JP6507372B2 - 電気素子と温度検知器とを備えた電子装置 - Google Patents

電気素子と温度検知器とを備えた電子装置 Download PDF

Info

Publication number
JP6507372B2
JP6507372B2 JP2015557770A JP2015557770A JP6507372B2 JP 6507372 B2 JP6507372 B2 JP 6507372B2 JP 2015557770 A JP2015557770 A JP 2015557770A JP 2015557770 A JP2015557770 A JP 2015557770A JP 6507372 B2 JP6507372 B2 JP 6507372B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
thermistor
power transistor
electronic device
substrate
bus bar
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2015557770A
Other languages
English (en)
Other versions
JPWO2015107892A1 (ja
Inventor
潤一 木村
潤一 木村
中口　昌久
昌久 中口
慎一 好田
慎一 好田
則充 穗積
則充 穗積
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd
Original Assignee
Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd filed Critical Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd
Publication of JPWO2015107892A1 publication Critical patent/JPWO2015107892A1/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6507372B2 publication Critical patent/JP6507372B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01K1/00—Details of thermometers not specially adapted for particular types of thermometer
    • G01K1/14—Supports; Fastening devices; Arrangements for mounting thermometers in particular locations
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01K1/00—Details of thermometers not specially adapted for particular types of thermometer
    • G01K1/16—Special arrangements for conducting heat from the object to the sensitive element
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01K7/00—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements
    • G01K7/16—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using resistive elements
    • G01K7/22—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using resistive elements the element being a non-linear resistance, e.g. thermistor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/367—Cooling facilitated by shape of device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/42—Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations selected or arranged to facilitate heating or cooling
    • H01L23/433—Auxiliary members in containers characterised by their shape, e.g. pistons
    • H01L23/4334—Auxiliary members in encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49541—Geometry of the lead-frame
    • H01L23/49562—Geometry of the lead-frame for devices being provided for in H01L29/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49575—Assemblies of semiconductor devices on lead frames
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/48137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/4901—Structure
    • H01L2224/4903—Connectors having different sizes, e.g. different diameters
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H01L23/3121—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304—Transistor
    • H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
    • H01L2924/13055—Insulated gate bipolar transistor [IGBT]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
  • Measuring Temperature Or Quantity Of Heat (AREA)

