JP6301488B2 - 有機半導体膜形成用組成物、並びに、有機半導体素子及びその製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、有機半導体膜形成用組成物、並びに、有機半導体素子及びその製造方法に関する。

軽量化、低コスト化、柔軟化が可能であることから、液晶ディスプレイや有機ＥＬディスプレイに用いられるＦＥＴ（電界効果トランジスタ）、ＲＦＩＤ（Radio Frequency Identifier、ＲＦタグ）等に、有機半導体膜（有機半導体層）を有する有機トランジスタが利用されている。
有機半導体膜の作製方法としては、種々の方法が提案されている。例えば、有機半導体膜を形成する組成物としては、特許文献１及び２に記載された組成物が知られている。

特表２０１３−５１６０５４号公報 特開２０１４−１３９２０号公報

本発明が解決しようとする課題は、得られる有機半導体膜の移動度及び熱安定性に優れる有機半導体膜形成用組成物を提供することである。
また、本発明が解決しようとする他の課題は、有機半導体膜の移動度及び熱安定性に優れる有機半導体素子及びその製造方法を提供することである。

本発明の上記課題は、以下の＜１＞、＜１１＞又は＜１２＞に記載の手段により解決された。好ましい実施態様である＜２＞〜＜１０＞と共に以下に記載する。
＜１＞ 成分Ａとして、縮合多環芳香族基を有し、上記縮合多環芳香族基中の環数が４以上であり、上記縮合多環芳香族基中の少なくとも２つの環が、硫黄原子、窒素原子、セレン原子及び酸素原子よりなる群から選択された少なくとも１つの原子を含み、上記縮合多環芳香族基中の部分構造として、ベンゼン環、ナフタレン環及びフェナントレン環よりなる群から選択された少なくともいずれか１つの構造を含む有機半導体と、成分Ｂとして、バインダーポリマーと、成分Ｃとして、ナフタレン構造を有する溶媒と、成分Ｄとして、成分ＣよりもＳＰ値が２．０ＭＰａ^1/2以上小さく、成分Ｃよりも沸点の低い溶媒とを含むことを特徴とする、有機半導体膜形成用組成物、
＜２＞ 成分Ｄが炭素数６〜２０のアルカン又はシクロアルカンである、＜１＞に記載の有機半導体膜形成用組成物、
＜３＞ 成分Ｄがアルキルベンゼンである、＜１＞に記載の有機半導体膜形成用組成物、
＜４＞ 成分Ｂの表面エネルギーＥが３０ｍＮ／ｍ²以下である、＜１＞〜＜３＞のいずれか１つに記載の有機半導体膜形成用組成物、
＜５＞ 成分Ｂが、天然ゴム、合成ゴム、シリコーン樹脂、熱可塑性エラストマー及び尿素樹脂よりなる群から選ばれた少なくとも１種の樹脂である、＜１＞〜＜４＞のいずれか１つに記載の有機半導体膜形成用組成物、
＜６＞ 成分Ｂが、エチレン−プロピレンゴム、アクリロニトリル−ブタジエンゴム、水素化されたニトリルゴム、フッ素ゴム、パーフルオロエラストマー、テトラフルオロエチレンプロピレン共重合体、エチレン−プロピレン−ジエン共重合体、スチレン−ブタジエンゴム、ポリクロロプレン、ポリネオプレン、ブチルゴム、メチル・フェニルシリコーン樹脂、メチル・フェニルビニル・シリコーン樹脂、メチル・ビニル・シリコーン樹脂、フルオロシリコーン樹脂、アクリルゴム、エチレンアクリルゴム、クロロスルホン化ポリエチレン、クロロポリエチレン、エピクロロヒドリン共重合体、ポリイソプレン−天然ゴム共重合体、ポリイソプレンゴム、スチレン−イソプレンブロック共重合体、ポリエステルウレタン共重合体、ポリエーテルウレタン共重合体、ポリエーテルエステル熱可塑性エラストマー及びポリブタジエンゴムよりなる群から選択された少なくとも１種である、＜１＞〜＜５＞のいずれか１つに記載の有機半導体膜形成用組成物、
＜７＞ 上記縮合多環芳香族基中の環数が５又は６である、＜１＞〜＜６＞のいずれか１つに記載の有機半導膜形成用組成物、
＜８＞ 有機半導体に少なくとも２つの複素環が含まれ、上記複素環中にそれぞれ１個のヘテロ原子が含まれる、＜１＞〜＜７＞のいずれか１つに記載の有機半導体膜形成用組成物、
＜９＞ 上記有機半導体が、式１〜式１６のいずれかで表される化合物を少なくとも１種含む、＜１＞〜＜８＞のいずれか１つに記載の有機半導体膜形成用組成物、

式１中、Ａ^1a及びＡ^1bはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子又はＳｅ原子を表し、Ｒ^1a〜Ｒ^1fはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ^1a〜Ｒ^1fのうち少なくとも１つが下記式Ｗで表される基である、
−Ｌ^W−Ｒ^W （Ｗ）
式Ｗ中、Ｌ^Wは下記式Ｌ−１〜式Ｌ−２５のいずれかで表される二価の連結基又は２以上の下記式Ｌ−１〜Ｌ−２５のいずれかで表される二価の連結基が結合した二価の連結基を表し、Ｒ^Wはアルキル基、シアノ基、ビニル基、エチニル基、オキシエチレン基、オキシエチレン単位の繰り返し数ｖが２以上のオリゴオキシエチレン基、シロキサン基、ケイ素原子数が２以上のオリゴシロキサン基、又は、トリアルキルシリル基を表す、

式Ｌ−１〜式Ｌ−２５中、＊はＲ^Wとの結合位置を表し、波線部分はもう一方の結合位置を表し、式Ｌ−１、式Ｌ−２、式Ｌ−６及び式Ｌ−１３〜式Ｌ−２４におけるＲ’はそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、式Ｌ−２０及び式Ｌ−２４におけるＲ^Nは水素原子又は置換基を表し、式Ｌ−２５におけるＲ^siはそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルケニル基又はアルキニル基を表し、
式２中、Ｘ^2a及びＸ^2bはそれぞれ独立に、ＮＲ²ⁱ、Ｏ原子又はＳ原子を表し、Ａ^2aはＣＲ^2g又はＮ原子を表し、Ａ^2bはＣＲ^2h又はＮ原子を表し、Ｒ²ⁱは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基又はアシル基を表し、Ｒ^2a〜Ｒ^2hはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ^2a〜Ｒ^2hのうち少なくとも１つが上記式Ｗで表される基である、
式３中、Ｘ^3a及びＸ^3bはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子又はＮＲ^3gを表し、Ａ^3a及びＡ^3bはそれぞれ独立に、ＣＲ^3h又はＮ原子を表し、Ｒ^3a〜Ｒ^3hはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ^3a〜Ｒ^3hのうち少なくとも１つが上記式Ｗで表される基である、
式４中、Ｘ^4a及びＸ^4bはそれぞれ独立に、Ｏ原子、Ｓ原子又はＳｅ原子を表し、４ｐ及び４ｑはそれぞれ独立に、０〜２の整数を表し、Ｒ^4a〜Ｒ^4j、Ｒ^4k及びＲ^4mはそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子又は上記式Ｗで表される基を表し、かつ、Ｒ^4a〜Ｒ^4j、Ｒ^4k及びＲ^4mのうち少なくとも１つは上記式Ｗで表される基であり、ただし、Ｒ^4e及びＲ^4fのうち少なくとも一方が上記式Ｗで表される基である場合はＲ^4e及びＲ^4fが表す上記式ＷにおいてＬ^Wは上記式Ｌ−２又は式Ｌ−３で表される二価の連結基である、
式５中、Ｘ^5a及びＸ^5bはそれぞれ独立に、ＮＲ⁵ⁱ、Ｏ原子又はＳ原子を表し、Ａ^5aはＣＲ^5g又はＮ原子を表し、Ａ^5bはＣＲ^5h又はＮ原子を表し、Ｒ⁵ⁱは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アシル基、アリール基又はヘテロアリール基を表し、Ｒ^5a〜Ｒ^5hはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ^5a〜Ｒ^5hのうち少なくとも１つが上記式Ｗで表される基である、
式６中、Ｘ^6a〜Ｘ^6dはそれぞれ独立に、ＮＲ^6g、Ｏ原子又はＳ原子を表し、Ｒ^6gは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アシル基、アリール基又はヘテロアリール基を表し、Ｒ^6a〜Ｒ^6fはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ^6a〜Ｒ^6fのうち少なくとも１つが上記式Ｗで表される基である、
式７中、Ｘ^7a及びＸ^7cはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子、Ｓｅ原子又はＮＲ⁷ⁱを表し、Ｘ^7b及びＸ^7dはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子又はＳｅ原子を表し、Ｒ^7a〜Ｒ⁷ⁱはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ^7a〜Ｒ⁷ⁱのうち少なくとも１つが上記式Ｗで表される基である、
式８中、Ｘ^8a及びＸ^8cはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子、Ｓｅ原子又はＮＲ⁸ⁱを表し、Ｘ^8b及びＸ^8dはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子又はＳｅ原子を表し、Ｒ^8a〜Ｒ⁸ⁱはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ^8a〜Ｒ⁸ⁱのうち少なくとも１つが上記式Ｗで表される基である、
式９中、Ｘ^9a及びＸ^9bはそれぞれ独立に、Ｏ原子、Ｓ原子又はＳｅ原子を表し、Ｒ^9c、Ｒ^9d及びＲ^9g〜Ｒ^9jはそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子又は上記式Ｗで表される基を表し、Ｒ^9a、Ｒ^9b、Ｒ^9e及びＲ^9fはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表す、
式１０中、Ｒ^10a〜Ｒ^10hはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ^10a〜Ｒ^10hのうち少なくとも１つは上記式Ｗで表される置換基を表し、Ｘ^10a及びＸ^10bはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子、Ｓｅ原子又はＮＲ¹⁰ⁱを表し、Ｒ¹⁰ⁱはそれぞれ独立に、水素原子又は上記式Ｗで表される基を表す、
式１１中、Ｘ^11a及びＸ^11bはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子、Ｓｅ原子又はＮＲ¹¹ⁿを表し、Ｒ^11a〜Ｒ^11k、Ｒ^11m及びＲ¹¹ⁿはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ^11a〜Ｒ^11k、Ｒ^11m及びＲ¹¹ⁿのうち少なくとも１つは上記式Ｗで表される基である、
式１２中、Ｘ^12a及びＸ^12bはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子、Ｓｅ原子又はＮＲ¹²ⁿを表し、Ｒ^12a〜Ｒ^12k、Ｒ^12m及びＲ¹²ⁿはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ^12a〜Ｒ^12k、Ｒ^12m及びＲ¹²ⁿのうち少なくとも１つは上記式Ｗで表される基である、
式１３中、Ｘ^13a及びＸ^13bはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子、Ｓｅ原子又はＮＲ¹³ⁿを表し、Ｒ^13a〜Ｒ^13k、Ｒ^13m及びＲ¹³ⁿはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ^13a〜Ｒ^13k、Ｒ^13m及びＲ¹³ⁿのうち少なくとも１つは上記式Ｗで表される基である、
式１４中、Ｘ^14a〜Ｘ^14cはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子、Ｓｅ原子又はＮＲ¹⁴ⁱを表し、Ｒ^14a〜Ｒ¹⁴ⁱはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ^14a〜Ｒ¹⁴ⁱのうち少なくとも１つは上記式Ｗで表される基である、
式１５中、Ｘ^15a〜Ｘ^15dはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子、Ｓｅ原子又はＮＲ^15gを表し、Ｒ^15a〜Ｒ^15gはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ^15a〜Ｒ^15gのうち少なくとも１つは上記式Ｗで表される基である、
式１６中、Ｘ^16a〜Ｘ^16dはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子、Ｓｅ原子又はＮＲ^16gを表し、Ｒ^16a〜Ｒ^16gはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ^16a〜Ｒ^16gのうち少なくとも１つは上記式Ｗで表される基である、
＜１０＞ 上記有機半導体が、上記式１〜式９又は式１５で表される化合物を少なくとも１種を含む、＜９＞に記載の有機半導体膜形成用組成物、
＜１１＞ ＜１＞〜＜１０＞のいずれか１つに記載の有機半導体膜形成用組成物を基板上に塗布する塗布工程、を含む有機半導体素子の製造方法、
＜１２＞ ＜１１＞に記載の有機半導体素子の製造方法により製造された有機半導体素子。

本発明によれば、得られる有機半導体膜の移動度及び熱安定性に優れる有機半導体膜形成用組成物を提供することができた。
また、本発明によれば、有機半導体膜の移動度及び熱安定性に優れる有機半導体素子及びその製造方法を提供することができた。

本発明の有機半導体素子の一態様の断面模式図である。 本発明の有機半導体素子の別の一態様の断面模式図である。 実施例で使用したメタルマスクの平面図である。

以下において、本発明の内容について詳細に説明する。以下に記載する構成要件の説明は、本発明の代表的な実施態様に基づいてなされることがあるが、本発明はそのような実施態様に限定されるものではない。なお、本願明細書において「〜」とはその前後に記載される数値を下限値及び上限値として含む意味で使用される。また、本発明における有機ＥＬ素子とは、有機エレクトロルミネッセンス素子のことをいう。
本明細書における基（原子団）の表記において、置換及び無置換を記していない表記は、置換基を有さないものと共に置換基を有するものをも包含するものである。例えば、「アルキル基」とは、置換基を有さないアルキル基（無置換アルキル基）のみならず、置換基を有するアルキル基（置換アルキル基）をも包含するものである。
また、本明細書における化学構造式は、水素原子を省略した簡略構造式で記載する場合もある。
本発明において、「移動度」との記載は、キャリア移動度を意味し、電子移動度及びホール移動度のいずれか、又は、双方を意味する。
また、本発明において、「質量％」と「重量％」とは同義であり、「質量部」と「重量部」とは同義である。
本明細書において、重量平均分子量（Ｍｗ）及び数平均分子量（Ｍｎ）は、例えば、ＨＬＣ−８１２０（東ソー（株）製）を用い、カラムとしてＴＳＫ ｇｅｌ Ｍｕｌｔｉｐｏｒｅ ＨＸＬ−Ｍ（東ソー（株）製、７．８ｍｍＨＤ×３０．０ｃｍ）を用いて、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）を溶剤とした場合のゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）で測定されるポリスチレン換算値である。
また、本発明において、好ましい態様の組み合わせは、より好ましい。

（有機半導体膜形成用組成物）
本発明の有機半導体膜形成用組成物（以下、単に「組成物」ともいう。）は、成分Ａとして、縮合多環芳香族基を有し、上記縮合多環芳香族基中の環数が４以上であり、上記縮合多環芳香族基中の少なくとも２つの環が、硫黄原子、窒素原子、セレン原子及び酸素原子よりなる群から選択された少なくとも１つの原子を含み、上記縮合多環芳香族基中の部分構造として、ベンゼン環、ナフタレン環及びフェナントレン環よりなる群から選択された少なくともいずれか１つの構造を含む有機半導体と、成分Ｂとして、バインダーポリマーと、成分Ｃとして、ナフタレン構造を有する溶媒と、成分Ｄとして、成分ＣよりもＳＰ値が２．０ＭＰａ^1/2以上小さく、成分Ｃよりも沸点の低い溶媒とを含むことを特徴とする。

本発明者らは鋭意検討を重ねた結果、上記特定構造の有機半導体と、上記特定のポリマーと、上記特定の溶媒の組み合わせとを含有することにより、得られる有機半導体膜の移動度及び熱安定性に優れることを見いだし、本発明を完成するに至ったものである。
詳細な効果の発現機構については不明であるが、上記特定の有機半導体、上記ポリマーの乾燥性、濡れ性を混合溶媒にて制御することで、バインダーポリマーと有機半導体の、均一な層分離が実現し、その結果、移動度に優れるものと推定される。また、均一な層分離が実現されることで、有機半導体結晶の特定部への応力集中を緩和することができ、熱安定性に優れるものと推定される。

＜成分Ａ：有機半導体＞
本発明の有機半導体膜形成用組成物は、縮合多環芳香族基を有し、上記縮合多環芳香族基中の環数が４以上であり、上記縮合多環芳香族基中の少なくとも２つの環が、硫黄原子、窒素原子、セレン原子及び酸素原子よりなる群から選択された少なくとも１つの原子を含み、上記縮合多環芳香族基中の部分構造として、ベンゼン環、ナフタレン環及びフェナントレン環よりなる群から選択された少なくともいずれか１つの構造を含む有機半導体を含有する。
ただし、成分Ａにおける縮合多環芳香族基中の部分構造には、アントラセン環は含まれない。上記部分構造にアントラセン環を含んだ場合、理由は不明であるが、得られる有機半導体膜の移動度及び熱安定性が共に劣化する。
なお、縮合多環芳香族基とは、芳香族環が複数縮合して得られる基である。
芳香族環としては、芳香族炭化水素環（例えば、ベンゼン環）及び芳香族複素環（例えば、チオフェン環、フラン環、ピロール環、セレノフェン環、イミダゾール環）が挙げられる。

成分Ａ中には、縮合多環芳香族基（縮合多環芳香族構造）が含まれるが、この基が主成分として含まれることが好ましい。ここで主成分とは、縮合多環芳香族基の分子量の含有量が、成分Ａの全分子量に対して、３０％以上であることを意図し、４０％以上であることが好ましい。上限は特に制限されないが、溶解性の点から、８０％以下であることが好ましい。
縮合多環芳香族基は、複数の環が縮合して形成される環構造であり、芳香族性を示す。
成分Ａにおける縮合多環芳香族基中の環数は４以上であり、有機半導体としての移動度の観点から、４〜９が好ましく、４〜７がより好ましく、５又は６が更に好ましい。
また、上記縮合多環芳香族基中、少なくとも２つの環が、硫黄原子、窒素原子、セレン原子及び酸素原子よりなる群から選択された少なくとも１種の原子を含み、有機半導体としての移動度の観点から、２〜６つの環が上記原子を含むことが好ましく、２〜４つの環が上記原子を含むことがより好ましい。
また、有機半導体としての移動度の観点から、上記縮合多環芳香族基中に少なくとも２つの複素環が含まれ、上記複素環中にそれぞれ１個のヘテロ原子を有することが好ましい。ヘテロ原子の種類は特に制限されず、Ｏ原子（酸素原子）、Ｓ原子（硫黄原子）、Ｎ原子（窒素原子）、Ｓｅ原子（セレン原子）などが挙げられる。
成分Ａにおける縮合多環芳香族基中には、部分構造として、ベンゼン環、ナフタレン環及びフェナントレン環よりなる群から選択された少なくともいずれか１つの構造が含まれる。なお、上記部分構造としては、アントラセン環は含まれない。
また、成分Ａは、有機半導体としての移動度の観点から、チオフェン環構造及び／又はセレノフェン環構造を少なくとも有することが好ましく、チオフェン環構造を少なくとも有することがより好ましく、成分Ａが有する複素環構造が全てチオフェン環構造であることが更に好ましい。

上記縮合多環芳香族基としては、有機半導体としての移動度の観点から、部分構造として、ベンゼン環、ナフタレン環及びフェナントレン環よりなる群から選択されたいずれか少なくとも１つの構造を含み、２つ以上のチオフェン環を含み、環数が４つ以上の縮合多環芳香族基が好ましい。中でも、部分構造として、ベンゼン環と、２つ以上のチオフェン環とを含み、環数が４つ以上の縮合多環芳香族基がより好ましい。
また、上記縮合多環芳香族基としては、有機半導体としての移動度の観点から、上記縮合多環芳香族基中のチオフェン環の数は、３つ以上が好ましく、３〜５つがより好ましく、３〜４つが更に好ましく、３つが特に好ましい。
また、有機半導体としての移動度の観点から、上記縮合多環芳香族基中の環数は、４〜６つが好ましく、５〜６つがより好ましく、５つが更に好ましい。上記縮合多環芳香族基としては、２つのベンゼン環と、３つのチオフェン環とを含み、かつ、環数が５つである縮合多環芳香族基であることが特に好ましい。

更に、縮合多環芳香族基としては、硫黄原子、窒素原子、セレン原子及び酸素原子よりなる群から選択された少なくとも１種の原子を含む環（複素環。好ましくは、チオフェン環）と、ベンゼン環とが交互に縮合（縮環）した基（縮合してなる基）が好ましく挙げられる。

成分Ａとしては、有機半導体としての移動度の観点から、式１〜式１６のいずれかで表される化合物を少なくとも１種含むことが好ましく、式１〜式１６のいずれかで表される１種以上の化合物であることがより好ましい。
本発明の組成物中には、１種のみの成分Ａが含まれていても、２種以上の成分Ａが含まれていてもよい。

式１中、Ａ^1a及びＡ^1bはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子又はＳｅ原子を表し、Ｒ^1a〜Ｒ^1fはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ^1a〜Ｒ^1fのうち少なくとも１つが下記式Ｗで表される基である。
−Ｌ^W−Ｒ^W （Ｗ）
式Ｗ中、Ｌ^Wは下記式Ｌ−１〜式Ｌ−２５のいずれかで表される二価の連結基又は２以上の下記式Ｌ−１〜Ｌ−２５のいずれかで表される二価の連結基が結合した二価の連結基を表し、Ｒ^Wはアルキル基、シアノ基、ビニル基、エチニル基、オキシエチレン基、オキシエチレン単位の繰り返し数ｖが２以上のオリゴオキシエチレン基、シロキサン基、ケイ素原子数が２以上のオリゴシロキサン基、又は、トリアルキルシリル基を表す。

