WO2020235629A1 - ＳｉＣ半導体装置 - Google Patents

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WO2020235629A1
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region
trench
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sic semiconductor
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佑紀 中野
山本　兼司
誠悟 森
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ローム株式会社
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    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/0212—Auxiliary members for bonding areas, e.g. spacers
    • H01L2224/02122—Auxiliary members for bonding areas, e.g. spacers being formed on the semiconductor or solid-state body
    • H01L2224/02163—Auxiliary members for bonding areas, e.g. spacers being formed on the semiconductor or solid-state body on the bonding area
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Definitions

  • Patent Document 1 discloses a SiC semiconductor device including a SiC semiconductor substrate, a source trench, a source insulating layer, a source electrode, a body region, and a source region.
  • the source trench is formed on the main surface of the SiC semiconductor substrate.
  • the source insulating layer is formed on the inner wall of the source trench.
  • the source electrode is embedded in the source trench with the source insulating layer interposed therebetween.
  • the body region faces the source electrode with the source insulating layer interposed therebetween on the surface layer portion of the main surface of the SiC semiconductor substrate.
  • the source region faces the source electrode with the source insulating layer interposed therebetween on the surface layer portion of the body region.
  • One embodiment of the present invention provides a SiC semiconductor device capable of appropriately grounding the source region in a structure provided with a source trench.
  • One embodiment of the present invention comprises a first conductive type SiC semiconductor layer having a main surface, a source trench formed on the main surface and having a side wall and a bottom wall, and a source trench embedded in the source trench.
  • a source electrode having a side wall contact portion in contact with a region on the opening side of the source trench in the side wall, a second conductive body region formed in a region along the source trench in the surface layer portion of the main surface, and the body.
  • a SiC semiconductor device including a first conductive type source region electrically connected to the side wall contact portion of the source electrode on the surface layer portion of the region.
  • the source region is electrically connected to the source electrode exposed from the side wall of the source trench. This makes it possible to provide a SiC semiconductor device capable of appropriately grounding the source region.
  • FIG. 1 is a perspective view of the SiC semiconductor device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a plan view of the SiC semiconductor device shown in FIG.
  • FIG. 3 is a plan view obtained by removing the structure on the first main surface electrode from the structure shown in FIG.
  • FIG. 4 is an enlarged plan view showing the internal structure of the region IV shown in FIG.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view taken along the line VV shown in FIG.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view taken along the line VI-VI shown in FIG.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view taken along the line VII-VII shown in FIG.
  • FIG. 8 is an enlarged view of the region VIII shown in FIG.
  • FIG. 9 is an enlarged view of the region IX shown in FIG. FIG.
  • FIG. 10 is a cross-sectional view taken along the line XX shown in FIG.
  • FIG. 11A is an enlarged cross-sectional view showing an example of a method for manufacturing the SiC semiconductor device shown in FIG.
  • FIG. 11B is an enlarged cross-sectional view showing the steps after FIG. 11A.
  • FIG. 11C is an enlarged cross-sectional view showing the steps after FIG. 11B.
  • FIG. 11D is an enlarged cross-sectional view showing the steps after FIG. 11C.
  • FIG. 11E is an enlarged cross-sectional view showing the steps after FIG. 11D.
  • FIG. 11F is an enlarged cross-sectional view showing the steps after FIG. 11E.
  • FIG. 11G is an enlarged cross-sectional view showing a step after FIG. 11F.
  • FIG. 11A is an enlarged cross-sectional view showing an example of a method for manufacturing the SiC semiconductor device shown in FIG.
  • FIG. 11B is an enlarged cross-sectional view showing the steps after FIG.
  • FIG. 11H is an enlarged cross-sectional view showing a step after FIG. 11G.
  • FIG. 11I is an enlarged cross-sectional view showing a step after FIG. 11H.
  • FIG. 11J is an enlarged cross-sectional view showing the process after FIG. 11I.
  • FIG. 11K is an enlarged cross-sectional view showing the process after FIG. 11J.
  • FIG. 11L is an enlarged cross-sectional view showing the process after FIG. 11K.
  • FIG. 11M is an enlarged cross-sectional view showing a step after FIG. 11L.
  • FIG. 11N is an enlarged cross-sectional view showing the steps after FIG. 11M.
  • FIG. 11O is an enlarged cross-sectional view showing the process after FIG. 11N.
  • FIG. 11N is an enlarged cross-sectional view showing the process after FIG. 11N.
  • FIG. 11P is an enlarged cross-sectional view showing a step after FIG. 11O.
  • FIG. 11Q is an enlarged cross-sectional view showing a step after FIG. 11P.
  • FIG. 11R is an enlarged cross-sectional view showing a step after FIG. 11Q.
  • FIG. 11S is an enlarged cross-sectional view showing a step after FIG. 11R.
  • FIG. 12 is an enlarged view of a region corresponding to FIG. 8, and is a diagram partially showing a SiC semiconductor device according to a second embodiment of the present invention.
  • FIG. 13A is an enlarged cross-sectional view showing an example of a method for manufacturing the SiC semiconductor device shown in FIG.
  • FIG. 13B is an enlarged cross-sectional view showing a step after FIG. 13A.
  • FIG. 13A is an enlarged cross-sectional view showing an example of a method for manufacturing the SiC semiconductor device shown in FIG.
  • FIG. 13B is an enlarged cross-sectional view showing a step after FIG
  • FIG. 13C is an enlarged cross-sectional view showing a step after FIG. 13B.
  • FIG. 13D is an enlarged cross-sectional view showing the steps after FIG. 13C.
  • FIG. 13E is an enlarged cross-sectional view showing the steps after FIG. 13D.
  • FIG. 13F is an enlarged cross-sectional view showing a step after FIG. 13E.
  • FIG. 14 is an enlarged view of a region corresponding to FIG. 8, and is a diagram partially showing a SiC semiconductor device according to a third embodiment of the present invention.
  • FIG. 15A is an enlarged cross-sectional view showing an example of a method for manufacturing the SiC semiconductor device shown in FIG.
  • FIG. 15B is an enlarged cross-sectional view showing the steps after FIG. 15A.
  • FIG. 16 is an enlarged view of a region corresponding to FIG. 8, and is a diagram partially showing a SiC semiconductor device according to a fourth embodiment of the present invention.
  • FIG. 1 is a perspective view of the SiC semiconductor device 1 according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a plan view of the SiC semiconductor device 1 shown in FIG.
  • FIG. 3 is a plan view obtained by removing the structure above the gate main surface electrode 71 and the source main surface electrode 81 (first main surface electrode) from the structure shown in FIG.
  • FIG. 4 is an enlarged plan view showing the internal structure of the region IV shown in FIG.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view taken along the line VV shown in FIG.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view taken along the line VI-VI shown in FIG.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view taken along the line VII-VII shown in FIG.
  • FIG. 8 is an enlarged view of the region VIII shown in FIG.
  • FIG. 9 is an enlarged view of the region IX shown in FIG.
  • FIG. 10 is a cross-sectional view taken along the line XX shown in FIG.
  • the SiC semiconductor device 1 includes the SiC semiconductor layer 2.
  • the SiC semiconductor layer 2 contains a SiC single crystal composed of hexagonal crystals.
  • the SiC single crystal composed of hexagonal crystals has a plurality of polytypes including 2H (Hexagonal) -SiC single crystal, 4H-SiC single crystal, 6H-SiC single crystal, etc., depending on the period of the atomic arrangement. ..
  • the SiC semiconductor layer 2 is composed of a 4H-SiC single crystal, but does not exclude other polytypes.
  • the thickness of the SiC semiconductor layer 2 may be 40 ⁇ m or more and 300 ⁇ m or less.
  • the thickness of the SiC semiconductor layer 2 may be 40 ⁇ m or more and 100 ⁇ m or less, 100 ⁇ m or more and 150 ⁇ m or less, 150 ⁇ m or more and 200 ⁇ m or less, 200 ⁇ m or more and 250 ⁇ m or less, or 250 ⁇ m or more and 300 ⁇ m or less.
  • the thickness of the SiC semiconductor layer 2 is preferably 60 ⁇ m or more and 150 ⁇ m or less.
  • the SiC semiconductor layer 2 has a first main surface 3 on one side, a second main surface 4 on the other side, and side surfaces 5A to 5D connecting the first main surface 3 and the second main surface 4.
  • the side surfaces 5A to 5D include a first side surface 5A, a second side surface 5B, a third side surface 5C, and a fourth side surface 5D.
  • the first main surface 3 and the second main surface 4 are formed in a rectangular shape (rectangular shape in this form) in a plan view (hereinafter, simply referred to as “planar view”) viewed from their normal direction Z. ..
  • the first main surface 3 and the second main surface 4 face the c-plane of the SiC single crystal in this form.
  • the first main surface 3 faces the silicon surface ((0001) surface) of the SiC single crystal.
  • the first main surface 3 is a non-mounting surface.
  • the second main surface 4 faces the carbon surface ((000-1) surface) of the SiC single crystal.
  • the first main surface 3 and the second main surface 4 may have an off angle inclined at a predetermined angle in the off direction with respect to the c surface.
  • the off direction is preferably the a-axis direction ([11-20] direction) of the SiC single crystal.
  • the c-axis ([0001] direction) of the SiC single crystal is inclined by the off-angle with respect to the normal direction Z.
  • the off angle may exceed 0 ° and be 10 ° or less.
  • the off angle may be 0 ° or more and 6 ° or less.
  • the off angle may be 0 ° or more and 2 ° or less, 2 ° or more and 4 ° or less, or 4 ° or more and 6 ° or less.
  • the off angle is preferably more than 0 ° and 4.5 ° or less.
  • the off angle may be 3 ° or more and 4.5 ° or less. In this case, the off angle is preferably 3 ° or more and 3.5 ° or less, or 3.5 ° or more and 4 ° or less.
  • the off angle may be 1.5 ° or more and 3 ° or less. In this case, the off angle is preferably 1.5 ° or more and 2 ° or less, or 2 ° or more and 2.5 ° or less.
  • the second main surface 4 may be a rough surface having either one or both of grinding marks and annealing marks (specifically, laser irradiation marks).
  • the annealing marks may contain amorphized SiC and / or SiC (specifically Si) that is silicidized (alloyed) with a metal.
  • the second main surface 4 preferably consists of an ohmic surface having at least annealing marks.
  • the first side surface 5A and the second side surface 5B extend in the first direction X and face the second direction Y which intersects (specifically, orthogonally) the first direction X.
  • the first side surface 5A and the second side surface 5B form the short side of the SiC semiconductor layer 2 in a plan view.
  • the third side surface 5C and the fourth side surface 5D extend in the second direction Y and face the first direction X.
  • the third side surface 5C and the fourth side surface 5D form the long side of the SiC semiconductor layer 2 in a plan view.
  • the first direction X is the m-axis direction ([1-100] direction) of the SiC single crystal.
  • the second direction Y is the a-axis direction ([11-20] direction) of the SiC single crystal. That is, the first side surface 5A and the second side surface 5B are formed by the a-plane of the SiC single crystal and face each other in the a-axis direction of the SiC single crystal.
  • the third side surface 5C and the fourth side surface 5D are formed by the m-plane of the SiC single crystal and face each other in the m-axis direction of the SiC single crystal.
  • the length of each side surface 5A to 5D may be 0.1 mm or more and 10 mm or less.
  • the length of each side surface 5A to 5D is preferably 0.5 mm or more and 2.5 mm or less.
  • the side surfaces 5A to 5D may consist of a cleavage surface or a ground surface.
  • the first side surface 5A and the second side surface 5B form an inclined surface inclined toward the c-axis direction ([0001] direction) of the SiC single crystal with respect to the normal direction Z with respect to the normal direction Z. You may be doing it.
  • the first side surface 5A and the second side surface 5B may be inclined at an angle corresponding to the off angle with respect to the normal direction Z when the normal direction Z is 0 °.
  • the angle according to the off angle may be equal to the off angle, or may be an angle exceeding 0 ° and less than the off angle.
  • the third side surface 5C and the fourth side surface 5D extend in a plane along the second direction Y (a-axis direction) and the normal direction Z.
  • the third side surface 5C and the fourth side surface 5D are formed substantially perpendicular to the first main surface 3 and the second main surface 4.
  • the SiC semiconductor layer 2 includes an n + type drain region 6.
  • the concentration of n-type impurities in the drain region 6 may be 1 ⁇ 10 18 cm -3 or more and 1 ⁇ 10 20 cm -3 or less.
  • the drain region 6 is formed on the surface layer portion of the second main surface 4, and forms the second main surface 4. In this form, the drain region 6 is composed of an n + type SiC semiconductor substrate 7.
  • the thickness of the drain region 6 may be 40 ⁇ m or more and 250 ⁇ m or less.
  • the thickness of the drain region 6 may be 40 ⁇ m or more and 100 ⁇ m or less, 100 ⁇ m or more and 150 ⁇ m or less, 150 ⁇ m or more and 200 ⁇ m or less, or 200 ⁇ m or more and 250 ⁇ m or less.
  • the thickness of the drain region 6 is preferably 40 ⁇ m or more and 150 ⁇ m or less.
  • the SiC semiconductor layer 2 includes an n-type drift region 8.
  • the drift region 8 has an n-type impurity concentration less than the n-type impurity concentration of the drain region 6.
  • the concentration of n-type impurities in the drift region 8 may be 1.0 ⁇ 10 15 cm -3 or more and 1.0 ⁇ 10 18 cm -3 or less.
  • the drift region 8 is formed on the surface layer portion of the first main surface 3 and forms the first main surface 3.
  • the drift region 8 is electrically connected to the drain region 6.
  • the boundary between the drain region 6 and the drift region 8 extends parallel to the first main surface 3.
  • the drift region 8 is composed of an n-type SiC epitaxial layer 9 formed on the SiC semiconductor substrate 7.
  • the thickness of the drift region 8 may be 1 ⁇ m or more and 50 ⁇ m or less.
  • the thickness of the drift region 8 may be 1 ⁇ m or more and 5 ⁇ m or less, 5 ⁇ m or more and 10 ⁇ m or less, 10 ⁇ m or more and 15 ⁇ m or less, 15 ⁇ m or more and 20 ⁇ m or less, 20 ⁇ m or more and 30 ⁇ m or less, 30 ⁇ m or more and 40 ⁇ m or less, or 40 ⁇ m or more and 50 ⁇ m or less.
  • the thickness of the drift region 8 is preferably 5 ⁇ m or more and 15 ⁇ m or less.
  • the drift region 8 has a plurality of regions having different n-type impurity concentrations along the normal direction Z.
  • the drift region 8 includes a high concentration region 10 and a low concentration region 11.
  • the high concentration region 10 has a relatively high n-type impurity concentration and is formed in the region on the first main surface 3 side.
  • the low concentration region 11 has an n-type impurity concentration less than the n-type impurity concentration of the high concentration region 10, and is formed in a region on the second main surface 4 side with respect to the high concentration region 10.
  • the peak value of the n-type impurity concentration in the high concentration region 10 may be 1.0 ⁇ 10 16 cm -3 or more and 1.0 ⁇ 10 18 cm -3 or less.
  • the peak value of the n-type impurity concentration in the low concentration region 11 may be 1.0 ⁇ 10 15 cm -3 or more and 1.0 ⁇ 10 16 cm -3 or less.
  • the thickness of the low concentration region 11 exceeds the thickness of the high concentration region 10. That is, the thickness of the high concentration region 10 is less than the thickness of the low concentration region 11 and less than half the total thickness of the drift region 8.
  • a drift region 8 having a uniform n-type impurity concentration may be formed.
  • the SiC semiconductor layer 2 includes an active region 12 and an outer region 13.
  • the active region 12 is a region in which a MISFET (Metal Insulator Semiconductor Field Effect Transistor) is formed.
  • the active region 12 is formed in the central portion of the SiC semiconductor layer 2 at intervals inward from the side surfaces 5A to 5D in a plan view.
  • the active region 12 is formed in a rectangular shape (rectangular shape in this form) having four sides parallel to the side surfaces 5A to 5D in a plan view.
  • the outer region 13 is a region outside the active region 12.
  • the outer region 13 is formed in the region between the side surfaces 5A to 5D and the periphery of the active region 12.
  • the outer region 13 is formed in an annular shape (more specifically, an endless shape) surrounding the active region 12 in a plan view.
  • the SiC semiconductor device 1 includes a plurality of trench gate structures 18 formed on the first main surface 3 in the active region 12.
  • the plurality of trench gate structures 18 are each formed in a band shape extending in the first direction X, and are formed at intervals in the second direction Y.
  • the plurality of trench gate structures 18 are formed in a striped shape as a whole in a plan view.
  • the plurality of trench gate structures 18 extend in a band shape from the peripheral edge portion on one side (third side surface 5C side) to the peripheral edge portion on the other side (fourth side surface 5D side) in the active region 12.
  • the plurality of trench gate structures 18 cross an intermediate portion between one peripheral edge and the other peripheral edge in the active region 12.
  • the length of each trench gate structure 18 may be 1 mm or more and 10 mm or less.
  • the length of each trench gate structure 18 may be 1 mm or more and 2 mm or less, 2 mm or more and 4 mm or less, 4 mm or more and 6 mm or less, 6 mm or more and 8 mm or less, or 8 mm or more and 10 mm or less.
  • the length of each trench gate structure 18 is preferably 2 mm or more and 6 mm or less.
  • the total length of one trench gate structure 18 per unit area may be 0.5 ⁇ m / ⁇ m 2 or more and 0.75 ⁇ m / ⁇ m 2 or less.
  • Each trench gate structure 18 includes an active trench portion 19 and a contact trench portion 20.
  • the active trench portion 19 is a portion along the channel of the MISFET.
  • the contact trench portion 20 is a portion outside the channel of the MISFET.
  • the contact trench portion 20 is an end portion of the trench gate structure 18 and is mainly intended for external connection.
  • Each trench gate structure 18 includes a gate trench 21, a gate insulating layer 22, and a gate electrode 23.
  • the gate insulating layer 22 and the gate electrode 23 are shown by hatching.
  • the gate trench 21 is formed in the drift region 8.
  • the gate trench 21 includes a side wall and a bottom wall.
  • the side wall forming the long side of the gate trench 21 is formed by the a-plane of the SiC single crystal.
  • the side wall forming the short side of the gate trench 21 is formed by the m-plane of the SiC single crystal.
  • the side wall of the gate trench 21 may extend along the normal direction Z.
  • the side wall of the gate trench 21 may be formed substantially perpendicular to the first main surface 3.
  • the angle formed by the side wall of the gate trench 21 with respect to the first main surface 3 in the SiC semiconductor layer 2 may be 90 ° or more and 95 ° or less (for example, 91 ° or more and 93 ° or less). That is, the gate trench 21 may be formed in a tapered shape in which the opening width narrows from the first main surface 3 toward the bottom wall.
  • the bottom wall of the gate trench 21 is located in the high concentration region 10.
  • the bottom wall of the gate trench 21 faces the c-plane of the SiC single crystal.
  • the bottom wall of the gate trench 21 has an off angle inclined in the [11-20] direction with respect to the (0001) plane of the SiC single crystal.
  • the bottom wall of the gate trench 21 may be formed parallel to the first main surface 3.
  • the bottom wall of the gate trench 21 may be formed in a curved shape toward the second main surface 4.
  • the width of the gate trench 21 along the second direction Y may be 0.1 ⁇ m or more and 2 ⁇ m or less.
  • the width of the gate trench 21 may be 0.1 ⁇ m or more and 0.5 ⁇ m or less, 0.5 ⁇ m or more and 1.0 ⁇ m or less, 1.0 ⁇ m or more and 1.5 ⁇ m or less, or 1.5 ⁇ m or more and 2 ⁇ m or less.
  • the gate trench 21 has a first depth D1.
  • the first depth D1 may be 0.5 ⁇ m or more and 3.0 ⁇ m or less.
  • the first depth D1 is 0.5 ⁇ m or more and 1.0 ⁇ m or less, 1.0 ⁇ m or more and 1.5 ⁇ m or less, 1.5 ⁇ m or more and 2.0 ⁇ m or less, 2.0 ⁇ m or more and 2.5 ⁇ m or less, or 2.5 ⁇ m or more 3 It may be 0.0 ⁇ m or less.
  • the opening edge portion of the gate trench 21 includes an inclined portion that is inclined downward from the first main surface 3 toward the inside of the gate trench 21.
  • the opening edge portion of the gate trench 21 is a portion connecting the first main surface 3 and the side wall of the gate trench 21.
  • the inclined portion of the gate trench 21 is formed in a curved shape toward the inside of the SiC semiconductor layer 2.
  • the inclined portion of the gate trench 21 may be formed in a curved shape toward the inside of the gate trench 21.
  • the inclined portion of the gate trench 21 relaxes the electric field concentration on the opening edge portion of the gate trench 21.
  • the gate insulating layer 22 contains at least one of silicon oxide, silicon nitride, aluminum oxide, zirconium oxide and tantalum oxide.
  • the gate insulating layer 22 may have a laminated structure in which a silicon oxide layer and a silicon nitride layer are laminated in any order.
  • the gate insulating layer 22 may have a single-layer structure composed of a silicon oxide layer or a silicon nitride layer. In this form, the gate insulating layer 22 has a single-layer structure composed of a silicon oxide layer.
  • the gate insulating layer 22 is formed in a film shape along the inner wall of the gate trench 21 and partitions the recess space in the gate trench 21.
  • the gate insulating layer 22 includes a first region 24, a second region 25, and a third region 26.
  • the first region 24 is formed along the side wall of the gate trench 21.
  • the second region 25 is formed along the bottom wall of the gate trench 21.
  • the third region 26 is formed along the first main surface 3.
  • the thickness of the first region 24 is less than the thickness of the second region 25 and the thickness of the third region 26.
  • the thickness of the first region 24 may be 0.01 ⁇ m or more and 0.2 ⁇ m or less.
  • the thickness of the second region 25 may be 0.05 ⁇ m or more and 0.5 ⁇ m or less.
  • the thickness of the third region 26 may be 0.05 ⁇ m or more and 0.5 ⁇ m or less.
  • the gate insulating layer 22 includes a bulging portion 27 that bulges toward the inside of the gate trench 21 at the opening edge portion.
  • the bulging portion 27 is formed at the connecting portion of the first region 24 and the third region 26 of the gate insulating layer 22.
  • the bulging portion 27 is formed in a curved shape toward the inside of the gate trench 21.
  • the bulging portion 27 narrows the opening of the gate trench 21 at the opening edge portion.
  • the gate insulating layer 22 having no bulging portion 27 may be formed.
  • the gate insulating layer 22 having a uniform thickness may be formed.
  • the gate electrode 23 is embedded in the gate trench 21 with the gate insulating layer 22 interposed therebetween. Specifically, the gate electrode 23 is embedded in the recess space partitioned by the gate insulating layer 22 in the gate trench 21.
  • the gate electrode 23 has an electrode surface exposed from the opening of the gate trench 21.
  • the electrode surface of the gate electrode 23 is formed in a curved shape recessed toward the bottom wall of the gate trench 21.
  • the electrode surface of the gate electrode 23 is narrowed by the bulging portion 27 of the gate insulating layer 22.
  • the gate electrode 23 is made of a conductive material other than a metal material.
  • the gate electrode 23 is preferably made of conductive polysilicon.
  • the gate electrode 23 contains p-type polysilicon to which p-type impurities have been added.
  • the p-type impurity concentration of the gate electrode 23 may be 1.0 ⁇ 10 18 cm -3 or more and 1.0 ⁇ 10 22 cm -3 or less.
  • the p-type impurity of the gate electrode 23 may contain at least one of boron, aluminum, indium and gallium.
  • the sheet resistance of the gate electrode 23 may be 10 ⁇ / ⁇ or more and 500 ⁇ / ⁇ or less (about 200 ⁇ / ⁇ in this form).
  • the thickness of the gate electrode 23 may be 0.5 ⁇ m or more and 3 ⁇ m or less.
  • the SiC semiconductor device 1 includes a gate wiring 28 formed on the first main surface 3 in the active region 12.
  • the gate wiring 28 is shown by hatching. Specifically, the gate wiring 28 is formed on the third region 26 of the gate insulating layer 22.
  • the gate wiring 28 is formed in the active region 12 along the first side surface 5A, the third side surface 5C, and the fourth side surface 5D, and divides the region in which the plurality of trench gate structures 18 are formed from three directions.
  • the gate wiring 28 is connected to the gate electrode 23 exposed from the contact trench portion 20 of the trench gate structure 18.
  • the gate wiring 28 is formed by a lead-out portion of the gate electrode 23 drawn out from the gate trench 21 onto the first main surface 3.
  • the electrode surface of the gate wiring 28 is connected to the electrode surface of the gate electrode 23.
  • the SiC semiconductor device 1 includes a first low resistance layer 29 that covers the gate electrode 23.
  • the first low resistance layer 29 contains a conductive material having a sheet resistance less than the sheet resistance of the gate electrode 23.
  • the sheet resistance of the first low resistance layer 29 may be 0.01 ⁇ / ⁇ or more and 10 ⁇ / ⁇ or less.
  • the thickness of the first low resistance layer 29 is preferably less than the thickness of the gate electrode 23.
  • the thickness of the first low resistance layer 29 may be 0.01 ⁇ m or more and 3 ⁇ m or less.
  • the first low resistance layer 29 covers the gate electrode 23 in the gate trench 21.
  • the first low resistance layer 29 forms a part of the trench gate structure 18.
  • the first low resistance layer 29 also covers the gate wiring 28.
  • the portion of the first low resistance layer 29 that covers the gate wiring 28 is integrally formed with the portion of the first low resistance layer 29 that covers the gate electrode 23. As a result, the first low resistance layer 29 covers the entire area of the gate electrode 23 and the entire area of the gate wiring 28.
  • the first low resistance layer 29 includes a polyside layer.
  • the polyside layer is composed of a layer in which the surface layer portion of the gate electrode 23 and the surface layer portion of the gate wiring 28 are silicidal with a metal material. That is, the polyside layer is composed of a p-type polyside layer containing p-type impurities added to the gate electrode 23 (p-type polysilicon) and the gate wiring 28 (p-type polysilicon). Further, the electrode surface of the gate electrode 23 and the electrode surface of the gate wiring 28 are formed by the first low resistance layer 29.
  • the polyside layer preferably has a specific resistance of 10 ⁇ ⁇ cm or more and 110 ⁇ ⁇ cm or less.
  • the sheet resistance in the gate trench 21 in which the gate electrode 23 and the first low resistance layer 29 are embedded is less than or equal to the sheet resistance of the gate electrode 23 alone.
  • the sheet resistance in the gate trench 21 is preferably equal to or less than the sheet resistance of n-type polysilicon to which n-type impurities are added.
  • the sheet resistance in the gate trench 21 is approximated to the sheet resistance of the first low resistance layer 29.
  • the sheet resistance in the gate trench 21 may be 0.01 ⁇ / ⁇ or more and 10 ⁇ / ⁇ or less.
  • the sheet resistance in the gate trench 21 is preferably less than 10 ⁇ / ⁇ .
  • the first low resistance layer 29 may contain at least one of TiSi, TiSi 2 , NiSi, CoSi, CoSi 2 , MoSi 2 and WSi 2 .
  • NiSi, CoSi 2 and TiSi 2 are suitable as the polyside layer forming the first low resistance layer 29 because of their relatively small resistivity values and temperature dependence.
  • the first low resistance layer 29 is made of CoSi 2, which has a property of having little diffusion into other regions.
  • the first low resistance layer 29 includes a contact portion in contact with the gate insulating layer 22. Specifically, the contact portion of the first low resistance layer 29 is in contact with the third region 26 (bulging portion 27) of the gate insulating layer 22. As a result, the current path between the first low resistance layer 29 and the drift region 8 can be suppressed. In particular, a design in which the contact portion of the first low resistance layer 29 is connected to a relatively thick corner portion in the gate insulating layer 22 is effective in reducing the risk of the current path.
  • the gate threshold voltage Vth can be increased by about 1 V.
  • the p-type polysilicon has a sheet resistance that is several tens of times (approximately 20 times) higher than the sheet resistance of the n-type polysilicon. Therefore, when p-type polysilicon is used as the material for the gate electrode 23, the energy loss increases as the parasitic resistance in the gate trench 21 (hereinafter, simply referred to as “gate resistance”) increases.
  • the first low resistance layer 29 (p-type polysilicon) is formed on the gate electrode 23 (p-type polysilicon).
  • the sheet resistance in the gate trench 21 can be reduced while allowing an increase in the gate threshold voltage Vth.
  • the sheet resistance can be reduced to 1/100 or less as compared with the structure without the first low resistance layer 29.
  • the sheet resistance can be reduced to 1/5 or less as compared with the gate electrode 23 containing n-type polysilicon.
  • the gate resistance can be reduced, so that the current can be efficiently diffused along the trench gate structure 18. That is, the first low resistance layer 29 is formed as a current diffusion layer that diffuses a current in the gate trench 21.
  • the first low resistance layer 29 can appropriately suppress the switching delay.
  • the gate threshold voltage Vth can be appropriately increased while suppressing the increase in the channel resistance.
  • the SiC semiconductor device 1 includes a plurality of trench source structures 30 each formed in a region between a plurality of trench gate structures 18 adjacent to each other.
  • the plurality of trench source structures 30 are formed so as to sandwich one trench gate structure 18 at intervals in the second direction Y.
  • the plurality of trench source structures 30 are each formed in a strip shape extending in the first direction X.
  • the plurality of trench source structures 30 are formed in a striped shape as a whole in a plan view.
  • the pitch PS between the central portions of the trench source structures 30 adjacent to each other may be 1 ⁇ m or more and 5 ⁇ m or less.
  • the pitch PS may be 1 ⁇ m or more and 2 ⁇ m or less, 2 ⁇ m or more and 3 ⁇ m or less, 3 ⁇ m or more and 4 ⁇ m or less, or 4 ⁇ m or more and 5 ⁇ m or less.
  • the pitch PS is preferably 1.5 ⁇ m or more and 3 ⁇ m or less.
  • Each trench source structure 30 includes a source trench 31, a source insulating layer 32, and a source electrode 33.
  • the source insulating layer 32 and the source electrode 33 are shown by hatching.
  • the source trench 31 is formed in the drift region 8.
  • the source trench 31 includes a side wall and a bottom wall.
  • the side wall forming the long side of the source trench 31 is formed by the a-plane of the SiC single crystal.
  • the side wall forming the short side of the source trench 31 is formed by the m-plane of the SiC single crystal.
  • the bottom wall of the source trench 31 is located in the high concentration region 10.
  • the bottom wall of the source trench 31 faces the c-plane of the SiC single crystal.
  • the bottom wall of the source trench 31 has an off angle inclined in the [11-20] direction with respect to the (0001) plane of the SiC single crystal.
  • the bottom wall of the source trench 31 may be formed parallel to the first main surface 3.
  • the bottom wall of the source trench 31 may be formed in a curved shape toward the second main surface 4.
  • the bottom wall of the source trench 31 is located in the region on the second main surface 4 side with respect to the bottom wall of the gate trench 21.
  • the bottom wall of the source trench 31 is located in the region between the bottom wall of the gate trench 21 and the low concentration region 11 with respect to the normal direction Z. That is, the source trench 31 has a second depth D2 that exceeds the first depth D1 of the gate trench 21.
