JP2013516054A - 有機電子（ｏｅ）素子製造のための組成物 - Google Patents

Abstract

本発明は、有機半導体（ＯＳＣ）と一以上の有機溶媒を含む新規な調合物に関する。調合物は、ジメチルアニソール溶媒を含む。さらに、本発明は、これらの調合物の、有機電子（ＯＥ）素子、特に、有機光（ＯＰＶ）電池の調製のためのインクとしての使用およびＯＬＥＤ素子、新規な調合物を使用するＯＥ素子の製造方法およびこのような方法と調合物から調製されるＯＥ素子、ＯＬＥＤ素子およびＯＰＶ電池を記載する。

Description

本発明は、有機半導体（ＯＳＣ）と有機溶媒を含む新規な組成物、有機電子（ＯＥ）素子の、特に、有機光（ＯＰＶ）電池およびＯＬＥＤ素子の調製のための導電性インクとしてのそれらの使用、新規な調合物を使用するＯＥ素子の製造方法、このような方法と組成物から調製されるＯＥ素子およびＯＰＶ電池に関する。

背景と先行技術
ＯＦＥＴまたはＯＰＶ電池等のＯＥ素子、特に、フレキシブル素子を製造する際には、インクジェット印刷、ロールツーロール印刷、スロット−ダイコーティングまたはフレキソグラフィック／グラビア印刷等の印刷またはコーティング技術が、ＯＳＣ層に適用するために使用される。ＯＳＣとして有益なほとんどの現在の有機化合物の低い溶解度に基づいて、これらの技術は大量の溶媒の使用を必要とする。

フィルム形成能を改善することを目的として、結合剤または湿潤剤を使用することができる。これらの添加剤は、低分子量を有する発光材料および/または電荷輸送材料または低分子量を有するポリマー化合物に関して、特に、必要とされる。しかしながら、これらの添加剤は、そこから得られた組成物および/またはＯＥ素子に欠点を付与し得る。

US 2007/0221885は、３溶媒系に関し、特に、活性材料を可溶化するために使用される一つの溶媒、基板と類似する表面エネルギーを有する第２の溶媒、その他の２つの溶媒を混和性とするために使用される第３の溶媒に関する。3,4-ジメチルアニソールが、使用される可能性のある溶媒として溶媒のリスト内で言及されているが、溶媒の一つとしての実施例はない。本発明の主たる目的は、低い表面エネルギーの基板への印刷可能性を得ることである。

WO 2006/122732は、組成物、特に、有機溶液または溶媒混合物中で三重項状態から発光する少なくとも一つの有機半導体の溶液に関する。溶媒は、3,4-ジメチルアニソールを含んでよい。しかしながら、実施例は提供されていない。さらに、その文献はポリマー有機半導体化合物に関する。

先行技術は、低分子量有機発光および電荷輸送材料を加工するために有益である組成物を提供する。しかしながら、効率、寿命および酸化もしくは水に関する感受性等のＯＬＥＤの性能を改善することは、不変の要望である。

さらに、調合物は、低コストで簡単な印刷プロセスを可能とする必要がある。印刷プロセスは、高速度で高品質な印刷を可能とする必要がある。

したがって、高い性能と長い寿命と水あるいは酸化に対する低い感受性を有する高効率なＯＥ素子の製造を可能とする、ＯＥ素子、特に、薄膜トランジスタ、ダイオード、ＯＬＥＤ表示装置およびＯＰＶ電池の調製のために適するＯＳＣを含む改善された調合物を有することが望ましい。本発明の一つの目的は、このような改善された調合物を提供することである。別の目的は、このような調合物からＯＥ素子を調製する改善された方法を提供することである。別の目的は、このような調合物と方法から得られる改善されたＯＥ素子を提供することである。さらなる目的は、以下の説明から、当業者には直ちに明らかとなる。

驚くべきことに、本発明の方法、材料および素子を提供することにより、特に、本発明の調合物を使用するＯＥ素子の製造方法を提供することにより、これらの目的を達成することができ、上記問題を解決することができることが、見出された。

発明の要約
本発明は、５０００ｇ／ｍｏｌ以下の分子量を有する一以上の有機半導体化合物（ＯＳＣ）と一以上の有機溶媒を含む組成物に関し、前記有機溶媒は、ジメチルアニソールであることを特徴とする。

本発明は、さらに、ここに記載されたとおりの組成物の、ＯＬＥＤ素子、特に、剛直および柔軟なＯＬＥＤ素子の製造のためのコーティングまたは印刷インクとしての使用に関する。

本発明は、さらに、以下の工程を含む有機電子（ＯＥ）素子の製造方法に関する。

ａ）ここに記載されたとおりの組成物を基板上に堆積し、フィルムまたは層を、好ましくは、コーティングまたは印刷により、非常に、好ましくは、インクジェット印刷、フレキソグラフィック印刷またはグラビア印刷により形成すること、
ｂ）溶媒を除去すること。

本発明は、さらに、ここに記載されたとおりの調合物からおよび/またはプロセスにより調製されるＯＥ素子に関する。

ＯＥ素子は、限定するものではないが、有機電界効果トランジスタ（ＯＦＥＴ）、集積回路（ＩＣ）、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）、無線周波数同定（ＲＦＩＤ）タグ、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）、有機発光トランジスタ（ＯＬＥＴ）、エレクトロルミネセンス表示素子、有機光〈ＯＰＶ）電池、有機太陽電池（Ｏ-ＳＣ）、フレキシブルＯＰＶおよびＳＣ、有機レーザーダイオード（Ｏ-ｌａｓｅｒ）、有機集積回路（Ｏ-ＩＣ）、照明素子、センサー素子、電極材料、光伝導体、光検査器、電子写真記録素子、コンデンサー、電荷注入層、ショットキーダイオード、表面平坦化層、帯電防止フィルム、伝導性基板、伝導性パターン、光伝導体、電子写真素子、有機記憶素子、バイオセンサーおよびバイオチップである。

好ましい具体例によれば、本発明は、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を提供する。ＯＬＥＤ素子は、たとえば、医療照明目的のための照明のため、情報伝達素子として、ビジュアルサイン伝達素子として、表示装置に使用することができる。表示装置はパッシブマトリックスドライビング、トータルマトリックスアドレシングまたはアクチブマトリックスドライビングを使用して対処することができる。透明ＯＬＥＤは、光学的に透明な電極を使用することにより製造することができる。フレキシブルＯＬＥＤは、フレキシブル基板の使用により入手することができる。

本発明の調合物、方法および素子は、ＯＥ素子とその生産効率に驚くべき改善を提供する。これらの素子が本発明の組成物を使用することにより達成されると、予期せざることに、ＯＥ素子の性能、寿命および効率を改善することができる。さらに、これらの調合物は、印刷技術、特に、フレキソグラフィックおよびグラビア印刷のために適していることが驚くべきことに見出された。さらに、本発明の組成物は、驚くべき高い水準のフィルム形成性を提供する。特に、フィルムの均一性と品質を改善することができる。

さらに、調合物は、低コストと簡単な印刷プロセスを可能とする。印刷プロセスは高速度で高品質の印刷を可能とする。

発明の詳細な説明
本発明の調合物は、少なくとも一つの有機半導体化合物（ＯＳＣ）を含む。ＯＳＣ化合物は、当業者に知られ、文献に記載された標準的な材料から選ぶことができる。ＯＳＣは、モノマー化合物（ポリマーまたは巨大分子と比べて「低分子」と呼ばれる）、またはモノマー化合物から選ばれる一以上の化合物を含む混合物、分散液もしくはブレンドであり得る。

本発明の側面によれば、ＯＳＣは、好ましくは、共役芳香族分子であり、好ましくは、縮合あるいは非縮合であり得る少なくとも三つの芳香族環を含む。非縮合環は、結合基、単結合またはスピロ結合を介して連結される。好ましいモノマーＯＳＣ化合物は、5-、6-あるいは7員環芳香族環およびより好ましくは、5-あるいは6-員環芳香族環より成る群から選ばれる一以上の環を含む。

各々の芳香族環は、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｐ、Ｓｉ、Ｂ、Ａｓ、Ｎ、ＯもしくはＳ、好ましくは、Ｎ、ＯもしくはＳから選ばれる一以上のヘテロ環を随意に含む。

芳香族環は、随意に、アルキル、アルコキシ、ポリアルコキシ、チオアルキル、アシル、アリールあるいは置換アリール基、ハロゲン、特に、フッ素、シアノ、ニトロまたは随意に置換された二級あるいは三級アルキルアミンもしくは-Ｎ（Ｒ^ｘ）（Ｒ^ｙ）で表されるアリールアミン（Ｒ^ｘとＲ^ｙは、互いに独立してＨを示す）、随意に置換されたアルキル、随意に置換されたアリール、アルコキシもしくはポリアルコキシ基により、随意に置換されてよい。ここで、Ｒ^ｘおよび/またはＲ^ｙは、アルキルまたはアリールをしめし、これらは、随意にフッ素置換されてよい。

好ましい環は、随意に縮合し、または随意に、-Ｃ（Ｔ^１）=Ｃ（Ｔ^２）-、-Ｃ≡Ｃ-、-Ｎ（Ｒ^ｚ）-、-Ｎ=Ｎ-、-（Ｒ^ｚ）Ｃ=Ｎ-、-Ｎ=Ｃ（Ｒ^ｚ）-等の共役結合基により連結され、ここで、Ｔ^１とＴ^２は、互いに独立して、Ｈ、Ｃｌ、Ｆ、-Ｃ≡Ｎ-もしくは低級アルキル基、好ましくは、Ｃ_１−４アルキル基であり、Ｒ^ｚは、Ｈ、随意に置換されたアルキルもしくは随意に置換されたアリールをしめす。Ｒ^ｚがアルキルまたはアリールであると、これらは、随意にフッ素置換されてよい。

好ましいＯＳＣ化合物は、テトラセン、クリセン、ペンタセン、ピレン、ペリレン、コロネンもしくはそれらの可溶性置換誘導体等の縮合芳香族炭化水素；p-クオーターフェニレン（ｐ−４Ｐ）、p-キンケフェニル（ｐ−５Ｐ）、p-セクシフェニル（ｐ−６Ｐ）もしくはそれらの可溶性置換誘導体等のオリゴマーパラ置換フェニレン;ピラゾリン化合物;ベンジジン化合物;スチルベン化合物;トリアジン; 置換メタロあるいはメタルフリーポルフィン、フタロシアニン、フルオロフタロシアニン、ナフタロシアニンあるいは、フルオロナフタロシアニン；Ｃ_６０およびＣ_７０フラーレンあるいは誘導体; N,N'-ジアルキル、置換ジアルキル、ジアリールもしくは置換ジアリール-1,4,5,8-ナフタレンテトラカルボン酸ジイミドおよびフッ素誘導体; N,N'-ジアルキル、置換ジアルキル、ジアリールもしくは置換ジアリール-3,4,9,10-ペリレンテトラカルボン酸ジイミド;バソフェナントロリン;ジフェノキノン;1,3,4-オキサジアゾール;11,11,12,12-テトラシアノナフト-2,6-キノジメタン;α, αα'-ビス(ジチエノ[3,2-b:2',3'-d]チオフェン);2,8-ジアルキル、置換ジアルキル、ジアリールもしくは置換ジアリールアントラジチオフェン;2,2'-ビベンゾ[1,2-b:4,5-b']ジチオフェンから選ばれる低分子（すなわち、モノマー化合物）を含む。好ましい化合物は、上記リストからのものとそれらの可溶性の誘導体である。

特に、好ましいＯＳＣ材料は、たとえば、US 6,690,029、WO 2005/055248 A1またはWO 2008/107089 A1に記載されたとおりの、6,13-ビス(トリアルキルシリルエチニル)ペンタセンあるいはその誘導体、5,11-ビス(トリアルキルシリルエチニル)アントラジチオフェン等の置換ポリアセンである。さらに、好ましいＯＳＣ材料は、ポリ(3-置換チオフェン)、非常に、好ましくは、ポリ(3-アルキルチオフェン)（Ｐ３ＡＴ）であり、ここで、アルキル基は、好ましくは、直鎖であり、好ましくは、１〜１２個の、最も、好ましくは、４〜１０個のＣ原子を有し、たとえば、ポリ(3-ヘキシルチオフェン)等である。

本発明の組成物は、０．０１〜２０重量％の、好ましくは、０．１〜１５重量％の、より好ましくは、０．２〜１０重量％の、最も好ましくは、０．２５〜５重量％のＯＳＣ材料または対応するブレンドを含み得る。パーセントデータは、溶媒または溶媒混合物の１００％に関連する。組成物は、１以上の、好ましくは、１，２，３または３超のＯＳＣ化合物を含む。

ここで使用される有機半導体化合物は、純粋成分か２以上の成分の混合物の何れかであり、少なくとも一つは半導体特性を有さねばならない。しかしながら、混合物の使用の場合には、各成分が半導体特性を有する必要はない。したがって、たとえば、不活性低分子量化合物を、半導性低分子量化合物とともに使用することができる。同様に、不活性マトリックスまたはバインダーとして機能する非伝導性ポリマーを一以上の低分子量化合物または半導体特性を有するさらなるポリマーとともに使用することも可能である。本出願の目的のために、潜在的に混合された非伝導性成分は、光電子的に活性のない、不活性で、パッシブな化合物を意味するものと解される。

本発明の有機半導体化合物は、好ましくは、５０００ｇ／ｍｏｌ以下の、特に、２０００ｇ／ｍｏｌ以下の分子量を有する。

本発明の特別な側面によれば、本発明の有機半導体化合物は、好ましくは、少なくとも５５０ｇ／ｍｏｌの、特に、少なくとも８００ｇ／ｍｏｌの、特に、少なくとも９００ｇ／ｍｏｌおよびより好ましくは、少なくとも９５０ｇ／ｍｏｌの分子量を有する。

驚くべき改善は、高い溶解度を有する有機半導体化合物により達成することができる。好ましい有機半導体化合物は、１７．０〜２０．０ＭＰａ^０．５の範囲のＨ_ｄ、０．２〜１０．０ＭＰａ^０．５の範囲のＨ_ｐ、０．０〜１５．０ＭＰａ^０．５の範囲のＨ_ｈのハンセン溶解度パラメーターを含む。より好ましい有機半導体化合物は、１７．５〜１９．０ＭＰａ^０．５の範囲のＨ_ｄ、３．５〜８．０ＭＰａ^０．５の範囲のＨ_ｐ、３．０〜１０．０ＭＰａ^０．５の範囲のＨ_ｈのハンセン溶解度パラメーターを含む。

驚くべき効果は、少なくとも３．０ＭＰａ^０．５の、好ましくは、少なくとも４．５ＭＰａ^０．５の、より好ましくは、少なくとも５．０ＭＰａ^０．５のハンセン溶解度パラメーターにより決定される半径を有する有機半導体化合物により達成することができる。

ハンセン溶解度パラメーターは、ハンセン溶解度パラメーター：Hanson and Abbot et al により供給されるA User’s Handbook, Second Edition, C. M. Hansen (2007), Taylor and Francis Group, LLC) as supplied byを参照して「実践ハンセン溶解度パラメーターＨＳＰｉＰ第３版」（ソフトウエアーバージョン３．０．３８）により決定することができる。

位置Ｈ_ｄ、Ｈ_ｐおよびＨ_ｈは、有機半導体化合物の中心に対する３次元空間中の座標であり、半径は、溶解度が伸びる距離であり、すなわち、半径が大きければ、材料を溶解するより多くの溶媒を含むだろうし、逆に、半径が小さければ、限られた数の溶媒が有機半導体化合物を溶解可能である。

本発明の特別な側面によれば、有機半導体化合物は、高いガラス転移温度を有する。好ましくは、有機半導体化合物は、ＤＩＮ５１００５により測定された少なくとも７０℃の、特に、少なくとも１００℃の、より好ましくは、少なくとも１２５℃のガラス転移温度を有する
好ましい有機半導体化合物は、化合物に溶解性を与える基を含んでよい。さらに、ＯＥ素子、特に、ＯＬＥＤ素子を調製するために有益な他の機能性化合物が、溶解促進基を含んでよい。他の機能性化合物は、たとえば、ホスト材料、正孔輸送材料、電子あるいは励起子障壁材料、蛍光あるいは燐光化合物のためのマトリックス材料、正孔障壁材料または電子輸送材料を含む。

したがって、これらの化合物は、好ましくは、一般式（Ｉ）により表される。

式中、
Ａは、機能性構造要素であり、
Ｂは、溶解促進構造要素であり、および
ｋは、１〜２０の範囲の整数であって、
および
前記溶解促進構造要素Ｂは、一般式（L-I）を有する。

式中、
Ａｒ^ａは、一以上の任意の残基Ｒにより置換されてよい４〜１２０個の炭素原子を有するアリールもしくはヘテロアリール基であり、
Ｒ^ａは、水素、１〜４０個の炭素原子を有する直鎖アルキル、アルコキシもしくはチオアルコキシ基、または３〜４０個の炭素原子を有する分岐あるいは環状アルキル、アルコキシもしくはチオアルコキシ基、特に、随意に置換されたＣ_７−Ｃ_４０アルキルアリールオキシ基；随意に置換されたＣ_２−Ｃ_４０アルコキシカルボニル基；随意に置換されたＣ_７−Ｃ_４０アリールオキシカルボニル基；シアノ基（-ＣＮ）；カルバモイル基（-Ｃ（=Ｏ）ＮＨ^２）；ハロホルミル基（-Ｃ（=Ｏ）-Ｘ、Ｘはハロゲン原子である）；ホルミル基（-Ｃ（=Ｏ）-Ｈ）；イソシアノ基；イソシアネート基；チオシアネート基もしくはチオイソシアネート基；随意に置換されたアミノ基；ヒドロキシ基；ニトロ基、ＣＦ_３基；ハロゲン基（Ｃｌ、Ｂｒ、Ｆ）；または随意に置換されたシリルあるいはアルキニルシリル基または硬化可能基または５〜６０個の環原子を有する置換あるいは非置換芳香族もしくは複素環式芳香族環構造、５〜６０個の環原子を有するアリールオキシもしくはヘテロアリールオキシ基またはこれら構造の組み合わせであり、ここで、一以上のこれらの基Ｒ^ａは、一緒に、モノ-あるいはポリ環状、脂肪族もしくは芳香族環構造および/またはＲ^ａが結合する環を形成してもよく、
ｌは、０、１、２、３または４であり、
ここで、点線の結合は、機能性構造要素Ａへの結合を示す。

好ましくは、一般式（Ｉ）の添え字ｋは、２以上の、より好ましくは、３以上の整数である。

本発明の目的のためにアリール基は、少なくとも６個のＣ原子を含み；本発明の目的のためにヘテロアリール基は、少なくとも２個のＣ原子と少なくとも１個のヘテロ原子を含むが、但し、Ｃ原子とヘテロ原子の合計は少なくとも５個である。ヘテロ原子は、好ましくは、Ｎ、Ｏおよび/またはＳから選ばれる。ここで、アリール基もしくはヘテロアリール基は、単純な芳香族環、すなわちベンゼン、または、単純な複素環式芳香族環、たとえば、ピリジン、ピリミジン、チオフェン等、または、縮合アリールもしくはヘテロリール基、たとえば、ナフタレン、アントラセン、ピレン、キノリン、イソキノリン等を意味するものと解される。

本発明の目的のために芳香族環構造は、環構造中に少なくとも６個のＣ原子を含む。本発明の目的のために複素環式芳香族環構造は、少なくとも２個のＣ原子と少なくとも１個のヘテロ原子を環構造中に含むが、但し、Ｃ原子とヘテロ原子の合計は少なくとも５個である。ヘテロ原子は、好ましくは、Ｎ、Ｏおよび/またはＳから選ばれる。本発明の目的のために芳香族もしくは複素環式芳香族環構造は、必ずしもアリールもしくはヘテロアリール基のみを含む構造ではなく、その代わりに、加えて、複数のアリールもしくはヘテロアリール基は、たとえば、ｓｐ^３混成のＣ、ＮあるいはＯ原子あるいはカルボニル基のような短い非芳香族単位（Ｈ以外の原子は、好ましくは、１０％より少ない）により中断されていてもよい構造を意味するものと解される。したがって、たとえば、9,9’-スピロビフルオレン、9,9-ジアリールフルオレン、トリアリールアミン、ジアリールエーテル、スチルベン、ベンゾフェノン等の構造も、本発明の意味での芳香族環構造を意味するものと解されることを意図されてもいる。芳香族もしくは複素環式芳香族環構造は、同様に、複数のアリールもしくはヘテロアリール基が互いに単結合により結合する構造、たとえば、ビフェニル、ターフェニルもしくはビピリジンを意味するものと解される。

