JP2014072383A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2014072383A5
JP2014072383A5 JP2012217539A JP2012217539A JP2014072383A5 JP 2014072383 A5 JP2014072383 A5 JP 2014072383A5 JP 2012217539 A JP2012217539 A JP 2012217539A JP 2012217539 A JP2012217539 A JP 2012217539A JP 2014072383 A5 JP2014072383 A5 JP 2014072383A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
gas
carbon dioxide
cleaning
pressure
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2012217539A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP6048043B2 (ja
JP2014072383A (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP2012217539A priority Critical patent/JP6048043B2/ja
Priority claimed from JP2012217539A external-priority patent/JP6048043B2/ja
Priority to PCT/JP2013/005079 priority patent/WO2014049959A1/ja
Priority to US14/430,760 priority patent/US9960056B2/en
Priority to KR1020157007529A priority patent/KR101735972B1/ko
Publication of JP2014072383A publication Critical patent/JP2014072383A/ja
Publication of JP2014072383A5 publication Critical patent/JP2014072383A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6048043B2 publication Critical patent/JP6048043B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

JP2012217539A 2012-09-28 2012-09-28 基板洗浄方法、基板洗浄装置及び真空処理システム Active JP6048043B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012217539A JP6048043B2 (ja) 2012-09-28 2012-09-28 基板洗浄方法、基板洗浄装置及び真空処理システム
PCT/JP2013/005079 WO2014049959A1 (ja) 2012-09-28 2013-08-28 基板洗浄方法、基板洗浄装置及び真空処理システム
US14/430,760 US9960056B2 (en) 2012-09-28 2013-08-28 Substrate cleaning method, substrate cleaning apparatus and vacuum processing system
KR1020157007529A KR101735972B1 (ko) 2012-09-28 2013-08-28 기판 세정 방법, 기판 세정 장치 및 진공 처리 시스템

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012217539A JP6048043B2 (ja) 2012-09-28 2012-09-28 基板洗浄方法、基板洗浄装置及び真空処理システム

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2014072383A JP2014072383A (ja) 2014-04-21
JP2014072383A5 true JP2014072383A5 (enExample) 2015-06-11
JP6048043B2 JP6048043B2 (ja) 2016-12-21

Family

ID=50387408

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012217539A Active JP6048043B2 (ja) 2012-09-28 2012-09-28 基板洗浄方法、基板洗浄装置及び真空処理システム

Country Status (4)

Country Link
US (1) US9960056B2 (enExample)
JP (1) JP6048043B2 (enExample)
KR (1) KR101735972B1 (enExample)
WO (1) WO2014049959A1 (enExample)

Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10014191B2 (en) 2014-10-06 2018-07-03 Tel Fsi, Inc. Systems and methods for treating substrates with cryogenic fluid mixtures
US10625280B2 (en) 2014-10-06 2020-04-21 Tel Fsi, Inc. Apparatus for spraying cryogenic fluids
WO2016057524A1 (en) 2014-10-06 2016-04-14 Tel Fsi, Inc. Systems and Methods for Treating Substrates with Cryogenic Fluid Mixtures
JP6545053B2 (ja) * 2015-03-30 2019-07-17 東京エレクトロン株式会社 処理装置および処理方法、ならびにガスクラスター発生装置および発生方法
JP6545511B2 (ja) 2015-04-10 2019-07-17 株式会社東芝 処理装置
US20160322239A1 (en) * 2015-04-28 2016-11-03 Applied Materials, Inc. Methods and Apparatus for Cleaning a Substrate
JP6618334B2 (ja) * 2015-06-03 2019-12-11 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置、膜形成ユニット、基板処理方法および膜形成方法
WO2016194285A1 (ja) 2015-06-03 2016-12-08 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置、膜形成ユニット、基板処理方法および膜形成方法
KR102541747B1 (ko) * 2015-11-30 2023-06-08 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 장치의 챔버 클리닝 방법
JP6596340B2 (ja) * 2016-01-21 2019-10-23 東京エレクトロン株式会社 基板洗浄方法および基板洗浄装置
CN106040668B (zh) 2016-05-27 2019-06-18 京东方科技集团股份有限公司 用于显示屏的除尘装置、除尘方法及相应的显示装置
JP6998664B2 (ja) * 2017-03-23 2022-01-18 東京エレクトロン株式会社 ガスクラスター処理装置およびガスクラスター処理方法
TWI865303B (zh) 2017-12-13 2024-12-01 日商東京威力科創股份有限公司 基板處理裝置
US10854442B2 (en) 2018-06-29 2020-12-01 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Orientation chamber of substrate processing system with purging function
EP3594748B1 (en) 2018-07-09 2021-04-14 C&D Semiconductor Services. Inc Optimal exposure of a bottom surface of a substrate material and/or edges thereof for cleaning in a spin coating device
US20200035484A1 (en) * 2018-07-30 2020-01-30 Lam Research Corporation System and method for chemical and heated wetting of substrates prior to metal plating
US12412736B2 (en) * 2018-09-28 2025-09-09 Lam Research Corporation Methods and systems for managing byproduct material accumulation during plasma-based semiconductor wafer fabrication process
CN110459493B (zh) * 2019-08-21 2022-03-22 北京北方华创微电子装备有限公司 抽真空腔室及抽真空方法
KR102130713B1 (ko) * 2019-12-30 2020-08-05 (주)에프피에이 미세입자 세정용 냉각입자 생성장치 및 그 구동방법
KR20230030645A (ko) * 2020-06-29 2023-03-06 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 노즐 조립체, 증발 소스, 및 증발된 재료를 기판 상에 증착하기 위한 방법
JP7464467B2 (ja) * 2020-07-01 2024-04-09 株式会社ディスコ ウェーハ洗浄装置
JP7539297B2 (ja) * 2020-10-29 2024-08-23 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法および基板処理システム
CN112768376B (zh) * 2020-12-30 2022-12-16 上海至纯洁净系统科技股份有限公司 一种晶圆清洗装置和晶圆清洗方法
US12009246B2 (en) 2021-03-26 2024-06-11 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Substrate holder and methods of use