  • the ratio DS / DG of the second depth D2 to the first depth D1 may be 1.5 or more under the condition that the source trench 31 is located in the high concentration region 10.
  • the ratio DS / DG is preferably 2 or more.
  • the second depth D2 may be 0.5 ⁇ m or more and 10 ⁇ m or less.
  • the second depth D2 may be 0.5 ⁇ m or more and 1 ⁇ m or less, 1 ⁇ m or more and 2 ⁇ m or less, 2 ⁇ m or more and 4 ⁇ m or less, 4 ⁇ m or more and 6 ⁇ m or less, 6 ⁇ m or more and 8 ⁇ m or less, or 8 ⁇ m or more and 10 ⁇ m or less.
  • a source trench 31 having a second depth D2 substantially equal to the first depth D1 may be formed.
  • the source trench 31 includes the first trench portion 34 and the second trench portion 35 in this form.
  • the first trench portion 34 is formed on the opening side of the source trench 31.
  • the first trench portion 34 has a first width W1 with respect to the second direction Y.
  • the first trench portion 34 may be formed in a tapered shape in which the first width W1 narrows from the first main surface 3 toward the bottom wall side.
  • the first trench portion 34 may be formed with a first trench portion 34 that crosses the bottom wall of the gate trench 21 in the normal direction Z. That is, the depth of the first trench portion 34 may exceed the first depth D1 of the gate trench 21.
  • the first trench portion 34 is preferably formed in a region on the first main surface 3 side with respect to the bottom wall of the gate trench 21. That is, the depth of the first trench portion 34 is preferably less than the first depth D1 of the gate trench 21.
  • the depth of the first trench portion 34 may be 0.1 ⁇ m or more and 2 ⁇ m or less.
  • the depth of the first trench portion 34 may be 0.1 ⁇ m or more and 0.5 ⁇ m or less, 0.5 ⁇ m or more and 1 ⁇ m or less, 1 ⁇ m or more and 1.5 ⁇ m or less, or 1.5 ⁇ m or more and 2 ⁇ m or less.
  • the first width W1 of the first trench portion 34 may be equal to or larger than the width of the gate trench 21 or less than the width of the gate trench 21.
  • the first width W1 preferably exceeds the width of the gate trench 21.
  • the first width W1 may be 0.1 ⁇ m or more and 2 ⁇ m or less.
  • the first width W1 may be 0.1 ⁇ m or more and 0.5 ⁇ m or less, 0.5 ⁇ m or more and 1 ⁇ m or less, 1 ⁇ m or more and 1.5 ⁇ m or less, or 1.5 ⁇ m or more and 2 ⁇ m or less.
  • the second trench portion 35 is formed on the bottom wall side of the source trench 31.
  • the second trench portion 35 is formed in a region between the first trench portion 34 and the bottom portion of the drift region 8 in the normal direction Z, and crosses the bottom wall of the gate trench 21. With respect to the normal direction Z, the depth of the second trench portion 35 with respect to the first trench portion 34 preferably exceeds the first depth D1 of the gate trench 21.
  • the second trench portion 35 has a second width W2 that is less than the first width W1 with respect to the second direction Y.
  • the second width W2 may be equal to or greater than the width of the gate trench 21 or less than the width of the gate trench 21 under the condition that the width is less than the first width W1.
  • the second width W2 may be 0.1 ⁇ m or more and less than 2 ⁇ m.
  • the second width W2 may be 0.1 ⁇ m or more and less than 2 ⁇ m.
  • the second width W2 may be 0.1 ⁇ m or more and 0.5 ⁇ m or less, 0.5 ⁇ m or more and 1 ⁇ m or less, 1 ⁇ m or more and 1.5 ⁇ m or less, or 1.5 ⁇ m or more and less than 2 ⁇ m.
  • a second trench portion 35 having a second width W2 substantially equal to the first width W1 may be formed.
  • the opening width of the source trench 31 including the first trench portion 34 and the second trench portion 35 is formed to be approximately the same as the opening width of the gate trench 21.
  • the opening width of the source trench 31 is about the same as the opening width of the gate trench 21 means that the opening width of the source trench 31 is within ⁇ 20% of the opening width of the gate trench 21.
  • the side wall of the second trench portion 35 may extend along the normal direction Z.
  • the angle formed by the side wall of the second trench portion 35 with respect to the first main surface 3 in the SiC semiconductor layer 2 may be 90 ° or more and 95 ° or less (for example, 91 ° or more and 93 ° or less).
  • the side wall of the second trench portion 35 may be formed substantially perpendicular to the first main surface 3.
  • the second trench portion 35 may be formed in a tapered shape in which the second width W2 narrows from the first trench portion 34 toward the bottom wall side.
  • the source insulating layer 32 contains at least one of silicon oxide, silicon nitride, aluminum oxide, zirconium oxide or tantalum oxide.
  • the source insulating layer 32 may have a laminated structure in which a silicon oxide layer and a silicon nitride layer are laminated in any order.
  • the source insulating layer 32 may have a single-layer structure composed of a silicon oxide layer or a silicon nitride layer. In this form, the source insulating layer 32 has a single-layer structure composed of a silicon oxide layer.
  • the source insulating layer 32 is formed in a film shape along the inner wall of the source trench 31, and partitions the recess space in the source trench 31. Specifically, the source insulating layer 32 is formed in a film shape along the inner wall of the second trench portion 35 so as to expose the first trench portion 34. As a result, the source insulating layer 32 has a side wall window portion 36 that exposes the first trench portion 34, and partitions the recess space in the second trench portion 35.
  • the source insulating layer 32 includes a first region 37 and a second region 38.
  • the first region 37 is formed along the side wall of the source trench 31.
  • the second region 38 is formed along the bottom wall of the source trench 31.
  • the thickness of the first region 37 is less than the thickness of the second region 38.
  • the thickness of the first region 37 may be 0.01 ⁇ m or more and 0.2 ⁇ m or less.
  • the thickness of the second region 38 may be 0.05 ⁇ m or more and 0.5 ⁇ m or less.
  • the thickness of the first region 37 may be substantially equal to the thickness of the first region 37 of the gate insulating layer 22.
  • the thickness of the second region 38 may be substantially equal to the thickness of the second region 38 of the gate insulating layer 22.
  • the source insulating layer 32 having a uniform thickness may be formed.
  • the source electrode 33 is embedded in the source trench 31 with the source insulating layer 32 interposed therebetween. Specifically, the source electrode 33 is embedded in the first trench portion 34 and the second trench portion 35 of the source trench 31 with the source insulating layer 32 interposed therebetween. The source electrode 33 is embedded in the recess space partitioned by the second trench portion 35 on the bottom wall side of the source trench 31. The source electrode 33 has a side wall contact portion 39 in contact with the side wall of the first trench portion 34 exposed from the side wall window portion 36 on the opening side of the source trench 31.
  • the source electrode 33 has an electrode surface exposed from the opening of the source trench 31.
  • the electrode surface of the source electrode 33 is formed in a curved shape recessed toward the bottom wall of the source trench 31.
  • the electrode surface of the source electrode 33 may be formed parallel to the first main surface 3.
  • the thickness of the source electrode 33 may be 0.5 ⁇ m or more and 10 ⁇ m or less.
  • the thickness of the source electrode 33 may be 0.5 ⁇ m or more and 1 ⁇ m or less, 1 ⁇ m or more and 2 ⁇ m or less, 2 ⁇ m or more and 4 ⁇ m or less, 4 ⁇ m or more and 6 ⁇ m or less, 6 ⁇ m or more and 8 ⁇ m or less, or 8 ⁇ m or more and 10 ⁇ m or less.
  • the source electrode 33 is made of a conductive material other than the metal material.
  • the source electrode 33 is preferably made of conductive polysilicon.
  • the source electrode 33 contains p-type polysilicon to which p-type impurities have been added.
  • the p-type impurity concentration of the source electrode 33 may be 1.0 ⁇ 10 18 cm -3 or more and 1.0 ⁇ 10 22 cm -3 or less.
  • the p-type impurity concentration of the source electrode 33 is preferably equal to the p-type impurity concentration of the gate electrode 23. That is, the sheet resistance of the source electrode 33 may be 10 ⁇ / ⁇ or more and 500 ⁇ / ⁇ or less (about 200 ⁇ / ⁇ in this form).
  • the p-type impurity of the source electrode 33 may contain at least one of boron, aluminum, indium and gallium.
  • the SiC semiconductor device 1 includes a second low resistance layer 40 that covers the source electrode 33.
  • the second low resistance layer 40 covers the source electrode 33 in the source trench 31.
  • the second low resistance layer 40 forms a part of the trench source structure 30.
  • the second low resistance layer 40 contains a conductive material having a sheet resistance less than the sheet resistance of the source electrode 33.
  • the sheet resistance of the second low resistance layer 40 may be 0.01 ⁇ / ⁇ or more and 10 ⁇ / ⁇ or less.
  • the thickness of the second low resistance layer 40 is preferably less than the thickness of the source electrode 33.
  • the thickness of the second low resistance layer 40 may be 0.01 ⁇ m or more and 3 ⁇ m or less.
  • the second low resistance layer 40 includes a polyside layer.
  • the polyside layer is composed of a layer in which the surface layer portion of the source electrode 33 is silicidized with a metal material. That is, the polyside layer is composed of a p-type polyside layer containing p-type impurities added to the source electrode 33.
  • the electrode surface of the source electrode 33 is formed by the second low resistance layer 40.
  • the polyside layer preferably has a specific resistance of 10 ⁇ ⁇ cm or more and 110 ⁇ ⁇ cm or less.
  • the sheet resistance in the source trench 31 in which the source electrode 33 and the second low resistance layer 40 are embedded is less than or equal to the sheet resistance of the source electrode 33 alone.
  • the sheet resistance in the source trench 31 is preferably less than or equal to the sheet resistance of n-type polysilicon to which n-type impurities are added.
  • the sheet resistance in the source trench 31 is approximated to the sheet resistance of the second low resistance layer 40.
  • the sheet resistance in the source trench 31 may be 0.01 ⁇ / ⁇ or more and 10 ⁇ / ⁇ or less.
  • the sheet resistance in the source trench 31 is preferably less than 10 ⁇ / ⁇ .
  • the second low resistance layer 40 may contain at least one of TiSi, TiSi 2 , NiSi, CoSi, CoSi 2 , MoSi 2 and WSi 2 .
  • NiSi, CoSi 2 and TiSi 2 are suitable as the polyside layer forming the second low resistance layer 40 because of their relatively small resistivity values and temperature dependence.
  • the second low resistance layer 40 is made of CoSi 2, which has a property of having little diffusion into other regions.
  • the second low resistance layer 40 is preferably made of the same conductive material as the first low resistance layer 29.
  • the SiC semiconductor device 1 includes a p-shaped body region 41 formed on the surface layer portion of the first main surface 3 in the active region 12.
  • the body region 41 defines the active region 12.
  • the p-type impurity concentration in the body region 41 is less than the p-type impurity concentration in the gate electrode 23.
  • the p-type impurity concentration in the body region 41 is less than the p-type impurity concentration in the source electrode 33.
  • the peak value of the p-type impurity concentration in the body region 41 may be 1.0 ⁇ 10 17 cm -3 or more and 1.0 ⁇ 10 19 cm -3 or less.
  • the body region 41 covers the side wall of the gate trench 21 and the side wall of the source trench 31 in the surface layer portion of the first main surface 3.
  • the body region 41 is formed in a region on the first main surface 3 side with respect to the bottom wall of the gate trench 21.
  • the body region 41 faces the gate electrode 23 with the gate insulating layer 22 interposed therebetween.
  • the body region 41 is further formed in a region on the side of the first trench portion 34 with respect to the second trench portion 35 of the source trench 31.
  • the body region 41 covers the first trench portion 34 of the source trench 31.
  • the body region 41 is connected to the side wall contact portion 39 of the source electrode 33 exposed from the first trench portion 34 of the source trench 31.
  • the body region 41 is source-grounded in the SiC semiconductor layer 2.
  • the body region 41 may cover a part of the second trench portion 35. In this case, the body region 41 may face the source electrode 33 with a part of the source insulating layer 32 interposed therebetween.
  • the SiC semiconductor device 1 includes an n + type source region 42 formed on the surface layer portion of the body region 41.
  • the source region 42 is formed along the active trench portion 19 of the gate trench 21 at intervals from the contact trench portion 20 of the gate trench 21.
  • the peak value of the n-type impurity concentration in the source region 42 exceeds the peak value of the n-type impurity concentration in the high concentration region 10.
  • the peak value of the n-type impurity concentration in the source region 42 may be 1.0 ⁇ 10 18 cm -3 or more and 1.0 ⁇ 10 21 cm -3 or less.
  • the source region 42 covers the side wall of the gate trench 21 and the side wall of the source trench 31 in the surface layer portion of the body region 41.
  • the source region 42 faces the gate electrode 23 with the gate insulating layer 22 interposed therebetween.
  • the source region 42 preferably faces the first low resistance layer 29 with the gate insulating layer 22 interposed therebetween.
  • the source region 42 is further formed in a region on the side of the first trench portion 34 with respect to the second trench portion 35 of the source trench 31.
  • the source region 42 covers the first trench portion 34 of the source trench 31.
  • the source region 42 is connected to the side wall contact portion 39 of the source electrode 33 exposed from the first trench portion 34 of the source trench 31. As a result, the source region 42 is source-grounded in the SiC semiconductor layer 2.
  • the portion of the source region 42 along the side wall of the gate trench 21 defines the channel of the MISFET in the body region 41 with the high concentration region 10. ON / OFF of the channel is controlled by the gate electrode 23.
  • the SiC semiconductor device 1 includes a plurality of p + type contact regions 43 formed on the surface layer portion of the first main surface 3 in the active region 12.
  • the peak value of the p-type impurity concentration in each contact region 43 exceeds the peak value of the p-type impurity concentration in the body region 41.
  • the peak value of the p-type impurity concentration in each contact region 43 may be 1.0 ⁇ 10 18 cm -3 or more and 1.0 ⁇ 10 21 cm -3 or less.
  • the plurality of contact regions 43 are each formed in regions along the plurality of source trenches 31. Specifically, the plurality of contact regions 43 are formed in a one-to-many correspondence relationship with respect to one corresponding source trench 31. The plurality of contact regions 43 are formed at intervals along one corresponding source trench 31. The plurality of contact regions 43 are formed at intervals from the gate trench 21.
  • Each contact region 43 covers the first trench portion 34 of the corresponding source trench 31.
  • Each contact region 43 is interposed between the side wall contact portion 39 of the source electrode 33 and the source region 42 in the first trench portion 34 of the corresponding source trench 31.
  • Each contact region 43 is further interposed between the side wall contact portion 39 of the source electrode 33 and the body region 41 in the first trench portion 34 of the corresponding source trench 31.
  • each contact region 43 is source-grounded in the SiC semiconductor layer 2. Further, each contact region 43 is electrically connected to the source electrode 33, the body region 41, and the source region 42 in the SiC semiconductor layer 2.
  • each contact region 43 that covers the first trench portion 34 is pulled out toward the gate trench 21.
  • a portion of each contact region 43 that covers the first trench portion 34 of the source trench 31 is formed in a region on the first main surface 3 side with respect to the bottom portion of the body region 41.
  • the portion of each contact region 43 that covers the first trench portion 34 may extend to an intermediate region between the gate trench 21 and the source trench 31.
  • Each contact region 43 further covers the second trench portion 35 of the corresponding source trench 31.
  • Each contact region 43 faces the source electrode 33 with the source insulating layer 32 interposed therebetween in the second trench portion 35 of the corresponding source trench 31.
  • Each contact region 43 further covers the bottom wall of the corresponding source trench 31.
  • Each contact region 43 faces the source electrode 33 with the bottom wall of the corresponding source trench 31 interposed therebetween.
  • the bottom of each contact region 43 may be formed parallel to the bottom wall of the corresponding source trench 31.
  • the SiC semiconductor device 1 includes a plurality of p-type deep well regions 44 formed on the surface layer portion of the first main surface 3 in the active region 12.
  • the peak value of the p-type impurity concentration in each deep well region 44 is less than the peak value of the p-type impurity concentration in the contact region 43.
  • the peak value of the p-type impurity concentration in each deep well region 44 may be equal to or higher than the peak value of the p-type impurity concentration in the body region 41, or may be less than the peak value of the p-type impurity concentration in the body region 41. Good.
  • the peak value of the p-type impurity concentration in each deep well region 44 may be 1.0 ⁇ 10 17 cm -3 or more and 1.0 ⁇ 10 19 cm -3 or less.
  • the plurality of deep well regions 44 are formed in a one-to-one correspondence with the plurality of source trenches 31.
  • Each deep well region 44 is formed in a band shape extending along the corresponding source trench 31 in a plan view.
  • Each deep well region 44 is formed in a high concentration region 10.
  • Each deep well region 44 is formed in a region on the second main surface 4 side with respect to the body region 41.
  • Each deep well region 44 is connected to the body region 41.
  • Each deep well region 44 includes a portion covering the second trench portion 35 of the corresponding source trench 31.
  • Each deep well region 44 includes a portion that covers the second trench portion 35 of the corresponding source trench 31 with the contact region 43 in between.
  • Each deep well region 44 further includes a portion covering the bottom wall of the corresponding source trench 31.
  • Each deep well region 44 includes a portion covering the bottom wall of the corresponding source trench 31 across the contact region 43.
  • Each deep well region 44 has a bottom portion located on the second main surface 4 side with respect to the bottom wall of the gate trench 21.
  • the bottom of each deep well region 44 may be formed parallel to the bottom wall of each source trench 31.
  • the plurality of deep well regions 44 are preferably formed at a constant depth.
  • Each deep well region 44 forms a pn junction with the high concentration region 10. From this pn junction, a depletion layer extends toward the gate trench 21. The depletion layer may overlap the bottom wall of the gate trench 21.
  • the SiC semiconductor device 1 includes a plurality of p-type peripheral edge well regions 45 formed on the surface layer portion of the first main surface 3 in the peripheral edge portion of the active region 12.
  • the peak value of the p-type impurity concentration in each peripheral well region 45 is less than the peak value of the p-type impurity concentration in the contact region 43.
  • the peak value of the p-type impurity concentration in each peripheral well region 45 may be equal to or higher than the peak value of the p-type impurity concentration in the body region 41, or may be less than the peak value of the p-type impurity concentration in the body region 41. Good.
  • the peak value of the p-type impurity concentration in each peripheral well region 45 may be 1.0 ⁇ 10 17 cm -3 or more and 1.0 ⁇ 10 19 cm -3 or less.
  • the p-type impurity concentration in the peripheral well region 45 is preferably substantially equal to the p-type impurity concentration in the deep well region 44.
  • a plurality of peripheral well regions 45 are formed in a one-to-one correspondence with the plurality of trench gate structures 18.
  • the peripheral well region 45 covers the contact trench portion 20 of the corresponding trench gate structure 18 and exposes the active trench portion 19.
  • the peripheral well region 45 covers the side wall and bottom wall of the gate trench 21 at the corresponding contact trench portion 20.
  • the bottom of the peripheral well region 45 is located on the first main surface 3 side with respect to the bottom wall of the deep well region 44.
  • Each peripheral well region 45 is electrically connected to the body region 41 and the deep well region 44.
  • the depletion layer can appropriately relax the electric field concentration on the gate trench 21. Narrowing the pitch PS between the plurality of source trenches 31 (deep well regions 44) adjacent to each other is effective in alleviating the electric field concentration and improving the withstand voltage.
  • the plurality of deep well regions 44 are preferably formed at a constant depth. As a result, it is possible to prevent the withstand voltage (for example, fracture resistance) of the SiC semiconductor layer 2 from being limited by each deep well region 44, so that the withstand voltage can be appropriately improved.
  • the peripheral well region 45 also has the same effect as the deep well region 44.
  • the deep well region 44 can be appropriately formed in a relatively deep region of the SiC semiconductor layer 2. Further, since the deep well region 44 can be formed along the source trench 31, it is possible to appropriately suppress the occurrence of variation in the depths of the plurality of deep well regions 44.
  • a part of the high concentration region 10 is interposed in the region between the plurality of deep well regions 44 adjacent to each other.
  • the JFET Joint Field Effect Transistor
  • each deep well region 44 is located in the high concentration region 10.
  • a current path can be formed in the lateral direction parallel to the first main surface 3 in the region immediately below each deep well region 44 in the high concentration region 10.
  • the low concentration region 11 increases the withstand voltage of the SiC semiconductor layer 2 in such a structure.
  • the active region 12 has an active main surface 51 that forms a part of the first main surface 3.
  • the active main surface 51 and the outer main surface 52 face the c-plane of the SiC single crystal, respectively.
  • the active main surface 51 and the outer main surface 52 each have an off angle inclined in the [11-20] direction with respect to the (0001) plane of the SiC single crystal.
  • the outer region 13 has an outer main surface 52 that forms a part of the first main surface 3.
  • the outer main surface 52 is connected to the side surfaces 5A to 5D.
  • the outer region 13 is formed by digging a drift region 8 (SiC epitaxial layer 9) toward the second main surface 4. Therefore, the outer main surface 52 is formed in a region recessed on the second main surface 4 side with respect to the active main surface 51.
  • the outer main surface 52 is preferably located on the second main surface 4 side with respect to the bottom wall of the gate trench 21.
  • the outer main surface 52 is formed at a depth position substantially equal to the bottom wall of each source trench 31.
  • the outer main surface 52 is located on substantially the same plane as the bottom wall of each source trench 31.
  • the outer main surface 52 may be located on the second main surface 4 side in a range of 0 ⁇ m or more and 1 ⁇ m or less with respect to the bottom wall of each source trench 31.
  • the outer main surface 52 exposes the high density region 10.
  • the active region 12 is formed as an active plateau 53 partitioned in a plateau shape by the outer region 13.
  • the active plateau 53 projects upward from the outer main surface 52.
  • the active plateau 53 includes an active side wall 54 connecting the active main surface 51 and the outer main surface 52.
  • the active side wall 54 partitions the boundary region between the active region 12 and the outer region 13.
  • the first main surface 3 is formed by an active main surface 51, an outer main surface 52, and an active side wall 54.
  • the active side wall 54 extends along the normal direction Z of the active main surface 51 (outer main surface 52).
  • the active side wall 54 is formed by the m-plane and the a-plane of the SiC single crystal.
  • the active side wall 54 may have an inclined surface that is inclined downward from the active main surface 51 toward the outer main surface 52.
  • the active side wall 54 exposes the high concentration region 10.
  • the active side wall 54 may expose the body region 41.
  • the SiC semiconductor device 1 includes a p + type diode region 55 formed on the surface layer portion of the outer main surface 52.
  • the peak value of the p-type impurity concentration in the diode region 55 exceeds the peak value of the p-type impurity concentration in the body region 41.
  • the peak value of the p-type impurity concentration in the diode region 55 may be 1.0 ⁇ 10 18 cm -3 or more and 1.0 ⁇ 10 21 cm -3 or less.
  • the peak value of the p-type impurity concentration in the diode region 55 may be substantially equal to the peak value of the p-type impurity concentration in the contact region 43.
  • the diode region 55 is formed in the high concentration region 10.
  • the diode region 55 is formed in the region between the active side wall 54 and the sides 5A-5D.
  • the diode region 55 is formed at a distance from the active side wall 54 and the side surfaces 5A to 5D.
  • the diode region 55 extends in a strip shape along the active region 12 in a plan view.
  • the diode region 55 is formed in an annular shape (more specifically, an endless shape) surrounding the active region 12 in a plan view.
  • the diode region 55 is located on the second main surface 4 side with respect to the bottom wall of the gate trench 21.
  • the bottom of the diode region 55 is located on the second main surface 4 side with respect to the bottom wall of each source trench 31.
  • the bottom of the diode region 55 may be formed at a depth substantially equal to the bottom of the contact region 43.
  • the bottom of the diode region 55 may be located on substantially the same plane as the bottom of the contact region 43.
  • the bottom portion of the diode region 55 may be located on the second main surface 4 side with respect to the bottom portion of the contact region 43.
  • the bottom portion of the diode region 55 may be located on the second main surface 4 side in a range of 0 ⁇ m or more and 1 ⁇ m or less with respect to the bottom portion of the contact region 43.
  • the diode region 55 forms a pn junction with the high concentration region 10.
  • a pn junction diode having the diode region 55 as the anode and the high concentration region 10 as the cathode is formed.
  • the SiC semiconductor device 1 includes a p-shaped outer well region 56 formed on the surface layer portion of the outer main surface 52.
  • the peak value of the p-type impurity concentration in the outer well region 56 may be 1.0 ⁇ 10 17 cm -3 or more and 1.0 ⁇ 10 19 cm -3 or less.
  • the peak value of the p-type impurity concentration in the outer well region 56 may be less than the peak value of the p-type impurity concentration in the diode region 55.
  • the peak value of the p-type impurity concentration in the outer well region 56 may be substantially equal to the peak value of the p-type impurity concentration in the deep well region 44.
  • the outer well region 56 is formed in a region between the active side wall 54 and the diode region 55 in a plan view.
  • the outer well region 56 extends in a strip shape along the active region 12 in a plan view.
  • the outer well region 56 is formed in an annular shape (more specifically, an endless shape) surrounding the active region 12 in a plan view.
  • the outer well region 56 is formed in the high concentration region 10.
  • the outer well region 56 is located on the second main surface 4 side with respect to the bottom wall of the gate trench 21.
  • the bottom of the outer well region 56 is located on the second main surface 4 side with respect to the bottom wall of each source trench 31.
  • the bottom of the outer well region 56 is located on the second main surface 4 side with respect to the bottom of the diode region 55.
  • the bottom of the outer well region 56 may be formed at a depth substantially equal to the bottom of the deep well region 44.
  • the inner peripheral edge of the outer well region 56 covers the corners connecting the active side wall 54 and the outer main surface 52.
  • the inner peripheral edge of the outer well region 56 further extends along the active side wall 54 and is connected to the body region 41.
  • the inner peripheral edge of the outer well region 56 may be formed at a distance from the active side wall 54 toward the diode region 55 side.
  • the outer peripheral edge of the outer well region 56 covers the diode region 55 from the second main surface 4 side.
  • the outer well region 56 is electrically connected to the diode region 55.
  • the outer well region 56 may form part of a pn junction diode.
  • the outer peripheral edge of the outer well region 56 may be formed at a distance from the diode region 55 toward the active side wall 54.
  • the SiC semiconductor device 1 includes an FL structure 57 (field limit structure) formed on the surface layer portion of the outer main surface 52.
  • the FL structure 57 is formed in a region between the diode region 55 and the side surfaces 5A to 5D in a plan view. In this form, the FL structure 57 is formed at intervals from the side surfaces 5A to 5D toward the diode region 55 side.
  • the FL structure 57 is formed in the high concentration region 10.
  • the FL structure 57 includes one or more (for example, two or more and 20 or less) p-type FL regions 58 (field limit regions).
  • the FL structure 57 includes, in this form, a group of FL regions having five FL regions 58A, 58B, 58C, 58D, 58E.
  • the FL regions 58A to 58E are formed in this order at intervals along the direction away from the diode region 55.
  • the FL regions 58A to 58E extend in a strip shape along the peripheral edge of the active region 12 in a plan view.
  • the FL regions 58A to 58E are specifically formed in an annular shape (more specifically, an endless shape) surrounding the active region 12 in a plan view.
  • the FL regions 58A to 58E are also referred to as FLR regions (field limiting ring regions), respectively.
  • the entire FL region 58A to 58E is located on the second main surface 4 side with respect to the bottom wall of the gate trench 21.
  • the bottom of the FL regions 58A to 58E is located on the second main surface 4 side with respect to the bottom of the diode region 55.
  • the bottom of the FL regions 58A to 58E is located on the second main surface 4 side with respect to the bottom wall of the source trench 31.
  • the innermost FL region 58A of the FL regions 58A to 58E covers the diode region 55 from the second main surface 4 side.
  • the FL region 58A is electrically connected to the diode region 55.
  • the FL region 58A may form a part of the pn junction diode.
  • the FL structure 57 relaxes the electric field concentration in the outer region 13.
  • the number, width, depth, p-type impurity concentration, etc. of the FL region 58 can take various values depending on the electric field to be relaxed.
  • the FL structure 57 may include one or more FL regions 58 formed in the region between the active side wall 54 and the diode region 55 in plan view.
  • the SiC semiconductor device 1 includes an outer insulating layer 61 that covers the outer main surface 52.
  • the outer insulating layer 61 may contain silicon oxide.
  • the outer insulating layer 61 may include another insulating film such as silicon nitride. In this form, the outer insulating layer 61 is formed of the same insulating material type as the gate insulating layer 22.
  • the outer insulating layer 61 is formed in a film shape along the active side wall 54 and the outer main surface 52.
  • the outer insulating layer 61 is connected to the gate insulating layer 22 (third region 26) on the active main surface 51.
  • the outer insulating layer 61 covers the diode region 55, the outer well region 56, and the FL structure 57 in the outer region 13.
  • the peripheral edge of the outer insulating layer 61 is exposed from the side surfaces 5A to 5D.
  • the peripheral edge of the outer insulating layer 61 is continuous with the side surfaces 5A to 5D in this form.
  • the peripheral edge of the outer insulating layer 61 may be formed at intervals inward from the side surfaces 5A to 5D. In this case, the outer insulating layer 61 exposes the outer main surface 52.
  • the SiC semiconductor device 1 further includes a sidewall structure 62 that covers the active side wall 54.
  • the sidewall structure 62 protects and reinforces the active plateau 53 from the outer region 13 side. Further, the sidewall structure 62 forms a step relaxation structure that relaxes the step formed between the active main surface 51 and the outer main surface 52.
  • the upper layer structure covers the sidewall structure 62.
  • the sidewall structure 62 enhances the flatness of the superstructure.
  • the sidewall structure 62 may have an inclined surface that is inclined downward from the active main surface 51 toward the outer main surface 52. The inclined surface of the sidewall structure 62 can appropriately reduce the step.
  • the inclined surface of the sidewall structure 62 may be formed in a curved shape recessed toward the SiC semiconductor layer 2 side.
  • the inclined surface of the sidewall structure 62 may be formed in a curved shape toward the side opposite to the SiC semiconductor layer 2.
  • the inclined surface of the sidewall structure 62 may extend in a plane from the active main surface 51 side toward the outer main surface 52 side.
  • the sidewall structure 62 is formed along the active side wall 54.
  • the sidewall structure 62 is formed in an annular shape (more specifically, an endless shape) surrounding the active region 12 in a plan view.
  • the sidewall structure 62 preferably contains polysilicon (p-type polysilicon in this form). In this case, the sidewall structure 62 can be formed at the same time as the gate electrode 23 and the source electrode 33.
  • the SiC semiconductor device 1 includes an interlayer insulating layer 63 (insulating layer) formed on the first main surface 3.
  • the interlayer insulating layer 63 may contain silicon oxide or silicon nitride.
  • the interlayer insulating layer 63 may include at least one of a USG (Undoped Silicate Glass) layer, a PSG (Phosphor Silicate Glass) layer and a BPSG (Boron Phosphor Silicate Glass) layer as an example of silicon oxide.
  • the interlayer insulating layer 63 has a laminated structure including a first insulating layer 64 and a second insulating layer 65.
