JP2016051864A5 - - Google Patents
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- 239000007789 gas Substances 0.000 claims 38
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 24
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 23
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims 16
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 16
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims 4
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 claims 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 claims 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 claims 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000002407 reforming Methods 0.000 claims 1
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2014177763A JP6009513B2 (ja) | 2014-09-02 | 2014-09-02 | 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム |
| CN201510416824.1A CN105390378B (zh) | 2014-09-02 | 2015-07-15 | 半导体器件的制造方法及衬底处理装置 |
| TW104123434A TWI585884B (zh) | 2014-09-02 | 2015-07-20 | 半導體裝置之製造方法、基板處理裝置及記錄媒體 |
| US14/838,793 US9640387B2 (en) | 2014-09-02 | 2015-08-28 | Method of manufacturing semiconductor device, substrate processing apparatus, and recording medium |
| KR1020150123774A KR101751599B1 (ko) | 2014-09-02 | 2015-09-01 | 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치 및 프로그램 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2014177763A JP6009513B2 (ja) | 2014-09-02 | 2014-09-02 | 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2016051864A JP2016051864A (ja) | 2016-04-11 |
| JP2016051864A5 true JP2016051864A5 (enExample) | 2016-06-23 |
| JP6009513B2 JP6009513B2 (ja) | 2016-10-19 |
Family
ID=55403309
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2014177763A Active JP6009513B2 (ja) | 2014-09-02 | 2014-09-02 | 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9640387B2 (enExample) |
| JP (1) | JP6009513B2 (enExample) |
| KR (1) | KR101751599B1 (enExample) |
| CN (1) | CN105390378B (enExample) |
| TW (1) | TWI585884B (enExample) |
Families Citing this family (38)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9828672B2 (en) | 2015-03-26 | 2017-11-28 | Lam Research Corporation | Minimizing radical recombination using ALD silicon oxide surface coating with intermittent restoration plasma |
| WO2017163314A1 (ja) * | 2016-03-22 | 2017-09-28 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法および記録媒体 |
| CN109690730B (zh) * | 2016-06-20 | 2023-03-31 | 应用材料公司 | 在高温下去除处理腔室中的硼-碳残留物的清洁工艺 |
| JP6368743B2 (ja) | 2016-06-22 | 2018-08-01 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム |
| JP6719993B2 (ja) * | 2016-06-30 | 2020-07-08 | 株式会社Screenホールディングス | 熱処理方法および熱処理装置 |
| JP6336231B1 (ja) * | 2016-11-02 | 2018-06-06 | 株式会社アルバック | 真空処理装置 |
| JP6814057B2 (ja) * | 2017-01-27 | 2021-01-13 | 株式会社Kokusai Electric | 半導体装置の製造方法、基板処理装置、およびプログラム |
| WO2019058477A1 (ja) * | 2017-09-21 | 2019-03-28 | 株式会社Kokusai Electric | 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム |
| JP6967922B2 (ja) * | 2017-09-22 | 2021-11-17 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
| US11761079B2 (en) | 2017-12-07 | 2023-09-19 | Lam Research Corporation | Oxidation resistant protective layer in chamber conditioning |
| US10760158B2 (en) | 2017-12-15 | 2020-09-01 | Lam Research Corporation | Ex situ coating of chamber components for semiconductor processing |
| JP6828674B2 (ja) * | 2017-12-20 | 2021-02-10 | 株式会社Sumco | クリーニング方法、シリコン単結晶の製造方法、および、クリーニング装置 |
| JP7045196B2 (ja) * | 2018-01-15 | 2022-03-31 | 東京応化工業株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
| JP6960344B2 (ja) * | 2018-01-26 | 2021-11-05 | 株式会社Screenホールディングス | 熱処理方法および熱処理装置 |
| CN110300495A (zh) * | 2018-03-23 | 2019-10-01 | 睿明科技股份有限公司 | 基板镀膜方法 |
| JP6843298B2 (ja) | 2018-04-27 | 2021-03-17 | 株式会社Kokusai Electric | 半導体装置の製造方法、基板処理装置、およびプログラム |
| US20210348274A1 (en) * | 2018-10-02 | 2021-11-11 | Evatec Ag | Plasma enhanced atomic layer deposition (peald) apparatus |
| KR20210055101A (ko) * | 2018-10-05 | 2021-05-14 | 버슘머트리얼즈 유에스, 엘엘씨 | 실리콘-함유 필름의 고온 원자 층 증착 |
| KR20250110938A (ko) | 2018-10-19 | 2025-07-21 | 램 리써치 코포레이션 | 반도체 프로세싱을 위한 챔버 컴포넌트들의 인 시츄 (in situ) 보호 코팅 |
