JP2015192118A - 有機トランジスタの有機半導体膜形成用組成物、パターン形成方法 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 129
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 98
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 57
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 95
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims abstract description 40
- 150000005224 alkoxybenzenes Chemical class 0.000 claims abstract description 10
- KWOLFJPFCHCOCG-UHFFFAOYSA-N Acetophenone Chemical compound CC(=O)C1=CC=CC=C1 KWOLFJPFCHCOCG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 claims description 430
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 185
- 125000005647 linker group Chemical group 0.000 claims description 120
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 109
- 125000004434 sulfur atom Chemical group 0.000 claims description 93
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 claims description 63
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 claims description 45
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 claims description 44
- 125000000304 alkynyl group Chemical group 0.000 claims description 44
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 claims description 41
- 229910052711 selenium Chemical group 0.000 claims description 39
- 125000002252 acyl group Chemical group 0.000 claims description 34
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 32
- 125000002534 ethynyl group Chemical group [H]C#C* 0.000 claims description 29
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 claims description 29
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 claims description 27
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical group [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 22
- 125000006353 oxyethylene group Chemical group 0.000 claims description 22
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 22
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 claims description 21
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 20
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims description 18
- 125000004665 trialkylsilyl group Chemical group 0.000 claims description 15
- 125000005373 siloxane group Chemical group [SiH2](O*)* 0.000 claims description 14
- 125000005110 aryl thio group Chemical group 0.000 claims description 12
- YFNONBGXNFCTMM-UHFFFAOYSA-N butoxybenzene Chemical compound CCCCOC1=CC=CC=C1 YFNONBGXNFCTMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 11
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 11
- 125000004453 alkoxycarbonyl group Chemical group 0.000 claims description 9
- 125000005161 aryl oxy carbonyl group Chemical group 0.000 claims description 9
- 125000003282 alkyl amino group Chemical group 0.000 claims description 8
- 125000001072 heteroaryl group Chemical group 0.000 claims description 8
- DSNYFFJTZPIKFZ-UHFFFAOYSA-N propoxybenzene Chemical compound CCCOC1=CC=CC=C1 DSNYFFJTZPIKFZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 claims description 7
- BLMBNEVGYRXFNA-UHFFFAOYSA-N 1-methoxy-2,3-dimethylbenzene Chemical compound COC1=CC=CC(C)=C1C BLMBNEVGYRXFNA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- DLRJIFUOBPOJNS-UHFFFAOYSA-N phenetole Chemical compound CCOC1=CC=CC=C1 DLRJIFUOBPOJNS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- NAWXUBYGYWOOIX-SFHVURJKSA-N (2s)-2-[[4-[2-(2,4-diaminoquinazolin-6-yl)ethyl]benzoyl]amino]-4-methylidenepentanedioic acid Chemical compound C1=CC2=NC(N)=NC(N)=C2C=C1CCC1=CC=C(C(=O)N[C@@H](CC(=C)C(O)=O)C(O)=O)C=C1 NAWXUBYGYWOOIX-SFHVURJKSA-N 0.000 claims description 3
- DTFKRVXLBCAIOZ-UHFFFAOYSA-N 2-methylanisole Chemical compound COC1=CC=CC=C1C DTFKRVXLBCAIOZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 3
- 125000001820 oxy group Chemical group [*:1]O[*:2] 0.000 claims description 2
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 claims description 2
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical group C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 claims 1
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 claims 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 abstract description 2
- 125000000229 (C1-C4)alkoxy group Chemical class 0.000 abstract 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 143
- 239000010408 film Substances 0.000 description 89
- 230000037230 mobility Effects 0.000 description 70
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 37
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 24
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 23
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 22
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 20
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 20
- 229910052805 deuterium Inorganic materials 0.000 description 19
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 14
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 13
- 150000001975 deuterium Chemical group 0.000 description 13
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 13
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 13
- 125000002777 acetyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)=O 0.000 description 12
- 125000002485 formyl group Chemical group [H]C(*)=O 0.000 description 12
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 12
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 11
- 125000005368 heteroarylthio group Chemical group 0.000 description 11
- 125000004431 deuterium atom Chemical group 0.000 description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 description 10
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 description 9
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical group [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- -1 carbamoyloxy group Chemical group 0.000 description 8
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 8
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 8
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 7
- 125000006165 cyclic alkyl group Chemical group 0.000 description 7
- YZCKVEUIGOORGS-OUBTZVSYSA-N Deuterium Chemical group [2H] YZCKVEUIGOORGS-OUBTZVSYSA-N 0.000 description 6
- 125000004414 alkyl thio group Chemical group 0.000 description 6
- 229920002521 macromolecule Polymers 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 6
- 125000005017 substituted alkenyl group Chemical group 0.000 description 6
- 125000000547 substituted alkyl group Chemical group 0.000 description 6
- 125000004426 substituted alkynyl group Chemical group 0.000 description 6
- 125000002816 methylsulfanyl group Chemical group [H]C([H])([H])S[*] 0.000 description 5
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 5
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 5