  • the first insulating layer 64 is made of a USG layer.
  • the second insulating layer 65 is made of a BPSG layer.
  • the interlayer insulating layer 63 covers the active region 12 and the outer region 13.
  • the interlayer insulating layer 63 is formed in a film shape along the active main surface 51 and the outer main surface 52.
  • the interlayer insulating layer 63 is formed along the sidewall structure 62 in the boundary region between the active region 12 and the outer region 13.
  • the interlayer insulating layer 63 forms a part of the upper layer structure that covers the sidewall structure 62.
  • the peripheral edge of the interlayer insulating layer 63 is exposed from the side surfaces 5A to 5D.
  • the peripheral edge of the interlayer insulating layer 63 is connected to the side surfaces 5A to 5D.
  • the peripheral edge of the interlayer insulating layer 63 may be formed at intervals inward from the side surfaces 5A to 5D. In this case, the interlayer insulating layer 63 exposes the outer main surface 52 (outer insulating layer 61).
  • the interlayer insulating layer 63 covers the source region 42 in the active region 12.
  • the interlayer insulating layer 63 further covers the contact region 43.
  • the interlayer insulating layer 63 covers the entire area of the source region 42 in a cross-sectional view along the second direction Y.
  • the interlayer insulating layer 63 covers the entire area of the source region 42 in a plan view.
  • the interlayer insulating layer 63 covers the entire contact region 43 in cross-sectional view.
  • the interlayer insulating layer 63 covers the entire contact region 43 in a plan view.
  • the interlayer insulating layer 63 covers the source electrode 33 across the first trench portion 34 of the source trench 31 in the active region 12.
  • the interlayer insulating layer 63 covers the side wall contact portion 39 of the source electrode 33 on the first main surface 3.
  • the interlayer insulating layer 63 includes a gate hole 66, a source hole 67, and a diode hole 68.
  • the gate hole 66 exposes the gate wiring 28 in the active region 12.
  • the gate hole 66 may be formed in a band shape along the gate wiring 28.
  • the opening edge portion of the gate hole 66 is formed in a curved shape toward the inside of the gate hole 66.
  • the source hole 67 exposes the source electrode 33 in the active region 12.
  • the source hole 67 may be formed in a band shape extending along the trench source structure 30.
  • the opening edge of the source hole 67 is formed in a curved shape toward the inside of the source hole 67.
  • the source hole 67 is formed in a region surrounded by the side wall of the source trench 31 (first trench portion 34) in a plan view.
  • the source hole 67 exposes the source electrode 33 at a distance from the side wall of the source trench 31 (first trench portion 34) to the inside of the source trench 31.
  • the source hole 67 exposes only the source electrode 33.
  • a recess 69 recessed toward the bottom wall of the source trench 31 is formed on the electrode surface of the source electrode 33.
  • the recess 69 may be formed in a band shape extending along the trench source structure 30.
  • the recess 69 is formed in a region surrounded by the side wall of the source trench 31 (first trench portion 34) in a plan view.
  • the recess 69 is formed at intervals from the side wall of the source trench 31 (first trench portion 34) to the inside of the source trench 31.
  • the recess 69 exposes the second low resistance layer 40.
  • the recess 69 may penetrate the second low resistance layer 40.
  • the source hole 67 communicates with the recess 69 of the source electrode 33.
  • the diode hole 68 exposes the diode region 55 in the outer region 13.
  • the diode hole 68 may be formed in a band shape (specifically, an endless shape) extending along the diode region 55.
  • the diode hole 68 may expose the outer well region 56 and / or the FL structure 57.
  • the opening edge of the diode hole 68 is formed in a curved shape toward the inside of the diode hole 68.
  • the SiC semiconductor device 1 includes a gate main surface electrode 71 formed on the first main surface 3. Specifically, the gate main surface electrode 71 is formed on the interlayer insulating layer 63. A gate voltage is applied to the gate main surface electrode 71.
  • the gate voltage may be 10 V or more and 50 V or less (for example, about 30 V).
  • the gate main surface electrode 71 is formed in the active region 12.
  • the gate main surface electrode 71 includes a gate pad 72 and a gate finger 73.
  • the gate pad 72 is formed in a region on the first side surface 5A side in a plan view. Specifically, the gate pad 72 is formed along a region along the central portion of the first side surface 5A in a plan view.
  • the gate pad 72 may be formed in a region along a corner portion connecting any two of the side surfaces 5A to 5D in a plan view.
  • the gate pad 72 may be formed in a rectangular shape in a plan view.
  • the gate finger 73 is pulled out from the gate pad 72 and extends in a band shape along the peripheral edge of the active region 12.
  • the gate finger 73 extends along the first side surface 5A, the third side surface 5C, and the fourth side surface 5D, and partitions the inside of the active region 12 from three directions.
  • the gate finger 73 has a pair of open ends 74 and 75.
  • the pair of open ends 74 and 75 are formed in a region facing the gate pad 72 with the inner side of the active region 12 interposed therebetween.
  • the pair of open ends 74 and 75 are formed in a region along the second side surface 5B in a plan view.
  • the gate finger 73 enters the gate hole 66 from above the interlayer insulating layer 63.
  • the gate finger 73 is connected to the gate wiring 28 in the gate hole 66.
  • the electric signal from the gate pad 72 is transmitted to the gate electrode 23 and the gate wiring 28 via the gate finger 73.
  • the gate main surface electrode 71 contains a conductive material different from that of the gate electrode 23 (gate wiring 28). Specifically, the gate main surface electrode 71 is made of a metal material. That is, in this form, the gate main surface electrode 71 made of a metal material is electrically connected to the gate electrode 23 (gate wiring 28) made of conductive polysilicon.
  • the gate main surface electrode 71 has a laminated structure including a first barrier layer 76 and a first main body layer 77 laminated in this order from the SiC semiconductor layer 2 side.
  • the first barrier layer 76 preferably contains at least one of the Ti layer and the TiN layer.
  • the first barrier layer 76 preferably has a laminated structure including a Ti layer and a TiN layer laminated in this order from the SiC semiconductor layer 2 side.
  • the first barrier layer 76 may have a single-layer structure composed of a Ti layer or a TiN layer.
  • the thickness of the first barrier layer 76 may be 0.01 ⁇ m or more and 6 ⁇ m or less.
  • the thickness of the first barrier layer 76 may be 0.01 ⁇ m or more and 0.1 ⁇ m or less, 0.1 ⁇ m or more and 2 ⁇ m or less, 2 ⁇ m or more and 4 ⁇ m or less, or 4 ⁇ m or more and 6 ⁇ m or less.
  • the first main body layer 77 has a resistance value less than the resistance value of the first barrier layer 76.
  • the first main body layer 77 includes at least one of a pure Al layer, an AlSi alloy layer, an AlCu alloy layer, and an AlSiCu alloy layer.
  • the thickness of the first main body layer 77 exceeds the thickness of the first barrier layer 76.
  • the thickness of the first main body layer 77 may be 0.05 ⁇ m or more and 10 ⁇ m or less.
  • the thickness of the first main body layer 77 is 0.05 ⁇ m or more and 0.1 ⁇ m or less, 0.1 ⁇ m or more and 1 ⁇ m or less, 1 ⁇ m or more and 2 ⁇ m or less, 2 ⁇ m or more and 4 ⁇ m or less, 4 ⁇ m or more and 6 ⁇ m or less, 6 ⁇ m or more and 8 ⁇ m or less, or 8 ⁇ m or more. It may be 10 ⁇ m or less.
  • the SiC semiconductor device 1 includes a source main surface electrode 81 formed on the first main surface 3 at a distance from the gate main surface electrode 71. Specifically, the source main surface electrode 81 is formed on the interlayer insulating layer 63. A source voltage is applied to the source main surface electrode 81.
  • the source voltage may be a reference voltage (eg, GND voltage).
  • the source main surface electrode 81 is formed in the active region 12 and the outer region 13.
  • the source main surface electrode 81 includes a source pad 82, a source wiring 83, and a source connecting portion 84.
  • the source pad 82 is formed in the active region 12 at a distance from the gate main surface electrode 71.
  • the source pad 82 is formed in a C-shape in a plan view so as to cover a C-shaped region defined by the gate main surface electrode 71.
  • the source pad 82 includes a source connection electrode 85 and a source coated electrode 86.
  • the source connection electrode 85 is embedded in the source hole 67.
  • the source connection electrode 85 is connected to the source electrode 33 in the source hole 67.
  • the source connection electrode 85 is connected only to the source electrode 33 in the source hole 67.
  • the source-coated electrode 86 covers the interlayer insulating layer 63 in the region outside the source hole 67.
  • the source-coated electrode 86 is integrally formed with the source connection electrode 85 in this form.
  • the source pad 82 is electrically connected to the body region 41, the source region 42, and the contact region 43 via the source electrode 33.
  • the source wiring 83 is formed in the outer region 13.
  • the source wiring 83 extends in a strip shape along the active region 12.
  • the source wiring 83 is formed in an annular shape (more specifically, an endless shape) surrounding the active region 12 in a plan view.
  • the source wiring 83 enters the diode hole 68 from above the interlayer insulating layer 63.
  • the source wiring 83 is electrically connected to the diode region 55 in the diode hole 68.
  • the source connecting portion 84 connects the source pad 82 and the source wiring 83.
  • the source connecting portion 84 is connected to the source wiring 83 from the source pad 82 across the open ends 74 and 75 of the gate finger 73.
  • the source connecting portion 84 is drawn from the active region 12 across the sidewall structure 62 to the outer region 13.
  • the source connecting portion 84 forms a part of the upper layer structure that covers the sidewall structure 62.
  • the source main surface electrode 81 contains a conductive material different from that of the source electrode 33. Specifically, the source main surface electrode 81 is made of a metal material. That is, in this form, the source main surface electrode 81 made of a metal material is electrically connected to the source electrode 33 made of conductive polysilicon.
  • the source main surface electrode 81 has a laminated structure including a second barrier layer 87 and a second main body layer 88 laminated in this order from the SiC semiconductor layer 2 side.
  • the second barrier layer 87 preferably contains at least one of the Ti layer and the TiN layer.
  • the second barrier layer 87 preferably has a laminated structure including a Ti layer and a TiN layer laminated in this order from the SiC semiconductor layer 2 side.
  • the second barrier layer 87 may have a single-layer structure composed of a Ti layer or a TiN layer.
  • the thickness of the second barrier layer 87 may be 0.01 ⁇ m or more and 6 ⁇ m or less.
  • the thickness of the second barrier layer 87 may be 0.01 ⁇ m or more and 0.1 ⁇ m or less, 0.1 ⁇ m or more and 2 ⁇ m or less, 2 ⁇ m or more and 4 ⁇ m or less, or 4 ⁇ m or more and 6 ⁇ m or less.
  • the second main body layer 88 has a resistance value less than the resistance value of the second barrier layer 87.
  • the second main body layer 88 includes at least one of a pure Al layer, an AlSi alloy layer, an AlCu alloy layer, and an AlSiCu alloy layer.
  • the thickness of the second main body layer 88 exceeds the thickness of the second barrier layer 87.
  • the thickness of the second main body layer 88 may be 0.05 ⁇ m or more and 10 ⁇ m or less.
  • the thickness of the second main body layer 88 is 0.05 ⁇ m or more and 0.1 ⁇ m or less, 0.1 ⁇ m or more and 1 ⁇ m or less, 1 ⁇ m or more and 2 ⁇ m or less, 2 ⁇ m or more and 4 ⁇ m or less, 4 ⁇ m or more and 6 ⁇ m or less, 6 ⁇ m or more and 8 ⁇ m or less, or 8 ⁇ m or more. It may be 10 ⁇ m or less.
  • the MISFET formed in the active region 12 includes an npn type parasitic transistor due to its structure.
  • the parasitic transistor is turned on. In this case, latch-up makes the control of the MOSFET unstable. Therefore, in the SiC semiconductor device 1, an avalanche current absorption structure is formed by utilizing the structure of the source main surface electrode 81.
  • the avalanche current generated in the outer region 13 is absorbed by the source wiring 83 via the diode region 55.
  • the avalanche current absorbed by the source wiring 83 reaches the source pad 82 via the source connecting portion 84.
  • a wire such as a bonding wire is electrically connected to the source pad 82, the avalanche current reaches the outside via the wire.
  • the driving of the parasitic transistor due to the avalanche current can be suppressed. Therefore, since latch-up can be suppressed, the stability of the MISFET can be improved.
  • the SiC semiconductor device 1 includes an insulating layer 91 formed on the interlayer insulating layer 63.
  • the insulating layer 91 is shown by hatching.
  • the peripheral edge of the insulating layer 91 is formed at intervals inward from the side surfaces 5A to 5D.
  • the insulating layer 91 exposes the peripheral edge of the SiC semiconductor layer 2 (specifically, the interlayer insulating layer 63) in a plan view.
  • the peripheral edge of the insulating layer 91 partitions the dicing street DS between the side surfaces 5A to 5D. According to the dicing street DS, it is not necessary to physically cut the insulating layer 91 when cutting out the SiC semiconductor device 1 from the SiC wafer. As a result, the SiC semiconductor device 1 can be smoothly cut out from the SiC wafer, and at the same time, peeling and deterioration of the insulating layer 91 can be suppressed. As a result, the insulating layer 91 can appropriately protect the object to be protected such as the SiC semiconductor layer 2, the gate main surface electrode 71, and the source main surface electrode 81.
  • the width of the dicing street DS may be 1 ⁇ m or more and 25 ⁇ m or less.
  • the width of the dicing street DS may be 1 ⁇ m or more and 5 ⁇ m or less, 5 ⁇ m or more and 10 ⁇ m or less, 10 ⁇ m or more and 15 ⁇ m or less, 15 ⁇ m or more and 20 ⁇ m or less, or 20 ⁇ m or more and 25 ⁇ m or less.
  • the insulating layer 91 selectively covers the gate main surface electrode 71 and the source main surface electrode 81.
  • the insulating layer 91 includes a gate pad opening 92 and a source pad opening 93.
  • the gate pad opening 92 exposes the gate pad 72.
  • the source pad opening 93 exposes the source pad 82.
  • the planar shape of the gate pad opening 92 is arbitrary.
  • the planar shape of the source pad opening 93 is arbitrary.
  • the insulating layer 91 has a laminated structure including a passivation layer 94 and a resin layer 95 laminated in this order from the SiC semiconductor layer 2 side.
  • the passivation layer 94 may include at least one of a silicon oxide layer and a silicon nitride layer.
  • the passivation layer 94 may have a laminated structure in which a silicon oxide layer and a silicon nitride layer are laminated in any order.
  • the passivation layer 94 may have a single-layer structure composed of a silicon oxide layer or a silicon nitride layer.
  • the passivation layer 94 preferably contains an insulating material different from that of the interlayer insulating layer 63. In this form, the passivation layer 94 has a single-layer structure composed of a silicon nitride layer.
  • the passivation layer 94 is formed in a film shape along the interlayer insulating layer 63.
  • the passivation layer 94 covers the active region 12 and the outer region 13 with the interlayer insulating layer 63 interposed therebetween.
  • the passivation layer 94 is drawn from the active region 12 across the sidewall structure 62 to the outer region 13.
  • the passivation layer 94 forms a part of the upper layer structure that covers the sidewall structure 62.
  • the passivation layer 94 has a first gate opening 96 and a first source opening 97.
  • the first gate opening 96 exposes the gate pad 72.
  • the first source opening 97 exposes the source pad 82.
  • the planar shape of the first gate opening 96 is arbitrary.
  • the planar shape of the first source opening 97 is arbitrary.
  • the thickness of the passivation layer 94 may be 0.1 ⁇ m or more and 20 ⁇ m or less.
  • the thickness of the passivation layer 94 may be 0.1 ⁇ m or more and 1 ⁇ m or less, 1 ⁇ m or more and 5 ⁇ m or less, 5 ⁇ m or more and 10 ⁇ m or less, 10 ⁇ m or more and 15 ⁇ m or less, or 15 ⁇ m or more and 20 ⁇ m or less.
  • the resin layer 95 may contain a photosensitive resin.
  • the photosensitive resin may be a negative type or a positive type.
  • the resin layer 95 may contain at least one of polyimide, polyamide and polybenzoxazole.
  • the resin layer 95 contains polybenzoxazole in this form.
  • the resin layer 95 is formed in a film shape along the main surface of the passivation layer 94.
  • the resin layer 95 is drawn from the active region 12 across the sidewall structure 62 to the outer region 13.
  • the resin layer 95 forms a part of the upper layer structure that covers the sidewall structure 62.
  • the peripheral edge of the resin layer 95 exposes the peripheral edge of the passivation layer 94 in this form.
  • the peripheral edge of the insulating layer 91 is formed by the peripheral edge of the resin layer 95 and the peripheral edge of the passivation layer 94.
  • the resin layer 95 may cover the peripheral edge of the passivation layer 94.
  • the resin layer 95 has a second gate opening 98 and a second source opening 99.
  • the second gate opening 98 communicates with the first gate opening 96 of the passivation layer 94 and forms a gate pad opening 92 with the first gate opening 96.
  • the second source opening 99 communicates with the first source opening 97 of the passivation layer 94 and forms a source pad opening 93 with the first source opening 97.
  • the inner wall of the second gate opening 98 may be formed flush with the inner wall of the first gate opening 96.
  • the inner wall of the second gate opening 98 may be located outside the first gate opening 96 in a plan view.
  • the inner wall of the second gate opening 98 may be located within the first gate opening 96 in a plan view. That is, the resin layer 95 may cover the inner wall of the first gate opening 96.
  • the inner wall of the second source opening 99 may be formed flush with the inner wall of the first source opening 97.
  • the inner wall of the second source opening 99 may be located outside the first source opening 97 in a plan view.
  • the inner wall of the second source opening 99 may be located within the first source opening 97 in a plan view. That is, the resin layer 95 may cover the inner wall of the first source opening 97.
  • the thickness of the resin layer 95 may be 1 ⁇ m or more and 50 ⁇ m or less.
  • the thickness of the resin layer 95 may be 1 ⁇ m or more and 10 ⁇ m or less, 10 ⁇ m or more and 20 ⁇ m or less, 20 ⁇ m or more and 30 ⁇ m or less, 30 ⁇ m or more and 40 ⁇ m or less, or 40 ⁇ m or more and 50 ⁇ m or less.
  • the SiC semiconductor device 1 includes an uneven structure 101 (Uneven Structure) formed on the outer main surface 52.
  • the uneven structure 101 includes unevenness (Unevenness) formed by utilizing the interlayer insulating layer 63 that covers the outer main surface 52. More specifically, the uneven structure 101 includes an anchor hole 102 formed in the interlayer insulating layer 63.
  • the anchor hole 102 is formed by digging down a portion of the interlayer insulating layer 63 that covers the outer region 13.
  • the anchor hole 102 may be formed in a region between the diode region 55 and the side surfaces 5A to 5D in a plan view. In this form, the anchor hole 102 is formed in the region between the FL structure 57 and the side surfaces 5A to 5D in a plan view.
  • the anchor hole 102 may be partitioned by the interlayer insulating layer 63.
  • the anchor hole 102 exposes the outer main surface 52 in this form.
  • the anchor hole 102 may be dug down from the outer main surface 52 toward the second main surface 4.
  • the opening edge portion of the anchor hole 102 is formed in a curved shape toward the inside of the anchor hole 102.
  • the anchor hole 102 extends in a strip shape along the active region 12 in a plan view.
  • the anchor hole 102 is formed in an annular shape (more specifically, an endless shape) surrounding the active region 12 in a plan view.
  • the number of anchor holes 102 is arbitrary.
  • One anchor hole 102 may be formed in the interlayer insulating layer 63, or a plurality of anchor holes 102 may be formed in the interlayer insulating layer 63.
  • the resin layer 95 has an anchor portion 103 that meshes with the anchor hole 102.
  • the resin layer 95 meshes with the anchor hole 102 via the passivation layer 94.
  • the passivation layer 94 penetrates into the anchor hole 102 from above the interlayer insulating layer 63.
  • the passivation layer 94 is in contact with the outer main surface 52 in the anchor hole 102.
  • a recess 104 recessed toward the anchor hole 102 is formed in a portion of the main surface of the passivation layer 94 that covers the anchor hole 102.
  • a part of the resin layer 95 forms an anchor portion 103 in the recess 104 of the passivation layer 94.
  • the connection strength of the resin layer 95 to the first main surface 3 can be increased, so that peeling of the resin layer 95 can be appropriately suppressed.
  • the SiC semiconductor device 1 includes a drain electrode 105 formed on the second main surface 4 of the SiC semiconductor layer 2.
  • the drain electrode 105 is electrically connected to the drain region 6.
  • the drain electrode 105 includes at least one of a Ti layer, a Ni layer, a Pd layer, an Au layer, an Ag layer and an Al layer.
  • the drain electrode 105 preferably includes a Ti layer that forms ohmic contact with the second main surface 4.
  • the drain electrode 105 preferably has a laminated structure including a Ti layer, a Ni layer, and an Au layer laminated in this order from at least the second main surface 4 side. It is more preferable that the drain electrode 105 has a laminated structure including a Ti layer, a Ni layer, an Au layer and an Ag layer laminated in this order from the second main surface 4 side.
  • the Pd layer is preferably interposed between the Ni layer and the Au layer.
  • the Al layer may be arranged in any layer in the laminated structure.
  • the source electrode 33 has a side wall contact portion 39 exposed from the side wall window portion 36.
  • the source region 42 is electrically connected to the side wall contact portion 39 of the source electrode 33 exposed from the side wall of the source trench 31 in the SiC semiconductor layer 2. As a result, the source region 42 can be appropriately source-grounded in the SiC semiconductor layer 2.
  • the body region 41 is electrically connected to the side wall contact portion 39 of the source electrode 33 exposed from the side wall of the source trench 31 in the SiC semiconductor layer 2. As a result, the body region 41 can be appropriately source-grounded in the SiC semiconductor layer 2.
  • a contact region 43 is interposed between the body region 41 and the side wall contact portion 39 on the surface layer portion of the first main surface 3.
  • the contact region 43 is electrically connected to the side wall contact portion 39 of the source electrode 33 exposed from the side wall of the source trench 31 in the SiC semiconductor layer 2.
  • the contact region 43 can be appropriately source-grounded in the SiC semiconductor layer 2.
  • the interlayer insulating layer 63 covering the source region 42 can be formed on the first main surface 3. Further, the interlayer insulating layer 63 that covers the entire area of the source region 42 in cross-sectional view can be formed. Further, the interlayer insulating layer 63 that covers the entire area of the source region 42 can be formed even in a plan view. Further, an interlayer insulating layer 63 that covers the side wall contact portion 39 of the source electrode 33 can be formed on the first main surface 3.
  • the SiC semiconductor device 1 since the source region 42 is source-grounded in the SiC semiconductor layer 2, the opening width of the source hole 67 that exposes the source electrode 33 can be narrowed. As a result, the alignment margin of the source hole 67 can be widened. That is, it is possible to provide the SiC semiconductor device 1 that is resistant to misalignment of the source hole 67.
  • the source hole 67 that exposes only the source electrode 33 can be formed, and at the same time, the source connection electrode 85 that is connected only to the source electrode 33 can be formed.
  • the source region 42 can be appropriately grounded to the source, and at the same time, fluctuations in electrical characteristics due to misalignment of the source connection electrode 85 (source hole 67) can be appropriately suppressed.
  • the source electrode 33 is preferably made of a conductive material other than a metal material.
  • the source electrode 33 is particularly preferably made of conductive polysilicon.
  • the source main surface electrode 81 is preferably made of a conductive material different from that of the source electrode 33. It is particularly preferable that the source main surface electrode 81 is made of a metal material.
  • the source electrode 33 can be appropriately embedded in the source trench 31, and at the same time, the source main surface electrode 81 can be appropriately connected to the source electrode 33.
  • the opening width of the source trench 31 is about the same as the opening width of the gate trench 21, and the source trench 31 has a second depth D2 that exceeds the first depth D1 of the gate trench 21. It is especially effective when it is.
  • a metal material can be embedded in the source trench 31.
  • the depth of the source trench 31 is limited, and at the same time, it is necessary to form the source trench 31 having an opening width that greatly exceeds the opening width of the gate trench 21. Therefore, it is necessary to pay attention to the point contrary to the demand for high withstand voltage and miniaturization of the SiC semiconductor device 1. According to the SiC semiconductor device 1, such a problem can be solved.
  • FIG. 11A to 11S are enlarged cross-sectional views showing an example of the manufacturing method of the SiC semiconductor device 1 shown in FIG. 11A to 11S are enlarged views of the region corresponding to FIG.
  • an n + type SiC wafer 111 that serves as a base for the drain region 6 (SiC semiconductor substrate 7) is prepared.
  • the SiC epitaxial layer 112 which is the base of the drift region 8 (SiC epitaxial layer 9), is formed on the main surface of the SiC wafer 111.
  • the SiC epitaxial layer 112 is formed on the main surface of the SiC wafer 111 by an epitaxial growth method.
  • the SiC epitaxial layer 112 having the high concentration region 10 and the low concentration region 11 is formed by adjusting the addition amount of the n-type impurities.
  • the SiC semiconductor layer 2 including the drain region 6 and the drift region 8 is formed.
  • the SiC semiconductor layer 2, the first main surface 3 and the second main surface 4 will be described.
  • a p-shaped body region 41 is formed on the surface layer portion of the first main surface 3.
  • the body region 41 is formed over the entire surface layer portion of the first main surface 3.
  • the body region 41 is formed by introducing p-type impurities into the first main surface 3.
  • an n + type source region 42 is formed on the surface layer portion of the body region 41.
  • the source region 42 is formed in the surface layer portion of the body region 41 in a region where a channel of the MOSFET should be formed.
  • the source region 42 is formed by introducing an n-type impurity into the surface layer portion of the body region 41.
  • a hard mask 113 having a predetermined pattern is formed on the first main surface 3.
  • the hard mask 113 has a plurality of openings 114 that expose a region on the first main surface 3 where the gate trench 21, the source trench 31, and the outer region 13 should be formed.
  • the hard mask 113 may contain silicon oxide.
  • the hard mask 113 may be formed by a CVD (chemical vapor deposition) method or a thermal oxidation treatment method.
  • the hard mask 113 is formed by a thermal oxidation treatment method in this step.
  • an unnecessary portion of the SiC epitaxial layer 112 is removed by an etching method via a hard mask 113.
  • the etching method may be a wet etching method and / or a dry etching method.
  • the etching method is preferably a dry etching method.
  • a mask 115 having a predetermined pattern is formed on the first main surface 3.
  • the mask 115 has a plurality of openings 116 that expose the source trench 31 and the outer region 13.
  • the mask 115 has a laminated structure including a polysilicon layer 117 and an insulating layer 118 in this step.
  • the insulating layer 118 contains silicon oxide.
  • the polysilicon layer 117 may be formed by a CVD method.
  • the insulating layer 118 may be formed by a CVD method or a thermal oxidation treatment method. In this step, the insulating layer 118 is formed by a thermal oxidation treatment method for the polysilicon layer 117.
  • the etching method may be a wet etching method and / or a dry etching method.
  • the etching method is preferably a dry etching method.
  • a deep well region 44, a peripheral well region 45, and an outer well region 56 are formed on the surface layer portion of the first main surface 3.
  • the deep well region 44, the peripheral well region 45, and the outer well region 56 are formed by introducing p-type impurities into the first main surface 3.
  • the p-type impurities are introduced into the outer main surface 52 via an ion implantation mask.
  • the p-type impurities may be introduced into the outer main surface 52 via the mask 115 in addition to the ion implantation mask.
  • a plurality of FL regions 58 are formed on the surface layer portion of the first main surface 3 (outer main surface 52).
  • the plurality of FL structures 57 are formed by introducing p-type impurities into the first main surface 3.
  • the p-type impurities are introduced into the outer main surface 52 via an ion implantation mask.
  • the contact region 43 and the diode region 55 are formed on the surface layer portion of the first main surface 3.
  • the contact region 43 and the diode region 55 are formed by introducing p-type impurities into the first main surface 3.
  • the p-type impurities are introduced into the first main surface 3 via an ion implantation mask.
  • the base insulating layer 119 which is the base of the gate insulating layer 22, the source insulating layer 32, and the outer insulating layer 61, is formed on the first main surface 3.
  • the base insulating layer 119 may contain silicon oxide.
  • the base insulating layer 119 may be formed by a CVD method or a thermal oxidation treatment method.
  • the portion of the base insulating layer 119 that covers the side wall of the gate trench 21 and the portion that covers the side wall of the source trench 31 are formed thinner than the other portions. Further, in the base insulating layer 119, the portion covering the opening edge portion of the gate trench 21 and the portion covering the opening edge portion of the source trench 31 are formed thicker than the other portions.
  • the base insulating layer 119 having such a structure is formed by adjusting the conditions of the CVD method and the thermal oxidation treatment method. For example, in the CVD method or the thermal oxidation treatment method, predetermined conditions such as gas flow rate, gas type, gas ratio, gas supply time, and temperature may be adjusted.
  • the first polysilicon layer 120 which is the base of the gate electrode 23, the gate wiring 28, and the source electrode 33, is formed on the first main surface 3.
  • the first polysilicon layer 120 fills the gate trench 21 and the source trench 31 and covers the first main surface 3.
  • the first polysilicon layer 120 may be formed by a CVD method.
  • the CVD method may be an LP-CVD (Low Pressure-CVD) method.
  • the first polysilicon layer 120 is made of conductive polysilicon to which conductivity is imparted by p-type impurities.
  • the p-type impurity may be added to the first polysilicon layer 120 at the same time as the CVD method, or may be added separately after the CVD method.
  • Unnecessary portions of the first polysilicon layer 120 are removed until the base insulating layer 119 is exposed. Unnecessary portions of the first polysilicon layer 120 may be removed by an etching method.
  • the etching method may be a wet etching method and / or a dry etching method. As a result, the gate electrode 23, the gate wiring 28, and the source electrode 33 are formed.
  • the sidewall structure 62 including a part of the first polysilicon layer 120 is formed.
  • the sidewall structure 62 is formed in a self-aligned manner with respect to the active main surface 51.
  • a resist mask 121 having a predetermined pattern is formed on the first main surface 3.
  • the resist mask 121 has an opening 122 that exposes the source trench 31, a part of the source region 42, and the contact region 43, and covers the other regions.
  • the unnecessary portion of the source insulating layer 32 and the unnecessary portion of the source electrode 33 are removed by an etching method via a resist mask 121.
  • a part of the SiC epitaxial layer 112 is also removed.
  • the source trench 31 having the first trench portion 34 and the second trench portion 35 is formed.
  • a side wall window portion 36 that exposes the first trench portion 34 of the source trench 31 is formed in the source insulating layer 32.
  • the resist mask 121 is then removed.
  • the second polysilicon layer 123 which is the base of the source electrode 33, is formed on the first main surface 3.
  • the second polysilicon layer 123 fills the first trench portion 34 of the source trench 31 and covers the first main surface 3.
  • the second polysilicon layer 123 may be formed by a CVD method.
  • the CVD method may be an LP-CVD (Low Pressure-CVD) method.
  • the second polysilicon layer 123 is made of conductive polysilicon to which conductivity is imparted by p-type impurities.
