JP2013145875A - 記憶装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】記憶装置は、センスアンプ210を有する駆動回路200と、積層して設けられた、第1のビット線BL_1及び第1のワード線WL_1に電気的に接続された第1のメモリセルを有する第1のメモリセルアレイ201A、及び第2のビット線BL_2及び第2のワード線WL_2に電気的に接続された第2のメモリセルを有する第2のメモリセルアレイ201Bと、を有し、第1のビット線BL_1及び第2のビット線BL_2が折り返し型となるようにセンスアンプ210と電気的に接続され、駆動回路上では、第1のワード線WL_1、第1のビット線BL_1、第2のビット線BL_2、第2のワード線WL_2の順に配置される。
【選択図】図1
Description
本発明の一態様に係る記憶装置の構成について、図1乃至図6を参照して説明する。
本実施の形態では、本発明の一態様に係る記憶装置の構成及びその作製方法について、図7乃至図10を参照して説明する。
本実施の形態では、上述の実施の形態で説明した記憶装置を電子機器等の半導体装置に適用する場合について、図12を用いて説明する。本実施の形態では、コンピュータ、携帯電話機(携帯電話、携帯電話装置ともいう)、携帯情報端末(携帯型ゲーム機、音響再生装置なども含む)、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、電子ペーパー、テレビジョン装置(テレビ、またはテレビジョン受信機ともいう)などの電子機器に、上述の記憶装置を適用する場合について説明する。
CA_1 コラムアドレス線
CA_i コラムアドレス線
BL ビット線
BL_1 ビット線
BL_2 ビット線
BL_n ビット線
WL ワード線
WL_1 ワード線
WL_2 ワード線
WL_m ワード線
100 基板
106 素子分離絶縁層
108 ゲート絶縁層
110 ゲート電極
116 チャネル形成領域
120 不純物領域
124 金属間化合物領域
126 電極
128 絶縁層
130A ドレイン電極
130B ドレイン電極
136A 電極
136B 電極
136C 電極
140 絶縁層
142a 電極
142A 電極
142B 電極
142B_1 電極
142B_2 電極
144 半導体層
146 ゲート絶縁層
148A 電極
148A_1 電極
148A_2 電極
148A_3 電極
148A_4 電極
148B 導電層
148B_1 導電層
148B_2 導電層
148B_3 導電層
148B_4 導電層
150 絶縁層
152 絶縁層
154A 電極
156 配線
156_1 配線
156_2 配線
156_3 配線
156_4 配線
160 トランジスタ
200 駆動回路
201A メモリセルアレイ
201B メモリセルアレイ
210 センスアンプ
211A メモリセル
211B メモリセル
221 メモリセル
221A メモリセル
221B メモリセル
222 トランジスタ
222A トランジスタ
222B トランジスタ
223 容量素子
223A 容量素子
223B 容量素子
231 素子部
232 配線部
241 トランジスタ
301 メモリセルアレイ
302 ワード線駆動回路
303 ビット線駆動回路
304 コラムデコーダ
305 センスアンプ群
306 メモリ制御回路
305_n センスアンプ
305_1 センスアンプ
312 アドレスバッファ
313 I/Oバッファ
401 トランジスタ
402 トランジスタ
403 トランジスタ
404 トランジスタ
405 トランジスタ
406 トランジスタ
407 トランジスタ
408 トランジスタ
409 トランジスタ
410 トランジスタ
411 トランジスタ
500 電極
501A 電極
501B 配線
502A 電極
502B 電極
701 筐体
702 筐体
703 表示部
704 キーボード
711 本体
712 スタイラス
713 表示部
714 操作ボタン
715 外部インターフェイス
720 電子書籍
721 筐体
723 筐体