- 244000309464 bull Species 0.000 description 4
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 4
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 4
- 125000003356 phenylsulfanyl group Chemical group [*]SC1=C([H])C([H])=C([H])C([H])=C1[H] 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 125000003808 silyl group Chemical group [H][Si]([H])([H])[*] 0.000 description 4
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 4
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 4
- 125000004178 (C1-C4) alkyl group Chemical group 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 3
- 125000001309 chloro group Chemical group Cl* 0.000 description 3
- 238000004770 highest occupied molecular orbital Methods 0.000 description 3
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 3
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 3
- 229920003251 poly(α-methylstyrene) Polymers 0.000 description 3
- 238000011160 research Methods 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 3
- 125000004400 (C1-C12) alkyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000006710 (C2-C12) alkenyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000006711 (C2-C12) alkynyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000006736 (C6-C20) aryl group Chemical group 0.000 description 2
- CHLICZRVGGXEOD-UHFFFAOYSA-N 1-Methoxy-4-methylbenzene Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1 CHLICZRVGGXEOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLLIQLLCWZCATF-UHFFFAOYSA-N 2-methoxyethyl acetate Chemical compound COCCOC(C)=O XLLIQLLCWZCATF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical group [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000877 Melamine resin Polymers 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001665 Poly-4-vinylphenol Polymers 0.000 description 2
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 2
- RDOXTESZEPMUJZ-UHFFFAOYSA-N anisole Chemical compound COC1=CC=CC=C1 RDOXTESZEPMUJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007611 bar coating method Methods 0.000 description 2
- 125000002915 carbonyl group Chemical group [*:2]C([*:1])=O 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 2
- 239000003431 cross linking reagent Substances 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000007606 doctor blade method Methods 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 239000011254 layer-forming composition Substances 0.000 description 2
- JDSHMPZPIAZGSV-UHFFFAOYSA-N melamine Chemical compound NC1=NC(N)=NC(N)=N1 JDSHMPZPIAZGSV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N monobenzene Natural products C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920002492 poly(sulfone) Polymers 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 2
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 2
- 238000010345 tape casting Methods 0.000 description 2
- 125000006570 (C5-C6) heteroaryl group Chemical group 0.000 description 1
- OSIGJGFTADMDOB-UHFFFAOYSA-N 1-Methoxy-3-methylbenzene Chemical compound COC1=CC=CC(C)=C1 OSIGJGFTADMDOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CSQAOYKOFQMUMV-UHFFFAOYSA-N 2-pentacen-1-ylethynyl-tri(propan-2-yl)silane Chemical compound C1=CC=C2C=C(C=C3C(C=C4C=CC=C(C4=C3)C#C[Si](C(C)C)(C(C)C)C(C)C)=C3)C3=CC2=C1 CSQAOYKOFQMUMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940077398 4-methyl anisole Drugs 0.000 description 1
- 125000006163 5-membered heteroaryl group Chemical group 0.000 description 1
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical group [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012935 Averaging Methods 0.000 description 1
- XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N C60 fullerene Chemical class C12=C3C(C4=C56)=C7C8=C5C5=C9C%10=C6C6=C4C1=C1C4=C6C6=C%10C%10=C9C9=C%11C5=C8C5=C8C7=C3C3=C7C2=C1C1=C2C4=C6C4=C%10C6=C9C9=C%11C5=C5C8=C3C3=C7C1=C1C2=C4C6=C2C9=C5C3=C12 XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004057 DFT-B3LYP calculation Methods 0.000 description 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 1
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical group [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 1
- YKTSYUJCYHOUJP-UHFFFAOYSA-N [O--].[Al+3].[Al+3].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] Chemical compound [O--].[Al+3].[Al+3].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] YKTSYUJCYHOUJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004442 acylamino group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004423 acyloxy group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004466 alkoxycarbonylamino group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005194 alkoxycarbonyloxy group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005103 alkyl silyl group Chemical group 0.000 description 1
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000006598 aminocarbonylamino group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004397 aminosulfonyl group Chemical group NS(=O)(=O)* 0.000 description 1
- 125000002490 anilino group Chemical group [H]N(*)C1=C([H])C([H])=C([H])C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 125000005162 aryl oxy carbonyl amino group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005135 aryl sulfinyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004657 aryl sulfonyl amino group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004391 aryl sulfonyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005200 aryloxy carbonyloxy group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004104 aryloxy group Chemical group 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000656 azaniumyl group Chemical group [H][N+]([H])([H])[*] 0.000 description 1
- 125000000751 azo group Chemical group [*]N=N[*] 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001602 bicycloalkyls Chemical group 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 125000005620 boronic acid group Chemical group 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 125000003917 carbamoyl group Chemical group [H]N([H])C(*)=O 0.000 description 1
- 125000001951 carbamoylamino group Chemical group C(N)(=O)N* 0.000 description 1
- 150000001721 carbon Chemical group 0.000 description 1
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 1
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003575 carbonaceous material Substances 0.000 description 1
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 229940114081 cinnamate Drugs 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 125000000392 cycloalkenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000753 cycloalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 125000001301 ethoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910003472 fullerene Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007770 graphite material Substances 0.000 description 1
