JP6243054B2 - 有機半導体組成物、及び、有機半導体素子 - Google Patents

Description

本発明は、有機半導体組成物、及び、有機半導体素子に関する。

軽量化、低コスト化、柔軟化が可能であることから、液晶ディスプレイや有機ＥＬディスプレイに用いられるＦＥＴ（電界効果トランジスタ）、ＲＦＩＤ（Radio Frequency Identifier、ＲＦタグ）等に、有機半導体膜（有機半導体層）を有する有機トランジスタが利用されている。
有機半導体組成物としては、例えば、特許文献１に記載された組成物が知られている。

特表２００５−５１４７２６号公報

本発明が解決しようとする課題は、得られる有機半導体の移動度及び経時安定性に優れる有機半導体組成物、並びに、上記有機半導体組成物より形成した有機半導体を有する有機半導体素子を提供することである。

本発明の上記課題は、以下の＜１＞又は＜１１＞に記載の手段により解決された。好ましい実施態様である＜２＞〜＜１０＞及び＜１２＞とともに以下に記載する。
＜１＞縮合多環芳香族基を有し、上記縮合多環芳香族基中の環数が４以上であり、上記縮合多環芳香族基中の少なくとも２つの環が、硫黄原子、窒素原子、セレン原子及び酸素原子よりなる群から選択された少なくとも１つの原子を含み、上記縮合多環芳香族基中の部分構造として、ベンゼン環、ナフタレン環及びフェナントレン環よりなる群から選択された少なくとも１つの構造を有する有機半導体と、有機溶媒Ａと、有機溶媒Ｂと、−Ｏ−ＳｉＲ^１Ｒ^２−で表される有機シロキサン部位を有する界面活性剤と、を含み、有機溶媒ＡのＳＰ値をＳＰ（Ａ）、有機溶媒ＢのＳＰ値をＳＰ（Ｂ）とした場合、ＳＰ（Ｂ）−ＳＰ（Ａ）≧２ＭＰａ^1/2を満たすことを特徴とする有機半導体組成物、
ただし、Ｒ^１及びＲ^２はそれぞれ独立に、エーテル結合を含まない、一価の炭化水素基を表す。
＜２＞上記Ｒ^１及びＲ^２の少なくとも１つが、直鎖状、分岐鎖状若しくは環状の炭素数２〜１８のアルキル基、又は、直鎖状、分岐鎖状若しくは環状の炭素数２〜１８のアルケニル基である、＜１＞に記載の有機半導体組成物、
＜３＞上記界面活性剤の含有量が、上記有機半導体の含有量１００質量部に対し、０．１〜１０質量部である、＜１＞又は＜２＞に記載の有機半導体組成物、
＜４＞上記有機溶媒Ａの含有量が、上記有機溶媒Ｂの含有量１００体積％に対し、２０〜１００体積％である、＜１＞〜＜３＞のいずれか１つに記載の有機半導体組成物、
＜５＞上記有機溶媒Ａの沸点ｂｐ（Ａ）と上記有機溶媒Ｂの沸点ｂｐ（Ｂ）とが、ｂｐ（Ａ）＜ｂｐ（Ｂ）を満たす、＜１＞〜＜４＞のいずれか１つに記載の有機半導体組成物、
＜６＞上記有機半導体が、式１〜式１６のいずれかで表される化合物を少なくとも１種含む、＜１＞〜＜５＞のいずれか１つに記載の有機半導体組成物、

式１中、Ａ^１ａ及びＡ^１ｂはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子又はＳｅ原子を表し、Ｒ^１ａ〜Ｒ^１ｆはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ^１ａ〜Ｒ^１ｆのうち少なくとも１つが下記式Ｗで表される基である。
−Ｌ^Ｗ−Ｒ^Ｗ （Ｗ）
式Ｗ中、Ｌ^Ｗは下記式Ｌ−１〜式Ｌ−２５のいずれかで表される二価の連結基又は２以上の下記式Ｌ−１〜Ｌ−２５のいずれかで表される二価の連結基が結合した二価の連結基を表し、Ｒ^Ｗはアルキル基、シアノ基、ビニル基、エチニル基、オキシエチレン基、オキシエチレン単位の繰り返し数ｖが２以上のオリゴオキシエチレン基、シロキサン基、ケイ素原子数が２以上のオリゴシロキサン基、又は、トリアルキルシリル基を表す。

式Ｌ−１〜式Ｌ−２５中、＊はＲ^Ｗとの結合位置を表し、波線部分はもう一方の結合位置を表し、式Ｌ−１、式Ｌ−２、式Ｌ−６及び式Ｌ−１３〜式Ｌ−２４におけるＲ’はそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、式Ｌ−２０及び式Ｌ−２４におけるＲ^Ｎは水素原子又は置換基を表し、式Ｌ−２５におけるＲ^ｓｉはそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルケニル基又はアルキニル基を表す。
式２中、Ｘ^２ａ及びＸ^２ｂはそれぞれ独立に、ＮＲ^２ｉ、Ｏ原子又はＳ原子を表し、Ａ^２ａはＣＲ^２ｇ又はＮ原子を表し、Ａ^２ｂはＣＲ^２ｈ又はＮ原子を表し、Ｒ^２ｉは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基又はアシル基を表し、Ｒ^２ａ〜Ｒ^２ｈはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ^２ａ〜Ｒ^２ｈのうち少なくとも１つが上記式Ｗで表される基である。
式３中、Ｘ^３ａ及びＸ^３ｂはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子又はＮＲ^３ｇを表し、Ａ^３ａ及びＡ^３ｂはそれぞれ独立に、ＣＲ^３ｈ又はＮ原子を表す。Ｒ^３ａ〜Ｒ^３ｈはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ^３ａ〜Ｒ^３ｈのうち少なくとも１つが上記式Ｗで表される基である。
式４中、Ｘ^４ａ及びＸ^４ｂはそれぞれ独立に、Ｏ原子、Ｓ原子又はＳｅ原子を表し、４ｐ及び４ｑはそれぞれ独立に、０〜２の整数を表し、Ｒ^４ａ〜Ｒ^４ｊ、Ｒ^４ｋ及びＲ^４ｍはそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子又は上記式Ｗで表される基を表し、かつ、Ｒ^４ａ〜Ｒ^４ｊ、Ｒ^４ｋ及びＲ^４ｍのうち少なくとも１つは上記式Ｗで表される基であり、ただし、Ｒ^４ｅ及びＲ^４ｆのうち少なくとも一方が上記式Ｗで表される基である場合はＲ^４ｅ及びＲ^４ｆが表す上記式ＷにおいてＬ^Ｗは上記式Ｌ−２又は式Ｌ−３で表される二価の連結基である。

式５中、Ｘ^５ａ及びＸ^５ｂはそれぞれ独立に、ＮＲ^５ｉ、Ｏ原子又はＳ原子を表し、Ａ^５ａはＣＲ^５ｇ又はＮ原子を表し、Ａ^５ｂはＣＲ^５ｈ又はＮ原子を表し、Ｒ^５ｉは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アシル基、アリール基又はヘテロアリール基を表し、Ｒ^５ａ〜Ｒ^５ｈはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ^５ａ〜Ｒ^５ｈのうち少なくとも１つが上記式Ｗで表される基である。
式６中、Ｘ^６ａ〜Ｘ^６ｄはそれぞれ独立に、ＮＲ^６ｇ、Ｏ原子又はＳ原子を表し、Ｒ^６ｇは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アシル基、アリール基又はヘテロアリール基を表し、Ｒ^６ａ〜Ｒ^６ｆはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ^６ａ〜Ｒ^６ｆのうち少なくとも１つが上記式Ｗで表される基である。
式７中、Ｘ^７ａ及びＸ^７ｃはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子、Ｓｅ原子又はＮＲ^７ｉを表し、Ｘ^７ｂ及びＸ^７ｄはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子又はＳｅ原子を表し、Ｒ^７ａ〜Ｒ^７ｉはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ^７ａ〜Ｒ^７ｉのうち少なくとも１つが上記式Ｗで表される基である。
式８中、Ｘ^８ａ及びＸ^８ｃはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子、Ｓｅ原子又はＮＲ^８ｉを表し、Ｘ^８ｂ及びＸ^８ｄはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子又はＳｅ原子を表し、Ｒ^８ａ〜Ｒ^８ｉはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ^８ａ〜Ｒ^８ｉのうち少なくとも１つが上記式Ｗで表される基である。

式９中、Ｘ^９ａ及びＸ^９ｂはそれぞれ独立に、Ｏ原子、Ｓ原子又はＳｅ原子を表し、Ｒ^９ｃ、Ｒ^９ｄ及びＲ^９ｇ〜Ｒ^９ｊはそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子又は上記式Ｗで表される基を表し、Ｒ^９ａ、Ｒ^９ｂ、Ｒ^９ｅ及びＲ^９ｆはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表す。
式１０中、Ｒ^１０ａ〜Ｒ^１０ｈはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ^１０ａ〜Ｒ^１０ｈのうち少なくとも１つは上記式Ｗで表される置換基を表し、Ｘ^１０ａ及びＸ^１０ｂはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子、Ｓｅ原子又はＮＲ^１０ｉを表し、Ｒ^１０ｉはそれぞれ独立に、水素原子又は上記式Ｗで表される基を表す。
式１１中、Ｘ^１１ａ及びＸ^１１ｂはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子、Ｓｅ原子又はＮＲ^１１ｎを表し、Ｒ^１１ａ〜Ｒ^１１ｋ、Ｒ^１１ｍ及びＲ^１１ｎはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ^１１ａ〜Ｒ^１１ｋ、Ｒ^１１ｍ及びＲ^１１ｎのうち少なくとも１つは上記式Ｗで表される基である。
式１２中、Ｘ^１２ａ及びＸ^１２ｂはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子、Ｓｅ原子又はＮＲ^１２ｎを表し、Ｒ^１２ａ〜Ｒ^１２ｋ、Ｒ^１２ｍ及びＲ^１２ｎはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ^１２ａ〜Ｒ^１２ｋ、Ｒ^１２ｍ及びＲ^１２ｎのうち少なくとも１つは上記式Ｗで表される基である。

式１３中、Ｘ^１３ａ及びＸ^１３ｂはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子、Ｓｅ原子又はＮＲ^１３ｎを表し、Ｒ^１３ａ〜Ｒ^１３ｋ、Ｒ^１３ｍ及びＲ^１３ｎはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ^１３ａ〜Ｒ^１３ｋ、Ｒ^１３ｍ及びＲ^１３ｎのうち少なくとも１つは上記式Ｗで表される基である。
式１４中、Ｘ^１４ａ〜Ｘ^１４ｃはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子、Ｓｅ原子又はＮＲ^１４ｉを表し、Ｒ^１４ａ〜Ｒ^１４ｉはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ^１４ａ〜Ｒ^１４ｉのうち少なくとも１つは上記式Ｗで表される基である。
式１５中、Ｘ^１５ａ〜Ｘ^１５ｄはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子、Ｓｅ原子又はＮＲ^１５ｇを表し、Ｒ^１５ａ〜Ｒ^１５ｇはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ^１５ａ〜Ｒ^１５ｇのうち少なくとも１つは上記式Ｗで表される基である。
式１６中、Ｘ^１６ａ〜Ｘ^１６ｄはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子、Ｓｅ原子又はＮＲ^１６ｇを表し、Ｒ^１６ａ〜Ｒ^１６ｇはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ^１６ａ〜Ｒ^１６ｇのうち少なくとも１つは上記式Ｗで表される基である。

＜７＞上記有機溶媒Ａが、ヘキサン、オクタン、ノナン、デカン、プロピルシクロヘキサン、トルエン、キシレン、メシチレン、エチルベンゼン、デカリン、テトラリン、又は、アミルベンゼンである、＜１＞〜＜６＞のいずれか１つに記載の有機半導体組成物、
＜８＞上記有機溶媒Ａが、ｃｉｓ−デカリン、テトラリン、又は、アミルベンゼンである、＜１＞〜＜７＞のいずれか１つに記載の有機半導体組成物、
＜９＞上記有機溶媒Ｂが、ジクロロメタン、クロロホルム、テトラクロロメタン、ジクロロエタン、トリクロロエタン、テトラクロロエタン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、クロロトルエン、クロロナフタレン、フルオロナフタレン、ジフルオロナフタレン、ジブチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、アニソール、ｔｅｒｔ−ブチルアニソール、又は、２−メトキシナフタレンである、＜１＞〜＜８＞のいずれか１つに記載の有機半導体組成物、
＜１０＞上記有機溶媒Ｂが、１，２−ジクロロベンゼン、１−フルオロナフタレン、又は、アニソールである、＜１＞〜＜９＞のいずれか１つに記載の有機半導体組成物、
＜１１＞＜１＞〜＜１０＞のいずれか１つに記載の有機半導体組成物より形成された有機半導体を有する有機半導体素子、
＜１２＞有機薄膜トランジスタである、＜１１＞に記載の有機半導体素子。

本発明によれば、得られる有機半導体の移動度及び経時安定性に優れる有機半導体組成物、並びに、上記有機半導体組成物より形成した有機半導体を有する有機半導体素子を提供することができた。

本発明の有機半導体素子の一態様の断面模式図である。 本発明の有機半導体素子の別の一態様の断面模式図である。

以下において、本発明の内容について詳細に説明する。以下に記載する構成要件の説明は、本発明の代表的な実施態様に基づいてなされることがあるが、本発明はそのような実施態様に限定されるものではない。なお、本願明細書において「〜」とはその前後に記載される数値を下限値及び上限値として含む意味で使用される。また、本発明における有機ＥＬ素子とは、有機エレクトロルミネッセンス素子のことをいう。
本明細書における基（原子団）の表記において、置換及び無置換を記していない表記は、置換基を有さないものとともに置換基を有するものをも包含するものである。例えば、「アルキル基」とは、置換基を有さないアルキル基（無置換アルキル基）のみならず、置換基を有するアルキル基（置換アルキル基）をも包含するものである。
また、本明細書における化学構造式は、水素原子を省略した簡略構造式で記載する場合もある。
本発明において、「移動度」との記載は、キャリア移動度を意味し、電子移動度及びホール移動度のいずれか、又は、双方を意味する。
また、本発明において、「質量％」と「重量％」とは同義であり、「質量部」と「重量部」とは同義である。
また、本発明において、好ましい態様の２以上の組み合わせは、より好ましい態様である。

（有機半導体組成物）
本発明の有機半導体組成物（以下、単に「組成物」ともいう。）は、縮合多環芳香族基を有し、上記縮合多環芳香族基中の環数が４以上であり、上記縮合多環芳香族基中の少なくとも２つの環が、硫黄原子、窒素原子、セレン原子及び酸素原子よりなる群から選択された少なくとも１つの原子を含み、上記縮合多環芳香族基中の部分構造として、ベンゼン環、ナフタレン環及びフェナントレン環よりなる群から選択された少なくとも１つの構造を有する有機半導体と、有機溶媒Ａと、有機溶媒Ｂと、−Ｏ−ＳｉＲ^１Ｒ^２−で表される有機シロキサン部位を有する界面活性剤と、を含み、有機溶媒ＡのＳＰ値をＳＰ（Ａ）、有機溶媒ＢのＳＰ値をＳＰ（Ｂ）とした場合、ＳＰ（Ｂ）−ＳＰ（Ａ）≧２ＭＰａ^1/2を満たすことを特徴とする。
ただし、Ｒ^１及びＲ^２はそれぞれ独立に、エーテル結合を含まない、一価の炭化水素基を表す。

本発明者らは鋭意検討を重ねた結果、上記有機半導体と、特定２種の有機溶媒と、上記界面活性剤とを含有することにより、得られる有機半導体の移動度及び経時安定性に優れることを見いだし、本発明を完成するに至ったものである。
詳細な効果の発現機構については不明であるが、上記特定２種の有機溶媒と上記界面活性剤とが、上記有機半導体の膜や層を形成する際に、何らか協奏的に作用して移動度及び経時安定性に優れた有機半導体が得られるものと推定される。
以下に、本発明の有機半導体組成物の各成分について、詳細に説明する。

＜有機溶媒Ａ及び有機溶媒Ｂ＞
本発明の有機半導体組成物は、有機溶媒Ａ及び有機溶媒Ｂを含み、有機溶媒ＡのＳＰ値をＳＰ（Ａ）、有機溶媒ＢのＳＰ値をＳＰ（Ｂ）とした場合、ＳＰ（Ｂ）−ＳＰ（Ａ）≧２ＭＰａ^1/2を満たす。なお、本発明において、ＳＰ値の単位“ＭＰａ^1/2”とは、“（ＭＰａ）^1/2”と同義である。
有機溶媒ＡのＳＰ値よりも有機溶媒ＢのＳＰ値のほうが大きく、有機溶媒Ａ及び有機溶媒ＢのＳＰ値の差（ＳＰ（Ｂ）−ＳＰ（Ａ）、ΔＳＰ）は、２以上であり、２．０〜５．０ＭＰａ^1/2であることが好ましく、２．０〜４．０ＭＰａ^1/2であることがより好ましく、２．５〜３．５ＭＰａ^1/2であることが更に好ましい。上記範囲であると、得られる有機半導体の移動度により優れる。
ＳＰ値の算出方法は、以下の通りである。
ハンセン溶解度パラメーター：A User’s Handbook, Second Edition, C. M. Hansen (2007), Taylor and Francis Group, LLC（ＨＳＰｉＰマニュアル）で解説された式によるハンセン溶解度パラメーターであり、「実践ハンセン溶解度パラメーターＨＳＰｉＰ第３版」（ソフトウエアーバージョン４．０．０５）を用いて、下記式にてＳＰ値（単位：ＭＰａ^1/2）を算出した値を用いる。
（ＳＰ値）²＝（δＨ_ｄ）²＋（δＨ_ｐ）²＋（δＨ_ｈ）²
Ｈ_ｄ：分散寄与
Ｈ_ｐ：極性寄与
Ｈ_ｈ：水素結合寄与

有機溶媒Ａとしては、炭化水素系溶媒が好ましく、芳香族炭化水素系溶媒がより好ましい。
有機溶媒Ａとして、具体的には、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、デカン、シクロヘキサン、プロピルシクロヘキサン、トルエン、キシレン、メシチレン、エチルベンゼン、プロピルベンゼン、デカリン、テトラリン、又は、アミルベンゼン（ｎ−ペンチルベンゼン）が好ましく挙げられ、デカン、キシレン、メシチレン、エチルベンゼン、デカリン、テトラリン、又は、アミルベンゼンがより好ましく挙げられ、ｃｉｓ−デカリン、テトラリン、又は、アミルベンゼンが更に好ましく挙げられ、アミルベンゼンが特に好ましく挙げられる。
上記有機溶媒のうち、例えば、ｃｉｓ−デカリンは、ＳＰ値：１６．８ＭＰａ^1/2、沸点：１９６℃であり、テトラリンは、ＳＰ値：１８．９ＭＰａ^1/2、沸点：２０８℃であり、アミルベンゼンは、ＳＰ値：１７．５ＭＰａ^1/2、沸点：２０５℃である。なお、本発明において、沸点は、特に断りのない限り、１気圧における標準沸点である。

有機溶媒ＡのＳＰ値としては、１２〜２５ＭＰａ^1/2であることが好ましく、１５〜２０ＭＰａ^1/2であることがより好ましく、１６〜１９ＭＰａ^1/2であることが更に好ましい。
また、有機溶媒の沸点としては、１５０℃〜２５０℃であることが好ましく、１８０℃２３０℃であることがより好ましく、１９５℃〜２１５℃であることが更に好ましい。

