JPH0355992B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0355992B2 JPH0355992B2 JP57165825A JP16582582A JPH0355992B2 JP H0355992 B2 JPH0355992 B2 JP H0355992B2 JP 57165825 A JP57165825 A JP 57165825A JP 16582582 A JP16582582 A JP 16582582A JP H0355992 B2 JPH0355992 B2 JP H0355992B2
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- Japan
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- semiconductor element
- temperature
- output
- integrated circuit
- hybrid integrated
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- Expired - Lifetime
Links
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Description
【発明の詳細な説明】
(イ) 技術分野
本発明は混成集積回路の保護装置、特に熱的に
検出を行う保護装置に関する。
検出を行う保護装置に関する。
(ロ) 従来技術
出力回路の保護装置としては第１図に示す如
く、コンプリメンタリー出力トランジスタの夫々
のエミツタに直列に接続したエミツタ抵抗の電圧
VE、V′Eを検出し、電圧VE、V′Eが一定値を超え
ると保護回路が働いてコンプリメンタリー出力ト
ランジスタを遮断する方法が採られている。
く、コンプリメンタリー出力トランジスタの夫々
のエミツタに直列に接続したエミツタ抵抗の電圧
VE、V′Eを検出し、電圧VE、V′Eが一定値を超え
ると保護回路が働いてコンプリメンタリー出力ト
ランジスタを遮断する方法が採られている。
斯る方法では正常状態にも拘らず大信号入力時
に出力回路に過大電流が流れて保護回路が動作す
る場合がある。これは電圧検出方法による保護装
置は応答速度がきわめて速いことに起因してい
る。
に出力回路に過大電流が流れて保護回路が動作す
る場合がある。これは電圧検出方法による保護装
置は応答速度がきわめて速いことに起因してい
る。
そこで出力トランジスタの発熱を検出して保護
回路を動作させる方法を提案する。この方法に依
れば出力トランジスタの発熱を検知するので大信
号入力時に保護回路が働く不都合を除去できる。
回路を動作させる方法を提案する。この方法に依
れば出力トランジスタの発熱を検知するので大信
号入力時に保護回路が働く不都合を除去できる。
その具体的構造を第２図に示す。アルミニウム
の如き金属基板１１の表面に酸化アルミニウム膜
の如き絶縁薄層１２を設けた混成集積回路基板１
上に銅箔よりなる導電路２を設け、導電路２上に
ヒートシンク３を介して出力用トランジスタ４を
固着し、更に感温半導体素子５は近隣の導電路２
上に固着している。しかしながら斯る構造では出
力トランジスタ４の発熱はヒートシンク３→導電
路２→絶縁薄層１２→金属基板１１→絶縁薄層１
２→導電路２の経路で感温半導体素子５に伝達さ
れるので、検知時間も長く且つ熱抵抗も大きくな
り出力トランジスタ４の発熱を正確に検出できな
い欠点がある。
の如き金属基板１１の表面に酸化アルミニウム膜
の如き絶縁薄層１２を設けた混成集積回路基板１
上に銅箔よりなる導電路２を設け、導電路２上に
ヒートシンク３を介して出力用トランジスタ４を
固着し、更に感温半導体素子５は近隣の導電路２
上に固着している。しかしながら斯る構造では出
力トランジスタ４の発熱はヒートシンク３→導電
路２→絶縁薄層１２→金属基板１１→絶縁薄層１
２→導電路２の経路で感温半導体素子５に伝達さ
れるので、検知時間も長く且つ熱抵抗も大きくな
り出力トランジスタ４の発熱を正確に検出できな
い欠点がある。
(ハ) 発明の開示
本発明は斯点に鑑みてなされ、良好な温度検出
方法による混成集積回路の保護装置を提供するも
のである。
方法による混成集積回路の保護装置を提供するも
のである。
本発明に依る混成集積回路の保護装置は第３図
に示す如く、良熱伝導性金属基板１１の表面に絶
縁薄層１２を設け混成集積回路基板１上に所望の
導電路２を設け、導電路２上にヒートシンク３を
介して出力トランジスタ４を設け、出力トランジ
スタ４の近傍の絶縁薄層１２を除去して露出した
基板１１上に感温半導体素子５を固着し、出力ト
ランジスタ４の発熱を感温半導体素子５で検出し
て出力回路の電流を遮断する様に構成されてい
る。
に示す如く、良熱伝導性金属基板１１の表面に絶
縁薄層１２を設け混成集積回路基板１上に所望の
導電路２を設け、導電路２上にヒートシンク３を
介して出力トランジスタ４を設け、出力トランジ
スタ４の近傍の絶縁薄層１２を除去して露出した
基板１１上に感温半導体素子５を固着し、出力ト
ランジスタ４の発熱を感温半導体素子５で検出し
て出力回路の電流を遮断する様に構成されてい
る。
(ニ) 実施例
混成集積回路基板１は、アルミニウムの如き良
熱伝導性金属基板１１の表面を陽極酸化により生
成した酸化アルミニウムの如き縁薄層１２で被覆
して形成される。斯る混成集積回路基板１は放熱
性に富むので出力回路の組込みに最適である。
熱伝導性金属基板１１の表面を陽極酸化により生
成した酸化アルミニウムの如き縁薄層１２で被覆
して形成される。斯る混成集積回路基板１は放熱
性に富むので出力回路の組込みに最適である。
斯る混成集積回路基板１上には銅箔より成る導
電路２を所望のパターンにエツチングにより形成
する。
電路２を所望のパターンにエツチングにより形成
する。
導電路２上にはヒートシンク３を介して出力ト
ランジスタ４を固着している。また出力トランジ
スタ４の近傍の絶縁薄層１２をエンドミルで研削
して基板１１を露出し、基板１１上に感温半導体
素子５を銀ペーストで固着する。感温半導体素子
５としてはシリコンプレーナー型トランジスタあ
るいはシリコンダイオード等を用いる。PN接合