- 125000000717 hydrazino group Chemical group [H]N([*])N([H])[H] 0.000 description 1
- 125000005462 imide group Chemical group 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005355 lead glass Substances 0.000 description 1
- 238000007644 letterpress printing Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 125000000956 methoxy group Chemical group [H]C([H])([H])O* 0.000 description 1
- UZKWTJUDCOPSNM-UHFFFAOYSA-N methoxybenzene Substances CCCCOC=C UZKWTJUDCOPSNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 125000003136 n-heptyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000005029 naphthylthio group Chemical group C1(=CC=CC2=CC=CC=C12)S* 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 125000000449 nitro group Chemical group [O-][N+](*)=O 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 238000007645 offset printing Methods 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 1
- 125000005010 perfluoroalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000013034 phenoxy resin Substances 0.000 description 1
- 229920006287 phenoxy resin Polymers 0.000 description 1
- 125000005328 phosphinyl group Chemical group [PH2](=O)* 0.000 description 1
- 125000001476 phosphono group Chemical group [H]OP(*)(=O)O[H] 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000314 poly p-methyl styrene Polymers 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920001197 polyacetylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 1
- 229920002577 polybenzoxazole Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229920000015 polydiacetylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 1
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 1
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 229920012287 polyphenylene sulfone Polymers 0.000 description 1
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 description 1
- 229920000734 polysilsesquioxane polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 1
- 229920002689 polyvinyl acetate Polymers 0.000 description 1
- 239000011118 polyvinyl acetate Substances 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 229940072033 potash Drugs 0.000 description 1
- BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L potassium carbonate Substances [K+].[K+].[O-]C([O-])=O BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 235000015320 potassium carbonate Nutrition 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- ZYNMJJNWXVKJJV-UHFFFAOYSA-N propan-2-yloxybenzene Chemical compound CC(C)OC1=CC=CC=C1 ZYNMJJNWXVKJJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004368 propenyl group Chemical group C(=CC)* 0.000 description 1
- 125000002568 propynyl group Chemical group [*]C#CC([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000000168 pyrrolyl group Chemical group 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 239000005368 silicate glass Substances 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 125000004469 siloxy group Chemical group [SiH3]O* 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 125000000020 sulfo group Chemical group O=S(=O)([*])O[H] 0.000 description 1
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 125000004149 thio group Chemical group *S* 0.000 description 1
- 125000003396 thiol group Chemical group [H]S* 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WBYWAXJHAXSJNI-VOTSOKGWSA-M trans-cinnamate Chemical compound [O-]C(=O)\C=C\C1=CC=CC=C1 WBYWAXJHAXSJNI-VOTSOKGWSA-M 0.000 description 1
- 238000013519 translation Methods 0.000 description 1
- 230000014616 translation Effects 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
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- Thin Film Transistor (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
Description
また、本発明は、上記組成物を用いたパターン形成方法にも関する。
有機半導体膜の作製方法としては、種々の方法が提案されている。例えば、特許文献1では、所定の有機半導体を含む組成物を使用して有機半導体膜を製造することが開示されている。なお、特許文献1の実施例欄で使用されている有機半導体としては、以下の化合物が挙げられる。
本発明者らは、特許文献1に記載の上記化合物および溶媒を用いて有機半導体膜を作製して、その移動度および移動度のバラツキを評価したところ、従来技術では昨今の要求レベルを満たしておらず、更なる改良が必要であった。
また、本発明は、上記組成物を用いたパターン形成方法を提供することも目的とする。
C2−C4アルコキシベンゼン類、C1−C4アルキル置換されたC1−C4アルコキシベンゼン類、および、アセトフェノンからなる群から選択される少なくとも1つの有機溶媒(B)と、を少なくとも含有する、有機トランジスタの有機半導体膜形成用組成物。
(2) 有機溶媒(B)が、エトキシベンゼン、プロポキシベンゼン、ブトキシベンゼン、メチルアニソール、およびジメチルアニソールからなる群から選択される少なくとも1種を含む、(1)に記載の有機トランジスタの有機半導体膜形成用組成物。
(3) 有機溶媒(B)が、プロポキシベンゼンおよびブトキシベンゼンからなる群から選択される少なくとも1種を含む、(1)または(2)に記載の有機トランジスタの有機半導体膜形成用組成物。
(4) 有機溶媒(B)が、ブトキシベンゼンを少なくとも含む、(1)〜(3)のいずれかに記載の有機トランジスタの有機半導体膜形成用組成物。
(5) 有機半導体(A)が、後述する一般式(1)〜(9)、および、一般式(15)で表される化合物からなる群から選択される少なくとも1種を含む、(1)〜(4)のいずれかに記載の有機トランジスタの有機半導体膜形成用組成物。
(6) さらに、高分子化合物を含む、(1)〜(5)のいずれかに記載の有機トランジスタの有機半導体膜形成用組成物。
(7) 粘度が3〜100cPである、(1)〜(6)のいずれかに記載の有機トランジスタの有機半導体膜形成用組成物。
(8) 粘度が5〜50cPである、(1)〜(7)のいずれかに記載の有機トランジスタの有機半導体膜形成用組成物。
(9) 粘度が9〜40cPである、(1)〜(8)のいずれかに記載の有機トランジスタの有機半導体膜形成用組成物。
(10) 高分子化合物の含有量が、組成物全質量に対して、0.4〜8.0質量%である、(6)〜(9)のいずれかに記載の有機トランジスタの有機半導体膜形成用組成物。
(11) 高分子化合物の含有量が、組成物全質量に対して、0.7〜5.0質量%である、(6)〜(10)のいずれかに記載の有機トランジスタの有機半導体膜形成用組成物。
(12) 高分子化合物の含有量が、組成物全質量に対して、1.0〜4.0質量%である、(6)〜(11)のいずれかに記載の有機トランジスタの有機半導体膜形成用組成物。
(13) 高分子化合物の含有量が、組成物全質量に対して、1.0〜3.0質量%である、(6)〜(12)のいずれかに記載の有機トランジスタの有機半導体膜形成用組成物。
(14) 有機半導体(A)の含有量が、組成物全質量に対して、0.1〜5.0質量%である、(1)〜(13)のいずれかに記載の有機トランジスタの有機半導体膜形成用組成物。
(15) インクジェット印刷用またはフレキソ印刷用である、(1)〜(14)のいずれかに記載の有機トランジスタの有機半導体膜形成用組成物。
(16) フレキソ印刷用である、(1)〜(15)のいずれかに記載の有機トランジスタの有機半導体膜形成用組成物。
(17) フレキソ印刷版として感光性樹脂版を用い、(16)に記載の組成物を基板上に印刷して、パターンを形成する、パターン形成方法。
また、本発明によれば、上記組成物を用いたパターン形成方法を提供することもできる。
以下では、まず、組成物に含まれる成分について詳述する。
有機半導体(A)としては、一般式(1)〜(16)で表される化合物からなる群から選択される少なくとも1種が挙げられる。
組成物中には、1種のみの有機半導体が含まれていても、2種以上の有機半導体が含まれていてもよい。
一般式(1)において、R1〜R6はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表す。ただし、R1〜R6のうち少なくとも1つが後述する一般式(W)で表される置換基である。
一般式(1)のR1〜R6が採りうる置換基の種類は特に制限されないが、以下に説明する置換基Xが挙げられる。置換基Xとしては、ハロゲン原子、アルキル基(シクロアルキル基、ビシクロアルキル基、トリシクロアルキル基を含む)、アルケニル基(シクロアルケニル基、ビシクロアルケニル基を含む)、アルキニル基、アリール基、複素環基(ヘテロ環基といってもよい)、シアノ基、ヒドロキシ基、ニトロ基、カルボキシ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、シリルオキシ基、ヘテロ環オキシ基、アシルオキシ基、カルバモイルオキシ基、アルコキシカルボニルオキシ基、アリールオキシカルボニルオキシ基、アミノ基(アニリノ基を含む)、アンモニオ基、アシルアミノ基、アミノカルボニルアミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリールオキシカルボニルアミノ基、スルファモイルアミノ基、アルキルおよびアリールスルホニルアミノ基、メルカプト基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロ環チオ基、スルファモイル基、スルホ基、アルキルおよびアリールスルフィニル基、アルキルおよびアリールスルホニル基、アシル基、アリールオキシカルボニル基、アルコキシカルボニル基、カルバモイル基、アリールおよびヘテロ環アゾ基、イミド基、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスフィニルオキシ基、ホスフィニルアミノ基、ホスホノ基、シリル基、ヒドラジノ基、ウレイド基、ボロン酸基(−B(OH)2)、ホスファト基(−OPO(OH)2)、スルファト基(−OSO3H)、その他の公知の置換基が挙げられる。なお、本明細書においては、「置換基」としては、上記置換基Xが好ましく挙げられる。
