JP7250982B1 - 光検出素子の活性層形成用インク組成物、膜、及び光検出素子 - Google Patents

Abstract

【課題】暗電流が低減された光電変換素子の活性層を製造しうる、組成物。【解決手段】ｐ型半導体、ｎ型半導体、界面活性剤、及び溶媒を含む、組成物。ｐ型半導体、ｎ型半導体、及び界面活性剤を含む膜。第１の電極と、当該膜と、第２の電極とをこの順で含む、有機光電変換素子。当該有機光電変換素子を含む光検出素子。【選択図】図１

Description

本発明は、組成物、膜、有機光電変換素子、及び光検出素子に関する。

近年、活性層に有機化合物を含む有機光電変換素子が注目されている。かかる有機光電変換素子を含む光検出素子の特性を向上させる試みも行われている（非特許文献１参照）。

Ｙａｚｈｏｎｇ Ｗａｎｇ，ｅｔ ａｌ．，Ｍａｔｅｒ．Ｈｏｒｉｚ．，２０２２，９，２２０－２５１

光検出素子に含まれる光電変換素子は、暗状態で流れる電流（暗電流）が、小さいことが好ましい。したがって、暗電流が低減された光電変換素子の活性層を製造しうる、組成物；暗電流が低減された光電変換素子の活性層として機能しうる膜；かかる膜を含む、有機光電変換素子；かかる有機光電変換素子を含む、暗電流が低減された光検出素子；が求められる。

本発明者らは、前記課題を解決すべく鋭意研究を進めたところ、本発明を完成するに至った。
本発明は、以下を提供する。

［１］ ｐ型半導体、ｎ型半導体、界面活性剤、及び溶媒を含む、組成物。
［２］ 前記ｐ型半導体が、ドナー・アクセプター構造を有する高分子化合物である、［１］に記載の組成物。
［３］ 前記ｐ型半導体が、下記式（Ｉ）で表される構成単位及び下記式（ＩＩ）で表される構成単位からなる群より選択される一種以上の構成単位を含む高分子化合物である、［１］又は［２］に記載の組成物。

（式（Ｉ）中、
Ａｒ^１及びＡｒ^２は、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい３価の芳香族複素環基を表し、
Ｚは下記式（Ｚ－１）～式（Ｚ－７）のいずれか１つで表される基を表す。

（式（Ｚ－１）～（Ｚ－７）中、Ｒは、
水素原子、
ハロゲン原子、
置換基を有していてもよいアルキル基、
置換基を有していてもよいシクロアルキル基、
置換基を有していてもよいアルケニル基、
置換基を有していてもよいシクロアルケニル基、
置換基を有していてもよいアルキニル基、
置換基を有していてもよいシクロアルキニル基、
置換基を有していてもよいアリール基、
置換基を有していてもよいアルキルオキシ基、
置換基を有していてもよいシクロアルキルオキシ基、
置換基を有していてもよいアリールオキシ基、
置換基を有していてもよいアルキルチオ基、
置換基を有していてもよいシクロアルキルチオ基、
置換基を有していてもよいアリールチオ基、
置換基を有していてもよい１価の複素環基、
置換基を有していてもよい置換アミノ基、
置換基を有していてもよいイミン残基、
置換基を有していてもよいアミド基、
置換基を有していてもよい酸イミド基、
置換基を有していてもよい置換オキシカルボニル基、
シアノ基、
ニトロ基、
－Ｃ（＝Ｏ）－Ｒ^ｃで表される基、又は
－ＳＯ_２－Ｒ^ｄで表される基を表し、
Ｒ^ｃ及びＲ^ｄは、それぞれ独立して、
水素原子、
置換基を有していてもよいアルキル基、
置換基を有していてもよいシクロアルキル基、
置換基を有していてもよいアリール基、
置換基を有していてもよいアルキルオキシ基、
置換基を有していてもよいシクロアルキルオキシ基、
置換基を有していてもよいアリールオキシ基、又は
置換基を有していてもよい１価の複素環基を表す。
式（Ｚ－１）～式（Ｚ－７）中、Ｒが２つある場合、２つあるＲは同一であっても異なっていてもよい。））

（式（ＩＩ）中、Ａｒ^３は２価の芳香族複素環基を表す。）
［４］ 前記ｎ型半導体が、フラーレン誘導体である、［１］～［３］のいずれか一項に記載の組成物。
［５］ 前記ｎ型半導体が、非フラーレン化合物である、［１］～［３］のいずれか一項に記載の組成物。
［６］ 前記溶媒が、芳香族炭化水素溶媒を含む、［１］～［５］のいずれか一項に記載の組成物。
［７］ 前記界面活性剤が、ノニオン性界面活性剤である、［１］～［６］のいずれか一項に記載の組成物。
［８］ 前記界面活性剤が、ポリ（メタ）アクリレート構造を有する化合物である、［１］～［７］のいずれか一項に記載の組成物。
［９］ 前記界面活性剤が、オルガノポリシロキサン構造を有する化合物である、［１］～［８］のいずれか一項に記載の組成物。
［１０］ 前記界面活性剤が、フッ素系界面活性剤である、［１］～［９］のいずれか一項に記載の組成物。
［１１］ ｐ型半導体、ｎ型半導体、及び界面活性剤を含む膜。
［１２］ 第１の電極と、［１１］に記載の膜と、第２の電極とをこの順で含む、有機光電変換素子。
［１３］ ［１２］に記載の有機光電変換素子を含む、光検出素子。

本発明によれば、暗電流が低減された光電変換素子の活性層を製造しうる、組成物；暗電流が低減された光電変換素子の活性層として機能しうる膜；かかる膜を含む、有機光電変換素子；かかる有機光電変換素子を含む、暗電流が低減された光検出素子；が提供されうる。

図１は、光電変換素子の構成例を模式的に示す図である。

以下、図面を参照して、本発明の実施形態について説明する。なお、図面は、発明が理解できる程度に、構成要素の形状、大きさ及び配置が概略的に示されているに過ぎない。本発明は以下の記述によって限定されるものではなく、各構成要素は本発明の要旨を逸脱しない範囲において適宜変更可能である。以下の説明に用いる図面において、同様の構成要素については同一の符号を付して示し、重複する説明については省略する場合がある。また、本発明の実施形態にかかる構成は、必ずしも図示例の配置で使用されるとは限らない。以下に示す実施形態の構成要素は、適宜組み合わせうる。

［１．共通する用語の説明］
本明細書において、「高分子化合物」とは、分子量分布を有し、ポリスチレン換算の数平均分子量が、１×１０^３以上１×１０^８以下である重合体を意味する。高分子化合物に含まれる構成単位は、合計１００モル％である。

本明細書において、「構成単位」とは、高分子化合物中に１個以上存在する単位を意味する。「単量体単位」とは、当該単量体（モノマー）を重合することにより得られうる構造を有する単位を意味する。「単量体単位」は、その製造方法により限定されない。

本明細書において、「水素原子」は、軽水素原子であっても、重水素原子であってもよい。

本明細書において、「ハロゲン原子」の例としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、及びヨウ素原子が挙げられる。

「置換基を有していてもよい」態様には、化合物又は基を構成するすべての水素原子が無置換の場合、及び１個以上の水素原子の一部又は全部が置換基によって置換されている場合の両方の態様が含まれる。

置換基の例としては、ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル基、シクロアルキニル基、アルキルオキシ基、シクロアルキルオキシ基、アルキルチオ基、シクロアルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、１価の複素環基、ヒドロキシ基、カルボキシ基、置換アミノ基、アシル基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、置換オキシカルボニル基、シアノ基、アルキルスルホニル基、及びニトロ基が挙げられる。

本明細書において、「アルキル基」は置換基を有していてもよい。「アルキル基」は、特に断らない限り、直鎖状及び分岐状のいずれであってもよい。直鎖状のアルキル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常１～５０であり、好ましくは１～３０であり、より好ましくは１～２０である。分岐状又は環状であるアルキル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３～５０であり、好ましくは３～３０であり、より好ましくは４～２０である。

アルキル基の具体例としては、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ｎ－ペンチル基、イソアミル基、２－エチルブチル基、ｎ－ヘキシル基、ｎ－ヘプチル基、ｎ－オクチル基、２－エチルヘキシル基、３－ｎ－プロピルヘプチル基、ｎ－デシル基、３，７－ジメチルオクチル基、２－エチルオクチル基、２－ｎ－ヘキシル－デシル基、ｎ－ドデシル基、テトラデシル基、ヘキサデシル基、オクタデシル基、エイコシル基等の非置換アルキル基；トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、パーフルオロブチル基、パーフルオロヘキシル基、パーフルオロオクチル基、３－フェニルプロピル基、３－（４－メチルフェニル）プロピル基、３－（３，５－ジ－ｎ－ヘキシルフェニル）プロピル基、６－エチルオキシヘキシル基、シクロヘキシルメチル基、シクロヘキシルエチル基等の置換アルキル基が挙げられる。

「シクロアルキル基」は、単環の基であってもよく、多環の基であってもよい。シクロアルキル基は、置換基を有していてもよい。シクロアルキル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３～３０であり、好ましくは３～２０である。

シクロアルキル基の例としては、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、アダマンチル基などの、置換基を有さないアルキル基、及びこれらの基における水素原子が、アルキル基、アルキルオキシ基、アリール基、フッ素原子などの置換基で置換された基が挙げられる。

置換基を有するシクロアルキル基の具体例としては、メチルシクロヘキシル基、エチルシクロヘキシル基が挙げられる。

「アルケニル基」は、直鎖状でもあってもよく、分岐状であってもよい。アルケニル基は、置換基を有していてもよい。アルケニル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常２～３０であり、好ましくは２～２０である。

アルケニル基の例としては、ビニル基、１－プロペニル基、２－プロペニル基、２－ブテニル基、３－ブテニル基、３－ペンテニル基、４－ペンテニル基、１－ヘキセニル基、５－ヘキセニル基、７－オクテニル基などの、置換基を有しないアルケニル基、及びこれらの基における水素原子が、アルキルオキシ基、アリール基、フッ素原子などの置換基で置換された基が挙げられる。

「シクロアルケニル基」は、単環の基であってもよく、多環の基であってもよい。シクロアルケニル基は、置換基を有していてもよい。シクロアルケニル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３～３０であり、好ましくは３～２０である。

シクロアルケニル基の例としては、シクロヘキセニル基などの、置換基を有さないシクロアルケニル基、及びこれらの基における水素原子が、アルキル基、アルキルオキシ基、アリール基、フッ素原子などの置換基で置換された基が挙げられる。

置換基を有するシクロアルケニル基の例としては、メチルシクロヘキセニル基、及びエチルシクロヘキセニル基が挙げられる。

「アルキニル基」は、直鎖状であってもよく、分岐状であってもよい。アルキニル基は、置換基を有していてもよい。アルキニル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常２～３０であり、好ましくは２～２０である。

アルキニル基の例としては、エチニル基、１－プロピニル基、２－プロピニル基、２－ブチニル基、３－ブチニル基、３－ペンチニル基、４－ペンチニル基、１－ヘキシニル基、５－ヘキシニル基などの、置換基を有しないアルキニル基、及びこれらの基における水素原子が、アルキルオキシ基、アリール基、フッ素原子などの置換基で置換された基が挙げられる。

「シクロアルキニル基」は、単環の基であってもよく、多環の基であってもよい。シクロアルキニル基は、置換基を有していてもよい。シクロアルキニル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常４～３０であり、好ましくは４～２０である。

シクロアルキニル基の例としては、シクロヘキシニル基などの、置換基を有しないシクロアルキニル基、及びこれらの基における水素原子が、アルキル基、アルキルオキシ基、アリール基、フッ素原子などの置換基で置換された基が挙げられる。

置換基を有するシクロアルキニル基の例としては、メチルシクロヘキシニル基、及びエチルシクロヘキシニル基が挙げられる。

「アルキルオキシ基」は、直鎖状であってもよく、分岐状であってもよい。アルキルオキシ基は、置換基を有していてもよい。アルキルオキシ基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常１～３０であり、好ましくは１～２０である。

アルキルオキシ基の例としては、メトキシ基、エトキシ基、ｎ－プロピルオキシ基、イソプロピルオキシ基、ｎ－ブチルオキシ基、イソブチルオキシ基、ｔｅｒｔ－ブチルオキシ基、ｎ－ペンチルオキシ基、ｎ－ヘキシルオキシ基、ｎ－ヘプチルオキシ基、ｎ－オクチルオキシ基、２－エチルヘキシルオキシ基、ｎ－ノニルオキシ基、ｎ－デシルオキシ基、３，７－ジメチルオクチルオキシ基、３－ヘプチルドデシルオキシ基、ラウリルオキシ基などの、置換基を有しないアルキルオキシ基、及びこれらの基における水素原子が、アルキルオキシ基、アリール基、フッ素原子等の置換基で置換された基が挙げられる。

「シクロアルキルオキシ基」が有するシクロアルキル基は、単環の基であってもよく、多環の基であってもよい。シクロアルキルオキシ基は、置換基を有していてもよい。シクロアルキルオキシ基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３～３０であり、好ましくは３～２０である。

シクロアルキルオキシ基の例としては、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、シクロヘプチルオキシ基などの、置換基を有しないシクロアルキルオキシ基、及びこれらの基における水素原子が、フッ素原子、アルキル基などの置換基で置換された基が挙げられる。

「アルキルチオ基」は、直鎖状であってもよく、分岐状であってもよい。アルキルチオ基は、置換基を有していてもよい。アルキルチオ基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常１～３０であり、好ましくは１～２０である。

置換基を有していてもよいアルキルチオ基の例としては、メチルチオ基、エチルチオ基、ｎ－プロピルチオ基、イソプロピルチオ基、ｎ－ブチルチオ基、イソブチルチオ基、ｔｅｒｔ－ブチルチオ基、ｎ－ペンチルチオ基、ｎ－ヘキシルチオ基、ｎ－ヘプチルチオ基、ｎ－オクチルチオ基、２－エチルヘキシルチオ基、ｎ－ノニルチオ基、ｎ－デシルチオ基、３，７－ジメチルオクチルチオ基、３－ヘプチルドデシルチオ基、ラウリルチオ基、及びトリフルオロメチルチオ基が挙げられる。

「シクロアルキルチオ基」が有するシクロアルキル基は、単環の基であってもよく、多環の基であってもよい。シクロアルキルチオ基は、置換基を有していてもよい。シクロアルキルチオ基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３～３０であり、好ましくは３～２０である。

置換基を有していてもよいシクロアルキルチオ基の例としては、シクロヘキシルチオ基が挙げられる。

「ｐ価の芳香族炭素環基」とは、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素から環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子ｐ個を除いた残りの原子団を意味する。芳香族炭化水素には、縮合環を有する化合物、独立したベンゼン環及び縮合環からなる群から選ばれる２つ以上が、直接又はビニレン等の２価の基を介して結合した化合物も含まれる。ｐ価の芳香族炭素環基は、置換基をさらに有していてもよい。

「アリール基」は、１価の芳香族炭素環基を意味する。アリール基は置換基を有していてもよい。アリール基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含まないで、通常６～６０であり、好ましくは６～４８である。

アリール基の例としては、フェニル基、１－ナフチル基、２－ナフチル基、１－アントラセニル基、２－アントラセニル基、９－アントラセニル基、１－ピレニル基、２－ピレニル基、４－ピレニル基、２－フルオレニル基、３－フルオレニル基、４－フルオレニル基、２－フェニルフェニル基、３－フェニルフェニル基、４－フェニルフェニル基などの、置換基を有しないアリール基、及びこれらの基における水素原子が、アルキル基、アルキルオキシ基、アリール基、フッ素原子などの置換基で置換された基が挙げられる。

「アリールオキシ基」は、置換基を有していてもよい。アリールオキシ基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常６～６０であり、好ましくは６～４８である。

