JP2011168881A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2011168881A5 JP2011168881A5 JP2010266422A JP2010266422A JP2011168881A5 JP 2011168881 A5 JP2011168881 A5 JP 2011168881A5 JP 2010266422 A JP2010266422 A JP 2010266422A JP 2010266422 A JP2010266422 A JP 2010266422A JP 2011168881 A5 JP2011168881 A5 JP 2011168881A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- processing
- gas
- processing gas
- processing chamber
- supplying
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 16
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims 2
- 238000002407 reforming Methods 0.000 claims 2
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 claims 1
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2010266422A JP2011168881A (ja) | 2010-01-25 | 2010-11-30 | 半導体装置の製造方法及び基板処理装置 |
| KR1020110005783A KR101289305B1 (ko) | 2010-01-25 | 2011-01-20 | 반도체 장치의 제조 방법 및 기판 처리 장치 |
| TW100102210A TWI483313B (zh) | 2010-01-25 | 2011-01-21 | 半導體裝置之製造方法及基板處理裝置 |
| US13/012,320 US8691708B2 (en) | 2010-01-25 | 2011-01-24 | Method of manufacturing semiconductor device and substrate processing apparatus |
| KR1020120135145A KR101317219B1 (ko) | 2010-01-25 | 2012-11-27 | 반도체 장치의 제조 방법 및 기판 처리 장치 |
| KR1020130043902A KR101345120B1 (ko) | 2010-01-25 | 2013-04-22 | 반도체 장치의 제조 방법 및 기판 처리 장치 |
| US14/183,301 US20140162454A1 (en) | 2010-01-25 | 2014-02-18 | Method of manufacturing semiconductor device and substrate processing apparatus |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2010013014 | 2010-01-25 | ||
| JP2010013014 | 2010-01-25 | ||
| JP2010266422A JP2011168881A (ja) | 2010-01-25 | 2010-11-30 | 半導体装置の製造方法及び基板処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2011168881A JP2011168881A (ja) | 2011-09-01 |
| JP2011168881A5 true JP2011168881A5 (enExample) | 2014-01-23 |
Family
ID=44309276
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2010266422A Pending JP2011168881A (ja) | 2010-01-25 | 2010-11-30 | 半導体装置の製造方法及び基板処理装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US8691708B2 (enExample) |
| JP (1) | JP2011168881A (enExample) |
| KR (3) | KR101289305B1 (enExample) |
| TW (1) | TWI483313B (enExample) |
Families Citing this family (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5610438B2 (ja) * | 2010-01-29 | 2014-10-22 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 |
| KR101427726B1 (ko) * | 2011-12-27 | 2014-08-07 | 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 | 기판 처리 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 |
| JP2013133521A (ja) * | 2011-12-27 | 2013-07-08 | Tokyo Electron Ltd | 成膜方法 |
| JP6078279B2 (ja) | 2012-09-20 | 2017-02-08 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法、基板処理方法、基板処理装置およびプログラム |
| JP6245643B2 (ja) * | 2013-03-28 | 2017-12-13 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム |
| JP6118197B2 (ja) * | 2013-07-02 | 2017-04-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜方法 |
| JP6164775B2 (ja) * | 2014-08-21 | 2017-07-19 | 株式会社日立国際電気 | 半導体デバイスの製造方法、基板処理装置およびプログラム |
| JP6591046B2 (ja) | 2016-03-29 | 2019-10-16 | 株式会社Kokusai Electric | 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム |
| CN111066124A (zh) * | 2017-09-25 | 2020-04-24 | 株式会社国际电气 | 半导体装置的制造方法、基板处理装置及程序 |
| CN109576672A (zh) * | 2017-09-28 | 2019-04-05 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 一种原子层沉积方法 |
| CN110875181A (zh) * | 2018-08-30 | 2020-03-10 | 长鑫存储技术有限公司 | 介电材料层及其形成方法、应用其的半导体结构 |
| JP6903040B2 (ja) | 2018-09-21 | 2021-07-14 | 株式会社Kokusai Electric | 半導体装置の製造方法、基板処理装置、およびプログラム |
| CN111101116B (zh) * | 2018-10-25 | 2023-08-18 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 工艺气体传输装置、原子层沉积方法及沉积设备 |
| TWI869392B (zh) | 2019-04-15 | 2025-01-11 | 美商應用材料股份有限公司 | 處理基板的方法 |
| US12283486B2 (en) * | 2019-10-08 | 2025-04-22 | Eugenus, Inc. | Conformal and smooth titanium nitride layers and methods of forming the same |
| US12272599B2 (en) | 2019-10-08 | 2025-04-08 | Eugenus, Inc. | Conformal and smooth titanium nitride layers and methods of forming the same |