有機溶媒Ｂとしては、ハロゲン化炭化水素系溶媒、又は、エーテル系溶媒であることが好ましく、ハロゲン化芳香族炭化水素系溶媒、又は、芳香族エーテル系溶媒であることがより好ましく、ハロゲン化芳香族炭化水素系溶媒であることが更に好ましく、フッ素化芳香族炭化水素溶媒であることが特に好ましい。
有機溶媒Ｂとして、具体的には、ジクロロメタン、クロロホルム、テトラクロロメタン、ジクロロエタン、トリクロロエタン、テトラクロロエタン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、クロロトルエン、クロロナフタレン、フルオロナフタレン、ジフルオロナフタレン、ジブチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、アニソール、ｔｅｒｔ−ブチルアニソール、又は、２−メトキシナフタレンが好ましく挙げられ、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、クロロトルエン、フルオロナフタレン、ジフルオロナフタレン、アニソール、又は、２−メトキシナフタレンがより好ましく挙げられ、１，２−ジクロロベンゼン、１−フルオロナフタレン、又は、アニソールが更に好ましく挙げられ、１−フルオロナフタレンが特に好ましく挙げられる。
上記有機溶媒のうち、例えば、１，２−ジクロロベンゼンは、ＳＰ値：２０．５ＭＰａ^1/2、沸点：１８１℃であり、１−フルオロナフタレンは、ＳＰ値：２０．３ＭＰａ^1/2、沸点：２１５℃であり、アニソールは、ＳＰ値：１９．６ＭＰａ^1/2、沸点：１５４℃である。

有機溶媒ＢのＳＰ値としては、１４〜２７ＭＰａ^1/2であることが好ましく、１７〜２２ＭＰａ^1/2であることがより好ましく、１８〜２１ＭＰａ^1/2であることが更に好ましい。
また、有機溶媒の沸点としては、１５０℃〜２５０℃であることが好ましく、１８０℃〜２４０℃であることがより好ましく、２００℃〜２３０℃であることが更に好ましい。

有機溶媒Ａの沸点ｂｐ（Ａ）と有機溶媒Ｂの沸点ｂｐ（Ｂ）とは、ｂｐ（Ａ）＜ｂｐ（Ｂ）を満たすことが好ましい。上記範囲であると、得られる有機半導体の移動度により優れる。
本発明の有機半導体組成物における有機溶媒Ａの含有量は、有機溶媒Ｂの含有量１００体積％に対し、２０〜１００体積％であることが好ましく、４０〜８０体積％であることがより好ましい。上記範囲であると、得られる有機半導体の移動度により優れる。

本発明の有機半導体組成物における有機溶媒Ａ及び有機溶媒Ｂの総含有量としては、有機半導体組成物の全質量に対し、５０質量％以上であることが好ましく、８０質量％以上であることがより好ましく、９０〜９９．９質量％であることが更に好ましく、９５〜９９．９質量％であることが特に好ましい。
また、本発明の有機半導体組成物は、有機溶媒Ａ及び有機溶媒Ｂ以外の有機溶媒を含有していてもよいが、本発明の有機半導体組成物において、全有機溶媒に占める有機溶媒Ａ及び有機溶媒Ｂの割合は、９０〜１００質量％であることが好ましく、９５〜１００質量％であることがより好ましく、９８〜１００質量％であることが更に好ましく、１００質量％、すなわち、本発明の有機半導体組成物は、有機溶媒として、有機溶媒Ａ及び有機溶媒Ｂのみを含むことが特に好ましい。

本発明の有機半導体組成物の粘度は、特に制限されないが、塗布性がより優れる点で、３〜１００ｍＰａ・ｓが好ましく、５〜５０ｍＰａ・ｓがより好ましく、９〜４０ｍＰａ・ｓが更に好ましい。なお、本発明における粘度は、２５℃での粘度である。
粘度の測定方法としては、ＪＩＳ Ｚ８８０３に準拠した測定方法であることが好ましい。

＜界面活性剤＞
本発明の有機半導体組成物は、−Ｏ−ＳｉＲ^１Ｒ^２−で表される有機シロキサン部位を有する界面活性剤（以下、「特定界面活性剤」ともいう。）を含む。
ただし、Ｒ^１及びＲ^２はそれぞれ独立に、エーテル結合を含まない、一価の炭化水素基を表す。
上記一価の炭化水素基は、置換基を有していてもよい。
置換基としては、ハロゲン原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基が好ましく挙げられ、フッ素原子、アルキル基、アルケニル基、アリール基がより好ましく挙げられる。これら置換基は、上記置換基に更に結合してもよい。
上記一価の炭化水素基の炭素数は、１〜３２であることが好ましく、１〜２４であることがより好ましく、１〜１８であることが更に好ましい。
上記一価の炭化水素基としては、アルキル基、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、又は、アリール基が好ましく挙げられる。
また、特定界面活性剤中のＲ^１及びＲ^２の少なくとも１つは、直鎖状、分岐鎖状若しくは環状の炭素数２〜１８のアルキル基、又は、直鎖状、分岐鎖状若しくは環状の炭素数２〜１８のアルケニル基であることが好ましい。上記アルキル基及びアルケニル基は、置換基として、フッ素原子及び／又はアリール基を有していてもよい。また、Ｒ^１及びＲ^２の少なくとも１つは、直鎖状若しくは分岐鎖状の炭素数２〜１８のアルキル基、又は、直鎖状若しくは分岐鎖状の炭素数７〜１８のアラルキル基であることがより好ましい。
上記態様であると、得られる有機半導体の移動度及び経時安定性により優れる。

特定界面活性剤は、−Ｏ−ＳｉＲ^１Ｒ^２−で表される構成繰り返し単位を有するポリオルガノシロキサン化合物であることが好ましく、−Ｏ−ＳｉＲ^１Ｒ^２−で表される構成繰り返し単位を有する直鎖状ポリオルガノシロキサン化合物であることがより好ましい。また、各構成繰り返し単位におけるＲ^１及びＲ^２の少なくとも１つは、メチル基であることが好ましい。
また、特定界面活性剤としては、下記式Ｓで表される化合物であることが好ましい。

式Ｓ中、Ｒ^Ｓはそれぞれ独立に、エーテル結合を含まない、一価の炭化水素基を表し、ｓ１及びｓ２はそれぞれ独立に、任意の整数を表す。
また、式Ｓにおける−Ｏ−Ｓｉ（ＣＨ_３）_２−で表される構成繰り返し単位、及び、−Ｏ−Ｓｉ（ＣＨ_３）（Ｒ^Ｓ）−で表される構成繰り返し単位はそれぞれ、上記の順だけでなく、任意の順で結合してシリコーン鎖を形成することができ、上記２種の構成繰り返し単位が、ランダムに結合していても、ブロックを形成して結合していてもよい。
Ｒ^Ｓとしては、炭素数２〜３２のアルキル基、又は、炭素数７〜３２のアラルキル基であることが好ましく、炭素数８〜１８の直鎖アルキル基、又は、炭素数７〜１８のアラルキル基であることがより好ましく、炭素数１２〜１８の直鎖アルキル基、又は、−ＣＨ_２−ＣＨ（ＣＨ_３）−Ｃ_６Ｈ_５であることが更に好ましい。上記態様であると、得られる有機半導体の移動度及び経時安定性により優れる。

特定界面活性剤は、重量平均分子量（Ｍｗ）が１，０００以上の高分子界面活性剤であることが好ましく、重量平均分子量が１，０００〜５００，０００の高分子界面活性剤であることがより好ましく、重量平均分子量が１，００００〜１００，０００の高分子界面活性剤であることが更に好ましい。
特定界面活性剤としては、市販品を用いてもよい。
市販品としては、例えば、信越化学工業（株）製ＫＦ−４１０、ＫＦ−４１２、ＫＦ−９６、ＢＹＫ（株）製ＢＹＫ−３２０、ＢＹＫ−３２３、東レ・ダウコーニング（株）製ＤＯＷ ＣＯＲＮＩＮＧ ５６等が挙げられる。

特定界面活性剤は、１種単独で含有していても、２種以上を含有していてもよい。
本発明の有機半導体組成物における特定界面活性剤の含有量は、有機半導体の含有量１００質量部に対し、０．０１〜２０質量部であることが好ましく、０．１〜１０質量部であることがより好ましく、１〜１０質量部であること更に好ましい。上記態様であると、得られる有機半導体の移動度及び経時安定性により優れる。
また、本発明の有機半導体組成物における特定界面活性剤の含有量は、有機半導体組成物の全質量に対し、０．０００１〜２質量％であることが好ましく、０．０００５〜１質量％であることがより好ましく、０．００１〜０．１質量％であることが更に好ましい。

＜有機半導体＞
本発明の有機半導体組成物は、縮合多環芳香族基を有し、上記縮合多環芳香族基中の環数が４以上であり、上記縮合多環芳香族基中の少なくとも２つの環が、硫黄原子、窒素原子、セレン原子及び酸素原子よりなる群から選択された少なくとも１つの原子を含み、上記縮合多環芳香族基中の部分構造として、ベンゼン環、ナフタレン環及びフェナントレン環よりなる群から選択される少なくともいずれか１つの構造を含む有機半導体（以下、「特定有機半導体」ともいう。）を含有する。
ただし、特定有機半導体における縮合多環芳香族基中の部分構造には、アントラセン環は含まれない。上記部分構造にアントラセン環を含んだ場合、理由は不明であるが、得られる有機半導体膜の移動度及び経時安定性がともに劣化する。
なお、縮合多環芳香族基とは、芳香族環が複数縮合して得られる基である。
芳香族環としては、芳香族炭化水素環（例えば、ベンゼン環）及び芳香族複素環（例えば、チオフェン環、フラン環、ピロール環、セレノフェン環、イミダゾール環）が挙げられる。

特定有機半導体中には、縮合多環芳香族基（縮合多環芳香族構造）が含まれるが、この基が主成分として含まれることが好ましい。ここで主成分とは、縮合多環芳香族基の分子量の含有量が、特定有機半導体の全分子量に対して、３０％以上であることを意図し、４０％以上であることが好ましい。上限は特に制限されないが、溶解性の点から、８０％以下であることが好ましい。
縮合多環芳香族基は、複数の環が縮合して形成される環構造であり、芳香族性を示す。
特定有機半導体における縮合多環芳香族基中の環数は４以上であり、有機半導体としての移動度の観点から、４〜９が好ましく、４〜７がより好ましく、５又は６が更に好ましい。
また、上記縮合多環芳香族基中、少なくとも２つの環が、硫黄原子、窒素原子、セレン原子及び酸素原子よりなる群から選択された少なくとも１種の原子を含み、有機半導体としての移動度の観点から、２〜６つの環が上記原子を含むことが好ましく、２〜４つの環が上記原子を含むことがより好ましい。
また、有機半導体としての移動度の観点から、上記縮合多環芳香族基中に少なくとも２つの複素環が含まれ、上記複素環中にそれぞれ１個のヘテロ原子を有することが好ましい。ヘテロ原子の種類は特に制限されず、Ｏ原子（酸素原子）、Ｓ原子（硫黄原子）、Ｎ原子（窒素原子）、Ｓｅ原子（セレン原子）などが挙げられる。
特定有機半導体における縮合多環芳香族基中には、部分構造として、ベンゼン環、ナフタレン環及びフェナントレン環よりなる群から選択された少なくともいずれか１つの構造が含まれる。なお、上記部分構造としては、アントラセン環は含まれない。
また、特定有機半導体は、有機半導体としての移動度の観点から、チオフェン環構造及び／又はセレノフェン環構造を少なくとも有することが好ましく、チオフェン環構造を少なくとも有することがより好ましく、特定有機半導体が有する複素環構造が全てチオフェン環構造であることが更に好ましい。

上記縮合多環芳香族基としては、有機半導体としての移動度の観点から、部分構造として、ベンゼン環、ナフタレン環及びフェナントレン環よりなる群から選択されたいずれか少なくとも１つの構造を含み、２つ以上のチオフェン環を含み、環数が４つ以上の縮合多環芳香族基が好ましい。中でも、部分構造として、ベンゼン環を含み、２つ以上のチオフェン環とを含み、環数が４つ以上の縮合多環芳香族基がより好ましい。
また、上記縮合多環芳香族基としては、有機半導体としての移動度の観点から、上記縮合多環芳香族基中のチオフェン環の数は、３つ以上が好ましく、３〜５つがより好ましく、３〜４つが更に好ましく、３つが特に好ましい。
また、有機半導体としての移動度の観点から、上記縮合多環芳香族基中の環数は、４〜６つが好ましく、５〜６つがより好ましく、５つが更に好ましい。上記縮合多環芳香族基としては、２つのベンゼン環と、３つのチオフェン環とを含み、かつ、環数が５つである縮合多環芳香族基であることが特に好ましい。

更に、縮合多環芳香族基としては、硫黄原子、窒素原子、セレン原子及び酸素原子よりなる群から選択された少なくとも１種の原子を含む環（複素環。好ましくは、チオフェン環）と、ベンゼン環とが交互に縮合（縮環）した基（縮合してなる基）が好ましく挙げられる。

特定有機半導体としては、有機半導体としての移動度の観点から、式１〜式１６のいずれかで表される化合物を少なくとも１種含むことが好ましく、式１〜式１６のいずれかで表される１種以上の化合物であることがより好ましい。
本発明の組成物中には、１種のみの特定有機半導体が含まれていても、２種以上の特定有機半導体が含まれていてもよい。

式１中、Ａ^１ａ及びＡ^１ｂはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子又はＳｅ原子を表し、Ｒ^１ａ〜Ｒ^１ｆはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ^１ａ〜Ｒ^１ｆのうち少なくとも１つが下記式Ｗで表される基である。
−Ｌ^Ｗ−Ｒ^Ｗ （Ｗ）
式Ｗ中、Ｌ^Ｗは下記式Ｌ−１〜式Ｌ−２５のいずれかで表される二価の連結基又は２以上の下記式Ｌ−１〜Ｌ−２５のいずれかで表される二価の連結基が結合した二価の連結基を表し、Ｒ^Ｗはアルキル基、シアノ基、ビニル基、エチニル基、オキシエチレン基、オキシエチレン単位の繰り返し数ｖが２以上のオリゴオキシエチレン基、シロキサン基、ケイ素原子数が２以上のオリゴシロキサン基、又は、トリアルキルシリル基を表す。

式Ｌ−１〜式Ｌ−２５中、＊はＲとの結合位置を表し、波線部分はもう一方の結合位置を表し、式Ｌ−１、式Ｌ−２、式Ｌ−６及び式Ｌ−１３〜式Ｌ−２４におけるＲ’はそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、式Ｌ−２０及び式Ｌ−２４におけるＲ^Ｎは水素原子又は置換基を表し、式Ｌ−２５におけるＲ^ｓｉはそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルケニル基又はアルキニル基を表す。
式２中、Ｘ^２ａ及びＸ^２ｂはそれぞれ独立に、ＮＲ^２ｉ、Ｏ原子又はＳ原子を表し、Ａ^２ａはＣＲ^２ｇ又はＮ原子を表し、Ａ^２ｂはＣＲ^２ｈ又はＮ原子を表し、Ｒ^２ｉは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基又はアシル基を表し、Ｒ^２ａ〜Ｒ^２ｈはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ^２ａ〜Ｒ^２ｈのうち少なくとも１つが上記式Ｗで表される基である。
式３中、Ｘ^３ａ及びＸ^３ｂはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子又はＮＲ^３ｇを表し、Ａ^３ａ及びＡ^３ｂはそれぞれ独立に、ＣＲ^３ｈ又はＮ原子を表す。Ｒ^３ａ〜Ｒ^３ｈはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ^３ａ〜Ｒ^３ｈのうち少なくとも１つが上記式Ｗで表される基である。
式４中、Ｘ^４ａ及びＸ^４ｂはそれぞれ独立に、Ｏ原子、Ｓ原子又はＳｅ原子を表し、４ｐ及び４ｑはそれぞれ独立に、０〜２の整数を表し、Ｒ^４ａ〜Ｒ^４ｊ、Ｒ^４ｋ及びＲ^４ｍはそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子又は上記式Ｗで表される基を表し、かつ、Ｒ^４ａ〜Ｒ^４ｊ、Ｒ^４ｋ及びＲ^４ｍのうち少なくとも１つは上記式Ｗで表される基であり、ただし、Ｒ^４ｅ及びＲ^４ｆのうち少なくとも一方が上記式Ｗで表される基である場合はＲ^４ｅ及びＲ^４ｆが表す上記式ＷにおいてＬ^Ｗは上記式Ｌ−２又は式Ｌ−３で表される二価の連結基である。

式５中、Ｘ^５ａ及びＸ^５ｂはそれぞれ独立に、ＮＲ^５ｉ、Ｏ原子又はＳ原子を表し、Ａ^５ａはＣＲ^５ｇ又はＮ原子を表し、Ａ^５ｂはＣＲ^５ｈ又はＮ原子を表し、Ｒ^５ｉは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アシル基、アリール基又はヘテロアリール基を表し、Ｒ^５ａ〜Ｒ^５ｈはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ^５ａ〜Ｒ^５ｈのうち少なくとも１つが上記式Ｗで表される基である。
式６中、Ｘ^６ａ〜Ｘ^６ｄはそれぞれ独立に、ＮＲ^６ｇ、Ｏ原子又はＳ原子を表し、Ｒ^６ｇは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アシル基、アリール基又はヘテロアリール基を表し、Ｒ^６ａ〜Ｒ^６ｆはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ^６ａ〜Ｒ^６ｆのうち少なくとも１つが上記式Ｗで表される基である。
式７中、Ｘ^７ａ及びＸ^７ｃはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子、Ｓｅ原子又はＮＲ^７ｉを表し、Ｘ^７ｂ及びＸ^７ｄはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子又はＳｅ原子を表し、Ｒ^７ａ〜Ｒ^７ｉはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ^７ａ〜Ｒ^７ｉのうち少なくとも１つが上記式Ｗで表される基である。
式８中、Ｘ^８ａ及びＸ^８ｃはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子、Ｓｅ原子又はＮＲ^８ｉを表し、Ｘ^８ｂ及びＸ^８ｄはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子又はＳｅ原子を表し、Ｒ^８ａ〜Ｒ^８ｉはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ^８ａ〜Ｒ^８ｉのうち少なくとも１つが上記式Ｗで表される基である。

式９中、Ｘ^９ａ及びＸ^９ｂはそれぞれ独立に、Ｏ原子、Ｓ原子又はＳｅ原子を表し、Ｒ^９ｃ、Ｒ^９ｄ及びＲ^９ｇ〜Ｒ^９ｊはそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子又は上記式Ｗで表される基を表し、Ｒ^９ａ、Ｒ^９ｂ、Ｒ^９ｅ及びＲ^９ｆはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表す。
式１０中、Ｒ^１０ａ〜Ｒ^１０ｈはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ^１０ａ〜Ｒ^１０ｈのうち少なくとも１つは上記式Ｗで表される置換基を表し、Ｘ^１０ａ及びＸ^１０ｂはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子、Ｓｅ原子又はＮＲ^１０ｉを表し、Ｒ^１０ｉはそれぞれ独立に、水素原子又は上記式Ｗで表される基を表す。
式１１中、Ｘ^１１ａ及びＸ^１１ｂはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子、Ｓｅ原子又はＮＲ^１１ｎを表し、Ｒ^１１ａ〜Ｒ^１１ｋ、Ｒ^１１ｍ及びＲ^１１ｎはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ^１１ａ〜Ｒ^１１ｋ、Ｒ^１１ｍ及びＲ^１１ｎのうち少なくとも１つは上記式Ｗで表される基である。
式１２中、Ｘ^１２ａ及びＸ^１２ｂはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子、Ｓｅ原子又はＮＲ^１２ｎを表し、Ｒ^１２ａ〜Ｒ^１２ｋ、Ｒ^１２ｍ及びＲ^１２ｎはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ^１２ａ〜Ｒ^１２ｋ、Ｒ^１２ｍ及びＲ^１２ｎのうち少なくとも１つは上記式Ｗで表される基である。

式１３中、Ｘ^１３ａ及びＸ^１３ｂはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子、Ｓｅ原子又はＮＲ^１３ｎを表し、Ｒ^１３ａ〜Ｒ^１３ｋ、Ｒ^１３ｍ及びＲ^１３ｎはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ^１３ａ〜Ｒ^１３ｋ、Ｒ^１３ｍ及びＲ^１３ｎのうち少なくとも１つは上記式Ｗで表される基である。
式１４中、Ｘ^１４ａ〜Ｘ^１４ｃはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子、Ｓｅ原子又はＮＲ^１４ｉを表し、Ｒ^１４ａ〜Ｒ^１４ｉはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ^１４ａ〜Ｒ^１４ｉのうち少なくとも１つは上記式Ｗで表される基である。
式１５中、Ｘ^１５ａ〜Ｘ^１５ｄはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子、Ｓｅ原子又はＮＲ^１５ｇを表し、Ｒ^１５ａ〜Ｒ^１５ｇはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ^１５ａ〜Ｒ^１５ｇのうち少なくとも１つは上記式Ｗで表される基である。
式１６中、Ｘ^１６ａ〜Ｘ^１６ｄはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子、Ｓｅ原子又はＮＲ^１６ｇを表し、Ｒ^１６ａ〜Ｒ^１６ｇはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ^１６ａ〜Ｒ^１６ｇのうち少なくとも１つは上記式Ｗで表される基である。

−式１で表される化合物−

式１において、Ａ^１ａ及びＡ^１ｂはそれぞれ独立に、Ｓ原子（硫黄原子）、Ｏ原子（酸素原子）又はＳｅ原子（セレン原子）を表す。Ａ^１ａ及びＡ^１ｂはＳ原子又はＯ原子が好ましい。また、Ａ^１ａ及びＡ^１ｂは互いに同一であっても異なっていてもよいが、互いに同一であることが好ましい。
式１において、Ｒ^１ａ〜Ｒ^１ｆはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表す。ただし、Ｒ^１ａ〜Ｒ^１ｆのうち少なくとも１つが後述する式Ｗで表される基である。

式１で表される化合物は、後述する式Ｗで表される基以外のその他の置換基を有していてもよい。
式１のＲ^１ａ〜Ｒ^１ｆがとり得る置換基の種類は特に制限されないが、以下に説明する置換基Ｘが挙げられる。置換基Ｘとしては、後述する式Ｗで表される基、ハロゲン原子、アルキル基（シクロアルキル基、ビシクロアルキル基、トリシクロアルキル基を含む。）、アルケニル基（シクロアルケニル基、ビシクロアルケニル基を含む。）、アルキニル基、アリール基、複素環基（ヘテロ環基といってもよい。）、シアノ基、ヒドロキシ基、ニトロ基、カルボキシ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、シリルオキシ基、ヘテロ環オキシ基、アシルオキシ基、カルバモイルオキシ基、アルコキシカルボニルオキシ基、アリールオキシカルボニルオキシ基、アミノ基（アニリノ基を含む。）、アンモニオ基、アシルアミノ基、アミノカルボニルアミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリールオキシカルボニルアミノ基、スルファモイルアミノ基、アルキル及びアリールスルホニルアミノ基、メルカプト基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロ環チオ基、スルファモイル基、スルホ基、アルキル及びアリールスルフィニル基、アルキル及びアリールスルホニル基、アシル基、アリールオキシカルボニル基、アルコキシカルボニル基、カルバモイル基、アリール及びヘテロ環アゾ基、イミド基、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスフィニルオキシ基、ホスフィニルアミノ基、ホスホノ基、シリル基、ヒドラジノ基、ウレイド基、ボロン酸基（−Ｂ（ＯＨ）_２）、ホスファト基（−ＯＰＯ（ＯＨ）_２）、スルファト基（−ＯＳＯ_３Ｈ）、その他の公知の置換基が挙げられる。なお、本明細書の式１〜式１６においては、「置換基」としては、上記置換基Ｘが好ましく挙げられる。
これらの中でも、後述する式Ｗで表される基以外の基としては、ハロゲン原子、アルキル基、アルキニル基、アルケニル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基が好ましく、フッ素原子、炭素数１〜３の置換又は無置換のアルキル基、炭素数２〜３の置換又は無置換のアルキニル基、炭素数２〜３の置換又は無置換のアルケニル基、炭素数１〜２の置換若しくは無置換のアルコキシ基、置換又は無置換のメチルチオ基、フェニル基がより好ましく、フッ素原子、炭素数１〜３の置換又は無置換のアルキル基、炭素数２〜３の置換又は無置換のアルキニル基、炭素数２〜３の置換又は無置換のアルケニル基、炭素数１〜２の置換又は無置換のアルコキシ基、置換又は無置換のメチルチオ基が特に好ましい。

式１で表される化合物中において、Ｒ^１ａ〜Ｒ^１ｆのうち、式Ｗで表される基以外のその他の置換基の個数は０〜４であることが好ましく、０〜２であることがより好ましく、０であることが特に好ましい。
また、これら置換基は、更に上記置換基Ｘを有していてもよい。
中でも、Ｒ^１ｃ〜Ｒ^１ｆはそれぞれ独立に、水素原子、フッ素原子、炭素数１〜３の置換若しくは無置換のアルキル基、炭素数２〜３の置換若しくは無置換のアルキニル基、炭素数２〜３の置換若しくは無置換のアルケニル基、炭素数１〜２の置換若しくは無置換のアルコキシ基、又は、置換若しくは無置換のメチルチオ基であることが好ましい。

次に、式Ｗで表される基について説明する。
−Ｌ^Ｗ−Ｒ^Ｗ （Ｗ）
式Ｗ中、Ｌ^Ｗは下記式Ｌ−１〜式Ｌ−２５のいずれかで表される二価の連結基、又は、二以上の下記式Ｌ−１〜Ｌ−２５のいずれかで表される二価の連結基が結合した二価の連結基を表す。

式Ｌ−１〜式Ｌ−２５中、＊はＲ^Ｗとの結合位置を表し、波線部分はもう一方の結合位置を表す。より具体的には、例えば、式１で表される化合物においては、波線部分は式１で表される骨格を形成する環と結合する。なお、後述するように、式Ｗが他の化合物に含まれる場合、波線部分は各化合物の骨格を形成する環と結合する。
なお、Ｌ^Ｗが式Ｌ−１〜式Ｌ−２５のいずれかで表される二価の連結基が２つ以上結合した二価の連結基を表す場合、一方の連結基の＊が、他方の連結基の波線部分と結合する。
式Ｌ−１３〜式Ｌ−２４におけるＲ’の結合位置及びＲ^Ｗとの結合位置＊は、芳香環又は複素芳香環上の任意の位置をとることができる。
式Ｌ−１、式Ｌ−２、式Ｌ−６及び式Ｌ−１３〜式Ｌ−２４におけるＲ’はそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表す。式Ｌ−２０及び式Ｌ−２４におけるＲ^Ｎは水素原子又は置換基を表す。式Ｌ−２５におけるＲ^ｓｉはそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルケニル基又はアルキニル基を表す。
式Ｌ−１及び式Ｌ−２中のＲ’はそれぞれＬ^Ｗに隣接するＲ^Ｗと結合して縮合環を形成してもよい。

これらの中でも、式Ｌ−１７〜式Ｌ−２１、式Ｌ−２３及び式Ｌ−２４のいずれかで表される二価の連結基は、下記式Ｌ−１７Ａ〜式Ｌ−２１Ａ、式Ｌ−２３Ａ及び式Ｌ−２４Ａで表される二価の連結基であることがより好ましい。

ここで、置換又は無置換のアルキル基、オキシエチレン基、オキシエチレン単位の繰り返し数ｖが２以上のオリゴオキシエチレン基、シロキサン基、ケイ素原子数が２以上のオリゴシロキサン基、あるいは、置換又は無置換のトリアルキルシリル基が置換基の末端に存在する場合は、式Ｗにおける−Ｒ^Ｗ単独と解釈することもでき、式Ｗにおける−Ｌ^Ｗ−Ｒと^Ｗ解釈することもできる。
本発明では、主鎖が炭素数Ｎ個の置換又は無置換のアルキル基が置換基の末端に存在する場合は、置換基の末端から可能な限りの連結基を含めた上で式Ｗにおける−Ｌ^Ｗ−Ｒ^Ｗと解釈することとし、具体的には「式ＷにおけるＬ^Ｗに相当する式Ｌ−１で表される基１個」と「式ＷにおけるＲ^Ｗに相当する主鎖が炭素数Ｎ−１個の置換又は無置換のアルキル基」とが結合した置換基として解釈する。例えば、炭素数８のアルキル基であるｎ−オクチル基が置換基の末端に存在する場合、２個のＲ’が水素原子である式Ｌ−１で表される基１個と、炭素数７のｎ−ヘプチル基とが結合した置換基として解釈する。
一方、本発明では、オキシエチレン基、オキシエチレン単位の繰り返し数ｖが２以上のオリゴオキシエチレン基、シロキサン基、ケイ素原子数が２以上のオリゴシロキサン基、あるいは、置換又は無置換のトリアルキルシリル基が置換基の末端に存在する場合は、置換基の末端から可能な限りの連結基を含めた上で、式ＷにおけるＲ^Ｗ単独と解釈する。例えば、−（ＯＣＨ_２ＣＨ_２）−（ＯＣＨ_２ＣＨ_２）−（ＯＣＨ_２ＣＨ_２）−ＯＣＨ_３基が置換基の末端に存在する場合、オキシエチレン単位の繰り返し数ｖが３のオリゴオキシエチレン基単独の置換基として解釈する。

Ｌ^Ｗが式Ｌ−１〜式Ｌ−２５のいずれかで表される二価の連結基が結合した連結基を形成する場合、式Ｌ−１〜式Ｌ−２５のいずれかで表される２価の連結基の結合数は、２〜４であることが好ましく、２又は３であることがより好ましい。

式Ｌ−１、式Ｌ−２、式Ｌ−６及び式Ｌ−１３〜式Ｌ−２４中の置換基Ｒ’としては、上記の式１のＲ^１ａ〜Ｒ^１ｆがとり得る置換基として例示したものを挙げることができる。その中でも、式Ｌ−６中の置換基Ｒ’はアルキル基であることが好ましく、式Ｌ−６中のＲ’がアルキル基である場合は、アルキル基の炭素数は１〜９であることが好ましく、４〜９であることが化学的安定性、キャリア輸送性の観点からより好ましく、５〜９であることが更に好ましい。式Ｌ−６中のＲ’がアルキル基である場合は、アルキル基は直鎖アルキル基であることが、キャリア移動度を高めることができる観点から好ましい。
式Ｌ−２０及び式Ｌ−２４中のＲ^Ｎは水素原子又は置換基を表し、Ｒ^Ｎとしては、上記の式１のＲ^１ａ〜Ｒ^１ｆがとり得る置換基として例示したものを挙げることができる。その中でも、Ｒ^Ｎとしては、水素原子又はメチル基が好ましい。
式Ｌ−２５中のＲ^ｓｉはそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルケニル基又はアルキニル基を表し、アルキル基であることが好ましい。Ｒ^ｓｉがとり得るアルキル基としては、特に制限はないが、Ｒ^ｓｉがとり得るアルキル基の好ましい範囲は、Ｒがトリアルキルシリル基である場合にトリアルキルシリル基がとり得るアルキル基の好ましい範囲と同様である。Ｒ^ｓｉがとり得るアルケニル基としては、特に制限はないが、置換又は無置換のアルケニル基が好ましく、分枝アルケニル基であることがより好ましく、アルケニル基の炭素数は２〜３であることが好ましい。Ｒ^ｓｉがとり得るアルキニル基としては、特に制限はないが、置換又は無置換のアルキニル基が好ましく、分枝アルキニル基であることがより好ましく、アルキニル基の炭素数は２〜３であることが好ましい。

Ｌ^Ｗは、式Ｌ−１〜式Ｌ−５、式Ｌ−１３、式Ｌ−１７及び式Ｌ−１８のいずれかで表される二価の連結基、又は、式Ｌ−１〜式Ｌ−５、式Ｌ−１３、式Ｌ−１７及び式Ｌ−１８のいずれかで表される二価の連結基が２以上結合した二価の連結基であることが好ましく、式Ｌ−１、式Ｌ−３、式Ｌ−１３及び式Ｌ−１８のいずれかで表される二価の連結基、又は、式Ｌ−１、式Ｌ−３、式Ｌ−１３及び式Ｌ−１８のいずれかで表される二価の連結基が２以上結合した二価の連結基であることがより好ましく、式Ｌ−１、式Ｌ−３、式Ｌ−１３及び式Ｌ−１８のいずれかで表される二価の連結基、又は、式Ｌ−３、式Ｌ−１３及び式Ｌ−１８のいずれか１つで表される二価の連結基と式Ｌ−１で表される二価の連結基とを結合した二価の連結基であることが特に好ましい。
式Ｌ−３、式Ｌ−１３及び式Ｌ−１８のいずれか１つで表される二価の連結基と式Ｌ−１で表される二価の連結基が結合した二価の連結基は、式Ｌ−１で表される二価の連結基がＲ^Ｗ側に結合することが好ましい。
また、Ｌ^Ｗは、化学的安定性、キャリア輸送性の観点から式Ｌ−１で表される二価の連結基を含む二価の連結基であることが特に好ましく、式Ｌ−１で表される二価の連結基であることがより特に好ましく、Ｌ^Ｗが式Ｌ−１で表される二価の連結基であり、Ｒ^Ｗが置換又は無置換のアルキル基であることが最も好ましい。

式Ｗにおいて、Ｒ^Ｗは置換又は無置換のアルキル基、シアノ基、ビニル基、エチニル基、オキシエチレン基、オキシエチレン単位の繰り返し数ｖが２以上のオリゴオキシエチレン基、シロキサン基、ケイ素原子数が２以上のオリゴシロキサン基、又は、置換若しくは無置換のトリアルキルシリル基を表す。
式Ｗにおいて、Ｒ^Ｗに隣接するＬ^Ｗが式Ｌ−１で表される二価の連結基である場合は、Ｒ^Ｗは置換又は無置換のアルキル基、オキシエチレン基、オキシエチレン単位の繰り返し数が２以上のオリゴオキシエチレン基、シロキサン基、ケイ素原子数が２以上のオリゴシロキサン基であることが好ましく、置換又は無置換のアルキル基であることがより好ましい。
式Ｗにおいて、Ｒ^Ｗに隣接するＬ^Ｗが式Ｌ−２及び式Ｌ−４〜式Ｌ−２５のいずれかで表される二価の連結基である場合は、Ｒ^Ｗは置換又は無置換のアルキル基であることがより好ましい。
式Ｗにおいて、Ｒ^Ｗに隣接するＬ^Ｗが式Ｌ−３で表される二価の連結基である場合は、Ｒ^Ｗは置換若しくは無置換のアルキル基、又は、置換若しくは無置換のトリアルキルシリル基であることが好ましい。

Ｒ^Ｗが置換又は無置換のアルキル基の場合、炭素数は４〜１７であることが好ましく、６〜１４であることが化学的安定性、キャリア輸送性の観点からより好ましく、６〜１２であることが更に好ましい。Ｒが上記の範囲の長鎖アルキル基であること、特に長鎖の直鎖アルキル基であることが、分子の直線性が高まり、キャリア移動度を高めることができる観点から好ましい。
Ｒ^Ｗがアルキル基を表す場合、直鎖アルキル基でも、分枝アルキル基でも、環状アルキル基でもよいが、直鎖アルキル基であることが、分子の直線性が高まり、キャリア移動度を高めることができる観点から好ましい。
これらの中でも、式ＷにおけるＲ^ＷとＬ^Ｗの組み合わせとしては、式１中、Ｌ^Ｗが式Ｌ−１で表される二価の連結基であり、かつ、Ｒ^Ｗが直鎖の炭素数７〜１７のアルキル基であるか、あるいは、Ｌ^Ｗが式Ｌ−３、式Ｌ−１３及び式Ｌ−１８のいずれか１つで表される二価の連結基と式Ｌ−１で表される二価の連結基が結合した二価の連結基であり、かつ、Ｒ^Ｗが直鎖のアルキル基であることが、キャリア移動度を高める観点から好ましい。
Ｌ^Ｗが式Ｌ−１で表される二価の連結基であり、かつ、Ｒ^Ｗが直鎖の炭素数７〜１７のアルキル基である場合、Ｒ^Ｗが直鎖の炭素数７〜１４のアルキル基であることがキャリア移動度を高める観点からより好ましく、直鎖の炭素数７〜１２のアルキル基であることが特に好ましい。
Ｌ^Ｗが式Ｌ−３、式Ｌ−１３及び式Ｌ−１８のいずれか１つで表される二価の連結基と式Ｌ−１で表される二価の連結基が結合した二価の連結基であり、かつ、Ｒ^Ｗが直鎖のアルキル基である場合、Ｒ^Ｗが直鎖の炭素数４〜１７のアルキル基であることがより好ましく、直鎖の炭素数６〜１４のアルキル基であることが化学的安定性、キャリア輸送性の観点からより好ましく、直鎖の炭素数６〜１２のアルキル基であることがキャリア移動度を高める観点から特に好ましい。
一方、有機溶媒への溶解度を高める観点からは、Ｒ^Ｗが分枝アルキル基であることが好ましい。
Ｒ^Ｗが置換基を有するアルキル基である場合の置換基としては、ハロゲン原子などを挙げることができ、フッ素原子が好ましい。なお、Ｒ^Ｗがフッ素原子を有するアルキル基である場合はアルキル基の水素原子が全てフッ素原子で置換されてパーフルオロアルキル基を形成してもよい。ただし、Ｒ^Ｗは無置換のアルキル基であることが好ましい。

Ｒ^Ｗがオキシエチレン基の繰り返し数が２以上のオリゴオキシエチレン基の場合、Ｒが表す「オリゴオキシエチレン基」とは本明細書中、−（ＯＣＨ_２ＣＨ_２）_ｖ−ＯＹで表される基のことをいう（オキシエチレン単位の繰り返し数ｖは２以上の整数を表し、末端のＹは、水素原子又は置換基を表す。）。なお、オリゴオキシエチレン基の末端のＹが水素原子である場合はヒドロキシ基となる。オキシエチレン単位の繰り返し数ｖは、２〜４であることが好ましく、２〜３であることがより好ましい。
オリゴオキシエチレン基の末端のヒドロキシ基は封止されていること、すなわちＹが置換基を表すことが好ましい。この場合、ヒドロキシ基は、炭素数が１〜３のアルキル基で封止されること、すなわち、Ｙが炭素数１〜３のアルキル基であることが好ましく、Ｙがメチル基又はエチル基であることがより好ましく、メチル基であることが特に好ましい。

Ｒ^Ｗが、シロキサン基、又は、ケイ素原子数が２以上のオリゴシロキサン基の場合、シロキサン単位の繰り返し数は２〜４であることが好ましく、２〜３であることが更に好ましい。また、ケイ素原子（Ｓｉ原子）には、水素原子やアルキル基が結合することが好ましい。ケイ素原子にアルキル基が結合する場合、アルキル基の炭素数は１〜３であることが好ましく、例えば、メチル基やエチル基が結合することが好ましい。ケイ素原子には、同一のアルキル基が結合してもよく、異なるアルキル基又は水素原子が結合してもよい。また、オリゴシロキサン基を構成するシロキサン単位はすべて同一であっても異なっていてもよいが、すべて同一であることが好ましい。

Ｒ^Ｗに隣接するＬ^Ｗが式Ｌ−３で表される二価の連結基である場合、Ｒ^Ｗが置換又は無置換のトリアルキルシリル基であることも好ましい。Ｒ^Ｗが置換又は無置換のトリアルキルシリル基である場合はその中でも、シリル基の置換基としては、置換又は無置換のアルキル基であれば特に制限はないが、分枝アルキル基であることがより好ましい。ケイ素原子に結合するアルキル基の炭素数は１〜３であることが好ましく、例えば、メチル基やエチル基やイソプロピル基が結合することが好ましい。ケイ素原子には、同一のアルキル基が結合してもよく、異なるアルキル基が結合してもよい。Ｒ^Ｗがアルキル基上に更に置換基を有するトリアルキルシリル基である場合の置換基としては、特に制限はない。