本発明の目的のためには、Ｃ_１〜Ｃ_４０-アルキル基は、ここで、加えて、個々のＨ原子もしくはＣＨ_２基は、上記した基により置換されていてよく、特に、好ましくは、基メチル、エチル、ｎ-プロピル、ｉ-プロピル、ｎ-ブチル、ｉ-ブチル、ｓ-ブチル、ｔ-ブチル、２-メチルブチル、ｎ-ペンチル、ｓ-ペンチル、t-ペンチル、2-ペンチル、ネオペンチル、シクロペンチル、ｎ-ヘキシル、s-ヘキシル、t-ヘキシル、2-ヘキシル、3-ヘキシル、ネオヘキシル、シクロヘキシル、２-メチルペンチル、ｎ-ヘプチル、2-ヘプチル、3-ヘプチル、4-ヘプチル、シクロヘプチル、1-メチルシクロヘキシル、ｎ-オクチル、2-エチルヘキシル、シクロオクチル、1-ビシクロ[2.2.2]オクチル、2-ビシクロ[2.2.2]オクチル、2-(2,6-ジメチル)オクチル、3-(3,7-ジメチル)オクチル、トリフルオロメチル、ペンタフルオロエチルまたは2,2,2-トリフルオロエチルを意味するものと解される。Ｃ_２〜Ｃ_４０-アルケニル基は、好ましくは、エテニル、プロペニル、ブテニル、ペンテニル、シクロペンテニル、ヘキセニル、シクロヘキセニル、ヘプテニル、シクロヘプテニル、オクテニルまたはシクロオクテニルを意味するものと解される。Ｃ_２〜Ｃ_４０-アケニル基は、好ましくは、エテニル、プロペニル、ブテニル、ペンテニル、シクロペンテニル、ヘキセニル、シクロヘキセニル、ヘプテニル、シクロヘプテニル、オクテニルまたはシクロオクテニルを意味するものと解される。Ｃ_２〜Ｃ_４０-アルキニル基は、好ましくは、エチニル、プロピニル、ブチニル、ペンチニル、ヘキシニル、ヘプチニルまたはオクチニルを意味するものと解される。Ｃ_１〜Ｃ_４０-アルコキシ基は、特に、好ましくは、メトキシ、トリフルオロメトキシ、エトキシ、ｎ-プロポキシ、ｉ-プロポキシ、ｎ-ブトキシ、ｉ-ブトキシ、ｓ-ブトキシ、ｔ-ブトキシまたは２-メチルブトキシを意味するものと解される。５〜６０個の芳香族環原子を有する芳香族もしくは複素環式芳香族環構造は、各場合に、上記した基Ｒにより置換されていてもよく、任意の所望の位置を介して、芳香族もしくは複素環式芳香族系に連結していてもよいが、特に、ベンゼン、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン、ベンズアントラセン、ベンゾフェナントレン、ピレン、クリセン、ペリレン、フルオランセン、ベンゾフルオランセン、ナフタセン、ペンタセン、ベンゾピレン、ビフェニル、ビフェニレン、ターフェニル、ターフェニレン、フルオレン、ベンゾフルオレン、ジベンゾフルオレン、スピロビフルオレン、ジヒドロフェナントレン、ジヒドロピレン、テトラヒドロピレン、シス-もしくはトランス-インデノフルオレン、シス-もしくはトランス-モノベンゾインデノフルオレン、シス-もしくはトランス-ジベンゾインデノフルオレン、トルクセン、イソトルクセン、スピロトルクセン、スピロイソトルクセン、フラン、ベンゾフラン、イソベンゾフラン、ジベンゾフラン、チオフェン、ベンゾチオフェン、イソベンゾチオフェン、ジベンゾチオフェン、ピロール、インドール、イソインドール、カルバゾール、ピリジン、キノリン、イソキノリン、アクリジン、フェナントリジン、ベンゾ-5,6-キノリン、ベンゾ-6,7-キノリン、ベンゾ-7,8-キノリン、フェノチアジン、フェノキサジン、ピラゾール、インダゾール、イミダゾール、ベンズイミダゾール、ナフトイミダゾール、フェナントロイミダゾール、ピリジンイミダゾール、ピラジンイミダゾール、キノキサリンイミダゾール、オキサゾール、ベンズオキサゾール、ナフトオキサゾール、アントロオキサゾール、フェナントロオキサゾール、イソオキサゾール、1,2-チアゾール、1,3-チアゾール、ベンゾチアゾール、ピリダジン、ベンゾピリダジン、ピリミジン、ベンゾピリミジン、キノキサリン、1,5-ジアザアントラセン、2,7-ジアザピレン、2,3-ジアザピレン、1,6-ジアザピレン、1,8-ジアザピレン、4,5-ジアザピレン、4,5,9,10-テトラアザペリレン、ピラジン、フェナジン、フェノキサジン、フェノチアジン、フルオルビン、ナフチリジン、アザカルバゾール、ベンゾカルボリン、フェナントロリン、1,2,3-トリアゾール、1,2,4-トリアゾール、ベンゾトリアゾール、1,2,3-オキサジアゾール、1,2,4-オキサジアゾール、1,2,5-オキサジアゾール、1,3,4-オキサジアゾール、1,2,3-チアジアゾール、1,2,4-チアジアゾール、1,2,5-チアジアゾール、1,3,4-チアジアゾール、1,3,5-トリアジン、1,2,4-トリアジン、1,2,3-トリアジン、テトラゾール、1,2,4,5-テトラジン、1,2,3,4-テトラジン、1,2,3,5-テトラジン、プリン、プテリジン、インドリジンおよびベンゾチアジアゾールから誘導される基を意味するものと解される。

硬化可能基は、不溶性である架橋結合した材料を生成することを目的として、不可逆的に反応することができる官能基を意味する。架橋結合は、加熱により、ＵＶ、マイクロ波、Ｘ線もしくは電子照射により維持することができる。好ましくは、ほんの少量の副生物生成しか生じない。さらに、硬化可能基は、非常にたやすく架橋結合し、少量のエネルギーだけが架橋結合を得るために必要とされる（たとえば、熱架橋結合の場合に、＜２００℃）。

硬化可能基の例は、二重結合、三重結合、二重および/または三重結合のための前駆体、または付加重合可能であるヘテロ環残基を含む単位である。

硬化可能基は、たとえば、ビニル、アルケニル、好ましくは、エテニルおよびプロペニル、Ｃ_４−２０-シクロアルケニル、アジド、オキシラン、オキセタン、ジ（ヒドロカルビル）アミノ、シアネートエステル、ヒドロキシ、グリシジルエーテル、Ｃ_１−１０-アルキルアクリレート、Ｃ_１−１０-アルキルメタクリレート、アルケニルオキシ、好ましくは、エテニルオキシ、パーフルオロアルケニルオキシ、好ましくは、パーフルオロエテニルオキシ、アルキニル、好ましくは、エチニル、マレイミド、トリ（Ｃ_１−４）-アルキルシロキシおよびトリ（Ｃ_１−４）-アルキルシリルである。特に、好ましいものは、ビニルとアルケニルである。

一般式（L-I）を有する溶解促進構造要素Ｂの例は、

を含む。

上記式において、点線の結合は、機能性構造要素Ａへの結合を示す。

より好ましくは、有機半導体化合物および/または他の官能性化合物は、一般式（ＩＩ）により表されてよい。

式中、
Ａは、機能性構造要素であり、
Ｂは、溶解促進構造要素であり、および
ｋは、１〜２０の範囲の整数であって、
および
前記溶解促進構造要素Ｂは、一般式（L-II）を有する。

式中、
Ａｒ^ｂ、Ａｒ^ｃは、夫々独立して、同一であるか異なり、互いに独立して、一以上の任意の残基Ｒにより置換されてよい４〜６０個の炭素原子を有するアリールもしくはヘテロアリール基であり、
Ｘは、互いに独立して、ＮまたはＣＲ^ｂ、好ましくは、ＣＨであり、
Ｒ^ａ、Ｒ^ｂは、夫々、互いに独立して、水素、１〜４０個の炭素原子を有する直鎖アルキル、アルコキシもしくはチオアルコキシ基、または３〜４０個の炭素原子を有する分岐あるいは環状アルキル、アルコキシもしくはチオアルコキシ基、特に、随意に置換されたＣ_７−Ｃ_４０アルキルアリールオキシ基；随意に置換されたＣ_２−Ｃ_４０アルコキシカルボニル基；随意に置換されたＣ_７−Ｃ_４０アリールオキシカルボニル基；シアノ基（-ＣＮ）；カルバモイル基（-Ｃ（=Ｏ）ＮＨ^２）；ハロホルミル基（-Ｃ（=Ｏ）-Ｘ、Ｘはハロゲン原子である）；ホルミル基（-Ｃ（=Ｏ）-Ｈ）；イソシアノ基；イソシアネート基；チオシアネート基もしくはチオイソシアネート基；随意に置換されたアミノ基；ヒドロキシ基；ニトロ基、ＣＦ_３基；ハロゲン基（Ｃｌ、Ｂｒ、Ｆ）；または随意に置換されたシリルあるいはアルキニルシリル基または硬化可能基または５〜６０個の環原子を有する置換あるいは非置換芳香族もしくは複素環式芳香族環構造、５〜６０個の環原子を有するアリールオキシもしくはヘテロアリールオキシ基またはこれら構造の組み合わせであり、ここで、一以上のこれらの基Ｒ^ａおよび/またはＲ^ｂは、一緒に、モノ-あるいはポリ環状、脂肪族もしくは芳香族環構造および/またはＲ^ａが結合する環を形成してもよく、
ｌは、０、１、２、３または４であり、
ここで、点線の結合は、機能性構造要素Ａへの結合を示す。

好ましくは、一般式（ＩＩ）の添え字ｋは、２以上の、より好ましくは、３以上の整数である。

上記式（Ｉ）および/または式（ＩＩ）の化合物において、残基Ｒは、好ましくは、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、Ｎ（Ａｒ）_２、Ｎ（Ｒ’）_２、ＣＮ、ＮＯ_２、Ｓｉ（Ｒ’）_３、Ｂ（ＯＲ’）_２、Ｃ（=Ｏ）Ａｒ、Ｃ（=Ｏ）Ｒ’、Ｐ（=Ｏ）（Ａｒ）_２、Ｐ（=Ｏ）（Ｒ’）_２、Ｓ（=Ｏ）Ａｒ、Ｓ（=Ｏ）Ｒ’、Ｓ（=Ｏ）_２Ａｒ、Ｓ（=Ｏ）_２Ｒ’、-ＣＲ’=ＣＲ’Ａｒ、ＯＳＯ_２Ｒ’、１〜４０個の、好ましくは、１〜２０個のＣ原子を有する直鎖アルキル、アルコキシもしくはチオアルコキシ基、３〜４０個の、好ましくは、３〜２０個のＣ原子を有する分岐あるいは環状アルキル、アルコキシもしくはチオアルコキシ基（夫々、一以上の基Ｒ’により置換されてよく、一以上の隣接しないＣＨ_２基は、 Ｒ’Ｃ=ＣＲ’、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ’）_２、Ｇｅ（Ｒ’）_２、Ｓｎ（Ｒ’）_２、Ｃ=Ｏ、Ｃ=Ｓ、Ｃ=Ｓｅ、Ｃ=ＮＲ’、Ｐ（=Ｏ）（Ｒ’）、ＳＯ、ＳＯ_２、ＮＲ’、Ｏ、ＳもしくはＣＯＮＲ’で置き代えられてよく、一以上のＨ原子は、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＮもしくはＮＯ_２により置き代えられてよい）または一以上の基Ｒ’により置換されてよい５〜６０個の環原子を有する芳香族もしくは複素環式芳香族環構造、または一以上の基Ｒ’により置換されてよい５〜６０個の環原子を有するアリールオキシもしくはヘテロアリールオキシ基またはこれら構造の組み合わせから選ばれ；ここで、二個以上の置換基Ｒ’は、互いに、モノ-あるいはポリ環状、脂肪族もしくは芳香族環構造を形成してもよく、ここで、Ｒ’は、出現毎に、同一か、異なり、Ｈまたは１〜２０個のＣ原子を有する脂肪族もしくは芳香族カルビル基であり、Ａｒは、２〜３０個のＣ原子を有するアリールもしくはヘテロアリール基である。

より好ましくは、有機半導体化合物および/または他の官能性化合物は、一般式（ＩＩＩ）により表されてよい。

式中、
Ａは、機能性構造要素であり、
Ｂは、溶解促進構造要素であり、および
ｋは、１〜２０の範囲の整数であって、
および
前記溶解促進構造要素Ｂは、一般式（L-III）を有する。

式中、
Ｒ^ａ、Ｒ^ｂ、Ｒ^ｃ、Ｒ^ｄは、夫々、互いに独立して、同一であるか異なり、水素、１〜４０個の炭素原子を有する直鎖アルキル、アルコキシもしくはチオアルコキシ基、または３〜４０個の炭素原子を有する分岐あるいは環状アルキル、アルコキシもしくはチオアルコキシ基、特に、随意に置換されたＣ_７−Ｃ_４０アルキルアリールオキシ基；随意に置換されたＣ_２−Ｃ_４０アルコキシカルボニル基；随意に置換されたＣ_７−Ｃ_４０アリールオキシカルボニル基；シアノ基（-ＣＮ）；カルバモイル基（-Ｃ（=Ｏ）ＮＨ^２）；ハロホルミル基（-Ｃ（=Ｏ）-Ｘ、Ｘはハロゲン原子である）；ホルミル基（-Ｃ（=Ｏ）-Ｈ）；イソシアノ基；イソシアネート基；チオシアネート基もしくはチオイソシアネート基；随意に置換されたアミノ基；ヒドロキシル基；ニトロ基、ＣＦ_３基；ハロゲン基（Ｃｌ、Ｂｒ、Ｆ）；または随意に置換されたシリルあるいはアルキニルシリル基または硬化可能基または５〜６０個の環原子を有する置換あるいは非置換芳香族もしくは複素環式芳香族環構造、５〜６０個の環原子を有するアリールオキシもしくはヘテロアリールオキシ基またはこれら構造の組み合わせであり、ここで、一以上のこれらの基Ｒ^ａ、Ｒ^ｂ、Ｒ^ｃおよび/またはＲ^ｄは、一緒に、モノ-あるいはポリ環状、脂肪族もしくは芳香族環構造および/または基Ｒ^ａ、Ｒ^ｂ、Ｒ^ｃおよび/またはＲ^ｄが結合する環を形成してもよく、
ｌは、０、１、２、３または４であり、
ｍは、０、１、２または３であり、および、
ｎ、ｏは、夫々、互いに独立して、同一であるか異なり、０、１、２、３、４または５であり、
ここで、点線の結合は、機能性構造要素Ａへの結合を示す。

好ましくは、残基Ｒ^ａ、Ｒ^ｂ、Ｒ^ｃ、Ｒ^ｄは、ハロゲン（ｌ、ｍ、ｎおよびｏ＝０）、１〜２０個の炭素原子を有する直鎖アルキルもしくはアルコキシ基、３〜４０個の炭素原子を有する分岐あるいは環状アルキルもしくはアルコキシ基である。

好ましくは、一般式（ＩＩＩ）の添え字ｋは、２以上の、より好ましくは、３以上の整数である。

本発明の好ましい側面によれば、式（Ｉ）、（ＩＩ）および（ＩＩＩ）中の溶解促進構造要素Ｂに対する機能性構造要素Ａの重量比は、好ましくは、２：１〜１：２０、より好ましくは、１：１〜１：３の範囲である。

好ましい溶解促進構造要素Ｂは、たとえば、以下の式による構造要素を含む。

上記式において、点線の結合は、機能性構造要素Ａへの結合を示す。

好ましい溶解促進構造要素Ｂは、たとえば、以下の式による構造要素を含む。

上記式において、点線の結合は、機能性構造要素Ａへの結合を示す。

本発明の特別な具体例によれば、ＯＳＣは、たとえば、ＯＦＥＴの半導体チャンネルでの活性チャンネル材料としてまたは有機整流ダイオードの層要素として使用することができる。

ＯＦＥＴ素子の場合、ＯＦＥＴ層は、活性チャンネル材料としてＯＳＣを含み、n-またはp-型ＯＳＣであってよい。半導体チャンネルは、同じ型の、すなわち、n-またはp-型何れかの二以上のＯＳＣ化合物の複合材料であってもよい。さらに、p-型チャンネルＯＳＣ化合物は、ＯＳＣ層のドーピング効果のための、ｎ-型ＯＳＣ化合物と混合されてよい。多層半導体が使用されてもよい。たとえば、ＯＳＣは、絶縁体界面近くに固有に存在してもよく、高度にドープされた領域は、固有層の次に追加的に被覆され得る。

好ましいＯＳＣ化合物は、１ｘ１０^−５ｃｍ^２Ｖ^−１ｓ^−１超の、非常に、好ましくは、１ｘ１０^−２ｃｍ^２Ｖ^−１ｓ^−１超のＦＥＴ移動度を有する。

特に、好ましいモノマーＯＳＣ化合物は、たとえば、US 6,690,029、WO 2005/055248 A1もしくはUS 7,385,221に開示されたビス（トリアルキルシリルエチニル）オリゴアセンあるいはビス（トリアルキルシリルエチニル）ヘテロアセン等のペンタセン、テトラセンもしくはアントラセンあるいはそのヘテロ環状誘導体等の置換オリゴアセンより成る群から選ばれる。

特に、好ましいモノマーＯＳＣ化合物は、式Ｍ１（ポリアセン）から選ばれる。

式中、
Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、Ｒ^７、Ｒ^８、Ｒ^９、Ｒ^１０、Ｒ^１１およびＲ^１２は、夫々、同一であるか異なり、互いに独立して、水素；随意に置換されたＣ_１−Ｃ_４０カルビルもしくはヒドロカルビル基；随意に置換されたＣ_１−Ｃ_４０アルコキシ基；随意に置換されたＣ_６−Ｃ_４０アリールオキシ基；随意に置換されたＣ_７−Ｃ_４０アルキルアリールオキシ基；随意に置換されたＣ_２−Ｃ_４０アルコキシカルボニル基；随意に置換されたＣ_７−Ｃ_４０アリールオキシカルボニル基；シアノ基（-ＣＮ）；カルバモイル基（-Ｃ（=Ｏ）ＮＨ^２）；ハロホルミル基（-Ｃ（=Ｏ）-Ｘ、Ｘはハロゲン原子である）；ホルミル基（-Ｃ（=Ｏ）-Ｈ）；イソシアノ基；イソシアネート基；チオシアネート基もしくはチオイソシアネート基；随意に置換されたアミノ基；ヒドロキシ基；ニトロ基、ＣＦ_３基；ハロゲン基（Ｃｌ、Ｂｒ、Ｆ）；または随意に置換されたシリルあるいはアルキニルシリル基であってよく、および
ここで、独立した各対のＲ^１とＲ^２、Ｒ^２とＲ^３、Ｒ^３とＲ^４、Ｒ^７とＲ^８、Ｒ^８とＲ^９およびＲ^９とＲ^１０は、随意に、架橋（クロスブリッジ）して、飽和あるいは不飽和Ｃ_４-Ｃ_４０環を形成し、飽和あるいは不飽和Ｃ_４-Ｃ_４０環は、酸素原子、硫黄原子もしくは式-Ｎ（Ｒ^ａ）-（ここで、Ｒ^ａは、水素原子もしくは随意に置換された炭化水素基である）の基により介在されてよく、または随意に置換されてよく、および
ポリアセン骨格の一以上の炭素原子は、Ｎ、Ｐ、Ａｓ、Ｏ、Ｓ、ＳｅおよびＴｅから選ばれるヘテロ原子により随意に置換されてもよく、
およびポリアセンの隣接する環位置に配置する一以上の置換基Ｒ^１〜Ｒ^１２は、Ｏ、Ｓもしくは-Ｎ（Ｒ^ａ）（ここで、Ｒ^ａは、上記に定義されるとおりであり）により随意に介在されるさらなる飽和あるいは不飽和Ｃ_４-Ｃ_４０環もしくはポリアセンに縮合する芳香族環構造を形成し、および、
ここで、ｎは、０、１、２、３または４、好ましくは、０、１または２、最も、好ましくは、０または２であり、ポリアセン化合物は、ペンタセン（ｎ＝２ならば）もしくは「偽ペンタセン化合物」（ｎ＝０ならば）であることを意味する。