| US11482413B2 (en) | 2019-10-08 | 2022-10-25 | Eugenus, Inc. | Conformal and smooth titanium nitride layers and methods of forming the same |
| TWI867065B (zh) * | 2019-10-23 | 2024-12-21 | 日商東京威力科創股份有限公司 | 基板洗淨方法、及基板洗淨裝置 |
| JP7166367B2 (ja) * | 2021-01-14 | 2022-11-07 | 株式会社Kokusai Electric | 半導体装置の製造方法、基板処理方法、基板処理装置およびプログラム |
| WO2022204663A1 (en) * | 2021-03-22 | 2022-09-29 | Eugenus, Inc. | Conformal and smooth titanium nitride layers and methods of forming the same |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5308655A (en) * | 1991-08-16 | 1994-05-03 | Materials Research Corporation | Processing for forming low resistivity titanium nitride films |
| US6305314B1 (en) * | 1999-03-11 | 2001-10-23 | Genvs, Inc. | Apparatus and concept for minimizing parasitic chemical vapor deposition during atomic layer deposition |
| KR100363088B1 (ko) * | 2000-04-20 | 2002-12-02 | 삼성전자 주식회사 | 원자층 증착방법을 이용한 장벽 금속막의 제조방법 |
| JP2002289615A (ja) * | 2001-03-26 | 2002-10-04 | Tokyo Electron Ltd | 薄膜形成方法及び薄膜形成装置 |
| JP4178776B2 (ja) * | 2001-09-03 | 2008-11-12 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜方法 |
| JP2005505146A (ja) * | 2001-10-12 | 2005-02-17 | ユナキス・バルツェルス・アクチェンゲゼルシャフト | 構造エレメントの製造方法および超真空cvd反応装置 |
| JP4214795B2 (ja) * | 2003-02-20 | 2009-01-28 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜方法 |
| JP4583764B2 (ja) * | 2004-01-14 | 2010-11-17 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
| TW200603287A (en) | 2004-03-26 | 2006-01-16 | Ulvac Inc | Unit layer posttreating catalytic chemical vapor deposition apparatus and method of film formation therewith |
| JP4396547B2 (ja) | 2004-06-28 | 2010-01-13 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜方法、成膜装置及び記憶媒体 |
| KR100712502B1 (ko) * | 2004-11-30 | 2007-05-02 | 삼성전자주식회사 | 금속-유전막-금속 캐패시터 및 그 제조방법 |
| JP4947922B2 (ja) * | 2005-05-23 | 2012-06-06 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜方法およびコンピュータにより読み取り可能な記憶媒体 |
| JP4727667B2 (ja) | 2005-08-16 | 2011-07-20 | 株式会社日立国際電気 | 薄膜形成方法および半導体デバイスの製造方法 |
| JP5045000B2 (ja) * | 2006-06-20 | 2012-10-10 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置、ガス供給装置、成膜方法及び記憶媒体 |
| US7833906B2 (en) * | 2008-12-11 | 2010-11-16 | Asm International N.V. | Titanium silicon nitride deposition |
-
2010
- 2010-11-30 JP JP2010266422A patent/JP2011168881A/ja active Pending
-
2011
- 2011-01-20 KR KR1020110005783A patent/KR101289305B1/ko active Active
- 2011-01-21 TW TW100102210A patent/TWI483313B/zh active
- 2011-01-24 US US13/012,320 patent/US8691708B2/en active Active
-
2012
- 2012-11-27 KR KR1020120135145A patent/KR101317219B1/ko active Active
-
2013
- 2013-04-22 KR KR1020130043902A patent/KR101345120B1/ko active Active
-
2014
- 2014-02-18 US US14/183,301 patent/US20140162454A1/en not_active Abandoned
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2011168881A5 (enExample) | ||
| JP2011006782A5 (enExample) | ||
| JP2012104720A5 (enExample) | ||
| JP2011252221A5 (enExample) | ||
| JP2016131210A5 (enExample) | ||
| JP2014165395A5 (enExample) | ||
| JP2010267925A5 (ja) | 半導体装置の製造方法、基板処理方法及び基板処理装置 | |
| JP2014208883A5 (enExample) | ||
| JP2015082525A5 (enExample) | ||
| JP2014229834A5 (enExample) | ||
| JP2015138913A5 (enExample) | ||
| JP2018166142A5 (enExample) | ||
| JP2015193864A5 (ja) | 半導体装置の製造方法、基板処理装置、およびプログラム | |
| JP2016127285A5 (ja) | 活性化を使用しない、シリコン酸化物のための異方性原子層エッチングの方法及びエッチング装置 | |
| SG169306A1 (en) | Method of manufacturing semiconductor device, cleaning method, and substrate processing apparatus | |
| JP2014513868A5 (enExample) | ||
| JP2015067869A5 (enExample) | ||
| JP2015070177A5 (ja) | 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム | |
| JP2011176095A5 (enExample) | ||
| JP2013084898A5 (ja) | 半導体装置の製造方法、基板処理装置及びプログラム | |
| JP2012530381A5 (ja) | ワークピース処理システム及びその方法 | |
| JP2013102041A5 (enExample) | ||
| JP2019067820A5 (enExample) | ||
| JP2014195066A5 (ja) | 半導体装置の製造方法、基板処理装置、基板処理システム及びプログラム | |
| JP2014175509A5 (ja) | 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム |