JP2013089700A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】p+コレクタ領域1となる半導体層のおもて面には、n++バッファ層2が設けられている。n++バッファ層2の表面には、n-ドリフト層3が設けられている。n-ドリフト層3の表面には、n+型半導体層(nCELb)4が設けられている。nCELb4の不純物濃度は、n-ドリフト層3の不純物濃度よりも高い。nCELb4の表面には、n型半導体層(nCELu)5が設けられている。nCELu5の不純物濃度は、n-ドリフト層3の不純物濃度よりも高く、かつnCELb4の不純物濃度よりも低い。nCELu5の表面層には、pボディ領域6が選択的に設けられている。pボディ領域6の表面層には、n++エミッタ領域8が選択的に設けられている。
【選択図】図1
Description
図1は、実施の形態1にかかる半導体装置を模式的に示す断面図である。図1に示す実施の形態1にかかる半導体装置は、炭化珪素(SiC)半導体を用いて作製された例えば設計耐圧15kV級のプレーナゲート構造のIGBT100である。図1には、IGBT100の活性領域のみを示す。IGBT100は、例えば活性領域を囲むように耐圧構造部(不図示)を備えていてもよい。活性領域とは、半導体装置のオン時に電流が流れる領域である。耐圧構造部とは、半導体装置を構成するpn接合表面の電界強度を緩和し、所望の耐圧を実現する構造部である。
図2は、実施の形態2にかかる半導体装置を模式的に示す断面図である。図2に示す実施の形態2にかかる半導体装置は、炭化珪素半導体を用いて作製された例えば設計耐圧10kV級のプレーナゲート構造のIGBT110である。実施の形態2にかかるIGBT110が実施の形態1にかかるIGBT100と異なるのは、nCELb24がnCELu5を挟んでpボディ領域6の直下にのみ設けられている点である。
実施の形態3にかかる半導体装置は、炭化珪素半導体を用いて作製された例えば設計耐圧10kV級のプレーナゲート構造のp型IGBT150である。実施の形態3にかかるIGBT150が実施の形態1にかかるn型IGBT100と異なるのは、図1の模式的に示す断面図において、各半導体層や半導体領域の極性が反対である点である。
図3は、実施の形態4にかかる半導体装置を模式的に示す断面図である。図3に示す実施の形態4にかかる半導体装置は、炭化珪素半導体を用いて作製された例えば設計耐圧18kVのプレーナゲート構造のIGBT120である。実施の形態4にかかるIGBT120が実施の形態1にかかるIGBT100と異なるのは、次の2点である。1つめは、nCELu35が活性領域全体ではなく、pボディ領域6の直下にのみ設けられている点である。2つめは、pボディ領域6とn-ドリフト層33との間に、nCELb(以下、第1nCELbとする)34およびnCELu35以外にn+型半導体層(電流密度増大層:CEL、第4半導体層、以下、第2nCELbとする)36が設けられている点である。
図4は、実施の形態5にかかる半導体装置を模式的に示す断面図である。図4に示す実施の形態5にかかる半導体装置は、炭化珪素半導体を用いて作製された例えば設計耐圧8kV級のトレンチゲート構造のIGBT130である。実施の形態5にかかるIGBT130が実施の形態1にかかるIGBT100と異なるのは、IGBT130のゲート構造を、プレーナゲート構造に代えてトレンチゲート構造とした点である。
図5は、実施の形態6にかかる半導体装置を模式的に示す断面図である。図5に示す実施の形態6にかかる半導体装置は、炭化珪素半導体を用いて作製された例えば設計耐圧12kV級のトレンチゲート構造のIGBT140である。実施の形態6にかかるIGBT140が実施の形態4にかかるIGBT130と異なるのは、nCELb64およびnCELu65がトレンチ67の内部に設けられたゲート電極70の下端部よりも半導体装置のおもて面から深い位置に設けられている点である。
2 n++バッファ層
3 n-ドリフト層
4 nCELb
5 nCELu
6 pボディ領域
7 p-低濃度チャネル領域
8 n++エミッタ領域
9 ゲート絶縁膜
10 ゲート電極
11 層間絶縁膜
12 エミッタ電極
13 コレクタ電極
110 IGBT
Claims (11)
- 第1導電型の半導体層と、
前記半導体層のおもて面に設けられた第2導電型の第1半導体層と、
前記第1半導体層の表面に設けられた、前記第1半導体層よりも不純物濃度が高い第2導電型の第2半導体層と、
前記第2半導体層の表面に設けられた、前記第2半導体層よりも不純物濃度が低い第2導電型の第3半導体層と、
前記第3半導体層の表面層に選択的に設けられた第1導電型の第1半導体領域と、
前記第1半導体領域の表面層に選択的に設けられた第2導電型の第2半導体領域と、
前記第2半導体領域に接する入力電極と、