式Ｗにおいて、Ｌ^Ｗ及びＲ^Ｗに含まれる炭素数の合計は５〜１８であることが好ましい。Ｌ^Ｗ及びＲ^Ｗに含まれる炭素数の合計が上記範囲の下限値以上であると、キャリア移動度が高くなり、駆動電圧を低くなる。Ｌ^Ｗ及びＲ^Ｗに含まれる炭素数の合計が上記範囲の上限値以下であると、有機溶媒に対する溶解性が高くなる。
Ｌ^Ｗ及びＲ^Ｗに含まれる炭素数の合計は、５〜１４であることが好ましく、６〜１４であることがより好ましく、６〜１２であることが更に好ましく、８〜１２であることが特に好ましい。

式１で表される化合物中において、Ｒ^１ａ〜Ｒ^１ｆのうち、式Ｗで表される基の個数は１〜４個であることが好ましく、１〜２個であることがより好ましく、２個であることが特に好ましい。

本発明では、式１において、Ｒ^１ａ及びＲ^１ｂのうち少なくとも１つが式Ｗで表される基であることが好ましい。式１における置換位置として、これらの位置が好ましいのは、化合物の化学的安定性に優れ、最高被占軌道（ＨＯＭＯ）準位、分子の膜中でのパッキングの観点からも好適であるためであると考えられる。特に、式１において、Ｒ^１ａ及びＲ^１ｂの２箇所を置換基とすることにより、高いキャリア濃度を得ることができる。
また、式１において、Ｒ^１ｃ〜Ｒ^１ｆがそれぞれ独立に、水素原子、フッ素原子、炭素数１〜３の置換若しくは無置換のアルキル基、炭素数２〜３の置換若しくは無置換のアルキニル基、炭素数２〜３の置換若しくは無置換のアルケニル基、炭素数１〜２の置換若しくは無置換のアルコキシ基、又は、置換若しくは無置換のメチルチオ基であることが好ましい。

−式２で表される化合物−

式２中、Ｘ^２ａ及びＸ^２ｂはそれぞれ独立に、ＮＲ^２ｉ（＞Ｎ−Ｒ^２ｉ）、Ｏ原子又はＳ原子を表す。Ｘ^２ａ及びＸ^２ｂはそれぞれ独立に、Ｏ原子又はＳ原子であることが合成容易性の観点から好ましい。一方、Ｘ^２ａ及びＸ^２ｂのうち少なくとも１つがＳ原子であることが、キャリア移動度を高める観点から好ましい。
Ｘ^２ａ及びＸ^２ｂは、同じ連結基であることが好ましい。Ｘ^２ａ及びＸ^２ｂはいずれもＳ原子であることがより好ましい。
Ｒ^２ｉは、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基又はアシル基を表し、水素原子又はアルキル基であることが好ましく、炭素数１〜１４のアルキル基であることがより好ましく、炭素数１〜４のアルキル基であることが特に好ましい。
Ｒ^２ｉがアルキル基を表す場合、直鎖アルキル基でも、分枝アルキル基でも、環状アルキル基でもよいが、直鎖アルキル基であることが、分子の直線性が高まり、キャリア移動度を高めることができる観点から好ましい。

式２中、Ａ^２ａは、ＣＲ^２ｇ又はＮ原子を表し、Ａ^２ｂは、ＣＲ^２ｈ又はＮ原子を表し、Ｒ^２ｇ及びＲ^２ｈはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表す。Ａ^２ａがＣＲ^２ｇであるか、Ａ^２ｂがＣＲ^２ｈであることが好ましく、Ａ^２ａがＣＲ^２ｇであり、かつＡ^２ｂがＣＲ^２ｈであることがより好ましい。Ａ^２ａ及びＡ^２ｂは、同じであっても互いに異なっていてもよいが、同じであることが好ましい。
式２において、Ｒ^２ｅとＲ^２ｇとは互いに結合して環を形成してもよく、互いに結合して環を形成しなくてもよいが、互いに結合して環を形成しない方が好ましい。
式２において、Ｒ^２ｆとＲ^２ｈとは互いに結合して環を形成してもよく、互いに結合して環を形成しなくてもよいが、互いに結合して環を形成しない方が好ましい。

式２中、Ｒ^２ａ〜Ｒ^２ｈはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、少なくとも１つは式Ｗで表される置換基を表す。
Ｒ^２ａ〜Ｒ^２ｈがそれぞれ独立に、とり得る置換基としては、上述した置換基Ｘが挙げられる。式Ｗで表される置換基の定義は、上述の通りである。
Ｒ^２ａ〜Ｒ^２ｈがそれぞれ独立に、とり得る置換基として、アルキル基、アリール基、アルケニル基、アルキニル基、複素環基、アルコキシ基、アルキルチオ基、式Ｗで表される置換基が好ましく、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数６〜２０のアリール基、炭素数２〜１２のアルケニル基、炭素数２〜１２のアルキニル基、炭素数１〜１１のアルコキシ基、炭素数５〜１２の複素環基、炭素数１〜１２のアルキルチオ基、式Ｗで表される基がより好ましく、後述の連結基鎖長が３．７Å以下の基及び式Ｗで表される基が特に好ましく、式Ｗで表される基がより特に好ましい。

式２で表される化合物中、Ｒ^２ａ〜Ｒ^２ｈのうち、式Ｗで表される基は１〜４個であることが、キャリア移動度を高め、有機溶媒への溶解性を高める観点から好ましく、１又は２個であることがより好ましく、２個であることが特に好ましい。
Ｒ^２ａ〜Ｒ^２ｈのうち、式Ｗで表される基の位置に特に制限はないが、Ｒ^２ｅ又はＲ^２ｆであることが、キャリア移動度を高め、有機溶媒への溶解性を高める観点から好ましい。

Ｒ^２ａ〜Ｒ^２ｈのうち、式Ｗで表される基以外の置換基は、０〜４個であることが好ましく、０〜２個であることがより好ましく、０又は１個であることが更に好ましく、０個であることが特に好ましい。

Ｒ^２ａ〜Ｒ^２ｈが式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基は、連結基鎖長が３．７Å（０．３７ｎｍ）以下の基であることが好ましく、連結基鎖長が１．０〜３．７Åの基であることがより好ましく、連結基鎖長が１．０〜２．１Åの基であることが更に好ましい。
ここで、連結基鎖長とはＣ（炭素原子）−Ｒ結合におけるＣ原子から置換基Ｒの末端までの長さのことを指す。構造最適化計算は、密度汎関数法（Ｇａｕｓｓｉａｎ０３（米ガウシアン社）／基底関数：６−３１Ｇ^＊、交換相関汎関数：Ｂ３ＬＹＰ／ＬＡＮＬ２ＤＺ）を用いて行うことができる。なお、代表的な置換基の分子長としては、プロピル基は４．６Å、ピロール基は４．６Å、プロピニル基は４．５Å、プロペニル基は４．６Å、エトキシ基は４．５Å、メチルチオ基は３．７Å、エテニル基は３．４Å、エチル基は３．５Å、エチニル基は３．６Å、メトキシ基は３．３Å、メチル基は２．１Å、水素原子は１．０Åである。

Ｒ^２ａ〜Ｒ^２ｈが式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基はそれぞれ独立に炭素数２以下の置換若しくは無置換のアルキル基、炭素数２以下の置換若しくは無置換のアルキニル基、炭素数２以下の置換若しくは無置換のアルケニル基、又は、炭素数２以下の置換若しくは無置換のアシル基であることが好ましく、炭素数２以下の置換若しくは無置換のアルキル基であることがより好ましい。
Ｒ^２ａ〜Ｒ^２ｈが式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基がそれぞれ独立に炭素数２以下の置換アルキル基を表す場合、アルキル基がとり得る置換基としては、シアノ基、フッ素原子、重水素原子などを挙げることができ、シアノ基が好ましい。式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基が表す炭素数２以下の置換又は無置換のアルキル基としては、メチル基、エチル基、シアノ基置換のメチル基が好ましく、メチル基又はシアノ基置換のメチル基がより好ましく、シアノ基置換のメチル基が特に好ましい。
Ｒ^２ａ〜Ｒ^２ｈが式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基がそれぞれ独立に炭素数２以下の置換アルキニル基を表す場合、アルキニル基がとり得る置換基としては、重水素原子などを挙げることができる。式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基が表す炭素数２以下の置換又は無置換のアルキニル基としては、エチニル基、重水素原子置換のアセチレン基を挙げることができ、エチニル基が好ましい。
Ｒ^２ａ〜Ｒ^２ｈが式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基がそれぞれ独立に炭素数２以下の置換アルケニル基を表す場合、アルケニル基がとり得る置換基としては、重水素原子などを挙げることができる。式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基が表す炭素数２以下の置換又は無置換のアルケニル基としては、エテニル基、重水素原子置換のエテニル基を挙げることができ、エテニル基が好ましい。
Ｒ^２ａ〜Ｒ^２ｈが式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基がそれぞれ独立に炭素数２以下の置換アシル基を表す場合、アシル基がとり得る置換基としては、フッ素原子などを挙げることができる。式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基が表す炭素数２以下の置換又は無置換のアシル基としては、ホルミル基、アセチル基、フッ素置換のアセチル基を挙げることができ、ホルミル基が好ましい。

−式３で表される化合物−

式３において、Ｒ^３ａ〜Ｒ^３ｆ並びに後述するＲ^３ｇ及びＲ^３ｈはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表す。ただし、Ｒ^３ａ〜Ｒ^３ｈのうち少なくとも１つは、式Ｗで表される基を表す。
Ｒ^３ａ〜Ｒ^３ｈで表される置換基としては、上記置換基Ｘが挙げられる。式Ｗで表される基の定義は、上述の通りである。
Ｒ^３ａ〜Ｒ^３ｆがそれぞれ独立にとり得る置換基として、アルキル基、アリール基、アルケニル基、アルキニル基、複素環基、アルコキシ基、アルキルチオ基、又は、式Ｗで表される置換基が好ましく、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数６〜２０のアリール基、炭素数２〜１２のアルケニル基、炭素数２〜１２のアルキニル基、炭素数１〜１１のアルコキシ基、炭素数５〜１２の複素環基、炭素数１〜１２のアルキルチオ基、又は、式Ｗで表される基がより好ましい。

式３において、Ｘ^３ａ及びＸ^３ｂはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子又はＮＲ^３ｇ（＞Ｎ−Ｒ^３ｇ）を表し、Ｒ^３ｇは水素原子又は置換基を表す。Ｘは、Ｓ原子、Ｏ原子が好ましい。式３において、Ｘ^３ａ及びＸ^３ｂは、同じであることが好ましい。
Ｒ^３ｇは、水素原子、アルキル基、又は、アリール基であることが好ましく、炭素数１〜１４のアルキル基であることがより好ましく、炭素数４〜１２のアルキル基であることが特に好ましい。Ｒ^３ｇが上記の範囲の長鎖アルキル基であること、特に長鎖の直鎖アルキル基であることが、分子の直線性が高まり、キャリア移動度を高めることができる観点から好ましい。
Ｒ^３ｇがアルキル基を表す場合、直鎖アルキル基でも、分枝アルキル基でも、環状アルキル基でもよいが、直鎖アルキル基であることが、分子の直線性が高まり、キャリア移動度を高めることができる観点から好ましい。

式３において、Ａ^３ａ及びＡ^３ｂはそれぞれ独立に、ＣＲ^３ｈ又はＮ原子を表し、ＣＲ^３ｈを表すことが好ましい。式３において、Ａ^３ａ及びＡ^３ｂは、同じであっても互いに異なっていてもよいが、同じであることが好ましい。
Ｒ^３ｈは連結基鎖長が３．７Å以下の基であることが好ましく、連結基鎖長が１．０〜３．７Åの基であることがより好ましく、連結基鎖長が１．０〜２．１Åの基であることが更に好ましい。連結基鎖長の定義は、上述の通りである。
Ｒ^３ｈは、水素原子、炭素数２以下の置換若しくは無置換のアルキル基、炭素数２以下の置換若しくは無置換のアルキニル基、炭素数２以下の置換若しくは無置換のアルケニル基、又は、炭素数２以下の置換若しくは無置換のアシル基であることが好ましく、水素原子、又は、炭素数２以下の置換若しくは無置換のアルキル基であることがより好ましく、水素原子であることが特に好ましい。
Ｒ^３ｈが炭素数２以下の置換アルキル基を表す場合、アルキル基がとり得る置換基としては、シアノ基、フッ素原子、重水素原子などを挙げることができ、シアノ基が好ましい。Ｒ^３ｈが表す炭素数２以下の置換又は無置換のアルキル基としては、メチル基、エチル基、又は、シアノ基置換のメチル基が好ましく、メチル基又はシアノ基置換のメチル基がより好ましく、シアノ基置換のメチル基が特に好ましい。
Ｒ^３ｈが炭素数２以下の置換アルキニル基を表す場合、アルキニル基がとり得る置換基としては、重水素原子などを挙げることができる。Ｒ^３ｈが表す炭素数２以下の置換又は無置換のアルキニル基としては、エチニル基、又は、重水素原子置換のアセチレン基を挙げることができ、エチニル基が好ましい。
Ｒ^３ｈが炭素数２以下の置換アルケニル基を表す場合、アルケニル基がとり得る置換基としては、重水素原子などを挙げることができる。Ｒ^３ｈが表す炭素数２以下の置換又は無置換のアルケニル基としては、エテニル基、又は、重水素原子置換のエテニル基を挙げることができ、エテニル基が好ましい。
Ｒ^３ｈが炭素数２以下の置換アシル基を表す場合、アシル基がとり得る置換基としては、フッ素原子などを挙げることができる。Ｒ^３ｈが表す炭素数２以下の置換又は無置換のアシル基としては、ホルミル基、アセチル基、又は、フッ素置換のアセチル基を挙げることができ、ホルミル基が好ましい。

−式４で表される化合物−

式４中、Ｘ^４ａ及びＸ^４ｂはそれぞれ独立に、Ｏ原子、Ｓ原子又はＳｅ原子を表す。
Ｘ^４ａ及びＸ^４ｂはそれぞれ独立に、Ｏ原子又はＳ原子であることが好ましく、Ｘ^４ａ及びＸ^４ｂのうち少なくとも１つがＳ原子であることが、キャリア移動度を高める観点からより好ましい。Ｘ^４ａ及びＸ^４ｂは、同じ連結基であることが好ましい。Ｘ^４ａ及びＸ^４ｂはいずれもＳ原子であることが特に好ましい。

式（４）中、４ｐ及び４ｑはそれぞれ独立に、０〜２の整数を表す。４ｐ及び４ｑがそれぞれ独立に、０又は１であることが移動度と溶解性を両立する観点から好ましく、４ｐ＝４ｑ＝０又は４ｐ＝４ｑ＝１であることがより好ましい。

式４中、Ｒ^４ａ〜Ｒ^４ｋ及びＲ^４ｍはそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、又は、式Ｗで表される基を表し、かつ、Ｒ^４ａ〜Ｒ^４ｋ及びＲ^４ｍのうち少なくとも一つは式Ｗで表される基であり、ただし、Ｒ^４ｅ及びＲ^４ｆのうち少なくとも一方が式Ｗで表される基である場合は、Ｒ^４ｅとＲ^４ｆとが表す式Ｗにおいて、Ｌ^Ｗは上記式Ｌ−２又は式Ｌ−３で表される二価の連結基である。なお、式Ｗで表される基の定義は、上述の通りである。

Ｒ^４ｅ及びＲ^４ｆのうち少なくとも一方が式Ｗで表される基である場合は、すなわちＲ^４ｅ及びＲ^４ｆのうちいずれか一方でも水素原子でもなくハロゲン原子でもない場合に相当する。
Ｒ^４ｅ及びＲ^４ｆのうち少なくとも一方が式Ｗで表される基である場合、Ｒ^４ｅ及びＲ^４ｆが表す式Ｗにおいて、Ｌ^Ｗは上記式Ｌ−３で表される二価の連結基であることが好ましい。
Ｒ^４ｅ及びＲ^４ｆのうち少なくとも一方が式Ｗで表される基である場合、Ｒ^４ｅ及びＲ^４ｆは、いずれも式Ｗで表される基であることが好ましい。
なお、Ｒ^４ｅ及びＲ^４ｆがともに水素原子又はハロゲン原子の場合、Ｒ^４ａ〜Ｒ^４ｄ、Ｒ^４ｇ〜Ｒ^４ｋ及びＲ^４ｍはそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子又は式Ｗで表される基であり、かつ、Ｒ^４ａ〜Ｒ^４ｄ、Ｒ^４ｇ〜Ｒ^４ｋ及びＲ^４ｍのうち少なくとも１つ以上は式Ｗで表される基となる。

式４中、Ｒ^４ａ〜Ｒ^４ｋ及びＲ^４ｍが表すハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子を挙げることができ、フッ素原子、塩素原子又は臭素原子であることが好ましく、フッ素原子又は塩素原子であることがより好ましく、フッ素原子であることが特に好ましい。

式４で表される化合物中、Ｒ^４ａ〜Ｒ^４ｋ及びＲ^４ｍのうち、ハロゲン原子は、０〜４個であることが好ましく、０〜２個であることがより好ましく、０又は１個であることが更に好ましく、０個であることが特に好ましい。

式４で表される化合物中、Ｒ^４ａ〜Ｒ^４ｋ及びＲ^４ｍのうち、式Ｗで表される基は、１〜４個であることが、キャリア移動度を高め、有機溶媒への溶解性を高める観点から好ましく、１又は２個であることがより好ましく、２個であることが特に好ましい。
Ｒ^４ａ〜Ｒ^４ｋ及びＲ^４ｍのうち、式Ｗで表される基の位置に特に制限はない。その中でも、本発明では、式４中、Ｒ^４ａ、Ｒ^４ｄ〜Ｒ^４ｇ、Ｒ^４ｊ、Ｒ^４ｋ及びＲ^４ｍがそれぞれ独立に、水素原子又はハロゲン原子であり、Ｒ^４ｂ、Ｒ^４ｃ、Ｒ^４ｈ及びＲ^４ｉがそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子又は式Ｗで表される基であり、かつ、Ｒ^４ｂ、Ｒ^４ｃ、Ｒ^４ｈ及びＲ^４ｉのうち少なくとも１つは式Ｗで表される基であることが、キャリア移動度を高め、有機溶媒への溶解性を高める観点から好ましい。
本発明では、Ｒ^４ａ、Ｒ^４ｃ〜Ｒ^４ｈ及びＲ^４ｊがそれぞれ独立に、水素原子又はハロゲン原子を表し、Ｒ^４ｂ及びＲ^４ｉがそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子又は式Ｗで表される基であり、かつ、少なくとも１つは式Ｗで表される基であることがより好ましい。
本発明では、Ｒ^４ｂ及びＲ^４ｉがともに式Ｗで表される基であり、かつＲ^４ｃ及びＲ^４ｈがともに水素原子又はハロゲン原子であるか、Ｒ^４ｃ及びＲ^４ｈがともに式Ｗで表される基であり、かつＲ^４ｂ及びＲ^４ｉがともに水素原子又はハロゲン原子であることが更に好ましい。
本発明では、Ｒ^４ｂ及びＲ^４ｉがともに式Ｗで表される基であり、かつＲ^４ｃ及びＲ^４ｈがともに水素原子又はハロゲン原子であるか、Ｒ^４ｃ及びＲ^４ｈがともに式Ｗで表される基であり、かつＲ^４ｂ及びＲ^４ｉがともに水素原子又はハロゲン原子であることが特に好ましい。
式４において、２以上のＲ^４ａ〜Ｒ^４ｋ及びＲ^４ｍは互いに結合して環を形成してもよく、互いに結合して環を形成しなくてもよいが、互いに結合して環を形成しない方が好ましい。