  • the p-type impurity may be added to the second polysilicon layer 123 at the same time as the CVD method, or may be added separately after the CVD method.
  • an unnecessary portion of the second polysilicon layer 123 is removed. Unnecessary portions of the second polysilicon layer 123 are removed until the first main surface 3 is exposed. Unnecessary portions of the second polysilicon layer 123 may be removed by an etching method.
  • the etching method may be a wet etching method and / or a dry etching method. As a result, the source electrode 33 is formed again.
  • the sidewall structure 62 including a part of the second polysilicon layer 123 is formed.
  • the sidewall structure 62 is formed in a self-aligned manner with respect to the active main surface 51.
  • the metal layer 124 covering the gate electrode 23, the gate wiring 28, and the source electrode 33 is formed on the first main surface 3.
  • the metal layer 124 contains a metal material that can be polysided with p-type polysilicon.
  • the metal layer 124 may contain at least one of Mo, W, Ni, Co and Ti.
  • the metal layer 124 may be formed by a CVD method, a sputtering method and / or a vapor deposition method.
  • a p-type polyside layer is formed on the surface layer portion of the gate electrode 23, the surface layer portion of the gate wiring 28, and the surface layer portion of the source electrode 33 by the heat treatment method for the metal layer 124.
  • the heat treatment method may be an RTA (Rapid Thermal Annealing) method.
  • RTA Rapid Thermal Annealing
  • a p-type polyside layer containing at least one of TiSi, TiSi 2 , NiSi, CoSi, CoSi 2 , MoSi 2 and WSi 2 is formed.
  • the first low resistance layer 29 and the second low resistance layer 40 are formed by the p-type polyside layer.
  • the unreacted portion of the metal layer 124 is removed.
  • the unreacted portion of the metal layer 124 may be removed by an etching method.
  • the etching method may be a wet etching method and / or a dry etching method.
  • first low resistance layer 29 and the second low resistance layer 40 contain TiSi or CoSi
  • a heat treatment method is applied to the first low resistance layer 29 and the second low resistance layer 40 after removing the unreacted portion of the metal layer 124. May be carried out again.
  • the heat treatment method for the first low resistance layer 29 and the second low resistance layer 40 may be the RTA method.
  • TiSi can be modified to TiSi 2
  • CoSi can be modified to CoSi 2 .
  • the interlayer insulating layer 63 is formed on the first main surface 3.
  • the interlayer insulating layer 63 collectively covers the active region 12 and the outer region 13.
  • the interlayer insulating layer 63 includes a first insulating layer 64 and a second insulating layer 65.
  • the first insulating layer 64 is made of a USG layer.
  • the second insulating layer 65 is made of a BPSG layer.
  • the first insulating layer 64 and the second insulating layer 65 may be formed by a CVD method.
  • a resist mask 125 having a predetermined pattern is formed on the interlayer insulating layer 63.
  • the resist mask 125 has a plurality of openings 126 that expose the area where the gate hole 66, the source hole 67, the diode hole 68, and the anchor hole 102 should be formed.
  • the etching method may be a wet etching method and / or a dry etching method.
  • the etching method is preferably a dry etching method.
  • a heat treatment method may be performed on the interlayer insulating layer 63.
  • the opening edge of the gate hole 66, the opening edge of the source hole 67, the opening edge of the diode hole 68, and the opening edge of the anchor hole 102 are rounded in a curved shape.
  • the base barrier layer 127 which is the base of the first barrier layer 76 and the second barrier layer 87, is formed on the interlayer insulating layer 63.
  • the base barrier layer 127 has a laminated structure including a Ti layer and a TiN layer laminated in this order from the interlayer insulating layer 63 side.
  • the Ti layer and the TiN layer may be formed by a sputtering method, respectively.
  • the base body layer 128, which is the base of the first body layer 77 and the second body layer 88, is formed on the base barrier layer 127.
  • the base body layer 128 includes at least one of a pure Al layer, an AlSi alloy layer, an AlCu alloy layer and an AlSiCu alloy layer.
  • the base body layer 128 may be formed by a sputtering method.
  • the etching method may be a wet etching method and / or a dry etching method.
  • the etching method is preferably a dry etching method.
  • the insulating layer 91 is formed on the interlayer insulating layer 63.
  • the insulating layer 91 has a laminated structure including a passivation layer 94 and a resin layer 95.
  • the passivation layer 94 may be formed by a CVD method.
  • the resin layer 95 may be formed by applying a photosensitive resin on the passivation layer 94.
  • the resin layer 95 is selectively exposed and then developed. As a result, the second gate opening 98, the second source opening 99, and the dicing street DS are formed in the resin layer 95.
  • the portion exposed from the second gate opening 98, the second source opening 99, and the dicing street DS is removed.
  • the unnecessary portion of the passivation layer 94 may be removed by an etching method via the resin layer 95.
  • the etching method may be a wet etching method and / or a dry etching method.
  • the first gate opening 96, the first source opening 97, and the dicing street DS are formed in the passivation layer 94.
  • the first gate opening 96 partitions the gate pad opening 92 from the second gate opening 98.
  • the first source opening 97 partitions the source pad opening 93 from the second source opening 99.
  • the drain electrode 105 is formed on the second main surface 4.
  • the drain electrode 105 includes at least one of a Ti layer, a Ni layer, a Pd layer, an Au layer, an Ag layer and an Al layer.
  • the Ti layer, Ni layer, Pd layer, Au layer, Ag layer and / or Al layer may be formed by a sputtering method, a vapor deposition method, a CVD method and / or a plating method.
  • the second main surface 4 may be ground prior to the step of forming the drain electrode 105. As a result, the SiC semiconductor layer 2 may be thinned to a desired thickness. Further, the second main surface 4 after grinding may be annealed by a laser irradiation method.
  • the SiC semiconductor layer 2 is cut along the dicing street DS.
  • a plurality of SiC semiconductor devices 1 are cut out from one SiC wafer 111.
  • the SiC semiconductor device 1 is formed through the steps including the above.
  • FIG. 12 is an enlarged view of a region corresponding to FIG. 8, and is a diagram partially showing the SiC semiconductor device 131 according to the second embodiment of the present invention.
  • the same reference numerals will be given to the structures corresponding to the structures described for the SiC semiconductor device 1, and the description thereof will be omitted.
  • the source insulating layer 32 has a bottom wall window portion 132 that exposes the bottom wall of the source trench 31 in this form.
  • the bottom wall window portion 132 exposes the central portion of the bottom wall at a distance from the side wall of the source trench 31.
  • the bottom wall window portion 132 may expose the side wall and the bottom wall of the source trench 31 on the bottom wall side of the source trench 31.
  • the bottom wall of the source trench 31 has a recess 133 recessed toward the second main surface 4 side.
  • the recess 133 exposes the central portion of the bottom wall at a distance from the side wall of the source trench 31.
  • the bottom wall window portion 132 communicates with the recess 133.
  • the source electrode 33 has a bottom wall contact portion 134 in contact with the bottom wall (recess 133) of the source trench 31 exposed from the bottom wall window portion 132.
  • the portion of each contact region 43 that covers the bottom wall of the source trench 31 is electrically connected to the bottom wall contact portion 134 of the source electrode 33.
  • Each deep well region 44 includes a portion of the bottom wall of the source trench 31 that is electrically connected to the bottom wall contact portion 134 of the source electrode 33 via the contact region 43.
  • Each deep well region 44 includes a portion of the bottom wall of the source trench 31 that is electrically connected to the bottom wall contact portion 134 of the source electrode 33.
  • the SiC semiconductor device 131 As described above, according to the SiC semiconductor device 131, the same effect as that described for the SiC semiconductor device 1 can be obtained. Further, according to the SiC semiconductor device 131, the side wall contact portion 39 in which the source electrode 33 is exposed from the side wall window portion 36 and the bottom wall contact portion 134 exposed from the bottom wall window portion 132 are included. The contact region 43 is electrically connected to the side wall contact portion 39 of the source electrode 33 on the opening side of the source trench 31, and electrically connected to the bottom wall contact portion 134 of the source electrode 33 on the bottom wall side of the source trench 31. ing.
  • the MISFET When a negative drain source voltage VGS is applied between the source electrode 33 and the drain electrode 105, the MISFET performs a third quadrant operation. In the third quadrant operation, a forward current flows through the pn junction diode formed by the body region 41 (deep well region 44). Since this forward current flows from the source electrode 33 toward the drain electrode 105, it is a reverse current with respect to the MISFET.
  • the forward current of the pn junction diode flows from the side wall contact portion 39 of the source electrode 33 to the drift region 8 via the side wall window portion 36, and at the same time, from the bottom wall contact portion 134 of the source electrode 33 via the bottom wall window portion 132. And flows into the drift region 8.
  • the current path of the forward current of the pn junction diode is increased, so that the on-resistance can be reduced.
  • the forward characteristics of the pn junction diode can be improved.
  • a source trench 31 that does not have a recess 133 may be formed.
  • a recess 133 that penetrates the contact region 43 may be formed.
  • a contact region 43 may be formed that covers the side wall of the recess 133 and exposes the bottom wall of the recess 133.
  • FIG. 13A to 13H are enlarged cross-sectional views showing an example of a manufacturing method of the SiC semiconductor device 131 shown in FIG.
  • the SiC semiconductor layer 2 in which the base insulating layer 119 is formed is prepared through the steps of FIGS. 11A to 11G.
  • the base polysilicon layer 135 is formed in a film shape along the inner wall of the gate trench 21, the inner wall of the source trench 31, and the first main surface 3.
  • the base polysilicon layer 135 may be formed by a CVD method.
  • the CVD method may be an LP-CVD (Low Pressure-CVD) method.
  • the base polysilicon layer 135 is made of conductive polysilicon to which conductivity is imparted by p-type impurities.
  • the p-type impurity may be added to the polysilicon layer 135 at the same time as the CVD method, or may be added separately after the CVD method.
  • the unnecessary portion of the base polysilicon layer 135 is removed.
  • the unnecessary portion of the base polysilicon layer 135 is a portion extending parallel to the first main surface 3.
  • Unnecessary portions of the base polysilicon layer 135 may be removed by an etching method.
  • the etching method is preferably an anisotropic dry etching method.
  • the dry etching method may be a RIE (Reactive Ion Etching) method.
  • a part of the base polysilicon layer 135 covers the side wall of the gate trench 21 and remains in a state where the bottom wall of the gate trench 21 is exposed. Further, a part of the base polysilicon layer 135 covers the side wall of the source trench 31 and remains in a state where the bottom wall of the source trench 31 is exposed.
  • a resist mask 136 having a predetermined pattern is formed on the first main surface 3.
  • the resist mask 136 has an opening 137 that exposes the source trench 31 and covers the other region.
  • the etching method is preferably an anisotropic dry etching method.
  • the dry etching method may be a RIE method.
  • the bottom wall window portion 132 that exposes the bottom wall of the source trench 31 is formed in the portion of the base insulating layer 119 that covers the bottom wall of the source trench 31.
  • the portion of the SiC epitaxial layer 112 exposed from the bottom wall window portion 132 is also removed.
  • a recess 133 communicating with the bottom wall window portion 132 is formed on the bottom wall of the source trench 31.
  • the resist mask 136 is then removed.
  • the first polysilicon layer 120 which is the base of the gate electrode 23, the gate wiring 28, and the source electrode 33, is formed on the first main surface 3.
  • the first polysilicon layer 120 fills the gate trench 21 and the source trench 31 and covers the first main surface 3.
  • the first polysilicon layer 120 is integrally formed with the base polysilicon layer 135 in the gate trench 21 and in the source trench 31.
  • the first polysilicon layer 120 may be formed by a CVD method.
  • the CVD method may be an LP-CVD (Low Pressure-CVD) method.
  • the first polysilicon layer 120 is made of conductive polysilicon to which conductivity is imparted by p-type impurities.
  • the p-type impurity may be added to the first polysilicon layer 120 at the same time as the CVD method, or may be added separately after the CVD method.
  • an unnecessary portion of the first polysilicon layer 120 is removed. Unnecessary portions of the first polysilicon layer 120 are removed until the base insulating layer 119 is exposed. Unnecessary portions of the first polysilicon layer 120 may be removed by an etching method. The etching method may be a wet etching method and / or a dry etching method. As a result, the gate electrode 23, the gate wiring 28, and the source electrode 33 are formed.
  • the sidewall structure 62 including a part of the first polysilicon layer 120 is formed.
  • the sidewall structure 62 is formed in a self-aligned manner with respect to the active main surface 51.
  • FIG. 14 is an enlarged view of a region corresponding to FIG. 8, and is a diagram partially showing the SiC semiconductor device 141 according to the third embodiment of the present invention.
  • the same reference numerals will be given to the structures corresponding to the structures described for the SiC semiconductor device 1, and the description thereof will be omitted.
  • the trench source structure 30 does not have a source insulating layer 32 in this form.
  • the source electrode 33 includes a first side wall contact portion 142, a second side wall contact portion 143, and a bottom wall contact portion 145 in the source trench 31.
  • the first side wall contact portion 142 is in contact with the side wall of the first trench portion 34.
  • the second side wall contact portion 143 is in contact with the side wall of the second trench portion 35.
  • the bottom wall contact portion 145 is in contact with the bottom wall of the source trench 31.
  • Each contact region 43 is electrically connected to the first side wall contact portion 142, the second side wall contact portion 143, and the bottom wall contact portion 145 of the source electrode 33.