式Ｌ−１〜式Ｌ−２５中、＊はＲとの結合位置を表し、波線部分はもう一方の結合位置を表し、式Ｌ−１、式Ｌ−２、式Ｌ−６及び式Ｌ−１３〜式Ｌ−２４におけるＲ’はそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、式Ｌ−２０及び式Ｌ−２４におけるＲ^Nは水素原子又は置換基を表し、式Ｌ−２５におけるＲ^siはそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルケニル基又はアルキニル基を表す。
式２中、Ｘ^2a及びＸ^2bはそれぞれ独立に、ＮＲ²ⁱ、Ｏ原子又はＳ原子を表し、Ａ^2aはＣＲ^2g又はＮ原子を表し、Ａ^2bはＣＲ^2h又はＮ原子を表し、Ｒ²ⁱは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基又はアシル基を表し、Ｒ^2a〜Ｒ^2hはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ^2a〜Ｒ^2hのうち少なくとも１つが上記式Ｗで表される基である。
式３中、Ｘ^3a及びＸ^3bはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子又はＮＲ^3gを表し、Ａ^3a及びＡ^3bはそれぞれ独立に、ＣＲ^3h又はＮ原子を表し、Ｒ^3a〜Ｒ^3hはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ^3a〜Ｒ^3hのうち少なくとも１つが上記式Ｗで表される基である。
式４中、Ｘ^4a及びＸ^4bはそれぞれ独立に、Ｏ原子、Ｓ原子又はＳｅ原子を表し、４ｐ及び４ｑはそれぞれ独立に、０〜２の整数を表し、Ｒ^4a〜Ｒ^4j、Ｒ^4k及びＲ^4mはそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子又は上記式Ｗで表される基を表し、かつ、Ｒ^4a〜Ｒ^4j、Ｒ^4k及びＲ^4mのうち少なくとも１つは上記式Ｗで表される基であり、ただし、Ｒ^4e及びＲ^4fのうち少なくとも一方が上記式Ｗで表される基である場合はＲ^4e及びＲ^4fが表す上記式ＷにおいてＬ^Wは上記式Ｌ−２又は式Ｌ−３で表される二価の連結基である。

式５中、Ｘ^5a及びＸ^5bはそれぞれ独立に、ＮＲ⁵ⁱ、Ｏ原子又はＳ原子を表し、Ａ^5aはＣＲ^5g又はＮ原子を表し、Ａ^5bはＣＲ^5h又はＮ原子を表し、Ｒ⁵ⁱは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アシル基、アリール基又はヘテロアリール基を表し、Ｒ^5a〜Ｒ^5hはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ^5a〜Ｒ^5hのうち少なくとも１つが上記式Ｗで表される基である。
式６中、Ｘ^6a〜Ｘ^6dはそれぞれ独立に、ＮＲ^6g、Ｏ原子又はＳ原子を表し、Ｒ^6gは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アシル基、アリール基又はヘテロアリール基を表し、Ｒ^6a〜Ｒ^6fはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ^6a〜Ｒ^6fのうち少なくとも１つが上記式Ｗで表される基である。
式７中、Ｘ^7a及びＸ^7cはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子、Ｓｅ原子又はＮＲ⁷ⁱを表し、Ｘ^7b及びＸ^7dはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子又はＳｅ原子を表し、Ｒ^7a〜Ｒ⁷ⁱはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ^7a〜Ｒ⁷ⁱのうち少なくとも１つが上記式Ｗで表される基である。
式８中、Ｘ^8a及びＸ^8cはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子、Ｓｅ原子又はＮＲ⁸ⁱを表し、Ｘ^8b及びＸ^8dはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子又はＳｅ原子を表し、Ｒ^8a〜Ｒ⁸ⁱはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ^8a〜Ｒ⁸ⁱのうち少なくとも１つが上記式Ｗで表される基である。

式９中、Ｘ^9a及びＸ^9bはそれぞれ独立に、Ｏ原子、Ｓ原子又はＳｅ原子を表し、Ｒ^9c、Ｒ^9d及びＲ^9g〜Ｒ^9jはそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子又は上記式Ｗで表される基を表し、Ｒ^9a、Ｒ^9b、Ｒ^9e及びＲ^9fはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表す。
式１０中、Ｒ^10a〜Ｒ^10hはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ^10a〜Ｒ^10hのうち少なくとも１つは上記式Ｗで表される置換基を表し、Ｘ^10a及びＸ^10bはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子、Ｓｅ原子又はＮＲ¹⁰ⁱを表し、Ｒ¹⁰ⁱはそれぞれ独立に、水素原子又は上記式Ｗで表される基を表す。
式１１中、Ｘ^11a及びＸ^11bはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子、Ｓｅ原子又はＮＲ¹¹ⁿを表し、Ｒ^11a〜Ｒ^11k、Ｒ^11m及びＲ¹¹ⁿはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ^11a〜Ｒ^11k、Ｒ^11m及びＲ¹¹ⁿのうち少なくとも１つは上記式Ｗで表される基である。
式１２中、Ｘ^12a及びＸ^12bはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子、Ｓｅ原子又はＮＲ¹²ⁿを表し、Ｒ^12a〜Ｒ^12k、Ｒ^12m及びＲ¹²ⁿはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ^12a〜Ｒ^12k、Ｒ^12m及びＲ¹²ⁿのうち少なくとも１つは上記式Ｗで表される基である。

式１３中、Ｘ^13a及びＸ^13bはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子、Ｓｅ原子又はＮＲ¹³ⁿを表し、Ｒ^13a〜Ｒ^13k、Ｒ^13m及びＲ¹³ⁿはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ^13a〜Ｒ^13k、Ｒ^13m及びＲ¹³ⁿのうち少なくとも１つは上記式Ｗで表される基である。
式１４中、Ｘ^14a〜Ｘ^14cはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子、Ｓｅ原子又はＮＲ¹⁴ⁱを表し、Ｒ^14a〜Ｒ¹⁴ⁱはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ^14a〜Ｒ¹⁴ⁱのうち少なくとも１つは上記式Ｗで表される基である。
式１５中、Ｘ^15a〜Ｘ^15dはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子、Ｓｅ原子又はＮＲ^15gを表し、Ｒ^15a〜Ｒ^15gはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ^15a〜Ｒ^15gのうち少なくとも１つは上記式Ｗで表される基である。
式１６中、Ｘ^16a〜Ｘ^16dはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子、Ｓｅ原子又はＮＲ^16gを表し、Ｒ^16a〜Ｒ^16gはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ^16a〜Ｒ^16gのうち少なくとも１つは上記式Ｗで表される基である。

−式１で表される化合物−

式１において、Ａ^1a及びＡ^1bはそれぞれ独立に、Ｓ原子（硫黄原子）、Ｏ原子（酸素原子）又はＳｅ原子（セレン原子）を表す。Ａ^1a及びＡ^1bはＳ原子又はＯ原子が好ましい。また、Ａ^1a及びＡ^1bは互いに同一であっても異なっていてもよいが、互いに同一であることが好ましい。
式１において、Ｒ^1a〜Ｒ^1fはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表す。ただし、Ｒ^1a〜Ｒ^1fのうち少なくとも１つが後述する式Ｗで表される基である。

式１で表される化合物は、後述する式Ｗで表される基以外のその他の置換基を有していてもよい。
式１のＲ^1a〜Ｒ^1fがとり得る置換基の種類は特に制限されないが、以下に説明する置換基Ｘが挙げられる。置換基Ｘとしては、後述する式Ｗで表される基、ハロゲン原子、アルキル基（シクロアルキル基、ビシクロアルキル基、トリシクロアルキル基を含む。）、アルケニル基（シクロアルケニル基、ビシクロアルケニル基を含む。）、アルキニル基、アリール基、複素環基（ヘテロ環基といってもよい。）、シアノ基、ヒドロキシ基、ニトロ基、カルボキシ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、シリルオキシ基、ヘテロ環オキシ基、アシルオキシ基、カルバモイルオキシ基、アルコキシカルボニルオキシ基、アリールオキシカルボニルオキシ基、アミノ基（アニリノ基を含む。）、アンモニオ基、アシルアミノ基、アミノカルボニルアミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリールオキシカルボニルアミノ基、スルファモイルアミノ基、アルキル及びアリールスルホニルアミノ基、メルカプト基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロ環チオ基、スルファモイル基、スルホ基、アルキル及びアリールスルフィニル基、アルキル及びアリールスルホニル基、アシル基、アリールオキシカルボニル基、アルコキシカルボニル基、カルバモイル基、アリール及びヘテロ環アゾ基、イミド基、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスフィニルオキシ基、ホスフィニルアミノ基、ホスホノ基、シリル基、ヒドラジノ基、ウレイド基、ボロン酸基（−Ｂ（ＯＨ）₂）、ホスファト基（−ＯＰＯ（ＯＨ）₂）、スルファト基（−ＯＳＯ₃Ｈ）、その他の公知の置換基が挙げられる。なお、本明細書の式１〜式１６においては、「置換基」としては、上記置換基Ｘが好ましく挙げられる。
これらの中でも、後述する式Ｗで表される基以外の基としては、ハロゲン原子、アルキル基、アルキニル基、アルケニル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基が好ましく、フッ素原子、炭素数１〜３の置換又は無置換のアルキル基、炭素数２〜３の置換又は無置換のアルキニル基、炭素数２〜３の置換又は無置換のアルケニル基、炭素数１〜２の置換若しくは無置換のアルコキシ基、置換又は無置換のメチルチオ基、フェニル基がより好ましく、フッ素原子、炭素数１〜３の置換又は無置換のアルキル基、炭素数２〜３の置換又は無置換のアルキニル基、炭素数２〜３の置換又は無置換のアルケニル基、炭素数１〜２の置換又は無置換のアルコキシ基、置換又は無置換のメチルチオ基が特に好ましい。

式１で表される化合物中において、Ｒ^1a〜Ｒ^1fのうち、式Ｗで表される基以外のその他の置換基の個数は０〜４であることが好ましく、０〜２であることがより好ましく、０であることが特に好ましい。
また、これら置換基は、更に上記置換基Ｘを有していてもよい。
中でも、Ｒ^1c〜Ｒ^1fはそれぞれ独立に、水素原子、フッ素原子、炭素数１〜３の置換若しくは無置換のアルキル基、炭素数２〜３の置換若しくは無置換のアルキニル基、炭素数２〜３の置換若しくは無置換のアルケニル基、炭素数１〜２の置換若しくは無置換のアルコキシ基、又は、置換若しくは無置換のメチルチオ基であることが好ましい。

次に、式Ｗで表される基について説明する。
−Ｌ^W−Ｒ^W （Ｗ）
式Ｗ中、Ｌは下記式Ｌ−１〜式Ｌ−２５のいずれかで表される二価の連結基、又は、二以上の下記式Ｌ−１〜Ｌ−２５のいずれかで表される二価の連結基が結合した二価の連結基を表す。

式Ｌ−１〜式Ｌ−２５中、＊はＲ^Wとの結合位置を表し、波線部分はもう一方の結合位置を表す。より具体的には、例えば、式１で表される化合物においては、波線部分は式１で表される骨格を形成する環と結合する。なお、後述するように、式Ｗが他の化合物に含まれる場合、波線部分は各化合物の骨格を形成する環と結合する。
なお、Ｌ^Wが式Ｌ−１〜式Ｌ−２５のいずれかで表される二価の連結基が２つ以上結合した二価の連結基を表す場合、一方の連結基の＊が、他方の連結基の波線部分と結合する。
式Ｌ−１３〜式Ｌ−２４におけるＲ’の結合位置及びＲ^Wとの結合位置＊は、芳香環又は複素芳香環上の任意の位置をとることができる。
式Ｌ−１、式Ｌ−２、式Ｌ−６及び式Ｌ−１３〜式Ｌ−２４におけるＲ’はそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表す。式Ｌ−２０及び式Ｌ−２４におけるＲ^Nは水素原子又は置換基を表し、式Ｌ−２５におけるＲ^siはそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルケニル基又はアルキニル基を表す。
式Ｌ−１及び式Ｌ−２中のＲ’はそれぞれＬ^Wに隣接するＲ^Wと結合して縮合環を形成してもよい。

これらの中でも、式Ｌ−１７〜式Ｌ−２１、式Ｌ−２３及び式Ｌ−２４のいずれかで表される二価の連結基は、下記式Ｌ−１７Ａ〜式Ｌ−２１Ａ、式Ｌ−２３Ａ及び式Ｌ−２４Ａで表される二価の連結基であることがより好ましい。

ここで、置換又は無置換のアルキル基、オキシエチレン基、オキシエチレン単位の繰り返し数ｖが２以上のオリゴオキシエチレン基、シロキサン基、ケイ素原子数が２以上のオリゴシロキサン基、あるいは、置換又は無置換のトリアルキルシリル基が置換基の末端に存在する場合は、式Ｗにおける−Ｒ^W単独と解釈することもでき、式Ｗにおける−Ｌ^W−Ｒ^Wと解釈することもできる。
本発明では、主鎖が炭素数Ｎ個の置換又は無置換のアルキル基が置換基の末端に存在する場合は、置換基の末端から可能な限りの連結基を含めた上で式Ｗにおける−Ｌ^W−Ｒ^Wと解釈することとし、具体的には「式ＷにおけるＬ^Wに相当する式Ｌ−１で表される基１個」と「式ＷにおけるＲ^Wに相当する主鎖が炭素数Ｎ−１個の置換又は無置換のアルキル基」とが結合した置換基として解釈する。例えば、炭素数８のアルキル基であるｎ−オクチル基が置換基の末端に存在する場合、２個のＲ’が水素原子である式Ｌ−１で表される基１個と、炭素数７のｎ−ヘプチル基とが結合した置換基として解釈する。
一方、本発明では、オキシエチレン基、オキシエチレン単位の繰り返し数ｖが２以上のオリゴオキシエチレン基、シロキサン基、ケイ素原子数が２以上のオリゴシロキサン基、あるいは、置換又は無置換のトリアルキルシリル基が置換基の末端に存在する場合は、置換基の末端から可能な限りの連結基を含めた上で、式ＷにおけるＲ^W単独と解釈する。例えば、−（ＯＣＨ₂ＣＨ₂）−（ＯＣＨ₂ＣＨ₂）−（ＯＣＨ₂ＣＨ₂）−ＯＣＨ₃基が置換基の末端に存在する場合、オキシエチレン単位の繰り返し数ｖが３のオリゴオキシエチレン基単独の置換基として解釈する。

Ｌ^Wが式Ｌ−１〜式Ｌ−２５のいずれかで表される二価の連結基が結合した連結基を形成する場合、式Ｌ−１〜式Ｌ−２５のいずれかで表される２価の連結基の結合数は、２〜４であることが好ましく、２又は３であることがより好ましい。

式Ｌ−１、式Ｌ−２、式Ｌ−６及び式Ｌ−１３〜式Ｌ−２４中の置換基Ｒ’としては、上記の式１のＲ^1a〜Ｒ^1fがとり得る置換基として例示したものを挙げることができる。その中でも、式Ｌ−６中の置換基Ｒ’はアルキル基であることが好ましく、式Ｌ−６中のＲ’がアルキル基である場合は、アルキル基の炭素数は１〜９であることが好ましく、４〜９であることが化学的安定性、キャリア輸送性の観点からより好ましく、５〜９であることが更に好ましい。式Ｌ−６中のＲ’がアルキル基である場合は、アルキル基は直鎖アルキル基であることが、キャリア移動度を高めることができる観点から好ましい。
式Ｌ−２０又は式Ｌ−２４中のＲ^Nは水素原子又は置換基を表し、Ｒ^Nとしては、上記の式１のＲ^1a〜Ｒ^1fがとり得る置換基として例示したものを挙げることができる。その中でも、Ｒ^Nとしては、水素原子又はメチル基が好ましい。
式Ｌ−２５中のＲ^siはそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルケニル基又はアルキニル基を表し、アルキル基であることが好ましい。Ｒ^siがとり得るアルキル基としては、特に制限はないが、Ｒ^siがとり得るアルキル基の好ましい範囲は、Ｒがトリアルキルシリル基である場合にトリアルキルシリル基がとり得るアルキル基の好ましい範囲と同様である。Ｒ^siがとり得るアルケニル基としては、特に制限はないが、置換又は無置換のアルケニル基が好ましく、分枝アルケニル基であることがより好ましく、アルケニル基の炭素数は２〜３であることが好ましい。Ｒ^siがとり得るアルキニル基としては、特に制限はないが、置換又は無置換のアルキニル基が好ましく、分枝アルキニル基であることがより好ましく、アルキニル基の炭素数は２〜３であることが好ましい。

Ｌ^Wは、式Ｌ−１〜式Ｌ−５、式Ｌ−１３、式Ｌ−１７若しくは式Ｌ−１８のいずれかで表される二価の連結基、又は、式Ｌ−１〜式Ｌ−５、式Ｌ−１３、式Ｌ−１７若しくは式Ｌ−１８のいずれかで表される二価の連結基が２以上結合した二価の連結基であることが好ましく、式Ｌ−１、式Ｌ−３、式Ｌ−１３若しくは式Ｌ−１８のいずれかで表される二価の連結基、又は、式Ｌ−１、式Ｌ−３、式Ｌ−１３若しくは式Ｌ−１８のいずれかで表される二価の連結基が２以上結合した二価の連結基であることがより好ましく、式Ｌ−１、式Ｌ−３、式Ｌ−１３若しくは式Ｌ−１８のいずれかで表される二価の連結基、又は、式Ｌ−３、式Ｌ−１３若しくは式Ｌ−１８のいずれか１つで表される二価の連結基と式Ｌ−１で表される二価の連結基とを結合した二価の連結基であることが特に好ましい。
式Ｌ−３、式Ｌ−１３又は式Ｌ−１８のいずれか１つで表される二価の連結基と式Ｌ−１で表される二価の連結基が結合した二価の連結基は、式Ｌ−１で表される二価の連結基がＲ^W側に結合することが好ましい。
また、Ｌ^Wは、化学的安定性、キャリア輸送性の観点から式Ｌ−１で表される二価の連結基を含む二価の連結基であることが特に好ましく、式Ｌ−１で表される二価の連結基であることがより特に好ましく、Ｌ^Wが式Ｌ−１で表される二価の連結基であり、Ｒ^Wが置換又は無置換のアルキル基であることが最も好ましい。

式Ｗにおいて、Ｒ^Wは置換又は無置換のアルキル基、シアノ基、ビニル基、エチニル基、オキシエチレン基、オキシエチレン単位の繰り返し数ｖが２以上のオリゴオキシエチレン基、シロキサン基、ケイ素原子数が２以上のオリゴシロキサン基、又は、置換若しくは無置換のトリアルキルシリル基を表す。
式Ｗにおいて、Ｒ^Wに隣接するＬ^Wが式Ｌ−１で表される二価の連結基である場合は、Ｒ^Wは置換又は無置換のアルキル基、オキシエチレン基、オキシエチレン単位の繰り返し数が２以上のオリゴオキシエチレン基、シロキサン基、ケイ素原子数が２以上のオリゴシロキサン基であることが好ましく、置換又は無置換のアルキル基であることがより好ましい。
式Ｗにおいて、Ｒ^Wに隣接するＬ^Wが式Ｌ−２又は式Ｌ−４〜式Ｌ−２５のいずれかで表される二価の連結基である場合は、Ｒ^Wは置換又は無置換のアルキル基であることがより好ましい。
式Ｗにおいて、Ｒ^Wに隣接するＬ^Wが式Ｌ−３で表される二価の連結基である場合は、Ｒ^Wは置換若しくは無置換のアルキル基、又は、置換若しくは無置換のトリアルキルシリル基であることが好ましい。

Ｒ^Wが置換又は無置換のアルキル基の場合、炭素数は４〜１７であることが好ましく、６〜１４であることが化学的安定性、キャリア輸送性の観点からより好ましく、６〜１２であることが更に好ましい。Ｒが上記の範囲の長鎖アルキル基であること、特に長鎖の直鎖アルキル基であることが、分子の直線性が高まり、キャリア移動度を高めることができる観点から好ましい。
Ｒ^Wがアルキル基を表す場合、直鎖アルキル基でも、分枝アルキル基でも、環状アルキル基でもよいが、直鎖アルキル基であることが、分子の直線性が高まり、キャリア移動度を高めることができる観点から好ましい。
これらの中でも、式ＷにおけるＲ^WとＬ^Wの組み合わせとしては、式１中、Ｌ^Wが式Ｌ−１で表される二価の連結基であり、かつ、Ｒ^Wが直鎖の炭素数７〜１７のアルキル基であるか、あるいは、Ｌ^Wが式Ｌ−３、式Ｌ−１３又は式Ｌ−１８のいずれか１つで表される二価の連結基と式Ｌ−１で表される二価の連結基が結合した二価の連結基であり、かつ、Ｒ^Wが直鎖のアルキル基であることが、キャリア移動度を高める観点から好ましい。
Ｌ^Wが式Ｌ−１で表される二価の連結基であり、かつ、Ｒ^Wが直鎖の炭素数７〜１７のアルキル基である場合、Ｒ^Wが直鎖の炭素数７〜１４のアルキル基であることがキャリア移動度を高める観点からより好ましく、直鎖の炭素数７〜１２のアルキル基であることが特に好ましい。
Ｌ^Wが式Ｌ−３、式Ｌ−１３又は式Ｌ−１８のいずれか１つで表される二価の連結基と式Ｌ−１で表される二価の連結基が結合した二価の連結基であり、かつ、Ｒ^Wが直鎖のアルキル基である場合、Ｒ^Wが直鎖の炭素数４〜１７のアルキル基であることがより好ましく、直鎖の炭素数６〜１４のアルキル基であることが化学的安定性、キャリア輸送性の観点からより好ましく、直鎖の炭素数６〜１２のアルキル基であることがキャリア移動度を高める観点から特に好ましい。
一方、有機溶媒への溶解度を高める観点からは、Ｒ^Wが分枝アルキル基であることが好ましい。
Ｒ^Wが置換基を有するアルキル基である場合の置換基としては、ハロゲン原子などを挙げることができ、フッ素原子が好ましい。なお、Ｒ^Wがフッ素原子を有するアルキル基である場合はアルキル基の水素原子が全てフッ素原子で置換されてパーフルオロアルキル基を形成してもよい。ただし、Ｒ^Wは無置換のアルキル基であることが好ましい。

