JP2014241672A - 半導体装置及びその制御方法 - Google Patents
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Abstract
Description
本発明の半導体装置は、スイッチング素子が形成されたスイッチング素子チップと、前記スイッチング素子が過熱した際に前記スイッチング素子を遮断する過熱保護動作を行う制御回路が形成され前記スイッチング素子チップとは別体とされた制御回路チップと、を具備する半導体装置であって、前記スイッチング素子チップにおいて、前記スイッチング素子の動作電流から分岐された検出電流が出力され、前記スイッチング素子チップに設けられ前記検出電流が流された際の出力電圧が検出される構成とされた第1センス素子と、前記スイッチング素子チップの外部に設けられ前記検出電流が流された際の出力電圧が検出される構成とされた第2センス素子と、を具備し、前記制御回路は、前記第2センス素子の出力電圧より前記動作電流を検出し、かつ前記第2センス素子の出力電圧及び検出された前記動作電流を用いて前記過熱保護動作を行うことを特徴とする。
第1の実施の形態に係る半導体装置においては、スイッチング素子となるIGBTのエミッタ電流経路が3分岐され、そのうちの一つの経路が直接エミッタ端子に、他の2つの経路がそれぞれ異なるセンス素子(第1センス素子、第2センス素子)を介してエミッタ端子に接続される。この2つのセンス素子に第1検出電流、第2検出電流がそれぞれ流れることによって生ずる電圧が測定され、これによってIGBTの動作電流と温度が測定される。
第2の実施の形態に係る半導体装置においても、IGBTの温度を同様に正確にモニターすることができる。ただし、このための回路構成が第1の実施の形態とは異なる。図6は、この半導体装置2の構成を示す図である。第1の実施の形態とは異なり、ここで用いられるIGBT11のエミッタ電極は2つに分岐される。この分岐の一方はエミッタ端子(E)に直接接続され、他方は第1センス素子21の一端に接続される。また、分岐の他方には第1センス素子21の一端が接続され、第1センス素子21の他端はエミッタ端子(E)に接続される。このIGBT11においては、分岐の他方から1系統のみの検出電流が出力される。また、第1センス素子21の一端は端子Mと接続され、端子Mには、スイッチ34の一端が接続される。スイッチ34の他端はVS2検出回路32に接続される。
10、11 IGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)
21 第1センス素子
22 第2センス素子
23 抵抗体
31 VS1検出回路
32 VS2検出回路
33 ドライブ回路(制御回路)
34 スイッチ
51 p+層(コレクタ層)
52 n−層
53 p−層
54 n+層
55 酸化膜(ゲート絶縁膜)
56 ゲート電極
57 エミッタ電極
58 層間絶縁膜
59 コレクタ電極
60 ゲート接続電極
61 ソース電極
62 ドレイン電極
71 リードフレーム(第1のリードフレーム)
72 リードフレーム(第2のリードフレーム)
73 モールド層
74 放熱板
75 ボンディングワイヤ
81 スイッチング素子チップ
82 ダイオードチップ
83 制御回路チップ
100 負荷
Claims (10)
- スイッチング素子が形成されたスイッチング素子チップと、前記スイッチング素子が過熱した際に前記スイッチング素子を遮断する過熱保護動作を行う制御回路が形成され前記スイッチング素子チップとは別体とされた制御回路チップと、を具備する半導体装置であって、
前記スイッチング素子チップにおいて、前記スイッチング素子の動作電流から分岐された検出電流が出力され、
前記スイッチング素子チップに設けられ前記検出電流が流された際の出力電圧が検出される構成とされた第1センス素子と、
前記スイッチング素子チップの外部に設けられ前記検出電流が流された際の出力電圧が検出される構成とされた第2センス素子と、
を具備し、
前記制御回路は、前記第2センス素子の出力電圧より前記動作電流を検出し、かつ前記第2センス素子の出力電圧及び検出された前記動作電流を用いて前記過熱保護動作を行うことを特徴とする半導体装置。 - 前記制御回路は、前記動作電流が予め設定された値を超えた場合に前記スイッチング素子を遮断する過電流保護動作を行うことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記スイッチング素子の過熱の際の前記第2センス素子の抵抗値の変化は、前記スイッチング素子の過熱の際の前記第1センス素子の抵抗値の変化よりも小さくされたことを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体装置。
- 前記第1センス素子は、前記スイッチング素子チップ中において前記スイッチング素子を構成する拡散層を用いて形成されたことを特徴とする請求項3に記載の半導体装置。
- 前記第2センス素子は、前記制御回路チップ中に形成された抵抗素子であることを特徴とする請求項1から請求項4までのいずれか1項に記載の半導体装置。
- 前記スイッチング素子は、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(Insulated Gate Bipolar Transistor)であることを特徴とする請求項1から請求項5までのいずれか1項に記載の半導体装置。
- 第1のリードフレームに搭載された前記スイッチング素子チップと、前記第1のリードフレームと別体とされた第2のリードフレームに搭載された前記制御回路チップと、が離間してモールド層中に封止された構成を具備することを特徴とする請求項1から請求項6までのいずれか1項に記載の半導体装置。
- 前記スイッチング素子チップにおいて、前記動作電流から、第1検出電流及び第2検出電流がそれぞれ分岐して出力され、
前記第1センス素子に前記第1検出電流が流され、前記第2センス素子に前記第2検出電流が流される構成とされたことを特徴とする請求項1から請求項7までのいずれか1項に記載の半導体装置。 - 前記スイッチング素子チップにおいて、前記動作電流から、1系統の前記検出電流が分岐して出力され、