  • Each deep well region 44 includes a portion electrically connected to the first side wall contact portion 142, the second side wall contact portion 143, and the bottom wall contact portion 145 of the source electrode 33 via the contact region 43.
  • Each deep well region 44 includes a portion electrically connected to the first side wall contact portion 142, the second side wall contact portion 143, and the bottom wall contact portion 145 of the source electrode 33.
  • the source electrode 33 includes a first side wall contact portion 142, a second side wall contact portion 143, and a bottom wall contact portion 145.
  • the contact region 43 is electrically connected to the first side wall contact portion 142, the second side wall contact portion 143, and the bottom wall contact portion 145 of the source electrode 33.
  • the MISFET When a negative drain source voltage VGS is applied between the source electrode 33 and the drain electrode 105, the MISFET performs a third quadrant operation. In the third quadrant operation, a forward current flows through the pn junction diode formed by the body region 41 (deep well region 44). Since this forward current flows from the source electrode 33 toward the drain electrode 105, it is a reverse current with respect to the MISFET.
  • the forward current of the pn junction diode flows from the side wall contact portion 39 of the source electrode 33 to the drift region 8 via the side wall window portion 36, and at the same time, from the bottom wall contact portion 134 of the source electrode 33 via the bottom wall window portion 132. And flows into the drift region 8.
  • the current path of the forward current of the pn junction diode is increased, so that the on-resistance can be reduced.
  • the forward characteristics of the pn junction diode can be improved.
  • 15A and 15B are enlarged cross-sectional views showing an example of a manufacturing method of the SiC semiconductor device 141 shown in FIG.
  • the SiC semiconductor layer 2 in which the first polysilicon layer 120 is embedded in the gate trench 21 and the source trench 31 is prepared through the steps of FIGS. 11A to 11I.
  • a resist mask 121 having a predetermined pattern is formed on the first main surface 3.
  • the resist mask 121 has an opening 122 that exposes the source trench 31, a part of the source region 42, and the contact region 43, and covers the other regions.
  • the entire portion of the first polysilicon layer 120 embedded in the source trench 31 is removed by an etching method via a resist mask 121.
  • the entire source insulating layer 32 is also removed.
  • a part of the SiC epitaxial layer 112 is also removed. As a result, the source trench 31 having the first trench portion 34 and the second trench portion 35 is formed.
  • FIG. 16 is an enlarged view of a region corresponding to FIG. 8, and is a diagram partially showing the SiC semiconductor device 151 according to the fourth embodiment of the present invention.
  • the same reference numerals will be given to the structures corresponding to the structures described for the SiC semiconductor device 1, and the description thereof will be omitted.
  • the source pad 82 includes a source connection electrode 85 and a source coating electrode 86 integrally formed of the same metal material.
  • the source pad 82 according to the SiC semiconductor device 151 includes a source connection electrode 85 and a source coating electrode 86 separately formed of different metal materials.
  • the source connection electrode 85 is composed of a plug electrode 152.
  • the plug electrode 152 is composed of a tungsten plug electrode including a barrier layer 153 and a tungsten layer 154 laminated in this order from the source hole 67 side.
  • the barrier layer 153 is formed in a film shape along the inner wall of the source hole 67 and the electrode surface of the source electrode 33.
  • the barrier layer 153 partitions the recess space in the source hole 67.
  • the barrier layer 153 preferably has a laminated structure including a Ti layer and a TiN layer laminated in this order from the inner wall side of the source hole 67.
  • the barrier layer 153 may have a single-layer structure composed of a Ti layer or a TiN layer.
  • the tungsten layer 154 is embedded in the source hole 67 with the barrier layer 153 interposed therebetween.
  • the source-coated electrode 86 has a laminated structure including a second barrier layer 87 and a second main body layer 88.
  • the source-coated electrode 86 covers the interlayer insulating layer 63 and the source connection electrode 85.
  • the source-coated electrode 86 is electrically connected to the source electrode 33 via the source connection electrode 85.
  • the SiC semiconductor device 151 As described above, according to the SiC semiconductor device 151, the same effect as that described for the SiC semiconductor device 1 can be obtained. Further, according to the SiC semiconductor device 151, the source connection electrode 85 composed of the plug electrode 152 is embedded in the source hole 67. As a result, the opening width of the source hole 67 can be narrowed, and at the same time, the source connection electrode 85 can be appropriately embedded in the narrow source hole 67. Therefore, the source connection electrode 85 can be appropriately connected to the source electrode 33.
  • the structure of the SiC semiconductor device 151 can also be applied to the SiC semiconductor device 131 according to the second embodiment and the SiC semiconductor device 141 according to the third embodiment.
  • first low resistance layer 29 and the second low resistance layer 40 have been described. However, a structure in which either or both of the first low resistance layer 29 and the second low resistance layer 40 are not formed may be adopted.
  • the gate electrode 23 and the gate wiring 28 may contain n-type polysilicon to which n-type impurities are added, instead of p-type polysilicon.
  • the first low resistance layer 29 may be formed by silicating the portion of the gate electrode 23 (n-type polysilicon) that forms the surface layer portion with a metal material. That is, the first low resistance layer 29 may include an n-type polyside. In the case of such a structure, the gate resistance can be reduced. Of course, the first low resistance layer 29 does not have to be formed.
  • the second low resistance layer 40 may be formed by silicating the portion of the source electrode 33 (n-type polysilicon) that forms the surface layer portion with a metal material. That is, the second low resistance layer 40 may include an n-type polyside. Of course, the second low resistance layer 40 does not have to be formed.
  • the source electrode 33 containing the p-type polysilicon to which the p-type impurity is added has been formed.
  • the source electrode 33 by forming the first polysilicon layer 120 made of p-type and the second polysilicon layer 123 made of n-type, the source electrode 33 having a laminated structure of p-type polysilicon and n-type polysilicon can be formed. It may be formed.
  • the second low resistance layer 40 may be formed by silicating the portion of the source electrode 33 (n-type polysilicon) that forms the surface layer portion with a metal material. That is, the second low resistance layer 40 may include an n-type polyside. Of course, the second low resistance layer 40 does not have to be formed.
  • the insulating layer 91 has a laminated structure including the passivation layer 94 and the resin layer 95 has been described.
  • the insulating layer 91 may have a single-layer structure composed of the passivation layer 94 or the resin layer 95.
  • the first direction X is the m-axis direction ([1-100] direction) of the SiC single crystal
  • the second direction Y is the a-axis direction ([11-20] direction) of the SiC single crystal.
  • An example of is described.
  • a form is adopted in which the first direction X is the a-axis direction ([11-20] direction) of the SiC single crystal and the second direction Y is the m-axis direction ([1-100] direction) of the SiC single crystal. May be done.
  • a MISFET is formed as an example of an insulated gate transistor.
  • a p + type collector region may be adopted instead of the n + type drain region 6.
  • an IGBT Insulated Gate Bipolar Transistor
  • the "source" of the MISFET is read as the "emitter” of the IGBT, and the "drain” of the MISFET is read as the "collector” of the IGBT.
  • the p-type portion may be n-type and the n-type portion may be p-type.

Abstract

ＳｉＣ半導体装置は、主面を有する第１導電型のＳｉＣ半導体層と、前記主面に形成され、側壁および底壁を有するソーストレンチと、前記ソーストレンチに埋設され、前記ソーストレンチの前記側壁において前記ソーストレンチの開口側の領域に接する側壁コンタクト部を有するソース電極と、前記主面の表層部において前記ソーストレンチに沿う領域に形成された第２導電型のボディ領域と、前記ボディ領域の表層部において前記ソース電極の前記側壁コンタクト部に電気的に接続された第１導電型のソース領域と、を含む。

Description

ＳｉＣ半導体装置
　ソーストレンチを備えたＳｉＣ半導体装置に関する。
　特許文献１は、ＳｉＣ半導体基板、ソーストレンチ、ソース絶縁層、ソース電極、ボディ領域およびソース領域を含むＳｉＣ半導体装置を開示している。ソーストレンチは、ＳｉＣ半導体基板の主面に形成されている。ソース絶縁層は、ソーストレンチの内壁に形成されている。ソース電極は、ソース絶縁層を挟んでソーストレンチに埋設されている。ボディ領域は、ＳｉＣ半導体基板の主面の表層部においてソース絶縁層を挟んでソース電極に対向している。ソース領域は、ボディ領域の表層部においてソース絶縁層を挟んでソース電極に対向している。
国際公開第２０１６／００６６９６Ａ１号
　本発明の一実施形態は、ソーストレンチを備えた構造において、ソース領域を適切にソース接地させることができるＳｉＣ半導体装置を提供する。
　本発明の一実施形態は、主面を有する第１導電型のＳｉＣ半導体層と、前記主面に形成され、側壁および底壁を有するソーストレンチと、前記ソーストレンチに埋設され、前記ソーストレンチの前記側壁において前記ソーストレンチの開口側の領域に接する側壁コンタクト部を有するソース電極と、前記主面の表層部において前記ソーストレンチに沿う領域に形成された第２導電型のボディ領域と、前記ボディ領域の表層部において前記ソース電極の前記側壁コンタクト部に電気的に接続された第１導電型のソース領域と、を含む、ＳｉＣ半導体装置を提供する。
　このＳｉＣ半導体装置によれば、ソース領域が、ソーストレンチの側壁から露出するソース電極に電気的に接続されている。これにより、ソース領域を適切にソース接地させることができるＳｉＣ半導体装置を提供できる。
　本発明における上述の、またはさらに他の目的、特徴および効果は、添付図面を参照して次に述べる実施形態の説明により明らかにされる。
図１は、本発明の第１実施形態に係るＳｉＣ半導体装置の斜視図である。 図２は、図１に示すＳｉＣ半導体装置の平面図である。 図３は、図２に示す構造から第１主面電極の上の構造を取り除いた平面図である。 図４は、図３に示す領域IVの内部構造を示す拡大平面図である。 図５は、図４に示すV-V線に沿う断面図である。 図６は、図４に示すVI-VI線に沿う断面図である。 図７は、図４に示すVII-VII線に沿う断面図である。 図８は、図５に示す領域VIIIの拡大図である。 図９は、図６に示す領域IXの拡大図である。 図１０は、図２に示すX-X線に沿う断面図である。 図１１Ａは、図１に示すＳｉＣ半導体装置の製造方法の一例を示す拡大断面図である。 図１１Ｂは、図１１Ａの後の工程を示す拡大断面図である。 図１１Ｃは、図１１Ｂの後の工程を示す拡大断面図である。 図１１Ｄは、図１１Ｃの後の工程を示す拡大断面図である。 図１１Ｅは、図１１Ｄの後の工程を示す拡大断面図である。 図１１Ｆは、図１１Ｅの後の工程を示す拡大断面図である。 図１１Ｇは、図１１Ｆの後の工程を示す拡大断面図である。 図１１Ｈは、図１１Ｇの後の工程を示す拡大断面図である。 図１１Ｉは、図１１Ｈの後の工程を示す拡大断面図である。 図１１Ｊは、図１１Ｉの後の工程を示す拡大断面図である。 図１１Ｋは、図１１Ｊの後の工程を示す拡大断面図である。 図１１Ｌは、図１１Ｋの後の工程を示す拡大断面図である。 図１１Ｍは、図１１Ｌの後の工程を示す拡大断面図である。 図１１Ｎは、図１１Ｍの後の工程を示す拡大断面図である。 図１１Ｏは、図１１Ｎの後の工程を示す拡大断面図である。 図１１Ｐは、図１１Ｏの後の工程を示す拡大断面図である。 図１１Ｑは、図１１Ｐの後の工程を示す拡大断面図である。 図１１Ｒは、図１１Ｑの後の工程を示す拡大断面図である。 図１１Ｓは、図１１Ｒの後の工程を示す拡大断面図である。 図１２は、図８に対応する領域の拡大図であって、本発明の第２実施形態に係るＳｉＣ半導体装置を部分的に示す図である。 図１３Ａは、図１２に示すＳｉＣ半導体装置の製造方法の一例を示す拡大断面図である。 図１３Ｂは、図１３Ａの後の工程を示す拡大断面図である。 図１３Ｃは、図１３Ｂの後の工程を示す拡大断面図である。 図１３Ｄは、図１３Ｃの後の工程を示す拡大断面図である。 図１３Ｅは、図１３Ｄの後の工程を示す拡大断面図である。 図１３Ｆは、図１３Ｅの後の工程を示す拡大断面図である。 図１４は、図８に対応する領域の拡大図であって、本発明の第３実施形態に係るＳｉＣ半導体装置を部分的に示す図である。 図１５Ａは、図１４に示すＳｉＣ半導体装置の製造方法の一例を示す拡大断面図である。 図１５Ｂは、図１５Ａの後の工程を示す拡大断面図である。 図１６は、図８に対応する領域の拡大図であって、本発明の第４実施形態に係るＳｉＣ半導体装置を部分的に示す図である。
　図１は、本発明の第１実施形態に係るＳｉＣ半導体装置１の斜視図である。図２は、図１に示すＳｉＣ半導体装置１の平面図である。図３は、図２に示された構造からゲート主面電極７１およびソース主面電極８１（第１主面電極）の上の構造を取り除いた平面図である。図４は、図３に示す領域IVの内部構造を示す拡大平面図である。図５は、図４に示すV-V線に沿う断面図である。図６は、図４に示すVI-VI線に沿う断面図である。図７は、図４に示すVII-VII線に沿う断面図である。図８は、図５に示す領域VIIIの拡大図である。図９は、図６に示す領域IXの拡大図である。図１０は、図２に示すX-X線に沿う断面図である。
　図１～図１０を参照して、ＳｉＣ半導体装置１は、ＳｉＣ半導体層２を含む。ＳｉＣ半導体層２は、六方晶からなるＳｉＣ単結晶を含む。六方晶からなるＳｉＣ単結晶は、原子配列の周期に応じて、２Ｈ（Hexagonal）－ＳｉＣ単結晶、４Ｈ－ＳｉＣ単結晶、６Ｈ－ＳｉＣ単結晶等を含む複数種のポリタイプを有している。ＳｉＣ半導体層２は、この形態（this embodiment）では、４Ｈ－ＳｉＣ単結晶からなるが、他のポリタイプを除外するものではない。
　ＳｉＣ半導体層２の厚さは、４０μｍ以上３００μｍ以下であってもよい。ＳｉＣ半導体層２の厚さは、４０μｍ以上１００μｍ以下、１００μｍ以上１５０μｍ以下、１５０μｍ以上２００μｍ以下、２００μｍ以上２５０μｍ以下、または、２５０μｍ以上３００μｍ以下であってもよい。ＳｉＣ半導体層２の厚さは、６０μｍ以上１５０μｍ以下であることが好ましい。
　ＳｉＣ半導体層２は、一方側の第１主面３、他方側の第２主面４、ならびに、第１主面３および第２主面４を接続する側面５Ａ～５Ｄを有している。側面５Ａ～５Ｄは、第１側面５Ａ、第２側面５Ｂ、第３側面５Ｃおよび第４側面５Ｄを含む。第１主面３および第２主面４は、それらの法線方向Ｚから見た平面視（以下、単に「平面視」という。）において四角形状（この形態では長方形状）に形成されている。
　第１主面３および第２主面４は、この形態では、ＳｉＣ単結晶のｃ面に面している。第１主面３は、ＳｉＣ単結晶のシリコン面（（０００１）面）に面している。第１主面３は、非実装面である。第２主面４は、ＳｉＣ単結晶のカーボン面（（０００－１）面）に面している。第１主面３および第２主面４は、ｃ面に対してオフ方向に所定の角度で傾斜したオフ角を有していてもよい。オフ方向は、ＳｉＣ単結晶のａ軸方向（［１１－２０］方向）であることが好ましい。オフ角を有する場合、ＳｉＣ単結晶のｃ軸（［０００１］方向）は、法線方向Ｚに対してオフ角分だけ傾斜する。
　オフ角は、０°を超えて１０°以下であってもよい。オフ角は、０°以上６°以下であってもよい。オフ角は、０°以上２°以下、２°以上４°以下、または、４°以上６°以下であってもよい。オフ角は、０°を超えて４．５°以下であることが好ましい。オフ角は、３°以上４．５°以下であってもよい。この場合、オフ角は、３°以上３．５°以下、または、３．５°以上４°以下であることが好ましい。オフ角は、１．５°以上３°以下であってもよい。この場合、オフ角は、１．５°以上２°以下、または、２°以上２．５°以下であることが好ましい。
　第２主面４は、研削痕およびアニール痕（具体的にはレーザ照射痕）のいずれか一方または双方を有する粗面からなっていてもよい。アニール痕は、非晶質化したＳｉＣ、および／または、金属とシリサイド化（合金化）したＳｉＣ（具体的にはＳｉ）を含んでいてもよい。第２主面４は、少なくともアニール痕を有するオーミック面からなることが好ましい。
　第１側面５Ａおよび第２側面５Ｂは、第１方向Ｘに延び、第１方向Ｘに交差（具体的には直交）する第２方向Ｙに対向している。第１側面５Ａおよび第２側面５Ｂは、平面視においてＳｉＣ半導体層２の短辺を形成している。第３側面５Ｃおよび第４側面５Ｄは、第２方向Ｙに延び、第１方向Ｘに対向している。第３側面５Ｃおよび第４側面５Ｄは、平面視においてＳｉＣ半導体層２の長辺を形成している。
　第１方向Ｘは、この形態では、ＳｉＣ単結晶のｍ軸方向（［１－１００］方向）である。第２方向Ｙは、ＳｉＣ単結晶のａ軸方向（［１１－２０］方向）である。つまり、第１側面５Ａおよび第２側面５Ｂは、ＳｉＣ単結晶のａ面によって形成され、ＳｉＣ単結晶のａ軸方向に対向している。第３側面５Ｃおよび第４側面５Ｄは、ＳｉＣ単結晶のｍ面によって形成され、ＳｉＣ単結晶のｍ軸方向に対向している。各側面５Ａ～５Ｄの長さは、０．１ｍｍ以上１０ｍｍ以下であってもよい。各側面５Ａ～５Ｄの長さは、０．５ｍｍ以上２．５ｍｍ以下であることが好ましい。
　側面５Ａ～５Ｄは、劈開面または研削面からなっていてもよい。側面５Ａ～５Ｄは、この形態では、劈開面からなる。第１側面５Ａおよび第２側面５Ｂは、法線方向Ｚを基準にしたとき、法線方向Ｚに対してＳｉＣ単結晶のｃ軸方向（［０００１］方向）に向けて傾斜した傾斜面を形成していてもよい。
　第１側面５Ａおよび第２側面５Ｂは、法線方向Ｚを０°としたとき、法線方向Ｚに対してオフ角に応じた角度で傾斜していてもよい。オフ角に応じた角度は、オフ角と等しくてもよいし、０°を超えてオフ角未満の角度であってもよい。一方、第３側面５Ｃおよび第４側面５Ｄは、第２方向Ｙ（ａ軸方向）および法線方向Ｚに沿って平面的に延びている。第３側面５Ｃおよび第４側面５Ｄは、具体的には、第１主面３および第２主面４に対して略垂直に形成されている。
　ＳｉＣ半導体層２は、ｎ＋型のドレイン領域６を含む。ドレイン領域６のｎ型不純物濃度は、１×１０１８ｃｍ－３以上１×１０２０ｃｍ－３以下であってもよい。ドレイン領域６は、第２主面４の表層部に形成され、第２主面４を形成している。ドレイン領域６は、この形態では、ｎ＋型のＳｉＣ半導体基板７からなる。
　ドレイン領域６の厚さは、４０μｍ以上２５０μｍ以下であってもよい。ドレイン領域６の厚さは、４０μｍ以上１００μｍ以下、１００μｍ以上１５０μｍ以下、１５０μｍ以上２００μｍ以下、または、２００μｍ以上２５０μｍ以下であってもよい。ドレイン領域６の厚さは、４０μｍ以上１５０μｍ以下であることが好ましい。ドレイン領域６を薄化することにより、ドレイン領域６の抵抗値を低減できる。
　ＳｉＣ半導体層２は、ｎ型のドリフト領域８を含む。ドリフト領域８は、ドレイン領域６のｎ型不純物濃度未満のｎ型不純物濃度を有している。ドリフト領域８のｎ型不純物濃度は、１．０×１０１５ｃｍ－３以上１．０×１０１８ｃｍ－３以下であってもよい。ドリフト領域８は、第１主面３の表層部に形成され、第１主面３を形成している。ドリフト領域８は、ドレイン領域６に電気的に接続されている。ドレイン領域６およびドリフト領域８の境界は、第１主面３に対して平行に延びている。ドリフト領域８は、この形態では、ＳｉＣ半導体基板７の上に形成されたｎ型のＳｉＣエピタキシャル層９からなる。
　ドリフト領域８の厚さは、１μｍ以上５０μｍ以下であってもよい。ドリフト領域８の厚さは、１μｍ以上５μｍ以下、５μｍ以上１０μｍ以下、１０μｍ以上１５μｍ以下、１５μｍ以上２０μｍ以下、２０μｍ以上３０μｍ以下、３０μｍ以上４０μｍ以下、または、４０μｍ以上５０μｍ以下であってもよい。ドリフト領域８の厚さは、５μｍ以上１５μｍ以下であることが好ましい。
　ドリフト領域８は、この形態では、法線方向Ｚに沿って異なるｎ型不純物濃度を有する複数の領域を有している。ドリフト領域８は、具体的には、高濃度領域１０および低濃度領域１１を含む。高濃度領域１０は、比較的高いｎ型不純物濃度を有し、第１主面３側の領域に形成されている。低濃度領域１１は、高濃度領域１０のｎ型不純物濃度未満のｎ型不純物濃度を有し、高濃度領域１０に対して第２主面４側の領域に形成されている。
　高濃度領域１０のｎ型不純物濃度のピーク値は、１．０×１０１６ｃｍ－３以上１．０×１０１８ｃｍ－３以下であってもよい。低濃度領域１１のｎ型不純物濃度のピーク値は、１．０×１０１５ｃｍ－３以上１．０×１０１６ｃｍ－３以下であってもよい。低濃度領域１１の厚さは、高濃度領域１０の厚さを超えている。つまり、高濃度領域１０の厚さは、低濃度領域１１の厚さ未満であり、かつ、ドリフト領域８の総厚さの２分の１未満である。むろん、一様なｎ型不純物濃度を有するドリフト領域８が形成されてもよい。
　ＳｉＣ半導体層２は、アクティブ領域１２および外側領域１３を含む。アクティブ領域１２は、ＭＩＳＦＥＴ（Metal Insulator Semiconductor Field Effect Transistor）が形成された領域である。アクティブ領域１２は、平面視において側面５Ａ～５Ｄから内方に間隔を空けてＳｉＣ半導体層２の中央部に形成されている。アクティブ領域１２は、この形態では、平面視において側面５Ａ～５Ｄに平行な４辺を有する四角形状（この形態では長方形状）に形成されている。外側領域１３は、アクティブ領域１２の外側の領域である。外側領域１３は、側面５Ａ～５Ｄおよびアクティブ領域１２の周縁の間の領域に形成されている。外側領域１３は、平面視においてアクティブ領域１２を取り囲む環状（より具体的に無端状）に形成されている。
　ＳｉＣ半導体装置１は、アクティブ領域１２において第１主面３に形成された複数のトレンチゲート構造１８を含む。複数のトレンチゲート構造１８は、第１方向Ｘに延びる帯状にそれぞれ形成され、第２方向Ｙに間隔を空けて形成されている。複数のトレンチゲート構造１８は、平面視において全体としてストライプ状に形成されている。
　複数のトレンチゲート構造１８は、この形態では、アクティブ領域１２において一方側（第３側面５Ｃ側）の周縁部から他方側（第４側面５Ｄ側）の周縁部に向けて帯状に延びている。複数のトレンチゲート構造１８は、アクティブ領域１２において一方側の周縁部および他方側の周縁部の間の中間部を横切っている。
　各トレンチゲート構造１８の長さは、１ｍｍ以上１０ｍｍ以下であってもよい。各トレンチゲート構造１８の長さは、１ｍｍ以上２ｍｍ以下、２ｍｍ以上４ｍｍ以下、４ｍｍ以上６ｍｍ以下、６ｍｍ以上８ｍｍ以下、または、８ｍｍ以上１０ｍｍ以下であってもよい。各トレンチゲート構造１８の長さは、２ｍｍ以上６ｍｍ以下であることが好ましい。１つのトレンチゲート構造１８の単位面積当たりの総延長は、０．５μｍ／μｍ２以上０．７５μｍ／μｍ２以下であってもよい。
　各トレンチゲート構造１８は、アクティブトレンチ部１９およびコンタクトトレンチ部２０を含む。アクティブトレンチ部１９は、ＭＩＳＦＥＴのチャネルに沿う部分である。コンタクトトレンチ部２０は、ＭＩＳＦＥＴのチャネル外の部分である。コンタクトトレンチ部２０は、トレンチゲート構造１８の端部であり、外部接続を主たる目的とする。
　各トレンチゲート構造１８は、ゲートトレンチ２１、ゲート絶縁層２２およびゲート電極２３を含む。図４では、ゲート絶縁層２２およびゲート電極２３がハッチングによって示されている。
　ゲートトレンチ２１は、ドリフト領域８に形成されている。ゲートトレンチ２１は、側壁および底壁を含む。ゲートトレンチ２１の長辺を形成する側壁は、ＳｉＣ単結晶のａ面によって形成されている。ゲートトレンチ２１の短辺を形成する側壁は、ＳｉＣ単結晶のｍ面によって形成されている。
　ゲートトレンチ２１の側壁は、法線方向Ｚに沿って延びていてもよい。この場合、ゲートトレンチ２１の側壁は、第１主面３に対してほぼ垂直に形成されていてもよい。ＳｉＣ半導体層２内においてゲートトレンチ２１の側壁が第１主面３に対して成す角度は、９０°以上９５°以下（たとえば９１°以上９３°以下）であってもよい。つまり、ゲートトレンチ２１は、第１主面３から底壁に向けて開口幅が狭まる先細り形状に形成されていてもよい。
