ）
ＰＥＧ １０００［ポリエチレングリコール、日油社製、ＰＥＧ＃１０００、重量平均分子量１，０００］
（成分Ｄ）
アンモニア［２８質量％アンモニア水、キシダ化学社製、試薬特級］
（成分Ｅ）
コロイダルシリカ［平均一次粒子径２５ｎｍ、平均二次粒子径４９ｎｍ、会合度２．０］

３．リンス方法
リンス剤組成物（濃縮液）を超純水で２０倍に希釈して得たリンス剤組成物（ｐＨ１０）を、下記のリンス条件で下記のシリコンウェーハ（直径２００ｍｍのシリコン片面鏡面ウェーハ、伝導型：Ｐ、結晶方位：１００、抵抗率０．１Ω・ｃｍ以上１００Ω・ｃｍ未満）に対してリンス処理を行った。
当該リンス処理に先立って、シリコンウェーハに対して市販の研磨液組成物を用いてあらかじめ粗研磨を実施した。その後、下記の条件で仕上げ研磨を行い、その直後に各リンス剤組成物を用いて下記の条件でリンス処理をした。なお、粗研磨を終了し仕上げ研磨に供したシリコンウェーハのヘイズは２－３（ｐｐｍ）であった。ヘイズは、ＫＬＡ Ｔｅｎｃｏｒ社製「Ｓｕｒｆｓｃａｎ ＳＰ１－ＤＬＳ」を用いて測定される暗視野ワイド斜入射チャンネル（ＤＷＯ）での値である。
実施例１～１１、１３～１５及び比較例２では、研磨液組成物を１５０秒間供給して仕上げ研磨を行った後、リンス剤組成物を研磨液組成物と共に３０秒間供給してリンス処理を行った。
実施例１２では、研磨液組成物を１５０秒間供給して仕上げ研磨を行った後、研磨液組成物の供給を停止して、リンス剤組成物を３０秒間供給してリンス処理を行った。

［仕上げ研磨に使用した研磨液組成物Ａ及びＢ］
（研磨液組成物Ａ）
仕上げ研磨に使用した研磨液組成物Ａは、シリカ粒子（扶桑化学工業（株）社製の“ＰＬ－２”、平均一次粒子径２５ｎｍ、平均二次粒子径４９ｎｍ、会合度２．０）、ポリグリセリン（ダイセル社製のXPW、重量平均分子量２，９８０）、メチルジアリルアミン塩酸塩・二酸化硫黄共重合体（ニットーボーメディカル ＰＡＳ－２２０１、重量平均分子量３，０００）、アンモニア（キシダ化学（株）社製、試薬特級）、イオン交換水を攪拌混合して濃縮液を調製した。そして、該濃縮液を使用直前にイオン交換水で１００倍に希釈して研磨液組成物Ａを得た。研磨液組成物Ａ中の各成分の含有量は、シリカ粒子が０．１質量％、メチルジアリルアミン塩酸塩・二酸化硫黄共重合体が７５ｐｐｍ、ポリグリセリンが７５ｐｐｍ、アンモニアが６０ｐｐｍであった。研磨液組成物ＡのｐＨは１０であった。
（研磨液組成物Ｂ）
仕上げ研磨に使用した研磨液組成物Ｂは、シリカ粒子（扶桑化学工業（株）社製の“ＰＬ－２”、平均一次粒子径２５ｎｍ、平均二次粒子径４９ｎｍ、会合度２．０）、ＨＥＣ（ヒドロキシエチルセルロース、ダイセル社製の“SE400”、重量平均分子量２５０，０００）、ＰＥＧ（ポリエチレングリコール、日油社製の“PEG＃６０００”、重量平均分子量６，０００）、アンモニア（キシダ化学（株）社製、試薬特級）、イオン交換水を攪拌混合して濃縮液を調製した。そして、該濃縮液を使用直前にイオン交換水で２０倍に希釈して研磨液組成物Ｂを得た。研磨液組成物Ｂ中の各成分の含有量は、シリカ粒子が０．１質量％、ＨＥＣが２００ｐｐｍ、アンモニアが７０ｐｐｍ、ＰＥＧが１０ｐｐｍであった。研磨液組成物ＢのｐＨは１０であった。

［仕上げ研磨条件］
研磨機：岡本工作製片面８インチ研磨機「ＧＲＩＮＤ－Ｘ ＳＰＰ６００ｓ」
研磨パッド：東レ コーテックス社製スエードパッド（アスカー硬度：６４、厚さ：１．３７ｍｍ、ナップ長：４５０μｍ，開口径：６０μｍ）
荷重：１２５ｇ／ｃｍ²
定盤回転速度：６０ｒｐｍ
研磨時間：１５０秒
研磨液組成物の供給速度：１００ｍL／分
研磨液組成物の温度：２３℃
キャリア回転速度：６２ｒｐｍ

［リンス条件］
（実施例１～１１、１３～１５、比較例２）
研磨機：仕上げ研磨で用いた研磨機と同じ研磨機
研磨パッド：仕上げ研磨で用いた研磨パッドと同じ研磨パッド
荷重：１２５ｇ／ｃｍ²
定盤回転速度：６０ｒｐｍ
リンス時間：３０秒
リンス剤組成物の供給速度：１００ｍＬ／分
リンス剤組成物の温度：２５℃
研磨液組成物の供給速度：１００ｍL／分
研磨液組成物の温度：２３℃
キャリア回転速度：６２ｒｐｍ
（実施例１２）
研磨機：仕上げ研磨で用いた研磨機と同じ研磨機
研磨パッド：仕上げ研磨で用いた研磨パッドと同じ研磨パッド
荷重：１２５ｇ／ｃｍ²
定盤回転速度：６０ｒｐｍ
リンス時間：３０秒
リンス剤組成物の供給速度：１００ｍＬ／分
リンス剤組成物の温度：２５℃
キャリア回転速度：６２ｒｐｍ