Ｒ^Wがオキシエチレン基の繰り返し数が２以上のオリゴオキシエチレン基の場合、Ｒが表す「オリゴオキシエチレン基」とは本明細書中、−（ＯＣＨ₂ＣＨ²）_v−ＯＹで表される基のことをいう（オキシエチレン単位の繰り返し数ｖは２以上の整数を表し、末端のＹは、水素原子又は置換基を表す。）。なお、オリゴオキシエチレン基の末端のＹが水素原子である場合はヒドロキシ基となる。オキシエチレン単位の繰り返し数ｖは、２〜４であることが好ましく、２〜３であることがより好ましい。
オリゴオキシエチレン基の末端のヒドロキシ基は封止されていること、すなわちＹが置換基を表すことが好ましい。この場合、ヒドロキシ基は、炭素数が１〜３のアルキル基で封止されること、すなわち、Ｙが炭素数１〜３のアルキル基であることが好ましく、Ｙがメチル基又はエチル基であることがより好ましく、メチル基であることが特に好ましい。

Ｒ^Wが、シロキサン基、又は、ケイ素原子数が２以上のオリゴシロキサン基の場合、シロキサン単位の繰り返し数は２〜４であることが好ましく、２〜３であることが更に好ましい。また、ケイ素原子（Ｓｉ原子）には、水素原子やアルキル基が結合することが好ましい。ケイ素原子にアルキル基が結合する場合、アルキル基の炭素数は１〜３であることが好ましく、例えば、メチル基やエチル基が結合することが好ましい。ケイ素原子には、同一のアルキル基が結合してもよく、異なるアルキル基又は水素原子が結合してもよい。また、オリゴシロキサン基を構成するシロキサン単位はすべて同一であっても異なっていてもよいが、すべて同一であることが好ましい。

Ｒ^Wに隣接するＬ^Wが式Ｌ−３で表される二価の連結基である場合、Ｒ^Wが置換又は無置換のトリアルキルシリル基であることも好ましい。Ｒ^Wが置換又は無置換のトリアルキルシリル基である場合はその中でも、シリル基の置換基としては、置換又は無置換のアルキル基であれば特に制限はないが、分枝アルキル基であることがより好ましい。ケイ素原子に結合するアルキル基の炭素数は１〜３であることが好ましく、例えば、メチル基やエチル基やイソプロピル基が結合することが好ましい。ケイ素原子には、同一のアルキル基が結合してもよく、異なるアルキル基が結合してもよい。Ｒ^Wがアルキル基上に更に置換基を有するトリアルキルシリル基である場合の置換基としては、特に制限はない。

式Ｗにおいて、Ｌ^W及びＲ^Wに含まれる炭素数の合計は５〜１８であることが好ましい。Ｌ^W及びＲ^Wに含まれる炭素数の合計が上記範囲の下限値以上であると、キャリア移動度が高くなり、駆動電圧を低くなる。Ｌ^W及びＲ^Wに含まれる炭素数の合計が上記範囲の上限値以下であると、有機溶媒に対する溶解性が高くなる。
Ｌ^W及びＲ^Wに含まれる炭素数の合計は、５〜１４であることが好ましく、６〜１４であることがより好ましく、６〜１２であることが更に好ましく、８〜１２であることが特に好ましい。

式１で表される化合物中において、Ｒ^1a〜Ｒ^1fのうち、式Ｗで表される基の個数は１〜４個であることが好ましく、１〜２個であることがより好ましく、２個であることが特に好ましい。

本発明では、式１において、Ｒ^1a及びＲ^1bのうち少なくとも１つが式Ｗで表される基であることが好ましい。式１における置換位置として、これらの位置が好ましいのは、化合物の化学的安定性に優れ、最高被占軌道（ＨＯＭＯ）準位、分子の膜中でのパッキングの観点からも好適であるためであると考えられる。特に、式１において、Ｒ^1a及びＲ^1bの２箇所を置換基とすることにより、高いキャリア濃度を得ることができる。
また、式１において、Ｒ^1c〜Ｒ^1fがそれぞれ独立に、水素原子、フッ素原子、炭素数１〜３の置換若しくは無置換のアルキル基、炭素数２〜３の置換若しくは無置換のアルキニル基、炭素数２〜３の置換若しくは無置換のアルケニル基、炭素数１〜２の置換若しくは無置換のアルコキシ基、又は、置換若しくは無置換のメチルチオ基であることが好ましい。

−式２で表される化合物−

式２中、Ｘ^2a及びＸ^2bはそれぞれ独立に、ＮＲ²ⁱ（＞Ｎ−Ｒ²ⁱ）、Ｏ原子又はＳ原子を表す。Ｘ^2a及びＸ^2bはそれぞれ独立に、Ｏ原子又はＳ原子であることが合成容易性の観点から好ましい。一方、Ｘ^2a及びＸ^2bのうち少なくとも１つがＳ原子であることが、キャリア移動度を高める観点から好ましい。
Ｘ^2a及びＸ^2bは、同じ連結基であることが好ましい。Ｘ^2a及びＸ^2bはいずれもＳ原子であることがより好ましい。
Ｒ²ⁱは、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基又はアシル基を表し、水素原子又はアルキル基であることが好ましく、炭素数１〜１４のアルキル基であることがより好ましく、炭素数１〜４のアルキル基であることが特に好ましい。
Ｒ²ⁱがアルキル基を表す場合、直鎖アルキル基でも、分枝アルキル基でも、環状アルキル基でもよいが、直鎖アルキル基であることが、分子の直線性が高まり、キャリア移動度を高めることができる観点から好ましい。

式２中、Ａ^2aは、ＣＲ^2g又はＮ原子を表し、Ａ^2bは、ＣＲ^2h又はＮ原子を表し、Ｒ^2g及びＲ^2hはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表す。Ａ^2aがＣＲ^2gであるか、Ａ^2bがＣＲ^2hであることが好ましく、Ａ^2aがＣＲ^2gであり、かつＡ^2bがＣＲ^2hであることがより好ましい。Ａ^2a及びＡ^2bは、同じであっても互いに異なっていてもよいが、同じであることが好ましい。
式２において、Ｒ^2eとＲ^2gとは互いに結合して環を形成してもよく、互いに結合して環を形成しなくてもよいが、互いに結合して環を形成しない方が好ましい。
式２において、Ｒ^2fとＲ^2hとは互いに結合して環を形成してもよく、互いに結合して環を形成しなくてもよいが、互いに結合して環を形成しない方が好ましい。

式２中、Ｒ^2a〜Ｒ^2hはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、少なくとも１つは式Ｗで表される置換基を表す。
Ｒ^2a〜Ｒ^2hがそれぞれ独立にとり得る置換基としては、上述した置換基Ｘが挙げられる。式Ｗで表される置換基の定義は、上述の通りである。
Ｒ^2a〜Ｒ^2hがそれぞれ独立にとり得る置換基として、アルキル基、アリール基、アルケニル基、アルキニル基、複素環基、アルコキシ基、アルキルチオ基、式Ｗで表される置換基が好ましく、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数６〜２０のアリール基、炭素数２〜１２のアルケニル基、炭素数２〜１２のアルキニル基、炭素数１〜１１のアルコキシ基、炭素数５〜１２の複素環基、炭素数１〜１２のアルキルチオ基、式Ｗで表される基がより好ましく、後述の連結基鎖長が３．７Å以下の基及び式Ｗで表される基が特に好ましく、式Ｗで表される基がより特に好ましい。

式２で表される化合物中、Ｒ^2a〜Ｒ^2hのうち、式Ｗで表される基は１〜４個であることが、キャリア移動度を高め、有機溶媒への溶解性を高める観点から好ましく、１又は２個であることがより好ましく、２個であることが特に好ましい。
Ｒ^2a〜Ｒ^2hのうち、式Ｗで表される基の位置に特に制限はないが、Ｒ^2e又はＲ^2fであることが、キャリア移動度を高め、有機溶媒への溶解性を高める観点から好ましい。

Ｒ^2a〜Ｒ^2hのうち、式Ｗで表される基以外の置換基は、０〜４個であることが好ましく、０〜２個であることがより好ましく、０又は１個であることが更に好ましく、０個であることが特に好ましい。

Ｒ^2a〜Ｒ^2hが式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基は、連結基鎖長が３．７Å以下の基であることが好ましく、連結基鎖長が１．０〜３．７Åの基であることがより好ましく、連結基鎖長が１．０〜２．１Åの基であることが更に好ましい。
ここで、連結基鎖長とはＣ（炭素原子）−Ｒ結合におけるＣ原子から置換基Ｒの末端までの長さのことを指す。構造最適化計算は、密度汎関数法（Ｇａｕｓｓｉａｎ０３（米ガウシアン社）／基底関数：６−３１Ｇ^*、交換相関汎関数：Ｂ３ＬＹＰ／ＬＡＮＬ２ＤＺ）を用いて行うことができる。なお、代表的な置換基の分子長としては、プロピル基は４．６Å、ピロール基は４．６Å、プロピニル基は４．５Å、プロペニル基は４．６Å、エトキシ基は４．５Å、メチルチオ基は３．７Å、エテニル基は３．４Å、エチル基は３．５Å、エチニル基は３．６Å、メトキシ基は３．３Å、メチル基は２．１Å、水素原子は１．０Åである。

Ｒ^2a〜Ｒ^2hが式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基はそれぞれ独立に炭素数２以下の置換若しくは無置換のアルキル基、炭素数２以下の置換若しくは無置換のアルキニル基、炭素数２以下の置換若しくは無置換のアルケニル基、又は、炭素数２以下の置換若しくは無置換のアシル基であることが好ましく、炭素数２以下の置換若しくは無置換のアルキル基であることがより好ましい。
Ｒ^2a〜Ｒ^2hが式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基がそれぞれ独立に炭素数２以下の置換アルキル基を表す場合、アルキル基がとり得る置換基としては、シアノ基、フッ素原子、重水素原子などを挙げることができ、シアノ基が好ましい。式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基が表す炭素数２以下の置換又は無置換のアルキル基としては、メチル基、エチル基、シアノ基置換のメチル基が好ましく、メチル基又はシアノ基置換のメチル基がより好ましく、シアノ基置換のメチル基が特に好ましい。
Ｒ^2a〜Ｒ^2hが式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基がそれぞれ独立に炭素数２以下の置換アルキニル基を表す場合、アルキニル基がとり得る置換基としては、重水素原子などを挙げることができる。式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基が表す炭素数２以下の置換又は無置換のアルキニル基としては、エチニル基、重水素原子置換のアセチレン基を挙げることができ、エチニル基が好ましい。
Ｒ^2a〜Ｒ^2hが式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基がそれぞれ独立に炭素数２以下の置換アルケニル基を表す場合、アルケニル基がとり得る置換基としては、重水素原子などを挙げることができる。式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基が表す炭素数２以下の置換又は無置換のアルケニル基としては、エテニル基、重水素原子置換のエテニル基を挙げることができ、エテニル基が好ましい。
Ｒ^2a〜Ｒ^2hが式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基がそれぞれ独立に炭素数２以下の置換アシル基を表す場合、アシル基がとり得る置換基としては、フッ素原子などを挙げることができる。式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基が表す炭素数２以下の置換又は無置換のアシル基としては、ホルミル基、アセチル基、フッ素置換のアセチル基を挙げることができ、ホルミル基が好ましい。

−式３で表される化合物−

式３において、Ｒ^3a〜Ｒ^3f並びに後述するＲ^3g及びＲ^3hはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表す。ただし、Ｒ^3a〜Ｒ^3hのうち少なくとも１つは、式Ｗで表される基を表す。
Ｒ^3a〜Ｒ^3hで表される置換基としては、上記置換基Ｘが挙げられる。式Ｗで表される基の定義は、上述の通りである。
Ｒ^3a〜Ｒ^3fがそれぞれ独立にとり得る置換基として、アルキル基、アリール基、アルケニル基、アルキニル基、複素環基、アルコキシ基、アルキルチオ基、又は、式Ｗで表される置換基が好ましく、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数６〜２０のアリール基、炭素数２〜１２のアルケニル基、炭素数２〜１２のアルキニル基、炭素数１〜１１のアルコキシ基、炭素数５〜１２の複素環基、炭素数１〜１２のアルキルチオ基、又は、式Ｗで表される基がより好ましい。

式３において、Ｘ^3a及びＸ^3bはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子又はＮＲ^3g（＞Ｎ−Ｒ^3g）を表し、Ｒ^3gは水素原子又は置換基を表す。Ｘは、Ｓ原子、Ｏ原子が好ましい。式３において、Ｘ^3a及びＸ^3bは、同じであることが好ましい。
Ｒ^3gは、水素原子、アルキル基、又は、アリール基であることが好ましく、炭素数１〜１４のアルキル基であることがより好ましく、炭素数４〜１２のアルキル基であることが特に好ましい。Ｒ^3gが上記の範囲の長鎖アルキル基であること、特に長鎖の直鎖アルキル基であることが、分子の直線性が高まり、キャリア移動度を高めることができる観点から好ましい。
Ｒ^3gがアルキル基を表す場合、直鎖アルキル基でも、分枝アルキル基でも、環状アルキル基でもよいが、直鎖アルキル基であることが、分子の直線性が高まり、キャリア移動度を高めることができる観点から好ましい。

式３において、Ａ^3a及びＡ^3bはそれぞれ独立に、ＣＲ^3h又はＮ原子を表し、ＣＲ^3hを表すことが好ましい。式３において、Ａ^3a及びＡ^3bは、同じであっても互いに異なっていてもよいが、同じであることが好ましい。
Ｒ^3hは連結基鎖長が３．７Å以下の基であることが好ましく、連結基鎖長が１．０〜３．７Åの基であることがより好ましく、連結基鎖長が１．０〜２．１Åの基であることが更に好ましい。連結基鎖長の定義は、上述の通りである。
Ｒ^3hは、水素原子、炭素数２以下の置換若しくは無置換のアルキル基、炭素数２以下の置換若しくは無置換のアルキニル基、炭素数２以下の置換若しくは無置換のアルケニル基、又は、炭素数２以下の置換若しくは無置換のアシル基であることが好ましく、水素原子、又は、炭素数２以下の置換若しくは無置換のアルキル基であることがより好ましく、水素原子であることが特に好ましい。
Ｒ^3hが炭素数２以下の置換アルキル基を表す場合、アルキル基がとり得る置換基としては、シアノ基、フッ素原子、重水素原子などを挙げることができ、シアノ基が好ましい。Ｒ^3hが表す炭素数２以下の置換又は無置換のアルキル基としては、メチル基、エチル基、又は、シアノ基置換のメチル基が好ましく、メチル基又はシアノ基置換のメチル基がより好ましく、シアノ基置換のメチル基が特に好ましい。
Ｒ^3hが炭素数２以下の置換アルキニル基を表す場合、アルキニル基がとり得る置換基としては、重水素原子などを挙げることができる。Ｒ^3hが表す炭素数２以下の置換又は無置換のアルキニル基としては、エチニル基、又は、重水素原子置換のアセチレン基を挙げることができ、エチニル基が好ましい。
Ｒ^3hが炭素数２以下の置換アルケニル基を表す場合、アルケニル基がとり得る置換基としては、重水素原子などを挙げることができる。Ｒ^3hが表す炭素数２以下の置換又は無置換のアルケニル基としては、エテニル基、又は、重水素原子置換のエテニル基を挙げることができ、エテニル基が好ましい。
Ｒ^3hが炭素数２以下の置換アシル基を表す場合、アシル基がとり得る置換基としては、フッ素原子などを挙げることができる。Ｒ^3hが表す炭素数２以下の置換又は無置換のアシル基としては、ホルミル基、アセチル基、又は、フッ素置換のアセチル基を挙げることができ、ホルミル基が好ましい。

−式４で表される化合物−

式４中、Ｘ^4a及びＸ^4bはそれぞれ独立に、Ｏ原子、Ｓ原子又はＳｅ原子を表す。
Ｘ^4a及びＸ^4bはそれぞれ独立に、Ｏ原子又はＳ原子であることが好ましく、Ｘ^4a及びＸ^4bのうち少なくとも１つがＳ原子であることが、キャリア移動度を高める観点からより好ましい。Ｘ^4a及びＸ^4bは、同じ連結基であることが好ましい。Ｘ^4a及びＸ^4bはいずれもＳ原子であることが特に好ましい。

式（４）中、４ｐ及び４ｑはそれぞれ独立に、０〜２の整数を表す。４ｐ及び４ｑがそれぞれ独立に、０又は１であることが移動度と溶解性を両立する観点から好ましく、４ｐ＝４ｑ＝０又は４ｐ＝４ｑ＝１であることがより好ましい。

式４中、Ｒ^4a〜Ｒ^4k及びＲ^4mはそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、又は、式Ｗで表される基を表し、かつ、Ｒ^4a〜Ｒ^4k及びＲ^4mのうち少なくとも一つは式Ｗで表される基であり、ただし、Ｒ^4e及びＲ^4fのうち少なくとも一方が式Ｗで表される基である場合は、Ｒ^4eとＲ^4fとが表す式Ｗにおいて、Ｌ^Wは上記式Ｌ−２又は式Ｌ−３で表される二価の連結基である。なお、式Ｗで表される基の定義は、上述の通りである。

Ｒ^4e及びＲ^4fのうち少なくとも一方が式Ｗで表される基である場合は、すなわちＲ^4e及びＲ^4fのうちいずれか一方でも水素原子でもなくハロゲン原子でもない場合に相当する。
Ｒ^4e及びＲ^4fのうち少なくとも一方が式Ｗで表される基である場合、Ｒ^4e及びＲ^4fが表す式Ｗにおいて、Ｌ^Wは上記式Ｌ−３で表される二価の連結基であることが好ましい。
Ｒ^4e及びＲ^4fのうち少なくとも一方が式Ｗで表される基である場合、Ｒ^4e及びＲ^4fは、いずれも式Ｗで表される基であることが好ましい。
なお、Ｒ^4e及びＲ^4fが共に水素原子又はハロゲン原子の場合、Ｒ^4a〜Ｒ^4d、Ｒ^4g〜Ｒ^4k及びＲ^4mはそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子又は式Ｗで表される基であり、かつ、Ｒ^4a〜Ｒ^4d、Ｒ^4g〜Ｒ^4k及びＲ^4mのうち少なくとも１つ以上は式Ｗで表される基となる。

式４中、Ｒ^4a〜Ｒ^4k及びＲ^4mが表すハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子を挙げることができ、フッ素原子、塩素原子又は臭素原子であることが好ましく、フッ素原子又は塩素原子であることがより好ましく、フッ素原子であることが特に好ましい。

式４で表される化合物中、Ｒ^4a〜Ｒ^4k及びＲ^4mのうち、ハロゲン原子は、０〜４個であることが好ましく、０〜２個であることがより好ましく、０又は１個であることが更に好ましく、０個であることが特に好ましい。

