JP2017168496A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2017168496A5
JP2017168496A5 JP2016049531A JP2016049531A JP2017168496A5 JP 2017168496 A5 JP2017168496 A5 JP 2017168496A5 JP 2016049531 A JP2016049531 A JP 2016049531A JP 2016049531 A JP2016049531 A JP 2016049531A JP 2017168496 A5 JP2017168496 A5 JP 2017168496A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
fluorine
temperature
processing chamber
gas
gas containing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2016049531A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP2017168496A (ja
JP6602699B2 (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP2016049531A priority Critical patent/JP6602699B2/ja
Priority claimed from JP2016049531A external-priority patent/JP6602699B2/ja
Priority to KR1020170019757A priority patent/KR101858102B1/ko
Priority to US15/434,796 priority patent/US9976214B2/en
Priority to CN201710090562.3A priority patent/CN107190248B/zh
Publication of JP2017168496A publication Critical patent/JP2017168496A/ja
Publication of JP2017168496A5 publication Critical patent/JP2017168496A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6602699B2 publication Critical patent/JP6602699B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

JP2016049531A 2016-03-14 2016-03-14 クリーニング方法、半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム Active JP6602699B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016049531A JP6602699B2 (ja) 2016-03-14 2016-03-14 クリーニング方法、半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム
KR1020170019757A KR101858102B1 (ko) 2016-03-14 2017-02-14 클리닝 방법, 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치 및 프로그램
US15/434,796 US9976214B2 (en) 2016-03-14 2017-02-16 Cleaning method and method of manufacturing semiconductor device
CN201710090562.3A CN107190248B (zh) 2016-03-14 2017-02-20 清洁方法、半导体器件的制造方法、衬底处理装置及介质

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016049531A JP6602699B2 (ja) 2016-03-14 2016-03-14 クリーニング方法、半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2017168496A JP2017168496A (ja) 2017-09-21
JP2017168496A5 true JP2017168496A5 (enExample) 2018-05-10
JP6602699B2 JP6602699B2 (ja) 2019-11-06

Family

ID=59786294

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016049531A Active JP6602699B2 (ja) 2016-03-14 2016-03-14 クリーニング方法、半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム

Country Status (4)

Country Link
US (1) US9976214B2 (enExample)
JP (1) JP6602699B2 (enExample)
KR (1) KR101858102B1 (enExample)
CN (1) CN107190248B (enExample)

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2016140166A1 (ja) * 2015-03-02 2016-09-09 株式会社日立国際電気 クリーニング方法、半導体装置の製造方法、基板処理装置および記録媒体
US10600648B2 (en) * 2017-04-20 2020-03-24 Lam Research Corporation Silicon-based deposition for semiconductor processing
JP6956696B2 (ja) * 2017-10-06 2021-11-02 東京エレクトロン株式会社 パーティクル発生抑制方法及び真空装置
DE102017219312A1 (de) * 2017-10-27 2019-05-02 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. 2-stufiger Trockenätzprozess zur Texturierung kristalliner Siliziumscheiben
JP6956660B2 (ja) * 2018-03-19 2021-11-02 東京エレクトロン株式会社 クリーニング方法及び成膜装置
CN108588681B (zh) * 2018-05-25 2020-06-12 聚灿光电科技股份有限公司 Mocvd系统及其清理方法
JP7204348B2 (ja) * 2018-06-08 2023-01-16 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法およびエッチング装置
JP7153499B2 (ja) * 2018-08-08 2022-10-14 東京エレクトロン株式会社 酸素含有被処理体の処理方法及び処理装置
JP7026086B2 (ja) * 2019-09-25 2022-02-25 株式会社Kokusai Electric 基板処理装置、半導体装置の製造方法及び基板処理装置の洗浄方法
JP7432373B2 (ja) * 2020-01-23 2024-02-16 株式会社Kokusai Electric 反応管の洗浄方法、半導体装置の製造方法、及び基板処理装置
JP7113041B2 (ja) * 2020-03-04 2022-08-04 株式会社Kokusai Electric クリーニング方法、半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム
JP7182577B2 (ja) * 2020-03-24 2022-12-02 株式会社Kokusai Electric 基板処理方法、半導体装置の製造方法、基板処理装置、およびプログラム
JP2021166238A (ja) * 2020-04-07 2021-10-14 東京エレクトロン株式会社 クリーニング方法及び熱処理装置
KR20230142447A (ko) * 2020-12-01 2023-10-11 메이덴 나노프로세스 이노베이션즈 인코포레이티드 원자층 증착 장치 및 원자층 증착 방법
CN112650323A (zh) * 2020-12-25 2021-04-13 北京北方华创微电子装备有限公司 半导体清洗设备中清洗液的温度控制方法及系统
JP7515420B2 (ja) * 2021-01-12 2024-07-12 東京エレクトロン株式会社 クリーニング方法及び処理装置
JP2023008986A (ja) * 2021-07-06 2023-01-19 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー クリーニングガスを提供するクリーニングガスシステムを有する化学蒸着炉
JP7411696B2 (ja) * 2022-01-11 2024-01-11 株式会社Kokusai Electric クリーニング方法、半導体装置の製造方法、基板処理装置及びプログラム
JP7776231B2 (ja) * 2022-06-03 2025-11-26 東京エレクトロン株式会社 クリーニング方法及び処理装置
US20240145230A1 (en) * 2022-10-28 2024-05-02 Applied Materials, Inc. Semiconductor cleaning using plasma-free precursors