Description

本発明は、電気素子、電力半導体素子およびサーミスタ等温度検知器が搭載された電子装置に関するものである。
電力半導体素子が搭載された電子装置においては、制御用集積回路内に集積されたダイオードなどの感温素子やサーミスタなどの温度センサによって電力半導体素子の発熱が検知され、電力半導体素子が過熱状態にある場合は制御用集積回路によってその駆動が速やかに停止させられる。
上記のような電子装置においては、スイッチング素子で発生した熱を感温素子や温度センサに効率よく伝導し、精度よく温度を測定することが必要である。たとえば、特許文献１には放熱板に電力半導体素子とサーミスタが設置された構造が提案されている。
特開２００９−５２５８８５号公報
しかしながら、特許文献１の半導体装置には、図５のようにＩＧＢＴ（Ｉｎｓｕｌａｔｅｄ Ｇａｔｅ Ｂｉｐｏｌａｒ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）チップ４およびフリーホールダイオード５を支持する放熱板１４の延伸部１５の上面に温度センサ７が設置されている。
この構成では、ＩＧＢＴチップ４で発生した熱は、リードフレーム２の第１フレーム部２ａおよび放熱板１４を介して放熱板１４の下面から短時間で大量に放出される。したがって、放熱板１４の延伸部１５に搭載された温度センサ７は、ＩＧＢＴチップ４の真の温度から大きく乖離した状態を測定してしまう課題があった。
本発明においては、放熱材を含む基材と、前記基材に第１面が接着されたパワートランジスタと、前記パワートランジスタの前記第１面と反対面の第２面に接着されたバスバーと、前記バスバーに接続されて前記バスバーの熱を電気信号に変換する温度検知器と、前記温度検知器に接続されて前記電気信号を送信するリードと、前記基材と前記温度検知器との間と、前記パワートランジスタと前記温度検知器との間と、前記基材と前記バスバーとの間と、前記基材と前記リードとの間のそれぞれに充填された封止樹脂と、を備え、前記バスバーの熱抵抗は前記封止樹脂の熱抵抗より小さい。
本発明の電子装置によれば、精度よく電気素子の温度を検知することができる。
また、電気素子が過熱状態になった場合において速やかにその駆動を停止させることができる。
図１は、第一の実施の形態にかかる電子装置の斜視図である。 図２は、第一の実施の形態にかかる電子装置の封止樹脂を不可視にした状態の斜視図である。 図３は、第一の実施の形態にかかる電子装置の封止樹脂を不可視にした状態の断面図である。 図４は、第二の実施の形態にかかる電子装置の封止樹脂を不可視にした状態の断面の模式図である。 図５は、従来の半導体装置を示す断面図である。 図６は、第一の実施の形態にかかる熱回路の回路図である。
＜第一の実施の形態＞
本発明の第一の実施の形態について図面を用いて説明する。
図１は、第一の実施の形態にかかる電子装置の斜視図である。図２は、第一の実施の形態にかかる電子装置の封止樹脂を不可視にした状態の斜視図である。図３は、第一の実施の形態にかかる電子装置の封止樹脂を不可視にした状態の断面図である。図６は、第一の実施の形態にかかる熱回路の回路図である。
電子装置２１は、パワートランジスタ２５およびサーミスタ２６等が搭載され封止樹脂２２で保護されている。
２３は基板、２４はヒートスプレッダ、２７はバスバー、２８はサーミスタのリード、２９，３０，３１は接着シートである。
基板２３の一面（以降、下面）は、電子装置２１の封止樹脂２２から露出している。放熱材であるヒートスプレッダ２４は、基板２３の下面の反対側の面（以降、上面）と接着材である接着シート２９によって接着されており、基板２３とともに基材としてパワートランジスタ２５を支持している。電気素子であるパワートランジスタ２５とヒートスプレッダ２４とは、ヒートスプレッダ２４と基板２３との接着面の反対側の面に接着シート３０により接着されている。電源板であるバスバー２７とパワートランジスタ２５とは、パワートランジスタ２５とヒートスプレッダ２４との接着面の反対側の面に接着シート３１により接着されている。温度検知器であるサーミスタ２６は、伝導線であるリード２８に接続されており、基板２３の上面側に設置されている。基板２３の上面側に位置するパワートランジスタ２５に隣接した領域において、ヒートスプレッダ２４にサーミスタ２６より大きい欠除箇所が設けられサーミスタ２６が設置されている。つまり、電子装置の一態様として電子装置の上方から見て、前記温度検知器と前記基板が重なっている箇所では、前記放熱材は、欠除していてもよい。
また、サーミスタ２６の伝導線であるリード２８は、サーミスタ２６と基板２３が接着しないようにサーミスタ２６と伝導線との接着箇所付近で電子装置の上方に横から見てＳ字状に屈曲している。そして、リードの一部を露出しつつ部材間には封止樹脂２２が充填されることにより、電子装置２１は封止樹脂２２に包まれる。
上記のように構成された電子装置により、パワートランジスタ２５で発生した熱は、接着シート３０を通してヒートスプレッダ２４に伝熱され、さらに接着シート２９を通して基板２３に伝熱され、基板下面から放熱される。これにより、パワートランジスタ２５を冷却することができる。
サーミスタ２６は、パワートランジスタ２５の発熱がパワートランジスタ２５とサーミスタ２６との間の熱伝導体でもある封止樹脂２２に伝熱されて温度を検知する。