好ましくは、式Ｍ１の化合物は、式（Ｉ）、式（ＩＩ）および/または式（ＩＩＩ）の要請を満足し、式（L-Ｉ）、式（L-ＩＩ）および式（L-ＩＩＩ）夫々の溶解促進構造要素を含む。

非常に、特に、好ましいものは、式Ｍ１ａ（置換ペンタセン）の化合物である。

式中、
Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^７、Ｒ^８、Ｒ^９、Ｒ^１０、Ｒ^１５、Ｒ^１６、Ｒ^１７は、夫々、同一であるか異なり、互いに独立して、水素；随意に置換されたＣ_１−Ｃ_４０カルビルもしくはヒドロカルビル基；随意に置換されたＣ_１−Ｃ_４０アルコキシ基；随意に置換されたＣ_６−Ｃ_４０アリールオキシ基；随意に置換されたＣ_７−Ｃ_４０アルキルアリールオキシ基；随意に置換されたＣ_２−Ｃ_４０アルコキシカルボニル基；随意に置換されたＣ_７−Ｃ_４０アリールオキシカルボニル基；シアノ基（-ＣＮ）；カルバモイル基（-Ｃ（=Ｏ）ＮＨ^２）；ハロホルミル基（-Ｃ（=Ｏ）-Ｘ、Ｘはハロゲン原子である）；ホルミル基（-Ｃ（=Ｏ）-Ｈ）；イソシアノ基；イソシアネート基；チオシアネート基もしくはチオイソシアネート基；随意に置換されたアミノ基；ヒドロキシ基；ニトロ基、ＣＦ_３基；ハロゲン基（Ｃｌ、Ｂｒ、Ｆ）；または随意に置換されたシリルあるいはアルキニルシリル基であり、およびＡは、シリコンもしくはゲルマニウムであり、
ここで、独立した各対のＲ^１とＲ^２、Ｒ^２とＲ^３、Ｒ^３とＲ^４、Ｒ^７とＲ^８、Ｒ^８とＲ^９、Ｒ^９とＲ^１０、Ｒ^１５とＲ^１６およびＲ^１６とＲ^１７は、随意に、架橋（クロスブリッジ）して、飽和あるいは不飽和Ｃ_４-Ｃ_４０環を形成し、飽和あるいは不飽和Ｃ_４-Ｃ_４０環は、酸素原子、硫黄原子もしくは式-Ｎ（Ｒ^ａ）-（ここで、Ｒ^ａは、水素原子もしくは随意に置換された炭化水素基である）の基により介在されるか、随意に置換され、および
ポリアセン骨格の一以上の炭素原子は、Ｎ、Ｐ、Ａｓ、Ｏ、Ｓ、ＳｅおよびＴｅから選ばれる一以上のヘテロ原子により随意に置換されてもよい。

好ましくは、式Ｍ１ａの化合物は、式（Ｉ）、式（ＩＩ）および/または式（ＩＩＩ）の要請を満足し、式（L-Ｉ）、式（L-ＩＩ）および式（L-ＩＩＩ）夫々の溶解促進構造要素を含む。

さらに、好ましいものは、式Ｍ１ｂ（置換ヘテロアセン）の化合物である。

式中、
Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^８、Ｒ^９、Ｒ^１５、Ｒ^１６、Ｒ^１７は夫々、同一であるか異なり、互いに独立して、水素；随意に置換されたＣ_１−Ｃ_４０カルビルもしくはヒドロカルビル基；随意に置換されたＣ_１−Ｃ_４０アルコキシ基；随意に置換されたＣ_６−Ｃ_４０アリールオキシ基；随意に置換されたＣ_７−Ｃ_４０アルキルアリールオキシ基；随意に置換されたＣ_２−Ｃ_４０アルコキシカルボニル基；随意に置換されたＣ_７−Ｃ_４０アリールオキシカルボニル基；シアノ基（-ＣＮ）；カルバモイル基（-Ｃ（=Ｏ）ＮＨ^２）；ハロホルミル基（-Ｃ（=Ｏ）-Ｘ、Ｘはハロゲン原子である）；ホルミル基（-Ｃ（=Ｏ）-Ｈ）；イソシアノ基；イソシアネート基；チオシアネート基もしくはチオイソシアネート基；随意に置換されたアミノ基；ヒドロキシ基；ニトロ基、ＣＦ_３基；ハロゲン基（Ｃｌ、Ｂｒ、Ｆ）；または随意に置換されたシリルあるいはアルキニルシリル基であり；およびＡは、シリコンもしくはゲルマニウムであり；および
ここで、独立した各対のＲ^２とＲ^３、Ｒ^８とＲ^９、Ｒ^１５とＲ^１６およびＲ^１６とＲ^１７は、随意に、互いに架橋（クロスブリッジ）して、飽和あるいは不飽和Ｃ_４-Ｃ_４０環を形成し、飽和あるいは不飽和Ｃ_４-Ｃ_４０環は、酸素原子、硫黄原子もしくは式-Ｎ（Ｒ^ａ）-（ここで、Ｒ^ａは、水素原子もしくは随意に置換された炭化水素基である）の基により随意に介在され、随意に置換され、および
ポリアセン骨格の一以上の炭素原子は、Ｎ、Ｐ、Ａｓ、Ｏ、Ｓ、ＳｅおよびＴｅから選ばれる一以上のヘテロ原子により随意に置換されてもよい。

特に、好ましいものは、下位式Ｍ１ｂの化合物であり、ここで、少なくとも一つの対Ｒ^２とＲ^３およびＲ^８とＲ^９は、互いに架橋（クロスブリッジ）して、酸素原子、硫黄原子もしくは式-Ｎ（Ｒ^ａ）-（ここで、Ｒ^ａは、水素原子もしくは随意に置換された炭化水素基である）の基により介在される飽和あるいは不飽和Ｃ_４-Ｃ_４０環を形成し、随意に置換される。

好ましくは、式Ｍ１ｂの化合物は、式（Ｉ）、式（ＩＩ）および/または式（ＩＩＩ）の要請を満足し、式（L-Ｉ）、式（L-ＩＩ）および式（L-ＩＩＩ）夫々の溶解促進構造要素を含む。

特に、好ましいものは、式Ｍ１ｂ１（シリルエチニル化ヘテロアセン）の化合物である。

式中、Ｙ^１およびＹ^２の一つは、-ＣＨ=または=ＣＨ-であり、他は-Ｘ-であり、Ｙ^３およびＹ^４の一つは、-ＣＨ=または=ＣＨ-であり、他は−Ｘ−であり、
Ｘは、-Ｏ-、-Ｓ-、-Ｓｅ-または-ＮＲ’’’-であり、
Ｒ’は、Ｈ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＮ、１〜２０個、好ましくは、１〜８個のＣ原子を有する随意にフッ素化あるいは過フッ素化してよい直鎖あるいは分岐アルキルもしくはアルコキシ基、６〜３０個のＣ原子を有する随意にフッ素化あるいは過フッ素化してよいアリール、好ましくは、Ｃ_６Ｆ_５もしくはＣＯ_２Ｒ’’’’であり、ここで、Ｒ’’’’は、Ｈ、１〜２０個のＣ原子を有する随意にフッ素化したアルキル、２〜３０個、好ましくは、５〜２０個のＣ原子を有する随意にフッ素化したアリールであり、
Ｒ’’は、複数出現の場合に、互いに独立して、１〜２０個、好ましくは、１〜８個のＣ原子を有する環状、直鎖あるいは分岐アルキルもしくはアルコキシ基または２〜３０個のＣ原子を有するアリールであって、すべては、随意にフッ素化あるいは過フッ素化しており、ＳｉＲ’’_３は、好ましくは、トリアルキルシリルであり、
Ｒ’’ ’は、Ｈまたは１〜１０個のＣ原子を有する環状、直鎖あるいは分岐アルキル、好ましくは、Ｈであり、
ｍは、０または１であり、
ｏは、０または１である。

特に、好ましいのは、ｍとｏが、０であり、および/またはＸが、Ｓであり、および/またはＲ’が、Ｆである、式Ｍ１ｂ１の化合物である。

好ましい具体例では、下位式Ｍ１ｂ１の化合物が提供され、以下の式のアンチおよびシンアイソマーの混合物として使用される。

ここで、Ｘ、Ｒ、Ｒ’、Ｒ’’、ｍおよびｏは、互いに独立して、式Ｍ１ｂ１で与えられる意味の一つもしくはここで与えられる好ましい意味の一つを有し、Ｘは、好ましくは、Ｓであり、ｍとｏは、好ましくは、０である。

ここで使用される用語「カルビル基」は、如何なる非炭素原子をも含まない少なくとも一つの炭素原子（-Ｃ≡Ｃ-）か、Ｎ、Ｏ、Ｓ、Ｐ、Ｓｉ、Ｓｅ、Ａｓ、ＴｅまたはＧｅ等の少なくとも一つの非炭素原子と随意に結合した炭素原子（たとえば、カルボニル基）の何れかを含む任意の一価または多価有機基部分を示す。用語「ヒドロカルビル基」は、追加的に一以上のＨ原子を含み、随意に、たとえば、Ｎ、Ｏ、Ｓ、Ｐ、Ｓｉ、Ｓｅ、Ａｓ、ＴｅまたはＧｅ等の一以上のヘテロ原子を含むカルビル基を示す。

３個以上のＣ原子を含むカルビルもしくはヒドロカルビル基は、スピロおよび/または縮合環を含み、直鎖、分岐および/または環状であってもよい。

好ましいカルビルもしくはヒドロカルビル基は、アルキル、アルコキシ、アルキルカルボニル、アルコキシカルボニル、アルキルカルボニルオキシおよびアルコキシカルボニルオキシを含み、夫々は、随意に置換され、１〜４０個の、好ましくは、１〜２５個の、非常に、好ましくは、１〜１８個のＣ原子を有し、さらに、随意に置換された６〜４０個の、好ましくは、６〜２５個のＣ原子を有するアリールもしくはアリールオキシ、さらに、夫々は、随意に置換された、６〜４０個の、好ましくは、７〜４０個のＣ原子を有するアルキルアリールオキシ、アリールカルボニル、アリールオキシカルボニル、アリールカルボニルオキシおよびアリールオキシカルボニルオキシを含み、これらすべての基は、特に、Ｎ、Ｏ、Ｓ、Ｐ、Ｓｉ、Ｓｅ、Ａｓ、ＴｅおよびＧｅから選ばれる随意に一以上のヘテロ原子を随意に含む。

カルビルもしくはヒドロカルビル基は、飽和あるいは不飽和非環状または飽和あるいは不飽和非環状基であってよい。不飽和非環状あるいは環状基は、好ましくは、特に、アリール、アルケニルおよびアルキニル基（特に、エチニル）である。Ｃ_１-Ｃ_４０カルビルもしくはヒドロカルビル基が非環状であると、基は、直鎖あるいは分岐であってよい。Ｃ_１-Ｃ_４０カルビルもしくはヒドロカルビル基は、たとえば、Ｃ_１-Ｃ_４０アルキル基、Ｃ_２-Ｃ_４０アルケニル基、Ｃ_２-Ｃ_４０アルキニル基、Ｃ_３-Ｃ_４０アリル基、Ｃ_４-Ｃ_４０アルキルジエニル基、Ｃ_４-Ｃ_４０ポリエニル基、Ｃ_６-Ｃ_１８アリール基、Ｃ_６-Ｃ_４０アルキルアリール基、Ｃ_６-Ｃ_４０アリールアルキル基、Ｃ_４-Ｃ_４０シクロアルキル基、Ｃ_４-Ｃ_４０シクロアルケニル基等である。前記基のなかで好ましいものは、夫々、Ｃ_１-Ｃ_２０アルキル基、Ｃ_２-Ｃ_２０アルケニル基、Ｃ_２-Ｃ_２０アルキニル基、Ｃ_３-Ｃ_２０アリル基、Ｃ_４-Ｃ_２０アルキルジエニル基、Ｃ_６-Ｃ_１８アリール基およびＣ_４-Ｃ_２０ポリエニル基である。炭素原子を有する基およびヘテロ原子を有する基の組み合わせ、たとえば、シリル基、好ましくは、トリアルキルシリル基で置換されたアルキニル基、好ましくは、エチニル基も含まれる。

アリールおよびヘテロアリールは、好ましくは、縮合環を含んでもよく、随意に一以上の基Ｌで置換される２５個までのＣ原子を有する１、２あるいは３環状芳香族もしくは複素環式芳香族基を示し、ここで、Ｌは、ハロゲンまたは１〜１２個Ｃ原子を有するアルキル、アルコキシ、アルキルカルボニルもしくはアルコキシカルボニル基であり、一以上のＨは、ＦまたはＣｌで置き代えられてよい。

特に、好ましいアリールおよびヘテロアリール基は、フェニルであり、さらに、一以上のＣＨ基は、Ｎ、ナフタレン、チオフェン、セレノフェン、チエノチオフェン、ジチエノチオフェン、フルオレンおよびオキサゾールで置き代えられてよく、すべては、非置換か、上記に定義のとおりのＬで、１あるいは多置換され得る。

上記式および下位式中で、特に、好ましい置換基Ｒ、Ｒ^ｓおよびＲ^１−１７は、非置換か、Ｆ、Ｃｌ、ＢｒまたはＩで、非置換もしくは１あるいは多置換される１〜２０個のＣ原子を有する直鎖、分岐あるいは環状アルキルから選ばれ、一以上の隣接しないＣＨ_２基は、Ｏおよび/またはＳ原子が互いに直接結合しないように、各場合に互いに独立して、-Ｏ-、-Ｓ-、-ＮＲ^ｂ-、-ＳｉＲ^ｂＲ^ｃ-、-ＣＸ^１＝ＣＸ²-もしくは-Ｃ≡Ｃで置き代えられてよいか、または、好ましくは、互いに独立してＨもしくは１〜２０個のＣ原子を有するアルキルであるＲ^ｂおよびＲ^ｃで随意に置換された１〜３０個のＣ原子を有するアリールもしくはヘテロアリール基であり、Ｘ^１およびＸ^２は、互いに独立してＨ、Ｆ、ＣｌもしくはＣＮである。

Ｒ^{１５−１７}およびＲ”は、好ましくは、Ｃ_１-Ｃ_４０アルキル基、好ましくは、Ｃ_１-Ｃ_４アルキル基、最も好ましくは、メチル、エチル、n-プロピルあるいはイソプロピル、Ｃ_６-Ｃ_４０アリール基、好ましくは、フェニル、Ｃ_６-Ｃ_４０アリールアルキル基、Ｃ_１-Ｃ_４０アルコキシ基またはＣ_６-Ｃ_４０アリールアルキルオキシ基から選ばれる同一か異なる基であり、これらすべての基は、随意に、たとえば、一以上のハロゲン原子で随意に置換される。好ましいＲ^{１５−１７}およびＲ”は、夫々独立して、随意に置換されたＣ_１-Ｃ_１２アルキル基、より好ましくは、Ｃ_１-Ｃ_４アルキル基、最も好ましくは、Ｃ_１-Ｃ_３アルキル基たとえばイソプロピルおよび随意に置換されたＣ_６-Ｃ_１０アリール基、好ましくは、フェニルから選ばれる。さらに好ましいのは、式ＳｉＲ^１５Ｒ^１６のシリル基であり、ここで、Ｒ^１５は、上記に定義のとおりであり、Ｒ^１６は、Ｓｉ原子と一緒になって環状シリルアルキル基を形成し、好ましくは、１〜８個のＣ原子を有する。

一つの好ましい具体例では、すべてのＲ^{１５−１７}またはすべてのＲ”は、同一の基であり、たとえば、同一の随意に置換されたアルキル基、たとえば、トリイソプロピルシリルである。非常に、好ましいすべてのＲ^{１５−１７}またはすべてのＲ”は、同一の基であり、随意に置換されたＣ_１-Ｃ_１０、より好ましくは、Ｃ_１-Ｃ_４、最も好ましくは、Ｃ_１-Ｃ_３アルキル基である。この場合に好ましいアルキル基はイソプロピルである。

好ましい-ＳｉＲ^１５Ｒ^１６Ｒ^１７およびＳｉＲ”は、限定するものではないが、トリメチルシリル、トリエチルシリル、トリプロピルシリル、ジメチルエチルシリル、ジエチルメチルシリル、ジメチルプロピルシリル、ジメチルイソプロピルシリル、ジプロピルメチルシリル、ジイソプロピルメチルシリル、ジプロピルエチルシリル、ジイソプロピルエチルシリル、ジエチルイソプロピルシリル、トリイソプロピルシリル、トリメトキシシリル、トリエトキシシリル、トリフェニルシリル、ジフェニルイソプロピルシリル、ジイソプロピルフェニルシリル、ジフェニルエチルシリル、ジエチルフェニルシリル、ジフェニルメチルシリル、トリフェノキシシリル、ジメチルメトキシシリル、ジメチルフェノキシシリル、メチルメトキシフェノキシシリル等を含み、ここで、アルキル、アリールもしくはアルコキシ基は、随意に置換される。

本発明の好ましい具体例によれば、ＯＳＣ材料は、有機発光材料および/または電荷輸送材料である。有機発光材料および電荷輸送材料は、当業者に知られ、文献に記載される
標準的材料から選ぶことができる。本発明の有機発光材料は、４００〜７００ｎｍの範囲のλ_ｍａｘで発光する材料を意味する。

適切な燐光発光化合物は、特に、好ましくは、可視域で適切な励起により発光し、加えて、２０より大きい、好ましくは、３８〜８４、最も好ましくは、５６〜８０の原子番号を有する少なくとも一つの原子を含む。使用される燐光発光エミッターは、好ましくは、銅、モリブデン、タングステン、レニウム、ルテニウム、オスミウム、ロジウム、イリジウム、パラジウム、白金、銀、金またはユウロピウム、特に、イリジウムまたは白金を含む化合物である。

特に、好ましい有機燐光化合物は、式（１）〜（４）の化合物である。

式中、
ＤＣｙは、出現毎に同一であるか異なり、それを介して環状基が金属に結合する、少なくとも一つのドナー原子、好ましくは、窒素、カルベンの形態の炭素もしくは燐を含む環状基であり；順に一以上の置換基Ｒ^１８を有してよく、基ＤＣｙとＣＣｙは、共有結合を介して互いに結合し；
ＣＣｙは、出現毎に同一であるか異なり、それを介して環状基が金属に結合する炭素原子を含む環状基であり；順に一以上の置換基Ｒ^１８を有してよく
Ａは、出現毎に同一であるか異なり、モノアニオン性二座キレートリガンド、好ましくは、ジケトンリガンドであり；
Ｒ^１８は、出現毎に同一であるか異なり、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＮＯ_２、ＣＮ、１〜２０個の炭素原子を有する直鎖、分岐あるいは環状アルキルもしくはアルコキシ基（１以上の隣接しないＣＨ_２基は、-Ｏ-、-Ｓ-、-ＮＲ^１９-、-ＣＯＮＲ^１１-、-ＣＯ-Ｏ、-Ｃ=Ｏ-、-ＣＨ=ＣＨ-もしくは-Ｃ≡Ｃ-で置き代えられてよく、また、１以上の水素原子は、Ｆで置き代えられてよい。）、または、１以上の非芳香族基Ｒ^１８により置換されてよい４〜１４個の炭素原子を有するアリールもしくはヘテロアリール基であり；ここで、同じ環上もしくは二個の異なる環上の複数の置換基Ｒ^１８は、一緒に順に、モノ-あるいはポリ環状脂肪族もしくは芳香族環構造を形成してもよく；および
Ｒ^１９は、出現毎に同一であるか異なり、１〜２０個の炭素原子を有する直鎖、分岐あるいは環状アルキルもしくはアルコキシ基（１以上の隣接しないＣＨ_２基は、-Ｏ-、-Ｓ-、-ＣＯ-Ｏ-、-Ｃ=Ｏ-、-ＣＨ=ＣＨ-もしくは-Ｃ≡Ｃ-で置き代えられてよく、また、１以上の水素原子は、Ｆで置き代えられてよい。）または、１以上の非芳香族基Ｒ^１８により置換されてよい４〜１４個の炭素原子を有するアリールもしくはヘテロアリール基である。