式４で表される化合物中、Ｒ^4a〜Ｒ^4k及びＲ^4mのうち、式Ｗで表される基は、１〜４個であることが、キャリア移動度を高め、有機溶媒への溶解性を高める観点から好ましく、１又は２個であることがより好ましく、２個であることが特に好ましい。
Ｒ^4a〜Ｒ^4k及びＲ^4mのうち、式Ｗで表される基の位置に特に制限はない。その中でも、本発明では、式４中、Ｒ^4a、Ｒ^4d〜Ｒ^4g、Ｒ^4j、Ｒ^4k及びＲ^4mがそれぞれ独立に、水素原子又はハロゲン原子であり、Ｒ^4b、Ｒ^4c、Ｒ^4h及びＲ⁴ⁱがそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子又は式Ｗで表される基であり、かつ、Ｒ^4b、Ｒ^4c、Ｒ^4h及びＲ⁴ⁱのうち少なくとも１つは式Ｗで表される基であることが、キャリア移動度を高め、有機溶媒への溶解性を高める観点から好ましい。
本発明では、Ｒ^4a、Ｒ^4c〜Ｒ^4h及びＲ^4jがそれぞれ独立に、水素原子又はハロゲン原子を表し、Ｒ^4b及びＲ⁴ⁱがそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子又は式Ｗで表される基であり、かつ、少なくとも１つは式Ｗで表される基であることがより好ましい。
本発明では、Ｒ^4b及びＲ⁴ⁱが共に式Ｗで表される基であり、かつＲ^4c及びＲ^4hが共に水素原子又はハロゲン原子であるか、Ｒ^4c及びＲ^4hが共に式Ｗで表される基であり、かつＲ^4b及びＲ⁴ⁱが共に水素原子又はハロゲン原子であることが更に好ましい。
本発明では、Ｒ^4b及びＲ⁴ⁱが共に式Ｗで表される基であり、かつＲ^4c及びＲ^4hが共に水素原子又はハロゲン原子であるか、Ｒ^4c及びＲ^4hが共に式Ｗで表される基であり、かつＲ^4b及びＲ⁴ⁱが共に水素原子又はハロゲン原子であることが特に好ましい。
式４において、２以上のＲ^4a〜Ｒ^4k及びＲ^4mは互いに結合して環を形成してもよく、互いに結合して環を形成しなくてもよいが、互いに結合して環を形成しない方が好ましい。

−式５で表される化合物−

式５中、Ｘ^5a及びＸ^5bはそれぞれ独立に、ＮＲ⁵ⁱ、Ｏ原子又はＳ原子を表す。Ｘ^5a及びＸ^5bはそれぞれ独立に、Ｏ原子又はＳ原子であることが合成容易性の観点から好ましい。一方、Ｘ^5a及びＸ^5bのうち少なくとも１つがＳ原子であることが、キャリア移動度を高める観点から好ましい。Ｘ^5a及びＸ^5bは、同じ連結基であることが好ましい。Ｘ^5a及びＸ^5bはいずれもＳ原子であることがより好ましい。
Ｒ⁵ⁱは、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アシル基、アリール基又はヘテロアリール基を表し、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基又はアシル基であることが好ましく、水素原子又はアルキル基であることがより好ましく、炭素数１〜１４のアルキル基であることが更に好ましく、炭素数１〜４のアルキル基であることが特に好ましい。
Ｒ⁵ⁱがアルキル基を表す場合、直鎖アルキル基でも、分枝アルキル基でも、環状アルキル基でもよいが、直鎖アルキル基であることが、分子の直線性が高まり、キャリア移動度を高めることができる観点から好ましい。

式５中、Ａ^5aはＣＲ^5g又はＮ原子を表し、Ａ^5bはＣＲ^5h又はＮ原子を表し、Ｒ^5g及びＲ^5hはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表す。Ａ^5aがＣＲ^5gであるか、Ａ^5bがＣＲ^5hであることが好ましく、Ａ^5aがＣＲ^5gかつＡ^5bがＣＲ^5hであることがより好ましい。Ａ^5a及びＡ^5bは、同じであっても互いに異なっていてもよいが、同じであることが好ましい。

式５において、Ｒ^5eとＲ^5gとは互いに結合して環を形成してもよく、互いに結合して環を形成しなくてもよいが、互いに結合して環を形成しない方が好ましい。
式５において、Ｒ^5eとＲ⁵ⁱとは互いに結合して環を形成してもよく、互いに結合して環を形成しなくてもよいが、互いに結合して環を形成しない方が好ましい。
式５において、Ｒ^5fとＲ^5hとは互いに結合して環を形成してもよく、互いに結合して環を形成しなくてもよいが、互いに結合して環を形成しない方が好ましい。
式５において、Ｒ^5fとＲ⁵ⁱは互いに結合して環を形成してもよく、互いに結合して環を形成しなくてもよいが、互いに結合して環を形成しない方が好ましい。

式５中、Ｒ^5a〜Ｒ^5hはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ^5a〜Ｒ^5hのうち少なくとも１つが式Ｗで表される基である。
なお、Ｒ^5a〜Ｒ^5hで表される置換基としては、上述した置換基Ｘが挙げられる。また、式Ｗで表される基の定義は、上述の通りである。

式５で表される化合物中、Ｒ^5a〜Ｒ^5hのうち、式Ｗで表される基は、１〜４個であることが、キャリア移動度を高め、有機溶媒への溶解性を高める観点から好ましく、１又は２個であることがより好ましく、２個であることが特に好ましい。
Ｒ^5a〜Ｒ^5hのうち、式Ｗで表される基の位置に特に制限はないが、Ｒ^5e又はＲ^5fであることが、キャリア移動度を高め、有機溶媒への溶解性を高める観点から好ましい。
Ｒ^5a〜Ｒ^5hのうち、式Ｗで表される基以外の置換基は、０〜４個であることが好ましく、０〜２個であることがより好ましく、０又は１個であることが特に好ましく、０個であることがより特に好ましい。

Ｒ^5a〜Ｒ^5hが式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基は、連結基鎖長が３．７Å以下の基であることが好ましく、連結基鎖長が１．０〜３．７Åの基であることがより好ましく、連結基鎖長が１．０〜２．１Åの基であることが更に好ましい。連結基鎖長の定義は、上述の通りである。
Ｒ^5a〜Ｒ^5hが式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基はそれぞれ独立に炭素数２以下の置換若しくは無置換のアルキル基、炭素数２以下の置換若しくは無置換のアルキニル基、炭素数２以下の置換若しくは無置換のアルケニル基、又は、炭素数２以下の置換若しくは無置換のアシル基であることが好ましく、炭素数２以下の置換又は無置換のアルキル基であることがより好ましい。
Ｒ^5a〜Ｒ^5hが式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基がそれぞれ独立に炭素数２以下の置換アルキル基を表す場合、アルキル基がとり得る置換基としては、シアノ基、フッ素原子、重水素原子などを挙げることができ、シアノ基が好ましい。式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基が表す炭素数２以下の置換又は無置換のアルキル基としては、メチル基、エチル基、又は、シアノ基置換のメチル基が好ましく、メチル基又はシアノ基置換のメチル基がより好ましく、シアノ基置換のメチル基が特に好ましい。
Ｒ^5a〜Ｒ^5hが式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基がそれぞれ独立に炭素数２以下の置換アルキニル基を表す場合、アルキニル基がとり得る置換基としては、重水素原子などを挙げることができる。式Ｗで表される置換基以外の置換基である場合の置換基が表す炭素数２以下の置換又は無置換のアルキニル基としては、エチニル基、又は、重水素原子置換のアセチレン基を挙げることができ、エチニル基が好ましい。
Ｒ^5a〜Ｒ^5hが式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基がそれぞれ独立に炭素数２以下の置換アルケニル基を表す場合、アルケニル基がとり得る置換基としては、重水素原子などを挙げることができる。式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基が表す炭素数２以下の置換又は無置換のアルケニル基としては、エテニル基、重水素原子置換のエテニル基を挙げることができ、エテニル基が好ましい。
Ｒ^5a〜Ｒ^5hが式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基がそれぞれ独立に炭素数２以下の置換アシル基を表す場合、アシル基がとり得る置換基としては、フッ素原子などを挙げることができる。式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基が表す炭素数２以下の置換又は無置換のアシル基としては、ホルミル基、アセチル基、又は、フッ素置換のアセチル基を挙げることができ、ホルミル基が好ましい。

−式６で表される化合物−

式６中、Ｘ^6a〜Ｘ^6dはそれぞれ独立に、ＮＲ^6g、Ｏ原子又はＳ原子を表し、Ｒ^6gは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アシル基、アリール基又はヘテロアリール基を表す。
Ｘ^6a〜Ｘ^6dはそれぞれ独立に、Ｏ原子又はＳ原子であることが合成容易性の観点から好ましい。一方、Ｘ^6a〜Ｘ^6dのうち少なくとも１つがＳ原子であることが、キャリア移動度を高める観点から好ましい。Ｘ１〜Ｘ４は、同じ連結基であることが好ましい。Ｘ^6a〜Ｘ^6dはいずれもＳ原子であることがより好ましい。
Ｒ^6gは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アシル基、アリール基又はヘテロアリール基を表し、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基又はアシル基であることが好ましく、水素原子又はアルキル基であることがより好ましく、炭素数１〜１４のアルキル基であることが更に好ましく、炭素数１〜４のアルキル基であることが特に好ましい。
Ｒ^6gがアルキル基を表す場合、直鎖アルキル基でも、分枝アルキル基でも、環状アルキル基でもよいが、直鎖アルキル基であることが、分子の直線性が高まり、キャリア移動度を高めることができる観点から好ましい。

式６中、Ｒ^6a〜Ｒ^6fはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、少なくとも１つは式Ｗで表される基を表す。
なお、Ｒ^6a〜Ｒ^6fで表される置換基としては、上述した置換基Ｘが挙げられる。また、式Ｗで表される基の定義は、上述の通りである。
これらの中でも、Ｒ^6a〜Ｒ^6fがそれぞれ独立にとり得る置換基として、アルキル基、アリール基、アルケニル基、アルキニル基、複素環基、アルコキシ基、又は、アルキルチオ基、式Ｗで表される基が好ましく、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数６〜２０のアリール基、炭素数２〜１２のアルケニル基、炭素数２〜１２のアルキニル基、炭素数１〜１１のアルコキシ基、炭素数５〜１２の複素環基、炭素数１〜１２のアルキルチオ基、又は、式Ｗで表される基がより好ましく、後述の連結基鎖長が３．７Å以下の基、又は、式Ｗで表される基が更に好ましく、式Ｗで表される基が特に好ましい。

式６で表される化合物中、Ｒ^6a〜Ｒ^6fのうち、式Ｗで表される基は、１〜４個であることが、キャリア移動度を高め、有機溶媒への溶解性を高める観点から好ましく、１又は２個であることがより好ましく、２個であることが特に好ましい。
Ｒ^6a〜Ｒ^6fのうち、式Ｗで表される基の位置に特に制限はないが、Ｒ^6c〜Ｒ^6fであることが好ましく、Ｒ^6e又はＲ^6fであることが、キャリア移動度を高め、有機溶媒への溶解性を高める観点からより好ましい。

Ｒ^6a〜Ｒ^6fのうち、式Ｗで表される基以外の置換基は、０〜４個であることが好ましく、０〜２個であることがより好ましく、０又は１個であることが更に好ましく、０個であることが特に好ましい。
Ｒ^6a〜Ｒ^6fが式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基は、連結基鎖長が３．７Å以下の基であることが好ましく、連結基鎖長が１．０〜３．７Åの基であることがより好ましく、連結基鎖長が１．０〜２．１Åの基であることが更に好ましい。連結基鎖長の定義は、上述の通りである。
Ｒ^6a〜Ｒ^6fが式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基はそれぞれ独立に、素数２以下の置換若しくは無置換のアルキル基、炭素数２以下の置換若しくは無置換のアルキニル基、炭素数２以下の置換若しくは無置換のアルケニル基、又は、炭素数２以下の置換若しくは無置換のアシル基であることが好ましく、炭素数２以下の置換又は無置換のアルキル基であることがより好ましい。
Ｒ^6a〜Ｒ^6fが式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基がそれぞれ独立に炭素数２以下の置換アルキル基を表す場合、アルキル基がとり得る置換基としては、シアノ基、フッ素原子、重水素原子などを挙げることができ、シアノ基が好ましい。式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基が表す炭素数２以下の置換又は無置換のアルキル基としては、メチル基、エチル基、又は、シアノ基置換のメチル基が好ましく、メチル基又はシアノ基置換のメチル基がより好ましく、シアノ基置換のメチル基が特に好ましい。
Ｒ^6a〜Ｒ^6fが式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基がそれぞれ独立に炭素数２以下の置換アルキニル基を表す場合、アルキニル基がとり得る置換基としては、重水素原子などを挙げることができる。式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基が表す炭素数２以下の置換又は無置換のアルキニル基としては、エチニル基、重水素原子置換のアセチレン基を挙げることができ、エチニル基が好ましい。
Ｒ^6a〜Ｒ^6fが式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基がそれぞれ独立に炭素数２以下の置換アルケニル基を表す場合、アルケニル基がとり得る置換基としては、重水素原子などを挙げることができる。式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基が表す炭素数２以下の置換又は無置換のアルケニル基としては、エテニル基、重水素原子置換のエテニル基を挙げることができ、エテニル基が好ましい。
Ｒ^6a〜Ｒ^6fが式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基がそれぞれ独立に炭素数２以下の置換アシル基を表す場合、アシル基がとり得る置換基としては、フッ素原子などを挙げることができる。式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基が表す炭素数２以下の置換又は無置換のアシル基としては、ホルミル基、アセチル基、フッ素置換のアセチル基を挙げることができ、ホルミル基が好ましい。

−式７で表される化合物−

式７中、Ｘ^7a及びＸ^7cはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子、Ｓｅ原子又はＮＲ⁷ⁱ（＞Ｎ−Ｒ⁷ⁱ）を表し、Ｘ^7b及びＸ^7dはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子又はＳｅ原子を表す。Ｘ^7a〜Ｘ^7dはそれぞれ独立に、Ｏ原子又はＳ原子であることが合成容易性の観点から好ましい。一方、Ｘ^7a〜Ｘ^7dのうち少なくとも１つがＳ原子であることが、キャリア移動度を高める観点から好ましい。Ｘ^7a〜Ｘ^7dは、同じ連結基であることが好ましい。Ｘ^7a〜Ｘ^7dはいずれもＳ原子であることがより好ましい。

式７中、Ｒ^7a〜Ｒ⁷ⁱはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ^7a〜Ｒ⁷ⁱのうち少なくとも１つが式Ｗで表される基である。
なお、Ｒ^7a〜Ｒ⁷ⁱで表される置換基としては、上述した置換基Ｘが挙げられる。また、式Ｗで表される基の定義は、上述の通りである。
なお、Ｒ⁷ⁱは、水素原子又はアルキル基であることが好ましく、炭素数５〜１２のアルキル基であることがより好ましく、炭素数８〜１０のアルキル基であることが特に好ましい。
Ｒ⁷ⁱがアルキル基を表す場合、直鎖のアルキル基でも、分枝アルキル基でも、環状アルキル基でもよいが、直鎖のアルキル基であることが、ＨＯＭＯ軌道の重なりの観点から好ましい。

式７で表される化合物中、Ｒ^7a〜Ｒ⁷ⁱのうち、式Ｗで表される置換基は、１〜４個であることが、キャリア移動度を高め、有機溶媒への溶解性を高める観点から好ましく、１又は２個であることがより好ましく、２個であることが特に好ましい。
Ｒ^7a〜Ｒ⁷ⁱのうち、式Ｗで表される基の位置に特に制限はないが、Ｒ^7d又はＲ^7hであることが、キャリア移動度を高め、有機溶媒への溶解性を高める観点から好ましく、Ｒ^7d及びＲ^7hがより好ましい。
式７のＲ^7a〜Ｒ⁷ⁱのうち、式Ｗで表される基以外の置換基は、０〜４個であることが好ましく、０〜２個であることがより好ましく、０又は１個であることが更に好ましく、０個であることが特に好ましい。
Ｒ^7a〜Ｒ⁷ⁱが式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基は、連結基鎖長が３．７Å以下の基であることが好ましく、連結基鎖長が１．０〜３．７Åの基であることがより好ましく、連結基鎖長が１．０〜２．１Åの基であることが更に好ましい。連結基鎖長の定義は、上述の通りである。
Ｒ^7a〜Ｒ⁷ⁱが式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基はそれぞれ独立に、炭素数２以下の置換若しくは無置換のアルキル基、炭素数２以下の置換若しくは無置換のアルキニル基、炭素数２以下の置換若しくは無置換のアルケニル基、又は、炭素数２以下の置換若しくは無置換のアシル基であることが好ましく、炭素数２以下の置換又は無置換のアルキル基であることがより好ましい。
Ｒ^7a〜Ｒ⁷ⁱが式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基がそれぞれ独立に炭素数２以下の置換アルキル基を表す場合、アルキル基がとり得る置換基としては、シアノ基、フッ素原子、重水素原子などを挙げることができ、シアノ基が好ましい。式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基が表す炭素数２以下の置換又は無置換のアルキル基としては、メチル基、エチル基、又は、シアノ基置換のメチル基が好ましく、メチル基又はシアノ基置換のメチル基がより好ましく、シアノ基置換のメチル基が特に好ましい。
Ｒ^7a〜Ｒ⁷ⁱが式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基がそれぞれ独立に炭素数２以下の置換アルキニル基を表す場合、アルキニル基がとり得る置換基としては、重水素原子などを挙げることができる。式Ｗで表される置換基以外の置換基である場合の置換基が表す炭素数２以下の置換又は無置換のアルキニル基としては、エチニル基、重水素原子置換のアセチレン基を挙げることができ、エチニル基が好ましい。
Ｒ^7a〜Ｒ⁷ⁱが式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基がそれぞれ独立に炭素数２以下の置換アルケニル基を表す場合、アルケニル基がとり得る置換基としては、重水素原子などを挙げることができる。式Ｗで表される置換基以外の置換基である場合の置換基が表す炭素数２以下の置換又は無置換のアルケニル基としては、エテニル基、重水素原子置換のエテニル基を挙げることができ、エテニル基が好ましい。
Ｒ^7a〜Ｒ⁷ⁱが式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基がそれぞれ独立に炭素数２以下の置換アシル基を表す場合、アシル基がとり得る置換基としては、フッ素原子などを挙げることができる。式Ｗで表される置換基以外の置換基である場合の置換基が表す炭素数２以下の置換又は無置換のアシル基としては、ホルミル基、アセチル基、フッ素置換のアセチル基を挙げることができ、ホルミル基が好ましい。

−式８で表される化合物−

式８中、Ｘ^8a及びＸ^8cはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子、Ｓｅ原子又はＮＲ⁸ⁱを表し、Ｘ^8b及びＸ^8dはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子又はＳｅ原子を表す。Ｘ^8a〜Ｘ^8dはそれぞれ独立に、Ｏ原子又はＳ原子であることが合成容易性の観点から好ましい。一方、Ｘ^8a〜Ｘ^8dのうち少なくとも１つがＳ原子であることが、キャリア移動度を高める観点から好ましい。Ｘ^8a〜Ｘ^8dは、同じ連結基であることが好ましい。Ｘ^8a〜Ｘ^8dはいずれもＳ原子であることがより好ましい。

式８中、Ｒ^8a〜Ｒ⁸ⁱはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ^8a〜Ｒ⁸ⁱのうち少なくとも１つが式Ｗで表される基である。
なお、Ｒ^8a〜Ｒ⁸ⁱで表される置換基としては、上述した置換基Ｘが挙げられる。また、式Ｗで表される基の定義は、上述の通りである。
なお、Ｒ⁸ⁱは、水素原子又はアルキル基であることが好ましく、炭素数５〜１２のアルキル基であることがより好ましく、炭素数８〜１０のアルキル基であることが特に好ましい。
Ｒ⁸ⁱがアルキル基を表す場合、直鎖のアルキル基でも、分枝アルキル基でも、環状アルキル基でもよいが、直鎖のアルキル基であることが、ＨＯＭＯ軌道の重なりの観点から好ましい。

式８で表される化合物中、Ｒ^8a〜Ｒ⁸ⁱのうち、式Ｗで表される置換基は、１〜４個であることが、キャリア移動度を高め、有機溶媒への溶解性を高める観点から好ましく、１又は２個であることがより好ましく、２個であることが特に好ましい。
Ｒ^8a〜Ｒ⁸ⁱのうち、式Ｗで表される基の位置に特に制限はないが、Ｒ^8c又はＲ^8gであることが、キャリア移動度を高め、有機溶媒への溶解性を高める観点から好ましく、Ｒ^8c及びＲ^8gがより好ましい。
また、式８のＲ^8a〜Ｒ⁸ⁱのうち、式Ｗで表される基以外の置換基は、０〜４個であることが好ましく、０〜２個であることがより好ましく、０又は１個であることが更に好ましく、０個であることが特に好ましい。

Ｒ^8a〜Ｒ⁸ⁱが式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基は、連結基鎖長が３．７Å以下の基であることが好ましく、連結基鎖長が１．０〜３．７Åの基であることがより好ましく、連結基鎖長が１．０〜２．１Åの基であることが更に好ましい。連結基鎖長の定義は、上述の通りである。
Ｒ^8a〜Ｒ⁸ⁱが式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基はそれぞれ独立に、炭素数２以下の置換若しくは無置換のアルキル基、炭素数２以下の置換若しくは無置換のアルキニル基、炭素数２以下の置換若しくは無置換のアルケニル基、又は、炭素数２以下の置換若しくは無置換のアシル基であることが好ましく、炭素数２以下の置換又は無置換のアルキル基であることがより好ましい。
Ｒ^8a〜Ｒ⁸ⁱが式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基がそれぞれ独立に炭素数２以下の置換アルキル基を表す場合、アルキル基がとり得る置換基としては、シアノ基、フッ素原子、重水素原子などを挙げることができ、シアノ基が好ましい。式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基が表す炭素数２以下の置換又は無置換のアルキル基としては、メチル基、エチル基、又は、シアノ基置換のメチル基が好ましく、メチル基又はシアノ基置換のメチル基がより好ましく、シアノ基置換のメチル基が特に好ましい。
Ｒ^8a〜Ｒ⁸ⁱが式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基がそれぞれ独立に炭素数２以下の置換アルキニル基を表す場合、アルキニル基がとり得る置換基としては、重水素原子などを挙げることができる。式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基が表す炭素数２以下の置換又は無置換のアルキニル基としては、エチニル基、重水素原子置換のアセチレン基を挙げることができ、エチニル基が好ましい。
Ｒ^8a〜Ｒ⁸ⁱが式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基がそれぞれ独立に炭素数２以下の置換アルケニル基を表す場合、アルケニル基がとり得る置換基としては、重水素原子などを挙げることができる。式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基が表す炭素数２以下の置換又は無置換のアルケニル基としては、エテニル基、重水素原子置換のエテニル基を挙げることができ、エテニル基が好ましい。
Ｒ^8a〜Ｒ⁸ⁱが式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基がそれぞれ独立に炭素数２以下の置換アシル基を表す場合、アシル基がとり得る置換基としては、フッ素原子などを挙げることができる。式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基が表す炭素数２以下の置換又は無置換のアシル基としては、ホルミル基、アセチル基、フッ素置換のアセチル基を挙げることができ、ホルミル基が好ましい。

