JP2018120925A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2018120925A5
JP2018120925A5 JP2017010539A JP2017010539A JP2018120925A5 JP 2018120925 A5 JP2018120925 A5 JP 2018120925A5 JP 2017010539 A JP2017010539 A JP 2017010539A JP 2017010539 A JP2017010539 A JP 2017010539A JP 2018120925 A5 JP2018120925 A5 JP 2018120925A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
temperature
electrostatic chuck
etching
chamber
increasing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2017010539A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP2018120925A (ja
JP6820206B2 (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority claimed from JP2017010539A external-priority patent/JP6820206B2/ja
Priority to JP2017010539A priority Critical patent/JP6820206B2/ja
Priority to TW107101484A priority patent/TWI753085B/zh
Priority to KR1020180006591A priority patent/KR102103588B1/ko
Priority to US15/876,358 priority patent/US10361070B2/en
Priority to CN201810067867.7A priority patent/CN108346568B/zh
Priority to CN202210338506.8A priority patent/CN114695109B/zh
Publication of JP2018120925A publication Critical patent/JP2018120925A/ja
Publication of JP2018120925A5 publication Critical patent/JP2018120925A5/ja
Publication of JP6820206B2 publication Critical patent/JP6820206B2/ja
Application granted granted Critical
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

JP2017010539A 2017-01-24 2017-01-24 被加工物を処理する方法 Active JP6820206B2 (ja)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017010539A JP6820206B2 (ja) 2017-01-24 2017-01-24 被加工物を処理する方法
TW107101484A TWI753085B (zh) 2017-01-24 2018-01-16 被加工物之處理方法
KR1020180006591A KR102103588B1 (ko) 2017-01-24 2018-01-18 피가공물을 처리하는 방법
US15/876,358 US10361070B2 (en) 2017-01-24 2018-01-22 Method of processing target object
CN201810067867.7A CN108346568B (zh) 2017-01-24 2018-01-24 处理被加工物的方法
CN202210338506.8A CN114695109B (zh) 2017-01-24 2018-01-24 处理被加工物的方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017010539A JP6820206B2 (ja) 2017-01-24 2017-01-24 被加工物を処理する方法

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2018120925A JP2018120925A (ja) 2018-08-02
JP2018120925A5 true JP2018120925A5 (enExample) 2019-11-14
JP6820206B2 JP6820206B2 (ja) 2021-01-27

Family

ID=62907112

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017010539A Active JP6820206B2 (ja) 2017-01-24 2017-01-24 被加工物を処理する方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US10361070B2 (enExample)
JP (1) JP6820206B2 (enExample)
KR (1) KR102103588B1 (enExample)
CN (2) CN114695109B (enExample)
TW (1) TWI753085B (enExample)

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7045883B2 (ja) * 2018-03-07 2022-04-01 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置
KR102242816B1 (ko) * 2018-08-13 2021-04-21 세메스 주식회사 기판 온도 제어 장치, 그를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US11437261B2 (en) 2018-12-11 2022-09-06 Applied Materials, Inc. Cryogenic electrostatic chuck
JP7277225B2 (ja) * 2019-04-08 2023-05-18 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法、及び、プラズマ処理装置
US11764041B2 (en) 2019-06-14 2023-09-19 Applied Materials, Inc. Adjustable thermal break in a substrate support
JP7285152B2 (ja) * 2019-07-08 2023-06-01 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
US11373893B2 (en) 2019-09-16 2022-06-28 Applied Materials, Inc. Cryogenic electrostatic chuck
US11646183B2 (en) 2020-03-20 2023-05-09 Applied Materials, Inc. Substrate support assembly with arc resistant coolant conduit
US12334315B2 (en) 2020-04-30 2025-06-17 Applied Materials, Inc. Cooled substrate support assembly for radio frequency environments
US12444585B2 (en) 2020-05-29 2025-10-14 Applied Materials, Inc. Electrical connector for cooled substrate support assembly
US11087989B1 (en) 2020-06-18 2021-08-10 Applied Materials, Inc. Cryogenic atomic layer etch with noble gases
JP7489865B2 (ja) * 2020-08-24 2024-05-24 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法及び基板処理装置
KR102489934B1 (ko) * 2021-02-17 2023-01-18 대전대학교 산학협력단 식각 처리 장치 및 식각 처리 방법
CN115440558A (zh) * 2021-06-03 2022-12-06 长鑫存储技术有限公司 半导体蚀刻设备
JP7671716B2 (ja) * 2021-10-08 2025-05-02 日本碍子株式会社 ウエハ載置台
JP7747580B2 (ja) * 2022-04-19 2025-10-01 日本特殊陶業株式会社 半導体製造装置、及び保持装置
KR102800435B1 (ko) * 2023-02-28 2025-04-23 광운대학교 산학협력단 식각 처리 장치의 동작 방법
CN116575012B (zh) * 2023-05-16 2024-12-31 无锡金源半导体科技有限公司 沉积腔室及具有该沉积腔室的薄膜沉积设备