複数の基Ｒ^１８間の環構造の形成は、ブリッジが、ＤＣｙとＣＣｙとの間に存在してもよいことを意味する。

さらに、複数の基Ｒ^１８間の環構造の形成は、ブリッジが、２または３個のリガンドＣＣｙ-ＤＣｙとの間に、または１または２個のリガンドＣＣｙ-ＤＣｙとリガンドＡとの間に存在してもよく、多座配位もしくはポリポダルリガンド系をなすことを意味する。

好ましくは、式（１）、（２）、（３）および（４）の半導体化合物は、式（Ｉ）、式（ＩＩ）および/または式（ＩＩＩ）の要請を満足し、夫々式（L-I）、式（L-II）および式（L-III）の溶解促進構造要素を含む。

上記に記載されたエミッターの例は、WO00/70655、WO01/41512、WO02/02714、WO02/15645、EP 1191613、EP 1191612、EP 1191614、WO04/081017、WO05/033244、WO05/042550、WO05/113563、WO06/008069、WO06/061182、WO06/081973およびDE102008027005に示される。一般的に、燐光ＯＬＥＤのために先行技術にしたがって使用され、また、有機エレクトロルミネッセンス素子分野で当業者に知られるすべての燐光錯体が適切であり、当業者は、進歩性を要することなくさらなる燐光錯体を使用することができるだろう。特に、どの燐光錯体がどの発光色で発光するかは当業者に知られている。

好ましいドーパントは、モノスチリルアミン、ジスチリルアミン、トリスチリルアミン、テトラスチリルアミン、スチリルホスフィン、スチリルエーテルおよびアリールアミンのクラスから選択される。モノスチリルアミンは、１個の置換あるいは非置換スチリル基と、少なくとも１個の、好ましくは、芳香族アミンを含む化合物を意味するものと解される。ジスチリルアミンは、２個の置換あるいは非置換スチリル基と少なくとも１個の、好ましくは、芳香族アミンを含む化合物を意味するものと解される。トリスチリルアミンは、３個の置換あるいは非置換スチリル基と少なくとも１個の、好ましくは、芳香族アミンを含む化合物を意味するものと解される。テトラスチリルアミンは、４個の置換あるいは非置換スチリル基と少なくとも１つの、好ましくは、芳香族アミンを含む化合物を意味するものと解される。スチリル基は、特に好ましくは、スチルベンであり、さらに置換されていてもよい。対応するホスフィンとエーテルはアミンと同様に定義される。本発明の目的のために、アリールアミンもしくは芳香族アミンは、窒素に直接結合した３個の置換あるいは非置換芳香族もしくは複素環式芳香族環構造を含む。これら芳香族もしくは複素環式芳香族環構造の少なくとも１個は、好ましくは、縮合環構造、好ましくは、少なくとも１４個の芳香族環原子を有する縮合環構造である。それらの好ましい例は、芳香族アントラセンアミン、芳香族アントラセンジアミン、芳香族ピレンアミン、芳香族ピレンジアミン、芳香族クリセンアミンもしくは芳香族クリセンジアミンである。芳香族アントラセンアミンは、一個のジアリールアミノ基が、アントラセン基に直接、好ましくは、9-位で結合する化合物を意味するものと解される。芳香族アントラセンジアミンは、二個のジアリールアミノ基が、アントラセン基に直接、好ましくは、9,10-位で結合する化合物を意味するものと解される。芳香族ピレンアミン、ピレンジアミン、クリセンアミンおよびクリセンジアミンは、同様に定義され、ここで、ジアリールアミノ基は、好ましくは、ピレンに、1位もしくは1,6-位で結合する。さらに好ましいドーパントは、たとえば、WO 06/122630にしたがうインデノフルオレンアミンあるいはインデノフルオレンジアミン、たとえば、WO 08/006449にしたがうベンゾインデノフルオレンアミンあるいはベンゾインデノフルオレンジアミン、および、たとえば、WO 07/140847にしたがうジベンゾインデノフルオレンアミンあるいはジベンゾインデノフルオレンジアミンから選択される。スチリルアミンのクラスからドーパントの例は、置換あるいは非置換トリスチルベンアミンまたは、WO 06/000388、WO 06/058737、WO 06/000389、WO 07/065549およびWO 07/115610に記載されるドーパントである。さらに好ましいものは、DE102008035413に開示された縮合炭化水素である。

適切なドーパントは、さらに、次の表に示される構造と、JP 06/001973、WO04/047499、WO06/098080、WO07/065678、US2005/0260442およびWO04/092111に開示されたこれらの構造の誘導体である。

発光層の混合物中のドーパントの割合は、０．１〜５０．０重量％の間、好ましくは、０．５〜２０．０重量％の間、特に、好ましくは、１．０〜１０．０重量％の間である。対応して、ホスト材料の割合は、５０．０〜９９．９重量％の間、好ましくは、８０．０〜９９．５重量％の間、特に、好ましくは、９０．０〜９９．０重量％の間である。

この目的のための適切なホスト材料は、種々の物質のクラスからの材料である。好ましいホスト材料は、オリゴアリーレン（たとえば、EP 676461に記載されるとおりの2,2’,7,7’-テトラフェニルスピロビフルオレンもしくはジナフチルアントラセン）、特に、縮合芳香族基を含むオリゴアリーレン、オリゴアリーレンビニレン（たとえば、ＤＰＶＢｉもしくはEP 676461にしたがうスピロ-ＤＰＶＢｉ）、ポリポダル金属錯体（たとえば、WO 04/081017にしたがう）、正孔伝導化合物（たとえば、WO 04/058911にしたがう）、電子伝導化合物、特に、ケトン、ホスフィンオキシド、スルホキシド等（たとえば、WO 05/084081およびWO 05/084082にしたがう）、アトロプ異性体（たとえば、WO 06/048268にしたがう）、ボロン酸誘導体（たとえば、WO 06/177052にしたがう）またはベンズアントラセン（たとえば、WO 08/1452398にしたがう）のクラスから選択される。適切なホスト材料は、さらに、上記記載される本発明のベンゾ［c］フェナントレン化合物でもある。本発明の化合物とは別に、特に、好ましいホスト材料は、ナフタレン、アントラセン、ベンゾアントラセンおよび/またはピレンを含むオリゴアリーレンもしくはこれら化合物のアトロプ異性体、オリゴアリーレンビニレン、ケトン、ホスフィンオキシドおよびスルホキシドのクラスから選ばれる。本発明のベンゾ［c］フェナントレン化合物とは別に、非常に、特に、好ましいホスト材料は、アントラセン、ベンゾアントラセンおよび/またはピレンを含むオリゴアリーレンもしくはこれら化合物のアトロプ異性体種から選ばれる。本発明の目的のために、オリゴアリーレンは、少なくとも三個のアリールもしくはアリーレン基が互いに結合する化合物を意味するものと解される。

適切なホスト材料は、さらに、たとえば、次の表に示される構造と、WO04/018587、WO08/006449、US5935721、US2005/0181232、JP2000/273056、EP681019、US2004/0247937およびUS2005/0211958に開示されたこれらの構造の誘導体である。

本発明の目的のために、正孔注入層は、アノードに直接隣接する層である。本発明の目的のために、正孔輸送層は、正孔注入層と発光層との間に位置する層である。それらは、電子受容体化合物で、たとえば、Ｆ_４-ＴＣＮＱであり、EP1476881もしくはEP1596445に記載された化合物でドープされることが好ましい。

本発明の有機エレクトロルミネセンス素子の正孔注入もしくは正孔輸送層でまたは電子注入もしくは電子輸送層で使用することができる適切な電荷輸送材料は、たとえば、Y. Shirota et al., Chem. Rev. 2007, 107(4), 953-1010に開示された化合物または先行技術にしたがいこれらの層に使用される他の材料である。

本発明のエレクトロルミネッセンス素子の正孔注入もしくは正孔輸送層中で使用することができる好ましい正孔輸送材料の例は、インデノフルオレンアミンと誘導体（たとえば、WO06/122630もしくはWO06/100896にしたがう）、EP1661888に開示されたアミン誘導体、ヘキサアザトリフェニレン誘導体（たとえば、WO01/049806にしたがう）、縮合芳香族環構造をもつアミン誘導体（たとえば、US 5,061,569にしたがう）、WO 95/09147に開示されたアミン誘導体、モノベンゾインデノフルオレンアミン（たとえば、WO WO08/006449にしたがう）もしくはジベンゾインデノフルオレンアミン（たとえば、WO 07/140847にしたがう）である。適切である正孔注入もしくは正孔輸送材料は、さらに、JP 2001/226331、EP676461、EP650955、WO01/049806、US4780536、WO98/30071、EP891121、EP1661888、JP 2006/253445、EP 650955、WO 06/073054およびUS5061569に開示されたとおりの上記に示す化合物の誘導体である。

適切な正孔輸送もしくは正孔注入材料は、さらに、たとえば、以下の表に示される材料である。

本発明のエレクトロルミネッセンス素子で使用することができる適切な電子輸送もしくは電子注入材料は、さらに、たとえば、以下の表に示される材料である。適切な電子輸送もしくは電子注入材料は、さらに、JP2000/053957、WO03/060956、WO04/028217およびWO04/080975に開示され、上記に示される化合物の誘導体である。

本発明による適切なマトリックス材料は、たとえば、ケトン、ホスフィンオキシド、スルホキシドおよびスルホン（たとえば、WO04/013080、WO04/093207、WO06/005627もしくはDE102008033943にしたがう）、トリアリールアミン、カルバゾール誘導体、たとえば、
ＣＢＰ（N.N-ビスカルバゾリルビフェニル）、WO 05/039246、US2005/0069729、JP 2004/288381、EP1205527もしくはWO 08/086851に開示されたカルバゾール誘導体、インドロカルバゾール誘導体（たとえばWO07/063754もしくはWO08/056746にしたがう）、アザカルバゾール（たとえば、EP1617710、EP1617711、EP1731584、JP 2005/347160にしたがう）、バイポーラーマトリックス材料（たとえば、WO 07/137725にしたがう）、シラン（たとえば、WO05/111172にしたがう）、アザボロールもしくはボロン酸エステル（たとえば、WO 06/117052にしたがう）、トリアジン誘導体（たとえば、DE 102008036982、WO07/063754もしくはWO08/056746したがう)、亜鉛錯体（たとえば、DE102007053771にしたがう）である。

本発明の有機半導体は、好ましくは、５０００ｇ／ｍｏｌ以下の分子量、特に、２０００ｇ／ｍｏｌ以下の分子量を有する。

本発明の特別な側面によれば、有機半導体化合物は、好ましくは、少なくとも５５０／ｍｏｌ、特に、少なくとも８００／ｍｏｌ、特に、少なくとも９００／ｍｏｌ、より好ましくは、少なくとも９５０／ｍｏｌの分子量を有してよい。

驚くべき改善は、高い溶解度を有する一以上の機能性化合物で達成することができる。好ましい有機機能性化合物は、１７．０〜２０．０ＭＰａ^０．５の範囲のＨ_ｄ、０．２〜１０．０ＭＰａ^０．５の範囲のＨ_ｐ、０．０〜１５．０ＭＰａ^０．５の範囲のＨ_ｈであるハンセン溶解度パラメーターを含む。より好ましい機能性化合物は、１７．５〜１９．０ＭＰａ^０．５の範囲のＨ_ｄ、３．５〜８．０ＭＰａ^０．５の範囲のＨ_ｐ、３．０〜１０．０ＭＰａ^０．５の範囲のＨ_ｈの、ハンセン溶解度パラメーターを含む。

驚くべき効果は、ハンセン溶解度パラメーターにより決定される少なくとも３．０ＭＰａ^０．５の、好ましくは、少なくとも４．５ＭＰａ^０．５の、より好ましくは、少なくとも５．０ＭＰａ^０．５の半径を含む機能性化合物で達成することができる。

特に、好ましいホスト材料、正孔輸送材料、電子あるいは励起子障壁材料、蛍光もしくは燐光化合物のためのマトリックス材料、正孔障壁材料または電子輸送材料は、式（Ｈ１）による一以上の化合物を含む。

ここで、使用される記号には、以下が適用される；
Ｙは、Ｃ=ＯまたはＣ（Ｒ^２１）_２であり；
Ｘは、出現毎に、同一であるか異なり、ＣＲ^２２またはＮであり；
Ｒ^２０は、出現毎に、同一であるか異なり、一以上の基Ｒ^２３で置換されてよい５〜６０個の芳香族環原子を有する芳香族もしくは複素環式芳香族環構造、またはＮ（Ａｒ）_２、Ｓｉ（Ａｒ）_３、Ｃ（＝Ｏ）Ａｒ、ＯＡｒ、ＡｒＳＯ、ＡｒＳＯ_２、Ｐ（Ａｒ）_２、Ｐ（Ｏ）（Ａｒ）_２またはＢ（Ａｒ）_２であり；
Ａｒは、出現毎に、同一であるか異なり、５〜３０個の芳香族環原子を有する芳香族もしくは複素環式芳香族環構造であり、一以上の非芳香族基Ｒ^２３で置換されてよく；ここで、同じ窒素、燐もしくはホウ素原子に結合する二個の基Ａｒは、単結合またはＢ（Ｒ^２４）、Ｃ（Ｒ^２４）_２、Ｓｉ（Ｒ^２４）_２、Ｃ=Ｏ、Ｃ=ＮＲ^２４、Ｃ=Ｃ（Ｒ^２４）_２、Ｏ、Ｓ、Ｓ＝Ｏ、ＳＯ_２、Ｎ（Ｒ^２４）、Ｐ（Ｒ^２４）およびＰ（=Ｏ）Ｒ^２４から選ばれるブリッジにより互いに結合してもよく；
Ｒ^２１は、出現毎に、同一であるか異なり、Ｈ、Ｄ、Ｆ、１〜２０個のＣ原子を有する直鎖アルキル基または３〜２０個のＣ原子を有する分岐あるいは環状アルキル基であって；ここで、複数の基Ｒ^２１は、互いに環構造を形成してよく、
Ｒ^２２は、出現毎に、同一であるか異なり、Ｈ、Ｄ、Ｆ、ＣＮ、１〜４０個のＣ原子を有する直鎖アルキル、アルコキシもしくはチオアルコキシ基または３〜４０個のＣ原子を有する分岐あるいは環状アルキル、アルコキシもしくはチオアルコキシ基であって、夫々は一以上の基Ｒ^２４により置換されてよく、ここで、一以上の非隣接のＣＨ_２基は、Ｒ^２４Ｃ=ＣＲ^２４、Ｃ≡Ｃ、ＯまたはＳにより置き代えられてよく、一以上のＨ原子は、Ｆにより置き代えられてよく；
Ｒ^２３は、出現毎に、同一であるか異なり、Ｈ、Ｄ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＨＯ、Ｎ（Ａｒ）_２、Ｃ（=Ｏ）Ａｒ、Ｐ（=Ｏ）（Ａｒ）_２、Ｓ（=Ｏ）Ａｒ、Ｓ（=Ｏ）_２Ａｒ、ＣＲ^２２=ＣＲ^２２Ａｒ、ＣＮ、ＮＯ_２、Ｓｉ（Ｒ^２４）_３、Ｂ（ＯＲ^２４）_２，Ｂ（Ｒ^２４）_２、Ｂ（Ｎ（Ｒ^２４）_２）_２、ＯＳＯ_２Ｒ^２４、１〜４０個のＣ原子を有する直鎖アルキル、アルコキシもしくはチオアルコキシ基または３〜４０個のＣ原子を有する分岐あるいは環状アルキル、アルコキシもしくはチオアルコキシ基であって、夫々は一以上の基Ｒ^２４により置換されてよく、ここで、一以上の非隣接のＣＨ_２基は、Ｒ^２４Ｃ=ＣＲ^２４、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ^２４）_２、Ｇｅ（Ｒ^２４）_２、Ｓｎ（Ｒ^２４）_２、Ｃ=Ｏ、Ｃ=Ｓ、Ｃ=Ｓｅ、Ｃ=ＮＲ^２４、Ｐ（=Ｏ）（Ｒ^２４）、ＳＯ、ＳＯ_２、Ｒ^２４、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ^２４により置き代えられてよく、一以上のＨ原子は、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＮもしくはＮＯ_２により置き代えられてよく、または、各場合に一以上の基Ｒ^２４で置換されてよい５〜６０個の芳香族環原子を有する芳香族もしくは複素環式芳香族環構造、または、一以上の基Ｒ^２４で置換されてよい５〜６０個の芳香族環原子を有するアリールオキシもしくはヘテロアリールオキシ基、または、これらの構造の組み合わせであり；ここで、二個以上の隣接する置換基Ｒ^２３は、互いに、モノ-あるいはポリ環状脂肪族もしくは芳香族環構造を形成してもよく；
Ｒ^２４は、出現毎に、同一であるか異なり、Ｈ、Ｄ、１〜２０個のＣ原子を有する脂肪族もしくは芳香族および/または複素環式芳香族炭化水素基であって、さらに、Ｈ原子はＦにより置き代えられてよく；ここで、二個以上の隣接する置換基Ｒ^２４は、互いに、モノ-あるいはポリ環状脂肪族もしくは芳香族環構造を形成してもよい。

より好ましくは、式（Ｈ１ａ）の化合物を使用することができる。

ここで、残基Ｒ^２０は、式（Ｈ１）と同じ意味を有する。

より好ましくは、式（Ｈ１ｂ）の化合物を使用することができる。

ここで、残基Ｒ^２０は、式（Ｈ１）と同じ意味を有する。

好ましくは、式（Ｈ１）、（Ｈ１ａ）および/または（Ｈ１ｂ）の化合物は、式（Ｉ）、式（ＩＩ）および/または式（ＩＩＩ）の要請を満足し、式（L-Ｉ）、式（L-ＩＩ）および式（L-ＩＩＩ）夫々の溶解促進構造要素を含む。

特に、好ましいホスト材料、正孔輸送材料、電子あるいは励起子障壁材料、蛍光もしくは燐光化合物のためのマトリックス材料、正孔障壁材料または電子輸送材料は、式（Ｈ２ａ）および/または（Ｈ２ｂ）による一以上の化合物を含む。

