JPH09148523A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

Info

Publication number
JPH09148523A
JPH09148523A JP30290595A JP30290595A JPH09148523A JP H09148523 A JPH09148523 A JP H09148523A JP 30290595 A JP30290595 A JP 30290595A JP 30290595 A JP30290595 A JP 30290595A JP H09148523 A JPH09148523 A JP H09148523A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
thermal resistance
semiconductor device
insulating substrate
element
heat
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP30290595A
Other languages
English (en)
Inventor
Masakatsu Takashita
正勝 高下
Original Assignee
Toshiba Corp
株式会社東芝
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp, 株式会社東芝 filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP30290595A priority Critical patent/JPH09148523A/ja
Publication of JPH09148523A publication Critical patent/JPH09148523A/ja
Application status is Pending legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484Connecting portions
    • H01L2224/4847Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond
    • H01L2224/48472Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond the other connecting portion not on the bonding area also being a wedge bond, i.e. wedge-to-wedge
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73251Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265Layer and wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/13Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304Transistor
    • H01L2924/1305Bipolar Junction Transistor [BJT]
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/13Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304Transistor
    • H01L2924/1305Bipolar Junction Transistor [BJT]
    • H01L2924/13055Insulated gate bipolar transistor [IGBT]

Abstract

(57)【要約】 【課題】大電力用半導体装置において、大電力用半導体
素子の発生熱を放散する放熱経路の熱抵抗の増加を検出
でき、使用状態における素子搭載用絶縁基板と放熱基と
を固着する半田のクラック発生などによる脆弱化を早期
に検出する。 【解決手段】半導体素子11と、放熱板13と、半導体
素子と放熱板との間に介在し、半導体素子を搭載した電
気伝導度の高い絶縁基板12と、絶縁基板と放熱板とを
固着する半田層14と、半導体素子の使用状態における
発生熱を放散する放熱経路の熱抵抗の増加を検出する素
子21と、検出結果を半導体装置外部に出力する熱抵抗
検出結果出力用配線19とを具備する。

Description

【発明の詳細な説明】

【0001】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置に係
り、特に大電力用半導体素子の発生熱の放散性を向上す
るために素子搭載用絶縁基板と放熱板とが半田固着され
た構造を有する大電力用半導体装置に関するもので、例
えばIGBT(絶縁ゲート型バイポートランジスタ)な
どに使用されるものである。

【0002】

【従来の技術】図7は、大電力用半導体装置の断面構造
の一例を示している。図7において、11は大電力用半
導体素子(チップ)、12は大電力用半導体素子を搭載
する電気伝導度の高い素子搭載用絶縁基板、13は例え
ばCuをベースとする放熱板、14は上記素子搭載用絶
縁基板12と放熱板13とを固着した半田層である。

【0003】上記素子搭載用絶縁基板12は、例えばセ
ラミックスのような絶縁基材15の素子実装面上に例え
ばCuなどのメタルパターン16が形成されており、上
記絶縁基材15の裏面に例えばCuなどのメタル17が
形成されている。

【0004】そして、上記メタルパターン16の素子搭
載部上に前記チップ11が第1の半田層18により固着
され、メタルパターン16の配線部と前記チップ11の
パッド部とがボンディングワイヤー19により接続され
ており、裏面のメタル17が第2の半田層14により前
記放熱板に固着されている。

【0005】なお、101は大電力系および信号系の主
端子であり、例えば前記メタルパターン16の配線部に
半田付けにより接続されている。上記構造においては、
大電力用半導体素子11と放熱板13との間に電気伝導
度の高い素子搭載用絶縁基板12が介在し、大電力用半
導体素子11と絶縁基板12とが第1の半田層18によ
り固着され、絶縁基板12と放熱板13とが第2の半田
層14により固着されることにより、大電力用半導体素
子11と外部との電気的絶縁を保ちながら高い放熱性を
実現している。

【0006】ところで、大電力用半導体素子11は発生
熱が大きいので、半導体素子の使用状態における発生熱
を放散する放熱経路の熱抵抗の増加に起因して半導体素
子の不良(熱損失の増加、熱破壊など)が発生するおそ
れがある。