−式５で表される化合物−

式５中、Ｘ^５ａ及びＸ^５ｂはそれぞれ独立に、ＮＲ^５ｉ、Ｏ原子又はＳ原子を表す。Ｘ^５ａ及びＸ^５ｂはそれぞれ独立に、Ｏ原子又はＳ原子であることが合成容易性の観点から好ましい。一方、Ｘ^５ａ及びＸ^５ｂのうち少なくとも１つがＳ原子であることが、キャリア移動度を高める観点から好ましい。Ｘ^５ａ及びＸ^５ｂは、同じ連結基であることが好ましい。Ｘ^５ａ及びＸ^５ｂはいずれもＳ原子であることがより好ましい。
Ｒ^５ｉは、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アシル基、アリール基又はヘテロアリール基を表し、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基又はアシル基であることが好ましく、水素原子又はアルキル基であることがより好ましく、炭素数１〜１４のアルキル基であることが更に好ましく、炭素数１〜４のアルキル基であることが特に好ましい。
Ｒ^５ｉがアルキル基を表す場合、直鎖アルキル基でも、分枝アルキル基でも、環状アルキル基でもよいが、直鎖アルキル基であることが、分子の直線性が高まり、キャリア移動度を高めることができる観点から好ましい。

式５中、Ａ^５ａはＣＲ^５ｇ又はＮ原子を表し、Ａ^５ｂはＣＲ^５ｈ又はＮ原子を表し、Ｒ^５ｇ及びＲ^５ｈはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表す。Ａ^５ａがＣＲ^５ｇであるか、Ａ^５ｂがＣＲ^５ｈであることが好ましく、Ａ^５ａがＣＲ^５ｇかつＡ^５ｂがＣＲ^５ｈであることがより好ましい。Ａ^５ａ及びＡ^５ｂは、同じであっても互いに異なっていてもよいが、同じであることが好ましい。

式５において、Ｒ^５ｅとＲ^５ｇとは互いに結合して環を形成してもよく、互いに結合して環を形成しなくてもよいが、互いに結合して環を形成しない方が好ましい。
式５において、Ｒ^５ｅとＲ^５ｉとは互いに結合して環を形成してもよく、互いに結合して環を形成しなくてもよいが、互いに結合して環を形成しない方が好ましい。
式５において、Ｒ^５ｆとＲ^５ｈとは互いに結合して環を形成してもよく、互いに結合して環を形成しなくてもよいが、互いに結合して環を形成しない方が好ましい。
式５において、Ｒ^５ｆとＲ^５ｉとは互いに結合して環を形成してもよく、互いに結合して環を形成しなくてもよいが、互いに結合して環を形成しない方が好ましい。

式５中、Ｒ^５ａ〜Ｒ^５ｈはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ^５ａ〜Ｒ^５ｈのうち少なくとも１つが式Ｗで表される基である。
なお、Ｒ^５ａ〜Ｒ^５ｈで表される置換基としては、上述した置換基Ｘが挙げられる。また、式Ｗで表される基の定義は、上述の通りである。

式５で表される化合物中、Ｒ^５ａ〜Ｒ^５ｈのうち、式Ｗで表される基は、１〜４個であることが、キャリア移動度を高め、有機溶媒への溶解性を高める観点から好ましく、１又は２個であることがより好ましく、２個であることが特に好ましい。
Ｒ^５ａ〜Ｒ^５ｈのうち、式Ｗで表される基の位置に特に制限はないが、Ｒ^５ｅ又はＲ^５ｆであることが、キャリア移動度を高め、有機溶媒への溶解性を高める観点から好ましい。
Ｒ^５ａ〜Ｒ^５ｈのうち、式Ｗで表される基以外の置換基は、０〜４個であることが好ましく、０〜２個であることがより好ましく、０又は１個であることが特に好ましく、０個であることがより特に好ましい。

Ｒ^５ａ〜Ｒ^５ｈが式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基は、連結基鎖長が３．７Å以下の基であることが好ましく、連結基鎖長が１．０〜３．７Åの基であることがより好ましく、連結基鎖長が１．０〜２．１Åの基であることが更に好ましい。連結基鎖長の定義は、上述の通りである。
Ｒ^５ａ〜Ｒ^５ｈが式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基はそれぞれ独立に炭素数２以下の置換若しくは無置換のアルキル基、炭素数２以下の置換若しくは無置換のアルキニル基、炭素数２以下の置換若しくは無置換のアルケニル基、又は、炭素数２以下の置換若しくは無置換のアシル基であることが好ましく、炭素数２以下の置換又は無置換のアルキル基であることがより好ましい。
Ｒ^５ａ〜Ｒ^５ｈが式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基がそれぞれ独立に炭素数２以下の置換アルキル基を表す場合、アルキル基がとり得る置換基としては、シアノ基、フッ素原子、重水素原子などを挙げることができ、シアノ基が好ましい。式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基が表す炭素数２以下の置換又は無置換のアルキル基としては、メチル基、エチル基、又は、シアノ基置換のメチル基が好ましく、メチル基又はシアノ基置換のメチル基がより好ましく、シアノ基置換のメチル基が特に好ましい。
Ｒ^５ａ〜Ｒ^５ｈが式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基がそれぞれ独立に炭素数２以下の置換アルキニル基を表す場合、アルキニル基がとり得る置換基としては、重水素原子などを挙げることができる。式Ｗで表される置換基以外の置換基である場合の置換基が表す炭素数２以下の置換又は無置換のアルキニル基としては、エチニル基、又は、重水素原子置換のアセチレン基を挙げることができ、エチニル基が好ましい。
Ｒ^５ａ〜Ｒ^５ｈが式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基がそれぞれ独立に炭素数２以下の置換アルケニル基を表す場合、アルケニル基がとり得る置換基としては、重水素原子などを挙げることができる。式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基が表す炭素数２以下の置換又は無置換のアルケニル基としては、エテニル基、重水素原子置換のエテニル基を挙げることができ、エテニル基が好ましい。
Ｒ^５ａ〜Ｒ^５ｈが式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基がそれぞれ独立に炭素数２以下の置換アシル基を表す場合、アシル基がとり得る置換基としては、フッ素原子などを挙げることができる。式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基が表す炭素数２以下の置換又は無置換のアシル基としては、ホルミル基、アセチル基、又は、フッ素置換のアセチル基を挙げることができ、ホルミル基が好ましい。

−式６で表される化合物−

式６中、Ｘ^６ａ〜Ｘ^６ｄはそれぞれ独立に、ＮＲ^６ｇ、Ｏ原子又はＳ原子を表し、Ｒ^６ｇは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アシル基、アリール基又はヘテロアリール基を表す。
Ｘ^６ａ〜Ｘ^６ｄはそれぞれ独立に、Ｏ原子又はＳ原子であることが合成容易性の観点から好ましい。一方、Ｘ^６ａ〜Ｘ^６ｄのうち少なくとも１つがＳ原子であることが、キャリア移動度を高める観点から好ましい。Ｘ^６ａ〜Ｘ^６ｄは、同じ連結基であることが好ましい。Ｘ^６ａ〜Ｘ^６ｄはいずれもＳ原子であることがより好ましい。
Ｒ^６ｇは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アシル基、アリール基又はヘテロアリール基を表し、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基又はアシル基であることが好ましく、水素原子又はアルキル基であることがより好ましく、炭素数１〜１４のアルキル基であることが更に好ましく、炭素数１〜４のアルキル基であることが特に好ましい。
Ｒ^６ｇがアルキル基を表す場合、直鎖アルキル基でも、分枝アルキル基でも、環状アルキル基でもよいが、直鎖アルキル基であることが、分子の直線性が高まり、キャリア移動度を高めることができる観点から好ましい。

式６中、Ｒ^６ａ〜Ｒ^６ｆはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、少なくとも１つは式Ｗで表される基を表す。
なお、Ｒ^６ａ〜Ｒ^６ｆで表される置換基としては、上述した置換基Ｘが挙げられる。また、式Ｗで表される基の定義は、上述の通りである。
これらの中でも、Ｒ^６ａ〜Ｒ^６ｆがそれぞれ独立にとり得る置換基として、アルキル基、アリール基、アルケニル基、アルキニル基、複素環基、アルコキシ基、又は、アルキルチオ基、式Ｗで表される基が好ましく、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数６〜２０のアリール基、炭素数２〜１２のアルケニル基、炭素数２〜１２のアルキニル基、炭素数１〜１１のアルコキシ基、炭素数５〜１２の複素環基、炭素数１〜１２のアルキルチオ基、又は、式Ｗで表される基がより好ましく、後述の連結基鎖長が３．７Å以下の基、又は、式Ｗで表される基が更に好ましく、式Ｗで表される基が特に好ましい。

式６で表される化合物中、Ｒ^６ａ〜Ｒ^６ｆのうち、式Ｗで表される基は、１〜４個であることが、キャリア移動度を高め、有機溶媒への溶解性を高める観点から好ましく、１又は２個であることがより好ましく、２個であることが特に好ましい。
Ｒ^６ａ〜Ｒ^６ｆのうち、式Ｗで表される基の位置に特に制限はないが、Ｒ^６ｃ〜Ｒ^６ｆであることが好ましく、Ｒ^６ｅ又はＲ^６ｆであることが、キャリア移動度を高め、有機溶媒への溶解性を高める観点からより好ましい。

Ｒ^６ａ〜Ｒ^６ｆのうち、式Ｗで表される基以外の置換基は、０〜４個であることが好ましく、０〜２個であることがより好ましく、０又は１個であることが更に好ましく、０個であることが特に好ましい。
Ｒ^６ａ〜Ｒ^６ｆが式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基は、連結基鎖長が３．７Å以下の基であることが好ましく、連結基鎖長が１．０〜３．７Åの基であることがより好ましく、連結基鎖長が１．０〜２．１Åの基であることが更に好ましい。連結基鎖長の定義は、上述の通りである。
Ｒ^６ａ〜Ｒ^６ｆが式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基はそれぞれ独立に、素数２以下の置換若しくは無置換のアルキル基、炭素数２以下の置換若しくは無置換のアルキニル基、炭素数２以下の置換若しくは無置換のアルケニル基、又は、炭素数２以下の置換若しくは無置換のアシル基であることが好ましく、炭素数２以下の置換又は無置換のアルキル基であることがより好ましい。
Ｒ^６ａ〜Ｒ^６ｆが式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基がそれぞれ独立に炭素数２以下の置換アルキル基を表す場合、アルキル基がとり得る置換基としては、シアノ基、フッ素原子、重水素原子などを挙げることができ、シアノ基が好ましい。式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基が表す炭素数２以下の置換又は無置換のアルキル基としては、メチル基、エチル基、又は、シアノ基置換のメチル基が好ましく、メチル基又はシアノ基置換のメチル基がより好ましく、シアノ基置換のメチル基が特に好ましい。
Ｒ^６ａ〜Ｒ^６ｆが式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基がそれぞれ独立に炭素数２以下の置換アルキニル基を表す場合、アルキニル基がとり得る置換基としては、重水素原子などを挙げることができる。式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基が表す炭素数２以下の置換又は無置換のアルキニル基としては、エチニル基、重水素原子置換のアセチレン基を挙げることができ、エチニル基が好ましい。
Ｒ^６ａ〜Ｒ^６ｆが式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基がそれぞれ独立に炭素数２以下の置換アルケニル基を表す場合、アルケニル基がとり得る置換基としては、重水素原子などを挙げることができる。式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基が表す炭素数２以下の置換又は無置換のアルケニル基としては、エテニル基、重水素原子置換のエテニル基を挙げることができ、エテニル基が好ましい。
Ｒ^６ａ〜Ｒ^６ｆが式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基がそれぞれ独立に炭素数２以下の置換アシル基を表す場合、アシル基がとり得る置換基としては、フッ素原子などを挙げることができる。式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基が表す炭素数２以下の置換又は無置換のアシル基としては、ホルミル基、アセチル基、フッ素置換のアセチル基を挙げることができ、ホルミル基が好ましい。

−式７で表される化合物−

式７中、Ｘ^７ａ及びＸ^７ｃはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子、Ｓｅ原子又はＮＲ^７ｉ（＞Ｎ−Ｒ^７ｉ）を表し、Ｘ^７ｂ及びＸ^７ｄはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子又はＳｅ原子を表す。Ｘ^７ａ〜Ｘ^７ｄはそれぞれ独立に、Ｏ原子又はＳ原子であることが合成容易性の観点から好ましい。一方、Ｘ^７ａ〜Ｘ^７ｄのうち少なくとも１つがＳ原子であることが、キャリア移動度を高める観点から好ましい。Ｘ^７ａ〜Ｘ^７ｄは、同じ連結基であることが好ましい。Ｘ^７ａ〜Ｘ^７ｄはいずれもＳ原子であることがより好ましい。

式７中、Ｒ^７ａ〜Ｒ^７ｉはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ^７ａ〜Ｒ^７ｉのうち少なくとも１つが式Ｗで表される基である。
なお、Ｒ^７ａ〜Ｒ^７ｉで表される置換基としては、上述した置換基Ｘが挙げられる。また、式Ｗで表される基の定義は、上述の通りである。
なお、Ｒ^７ｉは、水素原子又はアルキル基であることが好ましく、炭素数５〜１２のアルキル基であることがより好ましく、炭素数８〜１０のアルキル基であることが特に好ましい。
Ｒ^７ｉがアルキル基を表す場合、直鎖のアルキル基でも、分枝アルキル基でも、環状アルキル基でもよいが、直鎖のアルキル基であることが、ＨＯＭＯ軌道の重なりの観点から好ましい。

式７で表される化合物中、Ｒ^７ａ〜Ｒ^７ｉのうち、式Ｗで表される置換基は、１〜４個であることが、キャリア移動度を高め、有機溶媒への溶解性を高める観点から好ましく、１又は２個であることがより好ましく、２個であることが特に好ましい。
Ｒ^７ａ〜Ｒ^７ｉのうち、式Ｗで表される基の位置に特に制限はないが、Ｒ^７ｄ又はＲ^７ｈであることが、キャリア移動度を高め、有機溶媒への溶解性を高める観点から好ましく、Ｒ^７ｄ及びＲ^７ｈがより好ましい。
式７のＲ^７ａ〜Ｒ^７ｉのうち、式Ｗで表される基以外の置換基は、０〜４個であることが好ましく、０〜２個であることがより好ましく、０又は１個であることが更に好ましく、０個であることが特に好ましい。
Ｒ^７ａ〜Ｒ^７ｉが式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基は、連結基鎖長が３．７Å以下の基であることが好ましく、連結基鎖長が１．０〜３．７Åの基であることがより好ましく、連結基鎖長が１．０〜２．１Åの基であることが更に好ましい。連結基鎖長の定義は、上述の通りである。
Ｒ^７ａ〜Ｒ^７ｉが式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基はそれぞれ独立に、炭素数２以下の置換若しくは無置換のアルキル基、炭素数２以下の置換若しくは無置換のアルキニル基、炭素数２以下の置換若しくは無置換のアルケニル基、又は、炭素数２以下の置換若しくは無置換のアシル基であることが好ましく、炭素数２以下の置換又は無置換のアルキル基であることがより好ましい。
Ｒ^７ａ〜Ｒ^７ｉが式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基がそれぞれ独立に炭素数２以下の置換アルキル基を表す場合、アルキル基がとり得る置換基としては、シアノ基、フッ素原子、重水素原子などを挙げることができ、シアノ基が好ましい。式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基が表す炭素数２以下の置換又は無置換のアルキル基としては、メチル基、エチル基、又は、シアノ基置換のメチル基が好ましく、メチル基又はシアノ基置換のメチル基がより好ましく、シアノ基置換のメチル基が特に好ましい。
Ｒ^７ａ〜Ｒ^７ｉが式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基がそれぞれ独立に炭素数２以下の置換アルキニル基を表す場合、アルキニル基がとり得る置換基としては、重水素原子などを挙げることができる。式Ｗで表される置換基以外の置換基である場合の置換基が表す炭素数２以下の置換又は無置換のアルキニル基としては、エチニル基、重水素原子置換のアセチレン基を挙げることができ、エチニル基が好ましい。
Ｒ^７ａ〜Ｒ^７ｉが式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基がそれぞれ独立に炭素数２以下の置換アルケニル基を表す場合、アルケニル基がとり得る置換基としては、重水素原子などを挙げることができる。式Ｗで表される置換基以外の置換基である場合の置換基が表す炭素数２以下の置換又は無置換のアルケニル基としては、エテニル基、重水素原子置換のエテニル基を挙げることができ、エテニル基が好ましい。
Ｒ^７ａ〜Ｒ^７ｉが式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基がそれぞれ独立に炭素数２以下の置換アシル基を表す場合、アシル基がとり得る置換基としては、フッ素原子などを挙げることができる。式Ｗで表される置換基以外の置換基である場合の置換基が表す炭素数２以下の置換又は無置換のアシル基としては、ホルミル基、アセチル基、フッ素置換のアセチル基を挙げることができ、ホルミル基が好ましい。

−式８で表される化合物−

式８中、Ｘ^８ａ及びＸ^８ｃはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子、Ｓｅ原子又はＮＲ^８ｉを表し、Ｘ^８ｂ及びＸ^８ｄはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子又はＳｅ原子を表す。Ｘ^８ａ〜Ｘ^８ｄはそれぞれ独立に、Ｏ原子又はＳ原子であることが合成容易性の観点から好ましい。一方、Ｘ^８ａ〜Ｘ^８ｄのうち少なくとも１つがＳ原子であることが、キャリア移動度を高める観点から好ましい。Ｘ^８ａ〜Ｘ^８ｄは、同じ連結基であることが好ましい。Ｘ^８ａ〜Ｘ^８ｄはいずれもＳ原子であることがより好ましい。

式８中、Ｒ^８ａ〜Ｒ^８ｉはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ^８ａ〜Ｒ^８ｉのうち少なくとも１つが式Ｗで表される基である。
なお、Ｒ^８ａ〜Ｒ^８ｉで表される置換基としては、上述した置換基Ｘが挙げられる。また、式Ｗで表される基の定義は、上述の通りである。
なお、Ｒ^８ｉは、水素原子又はアルキル基であることが好ましく、炭素数５〜１２のアルキル基であることがより好ましく、炭素数８〜１０のアルキル基であることが特に好ましい。
Ｒ^８ｉがアルキル基を表す場合、直鎖のアルキル基でも、分枝アルキル基でも、環状アルキル基でもよいが、直鎖のアルキル基であることが、ＨＯＭＯ軌道の重なりの観点から好ましい。

式８で表される化合物中、Ｒ^８ａ〜Ｒ^８ｉのうち、式Ｗで表される置換基は、１〜４個であることが、キャリア移動度を高め、有機溶媒への溶解性を高める観点から好ましく、１又は２個であることがより好ましく、２個であることが特に好ましい。
Ｒ^８ａ〜Ｒ^８ｉのうち、式Ｗで表される基の位置に特に制限はないが、Ｒ^８ｃ又はＲ^８ｇであることが、キャリア移動度を高め、有機溶媒への溶解性を高める観点から好ましく、Ｒ^８ｃ及びＲ^８ｇがより好ましい。
また、式８のＲ^８ａ〜Ｒ^８ｉのうち、式Ｗで表される基以外の置換基は、０〜４個であることが好ましく、０〜２個であることがより好ましく、０又は１個であることが更に好ましく、０個であることが特に好ましい。