ここで、使用される記号には、以下が適用される：
Ｙ＊は、基Ｘ^２が基Ｙに結合するならば、出現毎に、同一であるか異なり、Ｃであり、基Ｘ^２が基Ｙに結合しないならば、ＣＲ^２５またはＮであり；
Ｅは、出現毎に、同一であるか異なり、共有単結合またはＮ（Ｒ^２６）、Ｂ（Ｒ^２６）、Ｃ（Ｒ^２６）_２、Ｏ、Ｓｉ（Ｒ^２６）_２、Ｃ=ＮＲ^２６、Ｃ=Ｃ（Ｒ^２６）_２、Ｓ、Ｓ＝Ｏ、ＳＯ_２、Ｐ（Ｒ^２６）およびＰ（=Ｏ）Ｒ^２６から選ばれる二価ブリッジであり；
Ｘ^１は、出現毎に、同一であるか異なり、Ｎ（Ｒ^２６）、Ｂ（Ｒ^２６）、Ｏ、Ｃ（Ｒ^２６）_２、Ｓｉ（Ｒ^２６）_２、Ｃ=ＮＲ^２６、Ｃ=Ｃ（Ｒ^２６）_２、Ｓ、Ｓ＝Ｏ、ＳＯ_２、Ｐ（Ｒ^２６）およびＰ（=Ｏ）Ｒ^２６から選ばれる二価ブリッジであり；
Ｘ^２は、出現毎に、同一であるか異なり、Ｎ（Ｒ^２６）、Ｂ（Ｒ^２６）、Ｏ、Ｃ（Ｒ^２６）_２、Ｓｉ（Ｒ^２６）_２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ=ＮＲ^２６、Ｃ=Ｃ（Ｒ^２６）_２、Ｓ、Ｓ＝Ｏ、ＳＯ_２、ＣＲ^２６-ＣＲ^２６、Ｐ（Ｒ^２６）およびＰ（=Ｏ）Ｒ^２６から選ばれる二価ブリッジであり；
Ｘ^３は、出現毎に、同一であるか異なり、Ｎ、Ｂ、Ｃ（Ｒ^２６）、Ｓｉ（Ｒ^２６）、ＰおよびＰ（=Ｏ）から選ばれる二価ブリッジであり；
Ｌは、一以上の基Ｒ^２６で置換されてよい５〜４０個の芳香族環原子を有する二価芳香族もしくは複素環式芳香族環構造であり
ｎ、ｍは、出現毎に、同一であるか異なり、０または１であり、ただし、ｎ＋ｍ＝１または２であり、
ｑは、１、２、３、４、５または６であり、
Ｒ^２５は、出現毎に、同一であるか異なり、Ｈ、Ｄ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、Ｎ（Ａｒ）_２、Ｃ（=Ｏ）Ａｒ^４、Ｐ（=Ｏ）Ａｒ^４ _２、Ｓ（=Ｏ）Ａｒ^４、Ｓ（=Ｏ）_２Ａｒ^４、ＣＲ^２７=ＣＲ^２７Ａｒ^４、ＣＮ、ＮＯ_２、Ｓｉ（Ｒ^２７）_３、Ｂ（ＯＲ^２７）_２、ＯＳＯ_２Ｒ^２７、１〜４０個のＣ原子を有する直鎖アルキル、アルコキシもしくはチオアルコキシ基または３〜４０個のＣ原子を有する分岐あるいは環状アルキル、アルコキシもしくはチオアルコキシ基であって、夫々は一以上の基Ｒ^２７により置換されてよく、ここで、一以上の非隣接のＣＨ_２基は、Ｒ^２７Ｃ=ＣＲ^２７、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ^２７）_２、Ｇｅ（Ｒ^２７）_２、Ｓｎ（Ｒ^２７ _２）、Ｃ=Ｏ、Ｃ=Ｓ、Ｃ=Ｓｅ、Ｃ=ＮＲ^２７、Ｐ（=Ｏ）（Ｒ^２７）、ＳＯ、ＳＯ_２、ＮＲ^２７、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ^２７により置き代えられてよく、一以上のＨ原子は、Ｄ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＮもしくはＮＯ_２により置き代えられてよく、または、各場合に一以上の基Ｒ^２７で置換されてよい５〜４０個の芳香族環原子を有するアリールもしくはヘテロアリール基、または、各場合に一以上の基Ｒ^２７で置換されてよい５〜６０個の芳香族環原子を有する芳香族もしくは複素環式芳香族環構造、または、一以上の基Ｒ^２７で置換されてよい５〜６０個の芳香族環原子を有するアリールオキシもしくはヘテロアリールオキシ基、または、一以上の基Ｒ^２７で置換されてよい５〜４０個の芳香族環原子を有するアラルキルもしくはヘテロアラルキル基、または、これらの構造の組み合わせであり；ここで、二個以上の基Ｒは、それらが結合する原子と一緒になって、もしくはそれらがＡｒ^４と結合するならば、Ａｒ^４とともに、互いに、モノ-あるいはポリ環状脂肪族もしくは芳香族環構造を形成してもよく；
Ｒ^２６は、出現毎に、同一であるか異なり、Ｈ、Ｄ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＮ、ＮＯ_２、ＣＦ_３、Ｂ（ＯＲ^２７）_２、Ｓｉ（Ｒ^２７）_３、１〜４０個のＣ原子を有する直鎖アルキル、アルコキシもしくはチオアルコキシ基、３〜４０個のＣ原子を有する分岐あるいは環状アルキル、アルコキシもしくはチオアルコキシ基、または２〜４０個のＣ原子を有するアルケニルもしくはアルキニル基であって、夫々は一以上の基Ｒ^２７により置換されてよく、ここで、一以上の非隣接のＣＨ_２基は、-Ｒ^２７Ｃ=ＣＲ^２７-、-Ｃ≡Ｃ-、Ｓｉ（Ｒ^２７）_２、Ｇｅ（Ｒ^２７）_２、Ｓｎ（Ｒ^２７）_２、Ｃ=Ｏ、Ｃ=Ｓ、Ｃ=Ｓｅ、Ｃ=ＮＲ^２７、-Ｏ-、-Ｓ-、-ＣＯＯ-または-ＣＯＮＲ^２７により置き代えられてよく、一以上のＨ原子は、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＮもしくはＮＯ_２により置き代えられてよく、または各場合に一以上の基Ｒ^２７で置換されてよいアリールアミン、または、置換あるいは非置換カルバゾール、または、一以上の基Ｒ^２７で置換されてよい５〜４０個の環原子を有するアリールもしくはヘテロアリール基、または、一以上の基Ｒ^２７で置換されてよい５〜６０個の芳香族環原子を有する芳香族もしくは複素環式芳香族環構造、または、一以上の基Ｒ^２７で置換されてよい５〜４０個の芳香族環原子を有するアリールオキシもしくはヘテロアリールオキシ基、または、一以上の基Ｒ^２７で置換されてよい５〜４０個の芳香族環原子を有するアラルキルもしくはヘテロアラルキル基であり、または、これらの構造の組み合わせであり；ここで、二個以上の置換基Ｒ^２６は、互いにもしくはそれらが結合する原子と一緒になって、モノ-あるいはポリ環状脂肪族もしくは芳香族環構造を形成してもよく；
Ｒ^２７は、出現毎に、同一であるか異なり、Ｈ、Ｄ、１〜２０個のＣ原子を有する脂肪族炭化水素基、または、５〜４０個の環原子を有するアリールもしくはヘテロアリール基、または、これらの構造の組み合わせであり；
Ａｒ^４は、出現毎に、同一であるか異なり、一以上の基Ｒ^２６で置換されてよい芳香族もしくは複素環式芳香族環構造、好ましくは、５〜４０個の環原子を有するアリールもしくはヘテロアリール基である。

好ましくは、（Ｈ２ａ）および/または（Ｈ２ｂ）の化合物は、式（Ｉ）、式（ＩＩ）および/または式（ＩＩＩ）の要請を満足し、式（L-Ｉ）、式（L-ＩＩ）および式（L-ＩＩＩ）夫々の溶解促進構造要素を含む。

特に、好ましいホスト材料、正孔輸送材料、電子あるいは励起子障壁材料、蛍光もしくは燐光化合物のためのマトリックス材料、正孔障壁材料または電子輸送材料は、式（Ｈ３ａ）および/または（Ｈ３ｂ）による一以上の化合物を含む。

ここで、使用される記号には、以下が適用される。

Ａｒ^５は、以下の式（Ｈ３ｃ）の基であり、

式中、破線はスピロビフルオレンへの結合を示し；
Ａｒ^６は、以下の式（Ｈ３ｄ）の基であり、

式中、破線はスピロビフルオレンへの結合を示し；
Ｒ^２８、Ｒ^２９は、出現毎に、同一であるか異なり、Ｈ、Ｄ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＨＯ、Ｎ（Ｒ^３０）_２、Ｎ（Ａｒ^７）_２、Ｂ（Ａｒ^７）_２、Ｃ（=Ｏ）Ａｒ^７、Ｐ（=Ｏ）（Ａｒ^７）_２、Ｓ（=Ｏ）Ａｒ^７、Ｓ（=Ｏ）_２Ａｒ^７、ＣＲ^３０=ＣＲ^３０Ａｒ^７、ＣＮ、ＮＯ_２、Ｓｉ（Ｒ^３０）_３、Ｂ（ＯＲ^３０）_２、Ｂ（Ｒ^３０）_２、Ｂ（Ｎ（Ｒ^３０）_２）_２、ＯＳＯ_２Ｒ^３０、１〜４０個のＣ原子を有する直鎖アルキル、アルケニル、アルキニリル、アルコキシもしくはチオアルコキシ基、または３〜４０個のＣ原子を有する分岐あるいは環状アルキル、アルケニル、アルキニリル、アルコキシもしくはチオアルコキシ基であって、夫々は一以上の基Ｒ^３０により置換されてよく、ここで、一以上の非隣接のＣＨ_２基は、Ｒ^３０Ｃ=ＣＲ^３０、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ^３０）_２、Ｇｅ（Ｒ^３０）_２、Ｓｎ（Ｒ^３０）_２、Ｃ=Ｏ、Ｃ=Ｓ、Ｃ=Ｓｅ、Ｃ=ＮＲ^３０、Ｐ（=Ｏ）（Ｒ^３０）、ＳＯ、ＳＯ_２、ＮＲ^３０、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ^３０により置き代えられてよく、一以上のＨ原子は、Ｄ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＮもしくはＮＯ_２により置き代えられてよく、または、各場合に一以上の基Ｒ^３０で置換されてよい５〜６０個の芳香族環原子を有する芳香族もしくは複素環式芳香族環構造、または、一以上の基Ｒ^３０で置換されてよい５〜６０個の芳香族環原子を有するアリールオキシもしくはヘテロアリールオキシ基、または、これらの構造の組み合わせであり；ここで、二個以上の基Ｒ^３０は、互いに、モノ-あるいはポリ環状脂肪族もしくは芳香族環構造を形成してもよく；Ａｒ^７は、出現毎に、同一であるか異なり、一以上の基Ｒ^３０で置換されてよい５〜３０個の芳香族環原子を有する芳香族もしくは複素環式芳香族環構造であり；ここで、同じ窒素、燐もしくはホウ素原子と結合する二個の基Ａｒ^７は、互いに、単結合または、Ｂ（Ｒ^３０）、Ｃ（Ｒ^３０）_２、Ｓｉ（Ｒ^３０）_２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ=ＮＲ^３０、Ｃ=Ｃ（Ｒ^３０）_２、Ｏ、Ｓ、Ｓ＝Ｏ、ＳＯ_２、Ｎ（Ｒ^３０）、Ｐ（Ｒ^３０）およびＰ（=Ｏ）Ｒ^３０から選ばれるブリッジにより互いに結合してもよく；
Ｒ^３０は、出現毎に、同一であるか異なり、Ｈ、Ｄ、１〜２０個のＣ原子を有する脂肪族もしくは芳香族および/または複素環式芳香族炭化水素基であって、さらに、Ｈ原子は、ＤもしくはＦにより置き代えられてよく；ここで、二個以上の隣接する置換基Ｒ^３０は、互いに、モノ-あるいはポリ環状脂肪族もしくは芳香族環構造を形成してもよく；
ｎは、０または１であり；
ｍは、０、１、２または３であり；
ｏは、同じ環中でｎ＝０ならば、０、１、２、３または４であり、同じ環中でｎ＝１ならば、０、１、２または３である。

好ましくは、式（Ｈ３ａ）および/または（Ｈ３ｂ）の化合物は、式（Ｉ）、式（ＩＩ）および/または式（ＩＩＩ）の要請を満足し、式（L-Ｉ）、式（L-ＩＩ）および式（L-ＩＩＩ）夫々の溶解促進構造要素を含む。

本発明を実行するために有益である溶解促進基を有する好ましい化合物は、以下を含む。

さらに適切な化合物は、そのハンセン溶解度パラメーター、その半径が、以下の表に言及される。

本発明の好ましい具体例によれば、有機半導体（ＯＳＣ）は、好ましくは、５０００ｇ／ｍｏｌ以下の、特に、好ましくは、２０００ｇ／ｍｏｌ以下の、特に、１５００ｇ／ｍｏｌ以下の、より好ましくは、１０００ｇ／ｍｏｌ以下の分子量を有する。

本発明の特別な具体例によれば、調合物は、０．１〜１０重量％、好ましくは、０．２５〜５重量％、より好ましくは、０．５〜４重量％の有機半導体、好ましくは、発光材料および/または電荷輸送材料を含み得る。

本発明の化合物は、ジメチルアニソールから選ばれる少なくとも一つの溶媒を含む。これらの化合物は、2,3-、2,4-、2,5-、2,6-、3,4-および3,5-ジメチルアニソールのアイソマーまたはそれらの混合物を含む。好ましい溶媒は、2,5-ジメチルアニソール、2,6-ジメチルアニソール、3,4-ジメチルアニソールおよび3,5-ジメチルアニソールを含む。最も好ましい溶媒は、3,4-ジメチルアニソールである。

さらに、組成物は、さらなる溶媒を含んでもよい。追加的溶媒を使用することにより溶解度の驚くべき改善を得ることができるが、蒸発速度と沸点の正しいバランスを得ることは、乾燥中の溶解度を維持するために重要である。好ましくは、1,2,4,5-テラメチルベンゼンを、追加的溶媒として使用することができる。

好ましい有機溶媒は、１６．０〜２３．２ＭＰａ^０．５の範囲のＨ_ｄ、０．０〜１２．５ＭＰａ^０．５の範囲のＨ_ｐ、０．０〜１２．５ＭＰａ^０．５の範囲のＨ_ｈのハンセン溶解度パラメーターを含む。より好ましい有機溶媒は、１７．０〜２０．０ＭＰａ^０．５の範囲のＨ_ｄ、２．０〜８．０ＭＰａ^０．５の範囲のＨ_ｐ、２．０〜９．０ＭＰａ^０．５の範囲のＨ_ｈの、ハンセン溶解度パラメーターを含む。

好ましくは、溶媒は、使用される圧力で、非常に好ましくは、大気圧（１０１３ｈＰａ）で、４００℃＜、特に、３００℃＜、より好ましくは、２５０℃≦、最も好ましくは、２００℃≦の沸点または昇華温度を有する。蒸発は、たとえば、熱および/または減圧を適用することにより加速することもできる。予期せざる改善は、少なくとも１００℃、好ましくは、少なくとも１３０℃の沸点を有する溶媒を使用することにより、達成することができる。

通常、有機溶媒は、１５〜８０ｍＮ／ｍの範囲の、特に、２０〜６０ｍＮ／ｍ範囲の、好ましくは、２５〜４０ｍＮ／ｍの範囲の表面張力を含むことができる。表面張力は、ＦＴＡ（First Ten Angstrom）１０００接触角度計を２５℃で使用して測定することができる。方法の詳細は、Roger P. Woodward, Ph.D.により公開されたとおりの「Surface Tension Measurements Using the Drop Shape Method”.First Ten Angstrom」から入手可能である。好ましくは、ペンダントドロップ法を、表面張力を測定するために使用することができる。

粗い評価をする目的で、ハンセン溶解度パラメーター：A User’s Handbook, Second Edition, C. M. Hansen (2007), Taylor and Francis Group, LLC (ＨＳＰｉＰマニュアル)で解説された式によるハンセン溶解度パラメーターを使用して表面張力を計算することができる。

表面張力＝０．０１４６ｘ（２．２８ｘδＨ_ｄ ^２＋δＨ_ｐ ^２＋δＨ_ｈ ^２）ｘＭＶｏｌ^０．２、ここで、Ｈ_ｄは、分散寄与であり、
Ｈ_ｐは、極性寄与であり、
Ｈ_ｈは、水素結合寄与であり、
ＭＶｏｌは、モル体積である。

ハンセン溶解度パラメーターは、ハンセン溶解度パラメーターに関するPractice HSPiP 3^rd edition, (Software version 3.0.38)：Hanson and Abbot et al.により提供されるA User’s Handbook, Second Edition, C. M. Hansen (2007), Taylor and Francis Group, LLCでのハンセン溶解度パラメーターにより測定することができる。

好ましくは、溶媒または溶媒のブレンドは、１．０〜１００ｍＰａの範囲の、特に、１．２〜１０ｍＰａの範囲の、より好ましくは、１．３〜１０ｍＰａの範囲の、最も好ましくは、１．４〜８ｍＰａの範囲の粘度を有する。粘度は、ＴＡインストラメント社により製造された粘度計ＡＲ−Ｇ２ｍにより、２５℃の温度で測定される。この測定は、４０ｍｍの平行平面ジオメトリーを使用して、１０〜１０００ｓ^−１の範囲のせん断応力でなされることができる。

好ましくは、溶媒は、少なくとも０．０１、特に、少なくとも０．１、特に、少なくとも０．５、好ましくは、少なくとも１、最も好ましくは、少なくとも２の相対蒸発速度（酢酸ブチル＝１００）を含み得る。相対蒸発速度は、DIN 53170:2009-08により測定することができる。粗い評価をする目的で、相対蒸発速度は、ここで言及されるHSPiPプログラムによるハンセン溶解度パラメーターを使用して計算することができる。

好ましくは、本発明のために有用な溶媒は、少なくとも４０重量％、特に、少なくとも６０重量％、より好ましくは、少なくとも７５重量％のジメチルアニソール、特に、2,5-ジメチルアニソール、2,6-ジメチルアニソール、3,4-ジメチルアニソール、3,5-ジメチルアニソールまたはこれら溶媒の混合物、より好ましくは、3,4-ジメチルアニソールを含んでよい。

好ましくは、不活性バインダーは、１％w/wの不活性バインダーが前記有機溶媒中に溶解すると、少なくとも０．４cps溶媒粘度が増加する。

本発明の組成物は、特に、少なくとも７０重量％、特に、少なくとも８０重量％、より好ましくは、少なくとも９０重量％の有機溶媒を含み得る。

好ましくは、本発明の組成物は、少なくとも４０重量％、特に、少なくとも６０重量％、より好ましくは、少なくとも７５重量％のジメチルアニソール、特に、2,5-ジメチルアニソール、2,6-ジメチルアニソール、3,4-ジメチルアニソール、3,5-ジメチルアニソールまたはこれらの溶媒の混合物、より好ましくは、3,4-ジメチルアニソールを含んでよい。

本発明の非常に、好ましい具体例では、溶媒は、3,4-ジメチルアニソールから成る。

好ましくは、組成物は、１．０〜１００ｍＰａ^５の範囲の、特に、１．２〜１４ｍＰａの範囲の、より好ましくは、１．３〜２０ｍＰａの範囲の、最も好ましくは、１．５〜１５ｍＰａの範囲の粘度を有する。粘度は、ＴＡインストラメント社により製造された粘度計AR-G2ｍにより、２５℃の温度で測定される。この測定は、上記の平行平面ジオメトリーを使用して測定される。

さらに好ましいのは、前混合された低分子量の、オリゴマー状の、樹状の、直鎖あるいは分岐および/またはポリマー有機および/または有機金属半導体を含む非伝導性、電気伝導性不活性ポリマー（マトリックスポリマー；不活性ポリマーバインダー）でもある。好ましくは、調合物は、０．１〜１０重量％、より好ましくは、０．２５〜５重量％、最も好ましくは、０．３〜３重量％の不活性ポリマーバインダーを含んでよい
随意に、ＯＳＣ調合物は、一以上の有機バインダー、好ましくは、たとえば、WO2005/055248 A1に記載されたとおりのレオロジー特性を調整するためのポリマーバインダーを含み、特に、有機バインダーは、１，０００Ｈｚで３．３以下化合物の低い誘電率を有し、非常に、好ましくは、ＯＳＣ化合物に対するバインダーの割合は、２０：１〜１：２０、好ましくは、１０：１〜１：１０、特に、５：１〜１：５、より好ましくは、１：１〜１：５の重量比を有する。

好ましくは、ポリマーバインダーは、１０００〜１５，０００，０００ｇ／ｍｏｌ、特に、１５００〜１２，０００，０００ｇ／ｍｏｌおよび最も特に、１５００〜１０，０００，０００ｇ／ｍｏｌの範囲の重量平均分子量を含む。

驚くべき効果は、少なくとも１０，０００ｇ／ｍｏｌ、好ましくは、少なくとも２００，０００ｇ／ｍｏｌ、特に、少なくとも３００，０００ｇ／ｍｏｌおよび最も好ましくは、少なくとも５００，０００ｇ／ｍｏｌの重量平均分子量を有するポリマーにより達成することができる。本発明の非常に好ましい側面によれば、ポリマーは、好ましくは、少なくとも１，０００，０００ｇ／ｍｏｌ、およびより好ましくは、少なくとも２，０００，０００ｇ／ｍｏｌの重量平均分子量を有し得る。