アリールオキシ基の例としては、フェノキシ基、１－ナフチルオキシ基、２－ナフチルオキシ基、１－アントラセニルオキシ基、９－アントラセニルオキシ基、１－ピレニルオキシ基などの置換基を有しないアリールオキシ基、及びこれらの基における水素原子が、アルキル基、アルキルオキシ基、フッ素原子などの置換基で置換された基が挙げられる。

「アリールチオ基」は、置換基を有していてもよい。アリールチオ基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常６～６０であり、好ましくは６～４８である。

置換基を有していてもよいアリールチオ基の例としては、フェニルチオ基、Ｃ１～Ｃ１２アルキルオキシフェニルチオ基、Ｃ１～Ｃ１２アルキルフェニルチオ基、１－ナフチルチオ基、２－ナフチルチオ基、及びペンタフルオロフェニルチオ基が挙げられる。「Ｃ１～Ｃ１２」は、その直後に記載された基の炭素原子数が１～１２であることを表す。さらに、「Ｃｍ～Ｃｎ」は、その直後に記載された基の炭素原子数がｍ～ｎであることを表す。以下同様である。

「ｐ価の複素環基」（ｐは、１以上の整数を表す。）は、置換基を有していてもよい複素環式化合物から環を構成する炭素原子又はヘテロ原子に直接結合する水素原子のうちのｐ個の水素原子を除いた残りの原子団を意味する。「ｐ価の複素環基」には、「ｐ価の芳香族複素環基」が含まれる。「ｐ価の芳香族複素環基」は、置換基を有していてもよい芳香族複素環式化合物から、環を構成する炭素原子又はヘテロ原子に直接結合している水素原子のうちのｐ個の水素原子を除いた残りの原子団を意味する。

芳香族複素環式化合物には、複素環自体が芳香族性を示す化合物に加えて、複素環自体は芳香族性を示さなくとも、複素環に芳香環が縮環している化合物が包含される。

芳香族複素環式化合物のうち、複素環自体が芳香族性を示す化合物の具体例としては、オキサジアゾール、チアジアゾール、チアゾール、オキサゾール、チオフェン、ピロール、ホスホール、フラン、ピリジン、ピラジン、ピリミジン、トリアジン、ピリダジン、キノリン、イソキノリン、カルバゾール、及びジベンゾホスホールが挙げられる。

芳香族複素環式化合物のうち、複素環自体が芳香族性を示さず、複素環に芳香環が縮環している化合物の具体例としては、フェノキサジン、フェノチアジン、ジベンゾボロール、ジベンゾシロール、及びベンゾピランが挙げられる。

ｐ価の複素環基は、置換基を有していてもよい。ｐ価の複素環基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常２～６０であり、好ましくは２～２０である。

１価の複素環基の例としては、１価の芳香族複素環基（例、チエニル基、ピロリル基、フリル基、ピリジル基、キノリル基、イソキノリル基、ピリミジニル基、トリアジニル基）、１価の非芳香族複素環基（例、ピペリジル基、ピペラジル基）、及びこれらの基における水素原子が、アルキル基、アルキルオキシ基、フッ素原子などの置換基で置換された基が挙げられる。

「置換アミノ基」は、置換基を有するアミノ基を意味する。アミノ基が有する置換基としては、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、及び１価の複素環基が好ましい。置換アミノ基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常２～３０である。

置換アミノ基の例としては、ジアルキルアミノ基（例、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基）、ジアリールアミノ基（例、ジフェニルアミノ基、ビス（４－メチルフェニル）アミノ基、ビス（４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）アミノ基、ビス（３，５－ジ－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）アミノ基）が挙げられる。

「アシル基」は、置換基を有していてもよい。アシル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常２～２０であり、好ましくは２～１８である。アシル基の具体例としては、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、イソブチリル基、ピバロイル基、ベンゾイル基、トリフルオロアセチル基、及びペンタフルオロベンゾイル基が挙げられる。

「イミン残基」とは、イミン化合物から、炭素原子－窒素原子二重結合を構成する炭素原子又は窒素原子に直接結合する水素原子を１個除いた残りの原子団を意味する。「イミン化合物」とは、分子内に、炭素原子－窒素原子二重結合を有する有機化合物を意味する。イミン化合物の例としては、アルジミン、ケチミン、及びアルジミン中の炭素原子－窒素原子二重結合を構成する窒素原子に結合している水素原子が、アルキル基、シクロアルキル基などの置換基で置換された化合物が挙げられる。

イミン残基の炭素原子数は、通常２～２０であり、好ましくは２～１８である。イミン残基の例としては、下記の構造式で表される基が挙げられる。

「アミド基」とは、アミドから窒素原子に結合した水素原子１つを除いた残りの原子団を意味する。アミド基の炭素原子数は、通常１～２０程度であり、好ましくは１～１８である。アミド基の具体例としては、ホルムアミド基、アセトアミド基、プロピオアミド基、ブチロアミド基、ベンズアミド基、トリフルオロアセトアミド基、ペンタフルオロベンズアミド基、ジホルムアミド基、ジアセトアミド基、ジプロピオアミド基、ジブチロアミド基、ジベンズアミド基、ジトリフルオロアセトアミド基、及びジペンタフルオロベンズアミド基が挙げられる。

「酸イミド基」とは、酸イミドから窒素原子に結合した水素原子１つを除いた残りの原子団を意味する。酸イミド基の炭素原子数は、通常４～２０である。酸イミド基の具体例としては、以下に示す基が挙げられる。

「置換オキシカルボニル基」とは、Ｒ’－Ｏ－（Ｃ＝Ｏ）－で表される基を意味する。ここで、Ｒ’は、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アリールアルキル基、又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
置換オキシカルボニル基は、炭素原子数が通常２～６０であり、好ましくは炭素原子数が２～４８である。

置換オキシカルボニル基の具体例としては、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、プロポキシカルボニル基、イソプロポキシカルボニル基、ブトキシカルボニル基、イソブトキシカルボニル基、ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニル基、ペンチルオキシカルボニル基、ヘキシルオキシカルボニル基、シクロヘキシルオキシカルボニル基、ヘプチルオキシカルボニル基、オクチルオキシカルボニル基、２－エチルヘキシルオキシカルボニル基、ノニルオキシカルボニル基、デシルオキシカルボニル基、３，７－ジメチルオクチルオキシカルボニル基、ドデシルオキシカルボニル基、トリフルオロメトキシカルボニル基、ペンタフルオロエトキシカルボニル基、パーフルオロブトキシカルボニル基、パーフルオロヘキシルオキシカルボニル基、パーフルオロオクチルオキシカルボニル基、フェノキシカルボニル基、ナフトキシカルボニル基、及びピリジルオキシカルボニル基が挙げられる。

「アルキルスルホニル基」は、直鎖状でもあってもよく、分岐状であってもよい。アルキルスルホニル基は、置換基を有していてもよい。アルキルスルホニル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常１～３０である。アルキルスルホニル基の具体例としては、メチルスルホニル基、エチルスルホニル基、及びドデシルスルホニル基が挙げられる。

化学式に付される「＊」は、結合手を表す。

「π共役系」とは、π電子が複数の結合にわたって非局在化している系を意味する。

「（メタ）アクリル」には、アクリル、メタクリル、及びこれらの組み合わせが含まれる。

「（メタ）アクリレート」には、アクリレート、メタクリレート、及びこれらの組み合わせが含まれる。

化学式において、「Ｍｅ」はメチル基を表し、「Ｅｔ」はエチル基を表し、「Ｂｕ」はブチル基を表す。

「溶媒」は、分散媒でありうる。

［２．組成物］
本発明の一実施形態に係る組成物は、ｐ型半導体、ｎ型半導体、界面活性剤、及び溶媒を含む。組成物は、ｐ型半導体、ｎ型半導体、界面活性剤、及び溶媒に加えて、必要に応じて任意の成分を含んでいてもよい。

組成物は、溶液であってもよく、分散液、エマルション（乳濁液）、サスペンション（懸濁液）等の分散液であってもよい。

本実施形態の組成物から得られる膜を含む光電変換素子は、暗電流が低減されている。

［２．１．界面活性剤］
界面活性剤は、添加により界面の性質を変化させる物質を意味する。界面活性剤は、通常、一つの分子中に親水基及び疎水基の両方を有する。

本実施形態に係る組成物が界面活性剤を含む場合、組成物から得られる膜を含む光電変換素子の暗電流を、効果的に低減しうる。

本実施形態の組成物が界面活性剤を含むことにより、光電変換素子の暗電流を効果的に低減しうる理由については、本発明を限定するものではないが、以下のように推察される。

通常、電極、中間層などの塗布対象上に、組成物を塗布して塗膜を形成し、更に塗膜を乾燥させて、膜（活性層）を形成する。塗膜の表面には、界面活性剤が膜状に存在すると考えられ、塗膜が乾燥すると、塗膜の表面に偏在する界面活性剤はそのまま偏析し、固化すると考えられる。その結果、得られた膜（活性層）の表面には、界面活性剤の薄膜が存在して絶縁層として機能し、光電変換素子の暗電流を低減させると考えられる。

または、ｐ型半導体及びｎ型半導体によって形成されうる相分離構造が、界面活性剤の作用により変化すると考えられ、その変化により、光電変換素子の暗電流が低減されると考えられる。

本実施形態に係る組成物から得られる膜を含む光電変換素子の暗電流を、効果的に低減しうる界面活性剤としては、分子中の親水基及び疎水基の種類をそれぞれ適切に選択することで好適な界面活性剤を選択することができる。

本実施形態の組成物に含まれる界面活性剤において、親水基の種類から選定する場合、非イオン性（ノニオン性）に分類される界面活性剤を採用することが好ましい。本実施形態の組成物に含まれる溶媒には芳香族炭化水素溶媒などの非水系溶媒が用いられる。溶媒への溶解性に優れることからも、ノニオン性界面活性剤が好ましい。親水性基の例としては、エチレンオキサイドやプロピレンオキサイドなどのエポキシ基を有する基、アミノ基、ケトン基、カルボキシル基、スルホン基などが挙げられる。界面活性剤は、親水基として、これらから選ばれる１種又は２種以上の基を有していてもよい。

本実施形態の組成物に含まれる界面活性剤において、疎水基の種類から選定する場合、疎水基がポリ（メタ）アクリレート構造を有するアクリル系界面活性剤、オルガノポリシロキサン構造を有するシリコーン系界面活性剤、これらの基が有する水素原子の一部又は全部が、フッ素原子に置換されたフッ素系界面活性剤が挙げられる。

一実施形態において、界面活性剤は、ポリ（メタ）アクリレート構造を有することが好ましい。ここで、ポリ（メタ）アクリレート構造は、下記式（ＳＦ－１）で表される構造である。組成物が、ポリ（メタ）アクリレート構造を有することにより、光電変換素子の暗電流を効果的に低減しうる。界面活性剤は、ポリ（メタ）アクリレート構造に加えて、任意の構成単位を含んでいてもよい。ポリ（メタ）アクリレート構造を有する界面活性剤は、オリゴマー、ポリマーであり得る。

式（ＳＦ－１）中、複数存在するＲ^ｓｆ１は、それぞれ独立して、水素原子又はメチル基を表す。
複数存在するＲ^ｓｆ２は、それぞれ独立して、有機基を表す。複数のＲ^ｓｆ２のうちの二つ以上が一緒になって、架橋基を形成してもよい。
Ｒ^ｓｆ２は、好ましくは、それぞれ独立して、アルキル基、シクロアルキル基、アルキルオキシアルキル基、ポリオキシアルキレン基を有する基、アリール基、アリールアルキル基、アリールオキシアルキル基を表し、これらの基は置換基（例えば、フッ素原子）を有していてもよい。
Ｒ^ｓｆ２により表されるアルキル基の好ましい具体例としては、アルキル基が有する水素原子の一部がフッ素原子により置換されているフッ素原子置換アルキル基（例、ジフルオロメチル基、２，２－ジフルオロエチル基、２，２，２－トリフルオロエチル基、２，２，３，３－テトラフルオロプロピル基、３，３，３－トリフルオロプロピル基、２，２，３，３，４，４－ヘキサフルオロブチル基、１，１－ジメチル－２，２，３，３－テトラフルオロプロピル基、１，１－ジメチル－２，２，３，３，３－ペンタフルオロプロピル基、２－（パーフルオロプロピル）エチル基、２，２，３，３，４，４，５，５－オクタフルオロペンチル基、１，１－ジメチル－２，２，３，３，４，４－ヘキサフルオロブチル基、１，１－ジメチル－２，２，３，３，４，４，４－ヘプタフルオロブチル基、２－（パーフルオロブチル）エチル基、２，２，３，３，４，４，５，５，６，６－デカフルオロヘキシル基、パーフルオロペンチルメチル基、１，１－ジメチル－２，２，３，３，４，４，５，５－オクタフルオロペンチル基、１，１－ジメチル－２，２，３，３，４，４，５，５，５－ノナフルオロペンチル基、２－（パーフルオロペンチル）エチル基、２，２，３，３，４，４，５，５，６，６，７，７－ドデカフルオロヘプチル基、パーフルオロヘキシルメチル基、２－（パーフルオロヘキシル）エチル基、２，２，３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８－テトラデカフルオロオクチル基、パーフルオロヘプチルメチル基、２－（パーフルオロヘプチル）エチル基、２，２，３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，９，９－ヘキサデカフルオロノニル基、パーフルオロオクチルメチル基、２－（パーフルオロオクチル）エチル基、２，２，３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，９，９，１０，１０－オクタデカフルオロデシル基、パーフルオロノニルメチル基、２，２，３，４，４，４－ヘキサフルオロブチル基、２，２，３，３，４，４，４－ヘプタフルオロブチル基、３，３，４，４，５，５，６，６，６－ノナフルオロヘキシル基、３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，８－トリドデカフルオロオクチル基）、アルキル基が有する水素原子のすべてがフッ素原子により置換されているフッ素原子置換アルキル基（パーフルオロアルキル基）（例、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、ヘプタフルオロ－ｎ－プロピル基、ヘプタフルオロイソプロピル基、ノナフルオロ－ｎ－ブチル基、ノナフルオロイソブチル基、ノナフルオロ－ｓ－ブチル基、ノナフルオロ－ｔ－ブチル基、パーフルオロペンチル基、パーフルオロヘキシル基、パーフルオロヘプチル基、パーフルオロオクチル基、パーフルオロノニル基、パーフルオロデシル基）が挙げられる。