Ｒ^８ａ〜Ｒ^８ｉが式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基は、連結基鎖長が３．７Å以下の基であることが好ましく、連結基鎖長が１．０〜３．７Åの基であることがより好ましく、連結基鎖長が１．０〜２．１Åの基であることが更に好ましい。連結基鎖長の定義は、上述の通りである。
Ｒ^８ａ〜Ｒ^８ｉが式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基はそれぞれ独立に、炭素数２以下の置換若しくは無置換のアルキル基、炭素数２以下の置換若しくは無置換のアルキニル基、炭素数２以下の置換若しくは無置換のアルケニル基、又は、炭素数２以下の置換若しくは無置換のアシル基であることが好ましく、炭素数２以下の置換又は無置換のアルキル基であることがより好ましい。
Ｒ^８ａ〜Ｒ^８ｉが式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基がそれぞれ独立に炭素数２以下の置換アルキル基を表す場合、アルキル基がとり得る置換基としては、シアノ基、フッ素原子、重水素原子などを挙げることができ、シアノ基が好ましい。式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基が表す炭素数２以下の置換又は無置換のアルキル基としては、メチル基、エチル基、又は、シアノ基置換のメチル基が好ましく、メチル基又はシアノ基置換のメチル基がより好ましく、シアノ基置換のメチル基が特に好ましい。
Ｒ^８ａ〜Ｒ^８ｉが式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基がそれぞれ独立に炭素数２以下の置換アルキニル基を表す場合、アルキニル基がとり得る置換基としては、重水素原子などを挙げることができる。式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基が表す炭素数２以下の置換又は無置換のアルキニル基としては、エチニル基、重水素原子置換のアセチレン基を挙げることができ、エチニル基が好ましい。
Ｒ^８ａ〜Ｒ^８ｉが式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基がそれぞれ独立に炭素数２以下の置換アルケニル基を表す場合、アルケニル基がとり得る置換基としては、重水素原子などを挙げることができる。式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基が表す炭素数２以下の置換又は無置換のアルケニル基としては、エテニル基、重水素原子置換のエテニル基を挙げることができ、エテニル基が好ましい。
Ｒ^８ａ〜Ｒ^８ｉが式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基がそれぞれ独立に炭素数２以下の置換アシル基を表す場合、アシル基がとり得る置換基としては、フッ素原子などを挙げることができる。式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基が表す炭素数２以下の置換又は無置換のアシル基としては、ホルミル基、アセチル基、フッ素置換のアセチル基を挙げることができ、ホルミル基が好ましい。

−式９で表される化合物−

式９中、Ｘ^９ａ及びＸ^９ｂはそれぞれ独立に、Ｏ原子、Ｓ原子又はＳｅ原子を表す。中でも、Ｓ原子が好ましい。
Ｒ^９ｃ、Ｒ^９ｄ及びＲ^９ｇ〜Ｒ^９ｊはそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子又は式Ｗで表される置換基を表す。式Ｗで表される基の定義は、上述の通りである。
Ｒ^９ａ、Ｒ^９ｂ、Ｒ^９ｅ及びＲ^９ｆは、それぞれ独立に、水素原子又は置換基を表す。なお、Ｒ^９ａ、Ｒ^９ｂ、Ｒ^９ｅ及びＲ^９ｆで表される置換基としては、上述した置換基Ｘが挙げられる。
なお、Ｒ^９ｃ、Ｒ^９ｄ及びＲ^９ｇ〜Ｒ^９ｊはそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子又は式Ｗで表される基（ただし、Ｌ^Ｗは式Ｌ−３、式Ｌ−５、式Ｌ−７〜式Ｌ−９、式Ｌ−１２〜式Ｌ−２４のいずれかで表される基である。）を表すことが好ましい。中でも、Ｒ^９ｃ、Ｒ^９ｄ及びＲ^９ｇ〜Ｒ^９ｊは、水素原子がより好ましい。
なお、Ｌ^Ｗとしては、式Ｌ−３、式Ｌ−５、式Ｌ−１３、式Ｌ−１７及び式Ｌ−１８のいずれかで表される基であることが好ましい。
Ｒ^９ａ〜Ｒ^９ｉのうち少なくとも１つは、式Ｗで表される基を表すことが好ましい。

式９で表される化合物中、Ｒ^９ａ〜Ｒ^９ｉのうち、式Ｗで表される置換基は、１〜４個であることが、キャリア移動度を高め、有機溶媒への溶解性を高める観点から好ましく、１又は２個であることがより好ましく、２個であることが特に好ましい。
Ｒ^９ａ〜Ｒ^９ｉのうち、式Ｗで表される基の位置に特に制限はないが、Ｒ^９ｂ又はＲ^９ｆであることが、キャリア移動度を高め、有機溶媒への溶解性を高める観点から好ましく、Ｒ^９ｂ及びＲ^９ｆがより好ましい。
また、式９のＲ^９ａ〜Ｒ^９ｉのうち、式Ｗで表される基以外の置換基は、０〜４個であることが好ましく、０〜２個であることがより好ましく、０又は１個であることが特に好ましく、０個であることがより特に好ましい。

−式１０で表される化合物−

式１０中、Ｒ^１０ａ〜Ｒ^１０ｈはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ^１０ａ〜Ｒ^１０ｈのうち少なくとも１つは式Ｗで表される基を表す。なお、Ｒ^１０ａ〜Ｒ^１０ｈで表される置換基としては、上述した置換基Ｘが挙げられる。また、式Ｗで表される置換基の定義は、上述の通りである。
中でも、Ｒ^１０ａ〜Ｒ^１０ｈはそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子又は置換基を表し、Ｒ^１０ａ〜Ｒ^１０ｈのうち少なくとも１つは、置換若しくは無置換のアリールチオ基、置換若しくは無置換のヘテロアリールチオ基、置換若しくは無置換のアルキルオキシカルボニル基、置換若しくは無置換のアリールオキシカルボニル基又は置換若しくは無置換のアルキルアミノ基であることが好ましい。
式１０のＲ^１０ａ〜Ｒ^１０ｈは、Ｒ^１０ｂ及びＲ^１０ｆのうち少なくとも１つが、置換若しくは無置換のアリールチオ基、置換若しくは無置換のヘテロアリールチオ基、置換若しくは無置換のアルキルオキシカルボニル基、置換若しくは無置換のアリールオキシカルボニル基又は置換若しくは無置換のアルキルアミノ基であることが好ましく、置換若しくは無置換のアリールチオ基、又は、置換若しくは無置換のヘテロアリールチオ基であることがより好ましく、Ｒ^１０ｂ及びＲ^１０ｆのいずれもが、置換若しくは無置換のアリールチオ基、又は、置換若しくは無置換のヘテロアリールチオ基であることが更に好ましく、置換若しくは無置換のフェニルチオ基又は下記群Ａから選ばれるヘテロアリールチオ基であることが特に好ましく、置換若しくは無置換のフェニルチオ基又は下記式Ａ−１７、式Ａ−１８、式Ａ−２０で表されるヘテロアリールチオ基であることが最も好ましい。

アリールチオ基としては、炭素数６〜２０のアリール基に硫黄原子が連結した基が好ましく、ナフチルチオ基又はフェニルチオ基がより好ましく、フェニルチオ基が特に好ましい。
ヘテロアリールチオ基としては、３〜１０員環のヘテロアリール基に硫黄原子が連結した基が好ましく、５又は６員環のヘテロアリール基に硫黄原子が連結した基がより好ましく、下記群Ａが特に好ましい。

群Ａ中、Ｒ”及びＲ”^Ｎはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表す。
群Ａ中、Ｒ’はそれぞれ独立に、水素原子又は式Ｗで表される基を表すことが好ましい。
群Ａ中、Ｒ”^Ｎは、置換基を表すことが好ましく、アルキル基、アリール基、又は、ヘテロアリール基がより好ましく、アルキル基、アルキル基で置換されたアリール基、又は、アルキル基で置換されたヘテロアリール基が更に好ましく、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜４のアルキル基で置換されたフェニル基、又は、炭素数１〜４のアルキル基で置換された５員のヘテロアリール基が特に好ましい。

アルキルオキシカルボニル基としては、炭素数１〜２０のアルキル基にカルボニル基が連結した基が好ましい。アルキル基の炭素数は、２〜１５がより好ましく、５〜１０が特に好ましい。

アリールオキシカルボニル基としては、炭素数６〜２０のアリール基にカルボニル基が連結した基が好ましい。アリール基の炭素数は、６〜１５がより好ましく、８〜１２が特に好ましい。

アルキルアミノ基としては、炭素数１〜２０のアルキル基にアミノ基が連結した基が好ましい。アルキル基の炭素数は、２〜１５がより好ましく、５〜１０が特に好ましい。
Ｒ^１０ａ〜Ｒ^１０ｈのうち、置換若しくは無置換のアリールチオ基、置換若しくは無置換のヘテロアリールチオ基、置換若しくは無置換のアルキルオキシカルボニル基、置換若しくは無置換のアリールオキシカルボニル基又は置換若しくは無置換のアルキルアミノ基以外の置換基（以下、他の置換基ともいう。）は、０〜４個であることが好ましく、０〜２個であることがより好ましく、０又は１個であることが特に好ましく、０個であることがより特に好ましい。

Ｘ^１０ａ及びＸ^１０ｂはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子、Ｓｅ原子又はＮＲ^ｘ（＞Ｎ−Ｒ^ｘ）を表す。Ｘ^１０ａ及びＸ^１０ｂのうち少なくとも１つがＳ原子であることが、キャリア移動度を高める観点から好ましい。Ｘ^１０ａ及びＸ^１０ｂは、同じ連結基であることが好ましい。Ｘ^１０ａ及びＸ^１０ｂは、いずれもＳ原子であることがより好ましい。
Ｒ^ｘはそれぞれ独立に、水素原子又は式Ｗで表される基を表す。式Ｗで表される基の定義は上述の通りである。

−式１１で表される化合物−

式１１中、Ｘ^１１ａ及びＸ^１１ｂはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子、Ｓｅ原子又はＮＲ^１１ｎを表し、Ｒ^１１ａ〜Ｒ^１１ｋ、Ｒ^１１ｍ及びＲ^１１ｎはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ^１１ａ〜Ｒ^１１ｋ、Ｒ^１１ｍ及びＲ^１１ｎのうち少なくとも１つは、式Ｗで表される基を表す。置換基としては、上述した置換基Ｘが挙げられる。式Ｗで表される置換基の定義は、上述の通りである。

式１１中、Ｘ^１１ａ及びＸ^１１ｂのうち少なくとも１つがＳ原子であることが、キャリア移動度を高める観点から好ましい。Ｘ^１１ａ及びＸ^１１ｂは、同じ連結基であることが好ましい。Ｘ^１１ａ及びＸ^１１ｂはいずれもＳ原子であることがより好ましい。
式１１のＲ^１１ａ〜Ｒ^１１ｋ及びＲ^１１ｍは、Ｒ^１１ｃ及びＲ^１１ｉのうち少なくとも１つが、置換若しくは無置換のアルキル基、置換若しくは無置換のアリールチオ基、置換若しくは無置換のヘテロアリールチオ基、置換若しくは無置換のアルキルオキシカルボニル基、置換若しくは無置換のアリールオキシカルボニル基又は置換若しくは無置換のアルキルアミノ基であることが好ましく、置換若しくは無置換のアルキル基であることがより好ましく、Ｒ^１１ｃ及びＲ^１１ｉのいずれもが、置換若しくは無置換のアルキル基であることが更に好ましい。

−式１２で表される化合物−

式１２中、Ｘ^１２ａ及びＸ^１２ｂはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子、Ｓｅ原子又はＮＲ^１２ｎを表し、Ｒ^１２ａ〜Ｒ^１２ｋ、Ｒ^１２ｍ及びＲ^１２ｎはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ^１２ａ〜Ｒ^１２ｋ、Ｒ^１２ｍ及びＲ^１２ｎのうち少なくとも１つは式Ｗで表される基を表す。置換基としては、上述した置換基Ｘが挙げられる。式Ｗで表される置換基の定義は、上述の通りである。

式１２中、Ｘ^１２ａ及びＸ^１２ｂのうち少なくとも１つがＳ原子であることが、キャリア移動度を高める観点から好ましい。Ｘ^１２ａ及びＸ^１２ｂは、同じ連結基であることが好ましい。Ｘ^１２ａ及びＸ^１２ｂはいずれもＳ原子であることがより好ましい。
式１２のＲ^１２ａ〜Ｒ^１２ｋ及びＲ^１２ｍは、Ｒ^１２ｃ及びＲ^１２ｉのうち少なくとも１つが、置換若しくは無置換のアルキル基、置換若しくは無置換のアリールチオ基、置換若しくは無置換のヘテロアリールチオ基、置換若しくは無置換のアルキルオキシカルボニル基、置換若しくは無置換のアリールオキシカルボニル基又は置換若しくは無置換のアルキルアミノ基であることが好ましく、置換若しくは無置換のアルキル基であることがより好ましく、Ｒ^１２ｃ及びＲ^１２ｉのいずれもが、置換又は無置換のアルキル基であることが更に好ましい。

−式１３で表される化合物−

式１３中、Ｘ^１３ａ及びＸ^１３ｂはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子、Ｓｅ原子又はＮＲ^１３ｎを表し、Ｒ^１３ａ〜Ｒ^１３ｋ、Ｒ^１３ｍ及びＲ^１３ｎはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ^１３ａ〜Ｒ^１３ｋ、Ｒ^１３ｍ及びＲ^１３ｎのうち少なくとも１つは、式Ｗで表される基を表す。置換基としては、上述した置換基Ｘが挙げられる。式Ｗで表される基の定義は、上述の通りである。

式１３中、Ｘ^１３ａ及びＸ^１３ｂのうち少なくとも１つがＳ原子であることが、キャリア移動度を高める観点から好ましい。Ｘ^１３ａ及びＸ^１３ｂは、同じ連結基であることが好ましい。Ｘ^１３ａ及びＸ^１３ｂはいずれもＳ原子であることがより好ましい。
式１３のＲ^１３ａ〜Ｒ^１３ｋ及びＲ^１３ｍは、Ｒ^１３ｃ及びＲ^１３ｉのうち少なくとも１つが、置換若しくは無置換のアルキル基、置換若しくは無置換のアリールチオ基、置換若しくは無置換のヘテロアリールチオ基、置換若しくは無置換のアルキルオキシカルボニル基、置換若しくは無置換のアリールオキシカルボニル基又は置換若しくは無置換のアルキルアミノ基であることが好ましく、置換若しくは無置換のアルキル基であることがより好ましく、Ｒ^１３ｃ及びＲ^１３ｉのいずれもが、置換若しくは無置換のアルキル基であることが更に好ましい。

−式１４で表される化合物−

式１４中、Ｘ^１４ａ〜Ｘ^１４ｃはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子、Ｓｅ原子又はＮＲ^１４ｉを表し、Ｒ^１４ａ〜Ｒ^１４ｉはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ^１４ａ〜Ｒ^１４ｉのうち少なくとも１つは、式Ｗで表される基を表す。置換基としては、上述した置換基Ｘが挙げられる。式Ｗで表される基の定義は、上述の通りである。
なお、Ｒ^１４ａ〜Ｒ^１４ｈの少なくとも１つが式Ｗで表される基であり、Ｒ^Ｗがアルキル基である場合には、Ｌ^Ｗは式Ｌ−２〜式Ｌ−２５のいずれかで表される基であることが好ましい。

式１４中、Ｘ^１４ａ〜Ｘ^１４ｃのうち少なくとも１つがＳ原子であることが、キャリア移動度を高める観点から好ましい。Ｘ^１４ａ〜Ｘ^１４ｃは、同じ連結基であることが好ましい。Ｘ^１４ａ〜Ｘ^１４ｃはいずれもＳ原子であることがより好ましい。
Ｒ^Ｗがアルキル基である場合のＬ^Ｗとしては、式Ｌ−２〜式Ｌ−５、式Ｌ−１３、式Ｌ−１７、又は、式Ｌ−１８のいずれかで表される基が好ましく、式Ｌ−３、式Ｌ−１３、又は、式Ｌ−１８のいずれかで表される基がより好ましい。
式１４のＲ^１４ａ〜Ｒ^１４ｈは、Ｒ^１４ｂ及びＲ^１４ｇのうち少なくとも１つが、式Ｗで表される基であることが好ましく、Ｒ^１４ｂ及びＲ^１４ｇのいずれもが、式Ｗで表される基であることがより好ましい。

−式１５で表される化合物−

式１５中、Ｘ^１５ａ〜Ｘ^１５ｄはそれぞれ独立にＳ原子、Ｏ原子、Ｓｅ原子又はＮＲ^１５ｇを表し、Ｒ^１５ａ〜Ｒ^１５ｇはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ^１５ａ〜Ｒ^１５ｇのうち少なくとも１つは、式Ｗで表される基を表す。置換基としては、上述した置換基Ｘが挙げられる。式Ｗで表される基の定義は、上述の通りである。

式１５中、Ｘ^１５ａ〜Ｘ^１５ｄのうち少なくとも１つがＳ原子であることが、キャリア移動度を高める観点から好ましい。Ｘ^１５ａ〜Ｘ^１５ｄは、同じ連結基であることが好ましい。Ｘ^１５ａ〜Ｘ^１５ｄはいずれもＳ原子であることがより好ましい。
式１５のＲ^１５ａ〜Ｒ^１５ｆは、Ｒ^１５ｂ及びＲ^１５ｅのうち少なくとも１つが、式Ｗで表される基であることが好ましく、Ｒ^１５ｂ及びＲ^１５ｅのいずれもが、式Ｗで表される基であることがより好ましい。

−式１６で表される化合物−

式１６中、Ｘ^１６ａ〜Ｘ^１６ｄはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子、Ｓｅ原子又はＮＲ^１６ｇを表す。Ｒ^１６ａ〜Ｒ^１６ｇはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ^１６ａ〜Ｒ^１６ｇのうち少なくとも１つは、式Ｗで表される基を表す。置換基としては、上述した置換基Ｘが挙げられる。式Ｗで表される基の定義は、上述の通りである。
なお、Ｒ^１６ｃ及びＲ^１６ｆは、水素原子、ハロゲン原子又は式Ｗで表される基（ただし、Ｌ^Ｗは、式Ｌ−３、式Ｌ−５、式Ｌ−７〜式Ｌ−９、式Ｌ−１２〜式Ｌ−２４のいずれかで表される基である。）であることが好ましい。Ｒ^１６ａ、Ｒ^１６ｂ、Ｒ^１６ｄ、Ｒ^１６ｅ及びＲ^１６ｇはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表すことが好ましい。
なお、式１６において、Ｌ^Ｗは、式Ｌ−３、式Ｌ−５、式Ｌ−７〜式Ｌ−９、式Ｌ−１２〜式Ｌ−２４のいずれかで表される基であり、Ｒ^１６ｃ及びＲ^１６ｆが式Ｗで表される基の場合、式Ｌ−３、式Ｌ−５、式Ｌ−１３、式Ｌ−１７、式Ｌ−１８のいずれかで表される基であることが好ましい。

式１６中、Ｘ^１６ａ〜Ｘ^１６ｄのうち少なくとも１つがＳ原子であることが、キャリア移動度を高める観点から好ましい。Ｘ^１６ａ〜Ｘ^１６ｄは、同じ連結基であることが好ましい。Ｘ^１６ａ〜Ｘ^１６ｄはいずれもＳ原子であることがより好ましい。
式１６のＲ^１６ａ〜Ｒ^１６ｆは、Ｒ^１６ａ及びＲ^１６ｄのうち少なくとも１つが、式Ｗで表される基であることが好ましく、Ｒ^１６ａ及びＲ^１６ｄのいずれもが、式Ｗで表される基であることがより好ましい。
また、Ｒ^１６ｃ及びＲ^１６ｆは、水素原子であることが好ましい。

特定有機半導体は、上記縮合多環芳香族基における縮合多環芳香環上に、アルキル基を有することが好ましく、炭素数６〜２０のアルキル基を有することがより好ましく、炭素数７〜１４のアルキル基を有することが更に好ましい。上記態様であると、得られる有機半導体の移動度及び経時安定性により優れる。
また、特定有機半導体は、上記縮合多環芳香族基における縮合多環芳香環上に、１つ以上のアルキル基を有することが好ましく、２〜４つのアルキル基を有することがより好ましく、２つのアルキル基を有することが更に好ましい。上記態様であると、得られる有機半導体の移動度及び経時安定性により優れる。

特定有機半導体の分子量は、特に制限されないが、分子量が３，０００以下であることが好ましく、２，０００以下であることがより好ましく、１，０００以下であることが更に好ましく、８５０以下であることが特に好ましい。分子量を上記上限値以下とすることにより、溶媒への溶解性を高めることができる。一方で、薄膜の膜質安定性の観点からは、分子量は３００以上であることが好ましく、３５０以上であることがより好ましく、４００以上であることが更に好ましい。