不活性バインダーとして有用であるポリマーは、好ましくは２０，０００，０００ｇ／ｍｏｌ以下の、より好ましくは、１２，０００，０００ｇ／ｍｏｌ以下の、および最も好ましくは、７，０００，０００ｇ／ｍｏｌ以下の重量平均分子量を有し得る。

特に、ポリマーは、１．０〜１０．０の範囲の、より好ましくは、１．０〜５．０の範囲の、最も、好ましくは、１．０〜３の範囲の多重分散指数Ｍ_ｗ／Ｍ_ｎを有し得る。驚くべき改善は、１．０〜２．０の範囲の、特に、１．０〜１．５の、より好ましくは、１．０〜１．２の多重分散指数Ｍ_ｗ／Ｍ_ｎを有する好ましいポリマーにより達成することができる。

本発明の特別な側面によれば、ポリマーバインダーは、マルチモードの分子量分布を有してよい。好ましくは、ポリマーは、ＧＰＣを使用して測定できる、２、３、４以上の最大分子量分布を有してよい。

バインダーは、たとえば、ポリスチレン、ポリ(α-メチルスチレン)、ポリビニルシンナメート、ポリ(4-ビニルフェニル)またはポリ(4-メチルスチレン)から選ばれる。ポリマーバインダーは、好ましくは、スチレンおよび/またはオレフィン由来の反復単位を含む。好ましいポリマーバインダーは、少なくとも８０重量％の、特に、９０重量％の、より好ましくは、９９重量％のスチレンモノマーおよび/またはオレフィン由来の反復単位を含むことができる。

バインダーは、たとえば、ポリ-アリールアミン、ポリフルオレン、ポリチオフェン、ポリスピロビフルオレン、置換ポリビニレンフェニレン、ポリカルバゾールもしくはポリスチルベンまたはそれらのコポリマーから選ばれる半導体バインダーであってもよい。

本発明の好ましい具体例によれば、不活性バインダーは、−７０〜１６０℃の、より好ましくは、０〜１５０℃の、特に、５０〜１４０℃の、最も好ましくは、７０〜１３０℃の範囲のガラス転移温度を有するポリマーである。ガラス転移温度は、ポリマーのＤＳＣを測定することにより測定することができる（DIN EN ISO 11357、加熱速度１０℃／分）。

通常、ポリマーバインダーは、ここで記載された調合物の溶媒中に不溶性または溶解性である。好ましくは、ポリマーバインダーは、有機溶媒中に溶解性であり、溶媒中のポリマーバインダーの溶解度は、少なくとも１ｇ／ｌ、特に、少なくとも５ｇ／ｌおよびより好ましくは、少なくとも１０ｇ／ｌである。

本発明の特別な具体例によれば、本発明の組成物は、０．０５〜１０重量％の、好ましくは、０．１〜５重量％の、より好ましくは、０．１５〜３重量％のポリマーバインダーを含み得る。驚くべき改善は、好ましくは、０．２〜１重量％の、より好ましくは、０．２５〜０．６重量％の、最も好ましくは、０．３〜０．５重量％のポリマーバインダーを含む調合物を使用することにより達成することができる。

驚くべき改善は、調合物中で低含有量の高分子量バインダーを使用することにより達成することができる。このようなアプローチを使用して、優秀な印刷品質を有する、驚くほど効果的な素子を得ることができる。

バインダーが使用されるならば、不活性バインダーに対する半導体化合物の重量比は、好ましくは、３０：１〜１：３０の範囲、特に、２０：１〜１：５の範囲、より好ましくは、５：１〜１：１の範囲である。

特別な具体例によれば、ポリマーバインダーは、好ましくは、スチレンおよび/またはオレフィン由来の反復単位を有する。好ましいポリマーバインダーは、少なくとも８０重量％の、特に、９０重量％の、より好ましくは、９９重量％のスチレンモノマーおよび/またはオレフィン由来の反復単位を有する。

スチレンモノマーは、当分野でよく知られている。これらのモノマーは、α-メチルスチレンおよびα-エチルスチレン等の側鎖中にアルキル置換基を有する置換スチレン、ビニルトルエンおよびp-メチルスチレン等の環上にアルキル置換基を有する置換スチレン、モノクロロスチレン、ジクロロスチレン、トリクロロスチレンおよびテトラクロロスチレン等のハロゲン化スチレンを含む。

オレフィンは、水素と炭素原子から成るモノマーである。これらのモノマーは、エチレン、プロピレン、ブチレン、イソプレンおよび1,3-ブタジエンを含む。

本発明の特別な側面によれば、ポリマーバインダーは、好ましくは、少なくとも１００，０００ｇ／ｍｏｌ、特に、少なくとも２００，０００ｇ／ｍｏｌ、特に、少なくとも３００，０００ｇ／ｍｏｌおよびより好ましくは、少なくとも５００，０００ｇ／ｍｏｌの重量平均分子量を有するポリスチレンである。本発明の非常に好ましい側面によれば、ポリスチレンは、好ましくは、少なくとも１，０００，０００ｇ／ｍｏｌおよび最も好ましくは、少なくとも２，０００，０００ｇ／ｍｏｌの重量平均分子量を有し得る。

不活性バインダーとして有用であるポリスチレンは、好ましくは２０，０００，０００ｇ／ｍｏｌ以下の、より好ましくは、１２，０００，０００ｇ／ｍｏｌ以下のおよび最も好ましくは、７，０００，０００ｇ／ｍｏｌ以下の重量平均分子量を有し得る。

本発明の調合物は、表面活性化合物、潤滑剤、伝導性添加剤、分散剤、疎水化剤、接着剤、流動性改善剤、消泡剤、脱気剤、反応性もしくは非反応性であってよい希釈剤、補助剤、着色剤、染料あるいは顔料、感光剤、安定化剤、ナノ粒子または抑制剤等の一以上のさらなる成分を追加的に含んでもよい。しかしながら、これらのさらなる成分は、酸化しないかさもなくばＯＳＣと化学的に反応することがでないか、または、ＯＳＣに電気的なドープ効果を有していてはならない。

驚くべき改善は、揮発性湿潤剤により達成することができる。ここで使用される用語「揮発性」は、これら材料もしくはＯＥ素子を顕著には損傷しない条件下（温度および/または減圧等）で、これら材料がＯＥ素子の基板上に堆積された後に、試薬が、蒸発によって、有機半導体材料から除去することができることを意味している。好ましくは、これは、湿潤剤が、使用される圧力で、非常に、好ましくは、大気圧（１０１３ｈＰａ）で、３５０℃＜、より好ましくは、３００℃≦、最も好ましくは、２５０℃≦の沸点または昇華温度を有することを意味している。蒸発は、たとえば、熱および/または減圧を適用するにより加速することもできる。好ましくは、湿潤剤は、ＯＳＣ化合物と化学的に反応することはできない。特に、ＯＳＣ材料に永久的なドープ効果を有さない（たとえば、酸化によるかさもなくばＯＳＣと化学的に反応することにより）化合物から選ばれる。したがって、調合物は、好ましくは、ＯＳＣ材料と反応してイオン性生成物を形成する酸化剤もしくはプロトン酸あるいはルイス酸等の添加剤を含んではならない。

驚くべき効果は、類似する沸点を有する揮発性成分を含む調合物により達成することができる。好ましくは、湿潤剤と有機溶媒の沸点の差は、−５０℃〜５０℃の範囲、より好ましくは、−３０℃〜３０℃の範囲、最も好ましくは、−２０℃〜２０℃の範囲である。

好ましい湿潤剤は、非芳香族化合物である。さらに好ましい湿潤剤は、非イオン性化合物である。特に、有用な湿潤剤は、３５ｍＮ／ｍ以下、特に、３０ｍＮ／ｍ以下、より好ましくは、２５Ｎ／ｍ以下の表面張力を含む。表面張力は、ＦＴＡ（First Ten Angstrom）１０００接触角度計を使用して、２５℃で測定することができる。方法の詳細は、a Roger P. Woodward, Ph.D.により公開されたとおりの「Surface Tension Measurements Using the Drop Shape Method」.First Ten Angstromから入手することができる。好ましくは、ペンダントドロップ法が、表面張力を測定するために使用されることができる。

本発明の特別な側面によれば、有機溶媒と湿潤剤の表面張力の差は、好ましくは、少なくとも１ｍＮ／ｍ、特に、少なくとも５ｍＮ／ｍ、および最も好ましくは、少なくとも１０ｍＮ／ｍである。

予期せざる効果は、少なくとも１００ｇ／ｍｏｌ、特に、少なくとも１５０ｇ／ｍｏｌ、好ましくは、少なくとも１８０ｇ／ｍｏｌ、より好ましくは、少なくとも２００ｇ／ｍｏｌの分子量を含む湿潤剤により達成することができる。酸化することがないか、または
さもなくばＯＳＣ材料と化学的に反応することがない適切で好ましい湿潤剤は、シロキサン、アルカン、アミン、アルケン、アルキン、アルコールおよび/またはこれら化合物のハロゲン化誘導体より成る基から選ばれる。さらに、フルオロエーテル、フルオロエステルおよび/またはフルオロケトンを使用することもできる。より好ましくは、これらの化合物は、６〜２０個の炭素原子、特に、８〜１６個の炭素原子を有するメチルシロキサンから選ばれる。Ｃ_７-Ｃ_１４アルカン、Ｃ_７-Ｃ_１４アルケン、Ｃ_７-Ｃ_１４アルキン、７〜１４個の炭素原子を有するアルコール、７〜１４個の炭素原子を有するフルオロエーテル、７〜１４個の炭素原子を有するフルオロエステル、７〜１４個の炭素原子を有するフルオロケトンから選ばれる。最も好ましい湿潤剤は、８〜１４個の炭素原子を有するメチルシロキサンである。

７〜１４個の炭素原子を有する有用で好ましいアルカンは、ヘプタン、オクタン、ノナン、デカン、ウンデカン、ドデカン、トリデカン、テトラデカン、3-メチルヘプタン、4-エチルヘプタン、5-プロピルデカン、トリメチルシクロヘキサンおよびデカリンを含む。

７〜１４個の炭素原子を有するハロゲン化アルカンは、1-クロロヘプタン、1,2-ジクロロオクタン、テトラフルオロオクタン、デカフルオロドデカン、パーフルオロノナン、1,1,1-トリフルオロメチルデカンおよびパーフルオロメチルデカリンを含む。

７〜１４個の炭素原子を有する有用で好ましいアルケンは、ヘプテン、オクテン、ノネン、1-デケン、4-デセン、ウンデセン、ドデセン、トリデセン、テトラデセン、3-メチルヘプテン、4-エチルヘプテン、5-プロピルデセンおよびトリメチルシクロヘキセンを含む。

７〜１４個の炭素原子を有するハロゲン化アルケンは、1,2-ジクロロオクテン、テトラフルオロオクテン、デカフルオロドデセン、パーフルオロノネンおよび1,1,1-トリフルオロメチルデセンを含む。

７〜１４個の炭素原子を有する有用で好ましいアルキンは、オクチン、ノニン、1-デシン、4-デシン、ドデシン、テトラデシン、3-メチルヘプチン、4-エチルヘプチン、5-プロピルデシンおよびトリメチルシクロヘキシンを含む。

７〜１４個の炭素原子を有するハロゲン化アルキンは、1,2-ジクロロオクチン、テトラフルオロオクチン、デカフルオロドデシン、パーフルオロノニンおよび1,1,1-トリフルオロメチルデシンを含む。

７〜１４個の炭素原子を有する有用で好ましいアルカノールは、ヘプタノール、オクタノール、ノナノール、デカノール、ウンデカノール、ドデカノール、トリデカノール、テトラデカノール、3-メチルヘプタノール、3,5-ジメチル-1-ヘキシン-3-オル、4-エチルヘプタノール、5-プロピルデカノール、トリメチルシクロヘキサノーおよびヒドロキシルデカリンを含む。

７〜１４個の炭素原子を有するハロゲン化アルカノールは、1-クロロヘプタノール、1,2-ジクロロオクタノール、テトラフルオロオクタノール、デカフルオロドデカノール、パーフルオロノナノール、1,1,1-トリフルオロメチルデカノールおよび2-トリフルオロメチル-1-ヒドロキシルデカリンを含む。

７〜１４個の炭素原子を有する有用で好ましいフルオロエーテルは、3-エトキシ-1,1,1,2,3,4,4,5,5,6,6,6ドデカフルオロ-2-トリフルオロメチル-ヘキサン、3-プロポキシ-1,1,1,2,3,4,4,5,5,6,6,6ドデカフルオロ-2-トリフルオロメチル-ヘキサンおよび3-プロポキシ-1,1,1,2,3,4,4,5,5,5ドデカフルオロ-2-トリフルオロメチル-ペンタンを含む。

７〜１４個の炭素原子を有する有用で好ましいフルオロエステルは、3-(1,1,1,2,3,4,4,5,5,6,6,6ドデカフルオロ-2-トリフルオロメチル-ヘキシル)エタノネートおよび3-(1,1,1,2,3,4,4,5,5,5ドデカフルオロ-2-トリフルオロメチル-ペンチル)プロパネートを含む。

７〜１４個の炭素原子を有する有用で好ましいフルオロケトンは、3-(1,1,1,2,3,4,4,5,5,6,6,6ドデカフルオロ-2-トリフルオロメチル-ヘキシル)エチルケトンおよび3-(1,1,1,2,3,4,4,5,5,5 デカフルオロ-2-トリフルオロメチル-ペンチル)プロピルケトンを含む。

有用で好ましいシロキサンは、ヘキサメチルジシロキサン、オクタメチルトリシロキサン、デカメチルテトラシロキサン、ドデカメチルペンタシロキサンおよびテトラデカメチルヘキサシロキサンを含む。

好ましくは、調合物は、５重量％以下の、特に、３重量％以下の湿潤剤を含み得る。より好ましくは、調合物は、０．０１〜４重量％の、特に、好ましくは、０．１〜１重量％の湿潤剤を含み得る。

本発明の調合物は、エマルジョン、分散液または溶液として設計することができる。好ましくは、本発明の調合物は、無視できない量の第２相を含まない溶液（均一な混合物）である。

本発明の調合物は、有機電子素子（ＯＥ）、たとえば、ＯＦＥＴ等のトランジスタまたはダイオードあるいは太陽電池等の有機光電池（ＯＰＶ）素子または有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）の調製のために使用することができる。

特に、好ましいＯＥ素子は、ＯＦＥＴである。本発明の好ましいＯＦＥＴは、以下の成分を含む：
−随意に、基板（１）、
−ゲート電極（２）、
−誘電材料（３）を含む絶縁層、
−ＯＳＣ層（４）、
−ソースおよびドレーン電極（５）、
−随意に、一以上の保護または不活性化層（６）。

図１Ａは、基板（１）、ゲート電極（２）、誘電材料層（３）（ゲート絶縁層として知られる）、ＯＳＣ層（４）およびソースおよびドレーン（Ｓ／Ｄ）電極（５）および随意の不活性化もしくは保護層（６）を含む本発明の典型的な底部ゲート（ＢＧ）、頂部接触（ＴＣ）ＯＦＥＴ素子を、例示的および図解的に示す。

図１Ａの素子は、基板（１）上にゲート電極（２）を堆積する工程、ゲート電極（２）と基板（１）上に誘電層（３）を堆積する工程、誘電層（３）上にＯＳＣ層（４）を堆積する工程、ＯＳＣ層（４）上にＳ／Ｄ電極（５）を堆積する工程、随意に、Ｓ／Ｄ電極（５）とＯＳＣ層（４）上に不活性化もしくは保護層（６）を随意に堆積する工程を含むプロセスにより調製することができる。

図１Ｂは、基板（１）、ゲート電極（２）、誘電層（３）Ｓ／Ｄ電極（５）、ＯＳＣ層（４）および随意の不活性化もしくは保護層（６）を含む本発明の典型的な底部ゲート（ＢＧ）、底部接触（ＢＣ）ＯＦＥＴ素子を、例示的および図解的に示す。

図１Ｂの素子は、基板（１）上にゲート電極（２）を堆積する工程、ゲート電極（２）と基板（１）上に誘電層（３）を堆積する工程、誘電層（３）上にＳ／Ｄ電極（５）を堆積する工程、Ｓ／Ｄ電極（４）と誘電層（３）上にＯＳＣ層（４）を堆積する工程、随意に、ＯＳＣ層（４）上に不活性化もしくは保護層（６）を堆積する工程を含むプロセスにより調製することができる。

図２は、基板（１）、ソースおよびドレーン電極（５）、ＯＳＣ層（４）、誘電層（３）およびゲート電極（２）および随意の不活性化もしくは保護層（６）を含む本発明の典型的な頂上ゲート（ＴＧ）ＯＦＥＴ素子を、例示的および図解的に示す。

図２の素子は、基板（１）上にＳ／Ｄ電極（５）を堆積する工程、Ｓ／Ｄ電極（５）と基板（１）上にＯＳＣ層（４）を堆積する工程、誘電層（３）上にゲート電極（２）を堆積する工程、随意に、ゲート電極（２）と誘電層（３）上に不活性化もしくは保護層（６）を堆積する工程を含むプロセスにより調製することができる。

図１Ａ、１Ｂおよび２に記載された素子中の不活性化もしくは保護層（６）は、後にその上に提供されるかもしれないさらなる層または素子から、および/または周囲の影響からＯＳＣ層およびＳ／Ｄまたはゲート電極を保護する目的を有する。

ソースとドレーン電極（５）との間の間隔は、１Ａ、１Ｂおよび２において二重の矢に示されるとおり、チャンネル領域である。

ＯＰＶ電池での使用のための調合物の場合に、調合物は、好ましくは、p-型半導体およびｎ-型半導体または受容体と供与材料を、好ましくは、含むか、より好ましくは、本質的にそれらから成り、非常に、好ましくは、それらのみから成る。この型の好ましい材料は、たとえば、WO94/05045 A1に開示されたとおりのＰＣＢＭ[(6,6)-フェニルＣ６１-ブチル酸メチルエステル]等のＣ_６０あるいはＣ_７０フラーレンもしくは変性Ｃ_６０分子をもつポリ(3-置換チオフェン)もしくはＰ３ＡＴのブレンドまたは混合物であり、ここで、フラーレンに対するＰ３ＡＴの重量比は、好ましくは、２：１〜１：２、より好ましくは、１．２：１〜１：１．２である。

図３および図４は、本発明の典型的で好ましいＯＰＶ素子を、例示的および図解的に示す。（Waldauf et al., Appl. Phys. Lett. 89, 233517(2006)も参照。）
図３に示されたＯＰＶ素子は、好ましくは、以下を含む；
−低仕事関数の電極（３１）（たとえば、アルミニウム等の金属）および高仕事関数の電極（３２）（たとえば、ＩＴＯ）、何れか一方は透明である、
−電極（３１、３２）の間に位置する、正孔輸送材料および電子輸送材料、好ましくは、ＯＳＣ材料から選ばれる層（３３）（「活性層」とも呼ぶ）であって、活性層は、たとえば、ｐおよびｎ型半導体の二層もしくは二個の区別された層またはブレンドあるいは混合物として存在することができ、
−随意な伝導性ポリマー層（３４）、たとえばＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ（ポリ（3,4-エチレンジオキシチオフェン）：ポリ（スチレンスルホネート）であり、活性層（３３）と高仕事関数の電極（３２）との間に位置し、正孔のためのオーム接点を提供する高仕事関数の電極の仕事関数を変更する、
−活性層（３３）に面する低仕事関数の電極（３１）側上の随意の被覆（３５）（たとえば、ＬｉＦ）であり、電子のためのオーム接点を提供する。

図４に示された逆ＯＰＶ素子は、好ましくは、以下を含む；
−低仕事関数の電極（４１）（たとえば、金等の金属）および高仕事関数の電極（４２）（たとえば、ＩＴＯ）、そのうちの一つは透明である。