式（ＳＦ－１）中、ｎ（繰り返し単位数）は、例えば、２以上、３以上、４以上、５以上、１０以上であり、例えば、３０００以下である。

ポリ（メタ）アクリレート構造を有する界面活性剤として、市販品を使用できる。
ポリ（メタ）アクリレート構造を有する市販のノニオン性界面活性剤の例としては、「Ｆ－５５６」、「Ｒ－４０」、「メガファック Ｆ－１１０（ＭＥＧＡＦＡＣＥ Ｆ－１１０）」、「メガファック Ｆ－１１３（ＭＥＧＡＦＡＣＥ Ｆ－１１３）」、「メガファック Ｆ－１２０（ＭＥＧＡＦＡＣＥ Ｆ－１２０）」、「メガファック Ｆ－８１２（ＭＥＧＡＦＡＣＥ Ｆ－８１２）」、「メガファック Ｆ－１４２Ｄ（ＭＥＧＡＦＡＣＥ Ｆ－１４２Ｄ）」、「メガファック Ｆ－１４４Ｄ（ＭＥＧＡＦＡＣＥ Ｆ－１４４Ｄ）」、「メガファック Ｆ－１５０（ＭＥＧＡＦＡＣＥ Ｆ－１５０）」、「メガファック Ｆ－１７１（ＭＥＧＡＦＡＣＥ Ｆ－１７１）」、「メガファック Ｆ－１７３（ＭＥＧＡＦＡＣＥ Ｆ－１７３）」、「メガファック Ｆ－１７７（ＭＥＧＡＦＡＣＥ Ｆ－１７７）」、「メガファック Ｆ－１８３（ＭＥＧＡＦＡＣＥ Ｆ－１８３）」、「メガファック Ｆ－１９５（ＭＥＧＡＦＡＣＥ Ｆ－１９５）」、「メガファック Ｆ－８２４（ＭＥＧＡＦＡＣＥ Ｆ－８２４）」、「メガファック Ｆ－８３３（ＭＥＧＡＦＡＣＥ Ｆ－８３３）」、「メガファック Ｆ－１１４（ＭＥＧＡＦＡＣＥ Ｆ－１１４）」、「メガファック Ｆ－４１０（ＭＥＧＡＦＡＣＥ Ｆ－４１０）」、「メガファック Ｆ－４９３（ＭＥＧＡＦＡＣＥ Ｆ－４９３）」、「メガファック Ｆ－４９４（ＭＥＧＡＦＡＣＥ Ｆ－４９４）」、「メガファック Ｆ－４４３（ＭＥＧＡＦＡＣＥ Ｆ－４４３）」、「メガファック Ｆ－４４４（ＭＥＧＡＦＡＣＥ Ｆ－４４４）」、「メガファック Ｆ－４４５（ＭＥＧＡＦＡＣＥ Ｆ－４４５）」、「メガファック Ｆ－４４６（ＭＥＧＡＦＡＣＥ Ｆ－４４６）」、「メガファック Ｆ－４７０（ＭＥＧＡＦＡＣＥ Ｆ－４７０）」、「メガファック Ｆ－４７１（ＭＥＧＡＦＡＣＥ Ｆ－４７１）」、「メガファック Ｆ－４７４（ＭＥＧＡＦＡＣＥ Ｆ－４７４）」、「メガファック Ｆ－４７５（ＭＥＧＡＦＡＣＥ Ｆ－４７５）」、「メガファック Ｆ－４７７（ＭＥＧＡＦＡＣＥ Ｆ－４７７）」、「メガファック Ｆ－４７８（ＭＥＧＡＦＡＣＥ Ｆ－４７８）」、「メガファック Ｆ－４７９（ＭＥＧＡＦＡＣＥ Ｆ－４７９）」、「メガファック Ｆ－４８０ＳＦ（ＭＥＧＡＦＡＣＥ Ｆ－４８０ＳＦ）」、「メガファック Ｆ－４８２（ＭＥＧＡＦＡＣＥ Ｆ－４８２）」、「メガファック Ｆ－４８３（ＭＥＧＡＦＡＣＥ Ｆ－４８３）」、「メガファック Ｆ－４８４（ＭＥＧＡＦＡＣＥ Ｆ－４８４）」、「メガファック Ｆ－４８６（ＭＥＧＡＦＡＣＥ Ｆ－４８６）」、「メガファック Ｆ－４８７（ＭＥＧＡＦＡＣＥ Ｆ－４８７）」、「メガファック Ｆ－４８９（ＭＥＧＡＦＡＣＥ Ｆ－４８９）」、「メガファック Ｆ－１７２Ｄ（ＭＥＧＡＦＡＣＥ Ｆ－１７２Ｄ）」、「メガファック Ｆ－１７８Ｋ（ＭＥＧＡＦＡＣＥ Ｆ－１７８ Ｋ）」、「メガファック Ｆ－１７８ＲＭ（ＭＥＧＡＦＡＣＥ Ｆ－１７８ＲＭ）」、「メガファック Ｒ－０８（ＭＥＧＡＦＡＣＥ Ｒ－０８）」、「メガファック Ｒ－３０（ＭＥＧＡＦＡＣＥ Ｒ－３０）」、「メガファック Ｆ－４７２ＳＦ（ＭＥＧＡＦＡＣＥ Ｆ－４７２ＳＦ）」、「メガファック ＢＬ－２０（ＭＥＧＡＦＡＣＥ ＢＬ－２０）」、「メガファック Ｒ－６１（ＭＥＧＡＦＡＣＥ Ｒ－６１）」、「メガファック Ｒ－９０（ＭＥＧＡＦＡＣＥ Ｒ－９０）」、「メガファック ＥＳＭ－１（ＭＥＧＡＦＡＣＥ ＥＳＭ－１）」、「メガファック ＭＣＦ－３５０ＳＦ（ＭＥＧＡＦＡＣＥ ＭＣＦ－３５０ＳＦ）」（以上、ＤＩＣ社製）、
「フタージェント１００」、「フタージェント１００Ｃ」、「フタージェント１１０」、「フタージェント１５０」、「フタージェント１５０ＣＨ」、「フタージェントＡ」、「フタージェント１００Ａ－Ｋ」、「フタージェント５０１」、「フタージェント３００」、「フタージェント３１０」、「フタージェント３２０」、「フタージェント４００ＳＷ」、「ＦＴＸ－４００Ｐ」、「フタージェント２５１」、「フタージェント２１５Ｍ」、「フタージェント２１２ＭＨ」、「フタージェント２５０」、「フタージェント２２２Ｆ」、「フタージェント２１２Ｄ」、「ＦＴＸ－２１８」、「ＦＴＸ－２０９Ｆ」、「ＦＴＸ－２１３Ｆ」、「ＦＴＸ－２３３Ｆ」、「フタージェント２４５Ｆ」、「ＦＴＸ－２０８Ｇ」、「ＦＴＸ－２４０Ｇ」、「ＦＴＸ－２０６Ｄ」、「ＦＴＸ－２２０Ｄ」、「ＦＴＸ－２３０Ｄ」、「ＦＴＸ－２４０Ｄ」、「ＦＴＸ－２０７Ｓ」、「ＦＴＸ－２１１Ｓ」、「ＦＴＸ－２２０Ｓ」、「ＦＴＸ－２３０Ｓ」、「ＦＴＸ－７５０ＦＭ」、「ＦＴＸ－７３０ＦＭ」、「ＦＴＸ－７３０ＦＬ」、「ＦＴＸ－７１０ＦＳ」、「ＦＴＸ－７１０ＦＭ」、「ＦＴＸ－７１０ＦＬ」、「ＦＴＸ－７５０ＬＬ」、「ＦＴＸ－７３０ＬＳ」、「ＦＴＸ－７３０ＬＭ」、「ＦＴＸ－７３０ＬＬ」、「ＦＴＸ－７１０ＬＬ」（以上、ネオス社製）、
「ＢＹＫ－３００」、「ＢＹＫ－３０２」、「ＢＹＫ－３０６」、「ＢＹＫ－３０７」、「ＢＹＫ－３１０」、「ＢＹＫ－３１５」、「ＢＹＫ－３２０」、「ＢＹＫ－３２２」、「ＢＹＫ－３２３」、「ＢＹＫ－３２５」、「ＢＹＫ－３３０」、「ＢＹＫ－３３１」、「ＢＹＫ－３３３」、「ＢＹＫ－３３７」、「ＢＹＫ－３４０」、「ＢＹＫ－３４４」、「ＢＹＫ－３７０」、「ＢＹＫ－３７５」、「ＢＹＫ－３７７」、「ＢＹＫ－３５０」、「ＢＹＫ－３５２」、「ＢＹＫ－３５４」、「ＢＹＫ－３５５」、「ＢＹＫ－３５６」、「ＢＹＫ－３５８Ｎ」、「ＢＹＫ－３６１Ｎ」、「ＢＹＫ－３５７」、「ＢＹＫ－３９０」、「ＢＹＫ－３９２」、「ＢＹＫ－ＵＶ３５００」、「ＢＹＫ－ＵＶ３５１０」、「ＢＹＫ－ＵＶ３５７０」、「ＢＹＫ－Ｓｉｌｃｌｅａｎ ３７００」（以上、ビックケミー・ジャパン社製）、
「ＴＥＧＯ Ｒａｄ２１００」、「ＴＥＧＯ Ｒａｄ２２００ Ｎ」、「ＴＥＧＯ Ｒａｄ２２５０」、「ＴＥＧＯ Ｒａｄ２３００」、「ＴＥＧＯ Ｒａｄ２５００」、「ＴＥＧＯ Ｒａｄ２６００」、「ＴＥＧＯ Ｒａｄ２７００」（以上、エボニック・インダストリーズ社製）が挙げられる。

一実施形態において、界面活性剤は、オルガノポリシロキサン構造を有することが好ましい。ここで、オルガノポリシロキサン構造は、下記式（ＳＦ－２）で表される構造である。組成物が、オルガノポリシロキサン構造を有することにより、光電変換素子の暗電流を効果的に低減しうる。界面活性剤は、オルガノポリシロキサン構造に加えて、任意の構成単位を含んでいてもよい。オルガノポリシロキサン構造を有する界面活性剤は、オリゴマー、ポリマーであり得る。

式（ＳＦ－２）中、複数存在するＲ^ｓｆ３は、それぞれ独立して、有機基を表す。
Ｒ^ｓｆ３は、好ましくは、それぞれ独立して、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アリールアルキル基、ポリオキシアルキレン基を有する基、又は－（Ｃ＝Ｏ）－Ｏ－で表される構造を有する基（例えば、－（Ｃ＝Ｏ）－Ｏ－で表される構造を１以上、２以上、又は３以上有する基）を表し、これらの基は、置換基を有していてもよい。

オルガノポリシロキサン構造を有する界面活性剤は、任意の末端基を有しうる。
オルガノポリシロキサン構造を有する界面活性剤が有しうる末端基の例としては、アルキル基、シクロアルキル基、アルキルオキシ基、シクロアルキルオキシ基、ポリオキシアルキレン基を有する基、アリール基、アリールアルキル基、及びポリ（メタ）アクリロイル基が挙げられ、これらの基は置換基（例、フッ素原子）を有していてもよい。

式（ＳＦ－２）中、ｎ（繰り返し単位数）の範囲は、例えば、２以上、３以上、４以上、５以上、１０以上であり、例えば３０００以下である。

オルガノポリシロキサン構造を有する界面活性剤として、市販品を使用できる。
オルガノポリシロキサン構造を有する市販のノニオン性界面活性剤の例としては、
商品名「ＢＹＫ－３００」、「ＢＹＫ－３０１／３０２」、「ＢＹＫ－３０６」、「ＢＹＫ－３０７」、「ＢＹＫ－３１０」、「ＢＹＫ－３１５」、「ＢＹＫ－３１３」、「ＢＹＫ－３２０」、「ＢＹＫ－３２２」、「ＢＹＫ－３２３」、「ＢＹＫ－３２５」、「ＢＹＫ－３３０」、「ＢＹＫ－３３１」、「ＢＹＫ－３３３」、「ＢＹＫ－３３７」、「ＢＹＫ－３４１」、「ＢＹＫ－３４４」、「ＢＹＫ－３４５／３４６」、「ＢＹＫ－３４７」、「ＢＹＫ－３４８」、「ＢＹＫ－３４９」、「ＢＹＫ－３７０」、「ＢＹＫ－３７５」、「ＢＹＫ－３７７」、「ＢＹＫ－３７８」、「ＢＹＫ－ＵＶ３５００」、「ＢＹＫ－ＵＶ３５１０」、「ＢＹＫ－ＵＶ３５７０」、「ＢＹＫ－３５５０」、「ＢＹＫ－ＳＩＬＣＬＥＡＮ３７００」、「ＢＹＫ－ＳＩＬＣＬＥＡＮ３７２０」（以上、ビックケミー・ジャパン社製）、
商品名「ＡＣ ＦＳ １８０」、「ＡＣ ＦＳ ３６０」、「ＡＣ Ｓ ２０」（以上、Ａｌｇｉｎ Ｃｈｅｍｉｅ製）、商品名「ポリフローＫＬ－４００Ｘ」、「ポリフローＫＬ－４００ＨＦ」、「ポリフローＫＬ－４０１」、「ポリフローＫＬ－４０２」、「ポリフローＫＬ－４０３」、「ポリフローＫＬ－４０４」、「ポリフローＫＬ－７００」（以上、共栄社化学社製）、
商品名「ＫＰ－３０１」、「ＫＰ－３０６」、「ＫＰ－１０９」、「ＫＰ－３１０」、「ＫＰ－３１０Ｂ」、「ＫＰ－３２３」、「ＫＰ－３２６」、「ＫＰ－３４１」、「ＫＰ－１０４」、「ＫＰ－１１０」、「ＫＰ－１１２」、「ＫＰ－３６０Ａ」、「ＫＰ－３６１」、「ＫＰ－３５４」、「ＫＰ－３５５」、「ＫＰ－３５６」、「ＫＰ－３５７」、「ＫＰ－３５８」、「ＫＰ－３５９」、「ＫＰ－３６２」、「ＫＰ－３６５」、「ＫＰ－３６６」、「ＫＰ－３６８」、「ＫＰ－３６９」、「ＫＰ－３３０」、「ＫＰ－６２０」、「ＫＰ－６２５」「ＫＰ－６５０」、「ＫＰ－６５１」、「ＫＰ－３９０」、「ＫＰ－３９１」、「ＫＰ－３９２」（以上、信越化学工業社製）、
商品名「ＬＰ－７００１」、「ＬＰ－７００２」、「ＳＨ２８ＰＡ」、「８０３２ ＡＤＤＩＴＩＶＥ」、「５７ ＡＤＤＩＴＩＶＥ」、「Ｌ－７６０４」、「ＦＺ－２１１０」、「ＦＺ－２１０５」、「６７ ＡＤＤＩＴＩＶＥ」、「８６１８ ＡＤＤＩＴＩＶＥ」、「３ ＡＤＤＩＴＩＶＥ」、「５６ ＡＤＤＩＴＩＶＥ」（以上、東レ・ダウコーニング社製）、「ＴＥＧＯ ＷＥＴ ２７０」（エボニック・デグサ・ジャパン社製）、「ＮＢＸ－１５」（ネオス社製）が挙げられる。

一実施形態において、界面活性剤は、フッ素系界面活性剤であることが好ましい。ここで、フッ素系界面活性剤とは、その分子中に、フッ素原子を含む界面活性剤を意味する。組成物がフッ素系界面活性剤を含むことにより、光電変換素子の暗電流を効果的に低減しうる。

フッ素系界面活性剤として、市販品を使用できる。
市販のフッ素系界面活性剤の例としては、「Ｆ－５５６」、「Ｒ－４０」、メガファックＦ１７１、同Ｆ１７２、同Ｆ１７３、同Ｆ１７６、同Ｆ１７７、同Ｆ１４１、同Ｆ１４２、同Ｆ１４３、同Ｆ１４４、同Ｒ３０、同Ｆ４３７、同Ｆ４７５、同Ｆ４７９、同Ｆ４８２、同Ｆ５５４、同Ｆ７８０、ＲＳ－７２－Ｋ（以上、ＤＩＣ社製）、
フロラードＦＣ４３０、同ＦＣ４３１、同ＦＣ１７１、ノベックＦＣ４４３０、同ＦＣ４４３２（以上、スリーエムジャパン社製）、
サーフロンＳ－３８２、同ＳＣ－１０１、同ＳＣ－１０３、同ＳＣ－１０４、同ＳＣ－１０５、同ＳＣ－１０６８、同ＳＣ－３８１、同ＳＣ－３８３、同Ｓ－３９３、同ＫＨ－４０（以上、旭硝子社製）、
ＰＦ６３６、ＰＦ６５６、ＰＦ６３２０、ＰＦ６５２０、ＰＦ７００２（以上、ＯＭＮＯＶＡ社製）が挙げられる。

（性状）
界面活性剤は、２５℃、１ａｔｍにおいて、液体であることが好ましい。界面活性剤が２５℃、１ａｔｍにおいて液体であることにより、組成物中における溶解性が良好となる。