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3323530B2 (ja) * 1991-04-04 2002-09-09 株式会社日立製作所 半導体装置の製造方法
JP3160961B2 (ja) * 1991-10-02 2001-04-25 ソニー株式会社 ドライエッチング方法
JP3040630B2 (ja) * 1993-02-16 2000-05-15 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
JPH0982688A (ja) * 1995-09-19 1997-03-28 Sony Corp ドライエッチング方法
JPH09232281A (ja) * 1996-02-26 1997-09-05 Sony Corp ドライエッチング処理方法
US6063710A (en) * 1996-02-26 2000-05-16 Sony Corporation Method and apparatus for dry etching with temperature control
US6071630A (en) * 1996-03-04 2000-06-06 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Electrostatic chuck
JP3675065B2 (ja) 1996-10-14 2005-07-27 ソニー株式会社 ドライエッチング方法
US6461974B1 (en) * 2000-10-06 2002-10-08 Lam Research Corporation High temperature tungsten etching process
JP4644943B2 (ja) * 2001-01-23 2011-03-09 東京エレクトロン株式会社 処理装置
US6599437B2 (en) * 2001-03-20 2003-07-29 Applied Materials Inc. Method of etching organic antireflection coating (ARC) layers
US6794303B2 (en) * 2002-07-18 2004-09-21 Mosel Vitelic, Inc. Two stage etching of silicon nitride to form a nitride spacer
JP4551256B2 (ja) * 2005-03-31 2010-09-22 東京エレクトロン株式会社 載置台の温度制御装置及び載置台の温度制御方法及び処理装置及び載置台温度制御プログラム
JP4694249B2 (ja) * 2005-04-20 2011-06-08 株式会社日立ハイテクノロジーズ 真空処理装置及び試料の真空処理方法
JP5183058B2 (ja) * 2006-07-20 2013-04-17 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 急速温度勾配コントロールによる基板処理
JP2009188257A (ja) * 2008-02-07 2009-08-20 Tokyo Electron Ltd プラズマエッチング方法及びプラズマエッチング装置並びに記憶媒体
WO2010109848A1 (ja) * 2009-03-26 2010-09-30 パナソニック株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
JP5606060B2 (ja) * 2009-12-24 2014-10-15 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法及びエッチング処理装置
JP6010433B2 (ja) * 2012-11-15 2016-10-19 東京エレクトロン株式会社 基板載置台および基板処理装置
KR101870491B1 (ko) * 2014-03-11 2018-06-22 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 플라즈마 처리 장치, 기판 처리 시스템, 박막 트랜지스터의 제조 방법 및 기억 매체
JP6230954B2 (ja) * 2014-05-09 2017-11-15 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法
JP6018606B2 (ja) * 2014-06-27 2016-11-02 東京エレクトロン株式会社 温度制御可能なステージを含むシステム、半導体製造装置及びステージの温度制御方法
JP6408903B2 (ja) * 2014-12-25 2018-10-17 東京エレクトロン株式会社 エッチング処理方法及びエッチング処理装置
JP6661283B2 (ja) * 2015-05-14 2020-03-11 東京エレクトロン株式会社 クリーニング方法及びプラズマ処理方法
JP6541439B2 (ja) * 2015-05-29 2019-07-10 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法
US9779974B2 (en) * 2015-06-22 2017-10-03 Lam Research Corporation System and method for reducing temperature transition in an electrostatic chuck
US9922806B2 (en) * 2015-06-23 2018-03-20 Tokyo Electron Limited Etching method and plasma processing apparatus

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2018120925A5 (enExample)
TWI751264B (zh) 包含電漿處理裝置之腔室本體內部的清理之電漿處理方法
US9997374B2 (en) Etching method
JP6820206B2 (ja) 被加工物を処理する方法
TWI427668B (zh) A plasma processing device, an electrode temperature adjusting device, and an electrode temperature adjusting method
JP6059165B2 (ja) エッチング方法、及びプラズマ処理装置
US9818624B2 (en) Methods and apparatus for correcting substrate deformity
US20160013065A1 (en) Plasma etching apparatus and plasma etching method
JP2011187758A (ja) 温度制御システム、温度制御方法、プラズマ処理装置及びコンピュータ記憶媒体
JP2017168496A5 (enExample)
JP2015065393A5 (enExample)
TWI723096B (zh) 蝕刻方法
JP2018166142A5 (enExample)
TW201944524A (zh) 靜電吸盤、基板處理裝置及基板保持方法
JP2018206805A5 (enExample)
TW201539571A (zh) 基板處理方法及基板處理裝置
JP2007511096A5 (enExample)
JP2019186334A5 (enExample)
JP2015095396A5 (enExample)
TWI628711B (zh) 被處理體之處理方法
TW201541551A (zh) 用於大溫度範圍夾具之多流體冷卻系統
JP2011151055A (ja) 温度測定方法及び基板処理装置
KR102797256B1 (ko) 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
TWI655146B (zh) 用於工件的靜電夾持之系統及方法
JP5807160B2 (ja) ノンプラズマドライエッチング装置