−電極（４１、４２）の間に位置する正孔輸送材料および電子輸送材料、好ましくは、ＯＳＣ材料から選ばれる層（４３）（「活性層」とも呼ぶ）であって、活性層は、たとえば、ｐおよびｎ型半導体の二層もしくは二個の区別された層またはブレンドあるいは混合物として存在することができ、
−たとえばＰＥＤＯＴ：ＰＳＳを含み、活性層（３３）と低仕事関数の電極（４１）との間に位置する随意な伝導性ポリマー層（４４）であり、正孔のためのオーム接点を提供し、
−活性層（４３）に面する高仕事関数の電極（４２）面上の随意の被覆（４５）（たとえば、ＴｉＯ_ｘ）であり、正孔のためのオーム接点を提供する。

本発明のＯＰＶ素子は、典型的には、ｐ型半導体（電子供与体）とｎ型半導体（電子受容体）を含んでよい。好ましくは、ｐ型半導体は、たとえば、ポリ(3-アルキル-チオフェン)（Ｐ３ＡＴ）、好ましくは、ポリ(3-ヘキシルチオフェン)（Ｐ３ＨＴ）等のポリマー、または、上記に挙げられるとおりの好ましいポリマーおよびモノマーＯＳＣの群から選ばれる代替物である。ｎ-型半導体は、酸化亜鉛もしくはセレン酸カドミニウム等の無機材料、または、フラーレン誘導体たとえば、G. Yu, J. Gao, J.C. Hummelen, F. Wudl, A.J. Heeger, Science 1995, Vol. 270, p. 1789 ffに開示されたとおりの「ＰＣＢＭ」もしくは「ＰＣ_６１ＢＭ」として知られる(6,6)-フェニルC61-ブチル酸メチルエステル、以下に示される構造を有するか、たとえば、Ｃ_７１フラーレン（ＰＣ_７１ＢＭ）基をもつ構造類似化合物またはポリマー（Coakley, K. M. and McGehee, M. D. Chem. Mater. 2004, 16, 4533参照。）等の有機材料であり得る。

この型の好ましい材料は、Ｐ３ＨＴ等のポリマーまたはＰＣ_６１ＢＭあるいはＰＣ_７１ＢＭ等のＣ_６０あるいはＣ_７０フラーレンもしくは変性Ｃ_６０フラーレンをもつ上記に挙げられた群から選ばれる別のポリマーのブレンドまたは混合物である。好ましくは、ポリマー：フラーレンの重量比は、２：１〜１：２、より好ましくは、１．２：１〜１：１．２、最も好ましくは、１：１である。ブレンドされた混合物に対しては、ブレンドのモルホロジーとひいてはＯＰＶ素子の性能を最適化するために、随意のアニーリング工程が必要かもしれない。

ＯＥ素子の調製プロセス中には、ＯＳＣ層が、基板上に堆積され、存在する任意の揮発性添加剤とともに溶媒が除去され、フィルムまたは層を形成する。

種々の物質が、ＯＥ素子の製造のために使用されてよく、たとえば、ガラス、ＩＴＯ被覆ガラス、ＰＥＤＯＴ、ＰＡＮＩ等を含む前被覆層をもつＩＴＯガラスまたはプラスチック、たとえば、アルキル樹脂、アルキルエステル、ベンゾシクロブテン、ブタジエン-スチレン、セルロース、酢酸セルロース、エポキシド、エポキシポリマー、エチレン-クロロトリフルオロエチレン、エチレン-テトラフルオロ-エチレン、ガラス繊維強化プラスチック、フルオロカーボンポリマー、ヘキサフルオロプロピレンビニリデンフッ素ポリマー、高密度ポリエチレン、パリレン、ポリアミド、ポリイミド、ポリアラミド、ポリジメチルシロキサン、ポリエーテルスルホン、ポリエチレン、ポリエチレンナフタレート、ポリエチレンテレフタレート、ポリケトン、ポリメチルメタクリレート、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリスルホン、ポリテトラフルオロエチレン、ポリウレタン、ポリビニルクロライド、シリコンゴム、シリコーンおよびＩＴＯをもつ柔軟フィルムまたは他の伝導性層およびＶｉｔｅｘフィルム等のバリアー層を含む好ましいプラスチック材料である。

好ましい基板材料は、ポリエチレンテレフタレート、ポリイミドおよびポリエチレンナフタレートである。基板は、上記材料で被覆された任意のプラスチック材料、金属もしくはガラスであってよい。基板は、良好なパターン解像度を確保するために、好ましくは、均一である必要がある。電荷移動性を向上するために、基板は、押し出し、拡張、摩擦もしくは有機半導体の配向を誘起する光化学技術により、均一に、あらかじめ整列されてもよい。

電極は、噴霧-、浸漬-、ウェブ-もしくはスピン-コーティング等の液体被覆により堆積することもできる。適切な電極材料と堆積方法は、当業者に知られている。適切な電極材料は、限定するものではないが、無機もしくは有機材料、またはその二つの複合材料を含む。適切な伝導性または電極材料の例は、ポリアニリン、ポリピロール、ＰＥＤＯＴもしくはドープ共役ポリマー、グラファイトもしくはＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｎｉあるいはそれらの混合物等の金属粒子のさらなる分散液またはペースト、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｐｔ／Ｐｄ等のスパッター被覆あるいは蒸発金属またはインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）等の金属酸化物を含む。有機金属前駆体も、液相からの堆積に使用されてよい。

好ましくは、本発明の調合物が適用される表面上の基板は、１３０〜２５ｍＮｍ^−１、より好ましくは、１１５〜３０ｍＮｍ^−１の範囲の表面エネルギーを有し、表面エネルギーは、少なくとも二つの溶媒、たとえば、水とヨウ化メチレンの接触角を測定することにより決定されるが、他の溶媒を使用することもできる。これらは、典型的には、２０〜２５℃の温度（室温で通常の大気圧）で、ＦＴＡ１０００等の接触角度計を使用して測定され、次いで、二つの溶媒の接触角は、種々の数学的モデル、典型的には、Ｏｗｅｎｓ−Ｗｅｎｄｔ幾何平均またはＷｕ調和平均を使用して結合される。好ましくは、Ｏｗｅｎｓ−Ｗｅｎｄｔ法が使用される。

Ｏｗｅｎｓ−Ｗｅｎｄｔ式
（１＋ｃｏｓθ）γＬＶ＝２√（γ^ＤＳＶγ^ＤＬＶ）＋２√（γ^ＰＳＶγ^ＰＬＶ）
Ｗｕ調和平均式
（１＋ｃｏｓθ）γＬＶ＝４｛γＤＳＶγＤＬＶ／（γ^ＤＳＶ＋γ^ＤＬＶ）＋γ^ＰＳＶγ^ＰＬＶ／（γ^ＰＳＶ＋γ^ＰＬＶ）｝
ＯＳＣ層の堆積は、当業者に知られ、文献に記載された標準的な方法により達成することができる。適切で好ましい堆積方法は、液体コーティングおよび印刷技術を含む。非常に、好ましい堆積方法は、限定するものではないが、浸漬コーティング、スピンコーティング、スプレーコーティング、エアロゾルジェット、インクジェット印刷、ノズル印刷、グラビア印刷、ドクターブレードコーティング、ローラー印刷、逆ローラー印刷、フレキソグラフィック印刷、ウェブ印刷、スプレー被覆、浸漬被覆、カーテンコーティング、キスコーティング、メイアーバーコーティング、ロールニップフェドコーティング、アニロックスコーター、ナイフコーティングまたはスロット−ダイコーティングを含む。好ましくは、ＯＳＣ層は、グラビア印刷、ドクターブレードコーティング、ローラー印刷、逆ローラー印刷、フレキソグラフィック印刷、ウェブ印刷、アニロックスコーターで適用される。グラビア、フレキソグラフィック印刷およびインクジェット印刷とこれら印刷方法の変形が好ましい。これらは、限定するものではないが、マイクログラビア、リバースグラビア、オフセットグラビア、逆ローラー等を含む。両平台でのウェブフェッド（ロールツーロール）およびシートフェッドの両者と丸型状のより普通の形状を使用することができる。

フレキソ印刷のために、アニロックスは、クロム鋼かセラミックの何れか、好ましくは、セラミックであり得る。セルエッチは、２ｃｍ^３／ｍ^２〜１２０ｃｍ^３／ｍ^２、より好ましくは、３ｃｍ^３／ｍ^２〜２０ｃｍ^３／ｍ^２、最も好ましくは、４ｃｍ^３／ｍ^２〜１８ｃｍ^３／ｍ^２で変化することができるが、乾燥フィルムの厚さは、活性材料の濃度と前記調合物の移送特性により変化するだろう。

セル形状は、すなわち、形、深さ、セル壁結合は、最適な印刷結果を達成するために当業者により採用されることができる。

グラビア印刷のために、クロム鋼が、好ましくは、使用されるが、これは、他の材料を排除するものではない。刻印条件は、一つのより悪い移送プロセスが含まれることから、フレキソグラフィック印刷のそれの約５０％である。

速度は、プレスの型と形次第で顕著に変化し得、平台印刷に対しては、印刷速度は、典型的には、非常に、遅く、典型的には、１００ｍｍ／分以下である。ロールツーロール法に関して、速度は５００ｍ／分を超え得る。

特別な側面によれば、絶縁層は、本発明のＯＥの特別な型を達成するために、基板上に堆積することができる。好ましくは、絶縁層は、溶液加工により、非常に、好ましくは、一以上の有機溶媒中で随意に架橋結合可能である誘電体材料の溶液を使用して、堆積される。好ましくは、誘電体材料を堆積するために使用される溶媒は、ＯＳＣ材料を堆積するために使用される溶媒に直交し、逆の場合も同様である。

スピンコーティングが堆積方法として使用されると、ＯＳＣまたは誘電体材料は、０．５〜１．５μｍの典型的な層厚をもつ層を得るために、たとえば、３０秒間、たとえば、１０００〜２０００ｒｐｍで回転される。スピンコーティング後に、フィルムは、高温で加熱して、残留する揮発物をすべて除去することができる。

架橋結合可能な誘電体が使用されるならば、たとえば、Ｘ線、ＵＶあるいは可視光照射等の電子ビームあるいは電磁気照射（化学線）への曝露による堆積後に、好ましくは、架橋結合される。たとえば、化学線照射は、５０〜７００ｎｍ、好ましくは、２００〜４５０ｎｍ, 最も好ましくは、３００〜４００ｍの波長を有するものを使用することができる。適切な照射量は、典型的には、２５〜３，０００ｍＪ／ｃｍ^２の範囲である。適切な照射源は、水銀、水銀／キセノン、水銀／ハロゲンおよびキセノンランプ、アルゴンあるいはキセノンレーザー源、Ｘ線あるいは電子ビームを含む。化学線照射への曝露は、曝露された領域で誘電体材料の架橋結合可能基での架橋結合反応を引き起こすだろう。たとえば、架橋結合可能基の吸収帯外側の波長を有する光源を使用することおよび架橋結合可能材料に放射感光性光増感剤を添加することも可能である。

随意に、誘電体材料層は、照射曝露後、たとえば、７０℃〜１３０℃の温度で１〜３０分間、好ましくは、１〜１０分間アニールされる。高温でのアニール工程は、誘電体材料の架橋可能基の光照射への曝露により誘起される架橋反応を完成するために使用することができる。

溶媒と任意の揮発性添加物の除去は、好ましくは、蒸発により、たとえば、堆積層を高温度および/または減圧に、好ましくは、−５０℃〜３００℃、より好ましくは、２０℃〜２５０℃の温度に曝露することにより達成される。本発明の特別な側面によれば、溶媒と任意の揮発性添加物は、減圧下蒸発することができる。好ましくは、大気圧または減圧の何れかであり、溶媒蒸発のための圧力は、１０^−３ｍｂａｒ〜１ｂａｒ、特に、１０^−２ｍｂａｒ〜１００ｍｂａｒ、より好ましくは、０．１ｍｂａｒ〜１０ｍｂａｒの範囲である。さらに、溶媒の蒸発は、好ましくは、溶媒の沸点未満で達成することができる。

乾燥ＯＳＣ層の厚さは、好ましくは、１ｎｍ〜５０ｎｍ、特に、２〜１０００ｎｍ、より好ましくは、３〜５００ｎｍである。有機発光材料および/または電荷輸送材料を含む好ましい層は、２〜１５０ｎｍの範囲の厚さを有することができる。

ここで記載されるとおりの材料と方法に加えて、ＯＥ素子とその成分は、当業者に知られ、文献に記載された標準的材料と標準的方法から調製することができる。

本発明の前記具体例に対する変形が、本発明の範囲内でなされ得ることは明らかだろう。本明細書に開示された各特長は、特に断らない限り、同じ、均等で類似の目的に役立つ代替の特徴に置き代えられてよい。したがって、特に断らない限り、開示された各特長は、一般的な一連の均等で類似の特徴の単なる一例である。

本明細書に開示されたすべての特長は、これらの特長および/または工程の少なくともいくつかが互いに相反する組み合わせを除いて、任意の組み合わせで結合されてよい。特に、好ましい本発明の特長は、本発明のすべての側面に適用可能であり、任意の組み合わせで使用されてよい。同様に、非本質的な組み合わせで記載されて特徴は、別々に（組み合わさずに）組み合わされてよい。

上記記載の、特に、好ましい具体例の多くの特徴は、それ自身発明性があり、本発明の具体例の単なる部分でないことは明らかであろう。これらと特徴に加えてまたは特許請求された任意の代替物に独立した保護が追及されてよい。

明らかに他に示されない限り、ここでの用語の複数形は単数形を含むものして解されるべきであり、逆もそうである。

本明細書の特許請求の範囲と発明の詳細な説明において、「含む」という用語は、「含むが限定されない」ことを意味し、他の成分を排除することを意図していない。

用語「ポリマー」は、ホモポリマーおよびコポリマー、たとえば、統計的、交互またはブロックコポリマーである。さらに、ここで使用される用語「ポリマー」は、オリゴマーおよびデンドリマーを含む。M. Fischer and F. Voegtle, Angew. Chem., Int. Ed. 1999, 38, 885に記載されたとおり、デンドリマーは、さらなる分岐モノマーが、規則的な方法で、所与の樹状構造を付加される多官能性コア基から成る典型的分岐巨大分子化合物である。

用語「共役ポリマー」は、その骨格（あるいは主鎖）中に、主にｓｐ^２−混成のまたは随意にｓｐ混成の炭素原子を含み、ヘテロ原子により置き代えられてもよく、介在するσ結合を横切って互いにΠ軌道の相互作用を可能とするポリマーを意味する。最も簡単な場合には、これは、たとえば、交互炭素（あるいは炭素-ヘテロ原子）単結合および多重結合（たとえば、二重あるいは三重）をもつ骨格であるが、1,3-フェニレン等の単位をもつポリマーをも含みはしない。

「主に」は、これに関連して、共役中断を生じてもよい自然に（同時に）生起する欠陥をもつポリマーが、なお共役ポリマーとみなされることを意味している。この意味で、骨格が、たとえば、アリールアミン、アリールホスフィンおよび/またはある種のヘテロ環（すなわち、Ｎ-、Ｏ-、Ｐ-またはＳ-原子を介する共役）および/または金属有機錯体（すなわち、金属原子を介する共役）等の単位を含むポリマーも含まれる。用語「共役結合基」は、ｓｐ^２-混成のまたはｓｐ混成の炭素原子をもつ炭素原子またはヘテロ原子から成る二個の環（通常、芳香族環）を連結する基を意味する。「IUPAC Compendium of Chemical terminology, Electronic version」を参照されたい。

他に断らなければ、分子量は、数平均分子量Ｍ_ｎまたは重量平均分子量Ｍ_ｗとして与えられ、他に断らなければ、ポリスチレン標準に対するゲル透過クロマトグラフ（ＧＰＣ）により測定される。

重合度（ｎ）は、数平均重合度を意味し、他に断らなければ、ｎ＝Ｍ_ｎ／Ｍ_Ｕとして与えられ、ここで、Ｍ_Ｕは、単反復単位の分子量である。

用語「低分子」は、モノマー、すなわち、非ポリマー化合物を意味する。

他に断らなければ、固体の百分率は、重量パーセント（ｗｔ％）であり、液体（たとえば、溶媒混合物中等）の百分率は、体積パーセント（ｖｏｌ％）であり、すべての温度は、摂氏（℃）である。

他に断らなければ、百分率またはｐｐｍで与えられる混合物成分の濃度と割合は、溶媒を含む調合物全体に関連する。

本発明は、今や、以下の例を参照してより詳細に説明されるだろうが、単に例示するだけのものであり、本発明の範囲を限定するものではない。

ここに記載された全てのプロセスは、先行技術に記載され、当業者によく知られた公知技術と標準的な設備を使用して実行することができる。

図１ａは頂部接触（ＴＣ）ＯＦＥＴの構造を示す。 図１は底部接触（ＢＣ）ＯＦＥＴ素子の構造を示す。 図２は頂上ゲート（ＴＧ）ＯＦＥＴ素子の構造を示す。 図３はＯＰＶ素子の構造を示す。 図４は逆ＯＰＶ素子の構造を示す。

比較例１
印刷インクが、式Ｃ-１の燐光化合物と式Ｃ-２を有するホスト材料と式Ｃ-３を有するホスト材料とを混合することによって調製される。

０．０１００ｇの化合物Ｃ-１が、ガラス瓶中で計量され、０．０２００ｇの化合物Ｃ-２と０．０２００ｇの化合物Ｃ-３が計量される。これに、３ｍｌのアニソールが、エッペンドルフピペットから３１ｍｌの一定分量を使用して添加された。小さい磁気撹拌棒が添加され、ガラス瓶が封止された。これは、−３５〜４０℃まで暖められ、固体材料の完全な溶解を確保するために２時間撹拌された。溶解後、蓋が除かれ、脱気するためにヘリウムガスが２０分間バブリングされ、この後、容器は真空乾燥機中に置かれ、ヘリウムを除去するために一晩放置された。

２ｍｌのインクが、Ｄｉｍａｔｉｘ ＤＭＰ２８３１プリンターでの使用のためにＬＣＰカートリッジ中へと０．４５μｌのフィルター（２５ｍｍ直径ｅｘ Ｍｉｌｌｉｐｏｒｅ）を使用してろ過された。カートリッジヘッドは、押し込まれ、次いで、インクジェットプリンターに挿入された。

完全なインクジェット試験が、インクの印刷性能を評価するためになされ、インクジェット挙動が観察され、評価された。インクジェット波形が、最適化され、液滴速度に関する電圧／周波数とパルス幅を変える効果も評価された。

調製されたインクは、７０℃で１０分間、超音波浴中でメタノール中に置かれることにより洗浄された２５ｍｍｘ２５ｍｍスライドグラスに印刷された。この後、メタノールが乾燥され、基板は、１５０℃で１５分間、ホットプレートセット上に置かれた。スライドグラスが除去され、メシチレン中の０．５％ＨＩＬ-０１２調合物が、１３００ｒｐｍの速度でスライド上にスピンコートされ、厚さ２０ｎｍのＨＩＬ-１２被覆を最終的に得た。

インクは、２ｍｍｘ２ｍｍの正方形パターンを使用して印刷された；これは、２０μ、４０μ、６０μ、８０μおよび１００μの液滴間隔（ｄｓ）で印刷され、異なる液滴間隔は、印刷ヘッドに角を付けることにより達成された。印刷は、異なる温度、すなわち、２５℃、３０℃、４０℃、５０℃および６０℃でなされた。

ジェット安定性は不十分だった。ノズルプレートの湿潤は普通だった。二個の液滴系が、このインクから観察された。アニソール系インクは、ＨＩＬ-０１２被覆基板を十分には湿潤せず、４０μ、６０μ、８０μおよび１００μｄｓを使用した際に、スワッチは溶け込まなかった。印刷は２０μｄｓを使用すると、より良好に湿潤し、良好になされたが、乾燥前面がフィルム上に観察され、顕著なコーヒー染みが明らかである。

比較例２
本質的に、比較例１が繰り返された。しかしながら、4-ジメチルアニソールが溶媒として使用された。ＨＩＬ-０１２層は、２０μ〜６０μｄｓに対して、受容可能に湿潤した。印刷品質は４０μ〜６０μｄｓに対して、受容可能であった。ジェット安定性は、中程度に不十分だった。ノズル板湿潤は、中程度に不十分だった。二個の液滴系が、このインクから観察された。しかしながら、結果は、比較例１と比べて改善されている。