【0007】即ち、上記したようにセラミックスにCu
が張り合わされた素子搭載用絶縁基板12とCuをベー
スとする放熱板13とが半田固着された構造は、絶縁基
板12と放熱板13との熱膨脹係数の違いにより、温度
サイクルにより膨脹・収縮が繰り返されるので、両者間
の半田(第2の半田層14)に疲労が生じ、半田クラッ
クが発生し、半田が脆弱化する。

【0008】これにより、放熱経路の熱抵抗が増加し、
半導体素子の発生熱を十分に放散することが不可能にな
り、最終的には、半導体素子に急速な温度上昇が生じ、
熱破壊が発生するおそれがある。

【0009】

【発明が解決しようとする課題】上記したように素子搭
載用絶縁基板と放熱板とが半田固着された構造を有する
従来の半導体装置は、半導体素子の使用状態における発
生熱を放散する放熱経路の熱抵抗の増加に起因して半導
体装置の不良が発生するおそれがあるという問題があっ
た。

【0010】本発明は上記の問題点を解決すべくなされ
たもので、半導体素子の発生熱を放散する放熱経路の熱
抵抗の増加を検出でき、半導体素子の使用状態における
素子搭載用絶縁基板と放熱板とを固着する半田のクラッ
ク発生などによる脆弱化を早期に検出でき、高信頼性の
高い大電力用半導体装置を実現し得る半導体装置を提供
することを目的とする。

【0011】

【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置は、
半導体素子と、放熱板と、前記半導体素子と放熱板との
間に介在する電気伝導度の高い絶縁基板と、前記半導体
素子と絶縁基板とを固着する第1の半田層と、前記絶縁
基板と放熱板とを固着する第2の半田層と、前記半導体
素子の使用状態における発生熱を放散する放熱経路の熱
抵抗の増加を検出する熱抵抗検出手段と、上記検出結果
を半導体装置外部に出力する熱抵抗検出結果出力手段と
を具備することを特徴とする。

【0012】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を詳細に説明する。図1は、本発明の半導体装
置の第1の実施の形態に係る大電力用半導体装置の断面
構造の一例を示している。

【0013】図2は、図1中の絶縁基板上の平面パター
ンの一例を概略的に示している。図1および図2に示す
大電力用半導体装置は、大電力用半導体素子(チップ)
11と例えばCuをベースとする放熱板13との間に電
気伝導度の高い大電力用半導体素子搭載用の絶縁基板1
2が介在し、大電力用半導体素子11と絶縁基板12と
が第1の半田層18により固着され、絶縁基板12と放
熱板13とが第2の半田層14により固着されている。

【0014】上記素子搭載用絶縁基板12は、例えばセ
ラミックスのような絶縁基材15の素子実装面上に例え
ばCuなどのメタルパターン16が形成されており、上
記絶縁基材15の裏面に例えばCuなどのメタル17が
形成されている。

【0015】そして、上記メタルパターン16の素子搭
載部上に前記チップ11が第1の半田層18により固着
され、メタルパターン16の配線部と前記チップ11の
パッド部とがボンディングワイヤー19により接続され
ており、裏面のメタル17が第2の半田層14により前
記放熱板に固着されている。

【0016】なお、101は大電力系および信号系の主
端子であり、例えば前記メタルパターン16の配線部に
半田付けにより接続されている。また、100はモジュ
ール領域である。

【0017】即ち、図1に示した大電力用半導体装置
は、大電力用半導体素子11と、絶縁基材15の素子実
装面上にメタルパターン16が形成されるとともに裏面
にメタル17が形成された絶縁基板12と、前記絶縁基
板12のメタルパターン16の素子搭載部上に前記大電
力用半導体素子11を搭載した状態で両者を固着する第
1の半田層18と、前記絶縁基板12のメタルパターン
16の配線部と前記半導体素子11のパッド部との間に
接続されたボンディングワイヤー19と、放熱板13
と、前記放熱板13上に前記絶縁基板12の裏面のメタ
ル18が対接した状態で両者を固着する第2の半田層1
4とを具備する。