前記第1半導体領域の、前記第2半導体領域と前記第3半導体層とに挟まれた部分の表面に、絶縁膜を介して設けられた制御電極と、
前記半導体層の裏面に接する出力電極と、
を備えることを特徴とする半導体装置。 - 第1導電型の半導体層と、
前記半導体層のおもて面に設けられた第2導電型の第1半導体層と、
前記第1半導体層の表面層に選択的に設けられた、前記第1半導体層よりも不純物濃度が高い第2導電型の第2半導体層と、
前記第1半導体層および前記第2半導体層の表面に設けられた、前記第2半導体層よりも不純物濃度が低い第2導電型の第3半導体層と、
前記第3半導体層の表面層の、前記第2半導体層に対応する部分に設けられた第1導電型の第1半導体領域と、
前記第1半導体領域の表面層に選択的に設けられた第2導電型の第2半導体領域と、
前記第2半導体領域に接する入力電極と、
前記第1半導体領域の、前記第2半導体領域と前記第3半導体層とに挟まれた部分の表面に、絶縁膜を介して設けられた制御電極と、
前記半導体層の裏面に接する出力電極と、
を備えることを特徴とする半導体装置。 - 第1導電型の半導体層と、
前記半導体層のおもて面に設けられた第2導電型の第1半導体層と、
前記第1半導体層の表面層に選択的に設けられた、前記第1半導体層よりも不純物濃度が高い第2導電型の第4半導体層と、
前記第1半導体層および前記第4半導体層の表面に設けられた、前記第1半導体層よりも不純物濃度が高く、かつ前記第4半導体層よりも不純物濃度が低い第2導電型の第2半導体層と、
前記第2半導体層の表面層の、前記第4半導体層に対応する位置に設けられた、前記第2半導体層よりも不純物濃度が低い第2導電型の第3半導体層と、
前記第3半導体層の表面層に設けられた第1導電型の第1半導体領域と、
前記第1半導体領域の表面層に選択的に設けられた第2導電型の第2半導体領域と、
前記第2半導体領域に接する入力電極と、
前記第1半導体領域の、前記第2半導体領域と前記第3半導体層とに挟まれた部分の表面に、絶縁膜を介して設けられた制御電極と、
前記半導体層の裏面に接する出力電極と、
を備えることを特徴とする半導体装置。 - 第1導電型の半導体層と、
前記半導体層のおもて面に設けられた第2導電型の第1半導体層と、
前記第1半導体層の表面に設けられた、前記第1半導体層よりも不純物濃度が高い第2導電型の第2半導体層と、
前記第2半導体層の表面に設けられた、前記第2半導体層よりも不純物濃度が低い第2導電型の第3半導体層と、
前記第3半導体層の表面層に設けられた第1導電型の第1半導体領域と、
前記第1半導体領域、前記第3半導体層および前記第2半導体層を貫通し前記第1半導体層に達するトレンチと、
前記トレンチの内部に絶縁膜を介して埋め込まれた制御電極と、
前記第1半導体領域の表面層に選択的に設けられ、前記トレンチの側壁に設けられた前記絶縁膜に接する第2導電型の第2半導体領域と、
前記第2半導体領域に接する入力電極と、
前記半導体層の裏面に接する出力電極と、
を備えることを特徴とする半導体装置。 - 第1導電型の半導体層と、
前記半導体層のおもて面に設けられた第2導電型の第1半導体層と、
前記第1半導体層の表面に設けられた、前記第1半導体層よりも不純物濃度が高い第2導電型の第2半導体層と、
前記第2半導体層の表面に設けられた、前記第2半導体層よりも不純物濃度が低い第2導電型の第3半導体層と、
前記第3半導体層の表面層に設けられた第1導電型の第1半導体領域と、
前記第1半導体領域を貫通し前記第3半導体層に達するトレンチと、
前記トレンチの内部に絶縁膜を介して埋め込まれた制御電極と、
前記第1半導体領域の表面層に選択的に設けられ、前記トレンチの側壁に設けられた前記絶縁膜に接する第2導電型の第2半導体領域と、
前記第2半導体領域に接する入力電極と、
前記半導体層の裏面に接する出力電極と、
を備えることを特徴とする半導体装置。 - 前記第3半導体層は、前記第1半導体層よりも不純物濃度が高いことを特徴とする請求項1〜5のいずれか一つに記載の半導体装置。
- 前記第3半導体層は、前記第1半導体領域よりも不純物濃度が低いことを特徴とする請求項1〜6のいずれか一つに記載の半導体装置。
- 前記第2半導体層は、前記第1半導体領域よりも不純物濃度が低いことを特徴とする請求項1〜7のいずれか一つに記載の半導体装置。
- 前記第2半導体層は、前記半導体装置の耐圧よりも小さい印加電圧で空乏化する不純物濃度および厚さを有することを特徴とする請求項1〜8のいずれか一つに記載の半導体装置。
- シリコンよりもバンドギャップの広い半導体材料でできていることを特徴とする請求項1〜9のいずれか一つに記載の半導体装置。
- 絶縁ゲート型バイポーラトランジスタであることを特徴とする請求項1〜10のいずれか一つに記載の半導体装置。
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