４．洗浄方法
リンス処理後、シリコンウェーハに対して、オゾン洗浄と希フッ酸洗浄を下記のとおり行った。オゾン洗浄では、２０ｐｐｍのオゾンを含んだ水溶液をノズルから流速１Ｌ／ｍｉｎ、６００ｒｐｍで回転するシリコンウェーハの中央に向かって３分間噴射した。このときオゾン水の温度は常温とした。次に希フッ酸洗浄を行った。希フッ酸洗浄では、０．５質量％のフッ化水素アンモニウム（特級：ナカライテクス株式会社）を含んだ水溶液をノズルから流速１Ｌ／ｍｉｎ、６００ｒｐｍで回転するシリコンウェーハの中央に向かって６秒間噴射した。上記オゾン洗浄と希フッ酸洗浄を１セットとして計２セット行い、最後にスピン乾燥を行った。スピン乾燥では１，５００ｒｐｍでシリコンウェーハを回転させた。

５．評価
［シリコンウェーハの表面粗さ（ヘイズ）の評価］
洗浄後のシリコンウェーハの表面粗さ（ヘイズ）の評価には、表面粗さ測定装置「Ｓｕｒｆｓｃａｎ ＳＰ１－ＤＬＳ」（ＫＬＡ Ｔｅｎｃｏｒ社製）を用いて測定される、暗視野ワイド斜入射チャンネル（ＤＷＯ）での値（ＤＷＯヘイズ）を用いた。ＤＷＯヘイズの数値は小さいほど、表面の平滑性が高いことを示す。
表面粗さ（ヘイズ）の測定は、２枚のシリコン基板に対して行い、平均値を求めた。結果を表１に示した。

［シリコンウェーハ表面の濡れ性の評価］
研磨処理後もしくはリンス処理後のシリコンウェーハを、研磨機盤上から超純水を張った桶に移し、引き上げ、垂直にシリコンウェーハを固定し、超純水のシャワーを流量２０００ｍｌ/分で３０秒間、シリコンウェーハの上部に噴射し、シャワー停止後５秒後の親水部面積を目視で評価した。なお、シリコンウェーハの全面が濡れている場合を１００％とした。
＜評価基準＞
Ａ：１００％
Ｂ：９１％以上１００％未満
Ｃ：９０％以下

上記表１に示すとおり、実施例１～１５のリンス剤組成物は、ウェーハ表面の濡れ性が良好で、比較例１～３に比べて、シリコンウェーハの表面粗さ（ヘイズ）が低減していた。

本開示のリンス剤組成物は、シリコンウェーハの表面粗さ（ヘイズ）を低減できるため、表面品質に優れるシリコンウェーハを製造でき、半導体基板の量産において有用である。

Claims (9)

1. カチオン性界面活性剤（成分Ａ）を含み、
   成分Ａは、分子内に２つ以上の炭素数１０以上１８以下のアルキル基を有する第４級アンモニウム又はその塩（成分Ａ１）、及び、分子内に１つ以上の炭素数１０以上１８以下のアルキル基を有する第４級ホスホニウム又はその塩（成分Ａ２）の少なくとも一方である、シリコンウェーハ用リンス剤組成物。
2. 成分Ａは、分子内の炭素数の合計が２２以上３８以下である、請求項１に記載のリンス剤組成物。
3. 成分Ａは、下記式（Ｉ）又は（ＩＩ）で表される構成を有する化合物である、請求項１又は２に記載のリンス剤組成物。
   

   

   前記式（Ｉ）中、Ｒ¹は同一又は異なって、炭素数１０以上１８以下のアルキル基を示し、Ｒ²は同一又は異なって、炭素数１以上６以下の炭化水素基又は－（ＣＨ₂ＣＨ₂Ｏ）_nＨ（但し、ｎは１～３である）であり、Ｚはリン原子であり、Ｘ^-は対イオンである。
   前記式（ＩＩ）中、Ｒ¹は同一又は異なって、炭素数１０以上１８以下のアルキル基を示し、Ｒ²は同一又は異なって、炭素数１以上６以下の炭化水素基又は－（ＣＨ₂ＣＨ₂Ｏ）_nＨ（但し、ｎは１～３である）であり、Ｚは窒素原子又はリン原子であり、Ｘ^-は対イオンである。
4. 成分Ａの含有量が、１０ｐｐｍ以上４０ｐｐｍ以下である、請求項１から３のいずれかに記載のリンス剤組成物。
5. ヒドロキシアルキルセルロース及びポリグリセリンの少なくとも一方の水溶性高分子（成分Ｂ）をさらに含む、請求項１から４のいずれかに記載のリンス剤組成物。
6. ポリエチレングリコール（成分Ｃ）をさらに含む、請求項１から５のいずれかに記載のリンス剤組成物。
7. 含窒素塩基性化合物（成分Ｄ）を含む、請求項１から６のいずれかに記載のリンス剤組成物。
8. シリカ粒子（成分Ｅ）をさらに含む、請求項１から７のいずれかに記載のリンス剤組成物。
9. 研磨に用いた研磨機と同じ研磨機に供給されるリンス剤組成物の使用方法であって、
   請求項１から８のいずれかに記載のリンス剤組成物を、シリカ粒子を含む研磨液組成物と共に研磨機に供給し、シリコンウェーハ及び研磨パッドと接触させること、又は、
   研磨に用いた研磨液組成物の研磨機への供給停止後、請求項１から８のいずれかに記載のリンス剤組成物を研磨機に供給し、シリコンウェーハ及び研磨パッドと接触させること、を含む、リンス剤組成物の使用方法。