パワートランジスタ２５の温度Ｔｊとサーミスタ２６の温度Ｔｔｈは、比例関係にあることが望ましい。基板とパワートランジスタ２５との間の熱抵抗より大きければ、基板２３とサーミスタ２６との間の熱抵抗は、基板２３の温度Ｔｃの変化の影響に左右されにくい。さらに、パワートランジスタ２５とサーミスタ２６との間の熱抵抗は、基板２３とサーミスタ２６との間の熱抵抗より小さければ、さらに温度Ｔｃの変化の影響に左右されにくくなる。
パワートランジスタ２５の温度を精度よく検知するためには、サーミスタ２６は、パワートランジスタ２５にできる限り接近している方が良い。
パワートランジスタ２５とサーミスタ２６との距離を基板２３とサーミスタ２６との距離よりも近くすることにより、パワートランジスタ２５とサーミスタ２６との間の熱抵抗は、基板２３とサーミスタ２６との間の熱抵抗より小さくなる。もちろん、パワートランジスタ２５と基板２３は放熱のため接着シート３１を介して接触しており、パワートランジスタ２５と基板２３との間の熱抵抗は、パワートランジスタ２５とサーミスタ２６との間の熱抵抗および基板２３とサーミスタ２６との間の熱抵抗より小さくなる。
また、サーミスタ２６の熱は、基板２３には伝わりにくく、パワートランジスタ２５の熱はサーミスタ２６に伝わりやすい。
このことにより、サーミスタ２６の温度は下がりにくくなることで、精度よくパワートランジスタ２５の温度を検知することができる。
上記のような構成とした時に、電子装置２１の熱回路は、図６に示される。パワートランジスタ２５の温度Ｔｊ、サーミスタ２６の温度Ｔｔｈ、基板２３の温度Ｔｃ、パワートランジスタ２５とサーミスタ２６との間の熱抵抗θｊｔ、サーミスタ２６と基板２３との間の熱抵抗θｔｃとした時、各パラメータの関係は、
（Ｔｔｈ−Ｔｃ）＝θｔｂ×（Ｔｊ−Ｔｃ）／（θｔｃ＋θｊｔ）
の式であらわされる。この式からＴｊは、
Ｔｊ＝（（θｔｃ＋θｊｔ）Ｔｔｈ−θｊｔ・Ｔｃ）／θｔｃと導かれる。ここで、θｔｃとθｊｔは構造によって決定されるものであり、既知の値となることから、ＴｔｈとＴｂを測定することによって、Ｔｊが計算できることとなる。
更に、θｔｃ＞＞θｊｔとなるようにパワートランジスタ２５とサーミスタ２６と基板２３とを配置することによって、Ｔｊ≒Ｔｔｈとすることが出来、サーミスタ２６の温度Ｔｔｈを測定することで、正しくパワートランジスタ２５の温度Ｔｊを測定することができる。ここで、熱抵抗θは熱伝導率λ、有効面積Ａ、距離ｌとすると、θ＝ｌ／（λ×Ａ）であらわされる。したがって、θｔｃ＞＞θｊｔとなるようにパワートランジスタ２５とサーミスタ２６と基板２３とを配置するためには、パワートランジスタ２５とサーミスタ２６との間の距離を、サーミスタ２６と基板２３との間の距離に比べて、小さくすれば良い。
更に、サーミスタ２６とパワートランジスタ２５とを接するように配置すれば、θｊｔ≒０となり、Ｔｊ≒Ｔｔｈとすることが出来る。一方、従来例では、温度センサ７が放熱板１４と接していることから、θｔｃ≒０となり、ＴｔｈとＴｃからはＴｊを計算することは出来ない。
＜第二の実施の形態＞
本発明の第二の実施の形態について図面を用いて説明する。
図４は、第二の実施の形態にかかる電子装置の封止樹脂を不可視にした状態の断面の模式図である。第一の実施の形態と同じ部位については、説明を省略する。パワートランジスタ２５およびサーミスタ２６等は、封止樹脂（図示せず）により封止されている。電子装置４１の電子装置２１との大きな差異は、バスバー３７と、サーミスタのリード３８である。バスバー３７は、電源やグランドのような電圧を固定するためのパワートランジスタ２５の固定電極に接続されている。電圧が一定のため、サーミスタ２６の一方の電極を接続する事ができる。サーミスタ２６のもう一方の電極は、サーミスタが受けた熱が電気信号に変換され、その電気信号を送信するためのリード３８に接続されている。
リード３８は、第一の実施の形態のように上方に横から見てＳ字状に屈曲していても良いし、基板２３とサーミスタ２６が接触しなければ他の形状でも良い。
上記のように構成された電子装置により、パワートランジスタ２５で発生した熱は、接着シート３１を通してバスバー３７に伝熱される。パワートランジスタ２５の熱は、封止樹脂２２に伝熱された熱のみならず、バスバー３７に伝熱された熱もサーミスタ２６は、受けて温度を検知する。
バスバー３７の熱抵抗は、封止樹脂２２の熱抵抗より小さいため、本発明の第一の実施の形態よりもパワートランジスタ２５の熱は、バスバー３７を介してサーミスタ２６に伝わる。これにより、パワートランジスタ２５の温度をサーミスタ２６ですみやかかつ精度良く検知することができる。
これによりスイッチング素子が過熱状態になった場合において速やかにその駆動を停止させることができる。
なお、サーミスタ２６のもう一方の電極は、バスバー３７の代わりに、パワートランジスタ２５の信号線に接続されていても良い。
また、サーミスタ２６は、パワートランジスタ２５と上面あるいは、側面で接触していてもよい。その場合は、パワートランジスタ２５の熱がサーミスタ２６に直接伝熱される。サーミスタ２６がパワートランジスタ２５の上面で接触するほうが、接触面積が側面で接触するより大きくなるため、熱抵抗が下がる。一方、サーミスタ２６がパワートランジスタ２５の側面で接触すると、電子装置の厚みを薄型化できる。
本発明の電子装置は、電子素子、電力半導体素子等およびサーミスタ等温度検知器が搭載された電子装置、半導体装置等として有用である。
２１，４１ 電子装置
２２ 封止樹脂
２３ 基板
２４ ヒートスプレッダ
２５ パワートランジスタ
２６ サーミスタ
２７，３７ バスバー
２８，３８ リード
２９，３０，３１ 接着シート

