JP2677735B2 - 混成集積回路装置 - Google Patents
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Description
特に、出力性能を最大限に引き出して作動できる混成集
積回路装置に関するものである。
側面断面図である。図において、二次ヒートシンク例え
ばアルミニウムヒートシンク1上には、アルミナ絶縁基
板2が半田3により固着されている。さらに、アルミナ
絶縁基板2上には、一次ヒートシンク例えば銅ヒートシ
ンク4及び発熱性の半導体チップ例えばパワートランジ
スタ5が、順次半田3により搭載されている。また、ア
ルミニウムヒートシンク1上には、接着剤6例えばシリ
コン樹脂系接着剤により厚膜抵抗基板7が固着されてい
る。この厚膜抵抗基板7上には、導体8や抵抗体9が印
刷等により形成され、さらに、コンデンサ10や制御用
IC11が半田12により固着されている。なお、パワ
ートランジスタ5と厚膜抵抗基板7とは、ワイヤ例えば
アルミニウムワイヤ13によって電気的に接続されてい
る。
構成され、パワートランジスタ5が非常に発熱するの
で、混成集積回路装置の破壊を防止すべく、混成集積回
路装置の最大接合温度を越えないように作動させる必要
がある。このため、従来、印加する電力を切ったり低下
させて制御することによって、所定温度範囲で混成集積
回路装置が使用されていた。すなわち、温度測定手段
(図示しない)を二次ヒートシンクであるアルミニウム
ヒートシンク1に設け、この温度測定手段により印加電
力を調節し、混成集積回路装置をその接合温度以下で使
用していた。しかし、温度測定手段を二次ヒートシンク
であるアルミニウムヒートシンク1上に設けているの
で、正確な温度測定を行えず、出力性能を最大限に引き
出すことができなかった。
積回路装置では、予め余裕をもって熱設計を行い、印加
電力を制御して混成集積回路装置を動作させなければな
らず、混成集積回路装置の出力性能を最大限に引き出す
ことができないという問題点があった。この発明は、こ
のような問題点を解決するためになされたもので、出力
性能を最大限に引き出して作動できる混成集積回路装置
を得ることを目的とする。
に係る混成集積回路装置は、一次ヒートシンク及び二次
ヒートシンクを備え、上記一次ヒートシンク上に発熱性
の半導体チップが搭載された混成集積回路装置であっ
て、上記半導体チップの発熱部分直下の一次ヒートシン
ク中に、熱電対を埋設したものである。
集積回路装置は、一次ヒートシンク及び二次ヒートシン
クを備え、上記一次ヒートシンク上に発熱性の半導体チ
ップが搭載された混成集積回路装置であって、上記一次
ヒートシンクに隣接して他のヒートシンクが設けられ、
この他のヒートシンク上に温度測定用のダイオードを搭
載したものである。
半導体チップの発熱部分直下の一次ヒートシンク中に埋
設されているので、半導体チップの発熱温度を精度良く
測定することができ、測定温度に応じて半導体チップを
その限界値まで作動させることができる。
オードによって半導体チップの接合温度を知ることがで
き、この接合温度の信号を制御回路へフィードバックす
れば、半導体チップの出力性能を最大限に引き出すこと
ができる。
回路装置を示す側面断面図である。なお、各図中、同一
符号で示す部材は、同一又は相当部分を示しているの
で、説明は省略する。図において、一次ヒートシンクで
ある銅ヒートシンク4の側部には、穴15が設けられて
おり、この穴15には、半導体チップ例えばパワートラ
ンジスタ5の温度を測定するための熱電対14が挿入さ
れ埋設されている。図2及び図3は、図1に示したパワ
ートランジスタ5及び銅ヒートシンク4のそれぞれ拡大
平面図及び拡大断面図である。パワートランジスタ5
は、エミッタ領域16、コレクタ領域17、ベース領域
18から構成されており、エミッタ領域16直下のベー
ス−コレクタ接合部(半導体接合部)19において発熱
する。このベース−コレクタ接合部19直下の一次ヒー
トシンクである銅ヒートシンク4中に、熱電対14先端
の測温接点20が位置するように熱電対14を配置す
る。なお、熱電対14の信号線(図示しない)は、制御
回路を構成する厚膜抵抗基板7に電気的に接続されてい
る。
置においては、出力時にパワートランジスタ5が発熱
し、パワートランジスタ5の接合温度を熱電対14によ
ってモニターする。熱電対14からの電気信号は、図示
しない信号線を介して厚膜抵抗基板7上に構成された制
御回路に入力される。この制御回路は、パワートランジ
スタ5の接合温度が使用上の限界値例えば150℃にな
ると、パワートランジスタ5の出力をオフさせるように
働くため、パワートランジスタ5は破壊することはな