（粘度）
界面活性剤の粘度ηは、好ましくは１ｍＰａ・ｓ以上、より好ましくは１０ｍＰａ・ｓ以上、更に好ましくは１００ｍＰａ・ｓ以上であり、好ましくは１０，０００ｍＰａ・ｓ以下、より好ましくは５，０００ｍＰａ・ｓ以下である。界面活性剤の粘度ηが、前記範囲内にある場合、光電変換素子の暗電流を効果的に低減しうる。

ここで、粘度ηは、レオメーターにより、温度２５℃、せん断速度１００（１／ｓ）において測定された値である。

（分子量）
界面活性剤のピーク分子量Ｍｐは、好ましくは１００以上、より好ましくは１０００以上であり、好ましくは１０，０００以下、より好ましくは５，０００以下である。界面活性剤のピーク分子量Ｍｐが、前記範囲内にある場合、光電変換素子の暗電流を効果的に低減しうる。

ここで、界面活性剤のピーク分子量Ｍｐは、ゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー（ＧＰＣ）により、測定された値である。ピーク分子量Ｍｐは、下記の測定条件で測定されるＧＰＣクロマトグラムにおける、ピークトップの値としうる。

ＧＰＣの移動相としてはｏ－ジクロロベンゼンを用い、１．０ｍＬ／ｍｉｎの流速で流す。カラムとしては、昭和電工社製、Ｓｈｏｄｅｘ ＫＤ－８０６Ｍを用い、ガードカラムとしては、昭和電工社製、Ｓｈｏｄｅｘ ＫＤ－Ｇを用いる。

検出器としてはＵＶ－ｖｉｓ検出器（島津製作所社製、ＳＰＤ－Ｍ２０Ａ）及び示差屈折率検出器（島津製作所社製、ＲＩＤ－１０Ａ）を用いる。

測定対象の化合物（重合体）は、溶媒である１－クロロナフタレンに、０．０５質量％の濃度になるように混合して、８０℃で２時間撹拌することで溶解させた溶解液とする。

得られた溶解液を、上記測定装置（ＧＰＣ）にサンプルとして１０μＬ注入することで、ピーク分子量（Ｍｐ）を測定する。

（フッ素含有量）
界面活性剤が、フッ素系界面活性剤である場合、界面活性剤のフッ素含有量は、好ましくはフッ素系界面活性剤中の溶媒を除く固形分を１００質量％として、好ましくは１質量％以上、より好ましくは５質量％以上であり、好ましくは５０質量％以下、より好ましくは３０質量％以下である。界面活性剤のフッ素含有率が前記範囲内にある場合、光電変換素子の暗電流を効果的に低減しうる。界面活性剤のフッ素含有率が、前記上限値以下である場合、組成物から得られる膜（活性膜）の撥水性が低下して、膜上に水系塗布液を容易に塗布しうる。

界面活性剤中のフッ素含有率は、燃焼イオンクロマトグラフィー等により測定できる。

（界面活性剤の含有割合）
組成物中の界面活性剤の含有割合は、溶媒の総質量を１００質量％として、好ましくは０．０１質量％以上、より好ましくは０．１質量％以上であり、好ましくは１．０質量％以下、より好ましくは０．５質量％以下である。

組成物中の界面活性剤の含有割合は、ｎ型半導体、ｐ型半導体、及び界面活性剤の総質量を１００質量％として、好ましくは０．１質量％以上、より好ましくは１質量％以上であり、好ましくは１０質量％以下、より好ましくは５質量％以下である。

組成物中の界面活性剤の含有割合が、前記範囲内にある場合、光電変換素子の暗電流を効果的に低減しうる。

［２．２．ｐ型半導体］
本実施形態の組成物に含まれるｐ型半導体は、一種単独であっても、二種以上の組み合わせであってもよい。

ｐ型半導体は、低分子化合物であってもよく、高分子化合物であってもよく、好ましくは高分子化合物であり、更に好ましくはπ共役系高分子化合物である。

高分子化合物であるｐ型半導体の例としては、ポリビニルカルバゾール及びその誘導体、ポリシラン及びその誘導体、側鎖又は主鎖に芳香族アミン構造を含むポリシロキサン誘導体、ポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体、ポリピロール及びその誘導体、ポリフェニレンビニレン及びその誘導体、ポリチエニレンビニレン及びその誘導体、ポリフルオレン及びその誘導体が挙げられる。

（ドナー・アクセプター構造）
ｐ型半導体は、ドナー・アクセプター構造を有する高分子化合物であることが好ましい。ドナー・アクセプター構造は、ドナー構成単位とアクセプター構成単位とを含む。ドナー構成単位は、π電子が過剰である構成単位であり、アクセプター構成単位は、π電子が欠乏している構成単位である。

ドナー・アクセプター構造を有する高分子化合物を構成しうる構成単位には、ドナー構成単位とアクセプター構成単位とが直接的に結合した構成単位、さらにはドナー構成単位とアクセプター構成単位とが、任意好適なスペーサー（基又は構成単位）を介して結合した構成単位も含まれる。

ｐ型半導体は、暗電流を効果的に低減する観点から、下記式（Ｉ）で表される構成単位及び下記式（ＩＩ）で表される構成単位からなる群より選択される一種以上の構成単位を含む高分子化合物であることが好ましい。

（式（Ｉ）で表される構成単位）

式（Ｉ）中、Ａｒ^１及びＡｒ^２は、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい３価の芳香族複素環基を表し、Ｚは下記式（Ｚ－１）～式（Ｚ－７）のいずれか１つで表される基を表す。

式（Ｚ－１）～（Ｚ－７）中、Ｒは、
水素原子、
ハロゲン原子、
置換基を有していてもよいアルキル基、
置換基を有していてもよいシクロアルキル基、
置換基を有していてもよいアルケニル基、
置換基を有していてもよいシクロアルケニル基、
置換基を有していてもよいアルキニル基、
置換基を有していてもよいシクロアルキニル基、
置換基を有していてもよいアリール基、
置換基を有していてもよいアルキルオキシ基、
置換基を有していてもよいシクロアルキルオキシ基、
置換基を有していてもよいアリールオキシ基、
置換基を有していてもよいアルキルチオ基、
置換基を有していてもよいシクロアルキルチオ基、
置換基を有していてもよいアリールチオ基、
置換基を有していてもよい１価の複素環基、
置換基を有していてもよい置換アミノ基、
置換基を有していてもよいイミン残基、
置換基を有していてもよいアミド基、
置換基を有していてもよい酸イミド基、
置換基を有していてもよい置換オキシカルボニル基、
シアノ基、
ニトロ基、
－Ｃ（＝Ｏ）－Ｒ^ｃで表される基、又は
－ＳＯ_２－Ｒ^ｄで表される基を表し、
Ｒ^ｃ及びＲ^ｄは、それぞれ独立して、
水素原子、
置換基を有していてもよいアルキル基、
置換基を有していてもよいシクロアルキル基、
置換基を有していてもよいアリール基、
置換基を有していてもよいアルキルオキシ基、
置換基を有していてもよいシクロアルキルオキシ基、
置換基を有していてもよいアリールオキシ基、又は
置換基を有していてもよい１価の複素環基を表す。
式（Ｚ－１）～式（Ｚ－７）中、Ｒが２つある場合、２つあるＲは同一であっても異なっていてもよい。Ｚは、好ましくは式（Ｚ－４）又は式（Ｚ－５）で表される基である。

式（Ｚ－１）～（Ｚ－７）中のＲは、好ましくは水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、又はアリール基であり、より好ましくは水素原子又はアルキル基であり、更に好ましくは、水素原子又は炭素原子数１～４０のアルキル基であり、より好ましくは水素原子又は炭素原子数１～３０のアルキル基であり、特に好ましくは水素原子又は炭素原子数１～２０のアルキル基である。これらの基は、置換基を有していてもよい。Ｒが複数存在する場合、複数存在するＲは、互いに同一であっても異なっていてもよい。

式（Ｉ）で表される構成単位は、下記式（Ｉ－１）で表される構成単位であることが好ましい。

式（Ｉ－１）中、Ｚは前記と同様の意味を表す。

式（Ｉ－１）で表される構成単位の例としては、下記式（５０１）～式（５０５）で表される構成単位が挙げられる。

上記式（５０１）～式（５０５）中、Ｒは前記と同様の意味を表す。Ｒが２つ存在する場合、２つのＲは互いに同一であっても異なっていてもよい。

式（Ｉ）で表される構成単位は、好ましくは前記式（５０１）で表される基である。

（式（ＩＩ）で表される構成単位）

前記式（ＩＩ）中、Ａｒ^３は２価の芳香族複素環基を表す。Ａｒ^３で表される２価の芳香族複素環基の炭素原子数は、通常２～６０であり、好ましくは４～６０であり、より好ましくは４～２０である。Ａｒ^３で表される２価の芳香族複素環基は置換基を有していてもよい。

式（ＩＩ）で表される構成単位としては、下記式（ＩＩ－１）～（ＩＩ－８）のいずれかで表される構成単位が好ましい。

式（ＩＩ－１）～式（ＩＩ－８）中、Ｘ^１及びＸ^２は、それぞれ独立して、硫黄原子又は酸素原子を表し、Ｚ^１及びＺ^２は、それぞれ独立して、＝Ｃ（Ｒ）－で表される基又は窒素原子を表し、Ｒは、式（Ｚ－１）～（Ｚ－７）における定義と同じである。複数存在するＲは、互いに同一であっても異なっていてもよい。

式（ＩＩ－６）中、２つのＲは、好ましくは、それぞれ独立して、水素原子、アルキル基、又はハロゲン原子であり、より好ましくは、同時に水素原子又はハロゲン原子であり、更に好ましくは、同時にハロゲン原子である。

原料化合物の入手性の観点から、式（ＩＩ－１）～式（ＩＩ－８）中のＸ^１及びＸ^２は、いずれも硫黄原子であることが好ましい。

Ａｒ^３で表される２価の芳香族複素環基の例としては、下記式（１０１）～式（１９０）で表される基が挙げられる。これらの基は、置換基を有していてもよい。

式（１０１）～式（１９０）中、Ｒは前記と同じ意味を表す。Ｒが複数存在する場合、複数のＲは、互いに同一であっても異なっていてもよい。

ｐ型半導体は、前記式（Ｉ）で表される構成単位及び／又は前記式（ＩＩ）で表される構成単位に加えて、アリーレン基を有していてもよい。アリーレン基は、２価の芳香族炭素環基を意味する。アリーレン基は、置換基を有していてもよい。

アリーレン基における、置換基を除いた部分の炭素原子数は、通常６～６０であり、好ましくは６～２０である。置換基を含めたアリーレン基の炭素原子数は、通常６～１００である。

アリーレン基の例としては、フェニレン基、ナフタレン－ジイル基、アントラセン－ジイル基、ビフェニル－ジイル基、ターフェニル－ジイル基、フルオレン－ジイル基、及びベンゾフルオレン－ジイル基が挙げられる。

ｐ型半導体が、式（Ｉ）で表される構成単位及び／又は式（ＩＩ）で表される構成単位を含む高分子化合物である場合、式（Ｉ）で表される構成単位及び式（ＩＩ）で表される構成単位の合計量は、通常２０～１００モル％であり、ｐ型半導体としての電荷輸送性を向上させるので、好ましくは４０～１００モル％であり、より好ましくは５０～１００モル％である。ただし、高分子化合物が含むすべての構成単位の量を１００モル％とする。

ｐ型半導体の好適な具体例としては、下記の高分子化合物が挙げられる。

（ｐ型半導体の含有量）
組成物におけるｐ型半導体の含有量は、必要とされる機能層（活性層）の厚さ、所望の特性等に応じて、任意好適な含有量とすることができる。
例えば、組成物におけるｐ型半導体の含有量は、組成物を１００質量％として、好ましくは０．１質量％以上、より好ましくは１質量％以上であり、好ましくは２０質量％以下、より好ましくは１０質量％以下である。

［２．３．ｎ型半導体］
本実施形態の組成物に含まれるｎ型半導体は、一種単独であっても、二種以上の組み合わせであってもよい。

ｎ型半導体は、低分子化合物であっても高分子化合物であってもよい。ｎ型半導体の例としては、オキサジアゾール誘導体、アントラキノジメタン及びその誘導体、ベンゾキノン及びその誘導体、ナフトキノン及びその誘導体、アントラキノン及びその誘導体、テトラシアノアントラキノジメタン及びその誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェニルジシアノエチレン及びその誘導体、ジフェノキノン誘導体、８－ヒドロキシキノリン及びその誘導体の金属錯体、Ｃ_６０フラーレン等のフラーレン及びその誘導体であるフラーレン誘導体（以下、フラーレン化合物という場合がある。）、並びに、バソクプロイン等のフェナントレン誘導体が挙げられる。

ｎ型半導体は、Ｃ_６０フラーレン等のフラーレン及びその誘導体であるフラーレン誘導体であってもよく、非フラーレン化合物であってもよい。以下、フラーレン及びフラーレン誘導体を、フラーレン化合物という場合がある。非フラーレン化合物は、フラーレン及びフラーレン誘導体以外の化合物を意味する。

（フラーレン化合物）
一実施形態において、組成物に含まれるｎ型半導体としては、フラーレン及びフラーレン誘導体から選ばれる１種以上が好ましく、フラーレン誘導体がより好ましい。

フラーレンの例としては、Ｃ_６０フラーレン、Ｃ_７０フラーレン、Ｃ_７６フラーレン、Ｃ_７８フラーレン、及びＣ_８４フラーレンが挙げられる。フラーレン誘導体の例としては、これらのフラーレンの誘導体が挙げられる。フラーレン誘導体とは、フラーレンの少なくとも一部が修飾された化合物を意味する。

フラーレン誘導体の例としては、下記式で表される化合物が挙げられる。

式中、
Ｒ^ａは、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、１価の複素環基、又はエステル構造を有する基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数あるＲ^ａは、互いに同一であっても異なっていてもよい。
Ｒ^ｂは、アルキル基、シクロアルキル基、又はアリール基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数あるＲ^ｂは、互いに同一であっても異なっていてもよい。

Ｒ^ａで表されるエステル構造を有する基の例としては、下記式で表される基が挙げられる。

式中、ｕ１は、１～６の整数を表す。ｕ２は、０～６の整数を表す。Ｒ^ｅは、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ｃ_６０フラーレン誘導体の例としては、下記の化合物が挙げられる。

Ｃ_７０フラーレン誘導体の例としては、下記の化合物が挙げられる。

フラーレン誘導体の具体例としては、［６，６］－フェニル－Ｃ６１酪酸メチルエステル（Ｃ６０ＰＣＢＭ、［６，６］－Ｐｈｅｎｙｌ Ｃ６１ ｂｕｔｙｒｉｃ ａｃｉｄ ｍｅｔｈｙｌ ｅｓｔｅｒ）、［６，６］－フェニル－Ｃ７１酪酸メチルエステル（Ｃ７０ＰＣＢＭ、［６，６］－Ｐｈｅｎｙｌ Ｃ７１ ｂｕｔｙｒｉｃ ａｃｉｄ ｍｅｔｈｙｌ ｅｓｔｅｒ）、［６，６］－フェニル－Ｃ８５酪酸メチルエステル（Ｃ８４ＰＣＢＭ、［６，６］－Ｐｈｅｎｙｌ Ｃ８５ ｂｕｔｙｒｉｃ ａｃｉｄ ｍｅｔｈｙｌ ｅｓｔｅｒ）、及び［６，６］－チエニル－Ｃ６１酪酸メチルエステル（［６，６］－Ｔｈｉｅｎｙｌ Ｃ６１ ｂｕｔｙｒｉｃ ａｃｉｄ ｍｅｔｈｙｌ ｅｓｔｅｒ）が挙げられる。

（非フラーレン化合物）
別の実施形態において、組成物に含まれるｎ型半導体は、非フラーレン化合物であることが好ましい。非フラーレン化合物としては、多種の化合物が公知であり、従来公知の任意好適な非フラーレン化合物を本実施形態においてｎ型半導体として用いることができる。