725 表示部
727 表示部
731 電源スイッチ
733 操作キー
735 スピーカー
737 軸部
740 筐体
741 筐体
742 表示パネル
743 スピーカー
744 マイクロフォン
745 操作キー
746 ポインティングデバイス
747 カメラ用レンズ
748 外部接続端子
749 太陽電池セル
750 外部メモリスロット
761 本体
763 接眼部
764 操作スイッチ
765 表示部
766 バッテリー
767 表示部
770 テレビジョン装置
771 筐体
773 表示部
775 スタンド
780 リモコン操作機
Claims (7)
- 駆動回路によって駆動される第1のメモリセルアレイ及び第2のメモリセルアレイと、を有し、
前記第1のメモリセルアレイは、第1のビット線及び第1のワード線に電気的に接続された第1のメモリセルを有し、
前記第2のメモリセルアレイは、第2のビット線及び第2のワード線に電気的に接続された第2のメモリセルを有し、
前記駆動回路は、前記第1のビット線及び前記第2のビット線が、前記第1のワード線及び前記第2のワード線と交差することで、折り返し型となるように電気的に接続されたセンスアンプを有し、
前記第1のメモリセルアレイ及び前記第2のメモリセルアレイは、重ねて配置され、前記第1のワード線、前記第1のビット線、前記第2のビット線、前記第2のワード線の順に配置されることを特徴とする記憶装置。 - 請求項1において、前記第1のビット線と前記第2のビット線は、層間絶縁膜を挟んで重畳して配置されていることを特徴とする記憶装置。
- 請求項1または請求項2において、
前記第1のメモリセルは、
第1の半導体層と、第1のソース電極及び第1のドレイン電極と、第1のゲート絶縁層と、前記第1のゲート絶縁層を挟んで前記第1の半導体層と重畳する第1のゲート電極と、を有する第1のトランジスタと、
前記第1のソース電極及び前記第1のドレイン電極の一方と、前記第1のゲート絶縁層と、前記第1のゲート絶縁層を挟んで前記第1のソース電極及び前記第1のドレイン電極の一方と重畳する第1の導電層と、を有する第1の容量素子と、
を有し、
前記第1のゲート電極は、前記第1のワード線であり、前記前記第1のソース電極及び前記第1のドレイン電極の他方は、前記第1のトランジスタ上に設けられた前記第1のビット線に接続されていることを特徴とする記憶装置。 - 請求項1乃至請求項3のいずれか一において、
前記第2のメモリセルは、
第2の半導体層と、第2のソース電極及び第2のドレイン電極と、第2のゲート絶縁層と、前記第2のゲート絶縁層を挟んで前記第2の半導体層と重畳する第2のゲート電極と、を有する第2のトランジスタと、
前記第2のソース電極及び前記第2のドレイン電極の一方と、前記第2のゲート絶縁層と、前記第2のゲート絶縁層を挟んで前記第2のソース電極及び前記第2のドレイン電極の一方と重畳する第2の導電層と、を有する第2の容量素子と、
を有し、
前記第2のゲート電極は、前記第2のワード線であり、前記前記第2のソース電極及び前記第2のドレイン電極の他方は、前記第2のトランジスタ下に設けられた前記第2のビット線に接続されていることを特徴とする記憶装置。 - 請求項3または請求項4において、
前記第1の半導体層及び前記第2の半導体層が有するチャネル形成領域は、酸化物半導体を有することを特徴とする記憶装置。 - 請求項1乃至請求項5のいずれか一において、
前記駆動回路は、前記第1のメモリセルアレイ及び前記第2のメモリセルアレイに積層して設けられることを特徴とする記憶装置。 - 請求項1乃至請求項6のいずれか一において、
前記駆動回路は、第3のトランジスタを用いて形成され、
前記第3のトランジスタは、単結晶半導体基板に設けられたチャネル形成領域と、前記チャネル形成領域を挟むように設けられた一対の不純物領域と、前記チャネル形成領域上の第3のゲート絶縁層と、前記チャネル形成領域と重畳して前記第3のゲート絶縁層上に設けられた第3のゲート電極と、を有することを特徴とする記憶装置。
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