い。この時、熱電対14は、パワートランジスタ5の発
熱部分であるベース−コレクタ接合部19直下の一次ヒ
ートシンク内に埋設されているので、高精度な温度検出
が可能となる。パワートランジスタ5をその限界値まで
作動させることができ、パワートランジスタ5の出力性
能を最大限に引き出すことが可能となる。また、熱電対
14からの電気信号を常にモニターし、制御回路へフィ
ードバックをかけることで、パワートランジスタ5の出
力性能を最大限に引き出すことが可能である。
集積回路装置を示す側面断面図である。図において、銅
ヒートシンク4上には、半田3によりダイオード21が
搭載されており、このダイオード21は、パワートラン
ジスタ5の発熱に伴って、温度上昇する。そこで、ダイ
オード21に予め一定の順方向電流を流しておくと、こ
の順方向電圧は、パワートランジスタ5の接合温度の上
昇と共に、リニアーに減少する。従って、ダイオード2
1の順方向電圧をモニターすることによって、パワート
ランジスタ5の接合温度を測定することができる。この
接合温度信号を制御回路へフィードバックすれば、パワ
ートランジスタ5の出力性能を最大限に引き出すような
コントロールが可能である。
る発明は、一次ヒートシンク及び二次ヒートシンクを備
え、上記一次ヒートシンク上に発熱性の半導体チップが
搭載された混成集積回路装置であって、上記半導体チッ
プの発熱部分直下の一次ヒートシンク中に、熱電対を埋
設したので、半導体チップの発熱温度を精度良く測定す
ることができ、発熱温度に応じて半導体チップの出力性
能を制御し、半導体チップをその限界値まで作動させる
ことができるという効果を奏する。
は、一次ヒートシンク及び二次ヒートシンクを備え、上
記一次ヒートシンク上に発熱性の半導体チップが搭載さ
れた混成集積回路装置であって、上記一次ヒートシンク
に隣接して他のヒートシンクが設けられ、この他のヒー
トシンク上に温度測定用のダイオードを搭載したので、
ダイオードによって半導体チップの接合温度を知ること
ができ、この接合温度の信号を制御回路へフィードバッ
クすれば、半導体チップの出力性能を最大限に引き出す
ことができるという効果を奏する。
示す側面断面図である。
シンクを示す拡大平面図である。
シンクを示す拡大断面図である。
を示す側面断面図である。
る。
Claims (2)
- 【請求項1】 一次ヒートシンク及び二次ヒートシンク
を備え、上記一次ヒートシンク上に発熱性の半導体チッ
プが搭載された混成集積回路装置であって、 上記半導体チップの発熱部分直下の一次ヒートシンク中
に、熱電対を埋設したことを特徴とする混成集積回路装
置。 - 【請求項2】 一次ヒートシンク及び二次ヒートシンク
を備え、上記一次ヒートシンク上に発熱性の半導体チッ
プが搭載された混成集積回路装置であって、 上記一次ヒートシンクに隣接して他のヒートシンクが設
けられ、この他のヒートシンク上に温度測定用のダイオ
ードを搭載したことを特徴とする混成集積回路装置。
Priority Applications (2)
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Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP4130487A JP2677735B2 (ja) | 1992-05-22 | 1992-05-22 | 混成集積回路装置 |
Publications (2)
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Family
ID=15035435
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4130487A Expired - Lifetime JP2677735B2 (ja) | 1992-05-22 | 1992-05-22 | 混成集積回路装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
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- 1992-05-22 JP JP4130487A patent/JP2677735B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1992-10-09 US US07/958,720 patent/US5245510A/en not_active Expired - Fee Related
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