−式９で表される化合物−

式９中、Ｘ^9a及びＸ^9bはそれぞれ独立に、Ｏ原子、Ｓ原子又はＳｅ原子を表す。中でも、Ｓ原子が好ましい。
Ｒ^9c、Ｒ^9d及びＲ^9g〜Ｒ^9jはそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子又は式Ｗで表される置換基を表す。式Ｗで表される基の定義は、上述の通りである。
Ｒ^9a、Ｒ^9b、Ｒ^9e及びＲ^9fは、それぞれ独立に、水素原子又は置換基を表す。なお、Ｒ^9a、Ｒ^9b、Ｒ^9e及びＲ^9fで表される置換基としては、上述した置換基Ｘが挙げられる。
なお、Ｒ^9c、Ｒ^9d及びＲ^9g〜Ｒ^9jはそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子又は式Ｗで表される基（ただし、Ｌ^Wは式Ｌ−３、式Ｌ−５、式Ｌ−７〜式Ｌ−９、式Ｌ−１２〜式Ｌ−２４のいずれかで表される基である。）を表すことが好ましい。中でも、Ｒ^9c、Ｒ^9d及びＲ^9g〜Ｒ^9jは、水素原子がより好ましい。
なお、Ｌ^Wとしては、式Ｌ−３、式Ｌ−５、式Ｌ−１３、式Ｌ−１７又は式Ｌ−１８のいずれかで表される基であることが好ましい。
Ｒ^9a〜Ｒ⁹ⁱのうち少なくとも１つは、式Ｗで表される基を表すことが好ましい。

式９で表される化合物中、Ｒ^9a〜Ｒ⁹ⁱのうち、式Ｗで表される置換基は、１〜４個であることが、キャリア移動度を高め、有機溶媒への溶解性を高める観点から好ましく、１又は２個であることがより好ましく、２個であることが特に好ましい。
Ｒ^9a〜Ｒ⁹ⁱのうち、式Ｗで表される基の位置に特に制限はないが、Ｒ^9b又はＲ^9fであることが、キャリア移動度を高め、有機溶媒への溶解性を高める観点から好ましく、Ｒ^9b及びＲ^9fがより好ましい。
また、式９のＲ^9a〜Ｒ⁹ⁱのうち、式Ｗで表される基以外の置換基は、０〜４個であることが好ましく、０〜２個であることがより好ましく、０又は１個であることが特に好ましく、０個であることがより特に好ましい。

−式１０で表される化合物−

式１０中、Ｒ^10a〜Ｒ^10hはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ^10a〜Ｒ^10hのうち少なくとも１つは式Ｗで表される基を表す。なお、Ｒ^10a〜Ｒ^10hで表される置換基としては、上述した置換基Ｘが挙げられる。また、式Ｗで表される置換基の定義は、上述の通りである。
中でも、Ｒ^10a〜Ｒ^10hはそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子又は置換基を表し、Ｒ^10a〜Ｒ^10hのうち少なくとも１つは、置換若しくは無置換のアリールチオ基、置換若しくは無置換のヘテロアリールチオ基、置換若しくは無置換のアルキルオキシカルボニル基、置換若しくは無置換のアリールオキシカルボニル基又は置換若しくは無置換のアルキルアミノ基であることが好ましい。
式１０のＲ^10a〜Ｒ^10hは、Ｒ^10b及びＲ^10fのうち少なくとも１つが、置換若しくは無置換のアリールチオ基、置換若しくは無置換のヘテロアリールチオ基、置換若しくは無置換のアルキルオキシカルボニル基、置換若しくは無置換のアリールオキシカルボニル基又は置換若しくは無置換のアルキルアミノ基であることが好ましく、置換若しくは無置換のアリールチオ基、又は、置換若しくは無置換のヘテロアリールチオ基であることがより好ましく、Ｒ^10b及びＲ^10fのいずれもが、置換若しくは無置換のアリールチオ基、又は、置換若しくは無置換のヘテロアリールチオ基であることが更に好ましく、置換若しくは無置換のフェニルチオ基又は下記群Ａから選ばれるヘテロアリールチオ基であることが特に好ましく、置換若しくは無置換のフェニルチオ基又は下記式Ａ−１７、式Ａ−１８、式Ａ−２０で表されるヘテロアリールチオ基であることが最も好ましい。

アリールチオ基としては、炭素数６〜２０のアリール基に硫黄原子が連結した基が好ましく、ナフチルチオ基又はフェニルチオ基がより好ましく、フェニルチオ基が特に好ましい。
ヘテロアリールチオ基としては、３〜１０員環のヘテロアリール基に硫黄原子が連結した基が好ましく、５又は６員環のヘテロアリール基に硫黄原子が連結した基がより好ましく、下記群Ａが特に好ましい。

群Ａ中、Ｒ”及びＲ”^Nはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表す。
群Ａ中、Ｒ”はそれぞれ独立に、水素原子又は式Ｗで表される基を表すことが好ましい。
群Ａ中、Ｒ”^Nは、置換基を表すことが好ましく、アルキル基、アリール基、又は、ヘテロアリール基がより好ましく、アルキル基、アルキル基で置換されたアリール基、又は、アルキル基で置換されたヘテロアリール基が更に好ましく、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜４のアルキル基で置換されたフェニル基、又は、炭素数１〜４のアルキル基で置換された５員のヘテロアリール基が特に好ましい。

アルキルオキシカルボニル基としては、炭素数１〜２０のアルキル基にカルボニル基が連結した基が好ましい。アルキル基の炭素数は、２〜１５がより好ましく、５〜１０が特に好ましい。

アリールオキシカルボニル基としては、炭素数６〜２０のアリール基にカルボニル基が連結した基が好ましい。アリール基の炭素数は、６〜１５がより好ましく、８〜１２が特に好ましい。

アルキルアミノ基としては、炭素数１〜２０のアルキル基にアミノ基が連結した基が好ましい。アルキル基の炭素数は、２〜１５がより好ましく、５〜１０が特に好ましい。
Ｒ^10a〜Ｒ^10hのうち、置換若しくは無置換のアリールチオ基、置換若しくは無置換のヘテロアリールチオ基、置換若しくは無置換のアルキルオキシカルボニル基、置換若しくは無置換のアリールオキシカルボニル基又は置換若しくは無置換のアルキルアミノ基以外の置換基（以下、他の置換基ともいう。）は、０〜４個であることが好ましく、０〜２個であることがより好ましく、０又は１個であることが特に好ましく、０個であることがより特に好ましい。

Ｘ^10a及びＸ^10bはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子、Ｓｅ原子又はＮＲ^x（＞Ｎ−Ｒ^x）を表す。Ｘ^10a及びＸ^10bのうち少なくとも１つがＳ原子であることが、キャリア移動度を高める観点から好ましい。Ｘ^10a及びＸ^10bは、同じ連結基であることが好ましい。Ｘ^10a及びＸ^10bは、いずれもＳ原子であることがより好ましい。
Ｒ^xはそれぞれ独立に、水素原子又は式Ｗで表される基を表す。式Ｗで表される基の定義は上述の通りである。

−式１１で表される化合物−

式１１中、Ｘ^11a及びＸ^11bはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子、Ｓｅ原子又はＮＲ¹¹ⁿを表し、Ｒ^11a〜Ｒ^11k、Ｒ^11m及びＲ¹¹ⁿはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ^11a〜Ｒ^11k、Ｒ^11m及びＲ¹¹ⁿのうち少なくとも１つは、式Ｗで表される基を表す。置換基としては、上述した置換基Ｘが挙げられる。式Ｗで表される置換基の定義は、上述の通りである。

式１１中、Ｘ^11a及びＸ^11bのうち少なくとも１つがＳ原子であることが、キャリア移動度を高める観点から好ましい。Ｘ^11a及びＸ^11bは、同じ連結基であることが好ましい。Ｘ^11a及びＸ^11bはいずれもＳ原子であることがより好ましい。
式１１のＲ^11a〜Ｒ^11k及びＲ^11mは、Ｒ^11c及びＲ¹¹ⁱのうち少なくとも１つが、置換若しくは無置換のアルキル基、置換若しくは無置換のアリールチオ基、置換若しくは無置換のヘテロアリールチオ基、置換若しくは無置換のアルキルオキシカルボニル基、置換若しくは無置換のアリールオキシカルボニル基又は置換若しくは無置換のアルキルアミノ基であることが好ましく、置換若しくは無置換のアルキル基であることがより好ましく、Ｒ^11c及びＲ¹¹ⁱのいずれもが、置換若しくは無置換のアルキル基であることが更に好ましい。

−式１２で表される化合物−

式１２中、Ｘ^12a及びＸ^12bはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子、Ｓｅ原子又はＮＲ¹²ⁿを表し、Ｒ^12a〜Ｒ^12k、Ｒ^12m及びＲ¹²ⁿはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ^12a〜Ｒ^12k、Ｒ^12m及びＲ¹²ⁿのうち少なくとも１つは式Ｗで表される基を表す。置換基としては、上述した置換基Ｘが挙げられる。式Ｗで表される置換基の定義は、上述の通りである。

式１２中、Ｘ^12a及びＸ^12bのうち少なくとも１つがＳ原子であることが、キャリア移動度を高める観点から好ましい。Ｘ^12a及びＸ^12bは、同じ連結基であることが好ましい。Ｘ^12a及びＸ^12bはいずれもＳ原子であることがより好ましい。
式１２のＲ^12a〜Ｒ^12k及びＲ^12mは、Ｒ^12c及びＲ¹²ⁱのうち少なくとも１つが、置換若しくは無置換のアルキル基、置換若しくは無置換のアリールチオ基、置換若しくは無置換のヘテロアリールチオ基、置換若しくは無置換のアルキルオキシカルボニル基、置換若しくは無置換のアリールオキシカルボニル基又は置換若しくは無置換のアルキルアミノ基であることが好ましく、置換若しくは無置換のアルキル基であることがより好ましく、Ｒ^12c及びＲ¹²ⁱのいずれもが、置換又は無置換のアルキル基であることが更に好ましい。

−式１３で表される化合物−

式１３中、Ｘ^13a及びＸ^13bはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子、Ｓｅ原子又はＮＲ¹³ⁿを表し、Ｒ^13a〜Ｒ^13k、Ｒ^13m及びＲ¹³ⁿはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ^13a〜Ｒ^13k、Ｒ^13m及びＲ¹³ⁿのうち少なくとも１つは、式Ｗで表される基を表す。置換基としては、上述した置換基Ｘが挙げられる。式Ｗで表される基の定義は、上述の通りである。

式１３中、Ｘ^13a及びＸ^13bのうち少なくとも１つがＳ原子であることが、キャリア移動度を高める観点から好ましい。Ｘ^13a及びＸ^13bは、同じ連結基であることが好ましい。Ｘ^13a及びＸ^13bはいずれもＳ原子であることがより好ましい。
式１３のＲ^13a〜Ｒ^13k及びＲ^13mは、Ｒ^13c及びＲ¹³ⁱのうち少なくとも１つが、置換若しくは無置換のアルキル基、置換若しくは無置換のアリールチオ基、置換若しくは無置換のヘテロアリールチオ基、置換若しくは無置換のアルキルオキシカルボニル基、置換若しくは無置換のアリールオキシカルボニル基又は置換若しくは無置換のアルキルアミノ基であることが好ましく、置換若しくは無置換のアルキル基であることがより好ましく、Ｒ^13c及びＲ¹³ⁱのいずれもが、置換若しくは無置換のアルキル基であることが更に好ましい。

−式１４で表される化合物−

式１４中、Ｘ^14a〜Ｘ^14cはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子、Ｓｅ原子又はＮＲ¹⁴ⁱを表し、Ｒ^14a〜Ｒ¹⁴ⁱはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ^14a〜Ｒ¹⁴ⁱのうち少なくとも１つは、式Ｗで表される基を表す。置換基としては、上述した置換基Ｘが挙げられる。式Ｗで表される基の定義は、上述の通りである。
なお、Ｒ^14a〜Ｒ^14hの少なくとも１つが式Ｗで表される基であり、Ｒ^Wがアルキル基である場合には、Ｌ^Wは式Ｌ−２〜式Ｌ−２５のいずれかで表される基であることが好ましい。

式１４中、Ｘ^14a〜Ｘ^14cのうち少なくとも１つがＳ原子であることが、キャリア移動度を高める観点から好ましい。Ｘ^14a〜Ｘ^14cは、同じ連結基であることが好ましい。Ｘ^14a〜Ｘ^14cはいずれもＳ原子であることがより好ましい。
Ｒ^Wがアルキル基である場合のＬ^Wとしては、式Ｌ−２〜式Ｌ−５、式Ｌ−１３、式Ｌ−１７、又は、式Ｌ−１８のいずれかで表される基が好ましく、式Ｌ−３、式Ｌ−１３、又は、式Ｌ−１８のいずれかで表される基がより好ましい。
式１４のＲ^14a〜Ｒ^14hは、Ｒ^14b及びＲ^14gのうち少なくとも１つが、式Ｗで表される基であることが好ましく、Ｒ^14b及びＲ^14gのいずれもが、式Ｗで表される基であることがより好ましい。

−式１５で表される化合物−

式１５中、Ｘ^15a〜Ｘ^15dはそれぞれ独立にＳ原子、Ｏ原子、Ｓｅ原子又はＮＲ^15gを表し、Ｒ^15a〜Ｒ^15gはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ^15a〜Ｒ^15gのうち少なくとも１つは、式Ｗで表される基を表す。置換基としては、上述した置換基Ｘが挙げられる。式Ｗで表される基の定義は、上述の通りである。

式１５中、Ｘ^15a〜Ｘ^15dのうち少なくとも１つがＳ原子であることが、キャリア移動度を高める観点から好ましい。Ｘ^15a〜Ｘ^15dは、同じ連結基であることが好ましい。Ｘ^15a〜Ｘ^15dはいずれもＳ原子であることがより好ましい。
式１５のＲ^15a〜Ｒ^15fは、Ｒ^15b及びＲ^15eのうち少なくとも１つが、式Ｗで表される基であることが好ましく、Ｒ^15b及びＲ^15eのいずれもが、式Ｗで表される基であることがより好ましい。

−式１６で表される化合物−

式１６中、Ｘ^16a〜Ｘ^16dはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子、Ｓｅ原子又はＮＲ^16gを表す。Ｒ^16a〜Ｒ^16gはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ^16a〜Ｒ^16gのうち少なくとも１つは、式Ｗで表される基を表す。置換基としては、上述した置換基Ｘが挙げられる。式Ｗで表される基の定義は、上述の通りである。
なお、Ｒ^16c及びＲ^16fは、水素原子、ハロゲン原子又は式Ｗで表される基（ただし、Ｌ^Wは、式Ｌ−３、式Ｌ−５、式Ｌ−７〜式Ｌ−９、式Ｌ−１２〜式Ｌ−２４のいずれかで表される基である。）であることが好ましい。Ｒ^16a、Ｒ^16b、Ｒ^16d、Ｒ^16e及びＲ^16gはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表すことが好ましい。
なお、式１６において、Ｌ^Wは、式Ｌ−３、式Ｌ−５、式Ｌ−７〜式Ｌ−９、式Ｌ−１２〜式Ｌ−２４のいずれかで表される基であり、Ｒ^16c及びＲ^16fが式Ｗで表される基の場合、式Ｌ−３、式Ｌ−５、式Ｌ−１３、式Ｌ−１７、式Ｌ−１８のいずれかで表される基であることが好ましい。

式１６中、Ｘ^16a〜Ｘ^16dのうち少なくとも１つがＳ原子であることが、キャリア移動度を高める観点から好ましい。Ｘ^16a〜Ｘ^16dは、同じ連結基であることが好ましい。Ｘ^16a〜Ｘ^16dはいずれもＳ原子であることがより好ましい。
式１６のＲ^16a〜Ｒ^16fは、Ｒ^16a及びＲ^16dのうち少なくとも１つが、式Ｗで表される基であることが好ましく、Ｒ^16a及びＲ^16dのいずれもが、式Ｗで表される基であることがより好ましい。
また、Ｒ^16c及びＲ^16fは、水素原子であることが好ましい。

成分Ａは、上記縮合多環芳香族基における縮合多環芳香環上に、アルキル基を有することが好ましく、炭素数６〜２０のアルキル基を有することがより好ましく、炭素数７〜１４のアルキル基を有することが更に好ましい。上記態様であると、得られる有機半導体の移動度及び熱安定性により優れる。
また、成分Ａは、上記縮合多環芳香族基における縮合多環芳香環上に、１つ以上のアルキル基を有することが好ましく、２〜４つのアルキル基を有することがより好ましく、２つのアルキル基を有することが更に好ましい。上記態様であると、得られる有機半導体の移動度及び熱安定性により優れる。

成分Ａの分子量は、特に制限されないが、分子量が３，０００以下であることが好ましく、２，０００以下であることがより好ましく、１，０００以下であることが更に好ましく、８５０以下であることが特に好ましい。分子量を上記上限値以下とすることにより、溶媒への溶解性を高めることができる。一方で、薄膜の膜質安定性の観点からは、分子量は３００以上であることが好ましく、３５０以上であることがより好ましく、４００以上であることが更に好ましい。

成分Ａの合成方法は、特に制限されず、公知の方法を参照して合成できる。上記式１〜式１６で表される化合物の合成方法としては、例えば、Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｍｅｒｉｃａｎ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｓｏｃｉｅｔｙ，１１６， ９２５（１９９４）、Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｓｏｃｉｅｔｙ， ２２１（１９５１）、Ｏｒｇ．Ｌｅｔｔ．，２００１，３，３４７１、Ｍａｃｒｏｍｏｌｅｃｕｌｅｓ，２０１０，４３，６２６４、Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ，２００２，５８，１０１９７、特表２０１２−５１３４５９号公報、特開２０１１−４６６８７号公報、Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｒｅｓｅａｒｃｈ．ｍｉｎｉｐｒｉｎｔ，３，６０１−６３５（１９９１）、Ｂｕｌｌ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．Ｊａｐａｎ，６４，３６８２−３６８６（１９９１）、Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ Ｌｅｔｔｅｒｓ，４５，２８０１−２８０３（２００４）、欧州特許公開第２２５１３４２号明細書、欧州特許公開第２３０１９２６号明細書、欧州特許公開第２３０１９２１号明細書、韓国特許公開第１０−２０１２−０１２０８８６号公報、Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．，２０１１，６９６、Ｏｒｇ．Ｌｅｔｔ．，２００１，３，３４７１、Ｍａｃｒｏｍｏｌｅｃｕｌｅｓ，２０１０，４３，６２６４、Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．，２０１３，７８，７７４１、Ｃｈｅｍ．Ｅｕｒ．Ｊ．，２０１３，１９，３７２１、Ｂｕｌｌ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．Ｊｐｎ．，１９８７，６０，４１８７、Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，２０１１，１３３，５０２４、Ｃｈｅｍ．Ｅｕｒ．Ｊ．２０１３，１９，３７２１、Ｍａｃｒｏｍｏｌｅｃｕｌｅｓ，２０１０，４３，６２６４−６２６７、Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，２０１２，１３４，１６５４８−１６５５０などが挙げられる。

なお、有機半導体における移動度の観点から、成分Ａは、式１〜式９、式１４、又は、式１５のいずれかで表される化合物を少なくとも１種含むことが好ましい。

以下に成分Ａの好ましい具体例を示すが、これらに限定されないことはいうまでもない。

＜成分Ｂ：バインダーポリマー＞
本発明の有機半導体膜形成用組成物は、成分Ｂとして、バインダーポリマーを含む。

成分Ｂとしては、ポリスチレン（ＰＳ）、ポリ（α−メチルスチレン）（ＰαＭＳ）、ポリ（メチルメタクリレート）（ＰＭＭＡ）、ポリビニルフェノール（ＰＶＰ）、ポリ（ビニルアルコール）（ＰＶＡ）、ポリ（ビニルアセテート）（ＰＶＡｃ）、ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）、ポリビニリデンフルオライド（ＰＶＤＦ）、シアノエチルプルラン（ＣＹＰＥＬ）、ポリ（ジビニルテトラメチルジシロキサン−ビス（ベンゾシクロブテン））（ＢＣＢ）、などが挙げられるが、これらに限定されない。