特定有機半導体の合成方法は、特に制限されず、公知の方法を参照して合成できる。上記式１〜式１６で表される化合物の合成方法としては、例えば、Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｍｅｒｉｃａｎ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｓｏｃｉｅｔｙ，１１６，９２５（１９９４）、Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｓｏｃｉｅｔｙ，２２１（１９５１）、Ｏｒｇ．Ｌｅｔｔ．，２００１，３，３４７１、Ｍａｃｒｏｍｏｌｅｃｕｌｅｓ，２０１０，４３，６２６４、Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ，２００２，５８，１０１９７、特表２０１２−５１３４５９号公報、特開２０１１−４６６８７号公報、Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｒｅｓｅａｒｃｈ．ｍｉｎｉｐｒｉｎｔ，３，６０１−６３５（１９９１）、Ｂｕｌｌ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．Ｊａｐａｎ，６４，３６８２−３６８６（１９９１）、Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ Ｌｅｔｔｅｒｓ，４５，２８０１−２８０３（２００４）、欧州特許公開第２２５１３４２号明細書、欧州特許公開第２３０１９２６号明細書、欧州特許公開第２３０１９２１号明細書、韓国特許公開第１０−２０１２−０１２０８８６号公報、Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．，２０１１，６９６、Ｏｒｇ．Ｌｅｔｔ．，２００１，３，３４７１、Ｍａｃｒｏｍｏｌｅｃｕｌｅｓ，２０１０，４３，６２６４、Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．，２０１３，７８，７７４１、Ｃｈｅｍ．Ｅｕｒ．Ｊ．，２０１３，１９，３７２１、Ｂｕｌｌ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．Ｊｐｎ．，１９８７，６０，４１８７、Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，２０１１，１３３，５０２４、Ｃｈｅｍ．Ｅｕｒ．Ｊ．，２０１３，１９，３７２１、Ｍａｃｒｏｍｏｌｅｃｕｌｅｓ，２０１０，４３，６２６４−６２６７、Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，２０１２，１３４，１６５４８−１６５５０などが挙げられる。

なお、有機半導体における移動度の観点から、特定有機半導体は、式１〜式９、式１４、及び、式１５のいずれかで表される化合物を少なくとも１種含むことが好ましい。

以下に特定有機半導体の好ましい具体例を示すが、これらに限定されないことは言うまでもない。

本発明の有機半導体組成物における特定有機半導体の含有量は、特に制限はないが、有機半導体組成物の全質量に対し、０．００５〜１０質量％であることが好ましく、０．０１〜５質量％であることがより好ましく、０．０５〜３質量％であることが更に好ましい。

＜バインダーポリマー＞
本発明の有機半導体組成物は、バインダーポリマーを更に含有することが好ましい。
また、後述する本発明の有機半導体素子は、上記有機半導体層とバインダーポリマーを含む層を有する有機半導体素子であってもよい。
バインダーポリマーの種類は特に制限されず、公知のバインダーポリマーを用いることができる。
バインダーポリマーとしては、ポリスチレン樹脂、アクリル樹脂、ゴム、熱可塑性エラストマー等が挙げられる。
中でも、バインダーポリマーとしては、ベンゼン環を有する高分子化合物（ベンゼン環基を有する単量体単位を有する高分子）が好ましい。ベンゼン環基を有する単量体単位の含有量は特に制限されないが、全単量体単位中、５０モル％以上が好ましく、７０モル％以上がより好ましく、９０モル％以上が更に好ましい。上限は特に制限されないが、１００モル％が挙げられる。
上記バインダーポリマーとしては、例えば、ポリスチレン、ポリ（α−メチルスチレン）、ポリビニルシンナメート、ポリ（４−ビニルフェニル）、ポリ（４−メチルスチレン）などが挙げられる。

バインダーポリマーの重量平均分子量は、特に制限されないが、１，０００〜２００万が好ましく、３，０００〜１５０万がより好ましく、１０万〜１００万が更に好ましい。
また、後述する溶媒を用いる場合、バインダーポリマーは、使用する溶媒への溶解度が、特定化合物よりも高いことが好ましい。上記態様であると、得られる有機半導体の移動度及び熱安定性により優れる。
本発明の有機半導体組成物におけるバインダーポリマーの含有量は、特定有機半導体の含有量１００質量部に対し、１〜２００質量部であることが好ましく、１０〜１５０質量部であることがより好ましく、２０〜１２０質量部であることが更に好ましい。上記範囲であると、得られる有機半導体の移動度及び経時安定性により優れる。

＜その他の成分＞
本発明の有機半導体組成物には、特定有機半導体、有機溶媒Ａ、有機溶媒Ｂ、特定界面活性剤及びバインダーポリマー以外に他の成分が含まれていてもよい。
その他の成分としては、公知の添加剤等を用いることができる。
本発明の有機半導体組成物における特定有機半導体、有機溶媒Ａ、有機溶媒Ｂ、特定界面活性剤及びバインダーポリマー以外の成分の含有量は、１０質量％以下であることが好ましく、５質量％以下であることが好ましく、１質量％以下であることが更に好ましく、０．１質量％以下であることが特に好ましい。上記範囲であると、膜形成性に優れ、得られる有機半導体の移動度及び経時安定性により優れる。

本発明の有機半導体組成物の製造方法は、特に制限されず、公知の方法を採用できる。例えば、有機溶媒Ａ、有機溶媒Ｂ又は有機溶媒Ａ及びＢの混合溶媒中に所定量の特定有機半導体、特定界面活性剤、及び、必要に応じて、残りの有機溶媒を同時又は逐次に添加して、適宜撹拌処理を施すことにより、所望の組成物を得ることができる。

（有機半導体膜及び有機半導体素子）
本発明の有機半導体膜は、本発明の有機半導体組成物より製造された有機半導体膜である。
本発明の有機半導体素子は、本発明の有機半導体組成物より形成された有機半導体を有する有機半導体素子である。
本発明の有機半導体組成物を用いて有機半導体膜や有機半導体素子を製造する方法は、特に制限されず、公知の方法を採用できる。例えば、組成物を所定の基材上に付与して、必要に応じて乾燥処理を施して、有機半導体膜を製造する方法が挙げられる。
基材上に組成物を付与する方法は特に制限されず、公知の方法を採用でき、例えば、インクジェット印刷法、フレキソ印刷法、バーコート法、スピンコート法、ナイフコート法、ドクターブレード法などが挙げられ、インクジェット印刷法、フレキソ印刷法が好ましい。
なお、フレキソ印刷法としては、フレキソ印刷版として感光性樹脂版を用いる態様が好適に挙げられる。態様によって、組成物を基板上に印刷して、パターンを容易に形成することができる。
中でも、本発明の有機半導体膜の製造方法、及び、本発明の有機半導体素子の製造方法は、本発明の有機半導体組成物を基板上に塗布する塗布工程、及び、塗布された組成物から有機溶媒Ａ及び有機溶媒Ｂを除去する除去工程を含むことが好ましい。

上記除去工程における乾燥処理は、必要に応じて実施される処理であり、使用される特定有機半導体及び有機溶媒の種類により適宜最適な条件が選択される。中でも、得られる有機半導体の移動度及び経時安定性により優れ、また、生産性に優れる点で、加熱温度としては３０℃〜１００℃が好ましく、４０℃〜８０℃がより好ましく、加熱時間としては１０〜３００分が好ましく、３０〜１８０分がより好ましい。

形成される有機半導体膜の膜厚は、特に制限されないが、得られる有機半導体の移動度及び経時安定性の観点から、１０〜５００ｎｍが好ましく、３０〜２００ｎｍがより好ましい。

本発明の組成物より製造される有機半導体膜は、有機半導体素子に好適に使用することができ、有機トランジスタ（有機薄膜トランジスタ）に特に好適に使用することができる。
有機半導体素子としては、特に制限はないが、２〜５端子の有機半導体素子であることが好ましく、２又は３端子の有機半導体素子であることがより好ましい。
また、有機半導体素子としては、光電機能を用いない素子であることが好ましい。
２端子素子としては、整流用ダイオード、定電圧ダイオード、ＰＩＮダイオード、ショットキーバリアダイオード、サージ保護用ダイオード、ダイアック、バリスタ、トンネルダイオード等が挙げられる。
３端子素子としては、バイポーラトランジスタ、ダーリントントランジスタ、電界効果トランジスタ、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ、ユニジャンクショントランジスタ、静電誘導トランジスタ、ゲートターンサイリスタ、トライアック、静電誘導サイリスタ等が挙げられる。
これらの中でも、整流用ダイオード、及び、トランジスタ類が好ましく挙げられ、電界効果トランジスタがより好ましく挙げられる。
電界効果トランジスタとしては、有機薄膜トランジスタが好ましく挙げられる。

本発明の有機薄膜トランジスタの一態様について図面を参照して説明する。
図１は、本発明の有機半導体素子（有機薄膜トランジスタ（ＴＦＴ））の一態様の断面模式図である。
図１において、有機薄膜トランジスタ１００は、基板１０と、基板１０上に配置されたゲート電極２０と、ゲート電極２０を覆うゲート絶縁膜３０と、ゲート絶縁膜３０のゲート電極２０側とは反対側の表面に接するソース電極４０及びドレイン電極４２と、ソース電極４０とドレイン電極４２との間のゲート絶縁膜３０の表面を覆う有機半導体膜５０と、各部材を覆う封止層６０とを備える。有機薄膜トランジスタ１００は、ボトムゲート−ボトムコンタクト型の有機薄膜トランジスタである。
なお、図１においては、有機半導体膜５０が、上述した組成物より形成される膜に該当する。
以下、基板、ゲート電極、ゲート絶縁膜、ソース電極、ドレイン電極、有機半導体膜及び封止層並びにそれぞれの形成方法について詳述する。

＜基板＞
基板は、後述するゲート電極、ソース電極、ドレイン電極などを支持する役割を果たす。
基板の種類は特に制限されず、例えば、プラスチック基板、ガラス基板、セラミック基板などが挙げられる。中でも、各デバイスへの適用性及びコストの観点から、ガラス基板又はプラスチック基板であることが好ましい。
プラスチック基板の材料としては、熱硬化性樹脂（例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂（例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）など）又は熱可塑性樹脂（例えば、フェノキシ樹脂、ポリエーテルスルフォン、ポリスルフォン、ポリフェニレンスルフォンなど）が挙げられる。
セラミック基板の材料としては、例えば、アルミナ、窒化アルミニウム、ジルコニア、シリコン、窒化シリコン、シリコンカーバイドなどが挙げられる。
ガラス基板の材料としては、例えば、ソーダガラス、カリガラス、ホウケイ酸ガラス、石英ガラス、アルミケイ酸ガラス、鉛ガラスなどが挙げられる。

＜ゲート電極、ソース電極、ドレイン電極＞
ゲート電極、ソース電極、ドレイン電極の材料としては、例えば、金（Ａｕ）、銀、アルミニウム（Ａｌ）、銅、クロム、ニッケル、コバルト、チタン、白金、タンタル、マグネシウム、カルシウム、バリウム、ナトリウム等の金属；ＩｎＯ_２、ＳｎＯ_２、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）等の導電性の酸化物；ポリアニリン、ポリピロール、ポリチオフェン、ポリアセチレン、ポリジアセチレン等の導電性高分子；シリコン、ゲルマニウム、ガリウム砒素等の半導体；フラーレン、カーボンナノチューブ、グラファイト等の炭素材料などが挙げられる。中でも、金属であることが好ましく、銀又はアルミニウムであることがより好ましい。
ゲート電極、ソース電極、ドレイン電極の厚みは特に制限されないが、２０〜２００ｎｍであることが好ましい。

ゲート電極、ソース電極、ドレイン電極を形成する方法は特に制限されないが、例えば、基板上に、電極材料を真空蒸着又はスパッタする方法、電極形成用組成物を塗布又は印刷する方法などが挙げられる。また、電極をパターニングする場合、パターニングする方法としては、例えば、フォトリソグラフィー法；インクジェット印刷、スクリーン印刷、オフセット印刷、凸版印刷等の印刷法；マスク蒸着法などが挙げられる。

＜ゲート絶縁膜＞
ゲート絶縁膜の材料としては、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレン、ポリビニルフェノール、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリエステル、ポリビニルアルコール、ポリ酢酸ビニル、ポリウレタン、ポリスルホン、ポリベンゾキサゾール、ポリシルセスキオキサン、エポキシ樹脂、フェノール樹脂等のポリマー；二酸化珪素、酸化アルミニウム、酸化チタン等の酸化物；窒化珪素等の窒化物などが挙げられる。これらの材料のうち、有機半導体膜との相性から、ポリマーであることが好ましい。
ゲート絶縁膜の材料としてポリマーを用いる場合、架橋剤（例えば、メラミン）を併用するのが好ましい。架橋剤を併用することで、ポリマーが架橋されて、形成されるゲート絶縁膜の耐久性が向上する。
ゲート絶縁膜の膜厚は特に制限されないが、１００〜１，０００ｎｍであることが好ましい。

ゲート絶縁膜を形成する方法は特に制限されないが、例えば、ゲート電極が形成された基板上に、ゲート絶縁膜形成用組成物を塗布する方法、ゲート絶縁膜材料を蒸着又はスパッタする方法などが挙げられる。ゲート絶縁膜形成用組成物を塗布する方法は特に制限されず、公知の方法（バーコート法、スピンコート法、ナイフコート法、ドクターブレード法）を使用することができる。
ゲート絶縁膜形成用組成物を塗布してゲート絶縁膜を形成する場合、溶媒除去、架橋などを目的として、塗布後に加熱（ベーク）してもよい。

＜有機半導体膜＞
本発明の有機半導体膜は、本発明の有機半導体組成物より形成された膜である。
有機半導体膜の形成方法は、特に制限されず、本発明の有機半導体組成物を、ソース電極、ドレイン電極、及び、ゲート絶縁膜上に付与して、必要に応じて乾燥処理を施すことにより、所望の有機半導体膜を形成することができる。

＜ポリマー層＞
本発明の有機半導体素子は、上記有機半導体を含む層と絶縁膜との間に上記ポリマー層を有することが好ましく、上記有機半導体とゲート絶縁膜との間に上記ポリマー層を有することがより好ましい。上記ポリマー層の膜厚は特に制限されないが、２０〜５００ｎｍであることが好ましい。上記ポリマー層は、上記ポリマーを含む層であればよいが、上記ポリマーからなる層であることが好ましい。

ポリマー層を形成する方法は特に制限されないが、公知の方法（バーコート法、スピンコート法、ナイフコート法、ドクターブレード法、インクジェット法）を使用することができる。
ポリマー層形成用組成物を塗布してポリマー層を形成する場合、溶媒除去、架橋などを目的として、塗布後に加熱（ベーク）してもよい。

＜封止層＞
本発明の有機半導体素子は、耐久性の観点から、最外層に封止層を備えるのが好ましい。封止層には公知の封止剤を用いることができる。
封止層の厚さは特に制限されないが、０．２〜１０μｍであることが好ましい。

封止層を形成する方法は特に制限されないが、例えば、ゲート電極とゲート絶縁膜とソース電極とドレイン電極と有機半導体膜とが形成された基板上に、封止層形成用組成物を塗布する方法などが挙げられる。封止層形成用組成物を塗布する方法の具体例は、ゲート絶縁膜形成用組成物を塗布する方法と同じである。封止層形成用組成物を塗布して有機半導体膜を形成する場合、溶媒除去、架橋などを目的として、塗布後に加熱（ベーク）してもよい。

また、図２は、本発明の有機半導体素子（有機薄膜トランジスタ）の別の一態様の断面模式図である。
図２において、有機薄膜トランジスタ２００は、基板１０と、基板１０上に配置されたゲート電極２０と、ゲート電極２０を覆うゲート絶縁膜３０と、ゲート絶縁膜３０上に配置された有機半導体膜５０と、有機半導体膜５０上に配置されたソース電極４０及びドレイン電極４２と、各部材を覆う封止層６０を備える。ここで、ソース電極４０及びドレイン電極４２は、上述した本発明の組成物を用いて形成されたものである。有機薄膜トランジスタ２００は、トップコンタクト型の有機薄膜トランジスタである。
基板、ゲート電極、ゲート絶縁膜、ソース電極、ドレイン電極、有機半導体膜及び封止層については、上述のとおりである。

上記では図１及び図２において、ボトムゲート−ボトムコンタクト型の有機薄膜トランジスタ、及び、ボトムゲート−トップコンタクト型の有機薄膜トランジスタの態様について詳述したが、本発明の組成物はトップゲート−ボトムコンタクト型の有機薄膜トランジスタ、及び、トップゲート−トップコンタクト型の有機薄膜トランジスタにも適用できる。
なお、上述した有機薄膜トランジスタは、電子ペーパー、ディスプレイデバイスなどに好適に使用できる。

以下に実施例を挙げて本発明を更に具体的に説明する。以下の実施例に示す材料、使用量、割合、処理内容、処理手順等は、本発明の趣旨を逸脱しない限り、適宜、変更することができる。したがって、本発明の範囲は以下に示す具体例に限定されるものではない。なお、特に断りのない限り、「部」、「％」は質量基準である。また、「ｗｔ％」は質量％を表す。

（実施例１〜２６、及び、比較例１〜６）
＜有機半導体組成物の調製＞
表１に記載の各成分の種類及び量に基づき、有機半導体と界面活性剤とを所定の混合溶媒に溶解させて、実施例１〜２６、及び、比較例１〜６の有機半導体組成物をそれぞれ調製した。

＜ＴＦＴ素子の形成＞
以下の要領で、ボトムゲート−ボトムコンタクトＴＦＴ素子を形成した。
ガラス基板（イーグルＸＧ：コーニング社製）上にゲート電極となるＡｌを蒸着した（厚み：８０ｎｍ）。その上にゲート絶縁膜用組成物（ポリビニルフェノール／メラミン＝１／１（ｗ／ｗ）のＰＧＭＥＡ（プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート）溶液（溶液濃度：２質量％））をスピンコートし、１５０℃で６０分間ベークを行い、ゲート絶縁膜を形成した。その上にＡｕをマスク蒸着し、チャネル長５０μｍ、チャネル幅２００μｍのソース電極及びドレイン電極を形成した。その上に半導体組成物をインクジェット法又はフレキソ印刷法により塗布して、有機半導体層を形成し、ボトムゲート−ボトムコンタクト型の有機半導体トランジスタ（有機薄膜トランジスタ）を得た。

＜有機半導体層：インクジェット法＞
作製した有機半導体組成物を、上記ソースドレイン電極を形成した基板上に、インクジェット法によりコートした。インクジェット装置としては、ＤＰＰ２８３１（富士フイルムグラフィックシステムズ（株）製）、１０ｐＬヘッドを用い、吐出周波数２Ｈｚ、ドット間ピッチ２０μｍでベタ膜を形成した。

＜有機半導体層：フレキソ印刷法＞
作製した有機半導体溶液を、上記ソースドレイン電極を形成した基板上に、フレキソ印刷法によりコートした。印刷装置として、フレキソ適性試験機Ｆ１（アイジーティ・テスティングシステムズ（株）製）を用い、フレキソ樹脂版として、ＡＦＰ ＤＳＨ１．７０％（旭化成（株）製）／ベタ画像を用いた。版と基板との間の圧は、６０Ｎ、搬送速度０．４ｍ／秒で印刷を行った後、そのまま、４０℃下で２時間乾燥することで、有機半導体層を作製した。

