JP2015109419A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2015109419A5
JP2015109419A5 JP2014191264A JP2014191264A JP2015109419A5 JP 2015109419 A5 JP2015109419 A5 JP 2015109419A5 JP 2014191264 A JP2014191264 A JP 2014191264A JP 2014191264 A JP2014191264 A JP 2014191264A JP 2015109419 A5 JP2015109419 A5 JP 2015109419A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
amorphous metal
temperature
metal layer
gas
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2014191264A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP6336866B2 (ja
JP2015109419A (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP2014191264A priority Critical patent/JP6336866B2/ja
Priority claimed from JP2014191264A external-priority patent/JP6336866B2/ja
Priority to US14/501,606 priority patent/US9966268B2/en
Publication of JP2015109419A publication Critical patent/JP2015109419A/ja
Publication of JP2015109419A5 publication Critical patent/JP2015109419A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6336866B2 publication Critical patent/JP6336866B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

JP2014191264A 2013-10-23 2014-09-19 半導体デバイスの製造方法、基板処理装置およびプログラム Active JP6336866B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014191264A JP6336866B2 (ja) 2013-10-23 2014-09-19 半導体デバイスの製造方法、基板処理装置およびプログラム
US14/501,606 US9966268B2 (en) 2013-10-23 2014-09-30 Method of manufacturing semiconductor device and substrate processing apparatus

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013220378 2013-10-23
JP2013220378 2013-10-23
JP2014191264A JP6336866B2 (ja) 2013-10-23 2014-09-19 半導体デバイスの製造方法、基板処理装置およびプログラム

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2015109419A JP2015109419A (ja) 2015-06-11
JP2015109419A5 true JP2015109419A5 (enExample) 2017-10-19
JP6336866B2 JP6336866B2 (ja) 2018-06-06

Family

ID=52826530

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2014191264A Active JP6336866B2 (ja) 2013-10-23 2014-09-19 半導体デバイスの製造方法、基板処理装置およびプログラム

Country Status (2)

Country Link
US (1) US9966268B2 (enExample)
JP (1) JP6336866B2 (enExample)

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPWO2014125653A1 (ja) * 2013-02-15 2017-02-02 株式会社日立国際電気 基板処理装置、半導体装置の製造方法及び基板処理方法
US20170309490A1 (en) * 2014-09-24 2017-10-26 Hitachi Kokusai Electric Inc. Method of manufacturing semiconductor device
TW201703130A (zh) * 2015-02-25 2017-01-16 應用材料股份有限公司 使用烷基胺於金屬氮化物之選擇性移除的方法及設備
KR101706747B1 (ko) * 2015-05-08 2017-02-15 주식회사 유진테크 비정질 박막의 형성방법
JP6541438B2 (ja) * 2015-05-28 2019-07-10 東京エレクトロン株式会社 金属膜のストレス低減方法および金属膜の成膜方法
WO2017056242A1 (ja) 2015-09-30 2017-04-06 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法、基板処理装置および記録媒体
JP6560112B2 (ja) * 2015-12-09 2019-08-14 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置およびその製造方法
TWI720106B (zh) * 2016-01-16 2021-03-01 美商應用材料股份有限公司 Pecvd含鎢硬遮罩膜及製造方法
JP6548622B2 (ja) * 2016-09-21 2019-07-24 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ 半導体装置の製造方法、基板処理装置及びプログラム
JP6876479B2 (ja) * 2017-03-23 2021-05-26 キオクシア株式会社 半導体装置の製造方法
CN111052312B (zh) 2018-03-26 2025-04-15 株式会社国际电气 半导体器件的制造方法、衬底处理装置及程序
CN112740364B (zh) * 2018-09-14 2024-02-27 株式会社国际电气 半导体装置的制造方法、基板处理装置和记录介质
EP3881349A4 (en) * 2018-11-13 2022-08-24 Applied Materials, Inc. Selective deposition of metal silicides and selective oxide removal
JP7774479B2 (ja) * 2022-03-15 2025-11-21 キオクシア株式会社 成膜方法及び成膜装置

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7405158B2 (en) * 2000-06-28 2008-07-29 Applied Materials, Inc. Methods for depositing tungsten layers employing atomic layer deposition techniques
US7101795B1 (en) * 2000-06-28 2006-09-05 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for depositing refractory metal layers employing sequential deposition techniques to form a nucleation layer
US7141494B2 (en) * 2001-05-22 2006-11-28 Novellus Systems, Inc. Method for reducing tungsten film roughness and improving step coverage
US6827978B2 (en) * 2002-02-11 2004-12-07 Applied Materials, Inc. Deposition of tungsten films
JP3956049B2 (ja) * 2003-03-07 2007-08-08 東京エレクトロン株式会社 タングステン膜の形成方法
US7772114B2 (en) * 2007-12-05 2010-08-10 Novellus Systems, Inc. Method for improving uniformity and adhesion of low resistivity tungsten film
JP5959991B2 (ja) * 2011-11-25 2016-08-02 東京エレクトロン株式会社 タングステン膜の成膜方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2015109419A5 (enExample)
JP2016131210A5 (enExample)
JP2016058676A5 (enExample)
JP2015193864A5 (ja) 半導体装置の製造方法、基板処理装置、およびプログラム
JP2014165395A5 (enExample)
MX2019014290A (es) Sistema de revestimiento para componentes de sujecion de tubulares.
JP2018166142A5 (enExample)
JP2014175509A5 (ja) 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム
JP2017168496A5 (enExample)
TWD183010S (zh) 基板處理裝置用晶舟
JP2015133481A5 (ja) 剥離方法
JP2014208883A5 (enExample)
JP2015138913A5 (enExample)
SG10201808148QA (en) Method of manufacturing semiconductor device, substrate processing apparatus and program
JP2015138842A5 (enExample)
JP2015070177A5 (ja) 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム
TWD163542S (zh) 基板處理裝置用晶舟
JP2012146951A5 (enExample)
JP2016021532A5 (enExample)
JP2015185825A5 (enExample)
JP2017162875A5 (enExample)
MY183935A (en) Solar cell production method and solar cell treatment method
TW201612961A (en) Substrate processing apparatus, method of manufacturing semiconductor device, program
JP2014195066A5 (ja) 半導体装置の製造方法、基板処理装置、基板処理システム及びプログラム
TW201614760A (en) Heater apparatus for substrate processing and liquid processing arraratus for substrate comprising the same