〔ブロック共重合体〕
成分Ｂとしては、ブロック共重合体を含んでもよい。ブロック共重合体がラメラ相分離を起こすことにより、有機半導体の結晶粒径を大きくすることができ、結晶配向性も高めることができる。
ラメラ相分離とは、ブロック共重合体が層の平面に沿って線状に相分離した形態である。線状とは、直線状であっても曲線状であっても構わない。
また、本命最初においてブロック共重合体というときは、無置換のブロック共重合体と、置換基を有するブロック共重合体とを包含する。ここで、置換基は、ブロック共重合体の分子鎖を形成する主鎖に有していても、主鎖から枝分かれしている側鎖に有していてもよい。
したがって、例えば、α−メチルスチレンはスチレンの主鎖メチル置換体であるが、上記考えに基づき、スチレンを有するブロック共重合体には、α−メチルスチレンを有するブロック共重合体が好ましく包含される。

ブロック共重合体を構成するブロックは２種類であってもよく、３種類以上であってもよい。ブロック共重合体を構成する複数種類のブロックは、ラメラ相分離が起こる組み合わせであれば特に限定されるものではないが、互いに非相溶であるブロック同士の組み合わせであることが好ましい。例えば、ブロック共重合体を構成するブロックが２種類である場合、２種類のブロックの溶解性パラメータ（ＳＰ値）の差の絶対値は、０．５〜４．０ＭＰａ^１／２であることが好ましく、０．５〜３．０ＭＰａ^１／２であることがより好ましい。ＳＰ値については、後述する成分Ｃの説明におけるＳＰ値と同様である。
本明細書において、ブロック共重合体の特定ブロックのＳＰ値は、当該特定ブロック（換言すれば特定の繰り返し単位のみからなるホモポリマー。但しモノマー成分の一部に後述の架橋性基が導入されていてもよい。）を構成する繰り返し単位のＳＰ値とする。例えば、ポリスチレンの繰り返し単位（スチレンユニット）のＳＰ値は２０．８ＭＰａ^１／２であり、ポリメタクリル酸メチルの繰り返し単位（メタクリル酸メチルユニット）のＳＰ値は２０．５ＭＰａ^１／２であることから、ポリスチレンとポリメタクリル酸メチルの２つブロックを結合してなる共重合体の、ブロック間のＳＰ値の差の絶対値は０．３ＭＰａ^１／２となる。
なお、特定ブロックのＳＰ値の算出にあたり、特定ブロックが後述する架橋性基を有するモノマー成分を有する場合、この架橋性基を有するモノマー単位はないものとして扱う。すなわち、特定ブロックが架橋性基を有するモノマー単位を有する場合、この特定ブロックは、架橋性基を有するモノマー単位を除いたモノマー単位から構成された繰り返し単位からなるブロックとしてＳＰ値を算出する。

ブロック共重合体を構成する各ブロックの質量比に特に制限はないが、２種類のブロックで構成されるブロック共重合体においては、各ブロックの数平均分子量の比が２５：７５〜７５：２５であることが好ましく、４０：６０〜６０：４０であることがより好ましく、４５：５５〜５５：４５であることが更に好ましい。こうすることで、好ましい相分離形態であるラメラ相分離構造をより確実に、より効率的に形成することができる。

本発明に用いるブロック共重合体は、それを構成するモノマー成分の一部に架橋性基が導入されていることも好ましい。架橋性基はブロック共重合体に架橋構造を導入することができれば特に制限はなく、例えば、エポキシ基及びオキセタン基から選ばれる基を好適に用いることができる。この場合において、ブロック共重合体は、好ましくは酸触媒（例えばジフェニルヨードニウムヘキサフルオロホスフェート等の熱酸発生剤）や硬化剤（活性水素を２つ以上有する化合物、例えば、ジアミン、ジカルボン酸、ビスフェノール）の存在下で加熱等することで橋架け構造を形成する。したがって、ブロック共重合体層をミクロ相分離させるための加熱時に、同時に架橋構造を形成させることができる。
ミクロ相分離層を形成するブロック共重合体が架橋構造を有することで耐溶剤性が向上するため、その上に有機半導体層を塗布、成膜する際に、塗布液を構成する溶剤の影響を受けにくくなり、有機半導体素子の製造効率や性能安定性がより向上する。
ミクロ相分離層を形成するブロック共重合体が架橋構造を有する場合、ブロック共重合体を構成する全モノマー成分の総モル量中、架橋性基含有モノマー成分の量が１〜２０モル％であることが好ましく、１〜１０モル％であることがより好ましい。

本発明に用いるブロック共重合体としては、例えば、スチレン又はスチレン誘導体をモノマー成分とする繰り返し単位からなるブロックと、（メタ）アクリル酸エステルをモノマー成分とする繰り返し単位からなるブロックとを結合してなるブロック共重合体；スチレン又はスチレン誘導体をモノマー成分とする繰り返し単位からなるブロックと、ポリシロキサン又はポリシロキサン誘導体からなるブロックとを結合してなるブロック共重合体；及びポリアルキレンオキシドからなるブロックと、（メタ）アクリル酸エステルをモノマー成分とする繰り返し単位からなるブロックとを結合してなるブロック共重合体が挙げられる。

本発明に用いるブロック共重合体のモノマー成分となる（メタ）アクリル酸エステルとしては、（メタ）アクリル酸アルキルエステル及び（メタ）アクリル酸ヒドロキシアルキルエステルから選ばれるものが好ましい。上記（メタ）アクリル酸アルキルエステルのアルキル基は、炭素数１〜１０のアルキル基であることが好ましい。このアルキル基は直鎖状、分岐鎖状、又は環状のいずれであってもよい。また、上記（メタ）アクリル酸ヒドロキシアルキルエステルのヒドロキシアルキル基は、その炭素数が１〜１０であることが好ましい。
上記（メタ）アクリル酸エステルの具体例として、例えば（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸エチル、（メタ）アクリル酸プロピル、（メタ）アクリル酸シクロヘキシル、（メタ）アクリル酸オクチル、（メタ）アクリル酸ノニル、（メタ）アクリル酸ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸ベンジル、（メタ）アクリル酸アントラセニル、（メタ）アクリル酸グリシジル、（メタ）アクリル酸３，４−エポキシシクロヘキシルメチル、及び（メタ）アクリル酸３−（トリメトキシシリル）プロピルが挙げられる。

上記スチレン誘導体としては、例えば、２−メチルスチレン、３−メチルスチレン、４−メチルスチレン、４−ｔ−ブチルスチレン、４−ｎ−オクチルスチレン、２，４，６−トリメチルスチレン、４−メトキシスチレン、４−ｔ−ブトキシスチレン、４−ヒドロキシスチレン、４−ニトロスチレン、３−ニトロスチレン、４−クロロスチレン、４−フルオロスチレン、４−アセトキシビニルスチレン、４−ビニルベンジルクロリド、１−ビニルナフタレン、４−ビニルビフェニル、９−ビニルアントラセン、及びα−メチルスチレンが挙げられる。

上記ポリシロキサン誘導体としては、例えば、ジメチルポリシロキサン、ジエチルポリシロキサン、ジフェニルポリシロキサン、及びメチルフェニルポリシロキサンが挙げられる。

上記ポリアルキレンオキシドとしては、例えばポリエチレンオキシド、ポリプロピレンオキシド、ポリイソプロピレンオキシド、及びポリブチレンオキシドが挙げられる。

本発明に用いるブロック共重合体の好ましい例として、例えば以下に示すブロック共重合体を挙げることができる。
スチレン−アルキル（メタ）アクリレートブロック共重合体（アルキル（メタ）アクリレートのアルキル基の炭素数は１〜１２が好ましく、１〜８がより好ましく、１〜４が更に好ましい。）、
スチレン−（メタ）アクリル酸ブロック共重合体、
スチレン−ジアルキルシロキサンブロック共重合体（ジアルキルシロキサンのアルキル基の炭素数は１〜１２が好ましく、１〜８がより好ましく、１〜４が更に好ましい。）、
スチレン−アルキルアリールシロキサンブロック共重合体（アルキルアリールシロキサンのアルキル基の炭素数は１〜１２が好ましく、１〜８がより好ましく、１〜４が更に好ましい。また、ポリアルキルアリールシロキサンのアリール基の炭素数は６〜２０が好ましく、６〜１５がより好ましく、６〜１２が更に好ましく、フェニル基であることが更に好ましい。）、
スチレン−ジアリールシロキサンブロック共重合体（ジアリールシロキサンのアリール基の炭素数は６〜２０が好ましく、６〜１５がより好ましく、６〜１２が更に好ましく、フェニル基であることが更に好ましい。）、
スチレン−ＰＯＳＳ置換アルキル（メタ）アクリレートブロック共重合体（ＰＯＳＳ置換アルキル（メタ）アクリレートのアルキル基の炭素数は１〜１２が好ましく、１〜８がより好ましく、１〜４が更に好ましい。）、
アルキル（メタ）アクリレート−ＰＯＳＳ置換アルキル（メタ）クリレートブロック共重合体（アルキル（メタ）アクリレート及びＰＯＳＳ置換アルキル（メタ）アクリレートのアルキル基の炭素数は１〜１２が好ましく、１〜８がより好ましく、１〜４が更に好ましい。）、
スチレン−ビニルピリジンブロック共重合体、
スチレン−ヒドロキシスチレンブロック共重合体、
スチレン−エチレンオキシドブロック共重合体、
ビニルナフタレン−アルキル（メタ）アクリレートブロック共重合体。
上記「ＰＯＳＳ」とは、シルセスキオキサンである。すなわち、本発明に用いるブロック共重合体は、特開２０１２−０３６０７８号公報等に記載のシルセスキオキサン構造を有する共重合体であることも好ましい。
また、上記の好ましい例として挙げた各ブロック共重合体には、そのブロックを構成するモノマー成分の一部に上述の架橋性基（好ましくはエポキシ基又はオキセタン基）を有する形態も含まれる。

ブロック共重合体は市販品（ポリマーソース社等製のもの）を使用してもよいし、ラジカル重合やアニオン重合による公知の方法で合成してもよい。
本発明に用いるブロック共重合体の重量平均分子量（Ｍｗ）は、３，０００〜３００，０００であることが好ましく、５，０００〜１００，０００であることがより好ましく、８，０００〜７０，０００であることが更に好ましい。
また、本発明に用いるブロック共重合体の数平均分子量（Ｍｎ）は、１００，０００以下であることが好ましく、５０，０００以下であることがより好ましく、２５，０００以下であることが更に好ましく、２０，０００以下であることが特に好ましい。ブロック共重合体のＭｎが小さいほどラメラ相分離層のピッチを小さくすることができる。ラメラ相分離層のピッチを小さくするほど、その上に設けられる有機半導体の結晶粒径を大きくすることができ、結晶配向性も向上する。したがって、移動度をより向上させることができる。また、本発明に用いるブロック共重合体のＭｎは３，０００以上であることが好ましく、５，０００以上であることがより好ましく、６，０００以上であることが更に好ましい。
本発明に用いるブロック共重合体の分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）は、１．０〜１．５であることが好ましく、更に１．２以下であることがより好ましく、１．０〜１．２であることが更に好ましく、１．０〜１．１５であることが更に好ましい。相分離構造を形成しやすい等の観点から、本発明に用いるブロック共重合体の分散度は１．１５以下であることが更に好ましく、１．１０以下であることが更に好ましい。

〔天然ゴム、合成ゴム、シリコーン樹脂、熱可塑性エラストマー及び尿素樹脂〕
成分Ｂとしては、天然ゴム、合成ゴム、シリコーン樹脂、熱可塑性エラストマー及び尿素樹脂よりなる群から選ばれた少なくとも１種の樹脂であることが好ましく、エチレン−プロピレンゴム、アクリロニトリル−ブタジエンゴム、水素化されたニトリルゴム、フッ素ゴム、パーフルオロエラストマー、テトラフルオロエチレンプロピレン共重合体、エチレン−プロピレン−ジエン共重合体、スチレン−ブタジエンゴム、ポリクロロプレン、ポリネオプレン、ブチルゴム、メチル・フェニルシリコーン樹脂、メチル・フェニルビニル・シリコーン樹脂、メチル・ビニル・シリコーン樹脂、フルオロシリコーン樹脂、アクリルゴム、エチレンアクリルゴム、クロロスルホン化ポリエチレン、クロロポリエチレン、エピクロロヒドリン共重合体、ポリイソプレン−天然ゴム共重合体、ポリイソプレンゴム、スチレン−イソプレンブロック共重合体、ポリエステルウレタン共重合体、ポリエーテルウレタン共重合体、ポリエーテルエステル熱可塑性エラストマー及びポリブタジエンゴムよりなる群から選択された少なくとも１種であることがより好ましく、エチレン−プロピレンゴム、エチレン−プロピレン−ジエン共重合体、ポリエーテルエステル熱可塑性エラストマー、スチレン−イソプレンブロック共重合体、スチレン−ブタジエンゴム及びブチルゴムよりなる群から選ばれた少なくとも１種の樹脂であることが更に好ましく、エチレン−プロピレンゴム、エチレン−プロピレン−ジエン共重合体又はポリエーテルエステル熱可塑性エラストマーであることがより更に好ましく、エチレン−プロピレンゴム又はエチレン−プロピレン−ジエン共重合体であることが特に好ましく、エチレン−プロピレンゴムが最も好ましい。上記態様であると、得られる有機半導体の移動度及び熱安定性により優れる。
エチレン−プロピレン−ジエン共重合体の合成に用いられるジエンとしては、特に制限はないが、５−エチリデン−２−ノルボルネン（ＥＮＢ）、ジシクロペンタジエン（ＤＣＰＤ）、及び、１，４−ヘキサジエン（ＨＤ）が好ましく挙げられ、５−エチリデン−２−ノルボルネンがより好ましく挙げられる。

成分Ｂのガラス転移温度（Ｔｇ）は、０℃以下であることが好ましく、−１００℃以上−３０℃以下であることがより好ましく、−９０℃以上−３５℃以下であることが更に好ましく、−８０℃以上−４０℃以下であることが特に好ましく、−７０℃以上−４５℃以下であることが最も好ましい。上記範囲であると、得られる有機半導体の移動度及び熱安定性により優れる。
本発明におけるポリマーのガラス転移温度（Ｔｇ）は、ポリマー粒子の水分散物を加熱、乾固したものを示差走査熱量測定（Differential scanning Calorimetry；ＤＳＣ）により測定される値である。
例えば、示差走査熱量計（（株）マックサイエンス製：ＤＳＣ３１１０、熱分析システム００１）を用いて、昇温速度５℃／分の条件で測定し、得られたチャートのＴｇに相当する吸熱点の低温側の肩の温度をＴｇとすることができる。

成分Ｂの弾性回復率は、３０％以下であることが好ましく、１％以上２５％以下であることがより好ましく、１％以上２２％以下であることが更に好ましく、１％以上２０％以下であることが特に好ましい。上記範囲であると、得られる有機半導体膜の熱安定性により優れる。弾性回復率が上記範囲にあるポリマーを使用することで加熱時において有機半導体の熱膨張に追随してポリマーも膨張するが、冷却時に収縮することがないため、応力を緩和していると推定している。

本発明におけるポリマーの弾性回復率は、以下から得られる値を意味する。
弾性回復率は、押し込み硬度試験によって測定する。圧子として対面角１１５°のダイヤモンド製三角錐圧子（ベルコビッチ圧子）を試料表面に押し込み、このときにかかる荷重と変位の関係を求める。具体的な測定手法としては、フィッシャー・インスツルメンツ社製ＨＭ−２０００型硬度計を用い、ガラス上に塗布したサンプルに対し、１０秒間かけて最大荷重５ｍＮまで押し込み、５秒間保持する。このときの押し込みになされた全仕事量をＷｔ（Ｎ・ｍ）とする。その後、１０秒かけて荷重を開放し、弾性変形で回復した仕事量をＷｅ（Ｎ・ｍ）とする。この仕事量の比で表されるＷｅ／Ｗｔを弾性回復率（％）とする。

成分Ｂの表面エネルギーは、３０ｍＮ／ｍ²以下であることが好ましく、１０ｍＮ／ｍ²以上３０ｍＮ／ｍ²以下であることがより好ましく、１５ｍＮ／ｍ²以上３０ｍＮ／ｍ²以下であることが更に好ましく、２０ｍＮ／ｍ²以上３０ｍＮ／ｍ²以下であることが特に好ましい。上記範囲であると、得られる有機半導体膜の熱安定性により優れる。
メカニズムについては定かではないが、表面エネルギーがこの範囲にあることで有機半導体と基板との、有機半導体と電極との密着性が共に良好になるためと推定している。
本発明におけるポリマーの表面エネルギーは、以下から得られる値を意味する。
まず、ポリマー１％溶液を硝子基板上に滴下し、スピンコート（１，０００ｒｐｍ、１２０秒）によりコートし、１５０℃／３０分加熱し、ポリマー膜を得る。
次いで、接触角測定（例えば、協和界面科学（株）製、接触角計ＤＭ−５０１を用いることができる。）として、ポリマー膜の表面に対する水とジヨードメタンの接触角を測定する。
得られた接触角と液体の表面張力値を用い、下記式Ｂ’に示すFowkes式を拡張したOwens式、及び、Young式から表面エネルギー分散成分（γ_S ^d）と極性成分（γ_S ^h）を求め、両者の和を表面エネルギー（γ_S）とした。

γ_S＝γ_S ^d＋γ_S ^h
γ_L：接触媒体の表面張力
γ_L ^d：接触媒体の表面張力分散成分
γ_L ^h：接触媒体の表面張力極性成分
γ_S：表面エネルギー
γ_S ^d：表面エネルギー分散成分
γ_S ^h：表面エネルギー極性成分

成分Ｂの重量平均分子量は、特に制限されないが、１，０００〜２，０００，０００が好ましく、３，０００〜１，０００，０００がより好ましく、５，０００〜６００，０００が更に好ましい。

また、成分Ｂは、得られた有機半導体膜において、成分Ａと成分Ｂとが少なくとも混合されている部分を有することが好ましく、成分Ａの結晶構造部分と、成分Ａと成分Ｂとが少なくとも混合されている部分とを有することがより好ましい。
更に、成分Ｂは、使用する溶媒への溶解度が、成分Ａよりも高いことが好ましい。上記態様であると、得られる有機半導体の移動度及び熱安定性により優れる。
本発明の有機半導体膜形成用組成物における成分Ｂの含有量は、成分Ａの含有量１００質量部に対し、１〜２００質量部であることが好ましく、１０〜１５０質量部であることがより好ましく、２０〜１２０質量部であることが更に好ましい。上記範囲であると、得られる有機半導体の移動度及び熱安定性により優れる。

＜成分Ｃ：ナフタレン構造を有する溶媒＞
本発明の有機半導体膜形成用組成物は、成分Ｃとして、ナフタレン構造を有する溶媒を含む。
成分Ｃとしては、ナフタレン構造を有する限り特に制限されず、公知の溶媒を用いることができる。
成分Ｃとしては、ナフタレンの少なくとも１つの水素原子がメチル基、フェニル基、ニトロ基又はハロゲン原子により置換された化合物が好ましく用いられる。
具体的には、２−イソプロピルナフタレン（沸点２６１℃、ＳＰ値１９．０ＭＰａ^1/2）、１−メチルナフタレン（沸点２０４℃、ＳＰ値２０．０ＭＰａ^1/2）、１−エチルナフタレン（沸点２６０℃、ＳＰ値１９．６ＭＰａ^1/2）、２−エチルナフタレン（沸点２５１℃、ＳＰ値１９．６ＭＰａ^1/2）、１，６−ジメチルナフタレン（沸点２６５℃、ＳＰ値１９．４ＭＰａ^1/2）、１−クロロナフタレン（沸点２５９℃、ＳＰ値２０．８ＭＰａ^1/2）、１−フルオロナフタレン（沸点２１５℃、ＳＰ値２０．３ＭＰａ^1/2）がより好ましく、沸点の高さから、１−クロロナフタレンが更に好ましい。
成分Ｃの沸点は、１７０〜２８０℃であることが好ましく、２００〜２６０℃であることがより好ましい。
成分ＣのＳＰ値は、１８．０〜２２．０ＭＰａ^1/2であることが好ましく、１９．０〜２１．０ＭＰａ^1/2であることがより好ましい
本発明において、「ＳＰ値」とは、「溶解度パラメータの値」を意味する。本発明でいうＳＰ値とは、ハンセン溶解度パラメータ：A User’s Handbook, Second Edition, C. M. Hansen (2007), Taylor and Francis Group, LLC （ＨＳＰｉＰマニュアル）で解説された式によるハンセン溶解度パラメータであり、「実践ハンセン溶解度パラメーターＨＳＰｉＰ第３版」（ソフトウエアーバージョン４．０．０５）を用いて、下記式にてＳＰ値を算出した値を用いている。
(ＳＰ値)²＝ (δＨｄ)²＋(δＨｐ)²＋(δＨｈ)²
Ｈｄ ：分散寄与
Ｈｐ ：極性寄与
Ｈｈ ：水素結合寄与
また、成分Ｃは、１種単独で用いてもよく、複数組み合わせて用いてもよい。