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3647507B2 (ja) * 1995-05-19 2005-05-11 独立行政法人科学技術振興機構 ガスクラスターおよびガスクラスターイオンの 形成方法
JPH11330033A (ja) * 1998-05-12 1999-11-30 Fraser Scient Inc エネルギーを有するクラスタ・ビームを使用して汚染表面を洗浄する方法および装置
KR100349948B1 (ko) * 1999-11-17 2002-08-22 주식회사 다산 씨.앤드.아이 클러스터를 이용한 건식 세정 장치 및 방법
JP4210045B2 (ja) * 2001-06-25 2009-01-14 横河電機株式会社 洗浄装置
US7521089B2 (en) * 2002-06-13 2009-04-21 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for controlling the movement of CVD reaction byproduct gases to adjacent process chambers
US7648581B2 (en) * 2004-11-16 2010-01-19 Tokyo Electron Limited Substrate cleaning method, substrate cleaning apparatus, substrate processing system, substrate cleaning program and storage medium
JP4802002B2 (ja) * 2006-01-30 2011-10-26 芝浦メカトロニクス株式会社 基板の洗浄処理装置及び洗浄処理方法
US8012411B1 (en) * 2006-02-13 2011-09-06 Sandia Corporation Enhanced toxic cloud knockdown spray system for decontamination applications
JP2007232901A (ja) 2006-02-28 2007-09-13 Fujitsu Ltd フォトレジスト膜等の除去工程を有する半導体装置の製造方法及びフォトレジスト膜除去装置
WO2008097634A2 (en) * 2007-02-08 2008-08-14 Fontana Technology Particle removal method and composition
JP4774004B2 (ja) * 2007-03-30 2011-09-14 富士フイルム株式会社 ウエブ状被洗浄物の洗浄方法及び装置
US8202435B2 (en) * 2008-08-01 2012-06-19 Tel Epion Inc. Method for selectively etching areas of a substrate using a gas cluster ion beam
WO2010021265A1 (ja) 2008-08-18 2010-02-25 岩谷産業株式会社 クラスタ噴射式加工方法、半導体素子、微小電気機械素子、及び、光学部品
US8313663B2 (en) * 2008-09-24 2012-11-20 Tel Epion Inc. Surface profile adjustment using gas cluster ion beam processing
JP5490563B2 (ja) 2010-02-19 2014-05-14 東京エレクトロン株式会社 基板洗浄方法及び基板洗浄装置
JP2011198933A (ja) * 2010-03-18 2011-10-06 Tokyo Electron Ltd レジスト除去装置及びレジスト除去方法
JP5623104B2 (ja) 2010-03-18 2014-11-12 東京エレクトロン株式会社 基板洗浄装置及び基板洗浄方法
JP2012061585A (ja) 2010-09-17 2012-03-29 Tokyo Electron Ltd 真空処理装置、真空処理方法及び微細加工装置
JP2012119065A (ja) 2010-11-29 2012-06-21 Japan Atomic Energy Agency イオン加速方法、イオン加速装置、及び、イオンビーム照射装置、医療用イオンビーム照射装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2014072383A5 (enExample)
JP2012146939A5 (enExample)
JP2017168496A5 (enExample)
WO2011159615A3 (en) Method and apparatus for inducing turbulent flow of a processing chamber cleaning gas
JP2010199160A5 (ja) 基板処理装置、半導体装置の製造方法及び基板処理方法
JP2016051864A5 (enExample)
GB201121034D0 (en) Apparatus and method for depositing a layer onto a substrate
JP2009084693A5 (enExample)
JP2012044204A5 (ja) メンテナンス方法、露光装置、及びデバイス製造方法
TW200802579A (en) Liquid processing apparatus
JP2013510442A5 (enExample)
JP2012178491A5 (ja) 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびウェーハホルダ
JP2011054819A5 (enExample)
JP2011009699A5 (ja) 基板処理装置、基板処理方法および半導体装置の製造方法
JP2015510260A5 (enExample)
CN106711062B (zh) 一种工艺反应腔体气流场的实现装置及其实现方法
TW201618201A (zh) 基板處理方法及基板處理裝置和記憶基板處理程式之電腦可讀取之記憶媒體
TW200746230A (en) Developing treatment apparatus and developing treatment method
JP5518133B2 (ja) 化学研磨装置
JP4776380B2 (ja) 処理装置及び処理方法
JP2012526190A5 (enExample)
JP2013175797A5 (enExample)
US20090205570A1 (en) Gas supply unit and chemical vapor deposition apparatus
CN102953040A (zh) 遮蔽装置及具有遮蔽装置的观察窗
JP2017130574A5 (enExample)