これらの中でもハロゲン原子、アルキル基、アルキニル基、アルケニル基、アルコキシ基、アルキルチオ基およびアリール基が好ましく、フッ素原子、炭素数1〜3の置換または無置換のアルキル基、炭素数2〜3の置換または無置換のアルキニル基、炭素数2〜3の置換または無置換のアルケニル基、炭素数1〜2の置換または無置換のアルコキシ基、置換または無置換のメチルチオ基、フェニル基がより好ましく、フッ素原子、炭素数1〜3の置換または無置換のアルキル基、炭素数2〜3の置換または無置換のアルキニル基、炭素数2〜3の置換または無置換のアルケニル基、炭素数1〜2の置換または無置換のアルコキシ基、あるいは置換または無置換のメチルチオ基であることが特に好ましい。
また、これら置換基は、さらに上記置換基Xを有していてもよい。
中でも、R3〜R6は、それぞれ独立に水素原子、フッ素原子、炭素数1〜3の置換または無置換のアルキル基、炭素数2〜3の置換または無置換のアルキニル基、炭素数2〜3の置換または無置換のアルケニル基、炭素数1〜2の置換または無置換のアルコキシ基、あるいは置換または無置換のメチルチオ基であることが好ましい。
一般式(W) −L−R
一般式(W)中、Lは下記一般式(L−1)〜(L−25)のいずれかで表される2価の連結基または2以上の下記一般式(L−1)〜(L−25)のいずれかで表される2価の連結基が結合した2価の連結基を表し、
なお、Lが一般式(L−1)〜(L−25)のいずれかで表される2価の連結基が2つ以上結合した2価の連結基を表す場合、一方の連結基の*が、他方の連結基の波線部分と結合する。
一般式(L−13)におけるmは4を表し、一般式(L−14)および(L−15)におけるmは3を表し、一般式(L−16)〜(L−20)におけるmは2を表し、(L−22)におけるmは6を表す。
一般式(L−1)、(L−2)、(L−6)および(L−13)〜(L−24)におけるR’はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表す。RNは水素原子または置換基を表す。Rsiはそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アルケニル基またはアルキニル基を表す。
一般式(L−1)および(L−2)中のR’はそれぞれLに隣接するRと結合して縮合環を形成してもよい。
本発明では、主鎖が炭素数N個の置換または無置換のアルキル基が置換基の末端に存在する場合は、置換基の末端から可能な限りの連結基を含めた上で一般式(W)における−L−Rと解釈することとし、具体的には「一般式(W)におけるLに相当する(L−1)1個」と「一般式(W)におけるRに相当する主鎖が炭素数N−1個の置換または無置換のアルキル基」とが結合した置換基として解釈する。例えば、炭素数8のアルキル基であるn−オクチル基が置換基の末端に存在する場合、2個のR’が水素原子である(L−1)1個と、炭素数7のn−ヘプチル基とが結合した置換基として解釈する。
一方、本発明では、オキシエチレン基、オキシエチレン単位の繰り返し数vが2以上のオリゴオキシエチレン基、シロキサン基、ケイ素原子数が2以上のオリゴシロキサン基、あるいは、置換または無置換のトリアルキルシリル基が置換基の末端に存在する場合は、置換基の末端から可能な限りの連結基を含めた上で、一般式(W)におけるR単独と解釈する。例えば、−(OCH2CH2)−(OCH2CH2)−(OCH2CH2)−OCH3基が置換基の末端に存在する場合、オキシエチレン単位の繰り返し数vが3のオリゴオキシエチレン基単独の置換基として解釈する。
RNは水素原子または置換基を表し、RNとしては、上記の一般式(1)のR1〜R8が採りうる置換基として例示したものを挙げることができる。その中でもRNとしては水素原子またはメチル基が好ましい。
Rsiはそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基を表し、アルキル基であることが好ましい。Rsiがとり得るアルキル基としては特に制限はないが、Rsiがとり得るアルキル基の好ましい範囲はRがトリアルキルシリル基である場合にトリアルキルシリル基がとり得るアルキル基の好ましい範囲と同様である。Rsiがとり得るアルケニル基としては特に制限はないが、置換または無置換のアルケニル基が好ましく、分枝アルケニル基であることがより好ましく、アルケニル基の炭素数は2〜3であることが好ましい。Rsiがとり得るアルキニル基としては特に制限はないが、置換または無置換のアルキニル基が好ましく、分枝アルキニル基であることがより好ましく、アルキニル基の炭素数は2〜3であることが好ましい。
一般式(W)において、Rに隣接するLが一般式(L−1)で表される2価の連結基である場合は、Rは置換または無置換のアルキル基、オキシエチレン基、オキシエチレン単位の繰り返し数が2以上のオリゴオキシエチレン基、シロキサン基、ケイ素原子数が2以上のオリゴシロキサン基であることが好ましく、置換または無置換のアルキル基であることがより好ましい。
一般式(W)において、Rに隣接するLが一般式(L−2)および(L−4)〜(L−25)で表される2価の連結基である場合は、Rは置換または無置換のアルキル基であることがより好ましい。
一般式(W)において、Rに隣接するLが一般式(L−3)で表される2価の連結基である場合は、Rは置換または無置換のアルキル基、置換または無置換のトリアルキルシリル基であることが好ましい。
Rがアルキル基を表す場合、直鎖アルキル基でも、分枝アルキル基でも、環状アルキル基でもよいが、直鎖アルキル基であることが、分子の直線性が高まり、キャリア移動度を高めることができる観点から好ましい。
これらの中でも、一般式(W)におけるRとLの組み合わせとしては、一般式(1)中、Lが一般式(L−1)で表される2価の連結基であり、かつ、Rが直鎖の炭素数7〜17のアルキル基であるか、あるいは、Lが一般式(L−3)、(L−13)または(L−18)のいずれか1つで表される2価の連結基と一般式(L−1)で表される2価の連結基が結合した2価の連結基であり、かつ、Rが直鎖のアルキル基であることが、キャリア移動度を高める観点から好ましい。
Lが一般式(L−1)で表される2価の連結基であり、かつ、Rが直鎖の炭素数7〜17のアルキル基である場合、Rが直鎖の炭素数7〜14のアルキル基であることがキャリア移動度を高める観点からより好ましく、直鎖の炭素数7〜12のアルキル基であることが特に好ましい。
Lが一般式(L−3)、(L−13)または(L−18)のいずれか1つで表される2価の連結基と一般式(L−1)で表される2価の連結基が結合した2価の連結基であり、かつ、Rが直鎖のアルキル基である場合、Rが直鎖の炭素数4〜17のアルキル基であることがより好ましく、直鎖の炭素数6〜14のアルキル基であることが化学的安定性、キャリア輸送性の観点からより好ましく、直鎖の炭素数6〜12のアルキル基であることがキャリア移動度を高める観点から特に好ましい。
一方、有機溶媒への溶解度を高める観点からは、Rが分枝アルキル基であることが好ましい。
Rが置換基を有するアルキル基である場合の置換基としては、ハロゲン原子などを挙げることができ、フッ素原子が好ましい。なお、Rがフッ素原子を有するアルキル基である場合はアルキル基の水素原子が全てフッ素原子で置換されてパーフルオロアルキル基を形成してもよい。ただし、Rは無置換のアルキル基であることが好ましい。
LおよびRに含まれる炭素数の合計は5〜14であることが好ましく、6〜14であることがより好ましく、6〜12であることが特に好ましく、8〜12であることが最も好ましい。
一般式(1)における置換位置として、これらの位置が好ましいのは、化合物の化学的安定性に優れ、HOMO準位、分子の膜中でのパッキングの観点からも好適であるためであると考えられる。特に、一般式(1)において、R1およびR2の2箇所を置換基とすることにより、高いキャリア濃度を得ることができる。
また、一般式(1)において、R3〜R6がそれぞれ独立に水素原子、フッ素原子、炭素数1〜3の置換または無置換のアルキル基、炭素数2〜3の置換または無置換のアルキニル基、炭素数2〜3の置換または無置換のアルケニル基、炭素数1〜2の置換または無置換のアルコキシ基、あるいは置換または無置換のメチルチオ基であることが好ましい。
Laの定義は、一般式(W)中の上記Lと同義であり、Raの定義は、一般式(W)中の上記Rと同じである。
LaおよびLbの定義は、一般式(W)中の上記Lと同義であり、RaおよびRbの定義は、一般式(W)中の上記Rと同じである。
Ldの定義は、一般式(W)中の上記Lと同義であり、Rdの定義は、一般式(W)中の上記Rと同じである。
LeおよびLfの定義は、一般式(W)中の上記Lと同義であり、ReおよびRfの定義は、一般式(W)中の上記Rと同じである。
R13は水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基またはアシル基を表し、水素原子またはアルキル基であることが好ましく、炭素数1〜14のアルキル基であることがより好ましく、炭素数1〜4のアルキル基であることが特に好ましい。
R13がアルキル基を表す場合、直鎖アルキル基でも、分枝アルキル基でも、環状アルキル基でもよいが、直鎖アルキル基であることが、分子の直線性が高まり、キャリア移動度を高めることができる観点から好ましい。
一般式(2)において、R5とR7は互いに結合して環を形成してもよく、互いに結合して環を形成しなくてもよいが、互いに結合して環を形成しない方が好ましい。
一般式(2)において、R6とR8は互いに結合して環を形成してもよく、互いに結合して環を形成しなくてもよいが、互いに結合して環を形成しない方が好ましい。
R1〜R8がそれぞれ独立にとりうる置換基としては、上述した置換基Xが挙げられる。一般式(W)で表される置換基の定義は、上述の通りである。
R1〜R8がそれぞれ独立にとりうる置換基として、アルキル基、アリール基、アルケニル基、アルキニル基、複素環基、アルコキシ基、アルキルチオ基、一般式(W)で表される置換基が好ましく、炭素数1〜12のアルキル基、炭素数6〜20のアリール基、炭素数2〜12のアルケニル基、炭素数2〜12のアルキニル基、炭素数1〜11のアルコキシ基、炭素数5〜12の複素環基、炭素数1〜12のアルキルチオ基、一般式(W)で表される置換基がより好ましく、後述の連結基鎖長が3.7Å以下の基および一般式(W)で表される置換基が特に好ましく、一般式(W)で表される置換基がより特に好ましい。
R1〜R8のうち、一般式(W)で表される置換基の位置に特に制限はないが、R5またはR6であることが、キャリア移動度を高め、有機溶媒への溶解性を高める観点から好ましい。
ここで、連結基鎖長とはC(炭素原子)−R結合におけるC原子から置換基Rの末端までの長さのことを指す。構造最適化計算は、密度汎関数法(Gaussian03(米ガウシアン社)/基底関数:6−31G*、交換相関汎関数:B3LYP/LANL2DZ)を用いて行うことができる。なお、代表的な置換基の分子長としては、プロピル基は4.6Å、ピロール基は4.6Å、プロピニル基は4.5Å、プロペニル基は4.6Å、エトキシ基は4.5Å、メチルチオ基は3.7Å、エテニル基は3.4Å、エチル基は3.5Å、エチニル基は3.6Å、メトキシ基は3.3Å、メチル基は2.1Å、水素原子は1.0Åである。
R1〜R8が一般式(W)で表される置換基以外の置換基である場合の置換基がそれぞれ独立に炭素数2以下の置換アルキル基を表す場合、アルキル基がとり得る置換基としては、シアノ基、フッ素原子、重水素原子などを挙げることができ、シアノ基が好ましい。一般式(W)で表される置換基以外の置換基である場合の置換基が表す炭素数2以下の置換または無置換のアルキル基としては、メチル基、エチル基、シアノ基置換のメチル基が好ましく、メチル基またはシアノ基置換のメチル基がより好ましく、シアノ基置換のメチル基が特に好ましい。
R1〜R8が一般式(W)で表される置換基以外の置換基である場合の置換基がそれぞれ独立に炭素数2以下の置換アルキニル基を表す場合、アルキニル基がとり得る置換基としては、重水素原子などを挙げることができる。一般式(W)で表される置換基以外の置換基である場合の置換基が表す炭素数2以下の置換または無置換のアルキニル基としては、エチニル基、重水素原子置換のアセチレン基を挙げることができ、エチニル基が好ましい。
R1〜R8が一般式(W)で表される置換基以外の置換基である場合の置換基がそれぞれ独立に炭素数2以下の置換アルケニル基を表す場合、アルケニル基がとり得る置換基としては、重水素原子などを挙げることができる。一般式(W)で表される置換基以外の置換基である場合の置換基が表す炭素数2以下の置換または無置換のアルケニル基としては、エテニル基、重水素原子置換のエテニル基を挙げることができ、エテニル基が好ましい。
R1〜R8が一般式(W)で表される置換基以外の置換基である場合の置換基がそれぞれ独立に炭素数2以下の置換アシル基を表す場合、アシル基がとり得る置換基としては、フッ素原子などを挙げることができる。一般式(W)で表される置換基以外の置換基である場合の置換基が表す炭素数2以下の置換または無置換のアシル基としては、ホルミル基、アセチル基、フッ素置換のアセチル基を挙げることができ、ホルミル基が好ましい。
R1〜R5、R7およびR8で表される置換基としては、上記置換基Xが挙げられる。
R1〜R4、R7およびR8で表される置換基としては、上記置換基Xが挙げられる。
R1〜R8で表される置換基としては、上記置換基Xが挙げられる。一般式(W)で表される置換基の定義は、上述の通りである。
R1〜R6がそれぞれ独立にとりうる置換基として、アルキル基、アリール基、アルケニル基、アルキニル基、複素環基、アルコキシ基、アルキルチオ基、一般式(W)で表される置換基が好ましく、炭素数1〜12のアルキル基、炭素数6〜20のアリール基、炭素数2〜12のアルケニル基、炭素数2〜12のアルキニル基、炭素数1〜11のアルコキシ基、炭素数5〜12の複素環基、炭素数1〜12のアルキルチオ基、一般式(W)で表される置換基がより好ましい。
R7は、水素原子、アルキル基、アリール基であることが好ましく、炭素数1〜14のアルキル基であることがより好ましく、炭素数4〜12のアルキル基であることが特に好ましい。R7が上記の範囲の長鎖アルキル基であること、特に長鎖の直鎖アルキル基であることが、分子の直線性が高まり、キャリア移動度を高めることができる観点から好ましい。
R7がアルキル基を表す場合、直鎖アルキル基でも、分枝アルキル基でも、環状アルキル基でもよいが、直鎖アルキル基であることが、分子の直線性が高まり、キャリア移動度を高めることができる観点から好ましい。
R8は連結基鎖長が3.7Å以下の基であることが好ましく、連結基鎖長が1.0〜3.7Åの基であることがより好ましく、連結基鎖長が1.0〜2.1Åの基であることがさらに好ましい。連結基鎖長の定義は、上述の通りである。
R8は水素原子、炭素数2以下の置換または無置換のアルキル基、炭素数2以下の置換または無置換のアルキニル基、炭素数2以下の置換または無置換のアルケニル基、炭素数2以下の置換または無置換のアシル基であることが好ましく、水素原子、炭素数2以下の置換または無置換のアルキル基であることがより好ましく、水素原子であることが特に好ましい。
R8が炭素数2以下の置換アルキル基を表す場合、アルキル基がとり得る置換基としては、シアノ基、フッ素原子、重水素原子などを挙げることができ、シアノ基が好ましい。R8が表す炭素数2以下の置換または無置換のアルキル基としては、メチル基、エチル基、シアノ基置換のメチル基が好ましく、メチル基またはシアノ基置換のメチル基がより好ましく、シアノ基置換のメチル基が特に好ましい。
