JP2017010975A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】第1導電型の半導体基板と、半導体基板の表面に形成されたダミートレンチ部と、半導体基板の表面の上方に形成された、金属を含む第1表面側電極とを備え、半導体基板は、半導体基板の表面から見て順番に設けられた第1導電型のエミッタ領域と、第2導電型のベース領域とを有し、ダミートレンチ部は、半導体基板の表面からエミッタ領域およびベース領域を貫通して形成されたダミートレンチと、ダミートレンチの内部に形成されたダミー導電部とを有し、ダミートレンチの側壁にエミッタ領域の少なくとも一部が露出しており、第1表面側電極は、ダミートレンチの側壁においてエミッタ領域と接触する半導体装置を提供する。
【選択図】図2
Description
[先行技術文献]
[特許文献]
特許文献1 特開2002−353456号公報
Claims (12)
- 第1導電型の半導体基板と、
前記半導体基板の表面に形成されたダミートレンチ部と、
前記半導体基板の表面の上方に形成された、金属を含む第1表面側電極と
を備え、
前記半導体基板は、前記半導体基板の表面から見て順番に設けられた第1導電型のエミッタ領域と、第2導電型のベース領域とを有し、
前記ダミートレンチ部は、
前記半導体基板の表面から前記エミッタ領域および前記ベース領域を貫通して形成されたダミートレンチと、
前記ダミートレンチの内部に形成されたダミー導電部と
を有し、
前記ダミートレンチの側壁に前記エミッタ領域の少なくとも一部が露出しており、
前記第1表面側電極は、前記ダミートレンチの側壁において前記エミッタ領域と接触する半導体装置。 - 前記第1表面側電極は、前記ダミートレンチの内部において前記ダミー導電部とも接触する
請求項1に記載の半導体装置。 - 前記ダミートレンチの側壁には、前記ベース領域の少なくとも一部が更に露出しており、
前記第1表面側電極は、前記ダミートレンチの側壁において前記エミッタ領域および前記ベース領域と接触する
請求項1または2に記載の半導体装置。 - 前記ダミートレンチ内において前記第1表面側電極と接触する前記エミッタ領域の少なくとも一部に、第2導電型の不純物がドープされた
請求項1から3のいずれか一項に記載の半導体装置。 - 前記ベース領域において、前記第1表面側電極と接触する部分の少なくとも一部の不純物濃度が、前記第1表面側電極と接触しない部分の不純物濃度より高い
請求項3に記載の半導体装置。 - 前記半導体基板の表面に形成されたゲートトレンチ部を更に備え、
前記ゲートトレンチ部は、
前記半導体基板の前記エミッタ領域および前記ベース領域を貫通して形成されたゲートトレンチと、
前記ゲートトレンチの内部に形成されたゲート導電部と、
前記ゲート導電部の上方に形成され、前記ゲート導電部と前記第1表面側電極とを絶縁するゲート絶縁部と
を有する請求項1から5のいずれか一項に記載の半導体装置。 - 前記ゲート絶縁部は、前記ゲートトレンチの内部において前記ゲート導電部の上方に形成される
請求項6に記載の半導体装置。 - 前記ゲート絶縁部の前記半導体基板の表面側の端面の少なくとも一部は、前記半導体基板の表面と同じ高さであり、
前記第1表面側電極は、前記ゲート絶縁部の前記端面と接触する
請求項7に記載の半導体装置。 - 前記ダミートレンチは、前記ゲートトレンチよりも深い位置まで形成される
請求項6から8のいずれか一項に記載の半導体装置。 - 前記ダミートレンチの幅は、前記ゲートトレンチの幅よりも大きい
請求項9に記載の半導体装置。 - 前記ゲート導電部と、前記ダミー導電部とは同一の材料で形成される
請求項6から10のいずれか一項に記載の半導体装置。 - 前記ダミートレンチ部は、前記半導体基板の表面において予め定められた延伸方向に延伸して形成され、
前記ゲートトレンチ部は、
前記ダミートレンチ部と対向する範囲において前記延伸方向に延伸して形成された対向部と、
前記対向部から更に延伸して、前記ダミートレンチ部と対向しない範囲に形成された突出部と
を有し、
前記突出部の上方に形成された第2表面側電極を更に備え、
前記突出部における前記ゲート導電部が、前記第2表面側電極と電気的に接続する
請求項6から11のいずれか一項に記載の半導体装置。
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