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5609721A (en) * 1994-03-11 1997-03-11 Fujitsu Limited Semiconductor device manufacturing apparatus and its cleaning method
JP4272486B2 (ja) * 2003-08-29 2009-06-03 東京エレクトロン株式会社 薄膜形成装置及び薄膜形成装置の洗浄方法
JP4541739B2 (ja) * 2004-03-26 2010-09-08 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法、クリーニング方法及び半導体装置の製造装置
JP3828915B2 (ja) 2004-03-29 2006-10-04 東京エレクトロン株式会社 薄膜形成装置の洗浄方法、薄膜形成装置及びプログラム
TWI336497B (en) * 2004-10-07 2011-01-21 Hitachi Int Electric Inc Substrate treatment device and manufacturing method for semiconductor device
JP2006114780A (ja) * 2004-10-15 2006-04-27 Tokyo Electron Ltd 薄膜形成装置の洗浄方法、薄膜形成装置及びプログラム
JP4786495B2 (ja) * 2005-11-24 2011-10-05 東京エレクトロン株式会社 薄膜形成装置の洗浄方法、薄膜形成方法、薄膜形成装置及びプログラム
JP4939864B2 (ja) * 2006-07-25 2012-05-30 東京エレクトロン株式会社 ガス供給装置、ガス供給方法、薄膜形成装置の洗浄方法、薄膜形成方法及び薄膜形成装置
JP4838083B2 (ja) 2006-09-20 2011-12-14 株式会社日立国際電気 基板処理装置および半導体装置の製造方法
JP4949091B2 (ja) * 2007-03-16 2012-06-06 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法および記録媒体
JP5438266B2 (ja) * 2007-07-02 2014-03-12 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法、クリーニング方法および基板処理装置
JP4918452B2 (ja) * 2007-10-11 2012-04-18 東京エレクトロン株式会社 薄膜形成装置の洗浄方法、薄膜形成方法、薄膜形成装置及びプログラム
JP5148536B2 (ja) * 2007-12-05 2013-02-20 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法、基板処理方法、基板処理装置の運用方法及び基板処理装置
JP5247528B2 (ja) * 2009-02-23 2013-07-24 株式会社日立国際電気 基板処理装置、半導体装置の製造方法、基板処理方法及びガス導入手段
JP2014127627A (ja) * 2012-12-27 2014-07-07 Tokyo Electron Ltd 薄膜形成装置の洗浄方法、薄膜形成方法、薄膜形成装置、及び、プログラム
JP6124724B2 (ja) 2013-07-25 2017-05-10 株式会社日立国際電気 クリーニング方法、半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム
JP5852147B2 (ja) * 2014-01-23 2016-02-03 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法、基板処理装置、プログラム及び記録媒体
JP6342670B2 (ja) 2014-02-17 2018-06-13 株式会社日立国際電気 クリーニング方法、半導体装置の製造方法、基板処理装置及びプログラム
JP6347543B2 (ja) * 2014-06-30 2018-06-27 株式会社日立国際電気 クリーニング方法、半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2017168496A5 (enExample)
TWI641046B (zh) 積體電路的製造方法
JP2012044204A5 (ja) メンテナンス方法、露光装置、及びデバイス製造方法
JP2017512379A5 (enExample)
JP2015082525A5 (enExample)
JP2018120925A5 (enExample)
JP2018166142A5 (enExample)
JP2015109419A5 (enExample)
JP2014072383A5 (enExample)
SG10201402882PA (en) Chamber wall of a plasma processing apparatus including a flowing protective liquid layer
JP2015053445A5 (enExample)
JP2007084908A5 (enExample)
JP2013153159A5 (enExample)
JP2017010940A5 (ja) グラフェン化合物シートの形成方法
JP2016066658A5 (enExample)
WO2011017222A3 (en) Method and apparatus for dry cleaning a cooled showerhead
SG11201808114VA (en) Substrate processing apparatus, method of manufacturing semiconductor device, and recording medium
KR20180084642A (ko) 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체
TWD197466S (zh) 基板處理裝置用隔熱板
JP2012149288A5 (ja) 基板処理装置のドライクリーニング方法及び金属膜の除去方法
TWD203444S (zh) 基板處理裝置用氣體導入管
TWD191628S (zh) Air supply nozzle for substrate processing apparatus
JP1684468S (ja) 基板処理装置用天井ヒータ
TW201612966A (en) Substrate processing apparatus deposit removing method of substrate processing apparatus and recording medium
CN105093594B (zh) 一种剥离装置和显示基板生产线