R8が炭素数2以下の置換アルキニル基を表す場合、アルキニル基がとり得る置換基としては、重水素原子などを挙げることができる。R8が表す炭素数2以下の置換または無置換のアルキニル基としては、エチニル基、重水素原子置換のアセチレン基を挙げることができ、エチニル基が好ましい。
R8が炭素数2以下の置換アルケニル基を表す場合、アルケニル基がとり得る置換基としては、重水素原子などを挙げることができる。R8が表す炭素数2以下の置換または無置換のアルケニル基としては、エテニル基、重水素原子置換のエテニル基を挙げることができ、エテニル基が好ましい。
R8が炭素数2以下の置換アシル基を表す場合、アシル基がとり得る置換基としては、フッ素原子などを挙げることができる。R8が表す炭素数2以下の置換または無置換のアシル基としては、ホルミル基、アセチル基、フッ素置換のアセチル基を挙げることができ、ホルミル基が好ましい。
Laはそれぞれ独立に上記一般式(L−1)〜(L−25)のいずれかで表される2価の連結基または2以上の上記一般式(L−1)〜(L−25)のいずれかで表される2価の連結基が結合した2価の連結基を表し、Raはそれぞれ独立に水素原子、置換または無置換のアルキル基、オキシエチレン単位の繰り返し数が2以上のオリゴオキシエチレン基、ケイ素原子数が2以上のオリゴシロキサン基、あるいは、置換または無置換のトリアルキルシリル基を表す。
なお、一般式(W)で表される置換基の定義は、上述の通りである。
R5とR6のうち少なくとも一方が一般式(W)で表される置換基である場合、R5とR6が表す一般式(W)においてLは上記一般式(L−3)で表される2価の連結基であることが好ましい。
R5とR6のうち少なくとも一方が一般式(W)で表される置換基である場合、R5とR6はいずれも一般式(W)で表される置換基であることが好ましい。
なお、R5とR6がともに水素原子またはハロゲン原子の場合、R1〜R4、R7〜R10、RaおよびRbはそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子または一般式(W)で表される置換基であり、かつ、R1〜R4、R7〜R10、RaおよびRbのうち少なくとも一つ以上は一般式(W)で表される置換基となる。
R1〜R10、RaおよびRbのうち、一般式(W)で表される置換基の位置に特に制限はない。その中でも、本発明では、一般式(4)中、R1、R4〜R7、R10、RaおよびRbがそれぞれ独立に水素原子またはハロゲン原子であり、R2、R3、R8およびR9がそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子または一般式(W)で表される置換基であり、かつ、R2、R3、R8およびR9のうち少なくとも一つは一般式(W)で表される置換基であることが、キャリア移動度を高め、有機溶媒への溶解性を高める観点から好ましい。
本発明では、R1、R3〜R8およびR10がそれぞれ独立に水素原子またはハロゲン原子を表し、R2およびR9がそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子または一般式(W)で表される置換基であり、かつ、少なくとも一つは一般式(W)で表される置換基であることがより好ましい。
本発明では、R2とR9がともに一般式(W)で表される置換基であり、かつR3とR8がともに水素原子またはハロゲン原子であるか、R3とR8がともに一般式(W)で表される置換基であり、かつR2とR9がともに水素原子またはハロゲン原子であることが特に好ましい。
本発明では、R2とR9がともに一般式(W)で表される置換基であり、かつR3とR8がともに水素原子またはハロゲン原子であるか、R3とR8がともに一般式(W)で表される置換基であり、かつR2とR9がともに水素原子またはハロゲン原子であることがより特に好ましい。
一般式(4)において、2以上のR1〜R10、RaおよびRbは互いに結合して環を形成してもよく、互いに結合して環を形成しなくてもよいが、互いに結合して環を形成しない方が好ましい。
一般式(4B)中、Xはそれぞれ独立にO原子、S原子またはSe原子を表し、R1、R4〜R7、R10、RaおよびRbがそれぞれ独立に水素原子またはハロゲン原子であり、R2、R3、R8およびR9がそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子または一般式(W)で表される置換基を表し、かつ、少なくとも一つは一般式(W)で表される置換基を表す。
R13は水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アシル基、アリール基またはヘテロアリール基を表し、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基またはアシル基であることが好ましく、水素原子またはアルキル基であることがより好ましく、炭素数1〜14のアルキル基であることが特に好ましく、炭素数1〜4のアルキル基であることが最も好ましい。
R13がアルキル基を表す場合、直鎖アルキル基でも、分枝アルキル基でも、環状アルキル基でもよいが、直鎖アルキル基であることが、分子の直線性が高まり、キャリア移動度を高めることができる観点から好ましい。
一般式(5)において、R5とR13は互いに結合して環を形成してもよく、互いに結合して環を形成しなくてもよいが、互いに結合して環を形成しない方が好ましい。
一般式(5)において、R6とR8は互いに結合して環を形成してもよく、互いに結合して環を形成しなくてもよいが、互いに結合して環を形成しない方が好ましい。
一般式(5)において、R6とR13は互いに結合して環を形成してもよく、互いに結合して環を形成しなくてもよいが、互いに結合して環を形成しない方が好ましい。
なお、R1〜R8で表される置換基としては、置換基Xが挙げられる。また、一般式(W)で表される置換基の定義は、上述の通りである。
R1〜R8のうち、一般式(W)で表される置換基の位置に特に制限はないが、R5またはR6であることが、キャリア移動度を高め、有機溶媒への溶解性を高める観点から好ましい。
R1〜R8のうち、一般式(W)で表される置換基以外の置換基は、0〜4個であることが好ましく、0〜2個であることがより好ましく、0または1個であることが特に好ましく、0個であることがより特に好ましい。
R1〜R8が一般式(W)で表される置換基以外の置換基である場合の置換基はそれぞれ独立に炭素数2以下の置換または無置換のアルキル基、炭素数2以下の置換または無置換のアルキニル基、炭素数2以下の置換または無置換のアルケニル基、炭素数2以下の置換または無置換のアシル基であることが好ましく、炭素数2以下の置換または無置換のアルキル基であることがより好ましい。
R1〜R8が一般式(W)で表される置換基以外の置換基である場合の置換基がそれぞれ独立に炭素数2以下の置換アルキル基を表す場合、アルキル基がとり得る置換基としては、シアノ基、フッ素原子、重水素原子などを挙げることができ、シアノ基が好ましい。
一般式(W)で表される置換基以外の置換基である場合の置換基が表す炭素数2以下の置換または無置換のアルキル基としては、メチル基、エチル基、シアノ基置換のメチル基が好ましく、メチル基またはシアノ基置換のメチル基がより好ましく、シアノ基置換のメチル基が特に好ましい。
R1〜R8が一般式(W)で表される置換基以外の置換基である場合の置換基がそれぞれ独立に炭素数2以下の置換アルキニル基を表す場合、アルキニル基がとり得る置換基としては、重水素原子などを挙げることができる。一般式(W)で表される置換基以外の置換基である場合の置換基が表す炭素数2以下の置換または無置換のアルキニル基としては、エチニル基、重水素原子置換のアセチレン基を挙げることができ、エチニル基が好ましい。
R1〜R8が一般式(W)で表される置換基以外の置換基である場合の置換基がそれぞれ独立に炭素数2以下の置換アルケニル基を表す場合、アルケニル基がとり得る置換基としては、重水素原子などを挙げることができる。一般式(W)で表される置換基以外の置換基である場合の置換基が表す炭素数2以下の置換または無置換のアルケニル基としては、エテニル基、重水素原子置換のエテニル基を挙げることができ、エテニル基が好ましい。
R1〜R8が一般式(W)で表される置換基以外の置換基である場合の置換基がそれぞれ独立に炭素数2以下の置換アシル基を表す場合、アシル基がとり得る置換基としては、フッ素原子などを挙げることができる。一般式(W)で表される置換基以外の置換基である場合の置換基が表す炭素数2以下の置換または無置換のアシル基としては、ホルミル基、アセチル基、フッ素置換のアセチル基を挙げることができ、ホルミル基が好ましい。
一般式(5A)中、R1〜R5、R7およびR8はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表し、R5は−La−Raで表される基ではない。
一般式(5A)中のR1〜R5、R7およびR8が置換基を表す場合、この置換基の好ましい範囲は、一般式(5)中のR1〜R8が一般式(W)で表される置換基以外の置換基である場合の好ましい範囲と同様である。
一般式(5A)中、Laは上記一般式(L−1)〜(L−25)のいずれかで表される2価の連結基または2以上の上記一般式(L−1)〜(L−25)のいずれかで表される2価の連結基が結合した2価の連結基を表し、Raは置換または無置換のアルキル基、シアノ基、ビニル基、エチニル基、オキシエチレン基、オキシエチレン単位の繰り返し数vが2以上のオリゴオキシエチレン基、シロキサン基、ケイ素原子数が2以上のオリゴシロキサン基、あるいは、置換または無置換のトリアルキルシリル基を表す。
一般式(5B)中、R1〜R4、R7およびR8はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表す。一般式(5B)中のR1〜R4、R7およびR8が置換基を表す場合、この置換基の好ましい範囲は、一般式(5)中のR1〜R8が一般式(W)で表される置換基以外の置換基である場合の好ましい範囲と同様である。
一般式(5B)中、LbおよびLcはそれぞれ独立に一般式(L−1)〜(L−25)のいずれかで表される2価の連結基または2以上の一般式(L−1)〜(L−25)のいずれかで表される2価の連結基が結合した2価の連結基を表し、RbおよびRcはそれぞれ独立に置換または無置換のアルキル基、シアノ基、ビニル基、エチニル基、オキシエチレン基、オキシエチレン単位の繰り返し数vが2以上のオリゴオキシエチレン基、シロキサン基、ケイ素原子数が2以上のオリゴシロキサン基、あるいは、置換または無置換のトリアルキルシリル基を表す。
X1〜X4はそれぞれ独立にO原子またはS原子であることが合成容易性の観点から好ましい。一方、X1〜X4のうち少なくとも1つがS原子であることが、キャリア移動度を高める観点から好ましい。X1〜X4は、同じ連結基であることが好ましい。X1〜X4はいずれもS原子であることがより好ましい。
R7は水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アシル基、アリール基またはヘテロアリール基を表し、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基またはアシル基であることが好ましく、水素原子またはアルキル基であることがより好ましく、炭素数1〜14のアルキル基であることが特に好ましく、炭素数1〜4のアルキル基であることがより特に好ましい。
R7がアルキル基を表す場合、直鎖アルキル基でも、分枝アルキル基でも、環状アルキル基でもよいが、直鎖アルキル基であることが、分子の直線性が高まり、キャリア移動度を高めることができる観点から好ましい。
なお、R1〜R6で表される置換基としては、置換基Xが挙げられる。また、一般式(W)で表される置換基の定義は、上述の通りである。
これらの中でも、R1〜R6がそれぞれ独立にとりうる置換基として、アルキル基、アリール基、アルケニル基、アルキニル基、複素環基、アルコキシ基、アルキルチオ基、一般式(W)で表される置換基が好ましく、炭素数1〜12のアルキル基、炭素数6〜20のアリール基、炭素数2〜12のアルケニル基、炭素数2〜12のアルキニル基、炭素数1〜11のアルコキシ基、炭素数5〜12の複素環基、炭素数1〜12のアルキルチオ基、一般式(W)で表される置換基がより好ましく、後述の連結基鎖長が3.7Å以下の基および一般式(W)で表される置換基が特に好ましく、一般式(W)で表される置換基がより特に好ましい。
R1〜R6のうち、一般式(W)で表される置換基の位置に特に制限はないが、R3〜R6であることが好ましく、R5またはR6であることが、キャリア移動度を高め、有機溶媒への溶解性を高める観点からより好ましい。
R1〜R6が一般式(W)で表される置換基以外の置換基である場合の置換基は、連結基鎖長が3.7Å以下の基であることが好ましく、連結基鎖長が1.0〜3.7Åの基であることがより好ましく、連結基鎖長が1.0〜2.1Åの基であることがさらに好ましい。連結基鎖長の定義は、上述の通りである。
R1〜R6が一般式(W)で表される置換基以外の置換基である場合の置換基はそれぞれ独立に炭素数2以下の置換または無置換のアルキル基、炭素数2以下の置換または無置換のアルキニル基、炭素数2以下の置換または無置換のアルケニル基、炭素数2以下の置換または無置換のアシル基であることが好ましく、炭素数2以下の置換または無置換のアルキル基であることがより好ましい。
R1〜R6が一般式(W)で表される置換基以外の置換基である場合の置換基がそれぞれ独立に炭素数2以下の置換アルキル基を表す場合、アルキル基がとり得る置換基としては、シアノ基、フッ素原子、重水素原子などを挙げることができ、シアノ基が好ましい。一般式(W)で表される置換基以外の置換基である場合の置換基が表す炭素数2以下の置換または無置換のアルキル基としては、メチル基、エチル基、シアノ基置換のメチル基が好ましく、メチル基またはシアノ基置換のメチル基がより好ましく、シアノ基置換のメチル基が特に好ましい。
R1〜R6が一般式(W)で表される置換基以外の置換基である場合の置換基がそれぞれ独立に炭素数2以下の置換アルキニル基を表す場合、アルキニル基がとり得る置換基としては、重水素原子などを挙げることができる。一般式(W)で表される置換基以外の置換基である場合の置換基が表す炭素数2以下の置換または無置換のアルキニル基としては、エチニル基、重水素原子置換のアセチレン基を挙げることができ、エチニル基が好ましい。
R1〜R6が一般式(W)で表される置換基以外の置換基である場合の置換基がそれぞれ独立に炭素数2以下の置換アルケニル基を表す場合、アルケニル基がとり得る置換基としては、重水素原子などを挙げることができる。一般式(W)で表される置換基以外の置換基である場合の置換基が表す炭素数2以下の置換または無置換のアルケニル基としては、エテニル基、重水素原子置換のエテニル基を挙げることができ、エテニル基が好ましい。
R1〜R6が一般式(W)で表される置換基以外の置換基である場合の置換基がそれぞれ独立に炭素数2以下の置換アシル基を表す場合、アシル基がとり得る置換基としては、フッ素原子などを挙げることができる。一般式(W)で表される置換基以外の置換基である場合の置換基が表す炭素数2以下の置換または無置換のアシル基としては、ホルミル基、アセチル基、フッ素置換のアセチル基を挙げることができ、ホルミル基が好ましい。