一実施形態において、組成物に含まれるｎ型半導体は、ペリレンテトラカルボン酸ジイミド構造を含む化合物であることが好ましい。非フラーレン化合物であるペリレンテトラカルボン酸ジイミド構造を含む化合物の例としては、下記式で表される化合物が挙げられる。

式中、Ｒは、前記定義のとおりである。複数あるＲは、互いに同一であっても異なっていてもよい。

一実施形態において、ｎ型半導体は、好ましくは、下記式（Ｖ）で表される化合物である。下記式（Ｖ）で表される化合物は、ペリレンテトラカルボン酸ジイミド構造を含む非フラーレン化合物である。

前記式（Ｖ）中、Ｒ^１は、水素原子、ハロゲン原子、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいシクロアルキル基、置換基を有していてもよいアルキルオキシ基、置換基を有していてもよいシクロアルキルオキシ基、置換基を有していてもよいアリール基、又は置換基を有していてもよい１価の芳香族複素環基を表す。複数あるＲ^１は互いに同一であっても異なっていてもよい。

好ましくは、複数あるＲ^１は、それぞれ独立して、置換基を有していてもよいアルキル基である。

Ｒ^２は、水素原子、ハロゲン原子、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいシクロアルキル基、置換基を有していてもよいアルキルオキシ基、置換基を有していてもよいシクロアルキルオキシ基、置換基を有していてもよいアリール基、又は置換基を有していてもよい１価の芳香族複素環基を表す。複数あるＲ^２は同一であっても異なっていてもよい。

別の実施形態において、ｎ型半導体は、下記式（ＶＩ）で表される化合物であることが好ましい。

Ａ^１－Ｂ^１０－Ａ^２ （ＶＩ）

式（ＶＩ）中、
Ａ^１及びＡ^２は、それぞれ独立に、電子求引性の基を表し、Ｂ^１０は、π共役系を含む基を表す。

Ａ^１及びＡ^２である電子求引性の基の例としては、－ＣＨ＝Ｃ（－ＣＮ）_２で表される基、及び下記式（ａ－１）～式（ａ－９）で表される基が挙げられる。

式（ａ－１）～式（ａ－７）中、
Ｔは、置換基を有していてもよい炭素環、又は置換基を有していてもよい複素環を表す。炭素環及び複素環は、単環であってもよく、縮合環であってもよい。これらの環が置換基を複数有する場合、複数ある置換基は、同一であっても異なっていてもよい。

Ｔである置換基を有していてもよい炭素環の例としては、芳香族炭素環が挙げられ、好ましくは芳香族炭素環である。Ｔである置換基を有していてもよい炭素環の具体例としては、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、テトラセン環、ペンタセン環、ピレン環、及びフェナントレン環が挙げられ、好ましくはベンゼン環、ナフタレン環、及びフェナントレン環であり、より好ましくはベンゼン環及びナフタレン環であり、更に好ましくはベンゼン環である。これらの環は、置換基を有していてもよい。

Ｔである置換基を有していてもよい複素環の例としては、芳香族複素環が挙げられ、好ましくは芳香族複素環である。Ｔである置換基を有していてもよい複素環の具体例としては、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、ピロール環、フラン環、チオフェン環、イミダゾール環、オキサゾール環、チアゾール環、及びチエノチオフェン環が挙げられ、好ましくはチオフェン環、ピリジン環、ピラジン環、チアゾール環、及びチエノチオフェン環であり、より好ましくはチオフェン環である。これらの環は、置換基を有していてもよい。

Ｔである炭素環又は複素環が有し得る置換基の例としては、ハロゲン原子、アルキル基、アルキルオキシ基、アリール基、及び１価の複素環基が挙げられ、好ましくはフッ素原子、及び／又は炭素原子数１～６のアルキル基である。

Ｘ^４、Ｘ^５、及びＸ^６は、それぞれ独立して、酸素原子、硫黄原子、アルキリデン基、又は＝Ｃ（－ＣＮ）_２で表される基を表し、好ましくは、酸素原子、硫黄原子、又は＝Ｃ（－ＣＮ）_２で表される基である。

Ｘ^７は、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアルキルオキシ基、置換基を有していてもよいアリール基又は１価の複素環基を表す。

Ｒ^ａ１、Ｒ^ａ２、Ｒ^ａ３、Ｒ^ａ４、及びＲ^ａ５は、それぞれ独立して、水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基、ハロゲン原子、置換基を有していてもよいアルキルオキシ基、置換基を有していてもよいアリール基又は１価の複素環基を表し、好ましくは、置換基を有していてもよいアルキル基又は置換基を有していてもよいアリール基である。

式（ａ－８）及び式（ａ－９）中、Ｒ^ａ６及びＲ^ａ７は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいシクロアルキル基、置換基を有していてもよいアルキルオキシ基、置換基を有していてもよいシクロアルキルオキシ基、置換基を有していてもよい１価の芳香族炭素環基、又は置換基を有していてもよい１価の芳香族複素環基を表し、複数あるＲ^ａ６及びＲ^ａ７は、同一であっても異なっていてもよい。

Ａ^１及びＡ^２である電子求引性の基としては、下記の式（ａ－１－１）～式（ａ－１－４）並びに式（ａ－６－１）及び式（ａ－７－１）のいずれかで表される基が好ましく、式（ａ－１－１）で表される基がより好ましい。ここで、複数あるＲ^ａ１０は、それぞれ独立して、水素原子又は置換基を表し、好ましくは水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、又は置換基を有していてもよいアルキル基を表す。Ｒ^ａ３、Ｒ^ａ４、及びＲ^ａ５は、それぞれ独立して、前記と同義であり、好ましくはそれぞれ独立して置換基を有していてもよいアルキル基又は置換基を有していてもよいアリール基を表す。

Ｂ^１０であるπ共役系を含む基の例としては、後述する式（ＶＩＩ）で表される化合物における、－（Ｓ^１）_ｎ１－Ｂ^１１－（Ｓ^２）_ｎ２－で表される基が挙げられる。

本実施形態において、ｎ型半導体は、下記式（ＶＩＩ）で表される化合物であることが好ましい。

Ａ^１－（Ｓ^１）_ｎ１－Ｂ^１１－（Ｓ^２）_ｎ２－Ａ^２ （ＶＩＩ）

式（ＶＩＩ）中、Ａ^１及びＡ^２は、それぞれ独立に、電子求引性の基を表す。Ａ^１及びＡ^２の例及び好ましい例は、前記式（ＶＩ）におけるＡ^１及びＡ^２について説明した例及び好ましい例と同様である。

Ｓ^１及びＳ^２は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい２価の炭素環基、置換基を有していてもよい２価の複素環基、－Ｃ（Ｒ^ｓ１）＝Ｃ（Ｒ^ｓ２）－で表される基（ここで、Ｒ^ｓ１及びＲ^ｓ２は、それぞれ独立に、水素原子、又は置換基（好ましくは、水素原子、ハロゲン原子、置換基を有していてもよいアルキル基、又は置換基を有していてもよい１価の複素環基）を表す。）、又は－Ｃ≡Ｃ－で表される基を表す。

Ｓ^１及びＳ^２で表される、置換基を有していてもよい２価の炭素環基及び置換基を有していてもよい２価の複素環基は、縮合環であってもよい。２価の炭素環基又は２価の複素環基が、複数の置換基を有する場合、複数ある置換基は、同一であっても異なっていてもよい。

式（ＶＩＩ）中、ｎ１及びｎ２は、それぞれ独立に、０以上の整数を表し、好ましくはそれぞれ独立に、０又は１を表し、より好ましくは、同時に０又は１を表す。

２価の炭素環基の例としては、２価の芳香族炭素環基が挙げられる。
２価の複素環基の例としては、２価の芳香族複素環基が挙げられる。
２価の芳香族炭素環基又は２価の芳香族複素環基が縮合環である場合、縮合環を構成する環の全部が芳香族性を有する縮合環であってもよく、一部のみが芳香族性を有する縮合環であってもよい。

Ｓ^１及びＳ^２の例としては、既に説明したＡｒ^３で表される２価の芳香族複素環基の例として挙げられた式（１０１）～（１９０）のいずれかで表される基、及びこれらの基における水素原子が置換基で置換された基が挙げられる。

Ｓ^１及びＳ^２は、好ましくは、それぞれ独立に、下記式（ｓ－１）又は（ｓ－２）で表される基を表す。

式（ｓ－１）及び（ｓ－２）中、
Ｘ^３は、酸素原子又は硫黄原子を表す。
Ｒ^ａ１０は、前記定義のとおりである。

Ｓ^１及びＳ^２は、好ましくは、それぞれ独立に、式（１４２）、式（１４８）、若しくは式（１８４）で表される基、又はこれらの基における水素原子が置換基で置換された基であり、より好ましくは、前記式（１４２）若しくは式（１８４）で表される基、又は式（１８４）で表される基における１つの水素原子が、アルキルオキシ基で置換された基である。

Ｂ^１１は、炭素環構造及び複素環構造からなる群から選択された２以上の構造の縮合環基であり、かつオルト－ペリ縮合構造を含まない縮合環基であり、かつ置換基を有していてもよい縮合環基を表す。

Ｂ^１１で表される縮合環基は、互いに同一である２以上の構造を縮合した構造を含んでいてもよい。

Ｂ^１１で表される縮合環基が複数の置換基を有する場合、複数ある置換基は、同一であっても異なっていてもよい。

Ｂ^１１で表される縮合環基を構成し得る炭素環構造の例としては、下記式（Ｃｙ１）又は式（Ｃｙ２）で表される環構造が挙げられる。

Ｂ^１１で表される縮合環基を構成し得る複素環構造の例としては、下記式（Ｃｙ３）～式（Ｃｙ１０）のいずれかで表される環構造が挙げられる。

式（ＶＩＩ）中、Ｂ^１１は、好ましくは、前記式（Ｃｙ１）～式（Ｃｙ１０）で表される構造からなる群から選択された２以上の構造の縮合環基であって、オルト－ペリ縮合構造を含まない縮合環基であり、かつ置換基を有していてもよい縮合環基である。Ｂ^１１は、式（Ｃｙ１）～式（Ｃｙ１０）で表される構造のうち、２以上の同一の構造が縮合した構造を含んでいてもよい。

Ｂ^１１は、より好ましくは、式（Ｃｙ１）～式（Ｃｙ６）及び式（Ｃｙ８）で表される構造からなる群から選択された２以上の構造の縮合環基であって、オルト－ペリ縮合構造を含まない縮合環基であり、かつ置換基を有していてもよい縮合環基である。

Ｂ^１１である縮合環基が有していてもよい置換基は、好ましくは置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアリール基、置換基を有していてもよいアルキルオキシ基、及び置換基を有していてもよい１価の複素環基である。Ｂ^１１で表される縮合環基が有していてもよいアリール基は、例えば、アルキル基により置換されていてもよい。

Ｂ^１１である縮合環基の例としては、下記式（ｂ－１）～式（ｂ－１４）で表される基、及びこれらの基における水素原子が、置換基（好ましくは、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアリール基、置換基を有していてもよいアルキルオキシ基、又は置換基を有していてもよい１価の複素環基）で置換された基が挙げられる。

Ｂ^１１である縮合環基としては、下記式（ｂ－２）又は（ｂ－３）で表される基、又はこれらの基における水素原子が、置換基（好ましくは、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアリール基、置換基を有していてもよいアルキルオキシ基、又は置換基を有していてもよい１価の複素環基）で置換された基が好ましく、下記式（ｂ－２）又は（ｂ－３）で表される基がより好ましい。

式（ｂ－１）～式（ｂ－１４）中、
Ｒ^ａ１０は、前記定義のとおりである。
式（ｂ－１）～式（ｂ－１４）中、複数あるＲ^ａ１０は、それぞれ独立して、好ましくは置換基を有していてもよいアルキル基、又は置換基を有していてもよいアリール基である。

式（ＶＩ）又は式（ＶＩＩ）で表される化合物の例としては、下記式で表される化合物が挙げられる。

上記式中、Ｒは、前記定義のとおりであり、Ｘは、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基又は置換基を有していてもよいアルキル基を表す。
上記式中、Ｒは、好ましくは水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアリール基又は置換基を有していてもよいアルキルオキシ基である。

組成物は、ｎ型半導体として、非フラーレン化合物のみを含んでいてもよく、フラーレン化合物のみを含んでいてもよく、非フラーレン化合物とフラーレン化合物とを組み合わせて含んでいてもよい。

組成物に含まれるｎ型半導体の好適な具体例として、下記式で表される化合物が挙げられる。

（ｎ型半導体の含有量）
組成物におけるｎ型半導体の含有量は、必要とされる機能層（活性層）の厚さ、所望の特性等に応じて、任意好適な含有量とすることができる。
例えば、組成物におけるｎ型半導体の含有量は、組成物を１００質量％として、好ましくは０．１質量％以上、より好ましくは１質量％以上であり、好ましくは２０質量％以下、より好ましくは１０質量％以下である。

（ｐ型半導体のｎ型半導体に対する質量比（ｐ型半導体／ｎ型半導体））
組成物中のｐ型半導体のｎ型半導体に対する質量比（ｐ型半導体／ｎ型半導体）は、好ましくは１／９以上であり、より好ましくは１／５以上であり、更に好ましくは１／３以上であり、好ましくは９／１以下であり、より好ましくは５／１以下であり、更に好ましくは３／１以下である。ここで、当該質量比は、組成物がｐ型半導体を複数種含む場合は、ｐ型半導体の総質量についての比であり、組成物がｎ型半導体を複数種含む場合は、ｎ型半導体の総質量についての比である。

［２．４．溶媒］
本実施形態の組成物に含まれる溶媒は、一種単独でもよく、二種以上の組み合わせであってもよい。

本実施形態の組成物は、溶媒として、芳香族炭化水素を含んでいてもよく、芳香族炭化水素を含むことが好ましい。当該芳香族炭化水素は置換基を有していてもよい。芳香族炭化水素としては、特に既に説明したｐ型半導体を溶解させることができる化合物であることが好ましい。

溶媒として用いられうる芳香族炭化水素としては、例えば、トルエン、キシレン（例、ｏ－キシレン、ｍ－キシレン、ｐ－キシレン）、トリメチルベンゼン（例、メシチレン、１，２，４－トリメチルベンゼン（プソイドクメン））、ブチルベンゼン（例、ｎ－ブチルベンゼン、ｓｅｃ－ブチルベンゼン、ｔｅｒｔ－ブチルベンゼン）、メチルナフタレン（例、１－メチルナフタレン）、１，２，３，４－テトラヒドロナフタレン（テトラリン）、インダン、１－クロロナフタレン、クロロベンゼン及びジクロロベンゼン（１，２－ジクロロベンゼン）が挙げられる。

溶媒は、１種のみの芳香族炭化水素から構成されていても、２種以上の芳香族炭化水素から構成されていてもよい。

溶媒を構成しうる芳香族炭化水素は、好ましくは、トルエン、ｏ－キシレン、ｍ－キシレン、ｐ－キシレン、メシチレン、１，２，４－トリメチルベンゼン、ｎ－ブチルベンゼン、ｓｅｃ－ブチルベンゼン、ｔｅｒｔ－ブチルベンゼン、メチルナフタレン、テトラリン、１－クロロナフタレン、クロロベンゼン及びジクロロベンゼン（１，２－ジクロロベンゼン）からなる群から選択される１種以上である。

溶媒中の芳香族炭化水素溶媒の含有量は、溶媒の総質量を１００質量％として、好ましくは８０質量％以上、より好ましくは９０質量％以上であり、通常１００質量％以下である。

