JPH0129073B2 - - Google Patents

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JPH0129073B2
JPH0129073B2 JP15788682A JP15788682A JPH0129073B2 JP H0129073 B2 JPH0129073 B2 JP H0129073B2 JP 15788682 A JP15788682 A JP 15788682A JP 15788682 A JP15788682 A JP 15788682A JP H0129073 B2 JPH0129073 B2 JP H0129073B2
Authority
JP
Japan
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output
detection
semiconductor element
temperature
circuit
Prior art date
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Expired
Application number
JP15788682A
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English (en)
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JPS5946056A (ja
Inventor
Yoshio Miura
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sanyo Electric Co Ltd
Original Assignee
Sanyo Electric Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Sanyo Electric Co Ltd filed Critical Sanyo Electric Co Ltd
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Publication of JPS5946056A publication Critical patent/JPS5946056A/ja
Publication of JPH0129073B2 publication Critical patent/JPH0129073B2/ja
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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/58Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
    • H01L23/62Protection against overvoltage, e.g. fuses, shunts
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched

Description

【発明の詳細な説明】 (イ) 技術分野 本発明は混成集積回路の保護装置、特に熱的に
検出を行う保護装置に関する。
(ロ) 従来技術 出力回路の保護装置としては第1図に示す如
く、コンプリメンタリー出力トランジスタの夫々
のエミツタに直列に接続したエミツタ抵抗の電圧
VE、VE′を検出し、電圧VE、VE′が一定値を超
えると保護回路を働かせてコンプリメンタリー出
力トランジスタを遮断する方法が採られている。
斯る方法では正常状態にも拘らず大信号入力時
等に出力回路に過大電流が流れて保護回路が動作
する場合がある。これは電圧検出方法による保護
装置は応答速度がきわめて速いことに起因してい
る。
(ハ) 発明の開示 本発明は斯点に鑑みてなされ、温度検出方法に
よる混成集積回路の保護装置を提供するものであ
る。
本発明の第1の目的は適度の感応速度を有する
混成集積回路の保護装置を提供するものである。
本発明の第2の目的は集積回路化に適する混成
集積回路の保護装置を提供するものである。
(ニ) 実施例 本発明に依る保護装置は第2図に示す如く、コ
ンプリメンタリー出力トランジスタ1,2のエミ
ツタを接続した導電路上に感温半導体素子3を付
着し、感温半導体素子3の変動電圧を検出回路4
で検出し、検出回路4の出力によりコンプリメン
タリー出力トランジスタ1,2を流れる電流を遮
断する様に構成されている。
出力トランジスタ1,2は第3図および第4図
から明らかな様に、絶縁処理したアルミニウム板
等の混成集積回路基板10上に設けた所望のパタ
ーンにエツチングした銅箔より成る導電路11上
にヒートシンク12を介して固着されている。出
力トランジスタ1,2のエミツタ電極は隣接する
導電路11にボンデイング細線により接続されて
いる。
エミツタ電極に接続された導電路11には巾狭
の検出部13が形成されている。検出部13は通
常の巾を2mmとすると、巾0.8mmに形成される。
感温半導体素子3としてはシリコンプレーナー
型トランジスタあるいはシリコンダイオード等を
用いる。PN接合のもつ−2mV/℃の温度係数を
利用しているからである。この感温半導体素子3
は上述した検出部13に銀ペースト等を用いて接
着される。なお検出部13との電気的絶縁を要す
るときは薄いエポキシ樹脂層を設けると良い。
検出回路4は感温半導体素子3の温度変化によ
る電圧変動を検出し、その出力により出力トラン
ジスタ1,2を流れる電流を遮断する様に働く。
具体的には出力トランジスタ2とそのドライバー
段の間の電源ラインにリレー5を挿入し、検出回
路4の出力でこのリレーを駆動する。
次に本発明に依る保護装置の動作原理について
説明する。出力トランジスタ1,2に過大電流が
流れると、検出部13でジユール熱による温度上
昇が発生する。この温度上昇は直ちに感温半導体
素子3で検知され、検出回路4の出力によりリレ
ー5が遮断される。この結果ドライバー段のトラ
ンジスタがOFFされるので、出力トランジスタ
1,2を流れる電流は遮断されて保護動作する。
第5図に具体化された検出回路を示す。ツエナ
ー電圧を抵抗R1およびR2で分圧して検出用PNP
トランジスタ20のベースを所定の保護動作温度
に対応する電圧にバイアスしている。検出部13
の温度上昇に伴いPNPトランジスタ20のベー
スエミツタ間電圧VBEが減少し設定電圧以下に
なると、PNPトランジスタ20が導通し、リレ
ー5は遮断する様に働く。
(ホ) 効 果 本発明に依れば出力トランジスタ1,2の過大
電流を検出部13からの発熱によつて検出してい
るので、過大電流を検知するまで若干の猶予がで
き瞬間的大信号入力時の過大電流に対して働くお
それはなくなり過保護を防止できる。また従来用
いた高ワツトのセメント抵抗を不要とし保護装置
を大巾に簡略化でき、混成集積回路基板への集積
化が容易にできる。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来例を説明する回路図、第2図は本
発明を説明する回路図、第3図および第4図は本
発明の構造を説明する上面図および断面図、第5
図は本発明の検出回路を説明する回路図である。 主な図番の説明、1,2は出力トランジスタ、
3は感温半導体素子、4は検出回路、5はリレー
である。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 混成集積回路基板上に所望の導電路を設け該
    導電路上に出力用半導体素子を設けた出力回路を
    有する混成集積回路に於いて、前記出力回路の導
    電路の巾を部分的に狭くした検出部を設け、該検
    出部上に感温半導体素子を付着し、前記検出部の
    温度上昇を前記感温半導体素子で検出して出力回
    路の電流を遮断することを特徴とする混成集積回
    路の保護装置。
JP15788682A 1982-09-09 1982-09-09 混成集積回路の保護装置 Granted JPS5946056A (ja)

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JP15788682A JPS5946056A (ja) 1982-09-09 1982-09-09 混成集積回路の保護装置

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JP15788682A JPS5946056A (ja) 1982-09-09 1982-09-09 混成集積回路の保護装置

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Publication Number Publication Date
JPS5946056A JPS5946056A (ja) 1984-03-15
JPH0129073B2 true JPH0129073B2 (ja) 1989-06-07

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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FR2778742B1 (fr) * 1998-05-18 2000-06-23 Schneider Electric Sa Capteur thermoelectrique notamment pour appareils electriques

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JPS5946056A (ja) 1984-03-15

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