【0018】さらに、大電力用半導体素子11の使用状
態における発生熱を放散する放熱経路の熱抵抗の増加を
検出する熱抵抗検出手段と、上記検出結果を半導体装置
外部に出力する熱抵抗検出結果の出力手段が付加されて
いる。

【0019】ここで、絶縁基板と放熱板とを固着する半
田のクラックの発生などによる脆弱化は周辺部から進行
するという事実(例えば、wuchen Wu, Marcel Held, et
al., "Thermal Stress Related Packaging Failure in
Power IGBT Modules", Proceedings of 1995 Internat
ional Symposium on Power Semiconductor Devices &IC
s, Yokohama, 1995-MAY-24,p330-334の報告)に着目す
る。

【0020】参考のために、絶縁基板12・放熱板13
間の第2の半田層14の温度サイクル前後における状態
の一例を図3(a)および(b)に示しており、温度サ
イクル後には周辺部にボイド領域(クラック発生などに
よる脆弱化領域)14aがみられる。

【0021】前記熱抵抗検出手段として以下に挙げるよ
うな具体的構成が可能である。 (1)図1および図2に示すように、絶縁基板12上の
少なくとも周辺部に温度依存性を持つ1個または複数個
の温度検知素子21(例えばサーミスタ、ダイオード)
を配置し、上記検知素子21の検知出力に基づいて熱抵
抗が設定値よりも高くなったことを検出する。この場
合、図3に示したように、第2の半田層14の周辺部に
クラックが発生していると、放熱効果が低下し、温度が
上昇するので、放熱経路の熱抵抗の増加を検出可能であ
る。

【0022】なお、図2中に実線で示すように、絶縁基
板12上の周辺部に1個の温度検知素子21を配置した
場合には、上記温度検知素子21の検知出力を基準値と
比較することにより、検知出力が基準値を越えると、放
熱経路の熱抵抗が設定値よりも高くなったものとして検
知する。

【0023】これに対して、さらに、図2中に点線で示
すように、絶縁基板12上の周辺部以外(例えば中央
部)に少なくとも1個の温度検知素子22を配置した場
合には、周辺部の1個の温度検知素子21の検知出力を
周辺部以外の温度検知素子22の検知出力と比較し、素
子21の出力が素子22の出力を越えると、放熱経路の
熱抵抗が設定値よりも高くなったものとして検知する。

【0024】(2)図4に示すように、絶縁基板12上
の少なくとも周辺部に1個または複数個の熱抵抗検知用
素子31を配置し、上記検知用素子31の熱抵抗に依存
する特性を測定した出力に基づいて熱抵抗が設定値より
も高くなったことを検出する。 この場合、熱抵抗検知
用素子31としては、温度依存性を持つ温度検知素子
(例えばダイオード)を用い、熱抵抗測定回路用IC
(集積回路)30としては、半導体素子にパルス電流を
複数回印加し、最初のパルス印加後のダイオードの順方
向電圧降下と最後のパルス印加後のダイオードの順方向
電圧降下とを比較する回路を用いることにより、放熱経
路の熱抵抗の増加を検出可能である。

【0025】なお、図4中に実線で示すように、絶縁基
板上の周辺部に1個の熱抵抗用検知素子31および熱抵
抗測定回路用IC30を配置した場合には、上記熱抵抗
検知用素子31の検知出力を用いた熱抵抗を基準値と比
較することにより放熱経路の熱抵抗の増加を検出する。

【0026】これに対して、さらに、図4中に点線で示
すように、絶縁基板12上の周辺部以外に少なくとも1
個の熱抵抗検知用素子32および熱抵抗測定回路用IC
33を配置した場合には、周辺部の1個の熱抵抗検知用
素子31の検知出力を用いた熱抵抗を周辺部以外の熱抵
抗検知用素子32の検知出力を用いた熱抵抗と比較する
ことにより放熱経路の熱抵抗の増加を検出する。

【0027】(3)図5に示すように、前記半導体素子
11のチップ上の周辺部に少なくても1個の温度検知素
子あるいは熱抵抗検知用素子51を配置し、上記素子5
1の検知出力に基づいて熱抵抗が設定値よりも高くなっ
たことを検出する。