前記検出電流による第1センス素子の出力電圧、前記検出電流による前記第2センス素子の出力電圧のうちの一方がスイッチによって選択されて検出される構成とされたことを特徴とする請求項1から請求項7までのいずれか1項に記載の半導体装置。 - 請求項9に記載の半導体装置の制御方法であって、
予め定められたタイミングで前記スイッチを操作し、前記第1センス素子の出力電圧を検出する期間と、前記第2センス素子の出力電圧を検出する期間を設けることを特徴とする半導体装置の制御方法。
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Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108291843A (zh) * | 2015-11-26 | 2018-07-17 | 罗伯特·博世有限公司 | 具有第一温度测量元件的半导体构件以及用于确定流过半导体构件的电流的方法 |
CN109768787A (zh) * | 2017-11-09 | 2019-05-17 | 三菱电机株式会社 | 半导体装置及其驱动方法 |
JP2019079940A (ja) * | 2017-10-25 | 2019-05-23 | 三菱電機株式会社 | パワー半導体モジュールの製造方法およびパワー半導体モジュール |
JP2020123929A (ja) * | 2019-01-31 | 2020-08-13 | トヨタ自動車株式会社 | スイッチング回路 |
JP2021035232A (ja) * | 2019-08-27 | 2021-03-01 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | 電力変換装置 |
US11276621B2 (en) | 2020-01-09 | 2022-03-15 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor device |
WO2023248335A1 (ja) * | 2022-06-21 | 2023-12-28 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置及び電力変換装置 |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6171599B2 (ja) * | 2013-06-11 | 2017-08-02 | サンケン電気株式会社 | 半導体装置及びその制御方法 |
US9829387B2 (en) * | 2014-10-28 | 2017-11-28 | Infineon Technologies Austria Ag | System and method for temperature sensing |
CN104749425A (zh) * | 2015-04-02 | 2015-07-01 | 佛山市柏克新能科技股份有限公司 | 过流快速检测电路 |
JP6623556B2 (ja) * | 2015-05-27 | 2019-12-25 | 株式会社デンソー | 半導体装置 |
US9912225B2 (en) * | 2015-10-30 | 2018-03-06 | Faraday & Future Inc. | Method and system for overcurrent protection for insulated-gate bipolar transistor (IGBT) modules |
DE102016116400A1 (de) | 2016-09-01 | 2018-03-01 | Eaton Industries (Austria) Gmbh | Schutzschaltgerät |
GB2563686A (en) * | 2017-06-23 | 2018-12-26 | Nidec Control Techniques Ltd | Method and apparatus for monitoring a semiconductor switch |
WO2019225121A1 (ja) * | 2018-05-23 | 2019-11-28 | 三菱電機株式会社 | 電力用半導体素子の保護回路およびパワーモジュール |
JP7472663B2 (ja) * | 2020-06-05 | 2024-04-23 | 富士電機株式会社 | 電力変換装置 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0267767A (ja) * | 1988-09-02 | 1990-03-07 | Hitachi Ltd | 半導体装置及びその回路 |
JPH09102505A (ja) * | 1995-10-02 | 1997-04-15 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
JP2011142700A (ja) * | 2010-01-05 | 2011-07-21 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置およびそれを用いた駆動回路 |
JP2011151157A (ja) * | 2010-01-21 | 2011-08-04 | Mitsubishi Electric Corp | パワーモジュール |
WO2012029652A1 (ja) * | 2010-09-03 | 2012-03-08 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4893158A (en) * | 1987-06-22 | 1990-01-09 | Nissan Motor Co., Ltd. | MOSFET device |
JPH07113861B2 (ja) * | 1988-01-29 | 1995-12-06 | 株式会社日立製作所 | 半導体素子の状態検出及び保護回路とそれを用いたインバータ回路 |
US5128823A (en) * | 1989-06-14 | 1992-07-07 | Nippondenso Co., Ltd. | Power semiconductor apparatus |
