JP2018536858A - 第1温度測定素子を備える半導体デバイスおよび半導体デバイスを流れる電流を決定する方法 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 79
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 9
- 238000009529 body temperature measurement Methods 0.000 claims description 18
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 3
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 1
- 230000036962 time dependent Effects 0.000 description 1
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-
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
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Abstract
Description
a)電力損失が高い領域に配置した第1温度測定素子によって提供された第1温度の値を読み取るステップ、
b)第1温度測定素子から離間した第2温度測定素子によって提供された第2温度の値を読み取るステップ、および
c)第1温度および第2温度を用いて半導体デバイスを流れる電流を計算するステップ。
本発明による半導体デバイスは、半導体デバイスを流れる実際の電流を十分に正確に測定するためには少数の付加的な素子しか不可欠としないという利点を有する。評価のためには、システムASIC(特定用途向け集積回路)の論理とAD変換器のみを利用すればよく、本発明による電流検出を行わない従来の半導体デバイスに対してさらに少数の付加的な構成部材しか必要としない。
Claims (10)
- 基板(12)および第1温度測定素子(20)を備えた半導体デバイス(10)において、
第1温度測定素子(20)が半導体デバイス(10)の電力損失が大きい場所の近傍に配置されており、第2温度測定素子(22)が、前記第1温度測定素子(20)から空間的に離間して前記基板(12)に配置されていること、を特徴とする半導体デバイス(10)。 - 請求項1に記載の半導体デバイス(10)において、
前記第1温度測定素子(20)および前記第2温度測定素子(22)がそれぞれダイオードを含む、半導体デバイス(10)。 - 請求項1または2に記載の半導体デバイス(10)において、
前記第1温度測定素子(20)および前記第2温度測定素子(22)が半導体デバイス(10)にモノリシックに組み込まれている、半導体デバイス(10)。 - 請求項1から3までのいずれか一項に記載の半導体デバイス(10)において、
前記第1温度測定素子(20)と前記第2温度測定素子(22)との間に有限の熱容量(58)および有限の熱抵抗(60)がある、半導体デバイス(10)。 - 請求項1から4までのいずれか一項に記載の半導体デバイス(10)において、
前記半導体デバイス(10)が、少なくとも1つの能動領域(14)および少なくとも1つの受動領域(16)を備え、前記第2温度測定素子(22)が受動領域(16)に配置されている、半導体デバイス(10)。 - 請求項1から5までのいずれか一項に記載の半導体デバイス(10)において、
半導体デバイス(10)がMOSFETであり、いずれか1つの温度測定素子(20,22)がMOSFETのボディダイオード(24)である、半導体デバイス(10)。 - 請求項1から6までのいずれか一項に記載の半導体デバイス(10)において、
それぞれ専用のパッドによって、前記第1温度測定素子(20)を介して第1温度測定電圧(UD1)を取り出し、および/または前記第2温度測定素子(22)を介して第2温度測定電圧(UD2)を取り出すことができる、半導体デバイス(10)。 - 請求項1から7までのいずれか一項に記載の半導体デバイス(10)において、
前記第1温度測定素子(20)および前記第2温度測定素子(22)が直列に接続されている、半導体デバイス(10)。 - 半導体デバイス(10)を流れる電流を決定する方法であって、
a)電力損失が高い領域に配置した第1温度測定素子(20)によって提供された第1温度(TJ)の値を読み取るステップ、
b)第1温度測定素子(20)から離間した第2温度測定素子(22)によって提供された第2温度(Tsense)の値を読み取るステップ、および
c)第1温度(TJ)および第2温度(Tsense)を用いて半導体デバイス(10)を流れる電流を計算するステップ、
を含む方法。 - 請求項1から8までのいずれか一項に記載の少なくとも1つの半導体デバイス(10)を含む車両のための制御器。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102015223470.3A DE102015223470A1 (de) | 2015-11-26 | 2015-11-26 | Halbleiterbauelement mit einem Substrat und einem ersten Temperaturmesselement sowie Verfahren zum Bestimmen eines durch ein Halbleiterbauelement fließenden Stromes sowie Steuergerät für ein Fahrzeug |
DE102015223470.3 | 2015-11-26 | ||
PCT/EP2016/073733 WO2017089018A1 (de) | 2015-11-26 | 2016-10-05 | Halbleiterbauelement mit einem ersten temperaturmesselement sowie verfahren zum bestimmen eines durch ein halbleiterbauelement fliessenden stromes |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018536858A true JP2018536858A (ja) | 2018-12-13 |
JP6824271B2 JP6824271B2 (ja) | 2021-02-03 |
Family
ID=57083305
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018527230A Active JP6824271B2 (ja) | 2015-11-26 | 2016-10-05 | 第1温度測定素子を備える半導体デバイスおよび半導体デバイスを流れる電流を決定する方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP3380821A1 (ja) |
JP (1) | JP6824271B2 (ja) |
CN (1) | CN108291843B (ja) |
DE (1) | DE102015223470A1 (ja) |
TW (1) | TWI721045B (ja) |
WO (1) | WO2017089018A1 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110534509A (zh) * | 2018-05-24 | 2019-12-03 | 苏州东微半导体有限公司 | 半导体功率器件 |
DE102022204800B3 (de) | 2022-05-16 | 2023-09-28 | Volkswagen Aktiengesellschaft | Vorrichtung und Verfahren zur Bestimmung eines Alterungszustandes mindestens eines Leistungshalbleiterschalters |
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-
2015
- 2015-11-26 DE DE102015223470.3A patent/DE102015223470A1/de not_active Withdrawn
-
2016
- 2016-10-05 EP EP16777676.4A patent/EP3380821A1/de not_active Withdrawn
- 2016-10-05 JP JP2018527230A patent/JP6824271B2/ja active Active
- 2016-10-05 CN CN201680069206.7A patent/CN108291843B/zh active Active
- 2016-10-05 WO PCT/EP2016/073733 patent/WO2017089018A1/de active Application Filing
- 2016-11-24 TW TW105138550A patent/TWI721045B/zh active
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN108291843A (zh) | 2018-07-17 |
DE102015223470A1 (de) | 2017-06-01 |
TWI721045B (zh) | 2021-03-11 |
EP3380821A1 (de) | 2018-10-03 |
CN108291843B (zh) | 2021-04-13 |
TW201723447A (zh) | 2017-07-01 |
WO2017089018A1 (de) | 2017-06-01 |
JP6824271B2 (ja) | 2021-02-03 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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|
A977 | Report on retrieval |
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