＜成分Ｄ：成分ＣよりもＳＰ値が２．０ＭＰａ^1/2以上小さく、成分Ｃよりも沸点の低い溶媒＞
本発明の有機半導体膜形成用組成物は、成分Ｄとして、成分ＣよりもＳＰ値が２．０ＭＰａ^1/2以上小さく、成分Ｃよりも沸点の低い溶媒を含む。
成分ＤのＳＰ値が成分Ｃよりも小さいことにより、組成物の濡れ性が高くなり、沸点が成分Ｃよりも低いことにより、有機半導体素子の形成の際には成分Ｃよりも先に揮発すると考えられ、そのため、有機半導体素子の移動度が高くなると推測している。
成分Ｄとしては、炭素数６〜２０のアルカン又はシクロアルカン、若しくは、アルキルベンゼンが好ましい。
アルキルベンゼンとはベンゼン環の一つ以上の水素がアルキル基により置換されたベンゼンをいう。
成分Ｄの具体例としては、ブチルシクロヘキサン（沸点１７８℃、ＳＰ値１６．３ＭＰａ^1/2）、ｃｉｓデカリン（沸点１９５．７℃、ＳＰ値１６．８ＭＰａ^1/2）、メトキシシクロヘキサン（沸点１３５℃、ＳＰ値１７．３ＭＰａ^1/2）、ｍ−ジエチルベンゼン（沸点１８１℃、ＳＰ値１７．７ＭＰａ^1/2）、１，２−ジクロロベンゼン（沸点１８１℃、ＳＰ値１８．４ＭＰａ^1/2）、４−メトキシトルエン（沸点１７５℃、ＳＰ値１９．６ＭＰａ^1/2）、アミルベンゼン（沸点２０５℃、ＳＰ値１７．５ＭＰａ^1/2）等が挙げられ、ｍ−ジエチルベンゼン、アミルベンゼン、ｃｉｓデカリンが好ましい。
また、成分Ｄの沸点は、成分Ｃよりも低ければよいが、成分Ｃよりも５℃以上低いことが好ましく、１０℃以上低いことがより好ましい。
成分Ｄの沸点は、１６０〜２２０℃であることが好ましく、１８０〜２０５℃であることがより好ましい。
成分ＤのＳＰ値は、成分ＣのＳＰ値よりも２．０ＭＰａ^1/2以上小さく、２．３ＭＰａ^1/2以上小さいことが好ましく、３．３ＭＰａ^1/2以上小さいことがより好ましい。
成分ＤのＳＰ値は、１５．０〜２０．０ＭＰａ^1/2であることが好ましく、１６．０〜１８．０ＭＰａ^1/2であることがより好ましい。

成分Ｃと成分Ｄの合計含有量に対する成分Ｄの割合は、５〜５０体積％であることが好ましく、１０〜３０体積％であることがより好ましく、１９〜２５体積％であることが更に好ましい。
なお、成分Ｄの割合は、２５℃における混合前の成分Ｄの体積を、２５℃における混合前の成分Ｃ及び成分Ｄのそれぞれの体積の和で割った値を示している。

＜その他の成分＞
本発明の有機半導体膜形成用組成物には、成分Ａ〜成分Ｄ以外に他の成分が含まれていてもよい。
その他の成分としては、公知の添加剤等を用いることができる。
本発明の有機半導体膜形成用組成物における成分Ａ〜成分Ｄ以外の成分の含有量は、１０質量％以下であることが好ましく、５質量％以下であることが好ましく、１質量％以下であることが更に好ましく、０．１質量％以下であることが特に好ましい。上記範囲であると、膜形成性に優れ、得られる有機半導体の移動度及び熱安定性により優れる。

＜有機半導体組成物の物性＞
本発明の有機半導体膜形成用組成物における成分Ａの含有量は、０．０１〜８０質量％であることが好ましく、０．０５〜１０質量％であることがより好ましく、０．１〜５質量％であることが更に好ましく、また、成分Ｂの含有量は、０．０１〜８０質量％であることが好ましく、０．０２〜１０質量％であることがより好ましく、０．０３〜５質量％であることが更に好ましい。上記範囲であると、塗布性に優れ、容易に有機半導体膜を形成することができる。

本発明の有機半導体膜形成用組成物の粘度は、特に制限されないが、塗布性により優れる点で、３〜１００ｍＰａ・ｓが好ましく、５〜５０ｍＰａ・ｓがより好ましく、９〜４０ｍＰａ・ｓが更に好ましい。なお、本発明における粘度は、２５℃での粘度である。
粘度の測定方法としては、ＪＩＳ Ｚ８８０３に準拠した測定方法であることが好ましい。

本発明の有機半導体膜形成用組成物の製造方法は、特に制限されず、公知の方法を採用できる。例えば、成分Ｃと成分Ｄを混合した溶媒中に所定量の成分Ａ及び成分Ｂを同時又は逐次に添加して、適宜撹拌処理を施すことにより、所望の組成物を得ることができる。

（有機半導体膜及び有機半導体素子）
本発明の有機半導体膜は、縮合多環芳香族基を有し、上記縮合多環芳香族基中の環数が４以上であり、上記縮合多環芳香族基中の少なくとも２つの環が、硫黄原子、窒素原子、セレン原子及び酸素原子よりなる群から選択された少なくとも１つの原子を含み、上記縮合多環芳香族基中の部分構造として、ベンゼン環、ナフタレン環及びフェナントレン環よりなる群から選択された少なくともいずれか１つの構造を含む有機半導体と、バインダーポリマーと、を含むことを特徴とする。
上記有機半導体は、本発明の有機半導体膜形成用組成物における成分Ａと、上記バインダーポリマーは、本発明の有機半導体膜形成用組成物における成分Ｂと、それぞれ同義であり、好ましい態様も同様である。
本発明の有機半導体素子は、縮合多環芳香族基を有し、上記縮合多環芳香族基中の環数が４以上であり、上記縮合多環芳香族基中の少なくとも２つの環が、硫黄原子、窒素原子、セレン原子及び酸素原子よりなる群から選択された少なくとも１つの原子を含み、上記縮合多環芳香族基中の部分構造として、ベンゼン環、ナフタレン環及びフェナントレン環よりなる群から選択された少なくともいずれか１つの構造を含む有機半導体と、バインダーポリマーと、を含むことを特徴とする。
上記有機半導体は、本発明の有機半導体膜形成用組成物における成分Ａと、上記バインダーポリマーは、本発明の有機半導体膜形成用組成物における成分Ｂと、それぞれ同義であり、好ましい態様も同様である。

本発明の第１の実施態様における有機半導体素子は、本発明の有機半導体膜形成用組成物を用いて形成した有機半導体膜を有する有機半導体素子であることが好ましい。第１の実施態様であると、膜形成性に優れ、得られる有機半導体の移動度及び熱安定性により優れる。
本発明の第２の実施態様における有機半導体素子は、上記有機半導体を含む層と絶縁膜との間に上記ポリマーを含む層を有する有機半導体素子である。第２の実施態様であると、生産性及びコストに優れる。
上記第２の実施態様における有機半導体を含む層は、上記有機半導体からなる層であることが好ましい。
また、上記第２の実施態様における絶縁膜は、ゲート絶縁膜であることが好ましい。
更に、上記第２の実施態様におけるポリマーを含む層は、上記ポリマーからなる層であることが好ましい。

本発明の有機半導体膜及び本発明の有機半導体素子は、本発明の有機半導体膜形成用組成物を用いて製造されたものであることが好ましい。
本発明の有機半導体膜形成用組成物を用いて有機半導体膜や有機半導体素子を製造する方法は、特に制限されず、公知の方法を採用できる。例えば、組成物を所定の基材上に付与して、必要に応じて乾燥処理を施して、有機半導体膜を製造する方法が挙げられる。
基材上に組成物を付与する方法は特に制限されず、公知の方法を採用でき、例えば、インクジェット印刷法、フレキソ印刷法、バーコート法、スピンコート法、ナイフコート法、ドクターブレード法などが挙げられ、インクジェット印刷法、フレキソ印刷法が好ましい。
なお、フレキソ印刷法としては、フレキソ印刷版として感光性樹脂版を用いる態様が好適に挙げられる。態様によって、組成物を基板上に印刷して、パターンを容易に形成することができる。
中でも、本発明の有機半導体膜の製造方法、及び、本発明の有機半導体素子の製造方法は、本発明の有機半導体膜形成用組成物を基板上に塗布する塗布工程、を含むことが好ましく、本発明の有機半導体膜形成用組成物が溶媒を含み、本発明の有機半導体膜形成用組成物を基板上に塗布する塗布工程、及び、塗布された組成物から溶媒を除去する除去工程を含むことがより好ましい。

上記除去工程における乾燥処理は、必要に応じて実施される処理であり、使用される成分Ａ及び溶媒の種類により適宜最適な条件が選択される。中でも、得られる有機半導体の移動度及び熱安定性により優れ、また、生産性に優れる点で、加熱温度としては３０℃〜１００℃が好ましく、４０℃〜８０℃がより好ましく、加熱時間としては１０〜３００分が好ましく、３０〜１８０分がより好ましい。

形成される有機半導体膜の膜厚は、特に制限されないが、得られる有機半導体の移動度及び熱安定性の観点から、１０〜５００ｎｍが好ましく、３０〜２００ｎｍがより好ましい。

本発明の組成物より製造される有機半導体膜は、有機半導体素子に好適に使用することができ、有機トランジスタ（有機薄膜トランジスタ）に特に好適に使用することができる。
有機半導体素子としては、特に制限はないが、２〜５端子の有機半導体素子であることが好ましく、２又は３端子の有機半導体素子であることがより好ましい。
また、有機半導体素子としては、光電機能を用いない素子であることが好ましい。
２端子素子としては、整流用ダイオード、定電圧ダイオード、ＰＩＮダイオード、ショットキーバリアダイオード、サージ保護用ダイオード、ダイアック、バリスタ、トンネルダイオード等が挙げられる。
３端子素子としては、バイポーラトランジスタ、ダーリントントランジスタ、電界効果トランジスタ、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ、ユニジャンクショントランジスタ、静電誘導トランジスタ、ゲートターンサイリスタ、トライアック、静電誘導サイリスタ等が挙げられる。
これらの中でも、整流用ダイオード、及び、トランジスタ類が好ましく挙げられ、電界効果トランジスタがより好ましく挙げられる。
電界効果トランジスタとしては、有機薄膜トランジスタが好ましく挙げられる。

本発明の有機薄膜トランジスタの一態様について図面を参照して説明する。
図１は、本発明の有機半導体素子（有機薄膜トランジスタ（ＴＦＴ））の一態様の断面模式図である。
図１において、有機薄膜トランジスタ１００は、基板１０と、基板１０上に配置されたゲート電極２０と、ゲート電極２０を覆うゲート絶縁膜３０と、ゲート絶縁膜３０のゲート電極２０側とは反対側の表面に接するソース電極４０及びドレイン電極４２と、ソース電極４０とドレイン電極４２との間のゲート絶縁膜３０の表面を覆う有機半導体膜５０と、各部材を覆う封止層６０とを備える。有機薄膜トランジスタ１００は、ボトムゲート−ボトムコンタクト型の有機薄膜トランジスタである。
なお、図１においては、有機半導体膜５０が、上述した組成物より形成される膜に該当する。
以下、基板、ゲート電極、ゲート絶縁膜、ソース電極、ドレイン電極、有機半導体膜及び封止層並びにそれぞれの形成方法について詳述する。

＜基板＞
基板は、後述するゲート電極、ソース電極、ドレイン電極などを支持する役割を果たす。
基板の種類は特に制限されず、例えば、プラスチック基板、ガラス基板、セラミック基板などが挙げられる。中でも、各デバイスへの適用性及びコストの観点から、ガラス基板又はプラスチック基板であることが好ましい。
プラスチック基板の材料としては、熱硬化性樹脂（例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂（例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）など）又は熱可塑性樹脂（例えば、フェノキシ樹脂、ポリエーテルスルフォン、ポリスルフォン、ポリフェニレンスルフォンなど）が挙げられる。
セラミック基板の材料としては、例えば、アルミナ、窒化アルミニウム、ジルコニア、シリコン、窒化シリコン、シリコンカーバイドなどが挙げられる。
ガラス基板の材料としては、例えば、ソーダガラス、カリガラス、ホウケイ酸ガラス、石英ガラス、アルミケイ酸ガラス、鉛ガラスなどが挙げられる。

＜ゲート電極、ソース電極、ドレイン電極＞
ゲート電極、ソース電極、ドレイン電極の材料としては、例えば、金（Ａｕ）、銀、アルミニウム（Ａｌ）、銅、クロム、ニッケル、コバルト、チタン、白金、タンタル、マグネシウム、カルシウム、バリウム、ナトリウム等の金属；ＩｎＯ₂、ＳｎＯ₂、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）等の導電性の酸化物；ポリアニリン、ポリピロール、ポリチオフェン、ポリアセチレン、ポリジアセチレン等の導電性高分子；シリコン、ゲルマニウム、ガリウム砒素等の半導体；フラーレン、カーボンナノチューブ、グラファイト等の炭素材料などが挙げられる。中でも、金属であることが好ましく、銀又はアルミニウムであることがより好ましい。
ゲート電極、ソース電極、ドレイン電極の厚みは特に制限されないが、２０〜２００ｎｍであることが好ましい。

ゲート電極、ソース電極、ドレイン電極を形成する方法は特に制限されないが、例えば、基板上に、電極材料を真空蒸着又はスパッタする方法、電極形成用組成物を塗布又は印刷する方法などが挙げられる。また、電極をパターニングする場合、パターニングする方法としては、例えば、フォトリソグラフィー法；インクジェット印刷、スクリーン印刷、オフセット印刷、凸版印刷等の印刷法；マスク蒸着法などが挙げられる。

＜ゲート絶縁膜＞
ゲート絶縁膜の材料としては、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレン、ポリビニルフェノール、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリエステル、ポリビニルアルコール、ポリ酢酸ビニル、ポリウレタン、ポリスルホン、ポリベンゾオキサゾール、ポリシルセスキオキサン、エポキシ樹脂、フェノール樹脂等のポリマー；二酸化珪素、酸化アルミニウム、酸化チタン等の酸化物；窒化珪素等の窒化物などが挙げられる。これらの材料のうち、有機半導体膜との相性から、ポリマーであることが好ましい。
ゲート絶縁膜の材料としてポリマーを用いる場合、架橋剤（例えば、メラミン）を併用するのが好ましい。架橋剤を併用することで、ポリマーが架橋されて、形成されるゲート絶縁膜の耐久性が向上する。
ゲート絶縁膜の膜厚は特に制限されないが、１００〜１，０００ｎｍであることが好ましい。

ゲート絶縁膜を形成する方法は特に制限されないが、例えば、ゲート電極が形成された基板上に、ゲート絶縁膜形成用組成物を塗布する方法、ゲート絶縁膜材料を蒸着又はスパッタする方法などが挙げられる。ゲート絶縁膜形成用組成物を塗布する方法は特に制限されず、公知の方法（バーコート法、スピンコート法、ナイフコート法、ドクターブレード法）を使用することができる。
ゲート絶縁膜形成用組成物を塗布してゲート絶縁膜を形成する場合、溶媒除去、架橋などを目的として、塗布後に加熱（ベーク）してもよい。

＜有機半導体膜＞
本発明の有機半導体膜は、本発明の有機半導体膜形成用組成物より形成される膜である。
有機半導体膜の形成方法は特に制限されず、上述した組成物を、ソース電極、ドレイン電極、及び、ゲート絶縁膜上に付与して、必要に応じて乾燥処理を施すことにより、所望の有機半導体膜を形成することができる。

＜ポリマー層＞
本発明の有機半導体素子は、上記有機半導体を含む層と絶縁膜との間に上記ポリマー層を有することが好ましく、上記有機半導体とゲート絶縁膜との間に上記ポリマー層を有することがより好ましい。上記ポリマー層の膜厚は特に制限されないが、２０〜５００ｎｍであることが好ましい。上記ポリマー層は、上記ポリマーを含む層であればよいが、上記ポリマーからなる層であることが好ましい。

ポリマー層を形成する方法は特に制限されないが、公知の方法（バーコート法、スピンコート法、ナイフコート法、ドクターブレード法、インクジェット法）を使用することができる。
ポリマー層形成用組成物を塗布してポリマー層を形成する場合、溶媒除去、架橋などを目的として、塗布後に加熱（ベーク）してもよい。

＜封止層＞
本発明の有機薄膜トランジスタは、耐久性の観点から、最外層に封止層を備えるのが好ましい。封止層には公知の封止剤を用いることができる。
封止層の厚さは特に制限されないが、０．２〜１０μｍであることが好ましい。

封止層を形成する方法は特に制限されないが、例えば、ゲート電極とゲート絶縁膜とソース電極とドレイン電極と有機半導体膜とが形成された基板上に、封止層形成用組成物を塗布する方法などが挙げられる。封止層形成用組成物を塗布する方法の具体例は、ゲート絶縁膜形成用組成物を塗布する方法と同じである。封止層形成用組成物を塗布して有機半導体膜を形成する場合、溶媒除去、架橋などを目的として、塗布後に加熱（ベーク）してもよい。

また、図２は、本発明の有機半導体素子（有機薄膜トランジスタ）の別の一態様の断面模式図である。
図２において、有機薄膜トランジスタ２００は、基板１０と、基板１０上に配置されたゲート電極２０と、ゲート電極２０を覆うゲート絶縁膜３０と、ゲート絶縁膜３０上に配置された有機半導体膜５０と、有機半導体膜５０上に配置されたソース電極４０及びドレイン電極４２と、各部材を覆う封止層６０を備える。ここで、ソース電極４０及びドレイン電極４２は、上述した本発明の組成物を用いて形成されたものである。有機薄膜トランジスタ２００は、トップコンタクト型の有機薄膜トランジスタである。
基板、ゲート電極、ゲート絶縁膜、ソース電極、ドレイン電極、有機半導体膜及び封止層については、上述のとおりである。

上記では図１及び図２において、ボトムゲート−ボトムコンタクト型の有機薄膜トランジスタ、及び、ボトムゲート−トップコンタクト型の有機薄膜トランジスタの態様について詳述したが、本発明の組成物はトップゲート−ボトムコンタクト型の有機薄膜トランジスタ、及び、トップゲート−トップコンタクト型の有機薄膜トランジスタにも適用できる。
なお、上述した有機薄膜トランジスタは、電子ペーパー、ディスプレイデバイスなどに好適に使用できる。

以下に実施例を挙げて本発明を更に具体的に説明する。以下の実施例に示す材料、使用量、割合、処理内容、処理手順等は、本発明の趣旨を逸脱しない限り、適宜、変更することができる。したがって、本発明の範囲は以下に示す具体例に限定されるものではない。なお、特に断りのない限り、「部」、「％」は質量基準である。
ＳＰ値は、ハンセン溶解度パラメーター：A User’s Handbook, Second Edition, C. M. Hansen (2007), Taylor and Francis Group, LLC （ＨＳＰｉＰマニュアル）で解説された式によるハンセン溶解度パラメーターであり、「実践ハンセン溶解度パラメーターＨＳＰｉＰ第３版」（ソフトウエアーバージョン４．０．０５）を用いて、下式にてＳＰ値を算出した値を用いた。
(ＳＰ値)²＝ (δＨｄ)²＋(δＨｐ)²＋(δＨｈ)²
（式中、Ｈｄは分散寄与を表し、Ｈｐは、極性寄与を表し、Ｈｈは水素結合寄与を表す。）
表面エネルギーは、以下に述べる方法で測定した。各ポリマー１％溶液を硝子基板上に滴下し、スピンコート（１，０００ｒｐｍ、１２０秒）によりコートし、１５０℃／３０分加熱し、ポリマー膜を得た。協和界面科学（株）製、接触角計ＤＭ−５０１を用いて各種ポリマー膜の表面に対する水とジヨードメタンの接触角を測定した。得られた接触角と液体の表面張力値を用い、Fowkes式を拡張したOwens式、及びYoung式から表面エネルギー分散成分（γ_S ^d）と極性成分（γ_S ^h）とを求め、両者の和を表面エネルギー（γ_S）とした。

（実施例１〜３０、及び、比較例１〜７）
＜有機半導体膜形成用組成物の調製＞
表１に記載の成分Ａ〜Ｄを、下記表１に記載の所定比率で硝子バイヤルに秤量し、ミックスローター（アズワン（株）製）で１０分間撹拌混合した。０．５μｍメンブレンフィルターでろ過することで、有機半導体膜形成用組成物を得た。表１中の「−」はその成分を添加しなかったことを意味しており、成分Ａ及び成分Ｂの「濃度」の欄の数値は、組成物全質量に対する各成分の濃度（質量％）を表している。また、「成分Ｄの混合比」は、溶媒に用いた成分Ｃと成分Ｄの体積の合計値に対する成分Ｄの割合（体積％）を表し、「ΔＳＰ」は成分Ｃと成分ＤのＳＰ値の差を表している。

＜ＴＦＴ素子形成＞
以下の要領で、ボトムゲートボトムコンタクトＴＦＴ素子を形成した。

〔ゲート電極形成〕
無アルカリ硝子基板上（５ｃｍ×５ｃｍ）に、銀ナノインク（Ｈ−１、三菱マテリアル（株）製）を、ＤＭＰ２８３１（１ピコリットルヘッド、富士フイルムグラフィックシステムズ（株）製インクジェットプリンター）を用いたインクジェット印刷により、幅１００μｍ、膜厚１００ｎｍの配線パターンを形成し、その後、２００℃９０分間、ホットプレート上、大気下で焼成することで、ゲート電極配線を形成した。