のもつ−２ｍＶ／℃の温度係数を利用しているか
らである。
ランジスタ４を固着している。また出力トランジ
スタ４の近傍の絶縁薄層１２をエンドミルで研削
して基板１１を露出し、基板１１上に感温半導体
素子５を銀ペーストで固着する。感温半導体素子
５としてはシリコンプレーナー型トランジスタあ
るいはシリコンダイオード等を用いる。PN接合
のもつ−２ｍＶ／℃の温度係数を利用しているか
らである。
出力トランジスタ４の発熱は感温半導体素子５
で検出され、その出力で出力トランジスタ４を流
れる電流を遮断する様に働く。具体的には出力ト
ランジスタ４とそのドライバー段の間の電流ライ
ンにリレー７を挿入して、感温半導体素子５の出
力でこのリレー７を遮断する。
で検出され、その出力で出力トランジスタ４を流
れる電流を遮断する様に働く。具体的には出力ト
ランジスタ４とそのドライバー段の間の電流ライ
ンにリレー７を挿入して、感温半導体素子５の出
力でこのリレー７を遮断する。
第４図に更に具体化された保護装置を示す。感
温半導体素子５としてPNPトランジスタを用い、
PNPトランジスタのベースはツエナー電圧を抵
抗R1およびR2で分圧した電圧で所定の保護動作
温度に対応してバイアスしている。出力トランジ
スタ４の温度上昇に伴いPNPトランジスタのベ
ースエミツタ電圧VBEが減少し設定電圧以下にな
ると、PNPトランジスタは導通しリレー７は遮
断して出力トランジスタ４，４の電流を遮断す
る。
温半導体素子５としてPNPトランジスタを用い、
PNPトランジスタのベースはツエナー電圧を抵
抗R1およびR2で分圧した電圧で所定の保護動作
温度に対応してバイアスしている。出力トランジ
スタ４の温度上昇に伴いPNPトランジスタのベ
ースエミツタ電圧VBEが減少し設定電圧以下にな
ると、PNPトランジスタは導通しリレー７は遮
断して出力トランジスタ４，４の電流を遮断す
る。
(ホ) 効果
本発明に依れば出力トランジスタ４，４の過大
電流による発熱を感温半導体素子５で検出してい
るので、過大電流を検知するまでの若干の猶予が
でき瞬間的に大信号が入力されたときに働くおそ
れはなくなり過保護を防止できる。
電流による発熱を感温半導体素子５で検出してい
るので、過大電流を検知するまでの若干の猶予が
でき瞬間的に大信号が入力されたときに働くおそ
れはなくなり過保護を防止できる。
更に感温半導体素子５は直接基板１１に固着さ
れるので出力トランジスタ４の発熱を早く検知で
き確実に保護動作できる。
れるので出力トランジスタ４の発熱を早く検知で
き確実に保護動作できる。
更にまた従来用いた高ワツトのセメント抵抗を
不要とし、保護装置を大巾に簡略化でき集積化に
寄与する。
不要とし、保護装置を大巾に簡略化でき集積化に
寄与する。
第１図は従来例を説明する回路図、第２図は従
来の構造を説明する断面図、第３図は本発明の構
造を説明する断面図、第４図は本発明の具体化さ
れた保護装置を説明する回路図である。 主な図番の説明、１……混成集積回路基板、２
……導電路、３……ヒートシンク、４……出力ト
ランジスタ、５……感温半導体素子。
来の構造を説明する断面図、第３図は本発明の構
造を説明する断面図、第４図は本発明の具体化さ
れた保護装置を説明する回路図である。 主な図番の説明、１……混成集積回路基板、２
……導電路、３……ヒートシンク、４……出力ト
ランジスタ、５……感温半導体素子。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 良熱伝導性金属基板の表面に絶縁薄層を設け
た混成集積回路基板上に所望の導電路を設け、該
導電路上に過大電流による発熱を有する出力用半
導体素子を設けた出力回路を有する混成集積回路
において、 前記出力用半導体素子の近傍の前記絶縁薄層の
みを除去して露出した金属基板表面上に感温半導
体素子を付着し、前記出力用半導体素子の前記過
大電流による発熱をいち早く前記感温半導体素子
で検出して前記出力回路の電流を遮断することを
特徴とする混成集積回路の保護装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57165825A JPS5954287A (ja) | 1982-09-21 | 1982-09-21 | 混成集積回路の保護装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57165825A JPS5954287A (ja) | 1982-09-21 | 1982-09-21 | 混成集積回路の保護装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5954287A JPS5954287A (ja) | 1984-03-29 |
| JPH0355992B2 true JPH0355992B2 (ja) | 1991-08-27 |
Family
ID=15819711
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57165825A Granted JPS5954287A (ja) | 1982-09-21 | 1982-09-21 | 混成集積回路の保護装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5954287A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5146254A (ja) * | 1974-10-14 | 1976-04-20 | Nanba Press Kogyo Kk |
-
1982
- 1982-09-21 JP JP57165825A patent/JPS5954287A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5146254A (ja) * | 1974-10-14 | 1976-04-20 | Nanba Press Kogyo Kk |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5954287A (ja) | 1984-03-29 |
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