JP2018195798A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
Description
特許文献1 特開2007−311627号公報
Claims (16)
- 第1導電型のドリフト領域を有する半導体基板と、
前記半導体基板の上面から前記半導体基板の内部まで設けられ、前記半導体基板の上面において予め定められた延伸方向に延伸して設けられたゲートトレンチ部と、
前記半導体基板の上面から前記半導体基板の内部まで設けられ、前記半導体基板の上面において前記延伸方向に延伸して設けられたダミートレンチ部と、
前記半導体基板の内部において前記ゲートトレンチ部と前記ダミートレンチ部とに挟まれたメサ部と、
前記メサ部の内部において前記半導体基板の上面と前記ドリフト領域との間に設けられ、前記メサ部の上面において前記ゲートトレンチ部と隣接して設けられ、前記ドリフト領域よりもドーピング濃度の高い第1導電型のエミッタ領域と、
前記メサ部の内部において前記半導体基板の上面と前記ドリフト領域との間に設けられ、前記メサ部の上面において前記ダミートレンチ部と隣接して設けられた第2導電型のコンタクト領域と
を備え、
前記エミッタ領域および前記コンタクト領域の少なくとも一方が、前記半導体基板の上面において前記延伸方向に延伸するストライプ形状に設けられている半導体装置。 - 前記半導体基板の内部において前記半導体基板の上面と前記ドリフト領域との間に設けられ、前記コンタクト領域よりもドーピング濃度の低い第2導電型のベース領域を更に備え、
前記エミッタ領域および前記コンタクト領域は、前記半導体基板と前記ベース領域との間に設けられ、
前記コンタクト領域は、前記エミッタ領域よりも前記半導体基板の上面から見て深い位置まで設けられている
請求項1に記載の半導体装置。 - 前記半導体基板の上面において、前記コンタクト領域および前記エミッタ領域の前記延伸方向と垂直な方向における幅が等しい
請求項2に記載の半導体装置。 - 前記延伸方向と垂直な前記半導体基板の断面において、前記コンタクト領域および前記エミッタ領域の断面境界線の、半導体基板の上面に対する傾きが、70度以上、110度以下である
請求項1から3のいずれか一項に記載の半導体装置。 - 前記半導体基板の上面と垂直な深さ方向において、前記コンタクト領域のドーピング濃度分布は複数のピークを有する
請求項1から4のいずれか一項に記載の半導体装置。 - 前記半導体基板の上面と垂直な深さ方向において、前記エミッタ領域のドーピング濃度分布は複数のピークを有する
請求項5に記載の半導体装置。 - 前記コンタクト領域のドーピング濃度分布のそれぞれのピーク位置において、最も濃度が高いドーパントは同一の種類である
請求項6に記載の半導体装置。 - 前記エミッタ領域のドーピング濃度分布のいずれか2つのピーク位置において、最も濃度が高いドーパントが異なる種類である
請求項7に記載の半導体装置。 - 前記コンタクト領域のドーピング濃度分布におけるそれぞれのピーク位置と、前記エミッタ領域のドーピング濃度分布におけるそれぞれのピーク位置とが異なる
請求項6から8のいずれか一項に記載の半導体装置。 - 前記コンタクト領域のドーピング濃度分布におけるそれぞれのピーク位置と、前記エミッタ領域のドーピング濃度分布におけるそれぞれのピーク位置とが、前記深さ方向において交互に配置されている
請求項9に記載の半導体装置。 - 前記メサ部において、前記ベース領域と前記ドリフト領域との間に設けられ、前記ドリフト領域よりもドーピング濃度の高い蓄積領域を更に備える
請求項2に記載の半導体装置。 - 前記半導体基板の上面と垂直な深さ方向において異なる位置に設けられた、第1の前記蓄積領域と、第2の前記蓄積領域とを備える
請求項11に記載の半導体装置。 - 前記メサ部には、前記エミッタ領域および前記コンタクト領域のそれぞれに接触し、且つ、前記半導体基板の上面から前記エミッタ領域の底部よりも浅い位置までトレンチコンタクト部が設けられている
請求項1から12のいずれか一項に記載の半導体装置。 - 前記コンタクト領域において前記トレンチコンタクト部と接触する領域には、前記コンタクト領域よりもドーピング濃度の高い第2導電型の高濃度領域が設けられている
請求項13に記載の半導体装置。 - 前記半導体基板の上面の上方に設けられた層間絶縁膜を更に備え、
前記層間絶縁膜には、前記延伸方向とは垂直な方向における幅が、前記メサ部の幅よりも大きいコンタクトホールが設けられている
請求項1から14のいずれか一項に記載の半導体装置。 - 第1導電型のドリフト領域を有する半導体基板と、
前記半導体基板の上面から前記半導体基板の内部まで設けられ、前記半導体基板の上面において予め定められた延伸方向に延伸して設けられた複数のトレンチ部と、
前記半導体基板の内部において2つの前記トレンチ部に挟まれたメサ部と、
前記メサ部において前記半導体基板の上面と前記ドリフト領域との間に設けられ、前記ドリフト領域よりもドーピング濃度の高い第1導電型のエミッタ領域と、
前記メサ部において前記半導体基板の上面と前記ドリフト領域との間に設けられた第2導電型のコンタクト領域と
を備え、
前記延伸方向と平行で、且つ、前記半導体基板の上面と垂直な断面において、前記コンタクト領域および前記エミッタ領域の断面境界線の前記半導体基板の上面に対する傾きが、70度以上、110度以下である半導体装置。
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