JPS5946055A - 混成集積回路の保護装置 - Google Patents
混成集積回路の保護装置Info
- Publication number
- JPS5946055A JPS5946055A JP15713982A JP15713982A JPS5946055A JP S5946055 A JPS5946055 A JP S5946055A JP 15713982 A JP15713982 A JP 15713982A JP 15713982 A JP15713982 A JP 15713982A JP S5946055 A JPS5946055 A JP S5946055A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resistor
- conductor
- temperature
- output
- integrated circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
- H01L23/62—Protection against overvoltage, e.g. fuses, shunts
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）技術分野
本発明は混成集積回路の保護装置、特圧熱的に検出を行
う保護装置に関する。
う保護装置に関する。
（ロ）従来技術
出力回路の保護装置としては第１図に示す如く、コンプ
リメンタリ−出力トランジスタの夫々のエミッタに直列
に接続したエミッタ抵抗の電圧■７ 、■、を検出し、
電圧Ｖ、 、Ｖ、が一定値を超えると保護回路を働かせ
てコンプリメンタリ−出力トランジスタを遮断する方法
が採られている。
リメンタリ−出力トランジスタの夫々のエミッタに直列
に接続したエミッタ抵抗の電圧■７ 、■、を検出し、
電圧Ｖ、 、Ｖ、が一定値を超えると保護回路を働かせ
てコンプリメンタリ−出力トランジスタを遮断する方法
が採られている。
斯かる方法では正常状態にも拘らず大信号入力時等に出
力回路に過大電流が流れて保護回路が動作する場合があ
る。これは電圧検出方法による保護装置は応答速度がき
わめて速いことに起因Ｉ−でいる。
力回路に過大電流が流れて保護回路が動作する場合があ
る。これは電圧検出方法による保護装置は応答速度がき
わめて速いことに起因Ｉ−でいる。
（ハ）発明の開示
本発明は斯点に鑑みてなされ、温度検出方法による混成
集積回路の保護装置を提供するものである。
集積回路の保護装置を提供するものである。
本発明の第１の目的は適度の感応速度を有する混成集積
回路の保護装置を提供するものである。
回路の保護装置を提供するものである。
本発明の第２の目的は集積回路化に適する混成集積回路
の保護装置を提供するものである。
の保護装置を提供するものである。
本発明に依る混成集積回路の保護装置は第２図に示す如
く、コンプリメンタリ−出力トランジスタ（１）（２）
のエミッタを接続した導電路（／λ）に直列に挿入した
抵抗体（３）を設け、この抵抗体（３）上尾感温半導体
素子（４）を付着し、感温半導体素子（４）の変動電圧
を検出回路（５）で検出し、検出回路（５）の出力によ
リコンブリメンタリー出力トランジスタ（＋１（２１を
流れる電流を遮断する様に構成さＪｌている。
く、コンプリメンタリ−出力トランジスタ（１）（２）
のエミッタを接続した導電路（／λ）に直列に挿入した
抵抗体（３）を設け、この抵抗体（３）上尾感温半導体
素子（４）を付着し、感温半導体素子（４）の変動電圧
を検出回路（５）で検出し、検出回路（５）の出力によ
リコンブリメンタリー出力トランジスタ（＋１（２１を
流れる電流を遮断する様に構成さＪｌている。
に）実施例
出力トランジスタ（１）（２１は第３図本５．Ｊ、び氾
４図から明らかブｊ様に、絶縁処理したアルミニウノ、
版等の良熱伝導性の混成集積回路基板（団−（−に設し
また所望（ノ）パターンにエツチングした銅箔より成ろ
導雷１路（１２１上にヒートシンク（１３）を介して固
着されて（・る。
４図から明らかブｊ様に、絶縁処理したアルミニウノ、
版等の良熱伝導性の混成集積回路基板（団−（−に設し
また所望（ノ）パターンにエツチングした銅箔より成ろ