例１
本質的に、比較例１が繰り返された。しかしながら、2,4-ジメチルアニソールが溶媒として使用された。ＨＩＬ-０１２層は、２０μ〜８０μｄｓに対して、受容可能に湿潤した。印刷品質は４０μ〜６０μｄｓに対して、受容可能であった。ジェット安定性は、有望であった。ノズル板湿潤は、わずかだった。二個の液滴系が、このインクから観察された。しかしながら、結果は、比較例２と比べて改善されている。

例２
本質的に、比較例１が繰り返された。しかしながら、2,5-ジメチルアニソールが溶媒として使用された。ＨＩＬ-０１２層は、２０μ〜８０μｄｓに対して、受容可能に湿潤した。印刷品質は４０μ〜６０μｄｓに対して、受容可能であった。ジェット安定性は、有望であった。ノズル板湿潤は、わずかだった。合体間隔は２５０μｍであった（単一の液滴系が生成された。）。しかしながら、結果は、例１と比べて改善されている。

例３
本質的に、比較例１が繰り返された。しかしながら、2,6-ジメチルアニソールが溶媒として使用された。ＨＩＬ-０１２層は、２０μ〜８０μｄｓに対して、受容可能に湿潤した。印刷品質は４０μ〜６０μｄｓに対して、受容可能であった。ジェット安定性は、良好であった。ノズル板湿潤は、有望であった。合体間隔は２５０μｍであった。しかしながら、結果は、例１と比べて改善されている。

例４
本質的に、比較例１が繰り返された。しかしながら、3,4-ジメチルアニソールが溶媒として使用された。ＨＩＬ-０１２層は、２０μ〜１００μｄｓに対して、受容可能に湿潤した。印刷品質は、印刷温度に依存して、４０μ〜８０μｄｓに対して、良好であるか、少なくとも容可能であった。ジェット安定性は、良好であった。ノズル板湿潤は、良好であった。合体間隔は３００μｍであった。しかしながら、結果は、比較例２および３夫々と比べて改善されている。

Claims (29)

1. ５０００ｇ／ｍｏｌ以下の分子量を有する一以上の有機半導体化合物（ＯＳＣ）と一以上の有機溶媒を含む組成物であって、前記有機溶媒は、ジメチルアニソールであることを特徴とする、組成物。
2. 前記有機溶媒は、少なくとも６０重量％のジメチルアニソールを含むことを特徴とする、請求項１記載の組成物。
3. 前記ジメチルアニソールは、3,4-ジメチルアニソールであることを特徴とする、請求項１または２記載の組成物。
4. 前記有機半導体化合物は、１７．０〜２０．０ＭＰａ^０．５の範囲のＨ_ｄ、０．２〜１０．０ＭＰａ^０．５の範囲のＨ_Ｄ、０．０〜１５．０ＭＰａ^０．５の範囲のＨ_ｈのハンセン溶解度パラメーターを含むことを特徴とする、請求項１〜３何れか一項記載の組成物。
5. 前記有機半導体化合物は、少なくとも３．０ＭＰａ^０．５のハンセン溶解度パラメーターにより決定される溶解度半径を含むことを特徴とする、請求項１〜４何れか一項記載の組成物。
6. 少なくとも一つの前記有機半導体化合物は、一般式（Ｉ）の化合物を含むことを特徴とする、請求項１〜５何れか一項記載の組成物。
   

   

   （式中、
   Ａは、機能性構造要素であり、
   Ｂは、溶解促進構造要素であり、および
   ｋは、１〜２０の範囲の整数であって、
   前記溶解促進構造要素Ｂは、一般式（L-I）を有する。
   

   

   式中、
   Ａｒ^ａは、一以上の任意の残基Ｒにより置換されてよい４〜１２０個の炭素原子を有するアリールもしくはヘテロアリール基であり、
   Ｒ^ａは、水素、１〜４０個の炭素原子を有する直鎖アルキル、アルコキシもしくはチオアルコキシ基、または３〜４０個の炭素原子を有する分岐あるいは環状アルキル、アルコキシもしくはチオアルコキシ基、特に、随意に置換されたＣ_７−Ｃ_４０アルキルアリールオキシ基；随意に置換されたＣ_２−Ｃ_４０アルコキシカルボニル基；随意に置換されたＣ_７−Ｃ_４０アリールオキシカルボニル基；シアノ基（-ＣＮ）；カルバモイル基（-Ｃ（=Ｏ）ＮＨ^２）；ハロホルミル基（-Ｃ（=Ｏ）-Ｘ、Ｘはハロゲン原子である）；ホルミル基（-Ｃ（=Ｏ）-Ｈ）；イソシアノ基；イソシアネート基；チオシアネート基もしくはチオイソシアネート基；随意に置換されたアミノ基；ヒドロキシ基；ニトロ基、ＣＦ_３基；ハロゲン基（Ｃｌ、Ｂｒ、Ｆ）；または随意に置換されたシリルあるいはアルキニルシリル基；または硬化可能基または５〜６０個の環原子を有する置換あるいは非置換芳香族もしくは複素環式芳香族環構造、５〜６０個の環原子を有するアリールオキシもしくはヘテロアリールオキシ基またはこれら構造の組み合わせであり、ここで、一以上のこれらの基Ｒ^ａは、一緒にモノあるいはポリ環状、脂肪族もしくは芳香族環構造および/またはＲ^ａが結合する環を形成してもよく、
   ｌは、０、１、２、３または４であり、
   ここで、点線の結合は、機能性構造要素Ａへの結合を示す。）
7. 少なくとも一つの前記有機半導体化合物は、一般式（ＩＩ）の化合物を含むことを特徴とする、請求項１〜６何れか一項記載の組成物。
   

   

   （式中、
   Ａは、機能性構造要素であり、
   Ｂは、溶解促進構造要素であり、および
   ｋは、１〜２０の範囲の整数であって、
   前記溶解促進構造要素Ｂは、一般式（L-II）を有する。
   

   

   式中、
   Ａｒ^ｂ、Ａｒ^ｃは、夫々独立して、同一であるか異なり、互いに独立して、一以上の任意の残基Ｒにより置換されてよい４〜６０個の炭素原子を有するアリールもしくはヘテロアリール基であり、
   Ｘは、互いに独立して、ＮまたはＣＲ^ｂ、好ましくは、ＣＨであり、
   Ｒ^ａ、Ｒ^ｂは、夫々、互いに独立して、水素、１〜４０個の炭素原子を有する直鎖アルキル、アルコキシもしくはチオアルコキシ基、または３〜４０個の炭素原子を有する分岐あるいは環状アルキル、アルコキシもしくはチオアルコキシ基、特に、随意に置換されたＣ_７−Ｃ_４０アルキルアリールオキシ基；随意に置換されたＣ_２−Ｃ_４０アルコキシカルボニル基；随意に置換されたＣ_７−Ｃ_４０アリールオキシカルボニル基；シアノ基（-ＣＮ）；カルバモイル基（-Ｃ（=Ｏ）ＮＨ^２）；ハロホルミル基（-Ｃ（=Ｏ）-Ｘ、Ｘはハロゲン原子である）；ホルミル基（-Ｃ（=Ｏ）-Ｈ）；イソシアノ基；イソシアネート基；チオシアネート基もしくはチオイソシアネート基；随意に置換されたアミノ基；ヒドロキシ基；ニトロ基、ＣＦ_３基；ハロゲン基（Ｃｌ、Ｂｒ、Ｆ）；または随意に置換されたシリルあるいはアルキニルシリル基または硬化可能基または５〜６０個の環原子を有する置換あるいは非置換芳香族もしくは複素環式芳香族環構造、５〜６０個の環原子を有するアリールオキシもしくはヘテロアリールオキシ基またはこれら構造の組み合わせであり、ここで、一以上のこれらの基Ｒ^ａおよび/またはＲ^ｂは、一緒に、モノあるいはポリ環状、脂肪族もしくは芳香族環構造および/またはＲ^ａが結合する環を形成してもよく、
   ｌは、０、１、２、３または４であり、
   ここで、点線の結合は、機能性構造要素Ａへの結合を示す。）
8. 少なくとも一つの前記有機半導体化合物は、一般式（ＩＩＩ）の化合物であることを特徴とする、請求項１〜７何れか一項記載の組成物。
   

   

   （式中、
   Ａは、機能性構造要素であり、
   Ｂは、溶解促進構造要素であり、および
   ｋは、１〜２０の範囲の整数であって、
   および
   前記溶解促進構造要素Ｂは、一般式（L-III）を有する。
   

   

   式中、
   Ｒ^ａ、Ｒ^ｂ、Ｒ^ｃ、Ｒ^ｄは、夫々、互いに独立して、同一であるか異なり、水素、１〜４０個の炭素原子を有する直鎖アルキル、アルコキシもしくはチオアルコキシ基、または３〜４０個の炭素原子を有する分岐あるいは環状アルキル、アルコキシもしくはチオアルコキシ基、特に、随意に置換されたＣ_７−Ｃ_４０アルキルアリールオキシ基；随意に置換されたＣ_２−Ｃ_４０アルコキシカルボニル基；随意に置換されたＣ_７−Ｃ_４０アリールオキシカルボニル基；シアノ基（-ＣＮ）；カルバモイル基（-Ｃ（=Ｏ）ＮＨ^２）；ハロホルミル基（-Ｃ（=Ｏ）-Ｘ、Ｘはハロゲン原子である）；ホルミル基（-Ｃ（=Ｏ）-Ｈ）；イソシアノ基；イソシアネート基；チオシアネート基もしくはチオイソシアネート基；随意に置換されたアミノ基；ヒドロキシ基；ニトロ基、ＣＦ_３基；ハロゲン基（Ｃｌ、Ｂｒ、Ｆ）；または随意に置換されたシリルあるいはアルキニルシリル基または硬化可能基または５〜６０個の環原子を有する置換あるいは非置換芳香族もしくは複素環式芳香族環構造または５〜６０個の環原子を有するアリールオキシもしくはヘテロアリールオキシ基またはこれら構造の組み合わせであり、ここで、一以上のこれらの基Ｒ^ａ、Ｒ^ｂ、Ｒ^ｃおよび/またはＲ^ｄは、一緒に、モノ-あるいはポリ環状、脂肪族もしくは芳香族環構造および/または基Ｒ^ａ、Ｒ^ｂ、Ｒ^ｃおよび/またはＲ^ｄが結合する環を形成してもよく、
   ｌは、０、１、２、３または４であり、
   ｍは０、１、２または３であり、
   ｎ、ｏは、夫々、互いに独立して、同一であるか異なり、０、１、２、３、４または５であり、
   ここで、点線の結合は、機能性構造要素Ａへの結合を示す。）
9. 前記有機半導体化合物は、少なくとも７０℃のガラス転移温度を有することを特徴とする、請求項１〜８何れか一項記載の組成物。
10. 前記有機半導体化合物は、２５℃で１．０〜１００ｍＰａｓの範囲の粘度を含むことを特徴とする、請求項１〜９何れか一項記載の組成物。
11. 前記組成物は、少なくとも一つの不活性バインダーを含むことを特徴とする、請求項１〜１０何れか一項記載の組成物。
12. 前記不活性バインダーは、−７０℃〜１６０℃の範囲のガラス転移温度を有するポリマーであることを特徴とする、請求項１〜１１何れか一項記載の組成物。
13. 前記組成物は、０．１〜５重量％の範囲のポリマーバインダーを含むことを特徴とする、請求項１〜１２何れか一項記載の組成物。
14. 前記一般的式（Ｉ）の添え字ｋは、２以上の整数であることを特徴とする、請求項１〜１２何れか一項記載の組成物。
15. 前記有機半導体化合物は、少なくとも８００g/molの分子量を有することを特徴とする、請求項１〜１４何れか一項記載の組成物。
16. 前記有機半導体化合物は、少なくとも７０℃のガラス転移温度を有することを特徴とする、請求項１〜１５何れか一項記載の組成物。
17. 式（I）中の溶解促進構造要素Ｂに対する機能性構造要素Ａの重量比は、好ましくは、２：１〜１：２０、より好ましくは、１：１〜１：３の範囲であることを特徴とする、請求項１〜１６何れか一項記載の組成物。
18. 少なくとも一つの前記有機半導体化合物は、式Ｍ１から選ばれることを特徴とする、請求項１〜１６何れか一項記載の組成物。
    

    

    （ 式中、
    Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、Ｒ^７、Ｒ^８、Ｒ^９、Ｒ^１０、Ｒ^１１およびＲ^１２は、夫々、同一であるか異なり、互いに独立して、水素；随意に置換されたＣ_１−Ｃ_４０カルビルもしくはヒドロカルビル基；随意に置換されたＣ_１−Ｃ_４０アルコキシ基；随意に置換されたＣ_６−Ｃ_４０アリールオキシ基；随意に置換されたＣ_７−Ｃ_４０アルキルアリールオキシ基；随意に置換されたＣ_２−Ｃ_４０アルコキシカルボニル基；随意に置換されたＣ_７−Ｃ_４０アリールオキシカルボニル基；シアノ基（-ＣＮ）；カルバモイル基（-Ｃ（=Ｏ）ＮＨ^２）；ハロホルミル基（-Ｃ（=Ｏ）-Ｘ、Ｘはハロゲン原子である）；ホルミル基（-Ｃ（=Ｏ）-Ｈ）；イソシアノ基；イソシアネート基；チオシアネート基もしくはチオイソシアネート基；随意に置換されたアミノ基；ヒドロキシ基；ニトロ基、ＣＦ_３基；ハロゲン基（Ｃｌ、Ｂｒ、Ｆ）；または随意に置換されたシリルあるいはアルキニルシリル基であって、
    ここで、独立した各対のＲ^１とＲ^２、Ｒ^２とＲ^３、Ｒ^３とＲ^４、Ｒ^７とＲ^８、Ｒ^８とＲ^９およびＲ^９とＲ^１０は、随意に、架橋（クロス-ブリッジ）して、酸素原子、硫黄原子もしくは式-Ｎ（Ｒ^ａ）-（ここで、Ｒ^ａは、水素原子もしくは随意に置換された炭化水素基である）の基により介在されてもよい飽和あるいは不飽和Ｃ_４-Ｃ_４０環を形成し、環は、随意に置換されてもよく；および、ポリアセン骨格の一以上の炭素原子は、Ｎ、Ｐ、Ａｓ、Ｏ、Ｓ、ＳｅおよびＴｅから選ばれるヘテロ原子により随意に置換されてもよく、および
    ポリアセンの隣接する環位置に配置する二以上の置換基Ｒ^１〜Ｒ^１２は、Ｏ、Ｓもしくは-Ｎ（Ｒ^ａ）（ここで、Ｒ^ａは、上記に定義されるとおりであり）により随意に介在されてもよいさらなる飽和あるいは不飽和Ｃ_４-Ｃ_４０環もしくはポリアセンに縮合する芳香族環構造を形成し、
    および、
    ここで、ｎは、０、１、２、３または４、好ましくは、ｎは、０、１または２、最も、好ましくは、ｎは、０または２であり、ポリアセン化合物は、ペンタセン（ｎ＝２ならば）もしくは「偽ペンタセン化合物」（ｎ＝０ならば）であることを意味する。）
19. 式Ｍ１による前記有機半導体化合物は、式（Ｉ）、式（ＩＩ）および/または式（ＩＩＩ）の要請を満足し、夫々式（L-I）、式（L-II）および式（L-III）の溶解促進構造要素を含むことを特徴とする、請求項１〜１８何れか一項記載の組成物。
20. ５０００g/mol以下の分子量を有する発光材料および/または電荷輸送材料は、発光し、さらに、３８を超える原子数を有する少なくとも一つの原子を含む有機燐光化合物であることを特徴とする、請求項１〜１９何れか一項記載の組成物。
21. 燐光化合物は、式（１）〜（４）の化合物であることを特徴とする、請求項１〜２０何れか一項記載の組成物。
    

    

    （ 式中、
    ＤＣｙは、出現毎に同一であるか異なり、それを介して環状基が金属に結合する、少なくとも一つのドナー原子、好ましくは、窒素、カルベンの形態の炭素もしくは燐を含む環状基であり、順に一以上の置換基Ｒ^１６を有してよく；基ＤＣｙとＣＣｙは、共有結合を介して互いに結合し；
    ＣＣｙは、出現毎に同一であるか異なり、それを介して環状基が金属に結合する炭素原子を含む環状基であり、順に一以上の置換基Ｒ^１８を有してよく；
    Ａは、出現毎に同一であるか異なり、モノアニオン性二座キレートリガンド、好ましくは、ジケトンリガンドであり；
    Ｒ^１８は、出現毎に同一であるか異なり、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＮＯ_２、ＣＮ、１〜２０個の炭素原子を有する直鎖、分岐あるいは環状アルキルもしくはアルコキシ基（１以上の隣接しないＣＨ_２基は、-Ｏ-、-Ｓ-、-ＮＲ^１９-、-ＣＯＮＲ^１１-、-ＣＯ-Ｏ、-Ｃ=Ｏ-、-ＣＨ=ＣＨ-もしくは-Ｃ≡Ｃ-で置き代えられてよく、また、１以上の水素原子は、Ｆで置き代えられてよい。）、または、１以上の非芳香族基Ｒ^１８により置換されてよい４〜１４個の炭素原子を有するアリールもしくはヘテロアリール基であり；ここで、同じ環上もしくは二個の異なる環上の複数の置換基Ｒ^１８は、一緒に順に、モノ-あるいはポリ環状脂肪族もしくは芳香族環構造を形成してもよく；および
    Ｒ^１９は、出現毎に同一であるか異なり、１〜２０個の炭素原子を有する直鎖、分岐あるいは環状アルキルもしくはアルコキシ基（１以上の隣接しないＣＨ_２基は、-Ｏ-、-Ｓ-、-ＣＯ-Ｏ-、-Ｃ=Ｏ-、-ＣＨ=ＣＨ-もしくは-Ｃ≡Ｃ-で置き代えられてよく、また、１以上の水素原子は、Ｆで置き代えられてよい。）または、１以上の非芳香族基Ｒ^１８により置換されてよい４〜１４個の炭素原子を有するアリールもしくはヘテロアリール基である。）
22. 式（１）、（２）、（３）および（４）による有機半導体化合物は、式（Ｉ）、式（ＩＩ）および/または式（ＩＩＩ）の要請を満足し、夫々式（L-I）、式（L-II）および式（L-III）の溶解促進構造要素を含むことを特徴とする、請求項１〜２１何れか一項記載の組成物。
23. 組成物は、５０００g/mol以下の分子量を有する０．２５〜５重量％の有機半導体化合物を含むことを特徴とする、請求項１〜１９何れか一項記載の組成物。
24. 組成物は、少なくとも一つの湿潤剤を含むことを特徴とする、請求項１〜２３何れか一項記載の組成物。
25. 湿潤剤は、揮発性であり、５０００g/mol以下の分子量を有する前記発光材料および/または電荷輸送材料と化学的に反応することができないことを特徴とする、請求項１〜２４何れか一項記載の組成物。
26. 請求項１〜２５何れか一項記載の組成物の、ＯＥ素子調製のためのコーティングまたはインク印刷としての使用。
27. 以下の工程を含む有機電子（ＯＥ）素子の製造方法。
    ａ）請求項１〜２５何れか一項記載の組成物を基板上に堆積し、フィルムまたは層を形成すること、
    ｂ）溶媒を除去すること。
28. 請求項１〜２５何れか一項記載の組成物が、浸漬被覆、スピンコーティング、インクジェット印刷、ノズル印刷、活版印刷、スクリーン印刷、グラビア印刷、ドクターブレードコーティング、ローラー印刷、逆ローラー印刷、オフセットリソグラフィー印刷、フレキソグラフィック印刷、ウェブ印刷、スプレーコーティング、浸漬コーティング、カーテンコーティング、ブラシコーティング、スロット−ダイコーティングおよびパッド印刷により適用されることを特徴とする請求項２７記載の製造方法。
29. 請求項１〜２５何れか一項記載の組成物から、または請求項２７または２８記載の製造方法により製造されるＯＬＥＤ素子。

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