　ゲートトレンチ２１の底壁は、高濃度領域１０に位置している。ゲートトレンチ２１の底壁は、ＳｉＣ単結晶のｃ面に面している。ゲートトレンチ２１の底壁は、ＳｉＣ単結晶の（０００１）面に対して［１１－２０］方向に傾斜したオフ角を有している。ゲートトレンチ２１の底壁は、第１主面３に対して平行に形成されていてもよい。ゲートトレンチ２１の底壁は、第２主面４に向かう湾曲状に形成されていてもよい。
　ゲートトレンチ２１の第２方向Ｙに沿う幅は、０．１μｍ以上２μｍ以下であってもよい。ゲートトレンチ２１の幅は、０．１μｍ以上０．５μｍ以下、０．５μｍ以上１．０μｍ以下、１．０μｍ以上１．５μｍ以下、または、１．５μｍ以上２μｍ以下であってもよい。
　ゲートトレンチ２１は、第１深さＤ１を有している。第１深さＤ１は、０．５μｍ以上３．０μｍ以下であってもよい。第１深さＤ１は、０．５μｍ以上１．０μｍ以下、１．０μｍ以上１．５μｍ以下、１．５μｍ以上２．０μｍ以下、２．０μｍ以上２．５μｍ以下、または、２．５μｍ以上３．０μｍ以下であってもよい。
　ゲートトレンチ２１の開口エッジ部は、第１主面３からゲートトレンチ２１の内方に向かって下り傾斜した傾斜部を含む。ゲートトレンチ２１の開口エッジ部は、第１主面３およびゲートトレンチ２１の側壁を接続する部分である。ゲートトレンチ２１の傾斜部は、ＳｉＣ半導体層２の内方に向かう湾曲状に形成されている。ゲートトレンチ２１の傾斜部は、ゲートトレンチ２１の内方に向かう湾曲状に形成されていてもよい。ゲートトレンチ２１の傾斜部は、ゲートトレンチ２１の開口エッジ部に対する電界集中を緩和する。
　ゲート絶縁層２２は、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウムおよび酸化タンタルのうちの少なくとも１つを含む。ゲート絶縁層２２は、酸化シリコン層および窒化シリコン層が任意の順で積層された積層構造を有していてもよい。ゲート絶縁層２２は、酸化シリコン層または窒化シリコン層からなる単層構造を有していてもよい。ゲート絶縁層２２は、この形態では、酸化シリコン層からなる単層構造を有している。
　ゲート絶縁層２２は、ゲートトレンチ２１の内壁に沿って膜状に形成され、ゲートトレンチ２１内においてリセス空間を区画している。ゲート絶縁層２２は、第１領域２４、第２領域２５および第３領域２６を含む。第１領域２４は、ゲートトレンチ２１の側壁に沿って形成されている。第２領域２５は、ゲートトレンチ２１の底壁に沿って形成されている。第３領域２６は、第１主面３に沿って形成されている。
　第１領域２４の厚さは、第２領域２５の厚さおよび第３領域２６の厚さ未満である。第１領域２４の厚さは、０．０１μｍ以上０．２μｍ以下であってもよい。第２領域２５の厚さは、０．０５μｍ以上０．５μｍ以下であってもよい。第３領域２６の厚さは、０．０５μｍ以上０．５μｍ以下であってもよい。
　ゲート絶縁層２２は、開口エッジ部においてゲートトレンチ２１内に向けて膨出した膨出部２７を含む。膨出部２７は、ゲート絶縁層２２の第１領域２４および第３領域２６の接続部に形成されている。膨出部２７は、ゲートトレンチ２１の内方に向かう湾曲状に形成されている。膨出部２７は、開口エッジ部においてゲートトレンチ２１の開口を狭めている。膨出部２７を有さないゲート絶縁層２２が形成されていてもよい。一様な厚さを有するゲート絶縁層２２が形成されていてもよい。
　ゲート電極２３は、ゲート絶縁層２２を挟んでゲートトレンチ２１に埋設されている。ゲート電極２３は、具体的には、ゲートトレンチ２１内においてゲート絶縁層２２によって区画されたリセス空間に埋設されている。ゲート電極２３は、ゲートトレンチ２１の開口から露出する電極面を有している。ゲート電極２３の電極面は、ゲートトレンチ２１の底壁に向かって窪んだ湾曲状に形成されている。ゲート電極２３の電極面は、ゲート絶縁層２２の膨出部２７によって狭められている。
　ゲート電極２３は、金属材料以外の導電材料からなる。ゲート電極２３は、導電性ポリシリコンからなることが好ましい。ゲート電極２３は、この形態では、ｐ型不純物が添加されたｐ型ポリシリコンを含む。ゲート電極２３のｐ型不純物濃度は、１．０×１０１８ｃｍ－３以上１．０×１０２２ｃｍ－３以下であってもよい。ゲート電極２３のｐ型不純物は、ホウ素、アルミニウム、インジウムおよびガリウムのうちの少なくとも１つを含んでいてもよい。ゲート電極２３のシート抵抗は、１０Ω／□以上５００Ω／□以下（この形態では２００Ω／□程度）であってもよい。ゲート電極２３の厚さは、０．５μｍ以上３μｍ以下であってもよい。
　ＳｉＣ半導体装置１は、アクティブ領域１２において第１主面３の上に形成されたゲート配線２８を含む。図４では、ゲート配線２８がハッチングによって示されている。ゲート配線２８は、具体的には、ゲート絶縁層２２の第３領域２６の上に形成されている。ゲート配線２８は、アクティブ領域１２において第１側面５Ａ、第３側面５Ｃおよび第４側面５Ｄに沿って形成され、複数のトレンチゲート構造１８が形成された領域を３方向から区画している。
　ゲート配線２８は、トレンチゲート構造１８のコンタクトトレンチ部２０から露出するゲート電極２３に接続されている。ゲート配線２８は、この形態では、ゲートトレンチ２１から第１主面３の上に引き出されたゲート電極２３の引き出し部によって形成されている。ゲート配線２８の電極面は、ゲート電極２３の電極面に接続されている。
　ＳｉＣ半導体装置１は、ゲート電極２３を被覆する第１低抵抗層２９を含む。第１低抵抗層２９は、ゲート電極２３のシート抵抗未満のシート抵抗を有する導電材料を含む。第１低抵抗層２９のシート抵抗は、０．０１Ω／□以上１０Ω／□以下であってもよい。法線方向Ｚに関して、第１低抵抗層２９の厚さは、ゲート電極２３の厚さ未満であることが好ましい。第１低抵抗層２９の厚さは、０．０１μｍ以上３μｍ以下であってもよい。
　第１低抵抗層２９は、ゲートトレンチ２１内においてゲート電極２３を被覆している。第１低抵抗層２９は、トレンチゲート構造１８の一部を形成している。第１低抵抗層２９は、ゲート配線２８も被覆している。第１低抵抗層２９においてゲート配線２８を被覆する部分は、第１低抵抗層２９においてゲート電極２３を被覆する部分と一体的に形成されている。これにより、第１低抵抗層２９は、ゲート電極２３の全域およびゲート配線２８の全域を被覆している。
　第１低抵抗層２９は、具体的には、ポリサイド層を含む。ポリサイド層は、ゲート電極２３の表層部およびゲート配線２８の表層部が金属材料とシリサイド化した層からなる。つまり、ポリサイド層は、ゲート電極２３（ｐ型ポリシリコン）およびゲート配線２８（ｐ型ポリシリコン）に添加されたｐ型不純物を含むｐ型ポリサイド層からなる。また、ゲート電極２３の電極面およびゲート配線２８の電極面は、第１低抵抗層２９によって形成されている。ポリサイド層は、１０μΩ・ｃｍ以上１１０μΩ・ｃｍ以下の比抵抗を有していることが好ましい。
　ゲート電極２３および第１低抵抗層２９が埋め込まれたゲートトレンチ２１内のシート抵抗は、ゲート電極２３単体のシート抵抗以下である。ゲートトレンチ２１内のシート抵抗は、ｎ型不純物が添加されたｎ型ポリシリコンのシート抵抗以下であることが好ましい。ゲートトレンチ２１内のシート抵抗は、第１低抵抗層２９のシート抵抗に近似される。ゲートトレンチ２１内のシート抵抗は、０．０１Ω／□以上１０Ω／□以下であってもよい。ゲートトレンチ２１内のシート抵抗は、１０Ω／□未満であることが好ましい。
　第１低抵抗層２９は、ＴｉＳｉ、ＴｉＳｉ２、ＮｉＳｉ、ＣｏＳｉ、ＣｏＳｉ２、ＭｏＳｉ２およびＷＳｉ２のうちの少なくとも１つを含んでいてもよい。とりわけ、これらの種のうちのＮｉＳｉ、ＣｏＳｉ２およびＴｉＳｉ２は、比抵抗の値および温度依存性が比較的小さいことから、第１低抵抗層２９を形成するポリサイド層として適している。第１低抵抗層２９は、他の領域への拡散が少ない性質を有するＣｏＳｉ２からなることが最も好ましい。
　第１低抵抗層２９は、ゲート絶縁層２２に接する接触部を含む。第１低抵抗層２９の接触部は、具体的には、ゲート絶縁層２２の第３領域２６（膨出部２７）に接している。これにより、第１低抵抗層２９およびドリフト領域８の間の電流パスを抑制できる。特に、第１低抵抗層２９の接触部を、ゲート絶縁層２２において比較的厚い角部に接続させる設計は、電流パスのリスクを低減する上で有効である。
　ｎ型ポリシリコンとは相異なる仕事関数を有するｐ型ポリシリコンをゲートトレンチ２１に埋め込むことにより、ゲート閾値電圧Ｖｔｈを１Ｖ程度増加させることができる。しかし、ｐ型ポリシリコンは、ｎ型ポリシリコンのシート抵抗よりも数十倍（おおよそ２０倍）高いシート抵抗を有している。そのため、ｐ型ポリシリコンをゲート電極２３の材料として採用した場合、ゲートトレンチ２１内の寄生抵抗（以下、単に「ゲート抵抗」という。）の増加に伴ってエネルギ損失が増大する。
　そこで、ＳｉＣ半導体装置１では、ゲート電極２３（ｐ型ポリシリコン）の上に第１低抵抗層２９（ｐ型ポリサイド）を形成している。第１低抵抗層２９によれば、ゲート閾値電圧Ｖｔｈの増加を許容させながら、ゲートトレンチ２１内のシート抵抗を低減できる。たとえば、第１低抵抗層２９を有する構造によれば、第１低抵抗層２９を有さない構造と比較してシート抵抗を１００分の１以下に低下させることができる。また、第１低抵抗層２９を有する構造によれば、ｎ型ポリシリコンを含むゲート電極２３と比較してシート抵抗を５分の１以下に低下させることができる。
　これにより、ゲート抵抗を低減できるから、トレンチゲート構造１８に沿って電流を効率的に拡散させることができる。つまり、第１低抵抗層２９は、ゲートトレンチ２１内に電流を拡散する電流拡散層として形成されている。特に、ミリメートルオーダの長さ（１ｍｍ以上の長さ）を有するゲートトレンチ２１の場合には電流の伝達に時間を要するが、第１低抵抗層２９によればスイッチング遅延を適切に抑制できる。また、第１低抵抗層２９を有する構造によれば、ゲート閾値電圧Ｖｔｈを高める上でドリフト領域８内のｐ型不純物濃度を増加させなくて済む。よって、チャネル抵抗の増加を抑制しながら、ゲート閾値電圧Ｖｔｈを適切に増加させることができる。
　ＳｉＣ半導体装置１は、互いに隣り合う複数のトレンチゲート構造１８の間の領域にそれぞれ形成された複数のトレンチソース構造３０を含む。複数のトレンチソース構造３０は、１つのトレンチゲート構造１８を挟み込む態様で、第２方向Ｙに間隔を空けて形成されている。複数のトレンチソース構造３０は、第１方向Ｘに延びる帯状にそれぞれ形成されている。複数のトレンチソース構造３０は、平面視において全体としてストライプ状に形成されている。
　第２方向Ｙに関して、互いに隣り合うトレンチソース構造３０の中央部間のピッチＰＳは、１μｍ以上５μｍ以下であってもよい。ピッチＰＳは、１μｍ以上２μｍ以下、２μｍ以上３μｍ以下、３μｍ以上４μｍ以下、または、４μｍ以上５μｍ以下であってもよい。ピッチＰＳは、１．５μｍ以上３μｍ以下であることが好ましい。
　各トレンチソース構造３０は、ソーストレンチ３１、ソース絶縁層３２およびソース電極３３を含む。図４では、ソース絶縁層３２およびソース電極３３がハッチングによって示されている。ソーストレンチ３１は、ドリフト領域８に形成されている。ソーストレンチ３１は、側壁および底壁を含む。ソーストレンチ３１の長辺を形成する側壁は、ＳｉＣ単結晶のａ面によって形成されている。ソーストレンチ３１の短辺を形成する側壁は、ＳｉＣ単結晶のｍ面によって形成されている。
　ソーストレンチ３１の底壁は、高濃度領域１０に位置している。ソーストレンチ３１の底壁は、ＳｉＣ単結晶のｃ面に面している。ソーストレンチ３１の底壁は、ＳｉＣ単結晶の（０００１）面に対して［１１－２０］方向に傾斜したオフ角を有している。ソーストレンチ３１の底壁は、第１主面３に対して平行に形成されていてもよい。ソーストレンチ３１の底壁は、第２主面４に向かう湾曲状に形成されていてもよい。
　ソーストレンチ３１の底壁は、ゲートトレンチ２１の底壁に対して第２主面４側の領域に位置している。ソーストレンチ３１の底壁は、法線方向Ｚに関して、ゲートトレンチ２１の底壁および低濃度領域１１の間の領域に位置している。つまり、ソーストレンチ３１は、ゲートトレンチ２１の第１深さＤ１を超える第２深さＤ２を有している。第１深さＤ１に対する第２深さＤ２の比ＤＳ／ＤＧは、ソーストレンチ３１が高濃度領域１０内に位置するという条件において、１．５以上であってもよい。比ＤＳ／ＤＧは、２以上であることが好ましい。
　第２深さＤ２は、０．５μｍ以上１０μｍ以下であってもよい。第２深さＤ２は、０．５μｍ以上１μｍ以下、１μｍ以上２μｍ以下、２μｍ以上４μｍ以下、４μｍ以上６μｍ以下、６μｍ以上８μｍ以下、または、８μｍ以上１０μｍ以下であってもよい。むろん、第１深さＤ１とほぼ等しい第２深さＤ２を有するソーストレンチ３１が形成されてもよい。
　ソーストレンチ３１は、この形態では、第１トレンチ部３４および第２トレンチ部３５を含む。第１トレンチ部３４は、ソーストレンチ３１の開口側に形成されている。第１トレンチ部３４は、第２方向Ｙに関して第１幅Ｗ１を有している。第１トレンチ部３４は、第１主面３から底壁側に向かって第１幅Ｗ１が狭まる先細り形状に形成されていてもよい。第１トレンチ部３４は、法線方向Ｚに関して、ゲートトレンチ２１の底壁を横切る第１トレンチ部３４が形成されていてもよい。つまり、第１トレンチ部３４の深さは、ゲートトレンチ２１の第１深さＤ１を超えていてもよい。
　第１トレンチ部３４は、ゲートトレンチ２１の底壁に対して第１主面３側の領域に形成されていることが好ましい。つまり、第１トレンチ部３４の深さは、ゲートトレンチ２１の第１深さＤ１未満であることが好ましい。第１トレンチ部３４の深さは、０．１μｍ以上２μｍ以下であってもよい。第１トレンチ部３４の深さは、０．１μｍ以上０．５μｍ以下、０．５μｍ以上１μｍ以下、１μｍ以上１．５μｍ以下、または、１．５μｍ以上２μｍ以下であってもよい。
　第１トレンチ部３４の第１幅Ｗ１は、ゲートトレンチ２１の幅以上であってもよいし、ゲートトレンチ２１の幅未満であってもよい。第１幅Ｗ１は、ゲートトレンチ２１の幅を超えていることが好ましい。第１幅Ｗ１は、０．１μｍ以上２μｍ以下であってもよい。第１幅Ｗ１は、０．１μｍ以上０．５μｍ以下、０．５μｍ以上１μｍ以下、１μｍ以上１．５μｍ以下、または、１．５μｍ以上２μｍ以下であってもよい。
　第２トレンチ部３５は、ソーストレンチ３１の底壁側に形成されている。第２トレンチ部３５は、法線方向Ｚに関して、第１トレンチ部３４およびドリフト領域８の底部の間の領域に形成され、ゲートトレンチ２１の底壁を横切っている。法線方向Ｚに関して、第１トレンチ部３４を基準とした第２トレンチ部３５の深さは、ゲートトレンチ２１の第１深さＤ１を超えていることが好ましい。
　第２トレンチ部３５は、第２方向Ｙに関して第１幅Ｗ１未満の第２幅Ｗ２を有している。第２幅Ｗ２は、第１幅Ｗ１未満という条件下において、ゲートトレンチ２１の幅以上であってもよいし、ゲートトレンチ２１の幅未満であってもよい。第２幅Ｗ２は、０．１μｍ以上２μｍ未満であってもよい。第２幅Ｗ２は、０．１μｍ以上２μｍ未満であってもよい。第２幅Ｗ２は、０．１μｍ以上０．５μｍ以下、０．５μｍ以上１μｍ以下、１μｍ以上１．５μｍ以下、または、１．５μｍ以上２μｍ未満であってもよい。むろん、第１幅Ｗ１とほぼ等しい第２幅Ｗ２を有する第２トレンチ部３５が形成されてもよい。
　第１トレンチ部３４および第２トレンチ部３５を含むソーストレンチ３１の開口幅は、ゲートトレンチ２１の開口幅と同程度に形成されていることが好ましい。ソーストレンチ３１の開口幅がゲートトレンチ２１の開口幅と同程度であるとは、ソーストレンチ３１の開口幅が、ゲートトレンチ２１の開口幅の±２０％の範囲内に収まっていることをいう。
　第２トレンチ部３５の側壁は、法線方向Ｚに沿って延びていてもよい。ＳｉＣ半導体層２内において第２トレンチ部３５の側壁が第１主面３に対して成す角度は、９０°以上９５°以下（たとえば９１°以上９３°以下）であってもよい。第２トレンチ部３５の側壁は、第１主面３に対してほぼ垂直に形成されていてもよい。第２トレンチ部３５は、第１トレンチ部３４から底壁側に向かって第２幅Ｗ２が狭まる先細り形状に形成されていてもよい。
　ソース絶縁層３２は、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウムまたは酸化タンタルのうちの少なくとも１つを含む。ソース絶縁層３２は、酸化シリコン層および窒化シリコン層が任意の順で積層された積層構造を有していてもよい。ソース絶縁層３２は、酸化シリコン層または窒化シリコン層からなる単層構造を有していてもよい。ソース絶縁層３２は、この形態では、酸化シリコン層からなる単層構造を有している。
　ソース絶縁層３２は、ソーストレンチ３１の内壁に沿って膜状に形成され、ソーストレンチ３１内においてリセス空間を区画している。ソース絶縁層３２は、具体的には、第１トレンチ部３４を露出させるように、第２トレンチ部３５の内壁に沿って膜状に形成されている。これにより、ソース絶縁層３２は、第１トレンチ部３４を露出させる側壁窓部３６を有し、第２トレンチ部３５内においてリセス空間を区画している。
　ソース絶縁層３２は、第１領域３７および第２領域３８を含む。第１領域３７は、ソーストレンチ３１の側壁に沿って形成されている。第２領域３８は、ソーストレンチ３１の底壁に沿って形成されている。第１領域３７の厚さは、第２領域３８の厚さ未満である。第１領域３７の厚さは、０．０１μｍ以上０．２μｍ以下であってもよい。第２領域３８の厚さは、０．０５μｍ以上０．５μｍ以下であってもよい。第１領域３７の厚さは、ゲート絶縁層２２の第１領域３７の厚さとほぼ等しくてもよい。第２領域３８の厚さは、ゲート絶縁層２２の第２領域３８の厚さとほぼ等しくてもよい。一様な厚さを有するソース絶縁層３２が形成されていてもよい。
　ソース電極３３は、ソース絶縁層３２を挟んでソーストレンチ３１に埋設されている。ソース電極３３は、具体的には、ソース絶縁層３２を挟んでソーストレンチ３１の第１トレンチ部３４および第２トレンチ部３５に埋設されている。ソース電極３３は、ソーストレンチ３１の底壁側において第２トレンチ部３５によって区画されたリセス空間に埋設されている。ソース電極３３は、ソーストレンチ３１の開口側において側壁窓部３６から露出する第１トレンチ部３４の側壁に接する側壁コンタクト部３９を有している。
　ソース電極３３は、ソーストレンチ３１の開口から露出する電極面を有している。ソース電極３３の電極面は、ソーストレンチ３１の底壁に向かって窪んだ湾曲状に形成されている。ソース電極３３の電極面は、第１主面３に対して平行に形成されていてもよい。
　法線方向Ｚに関して、ソース電極３３の厚さは、０．５μｍ以上１０μｍ以下であってもよい。ソース電極３３の厚さは、０．５μｍ以上１μｍ以下、１μｍ以上２μｍ以下、２μｍ以上４μｍ以下、４μｍ以上６μｍ以下、６μｍ以上８μｍ以下、または、８μｍ以上１０μｍ以下であってもよい。
　ソース電極３３は、金属材料以外の導電材料からなる。ソース電極３３は、導電性ポリシリコンからなることが好ましい。ソース電極３３は、この形態では、ｐ型不純物が添加されたｐ型ポリシリコンを含む。ソース電極３３のｐ型不純物濃度は、１．０×１０１８ｃｍ－３以上１．０×１０２２ｃｍ－３以下であってもよい。ソース電極３３のｐ型不純物濃度は、ゲート電極２３のｐ型不純物濃度と等しいことが好ましい。つまり、ソース電極３３のシート抵抗は、１０Ω／□以上５００Ω／□以下（この形態では２００Ω／□程度）であってもよい。ソース電極３３のｐ型不純物は、ホウ素、アルミニウム、インジウムおよびガリウムのうちの少なくとも１つを含んでいてもよい。
　ＳｉＣ半導体装置１は、ソース電極３３を被覆する第２低抵抗層４０を含む。第２低抵抗層４０は、ソーストレンチ３１内においてソース電極３３を被覆している。第２低抵抗層４０は、トレンチソース構造３０の一部を形成している。第２低抵抗層４０は、ソース電極３３のシート抵抗未満のシート抵抗を有する導電材料を含む。第２低抵抗層４０のシート抵抗は、０．０１Ω／□以上１０Ω／□以下であってもよい。法線方向Ｚに関して、第２低抵抗層４０の厚さは、ソース電極３３の厚さ未満であることが好ましい。第２低抵抗層４０の厚さは、０．０１μｍ以上３μｍ以下であってもよい。
　第２低抵抗層４０は、具体的には、ポリサイド層を含む。ポリサイド層は、ソース電極３３の表層部が金属材料とシリサイド化した層からなる。つまり、ポリサイド層は、ソース電極３３に添加されたｐ型不純物を含むｐ型ポリサイド層からなる。また、ソース電極３３の電極面は、第２低抵抗層４０によって形成されている。ポリサイド層は、１０μΩ・ｃｍ以上１１０μΩ・ｃｍ以下の比抵抗を有していることが好ましい。
　ソース電極３３および第２低抵抗層４０が埋め込まれたソーストレンチ３１内のシート抵抗は、ソース電極３３単体のシート抵抗以下である。ソーストレンチ３１内のシート抵抗は、ｎ型不純物が添加されたｎ型ポリシリコンのシート抵抗以下であることが好ましい。ソーストレンチ３１内のシート抵抗は、第２低抵抗層４０のシート抵抗に近似される。ソーストレンチ３１内のシート抵抗は、０．０１Ω／□以上１０Ω／□以下であってもよい。ソーストレンチ３１内のシート抵抗は、１０Ω／□未満であることが好ましい。
　第２低抵抗層４０は、ＴｉＳｉ、ＴｉＳｉ２、ＮｉＳｉ、ＣｏＳｉ、ＣｏＳｉ２、ＭｏＳｉ２およびＷＳｉ２のうちの少なくとも１つを含んでいてもよい。とりわけ、これらの種のうちのＮｉＳｉ、ＣｏＳｉ２およびＴｉＳｉ２は、比抵抗の値および温度依存性が比較的小さいことから、第２低抵抗層４０を形成するポリサイド層として適している。第２低抵抗層４０は、他の領域への拡散が少ない性質を有するＣｏＳｉ２からなることが最も好ましい。第２低抵抗層４０は、第１低抵抗層２９と同一の導電材料からなることが好ましい。
　ＳｉＣ半導体装置１は、アクティブ領域１２において第１主面３の表層部に形成されたｐ型のボディ領域４１を含む。ボディ領域４１は、アクティブ領域１２を画定している。ボディ領域４１のｐ型不純物濃度は、ゲート電極２３のｐ型不純物濃度未満である。ボディ領域４１のｐ型不純物濃度は、ソース電極３３のｐ型不純物濃度未満である。ボディ領域４１のｐ型不純物濃度のピーク値は、１．０×１０１７ｃｍ－３以上１．０×１０１９ｃｍ－３以下であってもよい。
　ボディ領域４１は、第１主面３の表層部において、ゲートトレンチ２１の側壁およびソーストレンチ３１の側壁を被覆している。ボディ領域４１は、ゲートトレンチ２１の底壁に対して第１主面３側の領域に形成されている。ボディ領域４１は、ゲート絶縁層２２を挟んでゲート電極２３に対向している。
　ボディ領域４１は、さらに、ソーストレンチ３１の第２トレンチ部３５に対して、第１トレンチ部３４側の領域に形成されている。ボディ領域４１は、ソーストレンチ３１の第１トレンチ部３４を被覆している。ボディ領域４１は、具体的には、ソーストレンチ３１の第１トレンチ部３４から露出するソース電極３３の側壁コンタクト部３９に接続されている。ボディ領域４１は、ＳｉＣ半導体層２内においてソース接地されている。ボディ領域４１は、第２トレンチ部３５の一部を被覆していてもよい。この場合、ボディ領域４１は、ソース絶縁層３２の一部を挟んでソース電極３３に対向していてもよい。
　ＳｉＣ半導体装置１は、ボディ領域４１の表層部に形成されたｎ＋型のソース領域４２を含む。ソース領域４２は、ゲートトレンチ２１のコンタクトトレンチ部２０から間隔を空けてゲートトレンチ２１のアクティブトレンチ部１９に沿って形成されている。ソース領域４２のｎ型不純物濃度のピーク値は、高濃度領域１０のｎ型不純物濃度のピーク値を超えている。ソース領域４２のｎ型不純物濃度のピーク値は、１．０×１０１８ｃｍ－３以上１．０×１０２１ｃｍ－３以下であってもよい。
　ソース領域４２は、ボディ領域４１の表層部においてゲートトレンチ２１の側壁およびソーストレンチ３１の側壁を被覆している。ソース領域４２は、ゲート絶縁層２２を挟んでゲート電極２３に対向している。ソース領域４２は、ゲート絶縁層２２を挟んで第１低抵抗層２９に対向していることが好ましい。
　ソース領域４２は、さらに、ソーストレンチ３１の第２トレンチ部３５に対して第１トレンチ部３４側の領域に形成されている。ソース領域４２は、ソーストレンチ３１の第１トレンチ部３４を被覆している。ソース領域４２は、ソーストレンチ３１の第１トレンチ部３４から露出するソース電極３３の側壁コンタクト部３９に接続されている。これにより、ソース領域４２は、ＳｉＣ半導体層２内においてソース接地されている。
　ソース領域４２においてゲートトレンチ２１の側壁に沿う部分は、ボディ領域４１内において高濃度領域１０との間でＭＩＳＦＥＴのチャネルを画定している。チャネルのＯＮ／ＯＦＦは、ゲート電極２３によって制御される。
　ＳｉＣ半導体装置１は、アクティブ領域１２において第１主面３の表層部に形成されたｐ＋型の複数のコンタクト領域４３を含む。各コンタクト領域４３のｐ型不純物濃度のピーク値は、ボディ領域４１のｐ型不純物濃度のピーク値を超えている。各コンタクト領域４３のｐ型不純物濃度のピーク値は、１．０×１０１８ｃｍ－３以上１．０×１０２１ｃｍ－３以下であってもよい。
　複数のコンタクト領域４３は、複数のソーストレンチ３１に沿う領域にそれぞれ形成されている。複数のコンタクト領域４３は、具体的には、対応する１つのソーストレンチ３１に対して一対多対応の関係で形成されている。複数のコンタクト領域４３は、対応する１つのソーストレンチ３１に沿って間隔を空けてそれぞれ形成されている。複数のコンタクト領域４３は、ゲートトレンチ２１から間隔を空けてそれぞれ形成されている。
　各コンタクト領域４３は、対応するソーストレンチ３１の第１トレンチ部３４を被覆している。各コンタクト領域４３は、対応するソーストレンチ３１の第１トレンチ部３４において、ソース電極３３の側壁コンタクト部３９およびソース領域４２の間に介在している。各コンタクト領域４３は、さらに、対応するソーストレンチ３１の第１トレンチ部３４において、ソース電極３３の側壁コンタクト部３９およびボディ領域４１の間に介在している。
　これにより、各コンタクト領域４３は、ＳｉＣ半導体層２内においてソース接地されている。また、各コンタクト領域４３は、ＳｉＣ半導体層２内においてソース電極３３、ボディ領域４１およびソース領域４２に電気的に接続されている。
　各コンタクト領域４３において第１トレンチ部３４を被覆する部分は、ゲートトレンチ２１に向けて引き出されている。各コンタクト領域４３においてソーストレンチ３１の第１トレンチ部３４を被覆する部分は、ボディ領域４１の底部に対して第１主面３側の領域に形成されている。各コンタクト領域４３において第１トレンチ部３４を被覆する部分は、ゲートトレンチ２１およびソーストレンチ３１の間の中間領域まで延びていてもよい。
　各コンタクト領域４３は、さらに、対応するソーストレンチ３１の第２トレンチ部３５を被覆している。各コンタクト領域４３は、対応するソーストレンチ３１の第２トレンチ部３５において、ソース絶縁層３２を挟んでソース電極３３に対向している。各コンタクト領域４３は、さらに、対応するソーストレンチ３１の底壁を被覆している。各コンタクト領域４３は、対応するソーストレンチ３１の底壁を挟んでソース電極３３に対向している。各コンタクト領域４３の底部は、対応するソーストレンチ３１の底壁に対して平行に形成されていてもよい。
　ＳｉＣ半導体装置１は、アクティブ領域１２において第１主面３の表層部に形成されたｐ型の複数のディープウェル領域４４を含む。各ディープウェル領域４４のｐ型不純物濃度のピーク値は、コンタクト領域４３のｐ型不純物濃度のピーク値未満である。各ディープウェル領域４４のｐ型不純物濃度のピーク値は、ボディ領域４１のｐ型不純物濃度のピーク値以上であってもよいし、ボディ領域４１のｐ型不純物濃度のピーク値未満であってもよい。各ディープウェル領域４４のｐ型不純物濃度のピーク値は、１．０×１０１７ｃｍ－３以上１．０×１０１９ｃｍ－３以下であってもよい。
　複数のディープウェル領域４４は、複数のソーストレンチ３１に対して１対１対応の関係で形成されている。各ディープウェル領域４４は、平面視において対応するソーストレンチ３１に沿って延びる帯状に形成されている。各ディープウェル領域４４は、高濃度領域１０に形成されている。各ディープウェル領域４４は、ボディ領域４１に対して第２主面４側の領域に形成されている。各ディープウェル領域４４は、ボディ領域４１に連なっている。
　各ディープウェル領域４４は、対応するソーストレンチ３１の第２トレンチ部３５を被覆する部分を含む。各ディープウェル領域４４は、コンタクト領域４３を挟んで対応するソーストレンチ３１の第２トレンチ部３５を被覆する部分を含む。各ディープウェル領域４４は、さらに、対応するソーストレンチ３１の底壁を被覆する部分を含む。各ディープウェル領域４４は、コンタクト領域４３を挟んで対応するソーストレンチ３１の底壁を被覆する部分を含む。
　各ディープウェル領域４４は、ゲートトレンチ２１の底壁に対して第２主面４側に位置する底部を有している。各ディープウェル領域４４の底部は、各ソーストレンチ３１の底壁に対して平行に形成されていてもよい。複数のディープウェル領域４４は、一定の深さで形成されていることが好ましい。各ディープウェル領域４４は、高濃度領域１０との間でｐｎ接合部を形成している。このｐｎ接合部からは、ゲートトレンチ２１に向けて空乏層が拡がる。空乏層は、ゲートトレンチ２１の底壁にオーバラップしてもよい。
　ＳｉＣ半導体装置１は、アクティブ領域１２の周縁部において第１主面３の表層部に形成されたｐ型の複数の周縁ウェル領域４５を含む。各周縁ウェル領域４５のｐ型不純物濃度のピーク値は、コンタクト領域４３のｐ型不純物濃度のピーク値未満である。
　各周縁ウェル領域４５のｐ型不純物濃度のピーク値は、ボディ領域４１のｐ型不純物濃度のピーク値以上であってもよいし、ボディ領域４１のｐ型不純物濃度のピーク値未満であってもよい。各周縁ウェル領域４５のｐ型不純物濃度のピーク値は、１．０×１０１７ｃｍ－３以上１．０×１０１９ｃｍ－３以下であってもよい。周縁ウェル領域４５のｐ型不純物濃度は、ディープウェル領域４４のｐ型不純物濃度とほぼ等しいことが好ましい。
　周縁ウェル領域４５は、複数のトレンチゲート構造１８に対して１対１対応の関係で複数形成されている。周縁ウェル領域４５は、対応するトレンチゲート構造１８のコンタクトトレンチ部２０を被覆し、アクティブトレンチ部１９を露出させている。周縁ウェル領域４５は、対応するコンタクトトレンチ部２０においてゲートトレンチ２１の側壁および底壁を被覆している。周縁ウェル領域４５の底部は、ディープウェル領域４４の底壁に対して第１主面３側に位置している。各周縁ウェル領域４５は、ボディ領域４１およびディープウェル領域４４に電気的に接続されている。
　ｐｎ接合ダイオードだけを備えるＳｉＣ半導体装置では、トレンチを備えていないという構造上、ＳｉＣ半導体層２内における電界集中の問題は少ない。各ディープウェル領域４４は、トレンチゲート型のＭＩＳＦＥＴをｐｎ接合ダイオードの構造に近づける。これにより、トレンチゲート型のＭＩＳＦＥＴにおいて、ＳｉＣ半導体層２内における電界を緩和できる。
　また、ゲートトレンチ２１の底壁に対して第２主面４側に底部を有するディープウェル領域４４によれば、空乏層によって、ゲートトレンチ２１に対する電界集中を適切に緩和できる。互いに隣り合う複数のソーストレンチ３１（ディープウェル領域４４）の間のピッチＰＳを狭めることは、電界集中を緩和し、耐圧を向上させる上で有効である。
　複数のディープウェル領域４４は、一定の深さで形成されていることが好ましい。これにより、ＳｉＣ半導体層２の耐圧（たとえば破壊耐量）が各ディープウェル領域４４によって制限されることを抑制できるから、耐圧の向上を適切に図ることができる。周縁ウェル領域４５も、ディープウェル領域４４と同様の効果を奏する。
　ソーストレンチ３１を利用することにより、ＳｉＣ半導体層２の比較的深い領域にディープウェル領域４４を適切に形成できる。また、ソーストレンチ３１に沿ってディープウェル領域４４を形成できるから、複数のディープウェル領域４４の深さにバラツキが生じるのを適切に抑制できる。
　また、この形態では、高濃度領域１０の一部が、互いに隣り合う複数のディープウェル領域４４の間の領域に介在している。これにより、互いに隣り合う複数のディープウェル領域４４の間の領域において、ＪＦＥＴ（Junction Field Effect Transistor）抵抗を低減できる。
　また、この形態では、各ディープウェル領域４４の底部が高濃度領域１０に位置している。これにより、高濃度領域１０における各ディープウェル領域４４の直下の領域において第１主面３に対して平行な横方向に電流経路を形成できる。その結果、電流拡がり抵抗を低減できる。低濃度領域１１は、このような構造において、ＳｉＣ半導体層２の耐圧を高める。
　図１０を参照して、アクティブ領域１２は、第１主面３の一部を形成するアクティブ主面５１を有している。アクティブ主面５１および外側主面５２は、ＳｉＣ単結晶のｃ面にそれぞれ面している。アクティブ主面５１および外側主面５２は、ＳｉＣ単結晶の（０００１）面に対して［１１－２０］方向に傾斜したオフ角をそれぞれ有している。
　外側領域１３は、第１主面３の一部を形成する外側主面５２を有している。外側主面５２は、側面５Ａ～５Ｄに接続されている。外側領域１３は、ドリフト領域８（ＳｉＣエピタキシャル層９）を第２主面４側に掘り下げることによって形成されている。したがって、外側主面５２は、アクティブ主面５１に対して第２主面４側に窪んだ領域に形成されている。外側主面５２は、ゲートトレンチ２１の底壁に対して第２主面４側に位置していることが好ましい。
　外側主面５２は、この形態では、各ソーストレンチ３１の底壁とほぼ等しい深さ位置に形成されている。外側主面５２は、各ソーストレンチ３１の底壁とほぼ同一平面上に位置している。外側主面５２は、各ソーストレンチ３１の底壁に対して、０μｍ以上１μｍ以下の範囲で、第２主面４側に位置していてもよい。外側主面５２は、高濃度領域１０を露出させている。
　アクティブ領域１２は、この形態では、外側領域１３によって台地状に区画されたアクティブ台地５３として形成されている。アクティブ台地５３は、外側主面５２から上方に突出している。アクティブ台地５３は、アクティブ主面５１および外側主面５２を接続するアクティブ側壁５４を含む。アクティブ側壁５４は、アクティブ領域１２および外側領域１３の間の境界領域を区画している。第１主面３は、アクティブ主面５１、外側主面５２およびアクティブ側壁５４によって形成されている。
　アクティブ側壁５４は、この形態では、アクティブ主面５１（外側主面５２）の法線方向Ｚに沿って延びている。アクティブ側壁５４は、ＳｉＣ単結晶のｍ面およびａ面によって形成されている。アクティブ側壁５４は、アクティブ主面５１から外側主面５２に向かって下り傾斜した傾斜面を有していてもよい。アクティブ側壁５４は、高濃度領域１０を露出させている。アクティブ側壁５４は、ボディ領域４１を露出させていてもよい。
　ＳｉＣ半導体装置１は、外側主面５２の表層部に形成されたｐ＋型のダイオード領域５５を含む。ダイオード領域５５のｐ型不純物濃度のピーク値は、ボディ領域４１のｐ型不純物濃度のピーク値を超えている。ダイオード領域５５のｐ型不純物濃度のピーク値は、１．０×１０１８ｃｍ－３以上１．０×１０２１ｃｍ－３以下であってもよい。ダイオード領域５５のｐ型不純物濃度のピーク値は、コンタクト領域４３のｐ型不純物濃度のピーク値とほぼ等しくてもよい。
　ダイオード領域５５は、高濃度領域１０に形成されている。ダイオード領域５５は、アクティブ側壁５４および側面５Ａ～５Ｄの間の領域に形成されている。ダイオード領域５５は、アクティブ側壁５４および側面５Ａ～５Ｄから間隔を空けて形成されている。ダイオード領域５５は、平面視においてアクティブ領域１２に沿って帯状に延びている。ダイオード領域５５は、この形態では、平面視においてアクティブ領域１２を取り囲む環状（より具体的に無端状）に形成されている。