＜移動度測定＞
得られた有機薄膜トランジスタの各電極と、半導体パラメータ・アナライザ（４１５５Ｃ、Ａｇｉｌｅｎｔ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ社製）に接続されたマニュアルプローバの各端子とを接続して、電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）の評価を行った。具体的には、ドレイン電流−ゲート電圧（Ｉｄ−Ｖｇ）特性を測定することにより電界効果移動度（ｃｍ^２／Ｖ・ｓｅｃ）を算出した。移動度の値に応じて、Ａ〜Ｅのランク付けを行った。
Ａ：０．１ｃｍ^２／Ｖｓ以上
Ｂ：０．０５ｃｍ^２／Ｖｓ以上、０．１ｃｍ^２／Ｖｓ未満
Ｃ：０．０１ｃｍ^２／Ｖｓ以上、０．０５ｃｍ^２／Ｖｓ未満
Ｄ：０．００５ｃｍ^２／Ｖｓ以上、０．０１ｃｍ^２／Ｖｓ未満
Ｅ：０．００５ｃｍ^２／Ｖｓ未満

＜経時安定性＞
移動度を測定した素子を１週間後に再び評価し、移動度の維持率に応じて、Ａ〜Ｅのランク付けを行った。
Ａ：維持率８０％以上
Ｂ：維持率６０％以上８０％未満
Ｃ：維持率４０％以上６０％未満
Ｄ：維持率２０％以上４０％未満
Ｅ：維持率２０％未満

＜ＳＰ値＞
ハンセン溶解度パラメーター：A User’s Handbook, Second Edition, C. M. Hansen (2007), Taylor and Francis Group, LLC（ＨＳＰｉＰマニュアル）で解説された式によるハンセン溶解度パラメーターであり、「実践ハンセン溶解度パラメーターＨＳＰｉＰ第３版」（ソフトウエアーバージョン４．０．０５）を用いて、下記式にてＳＰ値（単位：ＭＰａ^1/2）を算出した値を用いた。
（ＳＰ値）²＝（δＨ_ｄ）²＋（δＨ_ｐ）²＋（δＨ_ｈ）²
Ｈ_ｄ：分散寄与
Ｈ_ｐ：極性寄与
Ｈ_ｈ：水素結合寄与

表１及び下記表２におけるＳＰ値、及び、ΔＳＰの単位は、ＭＰａ^1/2である。
表１に記載の各成分の詳細は、以下の通りである。

ｃｉｓ−デカリン（Ｄ０００９、東京化成工業（株）製）
アミルベンゼン（Ａ０４４９、東京化成工業（株）製）
テトラリン（Ｔ０１０７、東京化成工業（株）製）
アニソール（Ａ０４９２、東京化成工業（株）製）
１−フルオロナフタレン（Ｆ０２１２、東京化成工業（株）製）
１，２−ジクロロベンゼン（Ｄ１１１６、東京化成工業（株）製）

ＫＦ−４１０：Ｒ^１及びＲ^２の一部がメチルスチリル基（−ＣＨ_２−ＣＨ（ＣＨ_３）−Ｃ_６Ｈ_５）である−Ｏ−ＳｉＲ^１Ｒ^２−で表される有機シロキサン部位を含有する界面活性剤、信越化学工業（株）製
ＫＦ−４１２：Ｒ^１及びＲ^２の一部が長鎖アルキル基である−Ｏ−ＳｉＲ^１Ｒ^２−で表される有機シロキサン部位を含有する界面活性剤、信越化学工業（株）製
ＫＦ−９６−１００ｃｓ：Ｒ^１及びＲ^２がメチル基である−Ｏ−ＳｉＲ^１Ｒ^２−で表される有機シロキサン部位を含有する界面活性剤、信越化学工業（株）製、Ｍｗ＝５，０００〜６，０００
ＫＦ−３５３：ポリエーテル変性界面活性剤、−Ｏ−ＳｉＲ^１Ｒ^２−で表される有機シロキサン部位を含有し、かつＲ^１又はＲ^２にエーテル結合を有する界面活性剤、信越化学工業（株）製
実施例で使用したＯＳＣ−１〜１７は、上述したＯＳＣ−１〜１７とそれぞれ同じ化合物である。

上記有機半導体（ＯＳＣ−１〜１８）の合成方法又は製造元は、以下の通りである。
なお、ＯＳＣ−１は、Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｍｅｒｉｃａｎ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｓｏｃｉｅｔｙ， １１６， ９２５（１９９４）、Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｓｏｃｉｅｔｙ， ２２１（１９５１）などを参考にして合成した。
ＯＳＣ−２は、公知文献（Ｏｒｇ．Ｌｅｔｔ．，２００１，３，３４７１、Ｍａｃｒｏｍｏｌｅｃｕｌｅｓ，２０１０，４３，６２６４、Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ，２００２，５８，１０１９７）を参考に合成した。
ＯＳＣ−３は、特表２０１２−５１３４５９号公報、特開２０１１−４６６８７号公報、Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｒｅｓｅａｒｃｈ．ｍｉｎｉｐｒｉｎｔ，３，６０１−６３５（１９９１）、Ｂｕｌｌ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．Ｊａｐａｎ，６４，３６８２−３６８６（１９９１）、Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ Ｌｅｔｔｅｒｓ，４５，２８０１−２８０３（２００４）などを参考にして合成した。
ＯＳＣ−４は、欧州特許公開第２２５１３４２号明細書、欧州特許公開第２３０１９２６号明細書、欧州特許公開第２３０１９２１号明細書、韓国特許公開第１０−２０１２−０１２０８８６号公報などを参考にして合成した。
ＯＳＣ−５は、公知文献（Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．，２０１１，６９６、Ｏｒｇ．Ｌｅｔｔ．，２００１，３，３４７１、Ｍａｃｒｏｍｏｌｅｃｕｌｅｓ，２０１０，４３，６２６４、Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．，２０１３，７８，７７４１、Ｃｈｅｍ．Ｅｕｒ．Ｊ．，２０１３，１９，３７２１）を参考にして合成した。
ＯＳＣ−６は、公知文献（Ｂｕｌｌ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．Ｊａｐａｎ，１９８７，６０，４１８７、Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，２０１１，１３３，５０２４、Ｃｈｅｍ．Ｅｕｒ．Ｊ．２０１３，１９，３７２１）を参考にして合成した。
ＯＳＣ−７及び８は、公知文献（Ｍａｃｒｏｍｏｌｅｃｕｌｅｓ，２０１０，４３，６２６４−６２６７、Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，２０１２，１３４，１６５４８−１６５５０）を参考にして合成した。

ＯＳＣ−９は、文献Ａ（Ｋ．Ｍｕｅｌｌｅｎ，Ｃｈｅｍ．Ｃｏｍｍｕｎ．，２００８，１５４８−１５５０．）、文献Ｂ（Ｋ．Ｔａｋｉｍｉｙａ，Ｏｒｇ．Ｌｅｔｔ．，２００７，９，４４９９‐４５０２．）、文献Ｃ（Ｒａｏ；Ｔｉｌａｋ，Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｓｃｉｅｎｔｉｆｉｃ ａｎｄ Ｉｎｄｕｓｔｒｉａｌ Ｒｅｓｅａｒｃｈ，１９５８，ｖｏｌ．１７ Ｂ，ｐ．２６０−２６５．）、文献Ｄ（Ｇｈａｉｓａｓ；Ｔｉｌａｋ，Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｓｃｉｅｎｔｉｆｉｃ ａｎｄ Ｉｎｄｕｓｔｒｉａｌ Ｒｅｓｅａｒｃｈ，１９５５，ｖｏｌ．１４ Ｂ，ｐ．１１.）を参考にして合成した。
ＯＳＣ−１０〜１３は、公知文献（Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｍｅｒｉｃａｎ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｓｏｃｉｅｔｙ， １２９， １５７３２ （２００７））を参考にして合成した。
ＯＳＣ−１４は、国際公開第２００５／０８７７８０号に記載された方法に準じて合成を行った。
ＯＳＣ−１５は、特開２００９−１９０９９９号公報に記載された方法に準じて合成を行った。
ＯＳＣ−１６は、特開２０１２−２０６９５３号公報に記載された方法に準じて合成を行った。
ＯＳＣ−１７としては、Ｃ８ＢＴＢＴ（シグマアルドリッチ社製）を用いた。
ＯＳＣ−１８としては、５，１１−ビス（トリエチルシリルエチニル）アントラジチオフェン（シグマアルドリッチ社製）を用いた。

１０：基板、２０：ゲート電極、３０：ゲート絶縁膜、４０：ソース電極、４２：ドレイン電極、５０：有機半導体膜、６０：封止層、１００、２００：有機薄膜トランジスタ

Claims (12)

1. 縮合多環芳香族基を有し、前記縮合多環芳香族基中の環数が４以上であり、前記縮合多環芳香族基中の少なくとも２つの環が、硫黄原子、窒素原子、セレン原子及び酸素原子よりなる群から選択された少なくとも１つの原子を含み、前記縮合多環芳香族基中の部分構造として、ベンゼン環、ナフタレン環及びフェナントレン環よりなる群から選択された少なくとも１つの構造を有する有機半導体と、
   有機溶媒Ａと、
   有機溶媒Ｂと、
   −Ｏ−ＳｉＲ^１Ｒ^２−で表される有機シロキサン部位を有する界面活性剤と、を含み、
   有機溶媒ＡのＳＰ値をＳＰ（Ａ）、有機溶媒ＢのＳＰ値をＳＰ（Ｂ）とした場合、ＳＰ（Ｂ）−ＳＰ（Ａ）≧２ＭＰａ^1/2を満たすことを特徴とする
   有機半導体組成物。
   ただし、Ｒ^１及びＲ^２はそれぞれ独立に、エーテル結合を含まない、一価の炭化水素基を表す。
2. 前記Ｒ^１及びＲ^２の少なくとも１つが、直鎖状、分岐鎖状若しくは環状の炭素数２〜１８のアルキル基、又は、直鎖状、分岐鎖状若しくは環状の炭素数２〜１８のアルケニル基である、請求項１に記載の有機半導体組成物。
3. 前記界面活性剤の含有量が、前記有機半導体の含有量１００質量部に対し、０．１〜１０質量部である、請求項１又は２に記載の有機半導体組成物。
4. 前記有機溶媒Ａの含有量が、前記有機溶媒Ｂの含有量１００体積％に対し、２０〜１００体積％である、請求項１〜３のいずれか１項に記載の有機半導体組成物。
5. 前記有機溶媒Ａの沸点ｂｐ（Ａ）と前記有機溶媒Ｂの沸点ｂｐ（Ｂ）とが、ｂｐ（Ａ）＜ｂｐ（Ｂ）を満たす、請求項１〜４のいずれか１項に記載の有機半導体組成物。
6. 前記有機半導体が、式１〜式１６のいずれかで表される化合物を少なくとも１種含む、請求項１〜５のいずれか１項に記載の有機半導体組成物。
   

   

   

   

   

   式１中、Ａ^１ａ及びＡ^１ｂはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子又はＳｅ原子を表し、Ｒ^１ａ〜Ｒ^１ｆはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ^１ａ〜Ｒ^１ｆのうち少なくとも１つが下記式Ｗで表される基である。
   −Ｌ^Ｗ−Ｒ^Ｗ （Ｗ）
   式Ｗ中、Ｌ^Ｗは下記式Ｌ−１〜式Ｌ−２５のいずれかで表される二価の連結基又は２以上の下記式Ｌ−１〜Ｌ−２５のいずれかで表される二価の連結基が結合した二価の連結基を表し、Ｒ^Ｗはアルキル基、シアノ基、ビニル基、エチニル基、オキシエチレン基、オキシエチレン単位の繰り返し数ｖが２以上のオリゴオキシエチレン基、シロキサン基、ケイ素原子数が２以上のオリゴシロキサン基、又は、トリアルキルシリル基を表す。
   

   

   式Ｌ−１〜式Ｌ−２５中、＊はＲ^Ｗとの結合位置を表し、波線部分はもう一方の結合位置を表し、式Ｌ−１、式Ｌ−２、式Ｌ−６及び式Ｌ−１３〜式Ｌ−２４におけるＲ’はそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、式Ｌ−２０及び式Ｌ−２４におけるＲ^Ｎは水素原子又は置換基を表し、式Ｌ−２５におけるＲ^ｓｉはそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルケニル基又はアルキニル基を表す。
   式２中、Ｘ^２ａ及びＸ^２ｂはそれぞれ独立に、ＮＲ^２ｉ、Ｏ原子又はＳ原子を表し、Ａ^２ａはＣＲ^２ｇ又はＮ原子を表し、Ａ^２ｂはＣＲ^２ｈ又はＮ原子を表し、Ｒ^２ｉは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基又はアシル基を表し、Ｒ^２ａ〜Ｒ^２ｈはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ^２ａ〜Ｒ^２ｈのうち少なくとも１つが前記式Ｗで表される基である。
   式３中、Ｘ^３ａ及びＸ^３ｂはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子又はＮＲ^３ｇを表し、Ａ^３ａ及びＡ^３ｂはそれぞれ独立に、ＣＲ^３ｈ又はＮ原子を表す。Ｒ^３ａ〜Ｒ^３ｈはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ^３ａ〜Ｒ^３ｈのうち少なくとも１つが前記式Ｗで表される基である。
   式４中、Ｘ^４ａ及びＸ^４ｂはそれぞれ独立に、Ｏ原子、Ｓ原子又はＳｅ原子を表し、４ｐ及び４ｑはそれぞれ独立に、０〜２の整数を表し、Ｒ^４ａ〜Ｒ^４ｊ、Ｒ^４ｋ及びＲ^４ｍはそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子又は前記式Ｗで表される基を表し、かつ、Ｒ^４ａ〜Ｒ^４ｊ、Ｒ^４ｋ及びＲ^４ｍのうち少なくとも１つは前記式Ｗで表される基であり、ただし、Ｒ^４ｅ及びＲ^４ｆのうち少なくとも一方が前記式Ｗで表される基である場合はＲ^４ｅ及びＲ^４ｆが表す前記式ＷにおいてＬ^Ｗは前記式Ｌ−２又は式Ｌ−３で表される二価の連結基である。
   式５中、Ｘ^５ａ及びＸ^５ｂはそれぞれ独立に、ＮＲ^５ｉ、Ｏ原子又はＳ原子を表し、Ａ^５ａはＣＲ^５ｇ又はＮ原子を表し、Ａ^５ｂはＣＲ^５ｈ又はＮ原子を表し、Ｒ^５ｉは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アシル基、アリール基又はヘテロアリール基を表し、Ｒ^５ａ〜Ｒ^５ｈはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ^５ａ〜Ｒ^５ｈのうち少なくとも１つが前記式Ｗで表される基である。
   式６中、Ｘ^６ａ〜Ｘ^６ｄはそれぞれ独立に、ＮＲ^６ｇ、Ｏ原子又はＳ原子を表し、Ｒ^６ｇは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アシル基、アリール基又はヘテロアリール基を表し、Ｒ^６ａ〜Ｒ^６ｆはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ^６ａ〜Ｒ^６ｆのうち少なくとも１つが前記式Ｗで表される基である。
   式７中、Ｘ^７ａ及びＸ^７ｃはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子、Ｓｅ原子又はＮＲ^７ｉを表し、Ｘ^７ｂ及びＸ^７ｄはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子又はＳｅ原子を表し、Ｒ^７ａ〜Ｒ^７ｉはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ^７ａ〜Ｒ^７ｉのうち少なくとも１つが前記式Ｗで表される基である。
   式８中、Ｘ^８ａ及びＸ^８ｃはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子、Ｓｅ原子又はＮＲ^８ｉを表し、Ｘ^８ｂ及びＸ^８ｄはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子又はＳｅ原子を表し、Ｒ^８ａ〜Ｒ^８ｉはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ^８ａ〜Ｒ^８ｉのうち少なくとも１つが前記式Ｗで表される基である。
   式９中、Ｘ^９ａ及びＸ^９ｂはそれぞれ独立に、Ｏ原子、Ｓ原子又はＳｅ原子を表し、Ｒ^９ｃ、Ｒ^９ｄ及びＲ^９ｇ〜Ｒ^９ｊはそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子又は前記式Ｗで表される基を表し、Ｒ^９ａ、Ｒ^９ｂ、Ｒ^９ｅ及びＲ^９ｆはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表す。
   式１０中、Ｒ^１０ａ〜Ｒ^１０ｈはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ^１０ａ〜Ｒ^１０ｈのうち少なくとも１つは前記式Ｗで表される置換基を表し、Ｘ^１０ａ及びＸ^１０ｂはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子、Ｓｅ原子又はＮＲ^１０ｉを表し、Ｒ^１０ｉはそれぞれ独立に、水素原子又は前記式Ｗで表される基を表す。
   式１１中、Ｘ^１１ａ及びＸ^１１ｂはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子、Ｓｅ原子又はＮＲ^１１ｎを表し、Ｒ^１１ａ〜Ｒ^１１ｋ、Ｒ^１１ｍ及びＲ^１１ｎはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ^１１ａ〜Ｒ^１１ｋ、Ｒ^１１ｍ及びＲ^１１ｎのうち少なくとも１つは前記式Ｗで表される基である。
   式１２中、Ｘ^１２ａ及びＸ^１２ｂはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子、Ｓｅ原子又はＮＲ^１２ｎを表し、Ｒ^１２ａ〜Ｒ^１２ｋ、Ｒ^１２ｍ及びＲ^１２ｎはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ^１２ａ〜Ｒ^１２ｋ、Ｒ^１２ｍ及びＲ^１２ｎのうち少なくとも１つは前記式Ｗで表される基である。
   式１３中、Ｘ^１３ａ及びＸ^１３ｂはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子、Ｓｅ原子又はＮＲ^１３ｎを表し、Ｒ^１３ａ〜Ｒ^１３ｋ、Ｒ^１３ｍ及びＲ^１３ｎはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ^１３ａ〜Ｒ^１３ｋ、Ｒ^１３ｍ及びＲ^１３ｎのうち少なくとも１つは前記式Ｗで表される基である。
   式１４中、Ｘ^１４ａ〜Ｘ^１４ｃはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子、Ｓｅ原子又はＮＲ^１４ｉを表し、Ｒ^１４ａ〜Ｒ^１４ｉはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ^１４ａ〜Ｒ^１４ｉのうち少なくとも１つは前記式Ｗで表される基である。
   式１５中、Ｘ^１５ａ〜Ｘ^１５ｄはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子、Ｓｅ原子又はＮＲ^１５ｇを表し、Ｒ^１５ａ〜Ｒ^１５ｇはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ^１５ａ〜Ｒ^１５ｇのうち少なくとも１つは前記式Ｗで表される基である。
   式１６中、Ｘ^１６ａ〜Ｘ^１６ｄはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子、Ｓｅ原子又はＮＲ^１６ｇを表し、Ｒ^１６ａ〜Ｒ^１６ｇはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ^１６ａ〜Ｒ^１６ｇのうち少なくとも１つは前記式Ｗで表される基である。
7. 前記有機溶媒Ａが、ヘキサン、オクタン、ノナン、デカン、プロピルシクロヘキサン、トルエン、キシレン、メシチレン、エチルベンゼン、デカリン、テトラリン、又は、アミルベンゼンである、請求項１〜６のいずれか１項に記載の有機半導体組成物。
8. 前記有機溶媒Ａが、ｃｉｓ−デカリン、テトラリン、又は、アミルベンゼンである、請求項１〜７のいずれか１項に記載の有機半導体組成物。
9. 前記有機溶媒Ｂが、ジクロロメタン、クロロホルム、テトラクロロメタン、ジクロロエタン、トリクロロエタン、テトラクロロエタン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、クロロトルエン、クロロナフタレン、フルオロナフタレン、ジフルオロナフタレン、ジブチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、アニソール、ｔｅｒｔ−ブチルアニソール、又は、２−メトキシナフタレンである、請求項１〜８のいずれか１項に記載の有機半導体組成物。
10. 前記有機溶媒Ｂが、１，２−ジクロロベンゼン、１−フルオロナフタレン、又は、アニソールである、請求項１〜９のいずれか１項に記載の有機半導体組成物。
11. 請求項１〜１０のいずれか１項に記載の有機半導体組成物より形成された有機半導体を有する有機半導体素子。
12. 有機薄膜トランジスタである、請求項１１に記載の有機半導体素子。

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