一般式(6B)中、X1〜X4はそれぞれ独立にO原子またはS原子を表し、R1、R2、R3CおよびR4Bはそれぞれ独立に水素原子または置換基を表し、RbおよびRcはそれぞれ独立に炭素数5〜19のアルキル基を表し、LbおよびLcはそれぞれ独立に上記一般式(L−1)〜(L−25)のいずれかで表される2価の連結基または2以上の上記一般式(L−1)〜(L−25)のいずれかで表される2価の連結基が結合した2価の連結基を表す。
なお、上記置換基としては、置換基Xが挙げられる。
なお、R1〜R9で表される置換基としては、置換基Xが挙げられる。また、一般式(W)で表される置換基の定義は、上述の通りである。
なお、R9は、水素原子またはアルキル基であることが好ましく、炭素数5〜12のアルキル基であることがより好ましく、炭素数8〜10のアルキル基であることが特に好ましい。R9がアルキル基を表す場合、直鎖のアルキル基でも、分枝アルキル基でも、環状アルキル基でもよいが、直鎖のアルキル基であることが、HOMO軌道の重なりの観点から好ましい。
R1〜R9のうち、一般式(W)で表される置換基の位置に特に制限はないが、R4またはR8であることが、キャリア移動度を高め、有機溶媒への溶解性を高める観点から好ましく、R4およびR8がより好ましい。
一般式(7)のR1〜R9のうち、一般式(W)で表される置換基以外の置換基は、0〜4個であることが好ましく、0〜2個であることがより好ましく、0または1個であることが特に好ましく、0個であることがより特に好ましい。
R1〜R9が一般式(W)で表される置換基以外の置換基である場合の置換基は、連結基鎖長が3.7Å以下の基であることが好ましく、連結基鎖長が1.0〜3.7Åの基であることがより好ましく、連結基鎖長が1.0〜2.1Åの基であることがさらに好ましい。連結基鎖長の定義は、上述の通りである。
R1〜R9が一般式(W)で表される置換基以外の置換基である場合の置換基は、それぞれ独立に炭素数2以下の置換または無置換のアルキル基、炭素数2以下の置換または無置換のアルキニル基、炭素数2以下の置換または無置換のアルケニル基、炭素数2以下の置換または無置換のアシル基であることが好ましく、炭素数2以下の置換または無置換のアルキル基であることがより好ましい。
R1〜R9が一般式(W)で表される置換基以外の置換基である場合の置換基がそれぞれ独立に炭素数2以下の置換アルキル基を表す場合、アルキル基がとり得る置換基としては、シアノ基、フッ素原子、重水素原子などを挙げることができ、シアノ基が好ましい。一般式(W)で表される置換基以外の置換基である場合の置換基が表す炭素数2以下の置換または無置換のアルキル基としては、メチル基、エチル基、シアノ基置換のメチル基が好ましく、メチル基またはシアノ基置換のメチル基がより好ましく、シアノ基置換のメチル基が特に好ましい。
R1〜R9が一般式(W)で表される置換基以外の置換基である場合の置換基がそれぞれ独立に炭素数2以下の置換アルキニル基を表す場合、アルキニル基がとり得る置換基としては、重水素原子などを挙げることができる。一般式(W)で表される置換基以外の置換基である場合の置換基が表す炭素数2以下の置換または無置換のアルキニル基としては、エチニル基、重水素原子置換のアセチレン基を挙げることができ、エチニル基が好ましい。
R1〜R9が一般式(W)で表される置換基以外の置換基である場合の置換基がそれぞれ独立に炭素数2以下の置換アルケニル基を表す場合、アルケニル基がとり得る置換基としては、重水素原子などを挙げることができる。一般式(W)で表される置換基以外の置換基である場合の置換基が表す炭素数2以下の置換または無置換のアルケニル基としては、エテニル基、重水素原子置換のエテニル基を挙げることができ、エテニル基が好ましい。
R1〜R9が一般式(W)で表される置換基以外の置換基である場合の置換基がそれぞれ独立に炭素数2以下の置換アシル基を表す場合、アシル基がとり得る置換基としては、フッ素原子などを挙げることができる。一般式(W)で表される置換基以外の置換基である場合の置換基が表す炭素数2以下の置換または無置換のアシル基としては、ホルミル基、アセチル基、フッ素置換のアセチル基を挙げることができ、ホルミル基が好ましい。
一般式(7B)中、X1はそれぞれ独立にS原子、O原子、Se原子またはNR9を表し、X2はそれぞれ独立にS原子、O原子またはSe原子を表し、R1〜R3、R5〜R7およびR9はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表し、LbおよびLcはそれぞれ独立に上記一般式(L−1)〜(L−25)のいずれかで表される2価の連結基または2以上の上記一般式(L−1)〜(L−25)のいずれかで表される2価の連結基が結合した2価の連結基を表し、RbおよびRcはそれぞれ独立に置換または無置換のアルキル基、シアノ基、ビニル基、エチニル基、オキシエチレン基、オキシエチレン単位の繰り返し数vが2以上のオリゴオキシエチレン基、シロキサン基、ケイ素原子数が2以上のオリゴシロキサン基、あるいは、置換または無置換のトリアルキルシリル基を表す。
なお、R1〜R9で表される置換基としては、置換基Xが挙げられる。また、一般式(W)で表される置換基の定義は、上述の通りである。
なお、R9は、水素原子またはアルキル基であることが好ましく、炭素数5〜12のアルキル基であることがより好ましく、炭素数8〜10のアルキル基であることが特に好ましい。
R9がアルキル基を表す場合、直鎖のアルキル基でも、分枝アルキル基でも、環状アルキル基でもよいが、直鎖のアルキル基であることが、HOMO軌道の重なりの観点から好ましい。
R1〜R9のうち、一般式(W)で表される置換基の位置に特に制限はないが、R3またはR7であることが、キャリア移動度を高め、有機溶媒への溶解性を高める観点から好ましく、R3およびR7がより好ましい。
また、一般式(8)のR1〜R9のうち、一般式(W)で表される置換基以外の置換基は、0〜4個であることが好ましく、0〜2個であることがより好ましく、0または1個であることが特に好ましく、0個であることがより特に好ましい。
R1〜R9が一般式(W)で表される置換基以外の置換基である場合の置換基は、それぞれ独立に炭素数2以下の置換または無置換のアルキル基、炭素数2以下の置換または無置換のアルキニル基、炭素数2以下の置換または無置換のアルケニル基、炭素数2以下の置換または無置換のアシル基であることが好ましく、炭素数2以下の置換または無置換のアルキル基であることがより好ましい。
R1〜R9が一般式(W)で表される置換基以外の置換基である場合の置換基がそれぞれ独立に炭素数2以下の置換アルキル基を表す場合、アルキル基がとり得る置換基としては、シアノ基、フッ素原子、重水素原子などを挙げることができ、シアノ基が好ましい。一般式(W)で表される置換基以外の置換基である場合の置換基が表す炭素数2以下の置換または無置換のアルキル基としては、メチル基、エチル基、シアノ基置換のメチル基が好ましく、メチル基またはシアノ基置換のメチル基がより好ましく、シアノ基置換のメチル基が特に好ましい。
R1〜R9が一般式(W)で表される置換基以外の置換基である場合の置換基がそれぞれ独立に炭素数2以下の置換アルキニル基を表す場合、アルキニル基がとり得る置換基としては、重水素原子などを挙げることができる。一般式(W)で表される置換基以外の置換基である場合の置換基が表す炭素数2以下の置換または無置換のアルキニル基としては、エチニル基、重水素原子置換のアセチレン基を挙げることができ、エチニル基が好ましい。
R1〜R9が一般式(W)で表される置換基以外の置換基である場合の置換基がそれぞれ独立に炭素数2以下の置換アルケニル基を表す場合、アルケニル基がとり得る置換基としては、重水素原子などを挙げることができる。一般式(W)で表される置換基以外の置換基である場合の置換基が表す炭素数2以下の置換または無置換のアルケニル基としては、エテニル基、重水素原子置換のエテニル基を挙げることができ、エテニル基が好ましい。
R1〜R9が一般式(W)で表される置換基以外の置換基である場合の置換基がそれぞれ独立に炭素数2以下の置換アシル基を表す場合、アシル基がとり得る置換基としては、フッ素原子などを挙げることができる。一般式(W)で表される置換基以外の置換基である場合の置換基が表す炭素数2以下の置換または無置換のアシル基としては、ホルミル基、アセチル基、フッ素置換のアセチル基を挙げることができ、ホルミル基が好ましい。
一般式(8B)中、X1はそれぞれ独立にS原子、O原子、Se原子またはNR9を表し、X2はそれぞれ独立にS原子、O原子またはSe原子を表し、R10、R11、R13〜R15およびR17はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表し、LbおよびLcはそれぞれ独立に上記一般式(L−1)〜(L−25)のいずれかで表される2価の連結基または2以上の上記一般式(L−1)〜(L−25)のいずれかで表される2価の連結基が結合した2価の連結基を表し、RbおよびRcはそれぞれ独立に置換または無置換のアルキル基、シアノ基、ビニル基、エチニル基、オキシエチレン基、オキシエチレン単位の繰り返し数vが2以上のオリゴオキシエチレン基、シロキサン基、ケイ素原子数が2以上のオリゴシロキサン基、あるいは、置換または無置換のトリアルキルシリル基を表す。
R3、R4、およびR7〜R10は水素原子、ハロゲン原子、または一般式(W)で表される置換基(但し、Lは(L−3)、(L−5)、(L−7)〜(L−9)、(L−12)〜(L−24)のいずれか)を表す。なかでも、R3、R4、およびR7〜R10は、水素原子が好ましい。
なお、Lとしては、(L−3)、(L−5)、(L−13)、(L−17)、または(L−18)が好ましい。
R1、R2、R5、およびR6はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表す。置換基としては、上述した置換基Xが挙げられる。
R1〜R10のうち少なくとも1つは一般式(W)で表される置換基を表す。
なお、一般式(W)で表される置換基の定義は、上述の通りである。
R1〜R10のうち、一般式(W)で表される置換基の位置に特に制限はないが、R2またはR6であることが、キャリア移動度を高め、有機溶媒への溶解性を高める観点から好ましく、R2およびR6がより好ましい。
また、一般式(9)のR1〜R10のうち、一般式(W)で表される置換基以外の置換基は、0〜4個であることが好ましく、0〜2個であることがより好ましく、0または1個であることが特に好ましく、0個であることがより特に好ましい。
一般式(10)のR1〜R8は、R2およびR6のうち少なくとも1つが、置換もしくは無置換のアリールチオ基、置換もしくは無置換のヘテロアリールチオ基、置換もしくは無置換のアルキルオキシカルボニル基、置換もしくは無置換のアリールオキシカルボニル基または置換もしくは無置換のアルキルアミノ基であることが好ましい。より好ましくは、置換もしくは無置換のアリールチオ基、または、置換もしくは無置換のヘテロアリールチオ基である。更に好ましくは、R2およびR6のいずれもが、置換もしくは無置換のアリールチオ基、または、置換もしくは無置換のヘテロアリールチオ基である。特に好ましくは置換もしくは無置換のフェニルチオ基または下記群(A)から選ばれるヘテロアリールチオ基である。より特に好ましくは置換もしくは無置換のフェニルチオ基または下記一般式(A−17)、(A−18)、(A−20)で表されるヘテロアリールチオ基である。
ヘテロアリールチオ基としては、3〜10員環のヘテロアリール基に硫黄原子が連結した基が好ましく、5または6員環のヘテロアリール基に硫黄原子が連結した基がより好ましく、下記群(A)が特に好ましい。
群(A)中、R’およびRNはそれぞれ独立に水素原子または置換基を表す。
群(A)中、R’は水素原子または一般式(W)で表される置換基を表すことが好ましい。
群(A)中、RNは置換基を表すことが好ましく、アルキル基、アリール基、ヘテロアリール基がより好ましく、アルキル基、アルキル基で置換されたアリール基、アルキル基で置換されたヘテロアリール基が特に好ましく、炭素数1〜4のアルキル基、炭素数1〜4のアルキル基で置換されたフェニル基、炭素数1〜4のアルキル基で置換された5員のヘテロアリール基がより特に好ましい。
R1〜R8のうち、置換もしくは無置換のアリールチオ基、置換もしくは無置換のヘテロアリールチオ基、置換もしくは無置換のアルキルオキシカルボニル基、置換もしくは無置換のアリールオキシカルボニル基または置換もしくは無置換のアルキルアミノ基以外の置換基(以下、他の置換基ともいう)は、0〜4個であることが好ましく、0〜2個であることがより好ましく、0または1個であることが特に好ましく、0個であることがより特に好ましい。
Rxはそれぞれ独立に水素原子または一般式(W)で表される置換基を表す。
一般式(W)で表される置換基の定義は上述の通りである。
置換基としては、上述した置換基Xが挙げられる。一般式(W)で表される置換基の定義は、上述の通りである。
一般式(11)のR1〜R12は、R3およびR9のうち少なくとも1つが、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアリールチオ基、置換もしくは無置換のヘテロアリールチオ基、置換もしくは無置換のアルキルオキシカルボニル基、置換もしくは無置換のアリールオキシカルボニル基または置換もしくは無置換のアルキルアミノ基であることが好ましい。より好ましくは、置換もしくは無置換のアルキル基である。更に好ましくは、R3およびR9のいずれもが、置換もしくは無置換のアルキル基である。
置換基としては、上述した置換基Xが挙げられる。一般式(W)で表される置換基の定義は、上述の通りである。
一般式(12)のR1〜R12は、R3およびR9のうち少なくとも1つが、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアリールチオ基、置換もしくは無置換のヘテロアリールチオ基、置換もしくは無置換のアルキルオキシカルボニル基、置換もしくは無置換のアリールオキシカルボニル基または置換もしくは無置換のアルキルアミノ基であることが好ましい。より好ましくは、置換もしくは無置換のアルキル基である。更に好ましくは、R3およびR9のいずれもが、置換もしくは無置換のアルキル基である。
置換基としては、上述した置換基Xが挙げられる。一般式(W)で表される置換基の定義は、上述の通りである。
一般式(13)のR1〜R12は、R3およびR9のうち少なくとも1つが、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアリールチオ基、置換もしくは無置換のヘテロアリールチオ基、置換もしくは無置換のアルキルオキシカルボニル基、置換もしくは無置換のアリールオキシカルボニル基または置換もしくは無置換のアルキルアミノ基であることが好ましい。より好ましくは、置換もしくは無置換のアルキル基である。更に好ましくは、R3およびR9のいずれもが、置換もしくは無置換のアルキル基である。
置換基としては、上述した置換基Xが挙げられる。一般式(W)で表される置換基の定義は、上述の通りである。
Rがアルキル基である場合のLとしては、(L−2)〜(L−5)、(L−13)、(L−17)、(L−18)が好ましく、(L−3)、(L−13)、(L−18)がより好ましい。
一般式(14)のR1〜R8は、R2およびR7のうち少なくとも1つが、一般式(W)で表される置換基であることが好ましい。より好ましくは、R2およびR7のいずれもが、一般式(W)で表される置換基である。