〔ゲート絶縁膜形成〕
ポリビニルフェノール（Ｍｗ２５，０００、アルドリッチ社製）５質量部、及び、メラミン５質量部、ポリエチレングリコールモノメチルエーテルアセテート９０質量部を撹拌混合し、０．２μｍメンブレンフィルターでろ過することで、溶液を作製した。得られた溶液を、上記ゲート電極を作製した硝子基板上に滴下し、スピンコート（１，０００ｒｐｍ、１２０秒）によりコートし、１５０℃／３０分加熱することで、ゲート絶縁膜を形成した。

〔ＳＤ（ソースドレイン）電極形成〕
上記絶縁膜がコートされた基板中央上に、図３に示すパターンを複数個有するメタルマスクを載せ、ＵＶ（紫外線）オゾン３０分照射することで、マスク開口部が親水処理表面に改質した。上記改質部分周辺にＤＭＰ２８３１（１ピコリットルヘッド）を用いたインクジェット印刷により、チャネル長５０μｍ、チャネル幅３２０μｍのソースドレイン電極パターンを形成した。得られた基板をＮ₂雰囲気下（グローブボックス中、酸素濃度２０ｐｐｍ以下の環境）にて、ホットプレート上２００℃で９０分焼成することで、膜厚２００ｎｍの銅電極が形成された。

〔有機半導体層：インクジェット法〕
作製した有機半導体膜形成用組成物を、上記ソースドレイン電極を形成した基板上に、インクジェット法によりコートした。インクジェット装置としては、ＤＰＰ２８３１（富士フイルムグラフィックシステムズ（株）製）、１０ｐＬヘッドを用い、吐出周波数２Ｈｚ、ドット間ピッチ２０μｍでベタ膜を形成した。その後７０℃で１時間乾燥することで、有機半導体膜を作製した。

〔有機半導体層：フレキソ印刷法〕
作成した有機半導体膜形成用組成物を、上記ソースドレイン電極を形成した基板上に、フレキソ印刷法によりコートした。印刷装置として、フレキソ適性試験機Ｆ１（アイジーティ・テスティングシステムズ（株）製）を用い、フレキソ樹脂版として、ＡＦＰ ＤＳＨ１．７０％（旭化成（株）製）／ベタ画像を用いた。版と基板との間の圧力は、６０Ｎ、搬送速度０．４ｍ／秒で印刷を行った後、そのまま、４０℃下室温で２時間乾燥することで、有機半導体膜を作製した。

＜評価＞
〔移動度測定〕
半導体特性評価装置Ｂ２９００Ａ（アジレントテクノロジーズ社製）を用い、キャリア移動度を測定した。移動度の値に応じて、１〜５のスコア付けを行った。移動度の値が大きいほど、有機半導体としての性能に優れる。
５：０．２ｃｍ²／Ｖｓ以上
４：０．１ｃｍ²／Ｖｓ以上、０．２ｃｍ²／Ｖｓ未満
３：０．０２ｃｍ²／Ｖｓ以上、０．１ｃｍ²／Ｖｓ未満
２：０．００２ｃｍ²／Ｖｓ以上、０．０２ｃｍ²／Ｖｓ未満
１：０．００２ｃｍ²／Ｖｓ未満

〔熱安定性評価〕
有機半導体膜を作製したＴＦＴ素子を更に１２０℃１時間加熱し、移動度の変化を評価した。具体的には、３０個の有機トランジスタについて加熱後の移動度Ｙと加熱前の移動度Ｘの差を加熱前の移動度Ｘで割った値に１００をかけた値［｛（Ｙ−Ｘ）／Ｘ｝×１００］をそれぞれ算出し、その平均値を算出し変化率とした。変化率が少ないほど、熱安定性に優れる。
５：変化率が２０％未満
４：変化率が２０％以上３０％未満
３：変化率が３０％以上５０％未満
２：変化率が５０％以上１００％未満
１：変化率が１００％以上

評価結果をまとめて表１に示す。

表１に記載の略称は、以下の通りである。
実施例で使用したＯＳＣ−１〜１７は、上述したＯＳＣ−１〜１７とそれぞれ同じ化合物である。

上記有機半導体（ＯＳＣ−１〜１８）の合成方法又は製造元は、以下の通りである。
なお、ＯＳＣ−１は、Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｍｅｒｉｃａｎ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｓｏｃｉｅｔｙ， １１６， ９２５（１９９４）、Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｓｏｃｉｅｔｙ， ２２１（１９５１）などを参考にして合成した。
ＯＳＣ−２は、公知文献（Ｏｒｇ．Ｌｅｔｔ．，２００１，３，３４７１、Ｍａｃｒｏｍｏｌｅｃｕｌｅｓ，２０１０，４３，６２６４、Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ，２００２，５８，１０１９７）を参考に合成した。
ＯＳＣ−３は、特表２０１２−５１３４５９号公報、特開２０１１−４６６８７号公報、Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｒｅｓｅａｒｃｈ．ｍｉｎｉｐｒｉｎｔ，３，６０１−６３５（１９９１）、Ｂｕｌｌ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．Ｊａｐａｎ，６４，３６８２−３６８６（１９９１）、Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ Ｌｅｔｔｅｒｓ，４５，２８０１−２８０３（２００４）などを参考にして合成した。
ＯＳＣ−４は、欧州特許公開第２２５１３４２号明細書、欧州特許公開第２３０１９２６号明細書、欧州特許公開第２３０１９２１号明細書、韓国特許公開第１０−２０１２−０１２０８８６号公報などを参考にして合成した。
ＯＳＣ−５は、公知文献（Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．，２０１１，６９６、Ｏｒｇ．Ｌｅｔｔ．，２００１，３，３４７１、Ｍａｃｒｏｍｏｌｅｃｕｌｅｓ，２０１０，４３，６２６４、Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．，２０１３，７８，７７４１、Ｃｈｅｍ．Ｅｕｒ．Ｊ．，２０１３，１９，３７２１）を参考にして合成した。
ＯＳＣ−６は、公知文献（Ｂｕｌｌ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．Ｊｐｎ．，１９８７，６０，４１８７、Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．２０１１，１３３，５０２４、Ｃｈｅｍ．Ｅｕｒ．Ｊ．２０１３，１９，３７２１）を参考にして合成した。
ＯＳＣ−７及び８は、公知文献（Ｍａｃｒｏｍｏｌｅｃｕｌｅｓ，２０１０，４３，６２６４−６２６７、Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，２０１２，１３４，１６５４８−１６５５０）を参考にして合成した。

ＯＳＣ−９は、文献Ａ（Ｋ．Ｍｕｅｌｌｅｎ，Ｃｈｅｍ．Ｃｏｍｍｕｎ．，２００８，１５４８−１５５０．）、文献Ｂ（Ｋ．Ｔａｋｉｍｉｙａ，Ｏｒｇ．Ｌｅｔｔ．，２００７，９，４４９９‐４５０２．）、文献Ｃ（Ｒａｏ；Ｔｉｌａｋ，Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｓｃｉｅｎｔｉｆｉｃ ａｎｄ Ｉｎｄｕｓｔｒｉａｌ Ｒｅｓｅａｒｃｈ，１９５８，ｖｏｌ．１７ Ｂ，ｐ．２６０−２６５．）、文献Ｄ（Ｇｈａｉｓａｓ；Ｔｉｌａｋ，Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｓｃｉｅｎｔｉｆｉｃ ａｎｄ Ｉｎｄｕｓｔｒｉａｌ Ｒｅｓｅａｒｃｈ，１９５５，ｖｏｌ．１４ Ｂ，ｐ．１１）を参考にして合成した。
ＯＳＣ−１０〜１３は、公知文献（Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｍｅｒｉｃａｎ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｓｏｃｉｅｔｙ， １２９， １５７３２ （２００７））を参考にして合成した。
ＯＳＣ−１４は、国際公開第２００５／０８７７８０号に記載された方法に準じて合成を行った。
ＯＳＣ−１５は、特開２００９−１９０９９９号公報に記載された方法に準じて合成を行った。
ＯＳＣ−１６は、特表２０１２−２０６９５３号公報に記載された方法に準じて合成を行った。
ＯＳＣ−１７としては、Ｃ８ＢＴＢＴ（シグマアルドリッチ社製）を用いた。
ＯＳＣ−１８としては、５，１１−ビス（トリエチルシリルエチニル）アントラジチオフェン（シグマアルドリッチ社製）を用いた。

Ｄ−１：ｍ−ジエチルベンゼン（Ｄ０４７８、東京化成工業（株）製）
Ｄ−２：アミルベンゼン（Ａ０４４９、東京化成工業（株）製）
Ｄ−３：ｃｉｓデカリン（Ｄ０００９、東京化成工業（株）製）

Ｃ−１：１−クロロナフタレン（Ｃ０２１２、東京化成工業（株）製）
Ｃ−２：１−メチルナフタレン（１３２−１００６５、和光純薬工業（株）製）
Ｃ−３：１−フルオロナフタレン（Ｆ０２１２、東京化成工業（株）製）
Ｃ−４：４−メトキシトルエン（０３８−０９７２５、和光純薬工業（株）製）
Ｃ−５：１，２−ジクロロベンゼン（Ｄ１１１６、東京化成工業（株）製）

ＥＰＴ００４５：エチレン−プロピレンゴム、三井化学（株）製、表面エネルギー ２３ｍＮ／ｍ
ＰａＭＳ：ポリαメチルスチレン、重量平均分子量４０万、シグマアルドリッチ社製、表面エネルギー ３４ｍＮ／ｍ
ＥＰ２２：エチレン−プロピレンゴム、ＪＳＲ ＥＰ２２、ＪＳＲ（株）製、表面エネルギー ２４ｍＮ／ｍ
ＥＰ４３：エチレン−プロピレンゴム、ＪＳＲ ＥＰ４３、ＪＳＲ（株）製、表面エネルギー ２９ｍＮ／ｍ
ポリスチレン：重量平均分子量４０万、シグマアルドリッチ社製、表面エネルギー ３８ｍＮ／ｍ

１０：基板、２０：ゲート電極、３０：ゲート絶縁膜、４０：ソース電極、４２：ドレイン電極、５０：有機半導体膜、５１：メタルマスク、５２：マスク部、５３，５４：開口部、６０：封止層、１００、２００：有機薄膜トランジスタ

Claims (11)

1. 成分Ａとして、縮合多環芳香族基を有し、前記縮合多環芳香族基中の環数が４以上であり、前記縮合多環芳香族基中の少なくとも２つの環が、硫黄原子、窒素原子、セレン原子及び酸素原子よりなる群から選択された少なくとも１つの原子を含み、前記縮合多環芳香族基中の部分構造として、ベンゼン環、ナフタレン環及びフェナントレン環よりなる群から選択された少なくともいずれか１つの構造を含む有機半導体と、
   成分Ｂとして、バインダーポリマーと、
   成分Ｃとして、ナフタレン構造を有する溶媒と、
   成分Ｄとして、成分ＣよりもＳＰ値が２．０ＭＰａ^1/2以上小さく、成分Ｃよりも沸点の低い溶媒とを含むことを特徴とする、
   有機半導体膜形成用組成物。
2. 成分Ｄが炭素数６〜２０のアルカン又はシクロアルカンである、請求項１に記載の有機半導体膜形成用組成物。
3. 成分Ｄがアルキルベンゼンである、請求項１に記載の有機半導体膜形成用組成物。
4. 成分Ｂの表面エネルギーＥが３０ｍＮ／ｍ²以下である、請求項１〜３のいずれか１項に記載の有機半導体膜形成用組成物。
5. 成分Ｂが、天然ゴム、合成ゴム、シリコーン樹脂、熱可塑性エラストマー及び尿素樹脂よりなる群から選ばれた少なくとも１種の樹脂である、請求項１〜４のいずれか１項に記載の有機半導体膜形成用組成物。
6. 成分Ｂが、エチレン−プロピレンゴム、アクリロニトリル−ブタジエンゴム、水素化されたニトリルゴム、フッ素ゴム、パーフルオロエラストマー、テトラフルオロエチレンプロピレン共重合体、エチレン−プロピレン−ジエン共重合体、スチレン−ブタジエンゴム、ポリクロロプレン、ポリネオプレン、ブチルゴム、メチル・フェニルシリコーン樹脂、メチル・フェニルビニル・シリコーン樹脂、メチル・ビニル・シリコーン樹脂、フルオロシリコーン樹脂、アクリルゴム、エチレンアクリルゴム、クロロスルホン化ポリエチレン、クロロポリエチレン、エピクロロヒドリン共重合体、ポリイソプレン−天然ゴム共重合体、ポリイソプレンゴム、スチレン−イソプレンブロック共重合体、ポリエステルウレタン共重合体、ポリエーテルウレタン共重合体、ポリエーテルエステル熱可塑性エラストマー及びポリブタジエンゴムよりなる群から選択された少なくとも１種である、請求項１〜５のいずれか１項に記載の有機半導体膜形成用組成物。
7. 前記縮合多環芳香族基中の環数が５又は６である、請求項１〜６のいずれか１項に記載の有機半導体膜形成用組成物。
8. 有機半導体に少なくとも２つの複素環が含まれ、前記複素環中にそれぞれ１個のヘテロ原子が含まれる、請求項１〜７のいずれか１項に記載の有機半導体膜形成用組成物。
9. 前記有機半導体が、式１〜式１６のいずれかで表される化合物を少なくとも１種含む、請求項１〜８のいずれか１項に記載の有機半導体膜形成用組成物。
   
   
   
   
   式１中、Ａ^1a及びＡ^1bはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子又はＳｅ原子を表し、Ｒ^1a〜Ｒ^1fはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ^1a〜Ｒ^1fのうち少なくとも１つが下記式Ｗで表される基である。
   −Ｌ^W−Ｒ^W （Ｗ）
   式Ｗ中、Ｌ^Wは下記式Ｌ−１〜式Ｌ−２５のいずれかで表される二価の連結基又は２以上の下記式Ｌ−１〜Ｌ−２５のいずれかで表される二価の連結基が結合した二価の連結基を表し、Ｒ^Wはアルキル基、シアノ基、ビニル基、エチニル基、オキシエチレン基、オキシエチレン単位の繰り返し数ｖが２以上のオリゴオキシエチレン基、シロキサン基、ケイ素原子数が２以上のオリゴシロキサン基、又は、トリアルキルシリル基を表す。
   
   式Ｌ−１〜式Ｌ−２５中、＊はＲ^Wとの結合位置を表し、波線部分はもう一方の結合位置を表し、式Ｌ−１、式Ｌ−２、式Ｌ−６及び式Ｌ−１３〜式Ｌ−２４におけるＲ’はそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、式Ｌ−２０及び式Ｌ−２４におけるＲ^Nは水素原子又は置換基を表し、式Ｌ−２５におけるＲ^siはそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルケニル基又はアルキニル基を表す。
   式２中、Ｘ^2a及びＸ^2bはそれぞれ独立に、ＮＲ²ⁱ、Ｏ原子又はＳ原子を表し、Ａ^2aはＣＲ^2g又はＮ原子を表し、Ａ^2bはＣＲ^2h又はＮ原子を表し、Ｒ²ⁱは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基又はアシル基を表し、Ｒ^2a〜Ｒ^2hはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ^2a〜Ｒ^2hのうち少なくとも１つが前記式Ｗで表される基である。
   式３中、Ｘ^3a及びＸ^3bはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子又はＮＲ^3gを表し、Ａ^3a及びＡ^3bはそれぞれ独立に、ＣＲ^3h又はＮ原子を表し、Ｒ^3a〜Ｒ^3hはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ^3a〜Ｒ^3hのうち少なくとも１つが前記式Ｗで表される基である。
   式４中、Ｘ^4a及びＸ^4bはそれぞれ独立に、Ｏ原子、Ｓ原子又はＳｅ原子を表し、４ｐ及び４ｑはそれぞれ独立に、０〜２の整数を表し、Ｒ^4a〜Ｒ^4j、Ｒ^4k及びＲ^4mはそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子又は前記式Ｗで表される基を表し、かつ、Ｒ^4a〜Ｒ^4j、Ｒ^4k及びＲ^4mのうち少なくとも１つは前記式Ｗで表される基であり、ただし、Ｒ^4e及びＲ^4fのうち少なくとも一方が前記式Ｗで表される基である場合はＲ^4e及びＲ^4fが表す前記式ＷにおいてＬ^Wは前記式Ｌ−２又は式Ｌ−３で表される二価の連結基である。
   式５中、Ｘ^5a及びＸ^5bはそれぞれ独立に、ＮＲ⁵ⁱ、Ｏ原子又はＳ原子を表し、Ａ^5aはＣＲ^5g又はＮ原子を表し、Ａ^5bはＣＲ^5h又はＮ原子を表し、Ｒ⁵ⁱは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アシル基、アリール基又はヘテロアリール基を表し、Ｒ^5a〜Ｒ^5hはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ^5a〜Ｒ^5hのうち少なくとも１つが前記式Ｗで表される基である。
   式６中、Ｘ^6a〜Ｘ^6dはそれぞれ独立に、ＮＲ^6g、Ｏ原子又はＳ原子を表し、Ｒ^6gは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アシル基、アリール基又はヘテロアリール基を表し、Ｒ^6a〜Ｒ^6fはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ^6a〜Ｒ^6fのうち少なくとも１つが前記式Ｗで表される基である。
   式７中、Ｘ^7a及びＸ^7cはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子、Ｓｅ原子又はＮＲ⁷ⁱを表し、Ｘ^7b及びＸ^7dはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子又はＳｅ原子を表し、Ｒ^7a〜Ｒ⁷ⁱはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ^7a〜Ｒ⁷ⁱのうち少なくとも１つが前記式Ｗで表される基である。
   式８中、Ｘ^8a及びＸ^8cはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子、Ｓｅ原子又はＮＲ⁸ⁱを表し、Ｘ^8b及びＸ^8dはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子又はＳｅ原子を表し、Ｒ^8a〜Ｒ⁸ⁱはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ^8a〜Ｒ⁸ⁱのうち少なくとも１つが前記式Ｗで表される基である。
   式９中、Ｘ^9a及びＸ^9bはそれぞれ独立に、Ｏ原子、Ｓ原子又はＳｅ原子を表し、Ｒ^9c、Ｒ^9d及びＲ^9g〜Ｒ^9jはそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子又は前記式Ｗで表される基を表し、Ｒ^9a、Ｒ^9b、Ｒ^9e及びＲ^9fはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表す。
   式１０中、Ｒ^10a〜Ｒ^10hはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ^10a〜Ｒ^10hのうち少なくとも１つは前記式Ｗで表される置換基を表し、Ｘ^10a及びＸ^10bはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子、Ｓｅ原子又はＮＲ¹⁰ⁱを表し、Ｒ¹⁰ⁱはそれぞれ独立に、水素原子又は前記式Ｗで表される基を表す。
   式１１中、Ｘ^11a及びＸ^11bはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子、Ｓｅ原子又はＮＲ¹¹ⁿを表し、Ｒ^11a〜Ｒ^11k、Ｒ^11m及びＲ¹¹ⁿはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ^11a〜Ｒ^11k、Ｒ^11m及びＲ¹¹ⁿのうち少なくとも１つは前記式Ｗで表される基である。
   式１２中、Ｘ^12a及びＸ^12bはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子、Ｓｅ原子又はＮＲ¹²ⁿを表し、Ｒ^12a〜Ｒ^12k、Ｒ^12m及びＲ¹²ⁿはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ^12a〜Ｒ^12k、Ｒ^12m及びＲ¹²ⁿのうち少なくとも１つは前記式Ｗで表される基である。
   式１３中、Ｘ^13a及びＸ^13bはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子、Ｓｅ原子又はＮＲ¹³ⁿを表し、Ｒ^13a〜Ｒ^13k、Ｒ^13m及びＲ¹³ⁿはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ^13a〜Ｒ^13k、Ｒ^13m及びＲ¹³ⁿのうち少なくとも１つは前記式Ｗで表される基である。
   式１４中、Ｘ^14a〜Ｘ^14cはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子、Ｓｅ原子又はＮＲ¹⁴ⁱを表し、Ｒ^14a〜Ｒ¹⁴ⁱはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ^14a〜Ｒ¹⁴ⁱのうち少なくとも１つは前記式Ｗで表される基である。
   式１５中、Ｘ^15a〜Ｘ^15dはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子、Ｓｅ原子又はＮＲ^15gを表し、Ｒ^15a〜Ｒ^15gはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ^15a〜Ｒ^15gのうち少なくとも１つは前記式Ｗで表される基である。
   式１６中、Ｘ^16a〜Ｘ^16dはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子、Ｓｅ原子又はＮＲ^16gを表し、Ｒ^16a〜Ｒ^16gはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ^16a〜Ｒ^16gのうち少なくとも１つは前記式Ｗで表される基である。
10. 前記有機半導体が、前記式１〜式９又は式１５で表される化合物を少なくとも１種を含む、請求項９に記載の有機半導体膜形成用組成物。
11. 請求項１〜１０のいずれか１項に記載の有機半導体膜形成用組成物を基板上に塗布する塗布工程、を含む有機半導体素子の製造方法。