Claims (1)

  1. 放熱材を含む基材と、
    前記基材に第１面が接着されたパワートランジスタと、
    前記パワートランジスタの前記第１面と反対面の第２面に接着されたバスバーと、
    前記バスバーに接続されて前記バスバーの熱を電気信号に変換する温度検知器と、
    前記温度検知器に接続されて前記電気信号を送信するリードと、
    前記基材と前記温度検知器との間と、前記パワートランジスタと前記温度検知器との間と、前記基材と前記バスバーとの間と、前記基材と前記リードとの間のそれぞれに充填された封止樹脂と、を備え、
    前記バスバーの熱抵抗は前記封止樹脂の熱抵抗より小さい、
    電子装置。
JP2015557770A 2014-01-16 2015-01-15 電気素子と温度検知器とを備えた電子装置 Active JP6507372B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201461927981P 2014-01-16 2014-01-16
US61/927,981 2014-01-16
PCT/JP2015/000146 WO2015107892A1 (ja) 2014-01-16 2015-01-15 電気素子と温度検知器とを備えた電子装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPWO2015107892A1 JPWO2015107892A1 (ja) 2017-03-23
JP6507372B2 true JP6507372B2 (ja) 2019-05-08

Family

ID=53542789

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015557770A Active JP6507372B2 (ja) 2014-01-16 2015-01-15 電気素子と温度検知器とを備えた電子装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20160320244A1 (ja)
JP (1) JP6507372B2 (ja)
WO (1) WO2015107892A1 (ja)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106546357B (zh) * 2015-09-23 2020-06-02 中兴通讯股份有限公司 一种检测环境温度的方法、装置和电子设备
DE102020115668A1 (de) 2020-06-15 2021-12-16 Danfoss Silicon Power Gmbh Temperaturmessung in Halbleitern

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3801949A (en) * 1973-03-08 1974-04-02 Rca Corp Thermal detector and method of making the same
US6293698B1 (en) * 1995-10-04 2001-09-25 Advanced Micro Devices, Inc. Method for precise temperature sensing and control of semiconductor structures
US6744346B1 (en) * 1998-02-27 2004-06-01 Micron Technology, Inc. Electronic device workpieces, methods of semiconductor processing and methods of sensing temperature of an electronic device workpiece
DE10304592A1 (de) * 2003-02-05 2004-08-19 Fag Kugelfischer Ag Messlager mit integriertem Datenerfassungs- und verarbeitungssystems
JP5134484B2 (ja) * 2007-10-25 2013-01-30 株式会社Ｓｅｂａｃｓ 温度計測装置および温度計測装置に使用するセンサ部の校正方法
JP2011191163A (ja) * 2010-03-15 2011-09-29 Seiko Epson Corp 温度計測装置

Also Published As

Publication number Publication date
WO2015107892A1 (ja) 2015-07-23
US20160320244A1 (en) 2016-11-03
JPWO2015107892A1 (ja) 2017-03-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5062005B2 (ja) 電力半導体装置
JP6171599B2 (ja) 半導体装置及びその制御方法
JP4985810B2 (ja) 半導体装置
US20090129432A1 (en) Power semiconductor module with temperature measurement
JP2011033479A (ja) 温度センサ
JPH09148523A (ja) 半導体装置
JP2014003095A (ja) 半導体装置
JP2015126089A (ja) 電子装置
JP4985809B2 (ja) 半導体装置
JP6507372B2 (ja) 電気素子と温度検知器とを備えた電子装置
JP6384406B2 (ja) 半導体装置
JP5710995B2 (ja) 半導体装置
US10957619B2 (en) Semiconductor apparatus
JP2011199148A (ja) 半導体装置
JP6776605B2 (ja) 温度センサの実装構造
JP5549611B2 (ja) 炭化珪素半導体装置
JP5909396B2 (ja) 回路装置
JP2020013923A (ja) 半導体装置
JP4673360B2 (ja) 半導体装置
JP2004031485A (ja) 半導体装置
JP4695041B2 (ja) 半導体装置
JP2013113638A (ja) 半導体装置
JP6880484B2 (ja) 温度センサ
WO2024117119A1 (ja) 温度センサ
JP6048247B2 (ja) 半導体装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20171226

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20181211

RD01 Notification of change of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421

Effective date: 20190116

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20190206

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20190219

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20190304

R151 Written notification of patent or utility model registration

Ref document number: 6507372

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151