置換基としては、上述した置換基Xが挙げられる。一般式(W)で表される置換基の定義は、上述の通りである。
一般式(15)のR1〜R6は、R2およびR5のうち少なくとも1つが、一般式(W)で表される置換基であることが好ましい。より好ましくは、R2およびR5のいずれもが、一般式(W)で表される置換基である。
置換基としては、上述した置換基Xが挙げられる。一般式(W)で表される置換基の定義は、上述の通りである。
ただし、Lは(L−3)、(L−5)、(L−7)〜(L−9)、(L−12)〜(L−24)のいずれかであり、R3およびR6が一般式(W)で表される置換基の場合、(L−3)、(L−5)、(L−13)、(L−17)、(L−18)が好ましい。
一般式(16)のR1〜R6は、R1およびR4のうち少なくとも1つが、一般式(W)で表される置換基であることが好ましい。より好ましくは、R1およびR4のいずれもが、一般式(W)で表される置換基である。
また、R3およびR6は水素原子であることが好ましい。
一方で、薄膜の膜質安定性の観点からは、分子量は300以上であることが好ましく、350以上であることがより好ましく、400以上であることがさらに好ましい。
有機溶媒(B)としては、C2−C4アルコキシベンゼン類、C1−C4アルキル置換されたC1−C4アルコキシベンゼン類、および、アセトフェノンからなる群から選択される少なくとも1つが挙げられる。
有機溶媒(B)は1種のみを使用しても、2種以上を併用してもよい。
C1−C4アルキル置換されたC1−C4アルコキシベンゼン類は、炭素数が1〜4のアルキル基で置換されているアルコキシベンゼンであって、アルキル基の例として、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基およびブチル基が挙げられる。
なかでも、本発明の効果がより優れる点で、有機溶媒(B)としては、エトキシベンゼン、プロポキシベンゼン、ブトキシベンゼン、メチルアニソール(例えば、3−メチルアニソール、4−メチルアニソール)、または、ジメチルアニソールが好ましく、プロポキシベンゼンまたはブトキシベンゼンがより好ましく、ブトキシベンゼンを少なくとも含むことが好ましい。
本発明の組成物には、上記有機半導体(A)および有機溶媒(B)以外の他の成分が含まれていてもよい。
例えば、高分子化合物が含まれていてもよい。高分子化合物の種類は特に制限されず、公知の高分子化合物が挙げられる。高分子化合物の好適態様としては、ベンゼン環を有する高分子化合物(ベンゼン環基を有する繰り返し単位を有する高分子)が好ましい。ベンゼン環基を有する繰り返し単位の含有量は特に制限されないが、全繰り返し単位中、50モル%以上が好ましく、70モル%以上がより好ましく、90モル%以上がさらに好ましい。上限は特に制限されないが、100モル%が挙げられる。
上記高分子化合物としては、例えば、ポリスチレン、ポリ(α‐メチルスチレン)、ポリビニルシンナメート、ポリ(4−ビニルフェニル)またはポリ(4−メチルスチレン)などが挙げられる。
なお、高分子化合物の重量平均分子量は特に制限されないが、20万〜120万が好ましく、40万〜90万がより好ましい。
組成物中には、少なくとも有機半導体(A)および有機溶媒(B)が含まれる。
組成物中における有機半導体(A)の含有量は特に制限されないが、本発明の効果がより優れる点で、組成物全質量に対して、0.05〜8.0質量%が好ましく、0.1〜5質量%がより好ましい。
組成物中における有機溶媒(B)の含有量は特に制限されないが、本発明の効果がより優れる点で、組成物全質量に対して、92.0〜99.95質量%が好ましく、95〜99.9質量%がより好ましい。
組成物中に高分子化合物が含まれる場合、本発明の効果がより優れる点で、その含有量は組成物全質量に対して、0.4〜8.0質量%が好ましく、0.7〜5.0質量%がより好ましく、1.0〜4.0質量%がさらに好ましく、1.5〜3.0質量%が特に好ましい。
なお、粘度は25℃での粘度を意図する。
上記組成物を用いて有機半導体膜を製造する方法は特に制限されず、公知の方法を採用できる。例えば、組成物を所定の基材上に付与して、必要に応じて乾燥処理を施して、有機半導体膜を製造する方法が挙げられる。
基材上に組成物を付与する方法は特に制限されず、公知の方法を採用でき、例えば、インクジェット印刷法、フレキソ印刷法、バーコート法、スピンコート法、ナイフコート法、ドクターブレード法などが挙げられ、インクジェット印刷法、フレキソ印刷法が好ましい。
なお、フレキソ印刷法としては、フレキソ印刷版として感光性樹脂版を用いる態様が好適に挙げられる。この態様によって、組成物を基板上に印刷して、パターンを容易に形成することができる。
上記有機半導体膜は、有機トランジスタ(有機薄膜トランジスタ)に好適に使用することができる。
本発明の有機薄膜トランジスタの一態様について図面を参照して説明する。
図1は、本発明の有機薄膜トランジスタの一態様の断面模式図である。
図1において、有機薄膜トランジスタ100は、基板10と、基板10上に配置されたゲート電極20と、ゲート電極20を覆うゲート絶縁膜30と、ゲート絶縁膜30のゲート電極20側とは反対側の表面に接するソース電極40およびドレイン電極42と、ソース電極40とドレイン電極42との間のゲート絶縁膜30の表面を覆う有機半導体膜50と、各部材を覆う封止層60とを備える。有機薄膜トランジスタ100は、ボトムゲート−ボトムコンタクト型の有機薄膜トランジスタである。
なお、図1においては、有機半導体膜50が、上述した組成物より形成される膜に該当する。
以下、基板、ゲート電極、ゲート絶縁膜、ソース電極、ドレイン電極、有機半導体膜および封止層並びにそれぞれの形成方法について詳述する。
基板は、後述するゲート電極、ソース電極、ドレイン電極などを支持する役割を果たす。
基板の種類は特に制限されず、例えば、プラスチック基板、ガラス基板、セラミック基板などが挙げられる。なかでも、各デバイスへの適用性およびコストの観点から、ガラス基板またはプラスチック基板であることが好ましい。
プラスチック基板の材料としては、熱硬化性樹脂(例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂(例えばPET、PEN)など)または熱可塑性樹脂(例えば、フェノキシ樹脂、ポリエーテルスルフォン、ポリスルフォン、ポリフェニレンスルフォンなど)が挙げられる。
セラミック基板の材料としては、例えば、アルミナ、窒化アルミニウム、ジルコニア、シリコン、窒化シリコン、シリコンカーバイドなどが挙げられる。
ガラス基板の材料としては、例えば、ソーダガラス、カリガラス、ホウケイ酸ガラス、石英ガラス、アルミケイ酸ガラス、鉛ガラスなどが挙げられる。
ゲート電極、ソース電極、ドレイン電極の材料としては、例えば、金(Au)、銀、アルミニウム(Al)、銅、クロム、ニッケル、コバルト、チタン、白金、タンタル、マグネシウム、カルシウム、バリウム、ナトリウム等の金属;InO2、SnO2、ITO等の導電性の酸化物;ポリアニリン、ポリピロール、ポリチオフェン、ポリアセチレン、ポリジアセチレン等の導電性高分子;シリコン、ゲルマニウム、ガリウム砒素等の半導体;フラーレン、カーボンナノチューブ、グラファイト等の炭素材料などが挙げられる。なかでも、金属であることが好ましく、銀、アルミニウムであることがより好ましい。
ゲート電極、ソース電極、ドレイン電極の厚みは特に制限されないが、20〜200nmであることが好ましい。
ゲート絶縁膜の材料としては、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレン、ポリビニルフェノール、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリエステル、ポリビニルアルコール、ポリ酢酸ビニル、ポリウレタン、ポリスルホン、ポリベンゾキサゾール、ポリシルセスキオキサン、エポキシ樹脂、フェノール樹脂等のポリマー;二酸化珪素、酸化アルミニウム、酸化チタン等の酸化物;窒化珪素等の窒化物などが挙げられる。これらの材料のうち、有機半導体膜との相性から、ポリマーであることが好ましい。
ゲート絶縁膜の材料としてポリマーを用いる場合、架橋剤(例えば、メラミン)を併用するのが好ましい。架橋剤を併用することで、ポリマーが架橋されて、形成されるゲート絶縁膜の耐久性が向上する。
ゲート絶縁膜の膜厚は特に制限されないが、100〜1000nmであることが好ましい。
ゲート絶縁膜形成用組成物を塗布してゲート絶縁膜を形成する場合、溶媒除去、架橋などを目的として、塗布後に加熱(ベーク)してもよい。
有機半導体膜は、上述した組成物より形成される膜である。
有機半導体膜の形成方法は特に制限されず、上述した組成物を、ソース電極、ドレイン電極、およびゲート絶縁膜上に付与して、必要に応じて乾燥処理を施すことにより、所望の有機半導体膜を形成することができる。
本発明の有機薄膜トランジスタは、耐久性の観点から、最外層に封止層を備えるのが好ましい。封止層には公知の封止剤を用いることができる。
封止層の厚みは特に制限されないが、0.2〜10μmであることが好ましい。
図2において、有機薄膜トランジスタ200は、基板10と、基板10上に配置されたゲート電極20と、ゲート電極20を覆うゲート絶縁膜30と、ゲート絶縁膜30上に配置された有機半導体膜50と、有機半導体膜50上に配置されたソース電極40およびドレイン電極42と、各部材を覆う封止層60を備える。ここで、ソース電極40およびドレイン電極42は、上述した本発明の組成物を用いて形成されたものである。有機薄膜トランジスタ200は、トップコンタクト型の有機薄膜トランジスタである。
基板、ゲート電極、ゲート絶縁膜、ソース電極、ドレイン電極、有機半導体膜および封止層については上述のとおりである。
なお、上述した有機薄膜トランジスタは、電子ペーパー、ディスプレイデバイスなどに好適に使用できる。
なお、有機半導体1は、Journal of American Chemical Society, 116, 925(1994)、Journalof Chemical Society, 221(1951)などを参考にして合成した。
有機半導体2は、公知文献(Org.Lett.,2001,3,3471、Macromolecules,2010,43,6264、Tetrahedron,2002,58,10197)を参考に合成した。
有機半導体3は、特表2012−513459号公報、特開2011−46687号公報、Journal of Chemical Research.miniprint,3,601−635(1991)、Bull.Chem.Soc.Japan,64,3682−3686(1991)、Tetrahedron Letters,45,2801−2803(2004)などを参考にして合成した。
有機半導体4は、EP2251342A1号公報、EP2301926A1号公報、EP2301921A1号公報、KR10−2012−0120886号公報などを参考にして合成した。
有機半導体5は、公知文献(J.Org.Chem.2011,696、Org.Lett.,2001,3,3471、Macromolecules 2010,43,6264、J.Org.Chem.2013,78,7741、Chem.Eur.J.2013,19,3721)を参考にして合成した。
有機半導体6は、公知文献(Bull.Chem.Soc.Jpn.,1987,60,4187、J.Am.Chem.Soc.2011,133,5024、Chem.Eur.J.2013,19,3721)を参考に合成した。
有機半導体7および8は、公知文献(Macromolecules,2010,43,6264−6267、J.Am.Chem.Soc.2012,134,16548−16550)を参考にして合成した。
有機半導体9は、文献A(K.Muellen,Chem.Commun.2008,1548−1550.)、文献B(K.Takimiya,Org.Lett.2007,9,4499‐4502.)、文献C(Rao;Tilak,Journal of Scientific and Industrial Research,1958,vol.17 B,p.260−265.)、文献D(Ghaisas;Tilak,Journal of Scientific and Industrial Research,1955,vol.14 B,p.11.)を参考にして合成した。
有機半導体10〜13は、公知文献(Journal of American Chemical Society, 129, 15732 (2007))を参考にして合成した。
有機半導体14および有機半導体17は、WO2005−087780号に記載された方法に準じて合成を行った。
有機半導体15は、特開2009−190999号公報に記載された方法に準じて合成を行った。
有機半導体16は、特表2012−206953号公報に記載された方法に準じて合成を行った。
有機半導体18としては、C8BTBT(日本化薬社製)を用いた。
有機半導体19としては、6−13−ビス(トリイソプロピルシリルエチニル)ペンタセン(アルドリッチ社製)を用いた。
有機半導体20としては、5,11−ビス(トリエチルシリルエチニル)アントラジチオフェン(アルドリッチ社製)を用いた。
表1に示す有機半導体、表1に示す有機溶媒、および、高分子化合物としてポリ(α‐メチルスチレン)(分子量40万、アルドリッチ社製)を、表1に示す所定比率(組成物全質量に対する質量%)で総量20gを50ml硝子バイヤルに秤量し、ミックスローター(アズワン製)で10分間攪拌混合した。0.5μmメンブレンフィルターでろ過することで、組成物を得た。
なお、比較例においては、高分子化合物は添加されていない。
以下の要領で、ボトムゲート−ボトムコンタクト型の有機トランジスタを形成した。
(ゲート電極形成)
無アルカリ硝子基板上(5cm×5cm)に、銀ナノインク(H−1 三菱マテリアル社製)をDMP2831(1ピコリットルヘッド)を用いたインクジェット印刷により、幅100μm、膜厚100nmの配線パターンを形成し、その後、200℃、90分間、ホットプレート上、大気下で焼成することで、ゲート電極配線を形成した。
ポリビニルフェノール(Mw25000、アルドリッチ社製)5質量部、および、メラミン5質量部、ポリエチレングリコールモノメチルエーテルアセテート90質量部を攪拌混合し、0.2μmメンブレンフィルターでろ過することで、溶液を作製した。得られた溶液を、ゲート電極を作製した硝子基板上に滴下し、スピンコート(1000rpm,120秒)により、コートし、150℃にて30分加熱することで、ゲート絶縁膜を形成した。
上記絶縁膜コートされた基板中央上に、図3に示すパターンを複数個有するメタルマスクを載せ、UVオゾン30分照射することで、マスク開口部が親水処理表面に改質した。なお、図3中、メタルマスク51には、光を遮断するマスク部52と、開口部53および54がある。改質部分周辺にDMP2831(1ピコリットルヘッド)を用いたインクジェット印刷により、チャネル長50μm、チャネル幅320μmのソース電極・ドレイン電極パターンを形成した。得られた基板をN2雰囲気下(グローブボックス中、酸素濃度20ppm以下の環境)にて、ホットプレート上200℃で90分焼成することで、膜厚200nmのソース電極およびドレイン電極が形成された。