　ダイオード領域５５は、ゲートトレンチ２１の底壁に対して第２主面４側に位置している。ダイオード領域５５の底部は、各ソーストレンチ３１の底壁に対して第２主面４側に位置している。ダイオード領域５５の底部は、コンタクト領域４３の底部とほぼ等しい深さ位置に形成されていてもよい。
　ダイオード領域５５の底部は、コンタクト領域４３の底部とほぼ同一平面上に位置していてもよい。ダイオード領域５５の底部は、コンタクト領域４３の底部に対して第２主面４側に位置していてもよい。ダイオード領域５５の底部は、コンタクト領域４３の底部に対して、０μｍ以上１μｍ以下の範囲で第２主面４側に位置していてもよい。
　ダイオード領域５５は、高濃度領域１０との間でｐｎ接合部を形成している。これにより、ダイオード領域５５をアノードとし、高濃度領域１０をカソードとするｐｎ接合ダイオードが形成されている。
　ＳｉＣ半導体装置１は、外側主面５２の表層部に形成されたｐ型の外側ウェル領域５６を含む。外側ウェル領域５６のｐ型不純物濃度のピーク値は、１．０×１０１７ｃｍ－３以上１．０×１０１９ｃｍ－３以下であってもよい。外側ウェル領域５６のｐ型不純物濃度のピーク値は、ダイオード領域５５のｐ型不純物濃度のピーク値未満であってもよい。外側ウェル領域５６のｐ型不純物濃度のピーク値は、ディープウェル領域４４のｐ型不純物濃度のピーク値とほぼ等しくてもよい。
　外側ウェル領域５６は、平面視においてアクティブ側壁５４およびダイオード領域５５の間の領域に形成されている。外側ウェル領域５６は、平面視においてアクティブ領域１２に沿って帯状に延びている。外側ウェル領域５６は、この形態では、平面視においてアクティブ領域１２を取り囲む環状（より具体的に無端状）に形成されている。
　外側ウェル領域５６は、高濃度領域１０に形成されている。外側ウェル領域５６は、ゲートトレンチ２１の底壁に対して第２主面４側に位置している。外側ウェル領域５６の底部は、各ソーストレンチ３１の底壁に対して第２主面４側に位置している。外側ウェル領域５６の底部は、ダイオード領域５５の底部に対して第２主面４側に位置している。外側ウェル領域５６の底部は、ディープウェル領域４４の底部とほぼ等しい深さ位置に形成されていてもよい。
　外側ウェル領域５６の内周縁は、アクティブ側壁５４および外側主面５２を接続する角部を被覆している。外側ウェル領域５６の内周縁は、さらに、アクティブ側壁５４に沿って延び、ボディ領域４１に接続されている。外側ウェル領域５６の内周縁は、アクティブ側壁５４からダイオード領域５５側に向けて間隔を空けて形成されていてもよい。
　外側ウェル領域５６の外周縁は、第２主面４側からダイオード領域５５を被覆している。外側ウェル領域５６は、ダイオード領域５５に電気的に接続されている。外側ウェル領域５６は、ｐｎ接合ダイオードの一部を形成していてもよい。外側ウェル領域５６の外周縁は、ダイオード領域５５からアクティブ側壁５４側に間隔を空けて形成されていてもよい。
　ＳｉＣ半導体装置１は、外側主面５２の表層部に形成されたＦＬ構造５７（field limit structure）を含む。ＦＬ構造５７は、平面視においてダイオード領域５５および側面５Ａ～５Ｄの間の領域に形成されている。ＦＬ構造５７は、この形態では、側面５Ａ～５Ｄからダイオード領域５５側に向けて間隔を空けて形成されている。ＦＬ構造５７は、高濃度領域１０に形成されている。
　ＦＬ構造５７は、１つまたは複数（たとえば２個以上２０個以下）のｐ型のＦＬ領域５８（field limit region）を含む。ＦＬ構造５７は、この形態では、５つのＦＬ領域５８Ａ、５８Ｂ、５８Ｃ、５８Ｄ、５８Ｅを有するＦＬ領域群を含む。ＦＬ領域５８Ａ～５８Ｅは、ダイオード領域５５から離れる方向に沿って間隔を空けてこの順に形成されている。
　ＦＬ領域５８Ａ～５８Ｅは、平面視においてアクティブ領域１２の周縁に沿って帯状にそれぞれ延びている。ＦＬ領域５８Ａ～５８Ｅは、具体的には、平面視においてアクティブ領域１２を取り囲む環状（より具体的に無端状）にそれぞれ形成されている。ＦＬ領域５８Ａ～５８Ｅは、それぞれ、ＦＬＲ領域（field limiting ring region）とも称される。
　ＦＬ領域５８Ａ～５８Ｅの全体は、ゲートトレンチ２１の底壁に対して第２主面４側に位置している。ＦＬ領域５８Ａ～５８Ｅの底部は、ダイオード領域５５の底部に対して第２主面４側に位置している。ＦＬ領域５８Ａ～５８Ｅの底部は、ソーストレンチ３１の底壁に対して第２主面４側に位置している。ＦＬ領域５８Ａ～５８Ｅのうちの最内側のＦＬ領域５８Ａは、第２主面４側からダイオード領域５５を被覆している。これにより、ＦＬ領域５８Ａは、ダイオード領域５５に電気的に接続されている。ＦＬ領域５８Ａは、ｐｎ接合ダイオードの一部を形成していてもよい。
　ＦＬ構造５７は、外側領域１３において電界集中を緩和する。ＦＬ領域５８の個数、幅、深さ、ｐ型不純物濃度等は、緩和すべき電界に応じて種々の値を取り得る。ＦＬ構造５７は、平面視においてアクティブ側壁５４およびダイオード領域５５の間の領域に形成された１つまたは複数のＦＬ領域５８を含んでいてもよい。
　ＳｉＣ半導体装置１は、外側主面５２を被覆する外側絶縁層６１を含む。外側絶縁層６１は、酸化シリコンを含んでいてもよい。外側絶縁層６１は、窒化シリコン等の他の絶縁膜を含んでいてもよい。外側絶縁層６１は、この形態では、ゲート絶縁層２２と同一の絶縁材料種によって形成されている。
　外側絶縁層６１は、アクティブ側壁５４および外側主面５２に沿って膜状に形成されている。外側絶縁層６１は、アクティブ主面５１の上においてゲート絶縁層２２（第３領域２６）に連なっている。外側絶縁層６１は、外側領域１３においてダイオード領域５５、外側ウェル領域５６およびＦＬ構造５７を被覆している。
　外側絶縁層６１の周縁は、側面５Ａ～５Ｄから露出している。外側絶縁層６１の周縁は、この形態では、側面５Ａ～５Ｄに連なっている。外側絶縁層６１の周縁は、側面５Ａ～５Ｄから内方に間隔を空けて形成されていてもよい。この場合、外側絶縁層６１は、外側主面５２を露出させる。
　ＳｉＣ半導体装置１は、アクティブ側壁５４を被覆するサイドウォール構造６２をさらに含む。サイドウォール構造６２は、アクティブ台地５３を外側領域１３側から保護し、補強する。また、サイドウォール構造６２は、アクティブ主面５１および外側主面５２の間に形成された段差を緩和する段差緩和構造を形成する。
　アクティブ領域１２および外側領域１３の間の境界領域を被覆する上層構造（被覆層）が形成される場合、上層構造は、サイドウォール構造６２を被覆する。サイドウォール構造６２は、上層構造の平坦性を高める。サイドウォール構造６２は、アクティブ主面５１から外側主面５２に向かって下り傾斜した傾斜面を有していてもよい。サイドウォール構造６２の傾斜面によって、段差を適切に緩和できる。
　サイドウォール構造６２の傾斜面は、ＳｉＣ半導体層２側に向かって窪んだ湾曲状に形成されていてもよい。サイドウォール構造６２の傾斜面は、ＳｉＣ半導体層２とは反対側に向かう湾曲状に形成されていてもよい。サイドウォール構造６２の傾斜面は、アクティブ主面５１側から外側主面５２側に向けて平面的に延びていてもよい。
　サイドウォール構造６２は、アクティブ側壁５４に沿って形成されている。サイドウォール構造６２は、この形態では、平面視においてアクティブ領域１２を取り囲む環状（より具体的に無端状）に形成されている。サイドウォール構造６２は、ポリシリコン（この形態ではｐ型ポリシリコン）を含むことが好ましい。この場合、ゲート電極２３やソース電極３３と同時に、サイドウォール構造６２を形成できる。
　ＳｉＣ半導体装置１は、第１主面３の上に形成された層間絶縁層６３（絶縁層）を含む。層間絶縁層６３は、酸化シリコンまたは窒化シリコンを含んでいてもよい。層間絶縁層６３は、酸化シリコンの一例としてのＵＳＧ（Undoped Silicate Glass）層、ＰＳＧ（Phosphor Silicate Glass）層およびＢＰＳＧ（Boron Phosphor Silicate Glass）層のうちの少なくとも１つを含んでいてもよい。層間絶縁層６３は、この形態では、第１絶縁層６４および第２絶縁層６５を含む積層構造を有している。第１絶縁層６４は、ＵＳＧ層からなる。第２絶縁層６５は、ＢＰＳＧ層からなる。
　層間絶縁層６３は、アクティブ領域１２および外側領域１３を被覆している。層間絶縁層６３は、アクティブ主面５１および外側主面５２に沿って膜状に形成されている。層間絶縁層６３は、アクティブ領域１２および外側領域１３の間の境界領域において、サイドウォール構造６２に沿って形成されている。層間絶縁層６３は、サイドウォール構造６２を被覆する上層構造の一部を形成している。
　層間絶縁層６３の周縁は、側面５Ａ～５Ｄから露出している。層間絶縁層６３の周縁は、側面５Ａ～５Ｄに連なっている。層間絶縁層６３の周縁は、側面５Ａ～５Ｄから内方に間隔を空けて形成されていてもよい。この場合、層間絶縁層６３は、外側主面５２（外側絶縁層６１）を露出させる。
　層間絶縁層６３は、アクティブ領域１２においてソース領域４２を被覆している。層間絶縁層６３は、さらに、コンタクト領域４３を被覆している。層間絶縁層６３は、具体的には、第２方向Ｙに沿う断面視においてソース領域４２の全域を被覆している。層間絶縁層６３は、平面視においてソース領域４２の全域を被覆している。層間絶縁層６３は、断面視においてコンタクト領域４３の全域を被覆している。層間絶縁層６３は、平面視においてコンタクト領域４３の全域を被覆している。
　層間絶縁層６３は、さらに具体的には、アクティブ領域１２においてソーストレンチ３１の第１トレンチ部３４を横切ってソース電極３３を被覆している。層間絶縁層６３は、第１主面３の上においてソース電極３３の側壁コンタクト部３９を被覆している。
　層間絶縁層６３は、ゲート孔６６、ソース孔６７およびダイオード孔６８を含む。ゲート孔６６は、アクティブ領域１２においてゲート配線２８を露出させている。ゲート孔６６は、ゲート配線２８に沿う帯状に形成されていてもよい。ゲート孔６６の開口エッジ部は、ゲート孔６６内に向かう湾曲状に形成されている。
　ソース孔６７は、アクティブ領域１２においてソース電極３３を露出させている。ソース孔６７は、トレンチソース構造３０に沿って延びる帯状に形成されていてもよい。ソース孔６７の開口エッジ部は、ソース孔６７内に向かう湾曲状に形成されている。
　ソース孔６７は、具体的には、平面視においてソーストレンチ３１（第１トレンチ部３４）の側壁によって取り囲まれた領域内に形成されている。ソース孔６７は、ソーストレンチ３１（第１トレンチ部３４）の側壁からソーストレンチ３１の内方に間隔を空けてソース電極３３を露出させている。ソース孔６７は、ソース電極３３のみを露出させている。
　ソース電極３３の電極面には、ソーストレンチ３１の底壁に向かって窪んだリセス６９が形成されている。リセス６９は、トレンチソース構造３０に沿って延びる帯状に形成されていてもよい。リセス６９は、平面視においてソーストレンチ３１（第１トレンチ部３４）の側壁によって取り囲まれた領域内に形成されている。
　リセス６９は、ソーストレンチ３１（第１トレンチ部３４）の側壁からソーストレンチ３１の内方に間隔を空けて形成されている。リセス６９は、第２低抵抗層４０を露出させている。リセス６９は、第２低抵抗層４０を貫通していてもよい。ソース孔６７は、ソース電極３３のリセス６９に連通している。
　ダイオード孔６８は、外側領域１３においてダイオード領域５５を露出させている。ダイオード孔６８は、ダイオード領域５５に沿って延びる帯状（具体的には無端状）に形成されていてもよい。ダイオード孔６８は、外側ウェル領域５６および／またはＦＬ構造５７を露出させていてもよい。ダイオード孔６８の開口エッジ部は、ダイオード孔６８内に向かう湾曲状に形成されている。
　ＳｉＣ半導体装置１は、第１主面３の上に形成されたゲート主面電極７１を含む。ゲート主面電極７１は、具体的には、層間絶縁層６３の上に形成されている。ゲート主面電極７１には、ゲート電圧が印加される。ゲート電圧は、１０Ｖ以上５０Ｖ以下（たとえば３０Ｖ程度）であってもよい。
　ゲート主面電極７１は、アクティブ領域１２に形成されている。ゲート主面電極７１は、ゲートパッド７２およびゲートフィンガー７３を含む。ゲートパッド７２は、平面視において第１側面５Ａ側の領域に形成されている。ゲートパッド７２は、具体的には、平面視において第１側面５Ａの中央部に沿う領域に沿って形成されている。ゲートパッド７２は、平面視において側面５Ａ～５Ｄのうちの任意の２つを接続する角部に沿う領域に形成されていてもよい。ゲートパッド７２は、平面視において四角形状に形成されていてもよい。
　ゲートフィンガー７３は、ゲートパッド７２から引き出されており、アクティブ領域１２の周縁に沿って帯状に延びている。ゲートフィンガー７３は、この形態では、第１側面５Ａ、第３側面５Ｃおよび第４側面５Ｄに沿って延び、アクティブ領域１２の内方を３方向から区画している。
　ゲートフィンガー７３は、一対の開放端７４、７５を有している。一対の開放端７４、７５は、アクティブ領域１２の内方を挟んでゲートパッド７２と対向する領域に形成されている。一対の開放端７４、７５は、この形態では、平面視において第２側面５Ｂに沿う領域に形成されている。
　ゲートフィンガー７３は、層間絶縁層６３の上からゲート孔６６に入り込んでいる。ゲートフィンガー７３は、ゲート孔６６内においてゲート配線２８に接続されている。これにより、ゲートパッド７２からの電気信号は、ゲートフィンガー７３を介してゲート電極２３およびゲート配線２８に伝達される。
　ゲート主面電極７１は、ゲート電極２３（ゲート配線２８）とは異なる導電材料を含む。ゲート主面電極７１は、具体的には、金属材料からなる。つまり、この形態では、金属材料からなるゲート主面電極７１が導電性ポリシリコンからなるゲート電極２３（ゲート配線２８）に電気的に接続されている。
　ゲート主面電極７１は、ＳｉＣ半導体層２側からこの順に積層された第１バリア層７６および第１本体層７７を含む積層構造を有している。第１バリア層７６は、Ｔｉ層およびＴｉＮ層のうちの少なくとも１を含むことが好ましい。第１バリア層７６は、ＳｉＣ半導体層２側からこの順に積層されたＴｉ層およびＴｉＮ層を含む積層構造を有していることが好ましい。第１バリア層７６は、Ｔｉ層またはＴｉＮ層からなる単層構造を有していてもよい。
　第１バリア層７６の厚さは、０．０１μｍ以上６μｍ以下であってもよい。第１バリア層７６の厚さは、０．０１μｍ以上０．１μｍ以下、０．１μｍ以上２μｍ以下、２μｍ以上４μｍ以下、または、４μｍ以上６μｍ以下であってもよい。
　第１本体層７７は、第１バリア層７６の抵抗値未満の抵抗値を有している。第１本体層７７は、純Ａｌ層、ＡｌＳｉ合金層、ＡｌＣｕ合金層およびＡｌＳｉＣｕ合金層のうちの少なくとも１つを含む。第１本体層７７の厚さは、第１バリア層７６の厚さを超えている。第１本体層７７の厚さは、０．０５μｍ以上１０μｍ以下であってもよい。第１本体層７７の厚さは、０．０５μｍ以上０．１μｍ以下、０．１μｍ以上１μｍ以下、１μｍ以上２μｍ以下、２μｍ以上４μｍ以下、４μｍ以上６μｍ以下、６μｍ以上８μｍ以下、または、８μｍ以上１０μｍ以下であってもよい。
　ＳｉＣ半導体装置１は、ゲート主面電極７１から間隔を空けて第１主面３の上に形成されたソース主面電極８１を含む。ソース主面電極８１は、具体的には、層間絶縁層６３の上に形成されている。ソース主面電極８１には、ソース電圧が印加される。ソース電圧は、基準電圧（たとえばＧＮＤ電圧）であってもよい。
　ソース主面電極８１は、アクティブ領域１２および外側領域１３に形成されている。ソース主面電極８１は、ソースパッド８２、ソース配線８３およびソース連結部８４を含む。ソースパッド８２は、ゲート主面電極７１から間隔を空けてアクティブ領域１２に形成されている。ソースパッド８２は、ゲート主面電極７１によって区画されたＣ字形状の領域を被覆するように、平面視においてＣ字形状に形成されている。
　ソースパッド８２は、ソース接続電極８５およびソース被覆電極８６を含む。ソース接続電極８５は、ソース孔６７に埋設されている。ソース接続電極８５は、ソース孔６７内においてソース電極３３に接続されている。ソース接続電極８５は、ソース孔６７内においてソース電極３３のみに接続されている。
　ソース被覆電極８６は、ソース孔６７外の領域において層間絶縁層６３を被覆している。ソース被覆電極８６は、この形態では、ソース接続電極８５と一体的に形成されている。これにより、ソースパッド８２は、ソース電極３３を介して、ボディ領域４１、ソース領域４２およびコンタクト領域４３に電気的に接続されている。
　ソース配線８３は、外側領域１３に形成されている。ソース配線８３は、アクティブ領域１２に沿って帯状に延びている。ソース配線８３は、平面視においてアクティブ領域１２を取り囲む環状（より具体的に無端状）に形成されている。ソース配線８３は、層間絶縁層６３の上からダイオード孔６８に入り込んでいる。ソース配線８３は、ダイオード孔６８内において、ダイオード領域５５に電気的に接続されている。
　ソース連結部８４は、ソースパッド８２およびソース配線８３を接続している。ソース連結部８４は、ソースパッド８２からゲートフィンガー７３の開放端７４、７５を横切り、ソース配線８３に接続されている。ソース連結部８４は、アクティブ領域１２からサイドウォール構造６２を横切って外側領域１３に引き出されている。ソース連結部８４は、サイドウォール構造６２を被覆する上層構造の一部を形成している。
　ソース主面電極８１は、ソース電極３３とは異なる導電材料を含む。ソース主面電極８１は、具体的には、金属材料からなる。つまり、この形態では、金属材料からなるソース主面電極８１が導電性ポリシリコンからなるソース電極３３に電気的に接続されている。
　ソース主面電極８１は、ＳｉＣ半導体層２側からこの順に積層された第２バリア層８７および第２本体層８８を含む積層構造を有している。第２バリア層８７は、Ｔｉ層およびＴｉＮ層のうちの少なくとも１を含むことが好ましい。第２バリア層８７は、ＳｉＣ半導体層２側からこの順に積層されたＴｉ層およびＴｉＮ層を含む積層構造を有していることが好ましい。第２バリア層８７は、Ｔｉ層またはＴｉＮ層からなる単層構造を有していてもよい。
　第２バリア層８７の厚さは、０．０１μｍ以上６μｍ以下であってもよい。第２バリア層８７の厚さは、０．０１μｍ以上０．１μｍ以下、０．１μｍ以上２μｍ以下、２μｍ以上４μｍ以下、または、４μｍ以上６μｍ以下であってもよい。
　第２本体層８８は、第２バリア層８７の抵抗値未満の抵抗値を有している。第２本体層８８は、純Ａｌ層、ＡｌＳｉ合金層、ＡｌＣｕ合金層およびＡｌＳｉＣｕ合金層のうちの少なくとも１つを含む。第２本体層８８の厚さは、第２バリア層８７の厚さを超えている。第２本体層８８の厚さは、０．０５μｍ以上１０μｍ以下であってもよい。第２本体層８８の厚さは、０．０５μｍ以上０．１μｍ以下、０．１μｍ以上１μｍ以下、１μｍ以上２μｍ以下、２μｍ以上４μｍ以下、４μｍ以上６μｍ以下、６μｍ以上８μｍ以下、または、８μｍ以上１０μｍ以下であってもよい。
 
　アクティブ領域１２に形成されたＭＩＳＦＥＴは、その構造上、ｎｐｎ型の寄生トランジスタを含む。外側領域１３で生じたアバランシェ電流がアクティブ領域１２に流れ込むと、寄生トランジスタがオン状態となる。この場合、ラッチアップによってＭＩＳＦＥＴの制御が不安定になる。そこで、ＳｉＣ半導体装置１では、ソース主面電極８１の構造を利用してアバランシェ電流吸収構造を形成している。
　外側領域１３で生じたアバランシェ電流は、ダイオード領域５５を介してソース配線８３によって吸収される。ソース配線８３によって吸収されたアバランシェ電流は、ソース連結部８４を介してソースパッド８２に至る。ソースパッド８２にボンディングワイヤ等の導線が電気的に接続されている場合、アバランシェ電流は導線を介して外部に至る。これにより、アバランシェ電流に起因する寄生トランジスタの駆動を抑制できる。よって、ラッチアップを抑制できるから、ＭＩＳＦＥＴの安定性を高めることができる。
　ＳｉＣ半導体装置１は、層間絶縁層６３の上に形成された絶縁層９１を含む。図２では、絶縁層９１がハッチングによって示されている。絶縁層９１の周縁は、側面５Ａ～５Ｄから内方に間隔を空けて形成されている。これにより、絶縁層９１は、平面視においてＳｉＣ半導体層２（具体的には層間絶縁層６３）の周縁を露出させている。
　絶縁層９１の周縁は、側面５Ａ～５Ｄとの間でダイシングストリートＤＳを区画している。ダイシングストリートＤＳによれば、ＳｉＣウエハからＳｉＣ半導体装置１を切り出す際に絶縁層９１を物理的に切断せずに済む。これにより、ＳｉＣウエハからＳｉＣ半導体装置１を円滑に切り出すことができると同時に、絶縁層９１の剥離や劣化を抑制できる。その結果、絶縁層９１によってＳｉＣ半導体層２、ゲート主面電極７１、ソース主面電極８１等の保護対象物を適切に保護できる。
　ダイシングストリートＤＳの幅は、１μｍ以上２５μｍ以下であってもよい。ダイシングストリートＤＳの幅、ダイシングストリートＤＳが延びる方向に直交する方向の幅である。ダイシングストリートＤＳの幅は、１μｍ以上５μｍ以下、５μｍ以上１０μｍ以下、１０μｍ以上１５μｍ以下、１５μｍ以上２０μｍ以下、または、２０μｍ以上２５μｍ以下であってもよい。
　絶縁層９１は、ゲート主面電極７１およびソース主面電極８１を選択的に被覆している。絶縁層９１は、ゲートパッド開口９２およびソースパッド開口９３を含む。ゲートパッド開口９２は、ゲートパッド７２を露出させている。ソースパッド開口９３は、ソースパッド８２を露出させている。ゲートパッド開口９２の平面形状は、任意である。ソースパッド開口９３の平面形状は、任意である。
　絶縁層９１は、この形態では、ＳｉＣ半導体層２側からこの順に積層されたパッシベーション層９４および樹脂層９５を含む積層構造を有している。パッシベーション層９４は、酸化シリコン層および窒化シリコン層のうちの少なくとも１つを含んでいてもよい。パッシベーション層９４は、酸化シリコン層および窒化シリコン層が任意の順で積層された積層構造を有していてもよい。パッシベーション層９４は、酸化シリコン層または窒化シリコン層からなる単層構造を有していてもよい。パッシベーション層９４は、層間絶縁層６３とは異なる絶縁材料を含むことが好ましい。パッシベーション層９４は、この形態では、窒化シリコン層からなる単層構造を有している。
　パッシベーション層９４は、層間絶縁層６３に沿って膜状に形成されている。パッシベーション層９４は、層間絶縁層６３を挟んでアクティブ領域１２および外側領域１３を被覆している。パッシベーション層９４は、アクティブ領域１２からサイドウォール構造６２を横切って外側領域１３に引き出されている。パッシベーション層９４は、サイドウォール構造６２を被覆する上層構造の一部を形成している。
　パッシベーション層９４は、第１ゲート開口９６および第１ソース開口９７を有している。第１ゲート開口９６は、ゲートパッド７２を露出させている。第１ソース開口９７は、ソースパッド８２を露出させている。第１ゲート開口９６の平面形状は、任意である。第１ソース開口９７の平面形状は、任意である。
　パッシベーション層９４の厚さは、０．１μｍ以上２０μｍ以下であってもよい。パッシベーション層９４の厚さは、０．１μｍ以上１μｍ以下、１μｍ以上５μｍ以下、５μｍ以上１０μｍ以下、１０μｍ以上１５μｍ以下、または、１５μｍ以上２０μｍ以下であってもよい。
　樹脂層９５は、感光性樹脂を含んでいてもよい。感光性樹脂は、ネガティブタイプまたはポジティブタイプであってもよい。樹脂層９５は、ポリイミド、ポリアミドおよびポリベンゾオキサゾールのうちの少なくとも１つを含んでいてもよい。樹脂層９５は、この形態では、ポリベンゾオキサゾールを含む。
　樹脂層９５は、パッシベーション層９４の主面に沿って膜状に形成されている。樹脂層９５は、アクティブ領域１２からサイドウォール構造６２を横切って外側領域１３に引き出されている。樹脂層９５は、サイドウォール構造６２を被覆する上層構造の一部を形成している。樹脂層９５の周縁は、この形態では、パッシベーション層９４の周縁を露出させている。絶縁層９１の周縁は、樹脂層９５の周縁およびパッシベーション層９４の周縁によって形成されている。樹脂層９５は、パッシベーション層９４の周縁を被覆していてもよい。
　樹脂層９５は、第２ゲート開口９８および第２ソース開口９９を有している。第２ゲート開口９８は、パッシベーション層９４の第１ゲート開口９６に連通し、第１ゲート開口９６との間でゲートパッド開口９２を形成している。第２ソース開口９９は、パッシベーション層９４の第１ソース開口９７に連通し、第１ソース開口９７との間でソースパッド開口９３を形成している。
　第２ゲート開口９８の内壁は、第１ゲート開口９６の内壁に面一に形成されていてもよい。第２ゲート開口９８の内壁は、平面視において第１ゲート開口９６外に位置していてもよい。第２ゲート開口９８の内壁は、平面視において第１ゲート開口９６内に位置していてもよい。つまり、樹脂層９５は、第１ゲート開口９６の内壁を被覆していてもよい。
　第２ソース開口９９の内壁は、第１ソース開口９７の内壁に面一に形成されていてもよい。第２ソース開口９９の内壁は、平面視において第１ソース開口９７外に位置していてもよい。第２ソース開口９９の内壁は、平面視において第１ソース開口９７内に位置していてもよい。つまり、樹脂層９５は、第１ソース開口９７の内壁を被覆していてもよい。
　樹脂層９５の厚さは、１μｍ以上５０μｍ以下であってもよい。樹脂層９５の厚さは、１μｍ以上１０μｍ以下、１０μｍ以上２０μｍ以下、２０μｍ以上３０μｍ以下、３０μｍ以上４０μｍ以下、または、４０μｍ以上５０μｍ以下であってもよい。
　ＳｉＣ半導体装置１は、外側主面５２に形成された凹凸構造１０１（Uneven Structure）を含む。凹凸構造１０１は、具体的には、外側主面５２を被覆する層間絶縁層６３を利用して形成された凹凸（Unevenness）を含む。凹凸構造１０１は、さらに具体的には、層間絶縁層６３に形成されたアンカー孔１０２を含む。
　アンカー孔１０２は、層間絶縁層６３において外側領域１３を被覆する部分を掘り下げることによって形成されている。アンカー孔１０２は、平面視においてダイオード領域５５および側面５Ａ～５Ｄの間の領域に形成されていてもよい。アンカー孔１０２は、この形態では、平面視においてＦＬ構造５７および側面５Ａ～５Ｄの間の領域に形成されている。
　アンカー孔１０２は、層間絶縁層６３によって区画されていてもよい。アンカー孔１０２は、この形態では、外側主面５２を露出させている。アンカー孔１０２は、外側主面５２を第２主面４に向けて掘り下げていてもよい。アンカー孔１０２の開口エッジ部は、アンカー孔１０２内に向かう湾曲状に形成されている。
　アンカー孔１０２は、平面視においてアクティブ領域１２に沿って帯状に延びている。アンカー孔１０２は、この形態では、平面視においてアクティブ領域１２を取り囲む環状（より具体的に無端状）に形成されている。アンカー孔１０２の個数は任意である。１つのアンカー孔１０２が層間絶縁層６３に形成されていてもよいし、複数のアンカー孔１０２が層間絶縁層６３に形成されていてもよい。
　樹脂層９５は、アンカー孔１０２に噛合うアンカー部１０３を有している。樹脂層９５は、この形態では、パッシベーション層９４を介してアンカー孔１０２に噛合っている。パッシベーション層９４は、具体的には、層間絶縁層６３の上からアンカー孔１０２に入り込んでいる。パッシベーション層９４は、アンカー孔１０２内において外側主面５２に接している。パッシベーション層９４の主面においてアンカー孔１０２を被覆する部分には、アンカー孔１０２に向かって窪んだリセス１０４が形成されている。
　樹脂層９５の一部は、パッシベーション層９４のリセス１０４内においてアンカー部１０３を形成している。これにより、第１主面３に対する樹脂層９５の接続強度を高めることができるから、樹脂層９５の剥離を適切に抑制できる。
　ＳｉＣ半導体装置１は、ＳｉＣ半導体層２の第２主面４の上に形成されたドレイン電極１０５を含む。ドレイン電極１０５は、ドレイン領域６に電気的に接続されている。ドレイン電極１０５は、Ｔｉ層、Ｎｉ層、Ｐｄ層、Ａｕ層、Ａｇ層およびＡｌ層のうちの少なくとも１つを含む。ドレイン電極１０５は、第２主面４との間でオーミック接触を形成するＴｉ層を含むことが好ましい。
　ドレイン電極１０５は、少なくとも第２主面４側からこの順に積層されたＴｉ層、Ｎｉ層およびＡｕ層を含む積層構造を有していることが好ましい。ドレイン電極１０５は、第２主面４側からこの順に積層されたＴｉ層、Ｎｉ層、Ａｕ層およびＡｇ層を含む積層構造を有していることがさらに好ましい。Ｐｄ層は、Ｎｉ層およびＡｕ層の間に介在されていることが好ましい。Ａｌ層は、積層構造において任意の層に配置されてもよい。
　以上、ＳｉＣ半導体装置１は、ソース電極３３は、側壁窓部３６から露出する側壁コンタクト部３９を有している。ソース領域４２は、ＳｉＣ半導体層２内においてソーストレンチ３１の側壁から露出するソース電極３３の側壁コンタクト部３９に電気的に接続されている。これにより、ソース領域４２を、ＳｉＣ半導体層２内において適切にソース接地させることができる。
　また、ＳｉＣ半導体装置１によれば、ボディ領域４１は、ＳｉＣ半導体層２内においてソーストレンチ３１の側壁から露出するソース電極３３の側壁コンタクト部３９に電気的に接続されている。これにより、ボディ領域４１を、ＳｉＣ半導体層２内において適切にソース接地させることができる。
　また、ＳｉＣ半導体装置１によれば、第１主面３の表層部においてボディ領域４１および側壁コンタクト部３９の間にコンタクト領域４３が介在している。コンタクト領域４３は、ＳｉＣ半導体層２内においてソーストレンチ３１の側壁から露出するソース電極３３の側壁コンタクト部３９に電気的に接続されている。これにより、コンタクト領域４３を、ＳｉＣ半導体層２内において適切にソース接地させることができる。
　また、ＳｉＣ半導体装置１によれば、ソース領域４２がＳｉＣ半導体層２内においてソース接地されているので、第１主面３の上においてソース領域４２を被覆する層間絶縁層６３を形成できる。また、断面視においてソース領域４２の全域を被覆する層間絶縁層６３を形成できる。また、平面視においてもソース領域４２の全域を被覆する層間絶縁層６３を形成できる。さらに、第１主面３の上においてソース電極３３の側壁コンタクト部３９を被覆する層間絶縁層６３を形成できる。
　また、ＳｉＣ半導体装置１によれば、ソース領域４２がＳｉＣ半導体層２内においてソース接地されているので、ソース電極３３を露出させるソース孔６７の開口幅を狭めることができる。これにより、ソース孔６７のアライメントマージンを広げることができる。つまり、ソース孔６７の位置ずれに強いＳｉＣ半導体装置１を提供できる。
　また、ＳｉＣ半導体装置１によれば、ソース電極３３のみを露出させるソース孔６７を形成できると同時に、ソース電極３３のみに接続されたソース接続電極８５を形成できる。その結果、ソース領域４２を適切にソース接地させることができると同時に、ソース接続電極８５（ソース孔６７）の位置ずれに起因する電気的特性の変動を適切に抑制できる。
　ソース電極３３は、金属材料以外の導電材料からなることが好ましい。ソース電極３３は、導電性ポリシリコンからなることが特に好ましい。ソース主面電極８１は、ソース電極３３とは異なる導電材料からなることが好ましい。ソース主面電極８１は、金属材料からなることが特に好ましい。
　このような構造によれば、ソース電極３３をソーストレンチ３１に適切に埋め込むことができると同時に、ソース主面電極８１をソース電極３３に適切に接続させることができる。このような構造は、ソーストレンチ３１の開口幅がゲートトレンチ２１の開口幅と同程度であり、かつ、ソーストレンチ３１がゲートトレンチ２１の第１深さＤ１を超える第２深さＤ２を有している場合において特に有効である。
　ソーストレンチ３１に金属材料を埋め込むこともできる。しかし、この場合には、ソーストレンチ３１の深さに制限が課せられると同時に、ゲートトレンチ２１の開口幅を大きく超える開口幅を有するソーストレンチ３１を形成する必要がある。したがって、ＳｉＣ半導体装置１の高耐圧化および小型化の要請に反する点に留意する必要がある。ＳｉＣ半導体装置１によれば、このような問題を解消できる。
　図１１Ａ～図１１Ｓは、図１に示すＳｉＣ半導体装置１の製造方法の一例を示す拡大断面図である。図１１Ａ～図１１Ｓは、図８に対応する領域の拡大図である。
　まず、図１１Ａを参照して、ドレイン領域６（ＳｉＣ半導体基板７）のベースとなるｎ＋型のＳｉＣウエハ１１１が用意される。次に、ＳｉＣウエハ１１１の主面の上に、ドリフト領域８（ＳｉＣエピタキシャル層９）のベースとなるＳｉＣエピタキシャル層１１２が形成される。ＳｉＣエピタキシャル層１１２は、エピタキシャル成長法によってＳｉＣウエハ１１１の主面の上に形成される。
　この工程では、ｎ型不純物の添加量を調節することによって、高濃度領域１０および低濃度領域１１を有するＳｉＣエピタキシャル層１１２が形成される。これにより、ドレイン領域６およびドリフト領域８を含むＳｉＣ半導体層２が形成される。以下、ＳｉＣ半導体層２、第１主面３および第２主面４を用いて説明する。
　次に、図１１Ｂを参照して、第１主面３の表層部にｐ型のボディ領域４１が形成される。ボディ領域４１は、第１主面３の表層部の全域に形成される。ボディ領域４１は、第１主面３に対するｐ型不純物の導入によって形成される。次に、ボディ領域４１の表層部にｎ＋型のソース領域４２が形成される。ソース領域４２は、ボディ領域４１の表層部においてＭＩＳＦＥＴのチャネルを形成すべき領域に形成される。ソース領域４２は、ボディ領域４１の表層部に対するｎ型不純物の導入によって形成される。
　次に、図１１Ｃを参照して、第１主面３の上に、所定パターンを有するハードマスク１１３が形成される。ハードマスク１１３は、第１主面３においてゲートトレンチ２１、ソーストレンチ３１および外側領域１３を形成すべき領域を露出させる複数の開口１１４を有している。ハードマスク１１３は、酸化シリコンを含んでいてもよい。ハードマスク１１３は、ＣＶＤ（chemical vapor deposition）法または熱酸化処理法によって形成されてもよい。ハードマスク１１３は、この工程では、熱酸化処理法によって形成される。
　次に、ハードマスク１１３を介するエッチング法によって、ＳｉＣエピタキシャル層１１２の不要な部分が除去される。エッチング法は、ウエットエッチング法および／またはドライエッチング法であってもよい。エッチング法は、ドライエッチング法であることが好ましい。これにより、アクティブ領域１２においてゲートトレンチ２１およびソーストレンチ３１が形成される。また、アクティブ領域１２に対して第２主面４側に窪んだ外側領域１３が形成される。ハードマスク１１３は、その後除去される。
　次に、図１１Ｄを参照して、所定パターンを有するマスク１１５が、第１主面３の上に形成される。マスク１１５は、ソーストレンチ３１および外側領域１３を露出させる複数の開口１１６を有している。マスク１１５は、この工程では、ポリシリコン層１１７および絶縁層１１８を含む積層構造を有している。絶縁層１１８は、酸化シリコンを含む。ポリシリコン層１１７は、ＣＶＤ法によって形成されてもよい。絶縁層１１８は、ＣＶＤ法または熱酸化処理法によって形成されてもよい。絶縁層１１８は、この工程では、ポリシリコン層１１７に対する熱酸化処理法によって形成されている。
　次に、マスク１１５を介するエッチング法によって、ＳｉＣエピタキシャル層１１２の不要な部分が除去される。エッチング法は、ウエットエッチング法および／またはドライエッチング法であってもよい。エッチング法は、ドライエッチング法であることが好ましい。これにより、ソーストレンチ３１および外側領域１３が、第２主面４に向けてさらに掘り下げられる。
　次に、図１１Ｅを参照して、ディープウェル領域４４、周縁ウェル領域４５および外側ウェル領域５６が、第１主面３の表層部に形成される。ディープウェル領域４４、周縁ウェル領域４５および外側ウェル領域５６は、第１主面３に対するｐ型不純物の導入によって形成される。ｐ型不純物は、イオン注入マスクを介して外側主面５２に導入される。ｐ型不純物は、イオン注入マスクに加えてマスク１１５を介して外側主面５２に導入されてもよい。