本実施形態の組成物は、溶媒として、ハロゲン化アルキルを含んでいてもよい。溶媒として用いられうるハロゲン化アルキルとしては、例えば、クロロホルムが挙げられる。

本実施形態の組成物は、前記の溶媒に加えて、特にｎ型半導体の溶解性を高める観点から選択されるさらなる溶媒を組み合わせて用いてもよい。

本実施形態において、さらなる溶媒の例としては、芳香族カルボニル化合物、芳香族エステル化合物及び含窒素複素環式化合物が挙げられる。本実施形態の組成物は、溶媒として、芳香族カルボニル化合物、芳香族エステル化合物及び含窒素複素環式化合物からなる群より選択される一種又は二種以上の化合物を含んでいてもよい。

芳香族カルボニル化合物としては、例えば、アセトフェノン、プロピオフェノン、ブチロフェノン、シクロへキシルフェニルケトン、ベンゾフェノンが挙げられ、これらの化合物は置換基を有していてもよい。

芳香族エステル化合物としては、例えば、安息香酸メチル、安息香酸エチル、安息香酸プロピル、安息香酸ブチル、安息香酸イソプロピル、安息香酸ベンジル、安息香酸シクロへキシル、安息香酸フェニルが挙げられ、これらの化合物は置換基を有していてもよい。

含窒素複素環式化合物としては、例えば、ピリジン、キノリン、キノキサリン、１，２，３，４－テトラヒドロキノリン、ピリミジン、ピラジン、及びキナゾリンが挙げられ、これらの含窒素複素環式化合物は置換基を有していてもよい。

含窒素複素環式化合物は、環構造に直接的に結合する置換基を有していてもよい。含窒素複素環式化合物の環構造が有していてもよい置換基としては、例えば、炭素原子数１～５のアルキル基、炭素原子数１～５のアルコキシ基、ハロゲン原子、及びアルキルチオ基が挙げられる。

本実施形態の組成物に含まれる溶媒の総質量は、組成物の全質量を１００質量％としたときに、ｐ型半導体及びｎ型半導体の溶解性をより向上させる観点から、好ましくは９０質量％以上であり、より好ましくは９２質量％以上であり、更に好ましくは９５質量％以上であり、組成物中のｐ型半導体及びｎ型半導体の濃度をより高くして一定の厚さ以上の層を形成し易くする観点から、好ましくは９９．９質量％以下である。

［２．５．任意成分］
本実施形態に係る組成物は、前記のｐ型半導体、ｎ型半導体、界面活性剤、及び溶媒に加えて、本発明の目的及び効果を損なわない限度において、任意の成分を含んでいてもよい。任意の成分の例としては、紫外線吸収剤、酸化防止剤、吸収した光により電荷を発生させる機能を増感するための増感剤、及び紫外線からの安定性を増すための光安定剤が挙げられる。

組成物における任意成分の合計の含有量は、好ましくは１０質量％以下、より好ましくは５質量％以下であり、通常０質量％以上であり、０質量％であってもよい。

［２．６．組成物の性状など］
組成物中、ｐ型半導体及びｎ型半導体は溶解していても分散していてもよい。組成物中、ｐ型半導体及びｎ型半導体は、少なくとも一部が溶解していることが好ましい。

本実施形態の組成物における、ｐ型半導体及びｎ型半導体の合計の濃度は、必要とされる機能層（活性層）の厚さ、所望の特性等に応じて、任意好適な濃度とすることができる。ｐ型半導体及びｎ型半導体の合計の濃度は、好ましくは０．０１質量％以上であり、より好ましくは０．１質量％以上であり、好ましくは１０質量％以下であり、より好ましくは５質量％以下であり、更に好ましくは０．０１質量％以上２０質量％以下であり、更に好ましくは０．０１質量％以上１０質量％以下であり、更に好ましくは０．０１質量％以上５質量％以下であり、特に好ましくは０．１質量％以上５質量％以下である。

［２．７．組成物の製造方法］
組成物は、従来公知の方法により製造することができる。溶媒と、ｐ型半導体、ｎ型半導体、及び界面活性剤とを、溶媒の沸点以下の温度まで加温して混合してもよい。

溶媒と、ｐ型半導体、ｎ型半導体、及び界面活性剤とを混合した後、得られた混合物をフィルターを用いて濾過し、得られた濾液を組成物としてよい。フィルターとしては、例えば、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）等のフッ素樹脂で形成されたフィルターを用いることができる。

［２．８．組成物の用途］
組成物は、塗布法によりｐ型半導体、ｎ型半導体、及び界面活性剤を含む膜を形成するためのインクとして好適に用いられ得る。

本明細書において、「インク」は、塗布法に用いられる液状物を意味しており、着色した液に限定されない。また、「塗布法」は、液状物を用いて膜（層）を形成する方法を包含する。塗布法の例としては、スロットダイコート法、スリットコート法、ナイフコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイヤーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、グラビア印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットコート法、ディスペンサー印刷法、ノズルコート法、及びキャピラリーコート法が挙げられる。

［３．膜］
本発明の一実施形態に係る膜は、ｐ型半導体、ｎ型半導体、及び界面活性剤を含む。当該膜は、光電変換素子に含まれる活性層として好適に用いられうる。

膜に含まれるｐ型半導体、ｎ型半導体、及び界面活性剤の例及び好ましい例はそれぞれ、前記組成物に含まれうる、ｐ型半導体、ｎ型半導体、及び界面活性剤の例及び好ましい例と同様である。

本実施形態の膜におけるｐ型半導体の含有量は、所望の特性等に応じて、任意好適な含有量とすることができる。
例えば、膜におけるｐ型半導体の含有量は、好ましくは１質量％以上、より好ましくは１０質量％以上、更に好ましくは２０質量％以上であり、好ましくは９９質量％以下、より好ましくは９０質量％以下、更に好ましくは８０質量％以下である。

本実施形態の膜におけるｎ型半導体の含有量は、所望の特性等に応じて、任意好適な含有量とすることができる。
例えば、膜におけるｎ型半導体の含有量は、好ましくは１質量％以上、より好ましくは１０質量％以上、更に好ましくは２０質量％以上であり、好ましくは９９質量％以下、より好ましくは９０質量％以下、更に好ましくは８０質量％以下である。

本実施形態の膜における、ｐ型半導体のｎ型半導体に対する質量割合（ｐ型半導体／ｎ型半導体）は、通常、膜を製造するための組成物におけるｐ型半導体のｎ型半導体に対する質量割合と同じである。

本実施形態の膜における、界面活性剤の含有割合は、ｎ型半導体、ｐ型半導体、及び界面活性剤の総質量を１００質量％として、好ましくは０．１質量％以上、より好ましくは１質量％以上であり、好ましくは１０質量％以下、より好ましくは５質量％以下である。

本実施形態の膜は、溶媒を実質的に含まないことが好ましい。
本実施形態の膜における、溶媒の含有量は、好ましくは１質量％以下、より好ましくは０．１質量％以下であり、通常０質量％以上であり、０質量％であってもよい。

本実施形態の膜は、任意の方法により製造されうる。例えば、本実施形態の膜は、前記組成物を塗布対象に塗布して塗膜を得る工程（ｉ）、及び得られた塗膜から溶媒を除去する工程（ｉｉ）を含む製造方法により製造されうる。

（工程（ｉ））
工程（ｉ）において、組成物を塗布対象に塗布する方法としては、既に説明した従来公知の任意の塗布法を用いることができる。

工程（ｉ）において、組成物は、任意の塗布対象に塗布される。組成物は、光電変換素子の製造工程において、例えば、電極（陽極又は陰極）、電子輸送層、又は正孔輸送層などの光電変換素子が含みうる機能層に塗布されうる。

（工程（ｉｉ））
工程（ｉｉ）において、工程（ｉ）により形成された組成物の塗膜から、溶媒を除去する方法としては、任意好適な方法を用いることができる。溶媒を除去する方法の例としては、熱風乾燥法、赤外線加熱乾燥法、フラッシュランプアニール乾燥法、減圧乾燥法などの乾燥法が挙げられる。

［４．有機光電変換素子］
［４．１．光電変換素子の構成］
本実施形態にかかる光電変換素子は、第１電極と、第２の電極と、該第１電極及び第２の電極の間に設けられている活性層とを含み、該活性層が既に説明した膜である。
以下、図面を参照して本実施形態の光電変換素子の構成例について具体的に説明する。

図１は、光電変換素子の構成例を模式的に示す図である。

図１に示されるように、光電変換素子１０は、支持基板１１に設けられている。光電変換素子１０は、支持基板１１に接するように設けられている第１の電極１２と、第１の電極１２に接するように設けられている第１の中間層１３と、第１の中間層１３に接するように設けられている活性層１４と、活性層１４に接するように設けられている第２の中間層１５と、第２の中間層１５に接するように設けられている第２の電極１６とを備えている。この構成例では、第２の電極１６に接するように封止部材１７がさらに設けられている。本実施形態では、第１の中間層１３及び第２の中間層１５の両方が設けられているが、第１の中間層１３及び第２の中間層１５のいずれか一つのみが設けられていてもよい。例えば、第１の中間層１３が設けられていなくてもよい。例えば、第２の中間層１５が設けられていなくてもよい。

以下、本実施形態の光電変換素子に含まれ得る構成要素について具体的に説明する。

（基板）
光電変換素子は、通常、基板（支持基板）上に形成される。また、さらに基板（封止基板）により封止される場合もある。基板には、通常、第１の電極及び第２の電極からなる一対の電極のうちの一方が形成される。基板の材料は、特に有機化合物を含む層を形成する際に化学的に変化しない材料であれば特に限定されない。

基板の材料としては、例えば、ガラス、プラスチック、高分子フィルム、シリコンが挙げられる。不透明な基板が用いられる場合には、不透明な基板側に設けられる電極とは反対側の電極（換言すると、不透明な基板から遠い側の電極）が透明又は半透明の電極とされることが好ましい。

（電極）
光電変換素子は、一対の電極である第１の電極及び第２の電極を含んでいる。第１の電極及び第２の電極のうち、少なくとも一方の電極は、光を入射させるために、透明又は半透明の電極とすることが好ましい。

透明又は半透明の電極の材料の例としては、導電性の金属酸化物膜、半透明の金属薄膜が挙げられる。具体的には、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、及びそれらの複合体であるインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、ＮＥＳＡ等の導電性材料、金、白金、銀、銅が挙げられる。透明又は半透明である電極の材料としては、ＩＴＯ、ＩＺＯ、酸化スズが好ましい。また、電極として、ポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体などの有機化合物が材料として用いられる透明導電膜を用いてもよい。透明又は半透明の電極は、第１の電極であっても第２の電極であってもよい。

一対の電極のうちの一方の電極が透明又は半透明であれば、他方の電極は光透過性の低い電極であってもよい。光透過性の低い電極の材料の例としては、金属、及び導電性高分子が挙げられる。光透過性の低い電極の材料の具体例としては、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、アルミニウム、スカンジウム、バナジウム、亜鉛、イットリウム、インジウム、セリウム、サマリウム、ユーロピウム、テルビウム、イッテルビウム等の金属、及びこれらのうちの２種以上の合金、又は、これらのうちの１種以上の金属と、金、銀、白金、銅、マンガン、チタン、コバルト、ニッケル、タングステン及び錫からなる群から選ばれる１種以上の金属との合金、グラファイト、グラファイト層間化合物、ポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体が挙げられる。合金としては、マグネシウム－銀合金、マグネシウム－インジウム合金、マグネシウム－アルミニウム合金、インジウム－銀合金、リチウム－アルミニウム合金、リチウム－マグネシウム合金、リチウム－インジウム合金、及びカルシウム－アルミニウム合金が挙げられる。

（活性層）
本実施形態の光電変換素子は、活性層として、既に説明した膜を含む。本実施形態の活性層は、バルクヘテロジャンクション型の構造を有している。

本実施形態において、活性層の厚さは、特に限定されない。活性層の厚さは、例えば、暗電流の抑制と生じた光電流の取り出しとのバランスを考慮して、任意好適な厚さとすることができる。活性層の厚さは、特に暗電流をより低減する観点から、好ましくは１００ｎｍ以上であり、より好ましくは１５０ｎｍ以上であり、更に好ましくは２００ｎｍ以上である。また、活性層の厚さは、好ましくは１０μｍ以下であり、より好ましくは５μｍ以下であり、更に好ましくは１μｍ以下である。

（中間層）
図１に示されるとおり、本実施形態の光電変換素子は、光電変換効率などの特性を向上させるための構成要素として、例えば、電荷輸送層（電子輸送層、正孔輸送層、電子注入層、正孔注入層）などの中間層（バッファー層）を備えていることが好ましい。

また、中間層に用いられる材料の例としては、カルシウムなどの金属、酸化モリブデン、酸化亜鉛などの無機酸化物半導体、及びＰＥＤＯＴ（ポリ（３，４－エチレンジオキシチオフェン））とＰＳＳ（ポリ（４－スチレンスルホネート））との混合物（ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ）が挙げられる。

中間層は、従来公知の任意好適な形成方法により形成することができる。中間層は、真空蒸着法や活性層の形成方法と同様の塗布法により形成することができる。

図１に示されるように、本実施形態の光電変換素子は、第１の電極と活性層との間に、第１の中間層としての電子輸送層を備えることが好ましい。本実施形態の光電変換素子は、第２の電極と活性層との間に、第２の中間層としての正孔輸送層を備えていてもよく、備えていなくてもよい。

また別の実施形態では、光電変換素子は、第２の電極と活性層との間に、第２の中間層としての電子輸送層を備えていることが好ましい。この別の実施形態では、光電変換素子は、第１の電極と活性層との間に、第１の中間層としての正孔輸送層を備えていてもよく、備えていなくてもよい。

電子輸送層は、活性層から電極へと電子を輸送する機能を有する。正孔輸送層は、活性層から電極へと正孔を輸送する機能を有する。

電極に接して設けられる電子輸送層を、特に電子注入層という場合がある。電極に接して設けられる電子輸送層（電子注入層）は、電極への電子の注入を促進する機能を有する。電子輸送層（電子注入層）は、活性層に接していてもよい。

電子輸送層は、電子輸送性材料を含む。電子輸送性材料の例としては、ポリアルキレンイミン及びその誘導体、フルオレン構造を含む高分子化合物、カルシウムなどの金属、金属酸化物が挙げられる。

ポリアルキレンイミン及びその誘導体の例としては、エチレンイミン、プロピレンイミン、ブチレンイミン、ジメチルエチレンイミン、ペンチレンイミン、ヘキシレンイミン、ヘプチレンイミン、オクチレンイミンといった炭素原子数２～８のアルキレンイミン、特に炭素原子数２～４のアルキレンイミンの１種又は２種以上を常法により重合して得られるポリマー、並びにそれらを種々の化合物と反応させて化学的に変性させたポリマーが挙げられる。ポリアルキレンイミン及びその誘導体としては、ポリエチレンイミン（ＰＥＩ）及びエトキシ化ポリエチレンイミン（ＰＥＩＥ）が好ましい。

フルオレン構造を含む高分子化合物の例としては、ポリ［（９，９－ビス（３’－（Ｎ，Ｎ－ジメチルアミノ）プロピル）－２，７－フルオレン）－オルト－２，７－（９，９’－ジオクチルフルオレン）］（ＰＦＮ）及びＰＦＮ－Ｐ２が挙げられる。

金属酸化物の例としては、酸化亜鉛、ガリウムドープ酸化亜鉛、アルミニウムドープ酸化亜鉛、酸化チタン及び酸化ニオブが挙げられる。金属酸化物としては、亜鉛を含む金属酸化物が好ましく、中でも酸化亜鉛が好ましい。

その他の電子輸送性材料の例としては、ポリ（４－ビニルフェノール）、ペリレンジイミドが挙げられる。

電極に接して設けられる正孔輸送層を、特に正孔注入層という場合がある。電極に接して設けられる正孔輸送層（正孔注入層）は、活性層で発生した正孔の電極への注入を促進する機能を有する。