| JP6857675B2 (ja) * | 2019-03-06 | 2021-04-14 | 株式会社Kokusai Electric | 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム |
| JP6960953B2 (ja) * | 2019-03-20 | 2021-11-05 | 株式会社Kokusai Electric | 半導体装置の製造方法、基板処理方法、基板処理装置、およびプログラム |
| JP7275927B2 (ja) * | 2019-06-28 | 2023-05-18 | 日新電機株式会社 | スパッタ装置の使用方法 |
| JP7229904B2 (ja) * | 2019-11-29 | 2023-02-28 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置における載置台のクリーニング方法およびプラズマ処理装置 |
| JP7270863B1 (ja) | 2019-11-29 | 2023-05-10 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置における載置台のクリーニング方法およびプラズマ処理装置 |
| US11566324B2 (en) * | 2020-02-27 | 2023-01-31 | Applied Materials, Inc. | Conditioning treatment for ALD productivity |
| JP7416210B2 (ja) * | 2020-03-26 | 2024-01-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 炭化ケイ素含有膜を形成する方法及び装置 |
| CN112071801B (zh) * | 2020-09-16 | 2024-05-17 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 顶针升降装置和半导体工艺腔室 |
| JP7303168B2 (ja) * | 2020-09-30 | 2023-07-04 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理方法、半導体装置の製造方法、基板処理装置、およびプログラム |
| CN114293174A (zh) * | 2020-10-07 | 2022-04-08 | Asm Ip私人控股有限公司 | 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备 |
| JP7504004B2 (ja) * | 2020-11-13 | 2024-06-21 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
| JP7260578B2 (ja) * | 2021-03-19 | 2023-04-18 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理装置、半導体装置の製造方法、および、プログラム |
| US12012653B2 (en) * | 2021-03-23 | 2024-06-18 | Applied Materials, Inc. | Cleaning assemblies for substrate processing chambers |
| JP7273086B2 (ja) * | 2021-03-24 | 2023-05-12 | 株式会社Kokusai Electric | 半導体装置の製造方法、プログラム及び基板処理装置 |
| JP7664085B2 (ja) * | 2021-05-28 | 2025-04-17 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング方法およびエッチング装置 |
| TWI764784B (zh) * | 2021-07-16 | 2022-05-11 | 天虹科技股份有限公司 | 雙層式遮蔽構件及具有雙層式遮蔽構件的薄膜沉積機台 |
| KR102745453B1 (ko) * | 2021-12-23 | 2024-12-23 | 주식회사 원익아이피에스 | 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 |
| TWI850909B (zh) * | 2022-03-18 | 2024-08-01 | 日商國際電氣股份有限公司 | 氣體清潔方法、半導體裝置之製造方法、基板處理方法、程式及基板處理裝置 |
| JP7461396B2 (ja) * | 2022-03-24 | 2024-04-03 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理方法、半導体装置の製造方法、プログラム、および基板処理装置 |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0383893A (ja) * | 1989-08-25 | 1991-04-09 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 気相成長装置 |
| JP3247270B2 (ja) * | 1994-08-25 | 2002-01-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置及びドライクリーニング方法 |
| DE19980266D2 (de) * | 1998-02-18 | 2000-05-25 | Aixtron Ag | CVD-Reaktor und dessen Verwendung |
| JP2001093877A (ja) * | 1999-09-22 | 2001-04-06 | Texas Instr Japan Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JP3804913B2 (ja) | 2000-09-19 | 2006-08-02 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法および半導体装置の製造装置 |
| JP2002100570A (ja) * | 2000-09-22 | 2002-04-05 | Komatsu Electronic Metals Co Ltd | 枚葉式気相成長装置 |
| US20050145177A1 (en) * | 2003-12-30 | 2005-07-07 | Mcswiney Michael | Method and apparatus for low temperature silicon nitride deposition |
| JP5008957B2 (ja) * | 2006-11-30 | 2012-08-22 | 東京エレクトロン株式会社 | シリコン窒化膜の形成方法、形成装置、形成装置の処理方法及びプログラム |
| JP3147868U (ja) * | 2008-11-06 | 2009-01-22 | 日本エー・エス・エム株式会社 | 基板処理装置 |
| CN102308675B (zh) * | 2009-02-04 | 2016-01-13 | 应用材料公司 | 用于等离子体工艺的接地回流路径 |
| US8329599B2 (en) | 2011-02-18 | 2012-12-11 | Asm Japan K.K. | Method of depositing dielectric film by ALD using precursor containing silicon, hydrocarbon, and halogen |
| JP5933375B2 (ja) * | 2011-09-14 | 2016-06-08 | 株式会社日立国際電気 | クリーニング方法、半導体装置の製造方法、基板処理装置及びプログラム |
| JP5807505B2 (ja) * | 2011-10-14 | 2015-11-10 | 信越半導体株式会社 | エピタキシャルウエーハの製造方法 |
| JP6068130B2 (ja) | 2012-12-25 | 2017-01-25 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム |
-
2014
- 2014-09-02 JP JP2014177763A patent/JP6009513B2/ja active Active
-
2015
- 2015-07-15 CN CN201510416824.1A patent/CN105390378B/zh active Active
- 2015-07-20 TW TW104123434A patent/TWI585884B/zh active
- 2015-08-28 US US14/838,793 patent/US9640387B2/en active Active
- 2015-09-01 KR KR1020150123774A patent/KR101751599B1/ko active Active
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