　次に、複数のＦＬ領域５８（ＦＬ構造５７）が、第１主面３（外側主面５２）の表層部に形成される。複数のＦＬ構造５７は、第１主面３に対するｐ型不純物の導入によって形成される。ｐ型不純物は、イオン注入マスクを介して外側主面５２に導入される。
　次に、図１１Ｆを参照して、コンタクト領域４３およびダイオード領域５５が、第１主面３の表層部に形成される。コンタクト領域４３およびダイオード領域５５は、第１主面３に対するｐ型不純物の導入によって形成される。ｐ型不純物は、イオン注入マスクを介して第１主面３に導入される。
　次に、図１１Ｇを参照して、ゲート絶縁層２２、ソース絶縁層３２および外側絶縁層６１のベースとなるベース絶縁層１１９が、第１主面３の上に形成される。ベース絶縁層１１９は、酸化シリコンを含んでいてもよい。
　ベース絶縁層１１９は、ＣＶＤ法または熱酸化処理法によって形成されてもよい。ベース絶縁層１１９においてゲートトレンチ２１の側壁を被覆する部分およびソーストレンチ３１の側壁を被覆する部分は、他の部分よりも薄く形成される。また、ベース絶縁層１１９においてゲートトレンチ２１の開口エッジ部を被覆する部分およびソーストレンチ３１の開口エッジ部を被覆する部分は、他の部分よりも厚く形成される。
　このような構造を有するベース絶縁層１１９は、ＣＶＤ法や熱酸化処理法の条件を調節することによって形成される。たとえば、ＣＶＤ法や熱酸化処理法において、ガス流量、ガス種、ガス比率、ガス供給時間、温度等の所定の条件を調節すればよい。
　次に、図１１Ｈを参照して、ゲート電極２３、ゲート配線２８およびソース電極３３のベースとなる第１ポリシリコン層１２０が、第１主面３の上に形成される。第１ポリシリコン層１２０は、ゲートトレンチ２１およびソーストレンチ３１を埋めて第１主面３を被覆する。
　第１ポリシリコン層１２０は、ＣＶＤ法によって形成されてもよい。ＣＶＤ法は、ＬＰ－ＣＶＤ（Low Pressure-CVD）法であってもよい。第１ポリシリコン層１２０は、ｐ型不純物によって導電性が付与された導電性ポリシリコンからなる。ｐ型不純物は、ＣＶＤ法と同時に第１ポリシリコン層１２０に添加されてもよいし、ＣＶＤ法の後に別途添加されてもよい。
　次に、図１１Ｉを参照して、第１ポリシリコン層１２０の不要な部分が除去される。第１ポリシリコン層１２０の不要な部分は、ベース絶縁層１１９が露出するまで除去される。第１ポリシリコン層１２０の不要な部分は、エッチング法によって除去されてもよい。エッチング法は、ウエットエッチング法および／またはドライエッチング法であってもよい。これにより、ゲート電極２３、ゲート配線２８およびソース電極３３が形成される。
　この工程では、第１ポリシリコン層１２０の一部が、アクティブ側壁５４に付着した状態で残存する。これにより、第１ポリシリコン層１２０の一部を含むサイドウォール構造６２が形成される。サイドウォール構造６２は、アクティブ主面５１に対して自己整合的に形成される。
　次に、図１１Ｊを参照して、所定パターンを有するレジストマスク１２１が、第１主面３の上に形成される。レジストマスク１２１は、ソーストレンチ３１、ソース領域４２の一部およびコンタクト領域４３を露出させる開口１２２を有し、それ以外の領域を被覆している。
　次に、ソース絶縁層３２の不要な部分およびソース電極３３の不要な部分が、レジストマスク１２１を介するエッチング法によって除去される。この工程では、ＳｉＣエピタキシャル層１１２の一部も除去される。これにより、第１トレンチ部３４および第２トレンチ部３５を有するソーストレンチ３１が形成される。また、ソース絶縁層３２にソーストレンチ３１の第１トレンチ部３４を露出させる側壁窓部３６が形成される。レジストマスク１２１は、その後、除去される。
　次に、図１１Ｋを参照して、ソース電極３３のベースとなる第２ポリシリコン層１２３が、第１主面３の上に形成される。第２ポリシリコン層１２３は、ソーストレンチ３１の第１トレンチ部３４を埋めて第１主面３を被覆する。
　第２ポリシリコン層１２３は、ＣＶＤ法によって形成されてもよい。ＣＶＤ法は、ＬＰ－ＣＶＤ（Low Pressure-CVD）法であってもよい。第２ポリシリコン層１２３は、ｐ型不純物によって導電性が付与された導電性ポリシリコンからなる。ｐ型不純物は、ＣＶＤ法と同時に第２ポリシリコン層１２３に添加されてもよいし、ＣＶＤ法の後に別途添加されてもよい。
　次に、図１１Ｌを参照して、第２ポリシリコン層１２３の不要な部分が除去される。第２ポリシリコン層１２３の不要な部分は、第１主面３が露出するまで除去される。第２ポリシリコン層１２３の不要な部分は、エッチング法によって除去されてもよい。エッチング法は、ウエットエッチング法および／またはドライエッチング法であってもよい。これにより、ソース電極３３が再度形成される。
　この工程では、第２ポリシリコン層１２３の一部が、アクティブ側壁５４に付着した状態で残存する。これにより、第２ポリシリコン層１２３の一部を含むサイドウォール構造６２が形成される。サイドウォール構造６２は、アクティブ主面５１に対して自己整合的に形成される。
　次に、図１１Ｍを参照して、ゲート電極２３、ゲート配線２８およびソース電極３３を被覆する金属層１２４が、第１主面３の上に形成される。金属層１２４は、ｐ型ポリシリコンとの間でポリサイド化可能な金属材料を含む。金属層１２４は、Ｍｏ、Ｗ、Ｎｉ、ＣｏおよびＴｉのうちの少なくとも１つを含んでいてもよい。金属層１２４は、ＣＶＤ法、スパッタ法および／または蒸着法によって形成されてもよい。
　次に、金属層１２４に対する熱処理法によって、ゲート電極２３の表層部、ゲート配線２８の表層部およびソース電極３３の表層部にｐ型ポリサイド層が形成される。熱処理法は、ＲＴＡ（Rapid Thermal Annealing）法であってもよい。これにより、ＴｉＳｉ、ＴｉＳｉ２、ＮｉＳｉ、ＣｏＳｉ、ＣｏＳｉ２、ＭｏＳｉ２およびＷＳｉ２のうちの少なくとも１つを含むｐ型ポリサイド層が形成される。このｐ型ポリサイド層によって、第１低抵抗層２９および第２低抵抗層４０が形成される。
　次に、図１１Ｎを参照して、金属層１２４の未反応部分が除去される。金属層１２４の未反応部分は、エッチング法によって除去されてもよい。エッチング法は、ウエットエッチング法および／またはドライエッチング法であってもよい。
　第１低抵抗層２９および第２低抵抗層４０がＴｉＳｉまたはＣｏＳｉを含む場合、金属層１２４の未反応部分の除去後、第１低抵抗層２９および第２低抵抗層４０に対して熱処理法が再度実施されてもよい。第１低抵抗層２９および第２低抵抗層４０に対する熱処理法は、ＲＴＡ法であってもよい。これにより、ＴｉＳｉをＴｉＳｉ２に、ＣｏＳｉをＣｏＳｉ２に改質させることができる。
　次に、図１１Ｏを参照して、層間絶縁層６３が、第１主面３の上に形成される。層間絶縁層６３は、アクティブ領域１２および外側領域１３を一括して被覆する。層間絶縁層６３は、第１絶縁層６４および第２絶縁層６５を含む。第１絶縁層６４は、ＵＳＧ層からなる。第２絶縁層６５は、ＢＰＳＧ層からなる。第１絶縁層６４および第２絶縁層６５は、ＣＶＤ法によって形成されてもよい。
　次に、図１１Ｐを参照して、所定パターンを有するレジストマスク１２５が、層間絶縁層６３の上に形成される。レジストマスク１２５は、ゲート孔６６、ソース孔６７、ダイオード孔６８およびアンカー孔１０２を形成すべき領域を露出させる複数の開口１２６を有している。
　次に、層間絶縁層６３の不要な部分が、レジストマスク１２５を介するエッチング法によって除去される。エッチング法は、ウエットエッチング法および／またはドライエッチング法であってもよい。エッチング法は、ドライエッチング法であることが好ましい。これにより、ゲート孔６６、ソース孔６７、ダイオード孔６８およびアンカー孔１０２が形成される。
　この後、層間絶縁層６３に対して熱処理法が実施されてもよい。これにより、ゲート孔６６の開口エッジ部、ソース孔６７の開口エッジ部、ダイオード孔６８の開口エッジ部およびアンカー孔１０２の開口エッジ部が湾曲状に丸められる。
　次に、図１１Ｑを参照して、第１バリア層７６および第２バリア層８７のベースとなるベースバリア層１２７が、層間絶縁層６３の上に形成される。ベースバリア層１２７は、層間絶縁層６３側からこの順に積層されたＴｉ層およびＴｉＮ層を含む積層構造を有している。Ｔｉ層およびＴｉＮ層は、スパッタ法によってそれぞれ形成されてもよい。
　次に、図１１Ｒを参照して、第１本体層７７および第２本体層８８のベースとなるベース本体層１２８が、ベースバリア層１２７の上に形成される。ベース本体層１２８は、純Ａｌ層、ＡｌＳｉ合金層、ＡｌＣｕ合金層およびＡｌＳｉＣｕ合金層のうちの少なくとも１つを含む。ベース本体層１２８は、スパッタ法によって形成されてもよい。
　次に、ベースバリア層１２７およびベース本体層１２８を含む積層構造の不要な部分が、レジストマスク（図示せず）を介するエッチング法によって除去される。エッチング法は、ウエットエッチング法および／またはドライエッチング法であってもよい。エッチング法は、ドライエッチング法であることが好ましい。これにより、ゲート主面電極７１およびソース主面電極８１が形成される。
　次に、絶縁層９１が、層間絶縁層６３の上に形成される。絶縁層９１は、パッシベーション層９４および樹脂層９５を含む積層構造を有している。パッシベーション層９４は、ＣＶＤ法によって形成されてもよい。樹脂層９５は、感光性樹脂をパッシベーション層９４の上に塗布することによって形成されてもよい。次に、樹脂層９５が選択的に露光された後、現像される。これにより、第２ゲート開口９８、第２ソース開口９９およびダイシングストリートＤＳが樹脂層９５に形成される。
　次に、パッシベーション層９４において第２ゲート開口９８、第２ソース開口９９およびダイシングストリートＤＳから露出する部分が除去される。パッシベーション層９４の不要な部分は、樹脂層９５を介するエッチング法によって除去されてもよい。エッチング法は、ウエットエッチング法および／またはドライエッチング法であってもよい。
　これにより、第１ゲート開口９６、第１ソース開口９７およびダイシングストリートＤＳが、パッシベーション層９４に形成される。第１ゲート開口９６は、第２ゲート開口９８との間でゲートパッド開口９２を区画する。第１ソース開口９７は、第２ソース開口９９との間でソースパッド開口９３を区画する。
　次に、図１１Ｓを参照して、ドレイン電極１０５が、第２主面４に形成される。ドレイン電極１０５は、Ｔｉ層、Ｎｉ層、Ｐｄ層、Ａｕ層、Ａｇ層およびＡｌ層のうちの少なくとも１つを含む。Ｔｉ層、Ｎｉ層、Ｐｄ層、Ａｕ層、Ａｇ層および／またはＡｌ層は、スパッタ法、蒸着法、ＣＶＤ法および／またはめっき法によって形成されてもよい。
　ドレイン電極１０５の形成工程に先立って、第２主面４が研削されてもよい。これにより、ＳｉＣ半導体層２が所望の厚さまで薄化されてもよい。また、研削後の第２主面４に対してレーザ照射法によるアニール処理が実施されてもよい。
　その後、ＳｉＣ半導体層２が、ダイシングストリートＤＳに沿って切断される。これにより、一枚のＳｉＣウエハ１１１から複数のＳｉＣ半導体装置１が切り出される。以上を含む工程を経てＳｉＣ半導体装置１が形成される。
　図１２は、図８に対応する領域の拡大図であって、本発明の第２実施形態に係るＳｉＣ半導体装置１３１を部分的に示す図である。以下では、ＳｉＣ半導体装置１に対して述べた構造に対応する構造については、同一の参照符号を付して説明を省略する。
　図１２を参照して、ソース絶縁層３２は、この形態では、ソーストレンチ３１の底壁を露出させる底壁窓部１３２を有している。底壁窓部１３２は、この形態では、ソーストレンチ３１の側壁から間隔を空けて底壁の中央部を露出させている。底壁窓部１３２は、ソーストレンチ３１の底壁側においてソーストレンチ３１の側壁および底壁を露出させていてもよい。
　ソーストレンチ３１の底壁は、この形態では、第２主面４側に向かって窪んだリセス１３３を有している。リセス１３３は、ソーストレンチ３１の側壁から間隔を空けて底壁の中央部を露出させている。底壁窓部１３２は、リセス１３３に連通している。
　ソース電極３３は、底壁窓部１３２から露出するソーストレンチ３１の底壁（リセス１３３）に接する底壁コンタクト部１３４を有している。各コンタクト領域４３においてソーストレンチ３１の底壁を被覆する部分は、ソース電極３３の底壁コンタクト部１３４に電気的に接続されている。
　各ディープウェル領域４４は、ソーストレンチ３１の底壁においてコンタクト領域４３を介してソース電極３３の底壁コンタクト部１３４に電気的に接続された部分を含む。各ディープウェル領域４４は、ソーストレンチ３１の底壁においてソース電極３３の底壁コンタクト部１３４に電気的に接続された部分を含む。
　以上、ＳｉＣ半導体装置１３１によれば、ＳｉＣ半導体装置１に対して述べた効果と同様の効果を奏することができる。また、ＳｉＣ半導体装置１３１によれば、ソース電極３３が側壁窓部３６から露出する側壁コンタクト部３９、および、底壁窓部１３２から露出する底壁コンタクト部１３４を含む。コンタクト領域４３は、ソーストレンチ３１の開口側においてソース電極３３の側壁コンタクト部３９に電気的に接続され、ソーストレンチ３１の底壁側においてソース電極３３の底壁コンタクト部１３４に電気的に接続されている。
　ソース電極３３およびドレイン電極１０５の間に負のドレイン・ソース電圧ＶＧＳが印加されると、ＭＩＳＦＥＴは第３象限動作を行う。第３象限動作では、ボディ領域４１（ディープウェル領域４４）によって形成されるｐｎ接合ダイオードに順方向電流が流れる。この順方向電流は、ソース電極３３からドレイン電極１０５に向けて流れることから、ＭＩＳＦＥＴに対しては逆方向電流である。
　ｐｎ接合ダイオードの順方向電流は、ソース電極３３の側壁コンタクト部３９から側壁窓部３６を介してドリフト領域８に流れ込むと同時に、ソース電極３３の底壁コンタクト部１３４から底壁窓部１３２を介してドリフト領域８に流れ込む。これにより、ｐｎ接合ダイオードの順方向電流の電流経路が増加するからオン抵抗を低減させることができる。その結果、ｐｎ接合ダイオードの順方向特性を向上させることができる。
　この形態では、ソーストレンチ３１のリセス１３３がコンタクト領域４３によって被覆される例について説明した。しかし、リセス１３３を有さないソーストレンチ３１が形成されてもよい。また、コンタクト領域４３を貫通するリセス１３３が形成されてもよい。換言すると、リセス１３３の側壁を被覆し、リセス１３３の底壁を露出させるコンタクト領域４３が形成されてもよい。
　図１３Ａ～図１３Ｈは、図１２に示すＳｉＣ半導体装置１３１の製造方法の一例を示す拡大断面図である。
　図１３Ａを参照して、図１１Ａ～図１１Ｇの工程を経て、ベース絶縁層１１９が形成された状態のＳｉＣ半導体層２が用意される。
　次に、図１３Ｂを参照して、ゲート電極２３およびソース電極３３のベースとなるベースポリシリコン層１３５が、第１主面３の上に形成される。ベースポリシリコン層１３５は、ゲートトレンチ２１の内壁、ソーストレンチ３１の内壁および第１主面３に沿って膜状に形成される。
　ベースポリシリコン層１３５は、ＣＶＤ法によって形成されてもよい。ＣＶＤ法は、ＬＰ－ＣＶＤ（Low Pressure-CVD）法であってもよい。ベースポリシリコン層１３５は、ｐ型不純物によって導電性が付与された導電性ポリシリコンからなる。ｐ型不純物は、ＣＶＤ法と同時にベースポリシリコン層１３５に添加されてもよいし、ＣＶＤ法の後に別途添加されてもよい。
　次に、図１３Ｃを参照して、ベースポリシリコン層１３５の不要な部分が除去される。ベースポリシリコン層１３５の不要な部分は、第１主面３に対して平行に延びる部分である。ベースポリシリコン層１３５の不要な部分は、エッチング法によって除去されてもよい。エッチング法は、異方性のドライエッチング法であることが好ましい。ドライエッチング法は、ＲＩＥ（Reactive Ion Etching）法であってもよい。
　これにより、ベースポリシリコン層１３５の一部が、ゲートトレンチ２１の側壁を被覆し、ゲートトレンチ２１の底壁を露出させた状態で残存する。また、ベースポリシリコン層１３５の一部が、ソーストレンチ３１の側壁を被覆し、ソーストレンチ３１の底壁を露出させた状態で残存する。
　次に、図１３Ｄを参照して、所定パターンを有するレジストマスク１３６が、第１主面３の上に形成される。レジストマスク１３６は、ソーストレンチ３１を露出させる開口１３７を有し、それ以外の領域を被覆している。
　次に、レジストマスク１３６を介するエッチング法によって、ベース絶縁層１１９においてソーストレンチ３１内のベースポリシリコン層１３５から露出する部分が除去される。エッチング法は、異方性のドライエッチング法であることが好ましい。ドライエッチング法は、ＲＩＥ法であってもよい。
　これにより、ベース絶縁層１１９においてソーストレンチ３１の底壁を被覆する部分に、ソーストレンチ３１の底壁を露出させる底壁窓部１３２が形成される。この工程では、ＳｉＣエピタキシャル層１１２において底壁窓部１３２から露出する部分も除去される。これにより、ソーストレンチ３１の底壁に、底壁窓部１３２に連通するリセス１３３が形成される。レジストマスク１３６は、その後除去される。
　次に、図１３Ｅを参照して、ゲート電極２３、ゲート配線２８およびソース電極３３のベースとなる第１ポリシリコン層１２０が、第１主面３の上に形成される。第１ポリシリコン層１２０は、ゲートトレンチ２１およびソーストレンチ３１を埋めて第１主面３を被覆する。第１ポリシリコン層１２０は、ゲートトレンチ２１内およびソーストレンチ３１内においてベースポリシリコン層１３５と一体的に形成される。
　第１ポリシリコン層１２０は、ＣＶＤ法によって形成されてもよい。ＣＶＤ法は、ＬＰ－ＣＶＤ（Low Pressure-CVD）法であってもよい。第１ポリシリコン層１２０は、ｐ型不純物によって導電性が付与された導電性ポリシリコンからなる。ｐ型不純物は、ＣＶＤ法と同時に第１ポリシリコン層１２０に添加されてもよいし、ＣＶＤ法の後に別途添加されてもよい。
　次に、図１３Ｆを参照して、第１ポリシリコン層１２０の不要な部分が除去される。第１ポリシリコン層１２０の不要な部分は、ベース絶縁層１１９が露出するまで除去される。第１ポリシリコン層１２０の不要な部分は、エッチング法によって除去されてもよい。エッチング法は、ウエットエッチング法および／またはドライエッチング法であってもよい。これにより、ゲート電極２３、ゲート配線２８およびソース電極３３が形成される。
　この工程では、第１ポリシリコン層１２０の一部が、アクティブ側壁５４に付着した状態で残存する。これにより、第１ポリシリコン層１２０の一部を含むサイドウォール構造６２が形成される。サイドウォール構造６２は、アクティブ主面５１に対して自己整合的に形成される。
　その後、図１１Ｊ～図１１Ｓと同様の工程が実施されて、ＳｉＣ半導体装置１３１が形成される。
　図１４は、図８に対応する領域の拡大図であって、本発明の第３実施形態に係るＳｉＣ半導体装置１４１を部分的に示す図である。以下では、ＳｉＣ半導体装置１に対して述べた構造に対応する構造については、同一の参照符号を付して説明を省略する。
　図１４を参照して、トレンチソース構造３０は、この形態では、ソース絶縁層３２を有していない。ソース電極３３は、ソーストレンチ３１内において第１側壁コンタクト部１４２、第２側壁コンタクト部１４３および底壁コンタクト部１４５を含む。
　第１側壁コンタクト部１４２は、第１トレンチ部３４の側壁に接している。第２側壁コンタクト部１４３は、第２トレンチ部３５の側壁に接している。底壁コンタクト部１４５は、ソーストレンチ３１の底壁に接している。各コンタクト領域４３は、ソース電極３３の第１側壁コンタクト部１４２、第２側壁コンタクト部１４３および底壁コンタクト部１４５に電気的に接続されている。
　各ディープウェル領域４４は、コンタクト領域４３を介してソース電極３３の第１側壁コンタクト部１４２、第２側壁コンタクト部１４３および底壁コンタクト部１４５に電気的に接続された部分を含む。各ディープウェル領域４４は、ソース電極３３の第１側壁コンタクト部１４２、第２側壁コンタクト部１４３および底壁コンタクト部１４５に電気的に接続された部分を含む。
　以上、ＳｉＣ半導体装置１４１によれば、ＳｉＣ半導体装置１に対して述べた効果と同様の効果を奏することができる。また、ＳｉＣ半導体装置１４１によれば、ソース電極３３が第１側壁コンタクト部１４２、第２側壁コンタクト部１４３および底壁コンタクト部１４５を含む。コンタクト領域４３は、ソース電極３３の第１側壁コンタクト部１４２、第２側壁コンタクト部１４３および底壁コンタクト部１４５に電気的に接続されている。
　ソース電極３３およびドレイン電極１０５の間に負のドレイン・ソース電圧ＶＧＳが印加されると、ＭＩＳＦＥＴは第３象限動作を行う。第３象限動作では、ボディ領域４１（ディープウェル領域４４）によって形成されるｐｎ接合ダイオードに順方向電流が流れる。この順方向電流は、ソース電極３３からドレイン電極１０５に向けて流れることから、ＭＩＳＦＥＴに対しては逆方向電流である。
　ｐｎ接合ダイオードの順方向電流は、ソース電極３３の側壁コンタクト部３９から側壁窓部３６を介してドリフト領域８に流れ込むと同時に、ソース電極３３の底壁コンタクト部１３４から底壁窓部１３２を介してドリフト領域８に流れ込む。これにより、ｐｎ接合ダイオードの順方向電流の電流経路が増加するからオン抵抗を低減させることができる。その結果、ｐｎ接合ダイオードの順方向特性を向上させることができる。
　図１５Ａおよび図１５Ｂは、図１４に示すＳｉＣ半導体装置１４１の製造方法の一例を示す拡大断面図である。
　図１５Ａを参照して、図１１Ａ～図１１Ｉの工程を経て、第１ポリシリコン層１２０がゲートトレンチ２１およびソーストレンチ３１に埋め込まれた状態のＳｉＣ半導体層２が用意される。
　次に、図１５Ｂを参照して、所定パターンを有するレジストマスク１２１が、第１主面３の上に形成される。レジストマスク１２１は、ソーストレンチ３１、ソース領域４２の一部およびコンタクト領域４３を露出させる開口１２２を有し、それ以外の領域を被覆している。
　次に、第１ポリシリコン層１２０においてソーストレンチ３１に埋め込まれた部分の全部が、レジストマスク１２１を介するエッチング法によって除去される。この工程では、ソース絶縁層３２の全部も除去される。また、この工程では、ＳｉＣエピタキシャル層１１２の一部も除去される。これにより、第１トレンチ部３４および第２トレンチ部３５を有するソーストレンチ３１が形成される。
　その後、図１１Ｋ～図１１Ｓと同様の工程が実施されて、ＳｉＣ半導体装置１４１が形成される。
　図１６は、図８に対応する領域の拡大図であって、本発明の第４実施形態に係るＳｉＣ半導体装置１５１を部分的に示す図である。以下では、ＳｉＣ半導体装置１に対して述べた構造に対応する構造については、同一の参照符号を付して説明を省略する。
　ソースパッド８２は、この形態では、同一の金属材料によって一体的に形成されたソース接続電極８５およびソース被覆電極８６を含む。これに対して、図１６を参照して、ＳｉＣ半導体装置１５１に係るソースパッド８２は、互いに異なる金属材料によって別体的に形成されたソース接続電極８５およびソース被覆電極８６を含む。
　ソース接続電極８５は、具体的には、プラグ電極１５２からなる。プラグ電極１５２は、具体的には、ソース孔６７側からこの順に積層されたバリア層１５３およびタングステン層１５４を含むタングステンプラグ電極からなる。
　バリア層１５３は、ソース孔６７の内壁およびソース電極３３の電極面に沿って膜状に形成されている。バリア層１５３は、ソース孔６７内においてリセス空間を区画している。バリア層１５３は、ソース孔６７の内壁側からこの順に積層されたＴｉ層およびＴｉＮ層を含む積層構造を有していることが好ましい。バリア層１５３は、Ｔｉ層またはＴｉＮ層からなる単層構造を有していてもよい。タングステン層１５４は、バリア層１５３を挟んでソース孔６７に埋設されている。
　ソース被覆電極８６は、第２バリア層８７および第２本体層８８を含む積層構造を有している。ソース被覆電極８６は、層間絶縁層６３およびソース接続電極８５を被覆している。ソース被覆電極８６は、ソース接続電極８５を介してソース電極３３に電気的に接続されている。
　以上、ＳｉＣ半導体装置１５１によれば、ＳｉＣ半導体装置１に対して述べた効果と同様の効果を奏することができる。また、ＳｉＣ半導体装置１５１によれば、プラグ電極１５２からなるソース接続電極８５がソース孔６７に埋設されている。これにより、ソース孔６７の開口幅を狭めることができると同時に、幅狭のソース孔６７にソース接続電極８５を適切に埋設できる。よって、ソース接続電極８５をソース電極３３に適切に接続できる。ＳｉＣ半導体装置１５１の構造は、第２実施形態に係るＳｉＣ半導体装置１３１および第３実施形態に係るＳｉＣ半導体装置１４１にも適用できる。
　本発明の実施形態はさらに他の形態で実施することもできる。
　前述の各実施形態では、第１低抵抗層２９および第２低抵抗層４０が形成されたれについて説明した。しかし、第１低抵抗層２９および第２低抵抗層４０のいずれか一方または双方が形成されていない構造が採用されてもよい。
　前述の各実施形態では、ｐ型不純物が添加されたｐ型ポリシリコンを含むゲート電極２３およびゲート配線２８が形成された例について説明した。しかし、ゲート閾値電圧Ｖｔｈの増加を重視しない場合には、ゲート電極２３およびゲート配線２８は、ｐ型ポリシリコンに代えて、ｎ型不純物が添加されたｎ型ポリシリコンを含んでいてもよい。
　この場合、第１低抵抗層２９は、ゲート電極２３（ｎ型ポリシリコン）において表層部を形成する部分を金属材料によってシリサイド化することによって形成されていてもよい。つまり、第１低抵抗層２９は、ｎ型ポリサイドを含んでいてもよい。このような構造の場合、ゲート抵抗を低減できる。むろん、第１低抵抗層２９は、形成されなくてもよい。
　前述の各実施形態では、ｐ型不純物が添加されたｐ型ポリシリコンを含むソース電極３３が形成された例について説明した。しかし、ｐ型ポリシリコンに代えて、ｎ型不純物が添加されたｎ型ポリシリコンを含んでいてもよい。
　この場合、第２低抵抗層４０は、ソース電極３３（ｎ型ポリシリコン）において表層部を形成する部分を金属材料によってシリサイド化することによって形成されていてもよい。つまり、第２低抵抗層４０は、ｎ型ポリサイドを含んでいてもよい。むろん、第２低抵抗層４０は、形成されなくてもよい。
　前述の各実施形態では、ｐ型不純物が添加されたｐ型ポリシリコンを含むソース電極３３が形成された例について説明した。しかし、ｐ型からなる第１ポリシリコン層１２０を形成し、ｎ型からなる第２ポリシリコン層１２３を形成することによって、ｐ型ポリシリコンおよびｎ型ポリシリコンの積層構造からなるソース電極３３が形成されてもよい。
　この場合、第２低抵抗層４０は、ソース電極３３（ｎ型ポリシリコン）において表層部を形成する部分を金属材料によってシリサイド化することによって形成されていてもよい。つまり、第２低抵抗層４０は、ｎ型ポリサイドを含んでいてもよい。むろん、第２低抵抗層４０は、形成されなくてもよい。
　前述の各実施形態では、絶縁層９１がパッシベーション層９４および樹脂層９５を含む積層構造を有している例について説明した。しかし、絶縁層９１は、パッシベーション層９４または樹脂層９５からなる単層構造を有していてもよい。
　前述の各実施形態では、第１方向ＸがＳｉＣ単結晶のｍ軸方向（［１－１００］方向）であり、第２方向ＹがＳｉＣ単結晶のａ軸方向（［１１－２０］方向）である例について説明した。しかし、第１方向ＸがＳｉＣ単結晶のａ軸方向（［１１－２０］方向）であり、第２方向ＹがＳｉＣ単結晶のｍ軸方向（［１－１００］方向）である形態が採用されてもよい。
　前述の各実施形態では、絶縁ゲート型トランジスタの一例としてのＭＩＳＦＥＴが形成された例について説明した。しかし、ｎ＋型のドレイン領域６に代えてｐ＋型のコレクタ領域が採用されてもよい。この構造によれば、ＭＩＳＦＥＴに代えて、ＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）を提供できる。この場合、前述の各実施形態において、ＭＩＳＦＥＴの「ソース」がＩＧＢＴの「エミッタ」に読み替えられ、ＭＩＳＦＥＴの「ドレイン」がＩＧＢＴの「コレクタ」に読み替えられる。
　前述の各実施形態において、各半導体部分の導電型が反転された構造が採用されてもよい。つまり、ｐ型の部分がｎ型とされ、ｎ型の部分がｐ型とされてもよい。
　前述の各実施形態では、ＳｉＣ単結晶からなるＳｉＣ半導体層２を含む例について説明した。しかし、前述の各実施形態において、ＳｉＣ半導体層２に代えて、Ｓｉ単結晶からなるＳｉ半導体層が採用されてもよい。
　この出願は、２０１９年５月２２日に日本国特許庁に提出された特願２０１９－０９６２８９号に対応しており、これらの出願の全開示はここに引用により組み込まれる。
　本発明の実施形態について詳細に説明してきたが、これらは本発明の技術的内容を明らかにするために用いられた具体例に過ぎず、本発明はこれらの具体例に限定して解釈されるべきではなく、本発明の範囲は添付の請求の範囲によってのみ限定される。
１　　　ＳｉＣ半導体装置
２　　　ＳｉＣ半導体層
３　　　第１主面
２１　　ゲートトレンチ
２２　　ゲート絶縁層
２３　　ゲート電極
３１　　ソーストレンチ
３２　　ソース絶縁層
３３　　ソース電極
３４　　第１トレンチ部
３５　　第２トレンチ部
３６　　側壁窓部
３９　　側壁コンタクト部
４１　　ボディ領域
４２　　ソース領域
４３　　コンタクト領域
４４　　ディープウェル領域
６７　　ソース孔
６９　　リセス
８５　　ソース接続電極
９１　　絶縁層
１３１　ＳｉＣ半導体装置
１３２　底壁窓部
１３４　底壁コンタクト部
１５１　ＳｉＣ半導体装置
Ｄ１　　ゲートトレンチの第１深さ
Ｄ２　　ソーストレンチの第２深さ
Ｗ１　　第１トレンチ部の第１幅
Ｗ２　　第２トレンチ部の第２幅

Claims (24)

  1. 　主面を有する第１導電型のＳｉＣ半導体層と、
    　前記主面に形成され、側壁および底壁を有するソーストレンチと、
    　前記ソーストレンチに埋設され、前記ソーストレンチの前記側壁において前記ソーストレンチの開口側の領域に接する側壁コンタクト部を有するソース電極と、
    　前記主面の表層部において前記ソーストレンチに沿う領域に形成された第２導電型のボディ領域と、
    　前記ボディ領域の表層部において前記ソース電極の前記側壁コンタクト部に電気的に接続された第１導電型のソース領域と、を含む、ＳｉＣ半導体装置。
  2. 　前記ボディ領域は、前記ソース電極の前記側壁コンタクト部に電気的に接続されている、請求項１に記載のＳｉＣ半導体装置。
  3. 　前記主面の上において前記ソース領域を被覆する絶縁層をさらに含む、請求項１または２に記載のＳｉＣ半導体装置。
  4. 　前記絶縁層は、前記主面の上において前記ソース電極の前記側壁コンタクト部を被覆している、請求項３に記載のＳｉＣ半導体装置。
  5. 　前記絶縁層は、断面視において前記ソース領域の全域を被覆している、請求項３または４に記載のＳｉＣ半導体装置。
  6. 　前記絶縁層は、平面視において前記ソース領域の全域を被覆している、請求項３～５のいずれか一項に記載のＳｉＣ半導体装置。
  7. 　前記絶縁層に形成され、前記ソース電極を露出させるソース孔と、
    　前記ソース孔に埋設され、前記ソース電極に接続されたソース接続電極と、を含む、請求項３～６のいずれか一項に記載のＳｉＣ半導体装置。
  8. 　前記ソース接続電極は、前記ソース電極とは異なる導電材料を含む、請求項７に記載のＳｉＣ半導体装置。
  9. 　前記ソース孔は、前記ソース電極のみを露出させており、
    　前記ソース接続電極は、前記ソース孔内において前記ソース電極のみに接続されている、請求項７または８に記載のＳｉＣ半導体装置。
  10. 　前記ソース電極は、前記ソーストレンチの前記底壁に向けて窪んだリセスを有する電極面を含み、
    　前記ソース孔は、前記ソース電極の前記リセスに連通している、請求項７～９のいずれか一項に記載のＳｉＣ半導体装置。
  11. 　前記ソース電極は、金属材料以外の導電材料からなる、請求項１～１０のいずれか一項に記載のＳｉＣ半導体装置。
  12. 　前記ソース電極は、導電性ポリシリコンからなる、請求項１～１１のいずれか一項に記載のＳｉＣ半導体装置。
  13. 　前記ソース電極は、ｐ型ポリシリコンからなる、請求項１～１２のいずれか一項に記載のＳｉＣ半導体装置。
  14. 　前記ソーストレンチは、第１幅で開口側に形成された第１トレンチ部、および、前記第１幅未満の第２幅で前記底壁側に形成された第２トレンチ部を含み、
    　前記ソース電極の前記側壁コンタクト部は、前記第１トレンチ部から露出している、請求項１～１３のいずれか一項に記載のＳｉＣ半導体装置。
  15. 　前記ボディ領域の表層部において前記ソース電極の前記側壁コンタクト部に電気的に接続されるように前記ソース領域および前記ソース電極の前記側壁コンタクト部の間に介在し、前記ボディ領域の第２導電型不純物濃度を超える第２導電型不純物濃度を有する第２導電型のコンタクト領域をさらに含む、請求項１～１４のいずれか一項に記載のＳｉＣ半導体装置。
  16. 　複数の前記コンタクト領域が、前記ソーストレンチに沿って間隔を空けて形成されている、請求項１５に記載のＳｉＣ半導体装置。
  17. 　前記コンタクト領域は、前記ボディ領域および前記ソース電極の前記側壁コンタクト部の間に介在している、請求項１５または１６に記載のＳｉＣ半導体装置。
  18. 　前記コンタクト領域は、前記ソーストレンチの前記側壁および前記底壁を被覆している、請求項１５～１７のいずれか一項に記載のＳｉＣ半導体装置。
  19. 　前記主面の表層部において前記ボディ領域の下方の領域で前記ソーストレンチに沿って形成され、前記コンタクト領域の第２導電型不純物濃度未満の第２導電型不純物濃度を有する第２導電型のディープウェル領域をさらに含む、請求項１５～１８のいずれか一項に記載のＳｉＣ半導体装置。
  20. 　前記ディープウェル領域は、前記ソーストレンチの前記側壁および前記底壁を被覆している、請求項１９に記載のＳｉＣ半導体装置。
  21. 　前記主面に形成されたゲートトレンチと、
    　前記ゲートトレンチの内壁に形成されたゲート絶縁層と、
    　前記ゲート絶縁層を挟んで前記ゲートトレンチに埋設されたゲート電極と、をさらに含む、請求項１～２０のいずれか一項に記載のＳｉＣ半導体装置。
  22. 　前記ゲートトレンチは、第１深さを有しており、
    　前記ソーストレンチは、前記第１深さを超える第２深さを有している、請求項２１に記載のＳｉＣ半導体装置。
  23. 　前記ソーストレンチの開口側の領域において前記ソーストレンチの前記側壁を露出させる側壁窓部を有し、前記ソーストレンチの前記側壁および前記底壁を被覆するソース絶縁層をさらに含み、
    　前記ソース電極の前記側壁コンタクト部は、前記側壁窓部から露出する前記ソーストレンチの前記側壁に接している、請求項１～２２のいずれか一項に記載のＳｉＣ半導体装置。
  24. 　前記ソーストレンチの前記側壁において前記ソーストレンチの開口側の領域を露出させる側壁窓部、および、前記ソーストレンチの前記底壁を露出させる底壁窓部を有し、少なくとも前記ソーストレンチの前記側壁を被覆するソース絶縁層をさらに含み、
    　前記ソース電極は、前記ソース絶縁層を挟んで前記ソーストレンチに埋設され、前記側壁窓部から露出する前記ソーストレンチの前記側壁に接する前記側壁コンタクト部、および、前記底壁窓部から露出する前記ソーストレンチの前記底壁に接する底壁コンタクト部を有している、請求項１～２２のいずれか一項に記載のＳｉＣ半導体装置。
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