正孔輸送層は、正孔輸送性材料を含む。正孔輸送性材料の例としては、ポリチオフェン及びその誘導体、芳香族アミン化合物、芳香族アミン残基を有する構成単位を含む高分子化合物、ＣｕＳＣＮ、ＣｕＩ、ＮｉＯ、酸化タングステン（ＷＯ_３）及び酸化モリブデン（ＭｏＯ_３）が挙げられる。

（封止部材）
本実施形態の光電変換素子は、封止部材をさらに含み、かかる封止部材により封止された封止体とすることが好ましい。
封止部材は任意好適な従来公知の部材を用いることができる。封止部材の例としては、基板（封止基板）であるガラス基板とＵＶ硬化性樹脂などの封止材（接着剤）との組合せが挙げられる。

封止部材は、１層以上の層構造である封止層であってもよい。封止層を構成する層の例としては、ガスバリア層、ガスバリア性フィルムが挙げられる。

封止層は、水分を遮断する性質（水蒸気バリア性）又は酸素を遮断する性質（酸素バリア性）を有する材料により形成することが好ましい。封止層の材料として好適な材料の例としては、三フッ化ポリエチレン、ポリ三フッ化塩化エチレン（ＰＣＴＦＥ）、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート、脂環式ポリオレフィン、エチレン－ビニルアルコール共重合体などの有機材料、酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸化アルミニウム、ダイヤモンドライクカーボンなどの無機材料などが挙げられる。

封止部材は、通常、光電変換素子が適用される、例えば後述する適用例のデバイスに組み込まれる際において実施され得る加熱処理に耐えうる材料により構成される。

別の実施形態では、第１の中間層１３及び第２の中間層１５の両方、又はいずれかが、設けられていなくてもよい。

［４．２．光電変換素子の製造方法］
本実施形態の光電変換素子は、従来公知の任意好適な製造方法により製造しうる。本実施形態の光電変換素子は、構成要素を形成するにあたり選択された材料に好適な工程を組み合わせて製造しうる。

以下、本発明の実施形態として、基板（支持基板）、第１の電極、正孔輸送層、活性層、電子輸送層、第２の電極がこの順に互いに接する構成を有する光電変換素子の製造方法を説明する。

（基板を用意する工程）
本工程では、例えば第１の電極が設けられた支持基板を用意する。また、既に説明した電極の材料により形成された導電性の薄膜が設けられた基板を市場より入手し、必要に応じて、導電性の薄膜をパターニングして第１の電極を形成することにより、第１の電極が設けられた支持基板を用意することができる。

本実施形態にかかる光電変換素子の製造方法において、支持基板上に第１の電極を形成する場合の第１の電極の形成方法は特に限定されない。第１の電極は、既に説明した材料を、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、めっき法、塗布法などの従来公知の任意好適な方法によって、第１の電極を形成すべき構成（例、支持基板、活性層、正孔輸送層）上に形成することができる。

（正孔輸送層の形成工程）
光電変換素子の製造方法は、活性層と第１の電極との間に設けられる正孔輸送層（正孔注入層）を形成する工程を含んでいてもよい。

正孔輸送層の形成方法は特に限定されない。正孔輸送層の形成工程をより簡便にする観点からは、従来公知の任意好適な塗布法によって正孔輸送層を形成することが好ましい。正孔輸送層は、例えば、既に説明した正孔輸送層を構成しうる材料と溶媒とを含む塗布液を用いる塗布法や真空蒸着法により形成することができる。

（活性層の形成工程）
本実施形態の光電変換素子の製造方法においては、正孔輸送層上に活性層が形成される。活性層は、任意好適な従来公知の形成工程により形成することができる。本実施形態において、活性層は、既に説明した組成物を用いる塗布法により製造することができる。

活性層は、既に説明した「膜」と同様にして形成することができる。本実施形態では、ｐ型半導体と、ｎ型半導体と、界面活性剤と、溶媒とを含む組成物を、正孔輸送層上に塗布して塗膜を形成する工程、次いで、前記塗膜を乾燥させる工程を含む工程により、活性層を形成することができる。

（電子輸送層の形成工程）
本実施形態の光電変換素子の製造方法は、活性層に接するように設けられた電子輸送層（電子注入層）を形成する工程を含みうる。

電子輸送層の形成方法は特に限定されない。電子輸送層の形成工程をより簡便にする観点からは、従来公知の任意好適な真空蒸着法によって電子輸送層を形成することが好ましい。

（第２の電極の形成工程）
第２の電極の形成方法は特に限定されない。第２の電極は、例えば、上記例示の電極の材料を、塗布法、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、めっき法など従来公知の任意好適な方法によって形成することができる。以上の工程により、本実施形態の光電変換素子が製造される。

（封止体の形成工程）
封止体の形成にあたり、本実施形態では、従来公知の任意好適な封止材（接着剤）及び基板（封止基板）を用いる。具体的には、製造された光電変換素子の周辺を囲むように、支持基板上に、例えばＵＶ硬化性樹脂などの封止材を塗布した後、封止材により隙間なく貼り合わせた後、選択された封止材に好適な、ＵＶ光の照射などの方法を用いて支持基板と封止基板との間隙に光電変換素子を封止することにより、光電変換素子の封止体を得ることができる。

［４．３．光電変換素子の適用例］
本実施形態の光電変換素子の用途としては、光検出素子、太陽電池が挙げられる。本実施形態の光電変換素子は、光が照射されることにより、電極間に光起電力を発生させることができ、太陽電池として動作させることができる。光電変換素子を複数集積することにより太陽電池モジュールとすることもできる。

本実施形態の光電変換素子は、電極間に電圧（逆バイアス電圧）を印加した状態で、透明又は半透明の電極側から光を照射することにより、光電流を流すことができ、光検出素子（光センサー）として動作させることができる。また、光検出素子を複数集積することによりイメージセンサーとして用いることもできる。本実施形態の光電変換素子は、特に光検出素子として好適に用いることができる。

本実施形態にかかる光電変換素子は、光検出素子として、ワークステーション、パーソナルコンピュータ、携帯情報端末、入退室管理システム、デジタルカメラ、及び医療機器などの種々の電子装置が備える検出部に好適に適用することができる。

本実施形態の光電変換素子は、上記例示の電子装置が備える、例えば、Ｘ線撮像装置及びＣＭＯＳイメージセンサーなどの固体撮像装置用のイメージ検出部（例えば、Ｘ線センサーなどのイメージセンサー）、指紋検出部、顔検出部、静脈検出部及び虹彩検出部などの生体の一部分の所定の特徴を検出する生体情報認証装置の検出部（例えば、近赤外線センサー）、パルスオキシメータなどの光学バイオセンサーの検出部などに好適に適用することができる。

本実施形態の光電変換素子は、固体撮像装置用のイメージ検出部として、さらにはＴｉｍｅ－ｏｆ－ｆｌｉｇｈｔ（ＴＯＦ）型距離測定装置（ＴＯＦ型測距装置）に好適に適用することもできる。

ＴＯＦ型測距装置では、光源からの放射光が測定対象物において反射された反射光を光電変換素子で受光させることにより距離を測定する。具体的には、光源から放射された照射光が測定対象物で反射して反射光として戻るまでの飛行時間を検出して測定対象物までの距離を求める。ＴＯＦ型には、直接ＴＯＦ方式と間接ＴＯＦ方式とが存在する。直接ＴＯＦ方式では光源から光を照射した時刻と反射光を光電変換素子で受光した時刻との差を直接計測し、間接ＴＯＦ方式では飛行時間に依存した電荷蓄積量の変化を時間変化に換算することで距離を計測する。間接ＴＯＦ方式で用いられる電荷蓄積により飛行時間を得る測距原理には、光源からの放射光と測定対象で反射される反射光との位相から飛行時間を求める連続波（特に正弦波）変調方式とパルス変調方式とがあるが、本実施形態の光電変換素子は、これらの方式のいずれの測定装置にも適用することができる。

［５．光検出素子］
前記のとおり、本実施形態の光電変換素子は、照射された光を、受光量に応じた電気信号に変換し、電極を介して外部回路に出力しうる光検出機能を有しうる。よって、本発明の実施形態にかかる光電変換素子は、光検出機能を有する光検出素子として特に好適に適用されうる。ここで、本実施形態の光検出素子は、光電変換素子そのものであってもよく、光電変換素子に加えて、電圧制御のためなどの機能素子をさらに含んでいてもよい。

以下、本発明をさらに詳細に説明するために実施例を示す。本発明は下記の実施例に限定されない。以下の実施例は、特に断りのない限り、常温（２０℃±１５℃）及び常圧（１ａｔｍ）の条件下で行った。また、「％」及び「部」は、特に断りのない限り、それぞれ「質量％」及び「質量部」を表す。

＜使用された半導体材料＞
（ｐ型半導体）
ｐ型半導体材料Ｐ－１として、国際公開第２０１３／０５１６７６号に記載の方法を参考に合成された高分子化合物を使用した。
ｐ型半導体材料Ｐ－２として、国際公開第２０１１／０５２７０９号に記載の方法を参考に合成された高分子化合物を使用した。
ｐ型半導体材料Ｐ－３として、高分子化合物である、１－ｍａｔｅｒｉａｌ社製、商品名：ＰＭ６を使用した。
ｐ型半導体材料Ｐ－４として、高分子化合物である、１－ｍａｔｅｒｉａｌ社製、商品名：ＰＣＥ１０を使用した。

（ｎ型半導体）
ｎ型半導体材料Ｎ－１として、ハーベス社製、商品名：Ｇｕａｒｄ Ｓｕｒｆ ＮＣ－１０１０を使用した。
ｎ型半導体材料Ｎ－２として、フロンティアカーボン社製、商品名：Ｅ１００を使用した。
ｎ型半導体材料Ｎ－３として、１－ｍａｔｅｒｉａｌ社製、商品名：Ｙ６を使用した。

ｐ型半導体材料Ｐ－１～Ｐ－４及びｎ型半導体材料Ｎ－１～Ｎ－３の具体的構造を、下記表１及び表２に示す。

＜使用される界面活性剤＞
実施例において使用される界面活性剤は、下記のとおりである。
「Ｆ－５５６」：ＤＩＣ社製、ノニオン性、ポリ（メタ）アクリレート構造を有するフッ素系界面活性剤。
「Ｒ－４０」：ＤＩＣ社製、ノニオン性、ポリ（メタ）アクリレート構造を有するフッ素系界面活性剤。
「ＫＰ－６２０」：信越化学工業社製、ノニオン性、オルガノポリシロキサン構造を有する界面活性剤。
「ＫＰ－３２３」：信越化学工業社製、ノニオン性、オルガノポリシロキサン構造を有する界面活性剤。

前記界面活性剤の物性を、下表に示す。下表において、「Ｆ」はフッ素原子を表す。

界面活性剤の粘度ηは、以下の方法及び条件により測定された。
アントンパール社製モジュラーコンパクトレオメータＭＣＲ３０２を用いて、温度２５℃、せん断速度１００（Ｓ^－１）の粘度ηを測定した。

界面活性剤のＭｐ（ピーク分子量）は、以下の方法及び条件により測定された。
ＧＰＣの移動相としてはｏ－ジクロロベンゼンを用い、１．０ｍＬ／ｍｉｎの流速で流した。カラムとしては、昭和電工社製、Ｓｈｏｄｅｘ ＫＤ－８０６Ｍを用い、ガードカラムとしては、昭和電工社製、Ｓｈｏｄｅｘ ＫＤ－Ｇを用いた。

検出器としてはＵＶ－ｖｉｓ検出器（島津製作所社製、ＳＰＤ－Ｍ２０Ａ）及び示差屈折率検出器（島津製作所社製、ＲＩＤ－１０Ａ）を用いた。

測定対象の化合物（重合体）は、溶媒である１－クロロナフタレンに、０．０５質量％の濃度になるように混合して、８０℃で２時間撹拌することで溶解させた溶解液とした。

得られた溶解液を、上記測定装置（ＧＰＣ）にサンプルとして１０μＬ注入することで、ピーク分子量（Ｍｐ）を測定した。

＜実施例１＞
プソイドクメン、テトラリン、及び安息香酸ブチルを、それぞれ質量比８７％、１０％、及び３％となるように混合し、インク溶媒を調製した。界面活性剤として、ＤＩＣ社製「Ｆ－５５６」を用いた。インク溶媒と界面活性剤とを、質量比が９９．９％：０．１％となるように混合し、混合物（ａ）を得た。
混合物（ａ）に対し、ｐ型半導体として材料Ｐ－１及びｎ型半導体として材料Ｎ－１を混合して、混合物（ｂ）を得た。ｐ型半導体の混合量は、インク組成物（混合物（ｂ））全体に対して１．５質量％となる量とした。ｎ型半導体の混合量は、インク組成物（混合物（ｂ））全体の質量に対して１．５質量％となる量とした。得られた混合物（ｂ）を６０℃で６時間撹拌し、次いでフィルターにてろ過を行うことにより、インク組成物Ｉ－１を得た。インク組成物Ｉ－１に含まれる、溶媒、ｐ型半導体、ｎ型半導体、及び界面活性剤の合計を１００質量％とした場合、界面活性剤の含有割合は、０．０９７質量％である。

＜実施例２＞
インク溶媒と界面活性剤とを、質量比が９９．０％：１．０％となるように混合して、混合物（ａ）を得た。
以上の事項以外は、実施例１と同様に操作して、インク組成物Ｉ－２を得た。インク組成物Ｉ－２に含まれる、溶媒、ｐ型半導体、ｎ型半導体、及び界面活性剤の合計を１００質量％とした場合、界面活性剤の含有割合は、０．９７質量％である。

＜実施例３＞
界面活性剤として、信越化学工業社製「ＫＰ－６２０」を用いた。
以上の事項以外は、実施例１と同様に操作して、インク組成物Ｉ－３を得た。

＜比較例１＞
混合物（ａ）の代わりに、界面活性剤の含まれていないインク溶媒を用いた。
以上の事項以外は、実施例１と同様に操作して、インク組成物Ｉ－Ｃ１を得た。

＜実施例４＞
プソイドクメン、及び１，２－ジメトキシベンゼンを、それぞれ質量比９７％、３％となるように混合し、インク溶媒を調製した。
以上の事項以外は、実施例１と同様に操作して、インク組成物Ｉ－４を得た。

＜比較例２＞
混合物（ａ）の代わりに、界面活性剤の含まれていないインク溶媒を用いた。
以上の事項以外は、実施例４と同様に操作して、インク組成物Ｉ－Ｃ２を得た。

＜実施例５＞
ｐ型半導体として、材料Ｐ－２を用い、ｎ型半導体として、材料Ｎ－２を用いた。
界面活性剤として、ＤＩＣ社製「Ｒ－４０」を用いた。
以上の事項以外は、実施例１と同様に操作して、インク組成物Ｉ－５を得た。

＜実施例６＞
ｐ型半導体として、材料Ｐ－２を用い、ｎ型半導体として、材料Ｎ－２を用いた。
以上の事項以外は、実施例１と同様に操作して、インク組成物Ｉ－６を得た。

＜比較例３＞
混合物（ａ）の代わりに、界面活性剤の含まれていないインク溶媒を用いた。
以上の事項以外は、実施例５と同様に操作して、インク組成物Ｉ－Ｃ３を得た。

＜実施例７＞
ｐ型半導体として、材料Ｐ－３を用い、ｎ型半導体として、材料Ｎ－２を用いた。
インク溶媒として、ｏ－ジクロロベンゼンを用いた。
以上の事項以外は、実施例１と同様に操作して、インク組成物Ｉ－７を得た。