導雷１路（１２１上にヒートシンク（１３）を介して固
着されて（・る。
出力トランジスタ（＋！（２１のエミッタ電極はＶ♀接
する導電路（１湯にボンディング細線により接続さハて
いる。
する導電路（１湯にボンディング細線により接続さハて
いる。
エミッタ電極に接続された導電１路（１２１には部列に
抵抗体（３）が接続されろ。抵抗体（３）としてはニソ
ケルメ！ツキ抵抗あるいは印刷焼成し、たカーボン抵抗
を用いろ。抵抗値は０２０以下の低い値を用い２）。
抵抗体（３）が接続されろ。抵抗体（３）としてはニソ
ケルメ！ツキ抵抗あるいは印刷焼成し、たカーボン抵抗
を用いろ。抵抗値は０２０以下の低い値を用い２）。
感温半導体素子（４）としてはシリコンプレーナー型ト
ランジスタあるいはシリコンダイオード等を用いろ。Ｐ
Ｎ接合のもつ ２＋ｎＶ’（’、の温度係数を利用して
いるからでｋ）ろ。この感温半導体素子（４）は上述し
た抵抗体（３）に銀ペースト等を用いて接着される。な
お抵抗体（３）との市、気的絶縁を要するときは薄いエ
ポキシ樹脂層を設けると良℃・。
ランジスタあるいはシリコンダイオード等を用いろ。Ｐ
Ｎ接合のもつ ２＋ｎＶ’（’、の温度係数を利用して
いるからでｋ）ろ。この感温半導体素子（４）は上述し
た抵抗体（３）に銀ペースト等を用いて接着される。な
お抵抗体（３）との市、気的絶縁を要するときは薄いエ
ポキシ樹脂層を設けると良℃・。
検出回路（５）は感温半導体素子（４）の温度変化によ
る電圧変動を検出し、その出力により出力ｌ・ランジス
タ（１）（２）を流れる電流を遮断−［る様に働く。携
体的には出力トランジスタ（２）とそのドライバ一段の
間の電源ラインにリレー（６）を挿入１７、検出回路（
５）の出力でこのリレーを駆動する。
る電圧変動を検出し、その出力により出力ｌ・ランジス
タ（１）（２）を流れる電流を遮断−［る様に働く。携
体的には出力トランジスタ（２）とそのドライバ一段の
間の電源ラインにリレー（６）を挿入１７、検出回路（
５）の出力でこのリレーを駆動する。
次に本発明に依る保應装置の動作原理について説明″ｆ
る。出力トランジスタ（１１（２１に過大電流が流れろ
と、抵抗体（３）でジーール熱による温度上昇が発生す
る。この温度上昇は直ちに感温半導体素子（４）で検知
され、検出回路（５）の出力によりリレー（６）が遮断
されろ。この結果ドライバ一段のトランジスタがＯＦＦ
されるので、出力トランジスタ（１）（２１を流れ
る電流は遮断されて保護動作する。
る。出力トランジスタ（１１（２１に過大電流が流れろ
と、抵抗体（３）でジーール熱による温度上昇が発生す
る。この温度上昇は直ちに感温半導体素子（４）で検知
され、検出回路（５）の出力によりリレー（６）が遮断
されろ。この結果ドライバ一段のトランジスタがＯＦＦ
されるので、出力トランジスタ（１）（２１を流れ
る電流は遮断されて保護動作する。
第５図に具体化された検出回路を示す。ツェナー電圧を
抵抗Ｒ１およびＲ２で分圧して検出用ＰＮＰ）ランジス
タ（２１カのベースを所定の保護動作温度に対応する電
圧にバイアスしている。抵抗体（３）の温度上昇に伴い
ＰＮＰ ）ランク、ス・り（：’ｏ＋の一゛−スエミッ
ク間電圧Ｖ、、、／１１減少１．設定電圧以Ｆ）て７’
、Ｃ２・と、ＰＮＰ ）ランシフ、夕ｃ、’ｔ１）が導
通（２りし／−（６）む、］遮断する様に働（。
抵抗Ｒ１およびＲ２で分圧して検出用ＰＮＰ）ランジス
タ（２１カのベースを所定の保護動作温度に対応する電
圧にバイアスしている。抵抗体（３）の温度上昇に伴い
ＰＮＰ ）ランク、ス・り（：’ｏ＋の一゛−スエミッ
ク間電圧Ｖ、、、／１１減少１．設定電圧以Ｆ）て７’
、Ｃ２・と、ＰＮＰ ）ランシフ、夕ｃ、’ｔ１）が導
通（２りし／−（６）む、］遮断する様に働（。
（ホ）効果
本発明に依れば出力トランジスタ１１１（２１の過大電
流を抵抗体（３）からの発熱によって横出しくいるσ）
で、過大Ｔ１員１しを検知する才で苔千の猶予ができ瞬
間的大信号入力時の過大電流に坏Ｉ Ｌ −ＣＣ’ｉｌ
＋ ＜おそＪ＋ｃａｔ、 ７′；、 ＜なり過保静を防
止できろ１．また従宰用いた高Ｔ７・トのセメノｌ抵抗
を不要と１２保護装＃を人中に簡略化でき、混、成ＩＰ
−積回路基（トス・＼の集積化が容易にできろ。四に抵