JP3377803B2 (ja) * | 1991-07-08 | 2003-02-17 | テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド | 温度依存限流回路および限流方法 |
JP3193827B2 (ja) * | 1994-04-28 | 2001-07-30 | 三菱電機株式会社 | 半導体パワーモジュールおよび電力変換装置 |
JP4093678B2 (ja) * | 1999-05-11 | 2008-06-04 | 三菱電機株式会社 | 電動機制御装置 |
US6351803B2 (en) * | 1999-10-01 | 2002-02-26 | Hitachi Ltd. | Mechanism for power efficient processing in a pipeline processor |
KR100687018B1 (ko) * | 2003-09-26 | 2007-02-27 | 마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤 | 과열보호회로를 구비한 반도체장치 및 그것을 이용한전자회로 |
DE602005006584D1 (de) * | 2005-11-04 | 2008-06-19 | Infineon Technologies Ag | Anordnung mit mindestens zwei Halbleiterschalter und einem gemeinsamen Überspannungsschutz |
JP4177392B2 (ja) * | 2006-06-08 | 2008-11-05 | 三菱電機株式会社 | 半導体電力変換装置 |
US20080043393A1 (en) * | 2006-08-18 | 2008-02-21 | Honeywell International Inc. | Power switching device |
JP4924086B2 (ja) * | 2007-02-21 | 2012-04-25 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
JP5499792B2 (ja) * | 2010-03-12 | 2014-05-21 | オムロン株式会社 | センサ用出力集積回路およびセンサ装置 |
US8848330B2 (en) * | 2011-07-29 | 2014-09-30 | Infineon Technologies Austria Ag | Circuit with a temperature protected electronic switch |
EP2747285A1 (en) * | 2012-12-19 | 2014-06-25 | Nxp B.V. | Current monitoring circuits and methods and transistor arrangement |
EP2746890B1 (en) * | 2012-12-19 | 2017-09-27 | Nxp B.V. | Current monitoring circuits and methods |
JP6171599B2 (ja) * | 2013-06-11 | 2017-08-02 | サンケン電気株式会社 | 半導体装置及びその制御方法 |
-
2013
- 2013-06-11 JP JP2013122820A patent/JP6171599B2/ja active Active
-
2014
- 2014-05-30 CN CN201410240733.2A patent/CN104242882A/zh active Pending
- 2014-06-06 US US14/297,670 patent/US9742389B2/en active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0267767A (ja) * | 1988-09-02 | 1990-03-07 | Hitachi Ltd | 半導体装置及びその回路 |
JPH09102505A (ja) * | 1995-10-02 | 1997-04-15 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
JP2011142700A (ja) * | 2010-01-05 | 2011-07-21 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置およびそれを用いた駆動回路 |
JP2011151157A (ja) * | 2010-01-21 | 2011-08-04 | Mitsubishi Electric Corp | パワーモジュール |
WO2012029652A1 (ja) * | 2010-09-03 | 2012-03-08 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108291843A (zh) * | 2015-11-26 | 2018-07-17 | 罗伯特·博世有限公司 | 具有第一温度测量元件的半导体构件以及用于确定流过半导体构件的电流的方法 |
JP2018536858A (ja) * | 2015-11-26 | 2018-12-13 | ロベルト・ボッシュ・ゲゼルシャフト・ミト・ベシュレンクテル・ハフツングRobert Bosch Gmbh | 第1温度測定素子を備える半導体デバイスおよび半導体デバイスを流れる電流を決定する方法 |
JP2019079940A (ja) * | 2017-10-25 | 2019-05-23 | 三菱電機株式会社 | パワー半導体モジュールの製造方法およびパワー半導体モジュール |
CN109768787A (zh) * | 2017-11-09 | 2019-05-17 | 三菱电机株式会社 | 半导体装置及其驱动方法 |
CN109768787B (zh) * | 2017-11-09 | 2023-07-07 | 三菱电机株式会社 | 半导体装置及其驱动方法 |
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