【0028】この場合、第1の半田層18の周辺部にク
ラックが発生していると、放熱効果が低下し、温度が上
昇するので、半導体素子11の放熱経路の熱抵抗の増加
を検出可能である。

【0029】一方、前記実施の形態における熱抵抗検出
結果の出力手段の一例として、図1中に示すように、前
記検知素子21(あるいは31、または測定回路用IC
30あるいは33)とメタルパターン16の配線部とを
ボンディングワイヤー19により接続し、上記検知素子
(あるいは測定回路用IC)の検出結果を配線および検
出端子102を介して半導体装置外部に出力するように
している。

【0030】上記熱抵抗検出結果の出力手段の他の例と
して、図6中に示すように、前記検知素子21あるいは
31の検出結果を適宜処理した警報信号(音声信号、表
示信号など)を生成し、検出端子102を介して半導体
装置外部の警報装置(例えば発光ダイオード)103に
出力するようにしてもよい。

【0031】即ち、上記半導体装置によれば、大電力用
半導体素子の発生熱を放散する放熱経路の熱抵抗の増加
を検出でき、使用状態における素子搭載用絶縁基板と放
熱基とを固着する半田のクラック発生などによる脆弱化
を検出して外部に知らせる機能を有するので、大電力用
半導体素子自体の熱抵抗が劣化する以前に適切な対策
(例えば交換)を促すことが可能になる。

【0032】従って、半導体装置に各種の保護機能を内
蔵する多機能化の方向に進んでいる半導体装置に対する
市場の要求に対応することができ、信頼性の高い大電力
用半導体装置を実現できる。

【0033】

【発明の効果】上述したように本発明の半導体装置によ
れば、半導体素子の発生熱を放散する放熱経路の熱抵抗
の増加を検出でき、使用状態における素子搭載用絶縁基
板と放熱基とを固着する半田のクラック発生などによる
脆弱化を早期に検出することができる。

【図面の簡単な説明】

【図1】本発明の半導体装置の第1の実施の形態に係る
大電力用半導体装置の一例を示す断面図。

【図2】図1中の絶縁基板上の平面パターンの一例を概
略的に示す図。

【図3】図1中の絶縁基板・放熱板間の第2の半田層の
温度サイクル前後における状態の一例を示す図。

【図4】図1中の絶縁基板上に設けられた熱抵抗検出手
段の他の例として熱抵抗検知用素子および熱抵抗測定回
路の配置の一例を示す図。

【図5】図1の大電力用半導体装置に設けられた熱抵抗
検出手段の一具体例として半導体素子のチップ上に配置
された検知素子の配置の一例を示す図。

【図6】図1の大電力用半導体装置に設けられた熱抵抗
検出結果の出力手段の他の例を示す断面図。

【図7】従来の大電力用半導体装置の一例を示す断面
図。

【符号の説明】

11…大電力用半導体素子(チップ)、 12…素子搭載用絶縁基板、 13…放熱板、 14…第2の半田層、 15…絶縁基材、 16…メタルパターン、 17…メタル、 18…第1の半田層、 19…ボンディングワイヤー、 21、22…温度検知素子、 30、33…熱抵抗測定回路、 31、32…熱抵抗検知用素子、 51…温度検知素子あるいは熱抵抗検知用素子、 101…主端子、 102…検出端子、 103…警報装置。