抗１体（３）にで温度十・）出枦行５ので正確に検出で
きる。
流を抵抗体（３）からの発熱によって横出しくいるσ）
で、過大Ｔ１員１しを検知する才で苔千の猶予ができ瞬
間的大信号入力時の過大電流に坏Ｉ Ｌ −ＣＣ’ｉｌ
＋ ＜おそＪ＋ｃａｔ、 ７′；、 ＜なり過保静を防
止できろ１．また従宰用いた高Ｔ７・トのセメノｌ抵抗
を不要と１２保護装＃を人中に簡略化でき、混、成ＩＰ
−積回路基（トス・＼の集積化が容易にできろ。四に抵
抗１体（３）にで温度十・）出枦行５ので正確に検出で
きる。
第１ＴＶ！−１＆：ｌ、従来例な■）ン明１［イ）回路
図、職２０は、本発明を説、明″「る回路図、第３図１
、）よび第４図は本発明の詳細な説明す７）、−）−面
図および１すｉ面図、；ｎ ５図は本発明の検出回路を
説、明する回路図でｔ）イ）。 主な図番の説明 （１）（２１は出力トランジスタ、 （３）は抵抗体、
（４）は感温半導体素子、 （５）は検出回路、 （
６）はリレーである。
図、職２０は、本発明を説、明″「る回路図、第３図１
、）よび第４図は本発明の詳細な説明す７）、−）−面
図および１すｉ面図、；ｎ ５図は本発明の検出回路を
説、明する回路図でｔ）イ）。 主な図番の説明 （１）（２１は出力トランジスタ、 （３）は抵抗体、
（４）は感温半導体素子、 （５）は検出回路、 （
６）はリレーである。
Claims (1)
- １、混成集積回路基板上に所望の導電路を設は該導電路
上に出力用半導体素子を設けた出力回路を有する混成集
積回路に於いて、前記出力回路の導電、路に直列に抵抗
体を設け、該抵抗体上に感温半導体素子を伺着し、前記
抵抗体の温度上昇を前記評、温半導体素子で検出して出
力回路の電流を遮断することを特徴とする混成集積回路
の保８０装置ｄ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15713982A JPS5946055A (ja) | 1982-09-08 | 1982-09-08 | 混成集積回路の保護装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15713982A JPS5946055A (ja) | 1982-09-08 | 1982-09-08 | 混成集積回路の保護装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5946055A true JPS5946055A (ja) | 1984-03-15 |
Family
ID=15643045
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15713982A Pending JPS5946055A (ja) | 1982-09-08 | 1982-09-08 | 混成集積回路の保護装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5946055A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6777784B1 (en) * | 2000-10-17 | 2004-08-17 | National Semiconductor Corporation | Bipolar transistor-based electrostatic discharge (ESD) protection structure with a heat sink |
-
1982
- 1982-09-08 JP JP15713982A patent/JPS5946055A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6777784B1 (en) * | 2000-10-17 | 2004-08-17 | National Semiconductor Corporation | Bipolar transistor-based electrostatic discharge (ESD) protection structure with a heat sink |
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