表1に示すように、以下に示す(インクジェット法)または(フレキソ印刷法)のいずれかに従って、有機半導体膜を製造した。
(有機半導体膜:インクジェット法)
上記で作製した組成物をソース電極およびドレイン電極を形成した基板上に、インクジェット法によりコートした。インクジェット装置としては、DPP2831(富士フイルムグラフィックシステムズ社製)、10pLヘッドを用い、吐出周波数2Hzでドット間ピッチ20μmでベタ膜を形成した。そのまま、40℃下室温で2時間乾燥することで、ソース電極およびドレイン電極間に有機半導体膜(膜厚:50nm)を作製した。
上記で作製した組成物をソース電極およびドレイン電極を形成した基板上に、フレキソ印刷法によりコートした。印刷装置として、フレキソ適性試験機F1(アイジーティ・テスティングシステムズ社製)を用い、フレキソ樹脂版として、AFP DSH1.70%(旭化成社製)/ベタ画像を用いた。版と基板間の圧は、60N、搬送速度0.4m/秒で印刷を行った後、そのまま、40℃下室温で2時間乾燥することで、ソース電極およびドレイン電極間に有機半導体膜(膜厚:50nm)を作製した。
上記要領で5つの有機トランジスタを製造して、それぞれについて半導体特性評価装置B2900A(アジレント社製)を用い、キャリア移動度を測定した。得られた5つの移動度を算術平均し、得られた移動度の値に応じて、1〜5のスコア付けを行った。
5:0.2cm2/Vs以上
4:0.1cm2/Vs以上、0.2cm2/Vs未満
3:0.02cm2/Vs以上、0.1cm2/Vs未満
2:0.002cm2/Vs以上、0.02cm2/Vs未満
1:0.002cm2/Vs未満
上記要領で5つの有機トランジスタを製造して、それぞれについて上記(移動度)の評価を行い、平均値に対するバラツキσを評価した。バラツキσの測定方法としては、まず、5つのTFTの移動度を求めて、次に、それらを算術平均して平均値Xを求め、その後、平均値Xと各サンプルの移動度の値との「差」を算出して、その「差」の平均値Yを算出して、(平均値Y/平均値X)×100にて、バラツキσを求めた。
5:バラツキが20%未満
4:バラツキが20%以上30%未満
3:バラツキが30%以上50%未満
2:バラツキが50%以上100%未満
1:バラツキが100%以上
所定の溶媒を使用していない比較例1〜2、および、所定の有機半導体を使用していない比較例3〜6では、所望の効果は得られなかった。
20:ゲート電極
30:ゲート絶縁膜
40:ソース電極
42:ドレイン電極
50:有機半導体膜
51:メタルマスク
52:マスク部
53,54:開口部
60:封止層
100、200:有機薄膜トランジスタ
Claims (17)
- 一般式(1)〜(16)で表される化合物からなる群から選択される少なくとも1種の有機半導体(A)と、
C2−C4アルコキシベンゼン類、C1−C4アルキル置換されたC1−C4アルコキシベンゼン類、および、アセトフェノンからなる群から選択される少なくとも1つの有機溶媒(B)と、を少なくとも含有する、有機トランジスタの有機半導体膜形成用組成物。
一般式(1)中、A1およびA2は、それぞれ独立に、S原子、O原子、またはSe原子を表し、R1〜R6は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。ただし、R1〜R6のうち少なくとも1つが一般式Wで表される置換基である。
一般式(W)−L−R
一般式(W)中、Lは下記一般式(L−1)〜(L−25)のいずれかで表される2価の連結基または2以上の下記一般式(L−1)〜(L−25)のいずれかで表される2価の連結基が結合した2価の連結基を表し、Rは置換または無置換のアルキル基、シアノ基、ビニル基、エチニル基、オキシエチレン基、オキシエチレン単位の繰り返し数vが2以上のオリゴオキシエチレン基、シロキサン基、ケイ素原子数が2以上のオリゴシロキサン基、または、置換または無置換のトリアルキルシリル基を表す。:
一般式(L−1)〜(L−25)中、*はRとの結合位置を表し、波線部分はもう一方の結合位置を表す。なお、Lが一般式(L−1)〜(L−25)のいずれかで表される2価の連結基が2つ以上結合した2価の連結基を表す場合、一方の連結基の*が、他方の連結基の波線部分と結合する。一般式(L−13)におけるmは4を表し、一般式(L−14)および(L−15)におけるmは3を表し、一般式(L−16)〜(L−20)におけるmは2を表し、(L−22)におけるmは6を表し、
一般式(L−1)、(L−2)、(L−6)および(L−13)〜(L−24)におけるR’はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表し、RNは水素原子または置換基を表し、Rsiはそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アルケニル基またはアルキニル基を表す。
一般式(2)中、X1およびX2は、それぞれ独立に、NR13、O原子またはS原子を表し、A1はCR7またはN原子を表し、A2はCR8またはN原子を表し、R13は水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基またはアシル基を表し、R1〜R8はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表し、R1〜R8のうち少なくとも1つが前記一般式(W)で表される置換基である。
一般式(3)中、Xはそれぞれ独立にS原子、O原子またはNR7を表し、Aはそれぞれ独立にCR8またはN原子を表す。R1〜R8はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表し、R1〜R8のうち少なくとも一つが前記一般式(W)で表される置換基である。
一般式(4)中、Xはそれぞれ独立にO原子、S原子またはSe原子を表し、pおよびqはそれぞれ独立に0〜2の整数を表し、R1〜R10、RaおよびRbはそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子または前記一般式(W)で表される置換基を表し、かつ、R1〜R10、RaおよびRbのうち少なくとも一つは前記一般式(W)で表される置換基であり、ただし、R5とR6のうち少なくとも一方が前記一般式(W)で表される置換基である場合はR5とR6が表す前記一般式(W)においてLは前記一般式(L−2)または(L−3)で表される2価の連結基である。
一般式(5)中、X1およびX2はそれぞれ独立にNR13、O原子またはS原子を表し、A1はCR7またはN原子を表し、A2はCR8またはN原子を表し、R13は水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アシル基、アリール基またはヘテロアリール基を表し、R1〜R8はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表し、ただし、R1〜R8のうち少なくとも1つが前記一般式(W)で表される置換基である。
一般式(6)中、X1〜X4はそれぞれ独立にNR7、O原子またはS原子を表し、R7は水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アシル基、アリール基またはヘテロアリール基を表し、R1〜R6はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表し、R1〜R6のうち少なくとも1つが前記一般式(W)で表される置換基である。
一般式(7)中、X1はそれぞれ独立にS原子、O原子、Se原子またはNR9を表し、X2はそれぞれ独立にS原子、O原子またはSe原子を表し、R1〜R9はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表し、ただし、R1〜R9のうち少なくとも1つが前記一般式(W)で表される置換基である。
一般式(8)中、X1はそれぞれ独立にS原子、O原子、Se原子またはNR9を表し、X2はそれぞれ独立にS原子、O原子またはSe原子を表し、R1〜R9はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表し、ただし、R1〜R9のうち少なくとも1つが前記一般式(W)で表される置換基である。
一般式(9)中、Xはそれぞれ独立にO原子、S原子またはSe原子を表し、R3、R4、およびR7〜R10は水素原子、ハロゲン原子、または前記一般式(W)で表される置換基(但し、Lは(L−3)、(L−5)、(L−7)〜(L−9)、(L−12)〜(L−24)のいずれか)を表す。R1、R2、R5、およびR6はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表す。R1〜R10のうち少なくとも1つは、前記一般式(W)で表される置換基である。
一般式(10)中、R1〜R8はそれぞれ独立に水素原子、または置換基を表し、R1〜R8のうち少なくとも1つは置換もしくは無置換のアリールチオ基、置換もしくは無置換のヘテロアリールチオ基、置換もしくは無置換のアルキルオキシカルボニル基、置換もしくは無置換のアリールオキシカルボニル基または置換もしくは無置換のアルキルアミノ基であり、X1およびX2はそれぞれ独立にS原子、O原子、Se原子またはNRxを表し、Rxはそれぞれ独立に水素原子または前記一般式(W)で表される置換基を表す。
一般式(11)中、X1およびX2はそれぞれ独立にS原子、O原子、Se原子またはNR13を表し、R1〜R13はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表し、R1〜R13のうち少なくとも1つは前記一般式(W)で表される置換基である。
一般式(12)中、X1およびX2はそれぞれ独立にS原子、O原子、Se原子またはNR13を表し、R1〜R13はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表し、R1〜R13のうち少なくとも1つは前記一般式(W)で表される置換基である。
一般式(13)中、X1およびX2はそれぞれ独立にS原子、O原子、Se原子またはNR13を表し、R1〜R13はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表し、R1〜R13のうち少なくとも1つは前記一般式(W)で表される置換基をである。
一般式(14)中、X1、X2およびX3はそれぞれ独立にS原子、O原子、Se原子またはNR9を表し、R1〜R9はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表し、R1〜R9のうち少なくとも1つは前記一般式(W)で表される置換基である。但し、R1〜R8の少なくとも1つが前記一般式(W)で表される置換基であり、Rがアルキル基である場合には、Lは(L−2)〜(L−25)である。
一般式(15)中、X1、X2、X3、およびX4はそれぞれ独立にS原子、O原子、Se原子またはNR13を表し、R1〜R6およびR13はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表し、R1〜R6およびR13のうち少なくとも1つは前記一般式(W)で表される置換基である。
一般式(16)中、X1、X2、X3、およびX4はそれぞれ独立にS原子、O原子、Se原子またはNR13を表す。R3およびR6は水素原子、ハロゲン原子、または前記一般式(W)で表される置換基(但し、Lは(L−3)、(L−5)、(L−7)〜(L−9)、(L−12)〜(L−24)のいずれか)である。R1、R2、R4、R5、およびR13はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表す。R1〜R6、R13のうち少なくとも1つは前記一般式(W)で表される置換基である。 - 前記有機溶媒(B)が、エトキシベンゼン、プロポキシベンゼン、ブトキシベンゼン、メチルアニソール、およびジメチルアニソールからなる群から選択される少なくとも1種を含む、請求項1に記載の有機トランジスタの有機半導体膜形成用組成物。
- 前記有機溶媒(B)が、プロポキシベンゼンおよびブトキシベンゼンからなる群から選択される少なくとも1種を含む、請求項1または2に記載の有機トランジスタの有機半導体膜形成用組成物。
- 前記有機溶媒(B)が、ブトキシベンゼンを少なくとも含む、請求項1〜3のいずれか1項に記載の有機トランジスタの有機半導体膜形成用組成物。
- 前記有機半導体(A)が、前記一般式(1)〜(9)、および、一般式(15)で表される化合物からなる群から選択される少なくとも1種を含む、請求項1〜4のいずれか1項に記載の有機トランジスタの有機半導体膜形成用組成物。
- さらに、高分子化合物を含む、請求項1〜5のいずれか1項に記載の有機トランジスタの有機半導体膜形成用組成物。
- 粘度が3〜100cPである、請求項1〜6のいずれか1項に記載の有機トランジスタの有機半導体膜形成用組成物。
- 粘度が5〜50cPである、請求項1〜7のいずれか1項に記載の有機トランジスタの有機半導体膜形成用組成物。
- 粘度が9〜40cPである、請求項1〜8のいずれか1項に記載の有機トランジスタの有機半導体膜形成用組成物。
- 前記高分子化合物の含有量が、組成物全質量に対して、0.4〜8.0質量%である、請求項6〜9のいずれか1項に記載の有機トランジスタの有機半導体膜形成用組成物。
- 前記高分子化合物の含有量が、組成物全質量に対して、0.7〜5.0質量%である、請求項6〜10のいずれか1項に記載の有機トランジスタの有機半導体膜形成用組成物。
- 前記高分子化合物の含有量が、組成物全質量に対して、1.0〜4.0質量%である、請求項6〜11のいずれか1項に記載の有機トランジスタの有機半導体膜形成用組成物。
- 前記高分子化合物の含有量が、組成物全質量に対して、1.0〜3.0質量%である、請求項6〜12のいずれか1項に記載の有機トランジスタの有機半導体膜形成用組成物。
- 前記有機半導体(A)の含有量が、組成物全質量に対して、0.1〜5.0質量%である、請求項1〜13のいずれか1項に記載の有機トランジスタの有機半導体膜形成用組成物。
- インクジェット印刷用またはフレキソ印刷用である、請求項1〜14のいずれか1項に記載の有機トランジスタの有機半導体膜形成用組成物。
- フレキソ印刷用である、請求項1〜15のいずれか1項に記載の有機トランジスタの有機半導体膜形成用組成物。
- フレキソ印刷版として感光性樹脂版を用い、請求項16に記載の組成物を基板上に印刷して、パターンを形成する、パターン形成方法。
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Publications (2)
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---|---|
JP2015192118A true JP2015192118A (ja) | 2015-11-02 |
JP6247583B2 JP6247583B2 (ja) | 2017-12-13 |
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Country Status (1)
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