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 半導体素子と、放熱板と、前記半導体素
    子と放熱板との間に介在し、前記半導体素子を搭載した
    電気伝導度の高い絶縁基板と、前記絶縁基板と放熱板と
    を固着する半田層と、前記半導体素子の使用状態におけ
    る発生熱を放散する放熱経路の熱抵抗の増加を検出する
    熱抵抗検出手段と、上記検出結果を半導体装置外部に出
    力する熱抵抗検出結果出力手段とを具備することを特徴
    とする半導体装置。
  2. 【請求項2】 請求項1記載の半導体装置において、前
    記熱抵抗検出手段は、前記絶縁基板上の少なくとも周辺
    部に配置された1個または複数個の温度検知素子の温度
    検知出力に基づいて熱抵抗が一定値以上に増加したこと
    を検出することを特徴とする半導体装置。
  3. 【請求項3】 請求項1記載の半導体装置において、前
    記熱抵抗検出手段は、前記絶縁基板上の少なくとも周辺
    部に配置された1個または複数個の熱抵抗検知用素子の
    熱抵抗に依存する特性を測定することを特徴とする半導
    体装置。
  4. 【請求項4】 請求項1記載の半導体装置において、前
    記熱抵抗検出手段は、前記半導体素子のチップ上の周辺
    部に配置された温度検知素子を用いて熱抵抗の増加を検
    出することを特徴とする半導体装置。
  5. 【請求項5】 半導体素子と、絶縁基材の素子実装面上
    にメタルパターンが形成されるとともに裏面にメタルが
    形成された絶縁基板と、前記絶縁基板のメタルパターン
    の素子搭載部上に前記半導体素子を搭載した状態で両者
    を固着する第1の半田層と、前記絶縁基板のメタルパタ
    ーンの配線部と前記半導体素子のパッド部との間に接続
    されたボンディングワイヤーと、放熱板と、前記放熱板
    上に前記絶縁基板の裏面のメタルが対接した状態で両者
    を固着する第2の半田層と、前記半導体素子の使用状態
    における発生熱を放散する放熱経路の熱抵抗の増加を検
    出する熱抵抗検出手段と、上記検出結果をチップ外部に
    出力する熱抵抗検出結果出力手段とを具備することを特
    徴とする半導体装置。
JP30290595A 1995-11-21 1995-11-21 半導体装置 Pending JPH09148523A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP30290595A JPH09148523A (ja) 1995-11-21 1995-11-21 半導体装置

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP30290595A JPH09148523A (ja) 1995-11-21 1995-11-21 半導体装置
US08/752,548 US5721455A (en) 1995-11-21 1996-11-20 Semiconductor device having a thermal resistance detector in the heat radiating path

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH09148523A true JPH09148523A (ja) 1997-06-06

Family

ID=17914526

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP30290595A Pending JPH09148523A (ja) 1995-11-21 1995-11-21 半導体装置

Country Status (2)

Country Link
US (1) US5721455A (ja)
JP (1) JPH09148523A (ja)

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007040817A (ja) * 2005-08-03 2007-02-15 Fuji Electric Device Technology Co Ltd 電力用半導体素子の異常検出装置
JP2008042091A (ja) * 2006-08-09 2008-02-21 Honda Motor Co Ltd 半導体装置
JP2008147683A (ja) * 2007-12-21 2008-06-26 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
JP2009277787A (ja) * 2008-05-13 2009-11-26 Toyota Industries Corp 半導体装置
JP2010062190A (ja) * 2008-09-01 2010-03-18 Toyota Central R&D Labs Inc 半導体装置
JP2010212294A (ja) * 2009-03-06 2010-09-24 Toyota Motor Corp 半導体装置
WO2011155032A1 (ja) * 2010-06-09 2011-12-15 トヨタ自動車株式会社 クラック特定装置と半導体装置
JP2012160602A (ja) * 2011-02-01 2012-08-23 Honda Motor Co Ltd 半導体装置
US8325452B2 (en) 2007-08-06 2012-12-04 Fuji Electric Co., Ltd. Semiconductor device
JP2013201325A (ja) * 2012-03-26 2013-10-03 Semiconductor Components Industries Llc 回路装置
CN104422476A (zh) * 2013-08-21 2015-03-18 上海汽车集团股份有限公司 一种判断冷却系统能否满足电力电子箱的冷却要求的方法