＜比較例４＞
混合物（ａ）の代わりに、界面活性剤の含まれていないインク溶媒を用いた。
以上の事項以外は、実施例７と同様に操作して、インク組成物Ｉ－Ｃ４を得た。

＜実施例８＞
ｐ型半導体として、材料Ｐ－４を用い、ｎ型半導体として、材料Ｎ－２を用いた。
インク溶媒として、ｏ－ジクロロベンゼンを用いた。
以上の事項以外は、実施例１と同様に操作して、インク組成物Ｉ－８を得た。

＜比較例５＞
混合物（ａ）の代わりに、界面活性剤の含まれていないインク溶媒を用いた。
以上の事項以外は、実施例８と同様に操作して、インク組成物Ｉ－Ｃ５を得た。

＜実施例９＞
ｐ型半導体として、材料Ｐ－１を用い、ｎ型半導体として、材料Ｎ－２を用いた。
以上の事項以外は、実施例１と同様に操作して、インク組成物Ｉ－９を得た。

＜比較例６＞
混合物（ａ）の代わりに、界面活性剤の含まれていないインク溶媒を用いた。
以上の事項以外は、実施例９と同様に操作して、インク組成物Ｉ－Ｃ６を得た。

＜実施例１０＞
ｐ型半導体として、材料Ｐ－１を用い、ｎ型半導体として、材料Ｎ－３を用いた。
以上の事項以外は、実施例１と同様に操作して、インク組成物Ｉ－１０を得た。

＜比較例７＞
混合物（ａ）の代わりに、界面活性剤の含まれていないインク溶媒を用いた。
以上の事項以外は、実施例１０と同様に操作して、インク組成物Ｉ－Ｃ７を得た。

＜実施例１１＞
ｐ型半導体として、材料Ｐ－３を用い、ｎ型半導体として、材料Ｎ－３を用いた。
以上の事項以外は、実施例１と同様に操作して、インク組成物Ｉ－１１を得た。

＜比較例８＞
混合物（ａ）の代わりに、界面活性剤の含まれていないインク溶媒を用いた。
以上の事項以外は、実施例１１と同様に操作して、インク組成物Ｉ－Ｃ８を得た。

実施例及び比較例に係るインク組成物の配合を、下表に示す。
下表において、界面活性剤の添加量は、混合物（ｂ）を１００質量％とした値を示す。

＜光電変換素子の製造及び評価＞
実施例及び比較例で製造した各インク組成物を用いて、下記の光電変換素子の製造方法Ａ又は製造方法Ｂに従って光電変換素子を製造し、暗電流（Ｊｄ）を測定した。

［光電変換素子の製造方法Ａ］
（Ａ－１．基板の用意）
スパッタ法により１００ｎｍの厚さで第１の電極としてのＩＴＯ膜が形成されたガラス基板（以下、単にガラス基板という。）を用意した。次いで、当該ガラス基板に対してオゾン紫外線（ＵＶ）処理による表面処理を行った。

（Ａ－２．活性層の形成）
インク組成物を、ガラス基板のＩＴＯ膜上に、スピンコート法により塗布して、塗膜を形成した。塗膜が形成されたガラス基板をホットプレート上に載せ、大気中において７０℃で２分間の条件で塗膜を乾燥させた。続いて、塗膜が形成されたガラス基板をホットプレート上に載せ、窒素ガス雰囲気下において、１００℃で１０分間の条件で塗膜を更に乾燥させた。これにより、ＩＴＯ膜上に、活性層が形成された。形成された活性層の厚さは、約２５０ｎｍであった。

（Ａ－３．電子輸送層の形成）
次いで、酸化亜鉛ナノ粒子（粒径２０～３０ｎｍ）の４５質量％イソプロパノール分散液（テイカ社製、ＨＴＤ－７１１Ｚ）を、当該イソプロパノール分散液の１０倍質量部の３－ペンタノールで希釈し、塗布液を調製した。この塗布液を、スピンコート法により形成された活性層上に、４０ｎｍの厚さで塗布し、７０℃で５分間の加熱処理を施した。これにより、活性層上に電子輸送層が形成された。

（Ａ－４．電極の形成）
その後、抵抗加熱蒸着装置を用いて、電子輸送層上に、電極（第２の電極）であるＡｇ膜を約８０ｎｍの厚さで形成した。

（Ａ－５．封止層の形成）
次いで、紫外線（ＵＶ）硬化性封止剤を、電極（第２の電極）が形成されたガラス基板の周囲に塗布し、さらにガラス板を電極の上方に貼り合わせた後、ＵＶ光を照射することで封止剤を硬化させて封止し、光電変換素子を得た。得られた光電変換素子の形状は２ｍｍ×２ｍｍの正方形であった。

以上の製造方法により、ガラス基板、第１の電極、活性層、電子輸送層、及び第２の電極が、この順に設けられている、光電変換素子Ａ（光検出素子Ａ）が得られた。

［光電変換素子の製造方法Ｂ］
（Ｂ－１．基板の用意）
スパッタ法により１００ｎｍの厚さでＩＴＯ膜が形成されたガラス基板を用意した。次いで、当該ガラス基板に対してオゾンＵＶ処理による表面処理を行った。

（Ｂ－２．電子輸送層の形成）
次に、ガラス基板を、ポリエチレンイミン８０％エトキシ化水溶液（シグマアルドリッチ社製、３７質量％水溶液）を、濃度が０．１質量％となるように水で希釈して得られた希釈溶液に、５分間浸漬した。次いで、希釈溶液からガラス基板を引き上げた後にホットプレート上に載せ、大気中において１００℃で１０分間の条件で乾燥させた。

次いで、乾燥させたガラス基板を水で洗浄し、洗浄後のガラス基板をホットプレート上に載せ、大気中において１００℃で１０分間の条件で乾燥させた。これにより、第１の電極としてのＩＴＯ膜上に電子輸送層を形成した。

（Ｂ－３．活性層の形成）
次に、インク組成物を、ＩＴＯ膜上に形成された電子輸送層上に、スロットダイコート法により塗布して塗膜を形成した。次いで、真空乾燥処理（圧力１０Ｐａ、７０℃）を５分間行った。乾燥処理された塗膜が形成されたガラス基板をホットプレート上に載せ、１００℃で１２分間の条件で乾燥させることにより活性層を形成した。形成された活性層の厚さは、約５３０ｎｍであった。

（Ｂ－４．電極の形成）
次いで、ポリ（３，４－エチレンジオキシチオフェン）／ポリスチレンスルホン酸を水に溶解させた懸濁液（ヘレウス社製、Ｃｌｅｖｉｏｓ Ｆ ＨＣ Ｓｏｌａｒ）を、形成された活性層上に、スピンコート法により塗布して塗膜を形成した。塗膜が活性層上に形成されたガラス基板をオーブンに入れ、８５℃で３０分間の条件で乾燥させることにより第２の電極を形成した。形成された第２の電極の厚さは、約１２０ｎｍであった。

（Ｂ－５．封止層の形成）
次いで、紫外線（ＵＶ）硬化性封止剤を、電極（第２の電極）が形成されたガラス基板の周囲に塗布し、さらにガラス板を電極の上方に貼り合わせた後、ＵＶ光を照射することで封止剤を硬化させて封止し、光電変換素子を得た。得られた光電変換素子の形状は２ｍｍ×２ｍｍの正方形であった。

以上の製造方法により、ガラス基板、第１の電極、電子輸送層、活性層、及び第２の電極が、この順に設けられている、光電変換素子Ｂ（光検出素子Ｂ）が得られた。

［光電変換素子の評価］
前記の製造方法Ａ又は製造方法Ｂにより製造された光電変換素子に、暗所においてＪＶ測定を行い、－５Ｖにおける暗電流（Ｊｄ）を求めた。ＪＶ測定にはソースメータ―（２４５０型、ケースレー社製）を用いた。

＜評価結果＞
評価結果を下表に示す。
下表において、評価１～４の暗電流（Ｊｄ）相対値は、評価１の暗電流を１００とした場合の相対値である。評価５～６のＪｄ相対値は、評価５の暗電流を１００とした場合の相対値である。評価７～９のＪｄ相対値は、評価７の暗電流を１００とした場合の相対値である。評価１０～１１、評価１２～１３、評価１４～１５、評価１６～１７、評価１８～１９のＪｄ相対値は、それぞれ評価１０、評価１２、評価１４、評価１６、評価１８の暗電流を１００とした場合の相対値である。
下表において、「素子Ａ」は、製造方法Ａにより製造された光電変換素子Ａを表し、「素子Ｂ」は、製造方法Ｂにより製造された光電変換素子Ｂを表す。

以上の結果より、界面活性剤を含む組成物から製造された活性層を備える光電変換素子は、界面活性剤を含まない組成物から製造された活性層を備える光電変換素子と比較して、暗電流が低下することが分かる。
また界面活性剤を含む組成物から製造された活性層を備える光電変換素子は、光電変換素子Ａ及び光電変換素子Ｂのいずれの構造を有していても、暗電流が低下することが分かる。

１０ 光電変換素子
１１ 支持基板
１２ 第１の電極
１３ 第１の中間層
１４ 活性層
１５ 第２の中間層
１６ 第２の電極
１７ 封止部材

Claims (13)

1. 光検出素子の活性層形成用インク組成物であって、
   ｐ型半導体、ｎ型半導体、界面活性剤、及び溶媒を含み、
   前記界面活性剤が、ノニオン性界面活性剤、ポリ（メタ）アクリレート構造を有する化合物、オルガノポリシロキサン構造を有する化合物及びフッ素系界面活性剤からなる群より選ばれるいずれかを含み、
   前記インク組成物における前記界面活性剤の含有量が、前記ｐ型半導体、前記ｎ型半導体、及び前記界面活性剤の総質量を１００質量％として、０．１質量％以上であり、｛０．９７／（１．５＋１．５＋０．９７）×１００｝質量％以下である、光検出素子の活性層形成用インク組成物。
2. 光検出素子の活性層形成用インク組成物であって、
   ｐ型半導体、ｎ型半導体、界面活性剤、及び溶媒を含み、
   前記界面活性剤が、ノニオン性界面活性剤、ポリ（メタ）アクリレート構造を有する化合物、オルガノポリシロキサン構造を有する化合物及びフッ素系界面活性剤からなる群より選ばれるいずれかを含み、
   前記インク組成物における前記界面活性剤の含有量が、溶媒の総質量を１００質量％として、０．０１質量％以上１．０質量％以下である、光検出素子の活性層形成用インク組成物。
3. 光検出素子の活性層形成用インク組成物であって、
   ｐ型半導体、ｎ型半導体、界面活性剤、及び溶媒を含み、
   前記界面活性剤が、ノニオン性界面活性剤、ポリ（メタ）アクリレート構造を有する化合物、オルガノポリシロキサン構造を有する化合物及びフッ素系界面活性剤からなる群より選ばれるいずれかを含み、
   前記インク組成物における前記界面活性剤の含有量が、前記ｐ型半導体、前記ｎ型半導体、及び前記界面活性剤の総質量を１００質量％として、０．１質量％以上１０質量％以下である、光検出素子の活性層形成用インク組成物。
4. 前記ｐ型半導体が、ドナー・アクセプター構造を有する高分子化合物である、請求項１～３のいずれか一項に記載の光検出素子の活性層形成用インク組成物。
5. 前記ｐ型半導体が、下記式（Ｉ）で表される構成単位及び下記式（ＩＩ）で表される構成単位からなる群より選択される一種以上の構成単位を含む高分子化合物である、請求項１～３のいずれか一項に記載の光検出素子の活性層形成用インク組成物。
   

   

   （式（Ｉ）中、
   Ａｒ^１及びＡｒ^２は、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい３価の芳香族複素環基を表し、
   Ｚは下記式（Ｚ－１）～式（Ｚ－７）のいずれか１つで表される基を表す。
   

   

   （式（Ｚ－１）～（Ｚ－７）中、Ｒは、
   水素原子、
   ハロゲン原子、
   置換基を有していてもよいアルキル基、
   置換基を有していてもよいシクロアルキル基、
   置換基を有していてもよいアルケニル基、
   置換基を有していてもよいシクロアルケニル基、
   置換基を有していてもよいアルキニル基、
   置換基を有していてもよいシクロアルキニル基、
   置換基を有していてもよいアリール基、
   置換基を有していてもよいアルキルオキシ基、
   置換基を有していてもよいシクロアルキルオキシ基、
   置換基を有していてもよいアリールオキシ基、
   置換基を有していてもよいアルキルチオ基、
   置換基を有していてもよいシクロアルキルチオ基、
   置換基を有していてもよいアリールチオ基、
   置換基を有していてもよい１価の複素環基、
   置換基を有していてもよい置換アミノ基、
   置換基を有していてもよいイミン残基、
   置換基を有していてもよいアミド基、
   置換基を有していてもよい酸イミド基、
   置換基を有していてもよい置換オキシカルボニル基、
   シアノ基、
   ニトロ基、
   －Ｃ（＝Ｏ）－Ｒ^ｃで表される基、又は
   －ＳＯ_２－Ｒ^ｄで表される基を表し、
   Ｒ^ｃ及びＲ^ｄは、それぞれ独立して、
   水素原子、
   置換基を有していてもよいアルキル基、
   置換基を有していてもよいシクロアルキル基、
   置換基を有していてもよいアリール基、
   置換基を有していてもよいアルキルオキシ基、
   置換基を有していてもよいシクロアルキルオキシ基、
   置換基を有していてもよいアリールオキシ基、又は
   置換基を有していてもよい１価の複素環基を表す。
   式（Ｚ－１）～式（Ｚ－７）中、Ｒが２つある場合、２つあるＲは同一であっても異なっていてもよい。））
   

   

   （式（ＩＩ）中、Ａｒ^３は２価の芳香族複素環基を表す。）
6. 前記ｎ型半導体が、フラーレン誘導体である、請求項１～３のいずれか一項に記載の光検出素子の活性層形成用インク組成物。
7. 前記ｎ型半導体が、非フラーレン化合物である、請求項１～３のいずれか一項に記載の光検出素子の活性層形成用インク組成物。
8. 前記溶媒が、芳香族炭化水素溶媒を含む、請求項１～３のいずれか一項に記載の光検出素子の活性層形成用インク組成物。
9. 光検出素子に含まれる有機光電変換素子に含まれる、膜であって、
   前記膜が、
   ｐ型半導体、ｎ型半導体、及び界面活性剤を含み、
   前記界面活性剤が、ノニオン性界面活性剤、ポリ（メタ）アクリレート構造を有する化合物、オルガノポリシロキサン構造を有する化合物及びフッ素系界面活性剤からなる群より選ばれるいずれかを含み、
   前記膜における前記界面活性剤の含有量が、前記ｐ型半導体、前記ｎ型半導体、及び前記界面活性剤の総質量を１００質量％として、０．１質量％以上｛０．９７／（１．５＋１．５＋０．９７）×１００｝質量％以下である、膜。
10. 光検出素子に含まれる有機光電変換素子に含まれる、膜であって、
    前記膜が、
    ｐ型半導体、ｎ型半導体、及び界面活性剤を含み、
    前記界面活性剤が、ノニオン性界面活性剤、ポリ（メタ）アクリレート構造を有する化合物、オルガノポリシロキサン構造を有する化合物及びフッ素系界面活性剤からなる群より選ばれるいずれかを含み、
    前記膜における前記界面活性剤の含有量が、前記ｐ型半導体、前記ｎ型半導体、及び前記界面活性剤の総質量を１００質量％として、０．１質量％以上１０質量％以下である、膜。
11. 第１の電極と、請求項９又は１０に記載の膜と、第２の電極とをこの順で含む有機光電変換素子を含む、光検出素子。
12. ｐ型半導体、ｎ型半導体、及び界面活性剤を含み、請求項１～３のいずれか一項に記載の光検出素子の活性層形成用インク組成物から形成された膜。
13. 第１の電極と、請求項１２に記載の膜と、第２の電極とをこの順で含む有機光電変換素子を含む、光検出素子。

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