Families Citing this family (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW353220B (en) * 1996-08-20 1999-02-21 Toshiba Corp Silicon nitride circuit board and semiconductor module
US5895973A (en) * 1997-05-19 1999-04-20 Delco Electronics Corp. Electronic component assembly for maintaining component alignment during soldering
US6022616A (en) * 1998-01-23 2000-02-08 National Starch And Chemical Investment Holding Corporation Adhesive composition with small particle size for microelectronic devices
US6365973B1 (en) * 1999-12-07 2002-04-02 Intel Corporation Filled solder
JP2002353383A (ja) * 2001-05-30 2002-12-06 Moric Co Ltd 半導体装置
CN1327516C (zh) * 2001-05-30 2007-07-18 株式会社萌利克 半导体器件
US6491426B1 (en) * 2001-06-25 2002-12-10 Sbs Technologies Inc. Thermal bond verification
JP3668708B2 (ja) * 2001-10-22 2005-07-06 株式会社日立製作所 故障検知システム
US6844621B2 (en) * 2002-08-13 2005-01-18 Fuji Electric Co., Ltd. Semiconductor device and method of relaxing thermal stress
US7119437B2 (en) * 2002-12-26 2006-10-10 Yamaha Hatsudoki Kabushiki Kaisha Electronic substrate, power module and motor driver
TW559461U (en) * 2003-01-20 2003-10-21 Power Mate Technology Corp Heat conducting structure for circuit board
DE10309302B4 (de) * 2003-03-04 2007-09-27 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Leistungshalbleitermodul mit Sensorbauteil
DE10392498B4 (de) * 2003-03-12 2008-07-24 Mitsubishi Denki K.K. Vorrichtung zur Steuerung eines Elektromotors
US6775145B1 (en) * 2003-05-14 2004-08-10 Cyntec Co., Ltd. Construction for high density power module package (case II)
JP2004357384A (ja) * 2003-05-28 2004-12-16 Toyoda Mach Works Ltd ヒートシンクへのスイッチング素子取付構造
JP3933627B2 (ja) * 2003-12-19 2007-06-20 株式会社日立製作所 インバータ装置およびこれを用いた車両
JP4097613B2 (ja) * 2004-03-09 2008-06-11 三菱電機株式会社 半導体装置
CN101191779A (zh) * 2006-12-01 2008-06-04 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司;鸿海精密工业股份有限公司 散热器热阻值测量装置
US7690839B2 (en) * 2007-08-21 2010-04-06 Hong Fu Jin Precision Industry (Shenzhen) Co., Ltd. Thermal testing apparatus
US8057094B2 (en) * 2007-11-16 2011-11-15 Infineon Technologies Ag Power semiconductor module with temperature measurement
JP5070014B2 (ja) * 2007-11-21 2012-11-07 昭和電工株式会社 放熱装置
JP2009130060A (ja) * 2007-11-21 2009-06-11 Showa Denko Kk 放熱装置
JP4576448B2 (ja) * 2008-07-18 2010-11-10 三菱電機株式会社 電力用半導体装置
JP4634497B2 (ja) * 2008-11-25 2011-02-23 三菱電機株式会社 電力用半導体モジュール
US8730681B2 (en) * 2011-09-23 2014-05-20 Infineon Technologies Ag Power semiconductor module with wireless saw temperature sensor
JP6368646B2 (ja) * 2012-09-20 2018-08-01 ローム株式会社 パワーモジュール半導体装置およびインバータ装置、およびパワーモジュール半導体装置の製造方法、および金型
WO2015083250A1 (ja) * 2013-12-04 2015-06-11 三菱電機株式会社 半導体装置
JP2017017822A (ja) * 2015-06-30 2017-01-19 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置および故障検出方法
JP2019193409A (ja) * 2018-04-24 2019-10-31 Yazaki Corp 異常検出装置及び電源装置

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4125777A (en) * 1977-08-17 1978-11-14 Rca Corporation Radiation emitter-detector package
US4920405A (en) * 1986-11-28 1990-04-24 Fuji Electric Co., Ltd. Overcurrent limiting semiconductor device
US5172215A (en) * 1990-03-06 1992-12-15 Fuji Electric Co., Ltd. Overcurrent-limiting type semiconductor device
JP2656416B2 (ja) * 1991-12-16 1997-09-24 三菱電機株式会社 半導体装置および半導体装置の製造方法、並びに半導体装置に用いられる複合基板および複合基板の製造方法
JP2854757B2 (ja) * 1992-06-17 1999-02-03 三菱電機株式会社 半導体パワーモジュール
JP2956363B2 (ja) * 1992-07-24 1999-10-04 富士電機株式会社 パワー半導体装置
US5398160A (en) * 1992-10-20 1995-03-14 Fujitsu General Limited Compact power module with a heat spreader
US5559374A (en) * 1993-03-25 1996-09-24 Sanyo Electric Co., Ltd. Hybrid integrated circuit
US5539254A (en) * 1994-03-09 1996-07-23 Delco Electronics Corp. Substrate subassembly for a transistor switch module
US5541453A (en) * 1995-04-14 1996-07-30 Abb Semiconductors, Ltd. Power semiconductor module

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007040817A (ja) * 2005-08-03 2007-02-15 Fuji Electric Device Technology Co Ltd 電力用半導体素子の異常検出装置
JP2008042091A (ja) * 2006-08-09 2008-02-21 Honda Motor Co Ltd 半導体装置
JP4695041B2 (ja) * 2006-08-09 2011-06-08 本田技研工業株式会社 半導体装置
US8325452B2 (en) 2007-08-06 2012-12-04 Fuji Electric Co., Ltd. Semiconductor device
JP4673360B2 (ja) * 2007-12-21 2011-04-20 三菱電機株式会社 半導体装置
JP2008147683A (ja) * 2007-12-21 2008-06-26 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
JP2009277787A (ja) * 2008-05-13 2009-11-26 Toyota Industries Corp 半導体装置
JP2010062190A (ja) * 2008-09-01 2010-03-18 Toyota Central R&D Labs Inc 半導体装置
JP2010212294A (ja) * 2009-03-06 2010-09-24 Toyota Motor Corp 半導体装置
WO2011155032A1 (ja) * 2010-06-09 2011-12-15 トヨタ自動車株式会社 クラック特定装置と半導体装置
JP5223931B2 (ja) * 2010-06-09 2013-06-26 トヨタ自動車株式会社 クラック特定装置と半導体装置
US8604781B2 (en) 2010-06-09 2013-12-10 Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha Crack determining device and semiconductor device
JP2012160602A (ja) * 2011-02-01 2012-08-23 Honda Motor Co Ltd 半導体装置
JP2013201325A (ja) * 2012-03-26 2013-10-03 Semiconductor Components Industries Llc 回路装置
CN104422476A (zh) * 2013-08-21 2015-03-18 上海汽车集团股份有限公司 一种判断冷却系统能否满足电力电子箱的冷却要求的方法

Also Published As

Publication number Publication date
US5721455A (en) 1998-02-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Smet et al. Ageing and failure modes of IGBT modules in high-temperature power cycling
US7061080B2 (en) Power module package having improved heat dissipating capability
US5650662A (en) Direct bonded heat spreader
US6584681B2 (en) Method for producing a microelectronic component of sandwich construction
US5339519A (en) Method of cooling an electrical device using a heat sink attached to a circuit board containing heat conductive layers and channels
DE102006060768B4 (de) Gehäusebaugruppe, DBC-Plantine im Wafermaßstab und Vorrichtung mit einer Gehäusebaugruppe für Geräte mit hoher Leistungsdichte
US5536972A (en) Power module
US6300146B1 (en) Hybrid package including a power MOSFET die and a control and protection circuit die with a smaller sense MOSFET
US6710463B2 (en) Electrically isolated power semiconductor package
EP0594395B1 (en) Semiconductor power module
KR930002804B1 (ko) 수지밀봉형 반도체장치
CN101292360B (zh) 可用于多芯片模块中的用于热应力释放的集成电路安装
Shammas Present problems of power module packaging technology
JP3157362B2 (ja) 半導体装置
CN100533714C (zh) 用于确定冷却体温度的装置和方法
US5933327A (en) Wire bond attachment of a integrated circuit package to a heat sink
JP4089143B2 (ja) 電力用半導体装置
DE10048377B4 (de) Halbleiter-Leistungsmodul mit elektrisch isolierender Wärmesenke und Verfahren zu seiner Herstellung
KR100486983B1 (ko) 열전도장치
JP3168901B2 (ja) パワー半導体モジュール
US6461890B1 (en) Structure of semiconductor chip suitable for chip-on-board system and methods of fabricating and mounting the same
US5379186A (en) Encapsulated electronic component having a heat diffusing layer
KR100203533B1 (ko) 압접형 반도체장치
CA1282866C (en) Thermal package for electronic components
JPH06103730B2 (ja) 高密度超小形電子モジュ−ル

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20041130

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20050128

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20050222